KR102514145B1 - Resin composition - Google Patents

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Abstract

[과제] 유전율이 낮고 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 제공한다.
[해결수단] (A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, (B) 성분의 양이 (A) 성분 100질량%에 대해 10질량% 내지 70질량%인, 수지 조성물.
[선택도] 없음
[PROBLEMS] To provide a resin composition capable of obtaining an insulating layer having a low dielectric constant and excellent temperature stability of dielectric loss tangent.
[Solution] A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler, wherein the amount of component (B) is 100% by mass of component (A) 10% by mass to 70% by mass relative to the resin composition.
[Selectivity] None

Description

수지 조성물 {RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물, 시트상 적층 재료, 회로 기판 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a sheet-like laminated material, a circuit board and a semiconductor device.

회로 기판의 제조 기술로서는, 내층 기판에 절연층과 도체층을 교대로 적층하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 절연층은, 일반적으로, 수지 조성물을 함유하는 수지 바니쉬의 도막으로서 수지 조성물층을 얻고, 이 수지 조성물층을 경화시킴으로써 형성된다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 경화제와, 불소 수지 필러를 함유하는 수지 조성물로서, 이러한 불소 수지 필러의 함유량이 상기 수지 조성물의 고형분에 대해 50 내지 85질량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물이 기재되어 있다.As a manufacturing technology of a circuit board, a manufacturing method by a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are laminated alternately on an inner layer substrate is known. The insulating layer is generally formed by obtaining a resin composition layer as a coating film of a resin varnish containing the resin composition and curing the resin composition layer. For example, Patent Document 1 is a resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and a fluororesin filler, wherein the content of the fluororesin filler is 50 to 85 mass% with respect to the solid content of the resin composition. A resin composition is described.

일본 공개특허공보 제2016-166347호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-166347

절연층을 형성하기 위한 수지 조성물은, 높은 절연 성능을 달성하는 관점에서, 일반적으로, 열경화성 수지를 많이 포함한다. 이 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지를 사용하는 것이 일반적이었다. 이에 대해, 본 발명자는 유전율이 낮은 절연층을 개발하기 위해, 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 불소계 충전재를 적용하는 것을 검토하였다.The resin composition for forming the insulating layer generally contains a large amount of thermosetting resin from the viewpoint of achieving high insulating performance. As this thermosetting resin, it was common to use an epoxy resin. In contrast, the present inventors studied applying a fluorine-based filler to a resin composition containing an epoxy resin in order to develop an insulating layer having a low dielectric constant.

본 발명자는 또한, 상기한 바와 같이 에폭시 수지 및 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물을, 레이더의 안테나 회로 기판의 절연층에 적용하는 것을 시도하였다. 그런데, 이 안테나 회로 기판을 구비한 레이더는 온도에 의해 검출 가능 범위가 변화하는 것으로 판명되었다. 예를 들면, 어느 온도에서의 검출 가능 범위가 20m으로 넓은 레이더라도, 별도의 온도에서의 검출 가능 범위가 5m으로 좁아지는 경우가 있을 수 있었다.The present inventors also attempted to apply a resin composition containing an epoxy resin and a fluorine-based filler as described above to an insulating layer of a radar antenna circuit board. However, it has been found that the detectable range of the radar equipped with this antenna circuit board changes depending on the temperature. For example, even if the detection range at a certain temperature is wide at 20 m, there may be cases where the detection range at another temperature is narrowed to 5 m.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료; 상기 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised in view of the above problems, and when installed on a radar antenna circuit board, a resin composition capable of suppressing temperature-induced changes in a radar detectable range and obtaining an insulating layer having a low dielectric constant; a sheet-like laminated material containing the above resin composition; It is an object of the present invention to provide a circuit board and a semiconductor device including an insulating layer made of a cured product of the resin composition.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자는, 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화의 원인이 절연층의 유전 정접의 온도 안정성에 있다는 지견을 얻었다. 구체적으로는, 레이더의 안테나 회로 기판의 절연층의 유전 정접이 온도에 의해 변화되면, 그 안테나 회로 기판의 손실 크기가 온도에 의해 변화되므로, 그 안테나 회로 기판의 감도가 온도에 의해 변화되고, 그 결과, 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화가 생기고 있었다. 그래서, 본 발명자는 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.The present inventors intensively studied to solve the above problems. As a result, the inventors have found that the temperature stability of the dielectric loss tangent of the insulating layer is the cause of the temperature-dependent change in the detectable range of the radar. Specifically, when the dielectric loss tangent of the insulating layer of the radar antenna circuit board changes with temperature, the magnitude of the loss of the antenna circuit board changes with temperature, so the sensitivity of the antenna circuit board changes with temperature. As a result, a change occurred due to the temperature within the detectable range. Then, this inventor discovered that the said subject could be solved by the resin composition which can obtain the insulating layer excellent in temperature stability of dielectric loss tangent, and completed this invention.

즉, 본 발명은 이하의 것을 포함한다.That is, the present invention includes the following.

〔1〕(A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, (B) 성분의 양이 (A) 성분 100질량%에 대해 10질량% 내지 70질량%인, 수지 조성물.[1] A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler, wherein the amount of component (B) is based on 100% by mass of component (A) 10% by mass to 70% by mass relative to the resin composition.

〔2〕(A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이고, Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%인, 수지 조성물.[2] (A) a resin composition containing an epoxy resin and (D) a fluorine-based filler, wherein the dielectric loss tangent at -10 ° C, 25 ° C and 100 ° C of a cured product obtained by heat-treating the resin composition at 200 ° C for 90 minutes, In the case of Df(-10℃), Df(25℃) and Df(100℃), the ratio of Df(-10℃) to Df(25℃) Df(-10℃)/Df(25℃) is 85% to 115%, and the ratio of Df (100 ° C) to Df (25 ° C) Df (100 ° C) / Df (25 ° C) is 85% to 115%, the resin composition.

〔3〕(B) 말레이미드 화합물을 포함하는, 〔2〕에 기재된 수지 조성물.[3] (B) The resin composition according to [2], containing a maleimide compound.

〔4〕(D) 성분이 불소계 중합체 입자인, 〔1〕내지〔3〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the component (D) is fluorine-based polymer particles.

〔5〕(D) 성분이 폴리테트라플루오로에틸렌 입자인, 〔1〕내지〔4〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein component (D) is polytetrafluoroethylene particles.

〔6〕(E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지를 포함하는, 〔1〕내지〔5〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] (E) The resin composition according to any one of [1] to [5], containing a resin having an unsaturated hydrocarbon group.

〔7〕(E) 성분이 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는, 〔6〕에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to [6], wherein component (E) has at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acrylic group, a methacrylic group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group, and a propenyl group.

〔8〕(E) 성분이 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는,〔6〕또는〔7〕에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to [6] or [7], wherein the component (E) has a vinyl group and has a 5- or more-membered ring cyclic ether structure.

〔9〕회로 기판의 절연층 형성용인, [1] 내지〔8〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], for forming an insulating layer of a circuit board.

〔10〕〔1〕내지〔9〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료.[10] A sheet-like laminated material comprising the resin composition according to any one of [1] to [9].

〔11〕〔1〕내지〔9〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판.[11] A circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

〔12〕〔11〕에 기재된 회로 기판을 구비하는 반도체 장치.[12] A semiconductor device comprising the circuit board according to [11].

본 발명에 의하면, 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료; 상기 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, when installed on a radar antenna circuit board, a resin composition capable of suppressing temperature-induced changes in a radar detectable range and obtaining an insulating layer having a low permittivity; a sheet-like laminated material containing the above resin composition; A circuit board and a semiconductor device including an insulating layer made of a cured product of the resin composition may be provided.

이하, 실시형태 및 예시물을 개시하여 본 발명에 대해 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은 이하에 개시하는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by disclosing embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples disclosed below, and can be implemented with arbitrary changes without departing from the scope of the claims of the present invention and their equivalents.

이하의 설명에서, 수지 조성물 중의 각 성분의 양은 별도 명시가 없는 한 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 값이다.In the following description, the amount of each component in the resin composition is a value relative to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition unless otherwise specified.

이하의 설명에서, 용어 「유전율」이란, 별도 명시가 없는 한 비유전율을 나타낸다.In the following description, the term “permittivity” indicates relative permittivity unless otherwise specified.

[1. 제1 실시형태에 따른 수지 조성물][One. Resin composition according to the first embodiment]

[1.1. 수지 조성물의 개요][1.1. Overview of Resin Composition]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함한다. 여기서, 용어 「불소계」란, 불소 원자를 포함하는 것을 말한다. 또한, 용어 「불소계 충전재」란, 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 충전재를 말한다. 또한, 이 수지 조성물에 있어서, (B) 말레이미드 화합물의 양은 소정의 범위에 있다.The resin composition according to the first embodiment of the present invention includes (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler. Here, the term "fluorine-based" refers to one containing a fluorine atom. In addition, the term "fluorine-based filler" refers to a filler containing a compound containing a fluorine atom as a material. In addition, in this resin composition, the amount of the (B) maleimide compound is within a predetermined range.

이러한 수지 조성물의 경화물은 유전율이 낮다. 또한, 이러한 수지 조성물의 경화물은 유전 정접의 온도 안정성이 우수하다. 따라서, 상기 수지 조성물을 사용함으로써, 유전 정접의 온도 안정성이 우수하여 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며, 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 실현할 수 있다는, 본 발명이 원하는 효과를 얻을 수 있다.A cured product of such a resin composition has a low dielectric constant. In addition, the cured product of this resin composition is excellent in temperature stability of dielectric loss tangent. Therefore, by using the resin composition, the temperature stability of the dielectric loss tangent is excellent, and when installed on the radar antenna circuit board, it is possible to suppress the change due to the temperature of the radar detectable range, and to obtain an insulating layer having a low dielectric constant. The desired effect can be obtained by the present invention, that a resin composition capable of doing this can be realized.

[1.2. (A) 에폭시 수지][1.2. (A) Epoxy Resin]

(A) 성분으로서의 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A) As an epoxy resin as a component, for example, bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin , trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type Epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, spirocyclic epoxy resins resins, cyclohexane type epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, trimethylol type epoxy resins, and tetraphenylethane type epoxy resins. An epoxy resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

(A) 에폭시 수지로서는, 온도에 의한 특성의 변화가 작기 때문에, 에폭시기 이외에 지환식 구조 및 방향환 구조 등의 환상 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 그 중에서도, 절연층의 평균 선열팽창율을 저하시키는 관점에서, 방향족계의 에폭시 수지가 바람직하다. 여기서, 방향족계의 에폭시 수지란, 그 분자가 방향족 골격을 함유하는 에폭시 수지를 말한다. 또한, 방향족 골격이란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이고, 벤젠환 등의 단환 구조뿐만 아니라, 나프탈렌환 등의 다환 방향족 구조 및 방향족 복소환 구조도 포함한다. 그 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.(A) As the epoxy resin, since the change in properties due to temperature is small, an epoxy resin having a cyclic structure such as an alicyclic structure and an aromatic ring structure in addition to an epoxy group is preferable. Among them, an aromatic epoxy resin is preferable from the viewpoint of reducing the average coefficient of linear thermal expansion of the insulating layer. Here, an aromatic epoxy resin refers to an epoxy resin whose molecule contains an aromatic skeleton. In addition, an aromatic skeleton is a chemical structure generally defined as aromatic, and includes not only monocyclic structures such as benzene rings, but also polycyclic aromatic structures such as naphthalene rings and aromatic heterocyclic structures. Among them, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effects of the present invention, (A) epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bixylenol type epoxy resins, biphenylaralkyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, and naphthalene type 4 It is preferably at least one type of epoxy resin selected from the group consisting of functional epoxy resins and naphthol type epoxy resins, and bixylenol type epoxy resins are particularly preferable.

수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.It is preferable that a resin composition contains the epoxy resin which has 2 or more epoxy groups in 1 molecule as (A) epoxy resin. From the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, (A) the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100% by mass of the non-volatile component of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, More preferably, it is 60 mass % or more, Especially preferably, it is 70 mass % or more.

에폭시 수지로는, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다)와, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다)가 있다. 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋다. (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용함으로써 수지 조성물층의 가요성을 향상시키거나, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 향상시킬 수 있다.As the epoxy resin, a liquid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”) and a solid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter sometimes referred to as “solid epoxy resin”) there is. The resin composition may contain only a liquid epoxy resin as the (A) epoxy resin, may contain only a solid epoxy resin, or may contain a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin. (A) As the epoxy resin, by using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination, the flexibility of the resin composition layer can be improved or the breaking strength of a cured product of the resin composition can be improved.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Examples of liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, and phenol novolac type epoxy resins. , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a glycidylamine type epoxy resin , bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins and naphthalene type epoxy resins are more preferable, and bisphenol A type epoxy resins are particularly preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032" by DIC Corporation, "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin); "828US", "jER828US", "jER828EL", "825", "Epicoat 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER807" by Mitsubishi Chemical Corporation, "1750" (bisphenol F-type epoxy resin); "jER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "630" by Mitsubishi Chemical Corporation, "630LSD" (glycidylamine type|mold epoxy resin); "ZX1059" manufactured by Nippon Steel & Chemical Co., Ltd. (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); "EX-721" by Nagase ChemteX Co., Ltd. (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide 2021P" by Daicel Co., Ltd. (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); "PB-3600" by the Daicel company (epoxy resin which has a butadiene structure); “ZX1658” and “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Chemical Co., Ltd., and the like are exemplified. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid-state epoxy resin, the solid-state epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid-state epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Examples of solid epoxy resins include bixylenol-type epoxy resins, biphenylaralkyl-type epoxy resins, naphthalene-type epoxy resins, naphthalene-type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolac-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, and trisphenol-type epoxy resins. Preferable are naphthol type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, and tetraphenylethane type epoxy resins, and bixylenol type epoxy resins. Resins, biphenylaralkyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins and naphthol type epoxy resins are more preferable, and bixylenol type epoxy resins are particularly preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐아랄킬형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카가스케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쓰비시케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP4032H" by DIC Corporation (naphthalene-type epoxy resin); "HP-4700" by DIC Corporation, "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin); "N-690" by DIC Corporation (cresol novolak-type epoxy resin); "N-695" by DIC Corporation (cresol novolak-type epoxy resin); "HP-7200" by DIC Corporation (dicyclopentadiene type epoxy resin); "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" manufactured by DIC ( naphthylene ether type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H" (trisphenol-type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC7000L" (naphthol novolak-type epoxy resin); Nihon Kayaku Co., Ltd. "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl aralkyl type epoxy resin); "ESN475V" (naphthol type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Chemical Co., Ltd.; "ESN485" (naphthol novolak-type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Chemical Co., Ltd.; Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000H", "YX4000", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YX8800" (anthracene type epoxy resin); "PG-100" by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., "CG-500" (bisphenol AF type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YL7800" (fluorene type epoxy resin); "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) by the Mitsubishi Chemical Corporation is mentioned. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

(A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 그들의 질량비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 바람직하게는 1:0.1 내지 1:15, 보다 바람직하게는 1:0.5 내지 1:10, 특히 바람직하게는 1:1 내지 1:8이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 질량비가 상기 범위에 있음으로써, 접착 필름의 형태로 사용하는 경우에, 바람직한 점착성을 얻을 수 있다. 또한, 접착 필름의 형태로 사용하는 경우에, 충분한 가요성을 얻을 수 있어, 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도를 효과적으로 높일 수 있다.(A) As the epoxy resin, when a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination, their mass ratio (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is preferably 1:0.1 to 1:15, more preferably 1 :0.5 to 1:10, particularly preferably 1:1 to 1:8. When the mass ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is within the above range, when used in the form of an adhesive film, desirable adhesiveness can be obtained. Further, when used in the form of an adhesive film, sufficient flexibility can be obtained and handling properties can be improved. Moreover, the breaking strength of the cured product of the resin composition can be effectively increased.

