KR102600199B1 - Resin composition - Google Patents

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Abstract

[과제] 프린트 배선판이 박형이라도, 부품의 실장공정에 있어서 양호한 리플로 거동을 나타내는 프린트 배선판을 초래하는 수지 조성물, 당해 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료, 프린트 배선판, 및 반도체 장치의 제공.
[해결수단] (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, 및 (C) 무기 충전재를 함유하고, (C) 무기 충전재가 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 수지 조성물. X는 비닐기 등을 나타내고, Y는 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기 등을 나타내고, R1 내지 R3은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기 등을 나타내고, Z는 알킬렌기 등을 나타낸다.
화학식 (1)
X-Y-Si(OR1)3
화학식 (2)
(R2O)3Si-Z-Si(OR3)3
[Problem] Provision of a resin composition that produces a printed wiring board that exhibits good reflow behavior in the component mounting process even if the printed wiring board is thin, a sheet-like laminate material containing the resin composition, a printed wiring board, and a semiconductor device.
[Solution] Contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, and (C) the inorganic filler is a compound represented by the following formula (1), and a compound represented by the following formula (2) A resin composition whose surface has been treated with at least one surface treatment agent selected from the group consisting of compounds. X shows a vinyl group, y is an alkylene group of 4 or more carbon atoms, r 1 to R 3 represents an alkyl group of carbon atoms 1 to 6, and z is an alkylene group.
Chemical formula (1)
XY-Si(OR 1 ) 3
Chemical formula (2)
(R 2 O) 3 Si-Z-Si(OR 3 ) 3

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 당해 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료, 프린트 배선판, 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to resin compositions. It also relates to sheet-like laminated materials, printed wiring boards, and semiconductor devices containing the resin composition.

프린트 배선판의 제조 기술로서는 내층 기판 위에 절연층과 도체층을 교대로 중첩하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조 방법에 있어서, 절연층은 일반적으로 수지 조성물을 경화시킴으로써 형성된다.As a manufacturing technology for printed wiring boards, a manufacturing method using a build-up method in which insulating layers and conductor layers are alternately overlapped on an inner layer substrate is known. In the manufacturing method using the build-up method, the insulating layer is generally formed by curing the resin composition.

예를 들면, 특허문헌 1에는 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 함유하고, 당해 무기 충전재가 아미노알킬실란으로 표면 처리되어 있고, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 당해 무기 충전재의 함유량이 55 내지 90질량%인 수지 조성물이 기재되어 있다.For example, Patent Document 1 contains an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler, and the inorganic filler is surface-treated with aminoalkylsilane, and when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, the inorganic filler A resin composition having a content of 55 to 90% by mass is described.

[특허문헌1] 일본 공개특허공보 특개2014-28880호[Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 2014-28880

그런데, 근래의 납함유 땜납에서 무연 땜납으로의 대체에 따라, 땜남 리플로(reflow)에 의한 부품의 실장 공정에서의 땜남 리플로의 온도는 상승하고 있다. 또한, 최근 전자 기기의 소형화를 달성하기 위해, 프린트 배선판의 더 박형화가 진행되고 있고, 내층 기판이나 절연층의 두께는 점차 얇아지는 경향이 있다. 프린트 배선판의 박형화가 진행됨에 따라서, 리플로 거동을 안정화시키는 것은 어려워지는 경향이 있다.However, with the recent replacement of lead-containing solder with lead-free solder, the temperature of solder reflow in the component mounting process by solder reflow is increasing. Additionally, in order to achieve miniaturization of electronic devices in recent years, printed wiring boards are becoming thinner, and the thickness of inner substrates and insulating layers tends to gradually become thinner. As printed wiring boards become thinner, stabilizing reflow behavior tends to become more difficult.

본 발명의 과제는 프린트 배선판이 박형이라도, 부품의 실장 공정에 있어서 양호한 리플로 거동을 나타내는 프린트 배선판을 초래하는 수지 조성물, 당해 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료, 프린트 배선판, 및 반도체 장치를 제공하는 것에 있다.The object of the present invention is to provide a resin composition that produces a printed wiring board that exhibits good reflow behavior in the component mounting process even if the printed wiring board is thin, a sheet-like laminate material containing the resin composition, a printed wiring board, and a semiconductor device. It's in doing.

본 발명자들은 상기의 과제에 관하여 예의 검토한 결과, 특정한 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재를 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of intensive study of the above-described problem, the present inventors have found that the above-described problem can be solved by using an inorganic filler surface-treated with a specific surface treatment agent, and have completed the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다. That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 에폭시 수지, (B) 경화제 , 및 (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서,[1] A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler,

(C) 무기 충전재가, 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 수지 조성물.(C) A resin composition in which the inorganic filler is surface-treated with at least one surface treatment agent selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2).

화학식 (1)Chemical formula (1)

X-Y-Si(OR1)3 XY-Si(OR 1 ) 3

(화학식 (1)에서, X는 비닐기, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 아미노기, Ar-(NR)n-(CH2)m-, Ar-(CH2)m-(NR)n-, 또는 NH2-(CH2)m-(NR)n-을 나타내고, Ar은 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m은 0 내지 6의 정수를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타내고, Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기를 나타내고, R1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R1은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(In Formula (1) , CH 2 ) m -, Ar-(CH 2 ) m -(NR) n -, or NH 2 -(CH 2 ) m -(NR) n -, Ar represents a phenyl group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, m represents an integer of 0 to 6, n represents an integer of 0 or 1, and Y represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms that may have a substituent. , or represents an alkenylene group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent, R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 1 may be the same or different.)

화학식 (2)Chemical formula (2)

(R2O)3Si-Z-Si(OR3)3 (R 2 O) 3 Si-Z-Si(OR 3 ) 3

(Z는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, -NR-, 산소 원자, 유황 원자, 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R2 및 R3은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(Z represents an alkylene group that may have a substituent, -NR-, an oxygen atom, a sulfur atom, or a group consisting of a combination of two or more thereof, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 2 and R 3 may be the same or different.)

[2] 제1항에 있어서, 화학식 (1) 중의 Y가 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 6 이상의 알킬렌기를 나타내는, 수지 조성물.[2] The resin composition according to claim 1, wherein Y in the general formula (1) represents an alkylene group having 6 or more carbon atoms which may have a substituent.

[3] 제1항 또는 제2항에 있어서, 화학식 (2) 중의 Z가 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 6 이상의 알킬렌기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 -NR-의 조합으로 이루어지는 기를 나타내는, 수지 조성물.[3] The method of claim 1 or 2, wherein Z in the formula (2) represents an alkylene group having 6 or more carbon atoms which may have a substituent, or a group consisting of a combination of an alkylene group which may have a substituent and -NR-. Representing a resin composition.

[4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (1) 중의 R1, 화학식 (2) 중의 R2 및 R3이 메틸기 또는 에틸기를 나타내는, 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein R 1 in the formula (1), R 2 and R 3 in the formula (2) represent a methyl group or an ethyl group.

[5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (1)로 표시되는 화합물이 8-글리시독시옥틸 트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-8-아미노옥틸 트리메톡시실란, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란, 3-(2-글리시딜페닐)프로필 트리메톡시실란, 6-비닐헥실 트리메톡시실란, 및 8-메타크릴로일옥시옥틸 트리메톡시실란 중 어느 하나이고, 화학식 (2)로 표시되는 화합물이 비스트리메톡시실릴헥산, 비스트리메톡시실릴옥탄, 및 비스(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민 중 어느 하나인, 수지 조성물.[5] The compound according to any one of items 1 to 4, wherein the compound represented by formula (1) is 8-glycidoxyoctyl trimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-8-aminooctyl Trimethoxysilane, N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane, 3-(2-glycidylphenyl)propyl trimethoxysilane, 6-vinylhexyl trimethoxysilane, and 8-methacrylo. It is any one of 1oxyoctyl trimethoxysilane, and the compound represented by formula (2) is any one of bistrimethoxysilylhexane, bistrimethoxysilyloctane, and bis(trimethoxysilylpropyl)ethylenediamine. , resin composition.

[6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 평균 입자 직경이 0.01㎛ 내지 5㎛인, 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the average particle diameter of component (C) is 0.01 μm to 5 μm.

[7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분이 실리카인, 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of claims 1 to 6, wherein component (C) is silica.

[8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 함유량이 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 50질량% 이상인, 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the content of component (C) is 50% by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.

[9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분은 (C) 성분 100질량부에 대하여 0.2질량부 내지 2질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는, 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of claims 1 to 8, wherein component (C) is surface treated with a surface treatment agent in an amount of 0.2 parts by mass to 2 parts by mass based on 100 parts by mass of component (C).

[10] 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 단위 표면적당 카본량이 0.05mg/m2 내지 1mg/m2인, 수지 조성물.[10] The resin composition according to any one of claims 1 to 9, wherein the amount of carbon per unit surface area of component (C) is 0.05 mg/m 2 to 1 mg/m 2 .

[11] 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분이 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인, 수지 조성물.[11] The resin composition according to any one of claims 1 to 10, wherein component (A) is at least one selected from bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and biphenyl-type epoxy resin.

[12] 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분이 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인, 수지 조성물.[12] The resin composition according to any one of claims 1 to 11, wherein component (B) is at least one selected from phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, activated ester-based curing agents, and cyanate ester-based curing agents.

[13] 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 프린트 배선판의 절연층 형성용인, 수지 조성물.[13] The resin composition according to any one of claims 1 to 12, which is used for forming an insulating layer of a printed wiring board.

[14] 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 프린트 배선판의 빌드업층 형성용인, 수지 조성물.[14] The resin composition according to any one of claims 1 to 13, which is used for forming a build-up layer of a printed wiring board.

[15] 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는, 시트상 적층 재료.[15] A sheet-like laminated material comprising a resin composition layer formed of the resin composition according to any one of claims 1 to 14.

[16] 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판.[16] A printed wiring board comprising an insulating layer formed by a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 14.

[17] 제16항에 있어서, 절연층의 휨량이 350㎛ 이하인, 프린트 배선판.[17] The printed wiring board according to item 16, wherein the amount of deflection of the insulating layer is 350 μm or less.

[18] 제16항 또는 제17항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.[18] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to item 16 or 17.

본 발명에 의하면 프린트 배선판이 박형이어도 부품의 실장 공정에 있어서 양호한 리플로 거동을 나타내는 프린트 배선판을 초래하는 수지 조성물, 당해 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료, 프린트 배선판, 및 반도체 장치를 제공할 수 있게 되었다.According to the present invention, it is possible to provide a resin composition that produces a printed wiring board that exhibits good reflow behavior in the component mounting process even if the printed wiring board is thin, a sheet-like laminate material containing the resin composition, a printed wiring board, and a semiconductor device. It came to be.

이하, 본 발명의 수지 조성물, 당해 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료, 프린트 배선판, 및 반도체 장치에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the resin composition of the present invention, a sheet-like laminated material containing the resin composition, a printed wiring board, and a semiconductor device will be described in detail.

본 명세서에 있어서, 기(基)의 직전에 기재되어 있는 「치환기를 갖고 있어도 좋다」라는 용어는 당해 기의 수소 원자가 치환기로 치환되지 않은 경우, 및, 당해 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있는 경우의 양쪽을 의미한다.In this specification, the term “may have a substituent” written immediately before a group refers to the case where the hydrogen atom of the group is not substituted with a substituent, and some or all of the hydrogen atoms of the group are substituents. It means both sides when replaced with .

본 명세서에 있어서, 「Cp 내지 Cq」(p 및 q는 양의 정수이고, p<q를 만족시킴)라는 용어는 이 용어의 직후에 기재된 유기기의 탄소 원자수가 p 내지 q인 것을 나타낸다. 예를 들면, 「C1 내지 C10 알킬기」라는 표현은 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, 「C1 내지 C10 알킬에스테르」라는 표현은 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기의 에스테르를 나타낸다.In this specification, the term “C p to C q ” (p and q are positive integers, satisfying p < q) indicates that the number of carbon atoms of the organic group described immediately after this term is p to q. . For example, “C 1 to C 10 The expression “alkyl group” refers to an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and “C 1 to C 10 The expression “alkyl ester” refers to an ester of an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

[수지 조성물][Resin composition]

본 발명의 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, 및 (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서, (C) 무기 충전재가 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 한다.The resin composition of the present invention is a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, wherein (C) the inorganic filler is a compound represented by the following formula (1), and the following formula ( It is characterized in that the surface is treated with at least one surface treatment agent selected from the group consisting of compounds represented by 2).

화학식 (1)Chemical formula (1)

X-Y-Si(OR1)3 XY-Si(OR 1 ) 3

(화학식 (1)에서, X는 비닐기, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 아미노기, Ar-(NR)n-(CH2)m-, Ar-(CH2)m-(NR)n-, 또는 NH2-(CH2)m-(NR)n-을 나타내고, Ar은 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m은 0 내지 6의 정수를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타내고, Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기를 나타내고, R1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R1은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(In Formula (1) , CH 2 ) m -, Ar-(CH 2 ) m -(NR) n -, or NH 2 -(CH 2 ) m -(NR) n -, Ar represents a phenyl group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, m represents an integer of 0 to 6, n represents an integer of 0 or 1, and Y represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms that may have a substituent. , or represents an alkenylene group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent, R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 1 may be the same or different.)

화학식 (2)Chemical formula (2)

(R2O)3Si-Z-Si(OR3)3 (R 2 O) 3 Si-Z-Si(OR 3 ) 3

(Z는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, -NR-, 산소 원자, 유황 원자, 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R2 및 R3은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(Z represents an alkylene group that may have a substituent, -NR-, an oxygen atom, a sulfur atom, or a group consisting of a combination of two or more thereof, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 2 and R 3 may be the same or different.)

이하, 본 발명의 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component contained in the resin composition of the present invention will be described in detail.

<(A) 에폭시 수지><(A) Epoxy resin>

본 발명의 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지(이하, (A) 성분이라고도 함)를 함유한다.The resin composition of the present invention contains (A) epoxy resin (hereinafter also referred to as (A) component).

에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (A) 성분은 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.As epoxy resins, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol novolac type. Epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, Cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin with butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naph. Tylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, and bixylenol type epoxy resin. Epoxy resins may be used individually, or two or more types may be used in combination. The component (A) is preferably at least one selected from bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and biphenyl-type epoxy resin.

에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 이 중에서도 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 함)와 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하「고체상 에폭시 수지」라고 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써 우수한 가요성을 갖는 수지 조성물이 수득된다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단강도도 향상된다.It is preferable that the epoxy resin contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the non-volatile component of the epoxy resin is 100% by mass, it is preferable that at least 50% by mass or more is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among these, an epoxy resin that has two or more epoxy groups in one molecule and is liquid at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”) and an epoxy resin that has three or more epoxy groups in one molecule and is in a solid state at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”). It is preferable to include (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”). As an epoxy resin, a resin composition with excellent flexibility is obtained by using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination. Additionally, the breaking strength of the cured product of the resin composition is also improved.

