KR20190020492A - Light emitting diode package - Google Patents

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KR20190020492A
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Abstract

Disclosed is a light emitting diode package which has an excellent color rendering and can widely adjust an irradiation angle. The light emitting diode package comprises: a base substrate; a plurality of light emitting diode chips separated from each other and installed on the base substrate; a dam unit formed to protrude by a predetermined height on the base substrate, spaced from the light emitting diode package chip and surrounding the light emitting diode package chip; a first resin unit covering the light emitting diode package chip and including a fluorescent substance; and a second resin unit located on the first resin unit, having a convex upper surface and having an edge part which is coupled to the dam unit. An angle between a tangent of the upper surface of the edge part of the second resin unit and the base substrate of an interior direction of the second resin unit is greater than 100°.

Description

발광 다이오드 패키지{Light emitting diode package}A light emitting diode package

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 연색성이 우수하고 조사각을 넓게 조절할 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package excellent in color rendering property and capable of controlling a wide irradiation angle.

발광 다이오드는 P-N접합 반도체의 특성을 이용한 발광소자로서, 종래의 형광등, 백열전구 등에 비해서 전력소비가 낮고, 수명이 길며, 수명이 길다는 장점이 있다. 과거에는 비싼 가격으로 인해 널리 사용되는데 한계가 있었지만 최근에는 가격이 상당히 하락하였고, 친환경적이라는 이유 등으로 인해 형광등, 백열전구 등을 빠르게 대체하고 있다.The light-emitting diode is a light-emitting device using the characteristics of a P-N junction semiconductor. The light-emitting diode has advantages such as low power consumption, long life, and long life compared to conventional fluorescent lamps and incandescent lamps. In the past, it has been widely used due to its high price, but recently it has been rapidly replacing fluorescent lamps, incandescent lamps, etc. due to the fact that prices have dropped considerably and they are environmentally friendly.

발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 패키지를 수지재가 봉지하는 형태가 주로 적용된다. 수지재는 발광 다이오드 패키지를 외부의 충격 등으로부터 보호하는 기능을 할 뿐만 아니라 빛을 굴절시켜 발광 다이오드 패키지의 조사각을 조절하는 역할을 수행한다. 이를 위해 수지재는 보통 기판 상에서 반구형으로 형성된다. 이러한 형태는 대한민국 등록특허공보 제10-1253079호(2013년 4월 4일 등록)에 개시되어 있다.In the light emitting diode package, the resin encapsulating the light emitting diode package is mainly applied. The resin material functions not only to protect the light emitting diode package from an external impact, but also to refract light and adjust the irradiation angle of the light emitting diode package. For this purpose, the resin material is usually hemispherical on the substrate. This type is disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1253079 (registered April 4, 2013).

그러나 수지재가 기판에서 반구형을 형성하지 못하고 퍼져버리는 현상으로 인해 원하는 형태의 수지재를 형성하는 것이 어려웠다. 이러한 문제를 해결하기 위해 종래에 기판에 홈을 형성하여 홈 내부에 발광 다이오드 칩을 실장하고, 수지재를 충진하는 것이 제안되었다. 이러한 형태는 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0067541호(2012년 6월 26일 공개)에 개시되어 있다.However, due to the phenomenon that the resin material spreads without forming a hemispherical shape on the substrate, it is difficult to form a resin material of a desired shape. In order to solve such a problem, it has been proposed that a groove is formed in a substrate, a light emitting diode chip is mounted in the groove, and a resin material is filled. This type is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2012-0067541 (published on June 26, 2012).

그러나 이러한 구조의 경우 기판에 홈을 형성하는 가공 과정이 추가되어야 하고, 발광 다이오드 패키지의 소형화가 어렵다는 단점이 있다. 따라서 이러한 문제를 해결할 수 있는 발광 다이오드 패키지가 요구되고 있다.However, in such a structure, there is a disadvantage that it is difficult to miniaturize the light emitting diode package because a process for forming grooves in the substrate must be added. Therefore, there is a demand for a light emitting diode package that can solve such a problem.