(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 특히 바람직하게는 110 내지 1000이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시 당량이 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 수득할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이고, JIS K7236D에 따라 측정할 수 있다.(A) The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, and particularly preferably 110 to 1000. (A) When the epoxy equivalent of the epoxy resin is within the above range, the crosslinking density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and an insulating layer with small surface roughness can be obtained. In addition, epoxy equivalent is the mass of resin containing an epoxy group of 1 equivalent, and can be measured according to JISK7236D.

(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000이고, 보다 바람직하게는 250 내지 3000이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 에폭시 수지 등의 수지의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.(A) The weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably from 100 to 5000, more preferably from 250 to 3000, still more preferably from 400 to 1500, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. The weight average molecular weight of a resin such as an epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

수지 조성물에서의 (A) 에폭시 수지의 양은 양호한 기계 강도 및 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 특히 바람직하게는 9질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 특히 바람직하게는 30질량% 이하이다.The amount of the (A) epoxy resin in the resin composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. is 5% by mass or more, particularly preferably 9% by mass or more, preferably 70% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 30% by mass or less.

[1.3. (B) 말레이미드 화합물][1.3. (B) maleimide compound]

(B) 성분으로서의 말레이미드 화합물은 하기 화학식 (B1)로 표시되는 말레이미드기를 분자 중에 함유하는 화합물이다.The maleimide compound as component (B) is a compound containing a maleimide group represented by the following formula (B1) in its molecule.

화학식 (B1)Formula (B1)

Figure 112018081091316-pat00001
Figure 112018081091316-pat00001

(B) 말레이미드 화합물의 1분자당 말레이미드기의 수는 1개라도 좋지만, 바람직하게는 2개 이상이고, 바람직하게는 10개 이하, 보다 바람직하게 6개 이하, 특히 바람직하게는 3개 이하이다. 1분자당 2개 이상의 말레이미드기를 갖는 (B) 말레이미드 화합물을 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다.(B) The number of maleimide groups per molecule of the maleimide compound may be 1, but is preferably 2 or more, preferably 10 or less, more preferably 6 or less, and particularly preferably 3 or less. am. By using the (B) maleimide compound having two or more maleimide groups per molecule, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the temperature stability of the dielectric loss tangent of the cured product can be effectively improved.

(B) 말레이미드 화합물은 말레이미드기에 조합하여 방향족 골격을 함유하는 것이 바람직하다. 방향족 골격을 함유하는 (B) 말레이미드 화합물을 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다. 특히, (B) 말레이미드 화합물은 방향족 골격으로서 벤젠환을 함유하는 것이 바람직하다.(B) It is preferable that the maleimide compound contains an aromatic skeleton in combination with a maleimide group. By using the (B) maleimide compound containing an aromatic skeleton, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the temperature stability of the dielectric loss tangent of the cured product can be effectively improved. In particular, it is preferable that the maleimide compound (B) contains a benzene ring as an aromatic skeleton.

(B) 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 폴리페닐메탄말레이미드, 페닐렌비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산, 4,4'-디페닐에테르비스말레이미드, 4,4'-디페닐설폰비스말레이미드, 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠 등을 들 수 있다.(B) Examples of the maleimide compound include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, polyphenylmethane maleimide, phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenylether bismaleimide, and 3,3'- Dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethanebismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide, 1,6'-bismaleimide-(2,2, 4-trimethyl)hexane, 4,4'-diphenyletherbismaleimide, 4,4'-diphenylsulfonebismaleimide, 1,3-bis(3-maleimidephenoxy)benzene, 1,3-bis (4-maleimide phenoxy) benzene etc. are mentioned.

본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (B) 말레이미드 화합물로서는, 화학식 (B2)로 표시되는 폴리페닐메탄말레이미드, 및 화학식 (B3)으로 표시되는 페닐렌비스말레이미드가 특히 바람직하다. 화학식 (B2)에서, n은 0 이상의 정수를 나타낸다.From the viewpoint of remarkably obtaining the desired effects of the present invention, as the maleimide compound (B), polyphenylmethane maleimide represented by the general formula (B2) and phenylene bismaleimide represented by the general formula (B3) are particularly preferred. . In formula (B2), n represents an integer greater than or equal to 0.

화학식 (B2)Formula (B2)

Figure 112018081091316-pat00002
Figure 112018081091316-pat00002

화학식 (B3)Formula (B3)

Figure 112018081091316-pat00003
Figure 112018081091316-pat00003

(B) 말레이미드 화합물의 구체예로서는, 다이와카세이코교사 제조 「BMI-1000」, 케이·아이카세이사 제조 「BMI」(4,4'-디페닐메탄비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」(폴리페닐메탄말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」(m-페닐렌비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-4000」, 케이·아이카세이사 제조 「BMI-80」(비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-5100」, 케이·아이카세이사 제조 「BMI-70」(3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-7000」(4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-TMH」(1,6'-비스말레이미드(2,2,4-트리메틸)헥산); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-6000」(4,4'-디페닐에테르비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조 「BMI-8000」(4,4'-디페닐설폰비스말레이미드); 다이와카세이코교사 제조의 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠; 다이와카세이코교사 제조의 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠; 미쯔이카가쿠파인사 제조 「ANILIX-MI」 등을 들 수 있다. 또한, (B) 말레이미드 화합물은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(B) As a specific example of a maleimide compound, "BMI-1000" by Daiwa Kasei Co., Ltd. and "BMI" (4,4'-diphenylmethane bismaleimide) by Kei-Ikasei Co., Ltd.; "BMI-2000" (polyphenylmethane maleimide) manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.; "BMI-3000" by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd. (m-phenylene bismaleimide); "BMI-4000" by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd., "BMI-80" (bisphenol A diphenylether bismaleimide) by Kei-Ikasei Co., Ltd.; "BMI-5100" manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd., "BMI-70" manufactured by Kei-Ikasei Co., Ltd. (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethanebismaleimide) ; Daiwa Chemical Industry Co., Ltd. "BMI-7000" (4-methyl-1, 3-phenylene bismaleimide); "BMI-TMH" (1,6'-bismaleimide (2,2,4-trimethyl)hexane) manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.; "BMI-6000" (4,4'-diphenyl ether bismaleimide) manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.; "BMI-8000" (4,4'-diphenylsulfone bismaleimide) manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.; 1,3-bis(3-maleimidephenoxy)benzene manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.; 1,3-bis(4-maleimidephenoxy)benzene manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.; "ANILIX-MI" by Mitsui Chemicals Fine Inc., etc. are mentioned. In addition, (B) maleimide compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(B) 말레이미드 화합물은, 예를 들면, 무수 말레산과 적절한 아민 화합물을 반응시켜 제조할 수 있다.(B) A maleimide compound can be manufactured by making maleic anhydride and an appropriate amine compound react, for example.

수지 조성물에서의 (B) 말레이미드 화합물의 양은 (A) 에폭시 수지 100질량%에 대해, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 11질량% 이상, 특히 바람직하게는 12질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 69질량% 이하, 특히 바람직하게는 68질량% 이하이다. (B) 말레이미드 화합물의 양이 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 양호하게 할 수 있다.The amount of the maleimide compound (B) in the resin composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 11% by mass or more, particularly preferably 12% by mass or more with respect to 100% by mass of the (A) epoxy resin, It is preferably 70% by mass or less, more preferably 69% by mass or less, and particularly preferably 68% by mass or less. (B) When the amount of the maleimide compound is within the above range, the temperature stability of the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition can be improved.

수지 조성물에서의 (B) 말레이미드 화합물의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.8질량% 이상, 특히 바람직하게는 1.0질량% 이상이고, 바람직하게는 7.0질량% 이하, 보다 바람직하게는 6.7질량% 이하, 특히 바람직하게는 6.2질량% 이하이다. (B) 말레이미드 화합물의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 경화물의 유전 정접의 온도 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다.The amount of the (B) maleimide compound in the resin composition is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more, and particularly preferably 1.0% by mass or more based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. , Preferably it is 7.0 mass % or less, More preferably, it is 6.7 mass % or less, Especially preferably, it is 6.2 mass % or less. (B) When the amount of the maleimide compound is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the temperature stability of the dielectric loss tangent of the cured product can be effectively improved.

[1.4. (C) 무기 충전재][1.4. (C) inorganic filler]

(C) 성분으로서의 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산-지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산-텅스텐산지르코늄을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 구형 실리카가 바람직하다. (C) 무기 충전재는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the inorganic filler material as component (C) include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, and boehmite. , aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, titanic acid and barium titanate-zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and phosphate-zirconium tungstate. Among these, silica is particularly suitable from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effects of the present invention. As silica, amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica etc. are mentioned, for example. Among them, spherical silica is preferable. (C) An inorganic filler may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

통상, (C) 무기 충전재는 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다. (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 5.0㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.0㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0㎛ 이하이다. 또한, (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경이 상기 범위에 있음으로써, 통상 수지 조성물층의 회로 매립성을 향상시키거나, 절연층의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다.Usually, (C) an inorganic filler is contained in a resin composition in the form of particles. (C) The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 µm or more, more preferably 0.05 µm or more, particularly preferably 0.1 µm or more, and preferably 5.0 µm or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. μm or less, more preferably 2.0 μm or less, still more preferably 1.0 μm or less. Further, (C) when the average particle diameter of the inorganic filler is within the above range, the circuit embeddability of the resin composition layer can be improved or the surface roughness of the insulating layer can be reduced.

(C) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 신닛데츠스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 도쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.(C) Examples of commercially available inorganic fillers include "SP60-05" and "SP507-05" manufactured by Nippon Steel Sumikin Materials; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex; "UFP-30" by Denka Corporation; "Silent NSS-3N", "Seal NSS-4N", and "Seal NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" etc. by the Adomatex company are mentioned.

(C) 무기 충전재 등의 입자의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 장치에 의해, 입자의 입경 분포를 체적 기준으로 측정하고, 그 입경 분포로부터 메디안 직경으로서 평균 입자 직경을 얻을 수 있다. 측정 샘플은 입자를 초음파에 의해 물 등의 용제 중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입경 분포 측정 장치로서는 호리바세이사쿠쇼사 제조의 「LA-500」 등을 사용할 수 있다.(C) The average particle diameter of particles such as an inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of particles is measured on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer, and the average particle size can be obtained as the median size from the particle size distribution. As the measurement sample, a particle obtained by dispersing particles in a solvent such as water by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. or the like can be used.

(C) 무기 충전재의 비표면적은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특별한 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은 BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.(C) The specific surface area of the inorganic filler is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, and particularly preferably 3 m 2 /g or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. . The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec Co., Ltd.) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(C) 무기 충전재는 임의의 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제 등의 커플링제; 알콕시실란 화합물; 오르가노실라잔 화합물 등을 들 수 있다. 이들의 표면 처리제로 표면 처리됨으로써, (C) 무기 충전재의 내습성 및 분산성을 높일 수 있다.(C) The inorganic filler may be surface treated with an optional surface treatment agent. Examples of the surface treatment agent include coupling agents such as aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, and titanate coupling agents; alkoxysilane compounds; An organosilazane compound etc. are mentioned. By surface treatment with these surface treatment agents, the moisture resistance and dispersibility of (C) inorganic filler can be improved.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제) 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a commercial item of a surface treatment agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), for example Silane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Kogyo Co., Ltd. "KBM-103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long chain epoxy type) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. A silane coupling agent) etc. are mentioned. In addition, a surface treatment agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는 (C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. (C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 (C) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.02mg/㎡ 이상, 보다 바람직하게는 0.1mg/㎡ 이상, 특히 바람직하게는 0.2mg/㎡ 이상이다. 한편, 수지 바니쉬의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 상기 카본량은, 바람직하게는 1mg/㎡ 이하, 보다 바람직하게는 0. 8mg/㎡ 이하, 특히 바람직하게는 0.5mg/㎡ 이하이다.The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of (C) inorganic filler. (C) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the (C) inorganic filler. or more, particularly preferably 0.2 mg/m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in the form of a sheet, the carbon amount is preferably 1 mg/m 2 or less, more preferably 0.8 mg/m 2 or less, particularly preferably It is less than 0.5mg/m2.

(C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 표면 처리 후의 (C) 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(이하 「MEK」라고 약칭하는 경우가 있다))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 충분한 양의 MEK와, 표면 처리제로 표면 처리된 (C) 무기 충전재를 혼합하여, 25℃에서 5분간, 초음파 세정한다. 이어서, 상청액을 제거하고, 불휘발 성분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여, (C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」를 사용할 수 있다.(C) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is measured after washing the (C) inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (hereinafter sometimes abbreviated as “MEK”)). can do. Specifically, a sufficient amount of MEK and (C) inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent are mixed, and ultrasonic cleaning is performed at 25°C for 5 minutes. Then, after removing the supernatant and drying the non-volatile components, the amount of carbon per unit surface area of (C) the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. can be used.

수지 조성물에서의 (C) 무기 충전재의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상, 특히 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다. (C) 무기 충전재의 양이 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 수지 조성물의 경화물의 열팽창율을 낮게 할 수 있으므로, 절연층의 휘어짐을 억제할 수 있다. 또한, (C) 무기 충전재의 양이 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 수지 조성물의 경화물의 기계적 강도를 향상시킬 수 있고, 특히 신장(伸張)에 대한 내성을 높일 수 있다.The amount of the (C) inorganic filler in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, still more preferably 15% by mass or more, especially with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is preferably 20% by mass or more, preferably 80% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, still more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less. (C) Since the thermal expansion coefficient of the hardened|cured material of a resin composition can be made low when the quantity of an inorganic filler is more than the lower limit of the said range, the curvature of an insulating layer can be suppressed. Further, (C) When the amount of the inorganic filler is equal to or less than the upper limit of the above range, the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be improved, and especially resistance to elongation can be enhanced.

[1.5. (D) 불소계 충전재][1.5. (D) fluorine-based filler]

(D) 성분으로서의 불소계 충전재는 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 충전재이다. 불소계 충전재는 일반적으로 입자로 되어 있다. 따라서, (D) 불소계 충전재로서, 통상 불소 원자를 포함하는 화합물을 재료로서 포함하는 입자를 사용한다.The fluorine-based filler as component (D) is a filler containing a compound containing a fluorine atom as a material. Fluorine-based fillers are generally in the form of particles. Therefore, as the (D) fluorine-based filler, particles containing a compound containing a fluorine atom as a material are usually used.

(D) 불소계 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 불소계 중합체, 불소계 고무 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 절연층의 유전율을 저감하는 관점에서, 불소계 중합체가 바람직하다. 따라서, (D) 불소계 충전재로서는 불소계 중합체 입자가 바람직하다.(D) As a material of a fluorine-type filler, a fluoropolymer, a fluororubber, etc. are mentioned, for example. Especially, from a viewpoint of reducing the dielectric constant of an insulating layer, a fluoropolymer is preferable. Therefore, as the (D) fluorine-based filler, fluorine-based polymer particles are preferred.

불소계 중합체로서는, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 퍼플루오로에틸렌프로펜 공중합체(FEP), 에틸렌·테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로디옥솔 공중합체(TFE/PDD), 폴리불화비닐리덴(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(ECTFE), 폴리불화비닐(PVF)을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the fluorine-based polymer include polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxyalkane (PFA), perfluoroethylene propene copolymer (FEP), ethylene/tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), Tetrafluoroethylene-perfluorodioxole copolymer (TFE/PDD), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), polyfluorinated Vinyl (PVF) is exemplified. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

이들 중에서도, 절연층의 유전율을 특히 저감하는 관점에서, 불소계 중합체로서는 폴리테트라플루오로에틸렌이 바람직하다. 따라서, (D) 불소계 충전재로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 입자로서의 폴리테트라플루오로에틸렌 입자가 바람직하다.Among these, polytetrafluoroethylene is preferable as the fluorine-based polymer from the viewpoint of particularly reducing the dielectric constant of the insulating layer. Therefore, as the (D) fluorine-based filler, polytetrafluoroethylene particles as particles containing polytetrafluoroethylene are preferred.