액상 에폭시 수지로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체적인 예로서는, DIC(주) 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 「828US」, 「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 신닛데츠스미킨가가쿠(주) 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세켐텍스(주) 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), (주)다이셀 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지), 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지), 신닛데츠가가쿠(주) 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜 사이클로헥산)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Liquid epoxy resins include bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol AF-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, glycidyl ester-type epoxy resin, phenol novolac-type epoxy resin, and alicyclic epoxy resin with an ester skeleton. , and epoxy resins having a butadiene structure are preferable, and bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, bisphenol AF-type epoxy resins, and naphthalene-type epoxy resins are more preferable. Specific examples of liquid epoxy resins include "HP4032", "HP4032D", and "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, and "828US" and "jER828EL" (bisphenol A type) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. epoxy resin), “jER807” (bisphenol F-type epoxy resin), “jER152” (phenol novolak-type epoxy resin), “ZX1059” (bisphenol A-type epoxy resin and bisphenol F-type) manufactured by Nippon-Steel Sumiking Chemical Co., Ltd. mixture of epoxy resins), “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., “Celoxide 2021P” manufactured by Daicel Co., Ltd. (alicyclic epoxy with an ester skeleton) resin), "PB-3600" (epoxy resin having a butadiene structure), and "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane) manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd. These may be used individually, or two or more types may be used in combination.

고체상 에폭시 수지로서는 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체적인 예로서는 DIC(주) 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「HP-7200HH」, 「EXA7311」, 「EXA7311-G3」, 「EXA7311-G4」, 「EXA7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼카야쿠(주) 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛데츠스미킨가가쿠(주) 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 「YX4000H」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카가스케미칼(주) 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지), 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다.Solid epoxy resins include naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac-type epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, trisphenol-type epoxy resin, naphthol-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, naphthylene ether-type epoxy resin, Anthracene-type epoxy resin, bisphenol A-type epoxy resin, and tetraphenylethane-type epoxy resin are preferable, and naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, naphthol-type epoxy resin, and biphenyl-type epoxy resin are more preferable. Specific examples of solid epoxy resins include "HP4032H" (naphthalene-type epoxy resin), "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin), and "N-690" (cresolanoic acid) manufactured by DIC Co., Ltd. rockfish type epoxy resin), “N-695” (cresol novolac type epoxy resin), “HP-7200” (dicyclopentadiene type epoxy resin), “HP-7200HH”, “EXA7311”, “EXA7311-G3” , “EXA7311-G4”, “EXA7311-G4S”, “HP6000” (naphthylene ether type epoxy resin), “EPPN-502H” (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., “NC7000L” ( Naphthol novolac type epoxy resin), “NC3000H”, “NC3000”, “NC3000L”, “NC3100” (biphenyl type epoxy resin), “ESN475V” (naphthol type epoxy resin) manufactured by Nippon Tetsu Sumiking Chemical Co., Ltd. , “ESN485” (naphthol novolac type epoxy resin), “YX4000H” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “YL6121” (biphenyl type epoxy resin), “YX4000HK” (bixylenol type epoxy resin), and “YX8800”. (Anthracene type epoxy resin), “PG-100” and “CG-500” manufactured by Osaka Gas Chemicals Co., Ltd., “YL7800” (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. ( Examples include “jER1010” (solid bisphenol A-type epoxy resin), “jER1031S” (tetraphenylethane-type epoxy resin), and “YL7760” (bisphenol AF-type epoxy resin) manufactured by Note).

에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용할 경우, 그들의 양비(액상 에폭시 수지: 고체상 에폭시 수지)는 질량비로 1:0.1 내지 1:6의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, i) 접착 필름의 형태로 사용할 경우에 적당한 점착성이 초래되고, ii) 접착 필름의 형태로 사용할 경우에 충분한 가요성이 수득되어, 취급성이 향상되며, 및 iii) 충분한 파단강도를 갖는 경화물을 수득할 수 있는 등의 효과가 얻어진다. 상기 i) 내지 iii)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지: 고체상 에폭시 수지)는 질량비로 1:0.3 내지 1:5의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:4의 범위가 더욱 바람직하다.When using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together as an epoxy resin, their ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably in the range of 1:0.1 to 1:6 in mass ratio. By keeping the ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within this range, i) appropriate adhesion is achieved when used in the form of an adhesive film, and ii) sufficient flexibility is obtained when used in the form of an adhesive film, thereby improving handleability. This is improved, and iii) a cured product with sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii) above, the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is more preferably in the range of 1:0.3 to 1:5 in mass ratio, and 1:0.6. to 1:4 is more preferable.

수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량은 양호한 기계강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 효과가 나타나는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다.The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and even more preferably 15% by mass or more from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability. The upper limit of the content of the epoxy resin is not particularly limited as long as the effect of the present invention is achieved, but is preferably 50 mass% or less, more preferably 30 mass% or less, and still more preferably 20 mass% or less.

또한, 본 발명에 있어서, 수지 조성물 중의 각 성분의 함유량은 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때의 값이다.In addition, in the present invention, unless otherwise specified, the content of each component in the resin composition is a value assuming that the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

에폭시 수지의 에폭시 당량은 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써 경화물의 가교 밀도가 충분해져 표면 거칠기가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있고, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다.The epoxy equivalent weight of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, even more preferably 80 to 2000, and even more preferably 110 to 1000. By falling within this range, the crosslinking density of the cured product becomes sufficient and an insulating layer with small surface roughness can be produced. In addition, the epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236, and is the mass of the resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스틸렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

<(B) 경화제><(B) Hardener>

본 발명의 수지 조성물은 (B) 경화제(이하, (B) 성분이라고도 함)을 함유한다.The resin composition of the present invention contains (B) a curing agent (hereinafter also referred to as (B) component).

경화제로서는 에폭시 수지를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 및 카르보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. (B) 성분은 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.The curing agent is not particularly limited as long as it has the function of curing the epoxy resin, and examples include phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, activated ester-based curing agents, benzoxazine-based curing agents, cyanate ester-based curing agents, and carbodiimide-based curing agents. etc. can be mentioned. One type of hardening agent may be used individually, or two or more types may be used together. The component (B) is preferably at least one selected from phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, active ester-based curing agents, and cyanate ester-based curing agents.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는 내열성 및 내수성의 관점에서 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성의 관점에서 질소 함유 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다. 이 중에서도, 내열성, 내수성, 및 도체층과의 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격함유 페놀노볼락 경화제가 바람직하다.As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolac structure is preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Furthermore, from the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable. Among these, a phenol novolak curing agent containing a triazine skeleton is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion to the conductor layer.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체적인 예로서는, 예를 들면, 메이와카세이(주) 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼카야쿠(주) 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 신닛데츠스미킨(주) 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN375」, 「SN395」, DIC(주) 제조의 「LA7052」, 「LA7054」, 「LA3018」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.Specific examples of phenol-based curing agents and naphthol-based curing agents include, for example, “MEH-7700,” “MEH-7810,” and “MEH-7851” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. and “MEH-7851” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. NHN", "CBN", "GPH", "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN375", "SN395" manufactured by Nippon Tetsu Sumikin Co., Ltd. ", "LA7052", "LA7054", "LA3018", and "EXB-9500" manufactured by DIC Corporation.

조화 처리 후에 표면 거칠기가 작은 절연층을 얻는 관점, 도체층과의 밀착성 이 우수한 절연층을 얻는 관점에서, 활성 에스테르계 경화제도 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제로서는 특별히 제한은 없지만 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환하이드록시 화합물의 에스테르류 등 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀A, 메틸화 비스페놀F, 메틸화 비스페놀S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.An active ester-based curing agent is also preferable from the viewpoint of obtaining an insulating layer with small surface roughness after roughening treatment and from the viewpoint of obtaining an insulating layer with excellent adhesion to the conductor layer. There are no particular restrictions on the active ester-based curing agent, but generally, it has two or more highly reactive ester groups per molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds. Compounds are preferably used. The active ester-based curing agent is preferably obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, active ester-based curing agents obtained from carboxylic acid compounds and hydroxy compounds are preferable, and active ester-based curing agents obtained from carboxylic acid compounds, phenol compounds, and/or naphthol compounds are more preferable. Examples of carboxylic acid compounds include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of phenol compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolak, etc. are mentioned. Here, “dicyclopentadiene-type diphenol compound” refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

구체적으로는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하고, 이 중에서도 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로부터 이루어지는 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylate of phenol novolak, and a benzoylate of phenol novolac. Active ester compounds are preferred, and among these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferred. “Dicyclopentadiene-type diphenol structure” refers to a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」(DIC(주) 제조), 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC(주) 제조), 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미쓰비시가가쿠(주) 제조), 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미쓰비시가가쿠(주) 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester curing agents include active ester compounds containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", and "HPC-8000-65T" (manufactured by DIC Co., Ltd.) , "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing an acetylate of phenol novolac, and phenol Examples of the active ester compound containing the benzoylate of novolak include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

벤조옥사진계 경화제의 구체적인 예로서는, 쇼와코분시(주) 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠카세이코교(주) 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.Specific examples of benzoxazine-based curing agents include "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd., and "P-d" and "F-a" manufactured by Shikoku Chemical Seiko Co., Ltd.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트 페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체적인 예로서는, 론자쟈판(주) 제조의 「PT30」및 「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of cyanate ester-based curing agents include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylenecyanate), and 4,4'-methylenebis(2,6- dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4- Cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanate phenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanate) Bifunctional cyanate resins such as natephenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak and cresol novolac, etc., some of these cyanate resins are triazinated. Prepolymers, etc. can be mentioned. Specific examples of cyanate ester-based curing agents include "PT30" and "PT60" (both phenol novolak-type polyfunctional cyanate ester resins), "BA230", and "BA230S75" (bisphenol A dicyanate) manufactured by Ronza Japan Co., Ltd. and prepolymers in which part or all of the polymer is triazylated to form a trimer.

카르보디이미드계 경화제의 구체적인 예로서는, 닛신보케미칼(주) 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.Specific examples of carbodiimide-based curing agents include “V-03” and “V-07” manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.

에폭시 수지와 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]: [경화제의 반응기의 합계수]의 비율로 1:0.1 내지 1:2의 범위가 바람직하고, 1:0.15 내지 1:1.5가 보다 바람직하고, 1:0.2 내지 1:1이 더욱 바람직하다. 여기서, 경화제의 반응기란, 활성 수산기, 활성 에스테르기 등이고, 경화제의 종류에 따라 다르다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대해서 합계한 값이고, 경화제의 반응기의 합계수란, 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 대해서 합계한 값이다. 에폭시 수지와 경화제의 양비를 이러한 범위로 함으로써 수지 조성물의 경화물의 내열성이 보다 향상된다.The ratio of the epoxy resin and the curing agent is preferably in the range of 1:0.1 to 1:2 in the ratio of [total number of epoxy groups of the epoxy resin]:[total number of reactive groups of the curing agent], and 1:0.15 to 1:1.5. It is more preferable, and 1:0.2 to 1:1 is even more preferable. Here, the reactive group of the curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group, etc., and varies depending on the type of the curing agent. In addition, the total number of epoxy groups of an epoxy resin is the solid mass of each epoxy resin divided by the epoxy equivalent, which is the sum of all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is the solid mass of each curing agent divided by the reactor equivalent. The value divided by is the sum of all hardeners. By keeping the amount ratio of the epoxy resin and the curing agent within this range, the heat resistance of the cured product of the resin composition is further improved.

일 실시형태에 있어서, 수지 조성물은 상기의 (A) 에폭시 수지 및 (B) 경화제를 포함한다. 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 바람직하게는 1:0.1 내지 1:8, 보다 바람직하게는 1:0.3 내지 1:7, 더욱 바람직하게는 1:0.6 내지 1:6)을, (B) 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상(바람직하게는 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제 및 활성 에스테르계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상)을 각각 포함하는 것이 바람직하다.In one embodiment, the resin composition includes (A) the epoxy resin and (B) the curing agent described above. The resin composition is (A) an epoxy resin, which is a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin (the mass ratio of liquid epoxy resin:solid epoxy resin is preferably 1:0.1 to 1:8, more preferably 1:0.3 to 1: 7, more preferably 1:0.6 to 1:6), (B) as a curing agent, at least one selected from the group consisting of phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, activated ester-based curing agents, and cyanate ester-based curing agents (preferably Specifically, it is preferable to each include at least one selected from the group consisting of a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, and an active ester-based curing agent.

수지 조성물 중의 경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 더욱 더 바람직하게는 18질량% 이하이다. 또한, 하한은 특별히 제한은 없지만 3질량% 이상이 바람직하다.The content of the curing agent in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 30 mass% or less, more preferably 25 mass% or less, further preferably 20 mass% or less, and even more preferably 18 mass% or less. Additionally, the lower limit is not particularly limited, but is preferably 3% by mass or more.

<(C) 무기 충전재><(C) Inorganic filler>

본 발명의 수지 조성물은 (C) 무기 충전재(이하, (C) 성분이라고도 함)를 함유하고, (C) 성분은 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 표면 처리제로 표면 처리되어 있다. The resin composition of the present invention contains (C) an inorganic filler (hereinafter also referred to as component (C)), and component (C) is a compound represented by the following formula (1), and a compound represented by the following formula (2) The surface is treated with at least one surface treatment agent selected from the group consisting of.

화학식 (1)Chemical formula (1)

X-Y-Si(OR1)3 XY-Si(OR 1 ) 3

(화학식 (1)에서, X는 비닐기, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 아미노기, Ar-(NR)n-(CH2)m-, Ar-(CH2)m-(NR)n-, 또는 NH2-(CH2)m-(NR)n-을 나타내고, Ar은 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m은 0 내지 6의 정수를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타내고, Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기를 나타내고, R1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R1은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(In Formula (1) , CH 2 ) m -, Ar-(CH 2 ) m -(NR) n -, or NH 2 -(CH 2 ) m -(NR) n -, Ar represents a phenyl group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, m represents an integer of 0 to 6, n represents an integer of 0 or 1, and Y represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms that may have a substituent. , or represents an alkenylene group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent, R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 1 may be the same or different.)

화학식 (2)Chemical formula (2)

(R2O)3Si-Z-Si(OR3)3 (R 2 O) 3 Si-Z-Si(OR 3 ) 3

(Z는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, -NR-, 산소 원자, 유황 원자, 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R2 및 R3은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(Z represents an alkylene group that may have a substituent, -NR-, an oxygen atom, a sulfur atom, or a group consisting of a combination of two or more thereof, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 2 and R 3 may be the same or different.)