대한민국 등록특허공보 제10-1253079호(2013년 4월 4일 등록)Korean Registered Patent No. 10-1253079 (registered April 4, 2013) 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0067541호(2012년 6월 26일 공개)Korean Published Patent Application No. 10-2012-0067541 (published on June 26, 2012)

본 발명이 해결하려는 과제는, 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지재의 형상을 반구 형태로 형성할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다. A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package capable of forming a hemispherical shape of a resin material that encapsulates a light emitting diode chip.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 연색성이 우수하면서 조사각을 넓게 조절할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다. Another problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package which is excellent in color rendering property and can control the irradiation angle widely.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 발광 다이오드 패키지는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 서로 이격되게 설치된 복수의 발광 다이오드 칩, 상기 베이스 기판에서 소정의 높이로 돌출되어 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩과 이격되면서 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 댐부, 상기 발광 다이오드 칩을 덮고 형광체를 포함하는 제1 수지부 및 상기 제1 수지부 상에 위치하고, 상부면은 볼록하고, 테두리 부분은 상기 댐부와 결합되는 제2 수지부를 포함하고, 상기 제2 수지부의 테두리 부분의 상부면의 접선과 상기 제2 수지부 내측 방향의 베이스 기판 사이의 각도가 100°를 초과한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including a base substrate, a plurality of light emitting diode chips spaced apart from each other on the base substrate, a plurality of light emitting diode chips protruding from the base substrate to a predetermined height, A first resin portion covering the light emitting diode chip and including a phosphor, and a second resin portion located on the first resin portion, the upper surface being convex and the rim portion being coupled with the dam portion, And the angle between the tangent of the upper surface of the rim portion of the second resin portion and the base substrate in the second resin portion inward direction exceeds 100 degrees.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩은 440nm 내지 465nm의 범위에서 피크 파장을 가지는 빛을 방출할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light emitting diode chip may emit light having a peak wavelength in the range of 440 nm to 465 nm.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 수지부는 515nm 내지 545nm의 범위에서 발광 파장을 가지는 제1 형광체, 500nm 내지 530nm의 범위에서 발광 파장을 가지는 제2 형광체 및 620nm 내지 660nm의 범위에서 발광 파장을 가지는 제3 형광체를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first resin portion may include a first phosphor having an emission wavelength in a range of 515 nm to 545 nm, a second phosphor having an emission wavelength in a range of 500 nm to 530 nm, and a second phosphor having a emission wavelength in a range of 620 nm to 660 nm And a third phosphor having a wavelength.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 댐부의 표면에는 소수성 코팅이 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a hydrophobic coating may be formed on the surface of the dam portion.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 수지부의 상기 베이스 기판으로부터의 높이는 상기 댐부의 상기 베이스 기판으로부터의 높이보다 작을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the height of the first resin part from the base substrate may be smaller than the height of the dam part from the base substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 수지부의 상부면은 평평하게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the upper surface of the first resin part may be formed flat.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 수지부는 상기 발광 다이오드 칩이 방출하는 빛의 파장 대역 및 상기 형광체가 발광하는 파장 대역에 대해 투광성일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second resin part may be transmissive to a wavelength band of light emitted by the LED chip and a wavelength band at which the phosphor emits light.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 수지부는 실리콘 재질로 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second resin part may be formed of a silicon material.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩을 봉지하는 수지재의 형상을 반구 형태로 형성할 수 있는 장점이 있다.The light emitting diode package according to an embodiment of the present invention is advantageous in that the resin material for encapsulating the light emitting diode chip can be formed into a hemispherical shape.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 연색성이 우수하면서 조사각을 넓게 조절할 수 있는 장점이 있다.In addition, the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention is excellent in color rendering property and has an advantage that the irradiation angle can be controlled to be wide.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 일 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, if it is judged that it is possible to make the gist of the present invention obscure by adding a detailed description of a technique or configuration already known in the field, it is omitted from the detailed description. In addition, terms used in the present specification are terms used to appropriately express the embodiments of the present invention, which may vary depending on the person or custom in the relevant field. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification.

여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the invention. The singular forms as used herein include plural forms as long as the phrases do not expressly express the opposite meaning thereto. As used herein, the meaning of "comprising" embodies certain features, areas, integers, steps, operations, elements and / or components, And the like.

이하, 첨부된 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대해서 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 attached hereto.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 베이스 기판(100), 발광 다이오드 칩(200), 댐부(300), 제1 수지부(400) 및 제2 수지부(500)를 포함한다.1 and 2, the light emitting diode package of the present invention includes a base substrate 100, a light emitting diode chip 200, a dam 300, a first resin part 400, and a second resin part 500 .

