KR20240012590A - Lighting module and lighting apparatus - Google Patents

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KR20240012590A
KR20240012590A KR1020240002931A KR20240002931A KR20240012590A KR 20240012590 A KR20240012590 A KR 20240012590A KR 1020240002931 A KR1020240002931 A KR 1020240002931A KR 20240002931 A KR20240002931 A KR 20240002931A KR 20240012590 A KR20240012590 A KR 20240012590A
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light emitting
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황성진
강세은
김진희
진경일
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엘지이노텍 주식회사
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    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Abstract

실시 예에 개시된 조명 모듈은, 기판; 상기 기판 상에 배치되며 상기 기판에 인접한 광 출사면을 갖는 복수의 발광 소자; 상기 기판 및 상기 발광 소자 상에 배치되며 상면에 광 추출 구조를 갖는 수지층을 포함하며, 상기 광 추출 구조는 상기 복수의 발광 소자의 광축 방향으로 배열된 패턴을 포함한다. The lighting module disclosed in the embodiment includes: a substrate; a plurality of light emitting devices disposed on the substrate and having a light emitting surface adjacent to the substrate; It is disposed on the substrate and the light emitting device and includes a resin layer having a light extraction structure on an upper surface, and the light extraction structure includes a pattern arranged in the optical axis direction of the plurality of light emitting devices.

Description

조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치{LIGHTING MODULE AND LIGHTING APPARATUS}Lighting module and lighting device having the same {LIGHTING MODULE AND LIGHTING APPARATUS}

실시 예는 복수의 발광 다이오드를 갖고 면 광원을 제공하는 조명 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to a lighting module having a plurality of light emitting diodes and providing a planar light source.

실시 예는 조명 모듈을 갖는 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a lighting device having a lighting module.

실시 예는 조명 모듈을 갖는 백라이트 유닛, 액정표시장치, 차량용 램프에 관한 것이다.The embodiment relates to a backlight unit having a lighting module, a liquid crystal display, and a vehicle lamp.

통상적인 조명 응용은 차량용 조명(light)뿐만 아니라 디스플레이 및 간판용 백라이트를 포함한다. Typical lighting applications include backlights for displays and signage, as well as automotive lights.

발광 소자 예컨대, 발광 다이오드(LED)는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 이러한 발광 다이오드는 각종 표시 장치, 실내등 또는 실외등과 같은 각종 조명장치에 적용되고 있다. Light-emitting devices, such as light-emitting diodes (LEDs), have advantages such as low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to existing light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. These light emitting diodes are applied to various lighting devices such as various display devices, indoor lights, or outdoor lights.

최근에는 차량용 광원으로서, 발광 다이오드를 채용하는 램프가 제안되고 있다. 백열등과 비교하면, 발광 다이오드는 소비 전력이 작다는 점에서 유리하다. 그러나, 발광 다이오드로부터 출사되는 광의 출사각이 작기 때문에, 발광 다이오드를 차량용 램프로 사용할 경우에는, 발광 다이오드를 이용한 램프의 발광 면적을 증가시켜 주기 위한 요구가 있다. Recently, lamps employing light-emitting diodes have been proposed as light sources for vehicles. Compared to incandescent lamps, light emitting diodes have an advantage in that they consume less power. However, because the emission angle of light emitted from a light emitting diode is small, when a light emitting diode is used as a vehicle lamp, there is a need to increase the light emitting area of the lamp using the light emitting diode.

발광 다이오드는 사이즈가 작기 때문에 램프의 디자인 자유도를 높여줄 수 있고 반 영구적인 수명으로 인해 경제성도 있다.Because light emitting diodes are small in size, they can increase the design freedom of lamps and are economical due to their semi-permanent lifespan.

실시 예는 복수의 발광 소자 및 광 추출 구조를 갖는 수지층을 갖는 조명 모듈을 제공한다.An embodiment provides a lighting module having a plurality of light emitting elements and a resin layer having a light extraction structure.

실시 예는 복수의 발광 소자로부터 출사된 광을 반사하는 반사 필름 및 상기 반사 필름 상에 광 추출 구조를 갖는 수지층을 포함하는 조명 모듈을 제공한다.An embodiment provides a lighting module including a reflective film that reflects light emitted from a plurality of light emitting devices and a resin layer having a light extraction structure on the reflective film.

실시 예는 광 추출 구조의 패턴이 상기 복수의 발광 소자의 배열 방향과 직교하는 방향 또는 동일한 방향으로 배열된 수지층을 갖는 조명 모듈을 제공한다.An embodiment provides a lighting module having a resin layer in which the pattern of the light extraction structure is arranged in a direction perpendicular to or in the same direction as the arrangement direction of the plurality of light emitting elements.

실시 예는 광 추출 구조를 갖는 수지층이 기판 상에 동일한 두께로 배치된 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which a resin layer having a light extraction structure is disposed at the same thickness on a substrate.

실시 예는 광 추출 구조를 갖는 수지층이 기판 상에 동일한 두께의 제1영역과 발광 소자로부터 멀어질수록 점차 얇아지는 두께를 갖는 제2영역을 갖는 조명 모듈을 제공한다.An embodiment provides a lighting module in which a resin layer having a light extraction structure has a first region of the same thickness on a substrate and a second region having a thickness that gradually becomes thinner as the distance from the light emitting device increases.

실시 예는 광 추출 구조를 갖는 수지층이 복수의 발광 소자 각각으로부터 멀어질수록 점차 얇은 두께를 갖는 조명 모듈을 제공한다.An embodiment provides a lighting module in which a resin layer having a light extraction structure has a thickness that gradually becomes thinner as the distance from each of the plurality of light emitting devices increases.

실시 예는 면 광원을 조사하는 조명 모듈 및 이를 갖는 조명 장치를 제공한다.An embodiment provides a lighting module that irradiates a surface light source and a lighting device having the same.

실시 예는 조명 모듈을 갖는 백라이트 유닛, 액정표시장치, 차량용 램프를 제공할 수 있다. Embodiments may provide a backlight unit with a lighting module, a liquid crystal display device, and a vehicle lamp.

실시 예에 따른 조명 모듈은, 기판; 상기 기판 상에 배치되며 상기 기판에 인접한 광 출사면을 갖는 복수의 발광 소자; 상기 기판 및 상기 발광 소자 상에 배치되며 상면에 광 추출 구조를 갖는 수지층을 포함하며, 상기 광 추출 구조는 상기 복수의 발광 소자의 광축 방향으로 배열된 패턴을 포함한다. A lighting module according to an embodiment includes: a substrate; a plurality of light emitting devices disposed on the substrate and having a light emitting surface adjacent to the substrate; It is disposed on the substrate and the light emitting device and includes a resin layer having a light extraction structure on an upper surface, and the light extraction structure includes a pattern arranged in the optical axis direction of the plurality of light emitting devices.

실시 예에 따른 조명 모듈은, 기판; 상기 기판 상에 배치되며 상기 기판에 인접한 광 출사면을 갖는 복수의 발광 소자; 상기 기판 및 상기 발광 소자 상에 배치되며 상면에 광 추출 구조를 갖는 수지층을 포함하며, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 어느 한 에지에 인접하게 배치되며, 상기 광 추출 구조는 상기 복수의 발광 소자의 배열 방향과 직교하는 방향으로 배열된 패턴을 포함한다.A lighting module according to an embodiment includes: a substrate; a plurality of light emitting devices disposed on the substrate and having a light emitting surface adjacent to the substrate; It includes a resin layer disposed on the substrate and the light emitting device and having a light extraction structure on an upper surface, wherein the plurality of light emitting devices are disposed adjacent to one edge of the substrate, and the light extraction structure is disposed on the plurality of light emitting devices. It includes a pattern arranged in a direction perpendicular to the arrangement direction of the elements.

실시 예에 따른 조명 모듈에 의하면, 면 광원의 광도를 개선할 수 있다.According to the lighting module according to the embodiment, the luminous intensity of the planar light source can be improved.

실시 예에 따른 조명 모듈에 의하면, 면 광원의 광 균일도를 개선시켜 줄 수 있다.According to the lighting module according to the embodiment, the light uniformity of the planar light source can be improved.

실시 예는 발광 소자 및 기판 상에 광 추출 구조를 갖는 수지층을 이용하여 광의 손실을 줄이고 광을 분산시켜 줄 수 있다. The embodiment can reduce light loss and disperse light by using a resin layer having a light extraction structure on the light emitting device and the substrate.

실시 예에 따른 조명 모듈 및 이를 갖는 조명 장치의 광학적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The optical reliability of the lighting module according to the embodiment and the lighting device having the same can be improved.

실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 차량용 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The reliability of a vehicle lighting device having a lighting module according to an embodiment can be improved.

실시 예는 조명 모듈을 갖는 백라이트 유닛, 각 종 표시장치, 면 광원 조명 장치, 차량용 램프에 적용될 수 있다.Embodiments may be applied to backlight units with lighting modules, various display devices, surface light source lighting devices, and vehicle lamps.

도 1은 제1실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 조명 모듈의 평면도의 예이다.
도 3은 실시 예에 따른 조명 모듈에서 수지층의 광 추출 구조의 일 예를 나타낸 사시도이다.
도 4는 실시 예에 따른 조명 모듈에서 수지층의 광 추출 구조의 다른 예를 나타낸 사시도이다.
도 5는 실시 예에 따른 수지층의 광 추출 구조의 제1변형 예이다.
도 6은 실시 예에 따른 수지층의 광 추출 구조의 제2변형 예이다.
도 7은 실시 예에 따른 조명 모듈에서의 반사 필름의 측 단면도이다.
도 8은 도 7의 반사 필름에서의 반사 패턴의 예이다.
도 9는 제2실시 예에 따른 조명 모듈의 측 단면도이다.
도 10은 도 9의 조명 모듈의 수지층의 광 추출 구조를 나타낸 도면이다.
도 11은 제3실시 예에 따른 조명 모듈의 사시도이다.
도 12는 도 11의 조명 모듈의 부분 측 단면도이다.
도 13은 도 12의 조명 모듈에서 수지층의 광 추출 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 12의 조명 모듈의 부분 평면도의 예이다.
도 15는 실시 예에 따른 조명 모듈의 수지층의 광 추출 구조의 다른 예이다.
도 16 내지 도 18은 실시 예에 따른 조명 모듈의 변형 예들이다.
도 19는 제4실시 예에 따른 조명 모듈의 사시도이다.
도 20은 도 19의 조명 모듈의 부분 측 단면도이다.
도 21은 제5실시 예에 따른 조명 모듈의 평면도이다.
도 22는 실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 조명 장치의 측 단면도이다.
도 23은 도 22의 조명 장치의 다른 측 단면도이다.
도 24는 실시 예에 따른 조명 모듈의 발광 소자를 나타낸 정면도이다.
도 25는 도 24의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 26은 도 27의 발광 소자가 기판 상에 배치된 정면도이다.
도 27는 도 26의 발광 소자가 기판 상에 배치된 측면도이다.
도 28은 실시 예에 따른 조명 장치를 갖는 램프를 나타낸 도면이다.
도 29는 도 28의 차량 램프가 적용된 차량의 평면도이다.
도 30은 실시 예에 따른 조명 장치에 의한 광도를 나타낸 도면이다.
도 31은 실시 예에 따른 조명 장치에 의한 배광 분포를 나타낸 도면이다.
1 is a side cross-sectional view showing a lighting module according to a first embodiment.
Figure 2 is an example of a top view of the lighting module of Figure 1.
Figure 3 is a perspective view showing an example of a light extraction structure of a resin layer in a lighting module according to an embodiment.
Figure 4 is a perspective view showing another example of a light extraction structure of a resin layer in a lighting module according to an embodiment.
Figure 5 is a first modified example of the light extraction structure of the resin layer according to the embodiment.
Figure 6 is a second modified example of the light extraction structure of the resin layer according to the embodiment.
7 is a side cross-sectional view of a reflective film in a lighting module according to an embodiment.
Figure 8 is an example of a reflection pattern in the reflective film of Figure 7.
Figure 9 is a side cross-sectional view of a lighting module according to a second embodiment.
Figure 10 is a diagram showing the light extraction structure of the resin layer of the lighting module of Figure 9.
Figure 11 is a perspective view of a lighting module according to a third embodiment.
Figure 12 is a partial side cross-sectional view of the lighting module of Figure 11;
FIG. 13 is a diagram for explaining the light extraction structure of the resin layer in the lighting module of FIG. 12.
Figure 14 is an example of a partial plan view of the lighting module of Figure 12.
Figure 15 is another example of a light extraction structure of a resin layer of a lighting module according to an embodiment.
16 to 18 show modified examples of lighting modules according to embodiments.
Figure 19 is a perspective view of a lighting module according to a fourth embodiment.
Figure 20 is a partial side cross-sectional view of the lighting module of Figure 19;
Figure 21 is a plan view of a lighting module according to a fifth embodiment.
22 is a side cross-sectional view of a lighting device having a lighting module according to an embodiment.
FIG. 23 is a cross-sectional view from another side of the lighting device of FIG. 22.
Figure 24 is a front view showing a light-emitting element of a lighting module according to an embodiment.
FIG. 25 is a cross-sectional view along the AA side of the light emitting device of FIG. 24.
FIG. 26 is a front view of the light emitting device of FIG. 27 disposed on a substrate.
FIG. 27 is a side view of the light emitting device of FIG. 26 disposed on a substrate.
Figure 28 is a diagram showing a lamp having a lighting device according to an embodiment.
Figure 29 is a plan view of a vehicle to which the vehicle lamp of Figure 28 is applied.
Figure 30 is a diagram showing the luminous intensity by a lighting device according to an embodiment.
31 is a diagram showing light distribution by a lighting device according to an embodiment.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Hereinafter, with reference to the attached drawings, preferred embodiments that allow those skilled in the art to easily practice the present invention will be described in detail. However, it should be understood that the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only preferred embodiments of the present invention, and that there may be various equivalents and modifications that can replace them at the time of filing the present application.

본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. In explaining in detail the operating principle of a preferred embodiment of the present invention, if a detailed description of a related known function or configuration is judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. The terms described below are terms defined in consideration of their functions in the present invention, and the meaning of each term should be interpreted based on the content throughout the present specification. The same reference numerals are used for parts with similar functions and actions throughout the drawings.

본 발명에 따른 조명장치는 조명이 필요로 하는 다양한 램프장치, 이를테면 차량용 램프, 가정용 조명장치, 산업용 조명장치에 적용이 가능하다. 예컨대 차량용 램프에 적용되는 경우, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 제동등, 주간 주행등, 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scar), 리어 콤비네이션 램프, 백업 램프 등에 적용 가능하다. 본 발명의 조명장치는 실내, 실외의 광고장치, 표시 장치, 및 각 종 전동차 분야에도 적용 가능하며, 이외에도 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 조명관련 분야나 광고관련 분야 등에 적용 가능하다고 할 것이다.The lighting device according to the present invention can be applied to various lamp devices that require lighting, such as vehicle lamps, household lighting devices, and industrial lighting devices. For example, when applied to vehicle lamps, head lamps, side lights, side mirror lights, fog lights, tail lamps, brake lights, daytime running lights, vehicle interior lights, door scars, rear combination lamps, backup lamps Applicable to etc. The lighting device of the present invention can be applied to indoor and outdoor advertising devices, display devices, and various electric train fields. In addition, it can be applied to all lighting-related fields or advertising-related fields that are currently developed and commercialized or can be implemented in the future according to technological development. It will be said that it is.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and descriptions of the embodiments. In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is formed “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described, “on” and “under” include both being formed “directly” or “indirectly” through another layer. Additionally, the standards for the top or bottom of each floor are explained based on the drawing.

도 1은 제1실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 조명 모듈의 다른 예이다.Figure 1 is a side cross-sectional view showing a lighting module according to a first embodiment, and Figure 2 is another example of the lighting module of Figure 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 모듈(200)은, 기판(201), 상기 기판(201) 상에 배치된 복수의 발광 소자(100), 및 상기 기판(201) 및 상기 발광 소자(100)를 덮는 수지층(150), 및 상기 수지층(150)과 상기 기판(201) 사이에 배치된 반사 필름(110)을 포함한다. 1 and 2, the lighting module 200 according to the embodiment includes a substrate 201, a plurality of light emitting devices 100 disposed on the substrate 201, and the substrate 201 and the It includes a resin layer 150 covering the light emitting device 100, and a reflective film 110 disposed between the resin layer 150 and the substrate 201.