본 발명에서의 (C) 성분은 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 화학식 (2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 표면 처리제로 표면 처리되어 있다. 본 발명자들의 예의 연구한 결과, 화학식 (1)로 표시되는 화합물과 같이, 규소 원자와 관능기 부위(화학식 (1) 중의 X)를 결합하는 2가의 기(화학식 (1) 중의 Y)의 주쇄가 장쇄인 화합물로 무기 충전재를 표면 처리하면, 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층의 리플로 시의 휨량(리플로 거동 최대 변이)을 작게 할 수 있는 것을 발견하였다. 또한, 상기 화합물로 무기 충전재를 표면 처리함으로써, 최저 용융점도가 저하되고, 양호한 회로 매립성을 수득하는 것을 발견하였다. 또한, 본 발명자들은 화학식 (2)로 표시되는 화합물과 같이 양 말단에 규소 원자를 갖는 화합물로 각각 규소 원자와 결합하는 2가의 기(화학식 (2) 중의 Z)의 주쇄가 장쇄인 화합물로 무기 충전재를 표면 처리해도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것을 발견하였다. Component (C) in the present invention is surface treated with at least one surface treatment agent selected from the group consisting of a compound represented by the formula (1) and a compound represented by the formula (2). As a result of intensive research by the present inventors, like the compound represented by the formula (1), the main chain of the divalent group (Y in the formula (1)) connecting the silicon atom and the functional group moiety (X in the formula (1)) is a long chain. It was discovered that by surface-treating an inorganic filler with a phosphorus compound, the amount of deflection (maximum variation in reflow behavior) of the insulating layer formed from the cured resin composition during reflow can be reduced. Additionally, it was found that by surface treating the inorganic filler with the above compound, the minimum melt viscosity was lowered and good circuit embedding properties were obtained. In addition, the present inventors propose a compound having silicon atoms at both ends, such as the compound represented by the formula (2), each of which has a long main chain of the divalent group (Z in the formula (2)) that bonds to the silicon atom, and is used as an inorganic filler. It was discovered that the same effect could be obtained even if the surface was treated.

본 명세서에서는 특별히 언급이 없는 한, (C) 성분은 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 무기 충전재를 나타내는 것으로 한다. In this specification, unless otherwise specified, component (C) shall represent an inorganic filler that has been surface treated with a surface treatment agent.

무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 화합물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 활석, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 또한 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The material of the inorganic filler is not particularly limited, but examples include silica, alumina, glass, cordierite, silicon compounds, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate. , barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, silica is particularly suitable. Additionally, spherical silica is preferred as the silica. One type of inorganic filler may be used alone, or two or more types may be used in combination.

무기 충전재의 평균 입자 직경은 특별히 한정되지 않지만, 표면 거칠기가 작은 절연층을 수득하는 관점이나 미세 배선 형성성 향상의 관점에서, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2㎛ 이하, 또는 1㎛ 이하이다. 당해 평균 입자 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이상이다. 이러한 평균 입자 직경을 갖는 무기 충전재의 시판품으로서는 예를 들면, (주)아도마텍스 제조 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」, 덴키가가쿠코교(주) 제조「UFP-30」, (주)토쿠야마 제조 「Silfil NSS-3N」, 「Silfil NSS-4N」, 「Silfil NSS-5N」, (주)아도마텍스 제조「SC2500SQ」, 「SO-C2」, 「SO-C1」등을 들 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less, from the viewpoint of obtaining an insulating layer with small surface roughness and improving fine wiring formability. is 2㎛ or less, or 1㎛ or less. The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.1 μm or more, and even more preferably 0.3 μm or more. Commercially available inorganic fillers having such an average particle diameter include, for example, “YC100C”, “YA050C”, “YA050C-MJE”, and “YA010C” manufactured by Adomatex Co., Ltd., and “UFP” manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. -30”, “Silfil NSS-3N”, “Silfil NSS-4N”, “Silfil NSS-5N” manufactured by Tokuyama Co., Ltd., “SC2500SQ”, “SO-C2”, “SO” manufactured by Adomatex Co., Ltd. -C1” and the like.

무기 충전재의 평규 입자 직경은 미(Mie)산란 이론에 기초하는 레이저 회절산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 미디언 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절산란식 입도 분포 측정 장치로서는 (주)호리바세이사쿠쇼 제조 「LA-500」등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be created on a volume basis using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. The measurement sample can preferably be one in which an inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves. As a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, "LA-500" manufactured by Horiba Chemical Co., Ltd., etc. can be used.

표면 처리제로서는 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 또는 화학식 (2)로 표시되는 화합물을 단독으로 사용해도 좋고, 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 화학식 (2)로 표시되는 화합물을 조합하여 사용해도 좋다. As a surface treatment agent, the compound represented by the formula (1) or the compound represented by the formula (2) may be used alone, or the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) may be used in combination. It's also good.

화학식 (1)로 표시되는 화합물은 이하의 구조를 갖는다. The compound represented by formula (1) has the following structure.

화학식 (1)Chemical formula (1)

X-Y-Si(OR1)3 XY-Si(OR 1 ) 3

(화학식 (1)에서, X는 비닐기, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 아미노기, Ar-(NR)n-(CH2)m-, Ar-(CH2)m-(NR)n-, 또는 NH2-(CH2)m-(NR)n-을 나타내고, Ar은 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m은 0 내지 6의 정수를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타내고, Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기를 나타내고, R1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R1은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(In Formula (1) , CH 2 ) m -, Ar-(CH 2 ) m -(NR) n -, or NH 2 -(CH 2 ) m -(NR) n -, Ar represents a phenyl group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, m represents an integer of 0 to 6, n represents an integer of 0 or 1, and Y represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms that may have a substituent. , or represents an alkenylene group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent, R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 1 may be the same or different.)

X는 비닐기, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 아미노기, Ar-(NR)n-(CH2)m-, Ar-(CH2)m-(NR)n-, 또는 NH2-(CH2)m-(NR)n-을 나타낸다.X is a vinyl group, epoxy, glycidyl ether, methacryloy jade, methacryloy jade, acrylo diary, acrylic ilocytes, amino group, ar- (NR) N- (Ch 2 ) m- -(CH 2 ) m -(NR) n -, or NH 2 -(CH 2 ) m -(NR) n -.

Ar은 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐기를 나타낸다. 당해 페닐기가 갖고 있어도 좋은 치환기에 대해서는 후술한다. Ar represents a phenyl group which may have a substituent. The substituents that the phenyl group may have will be described later.

m은 0 내지 6의 정수를 나타내고, 1 내지 4의 정수가 바람직하고, 1 내지 3의 정수가 보다 바람직하다. n은 0 또는 1의 정수를 나타내고, 1이 바람직하다. m represents an integer of 0 to 6, an integer of 1 to 4 is preferable, and an integer of 1 to 3 is more preferable. n represents an integer of 0 or 1, and 1 is preferable.

R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타낸다. 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 등을 들 수 있다. R은 수소 원자가 바람직하다. R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms include methyl group, ethyl group, and propyl group. R is preferably a hydrogen atom.

Ar-(NR)n-(CH2)m-, Ar-(CH2)m-(NR)n-, 또는 NH2-(CH2)m-(NR)n-로서는 예를 들면, 아미노에틸렌아미노기, 벤질아미노기, 페닐아미노기 등을 들 수 있다. Ar-(NR) n -(CH 2 ) m -, Ar-(CH 2 ) m -(NR) n -, or NH 2 -(CH 2 ) m -(NR) n - is, for example, aminoethylene. Amino group, benzylamino group, phenylamino group, etc. are mentioned.

이들 중에서도, X로서는 비닐기, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일옥시기, 아미노에틸렌아미노기, 페닐아미노기가 바람직하고, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일옥시기, 아미노에틸렌아미노기, 페닐아미노기가 보다 바람직하다. Among these, preferred examples of A phenylamino group is more preferable.

Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기를 나타낸다. 당해 알킬렌기 및 당해 알케닐렌기의 탄소 원자수는 4 이상이고, 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 6 이상, 더욱 바람직하게는 7 이상이다. 상한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 15 이하, 더욱 바람직하게는 10 이하이다. 탄소 원자수가 4 미만이면, 규소 원자와 관능기 부위 사이의 결합 거리가 짧고, 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층의 휨량이 리플로 시에 크게 됨과 동시에 최저 용융 점도가 높아지고, 회로 매립성이 떨어진다. Y represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent, or an alkenylene group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent. The number of carbon atoms of the alkylene group and the alkenylene group is 4 or more, preferably 5 or more, more preferably 6 or more, and still more preferably 7 or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and still more preferably 10 or less. If the number of carbon atoms is less than 4, the bond distance between the silicon atom and the functional group site is short, the amount of warping of the insulating layer formed by the cured resin composition increases during reflow, the minimum melt viscosity increases, and the circuit embedding property is poor. .

치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기는 직쇄상, 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다. 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기로서는 예를 들면, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 도데실렌기 등을 들 수 있고, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데실렌기가 바람직하고, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기가 보다 바람직하고, 옥틸렌기가 더욱 바람직하다. The alkylene group having 4 or more carbon atoms, which may have a substituent, may be either linear or branched. Examples of alkylene groups having 4 or more carbon atoms that may have substituents include butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, decylene group, dodecylene group, etc., and pentyl group. A lene group, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, and a decylene group are preferable, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, and a nonylene group are more preferable, and an octylene group is still more preferable.

치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기는 직쇄상, 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다. 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기로서는 예를 들면, 1-부테닐렌기, 1-펜테닐렌기, 1-헥세닐렌기, 1-헵테닐렌기, 1-옥테닐렌기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-부테닐렌기, 1-펜테닐렌기, 1-헥세닐렌기, 1-헵티닐렌기, 1-옥티닐렌기가 바람직하고, 1-펜테닐렌기가 보다 바람직하다.The alkenylene group having 4 or more carbon atoms, which may have a substituent, may be either linear or branched. Examples of alkenylene groups having 4 or more carbon atoms that may have substituents include 1-butenylene group, 1-pentenylene group, 1-hexenylene group, 1-heptenylene group, and 1-octenylene group. You can. Among these, 1-butenylene group, 1-pentenylene group, 1-hexenylene group, 1-heptynylene group, and 1-octynylene group are preferable, and 1-pentenylene group is more preferable.

Ar이 나타내는 페닐기, Y가 나타내는 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기 및 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 할로겐 원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 사이클로알킬옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아릴알킬기, 아릴알콕시기, 1가의 복소환기, 알킬리덴기, 아미노기, 실릴기, 아실기, 아실옥시기, 카복실기, 설포기, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기, 머캅토기, 옥소기 등을 들 수 있다. 또한, 치환기는 복수 갖고 있어도 좋고, 복수의 치환기는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다. The phenyl group represented by Ar, the alkylene group with 4 or more carbon atoms and the alkenylene group with 4 or more carbon atoms represented by Y may have a substituent. There is no particular limitation on the substituent, and examples include halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkoxy group, cycloalkyloxy group, aryl group, aryloxy group, arylalkyl group, arylalkoxy group, monovalent heterocyclic group, alkyl Liden group, amino group, silyl group, acyl group, acyloxy group, carboxyl group, sulfo group, cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, oxo group, etc. Additionally, the substituents may have multiple substituents, and the multiple substituents may be bonded to each other to form a ring.

치환기로서 사용되는 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요소 원자를 들 수 있다. Halogen atoms used as substituents include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, and urea atoms.

치환기로서 사용되는 알킬기는 직쇄상, 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다. 당해 알킬기의 탄소 원자수는 바람직하게는 1 내지 12, 보다 바람직하게는 1 내지 6, 보다 바람직하게는 1 내지 3이다. 당해 알킬기로서는 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 및 데실기를 들 수 있다. The alkyl group used as a substituent may be either linear or branched. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 12, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 3. Examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, s-butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, and decyl group.

치환기로서 사용되는 사이클로알킬기의 탄소 원자수는 바람직하게는 3 내지 12, 보다 바람직하게는 3 내지 6이다. 당해 사이클로알킬기로서는 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 및 사이클로헥실기 등을 들 수 있다. The number of carbon atoms of the cycloalkyl group used as a substituent is preferably 3 to 12, more preferably 3 to 6. Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, and cyclohexyl group.

치환기로서 사용되는 알케닐기의 탄소 원자수는 바람직하게는 2 내지 12, 보다 바람직하게는 2 내지 6이다. 당해 알케닐기로서는 예를 들면, 비닐기, 프로페닐기(아릴기), 1-부테닐기, 1-헥세닐기 등을 들 수 있다. 치환기로서의 알케닐기가 복수인 경우, 복수의 알케닐기는 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다. 예를 들면, 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기의 에틸렌 부위에 치환기로서 2개의 비닐기를 포함하는 경우, 비닐기가 서로 결합하고, 1, 2-페닐렌기를 형성해도 좋다. The number of carbon atoms of the alkenyl group used as a substituent is preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6. Examples of the alkenyl group include vinyl group, propenyl group (aryl group), 1-butenyl group, and 1-hexenyl group. When there is a plurality of alkenyl groups as substituents, the plurality of alkenyl groups may be bonded to each other to form a ring. For example, when the ethylene portion of an alkenylene group having 4 or more carbon atoms contains two vinyl groups as substituents, the vinyl groups may be bonded to each other to form a 1,2-phenylene group.

치환기로서 사용되는 알콕시기는 직쇄상 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다. 당해 알콕시기의 탄소 원자수는 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 12, 더욱 바람직하게는 1 내지 6이다. 당해 알콕시기로서는 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기, 부톡시기, s-부톡시기, 이소부톡시기, t-부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기, 및 데실옥시기를 들 수 있다. The alkoxy group used as a substituent may be either linear or branched. The number of carbon atoms of the alkoxy group is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 12, and still more preferably 1 to 6. Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, isopropyloxy group, butoxy group, s-butoxy group, isobutoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, and heptyloxy group. group, octyloxy group, nonyloxy group, and decyloxy group.

치환기로서 사용되는 사이클로알킬옥시기의 탄소 원자수는 바람직하게는 3 내지 20, 보다 바람직하게는 3 내지 12, 더욱 바람직하게는 3 내지 6이다. 당해 사이클로알킬옥시기로서는 예를 들면, 사이클로프로필옥시기, 사이클로부틸옥시기, 사이클로펜틸옥시기, 및 사이클로헥실옥시기를 들 수 있다. The number of carbon atoms of the cycloalkyloxy group used as a substituent is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12, and still more preferably 3 to 6. Examples of the cycloalkyloxy group include cyclopropyloxy group, cyclobutyloxy group, cyclopentyloxy group, and cyclohexyloxy group.

치환기로서 사용되는 아릴기는 방향족 탄화 수소에서 방향환 위의 수소 원자를 1개 제외한 기이다. 치환기로서 사용되는 아릴기의 탄소 원자수는 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 더욱 더 바람직하게는 6 내지 10이다. 당해 아릴기로서는 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 및 안트라세닐기를 들 수 있다. An aryl group used as a substituent is an aromatic hydrocarbon with one hydrogen atom on the aromatic ring removed. The number of carbon atoms of the aryl group used as a substituent is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, even more preferably 6 to 14, and even more preferably 6 to 10. Examples of the aryl group include phenyl group, naphthyl group, and anthracenyl group.