베이스 기판(100)은 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 바닥면을 형성하는 것으로, 상부에 후술할 발광 다이오드 칩(200), 댐부(300), 제1 수지부(400) 및 제2 수지부(500)가 위치하게 된다. 베이스 기판(100)은 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board)로 형성될 수 있다. 베이스 기판(100)은 상면과 하면에 각각 전기적인 신호의 입출력이 가능한 단자(110, 120)를 포함한다. 구체적으로, 베이스 기판(100)의 상면 단자(110)는 발광 다이오드 칩(200)과 전기적으로 연결되어, 발광 다이오드 칩(200)에 전원 또는 전기적 신호를 제공할 수 있다. 또한, 베이스 기판(100)의 하면 단자(120)는 상기 상면 단자(110)와 전기적으로 연결된 것이며, 외부에서 전원 또는 전기적 신호를 제공 받는데 사용될 수 있다.The base substrate 100 forms a bottom surface of the light emitting diode package of the present invention and includes a light emitting diode chip 200, a dam 300, a first resin part 400, and a second resin part 500 ). The base substrate 100 may be formed of a printed circuit board (PCB). The base substrate 100 includes terminals 110 and 120 capable of inputting and outputting an electric signal to the upper surface and the lower surface, respectively. Specifically, the upper surface terminal 110 of the base substrate 100 may be electrically connected to the light emitting diode chip 200 to provide a power or an electrical signal to the light emitting diode chip 200. The lower surface terminal 120 of the base substrate 100 is electrically connected to the upper surface terminal 110 and may be used to receive external power or electrical signals.

발광 다이오드 칩(200)은 베이스 기판(100)의 상면 상에 설치된다. 발광 다이오드 칩(200)은 베이스 기판(100)의 상면에 형성된 단자(110)와 전기적으로 연결되어 전원 또는 전기적 신호 등을 제공받을 수 있다. 발광 다이오드 칩(200)과 베이스 기판(100)은 다양한 방식으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 와이어 본딩 방식, 리드 프레임 결합 방식 및 표면 실장 방식(SMT) 등이 사용될 수 있으며, 본 발명은 특정한 결합 형태에 한정되는 것은 아니다.The light emitting diode chip 200 is mounted on the upper surface of the base substrate 100. The light emitting diode chip 200 is electrically connected to the terminal 110 formed on the upper surface of the base substrate 100 to receive power or electric signals. The light emitting diode chip 200 and the base substrate 100 may be connected in various ways. Specifically, a wire bonding method, a lead frame bonding method, and a surface mounting method (SMT) can be used, and the present invention is not limited to a specific bonding form.

발광 다이오드 칩(LED; Light Emitting Diode)(200)은 전원을 공급받아 빛을 방출하는 발광 소자이다. 구체적으로, 발광 다이오드 칩(200)은 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자로, PN접합 구조로 형성된다. 발광 다이오드 칩(200)은 BN, SiC, ZnSe, GaN, InGaN, InAlGaN, AlGaN, BAlGaN, BInAlGaN 등으로 이루어질 수 있으며, Si 또는 Zn 등으로 도핑할 수 있다. 본 실시예에서는 발광 다이오드(LED)를 예로 들었으나, 이 외에도 전원을 공급받아 빛을 방출하는 발광 소자라면 어느 것이나 이용 가능하다.A light emitting diode (LED) 200 is a light emitting device that receives power and emits light. Specifically, the light emitting diode chip 200 is a semiconductor element that emits light when a voltage is applied in the forward direction, and is formed in a PN junction structure. The light emitting diode chip 200 may be made of BN, SiC, ZnSe, GaN, InGaN, InAlGaN, AlGaN, BAlGaN, BInAlGaN or the like and may be doped with Si or Zn. In the present embodiment, a light emitting diode (LED) is taken as an example, but any light emitting element that emits light by receiving power may be used.