상기 기판(201)은, 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)을 포함하며, 예를 들어, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(201)이 바닥에 금속층이 배치된 메탈 코아 PCB로 배치될 경우, 발광 소자(100)의 방열 효율은 개선될 수 있다. The substrate 201 includes a printed circuit board (PCB), for example, a resin-based printed circuit board (PCB), metal core PCB, flexible PCB, ceramic May include PCB and FR-4 board. When the substrate 201 is arranged as a metal core PCB with a metal layer disposed on the bottom, the heat dissipation efficiency of the light emitting device 100 can be improved.

*상기 기판(201)은 상부에 배선층(미도시)을 포함하며, 상기 배선층은 복수의 발광 소자(100)를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(100)는 상기 배선층에 의해 직렬, 병렬, 또는 직-병렬로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(201)은 발광 소자(100) 및 반사 필름(110)의 베이스에 위치한 베이스 부재로 기능할 수 있다. *The substrate 201 includes a wiring layer (not shown) on the top, and the wiring layer can electrically connect the plurality of light emitting devices 100. The plurality of light emitting devices 100 may be connected in series, parallel, or series-parallel by the wiring layer, but are not limited thereto. The substrate 201 may function as a base member located at the base of the light emitting device 100 and the reflective film 110.

상기 발광 소자(100)는 도 26 및 도 27과 같이, 기판(201) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 기판(201) 상에 복수개가 일정 간격(B5)을 갖고 배열되거나, 서로 다른 간격을 갖고 배열될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 기판(201) 상에 적어도 1열로 배열되거나, 2열 또는 그 이상으로 배열될 수 있으며, 상기 1열 또는 2열 이상의 발광 소자(100)는 상기 기판(201)의 길이 방향 즉, 제1축 방향(Y)으로 배치될 수 있다. 실시 예는 설명의 편의를 위해, 길이 방향(Y)으로 복수의 발광 소자(100)가 1열로 배치된 예로 설명하기로 한다. 상기 발광 소자(100) 간의 간격은 100mm 이하 예컨대, 5mm 내지 100mm 범위를 가지거나 10mm 내지 40mm의 범위를 가질 수 있다. 상기 발광 소자(100) 간이 간격이 상기 범위를 초과하면, 원하는 광량이나 광의 균일도를 조절하는 데 어려움이 있다. The light emitting device 100 may be disposed on the substrate 201, as shown in FIGS. 26 and 27. A plurality of light emitting devices 100 may be arranged on the substrate 201 at regular intervals B5, or may be arranged at different intervals from each other. The light-emitting devices 100 may be arranged in at least one row, two rows, or more on the substrate 201, and the light-emitting devices 100 in one or more rows may be arranged on the substrate 201. It may be arranged in the longitudinal direction, that is, the first axis direction (Y). For convenience of explanation, the embodiment will be described as an example in which a plurality of light emitting devices 100 are arranged in one row in the longitudinal direction (Y). The spacing between the light emitting devices 100 may be 100 mm or less, for example, in the range of 5 mm to 100 mm, or in the range of 10 mm to 40 mm. If the spacing between the light emitting devices 100 exceeds the above range, it is difficult to control the desired amount of light or uniformity of light.

상기 발광 소자(100)는 발광 다이오드를 갖는 소자로서, LED 칩이 패키징된 패키지를 포함하며, 상기 발광 칩은 청색, 적색, 녹색, 자와선(UV) 중 적어도 하나를 발광할 수 있으며, 상기 발광소자는 백색, 청색, 적색, 녹색 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 바닥 부분이 상기 기판(201)과 전기적으로 연결되는 사이드 뷰 타입일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 발광 소자(100)는 LED 칩일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light-emitting device 100 is a device having a light-emitting diode and includes a package in which an LED chip is packaged. The light-emitting device 100 is capable of emitting at least one of blue, red, green, and ultraviolet rays (UV), and the light-emitting device 100 is a device having a light-emitting diode. The device may emit at least one of white, blue, red, and green. The light emitting device 100 may be a side view type whose bottom portion is electrically connected to the substrate 201, but is not limited thereto. As another example, the light emitting device 100 may be an LED chip, but is not limited thereto.

상기 발광 소자(100)의 광 출사면(101)은 상기 기판(201)에 인접한 면 예컨대, 상기 기판(201)의 상면에 인접한 측면에 배치될 수 있다. 상기 광 출사면(101)은 상기 발광 소자(100)의 바닥 면과 상면 사이의 측면에 배치되며, 상기 제1축 방향(Y)으로 광이 방출하게 된다. 상기 발광 소자(100)의 광 출사면(101)은 상기 반사 필름(110)과 인접한 면이거나, 상기 기판(201)의 상면 및 상기 반사 필름(110)의 상면에 대해 수직한 면일 수 있다.The light emission surface 101 of the light emitting device 100 may be disposed on a side adjacent to the substrate 201, for example, on a side adjacent to the top surface of the substrate 201. The light emission surface 101 is disposed on a side surface between the bottom and top surfaces of the light emitting device 100, and emits light in the first axis direction (Y). The light emission surface 101 of the light emitting device 100 may be a surface adjacent to the reflective film 110 or a surface perpendicular to the upper surface of the substrate 201 and the upper surface of the reflective film 110.

상기 발광 소자(100)의 광 출사면(101)으로 출사된 광의 광축(Y0)은 상기 기판(201)의 상면에 대해 평행한 축 방향이거나, 상기 기판(201)의 상면에 수평한 축에 대해 30도 이내의 범위로 틸트(Tilt)될 수 있다. 상기 광축(Y0)은 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 수평한 광이거나, 상기 발광 소자(100) 내의 LED 칩의 상면에 대해 직교하는 축 방향일 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 두께(T1)는 제2축 방향(X)의 길이보다 작을 수 있으며, 예컨대 3mm 이하 예컨대, 2mm이하일 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 제2축 방향의 길이는 상기 발광 소자(100)의 두께(T1)의 1.5배 이상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 발광 소자(100)는 두께 방향(Z)의 광 출사각보다 길이 방향의 광 출사각이 넓을 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 길이 방향(X)의 광 출사각은 110도 내지 160도의 범위를 가질 수 있다. The optical axis Y0 of the light emitted from the light emitting surface 101 of the light emitting device 100 is an axis direction parallel to the upper surface of the substrate 201, or relative to an axis horizontal to the upper surface of the substrate 201. It can be tilted within 30 degrees. The optical axis Y0 may be horizontal light emitted from the light-emitting device 100, or may be an axial direction perpendicular to the top surface of the LED chip within the light-emitting device 100. The thickness T1 of the light emitting device 100 may be smaller than the length in the second axis direction (X), for example, 3 mm or less, for example, 2 mm or less. The length of the light emitting device 100 in the second axis direction may be 1.5 times or more than the thickness T1 of the light emitting device 100, but is not limited thereto. The light emitting device 100 may have a light emission angle in the longitudinal direction that is wider than the light emission angle in the thickness direction (Z). The light emission angle of the light emitting device 100 in the longitudinal direction (X) may range from 110 degrees to 160 degrees.

상기 반사 필름(110)은 상기 기판(201) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 필름(110)은 상기 기판(201)의 상면 면적과 동일한 면적이거나 더 작은 면적을 가질 수 있다. 상기 반사 필름(110)은 상기 기판(201)의 에지로부터 이격되어, 상기 수지층(150)이 상기 기판(201)의 에지 측 상면에 접촉될 수 있다. 상기 수지층(150)이 상기 기판(201)의 에지에 접촉된 경우, 수분 침투를 억제할 수 있다. The reflective film 110 may be disposed on the substrate 201 . The reflective film 110 may have an area equal to or smaller than the top surface area of the substrate 201. The reflective film 110 is spaced apart from the edge of the substrate 201, so that the resin layer 150 can contact the upper surface of the substrate 201 on the edge side. When the resin layer 150 is in contact with the edge of the substrate 201, moisture penetration can be suppressed.

상기 반사 필름(110) 내에는 상기 발광 소자(100)의 일부가 삽입되는 구멍(118)이 배치될 수 있다. 상기 반사 필름(110)의 구멍(118)에는 상기 기판(201)의 상면이 노출되며 상기 발광 소자(100)의 하부가 본딩되는 부분일 수 있다. 상기 구멍(118)의 크기는 상기 발광 소자(100)의 사이즈와 같거나 크게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 필름(110)은 복수의 구멍(118)이 상기 각 발광 소자(100)에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 반사 필름(110)은 상기 기판(201)의 상면에 접촉되거나, 상기 수지층(150)에 의해 접착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A hole 118 into which a portion of the light emitting device 100 is inserted may be disposed in the reflective film 110 . The upper surface of the substrate 201 is exposed through the hole 118 of the reflective film 110 and may be a portion where the lower portion of the light emitting device 100 is bonded. The size of the hole 118 may be the same as or larger than the size of the light emitting device 100, but is not limited thereto. The reflective film 110 may have a plurality of holes 118 disposed at positions corresponding to each light emitting device 100 . The reflective film 110 may be in contact with the upper surface of the substrate 201 or may be adhered to the resin layer 150, but is not limited thereto.

상기 반사 필름(110)은 상기 발광 소자(100)의 두께(T1)보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 반사 필름(110)의 두께는 0.2mm±0.02mm의 범위를 포함할 수 있다. 이러한 반사 필름(110)의 구멍(118)을 통해 상기 발광 소자(100)의 하부가 관통될 수 있고 상기 발광 소자(100)의 상부는 돌출될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 광축(Y0)은 상기 반사 필름(110)의 상면보다 위에 배치될 수 있다.The reflective film 110 may be formed to have a thickness thinner than the thickness T1 of the light emitting device 100. The thickness of the reflective film 110 may range from 0.2 mm ± 0.02 mm. The lower portion of the light emitting device 100 may pass through the hole 118 of the reflective film 110 and the upper portion of the light emitting device 100 may protrude. The optical axis Y0 of the light emitting device 100 may be disposed above the top surface of the reflective film 110.

도 7과 같이, 상기 반사 필름(110)은 서로 다른 재질을 갖는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 상기 기판(201) 상에 배치되는 반사층(111), 상기 반사층(111) 상에 배치된 투광층(112), 및 상기 반사층(111)과 상기 투광층(112) 사이에 배치된 반사 패턴(113)을 포함한다. As shown in FIG. 7, the reflective film 110 may be formed in a multi-layer structure made of different materials, and includes a reflective layer 111 disposed on the substrate 201, a light-transmitting layer disposed on the reflective layer 111, and (112), and a reflective pattern 113 disposed between the reflective layer 111 and the light-transmitting layer 112.

상기 반사층(111)은 광을 반사하는 물질 예컨대, 금속 또는 비 금속 물질을 포함하며, 금속인 경우 Ag와 같은 금속 층이 배치될 수 있으며, 비 금속 물질인 경우 플라스틱 재질을 포함할 수 있다. 상기 투광층(112)은 투명한 필름으로서, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질이거나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 우레탄과 같은 투명한 플라스틱 재질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The reflective layer 111 includes a material that reflects light, such as a metal or non-metallic material. If it is a metal, a metal layer such as Ag may be disposed, and if it is a non-metallic material, it may include a plastic material. The light-transmitting layer 112 is a transparent film and may include at least one of a resin material such as silicone or epoxy, or a transparent plastic material such as polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC), or urethane.

도 7 및 도 8과 같이, 상기 반사 패턴(113)은 상기 반사층(111)과 상기 투광층(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사층(111) 및 상기 투광층(112)은 서로 접촉되지 않고 소정의 갭(gap)으로 이격될 수 있다. 상기 반사층(111)과 상기 투광층(112) 사이에는 에어 갭(113B)을 포함할 수 있다. 상기 에어 갭(113B)은 상기 반사 패턴(113) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 반사층(111)과 상기 투광층(112) 사이의 외측 둘레에는 에어 갭(113B)이 배치되거나 반사 패턴(113)이 배치될 수 있다. 상기 반사 패턴(113)은 상기 반사층(111)과 상기 투광층(112)에 접착될 수 있다. 다른 예로서, 상기 투광층(112)은 상기 반사 패턴(113) 사이의 영역을 통해 상기 반사층(111)에 접촉될 수 있다.7 and 8, the reflective pattern 113 may be disposed between the reflective layer 111 and the light-transmissive layer 112. The reflective layer 111 and the light-transmissive layer 112 may be spaced apart from each other by a predetermined gap without contacting each other. An air gap 113B may be included between the reflective layer 111 and the light-transmissive layer 112. The air gap 113B may be disposed in an area between the reflective patterns 113. An air gap 113B or a reflective pattern 113 may be disposed on the outer circumference between the reflective layer 111 and the light-transmissive layer 112. The reflective pattern 113 may be adhered to the reflective layer 111 and the light-transmissive layer 112. As another example, the light-transmissive layer 112 may contact the reflective layer 111 through an area between the reflective patterns 113.

상기 반사층(111) 및 상기 반사 패턴(113)은 상기 투광층(112)을 통해 입사된 광을 반사되며, 상기 반사된 광은 상기 수지층(150)을 통해 추출될 수 있다. 상기 반사 패턴(113)은 상기 반사층(111)의 표면에 화이트 인쇄 또는 실크 스크린 인쇄를 통해 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴(113)은 상기 입사된 광을 분산시켜 주어, 전체 영역에서의 휘도를 개선시켜 줄 수 있다. 상기 반사 패턴(113)은 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 예컨대 TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3와 같은 재질이거나 실리콘, 폴리 실리콘(PS) 중 적어도 하나를 포함하는 잉크를 이용하여 인쇄할 수 있다. 상기 반사 패턴(113)은 예컨대, 실리콘 또는 에폭시 내에 금속 산화물이 첨가된 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴(113)은 상기 발광 소자(100)로부터 멀어질수록 패턴의 밀도가 점차 높아질 수 있다. 상기 반사 패턴(113)의 단위 구조(113A)는 다각형 형상, 원 형상, 타원 형상, 정형 또는 비 정형 형상을 갖고, 2차원 또는 3차원으로 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴(113)의 단위 구조는 내부에 에어 갭(113B)을 갖는 육각형 형상이 밀집되어 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴(113)들은 단위 구조(113A)들이 서로 밀집되어 배열되거나, 반사 패턴(113)들의 그룹이 서로 이격된 영역에 에어 갭(113C)이 배치될 수 있다. 이러한 반사 패턴(113) 및 반사층(111)에 의해 광을 반사시켜 줌으로써, 발광 소자(100)의 수를 줄여줄 수 있고, 전체 영역에서의 광 균일도를 개선시켜 줄 수 있다. 상기 반사 필름(110)이 상기 수지층(150)의 바닥에 배치되므로, 상기 수지층(150)의 두께(도 1의 T2)를 얇게 할 수 있다. 실시 예에 따른 조명 모듈에서 상기 반사 필름은 제거될 수 있다. The reflective layer 111 and the reflective pattern 113 reflect light incident through the light-transmissive layer 112, and the reflected light can be extracted through the resin layer 150. The reflective pattern 113 may be formed on the surface of the reflective layer 111 through white printing or silk screen printing. The reflection pattern 113 can disperse the incident light and improve luminance in the entire area. The reflective pattern 113 may include a metal oxide, for example, a material such as TiO 2 , CaCO 3 , BaSO 4 , Al 2 O 3 or may be made using an ink containing at least one of silicon and polysilicon (PS). You can print. For example, the reflective pattern 113 may be formed of a material in which metal oxide is added to silicon or epoxy. The density of the reflective pattern 113 may gradually increase as the distance from the light emitting device 100 increases. The unit structure 113A of the reflection pattern 113 may have a polygonal shape, a circular shape, an elliptical shape, a regular shape, or an irregular shape, and may be formed in two or three dimensions. The unit structure of the reflective pattern 113 may be formed in a dense hexagonal shape with an air gap 113B therein. The reflective patterns 113 may be arranged so that the unit structures 113A are closely spaced together, or an air gap 113C may be disposed in an area where groups of the reflective patterns 113 are spaced apart from each other. By reflecting light using the reflective pattern 113 and the reflective layer 111, the number of light emitting devices 100 can be reduced and light uniformity in the entire area can be improved. Since the reflective film 110 is disposed on the bottom of the resin layer 150, the thickness (T2 in FIG. 1) of the resin layer 150 can be reduced. The reflective film may be removed from the lighting module according to the embodiment.