치환기로서 사용되는 아릴옥시기의 탄소 원자수는 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 더욱 더 바람직하게는 6 내지 10이다. 치환기로서 사용되는 아릴옥시기로서는 예를 들면, 페녹시기, 1-나프틸옥시기, 및 2-나프틸옥시기를 들 수 있다. The number of carbon atoms of the aryloxy group used as a substituent is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, even more preferably 6 to 14, and even more preferably 6 to 10. Examples of aryloxy groups used as substituents include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, and 2-naphthyloxy group.

치환기로서 사용되는 아릴알킬기의 탄소 원자수는 바람직하게는 7 내지 25, 보다 바람직하게는 7 내지 19, 더욱 바람직하게는 7 내지 15, 더욱 더 바람직하게는 7 내지 11이다. 당해 아릴알킬기로서는 예를 들면, 페닐-C1~C12알킬기, 나프틸-C1~C12알킬기, 및 안트라세닐-C1~C12알킬기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the arylalkyl group used as a substituent is preferably 7 to 25, more preferably 7 to 19, further preferably 7 to 15, and even more preferably 7 to 11. Examples of the arylalkyl group include phenyl-C 1 to C 12 alkyl group, naphthyl-C 1 to C 12 alkyl group, and anthracenyl-C 1 to C 12 alkyl group.

치환기로서 사용되는 아릴알콕시기의 탄소 원자수는 바람직하게는 7 내지 25, 보다 바람직하게는 7 내지 19, 더욱 바람직하게는 7 내지 15, 더욱 더 바람직하게는 7 내지 11이다. 당해 아릴알콕시기로서는 예를 들면, 페닐-C1~C12알콕시기, 및 나프틸-C1~C12알콕시기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the arylalkoxy group used as a substituent is preferably 7 to 25, more preferably 7 to 19, further preferably 7 to 15, and even more preferably 7 to 11. Examples of the arylalkoxy group include phenyl-C 1 to C 12 alkoxy group and naphthyl-C 1 to C 12 alkoxy group.

치환기로서 사용되는 1가의 복소환기란, 복소환식 화합물의 복소환에서 수소 원자 1개를 제외한 기를 말한다. 당해 1가의 복소환기의 탄소 원자수는 바람직하게는 3 내지 21, 보다 바람직하게는 3 내지 15, 더욱 바람직하게는 3 내지 9이다. 당해 1가의 복소환기에는 1가의 방향족 복소환기(헤테로아릴기)도 포함된다. 당해 1가의 복소환으로서는 예를 들면, 티에닐기, 피롤릴기, 푸라닐기, 푸릴기, 피리딜기, 피리다지닐기, 피리미딜기, 피라지닐기, 트리아지닐기, 피롤리딜기, 피페리딜기, 퀴놀릴기, 및 이소퀴놀릴기를 들 수 있다. A monovalent heterocyclic group used as a substituent refers to a group in which one hydrogen atom has been removed from the heterocyclic ring of a heterocyclic compound. The number of carbon atoms of the monovalent heterocyclic group is preferably 3 to 21, more preferably 3 to 15, and still more preferably 3 to 9. The monovalent heterocyclic group also includes a monovalent aromatic heterocyclic group (heteroaryl group). Examples of the monovalent heterocycle include thienyl group, pyrrolyl group, furanyl group, furyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, pyrrolidyl group, piperidyl group, Quinolyl group and isoquinolyl group can be mentioned.

치환기로서 사용되는 알킬리덴기란, 알칸의 동일한 탄소 원자에서 수소 원자를 2개 제외한 기를 말한다. 당해 알킬리덴기의 탄소 원자수는 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 14, 더욱 바람직하게는 1 내지 12, 더욱 더 바람직하게는 1 내지 6, 특히 바람직하게는 1 내지 3이다. 당해 알킬리덴기로서는 예를 들면, 메틸리덴기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 이소프로필리덴기, 부틸리덴기, s-부틸리덴기, 이소부틸리덴기, t-부틸리덴기, 펜틸리덴기, 헥실리덴기, 헵틸리덴기, 옥틸리덴기, 노닐리덴기, 및 데실리덴기를 들 수 있다. An alkylidene group used as a substituent refers to a group obtained by removing two hydrogen atoms from the same carbon atom of an alkane. The number of carbon atoms of the alkylidene group is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 14, further preferably 1 to 12, even more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 3. Examples of the alkylidene group include methylidene group, ethylidene group, propylidene group, isopropylidene group, butylidene group, s-butylidene group, isobutylidene group, t-butylidene group, pentylidene group, Hexylidene group, heptylidene group, octylidene group, nonylidene group, and decylidene group.

치환기로서 사용되는 아실기는 식: -C(=0)-R4 로 표시되는 기(식 중, R4 는 알킬기 또는 아릴기)를 말한다. R4 로 표시되는 알킬기는 직쇄상 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다. R로 표시되는 아릴기로서는 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 및 안트라세닐기를 들 수 있다. 당해 아실기의 탄소 원자수는 바람직하게는 2 내지 20, 보다 바람직하게는 2 내지 13, 더욱 바람직하게는 2 내지 7이다. 당해 아실기로서는 예를 들면, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 피발로일기, 및 벤조일기를 들 수 있다. The acyl group used as a substituent has the formula: -C(=0)-R 4 A group represented by (in the formula, R 4 refers to an alkyl group or an aryl group). R 4 The alkyl group represented by may be either linear or branched. Examples of the aryl group represented by R include phenyl group, naphthyl group, and anthracenyl group. The number of carbon atoms of the acyl group is preferably 2 to 20, more preferably 2 to 13, and even more preferably 2 to 7. Examples of the acyl group include acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pivaloyl group, and benzoyl group.

치환기로서 사용되는 아실옥시기는 식: -O-C(=0)-R5 로 표시되는 기(식 중, R5는 알킬기 또는 아릴기)를 말한다. R로 표시되는 알킬기는 직쇄상 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다. R5로 표시되는 아릴기로서는 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 및 안트라세닐기를 들 수 있다. 당해 아실옥시기의 탄소 원자수는 바람직하게는 2 내지 20, 보다 바람직하게는 2 내지 13, 더욱 바람직하게는 2 내지 7이다. 당해 아실옥시기로서는 예를 들면, 아세톡시기, 프로피오닐옥시기, 부티릴옥시기, 이소부티릴옥시기, 피발로일옥시기, 및 벤조일옥시기를 들 수 있다. The acyloxy group used as a substituent has the formula: -OC(=0)-R 5 refers to a group represented by (wherein R 5 is an alkyl group or an aryl group). The alkyl group represented by R may be either linear or branched. Examples of the aryl group represented by R 5 include phenyl group, naphthyl group, and anthracenyl group. The number of carbon atoms of the acyloxy group is preferably 2 to 20, more preferably 2 to 13, and still more preferably 2 to 7. Examples of the acyloxy group include acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isobutyryloxy group, pivaloyloxy group, and benzoyloxy group.

상기의 치환기는 또한 치환기(이하,「2차 치환기」라고 하는 경우가 있음)를 갖고 있어도 좋다. 2차 치환기로서는 특별히 기재가 없는 한, 상기의 치환기와 같은 것을 사용해도 좋다.The above substituent may further have a substituent (hereinafter sometimes referred to as a “secondary substituent”). As the secondary substituent, unless otherwise specified, the same substituent as above may be used.

R1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R1은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다. 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기는 직쇄상, 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다. 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기로서는 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기가 보다 바람직하다. 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기가 더욱 바람직하다.R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and plural R 1 may be the same or different. The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, which may have a substituent, may be either linear or branched. The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable. Examples of alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, n-butyl, t-butyl, pentyl, and n-hexyl, and include methyl, ethyl, and propyl groups. , n-butyl group is preferable, methyl group, ethyl group, and propyl group are more preferable, and methyl group and ethyl group are still more preferable.

R1이 나타내는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는, Y가 나타내는 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 may have a substituent. The substituent is the same as the substituent that the alkylene group with 4 or more carbon atoms represented by Y may have, and the preferable range is also the same.

화학식 (1)로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는, 8-글리시독시옥틸 트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-8-아미노옥틸 트리메톡시실란, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란, 3-(2-글리시딜페닐)프로필 트리메톡시실란, 6-비닐헥실 트리메톡시실란, 8-메타크릴로일옥시옥틸 트리메톡시실란 등을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the compound represented by formula (1) include 8-glycidoxyoctyl trimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-8-aminooctyl trimethoxysilane, and N-phenyl-8-aminooctyl- Trimethoxysilane, 3-(2-glycidylphenyl)propyl trimethoxysilane, 6-vinylhexyl trimethoxysilane, 8-methacryloyloxyoctyl trimethoxysilane, etc., but the present invention is not limited to these.

화학식 (2)로 표시되는 화합물은 이하의 구조를 갖는다.The compound represented by formula (2) has the following structure.

화학식 (2)Chemical formula (2)

(R2O)3Si-Z-Si(OR3)3 (R 2 O) 3 Si-Z-Si(OR 3 ) 3

(Z는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, -NR-, 산소 원자, 유황 원자, 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R2 및 R3은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)(Z represents an alkylene group that may have a substituent, -NR-, an oxygen atom, a sulfur atom, or a group consisting of a combination of two or more thereof, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 2 and R 3 may be the same or different.)

Z는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기, -NR-, 산소 원자, 유황 원자, 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타낸다. Z의 주쇄는 장쇄인 것이 바람직하고, 주쇄를 구성하는 원자수(양 말단의 규소 원자 사이의 주쇄의 원자수)는 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 6 이상이다. 상한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 15 이하, 더욱 바람직하게는 10 이하, 또는 9 이하이다. 주쇄를 구성하는 원자수가 4 미만이면, 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층의 휨량이 리플로시에 커지는 동시에, 최저 용융 점도가 높아지고, 회로 매립성이 떨어지는 경우가 있다. Z의 주쇄를 구성하는 원자란, 알킬렌기의 주쇄의 탄소 원자, -NR-의 질소 원자, 산소 원자, 및 유황 원자를 나타낸다.Z represents an alkylene group that may have a substituent, -NR-, an oxygen atom, a sulfur atom, or a group consisting of a combination of two or more thereof, and R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. The main chain of Z is preferably a long chain, and the number of atoms constituting the main chain (the number of atoms in the main chain between silicon atoms at both ends) is preferably 4 or more, more preferably 5 or more, and even more preferably 6 or more. . The upper limit is not particularly limited, but is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, further preferably 10 or less, or 9 or less. If the number of atoms constituting the main chain is less than 4, the amount of warping of the insulating layer formed by the cured product of the resin composition increases upon reflow, the minimum melt viscosity increases, and circuit embedding properties may be poor. The atoms constituting the main chain of Z refer to the carbon atom of the main chain of the alkylene group, the nitrogen atom of -NR-, the oxygen atom, and the sulfur atom.

Z가 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기를 나타내는 경우, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기의 탄소 원자수로서는, 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 6 이상이다. 상한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 15 이하, 더욱 바람직하게는 10 이하, 또는 9 이하이다. 당해 알킬렌기의 구체적인 예 및 바람직한 범위 등은 화학식 (1)의 Y가 나타내는 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기와 동일하다.When Z represents an alkylene group that may have a substituent, the number of carbon atoms of the alkylene group that may have a substituent is preferably 4 or more, more preferably 5 or more, and still more preferably 6 or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, further preferably 10 or less, or 9 or less. Specific examples and preferred ranges of the alkylene group are the same as the alkylene group having 4 or more carbon atoms represented by Y in the formula (1).

Z가 상기 2 이상의 조합으로 이루어지는 기를 나타내는 경우, 2 이상의 조합으로 이루어지는 기를 구성하는 알킬렌기의 탄소 원자수로서는 바람직하게는 1 내지 10, 보다 바람직하게는 1 내지 6, 더욱 바람직하게는 1 내지 3이다. 이러한 알킬렌기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있고, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기가 바람직하고, 에틸렌기, 프로필렌기가 바람직하다. 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기는 직쇄상, 또는 분기상 중 어느 것이라도 좋다.When Z represents a group consisting of a combination of two or more of the above, the number of carbon atoms of the alkylene group constituting the group consisting of a combination of two or more is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 3. . Examples of such alkylene groups include methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, and hexylene group, with methylene group, ethylene group, and propylene group being preferred, and ethylene group and propylene group being preferred. do. The alkylene group, which may have a substituent, may be either linear or branched.

상기 2 이상의 조합으로 이루어지는 기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 -NR-이 결합한 것, 복수의 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 복수의 -NR-이 교대로 결합한 것, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 산소 원자가 결합한 것, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 유황 원자가 결합한 것 등을 들 수 있고, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 -NR-이 결합한 것, 복수의 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 복수의 -NR-이 교대로 결합한 것, 즉 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 -NR-의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다. 상기 2 이상의 조합으로 이루어지는 기의 구체적인 예로서는 이하의 기를 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Groups consisting of combinations of the above two or more include those in which an alkylene group that may have a substituent is bonded to -NR-, an alkylene group that may have multiple substituents bonded alternately to a plurality of -NR-, and alkyl that may have a substituent. Examples include a bond between a lene group and an oxygen atom, a bond between an alkylene group that may have a substituent and a sulfur atom, a bond between an alkylene group that may have a substituent and -NR-, and an alkylene group that may have multiple substituents. A group consisting of a plurality of -NR- bonded alternately, that is, a group consisting of a combination of an alkylene group that may have a substituent and -NR- is preferable. Specific examples of groups consisting of a combination of two or more of the above include the following groups, but the present invention is not limited to these.

Figure 112016075590412-pat00001
Figure 112016075590412-pat00001

*은 결합수(結合手)를 나타낸다.* indicates the number of bonds.

R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타낸다. R은 화학식 (1) 중의 R과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. R is the same as R in the formula (1), and the preferable range is also the same.

R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R2 및 R3은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다. R2 및 R3은 화학식 (1)의 R1과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 2 and R 3 may be the same or different. R 2 and R 3 are the same as R 1 in Formula (1), and their preferred ranges are also the same.

화학식 (2)로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는, 비스트리메톡시실릴헥산, 비스트리메톡시실릴옥탄, 비스(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민 등을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the compound represented by formula (2) include bistrimethoxysilylhexane, bistrimethoxysilyloctane, and bis(trimethoxysilylpropyl)ethylenediamine, but the present invention is not limited to these. no.

화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 화학식 (2)로 표시되는 화합물은 시판품을 사용해도 좋고, 공지된 합성 방법을 사용하여 합성해도 좋다.The compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) may be commercially available or may be synthesized using a known synthetic method.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, (C) 성분 100질량부에 대하여, 0.2질량부 내지 2질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 1질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 0.8질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the degree of surface treatment with the surface treatment agent is preferably 0.2 to 2 parts by mass of the surface treatment agent, based on 100 parts by mass of component (C), and 0.2 parts by mass. It is preferable that the surface is treated in an amount of 1 to 1 part by mass, and it is preferable that the surface is treated in an amount of 0.3 to 0.8 parts by mass.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.05mg/m2 이상이 바람직하고, 0.1mg/m2 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/m2 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 와니스의 용융 점도나 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 1mg/m2 이하가 바람직하고, 0.8mg/m2 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/m2 이하가 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment by a surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.05 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and even more preferably 0.2 mg/m 2 or more. . On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish or the melt viscosity in sheet form, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is even more preferable. desirable.

