KR20190016662A - 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템 - Google Patents
고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190016662A KR20190016662A KR1020170100845A KR20170100845A KR20190016662A KR 20190016662 A KR20190016662 A KR 20190016662A KR 1020170100845 A KR1020170100845 A KR 1020170100845A KR 20170100845 A KR20170100845 A KR 20170100845A KR 20190016662 A KR20190016662 A KR 20190016662A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- size package
- chip size
- led module
- semiconductor layer
- line
- Prior art date
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8812—Diffuse illumination, e.g. "sky"
- G01N2021/8816—Diffuse illumination, e.g. "sky" by using multiple sources, e.g. LEDs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 관한 것으로서, 더 상세하게는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용하여 고휘도 LED 모듈을 구현하여, 라인 스캔 카메라를 이용한 검사장비의 글라스 검사 속도를 향상시키고, 개별 모듈의 제어를 실현하는 제어기를 적용하여, 광균일도가 향상된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템은 메인블록과, 상기 메인블록의 전면부에 장착되는 적어도 하나 이상의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈과, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈의 전면에 배치되는 집광 렌즈와, 상기 집광 렌즈의 전면에 배치되는 확산판과, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈과 접속되며 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템은 메인블록과, 상기 메인블록의 전면부에 장착되는 적어도 하나 이상의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈과, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈의 전면에 배치되는 집광 렌즈와, 상기 집광 렌즈의 전면에 배치되는 확산판과, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈과 접속되며 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
Description
본 발명은 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 관한 것으로서, 더 상세하게는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용하여 고휘도 LED 모듈을 구현하여, 라인 스캔 카메라를 이용한 검사장비의 글라스 검사 속도를 향상시키고, 개별 모듈의 제어를 실현하는 제어기를 적용하여, 광균일도가 향상된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 또는 디스플레이의 생산 공정은 자동화 설비를 이용한 대량 생산 방식으로 이루어진다. 이러한 반도체, 디스플레이의 대량 생산 공정에서 해당 공정에서의 수율, 불량율 등을 파악하고 관리하기 위하여 생산된 물품을 검사하는 공정을 배치하고 있는데, 이러한 검사는 초기에 육안으로 확인하는 방식에서 기술의 발전과 함께 점차 카메라를 이용한 검사로 대체되어 왔다.
이러한 카메라를 이용하여 제품을 빠르게 검사하기 위해서는 고속으로 이미지를 촬상할 수 있는 산업용 카메라와 더불어 고휘도 라인 조명이 필수적인데, 이러한 라인 조명의 예로서 등록특허 제10-1040747호는 반사방지판을 포함하는 광학부재와, 투광판의 측면에서 광을 조사하는 광 조사부와, 광학부재 및 광 조사부를 지지하는 프레임을 포함하는 검사용 조명 장치를 개시하고 있다.
또한, 다른 예로서 등록특허 제10-0639926호는 한 쌍의 발광부재와, 복수의 LED 및 이들 LED의 각각에 대응하는 실린드리컬 렌즈를 포함하여 조사된 광이 검사 대상물 표면의 일정 영역에 모이도록 각각의 실린드리컬 렌즈의 위치 관계 및 피치를 설정하는 표면검사용 조명 장치를 개시하고 있다.
그런데, 종래의 이러한 종류의 조명 장치는 Chip On Board(COB)방식의 조명이 사용되었는데, 이러한 COB 방식의 조명은 구조상 발광체 사이의 거리를 감소시키는데 한계가 있기 때문에 휘도 낮음으로 인한 카메라의 인식 불량 및 에러가 빈번하게 발생하는 문제점이 있었다.
또한, 하나의 PCB로 전체의 LED를 제어함으로써 검사 제품의 불량 또는 카메라 검사 불량시 이를 사전에 검지하지 못하는 문제점이 있었으며, 개별 채널 조절이 안되어 광균일도 조절이 불가능한 문제가 있었다.