상기 기판(201) 상에는 수지층(150)이 배치될 수 있다. 상기 수지층(150)은 상기 기판(201)의 상면 전체 상에 배치될 수 있다. 상기 수지층(150)의 상면 면적은 상기 기판(201)의 상면 면적과 동일하거나 다를 수 있다. 상기 수지층(150)은 상기 발광 소자(100)의 두께(T1)보다 두꺼운 두께(T2)를 갖는 투명한 재질로 형성될 수 있다. 상기 수지층(150)은 실리콘, 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지층(150)은 열 경화성 수지 재료를 포함할 수 있으며, 예컨대 PC, OPS, PMMA, PVC 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 수지층(150)은 유리로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예컨대, 상기 수지층(150)의 주재료는 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주원료로 하는 수지 재료를 이용할 수 있다. 이를테면, 합성올리고머인 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 폴리아크릴인 폴리머 타입과 혼합된 것을 사용할 수 있다. 물론, 여기에 저비점 희석형 반응성 모노머인 IBOA(isobornyl acrylate), HPA(Hydroxylpropyl acrylate, 2-HEA(2-hydroxyethyl acrylate) 등이 혼합된 모노머를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로서 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone 등) 또는 산화방지제 등을 혼합할 수 있다.A resin layer 150 may be disposed on the substrate 201. The resin layer 150 may be disposed on the entire upper surface of the substrate 201. The top surface area of the resin layer 150 may be the same as or different from the top surface area of the substrate 201. The resin layer 150 may be formed of a transparent material having a thickness T2 greater than the thickness T1 of the light emitting device 100. The resin layer 150 may include a resin material such as silicone or epoxy. The resin layer 150 may include a thermosetting resin material, for example, PC, OPS, PMMA, PVC, etc. The resin layer 150 may be formed of glass, but is not limited thereto. For example, the main material of the resin layer 150 may be a resin material mainly made of urethane acrylate oligomer. For example, a synthetic oligomer, urethane acrylate oligomer, mixed with a polyacrylic polymer type can be used. Of course, it may further include monomers mixed with low boiling point diluted reactive monomers such as isobornyl acrylate (IBOA), hydroxylpropyl acrylate (HPA), and 2-hydroxyethyl acrylate (2-HEA), and as an additive, a photoinitiator (such as 1 -hydroxycyclohexyl phenyl-ketone, etc.) or antioxidants can be mixed.

상기 수지층(150) 내에는 비드(bead, 미도시)를 포함할 수 있으며, 상기 비드는 입사되는 광을 확산 및 반사시켜 주어, 광량을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 비드는 수지층(150)의 중량 대비 0.01 내지 0.3%의 범위로 배치될 수 있다. The resin layer 150 may include beads (not shown), and the beads may diffuse and reflect incident light, thereby increasing the amount of light. The beads may be arranged in an amount ranging from 0.01 to 0.3% based on the weight of the resin layer 150.

상기 수지층(150)은 상기 발광 소자(100) 상에 배치되므로, 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있고, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광의 손실을 줄일 수 있다. 상기 수지층(150)은 상기 복수의 발광 소자(100)를 덮을 수 있고 상기 발광 소자(100)의 광 출사면(101)에 접촉될 수 있다. 상기 수지층(150)의 일부는 상기 반사 필름(110)의 구멍(118)에 배치될 수 있다. 상기 수지층(150)의 일부는 상기 반사 필름(110)의 구멍(118)을 통해 상기 기판(201)의 상면에 접촉될 수 있다. 이에 따라 상기 수지층(150)의 일부가 상기 기판(201)과 접촉됨으로써, 상기 반사 필름(110)을 상기 수지층(150)과 상기 기판(201) 사이에 고정시켜 줄 수 있다. 실시 예에는 상기 반사 필름(110)의 고정을 위해, 상기 반사 필름(110)의 구멍(118)은 상기 발광 소자(100)가 배치된 이외의 영역에 다른 구멍들이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Since the resin layer 150 is disposed on the light-emitting device 100, it can protect the light-emitting device 100 and reduce loss of light emitted from the light-emitting device 100. The resin layer 150 may cover the plurality of light emitting devices 100 and may contact the light emitting surface 101 of the light emitting devices 100. A portion of the resin layer 150 may be disposed in the hole 118 of the reflective film 110. A portion of the resin layer 150 may contact the upper surface of the substrate 201 through the hole 118 of the reflective film 110. Accordingly, a portion of the resin layer 150 is in contact with the substrate 201, thereby fixing the reflective film 110 between the resin layer 150 and the substrate 201. In an embodiment, in order to fix the reflective film 110, the hole 118 of the reflective film 110 may be provided with other holes in areas other than those where the light emitting device 100 is disposed. It is not limited.

상기 수지층(150)의 두께(T2)는 상기 발광 소자(100)의 두께(T1) 이상이거나, 20mm이하일 수 있다. 상기 수지층(150)의 두께(T2)는 예컨대 2mm 내지 20mm의 범위일 수 있으며, 상기 수지층(150)의 두께(T1)가 상기 범위보다 크면 광 효율이 저하될 수 있고, 상기 범위보다 작으면 광 균일도가 저하될 수 있다. 도 2와 같이, 상기 수지층(150)은 제1축 방향(Y)의 길이(Y1)가 제2축 방향(X)의 너비(X1) 보다 크게 배치될 수 있으며, 상기 제1축 방향의 길이(Y1)는 상기 발광 소자(100)의 개수에 따라 달라질 수 있다. 상기 너비(X1)는 50mm 이하 예컨대, 10mm 내지 30mm 또는 15mm 내지 23mm의 범위일 수 있으며, 상기 너비(X1)가 상기 범위를 초과하면 광의 지향각을 벗어나는 영역이 증가하게 되어, 광 균일도가 저하될 수 있다.The thickness T2 of the resin layer 150 may be greater than or equal to the thickness T1 of the light emitting device 100 or less than 20 mm. The thickness T2 of the resin layer 150 may range from, for example, 2 mm to 20 mm. If the thickness T1 of the resin layer 150 is greater than the above range, light efficiency may decrease, and if the thickness T1 of the resin layer 150 is greater than the above range, the light efficiency may decrease. Otherwise, light uniformity may deteriorate. As shown in FIG. 2, the resin layer 150 may be arranged so that the length (Y1) in the first axis direction (Y) is greater than the width (X1) in the second axis direction (X), and The length Y1 may vary depending on the number of light emitting devices 100. The width (X1) may be 50 mm or less, for example, in the range of 10 mm to 30 mm or 15 mm to 23 mm. If the width (X1) exceeds the above range, the area outside the beam angle of light increases, and light uniformity may deteriorate. You can.

상기 수지층(150)은 표면에 금속 물질 예컨대, 알루미늄, 크롬, 황산 바륨과 같은 물질이 코팅될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 수지층(150)의 표면은 광 추출 구조(152)가 형성된 면 이외의 측면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The surface of the resin layer 150 may be coated with a metal material such as aluminum, chromium, or barium sulfate, but is not limited thereto. Here, the surface of the resin layer 150 may be a side other than the surface on which the light extraction structure 152 is formed, but is not limited thereto.

상기 수지층(150)은 상면이 광 추출 구조(152)를 포함할 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 광학 패턴으로서, 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 줄 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 수지층(150)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 수지층(150)과 상기 광 추출 구조(152)는 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 상 방향(Z0)으로 올라갈수록 점차 좁은 너비를 갖는 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 하부 너비가 넓고 상부 너비가 좁은 형상의 패턴을 포함할 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 측 단면이 반구형, 다각형 형상이거나, 다각 뿔 또는 원뿔과 같은 형상 중 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. The resin layer 150 may include a light extraction structure 152 on its upper surface. The light extraction structure 152 is an optical pattern and can change the critical angle of incident light. The light extraction structure 152 may be formed integrally with the resin layer 150. The resin layer 150 and the light extraction structure 152 may be formed of the same material. The light extraction structure 152 may be formed in a pattern with a width that gradually narrows as it goes up in the upward direction (Z0). The light extraction structure 152 may include a pattern with a wide lower width and a narrow upper width. The light extraction structure 152 may have a side cross-section that is hemispherical, polygonal, or may include at least one or two of the following shapes: a polygonal pyramid, or a cone.

상기 광 추출 구조(152)는 측 단면이 삼각형 형상을 갖는 프리즘 형상의 패턴이 배열될 수 있다. 상기 패턴은 도 3과 같이 삼각 프리즘 형상을 갖고 연속적으로 배치되거나, 도 5와 같이 패턴 사이의 영역(152A)에 소정 갭(B6)을 갖고 배열될 수 있다. 상기 패턴(154)은 도 4와 같이, 다각 뿔 형상 예컨대, 피라미드 형상으로 형성되거나, 반구형 형상으로 형성될 수 있다. 도 3과 같은 삼각형 형상의 프리즘 패턴은 광축(Y0) 방향과 직교하는 방향으로 긴 길이를 갖고 상기 광축 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 프리즘 패턴의 길이 방향은 상기 발광 소자들의 배열 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 상기 프리즘 패턴의 길이는 상기 수지층(150)의 제2축 방향(X)의 길이와 동일하거나 작을 수 있다.The light extraction structure 152 may be arranged in a prism-shaped pattern with a triangular side cross-section. The patterns may be arranged continuously in a triangular prism shape as shown in FIG. 3, or may be arranged with a predetermined gap B6 in the area 152A between the patterns as shown in FIG. 5. The pattern 154 may be formed in a polygonal pyramid shape, for example, or a hemispherical shape, as shown in FIG. 4 . The triangular prism pattern shown in FIG. 3 may have a long length in a direction perpendicular to the optical axis Y0 and may be arranged along the optical axis Y0. The longitudinal direction of the prism pattern may be perpendicular to the arrangement direction of the light emitting elements. The length of the prism pattern may be equal to or smaller than the length of the second axis direction (X) of the resin layer 150.

도 1 및 도 3과 같이, 상기 광 추출 구조(152)의 단위 패턴이 예컨대, 삼각 프리즘 패턴인 경우, 바닥 너비(B2)와 높이(B1)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 상기 패턴의 바닥 너비(B2)는 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 패턴의 바닥 너비(B2)가 상기 범위보다 작은 경우 광 추출 효율의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 광 균일도가 저하될 수 있다. 상기 패턴의 높이(B1)는 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 패턴의 높이(B1)가 상기 범위보다 작은 경우 패턴 형성에 어려움이 있고, 광 추출의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 수지층(150)의 두께(T2)가 증가하게 되는 문제가 있다. 상기 패턴 간의 간격(B3)은 패턴의 고점(P0) 간의 간격으로서, 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 광 효율의 개선이 미미하고, 상기 범위보다 큰 경우 광 균일도가 저하될 수 있다. 여기서, 상기 광 추출 구조(152)의 패턴 간의 간격(B3)이나 상기 패턴들의 바닥 너비(B2)는 서로 동일할 수 있다. 1 and 3, when the unit pattern of the light extraction structure 152 is, for example, a triangular prism pattern, the bottom width B2 and the height B1 may be the same or different from each other, and the bottom width of the pattern (B2) may be 0.2 mm or more, for example, in the range of 0.2 mm to 3 mm. If the bottom width (B2) of the pattern is smaller than the above range, the improvement in light extraction efficiency is minimal, and if it is larger than the above range, the light uniformity is poor. may deteriorate. The height (B1) of the pattern may be 0.2 mm or more, for example, in the range of 0.2 mm to 3 mm. If the height (B1) of the pattern is less than the above range, there is difficulty in forming the pattern, and the improvement in light extraction is minimal. , if it is greater than the above range, there is a problem in that the thickness T2 of the resin layer 150 increases. The spacing (B3) between the patterns is the spacing between the high points (P0) of the patterns, and may range from 0.2 mm or more, for example, 0.2 mm to 3 mm. If it is smaller than the above range, the improvement in light efficiency is minimal, and if it is larger than the above range, the improvement in light efficiency is minimal. In this case, light uniformity may deteriorate. Here, the spacing B3 between patterns of the light extraction structure 152 or the bottom width B2 of the patterns may be the same.

상기 광 추출 구조(152)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 또는 상기 반사 필름(110)에 의해 반사된 광이 입사되면, 패턴의 양 측면 즉, 경사진 측면에 의해 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광을 외부로 추출시켜 줄 수 있다. 이러한 광 추출 구조(152)에 의해 상기 수지층(150)으로 출사된 광은 면 광원이 될 수 있다. The light extraction structure 152 changes the critical angle of the light by both sides of the pattern, that is, the inclined side, when the light emitted from the light emitting device 100 or the light reflected by the reflective film 110 is incident. Given this, light can be extracted to the outside. The light emitted from the resin layer 150 by this light extraction structure 152 can be a surface light source.

다른 예로서, 상기 광 추출 구조(152)의 패턴 간의 간격(B3)이나 상기 패턴의 바닥 너비(B2)는 상기 발광 소자(100) 각각의 광 출사면(101)으로부터 멀어질수록 점차 좁아질 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 상기 발광 소자(100)와 수직 방향으로 오버랩된 영역에 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 수지층(150)은 입사된 광의 입사 광량에 따라 상기 패턴의 간격(B3)이나 바닥 너비(B2)를 다르게 배치함으로써, 전 영역에서의 광 추출 구조(152)에 의한 광의 균일도를 개선시켜 주어, 면 광원을 제공할 수 있다.As another example, the gap B3 between patterns of the light extraction structure 152 or the bottom width B2 of the pattern may gradually become narrower as the distance from the light emission surface 101 of each light emitting device 100 increases. there is. The light extraction structure 152 may be disposed in an area that overlaps the light emitting device 100 in the vertical direction. Accordingly, the resin layer 150 arranges the spacing (B3) or bottom width (B2) of the pattern differently depending on the amount of incident light, thereby improving the uniformity of light by the light extraction structure 152 in the entire area. By doing so, a surface light source can be provided.

도 5를 참조하면, 광 추출 구조(152)는 패턴들이 서로 이격된 경우, 상기 패턴 사이의 영역(152A)은 0.01mm 이상 예컨대, 0.01mm 내지 3mm의 범위로 이격될 수 있다. 상기 패턴 사이의 영역(152A)의 너비(B6)는 상기 패턴 바닥 너비(B2)와 동일하거나 작을 수 있다. 이러한 패턴들 사이의 영역(152A)은 수평한 면이거나 경사진 면 또는 오목한 곡면일 수 있다. Referring to FIG. 5 , when the patterns of the light extraction structure 152 are spaced apart from each other, the area 152A between the patterns may be spaced apart by 0.01 mm or more, for example, in the range of 0.01 mm to 3 mm. The width B6 of the area 152A between the patterns may be equal to or smaller than the pattern bottom width B2. The area 152A between these patterns may be a horizontal surface, an inclined surface, or a concave curved surface.

도 6을 참조하면, 광 추출 구조(152)는 패턴들의 고점(P0)이 볼록한 곡면을 가질 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 패턴들 사이의 저점(P1)이 오목한 곡면을 가질 수 있다. 상기 패턴들의 고점(P0) 및 저점(P1)이 곡면으로 배치되므로 입사되는 광을 반사 또는 투과시켜 줄 수 있다. 상기 패턴들의 고점(P0) 및 저점(P1)이 곡면 상에 배치되므로, 사출 시 형상이 변형되는 문제로 인한 광 손실이나, 패턴의 손해를 방지할 수 있다. 이러한 패턴의 높이, 바닥 너비 및 간격은 도 2 및 도 3의 설명을 참조하기로 한다.Referring to FIG. 6 , the light extraction structure 152 may have a curved surface where the high points (P0) of the patterns are convex. The light extraction structure 152 may have a curved surface where the low point P1 between the patterns is concave. Since the high points (P0) and low points (P1) of the patterns are arranged as curved surfaces, they can reflect or transmit incident light. Since the high points (P0) and low points (P1) of the patterns are arranged on a curved surface, light loss or damage to the pattern due to shape deformation during injection can be prevented. For the height, bottom width, and spacing of these patterns, refer to the descriptions of FIGS. 2 and 3.

다른 예로서, 상기 광 추출 구조(152)의 패턴들은 상기 수지층(150)의 상면과 상기 수지층(110)의 내부에 더 배치될 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 상기 수지층(150)이 상면 및 내부에 각각 배치될 수 있다. 상기 수지층(152)의 내부에 배치된 광 추출 구조는 도 1의 구조이거나, 후술되는 광 추출 구조를 포함할 수 있으며, 또는 내부에 경사지거나 오목한 영역 상에 광 추출 구조가 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 수지층(150)은 다층 구조로 제공되어, 하층의 상면에 제1광 추출 구조 및 상층의 상면에 제2광 추출 구조를 가질 수 있다. As another example, the patterns of the light extraction structure 152 may be further disposed on the upper surface of the resin layer 150 and inside the resin layer 110. The light extraction structure 152 may be disposed on the top and inside of the resin layer 150, respectively. The light extraction structure disposed inside the resin layer 152 may be the structure of FIG. 1, may include a light extraction structure described later, or may be disposed on an inclined or concave area inside. In this case, the resin layer 150 may be provided in a multi-layer structure, and may have a first light extraction structure on the top surface of the lower layer and a second light extraction structure on the top surface of the upper layer.