발광 다이오드 칩(200)은 소재 등의 종류에 따라 미리 정해진 파장 대역의 빛을 방출한다. 구체적으로, 본 발명의 발광 다이오드 칩(200)은 블루(blue) 계열에서 피크 파장을 가지는 빛을 방출한다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 발광 다이오드 칩(200)은 440nm 내지 465nm의 범위에서 피크 파장을 가지는 빛을 방출한다.The light emitting diode chip 200 emits light of a predetermined wavelength band according to the kind of the material or the like. Specifically, the light emitting diode chip 200 of the present invention emits light having a peak wavelength in a blue system. More specifically, the light emitting diode chip 200 of the present invention emits light having a peak wavelength in the range of 440 nm to 465 nm.

본 발명의 발광 다이오드 칩(200)은 복수 개가 베이스 기판(100) 상에 서로 이격되어 설치될 수 있다. 첨부한 도면은 발광 다이오드 칩(200)이 가로, 세로 4개씩 총 16개가 설치된 것이 도시되어 있지만, 발광 다이오드 칩(200)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.A plurality of light emitting diode chips 200 of the present invention may be installed on the base substrate 100 so as to be spaced apart from each other. In the accompanying drawings, the number of the light emitting diode chips 200 is shown to be sixteen in total, that is, four in the horizontal and vertical directions. However, the number of the light emitting diode chips 200 can be variously changed.

댐부(300)는 베이스 기판(100)에서 발광 다이오드 칩(200)을 둘러싸는 위치에 소정의 높이로 돌출되어 형성되는 구조물이다. 댐부(300)는 발광 다이오드 칩(200)을 둘러싸지만, 발광 다이오드 칩(200)과는 이격되어 위치할 수 있다. 댐부(300)는 폐곡선을 이루는 형태로 형성되어, 내부에 복수의 발광 다이오드 칩(200)이 위치하게 할 수 있다. 댐부(300)는 대략 원형으로 형성될 수 있다.The dam unit 300 is a structure protruding from the base substrate 100 at a predetermined height at a position surrounding the light emitting diode chip 200. The dam 300 surrounds the light emitting diode chip 200, but may be spaced apart from the light emitting diode chip 200. The dam portion 300 is formed in a closed curve shape so that a plurality of light emitting diode chips 200 can be positioned inside the dam portion 300. The dam portion 300 may be formed in a substantially circular shape.

댐부(300)는 발광 다이오드 칩(200)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 또한, 댐부(300)는 후술할 제1 수지부(400)의 높이보다도 높게 형성될 수 있다.The dam portion 300 may be formed higher than the height of the light emitting diode chip 200. Further, the dam 300 may be formed higher than the height of the first resin part 400, which will be described later.

제1 수지부(400)는 발광 다이오드 칩(200)을 덮도록 형성된다. 제1 수지부(400)는 형광체를 포함한다. 구체적으로, 제1 수지부(400)는 실리콘계 수지 또는 에폭시계 수지 등의 수지재에 적어도 하나의 종류의 형광체 분말 등이 혼합된 것이 수 있다.The first resin part 400 is formed to cover the light emitting diode chip 200. The first resin part 400 includes a phosphor. Specifically, the first resin part 400 may be a resin material such as a silicone resin or an epoxy resin mixed with at least one type of phosphor powder.

제1 수지부(400)는 베이스 기판(100) 상에서 발광 다이오드 칩(200)을 직접 덮도록 도포된다. 제1 수지부(400)는 상술한 댐부(300)의 내부에 한정되어 도포될 수 있다. 제1 수지부(400)의 상면을 평평하게 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 수지부(400)의 상부면은 베이스 기판(100)의 상면과 평행하도록 형성될 수 있다. 제1 수지부(400)는 소정의 높이로 발광 다이오드 칩(200)을 덮도록 도포되되, 댐부(300)의 높이보다는 작은 두께로 도포되는 것이 바람직하다. 따라서 댐부(300)의 상면은 제1 수지부(400)에 의해 덮이지 않게 된다.The first resin part 400 is coated on the base substrate 100 so as to directly cover the light emitting diode chip 200. The first resin part 400 may be limited to the inside of the dam part 300 described above. The upper surface of the first resin part 400 may be formed flat. Specifically, the upper surface of the first resin part 400 may be formed to be parallel to the upper surface of the base substrate 100. The first resin part 400 is preferably coated to a predetermined height so as to cover the LED chip 200 and to a thickness smaller than the height of the dam part 300. Therefore, the upper surface of the dam portion 300 is not covered by the first resin part 400.