무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 가하고, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, (주)호리바세이사쿠쇼 제조「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, and ultrasonic cleaning is performed at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, “EMIA-320V” manufactured by Horiba Chemical Co., Ltd., etc. can be used.

무기 충전재는, 화학식 (1)로 표시되는 화합물 및 화학식 (2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 표면 처리제에 가하고, 또한 다른 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 다른 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노 실란계 커플링제, 에폭시 실란계 커플링제, 머캅토 실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오가노실라잔 화합물 등을 들 수 있다. 이러한 다른 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠코교(주) 제조「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠코교(주)「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠코교(주) 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠코교(주) 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠코교(주) 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠가가쿠코교(주) 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.The inorganic filler may be added to a surface treatment agent selected from the group consisting of the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2), and may be surface treated with another surface treatment agent. Other surface treatment agents include, for example, amino silane coupling agents, epoxy silane coupling agents, mercapto silane coupling agents, silane coupling agents, organosilazane compounds, titanate coupling agents, alkoxysilane compounds, and pentasilane coupling agents. Nosilazane compounds, etc. can be mentioned. Commercially available products of these other surface treatment agents include, for example, "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. and "KBM803" (3-mer) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Captopropyltrimethoxysilane), “KBE903” (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyl) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. trimethoxysilane), “SZ-31” (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and “KBM103” (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. .

수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은 열팽창율이 낮은 절연층을 수득하는 관점에서, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상이다. 수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량의 상한은 절연층의 기계 강도의 관점에서, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 85질량% 이하, 80질량% 이하, 또는 75질량%이하이다.The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, and even more preferably 70% by mass or more from the viewpoint of obtaining an insulating layer with a low coefficient of thermal expansion. From the viewpoint of the mechanical strength of the insulating layer, the upper limit of the content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, further preferably 85% by mass or less, 80% by mass or less, Or it is 75% by mass or less.

<(D) 열가소성 수지><(D) Thermoplastic resin>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 내지 (C) 성분 이외에 (D) 열가소성 수지 (이하, (D) 성분이라고도 함)를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (D) a thermoplastic resin (hereinafter also referred to as (D) component) in addition to components (A) to (C).

열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있고, 페녹시 수지가 바람직하다. 열가소성 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고,또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Thermoplastic resins include, for example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamidoimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, and polyphenylene. Examples include ether resin, polycarbonate resin, polyetheretherketone resin, and polyester resin, and phenoxy resin is preferred. Thermoplastic resins may be used individually, or two or more types may be used in combination.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 8,000 내지 70,000의 범위가 바람직하고, 10,000 내지 60,000의 범위가 보다 바람직하고, 20,000 내지 60,000의 범위가 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 측정 장치로서 (주)시마즈 세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와덴코(주) 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하여, 칼럼 온도를 40℃로 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is preferably in the range of 8,000 to 70,000, more preferably in the range of 10,000 to 60,000, and even more preferably in the range of 20,000 to 60,000. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is measured by gel permeation chromatography (GPC). Specifically, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene was measured using LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Sesakusho Co., Ltd. as a measuring device and Shodex K-800P/K- manufactured by Showa Denko Co., Ltd. as a column. 804L/K-804L can be calculated using chloroform or the like as a mobile phase, measuring the column temperature at 40°C, and using a standard polystyrene calibration curve.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비스페놀S골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노보넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은 페놀성 수산기, 에폭시기 등 중 어느 쪽의 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체적인 예로서는, 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 「1256」및 「4250」(모두 비스페놀A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀 아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 밖에도, 신닛데츠스미킨가가쿠(주) 제조의 「FX280」및「FX293」, 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」, 「YL7891BH30」및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Examples of phenoxy resins include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, and naphthalene skeleton. , a phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton, and trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be a functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. One type of phenoxy resin may be used alone, or two or more types may be used in combination. Specific examples of phenoxy resins include "1256" and "4250" (both phenoxy resins containing a bisphenol A skeleton), "YX8100" (phenoxy resins containing a bisphenol S skeleton), and "YX6954" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. (Phenoxy resin containing bisphenol acetophenone skeleton); In addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon-Steel Chemicals Co., Ltd., and "YX6954BH30" and "YX7553" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. ", "YX7553BH30", "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7891BH30", and "YL7482".

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들면, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체적인 예로서는, 예를 들면, 덴키가가쿠코교(주) 제조의 「덴카부티랄 4000-2」, 「덴카부티랄 5000-A」, 「덴카부티랄 6000-C」, 「덴카부티랄 6000-EP」, 세키스이가가쿠코교(주) 제조의 에스렉 BH시리즈, BX시리즈, KS시리즈, BL시리즈, BM시리즈 등을 들 수 있다. Examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin, with polyvinyl butyral resin being preferred. Specific examples of polyvinyl acetal resins include, for example, Denka Butyral 4000-2, Denka Butyral 5000-A, Denka Butyral 6000-C, and Denka Butyral 6000-C, manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. Butyral 6000-EP”, S-Rec BH series, BX series, KS series, BL series, BM series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.

폴리이미드 수지의 구체적인 예로서는, 신니혼리카(주) 제조의 「리카코트SN20」및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체적인 예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜서 수득되는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.Specific examples of polyimide resins include “Ricca Coat SN20” and “Ricca Coat PN20” manufactured by Shinnihon Rika Co., Ltd. Specific examples of polyimide resins include linear polyimides obtained by reacting bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, diisocyanate compounds, and tetrabasic acid anhydrides (polyimides described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083); and modified polyimides such as polysiloxane skeleton-containing polyimides (polyimides described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12667 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-319386, etc.).

폴리아미드이미드 수지의 구체적인 예로서는, 토요보세키(주) 제조의 「바이로막스 HR11NN」 및 「바이로막스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체적인 예로서는 또한, 히타치카세이코교(주) 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.Specific examples of polyamide-imide resin include “Viromax HR11NN” and “Viromax HR16NN” manufactured by Toyobo Seki Co., Ltd. Specific examples of polyamideimide resins include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polyamideimide containing a polysiloxane skeleton) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

폴리에테르설폰 수지의 구체적인 예로서는, 쓰미토모가가쿠(주) 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyether sulfone resin include "PES5003P" manufactured by Tsumitomo Chemical Co., Ltd.

폴리설폰 수지의 구체적인 예로서는, 솔베이어드벤스드폴리마즈(주) 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」등을 들 수 있다.Specific examples of polysulfone resins include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.

폴리페닐렌에테르 수지의 구체적인 예로서는, 미쓰비시가스가가쿠(주) 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2St 1200」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyphenylene ether resin include the oligophenylene ether-styrene resin "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

그 중에서도, 열가소성 수지로서는 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지가 바람직하다. 따라서 적합한 일 실시형태에 있어서, (D) 성분은 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.Among them, phenoxy resin and polyvinyl acetal resin are preferable as thermoplastic resins. Therefore, in one suitable embodiment, component (D) includes at least one selected from the group consisting of phenoxy resin and polyvinylacetal resin.

수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 0.1질량% 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.5질량% 내지 10질량% 더욱 바람직하게는 1질량% 내지 5질량%이다.The content of the thermoplastic resin in the resin composition is preferably 0.1% by mass to 20% by mass, more preferably 0.5% by mass to 10% by mass, and still more preferably 1% by mass to 5% by mass.

<(E) 경화 촉진제><(E) Curing accelerator>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 내지 (C) 성분 이외에 (E) 경화 촉진제(이하, (E) 성분이라고 함)를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention preferably contains (E) a curing accelerator (hereinafter referred to as (E) component) in addition to components (A) to (C).

경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators. An accelerator is preferable, and an amine-based curing accelerator and an imidazole-based curing accelerator are more preferable. The curing accelerator may be used individually, or two or more types may be used in combination.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus-based curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenyl borate, n-butylphosphonium tetraphenyl borate, tetrabutylphosphonium decanoate, and (4-methylphenyl)triphenyl. Examples include phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferred.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of amine-based curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6,-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1, Examples include 8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferred.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐 이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다. Examples of imidazole-based curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl imidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenyl imidazoleisocyanuric acid adduct, 2 -Phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benz Imidazole compounds such as imidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins. Examples include 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미쓰비시가가쿠(주) 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As an imidazole-based curing accelerator, a commercial product may be used, for example, “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of guanidine-based curing accelerators include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1-allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1-(o-tolyl) biguanide, etc., dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체적인 예로서는 코발트(II)아세틸아세토나토, 코발트(III)아세틸아세토나토 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토나토 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토나토 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토나토 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토나토 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토나토 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다. Examples of the metal-based curing accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonato and cobalt (III) acetylacetonato, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonato, and organic metal complexes such as zinc (II) acetylacetonato. Examples include zinc complexes, organic iron complexes such as iron(III) acetylacetonato, organic nickel complexes such as nickel(II) acetylacetonato, and organic manganese complexes such as manganese(II) acetylacetonato. Examples of organometallic salts include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지와 경화제의 불휘발 성분 합계량을 100질량%로 했을 때, 0.05질량% 내지 3질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.The content of the curing accelerator in the resin composition is not particularly limited, but is preferably used in the range of 0.05% by mass to 3% by mass when the total amount of non-volatile components of the epoxy resin and the curing agent is 100% by mass.

<(F) 난연제><(F) Flame retardant>

본 발명의 수지 조성물은, 난연제(이하, (F) 성분이라고도 함)를 포함해도 좋다. 난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.The resin composition of the present invention may contain a flame retardant (hereinafter also referred to as component (F)). Examples of flame retardants include organophosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants, and metal hydroxides. Flame retardants may be used individually, or two or more types may be used in combination.

난연제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 산코(주) 제조의 「HCA-HQ」, 다이하치가가쿠코교(주) 제조의 「PX-200」 등을 들 수 있다.As a flame retardant, a commercially available product may be used, for example, "HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd., "PX-200" manufactured by Daihachi Chemical Co., Ltd., etc.

수지 조성물 중의 난연제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5질량% 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.5질량% 내지 15질량%, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 내지 10질량%가 더욱 바람직하다.The content of the flame retardant in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 0.5% by mass to 20% by mass, more preferably 0.5% by mass to 15% by mass, and even more preferably 0.5% by mass to 10% by mass. .

<(G) 유기 충전재><(G) Organic filler>

수지 조성물은 신장을 향상시키는 관점에서, 또한 유기 충전재(이하, (G) 성분이라고도 함)를 포함해도 좋다. (G) 성분으로서는, 프린트 배선판의 절연층을 형성함에 있어 사용할 수 있는 임의의 유기 충전재를 사용해도 좋고, 예를 들면, 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다.The resin composition may further contain an organic filler (hereinafter also referred to as (G) component) from the viewpoint of improving elongation. As the component (G), any organic filler that can be used in forming the insulating layer of a printed wiring board may be used, and examples include rubber particles, polyamide fine particles, and silicon particles.

고무 입자로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 다우·케미컬니혼(주) 제조의 「EXL-2655」, 간츠카세이(주) 제조의 「AC3816N」 등을 들 수 있다.As the rubber particles, commercially available products may be used, for example, "EXL-2655" manufactured by Dow Chemical Nippon Co., Ltd., "AC3816N" manufactured by Gantz Chemical Co., Ltd., etc.

수지 조성물 중의 (G) 성분의 함유량은, 바람직하게는 0.1질량% 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.2질량% 내지 10질량%, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 내지 5질량%, 또는 0.5질량% 내지 3질량%이다.The content of component (G) in the resin composition is preferably 0.1% by mass to 20% by mass, more preferably 0.2% by mass to 10% by mass, further preferably 0.3% by mass to 5% by mass, or 0.5% by mass. to 3% by mass.

수지 조성물은 또한 필요에 따라 다른 첨가제를 포함하고 있어도 좋고, 이러한 다른 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 아크릴레이트 수지(예를 들면 다이셀·올넥스(주) 제조의 (ACA)Z251, 교에이샤가가쿠(주) 제조의 라이트아크릴레이트 DCP-A 등), 포스핀옥사이드 화합물(예를 들면 BASF쟈판(주) 제조의 I819 등), 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다.The resin composition may also contain other additives as needed. Examples of such other additives include organometallic compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds, and organic cobalt compounds, and acrylate resins (e.g., Daicel - (ACA)Z251 manufactured by Allnex Co., Ltd., light acrylate DCP-A manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., etc.), phosphine oxide compounds (for example, I819 manufactured by BASF Japan Co., Ltd., etc.) , resin additives such as thickeners, anti-foaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents, and colorants.

본 발명의 수지 조성물은 양호한 리플로 거동을 나타내는 절연층을 초래한다. 따라서 본 발명의 수지 조성물은, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 보다 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention results in an insulating layer exhibiting good reflow behavior. Therefore, the resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board (resin composition for an insulating layer of a printed wiring board), and a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board) It can be more suitably used as a resin composition for an interlayer insulating layer.

[시트상 적층 재료][Sheet-like laminated material]

본 발명의 수지 조성물은 와니스 상태에서 도포하여 사용할 수도 있지만, 공업적으로는 일반적으로, 당해 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 적합하다.Although the resin composition of the present invention can be used by applying it in a varnish state, it is generally suitable for use industrially in the form of a sheet-like laminated material containing a resin composition layer formed from the resin composition.

시트상 적층 재료로서는 이하에 나타나는 접착 필름, 프리프레그가 바람직하다.As sheet-like laminated materials, adhesive films and prepregs shown below are preferable.

일 실시형태에 있어서 접착 필름은 지지체와, 당해 지지체와 접합하고 있는 수지 조성물층(접착층)을 포함하여 이루어지고, 수지 조성물층(접착층)이 본 발명의 수지 조성물로 형성된다.In one embodiment, the adhesive film includes a support and a resin composition layer (adhesive layer) bonded to the support, and the resin composition layer (adhesive layer) is formed from the resin composition of the present invention.

수지 조성물층의 두께는 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 60㎛ 이하, 더욱 더 바람직하게는 50㎛ 이하 또는 40㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등으로 할 수 있다.From the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board, the thickness of the resin composition layer is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less, further preferably 60 μm or less, and even more preferably 50 μm or less or 40 μm or less. . The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but can usually be 1 μm or more, 5 μm or more, or 10 μm or more.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include films, metal foils, and release papers made of plastic materials, and films and metal foils made of plastic materials are preferred.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어지는 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭할 수 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」라고 약칭할 수 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 약칭할 수 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When using a film made of a plastic material as a support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN"), etc. polyester, polycarbonate (hereinafter abbreviated as “PC”), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetylcellulose (TAC), polyether sulfide (PES), and polyether ketone. , polyimide, etc. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is especially preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 구리박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 구리박이 바람직하다. 구리박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어지는 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어지는 박을 사용해도 좋다.When using a metal foil as a support, examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, etc., and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a simple metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (e.g., tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. It's also good.