다른 예로서, 상기 광 추출 구조(152)의 패턴들은 상기 수지층(150)의 상면과, 하면에 각각 배치될 수 있다. 상기 광 추출 구조(152)는 상기 수지층(150)의 하면에 광 추출 구조가 배치됨으로써, 상기 수지층(150)의 하면으로 진행하는 광의 경로를 변경시켜 줄 수 있다. 이 경우 하부 광 추출 구조는 반사 필름으로 기능할 수 있다.As another example, the patterns of the light extraction structure 152 may be disposed on the upper and lower surfaces of the resin layer 150, respectively. The light extraction structure 152 is disposed on the lower surface of the resin layer 150, thereby changing the path of light traveling to the lower surface of the resin layer 150. In this case, the lower light extraction structure can function as a reflective film.

도 9는 제2실시 예에 따른 조명 모듈의 측 단면도이며, 도 10은 도 9의 광 추출 구조의 부분 확대도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성과 동일한 구성은 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다.FIG. 9 is a side cross-sectional view of a lighting module according to a second embodiment, and FIG. 10 is a partially enlarged view of the light extraction structure of FIG. 9. In describing the second embodiment, the description disclosed above will be referred to for the same configuration as the configuration disclosed above.

도 9 및 도 10을 참조하면, 조명 모듈(200A)은, 기판(201), 복수의 발광 소자(100), 반사 필름(110) 및 수지층(160)을 포함한다. Referring to FIGS. 9 and 10 , the lighting module 200A includes a substrate 201, a plurality of light emitting devices 100, a reflective film 110, and a resin layer 160.

상기 수지층(160)은 광 추출 구조(162)를 가지는 복수의 발광 셀(160A)을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀(160A) 각각은 상면이 수평한 제1영역(C2)과, 경사진 제2영역(C2)을 포함한다. 상기 수지층(160)의 발광 셀(160A)은 각 발광 소자(100) 상에 각각 배치될 수 있다. 상기 발광 셀(160A)은 상기 발광 소자(100) 각각의 광 출사 측 상에 배치되며, 각 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 출사되는 단위 영역이 될 수 있다. 상기 발광 셀(160A) 각각은 각 발광 소자(100)의 광 출사측 상에 배치된 영역일 수 있다. The resin layer 160 may include a plurality of light-emitting cells 160A having a light extraction structure 162. Each of the light emitting cells 160A includes a first area C2 with a horizontal upper surface and a second area C2 with an inclined upper surface. The light emitting cells 160A of the resin layer 160 may be disposed on each light emitting device 100. The light-emitting cell 160A is disposed on the light emission side of each light-emitting device 100, and may be a unit area where light emitted from each light-emitting device 100 is emitted. Each of the light emitting cells 160A may be an area disposed on the light emission side of each light emitting device 100.

상기 제1영역(C2)은 상기 발광 소자(100)와 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 제1영역(C2)의 너비는 상기 발광 소자(100)의 너비(A1)와 동일하거나 1.5배 이상일 수 있다. 상기 제1영역(C2)은 상기 발광 소자(100)의 배면보다 더 위에 위치할 수 있어, 상기 발광 소자(100)의 배면을 보호할 수 있다. 상기 제2영역(C3)은 상기 발광 소자(100)의 광 출사면(101)보다 출사 측으로 더 연장될 수 있다. 상기 제2영역(C3)은 경사진 영역으로서, 인접한 발광 소자(100)들 사이의 영역과 오버랩되는 영역일 수 있다. 상기 제1영역(C2)은 상기 발광 셀(160A)의 너비(C1) 또는 주기에 대해 50% 이하 예컨대, 5% 내지 30%의 범위에 배치될 수 있다. 상기 제1영역(C2)은 상기 제2영역(C3)에 비해 1/9.5 내지 1/7의 범위에 배치될 수 있다. 상기 제1영역(C2) 상에 배치된 광 추출 구조(162)의 패턴은 동일한 간격 및 동일한 바닥 너비를 가질 수 있다. The first area C2 may overlap the light emitting device 100 in a vertical direction. The width of the first area C2 may be equal to or 1.5 times greater than the width A1 of the light emitting device 100. The first area C2 may be located higher than the rear surface of the light-emitting device 100, thereby protecting the rear surface of the light-emitting device 100. The second area C3 may extend further toward the light emission side than the light emission surface 101 of the light emitting device 100. The second area C3 is an inclined area and may be an area that overlaps the area between adjacent light emitting devices 100. The first area C2 may be disposed within 50% or less of the width C1 or period of the light emitting cell 160A, for example, in the range of 5% to 30%. The first area C2 may be arranged in a range of 1/9.5 to 1/7 of the size of the second area C3. The patterns of the light extraction structures 162 disposed on the first area C2 may have the same spacing and the same bottom width.

상기 제2영역(C3)은 상기 기판(201)의 상면 또는 상기 반사 필름(110)의 상면에 대해 경사진 영역일 수 있다. 상기 제2영역(C3) 상의 광 추출 구조(162)는 패턴이 동일한 형상이거나 상기 기판(201)이나 반사 필름(110)에 인접할수록 패턴 간의 간격이 동일할 수 있다. The second area C3 may be an area inclined with respect to the top surface of the substrate 201 or the top surface of the reflective film 110. The patterns of the light extraction structure 162 on the second region C3 may have the same shape or the distance between the patterns may be the same as they are adjacent to the substrate 201 or the reflective film 110 .

도 10과 같이, 상기 광 추출 구조(162)는 실시 예에 개시된 다각형 또는 곡면을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 상기 광 추출 구조(162)는 단위 패턴이 예컨대, 삼각 프리즘 패턴인 경우, 바닥 너비(B2)와 높이(B1)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 상기 패턴의 바닥 너비(B2)는 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 패턴의 바닥 너비(B2)가 상기 범위보다 작은 경우 광 추출 효율의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 광 균일도가 저하될 수 있다. 상기 패턴의 높이(B1)는 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 패턴의 높이(B1)가 상기 범위보다 작은 경우 패턴 형성에 어려움이 있고, 광 추출의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 수지층(160)의 두께가 증가하게 되는 문제가 있다. 상기 패턴 간의 간격(B3)은 패턴의 고점(P0) 간의 간격으로서, 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 광 효율의 개선이 미미하고, 상기 범위보다 큰 경우 광 균일도를 저하시킬 수 있다.As shown in FIG. 10 , the light extraction structure 162 may include a pattern having a polygon or curved surface as disclosed in the embodiment. When the unit pattern of the light extraction structure 162 is, for example, a triangular prism pattern, the bottom width (B2) and the height (B1) may be the same or different from each other, and the bottom width (B2) of the pattern may be 0.2 mm or more, for example. , may range from 0.2 mm to 3 mm. If the bottom width (B2) of the pattern is smaller than the above range, the improvement in light extraction efficiency is minimal, and if it is larger than the above range, light uniformity may be reduced. The height (B1) of the pattern may be 0.2 mm or more, for example, in the range of 0.2 mm to 3 mm. If the height (B1) of the pattern is less than the above range, there is difficulty in forming the pattern, and the improvement in light extraction is minimal. , if it is greater than the above range, there is a problem in that the thickness of the resin layer 160 increases. The spacing (B3) between the patterns is the spacing between the high points (P0) of the patterns, and may range from 0.2 mm or more, for example, 0.2 mm to 3 mm. If it is smaller than the above range, the improvement in light efficiency is minimal, and if it is larger than the above range, the improvement in light efficiency is minimal. In this case, light uniformity may be reduced.

*상기 단위 패턴에서 경사진 양 측면은 경사진 제1,2측면(S1,S2)을 포함하며, 상기 제1측면(S1)은 제2측면(S2)보다 발광 소자(100)에 대해 수직한 축(Z0)에 인접한 면일 수 있다. 상기 패턴들의 제2측면(S2)의 각도(R4)가 서로 동일할 경우, 상기 제1측면(S1)의 경사 각도(R3)가 점차 작아질 수 있다. 상기 제2영역(C3)의 광 추출 구조(162)는 상기 기판(201)이나 반사 필름(110)에 인접할수록 상기 패턴의 내각(R1)이 점차 작아질 수 있다.*In the unit pattern, both inclined sides include inclined first and second sides S1 and S2, and the first side S1 is more perpendicular to the light emitting device 100 than the second side S2. It may be a side adjacent to the axis (Z0). When the angle R4 of the second side S2 of the patterns is the same, the inclination angle R3 of the first side S1 may gradually decrease. As the light extraction structure 162 of the second region C3 is closer to the substrate 201 or the reflective film 110, the inner angle R1 of the pattern may gradually become smaller.

상기 광 추출 구조(162)에서 패턴의 내각(R1)은 상기 기판(201)이나 반사 필름(110)에 인접할수록 점차 좁아지게 될 수 있으며, 예컨대 상기 발광 소자(100)와의 거리에 비례하여 작아질 수 있다. 상기 패턴의 제2측면(S2)의 각도(R4)는 서로 동일한 각도인 경우, 제1측면(S1)의 각도(R3)는 거리에 따라 변경될 수 있다. 상기 제1측면(S1)의 각도(R3)는 경사 시작 지점을 거리 0이라고 할 때, 60도 이하 예컨대, 50도 내지 60도의 범위이며, 상기 거리가 1mm 증가할 때마다 1도 이상이 감소될 수 있다. 상기 각도(R3)는 θ1 - (αⅹβ)를 포함하며, 상기 θ1는 거리가 0일 때의 각도이며, 50도 내지 60의 범위를 가지게 되며, 상기 거리(α)는 0부터 C3의 구간이며, 상기 가중치 β 는 1mm당 증가되는 각도의 가중 치로서, 1 초과 1.1 이하 예컨대, 1.06 내지 1.09의 범위일 수 있다. 예컨대, 가중치(β) 값이 1.08이고, 지점 0일 때 각도 R3가 55도인 경우, 지점 10mm이동한 위치에서의 R3는 55-(10ⅹ1.08)=44.92로 구해질 수 있다. In the light extraction structure 162, the inner angle R1 of the pattern may gradually become narrower as it approaches the substrate 201 or the reflective film 110, and for example, may become smaller in proportion to the distance from the light emitting device 100. You can. When the angle R4 of the second side S2 of the pattern is the same angle, the angle R3 of the first side S1 may change depending on the distance. The angle R3 of the first side S1 is 60 degrees or less, for example, in the range of 50 to 60 degrees, assuming that the slope start point is distance 0, and decreases by more than 1 degree every time the distance increases by 1 mm. You can. The angle (R3) includes θ1 - (α×β), where θ1 is the angle when the distance is 0 and has a range of 50 degrees to 60 degrees, and the distance (α) is in the range from 0 to C3, The weight β is a weight of the angle increased per 1 mm, and may range from more than 1 to 1.1 or less, for example, 1.06 to 1.09. For example, if the weight (β) value is 1.08 and the angle R3 is 55 degrees at point 0, R3 at a position where the point is moved 10 mm can be obtained as 55-(10×1.08)=44.92.

상기 패턴의 제2측면(S2)의 경사 각도(R4)는 패턴들의 저점들을 연결한 수평한 직선(L2)을 기준으로의 각도로서, R3보다 작을 수 있다. 상기 각도(R4)는 제2영역(C3)의 경사진 각도로서, 1도 이상 예컨대, 1도 내지 50도의 범위 또는 30도 내지 50도의 범위에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제2측면(S2)은 수평한 축(L1)을 기준으로 50도 내지 70도의 각도로 배치되어, 상기 제2영역(C3)을 경사진 구조로 제공할 수 있다. 상기 R2>R4의 조건을 만족할 수 있다. The inclination angle (R4) of the second side (S2) of the pattern is an angle based on the horizontal straight line (L2) connecting the low points of the patterns, and may be smaller than R3. The angle R4 is an inclined angle of the second region C3 and may be disposed at 1 degree or more, for example, in the range of 1 degree to 50 degrees or in the range of 30 degrees to 50 degrees. Here, the second side S2 is disposed at an angle of 50 to 70 degrees with respect to the horizontal axis L1, thereby providing the second area C3 with an inclined structure. The above condition of R2>R4 can be satisfied.

상기 수지층(160)에서 제1영역(C2)의 두께(T2)는 2mm 이상 50mm 이하 예컨대, 2mm 내지 10mm의 범위를 가질 수 있다. 상기 제2영역(C3)의 두께는 상기 제1영역(C2)의 두께(T2)보다 작을 수 있다. 상기 수지층(160) 또는 제2영역(C3)의 최소 두께(T3)는 상기 발광 소자(100)의 두께(T1)와 같거나 작거나 클 수 있다. 상기 수지층(160)의 상면 또는 제2영역(C3)의 저점(P4)은 상기 발광 소자(100)의 광축(Y0)과 동일 선상에 배치되거나 낮게 배치될 수 있다. 상기 수지층(160)의 최소 두께(T3)는 상기 반사 필름(110)의 상면으로부터 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 내지 5mm의 범위에 배치될 수 있고, 상기 범위보다 얇을 경우 연결되는 부분이 약해질 수 있고 상기 범위보다 두꺼운 경우 다른 발광 셀(150A)에 광 간섭을 줄 수 있다. 또한 제2영역(C3)가 경사진 영역으로 제공됨으로써, 광이 진행되는 도광 거리를 줄여줄 수 있다. The thickness T2 of the first region C2 in the resin layer 160 may range from 2 mm to 50 mm, for example, 2 mm to 10 mm. The thickness of the second area C3 may be smaller than the thickness T2 of the first area C2. The minimum thickness T3 of the resin layer 160 or the second region C3 may be equal to, smaller than, or greater than the thickness T1 of the light emitting device 100. The upper surface of the resin layer 160 or the low point P4 of the second region C3 may be disposed on the same line or lower than the optical axis Y0 of the light emitting device 100. The minimum thickness (T3) of the resin layer 160 may be 0.5 mm or more from the upper surface of the reflective film 110, for example, in the range of 0.5 mm to 5 mm. If it is thinner than this range, the connected portion may become weak. If it is thicker than the above range, it may cause light interference to other light emitting cells (150A). Additionally, since the second area C3 is provided as an inclined area, the light guiding distance along which light travels can be reduced.

상기 수지층(150)은 발광 셀(150A) 간의 경계 영역(C4)이 상기 발광 소자(100)의 배면 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 셀(150A) 간의 외 측면(161)은 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있으며, 인접한 발광 셀(150A)들을 서로 연결해 줄 수 있다. 상기 경계 영역(C4)은 발광 소자(100)로부터 3mm 이하 예컨대, 0.5mm 내지 2mm의 범위에 배치되어, 발광 소자(100)의 배면 부분을 보호할 수 있다. The resin layer 150 may be disposed on the back of the light emitting device 100 in a boundary area C4 between light emitting cells 150A. The outer side surface 161 between the light emitting cells 150A may be a vertical surface or an inclined surface, and may connect adjacent light emitting cells 150A to each other. The boundary area C4 is disposed at a distance of 3 mm or less from the light emitting device 100, for example, in the range of 0.5 mm to 2 mm, and can protect the rear portion of the light emitting device 100.

도 11은 제3실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 사시도이며, 도 12는 도 11의 조명 모듈의 부분 확대도이며, 도 13은 도 12의 수지층의 광 추출 구조를 나타내며, 도 14는 도 12의 조명 모듈의 평면도이다. FIG. 11 is a perspective view showing a lighting module according to a third embodiment, FIG. 12 is a partial enlarged view of the lighting module of FIG. 11, FIG. 13 shows the light extraction structure of the resin layer of FIG. 12, and FIG. 14 shows a light extraction structure of the resin layer of FIG. 12. This is a top view of the lighting module.

도 11 내지 도 14를 참조하면, 조명 모듈(200B)은 기판(201), 발광 소자(100), 수지층(170) 및 반사 필름(110)을 포함한다. 상기 수지층(170)의 발광 셀(170A)은 각 발광 소자(100) 상에 각각 배치될 수 있다. 상기 발광 셀(170A)은 상기 발광 소자(100) 각각의 광 출사측 상에 배치되며, 각 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 출사되는 영역이 될 수 있다.11 to 14, the lighting module 200B includes a substrate 201, a light emitting device 100, a resin layer 170, and a reflective film 110. The light emitting cells 170A of the resin layer 170 may be disposed on each light emitting device 100, respectively. The light-emitting cell 170A is disposed on the light emission side of each light-emitting device 100 and may be an area where light emitted from each light-emitting device 100 is emitted.