불소계 중합체의 중량 평균 분자량은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 5000000 이하, 보다 바람직하게는 4000000 이하, 특히 바람직하게는 3000000 이하이다.The weight average molecular weight of the fluorine-based polymer is preferably 5000000 or less, more preferably 4000000 or less, particularly preferably 3000000 or less, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention.

(D) 불소계 충전재의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.08㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.10㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 4㎛ 이하이다. (D) 불소계 충전재의 평균 입자 직경이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 또한 통상 수지 조성물 중에서의 (D) 불소계 충전재의 분산성을 양호하게 할 수 있다. (D) 불소계 충전재의 평균 입자 직경은 (C) 무기 충전재와 마찬가지로, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다.(D) The average particle diameter of the fluorine-based filler is preferably 0.05 μm or more, more preferably 0.08 μm or more, particularly preferably 0.10 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, Especially preferably, it is 4 micrometers or less. When the average particle diameter of the (D) fluorine-based filler is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and the dispersibility of the (D) fluorine-based filler in the ordinary resin composition can be improved. (D) The average particle diameter of the fluorine-based filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory, similarly to the inorganic filler (C).

(D) 불소계 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 다이킨코교사 제조의 「루브론 L-2」, 「루브론 L-5」, 「루브론 L-5F」; 아사히가라스사 제조의 「FluonPTFE L-170JE」, 「FluonPTFEL-172JE」, 「FluonPTFE L-173JE」; 기타무라사 제조의 「KTL-500F」, 「KTL-2N」, 「KTL-1N」; 미쯔이-듀폰 플루오로케미컬사 제조의 「TLP10F-1」 등을 들 수 있다.(D) Examples of commercially available fluorine-based fillers include "Lubron L-2", "Lubron L-5" and "Lubron L-5F" manufactured by Daikin Kogyo Co., Ltd.; "FluonPTFE L-170JE" by Asahi Glass Co., Ltd., "FluonPTFEL-172JE", "FluonPTFE L-173JE"; "KTL-500F", "KTL-2N", "KTL-1N" by the Kitamura company; "TLP10F-1" by Mitsui-DuPont Fluorochemical Co., Ltd., etc. are mentioned.

(D) 불소계 충전재는 표면 처리되어 있어도 좋다. 예를 들면(D) 불소계 충전재는 임의의 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 비이온성 계면활성제, 양성 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제 등의 계면활성제; 무기 미립자 등을 들 수 있다. 친화성의 관점에서, 표면 처리제로서는 불소계의 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 불소계의 계면활성제의 구체예로서는, AGC 세이미케미컬사 제조의 「서프론 S-243」(퍼플루오로알킬 에틸렌옥시드 부가물); DIC사 제조의 「메가팍 F-251」, 「메가팍 F-477」, 「메가팍 F-553」, 「메가팍 R-40」, 「메가팍 R-43」, 「메가팍 R-94」; 네오스사 제조의 「FTX-218」, 「후타젠트 610FM」을 들 수 있다.(D) The fluorine-based filler may be surface treated. For example (D), the fluorine-based filler may be surface-treated with an optional surface treatment agent. Examples of the surface treatment agent include surfactants such as nonionic surfactants, amphoteric surfactants, cationic surfactants, and anionic surfactants; Inorganic fine particles etc. are mentioned. From the viewpoint of affinity, it is preferable to use a fluorine-based surfactant as the surface treatment agent. As a specific example of a fluorine-type surfactant, "Suffron S-243" by the AGC Semichemical company (perfluoroalkyl ethylene oxide adduct); "Megapack F-251", "Megapack F-477", "Megapack F-553", "Megapack R-40", "Megapack R-43", "Megapack R-94" manufactured by DIC 」; "FTX-218" and "Futagent 610FM" manufactured by Neos Co., Ltd. are exemplified.

수지 조성물에서의 (D) 불소계 충전재의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 특히 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다. (D) 불소계 충전재의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 저감할 수 있다.The amount of the (D) fluorine-based filler in the resin composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and particularly preferably 20% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition, It is preferably 80% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less. (D) When the amount of the fluorine-based filler is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively reduced.

수지 조성물에서의 (D) 불소계 충전재의 양은, (C) 무기 충전재 및 (D) 불소계 충전재의 합계 100질량%에 대해, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 특히 바람직하게는 35질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다. (D) 불소계 충전재의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히, 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 저감할 수 있다.The amount of the (D) fluorine-based filler in the resin composition is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, particularly preferably, based on 100% by mass of the total of the inorganic filler (C) and the fluorine-based filler (D). It is preferably 35% by mass or more, preferably 90% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less. (D) When the amount of the fluorine-based filler is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively reduced.

[1.6. (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지][1.6. (E) resin having an unsaturated hydrocarbon group]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지를 포함하고 있어도 좋다. 이하의 설명에서, (E) 성분으로서의 「불포화 탄화수소기를 갖는 수지」를, 「불포화 수지」라고 하는 경우가 있다. 탄소-탄소 불포화 결합은 (E) 불포화 수지의 1분자 중에, 1개만 포함되어 있어도 좋고, 복수개 포함되어 있어도 좋다. (E) 불포화 수지를 포함하는 수지 조성물의 경화물은 통상, (E) 불포화 수지의 불포화 결합 부위가 반응하여 형성되는 분자 구조 부위를 포함한다. 이로써, 상기 경화물의 극성이 작아져, 유전 정접의 값을 작게 할 수 있다. 또한, (E) 불포화 수지에 의해, 통상 (D) 불소계 충전재의 분산성을 향상시킬 수 있다. 그러므로, 수지 조성물의 조성의 균일성이 향상되므로, 경화물의 도체층에 대한 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The resin composition may contain (E) resin having an unsaturated hydrocarbon group as an optional component other than the components described above. In the following description, "resin having an unsaturated hydrocarbon group" as component (E) may be referred to as "unsaturated resin". As for the carbon-carbon unsaturated bond, only one may be contained in one molecule of (E) unsaturated resin, or a plurality may be contained. (E) A cured product of a resin composition containing an unsaturated resin usually contains a molecular structure site formed by reaction of an unsaturated bond site of the (E) unsaturated resin. As a result, the polarity of the cured product is reduced, and the value of the dielectric loss tangent can be reduced. In addition, the dispersibility of the fluorine-based filler (D) can be improved by the unsaturated resin (E). Therefore, since the uniformity of the composition of the resin composition is improved, the adhesion of the cured product to the conductor layer can be further improved.

(E) 불포화 수지는 당해 (E) 불포화 수지의 분자 중에 불포화 탄화수소기를 함유한다. 불포화 탄화수소기는 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기 및 올레핀기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 기인 것이 바람직하다. 여기서, 「올레핀기」란, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 지방족 탄화수소기를 말한다. 올레핀기의 바람직한 예로서는, 알릴기, 비닐기, 프로페닐기를 들 수 있다. 따라서, (E) 불포화 수지는 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는 것이 바람직하다.(E) The unsaturated resin contains an unsaturated hydrocarbon group in the molecule of the (E) unsaturated resin. The unsaturated hydrocarbon group is preferably at least one group selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, and an olefin group. Here, "olefin group" refers to an aliphatic hydrocarbon group having a carbon-carbon double bond in the molecule. Preferred examples of the olefin group include an allyl group, a vinyl group, and a propenyl group. Accordingly, the (E) unsaturated resin preferably has at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group and a propenyl group.

(E) 불포화 수지는 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이하의 설명에서, 상기 「5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물」을, 「불포화 환상 에테르 화합물」이라고 하는 경우가 있다. 불포화 환상 에테르 화합물은 통상, 분자의 움직임이 제한되어 있으므로, 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있다.(E) It is preferable that unsaturated resin is a compound which has a cyclic ether structure of 5 or more membered rings. In the following description, the "compound having a 5-membered ring or more cyclic ether structure" may be referred to as an "unsaturated cyclic ether compound". Unsaturated cyclic ether compounds usually have limited molecular motion, so the dielectric loss tangent can be effectively lowered.

불포화 환상 에테르 화합물은 탄소-탄소 불포화 결합을, 환상 에테르 구조 내에 포함하고 있어도 좋고, 환상 에테르 구조 외에 포함하고 있어도 좋다. The unsaturated cyclic ether compound may contain a carbon-carbon unsaturated bond within the cyclic ether structure or outside the cyclic ether structure.

불포화 환상 에테르 화합물은 환상 에테르 구조를 1개만 포함하고 있어도 좋고, 복수개 포함하고 있어도 좋다.The unsaturated cyclic ether compound may contain only one cyclic ether structure, or may contain a plurality of cyclic ether structures.

환상 에테르 구조는 1개의 환만을 포함하는 단환 구조를 갖고 있어도 좋고, 2 이상의 환을 포함하는 다환 구조를 갖고 있어도 좋고, 축합환을 포함하는 축합환 구조를 갖고 있어도 좋다.The cyclic ether structure may have a monocyclic structure containing only one ring, may have a polycyclic structure containing two or more rings, or may have a condensed ring structure containing condensed rings.

1개의 환상 에테르 구조에 포함되는 산소 원자수는 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 5 이하, 보다 바람직하게는 4 이하, 더욱 바람직하게는 3 이하이다.The number of oxygen atoms contained in one cyclic ether structure is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, preferably 5 or less, more preferably 4 or less, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. , more preferably 3 or less.

환상 에테르 구조는 5 내지 10원환인 것이 바람직하고, 5 내지 8원환인 것이 보다 바람직하고, 5 내지 6원환인 것이 더욱 바람직하다. 5원환 이상의 환상 에테르 구조의 구체예로서는, 퓨란 구조, 테트라하이드로퓨란 구조, 디옥소란 구조, 피란 구조, 디하이드로피란 구조, 테트라하이드로피란 구조, 디옥산 구조를 들 수 있다. 그 중에서도, 상용성을 향상시키는 관점에서, 디옥산 구조가 바람직하다. 디옥산 구조에는 1,2-디옥산 구조, 1,3-디옥산 구조 및 1,4-디옥산 구조가 포함되며, 1,3-디옥산 구조가 바람직하다.The cyclic ether structure is preferably a 5- to 10-membered ring, more preferably a 5- to 8-membered ring, still more preferably a 5- to 6-membered ring. Specific examples of the 5-membered ring or higher cyclic ether structure include a furan structure, a tetrahydrofuran structure, a dioxolan structure, a pyran structure, a dihydropyran structure, a tetrahydropyran structure, and a dioxane structure. Especially, a dioxane structure is preferable from a viewpoint of improving compatibility. The dioxane structure includes a 1,2-dioxane structure, a 1,3-dioxane structure and a 1,4-dioxane structure, and a 1,3-dioxane structure is preferable.

환상 에테르 구조에는 알킬기, 알콕시기 등의 치환기가 결합하고 있어도 좋다. 이러한 치환기의 탄소 원자수는 통상 1 내지 6이고, 바람직하게는 1 내지 3이다.A substituent such as an alkyl group or an alkoxy group may be bonded to the cyclic ether structure. The number of carbon atoms in this substituent is usually 1 to 6, preferably 1 to 3.

상기한 불포화 환상 에테르 화합물 중에서도 비닐기를 갖는 것이 바람직하다. 비닐기를 갖는 불포화 환상 에테르 화합물(즉, 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 화합물)을 (E) 불포화 수지로서 사용함으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 또한 통상 수지 조성물의 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있다.Among the unsaturated cyclic ether compounds described above, those having a vinyl group are preferable. By using an unsaturated cyclic ether compound having a vinyl group (i.e., a compound having a vinyl group and a 5- or more-membered cyclic ether structure) as the (E) unsaturated resin, the desired effects of the present invention can be remarkably obtained. In addition, the dielectric loss tangent of the ordinary resin composition can be effectively lowered.

(E) 불포화 수지의 바람직한 예를 들면, 하기 화학식 (E1)로 표시되는 화합물, 하기 화학식 (E6)으로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (E7)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 화학식 (E7)로 표시되는 화합물은 불포화 환상 에테르 화합물이고, 특히 바람직하다.(E) Preferred examples of the unsaturated resin include compounds represented by the following formula (E1), compounds represented by the following formula (E6), and compounds represented by the following formula (E7). Among them, the compound represented by the formula (E7) is an unsaturated cyclic ether compound and is particularly preferred.

화학식 (E1)Formula (E1)

Figure 112018081091316-pat00004
Figure 112018081091316-pat00004

화학식 (E1)에서, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자를 나타낸다. 화학식 (E1)에서, A는 하기 화학식 (E2) 또는 하기 화학식 (E3)로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In formula (E1), R 1 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a hydrogen atom. In the formula (E1), A represents a divalent group represented by the following formula (E2) or the following formula (E3).

화학식 (E2)Formula (E2)

Figure 112018081091316-pat00005
Figure 112018081091316-pat00005

화학식 (E2) 중, B는 하기 화학식 (E2-1), (E2-2) 또는 (E2-3)으로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In the formula (E2), B represents a divalent group represented by the following formula (E2-1), (E2-2) or (E2-3).

화학식 (E2-1)Formula (E2-1)

Figure 112018081091316-pat00006
Figure 112018081091316-pat00006

화학식 (E2-2)Formula (E2-2)

Figure 112018081091316-pat00007
Figure 112018081091316-pat00007

화학식 (E2-3)Formula (E2-3)

Figure 112018081091316-pat00008
Figure 112018081091316-pat00008

화학식 (E2-1)에서, R15 내지 R18은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formula (E2-1), R 15 to R 18 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

화학식 (E2-2)에서, R19 내지 R26은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formula (E2-2), R 19 to R 26 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

화학식 (E2-3)에서, R27 내지 R34는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 또한, 화학식 (E2-3)에서, E는 탄소 원자수 20 이하의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 2가의 탄화수소기를 나타낸다.In the formula (E2-3), R 27 to R 34 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group. In the formula (E2-3), E represents a linear, branched or cyclic divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms.

화학식 (E3)Formula (E3)

Figure 112018081091316-pat00009
Figure 112018081091316-pat00009

화학식 (E3)에서, D는 하기 화학식 (E4)로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In the formula (E3), D represents a divalent group represented by the following formula (E4).

화학식 (E4)Formula (E4)

Figure 112018081091316-pat00010
Figure 112018081091316-pat00010

화학식 (E4)에서, R7 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 특히, R7, R8, R13 및 R14는, 보다 바람직하게는 메틸기를 나타낸다. 화학식 (E4)에서, a 및 b는 적어도 한쪽이 0이 아닌, 0 이상 100 이하의 정수이다. 화학식 (E4)에서, B는 상기 화학식 (E2-1), (E2-2) 또는 (E2-3)으로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.In formula (E4), R 7 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, and preferably represent a hydrogen atom or a methyl group. In particular, R 7 , R 8 , R 13 and R 14 more preferably represent a methyl group. In the formula (E4), a and b are integers of 0 or more and 100 or less, at least one of which is not 0. In the formula (E4), B represents a divalent group represented by the above formulas (E2-1), (E2-2) or (E2-3).

상기 화학식 (E1)로 표시되는 화합물은, 바람직하게는 하기 화학식 (E5)로 표시되는 화합물이다.The compound represented by the above formula (E1) is preferably a compound represented by the following formula (E5).

화학식 (E5)Formula (E5)

Figure 112018081091316-pat00011
Figure 112018081091316-pat00011

화학식 (E5)에서, R1 내지 R6은 상기 화학식 (E1) 중의 R1 내지 R6과 동일한 의미이고, B는 상기 화학식 (E2)의 B와 동일한 의미이고, a 및 b는 상기 화학식 (E4)의 a 및 b와 동일한 의미이다.In formula (E5), R 1 to R 6 have the same meaning as R 1 to R 6 in formula (E1), B has the same meaning as B in formula (E2), and a and b have the same meaning as in formula (E4 ) has the same meaning as a and b of

화학식 (E6)Formula (E6)

Figure 112018081091316-pat00012
Figure 112018081091316-pat00012

화학식 (E7)Formula (E7)

Figure 112018081091316-pat00013
Figure 112018081091316-pat00013

화학식 (E7)에서, 환 F는 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 2가의 기를 나타낸다. 환상 에테르 구조의 범위는 상기한 바와 같다. 또한, 환상 에테르 구조에는 상기한 바와 같이 치환기가 결합하고 있어도 좋다.In formula (E7), ring F represents a divalent group having a cyclic ether structure of 5 or more members. The scope of the cyclic ether structure is as described above. In addition, a substituent may be bonded to the cyclic ether structure as described above.