지지체는 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리를 실시해 도 좋다.The support may be matted or corona treated on the surface bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍(주) 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 도레이(주) 제조「루미라 T6AM」 등을 들 수 있다.Additionally, as the support, you may use a support with a mold release layer that has a mold release layer on the surface bonded to the resin composition layer. Examples of the release agent used in the release layer of the support with a release layer include one or more types of release agents selected from the group consisting of alkyd resin, polyolefin resin, urethane resin, and silicone resin. The support with the release layer may be a commercially available product, for example, "SK-1", "AL-5", and "AL" manufactured by Lintech Co., Ltd., which are PET films having a release layer containing an alkyd resin-based release agent as a main component. -7”, “Lumira T6AM” manufactured by Toray Co., Ltd., etc.

지지체의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. In addition, when using a support body with a release layer, it is preferable that the entire thickness of the support body with a release layer is within the above range.

접착 필름은, 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 와니스를 조제하고, 이 수지 와니스를 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 또한 건조시켜서 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The adhesive film can be produced, for example, by preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying this resin varnish on a support using a die coater or the like, and then drying it to form a resin composition layer.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Organic solvents include, for example, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, Carbitols such as cellosolve and butylcarbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc), and N-methylpyrrolidone. Organic solvents may be used individually, or two or more types may be used in combination.

건조는 가열, 열풍 분사 등의 공지된 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 와니스 중의 유기 용제의 비점에 의해서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 와니스를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.Drying may be performed by known methods such as heating or hot air spraying. Drying conditions are not particularly limited, but the resin composition layer is dried so that the content of the organic solvent is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it also varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, the resin composition is dried at 50°C to 150°C for 3 to 10 minutes. Layers can be formed.

접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름을 또한 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면에 먼지 등의 부착이나 상처를 방지할 수 있다. 접착 필름은, 롤 상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.In the adhesive film, a protective film similar to the support can also be laminated on the side of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the side opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. By laminating a protective film, adhesion of dust or the like and scratches on the surface of the resin composition layer can be prevented. The adhesive film can be wound into a roll and stored. When the adhesive film has a protective film, it becomes usable by peeling off the protective film.

일 실시형태에 있어서, 프리프레그는 시트상 섬유 기재에 본 발명의 수지 조성물을 함침시켜서 형성된다.In one embodiment, the prepreg is formed by impregnating a sheet-like fiber base material with the resin composition of the present invention.

프리프레그에 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않고, 유리크로스, 아라미드 부직포, 액정 중합체 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는 바람직하게는 50㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 40㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 더 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 10㎛ 이상이다.The sheet-like fiber base material used for the prepreg is not particularly limited, and commonly used prepreg base materials such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used. From the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board, the thickness of the sheet-like fiber substrate is preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, further preferably 30 μm or less, and even more preferably 20 μm or less. The lower limit of the thickness of the sheet-like fiber base material is not particularly limited, but is usually 10 μm or more.

프리프레그는 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.Prepreg can be manufactured by known methods such as hot melt method and solvent method.

프리프레그의 두께는 상기의 접착 필름에서의 수지 조성물층과 동일한 범위로 할 수 있다.The thickness of the prepreg can be within the same range as that of the resin composition layer in the adhesive film.

시트상 적층 재료에서의 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 양호한 회로 매립성을 얻는 관점에서, 6000poise(600Pa·s) 이하가 바람직하고, 5000poise(500Pa·s) 이하가 보다 바람직하고, 4000poise(400Pa·s) 이하, 3500poise(350Pa·s) 이하, 또는 3000poise(300Pa·s) 이하가 더욱 바람직하다. 당해 최저 용융 점도의 하한은 100poise(10Pa·s) 이상이 바람직하고, 200poise(20Pa·s) 이상이 보다 바람직하고, 250poise(25Pa·s) 이상이 더욱 바람직하다.The minimum melt viscosity of the resin composition layer in the sheet-like laminated material is preferably 6000 poise (600 Pa·s) or less, more preferably 5000 poise (500 Pa·s) or less, and 4000 poise (400 Pa) from the viewpoint of obtaining good circuit embedding properties. ·s) or less, 3500 poise (350 Pa·s) or less, or 3000 poise (300 Pa·s) or less is more preferable. The lower limit of the minimum melt viscosity is preferably 100 poise (10 Pa·s) or more, more preferably 200 poise (20 Pa·s) or more, and still more preferably 250 poise (25 Pa·s) or more.

수지 조성물층의 최저 용융 점도란, 수지 조성물층의 수지가 용융했을 때에 수지 조성물층이 나타내는 최저의 점도를 말한다. 상세하게는, 일정한 승온 속도에서 수지 조성물층을 가열하여 수지를 용융시키면, 초기의 단계는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하하고, 그 후에 어느 정도를 넘으면 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승한다. 최저 용융 점도란, 이러한 극소점의 용융 점도를 말한다. 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 동적 점탄성법에 의해 측정할 수 있고, 예를 들면, 후술하는 <최저 용융 점도의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The minimum melt viscosity of the resin composition layer refers to the minimum viscosity that the resin composition layer exhibits when the resin of the resin composition layer is melted. In detail, when the resin composition layer is heated at a certain temperature increase rate to melt the resin, the melt viscosity decreases with the temperature increase in the initial stage, and then, beyond a certain level, the melt viscosity increases with the temperature increase. Minimum melt viscosity refers to the melt viscosity at this minimum point. The minimum melt viscosity of the resin composition layer can be measured by a dynamic viscoelastic method, for example, by the method described in <Measurement of minimum melt viscosity> described later.

[프린트 배선판][Printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The printed wiring board of the present invention is characterized by including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition of the present invention.

예를 들면, 본 발명의 프린트 배선판은 상기의 접착 필름을 사용하고, 하기 (I) 및 (II)의 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.For example, the printed wiring board of the present invention can be manufactured by a method including the steps (I) and (II) below using the adhesive film described above.

(I) 내층 기판 위에, 접착 필름을 당해 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정(I) A process of laminating an adhesive film on an inner layer substrate so that the resin composition layer of the adhesive film is bonded to the inner layer substrate.

(II) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정(II) Process of forming an insulating layer by heat curing the resin composition layer

공정(I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 주로 유리에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판, 또는 당해 기판의 한 면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 회로 기판을 말한다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때에, 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 할 중간 제조물의 내층 회로 기판도 본 발명에서 말하는 「내층 기판」에 포함된다. 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용하면 좋다.The “inner layer substrate” used in step (I) is mainly a substrate such as a glass epoxy substrate, metal substrate, polyester substrate, polyimide substrate, BT resin substrate, or thermosetting polyphenylene ether substrate, or one side of the substrate. Alternatively, it refers to a circuit board with conductor layers (circuits) patterned on both sides. In addition, when manufacturing a printed wiring board, an inner layer circuit board of an intermediate product on which an insulating layer and/or a conductor layer must be additionally formed is also included in the "inner layer substrate" referred to in the present invention. If the printed wiring board is a circuit board with embedded components, it is good to use an inner layer board with embedded components.

내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 지지체측에서 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착함으로써 실시할 수 있다. 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하,「가열 압착 부재」라고 함.)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 접착 필름에 직접 프레스하는 것이 아니고, 내층 기판의 표면 요철에 접착 필름이 충분히 추종되도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be performed, for example, by heat-pressing the adhesive film to the inner layer substrate from the support side. Examples of members for heat-pressing the adhesive film to the inner layer substrate (hereinafter referred to as “heat-pressing members”) include heated metal plates (SUS head plates, etc.) or metal rolls (SUS rolls). In addition, it is preferable not to press the heat-pressed member directly onto the adhesive film, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the adhesive film sufficiently follows the surface irregularities of the inner layer substrate.

내층 기판과 접착 필름의 적층은 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다.진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다.Lamination of the inner layer substrate and the adhesive film may be performed by a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the heat-pressing temperature is preferably in the range of 60 ° C. to 160 ° C., more preferably 80 ° C. to 140 ° C. The compression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heat compression time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. . Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

적층은 시판의 진공 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, (주)메이키세이사쿠쇼 제조의 진공 가압식 라미네이터, 니치고·모튼(주) 제조의 배큠어플리케이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed using a commercially available vacuum laminator. Examples of commercially available vacuum laminators include a vacuum pressurized laminator manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd. and a vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.

적층 후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 접착 필름의 평활화 처리를 실시하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는 상기 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 실시하여도 좋다.After lamination, the laminated adhesive film may be smoothed under normal pressure (atmospheric pressure), for example, by pressing a heat-pressing member from the support side. The press conditions for the smoothing treatment can be the same as the heat-pressing conditions for the above-described lamination. Smoothing treatment can be performed using a commercially available laminator. Additionally, the lamination and smoothing treatment may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator.

지지체는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II)의 뒤에 제거해도 좋다.The support may be removed between step (I) and step (II), or may be removed after step (II).

공정 (II)에 있어서, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다.In step (II), the resin composition layer is thermoset to form an insulating layer.

수지 조성물층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성함에 있어서 통상 채용되는 조건을 사용해도 좋다.The heat curing conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and conditions normally employed when forming the insulating layer of a printed wiring board may be used.

예를 들면, 수지 조성물층의 열경화 조건은 수지 조성물의 종류 등에 의해서도 다르지만, 경화 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)로 할 수 있다.For example, the heat curing conditions of the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, etc., but the curing temperature is in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably in the range of 170°C to 200°C). °C range), and the curing time can be in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도로 예비 가열해도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층을 열경화시키기 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated to a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to heat curing the resin composition layer, the resin composition layer is cured at a temperature of 50°C or higher and less than 120°C (preferably 60°C or higher and 110°C or lower, more preferably 70°C or higher and 100°C or lower). You may preheat for more than a minute (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

프린트 배선판을 제조할 때에는, (III) 절연층에 구멍 뚫는 공정, (IV) 절연층을 조화 처리하는 공정, (V) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 이들의 공정 (III) 내지 (V)는 프린트 배선판의 제조에 사용할 수 있는, 당업자에 게 공지된 각종 방법에 따라서 실시해도 좋다. 또한, 지지체를 공정 (II)의 뒤에 제거할 경우, 당해 지지체의 제거는 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시해도 좋다.When manufacturing a printed wiring board, (III) a step of making holes in the insulating layer, (IV) a step of roughening the insulating layer, and (V) a step of forming a conductor layer may be additionally performed. These steps (III) to (V) may be carried out according to various methods known to those skilled in the art that can be used in the production of printed wiring boards. Additionally, when the support is removed after step (II), the support may be removed between steps (II) and (III), between steps (III) and (IV), or between steps (IV) and (V). ) may be carried out in between.

공정 (III)은 절연층에 구멍 뚫는 공정이고, 이로써 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용해서 실시해도 좋다. 홀의 치수나 형상은 프린트 배선판의 디자인에 따라 적절히 결정해도 좋다.Process (III) is a process of drilling holes in the insulating layer, thereby forming holes such as via holes and through holes in the insulating layer. Step (III) may be performed using, for example, a drill, laser, or plasma, depending on the composition of the resin composition used to form the insulating layer. The size and shape of the hole may be appropriately determined depending on the design of the printed wiring board.

공정 (IV)는 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 조화 처리의 순서, 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 사용되는 공지의 순서, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면 활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 당해 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍쟈판(주) 제조의 「스웰링ㆍ딥ㆍ시큐리간스 P」, 「스웰링ㆍ딥ㆍ시큐리간스 SBU」등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지시킴으로써 실시할 수 있다. 절연층 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 경화체를 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다. 산화제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜서 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍쟈판(주) 제조의 「콘센트레이트·컴팩트 CP」, 「도징솔루션·시큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍쟈판(주) 제조의 「리덕션 솔루션·시큐리간스 P」 를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의해 조화 처리된 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의해 조화 처리된 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.Process (IV) is a process of roughening the insulating layer. The procedures and conditions of the roughening process are not particularly limited, and known procedures and conditions usually used when forming the insulating layer of a printed wiring board can be adopted. For example, the insulating layer can be roughened by performing swelling treatment with a swelling liquid, roughening treatment with an oxidizing agent, and neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order. The swelling liquid is not particularly limited, and includes an alkaline solution and a surfactant solution, and is preferably an alkaline solution. As the alkaline solution, a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution is more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include "Swelling Deep Securiganth P" and "Swelling Deep Securiganth SBU" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The swelling treatment using the swelling liquid is not particularly limited, but can be performed, for example, by immersing the insulating layer in a swelling liquid of 30°C to 90°C for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing swelling of the insulating layer resin to an appropriate level, it is preferable to immerse the cured body in a swelling liquid at 40°C to 80°C for 5 to 15 minutes. The oxidizing agent is not particularly limited, but examples include an alkaline permanganate solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60°C to 80°C for 10 to 30 minutes. Additionally, the concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganate solutions such as "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Securiganth P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. In addition, as the neutralizing liquid, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial product, for example, "Reduction Solution Securiganth P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. Treatment with a neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface, which has been roughened with an oxidizing agent, in a neutralizing liquid at 30°C to 80°C for 5 to 30 minutes. In terms of workability, etc., a method of immersing the object roughened with an oxidizing agent in a neutralizing liquid at 40°C to 70°C for 5 to 20 minutes is preferable.

일 실시형태에 있어서, 조화 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 조도 Ra는, 바람직하게는 400nm 이하, 보다 바람직하게는 350nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하, 250nm 이하, 200nm 이하, 150nm 이하, 또는 100nm 이하이다. 절연층 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 비접촉형 표면 조도계를 사용해서 측정할 수 있다. 비접촉형 표면 조도계의 구체적인 예로서는, 비코인스트루먼트사 제조의 「WYKO NT3300」을 들 수 있다.In one embodiment, the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the insulating layer after roughening treatment is preferably 400 nm or less, more preferably 350 nm or less, even more preferably 300 nm or less, 250 nm or less, 200 nm or less, 150 nm or less, or 100 nm. It is as follows. The arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact surface roughness meter. A specific example of a non-contact surface roughness meter is "WYKO NT3300" manufactured by BCO Instruments.

공정 (V)는, 도체층을 형성하는 공정이다.Step (V) is a step of forming a conductor layer.

도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적절한 실시형태에서는 도체층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들면, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티타늄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 이 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티타늄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.The conductor material used in the conductor layer is not particularly limited. In a suitable embodiment, the conductor layer comprises one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and the alloy layer may be, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (e.g., nickel/chromium alloy, copper/nickel alloy, and copper/titanium alloy) ) can include a layer formed of. Among these, from the viewpoint of versatility of forming the conductor layer, cost, ease of patterning, etc., a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy or copper-nickel alloy , an alloy layer of a copper-titanium alloy is preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of copper is more preferable. This is more preferable.