상기 수지층(170)은 경사진 영역을 포함하며, 상기 경사진 영역은 상기 수지층(170)의 상면 전 영역으로 형성될 수 있다. 상기 수지층(170)의 최대 두께(T2)는, 50mm 이하 예컨대, 2mm 내지 10mm의 범위를 포함할 수 있다. 상기 수지층(170)이 경사진 영역으로 제공됨으로써, 광이 진행되는 도광 거리를 줄여줄 수 있다.The resin layer 170 includes an inclined area, and the inclined area may be formed as the entire upper surface of the resin layer 170. The maximum thickness T2 of the resin layer 170 may be 50 mm or less, for example, in the range of 2 mm to 10 mm. By providing the resin layer 170 in an inclined area, the light guiding distance along which light travels can be reduced.

상기 수지층(170) 중에서 가장 두꺼운 두께(T2)를 갖는 영역은 상기 발광 소자(100)의 배면보다 외측 예컨대, 후 방향으로 연장될 수 있어, 상기 발광 소자(100)의 배면을 보호할 수 있다. 상기 수지층(170) 중에서 가장 얇은 두께(T3)를 갖는 영역은 다른 발광 소자(100)에 인접한 영역일 수 있다. 상기 수지층(170)의 최소 두께(T3)는 상기 발광 소자(100)의 두께와 동일하거나 더 작을 수 있다. 상기 수지층(170)의 상면에서의 저점(P4)은 상기 발광 소자(100)의 광축(Y0)과 동일 선상에 배치되거나 낮게 배치될 수 있다. 상기 수지층(170)의 최소 두께(T3)는 상기 반사 필름(110)의 상면으로부터 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 내지 5mm의 범위에 배치될 수 있고, 상기 범위보다 얇을 경우 연결되는 부분에 문제가 발생될 수 있고 상기 범위보다 두꺼운 경우 다른 발광 셀에 광 간섭을 줄 수 있다.The region with the thickest thickness T2 of the resin layer 170 may extend outward, for example, in the rear direction, beyond the rear surface of the light-emitting element 100, thereby protecting the rear surface of the light-emitting element 100. . Among the resin layer 170, the area with the thinnest thickness T3 may be an area adjacent to another light emitting device 100. The minimum thickness T3 of the resin layer 170 may be the same as or smaller than the thickness of the light emitting device 100. The low point P4 on the upper surface of the resin layer 170 may be disposed on the same line as the optical axis Y0 of the light emitting device 100 or may be disposed low. The minimum thickness (T3) of the resin layer 170 may be 0.5 mm or more from the upper surface of the reflective film 110, for example, in the range of 0.5 mm to 5 mm. If it is thinner than the above range, problems may occur in the connected portion. If it is thicker than the above range, it may cause light interference to other light-emitting cells.

상기 수지층(170)은 상면을 제외한 측면(171A,171B)들이 경사진 면이거나 수직 한 면일 수 있으며, 광 추출 구조(172)가 형성되지 않을 수 있다. 이러한 수지층(170)의 측면들은 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다. 상기 수지층(170)의 발광 셀(170A) 간의 경계 영역에 배치된 측면(171)은 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. The side surfaces 171A and 171B of the resin layer 170, excluding the top surface, may be inclined or vertical, and the light extraction structure 172 may not be formed. These side surfaces of the resin layer 170 can prevent light from leaking. The side surface 171 disposed at the boundary area between the light emitting cells 170A of the resin layer 170 may be a vertical surface or an inclined surface.

상기 광 추출 구조(172)의 패턴은 상기 기판(201)의 상면 또는 상기 반사 필름(110)의 상면에 대해 경사진 영역을 따라 배치될 수 있다. 상기 광 추출 구조(172)는 패턴이 동일한 형상이거나 상기 기판(201)이나 반사 필름(110)에 인접할수록 패턴 간의 간격이 동일하거나 다를 수 있다. The pattern of the light extraction structure 172 may be disposed along an area inclined with respect to the top surface of the substrate 201 or the top surface of the reflective film 110 . The light extraction structure 172 may have the same shape or the spacing between the patterns may be the same or different as the patterns are adjacent to the substrate 201 or the reflective film 110.

상기 수지층(170)의 광 추출 구조(172)는 실시 예에 개시된 패턴들의 설명을 참조하기로 한다. 도 13과 같이, 상기 광 추출 구조(172)의 단위 패턴이 예컨대, 삼각 프리즘 패턴인 경우, 바닥 너비(B2)와 높이(B1)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 상기 패턴의 바닥 너비(B2)는 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 패턴의 바닥 너비(B2)가 상기 범위보다 작은 경우 광 추출 효율의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 광 균일도가 저하될 수 있다. 상기 패턴의 높이(B1)는 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 패턴의 높이(B1)가 상기 범위보다 작은 경우 패턴 형성에 어려움이 있고, 광 추출의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 수지층(170)의 두께가 증가하게 되는 문제가 있다. 상기 패턴 간의 간격(B3)은 패턴의 고점 간의 간격으로서, 0.2mm 이상 예컨대, 0.2mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 광 효율의 개선이 미미하고, 상기 범위보다 큰 경우 광 균일도를 저하시킬 수 있다.For the light extraction structure 172 of the resin layer 170, refer to the description of the patterns disclosed in the embodiment. As shown in FIG. 13, when the unit pattern of the light extraction structure 172 is, for example, a triangular prism pattern, the bottom width (B2) and the height (B1) may be the same or different from each other, and the bottom width (B2) of the pattern May be 0.2 mm or more, for example, in the range of 0.2 mm to 3 mm. If the bottom width (B2) of the pattern is smaller than the above range, the improvement in light extraction efficiency is minimal, and if it is larger than the above range, light uniformity may be reduced. there is. The height (B1) of the pattern may be 0.2 mm or more, for example, in the range of 0.2 mm to 3 mm. If the height (B1) of the pattern is less than the above range, there is difficulty in forming the pattern, and the improvement in light extraction is minimal. , if it is greater than the above range, there is a problem in that the thickness of the resin layer 170 increases. The spacing (B3) between the patterns is the spacing between the high points of the patterns, and may range from 0.2 mm or more, for example, 0.2 mm to 3 mm. If it is smaller than the above range, the improvement in light efficiency is minimal, and if it is larger than the above range, the light uniformity can deteriorate.

상기 광 추출 구조(172)는 상기 기판(201)이나 반사 필름(110)에 인접할수록 상기 패턴의 내각(R1)이 점차 좁아질 수 있다. 예컨대, 상기 패턴의 제2측면(S1)의 각도(R4)가 동일할 경우, 상기 제1측면(S1)의 경사 각도(R3)가 점차 작아질 수 있다. 이에 따라 상기 패턴의 내각(R1)은 상기 기판(201)이나 반사 필름(110)에 인접할수록 점차 작아지게 될 수 있으며, 예컨대 상기 발광 소자(100)와의 거리에 비례하여 작아질 수 있다. 상기 패턴의 제2측면(S2)의 각도(R4)는 동일한 각도이며, 제1측면(S1)의 각도(R3)가 거리에 따라 변경될 수 있다. 상기 제1측면의 각도(R3)는 경사 시작 지점을 거리 0이라고 할 때, 60도 이하 예컨대, 50도 내지 60도의 범위이며, 상기 거리가 1mm 증가할 때마다 1도 이상이 감소될 수 있다. 상기 R3는 θ1 - (αⅹβ)를 포함하며, 상기 θ1는 거리가 0일 때의 각도이며, 50도 내지 60의 범위를 가지게 되며, 상기 거리α는 0부터 C3의 구간이며, 상기 가중치 β 는 1mm당 증가되는 각도의 가중 치로서, 1 초과 1.1 이하 예컨대, 1.06 내지 1.09의 범위일 수 있다. 예컨대, 가중치 β 값이 1.08이고, 지점 0일 때 각도 R3가 55도인 경우, 지점 10mm이동한 위치에서의 R3는 55-(10ⅹ1.08)=44.92로 구해질 수 있다. 이 경우 제2실시 예에 비해 시작 각도 즉, 거리가 0인 지점에서의 각도를 낮추어 주거나, 전체 상면의 경사 각도를 낮출 경우, 또는 수지층(170)의 최대 두께가 낮을 경우, 상기 각도(R3)는 달라질 수 있다.As the light extraction structure 172 approaches the substrate 201 or the reflective film 110, the inner angle R1 of the pattern may gradually become narrower. For example, when the angle R4 of the second side S1 of the pattern is the same, the inclination angle R3 of the first side S1 may gradually decrease. Accordingly, the inner angle R1 of the pattern may gradually become smaller as it approaches the substrate 201 or the reflective film 110. For example, it may become smaller in proportion to the distance from the light emitting device 100. The angle R4 of the second side S2 of the pattern is the same, and the angle R3 of the first side S1 may change depending on the distance. The angle R3 of the first side is 60 degrees or less, for example, in the range of 50 to 60 degrees, assuming the inclination start point is distance 0, and may decrease by more than 1 degree every time the distance increases by 1 mm. The R3 includes θ1 - (α×β), where θ1 is the angle when the distance is 0 and ranges from 50 degrees to 60 degrees, the distance α is in the range from 0 to C3, and the weight β is 1 mm. The weight of the angle increased per angle may range from 1 to 1.1, for example, 1.06 to 1.09. For example, if the weight β value is 1.08 and the angle R3 is 55 degrees at point 0, R3 at a position where the point is moved 10 mm can be obtained as 55-(10×1.08)=44.92. In this case, compared to the second embodiment, if the starting angle, that is, the angle at the point where the distance is 0, is lowered, the inclination angle of the entire upper surface is lowered, or the maximum thickness of the resin layer 170 is low, the angle (R3 ) may vary.

도 13에서, 상기 패턴의 제2측면(S2)의 경사 각도(R4)는 패턴들의 저점을 연결한 수평한 직선(L2)을 기준으로의 각도로서, R3보다 작을 수 있다. 각도(R5)는 수지층(170)의 상면의 경사진 각도로서, 1도 이상 예컨대, 1도 내지 10도의 범위 또는 6도 내지 10도의 범위에 배치될 수 있다. In FIG. 13, the inclination angle R4 of the second side S2 of the pattern is an angle based on the horizontal straight line L2 connecting the low points of the patterns, and may be smaller than R3. The angle R5 is an inclined angle of the upper surface of the resin layer 170 and may be disposed at 1 degree or more, for example, in the range of 1 degree to 10 degrees or in the range of 6 degrees to 10 degrees.

상기 수지층(170)의 광 추출 구조(172)의 패턴은 고점 및 저점 중 적어도 하나가 각진 면이거나 곡면을 포함할 수 있으며, 예컨대 도 3, 4, 6과 같은 형상 중에서 선택될 수 있다. 다른 예로서, 상기 광 추출 구조(172)의 패턴은 패턴 사이의 영역이 도 5와 같이, 서로 접촉되지 않고 이격될 수 있으며, 상기 이격된 영역은 경사진 면이거나 곡면일 수 있다. 또는 도 15의 광 추출 구조(172A)의 패턴들은 고점(P0)과 저점(P1) 중 적어도 하나 또는 모두가 곡면을 가지고 경사진 영역을 따라 배치될 수 있다. 여기서, 고점(P0)을 기준으로 양 측면의 너비(E3,E4)는 발광 소자의 광 출사면으로부터 멀수록 E4>E3의 조건을 만족할 수 있다. 상기 E4>E3의 조건은 도 13의 패턴에 적용될 수 있으며, 발광 소자로부터 멀어질수록 상기 E4는 E3에 비해 점차 커질 수 있다. The pattern of the light extraction structure 172 of the resin layer 170 may include at least one of the high and low points being an angled surface or a curved surface, and may be selected from, for example, shapes such as those shown in FIGS. 3, 4, and 6. As another example, the patterns of the light extraction structure 172 may be spaced apart without contacting each other, as shown in FIG. 5, and the spaced areas may be inclined or curved surfaces. Alternatively, the patterns of the light extraction structure 172A of FIG. 15 may have at least one or both of the high point (P0) and the low point (P1) having a curved surface and may be arranged along an inclined area. Here, the widths (E3, E4) of both sides based on the high point (P0) can satisfy the condition of E4>E3 as they are farther from the light emitting surface of the light emitting device. The condition E4>E3 can be applied to the pattern of FIG. 13, and as the distance from the light emitting device increases, E4 can gradually become larger than E3.

실시 예에 따른 광 추출 구조(172)의 패턴의 고점은 상기 발광 소자(100)의 광 출사면(101)로부터 멀어질수록 점차 낮은 높이를 가질 수 있다. The high point of the pattern of the light extraction structure 172 according to the embodiment may have a gradually lower height as it moves away from the light emission surface 101 of the light emitting device 100.

여기서, 상기 수지층(170) 내에 배치된 상기 발광 소자(100) 간의 간격은 100mm 이하 예컨대, 5mm 내지 100mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 서로 다른 발광 소자(100)로부터 방출된 광들 사이에 간섭이 발생될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 광량이나 광 균일도를 확보하는 데 어려움이 있다. Here, the spacing between the light emitting devices 100 disposed in the resin layer 170 may be 100 mm or less, for example, in the range of 5 mm to 100 mm. If it is smaller than the above range, the distance between the lights emitted from different light emitting devices 100 may be Interference may occur, and if it is larger than the above range, it is difficult to secure light quantity or light uniformity.

상기 수지층(170)은 상기 기판(201) 또는 상기 반사 필름(110) 상에 광 추출 구조(172)를 갖고 상기 발광 소자(100)로부터 멀어질수록 점차 얇아지는 두께로 배치될 수 있어, 상기 반사 필름(110)이나 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 상 방향으로 방출시켜 줄 수 있다. 상기 광 추출 구조(172)는 상기 발광 소자(100)로부터 멀어질수록 광축(Y0)에 더 인접하게 배치됨으로써, 광 추출 구조(172)로 입사되는 광량의 차이를 줄여줄 수 있다. 이에 따라 광 추출 구조(172)를 통해 추출된 광의 균일도는 개선될 수 있다. 여기서, 도 30은 도 11에서의 개별 발광 소자(100) 상에서의 광도를 나타내며, 상기 광도는 50 이상의 칸텔라(cd)를 나타나게 된다. 도 31는 도 11에 의한 광 균일도를 측정한 것으로, (A)는 평면(H-V)에서의 광 균일도이며, (B)(C)는 평면을 기준으로 30도 좌/우측에서 본 광 균일도를 나타내고 있다. 실시 예는 도 31과 같이, 일정한 폭 이상의 면 광원이 상기한 광도를 갖고 균일한 분포로 제공될 수 있어, 차량의 안전 기준 범위 내의 광도를 제공할 수 있다.The resin layer 170 may have a light extraction structure 172 on the substrate 201 or the reflective film 110 and may be disposed with a thickness that gradually becomes thinner as it moves away from the light emitting device 100. Light emitted from the reflective film 110 or the light emitting device 100 may be emitted upward. The light extraction structure 172 is disposed closer to the optical axis Y0 as the distance from the light emitting device 100 increases, thereby reducing the difference in the amount of light incident on the light extraction structure 172. Accordingly, the uniformity of light extracted through the light extraction structure 172 can be improved. Here, FIG. 30 shows the luminous intensity on the individual light emitting device 100 in FIG. 11, and the luminous intensity shows a cantella (cd) of 50 or more. Figure 31 shows the light uniformity measured according to Figure 11, (A) is the light uniformity in the plane (H-V), (B) (C) represents the light uniformity viewed from the left and right at 30 degrees based on the plane, there is. In an embodiment, as shown in FIG. 31, a surface light source of a certain width or more can be provided with the above-described luminous intensity and in a uniform distribution, thereby providing luminous intensity within the safety standard range of the vehicle.

도 16 내지 도 18은 도 11의 조명 모듈의 변형 예이다.Figures 16 to 18 are modified examples of the lighting module of Figure 11.

도 16과 같이, 수지층(170)의 광 추출 구조(172)는 저점 위치가 발광 소자(100)의 광축(Y0)보다 낮게 배치되며, 반사 필름(110)의 상면으로부터 이격된다. 상기 수지층(170)의 최소 두께(T3)는 발광 소자(100)의 두께(T1)보다 작은 경우이며, 이 경우 수지층(170)의 가장 얇은 영역을 통해 광이 누설되어, 다른 발광 셀로 진행하는 것을 억제할 수 있다.As shown in FIG. 16 , the low point of the light extraction structure 172 of the resin layer 170 is disposed lower than the optical axis Y0 of the light emitting device 100 and is spaced apart from the upper surface of the reflective film 110. The minimum thickness (T3) of the resin layer 170 is smaller than the thickness (T1) of the light emitting device 100. In this case, light leaks through the thinnest area of the resin layer 170 and proceeds to another light emitting cell. can be suppressed from doing so.