5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는 2가의 기로서는, 예를 들면, 퓨란-2,5-디일기, 테트라하이드로퓨란-2,5-디일기, 디옥소란-2,5-디일기, 피란-2,5-디일기, 디하이드로피란-2,5-디일기, 테트라하이드로피란-2,5-디일기, 1,2-디옥산-3,6-디일기, 1,3-디옥산-2,5-디일기, 1,4-디옥산-2,5-디일기, 5-에틸-1,3-디옥산-2,5-디일기를 들 수 있다. 그 중에서도, 5-에틸-1,3-디옥산-2,5-디일기가 바람직하다.Examples of the divalent group having a 5-membered ring or more cyclic ether structure include a furan-2,5-diyl group, a tetrahydrofuran-2,5-diyl group, a dioxolan-2,5-diyl group, and a pyran-2,5-diyl group. 2,5-diyl group, dihydropyran-2,5-diyl group, tetrahydropyran-2,5-diyl group, 1,2-dioxane-3,6-diyl group, 1,3-dioxane- A 2,5-diyl group, a 1,4-dioxane-2,5-diyl group, and a 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group are mentioned. Especially, a 5-ethyl-1,3-dioxane-2,5-diyl group is preferable.

화학식 (E7)에서, B1 및 B2는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. B1 및 B2는 2가의 연결기인 것이 바람직하다. 2가의 연결기로서는, 예를 들면, 치환기를 갖고 있어도 좋는 알킬렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 알키닐렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 아릴렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 헤테로아릴렌기, -COO-로 표시되는 기, -CO-로 표시되는 기, -CONH-로 표시되는 기, -NHCONH-로 표시되는 기, -NHCOO-로 표시되는 기, -C(=O)-로 표시되는 기, -S-로 표시되는 기, -SO-로 표시되는 기, -NH-로 표시되는 기, 및 이들의 기를 복수 조합한 기를 들 수 있다.In formula (E7), B 1 and B 2 each independently represent a single bond or a divalent linking group. B 1 and B 2 are preferably divalent linking groups. As a divalent linking group, for example, an alkylene group which may have a substituent, an alkynylene group which may have a substituent, an arylene group which may have a substituent, a heteroarylene group which may have a substituent, a group represented by -COO- , a group represented by -CO-, a group represented by -CONH-, a group represented by -NHCONH-, a group represented by -NHCOO-, a group represented by -C(=O)-, a group represented by -S- groups represented by -SO-, groups represented by -NH-, and groups combining a plurality of these groups.

치환기로서는, 예를 들면, 할로겐 원자, -OH, -O-C1-6 알킬기, -N(C1-6 알킬기)2, C1-6 알킬기, C6-10 아릴기, -NH2, -CN, -C(O)O-C1-6 알킬기, -COOH, -C(O)H, -NO2 등을 들 수 있다. 여기서, 「Cp-q」(p 및 q는 양의 정수이고, p<q를 충족시킴)라는 용어는, 이 용어의 직후에 기재된 유기기의 탄소 원자수가 p 내지 q인 것을 나타낸다. 예를 들면, 「C1-6 알킬기」라는 표현은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타낸다.As a substituent, for example, a halogen atom, -OH, -OC 1-6 alkyl group, -N(C 1-6 alkyl group) 2 , C 1-6 alkyl group, C 6-10 aryl group, -NH 2 , -CN , -C(O)OC 1-6 alkyl group, -COOH, -C(O)H, -NO 2 and the like. Here, the term "C pq " (p and q are positive integers and satisfies p<q) indicates that the number of carbon atoms in the organic group described immediately after the term is p to q. For example, the expression "C 1-6 alkyl group" represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

치환기는 추가로 치환기(이하 「2차 치환기」라고 하는 경우가 있다)를 갖고 있어도 좋다. 2차 치환기로서는, 예를 들면, 이미 설명한 치환기와 같은 기를 들 수 있다.The substituent may further have a substituent (hereinafter sometimes referred to as "secondary substituent"). Examples of the secondary substituent include groups similar to the substituents already described.

이들 중에서도, B1 및 B2는 치환기를 갖고 있어도 좋는 알킬렌기, 치환기를 갖고 있어도 좋는 알키닐렌기, -COO-로 표시되는 기, 및 -O-로 표시되는 기로 이루어진 그룹으로부터 2개 이상의 기를 선택하여 조합한 기가 바람직하다. 특히, B1 및 B2는 치환기를 갖고 있어도 좋는 알킬렌기, 및 -COO-로 표시되는 기로 이루어진 그룹으로부터 2개 이상의 기를 선택하여 조합한 기가 보다 바람직하다.Among these, B 1 and B 2 are two or more groups selected from the group consisting of an alkylene group which may have a substituent, an alkynylene group which may have a substituent, a group represented by -COO-, and a group represented by -O- Groups in combination are preferred. In particular, B 1 and B 2 are more preferably a group obtained by selecting and combining two or more groups from the group consisting of an alkylene group which may have a substituent and a group represented by -COO-.

화학식 (E7)에서, C1 및 C2는 각각 독립적으로 관능기를 나타낸다. 관능기로서는, 예를 들면, 비닐기, 메타크릴기, 아크릴기, 알릴기, 스티릴기, 프로페닐기, 에폭시기를 들 수 있다. 관능기로서는 비닐기가 바람직하다.In formula (E7), C 1 and C 2 each independently represents a functional group. As a functional group, a vinyl group, a methacryl group, an acryl group, an allyl group, a styryl group, a propenyl group, and an epoxy group are mentioned, for example. As a functional group, a vinyl group is preferable.

화학식 (E7)로 표시되는 화합물의 구체예로서는 하기 화학식 (E8)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (E7) include compounds represented by the following formula (E8).

화학식 (E8)Formula (E8)

Figure 112018081091316-pat00014
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(E) 불포화 수지로서는, 예를 들면, 미쓰비시가스카가쿠사 제조 「OPE-2St 1200」(스티렌 변성 폴리페닐렌에테르 수지, 수 평균 분자량 1200, 상기 화학식 (E5) 상당), 미쓰비시케미컬사 제조 「YL7776」(비크실레놀디알릴에테르 수지, 수 평균 분자량 331, 상기 화학식 (E6) 상당), 신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」(디옥산아크릴모노머 글리콜 디아크릴레이트, 수 평균 분자량 326, 상기 화학식 (E8) 상당), 니혼카야쿠사 제조 「KAYARAD R-604」(상기 화학식 (E8) 상당)를 들 수 있다. 또한, (E) 불포화 수지는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(E) As the unsaturated resin, for example, "OPE-2St 1200" (styrene-modified polyphenylene ether resin, number average molecular weight 1200, equivalent to the above formula (E5)) manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. " YL7776" (bixylenoldiallyl ether resin, number average molecular weight 331, equivalent to the above formula (E6)), Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd. "A-DOG" (dioxane acrylic monomer glycol diacrylate, number average molecular weight 326, Corresponding to the said chemical formula (E8)), "KAYARAD R-604" by Nippon Kayaku Co., Ltd. (corresponding to the said chemical formula (E8)) is mentioned. Moreover, (E) unsaturated resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(E) 불포화 수지의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 100 이상, 보다 바람직하게는 200 이상이고, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 3000 이하이다. (E) 불포화 수지의 수 평균 분자량이 상기 범위에 있음으로써, 수지 바니쉬의 건조시의 휘발을 억제하거나, 수지 조성물의 용융 점도가 과대하게 되는 것을 억제할 수 있다. 수 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로 측정할 수 있다. GPC법에 의한 수 평균 분자량의 측정은, 예를 들면, 측정 장치로서 시마즈세이사쿠쇼사 제조 「LC-9A/RID-6A」를 사용하고, 칼럼으로서 쇼와덴코사 제조 「Shodex K-800P/K-804L/K-804L」을 사용하고, 이동상으로서 클로로포름을 사용하여, 칼럼 온도 40℃에서 측정할 수 있다.(E) The number average molecular weight of the unsaturated resin is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, and is preferably 10000 or less, more preferably 3000 or less. (E) When the number average molecular weight of the unsaturated resin is within the above range, volatilization during drying of the resin varnish can be suppressed or excessive melt viscosity of the resin composition can be suppressed. The number average molecular weight can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method. The measurement of the number average molecular weight by the GPC method uses, for example, "LC-9A/RID-6A" manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and "Shodex K-800P/K manufactured by Showa Denko Corporation" as a column. -804L/K-804L”, using chloroform as a mobile phase, and measuring at a column temperature of 40°C.

수지 조성물에서의 (E) 불포화 수지의 양은 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하이다. (E) 불포화 수지의 양이 상기 범위의 하한값 이상임으로써, 수지 조성물의 경화물의 유전 정접을 효과적으로 낮게 할 수 있고, 상기 범위의 상한값 이하임으로써, 수지 바니쉬의 상용성을 향상시킬 수 있다.The amount of the (E) unsaturated resin in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and preferably 15% by mass or less based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. Preferably it is 10 mass % or less. (E) When the amount of the unsaturated resin is equal to or more than the lower limit of the range, the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition can be effectively lowered, and when the amount is equal to or less than the upper limit of the range, the compatibility of the resin varnish can be improved.

(A) 에폭시 수지와 (E) 불포화 수지의 질량비((A) 에폭시 수지의 질량:(E) 불포화 수지의 질량)는 1:0.01 내지 1:100의 범위인 것이 바람직하고, 1:0.1 내지 1:90의 범위인 것이 보다 바람직하고, 1:0.2 내지 1:80의 범위인 것이 보다 바람직하다. (A) 에폭시 수지와 (E) 불포화 수지의 질량비가 상기 범위에 있음으로써, 수지 조성물의 상용성을 향상시킬 수 있다.The mass ratio of (A) epoxy resin and (E) unsaturated resin ((A) epoxy resin mass: (E) unsaturated resin mass) is preferably in the range of 1:0.01 to 1:100, and 1:0.1 to 1 It is more preferably in the range of :90, and more preferably in the range of 1:0.2 to 1:80. When the mass ratio of the (A) epoxy resin and the (E) unsaturated resin is in the above range, the compatibility of the resin composition can be improved.

[1.7. (F) 경화제][1.7. (F) curing agent]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (F) 경화제를 포함하고 있어도 좋다. (F) 성분으로서의 경화제는 통상, (A) 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시키는 기능을 갖는다. 이러한 (F) 경화제로서는, 예를 들면, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 및 카보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다. 또한, 경화제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 병용해도 좋다.The resin composition may contain (F) a hardening|curing agent as an arbitrary component other than the above-mentioned component. The curing agent as component (F) usually has a function of reacting with the epoxy resin (A) to cure the resin composition. Examples of the (F) curing agent include an active ester curing agent, a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, a benzoxazine curing agent, a cyanate ester curing agent, and a carbodiimide curing agent. In addition, a hardening|curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는 페놀 에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.As the active ester curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester curing agent, compounds having two or more ester groups with high reaction activity in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds. this is preferable The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound, and/or a naphthol compound is more preferable.

카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물 」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenolic compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxy benzophenone, tetrahydroxy benzophenone, phloroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolak, etc. are mentioned. Here, "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensation of 2 molecules of phenol to 1 molecule of dicyclopentadiene.

활성 에스테르계 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Preferred specific examples of the active ester curing agent include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated product of phenol novolac, and phenol novolak. and active ester compounds containing benzoylides. Among them, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들면, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」, 「EXB-8150-65T」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미쓰비시케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미쓰비시케미컬사 제조), 「YLH1030」(미쓰비시케미컬사 제조), 「YLH1048」(미쓰비시케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available active ester curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T" and "HPC" as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. -8000H-65TM", "EXB-8000L-65TM", "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC Corporation); "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoyl compound of phenol novolak; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent that is an acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), etc. are mentioned as an active ester type curing agent which is a benzoyl compound of phenol novolac.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 절연층과 도체층의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion between the insulating layer and the conductor layer, a nitrogen-containing phenolic curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenolic curing agent is more preferable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」; 니혼카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」 「SN375」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol type hardening|curing agent and a naphthol type hardening|curing agent, it is "MEH-7700" by a Meiwa Kasei company, "MEH-7810", "MEH-7851", for example; "NHN", "CBN", and "GPH" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V" and "SN375" manufactured by Nippon Steel & Chemical Co., Ltd.; "TD-2090", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", "EXB-9500" etc. made by DIC Corporation are mentioned.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.As a specific example of a benzoxazine type hardening|curing agent, "HFB2006M" by the Showa Kobunshi company, "P-d" by the Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., and "F-a" are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자재팬사 제조의 「PT30」및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylencyanate), 4,4'-methylenebis(2,6- dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4- cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanate) Bifunctional cyanate resins, such as nate phenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolaks, cresol novolacs, and the like; and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazinated. As specific examples of the cyanate ester curing agent, "PT30" and "PT60" (phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin), and "BA230" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd. ”, “BA230S75” (a prepolymer obtained by triazation of part or all of bisphenol A dicyanate to form a trimer), and the like.

카보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.As a specific example of a carbodiimide type hardening|curing agent, "V-03" by Nissinbo Chemical Co., Ltd., "V-07", etc. are mentioned.

상기한 중에서도, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (F) 경화제로서는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제를 사용하는 경우, (F) 경화제 100질량%에 대한 활성 에스테르계 경화제의 양은, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 100질량% 이하이다. 활성 에스테르계 경화제의 양이 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 특히 수지 조성물의 경화물의 유전율을 효과적으로 내릴 수 있다.Among the above, an active ester type curing agent is preferable as the curing agent (F) from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. When an active ester-based curing agent is used, (F) the amount of the active ester-based curing agent relative to 100% by mass of the curing agent is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, still more preferably 30% by mass or more and is preferably 100% by mass or less. When the amount of the active ester-based curing agent is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, the dielectric constant of the cured product of the resin composition can be effectively lowered.

수지 조성물에서의 (F) 경화제의 양은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다.The amount of the curing agent (F) in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. , More preferably 1% by mass or more, preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, still more preferably 20% by mass or less.

(A) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우, (F) 경화제의 활성기수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이고, 바람직하게는 1.5 이하, 보다 바람직하게는 1.2 이하, 더욱 바람직하게는 1이하이다. 여기서, 「(A) 에폭시 수지의 에폭시기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. 또한, 「(F) 경화제의 활성기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (F) 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시기수를 1로 한 경우의 (F) 경화제의 활성기수가 상기 범위에 있음으로써, 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있고, 또한 통상 수지 조성물의 경화물의 내열성이 보다 향상된다.(A) When the number of epoxy groups of the epoxy resin is 1, (F) the number of active groups of the curing agent is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.3 or more, and preferably 1.5 or less, More preferably, it is 1.2 or less, and still more preferably 1 or less. Here, "the number of epoxy groups of the (A) epoxy resin" is a value obtained by summing all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. In addition, "the number of active groups of the (F) curing agent" is a value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (F) curing agent present in the resin composition by the active group equivalent. (A) When the number of epoxy groups of the epoxy resin is 1, when the number of active groups of the curing agent (F) is within the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and the heat resistance of the cured product of the normal resin composition is further improved. do.

[1.8. (G) 경화 촉진제][1.8. (G) curing accelerator]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (G) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다. (G) 경화 촉진제를 사용함으로써 수지 조성물을 경화시킬 때에 경화를 촉진할 수 있다.The resin composition may contain (G) a hardening accelerator as an optional component other than the above components. (G) When hardening a resin composition, hardening can be accelerated|stimulated by using a hardening accelerator.