제1 수지부(400)는 2종류 및 3종류의 형광체를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 수지부(400)는 적어도 제1 형광체(410), 제2 형광체(420) 및 제3 형광체(430)를 포함할 수 있다. 제1 형광체(410)는 515nm 내지 545nm의 범위에서 발광 파장을 가질 수 있다. 제2 형광체(420)는 500nm 내지 530nm의 범위에서 발광 파장을 가질 수 있다. 제3 형광체(430)는 620nm 내지 660nm의 범위에서 발광 파장을 가질 수 있다. 이러한 형광체는 모두 상술한 발광 다이오드 칩(200)이 방출하는 빛을 흡수 파장으로 포함할 수 있다. 구체적으로, 상술한 형광체들은 적어도 440nm 내지 465nm의 범위의 파장 대역을 흡수 파장으로 포함한다.The first resin part 400 may include two kinds and three kinds of phosphors. Specifically, the first resin part 400 may include at least a first phosphor 410, a second phosphor 420, and a third phosphor 430. The first phosphor 410 may have an emission wavelength in the range of 515 nm to 545 nm. The second phosphor 420 may have an emission wavelength in the range of 500 nm to 530 nm. The third fluorescent material 430 may have an emission wavelength in the range of 620 nm to 660 nm. Such a phosphor may include light emitted by the above-described light emitting diode chip 200 as an absorption wavelength. Specifically, the above-mentioned phosphors have a wavelength band in a range of at least 440 nm to 465 nm as the absorption wavelength.

이러한 발광 다이오드 칩(200)과 형광체의 조합에 의해서 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 우수한 연색성을 가질 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 R9 대역이 풍부한 빛을 방출할 수 있다.By the combination of the light emitting diode chip 200 and the phosphor, the light emitting diode package of the present invention can have excellent color rendering property. Specifically, the light emitting diode package of the present invention can emit light rich in the R9 band.

제2 수지부(500)는 제1 수지부(400) 상에 위치한다. 구체적으로, 제2 수지부(500)는 하부면이 제1 수지부(400)의 상부면과 맞닿도록 형성될 수 있다. 제2 수지부(500)의 상부면은 볼록한 형태로 형성된다. 따라서 제2 수지부(500)는 대략적으로 반구형 형태로 형성될 수 있다.The second resin part 500 is located on the first resin part 400. Specifically, the second resin part 500 may be formed such that the lower surface thereof abuts the upper surface of the first resin part 400. The upper surface of the second resin part 500 is formed in a convex shape. Accordingly, the second resin part 500 can be formed in a substantially hemispherical shape.

제2 수지부(500)는 본 발명의 발광 다이오드 패키지에서 렌즈 기능을 수행한다. 구체적으로, 제2 수지부(500)는 발광 다이오드 칩(200)으로부터 방출된 빛이 굴절되어 외부로 조사되도록 한다. 이를 위해, 제2 수지부(500)는 방출되는 빛에 대해서 투광성이 우수해야 하고, 적절한 형태로 형성되어야 한다.The second resin part 500 performs a lens function in the light emitting diode package of the present invention. Specifically, the second resin part 500 refracts the light emitted from the light emitting diode chip 200 to be irradiated to the outside. For this purpose, the second resin part 500 should have excellent light transmittance to the emitted light and be formed in a proper shape.

제2 수지부(500)는 발광 다이오드 칩(200)이 방출하는 빛의 파장 대역 및 형광체가 발광하는 파장 대역에 대해 투광성인 재질로 형성된다. 예를 들어, 제2 수지부(500)는 실리콘계 수지 또는 에폭시계 수지 등으로 형성될 수 있다.The second resin part 500 is formed of a material that is transparent to the wavelength band of light emitted by the light emitting diode chip 200 and the wavelength band at which the fluorescent material emits light. For example, the second resin part 500 may be formed of a silicone resin, an epoxy resin, or the like.