도 17과 같이, 수지층(170)은 상면에서 저점이 반사 필름(110)이 접촉될 수 있다. 이러한 수지층(170)의 상면 저점이 상기 반사 필름(110)에 접촉됨으로써, 발광 셀(170A) 간의 광 간섭을 줄일 수 있다. 여기서, 상기 수지층(170)의 상면의 저점(P4)은 도 14와 같이 제2축 방향(X)의 너비로 길게 형성되거나, 센터 영역에만 형성될 수 있다. 상기 수지층(170)은 인접한 발광 셀(170A) 사이의 측면(171)이 경사진 면으로 배치되어, 사출 성형이 분리가 용이할 수 있다. As shown in FIG. 17 , the resin layer 170 may be in contact with the low-point reflective film 110 on the upper surface. By contacting the upper surface low point of the resin layer 170 with the reflective film 110, light interference between the light emitting cells 170A can be reduced. Here, the low point P4 on the upper surface of the resin layer 170 may be formed long in the width of the second axis direction (X) as shown in FIG. 14, or may be formed only in the center area. The resin layer 170 is disposed with an inclined side surface 171 between adjacent light emitting cells 170A, so that injection molding can be easily separated.

도 18과 같이, 수지층(170)은 인접한 발광 셀(170A) 사이의 측면(171)에 연결된 저점(P4)이 오목한 곡면으로 광 추출 구조(172)에 연결될 수 있고, 고점이 볼록한 곡면으로 광 추출 구조(172)에 연결될 수 있다. 이러한 수지층(170)의 사출 성형시 분리가 용이할 수 있고, 상기 오목한 곡면의 저점(P4)에 의해 광축(Y0) 방향으로 진행하는 광을 효과적으로 차단하여, 다른 발광 셀에서 광 간섭이 발생되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 18, the resin layer 170 may be connected to the light extraction structure 172 with a concave curved surface at the low point P4 connected to the side surface 171 between adjacent light emitting cells 170A, and a curved surface with a high point to extract light. Can be connected to extraction structure 172. This resin layer 170 can be easily separated during injection molding, and the low point P4 of the concave curved surface effectively blocks light traveling in the direction of the optical axis Y0, preventing optical interference from occurring in other light-emitting cells. can be prevented.

도 19는 제4실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 20은 도 19의 조명 모듈의 부분 측 단면도이다. Figure 19 is a perspective view showing a lighting module according to a fourth embodiment, and Figure 20 is a partial cross-sectional view of the lighting module of Figure 19.

도 19 및 도 20을 참조하면, 조명 모듈은, 기판(201), 복수의 발광 소자(100), 상기 기판(201) 상에 반사 필름(110), 상기 기판(201) 및 발광 소자(100) 상에 광 추출 구조(182)를 갖는 수지층(180)을 포함한다.19 and 20, the lighting module includes a substrate 201, a plurality of light-emitting devices 100, a reflective film 110 on the substrate 201, the substrate 201, and a light-emitting device 100. It includes a resin layer 180 having a light extraction structure 182 thereon.

상기 발광 소자(100)는 상기 기판(201)의 제2축 방향(Y)을 따라 배열될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 기판(201)의 에지들 중 적어도 하나의 에지를 따라 배열될 수 있으며, 예컨대 상기 기판(201)의 길이 방향의 에지를 따라 배열될 수 있다.The light emitting device 100 may be arranged along the second axis direction (Y) of the substrate 201. The light emitting device 100 may be arranged along at least one edge of the substrate 201, for example, along an edge in the longitudinal direction of the substrate 201.

상기 발광 소자(100)는 상기 수지층(180)의 영역 중 두께가 두꺼운 영역을 따라 배열될 수 있다. 상기 수지층(180)의 두께는 상기 발광 소자(100)가 배치된 영역이 두껍고, 상기 발광 소자(100)로부터 멀어질수록 얇아질 수 있다. 상기 수지층(180)의 광 추출 구조(182)의 패턴은 광축(Y0) 방향으로 교대로 배열되고, 상기 광축(Y0)과 직교하는 방향의 길이로 배치될 수 있다. 상기 각 패턴의 길이는 상기 수지층(180)의 길이(Y2)와 동일할 수 있다. 상기 프리즘 패턴의 길이 방향은 상기 발광 소자들의 배열 방향과 동일한 방향일 수 있다. 상기 프리즘 패턴들은 상기 발광 소자들의 배열 방향과 직교하는 방향으로 배열될 수 있다.The light emitting device 100 may be arranged along a thicker region of the resin layer 180. The thickness of the resin layer 180 may be thick in the area where the light-emitting device 100 is disposed, and may become thinner as the distance from the light-emitting device 100 increases. The patterns of the light extraction structures 182 of the resin layer 180 may be alternately arranged in the direction of the optical axis Y0 and arranged in a length perpendicular to the optical axis Y0. The length of each pattern may be the same as the length (Y2) of the resin layer 180. The longitudinal direction of the prism pattern may be the same as the arrangement direction of the light emitting elements. The prism patterns may be arranged in a direction perpendicular to the arrangement direction of the light emitting elements.

상기 수지층(170)은 제1축 방향의 길이(X2)가 제2축 방향의 길이(Y2)보다 작을 수 있으며, 예컨대 1/2 이하일 수 있다. 상기 발광 소자(100) 간의 간격(B5)은 100mm 이하 예컨대, 1mm 내지 30mm의 범위 또는 15mm 내지 25mm의 범위일 수 있다. 상기 발광 소자(100) 간의 간격(B5)이 상기 범위보다 작은 경우 발광 소자(100)의 개수가 증가될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 암부가 발생될 수 있다. The length (X2) of the resin layer 170 in the first axis direction may be smaller than the length (Y2) in the second axis direction, for example, 1/2 or less. The spacing B5 between the light emitting devices 100 may be 100 mm or less, for example, in the range of 1 mm to 30 mm or 15 mm to 25 mm. If the spacing B5 between the light emitting devices 100 is smaller than the above range, the number of light emitting devices 100 may be increased, and if it is larger than the above range, a dark portion may be generated.

다른 예로서, 상기 발광 소자(100)는 상기 기판(201) 상에 지그 재그로 배치될 수 있고, 상기 수지층(170)의 두께는 발광 소자(100)가 배치된 영역이 두껍고, 발광 소자(100)로부터 멀어질수록 얇아질 수 있다. 상기 수지층(170)의 각 발광 셀(170A)은 각 발광 소자(100) 상에 배치된 영역으로서, 100mm 이하 예컨대, 1mm 내지 30mm의 범위 또는 15mm 내지 25mm의 범위의 너비로 각각 배치될 수 있다. 실시 예에 따른 수지층(170)의 두께를 점차 얇아지는 구조로 설명하였으나, 제1 및 제2실시 예의 수지층의 구조도 포함할 수 있다.As another example, the light-emitting device 100 may be arranged in a zigzag manner on the substrate 201, and the thickness of the resin layer 170 is thick in the area where the light-emitting device 100 is disposed, and the light-emitting device ( The further away you are from 100), the thinner it can be. Each light emitting cell 170A of the resin layer 170 is an area disposed on each light emitting device 100, and may be disposed with a width of 100 mm or less, for example, in the range of 1 mm to 30 mm or 15 mm to 25 mm. . Although the thickness of the resin layer 170 according to the embodiment has been described as having a gradually thinner structure, the structure of the resin layer 170 according to the first and second embodiments may also be included.

도 21은 실시 예에 따른 조명 모듈에서 발광 셀을 나타낸 도면이다.Figure 21 is a diagram showing a light-emitting cell in a lighting module according to an embodiment.

도 21을 참조하면, 조명 모듈은 수지층(190)이 발광 셀이 다각형 형상일 때, 모서리 영역에 발광 소자(100)를 배치하며, 수지층(190)의 광 추출 구조(192)는 패턴들이 상기 발광 소자(100)의 광축(Y0)에 직교하는 방향으로 배열될 수 있다. 이러한 패턴에 대한 상세 구성은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.Referring to FIG. 21, the lighting module arranges the light emitting element 100 in the corner area when the light emitting cell of the resin layer 190 has a polygonal shape, and the light extraction structure 192 of the resin layer 190 has patterns. It may be arranged in a direction perpendicular to the optical axis Y0 of the light emitting device 100. For detailed configuration of this pattern, refer to the description of the embodiment disclosed above.

실시 예에 따른 수지층(150,160,170,180,190)은 소정 폭을 갖는 직선형 바 형상이거나, 소정 곡률을 갖는 곡선형 바 형태이거나, 한 번 이상 절곡된 절곡된 바 형태이거나, 상기 직선, 곡선, 절곡된 형태 중 2개 이상이 혼합된 형태일 수 있다. 이러한 형상은 어플리케이션 예컨대, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 제동등(Stop lamp), 차폭등, 주간 주행등과 같은 차량 램프의 종류나 구조에 따라 다를 수 있다. 또는 다른 표시 장치나 실내등, 실외등과 같은 조명 장치에 적용될 수 있다. The resin layers (150, 160, 170, 180, 190) according to the embodiment have a straight bar shape with a predetermined width, a curved bar shape with a predetermined curvature, a bent bar shape bent more than once, or two of the straight, curved, and bent shapes. It may be a mixture of more than one. This shape may vary depending on the type or structure of vehicle lamps such as head lamps, side lights, side mirror lights, fog lights, tail lamps, stop lamps, side lights, and daytime running lights. . Alternatively, it may be applied to other display devices or lighting devices such as indoor lights and outdoor lights.

도 23 및 도 24는 실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다. 실시 예에 따른 조명 장치에서의 조명 모듈은 상기의 설명을 참조하기로 한다. 상기 조명 모듈(200B)은 실시 예에 개시된 모듈을 포함하며, 예컨대, 기판(201), 상기 기판(201) 상에 복수의 발광 소자(100), 및 수지층(170) 및 반사 필름(110)을 갖는다. 23 and 24 are diagrams showing a lighting device having a lighting module according to an embodiment. For the lighting module in the lighting device according to the embodiment, refer to the above description. The lighting module 200B includes the module disclosed in the embodiment, for example, a substrate 201, a plurality of light emitting elements 100 on the substrate 201, and a resin layer 170 and a reflective film 110. has

상기 조명 모듈(200B) 상에 광학 부재(230)가 배치될 수 있으며, 상기 광학 부재(230)는, 입사되는 광을 확산시켜 투과시켜 줄 수 있다. 상기 광학 부재(230)는 상기 수지층(170)을 통해 방출된 면 광원을 균일하게 확산시켜 출사하게 된다. 상기 광학 부재(230)는 광학 렌즈 또는 이너(inner) 렌즈를 포함할 수 있으며, 상기 광학 렌즈는 타켓 방향으로의 광을 집광시켜 주거나, 광의 경로를 변경시켜 줄 수 있다. 상기 광학 부재(230)는 상면 및 하면 중 적어도 하나에 다수의 렌즈부(231)를 포함하며, 상기 렌즈부(231)는 상기 광학 부재(230)로부터 하 방향으로 돌출된 형상이거나, 상 방향으로 돌출된 형상일 수 있다. 이러한 광학 부재(230)는 조명 장치의 배광 특성을 조절할 수 있다. An optical member 230 may be disposed on the lighting module 200B, and the optical member 230 may diffuse and transmit incident light. The optical member 230 uniformly diffuses and emits the surface light source emitted through the resin layer 170. The optical member 230 may include an optical lens or an inner lens, and the optical lens may converge light in a target direction or change the path of light. The optical member 230 includes a plurality of lens units 231 on at least one of the upper and lower surfaces, and the lens units 231 have a shape that protrudes downward from the optical member 230 or extends upward. It may be a protruding shape. This optical member 230 can adjust the light distribution characteristics of the lighting device.

상기 광학 부재(230)는 굴절률이 2.0 이하의 재질 예컨대, 1.7이하의 재질을 포함할 수 있다. 상기 광학 부재(230)의 재질은, 아크릴, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass)에 의해 형성될 수 있다. The optical member 230 may include a material with a refractive index of 2.0 or less, for example, 1.7 or less. The optical member 230 may be made of a transparent resin material such as acrylic, polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or epoxy resin (EP) or transparent glass.

상기 광학 부재(230)는 상기 조명 모듈(200B) 예컨대, 기판(201)과의 간격이 10mm 이상 예컨대, 15mm 내지 100mm의 범위일 수 있으며, 상기 간격이 상기 범위를 벗어날 경우 광도를 저하시킬 수 있고, 상기 범위보다 작을 경우 광의 균일도를 저하시킬 수 있다.The optical member 230 may have a distance from the lighting module 200B, for example, the substrate 201, in the range of 10 mm or more, for example, 15 mm to 100 mm, and if the spacing is outside the range, the luminous intensity may be reduced. , if it is smaller than the above range, the uniformity of light may be reduced.

상기 조명 모듈(200)은 바닥 면에 방열 방열 플레이트(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 방열 플레이트는 복수의 방열 핀을 구비할 수 있고, 상기 기판(201)으로 전도되는 열을 방열할 수 있다. 상기 방열 플레이트는 알루미늄, 구리, 마그네슘, 니켈과 같은 금속 중에서 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 합금을 포함할 수 있다. The lighting module 200 may include a heat dissipation plate (not shown) on its bottom surface. The heat dissipation plate may be provided with a plurality of heat dissipation fins and may dissipate heat conducted to the substrate 201. The heat dissipation plate may include at least one metal such as aluminum, copper, magnesium, and nickel, or an optional alloy thereof.

상기 조명 장치는, 수납 공간(305)을 갖는 하우징(300), 상기 하우징(300)의 수납 공간의 바닥에 배치된 실시 예에 따른 조명 모듈 및 상기 조명 모듈 상에 배치된 광학 부재(230)를 포함한다. The lighting device includes a housing 300 having a storage space 305, a lighting module according to an embodiment disposed on the bottom of the storage space of the housing 300, and an optical member 230 disposed on the lighting module. Includes.

상기 하우징(300)은, 상기 수납 공간(305)의 외 측면(303)이 상기 하우징(300)의 바닥 면에 대해 경사진 면으로 제공될 수 있으며, 이러한 경사진 면은 광의 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 하우징(300)의 수납 공간(305)의 표면은 반사 재질의 금속 물질이 형성될 수 있으며, 이러한 금속 물질에 의해 수납 공간(305) 내에서의 광 추출 효율이 개선될 수 있다. 상기 수납 공간(305)의 깊이는 상기 수지층(170)의 고점보다 크게 배치될 있고, 상기 수지층(170)을 통해 방출된 광을 방출할 수 있다.The housing 300 may be provided with an outer side 303 of the storage space 305 that is inclined with respect to the bottom surface of the housing 300, and this inclined surface improves light extraction efficiency. I can give it. The surface of the storage space 305 of the housing 300 may be formed of a reflective metal material, and light extraction efficiency within the storage space 305 may be improved by this metal material. The depth of the storage space 305 may be greater than the high point of the resin layer 170, and light emitted through the resin layer 170 may be emitted.

상기 하우징(300)은 바닥부(301) 및 반사부(302)를 포함하며, 상기 바닥부(301)는 기판(201) 아래에 배치되며, 상기 반사부(302)는 상기 바닥부(301)의 외측 둘레에서 상 방향으로 돌출되며 상기 수지층(170)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 하우징(300)은 금속 또는 플라스틱 재질을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The housing 300 includes a bottom 301 and a reflection part 302, where the bottom 301 is disposed below the substrate 201, and the reflection part 302 is located below the bottom 301. It protrudes upward from the outer circumference of and may be disposed around the resin layer 170. The housing 300 may include a metal or plastic material, but is not limited thereto.

상기 하우징(300)의 바닥부(301) 또는 반사부(302)에는 상기 기판(201)에 연결되는 케이블이 관통되는 구멍(미도시)이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 하우징(300)의 바닥부(301)에는 상기 기판(201)이 나사와 같은 체결 수단이나 접착 부재로 접착되거나, 후크와 같은 구조로 결합될 있다. 이에 따라 상기 기판(201)은 상기 하우징(300)의 바닥에 고정될 수 있다.A hole (not shown) through which a cable connected to the substrate 201 passes may be formed in the bottom 301 or the reflection part 302 of the housing 300, but the present invention is not limited thereto. The substrate 201 may be attached to the bottom 301 of the housing 300 using a fastening means such as a screw or an adhesive member, or may be coupled to the bottom 301 of the housing 300 using a hook-like structure. Accordingly, the substrate 201 can be fixed to the bottom of the housing 300.