(G) 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 과산화물계 경화 촉진제를 들 수 있다. 그 중에서도, 아민계 경화 촉진제 및 과산화물계 경화 촉진제가 특히 바람직하다. (G) 경화 촉진제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(G) Examples of the curing accelerator include phosphorus curing accelerators, amine curing accelerators, imidazole curing accelerators, guanidine curing accelerators, metal curing accelerators, and peroxide curing accelerators. Among them, amine-based hardening accelerators and peroxide-based hardening accelerators are particularly preferred. (G) A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트를 들 수 있다. 그 중에서도, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, and (4-methylphenyl)triphenyl. Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyl triphenylphosphonium thiocyanate are mentioned. Among them, triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노 메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센을 들 수 있다. 그 중에서도, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1, and 8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene. Among them, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물; 및, 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있다. 그 중에서도, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a ] Imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzimidazolium chloride, 2-methyl imidazoline, and 2-phenyl imidazoline; And an adduct of an imidazole compound and an epoxy resin is mentioned. Among them, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미쓰비시케미컬사 제조의 「P200-H50」을 들 수 있다.As an imidazole type hardening accelerator, you may use a commercial item, for example, "P200-H50" by the Mitsubishi Chemical Corporation is mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드를 들 수 있다. 그 중에서도, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, and 1-(o-tolyl)biguanide. Among them, dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene are preferable.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 동(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 동 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체를 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연을 들 수 있다.Examples of the metal-based hardening accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. organic iron complexes such as organic zinc complexes and iron (III) acetylacetonate; organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate; and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.

과산화물계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 사이클로헥산온퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-부틸퍼옥시드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.As the peroxide-based curing accelerator, for example, cyclohexanone peroxide, tert-butyl peroxybenzoate, methyl ethyl ketone peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, diiso Propylbenzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide, and tert-butyl hydroperoxide are exemplified.

과산화물계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용할 수 있고, 예를 들면, 니찌유사 제조의 「퍼쿠밀 D」를 들 수 있다.As a peroxide type hardening accelerator, a commercial item can be used, for example, "Percumyl D" by Nichiyu Co., Ltd. is mentioned.

(G) 경화 촉진제를 사용하는 경우, 수지 조성물에서의 (G) 경화 촉진제의 양은 본 발명이 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.03질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이다.(G) In the case of using a curing accelerator, the amount of the (G) curing accelerator in the resin composition is preferably 0.01 mass% relative to 100 mass% of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. % or more, more preferably 0.02 mass% or more, particularly preferably 0.03 mass% or more, preferably 3 mass% or less, more preferably 2 mass% or less, and particularly preferably 1 mass% or less.

[1.9. (H) 첨가제][1.9. (H) Additives]

수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 추가로 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 동 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제; 소포제; 레벨링제; 밀착성 부여제; 착색제; 난연제; 열가소성 수지 등을 들 수 있다. 또한, 첨가제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further contain an additive as an optional component other than the components described above. Examples of such additives include organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds; thickening agent; antifoam; leveling agent; adhesion imparting agent; coloring agent; flame retardants; A thermoplastic resin etc. are mentioned. In addition, an additive may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

[1.10. 수지 조성물의 제조 방법][1.10. Manufacturing method of resin composition]

수지 조성물은, 예를 들면, 배합 성분을 필요에 의해 용제와 혼합하고, 회전 믹서 등의 교반 장치를 사용하여 교반하는 방법에 의해 제조할 수 있다.The resin composition can be prepared, for example, by a method of mixing the ingredients with a solvent as needed and stirring them using a stirring device such as a rotary mixer.

[1.11. 수지 조성물의 특성][1.11. Characteristics of Resin Composition]

상기한 수지 조성물의 경화물은 그 유전율을 낮게 할 수 있다. 따라서, 이 수지 조성물의 경화물에 의해, 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법으로 수지 조성물을 경화시켜 경화물을 수득한 경우, 당해 경화물의 유전율을, 바람직하게는 3.0 이하, 보다 바람직하게는 2.9 이하로 할 수 있다. 여기서, 경화물의 유전율은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The cured product of the resin composition described above can have a low dielectric constant. Therefore, with the cured product of this resin composition, an insulating layer with a low dielectric constant can be obtained. For example, when a cured product is obtained by curing a resin composition by the method described in Examples, the cured product can have a dielectric constant of preferably 3.0 or less, more preferably 2.9 or less. Here, the dielectric constant of the cured product can be measured by the method described in Examples.

상기한 수지 조성물의 경화물은 그 유전 정접의 온도 안정성이 우수하다. 구체적으로는, 이 수지 조성물의 경화물은 상온에서의 유전 정접의 값과 고온에서의 유전 정접의 값과의 차이를 작게 할 수 있고, 또한, 상온에서의 유전 정접의 값과 저온에서의 유전 정접의 값과의 차이를 작게 할 수 있다.A cured product of the above resin composition is excellent in temperature stability of its dielectric loss tangent. Specifically, the cured product of this resin composition can reduce the difference between the value of the dielectric loss tangent at room temperature and the value of the dielectric loss tangent at high temperature, and furthermore, the value of the dielectric loss tangent at room temperature and the dielectric loss tangent at low temperature. The difference between the value of can be small.

따라서, 이 수지 조성물의 경화물에 의해, 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 수득할 수 있다. 구체적으로는, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃), 및 Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)는 하기의 범위가 된다.Therefore, with the cured product of this resin composition, an insulating layer excellent in temperature stability of dielectric loss tangent can be obtained. Specifically, the dielectric loss tangents at -10 ° C, 25 ° C and 100 ° C of a cured product obtained by heat-treating a resin composition at 200 ° C for 90 minutes are Df (-10 ° C), Df (25 ° C) and Df (100 ° C), respectively. ℃), the ratio of Df (-10 ° C) to Df (25 ° C) Df (-10 ° C) / Df (25 ° C), and the ratio of Df (100 ° C) to Df (25 ° C) Df (100 ° C.) / Df (25 ° C.) becomes the following range.

즉, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)는 통상 85% 이상, 바람직하게는 87% 이상, 특히 바람직하게는 90% 이상이고, 통상 115% 이하, 바람직하게는 114% 이하, 특히 바람직하게는 113% 이하이다.That is, the ratio of dielectric loss tangent Df(-10°C)/Df(25°C) is usually 85% or more, preferably 87% or more, particularly preferably 90% or more, and usually 115% or less, preferably 114% or less, particularly preferably 113% or less.

또한, 유전 정접의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)는 통상 85% 이상, 바람직하게는 90% 이상, 보다 바람직하게는 95% 이상이고, 통상 115% 이하, 바람직하게는 114% 이하, 특히 바람직하게는 113% 이하이다.Further, the ratio of dielectric loss tangent Df(100°C)/Df(25°C) is usually 85% or more, preferably 90% or more, more preferably 95% or more, and usually 115% or less, preferably 114% or less. , particularly preferably 113% or less.

상기 유전 정접 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The dielectric loss tangents Df (-10°C), Df (25°C), and Df (100°C) can be measured by the method described in Examples.

상기한 바와 같이 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 구조를, 본 발명자는 아래와 같이 추측한다. 다만, 본 발명의 기술적 범위는 하기에 설명하는 구조에 의해 제한되는 것이 아니다.As described above, the present inventors estimate a structure excellent in temperature stability of the dielectric loss tangent as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the structure described below.

본 발명자의 검토에 의하면, (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 유전 정접은, -10℃에서 100℃까지의 실용적인 온도 범위에 있어서, 저온일수록 작고, 고온일수록 큰 경향이 있는 것으로 판명되었다. 반대로, (B) 말레이미드 화합물의 중합체의 유전 정접은 싱기의 실용적인 온도 범위에 있어서, 말레이미드기의 작용에 의해, 저온일수록 크고, 고온일수록 작은 경향이 있다. 이렇게, (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 유전 정접의 온도 의존성과, (B) 말레이미드 화합물의 중합체의 유전 정접의 온도 의존성은, 반대이다. 따라서, (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재와, (B) 말레이미드 화합물을 조합하면, 양자의 유전 정접의 온도 의존성이 서로 상쇄하여, 저온 및 고온 중 어디에서도 같은 정도의 유전 정접 Df를 얻을 수 있다. 따라서, (A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물의 유전 정접은 온도 안정성이 양호해져 있다.According to the study of the present inventors, the dielectric loss tangent of a cured product of a resin composition containing (A) an epoxy resin and (D) a fluorine-based filler is smaller at a lower temperature and smaller at a higher temperature in a practical temperature range from -10°C to 100°C. It has been found that there is a large tendency Conversely, the dielectric loss tangent of the polymer of the maleimide compound (B) tends to be larger at lower temperatures and smaller at higher temperatures due to the action of maleimide groups in the practical temperature range of the singe group. Thus, the temperature dependence of the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition containing (A) the epoxy resin and the fluorine-based filler (D) and the temperature dependence of the dielectric loss tangent of the polymer of the maleimide compound (B) are opposite. Therefore, when (A) an epoxy resin and (D) a fluorine-based filler and (B) a maleimide compound are combined, the temperature dependence of the dielectric loss tangent of both cancels each other, and the same dielectric loss tangent Df is obtained at both low and high temperatures. You can get it. Accordingly, the dielectric loss tangent of a cured product of a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, and (D) a fluorine-based filler has good temperature stability.

상기한 수지 조성물의 경화물은 통상, 25℃에서의 유전 정접이 작다. 예를 들면, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 25℃에서의 유전 정접 Df(25℃)는 바람직하게는 0.020 이하, 보다 바람직하게는 0.010 이하, 더욱 바람직하게는 0.009 이하, 특히 바람직하게는 0.008 이하, 0.007 이하, 또는 0.006 이하이다. 하한에는 특별히 제한은 없지만, 통상 0.001 이상이다.The cured product of the resin composition described above usually has a small dielectric loss tangent at 25°C. For example, the dielectric loss tangent Df (25°C) at 25°C of a cured product obtained by heat-treating a resin composition at 200°C for 90 minutes is preferably 0.020 or less, more preferably 0.010 or less, still more preferably 0.009 or less, Especially preferably, it is 0.008 or less, 0.007 or less, or 0.006 or less. The lower limit is not particularly limited, but is usually 0.001 or more.

[2. 제2 실시형태에 따른 수지 조성물][2. Resin composition according to the second embodiment]

본 발명의 제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재를 포함한다. 또한, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이고, 또한, Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이다.A resin composition according to a second embodiment of the present invention includes (A) an epoxy resin and (D) a fluorine-based filler. In addition, the dielectric loss tangents at -10 ° C, 25 ° C and 100 ° C of the cured product obtained by heat-treating the resin composition according to the second embodiment at 200 ° C for 90 minutes are Df (-10 ° C) and Df (25 ° C), respectively. and Df (100 ° C), the ratio of Df (-10 ° C) to Df (25 ° C) Df (-10 ° C) / Df (25 ° C) is 85% to 115%, and Df (25 ° C) The ratio of Df (100 ° C) to ° C) Df (100 ° C) / Df (25 ° C) is 85% to 115%.

이러한 수지 조성물의 경화물은 (D) 불소계 충전재의 작용에 의해, 유전율이 낮다. 또한, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃) 및 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%라는 소정의 범위에 들어가 있기 때문에, 이 수지 조성물의 경화물은 유전 정접의 온도 안정성이 우수하다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 유전 정접의 온도 안정성이 우수함으로써 레이더의 안테나 회로 기판에 설치한 경우에 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제 가능하며, 또한 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 실현할 수 있다는, 본 발명이 원하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 같은 이점을 얻을 수 있다.A cured product of such a resin composition has a low dielectric constant due to the action of (D) the fluorine-based filler. Further, since the ratios of the dielectric loss tangent Df(-10°C)/Df(25°C) and Df(100°C)/Df(25°C) fall within a predetermined range of 85% to 115%, the hardness of this resin composition Cargo has excellent temperature stability of dielectric loss tangent. Therefore, according to the resin composition according to the second embodiment, since the temperature stability of the dielectric loss tangent is excellent, it is possible to suppress the change due to the temperature of the radar detectable range when installed on the radar antenna circuit board, and the dielectric constant is low. The present invention can obtain the desired effect that a resin composition capable of obtaining an insulating layer can be realized. Further, according to the resin composition according to the second embodiment, the same advantages as the resin composition according to the first embodiment can be obtained.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 (A) 에폭시 수지 및 (D) 불소계 충전재에 대해서는, 제1 실시형태에서 설명한 사항을 제1 실시형태와 같이 적용할 수 있다.Regarding the (A) epoxy resin and (D) fluorine-based filler of the resin composition according to the second embodiment, the matters described in the first embodiment can be applied in the same manner as in the first embodiment.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃) 및 Df(100℃)/Df(25℃)를 소정의 범위에 들어가게 하는 관점에서, (B) 말레이미드 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 통상, (B) 말레이미드 화합물의 양을 조정함으로써, 비율 Df(-10℃)/Df(25℃) 및 Df(100℃)/Df(25℃)를 소정의 범위에 들어가게 할 수 있다. 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 (B) 말레이미드 화합물에 대해서는, 제1 실시형태에서 설명한 사항을 제1 실시형태와 같이 적용할 수 있다.The resin composition according to the second embodiment, from the viewpoint of bringing the dielectric loss tangent ratios Df (-10 ° C) / Df (25 ° C) and Df (100 ° C) / Df (25 ° C) within a predetermined range, (B ) It is preferable that a maleimide compound is included. Usually, by adjusting the amount of (B) maleimide compound, the ratio Df (-10 ° C) / Df (25 ° C) and Df (100 ° C) / Df (25 ° C) can be made to fall within a predetermined range. Regarding the (B) maleimide compound of the resin composition according to the second embodiment, the matters described in the first embodiment can be applied in the same manner as in the first embodiment.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서 (C) 무기 충전재, (E) 불포화 수지, (F) 경화제, (G) 경화 촉진제, 및 (H) 첨가제 중 1개 또는 2개 이상을 포함하고 있어도 좋다. 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 (C) 무기 충전재, (E) 불포화 수지, (F) 경화제, (G) 경화 촉진제, 및 (H) 첨가제에 대해서는, 제1 실시형태에서 설명한 사항을 제1 실시형태와 같이 적용할 수 있다.The resin composition according to the second embodiment includes one or more of (C) an inorganic filler, (E) an unsaturated resin, (F) a curing agent, (G) a curing accelerator, and (H) additives as optional components in addition to the above components. You may include two or more. (C) inorganic filler, (E) unsaturated resin, (F) curing agent, (G) curing accelerator, and (H) additive of the resin composition according to the second embodiment are the same as those described in the first embodiment. It can be applied like the embodiment.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 통상, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.The resin composition according to the second embodiment can be usually produced by the same manufacturing method as the resin composition according to the first embodiment.

제2 실시형태에 따른 수지 조성물은 통상, 제1 실시형태에 따른 수지 조성물과 같은 특성을 갖는다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 수지 조성물의 경화물은 유전율을 낮고, 유전 정접의 온도 안정성이 우수하며, 또한 통상 25℃에서의 유전 정접이 작다.The resin composition according to the second embodiment usually has the same properties as the resin composition according to the first embodiment. Therefore, the cured product of the resin composition according to the second embodiment has a low dielectric constant, excellent temperature stability of the dielectric loss tangent, and usually has a small dielectric loss tangent at 25°C.

[3. 수지 조성물의 용도][3. Use of Resin Composition]

상기한 수지 조성물은 프린트 회로 기판 등의 회로 기판의 절연층 형성용 수지 조성물로서 사용할 수 있다. 상기 절연층에는, 그 절연층 위에 도체층(재배선층을 포함한다)을 형성되기 위한 절연층이 포함된다. 따라서, 수지 조성물은 도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용의 수지 조성물로서 사용해도 좋다. 그 중에서도, 수지 조성물은, 빌드업 방식에 의한 회로 기판의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위한 빌드업 절연층 형성용의 수지 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다.The resin composition described above can be used as a resin composition for forming an insulating layer of a circuit board such as a printed circuit board. The insulating layer includes an insulating layer for forming a conductor layer (including a redistribution layer) on the insulating layer. Therefore, the resin composition may be used as a resin composition for forming an insulating layer for forming a conductor layer. Among them, the resin composition is preferably used as a resin composition for forming a build-up insulating layer for forming an insulating layer in manufacture of a circuit board by a build-up method.