그리고 제2 수지부(500)의 상부면은 볼록한 형태로 형성된다. 더 넓은 범위에 빛을 조사하기 위해서 제2 수지부(500)의 상부면은 최대한 볼록하게 형성되는 것이 필요하다. 제2 수지부(500)의 상부면의 형태는 자체의 점성의 및 제2 수지부(500)와 베이스 기판(100) 또는 댐부(300)의 관계에 의해서 결정된다. 제2 수지부(500)의 상부면의 형태에 대해서는 도 3을 참조하여 더욱 상세하게 설명하도록 한다.The upper surface of the second resin part 500 is formed in a convex shape. The upper surface of the second resin part 500 needs to be formed as convex as possible in order to irradiate light to a wider range. The shape of the upper surface of the second resin part 500 is determined by its own viscosity and the relationship between the second resin part 500 and the base substrate 100 or the dam part 300. The shape of the upper surface of the second resin part 500 will be described in more detail with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 일 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 제2 수지부(500)는 대략 물방울 형상(droplet)으로 형성되되, 테두리 부분이 댐부(300)의 상면에 걸치게 형성된다. 제2 수지부(500)는 베이스 기판(100)의 상면과 평행한 측방향으로 끝단이 댐부(300)를 초과하게 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 수지부(500)의 테두리의 하단부는 댐부(300)의 상면에 걸치지만, 측방향의 끝단은 댐부(300)보다 발광 다이오드 패키지의 외부 방향으로 초과하여 위치하는 것을 의미한다.Referring to FIG. 3, the second resin part 500 is formed in a droplet shape, and a rim part of the second resin part 500 is formed on the upper surface of the dam part 300. The second resin part 500 may be formed such that the end of the second resin part 500 in the lateral direction parallel to the upper surface of the base substrate 100 is beyond the dam part 300. Specifically, the lower end of the rim of the second resin part 500 overlies the upper surface of the dam part 300, but the lateral end thereof is located farther outward than the dam part 300 in the outward direction of the LED package.

댐부(300)는 그 표면이 소수성(hydrophobic)이 되도록 형성될 수 있다. 이를 위해서 댐부(300)의 재질 자체를 소수성 재질로 형성하는 것도 가능하며, 댐부(300)의 표면에 소수성 코팅(310)을 형성하는 것도 가능하다. 댐부(300)의 소수성은 특히 후술할 제2 수지부(500)와의 사이에서 소수성인 것이 바람직하다. 이에 따라 제2 수지부(500)는 댐부(300)와 맞닿는 부분에서 큰 접촉각(θ)을 가지도록 형성될 수 있다.The dam portion 300 may be formed such that its surface is hydrophobic. For this purpose, the material of the dam 300 may be formed of a hydrophobic material, and the hydrophobic coating 310 may be formed on the surface of the dam 300. The hydrophobic property of the dam part 300 is preferably hydrophobic with respect to the second resin part 500, which will be described later. Accordingly, the second resin part 500 can be formed to have a large contact angle? At a portion where the second resin part 500 abuts against the dam part 300.

구체적으로, 제2 수지부(500)의 접촉각(θ)은 90°를 초과하도록 형성되고, 더욱 바람직하게는 100°를 초과하도록 형성된다. 여기서, 제2 수지부(500)의 접촉각(θ)이란 제2 수지부(500)의 테두리 부분의 상부면의 접선과 제2 수지부(500) 내측 방향의 베이스 기판(100) 사이의 각도를 의미한다.Specifically, the contact angle [theta] of the second resin part 500 is formed to exceed 90 [deg.], And more preferably it is formed to exceed 100 [deg.]. The contact angle? Of the second resin part 500 is the distance between the tangent of the upper surface of the rim of the second resin part 500 and the angle between the tangent of the upper part of the rim of the second resin part 500 and the base substrate 100 in the inner direction of the second resin part 500 it means.

제2 수지부(500)의 접촉각(θ)이 100°를 초과하도록 형성하기 위해서는, 제2 수지부(500) 자체가 점성이 있는 재질이어야 한다. 또한, 제2 수지부(500)와 댐부(300)의 표면이 소수성이어야 한다. 또한, 제2 수지부(500)를 도포하는 과정에서 접촉각(θ)이 크게 될 수 있도록 천천히 수지재가 도포되는 것이 도움이 될 수 있다.In order to form the second resin part 500 so that the contact angle? Of the second resin part 500 exceeds 100 degrees, the second resin part 500 itself must be made of a viscous material. In addition, the surfaces of the second resin part 500 and the dam part 300 should be hydrophobic. In addition, it may be helpful to apply the resin material slowly so that the contact angle [theta] becomes large in the process of applying the second resin part 500. [

제2 수지부(500)는 통상적으로 디스펜서(dispenser)를 사용하여 도포될 수 있다. 제2 수지부(500)를 형성하는 과정에서, 제2 수지부(500)의 접촉각(θ)이 한계에 가까워질 경우에 디스펜서의 토출량을 작게 설정하여 접촉각(θ)을 극대화할 수 있다.The second resin part 500 can be usually applied using a dispenser. In the process of forming the second resin part 500, when the contact angle? Of the second resin part 500 approaches the limit, the discharge amount of the dispenser can be set small and the contact angle? Can be maximized.