실시 예에 따른 조명 장치는, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 정지등(Stop lamp), 차폭등, 주간 주행등과 같은 각 종 차량 조명 장치, 표시 장치, 신호등에 적용될 수 있다. Lighting devices according to embodiments include various vehicle lighting devices and display devices such as head lamps, side lights, side mirror lights, fog lights, tail lights, stop lights, side lights, and daytime running lights. , can be applied to traffic lights.

도 24은 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이고, 도 25은 도 24의 발광 소자의 A-A측 단면도이고, 도 26는 도 24의 발광 소자가 배치된 정면도이고, 도 27은 도 26의 발광 소자의 다른 측 면도이다.FIG. 24 is a plan view showing a light-emitting device according to an embodiment, FIG. 25 is a cross-sectional view along the A-A side of the light-emitting device of FIG. 24, FIG. 26 is a front view of the light-emitting device of FIG. 24 arranged, and FIG. 27 is a light-emitting device of FIG. 26. The other side is shaving.

도 24 및 도 25을 참조하면, 발광 소자(100)는 캐비티(20)를 갖는 몸체(10), 상기 캐비티(20) 내에 복수의 리드 프레임(30,40), 및 상기 복수의 리드 프레임(30,40) 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩(101)을 포함한다. 이러한 발광 소자(100)는 측면 발광형 패키지로 구현될 수 있다.24 and 25, the light emitting device 100 includes a body 10 having a cavity 20, a plurality of lead frames 30 and 40 within the cavity 20, and a plurality of lead frames 30. , 40) and includes a light emitting chip 101 disposed on at least one of the above. This light emitting device 100 may be implemented as a side emitting type package.

상기 발광 소자(100)는 제2축(X) 방향의 길이(D1)가 제1축(Y) 방향의 두께(T1)보다 3배 이상 예컨대, 4배 이상일 수 있다. 상기 제2축(X) 방향의 길이(D1)는 2.5mm 이상 예컨대, 2.7mm 내지 4.5mm 범위일 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 제2축(X) 방향의 길이(D1)를 길게 제공함으로써, 제2축(X) 방향으로 상기 발광 소자(100)들을 배열될 때, 발광 소자 패키지(100)의 개수를 줄여줄 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 두께(T1)를 상대적으로 얇게 제공할 수 있어, 상기 발광 소자(100)를 갖는 조명 모듈의 두께를 줄여줄 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 두께(T1)는 2mm 이하일 수 있다. The length D1 of the light emitting device 100 in the second axis (X) direction may be three or more times, for example, four or more times the thickness T1 in the first axis (Y) direction. The length D1 in the second axis (X) direction may be 2.5 mm or more, for example, in the range of 2.7 mm to 4.5 mm. The light emitting device 100 provides a long length D1 in the second axis (X) direction, so that when the light emitting devices 100 are arranged in the second axis (X) direction, the light emitting device package 100 The number can be reduced. The light emitting device 100 can provide a relatively thin thickness T1, thereby reducing the thickness of the lighting module including the light emitting device 100. The thickness T1 of the light emitting device 100 may be 2 mm or less.

상기 발광 소자(100)의 제2축(X) 방향의 길이(D1)는 상기 몸체(10)의 길이(D2)보다 클 수 있으며, 두께(T1)는 상기 몸체(10)의 두께 예컨대, 몸체(10)의 제2축 방향의 두께와 같을 수 있다. 상기 몸체(10)의 길이(D2)는 상기 몸체(10)의 두께에 비해 3배 이상일 수 있다.The length D1 of the light emitting device 100 in the second axis (X) direction may be greater than the length D2 of the body 10, and the thickness T1 may be the thickness of the body 10, for example, It may be the same as the thickness in the second axis direction of (10). The length D2 of the body 10 may be three times or more than the thickness of the body 10.

도 25와 같이, 상기 몸체(10)는 바닥에 리드 프레임(30,40)이 노출된 캐비티(20)를 갖는 제1몸체(10A), 상기 제1몸체(10A)를 지지하는 제2몸체(10B)를 포함한다. 상기 제1몸체(10A)는 상부 몸체이거나 전방 몸체일 수 있으며, 상기 제2몸체(10B)는 하부 몸체이거나 후방 몸체일 수 있다. 상기 제1몸체(10A)는 리드 프레임(30,40)을 기준으로 전방 영역이고, 상기 제2몸체(10B)는 리드 프레임(30,40)을 기준으로 후방 영역일 수 있다. 상기 제1,2몸체(10A,10B)는 일체로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)에는 복수의 리드 프레임(30,40) 예컨대, 제1리드 프레임(30), 및 제2리드 프레임(40)이 결합된다.As shown in Figure 25, the body 10 includes a first body 10A having a cavity 20 with lead frames 30 and 40 exposed at the bottom, and a second body supporting the first body 10A ( 10B). The first body 10A may be an upper body or a front body, and the second body 10B may be a lower body or a rear body. The first body 10A may be in the front area based on the lead frames 30 and 40, and the second body 10B may be in the rear area based on the lead frames 30 and 40. The first and second bodies 10A and 10B may be formed as one body. A plurality of lead frames 30 and 40, for example, a first lead frame 30 and a second lead frame 40, are coupled to the body 10.

상기 몸체(10)는 절연 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 발광 칩으로부터 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질 또는 반사 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(10)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 백색 계열의 수지를 포함한다. 상기 몸체(10) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(10)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(10)는 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.The body 10 may be formed of an insulating material. The body 10 may be formed of a reflective material. The body 10 may be formed of a material having a reflectance higher than the transmittance for the wavelength emitted from the light emitting chip, for example, a material having a reflectance of 70% or more. If the body 10 has a reflectivity of 70% or more, it may be defined as a non-transmissive material or a reflective material. The body 10 may be made of a resin-based insulating material, such as polyphthalamide (PPA). The body 10 may be made of a silicone-based, epoxy-based, thermosetting resin containing a plastic material, or a high heat resistance and high light resistance material. The body 10 includes white resin. In the body 10, acid anhydrides, antioxidants, release materials, light reflectors, inorganic fillers, curing catalysts, light stabilizers, lubricants, and titanium dioxide may be selectively added. It contains. The body 10 may be molded from at least one selected from the group consisting of epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, modified silicone resin, acrylic resin, and urethane resin. For example, epoxy resins made of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, etc., and acids made of hexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, etc. The anhydride was added to the epoxy resin with DBU (1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7) as a curing accelerator, ethylene glycol, titanium oxide pigment, and glass fiber as cocatalysts, and partially heated. A solid epoxy resin composition that has been B-staged through a curing reaction can be used, but is not limited thereto. The body 10 may be formed by appropriately mixing a thermosetting resin with at least one selected from the group consisting of a diffusion agent, pigment, fluorescent material, reflective material, light-shielding material, light stabilizer, and lubricant.

상기 몸체(10)는 반사 물질 예컨대, 금속 산화물이 첨가된 수지 재질을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 몸체(10)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(10)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.The body 10 may include a reflective material, such as a resin material to which metal oxide is added, and the metal oxide may include at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 . This body 10 can effectively reflect incident light. As another example, the body 10 may be formed of a light-transmitting resin material or a resin material having a phosphor that converts the wavelength of incident light.

상기 몸체(10)의 측면들을 보면, 제1측면부(11) 및 상기 제1측면부(11)의 반대측 제2측면부(12), 상기 제1,2측면부(11,12)에 인접하며 서로 반대측에 배치된 제3,4측면부(13,14)를 포함할 수 있다. 상기 제1,2측면부(11,12)는 제1축(Y) 방향에 대해 서로 대응되며, 제3,4측면부(13,14)는 제2축(X) 방향에 대해 서로 대응될 수 있다. 상기 제1측면부(11)는 상기 몸체(10)의 바닥이며, 상기 제2측면부(12)는 상기 몸체(10)의 상면일 수 있으며, 상기 제1,2측면부(11,12)는 몸체(10)의 길이(D2)를 갖는 장 측면일 수 있으며, 상기 제3,4측면부(13,14)는 상기 몸체(10)의 두께(T1)보다 얇은 두께를 갖는 단 측면일 수 있다. 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)는 기판(201)과 대응되는 측면일 수 있다. Looking at the side surfaces of the body 10, the first side portion 11 and the second side portion 12 on the opposite side of the first side portion 11 are adjacent to the first and second side portions 11 and 12 and are on opposite sides of each other. It may include disposed third and fourth side portions 13 and 14. The first and second side parts 11 and 12 may correspond to each other in the first axis (Y) direction, and the third and fourth side parts 13 and 14 may correspond to each other in the second axis (X) direction. . The first side portion 11 may be the bottom of the body 10, the second side portion 12 may be the top surface of the body 10, and the first and second side portions 11 and 12 may be the body ( It may be a long side having a length D2 of 10), and the third and fourth side portions 13 and 14 may be a short side having a thickness thinner than the thickness T1 of the body 10. The first side portion 11 of the body 10 may be a side corresponding to the substrate 201.

상기 몸체(10)는 전면부(15) 및 후면부(16)를 구비할 수 있으며, 상기 전면부(15) 및 후면부(16)는 상기 캐비티(20)가 배치되는 면일 수 있으며, 광이 출사되는 면일 수 있다. 후면부는 상기 전면부(15)의 반대측 면일 수 있다. 상기 후면부(16)는 제1후면부(16A) 및 제2후면부(16B)를 포함하며, 상기 제1후면부(16A)와 제2후면부(16B) 사이에 게이트(gate)부(16C)를 포함할 수 있다. 상기 게이트부(16C)는 상기 제1,2후면부(16A,16B) 사이에서 상기 제1,2후면부(16A,16B)보다 캐비티 방향으로 함몰될 수 있다.The body 10 may have a front portion 15 and a rear portion 16, and the front portion 15 and the rear portion 16 may be surfaces on which the cavity 20 is disposed, from which light is emitted. It could be cotton. The rear portion may be the opposite side of the front portion (15). The rear portion 16 includes a first rear portion 16A and a second rear portion 16B, and may include a gate portion 16C between the first rear portion 16A and the second rear portion 16B. You can. The gate portion 16C may be recessed between the first and second rear portions 16A and 16B in the cavity direction rather than the first and second rear portions 16A and 16B.

상기 제1리드 프레임(30)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제1리드부(31), 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 제1외곽 영역(11A,11C)에 배치된 제1본딩부(32), 상기 몸체(10)의 제3측면부(13) 상에 배치된 제1방열부(33)를 포함한다. 상기 제1본딩부(32)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제1리드부(31)로부터 절곡되고 상기 제1측면부(11)로 돌출되며, 상기 제1방열부(33)는 상기 제1본딩부(32)로부터 절곡될 수 있다. 상기 제1측면부(11)의 제1외곽 영역(11A,11C)은 상기 몸체(10)의 제3측면부(13)에 인접한 영역일 수 있다.The first lead frame 30 includes a first lead portion 31 disposed at the bottom of the cavity 20 and a first outer region 11A, 11C of the first side portion 11 of the body 10. It includes a first bonding portion 32 disposed, and a first heat dissipation portion 33 disposed on the third side portion 13 of the body 10. The first bonding portion 32 is bent from the first lead portion 31 within the body 10 and protrudes toward the first side portion 11, and the first heat dissipation portion 33 is the first heat dissipation portion 33. It can be bent from the bonding portion 32. The first outer regions 11A and 11C of the first side portion 11 may be adjacent to the third side portion 13 of the body 10.

상기 제2리드 프레임(40)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제2리드부(41), 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)의 제2외곽 영역(11B,11D)에 배치된 제2본딩부(42), 상기 몸체(10)의 제4측면부(14)에 배치된 제2방열부(43)를 포함한다. 상기 제2본딩부(42)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제2리드부(41)로부터 절곡되며, 상기 제2방열부(43)는 상기 제2본딩부(42)로부터 절곡될 수 있다. 상기 제1측면부(11)의 제2외곽 영역(11B,11D)은 상기 몸체(10)의 제4측면부(14)에 인접한 영역일 수 있다.The second lead frame 40 includes a second lead portion 41 disposed at the bottom of the cavity 20 and a second outer region 11B, 11D of the first side portion 11 of the body 10. It includes a second bonding portion 42 disposed, and a second heat dissipation portion 43 disposed on the fourth side portion 14 of the body 10. The second bonding portion 42 may be bent from the second lead portion 41 within the body 10, and the second heat dissipation portion 43 may be bent from the second bonding portion 42. . The second outer regions 11B and 11D of the first side portion 11 may be adjacent to the fourth side portion 14 of the body 10.

상기 제1,2리드부(31,41) 사이의 간극부(17)는 상기 몸체(10)의 재질로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(20)의 바닥과 동일한 수평 면이거나 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1외곽 영역(11A,11C)과 제2외곽 영역(11B,11D)은 경사진 영역(11A,11B)과 평탄한 영역(11C,11D)을 가질 수 있으며, 상기 경사진 영역(11A,11B)을 통해 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2본딩부(32,42)가 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The gap portion 17 between the first and second lead portions 31 and 41 may be formed of the material of the body 10, and may be on the same horizontal surface as the bottom of the cavity 20 or may protrude, There is no limitation to this. The first outer areas (11A, 11C) and the second outer areas (11B, 11D) may have inclined areas (11A, 11B) and flat areas (11C, 11D), and the inclined areas (11A, 11B) ), the first and second bonding portions 32 and 42 of the first and second lead frames 30 and 40 may protrude, but are not limited thereto.

여기서, 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 제1리드 프레임(30)의 제1리드부(31) 상에 배치될 수 있으며, 제1,2리드부(31,41)에 와이어(72,73)로 연결되거나, 제1리드부(31)에 접착제로 연결되고 제2리드부(41)에 와이어로 연결될 수 있다. 이러한 발광 칩(71)은 수평형 칩, 수직형 칩, 비아 구조를 갖는 칩일 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 자외선 내지 가시광선의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 자외선 또는 청색 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 II-VI족 화합물 및 III-V족 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, AlN, GaAs, AlGaAs, InP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로 형성될 수 있다. Here, the light emitting chip 71 may be placed, for example, on the first lead portion 31 of the first lead frame 30, and the wires 72 and 73 may be connected to the first and second lead portions 31 and 41. ), or it can be connected to the first lead part 31 with an adhesive and to the second lead part 41 with a wire. This light emitting chip 71 may be a horizontal chip, a vertical chip, or a chip having a via structure. The light emitting chip 71 may be mounted using a flip chip method. The light emitting chip 71 can selectively emit light within a wavelength range of ultraviolet rays to visible rays. The light emitting chip 71 may emit, for example, ultraviolet rays or blue peak wavelengths. The light emitting chip 71 may include at least one of a group II-VI compound and a group III-V compound. For example, the light emitting chip 71 may be formed of a compound selected from the group consisting of GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, AlN, GaAs, AlGaAs, InP, and mixtures thereof.

상기 캐비티(20)의 내 측면을 보면, 상기 캐비티(20)의 둘레에 배치된 제1,2,3,4내측면(21,22,23,24)은 리드 프레임(30,40)의 상면의 수평한 직선에 대해 경사질 수 있다. 상기 제1측면부(11)에 인접한 제1내측면(21)과 상기 제2측면부(12)에 인접한 제2내측면(22)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 대해 각도로 경사지며, 상기 제3측면부(13)에 인접한 제3내측면(23)과 상기 제4측면부(14)에 인접한 제4내측면(14)은 경사지되, 상기 제1,2내 측면(21,22)의 경사각도보다 작은 각도로 경사질 수 있다. 이에 따라 상기 제1,2내 측면(21,22)은 입사되는 광의 제1축 방향으로의 진행하는 것을 반사하고, 상기 제3,4내 측면(23,24)은 입사되는 광을 제2축(X) 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. Looking at the inner side of the cavity 20, the first, second, third, and fourth inner surfaces 21, 22, 23, and 24 disposed around the cavity 20 are the upper surfaces of the lead frames 30 and 40. can be inclined to a horizontal straight line. The first inner side 21 adjacent to the first side portion 11 and the second inner side 22 adjacent to the second side portion 12 are inclined at an angle with respect to the bottom of the cavity 20, and The third inner side 23 adjacent to the third side portion 13 and the fourth inner side 14 adjacent to the fourth side portion 14 are inclined, and the inclination angle of the first and second inner sides 21 and 22 is It can be inclined at a smaller angle. Accordingly, the first and second inner sides 21 and 22 reflect the incident light traveling in the first axis direction, and the third and fourth inner sides 23 and 24 reflect the incident light along the second axis. It can be spread in the (X) direction.