특히, 유전율이 낮은 절연층을 수득할 수 있다는 이점을 활용하여, 이 수지 조성물은, 고주파 회로 기판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(고주파 회로 기판의 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 이 수지 조성물은, 고주파 회로 기판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(고주파 회로 기판의 층간 절연층 형성용 수지 조성물)로서 더 적합하게 사용할 수 있다. 여기서, 「고주파 회로 기판」이란, 고주파 대역의 전기 신호라도 동작시킬 수 있는 회로 기판을 의미한다. 또한, 「고주파 대역」이란, 통상 1GHz 이상의 대역을 의미하고, 상기 수지 조성물은 특히 28GHz 내지 150GHz의 대역에서 유효하다.In particular, taking advantage of the advantage of being able to obtain an insulating layer having a low dielectric constant, this resin composition can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer of a high-frequency circuit board (resin composition for forming an insulating layer of a high-frequency circuit board). can Especially, this resin composition can be used more suitably as a resin composition for forming the interlayer insulating layer of a high-frequency circuit board (resin composition for forming the interlayer insulating layer of a high-frequency circuit board). Here, "high-frequency circuit board" means a circuit board capable of operating even electric signals in a high-frequency band. In addition, "high frequency band" usually means a band of 1 GHz or higher, and the resin composition is particularly effective in a band of 28 GHz to 150 GHz.

또한, 유전 정접의 온도 안정성이 양호하다는 이점을 활용하여, 이 수지 조성물은, 레이더용의 안테나 회로 기판의 절연층용 수지 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다. 이 안테나 회로 기판의 절연층으로서는, 예를 들면, 배선 형성층 등을 들 수 있다. 상기한 바와 같이 유전 정접의 온도 안정성이 양호한 경화물을 절연층의 재료로서 사용함으로써, 안테나 회로 기판에서의 손실의 크기의 온도에 의한 변화를 작게 할 수 있으므로, 사용 온도에 따르지 않는 고감도의 레이더를 실현할 수 있다.In addition, it is preferable to use this resin composition as a resin composition for an insulating layer of an antenna circuit board for a radar, taking advantage of the good temperature stability of the dielectric loss tangent. As an insulating layer of this antenna circuit board, a wiring formation layer etc. are mentioned, for example. As described above, by using a cured material having good temperature stability of the dielectric loss tangent as the material of the insulating layer, it is possible to reduce the temperature-dependent change in the loss in the antenna circuit board, so that a highly sensitive radar that does not depend on the operating temperature can be obtained. It can be realized.

또한, 유전율이 낮은 절연층은 회로 기판의 저배화(低背化)에 공헌할 수 있으므로, 얇은 회로 기판이 요구되는 용도에 적합하다. 또한, 유전율이 낮은 절연층은 회로 기판의 임피던스 컨트롤을 용이하게 하기 때문에, 회로 기판의 설계 자유도를 높이기 위해 적합하다. 이러한 관점에서, 수지 조성물의 적합한 용도를 들면, 예를 들면, 휴대 기기에 사용되는 마더보드, IC 패키지 기판, 카메라 모듈 기판, 지문 인증 센서용 기판 등의 회로 기판을 들 수 있다. 구체적인 예를 들면, 지문 인증 센서는 회로 기판에 포함되는 절연층과, 상기 절연층 위에 형성된 복수의 전극과, 절연 피막을 이 순차로 구비하는 경우가 있다. 이 지문 인증 센서에서는, 절연 피막 위에 놓인 손가락과 전극과 절연 피막에 의해 형성되는 콘덴서의 용량값이, 지문의 오목부와 볼록부에서 다른 것을 이용하여 지문의 인증이 행하여진다. 이러한 지문 인증 센서에서, 절연층을 얇게 할 수 있으면, 센서 자체의 소형화가 가능하다.In addition, since an insulating layer with a low dielectric constant can contribute to a low profile of a circuit board, it is suitable for applications requiring a thin circuit board. In addition, since the insulating layer having a low permittivity facilitates impedance control of the circuit board, it is suitable for increasing the degree of freedom in designing the circuit board. From this point of view, suitable uses of the resin composition include, for example, circuit boards such as motherboards used for mobile devices, IC package boards, camera module boards, and fingerprint authentication sensor boards. For example, a fingerprint authentication sensor may include an insulating layer included in a circuit board, a plurality of electrodes formed on the insulating layer, and an insulating film in this order. In this fingerprint authentication sensor, fingerprint authentication is performed using the fact that the concave and convex portions of the fingerprint have different capacitance values of the capacitance formed by the finger, the electrode, and the insulating coating placed on the insulating film. In such a fingerprint authentication sensor, if the insulating layer can be made thin, the sensor itself can be miniaturized.

또한, 상기한 수지 조성물은 접착 필름, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 밀봉재, 구멍 메움 수지, 부품 매립 수지 등 수지 조성물이 사용되는 광범한 용도에 사용할 수 있다.In addition, the resin composition described above can be used for a wide range of applications in which the resin composition is used, such as adhesive films, sheet-like laminate materials such as prepreg, solder resists, underfill materials, die bonding materials, semiconductor encapsulants, hole filling resins, and parts embedding resins. can

[4. 시트상 적층 재료][4. Sheet-like laminated material]

상기한 수지 조성물은 바니쉬 상태로 도포하여 절연층의 형성에 사용할 수 있다. 그러나, 공업적으로는, 이 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 시트상 적층 재료의 바람직한 예로서는, 접착 필름, 프리프레그를 들 수 있다.The above resin composition may be applied in a varnish state and used for forming an insulating layer. However, industrially, it is preferable to use it in the form of a sheet-like laminated material containing this resin composition. Preferred examples of the sheet-like laminated material include adhesive films and prepregs.

일 실시형태에 있어서, 접착 필름은 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된 수지 조성물층을 포함한다. 수지 조성물층은 상기한 수지 조성물로 형성된 층이고, 「접착층」으로 불리는 경우가 있다.In one embodiment, the adhesive film includes a support and a resin composition layer provided on the support. The resin composition layer is a layer formed of the above resin composition, and is sometimes referred to as an “adhesive layer”.

수지 조성물층의 두께는 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 60㎛ 이하, 그 중에서도 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등일 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less, even more preferably 60 μm or less, and particularly preferably 50 μm or less, from the viewpoint of thinning. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, and may be, for example, 1 μm or more, 5 μm or more, or 10 μm or more.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있다. 지지체로서는 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include a film made of a plastic material, metal foil, and release paper. As the support, a film or metal foil made of a plastic material is preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 하는 경우가 있다), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 하는 경우가 있다) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 하는 경우가 있다); 폴리메틸메타크릴레이트(이하 「PMMA」라고 하는 경우가 있다) 등의 아크릴 중합체; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하 「TAC」라고 하는 경우가 있다); 폴리에테르설파이드 (이하 「PES」라고 하는 경우가 있다); 폴리에테르케톤; 폴리이미드를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴하고 입수성이 우수하기 때문에 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When using a film made of a plastic material as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes referred to as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes referred to as "PEN"), and the like. of polyester; polycarbonate (hereinafter sometimes referred to as "PC"); acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes referred to as "PMMA"); cyclic polyolefin; triacetyl cellulose (hereinafter sometimes referred to as "TAC"); polyether sulfide (hereinafter sometimes referred to as "PES"); polyether ketone; Polyimide is mentioned. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and polyethylene terephthalate is particularly preferable because it is inexpensive and has excellent availability.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 동과 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, as a metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example. Especially, copper foil is preferable. As the copper foil, foil made of a single metal of copper may be used, or foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used .

지지체는 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, or an antistatic treatment.

또한, 지지체로서는 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용할 수 있는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들면, 도레이사 제조의 「루미러 T60」; 데이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer on the surface to which it joins with a resin composition layer. As a release agent which can be used for the release layer of the support body with a release layer, one or more types of release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins are exemplified. As a commercial item of a release agent, "SK-1" by a Lintec company which is an alkyd resin type release agent, "AL-5", "AL-7" etc. are mentioned, for example. In addition, as a support body with a mold release layer, it is "Lumiror T60" by a Toray company, for example; "Purex" by the Teijin company; "Uni-Peel" manufactured by Unitica Co., Ltd., and the like are exemplified.

지지체의 두께는 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. Moreover, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

접착 필름은, 예를 들면, 유기 용제 및 수지 조성물을 포함하는 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체에 도포하고, 더 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The adhesive film is obtained by, for example, preparing a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition, applying the resin varnish to a support using a coating device such as a die coater, and further drying to form a resin composition layer. can be manufactured

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤 용제; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제를 들 수 있다. 유기 용제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of organic solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; Acetate ester solvents, such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; Amide type solvents, such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc), and N-methylpyrrolidone, are mentioned. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

건조는 가열, 열풍 분무 등의 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다. 건조 조건은 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 설정한다. 수지 바니쉬 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 통상, 수지 조성물층은 수지 바니쉬의 도막을 반경화한 막으로서 수득된다.Drying can be performed by a known method such as heating or hot air spraying. Drying conditions are set so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it depends on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes, the resin A composition layer may be formed. Usually, the resin composition layer is obtained as a film obtained by semi-curing a coating film of resin varnish.

접착 필름은 필요에 따라 지지체 및 수지 조성물층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들면, 접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와는 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 설치되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 통상, 접착 필름은 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다. 또한, 접착 필름은 롤 형상으로 말아서 보존하는 것이 가능하다.The adhesive film may contain arbitrary layers other than a support body and a resin composition layer as needed. For example, in the adhesive film, a protective film conforming to the support may be provided on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (ie, the surface on the opposite side to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. With the protective film, adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and scratches can be suppressed. When the adhesive film has a protective film, usually the adhesive film becomes usable by peeling off the protective film. In addition, the adhesive film can be rolled into a roll shape and stored.

일 실시형태에 있어서, 프리프레그는 시트상 섬유 기재에 수지 조성물을 함침시켜 형성할 수 있다.In one embodiment, a prepreg can be formed by impregnating a sheet-like fiber substrate with a resin composition.

프리프레그에 사용되는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않는다. 시트상 섬유 기재로서는, 예를 들면, 글라스 클로스, 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의, 프리프레그용 기재로서 사용되는 임의의 섬유 기재를 사용할 수 있다. 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하, 보다 바람직하게는 800㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 700㎛ 이하, 특히 바람직하게는 600㎛ 이하이다. 도체층의 형성에 걸리는 도금의 잠김 깊이를 작게 억제하는 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하고, 10㎛ 이하가 특히 바람직하다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 통상 1㎛ 이상이고, 1.5㎛ 이상 또는 2㎛ 이상으로 해도 좋다.The sheet-like fiber substrate used for the prepreg is not particularly limited. As the sheet-like fiber substrate, any fiber substrate used as a prepreg substrate such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used, for example. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 900 µm or less, more preferably 800 µm or less, still more preferably 700 µm or less, and particularly preferably 600 µm or less. From the viewpoint of suppressing the depth of plating involved in forming the conductor layer to a small level, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 30 μm or less, more preferably 20 μm or less, and particularly preferably 10 μm or less. The lower limit of the thickness of the sheet-like fiber substrate is usually 1 µm or more, and may be 1.5 µm or more or 2 µm or more.

프리프레그는 핫멜트법, 솔벤트법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다. 프리프레그의 두께는 상기 접착 필름에서의 수지 조성물층과 같은 범위일 수 있다.Prepreg can be manufactured by methods such as a hot melt method and a solvent method. The thickness of the prepreg may be in the same range as that of the resin composition layer in the adhesive film.

[5. 회로 기판][5. circuit board]

본 발명의 회로 기판은 상기한 수지 조성물의 경화물로 형성된 절연층을 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 회로 기판은 내층 기판과, 이 내층 기판에 설치된 절연층을 구비한다.The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the above resin composition. In one embodiment, the circuit board includes an inner layer substrate and an insulating layer provided on the inner layer substrate.

「내층 기판」이란, 회로 기판의 기재가 되는 부재이다. 내층 기판으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 코어 기판을 포함하는 것을 들 수 있다. 또한, 통상, 내층 기판은 코어 기재의 한면 또는 양면에, 직접적 또는 간접적으로 형성된 도체층을 구비한다. 이 도체층은, 예를 들면 전기적인 회로로서 기능시키기 위해서, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 코어 기판의 한면 또는 양면에 회로로서 도체층이 형성된 내층 기판은 「내층 회로 기판」이라고 불리는 경우가 있다. 또한, 회로 기판을 제조하기 위해서 추가로 절연층 및 도체층의 적어도 어느 하나가 형성되어야 할 중간 제조물도, 용어 「내층 기판」에 포함된다. 회로 기판이 부품을 내장하는 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용해도 좋다.An "inner layer board" is a member used as a base material of a circuit board. Examples of the inner layer substrate include a core substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. In addition, usually, the inner layer substrate has a conductor layer formed directly or indirectly on one side or both sides of the core substrate. This conductor layer may be subjected to pattern processing in order to function as an electrical circuit, for example. An inner layer board in which a conductor layer as a circuit is formed on one side or both sides of the core board is sometimes called an "inner layer circuit board". In addition, an intermediate product in which at least one of an insulating layer and a conductor layer is to be further formed in order to manufacture a circuit board is also included in the term "inner layer board". When the circuit board has built-in components, an inner-layer board with built-in components may be used.

내층 기판 두께는 통상 50㎛ 내지 4000㎛이고, 회로 기판의 기계적 강도의 향상 및 저배화(두께의 저감)의 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 내지 3200㎛이다.The thickness of the inner layer substrate is usually 50 µm to 4000 µm, and is preferably 200 µm to 3200 µm from the viewpoint of improving the mechanical strength of the circuit board and reducing its profile (reduction in thickness).

내층 기판에는, 그 양측의 도체층을 서로 전기적으로 접속하기 위해서, 한쪽의 면에서 다른 쪽의 면에 이르는 1개 이상의 스루 홀이 설치되어 있어도 좋다. 또한, 내층 기판은 수동 소자 등의 추가 구성 요소를 구비하고 있어도 좋다.The inner layer substrate may be provided with one or more through holes extending from one surface to the other surface in order to electrically connect the conductor layers on both sides thereof to each other. Further, the inner layer substrate may include additional components such as passive elements.

절연층은 수지 조성물의 경화물의 층이다. 이 경화물로 형성된 절연층은 특히 빌드업 방식에 의한 회로 기판용, 고주파 회로 기판용, 레이더의 안테나 회로 기판용, 및 휴대 기기에 사용되는 마더보드, IC 패키지 기판, 카메라 모듈 기판, 및 지문 인증 센서용 기판 등의 회로 기판용 절연층에 적합하게 적용할 수 있다.The insulating layer is a layer of a cured product of a resin composition. The insulating layer formed of this cured material is particularly used for build-up circuit boards, high-frequency circuit boards, radar antenna circuit boards, and motherboards, IC package boards, camera module boards, and fingerprint authentication used in mobile devices. It is suitably applicable to the insulating layer for circuit boards, such as a board|substrate for sensors.

회로 기판은 절연층을 1층만 갖고 있어도 좋고, 2층 이상 갖고 있어도 좋다. 회로 기판이 2층 이상인 절연층을 갖는 경우에는, 도체층과 절연층이 교대로 적층된 빌드업층으로서 설치할 수 있다.The circuit board may have only one insulating layer, or may have two or more layers. When a circuit board has two or more insulating layers, it can provide as a buildup layer in which a conductor layer and an insulating layer were alternately laminated.