도체층은 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어지는 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은 크롬, 아연 또는 티타늄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multi-layer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc, or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.The thickness of the conductor layer depends on the desired design of the printed wiring board, but is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm.

일 실시형태에 있어서, 도체층은 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들면, 세미어디티브법, 풀어디티브법 등의 종래 공지된 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 이하, 도체층을 세미어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다.In one embodiment, the conductor layer may be formed by plating. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer using a conventionally known technique such as a semiadditive method or a fulladditive method. Below, an example of forming a conductor layer by the semiadditive method will be shown.

우선, 절연층의 표면에 무전해도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후에 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, on the formed plating seed layer, a mask pattern is formed to expose a portion of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. After forming a metal layer by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Afterwards, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer with a desired wiring pattern.

본 발명의 수지 조성물을 사용해서 형성된 절연층은 양호한 리플로 거동을 나타낸다. 일 실시형태에 있어서, 절연층의 리플로 거동 최대 변이(휨량)는 바람직하게는 350㎛ 이하, 보다 바람직하게는 330㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 320㎛ 이하, 310㎛ 이하, 또는 300㎛ 이하이다. 리플로 거동 최대 변이의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 0.5㎛ 이상, 1㎛ 이상 등으로 할 수 있다. 절연층의 리플로 거동 최대 변이는, 예를 들면, 후술하는 <리플로 거동 최대 변이의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The insulating layer formed using the resin composition of the present invention exhibits good reflow behavior. In one embodiment, the maximum variation in reflow behavior (bending amount) of the insulating layer is preferably 350 μm or less, more preferably 330 μm or less, even more preferably 320 μm or less, 310 μm or less, or 300 μm or less. . The lower limit of the maximum variation in reflow behavior is not particularly limited, but can be 0.5 μm or more, 1 μm or more, etc. The maximum variation in reflow behavior of the insulating layer can be measured, for example, according to the method described in <Measurement of maximum variation in reflow behavior> described later.

본 발명의 프린트 배선판에서의 절연층은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성되었으므로, 프린트 배선판이 박형이라도 양호한 리플로 거동을 나타낸다. 본 발명의 프린트 배선판의 두께는 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하이다. 하한에 관해서는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상이다.Since the insulating layer in the printed wiring board of the present invention is formed of a cured product of the resin composition of the present invention, it exhibits good reflow behavior even if the printed wiring board is thin. The thickness of the printed wiring board of the present invention is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, and still more preferably 40 μm or less. The lower limit is not particularly limited, but is 5 μm or more.

다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은 상기의 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 제조 방법은 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 동일하다.In another embodiment, the printed wiring board of the present invention can be manufactured using the above prepreg. The manufacturing method is basically the same as when using an adhesive film.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 프린트 배선판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 프린트 배선판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention is characterized by comprising the printed wiring board of the present invention. The semiconductor device of the present invention can be manufactured using the printed wiring board of the present invention.

반도체 장치로서는 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Semiconductor devices include various semiconductor devices used in electrical appliances (e.g., computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (e.g., motorcycles, automobiles, trams, ships, aircraft, etc.). there is.

본 발명의 반도체 장치는 프린트 배선판의 도통 개소에, 부품(반도체칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「프린트 배선판에서의 전기 신호를 전하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어떤 것이라도 상관없다. 또한, 반도체칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다.The semiconductor device of the present invention can be manufactured by mounting components (semiconductor chips) at conductive points on a printed wiring board. A “continuity point” is a “point where an electric signal is transmitted on a printed wiring board,” and the location may be on the surface or buried. Additionally, the semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.

본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 반도체칩의 실장 방법은, 반도체칩이 유효하게 기능만 하면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립칩 실장 방법, 범프 없는 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기서,「범프 없는 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립, 반도체칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」이다.The semiconductor chip mounting method when manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, but specifically includes a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and a bump-free build-up layer (BBUL). ), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method using a non-conductive film (NCF), etc. Here, the “mounting method using a bump-less build-up layer (BBUL)” refers to a “mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recessed portion of a printed wiring board and the semiconductor chip is connected to the wiring on the printed wiring board.”

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서, 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 구조식 중의 Me는 메틸기를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. In addition, in the following description, “part” and “%” mean “part by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified. In addition, Me in the structural formula represents a methyl group.

우선은 각종 측정 방법·평가 방법에 대하여 설명한다.First, various measurement and evaluation methods will be explained.

[리플로 거동 최대 변이의 측정][Measurement of maximum variation in reflow behavior]

(1) 측정용 기판 샘플의 조정(1) Adjustment of substrate sample for measurement

내층 회로를 형성한 유리섬유 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(구리박의 두께 3㎛, 기판 두께 0.1mm, 히타치카세이(주) 제조, MCL-E-770G)의 한 면에 실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름(필름 두께 40㎛)을, 배치식 진공 가압 라미네이터((주)메이키세이사쿠쇼 제조, 제품명 MLVP-500)를 사용하여, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa에서 압착함으로써 실시하였다.Fabricated in the Examples and Comparative Examples on one side of a glass fiber-based epoxy resin double-sided copper clad laminate (copper foil thickness 3 μm, substrate thickness 0.1 mm, manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd., MCL-E-770G) forming an inner layer circuit. One adhesive film (film thickness: 40 μm) was laminated on both sides of the inner layer circuit board using a batch vacuum pressure laminator (product name: MLVP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.). The laminate was performed by depressurizing for 30 seconds to bring the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then compressing for 30 seconds at 100°C and a pressure of 0.74 MPa.

(2) 샘플의 경화(2) Curing of the sample

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을 한 면에 압착한 유리섬유 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판을, 치구에 의해 4변을 고정하고 오븐에서 200℃로 90분간 경화시켜서 꺼냈다.The glass fiber-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate, in which the adhesive film produced in Examples and Comparative Examples was pressed on one side, was fixed on four sides with a jig, cured in an oven at 200°C for 90 minutes, and taken out.

(3) 리플로 거동 최대 변이(㎛)의 측정(3) Measurement of maximum variation in reflow behavior (㎛)

측정용으로 조정한 샘플을 2cm 각으로 자르고, 내중심의 1.0cm 각을 측정 범위로 하고, 휨 측정 분석 시스템(AKROMETRIX사 제조, 사모레이 AXP)을 사용하여 리플로 거동 최대 변이의 측정을 실시하였다. 승온 속도는 0.67℃/초로 30℃부터 260℃까지 승온시킨 후에, 방열해서 30℃까지 되돌리는 과정을 2회 실시하고, 2회째의 측정 중에서의 샘플의 휨 거동의 최대값과 최소값의 차이를 산출하고, 리플로 거동 최대 변이(㎛)로 하여 나타내었다.The sample adjusted for measurement was cut into 2 cm angles, the 1.0 cm angle of the inner center was set as the measurement range, and the maximum variation in reflow behavior was measured using a bending measurement analysis system (Samorey AXP, manufactured by AKROMETRIX). . After raising the temperature from 30℃ to 260℃ at a temperature increase rate of 0.67℃/sec, the process of dissipating heat and returning to 30℃ was performed twice, and the difference between the maximum and minimum values of the bending behavior of the sample during the second measurement was calculated. and the reflow behavior was expressed as the maximum variation (㎛).

[최저 용융 점도의 측정][Measurement of lowest melt viscosity]

실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름의 열경화성 수지 조성물층을 동적 점탄성 측정 장치((주)U·B·M 제조「Rheosol-G3000」)를 사용하여, 동적 점탄성을 측정하였다. 측정은 개시 온도 60℃로부터 승온 속도 5℃/분으로 측정 간격 온도 2.5℃, 진동수 1Hz/deg로 측정하였다.The dynamic viscoelasticity of the thermosetting resin composition layer of the adhesive film produced in Examples and Comparative Examples was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (“Rheosol-G3000” manufactured by U·B·M Co., Ltd.). Measurements were made from a starting temperature of 60°C, a temperature increase rate of 5°C/min, a measurement interval temperature of 2.5°C, and a frequency of 1Hz/deg.

[단위 표면적당 카본량의 산출][Calculation of carbon amount per unit surface area]

하기의 각 무기 충전재의 3g을 각각 시료로서 사용하였다. 시료와 30g의 MEK(메틸에틸케톤)을 원심 분리기의 원심관에 넣고, 교반해 고형분을 현탁시키고, 500W의 초음파를 5분간 조사하였다. 그 후, 원심 분리에 의해 고액 분리하고, 상청액 20g을 제거하였다. 또한, 20g의 MEK를 가하고, 교반해서 고형분을 현탁시키고, 500W의 초음파를 5분간 조사하였다. 그 후, 원심 분리에 의해 고액 분리하고, 상청액 26g을 제거하였다. 남은 현탁액을 160℃에서 30분간 건조시켰다. 이 건조 시료 0.3g을 측정용 도가니에 정확하게 양을 재고, 또한 측정용 도가니에 조연제(텅스텐 3.0g 및 주석 0.3g)를 넣었다. 측정용 도가니를 카본 분석계((주)호리바세이사쿠쇼 제조 「EMIA-321V2」)에 세트하고, 카본량을 측정하였다. 카본량의 측정값을, 사용한 무기 충전제의 비표면적으로 나눔으로써, 단위 표면적당 카본량을 산출하였다.3g of each of the following inorganic fillers was used as a sample. The sample and 30 g of MEK (methyl ethyl ketone) were placed in the centrifuge tube of the centrifuge, stirred to suspend the solid content, and 500 W of ultrasonic waves were applied for 5 minutes. Afterwards, solid and liquid were separated by centrifugation, and 20 g of supernatant was removed. Additionally, 20 g of MEK was added, stirred to suspend the solid content, and 500 W of ultrasonic waves were applied for 5 minutes. Afterwards, solid and liquid were separated by centrifugation, and 26 g of supernatant was removed. The remaining suspension was dried at 160°C for 30 minutes. 0.3 g of this dried sample was accurately weighed into a measuring crucible, and an auxiliary agent (3.0 g of tungsten and 0.3 g of tin) was added to the measuring crucible. The crucible for measurement was set in a carbon analyzer (“EMIA-321V2” manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.), and the amount of carbon was measured. The carbon amount per unit surface area was calculated by dividing the measured carbon amount by the specific surface area of the inorganic filler used.

<사용한 무기 충전재><Weapon filler used>

무기 충전재 1: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 8-글리시독시옥틸트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 306.2) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.33mg/m2이었다.Inorganic filler 1: 8-glycidoxyoctyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) represented by the following structural formula for 100 parts of spherical silica (“SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter: 0.5 μm). Note) Manufactured, molecular weight 306.2) Surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.33 mg/m 2 .

Figure 112016075590412-pat00002
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무기 충전재 2: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 N-2-(아미노에틸)-8-아미노옥틸트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 291.2) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.27mg/m2이었다.Inorganic filler 2: N-2-(aminoethyl)-8-aminooctyltrimethoxy represented by the following structural formula, based on 100 parts of spherical silica (“SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter: 0.5 μm) Surface treated with 0.6 parts of silane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., molecular weight 291.2). The amount of carbon per unit area was 0.27 mg/m 2 .

Figure 112016075590412-pat00003
Figure 112016075590412-pat00003

무기 충전재 3: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 비스트리메톡시실릴헥산(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 326.2) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.28mg/m2이었다.Inorganic filler 3: Bistrimethoxysilylhexane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Molecular weight 326.2) Surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.28 mg/m 2 .

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무기 충전재 4: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 비스트리메톡시실릴옥탄(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 354.2) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.28mg/m2이었다.Inorganic filler 4: Bistrimethoxysilyloctane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Molecular weight 354.2) Surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.28 mg/m 2 .

Figure 112016075590412-pat00005
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무기 충전재 5: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 비스(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 384.2) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.28mg/m2이었다.Inorganic filler 5: Bis(trimethoxysilylpropyl)ethylenediamine (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) represented by the following structural formula for 100 parts of spherical silica (“SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter: 0.5 μm) Note) Manufactured, molecular weight 384.2) Surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.28 mg/m 2 .

Figure 112016075590412-pat00006
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무기 충전재 6: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 325.2) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.33mg/m2이었다.Inorganic filler 6: N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane (Shin-Etsu Co., Ltd.) represented by the following structural formula for 100 parts of spherical silica (“SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter: 0.5 μm) Manufactured by Kakukogyo Co., Ltd., surface treated with 0.6 parts (molecular weight: 325.2). The amount of carbon per unit area was 0.33 mg/m 2 .

Figure 112016075590412-pat00007
Figure 112016075590412-pat00007

무기 충전재 7: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 3-(2-글리시딜페닐)프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 312.1) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.28mg/m2이었다.Inorganic filler 7: 3-(2-glycidylphenyl)propyltrimethoxysilane (( Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., surface treated with 0.6 parts (molecular weight: 312.1). The amount of carbon per unit area was 0.28 mg/m 2 .

Figure 112016075590412-pat00008
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무기 충전재 8: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 하기 구조식으로 표시되는 8-메타크릴록시옥틸트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 분자량 318.2) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.28mg/m2이었다.Inorganic filler 8: 8-methacryloxyoctyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) represented by the following structural formula for 100 parts of spherical silica (“SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter: 0.5 μm). Note) Manufactured, molecular weight 318.2) Surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.28 mg/m 2 .

Figure 112016075590412-pat00009
Figure 112016075590412-pat00009

무기 충전재 9: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 「KBM403」, 분자량 236.3) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.21mg/m2이었다.Inorganic filler 9: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) for 100 parts. KBM403”, molecular weight 236.3) surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.21 mg/m 2 .

무기 충전재 10: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 「KBM603」, 분자량 222.4) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.22mg/m2이었다.Inorganic filler 10: N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical) for 100 parts of spherical silica (“SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) “KBM603” manufactured by Kogyo Co., Ltd., molecular weight 222.4), surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.22 mg/m 2 .

무기 충전재 11: 구형 실리카((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, N-페닐-3-아미노프로필-트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 「KBM573」, 분자량 255.4) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.24mg/m2이었다.Inorganic filler 11: N-phenyl-3-aminopropyl-trimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) for 100 parts of spherical silica (“SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) Manufactured as “KBM573”, molecular weight 255.4) surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.24 mg/m 2 .

무기 충전재 12: 구형 실리카 ((주)아도마텍스 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛) 100부에 대하여, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠코교(주) 제조, 「KBM503」, 분자량 248.4) 0.6부로 표면 처리한 것. 단위 면적당 카본량은 0.22mg/m2이었다.Inorganic filler 12: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “SC2500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 0.5 μm) for 100 parts. KBM503”, molecular weight 248.4) surface treated with 0.6 parts. The amount of carbon per unit area was 0.22 mg/m 2 .