상기 캐비티(20)의 내 측면(21,22,23,24)은 몸체(10)의 전면부(15)로부터 수직하게 단차진 영역(25)을 구비할 수 있다. 상기 단차진 영역(25)은 몸체(10)의 전면부(15)와 내측면(21,22,23,24) 사이에 단차지게 배치될 수 있다. 상기 단차진 영역(25)은 상기 캐비티(20)을 통해 방출된 광의 지향 특성을 제어할 수 있다. The inner side surfaces 21, 22, 23, and 24 of the cavity 20 may have a vertically stepped area 25 from the front portion 15 of the body 10. The stepped area 25 may be arranged in a stepped manner between the front part 15 and the inner surface 21, 22, 23, and 24 of the body 10. The stepped area 25 can control the directivity characteristics of light emitted through the cavity 20.

도 25와 같이, 상기 캐비티(20)의 깊이(H2)는 상기 몸체(10)의 너비(H1)의 1/3 이하 예컨대, 0.3mm±0.05mm 범위일 수 있다. 상기 캐비티(20)의 깊이(H2)가 상기 범위 미만인 경우 광의 지향각 제어가 어렵고 상기 범위를 초과할 경우 몸체(10)의 너비(H1)가 증가하거나 광 지향각이 좁아지는 문제가 있다.As shown in FIG. 25, the depth H2 of the cavity 20 may be less than 1/3 of the width H1 of the body 10, for example, in the range of 0.3 mm ± 0.05 mm. If the depth H2 of the cavity 20 is less than the above range, it is difficult to control the beam angle of light, and if it exceeds the range, there is a problem in that the width H1 of the body 10 increases or the light beam angle narrows.

여기서, 상기 몸체(10)의 너비(H1)는 몸체(10)의 전면부(15)와 후면부(16) 사이의 간격일 수 있다. 여기서, 상기 몸체(10)의 너비(H2)는 상기 몸체(10)의 두께(T1)보다 클 수 있으며, 상기 몸체(10)의 너비(H2)와 두께(T1)의 차이는 0.05mm 이상 예컨대, 0.05mm 내지 0.5mm 범위일 수 있고, 상기 몸체(10)의 두께(T1)가 상대적으로 두꺼울 경우 라이트 유닛의 두께를 증가시킬 수 있고, 얇을 경우 리드 프레임(30,40)이 갖는 방열 면적이 감소될 수 있다.Here, the width H1 of the body 10 may be the gap between the front part 15 and the rear part 16 of the body 10. Here, the width (H2) of the body 10 may be greater than the thickness (T1) of the body 10, and the difference between the width (H2) and the thickness (T1) of the body 10 is 0.05 mm or more, for example. , may range from 0.05 mm to 0.5 mm, and if the thickness T1 of the body 10 is relatively thick, the thickness of the light unit can be increased, and if it is thin, the heat dissipation area of the lead frames 30 and 40 is can be reduced.

상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)에는 내측으로 함몰된 오목부(35,45)를 가질 수 있으며, 상기 오목부(35,45)는 몸체(10)의 사출 과정에 상기 몸체(10)를 지지하는 핑거(finger)들이 삽입될 수 있다. 상기 오목부(35,45)는 상기 제1,2리드 프레임(30,40)의 제1,2리드부(31,41)가 수평하게 연장되는 연장 선 상에 배치될 수 있다. 상기 오목부(35,45)는 상기 제1,2리드부(31,41)로부터 이격되게 배치될 수 있다. 상기 오목부(35,45)의 깊이는 상기 오목부(35,45)의 일부 영역이 상기 캐비티(20) 예컨대, 상기 캐비티(20)의 일부와 수직 방향으로 오버랩될 수 있는 깊이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third and fourth side portions 13 and 14 of the body 10 may have inward recessed portions 35 and 45, and the recessed portions 35 and 45 are used during the injection process of the body 10. Fingers supporting the body 10 may be inserted. The concave portions 35 and 45 may be disposed on an extension line in which the first and second lead portions 31 and 41 of the first and second lead frames 30 and 40 extend horizontally. The concave portions 35 and 45 may be arranged to be spaced apart from the first and second lead portions 31 and 41. The depth of the concave portions 35 and 45 may be formed to a depth such that a portion of the concave portions 35 and 45 may overlap the cavity 20, for example, a portion of the cavity 20 in the vertical direction. There is no limitation to this.

상기 몸체(10)의 제3,4측면부(13,14)의 후방 수납 영역을 보면, 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)로부터 경사진 제1영역(13A,14A), 상기 제1영역(13A,14A)으로부터 경사진 제2영역(13B,14B)을 포함한다. Looking at the rear storage areas of the third and fourth side parts 13 and 14 of the body 10, first areas 13A and 14A are inclined from the third side parts 13 and fourth side parts 14, It includes second areas 13B and 14B inclined from the first areas 13A and 14A.

실시 예에 따른 발광 소자(100)의 캐비티(20) 내에 배치된 발광 칩(101)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. The light emitting chip 101 disposed in the cavity 20 of the light emitting device 100 according to the embodiment may be disposed one or more. The light emitting chip 101 may be selected from, for example, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, or a yellow green LED chip.

상기 몸체(11)의 캐비티(20)에는 몰딩 부재(81)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(81)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지를 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81) 또는 상기 발광 칩(71) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(71)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 양자점, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(61)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 캐비티(20) 상에 형광체를 갖는 투광성 필름(110)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A molding member 81 is disposed in the cavity 20 of the body 11. The molding member 81 includes a light-transmitting resin such as silicone or epoxy, and may be formed as a single layer or multiple layers. A phosphor may be included on the molding member 81 or the light emitting chip 71 to change the wavelength of the light emitted, and the phosphor excites a part of the light emitted from the light emitting chip 71 to change the wavelength of light to a different wavelength. It is emitted as light. The phosphor can be selectively formed from quantum dots, YAG, TAG, silicate, nitride, and oxy-nitride-based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but is not limited thereto. The surface of the molding member 61 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, etc., but is not limited thereto. As another example, a translucent film 110 containing a phosphor may be disposed on the cavity 20, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(10)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자(100)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.A lens may be further formed on the upper part of the body 10, and the lens may include a concave and/or convex lens structure, and may adjust the light distribution of the light emitted by the light emitting device 100. You can.

상기 몸체(10) 또는 어느 하나의 리드 프레임 상에는 수광 소자, 보호 소자 등의 반도체 소자가 탑재될 수 있으며, 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.Semiconductor elements such as light receiving elements and protection elements may be mounted on the body 10 or any lead frame, and the protection elements may be implemented as thyristors, Zener diodes, or transient voltage suppression (TVS), The Zener diode protects the light emitting chip from electro static discharge (ESD).

도 26 및 도 27을 참조하면, 기판(201) 상에 적어도 하나 또는 복수개의 발광 소자(100)가 배치되며, 상기 발광 소자(100)의 하부 둘레에 반사 필름(110)이 배치된다. 상기 기판(201)은 절연층 상에 회로 패턴이 인쇄된 보드를 포함하며, 예를 들어, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 26 and 27 , at least one or a plurality of light emitting devices 100 are disposed on a substrate 201, and a reflective film 110 is disposed around the lower portion of the light emitting devices 100. The board 201 includes a board with a circuit pattern printed on an insulating layer, for example, a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, or a flexible board. It may include PCB, ceramic PCB, and FR-4 board.

상기 발광 소자(100)의 제1 및 제2리드부(33,43)는 상기 기판(201)의 전극 패턴(213,215)에 전도성 접착 부재(203,205)인 솔더 또는 전도성 테이프로 본딩된다. The first and second lead portions 33 and 43 of the light emitting device 100 are bonded to the electrode patterns 213 and 215 of the substrate 201 using solder or conductive tape, which are conductive adhesive members 203 and 205.

도 27 및 도 28은 차량 램프를 나타낸 도면이다. Figures 27 and 28 are diagrams showing vehicle lamps.

도 27 및 도 28을 참조하면, 차량(900)에서 후미등(800)은 제 1 램프 유닛(812), 제 2 램프 유닛(814), 제 3 램프 유닛(816), 및 하우징(810)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 램프 유닛(812)은 방향 지시등 역할을 위한 광원일 수 있으며, 제 2 램프 유닛(814)은 차폭등의 역할을 위한 광원일 수 있고, 제3램프 유닛(816)은 제동등 역할을 위한 광원일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 27 and 28, in the vehicle 900, the tail light 800 includes a first lamp unit 812, a second lamp unit 814, a third lamp unit 816, and a housing 810. can do. Here, the first lamp unit 812 may be a light source to serve as a turn signal, the second lamp unit 814 may be a light source to serve as a sidelight, and the third lamp unit 816 may serve as a brake light. It may be a light source for, but is not limited to, this.

상기 하우징(810)은 제 1 내지 제 3 램프 유닛(812, 814, 816)들을 수납하며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다. 이때, 하우징(810)은 차량 몸체의 디자인에 따라 굴곡을 가질 수 있고, 제 1 내지 제 3 램프 유닛(812, 814,816)은 하우징(810)의 형상에 따라, 곡면을 갖는 수 있는 면 광원을 구현할 수 있다. 도 28과 같이, 램프 유닛이 차량의 테일등, 제동등이나, 턴 시그널 램프에 적용될 경우, 차량의 턴 시그널 램프에 적용될 수 있다. The housing 810 accommodates the first to third lamp units 812, 814, and 816, and may be made of a light-transmitting material. At this time, the housing 810 may have a curve depending on the design of the vehicle body, and the first to third lamp units 812, 814, and 816 may implement a surface light source that may have a curved surface depending on the shape of the housing 810. You can. As shown in Figure 28, when the lamp unit is applied to the vehicle's tail light, brake light, or turn signal lamp, it can be applied to the vehicle's turn signal lamp.

여기서, 차량 램프의 안전 기준으로 보면, 정면광을 기준으로 측정할 경우, 테일등은 배광 기준이 4 내지 5칸텔라(cd)의 범위이며, 제동등은 배광 기준이 60내지 80 칸텔라(cd) 범위이다. 실시 예에 따른 조명 모듈은 도 30 및 도 31과 같이, 50이상의 칸텔라를 갖는 광도로 배광되므로, 상기 제동등이나 테일등과 같은 램프의 차량 안전 기준 내의 광도를 제공할 수 있다. Here, in terms of safety standards for vehicle lamps, when measured based on front light, the light distribution standard for tail lights is in the range of 4 to 5 cantella (cd), and the light distribution standard for brake lights is in the range of 60 to 80 cantella (cd). It's a range. As shown in FIGS. 30 and 31, the lighting module according to the embodiment distributes light with a luminous intensity of 50 or more cantella, and thus can provide a luminous intensity within the vehicle safety standards for lamps such as the brake light or tail light.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified and implemented in other embodiments by a person with ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the above description has been made focusing on the examples, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art will understand the above examples without departing from the essential characteristics of the present embodiment. You will be able to see that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the examples can be modified and implemented. And these variations and differences in application should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

110: 반사 필름
150,160,170,180,190: 수지층
152,162,172,182,192: 광 추출 구조
201: 기판
230: 광학 부재
300: 하우징
110: reflective film
150,160,170,180,190: Resin layer
152,162,172,182,192: Light extraction structure
201: substrate
230: Optical member
300: housing

Claims (11)

제1 방향으로 긴 길이를 갖는 기판;
상기 기판 상에 배치된 복수의 발광 소자;
상기 기판 상에 배치되며 상기 복수의 발광 소자를 밀봉하는 수지층; 및
상기 기판과 상기 수지층 사이에 배치된 반사 필름을 포함하며,
상기 반사 필름은 상기 복수의 발광소자 각각의 하부가 각각 삽입된 복수의 구멍을 포함하며,
상기 수지층은 제1 두께를 갖는 복수의 제1 영역, 및 상기 복수의 제1 영역의 상면보다 낮고 상기 제1 두께보다 작은 두께를 갖는 복수의 제2 영역을 포함하며,
상기 반사 필름의 복수의 구멍 각각은 상기 복수의 제1 영역과 수직 방향으로 각각 중첩되며,
상기 수직 방향은 상기 기판의 하면에서 상기 수지층의 상면을 향하는 방향인 조명 모듈.
A substrate having a long length in a first direction;
a plurality of light emitting devices disposed on the substrate;
a resin layer disposed on the substrate and sealing the plurality of light emitting devices; and
It includes a reflective film disposed between the substrate and the resin layer,
The reflective film includes a plurality of holes into which lower portions of each of the plurality of light emitting devices are respectively inserted,
The resin layer includes a plurality of first regions having a first thickness, and a plurality of second regions having a thickness lower than the upper surface of the plurality of first regions and less than the first thickness,
Each of the plurality of holes of the reflective film overlaps the plurality of first regions in a vertical direction,
The lighting module wherein the vertical direction is a direction from the lower surface of the substrate to the upper surface of the resin layer.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 발광소자는 제1 방향으로 배열되며,
상기 복수의 발광소자 각각은 상기 복수의 제1 영역과 상기 수직 방향으로 각각 중첩되며,
상기 복수의 구멍은 상기 제1 방향으로 배열되는, 조명 모듈.
According to claim 1,
The plurality of light emitting elements are arranged in a first direction,
Each of the plurality of light emitting devices overlaps the plurality of first regions in the vertical direction,
The lighting module, wherein the plurality of holes are arranged in the first direction.
제2 항에 있어서,
상기 복수의 발광소자 각각은 상기 제1 방향으로 가장 높은 세기의 광을 방출하며,
상기 복수의 제1 영역 각각은 상기 각 발광소자와의 수직 방향의 중첩 면적보다 상기 각 구멍과의 수직 방향의 중첩 면적이 더 큰, 조명 모듈.
According to clause 2,
Each of the plurality of light emitting devices emits light of highest intensity in the first direction,
A lighting module, wherein each of the plurality of first regions has a larger vertical overlap area with each hole than a vertical overlap area with each light emitting element.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 제2 영역 중 적어도 하나는 인접한 제1 영역들 사이에 배치되며, 상기 수지층의 제1 방향을 향해 상기 제2 두께가 서로 다른 영역을 갖는, 조명 모듈.
According to any one of claims 1 to 3,
At least one of the plurality of second regions is disposed between adjacent first regions, and has regions where the second thicknesses are different from each other toward the first direction of the resin layer.
제4 항에 있어서,
상기 복수의 제2 영역의 제2 두께는 상기 수지층의 제1 방향을 향해 점차 얇아지는, 조명 모듈.
According to clause 4,
The lighting module wherein the second thickness of the plurality of second regions gradually becomes thinner toward the first direction of the resin layer.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 제1 영역 각각의 제1 두께는 상기 발광소자의 두께보다 크며,
상기 복수의 제1 영역 각각의 제1 방향의 너비는 상기 각 발광소자의 제1 방향의 너비보다 1.5배 이상인, 조명 모듈.
According to any one of claims 1 to 3,
A first thickness of each of the plurality of first regions is greater than the thickness of the light emitting device,
A lighting module wherein the width of each of the plurality of first areas in the first direction is 1.5 times or more than the width of each light emitting element in the first direction.
제6 항에 있어서,
상기 복수의 제1 영역 각각은 상기 제1 방향의 너비 내에서 동일한 두께를 갖는, 조명 모듈.
According to clause 6,
Each of the plurality of first regions has the same thickness within the width in the first direction.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지층의 제1 영역은 상기 수지층의 상면에 배치된 패턴을 포함하는, 조명 모듈.
According to any one of claims 1 to 3,
The first region of the resin layer includes a pattern disposed on the upper surface of the resin layer.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지층의 제2 영역은 상기 수지층의 상면에 배치된 광 추출 구조를 갖는 패턴을 포함하는, 조명 모듈.
According to any one of claims 1 to 3,
The second region of the resin layer includes a pattern having a light extraction structure disposed on the upper surface of the resin layer.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지층의 최소 두께는 상기 반사 필름의 상면으로부터 0.5mm 내지 5mm 범위로 배치되는, 조명 모듈.
According to any one of claims 1 to 3,
A lighting module wherein the minimum thickness of the resin layer is disposed in the range of 0.5mm to 5mm from the upper surface of the reflective film.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지층의 일 측면에 인접한 발광소자와 상기 수지층의 일 측면 사이의 거리는 0.5mm 내지 2mm 범위인, 조명 모듈.
According to any one of claims 1 to 3,
A lighting module wherein the distance between a light emitting element adjacent to one side of the resin layer and one side of the resin layer is in the range of 0.5 mm to 2 mm.
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