절연층의 두께는 통상 20㎛ 내지 200㎛이고, 전기적 특성의 향상과 회로 기판의 저배화의 관점에서, 바람직하게는 50㎛ 내지 150㎛이다.The thickness of the insulating layer is usually 20 μm to 200 μm, and is preferably 50 μm to 150 μm from the viewpoint of improving electrical properties and reducing the height of the circuit board.

절연층에는, 회로 기판이 갖는 도체층끼리를 전기적으로 접속하기 위한 1개 이상의 비아 홀이 설치되어 있어도 좋다.In the insulating layer, one or more via holes for electrically connecting the conductor layers of the circuit board may be provided.

상기 절연층은, 상기한 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 층이므로, 상기한 수지 조성물의 경화물이 우수한 특성을 발휘할 수 있다. 따라서, 회로 기판의 절연층은, 바람직하게는 절연층의 유전율, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃), 유전 정접의 비율 Df(100℃)/Df(25℃), 및 25℃에서의 유전 정접 Df(25℃)와 같은 특성을, 상기 수지 조성물의 항에서 설명한 것과 같은 범위로 조정할 수 있다. 또한, 이러한 특성은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.Since the insulating layer is a layer formed of a cured product of the above-described resin composition, the cured product of the above-described resin composition can exhibit excellent properties. Therefore, the insulating layer of the circuit board preferably has the dielectric constant of the insulating layer, the ratio of the dielectric loss tangent Df (-10 ° C) / Df (25 ° C), the ratio of the dielectric loss tangent Df (100 ° C) / Df (25 ° C), and dielectric loss tangent Df (25°C) at 25°C can be adjusted within the same range as described in the section on the resin composition. In addition, these properties can be measured by the method described in the Examples.

회로 기판은, 예를 들면, 접착 필름을 사용하여, 하기 공정 (I) 및 공정 (II)를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.A circuit board can be manufactured by the manufacturing method including the following process (I) and process (II) using an adhesive film, for example.

(I) 내층 기판에, 접착 필름을, 당해 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정.(I) A step of laminating an adhesive film on an inner layer substrate so that the resin composition layer of the adhesive film is bonded to the inner layer substrate.

(II) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정.(II) A step of forming an insulating layer by thermally curing the resin composition layer.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 지지체 측으로부터 접착 필름을 내층 기판에 가압하면서 가열하는 가열 압착 공정에 의해 행할 수 있다. 가열 압착 공정을 위한 부재(「가열 압착 부재」라고도 한다)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤)을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 접착 필름의 지지체에 직접적으로 가압하여 프레스하는 것이 아니라, 내층 기판의 표면의 요철에 접착 필름이 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 통하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be performed by, for example, a heat press step of heating while pressing the adhesive film against the inner layer substrate from the support side. As a member (also referred to as a "heat-compression member") for the heat-pressing step, a heated metal plate (SUS head plate or the like) or a metal roll (SUS roll) is exemplified. In addition, it is preferable to press the heat-compressed member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the adhesive film sufficiently follows the irregularities on the surface of the inner layer substrate, rather than pressing the hot-press member directly onto the support of the adhesive film.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 진공 라미네이트법에 의해 실시할 수 있다. 진공 라미네이트법에 있어서 가열 압착의 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃이다. 가열 압착의 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa이다. 가열 압착의 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다.Lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be performed by, for example, a vacuum lamination method. The temperature of hot pressing in the vacuum lamination method is preferably 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C. The pressure of heat compression is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The heat compression time is preferably 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

적층은 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 메이키세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코·머티리얼즈사 제조의 배큠 어플리케이터, 배치식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, a vacuum pressure type laminator by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator by Nikko Materials, a batch type vacuum pressure laminator, etc. are mentioned, for example.

적층 후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재로 지지체 측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 조성물층의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 적층의 가열 압착의 조건과 같은 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층 및 평활화 처리는 상기한 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행해도 좋다.After lamination, the laminated resin composition layer may be smoothed by pressing from the support body side under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, with a hot pressing member. The press conditions for the smoothing treatment can be the same as the conditions for the thermal compression of the laminate. The smoothing process can be performed with a commercially available laminator. In addition, the lamination and smoothing treatment may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator described above.

지지체는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II) 후에 제거해도 좋다.The support may be removed between the step (I) and the step (II), or may be removed after the step (II).

공정 (II)에서, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화의 조건은 특별히 한정되지 않고, 회로 기판의 절연층을 형성함에 있어서 채용되는 조건을 임의로 채용할 수 있다.In step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. Conditions for thermal curing of the resin composition layer are not particularly limited, and conditions employed in forming an insulating layer of a circuit board can be arbitrarily adopted.

수지 조성물층의 열경화 조건은, 예를 들면 수지 조성물의 종류에 따라서도 다르다. 수지 조성물층의 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위)이다. 또한, 경화 시간은 통상 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)이다.Conditions for thermal curing of the resin composition layer also differ depending on the type of the resin composition, for example. The curing temperature of the resin composition layer is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably in the range of 170°C to 200°C). In addition, the curing time is usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도로 예비 가열해도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃이하)의 온도로, 수지 조성물층을 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer is usually at a temperature of 50°C or more and less than 120°C (preferably 60°C or more and 110°C or less, more preferably 70°C or more and 100°C or less). You may preheat normally for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

회로 기판의 제조 방법은 또한 (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층에 조화(粗化) 처리를 실시하는 공정, 및 (V) 도체층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이들 공정 (III) 내지 공정 (V)는 회로 기판의 제조에 사용되는 적절한 방법에 따라 실시할 수 있다. 또한, 지지체를 공정 (II) 후에 제거하는 경우, 당해 지지체의 제거는 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이 중 어느 시점에서 실시해도 좋다.The manufacturing method of the circuit board may further include (III) a step of perforating the insulating layer, (IV) a step of roughening the insulating layer, and (V) a step of forming a conductor layer. These steps (III) to (V) can be carried out according to an appropriate method used for manufacturing a circuit board. In the case where the support is removed after step (II), the support may be removed between step (II) and step (III), between step (III) and step (IV), or between step (IV) and step (V). You may carry out at any point in between.

공정 (III)은 절연층에 천공하는 공정이다. 천공에 의해, 절연층에 비아 홀, 스루 홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등의 방법으로 실시할 수 있다. 홀의 치수 및 형상은 회로 기판의 디자인에 따라 적절에 결정할 수 있다.Step (III) is a step of perforating the insulating layer. Holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer by perforation. Step (III) can be carried out by, for example, a method such as a drill, laser, or plasma, depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The size and shape of the hole can be appropriately determined according to the design of the circuit board.

공정 (IV)는 절연층에 조화 처리를 실시하는 공정이다. 조화 처리의 순서 및 조건은 특별히 한정되지 않고, 회로 기판의 절연층을 형성함에 있어서 사용되는 임의의 순서 및 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순차로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다.Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The order and conditions of the roughening treatment are not particularly limited, and any order and conditions used in forming the insulating layer of the circuit board can be employed. For example, the insulation layer can be roughened by sequentially performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralization liquid.

팽윤액으로서는, 예를 들면, 알칼리 용액, 계면활성제 용액을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액을 들 수 있다. 알칼리 용액으로서는 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「스웰링·딥·시큐리간스 P」, 「스웰링·딥·시큐리간스 SBU」를 들 수 있다. 또한, 팽윤액은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않는다. 팽윤 처리는, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.Examples of the swelling liquid include an alkali solution and a surfactant solution, preferably an alkali solution. As an alkaline solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of commercially available swelling solutions include "Swelling Deep Securiganth P" and "Swelling Deep Securiganth SBU" manufactured by Atotech Japan. In addition, swelling liquid may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. The swelling treatment by the swelling liquid is not particularly limited. The swelling treatment can be performed by, for example, immersing the insulating layer in a swelling solution at 30°C to 90°C for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling solution at 40°C to 80°C for 5 minutes to 15 minutes.

산화제로서는, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨 또는 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 산화제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「콘센트레이트·컴팩트 CP」, 「도징솔루션·시큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.As an oxidizing agent, the alkaline permanganic acid solution which melt|dissolved potassium permanganate or sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned, for example. In addition, an oxidizing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60°C to 80°C for 10 minutes to 30 minutes. In addition, the concentration of permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Securiganth P" manufactured by Atotech Japan.

중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하다. 중화액의 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「리덕션 솔루션·시큐리간스 P」를 들 수 있다. 또한, 중화액은 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 절연층의 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 절연층을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.As the neutralization liquid, an acidic aqueous solution is preferable. As a commercial item of a neutralization liquid, "Reduction Solution Securiganth P" by the Atotech Japan company is mentioned, for example. In addition, a neutralization liquid may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types. The treatment with the neutralization solution can be performed by immersing the treated surface of the insulating layer subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent in the neutralization solution at 30°C to 80°C for 5 minutes to 30 minutes. From the standpoint of workability and the like, a method in which the insulating layer subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent is immersed in a neutralization solution at 40°C to 70°C for 5 minutes to 20 minutes is preferable.

공정 (V)는 도체층을 형성하는 공정이다. 도체층에 사용되는 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 좋고, 합금층이라도 좋다. 합금층으로서는, 예를 들면, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층의 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하다. 또한, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는, 니켈·크롬 합금의 합금층;이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 더욱 바람직하다.Step (V) is a step of forming a conductor layer. The material used for the conductor layer is not particularly limited. In suitable embodiments, the conductor layer comprises one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. . The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more types of metals selected from the above groups (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, from the viewpoints of versatility of formation of a conductor layer, cost, ease of patterning, etc., a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; Alternatively, an alloy layer of a nickel/chromium alloy, a copper/nickel alloy, or a copper/titanium alloy is preferable. Further, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; Alternatively, an alloy layer of a nickel-chromium alloy; is more preferable, and a single metal layer of copper is still more preferable.

도체층은 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or may have a multi-layer structure including two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel/chromium alloy.

도체층의 두께는 통상 3㎛ 내지 200㎛이고, 바람직하게는 10㎛ 내지 100㎛이다.The thickness of the conductor layer is usually 3 μm to 200 μm, preferably 10 μm to 100 μm.

도체층은, 예를 들면, 접착 필름의 지지체로서 사용된 금속박을 이용하여, 이를 직접적으로 패터닝하여 형성할 수 있다. 또한, 도체층은, 예를 들면, 도금에 의해 형성할 수 있다. 도금에 의한 형성 방법으로서는, 예를 들면, 세미 애디티브법, 풀 애디티브법 등의 방법에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 그 중에서도, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 애디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The conductor layer can be formed by direct patterning using, for example, a metal foil used as a support for an adhesive film. In addition, the conductor layer can be formed by plating, for example. As a formation method by plating, for example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a method such as a semi-additive method or a full additive method. Especially, it is preferable to form by the semi-additive method from a viewpoint of the simplicity of manufacture.

이하, 도체층을 세미 애디티브법에 의해 형성하는 예를 설명한다. 우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하도록 도금 시드층의 일부분을 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by a semi-additive method will be described. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern exposing a portion of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. After forming a metal layer by electroplating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

도체층은, 예를 들면, 금속박을 사용하여 형성해도 좋다. 금속박을 사용하여 도체층을 형성하는 경우, 공정 (V)는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 공정 (I) 후, 지지체를 제거하고, 노출된 수지 조성물층의 표면에 금속박을 적층한다. 수지 조성물층과 금속박의 적층은 진공 라미네이트법에 의해 실시할 수 있다. 적층의 조건은 공정 (I)에서의 내층 기판과 접착 필름의 적층 조건과 같게 해도 좋다. 이어서, 공정 (II)를 실시하여 절연층을 형성한다. 그 후, 절연층 위의 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법, 모디파이드 세미 애디티브법 등의 방법에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 금속박은, 예를 들면, 전해법, 압연법 등의 방법에 의해 제조할 수 있다. 금속박의 시판품으로서는, 예를 들면, JX닛코닛세키긴조크사 제조의 HLP박, JXUT-III박, 미쯔이긴조크코우잔사 제조의 3EC-III박, TP-III박 등을 들 수 있다.You may form a conductor layer using metal foil, for example. When forming a conductor layer using metal foil, it is preferable to implement process (V) between process (I) and process (II). For example, after step (I), the support is removed and metal foil is laminated on the exposed surface of the resin composition layer. Lamination of the resin composition layer and the metal foil can be performed by a vacuum lamination method. The lamination conditions may be the same as the lamination conditions of the inner layer substrate and the adhesive film in step (I). Next, Step (II) is performed to form an insulating layer. After that, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by a method such as a subtractive method or a modified semi-additive method using the metal foil on the insulating layer. Metal foil can be manufactured by methods, such as an electrolysis method and a rolling method, for example. As a commercial item of metal foil, HLP foil by the JX Nikko Nisseki Ginzoku company, JXUT-III foil, 3EC-III foil by the Mitsui Ginzoku Kozan company, TP-III foil, etc. are mentioned, for example.

회로 기판이 2층 이상의 절연층 및 도체층(빌드업층)을 구비하는 경우에는 상기한 절연층의 형성 공정 및 도체층의 형성 공정을 추가로 1회 이상 반복하여 실시함으로써, 회로로서 기능할 수 있는 다층 배선 구조를 구비한 회로 기판을 제조할 수 있다.When the circuit board has two or more insulating layers and a conductor layer (build-up layer), the above insulating layer formation step and the conductor layer formation step are further repeated one or more times to function as a circuit. A circuit board having a multilayer wiring structure can be manufactured.

다른 실시형태에 있어서, 회로 기판은 접착 필름 대신에 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 프리프레그를 사용하는 제조 방법은 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 같다.In another embodiment, the circuit board can be made using prepreg instead of adhesive film. The manufacturing method using the prepreg is basically the same as the case of using the adhesive film.

[6. 반도체 장치][6. semiconductor device]

반도체 장치는 상기 회로 기판을 구비한다. 이 반도체 장치는 회로 기판을 사용하여 제조할 수 있다.A semiconductor device includes the circuit board. This semiconductor device can be manufactured using a circuit board.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of semiconductor devices include various semiconductor devices provided for electric appliances (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, electric cars, ships, aircraft, etc.). there is.

반도체 장치는, 예를 들면, 회로 기판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「회로 기판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」이고, 그 개소는 회로 기판의 표면이라도, 회로 기판 내에 매립된 개소라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자를 임의로 사용할 수 있다.A semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) on a conduction location of a circuit board. A "conductive location" is "a location through which an electric signal is transmitted on a circuit board", and the location may be the surface of the circuit board or a location embedded in the circuit board. Also, as the semiconductor chip, an electric circuit element made of a semiconductor can be arbitrarily used.

반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은 반도체 칩이 유효하게 기능하는 임의의 방법을 채용할 수 있다. 반도체 칩의 실장 방법으로서는, 예를 들면, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 회로 기판에 직접적으로 매립하여, 반도체 칩과 회로 기판의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 의미한다.As a method of mounting a semiconductor chip when manufacturing a semiconductor device, any method that effectively functions the semiconductor chip can be employed. Examples of the semiconductor chip mounting method include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a non-conductive film (NCF). The mounting method by can be mentioned. Here, the "mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL)" means a "mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a circuit board to connect wiring between the semiconductor chip and the circuit board."

실시예Example

이하, 실시예를 개시하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에서 「부」 및 「%」는 별도 명시가 없는 한 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by disclosing examples. However, the present invention is not limited to these examples. In addition, in the description below, "part" and "%" mean "part by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

[실시예 1][Example 1]

비크실레놀형 에폭시 수지(미쓰비시케미컬사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 20부, 및 페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, 솔벤트 나프타 20부에 교반하면서 가열 용해하고, 그 후, 실온까지 냉각하여 수지 용액을 수득하였다.While stirring 20 parts of bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 185) and 2.5 parts of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Kasei Co., Ltd.) with 20 parts of solvent naphtha It melt|dissolved by heating, and then cooled to room temperature, and the resin solution was obtained.