[실시예 1][Example 1]

비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 미쓰비시가가쿠(주) 제조 「YX4000HK」) 14부, 액상 비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 165, 신닛데츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 12부, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 269, 니혼카야쿠(주) 제조「NC3000H」) 15부를 솔벤트나프타 30부에 교반하면서 가열 용해시키고, 그 후 실온까지 냉각하였다. 그 혼합 용액에, 고무 입자(간츠카세이(주) 제조, AC3816N) 0.5부를 솔벤트나프타 6부에 12시간, 20℃에서 정치 팽윤한 것, 무기 충전재(1)을 150부 혼합하고, 또한 난연제(산코(주) 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 1㎛) 2부를 첨가하고, 3본롤로 혼련해 분산시켰다. 거기에, 활성 에스테르계 경화제(DIC(주) 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65질량%의 톨루엔 용액) 14부, 트리아진 골격함유 페놀노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA3018-50P」수산기 당량 약 151)의 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액 10부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 35000, 미쓰비시가가쿠(주) 제조 「YX7553BH30」 불휘발분 30질량%의 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 용액) 15부, 경화 촉진제로서 4-디메틸아미노피리딘(DMAP)의 5질량%의 MEK 용액 2부를 혼합하고, 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 와니스를 제작하였다. 다음에, 이러한 수지 와니스를 알키드계 이형 처리 부착 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍(주) 제조 「AL-5」, 두께 38㎛)의 이형면 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40㎛가 되도록 다이코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 110℃(평균 95℃)에서 5분간 건조하여, 접착 필름을 수득하였다.14 parts of bixylenol type epoxy resin (epoxy equivalent 190, “YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 14 parts of liquid bisphenol type epoxy resin (epoxy equivalent weight approximately 165, “ZX1059” manufactured by Nippon-Steel Chemicals Co., Ltd., bisphenol A 12 parts of biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent weight 269, “NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) are heated and dissolved with stirring in 30 parts of solvent naphtha, Then it was cooled to room temperature. Into the mixed solution, 0.5 parts of rubber particles (AC3816N, manufactured by Gantz Kasei Co., Ltd.), swelled in 6 parts of solvent naphtha for 12 hours at 20°C, and 150 parts of inorganic filler (1) were mixed, and a flame retardant (Sanko) was added to the mixed solution. “HCA-HQ” manufactured by Co., Ltd., 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 1㎛) 2 parts It was added, mixed with three rolls and dispersed. In addition, 14 parts of an active ester-based curing agent (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Co., Ltd., a toluene solution with a non-volatile content of 65% by mass with an active group equivalent of about 223), and a phenol novolak-based curing agent containing a triazine skeleton (DIC (DIC) Note) 10 parts of 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50% of the product “LA3018-50P” (hydroxyl equivalent weight approximately 151), phenoxy resin (weight average molecular weight 35000, “YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 30 parts by mass of non-volatile content) 15 parts of 1:1 solution of MEK and cyclohexanone) and 2 parts of 5% by mass of MEK solution of 4-dimethylaminopyridine (DMAP) as a curing accelerator were mixed and uniformly dispersed with a rotary mixer to make a resin varnish. Produced. Next, this resin varnish was spread on the release surface of a polyethylene terephthalate film (“AL-5” manufactured by Lintech Co., Ltd., thickness 38 μm) with alkyd release treatment, and die so that the thickness of the dried resin composition layer was 40 μm. It was applied uniformly with a coater and dried at 80 to 110°C (average 95°C) for 5 minutes to obtain an adhesive film.

[실시예 2][Example 2]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(2)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (2).

[실시예 3][Example 3]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(3)으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (3).

[실시예 4][Example 4]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(4)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (4).

[실시예 5][Example 5]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(5)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (5).

[실시예 6][Example 6]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(6)으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (6).

[실시예 7][Example 7]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(7)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (7).

[실시예 8][Example 8]

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC(주) 제조 「HP4032SS」) 10부, 액상 비스페놀형 에폭시 수지(신닛데츠가가쿠(주) 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 10부, 나프톨형 에폭시 수지(신닛데츠가가쿠(주) 제조 「ESN-475V」) 20부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 35000, 미쓰비시가가쿠(주) 제조 「YX7553BH30」, 불휘발 성분 30질량%의 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 용액) 15부를 솔벤트나프타 50부에 교반하면서 가열 용해시키고, 그 후 실온까지 냉각하였다. 다음에, 활성 에스테르 화합물(DIC(주) 제조 「HPC8000-65T」, 활성 에스테르 당량 223, 고형분 65%의 톨루엔 용액) 12부, 비스페놀A 디시아네이트의 프레폴리머(론자쟈판(주) 제조 「BA230S75」, 시아네이트 당량 약 232, 불휘발분 75질량%의 MEK 용액) 12부, 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지(론자쟈판(주) 제조 「PT30S」, 시아네이트 당량 약 133, 불휘발분 85질량%의 MEK 용액) 6부, 고무 입자(간츠카세이(주) 제조, 스타피로이드 AC3816N) 0.5부를 솔벤트나프타 5부에 실온에서 12시간 팽윤시켜 놓은 것, 무기 충전제(7)를 150부, 난연제(산코(주)제 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 1㎛) 2부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 2부를 가하고, 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 와니스를 제작하였다. 다음에, 실시예 1과 동일하게 하여 접착 필름을 수득하였다.10 parts of naphthalene-type epoxy resin (“HP4032SS” manufactured by DIC Corporation), 10 parts of liquid bisphenol-type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd., a 1:1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type) 20 parts, naphthol-type epoxy resin (“ESN-475V” manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd.), 20 parts, phenoxy resin (weight average molecular weight 35000, “YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, non-volatile component 30 mass% 15 parts of a 1:1 solution of MEK and cyclohexanone) were dissolved in 50 parts of solvent naphtha by heating while stirring, and then cooled to room temperature. Next, 12 parts of an active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Co., Ltd., active ester equivalent weight 223, toluene solution with a solid content of 65%), a prepolymer of bisphenol A dicyanate (“BA230S75” manufactured by Ronza Japan Co., Ltd. ", cyanate equivalent weight about 232, MEK solution with 75% by mass of non-volatile matter) 12 parts, phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin ("PT30S" manufactured by Ronza Japan Co., Ltd., cyanate equivalent weight about 133, non-volatile matter 85 6 parts of MEK solution (% by mass), 0.5 parts of rubber particles (Staphyroid AC3816N, manufactured by Gantz Kasei Co., Ltd.) swollen in 5 parts of solvent naphtha for 12 hours at room temperature, 150 parts of inorganic filler (7), flame retardant. (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 1 μm) Two parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine, MEK solution with a solid content of 5% by mass) were added and uniformly dispersed with a rotary mixer to prepare a resin varnish. Next, an adhesive film was obtained in the same manner as in Example 1.

[실시예 9][Example 9]

산기 함유 아크릴레이트 수지(다이셀·올넥스(주) 제조 「(ACA)Z251」중량 평균 분자량 14000, 수지 산가 66mgKOH/g, 고형분 45질량%의 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 용액) 36부, 액상 1,4-글리시딜사이클로헥산(신닛데츠가가쿠(주) 제조 「ZX1658GS」) 3부, 고체상 비스페놀 AF형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠(주) 제조 「YL7760」) 6부, 디메틸올 트리사이클로데칸 디아크릴레이트(교에이샤가가쿠(주) 제조 「라이트아크릴레이트 DCP-A」) 5부를 솔벤트나프타 16부에 교반하면서 가열 용해시키고, 그 후 실온까지 냉각하였다. 다음에, 무기 충전재(8)을 80부, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(BASF 쟈판(주) 제조 「I819」, 고형분 15%의 MEK 용액) 5부를 가하고, 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 와니스를 제작하였다. 다음에, 실시예 1과 동일하게 하여 접착 필름을 수득하였다.Acrylate resin containing an acid group (“(ACA)Z251” manufactured by Daicel Allnex Co., Ltd., weight average molecular weight 14000, resin acid value 66 mgKOH/g, dipropylene glycol monomethyl ether solution with solid content 45 mass%) 36 parts, liquid 1 , 3 parts of 4-glycidylcyclohexane (“ZX1658GS” manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd.), 6 parts of solid bisphenol AF type epoxy resin (“YL7760” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), dimethylol tricyclodecane 5 parts of diacrylate (“Light Acrylate DCP-A” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) was dissolved in 16 parts of solvent naphtha by heating while stirring, and then cooled to room temperature. Next, 80 parts of the inorganic filler (8) and 5 parts of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide (“I819” manufactured by BASF Japan Co., Ltd., MEK solution with a solid content of 15%) were added and rotated. It was uniformly dispersed with a mixer to produce a resin varnish. Next, an adhesive film was obtained in the same manner as in Example 1.

[비교예 1][Comparative Example 1]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(9)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (9).

[비교예 2][Comparative Example 2]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(10)으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (10).

[비교예 3][Comparative Example 3]

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(1)을 무기 충전재(11)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 1, except that the inorganic filler (1) was changed to the inorganic filler (11).

[비교예 4][Comparative Example 4]

실시예 8에 있어서, 무기 충전재(6)을 무기 충전재(11)로 변경한 것 이외에는 실시예 8과 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 8, except that the inorganic filler (6) was changed to the inorganic filler (11).

[비교예 5][Comparative Example 5]

실시예 9에 있어서, 무기 충전재(8)을 무기 충전재(12)로 변경한 것 이외에는 실시예 9와 동일하게 하여 수지 와니스, 접착 필름을 수득하였다.A resin varnish and an adhesive film were obtained in the same manner as in Example 9, except that the inorganic filler (8) was changed to the inorganic filler (12).

Figure 112016075590412-pat00010
Figure 112016075590412-pat00010

Claims (19)

(A) 에폭시 수지, (B) 경화제, 및 (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물로서,
(C) 무기 충전재가 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 수지 조성물.
화학식 (1)
X-Y-Si(OR1)3
(화학식 (1)에서, X는 비닐기, 에폭시기, 글리시딜에테르기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 아미노기, Ar-(NR)n-(CH2)m-, Ar-(CH2)m-(NR)n-, 또는 NH2-(CH2)m-(NR)n-을 나타내고, Ar은 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, m은 0 내지 6의 정수를 나타내고, n은 0 또는 1의 정수를 나타내고, Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알킬렌기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 4 이상의 알케닐렌기를 나타내고, R1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R1은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)
화학식 (2)
(R2O)3Si-Z-Si(OR3)3
(Z는 치환기를 갖고 있어도 좋은 -NR-, 산소 원자, 유황 원자, 복수의 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 복수의 -NR-이 교대로 결합한 기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 산소 원자가 결합한 기, 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 유황 원자가 결합한 기를 나타내고, R은 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, 복수의 R2 및 R3은 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.)
A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler,
(C) A resin composition in which the inorganic filler is surface-treated with at least one surface treatment agent selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2).
Chemical formula (1)
XY-Si(OR 1 ) 3
(In Formula (1) , CH 2 ) m -, Ar-(CH 2 ) m -(NR) n -, or NH 2 -(CH 2 ) m -(NR) n -, Ar represents a phenyl group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, m represents an integer of 0 to 6, n represents an integer of 0 or 1, and Y represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms that may have a substituent. , or represents an alkenylene group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent, R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and a plurality of R 1 may be the same or different.)
Chemical formula (2)
(R 2 O) 3 Si-Z-Si(OR 3 ) 3
(Z is -NR-, which may have a substituent, an oxygen atom, a sulfur atom, an alkylene group which may have multiple substituents, and multiple -NR- groups alternately bonded together, and an oxygen atom bonded to an alkylene group which may have a substituent. represents a group or a group in which a sulfur atom is bonded to an alkylene group that may have a substituent, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and R 2 and R 3 each independently represent a carbon atom that may have a substituent. Represents an alkyl group with numbers 1 to 6, and a plurality of R 2 and R 3 may be the same or different.)
제1항에 있어서, 화학식 (1) 중의 Y가 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소 원자수 6 이상의 알킬렌기를 나타내는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein Y in the general formula (1) represents an alkylene group having 6 or more carbon atoms which may have a substituent. 제1항에 있어서, 화학식 (2) 중의 Z가 복수의 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기와 복수의 -NR-이 교대로 결합한 기를 나타내는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein Z in the general formula (2) represents a group in which an alkylene group which may have a plurality of substituents and a plurality of -NR- are alternately bonded. 제1항에 있어서, 화학식 (1) 중의 R1, 화학식 (2) 중의 R2 및 R3이 메틸기 또는 에틸기를 나타내는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein R 1 in the formula (1), R 2 and R 3 in the formula (2) represent a methyl group or an ethyl group. 제1항에 있어서, 화학식 (1)로 표시되는 화합물이 8-글리시독시옥틸 트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-8-아미노옥틸 트리메톡시실란, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란, 3-(2-글리시딜페닐)프로필 트리메톡시실란, 6-비닐헥실 트리메톡시실란, 및 8-메타크릴로일옥시옥틸 트리메톡시실란 중 어느 하나이고, 화학식 (2)로 표시되는 화합물이 비스(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민인, 수지 조성물.The method of claim 1, wherein the compound represented by formula (1) is 8-glycidoxyoctyl trimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-8-aminooctyl trimethoxysilane, N-phenyl-8- Any one of aminooctyl-trimethoxysilane, 3-(2-glycidylphenyl)propyl trimethoxysilane, 6-vinylhexyl trimethoxysilane, and 8-methacryloyloxyoctyl trimethoxysilane. , a resin composition wherein the compound represented by formula (2) is bis(trimethoxysilylpropyl)ethylenediamine. 제1항에 있어서, (C) 성분의 평균 입자 직경이 0.01㎛ 내지 5㎛인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the average particle diameter of component (C) is 0.01 μm to 5 μm. 제1항에 있어서, (C) 성분이 실리카인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein component (C) is silica. 제1항에 있어서, (C) 성분의 함유량이 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 50질량% 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of component (C) is 50% by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항에 있어서, (C) 성분은 (C) 성분 100질량부에 대하여 0.2질량부 내지 2질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein component (C) is surface treated with a surface treatment agent in an amount of 0.2 parts by mass to 2 parts by mass based on 100 parts by mass of component (C). 제1항에 있어서, (C) 성분의 단위 표면적당 카본량이 0.05mg/m2 내지 1mg/m2인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the amount of carbon per unit surface area of component (C) is 0.05 mg/m 2 to 1 mg/m 2 . 제1항에 있어서, (A) 성분이 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A) is at least one selected from bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and biphenyl-type epoxy resin. 제1항에 있어서, (B) 성분이 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (B) is at least one selected from a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an activated ester-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent. 제1항에 있어서, 프린트 배선판의 절연층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, which is used for forming an insulating layer of a printed wiring board. 제1항에 있어서, 프린트 배선판의 빌드업층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, which is used for forming a build-up layer of a printed wiring board. 제1항에 기재된 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는, 시트상 적층 재료.A sheet-like laminated material comprising a resin composition layer formed from the resin composition according to claim 1. 제1항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판.A printed wiring board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition according to claim 1. 제16항에 있어서, 절연층의 휨량이 350㎛ 이하인, 프린트 배선판.The printed wiring board according to claim 16, wherein the amount of deflection of the insulating layer is 350 μm or less. 제16항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 16. 삭제delete
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