이상, 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.The embodiments of the light emitting diode package of the present invention have been described above. The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various modifications and changes may be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the scope of the present invention should be determined not only by the claims of the present specification, but also by equivalents to the claims.

100: 베이스 기판 200: 발광 다이오드 칩
300: 댐부 400: 제1 수지부
410: 제1 형광체 420: 제2 형광체
430: 제3 형광체 500: 제2 수지부
θ: 접촉각100: base substrate 200: light emitting diode chip
300: dam part 400: first resin part
410: first phosphor 420: second phosphor
430: third phosphor 500: second resin part
θ: contact angle

Claims (8)

베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 서로 이격되게 설치된 복수의 발광 다이오드 칩;
상기 베이스 기판에서 소정의 높이로 돌출되어 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩과 이격되면서 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 댐부;
상기 발광 다이오드 칩을 덮고 형광체를 포함하는 제1 수지부; 및
상기 제1 수지부 상에 위치하고, 상부면은 볼록하고, 테두리 부분은 상기 댐부와 결합되는 제2 수지부를 포함하고,
상기 제2 수지부의 테두리 부분의 상부면의 접선과 상기 제2 수지부 내측 방향의 베이스 기판 사이의 각도가 100°를 초과하는 발광 다이오드 패키지.
A base substrate;
A plurality of light emitting diode chips spaced apart from each other on the base substrate;
A dam portion protruding at a predetermined height from the base substrate, the dam portion being spaced apart from the light emitting diode chip and surrounding the light emitting diode chip;
A first resin part covering the light emitting diode chip and including a phosphor; And
And a second resin part located on the first resin part, the upper surface being convex and the rim part being engaged with the dam part,
Wherein the angle between the tangent of the upper surface of the rim portion of the second resin portion and the base substrate in the second resin portion inward direction exceeds 100 °.
제1 항에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩은 440nm 내지 465nm의 범위에서 피크 파장을 가지는 빛을 방출하는 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting diode chip emits light having a peak wavelength in a range of 440 nm to 465 nm.
제1 항에 있어서,
상기 제1 수지부는 515nm 내지 545nm의 범위에서 발광 파장을 가지는 제1 형광체, 500nm 내지 530nm의 범위에서 발광 파장을 가지는 제2 형광체 및 620nm 내지 660nm의 범위에서 발광 파장을 가지는 제3 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first resin portion includes a first phosphor having an emission wavelength in a range of 515 nm to 545 nm, a second phosphor having an emission wavelength in a range of 500 nm to 530 nm, and a third phosphor having an emission wavelength in a range of 620 nm to 660 nm Light emitting diode package.
제1 항에 있어서,
상기 댐부의 표면에는 소수성 코팅이 형성된 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
And a hydrophobic coating is formed on the surface of the dam portion.
제1 항에 있어서,
상기 제1 수지부의 상기 베이스 기판으로부터의 높이는 상기 댐부의 상기 베이스 기판으로부터의 높이보다 작은 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein a height of the first resin portion from the base substrate is smaller than a height of the dam portion from the base substrate.
제1 항에 있어서,
상기 제1 수지부의 상부면은 평평하게 형성되는 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
And an upper surface of the first resin part is formed flat.
제1 항에 있어서,
상기 제2 수지부는 상기 발광 다이오드 칩이 방출하는 빛의 파장 대역 및 상기 형광체가 발광하는 파장 대역에 대해 투광성인 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second resin part is transparent to a wavelength band of light emitted by the LED chip and a wavelength band of the phosphor.
제1 항에 있어서,
상기 제2 수지부는 실리콘 재질로 형성되는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
And the second resin part is formed of a silicon material.
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