이 수지 용액에, 무기 충전재(아도마텍스사 제조 「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 비표면적 5.9㎡/g, 단위 표면적당 카본량 0.38mg/㎡) 100부, 및 폴리테트라플루오로에틸렌 입자(다이킨코교사 제조 「루브론 L-2」, 평균 입자 직경 3㎛) 55부를 혼합하고, 3본 롤로 혼련하여 분산시켰다.To this resin solution, 100 parts of an inorganic filler ("SO-C2" manufactured by Adomatex, average particle diameter: 0.5 µm, specific surface area: 5.9 m/g, carbon content per unit surface area: 0.38 mg/m), and polytetrafluorocarbon 55 parts of ethylene particles ("Lubron L-2" manufactured by Daikin Kogyo Co., Ltd., average particle size: 3 µm) were mixed, and kneaded and dispersed with three rolls.

또한, 이 수지 용액에, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65%의 톨루엔 용액) 31부, 아크릴 수지(신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP)의 5% 메틸에틸케톤 용액) 2부, 및 경화 촉진제(니찌유사 제조의 디쿠밀퍼옥사이드 「퍼쿠밀 D」) 0.13부를 혼합하고, 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니쉬 1을 제작하였다.In addition, to this resin solution, 31 parts of an active ester curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Corporation, a toluene solution of 65% of a non-volatile matter having an active group equivalent of about 223), an acrylic resin (manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd. " A-DOG”) 10 parts, a curing accelerator (5% methylethyl ketone solution of 4-dimethylaminopyridine (DMAP)) 2 parts, and a curing accelerator (dicumyl peroxide “Percumyl D” manufactured by Nichiyu Co., Ltd.) 0.13 part mixed And, it was uniformly dispersed with a rotary mixer to prepare a resin varnish 1.

[실시예 2][Example 2]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 10부로 변경하였다. 또한, 아크릴 수지(신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」), 및 디쿠밀퍼옥사이드(니찌유사 제조 「퍼쿠밀 D」)를 사용하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 2를 제작하였다.The amount of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 10 parts. In addition, an acrylic resin (“A-DOG” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and dicumyl peroxide (“Percumyl D” manufactured by Nichiyu Co., Ltd.) were not used. Resin varnish 2 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[실시예 3][Example 3]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 13.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 3을 제작하였다.The amount of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 13.5 parts. Resin varnish 3 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[실시예 4][Example 4]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 2.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 4를 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 2.5 parts of m-phenylene bismaleimide resin (“BMI-3000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) 2.5 parts. Resin varnish 4 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[실시예 5][Example 5]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 10부로 변경하였다. 또한, 아크릴 수지(신나카무라카가쿠코교사 제조 「A-DOG」), 및 디쿠밀퍼옥사이드(니찌유사 제조 「퍼쿠밀 D」)를 사용하지 않았다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 5를 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 10 parts of m-phenylene bismaleimide resin (“BMI-3000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.). In addition, an acrylic resin (“A-DOG” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and dicumyl peroxide (“Percumyl D” manufactured by Nichiyu Co., Ltd.) were not used. Resin varnish 5 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[실시예 6][Example 6]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 13.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 6을 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 13.5 parts of m-phenylene bismaleimide resin (“BMI-3000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.). Resin varnish 6 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[비교예 1][Comparative Example 1]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 1부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 7을 제작하였다.The amount of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 1 part. Resin varnish 7 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[비교예 2][Comparative Example 2]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」)의 양을 16부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 8을 제작하였다.The amount of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 16 parts. Resin varnish 8 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[비교예 3][Comparative Example 3]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 1부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 9를 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 1 part of m-phenylene bismaleimide resin (“BMI-3000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.). Resin varnish 9 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[비교예 4][Comparative Example 4]

페닐메탄말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-2000」) 2.5부를, m-페닐렌비스말레이미드 수지(다이와카세이코교사 제조 「BMI-3000」) 16부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여 수지 바니쉬 10을 제작하였다.2.5 parts of phenylmethane maleimide resin (“BMI-2000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 16 parts of m-phenylene bismaleimide resin (“BMI-3000” manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.). Resin varnish 10 was produced by performing the same operation as in Example 1 except for the above matters.

[평가 방법][Assessment Methods]

(경화물의 평가 샘플의 제작)(Preparation of evaluation sample of cured product)

표면에 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 「PET501010」)을, 지지체로서 준비하였다. 이 지지체 위에, 실시예 및 비교예에서 수득한 수지 바니쉬를, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛이 되도록, 다이코터를 사용하여 균일하게 도포하였다. 도포된 수지 바니쉬를, 80℃ 내지 110℃(평균 95℃)에서 6분간 건조하여, 수지 조성물층을 수득하였다. 그 후, 수지 조성물층을 200℃에서 90분간 열처리하여 경화시키고, 지지체를 박리함으로써, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물 필름을 수득하였다. 이 경화물 필름을 길이 80mm, 폭 2mm으로 잘라, 평가 샘플을 수득하였다.A polyethylene terephthalate film ("PET501010" manufactured by Lintec Corporation) to which a release treatment was performed on the surface was prepared as a support. On this support, the resin varnish obtained in Examples and Comparative Examples was uniformly applied using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 40 µm. The applied resin varnish was dried at 80° C. to 110° C. (average 95° C.) for 6 minutes to obtain a resin composition layer. Thereafter, the resin composition layer was cured by heat treatment at 200° C. for 90 minutes, and the support was peeled off to obtain a cured product film formed from a cured product of the resin composition. This cured product film was cut into a length of 80 mm and a width of 2 mm to obtain evaluation samples.

(유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)의 측정)(Measurement of permittivity (Dk) and dielectric loss tangent (Df))

이 평가 샘플에 대해, 측정 장치(애질런트 테크놀로지스(Agilent Technologies)사 제조 「HP8362B」)를 사용한 공동 공진 섭동법에 의해, 측정 주파수 10GHz로 유전 정접 및 유전율을 측정하였다. 유전 정접의 측정은 -10℃, 25℃ 및 100℃에서 행하였다. 또한, 유전율의 측정은 25℃에서 행하였다.About this evaluation sample, the dielectric loss tangent and dielectric constant were measured with the measurement frequency of 10 GHz by the cavity resonance perturbation method using the measuring apparatus ("HP8362B" by Agilent Technologies). The dielectric loss tangent was measured at -10°C, 25°C and 100°C. In addition, the dielectric constant was measured at 25 degreeC.

(유전율(Dk)의 평가)(Evaluation of permittivity (Dk))

유전율(Dk)이 3.0 이하인 경우를 「양호」라고 평가하였다. 또한, 유전율(Dk)이 3.0을 초과한 경우를 「불량」이라고 평가하였다.A case where the dielectric constant (Dk) was 3.0 or less was evaluated as "good". In addition, the case where the permittivity (Dk) exceeded 3.0 was evaluated as "defective".

(유전 정접의 온도 안정성의 평가)(Evaluation of temperature stability of dielectric loss tangent)

25℃에서의 유전 정접(Df)(25℃)에 대한 -10℃에서의 유전 정접(Df)(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)를 계산하였다. 이 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 있는 경우에, 저온에서의 온도 안정성을 「양호」라고 판정하였다. 또한, 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 없는 경우에, 저온에서의 온도 안정성을 「불량」이라고 판정하였다.The ratio Df(-10°C)/Df(25°C) of the dielectric loss tangent (Df)(-10°C) at -10°C to the dielectric loss tangent (Df)(25°C) at 25°C was calculated. When this ratio Df(-10°C)/Df(25°C) was in the range of 85% to 115%, the temperature stability at low temperature was judged to be "good". In addition, when the ratio Df(-10°C)/Df(25°C) was not in the range of 85% to 115%, the temperature stability at low temperature was judged to be "defective".

25℃에서의 유전 정접(Df)(25℃)에 대한 100℃에서의 유전 정접(Df)(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)를 계산하였다. 이 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 있는 경우에, 고온에서의 온도 안정성을 「양」으로 판정하였다. 또한, 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%의 범위에 없는 경우에, 고온에서의 온도 안정성을 「불량」으로 판정하였다.The ratio Df(100°C)/Df(25°C) of the dielectric loss tangent (Df)(100°C) at 100°C to the dielectric loss tangent (Df)(25°C) at 25°C was calculated. When this ratio Df(100°C)/Df(25°C) was in the range of 85% to 115%, the temperature stability at high temperature was judged to be "positive". In addition, when the ratio Df (100 ° C.) / Df (25 ° C.) was not in the range of 85% to 115%, the temperature stability at high temperature was judged to be "poor".

[결과][result]

상기한 실시예 및 비교예의 결과를 하기의 표에 나타낸다. 하기의 표에서, 각 성분의 양은 불휘발 성분의 질량부를 나타낸다. 또한, 하기의 표에서, 약칭의 의미는 하기와 같다.The results of the above examples and comparative examples are shown in the table below. In the table below, the amount of each component represents the mass part of the non-volatile component. In addition, in the table below, the meaning of the abbreviation is as follows.

(B)/(A): (A) 성분 100질량%에 대한 (B) 성분의 질량 비율.(B)/(A): Mass ratio of component (B) to 100% by mass of component (A).

Figure 112018081091316-pat00015
Figure 112018081091316-pat00015

[검토][examine]

표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서는 낮은 유전율이 얻어지고 있다. 또한, 실시예에서는, 유전 정접의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 100%에 가까운 소정의 범위(100%±15%)에 들어가 있고, 고온에서의 유전 정접의 온도 안정성이 양호하다. 또한, 실시예에서는, 유전 정접의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 100%에 가까운 소정의 범위(100%±15%)에 들어가 있고, 저온에서의 유전 정접의 온도 의존성이 양호하다. 따라서, 이 결과로, 본 발명에 의해, 유전율이 낮고, 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물을 실현할 수 있는 것이 확인되었다. 또한, 이렇게 유전 정접의 온도 안정성이 우수한 절연층을 레이더의 안테나 회로 기판에 적용한 경우, 그 레이더의 검출 가능 범위의 온도에 의한 변화를 억제할 수 있는 것은 당업자가 명확하게 이해할 수 있다.As can be seen from Table 1, a low permittivity was obtained in the examples. Further, in the examples, the dielectric loss tangent ratio Df(100°C)/Df(25°C) is within a predetermined range (100%±15%) close to 100%, and the temperature stability of the dielectric loss tangent at high temperatures is good. do. Further, in the examples, the ratio of dielectric loss tangent Df(-10°C)/Df(25°C) falls within a predetermined range (100%±15%) close to 100%, and the temperature dependence of the dielectric loss tangent at low temperatures is good Therefore, as a result, it was confirmed that a resin composition capable of obtaining an insulating layer having a low dielectric constant and excellent temperature stability of the dielectric loss tangent can be realized by the present invention. In addition, it can be clearly understood by those skilled in the art that, when the insulating layer having excellent temperature stability of the dielectric loss tangent is applied to the radar antenna circuit board, the change due to the temperature of the radar detectable range can be suppressed.

상기 실시예에서, (E) 성분 내지 (G) 성분을 사용하지 않은 경우라도, 정도에 차이는 있지만, 상기 실시예와 같은 결과에 귀착하는 것을 확인하였다.In the above examples, even when components (E) to (G) were not used, it was confirmed that the same results as those of the above examples were obtained, although there were differences in degree.

Claims (14)

(A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, (D) 불소계 충전재, 및 활성 에스테르계 경화제를 포함하는 수지 조성물로서, (B) 성분의 양이 (A) 성분 100질량%에 대해 10질량% 내지 70질량%인, 수지 조성물.A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, (D) a fluorine-based filler, and an active ester-based curing agent, wherein the amount of component (B) is 100 masses of component (A) 10% by mass to 70% by mass relative to %, the resin composition. (A) 에폭시 수지, (D) 불소계 충전재, 및 활성 에스테르계 경화제를 포함하는 수지 조성물로서, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이고, Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%인, 수지 조성물.A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (D) a fluorine-based filler, and an active ester-based curing agent; When the tangents are Df(-10℃), Df(25℃) and Df(100℃), the ratio of Df(-10℃) to Df(25℃) Df(-10℃)/Df( 25 ° C.) is 85% to 115%, and the ratio Df (100 ° C.) to Df (25 ° C.) Df (100 ° C.) / Df (25 ° C.) is 85% to 115%, the resin composition. (A) 에폭시 수지, (B) 말레이미드 화합물, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, (B) 성분의 양이 (A) 성분 100질량%에 대해 10질량% 내지 70질량%이고, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 (D) 성분의 양이 15질량% 이상 80질량% 이하이며, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 100질량%에 대한 (D) 성분의 양이 20질량% 이상 70질량% 이하인, 수지 조성물.A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) a maleimide compound, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler, wherein the amount of component (B) is 10 mass% with respect to 100 mass% of component (A). % to 70% by mass, and the amount of component (D) relative to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition is 15% by mass or more and 80% by mass or less, and the total of component (C) and component (D) is 100% by mass A resin composition in which the amount of component (D) is 20% by mass or more and 70% by mass or less. (A) 에폭시 수지, (C) 무기 충전재, 및 (D) 불소계 충전재를 포함하는 수지 조성물로서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 (D) 성분의 양이 15질량% 이상 80질량% 이하이며, (C) 성분 및 (D) 성분의 합계 100 질량%에 대한 (D) 성분의 양이 20질량% 이상 70질량% 이하이며, 수지 조성물을 200℃에서 90분간 열처리하여 수득되는 경화물의 -10℃, 25℃ 및 100℃에서의 유전 정접을, 각각 Df(-10℃), Df(25℃) 및 Df(100℃)로 한 경우, Df(25℃)에 대한 Df(-10℃)의 비율 Df(-10℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%이고, Df(25℃)에 대한 Df(100℃)의 비율 Df(100℃)/Df(25℃)가 85% 내지 115%인, 수지 조성물.A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (C) an inorganic filler, and (D) a fluorine-based filler, wherein the amount of the component (D) is 15% by mass or more and 80% by mass relative to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. Below, the amount of component (D) relative to 100 mass% of the total of component (C) and component (D) is 20% by mass or more and 70% by mass or less, and a cured product obtained by heat-treating a resin composition at 200 ° C. for 90 minutes. When the dielectric loss tangents at -10°C, 25°C, and 100°C are Df(-10°C), Df(25°C), and Df(100°C), respectively, Df(-10°C) for Df(25°C) ) The ratio Df(-10℃)/Df(25℃) is 85% to 115%, and the ratio Df(100℃) to Df(25℃) Df(100℃)/Df(25℃) is 85 % to 115%, the resin composition. 제2항 또는 제4항에 있어서, (B) 말레이미드 화합물을 포함하는, 수지 조성물.(B) The resin composition of Claim 2 or 4 containing a maleimide compound. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, (D) 성분이 불소계 중합체 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein component (D) is fluorine-based polymer particles. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, (D) 성분이 폴리테트라플루오로에틸렌 입자인, 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein component (D) is polytetrafluoroethylene particles. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, (E) 불포화 탄화수소기를 갖는 수지를 포함하는, 수지 조성물.(E) The resin composition of any one of Claims 1-4 containing resin which has an unsaturated hydrocarbon group. 제8항에 있어서, (E) 성분이 아크릴기, 메타크릴기, 스티릴기, 알릴기, 비닐기 및 프로페닐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 불포화 탄화수소기를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 8, wherein component (E) has at least one unsaturated hydrocarbon group selected from the group consisting of an acryl group, a methacryl group, a styryl group, an allyl group, a vinyl group and a propenyl group. 제8항에 있어서, (E) 성분이 비닐기를 갖고, 또한 5원환 이상의 환상 에테르 구조를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 8, wherein the component (E) has a vinyl group and a 5-membered or higher cyclic ether structure. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 회로 기판의 절연층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 4, which is for forming an insulating layer of a circuit board. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 시트상 적층 재료.A sheet-like laminated material comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 4. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 포함하는 회로 기판.A circuit board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 4. 제13항에 기재된 회로 기판을 구비하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the circuit board according to claim 13.
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