(특허문헌1) 한국등록특허 제10-1040747호
(특허문헌2) 한국등록특허 제10-0639926호
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, LED 모듈의 밀집도를 증가시켜 고휘도 실현 및 각 모듈의 개별 제어가 가능한 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템을 제공함에 목적이 있다.
전술한 본 발명의 목적은, 메인블록과, 상기 메인블록의 전면부에 장착되는 적어도 하나 이상의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈과, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈의 전면에 배치되는 집광 렌즈와, 상기 집광 렌즈의 전면에 배치되는 확산판과, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈과 접속되며 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템을 제공함에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 특징에 의하면, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈은 회로보드와 상기 회로보드상에 배치되는 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드를 포함하며, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈은 상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체와, 상기 하부 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 상부 반도체층을 노출시키는 복수개의 콘택홀과, 상기 반도체 적층 구조체의 제1면에 배치되고 상기 복수의 콘택홀을 통해 상기 상부 반도체층과 접속되는 제1전극패드와, 상기 반도체 적층 구조체의 제1면에 상기 제1전극패드와 서로 중첩되지 않도록 배치되고 상기 하부 반도체층과 전기적으로 접속되며 상기 복수의 콘택홀 중 일부와 중첩하는 제2전극패드와, 상기 상부 반도체층과 하부 반도체층의 측벽을 덮되 서로 굴절율이 다른 절연층을 가지는 보호 절연층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 특징에 의하면, 하나의 메인블록에 복수 개의 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈이 장착되며, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈의 회로보드를 각각 제어할 수 있는 다채널 컨트롤러일 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 각각의 회로보드에는 온도센서가 장착되고, 상기 컨트롤러는 상기 온도센서로부터 전달되는 신호를 수신하여 상기 회로보드가 특정 온도 범위를 유지하도록 제어할 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 메인블록은 길이 방향으로 형성되는 바디와, 상기 바디의 측면을 관통하도록 형성되며 상기 바디의 전면부에 장착되는 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈을 냉각시키기 위한 공기가 유입되는 에어라인과, 상기 에어라인을 통해 공급되는 공기가 배출될 수 있도록 후면부에 형성되는 복수의 배출구를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 바디는 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈로부터 형성되는 열을 상기 에어라인을 통과하는 공기에 전달하기 위해 상기 에어라인을 향해 돌출 형성되는 복수의 냉각핀을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 메인블록은 상기 바디의 하단부에서 전면으로 연장 형성되는 언더커버와, 상기 바디의 양 측면부에 각각 결합되되 상기 에어라인에 공기가 유입될 수 있도록 관통 형성되는 흡입구를 가지며 상기 집광렌즈 및 확산판의 양 측면을 고정할 수 있도록 상기 바디의 전면부 방향으로 연장 형성되는 한 쌍의 사이드커버와, 상기 바디의 상면부에 결합되고 상기 바디의 전면부 방향으로 연장 형성되며 상기 집광렌즈 및 확산판의 상측을 고정시키는 탑커버를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 의하면, 회로보드상에 배치되는 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈로 인하여 고휘도의 조명이 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 의하면, 회로보드에 각각 온도센서가 장착됨으로써 개별적인 상태 확인 및 제어가 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 의하면, 다채널 컨트롤러가 적용됨으로써 각각의 회로보드의 개별적인 제어가 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 의하면, 에어라인을 이용한 공랭식 냉각 구조를 가짐으로써 시스템의 효율적인 냉각이 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 분해도.
도 3은 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 단면도.
도 4는 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 요부 구조도.
도 5는 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 사용상태도.
도 2는 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 분해도.
도 3은 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 단면도.
도 4는 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 요부 구조도.
도 5는 도 1에 도시된 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 사용상태도.
이하에서는 본 발명의 실시예에 관하여 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 이하에서 설명되는 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 쉽게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명한 것에 불과하며, 이로 인해 본 발명의 보호범위가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템에 관하여 설명한다. 본 발명의 실시예에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템은 메인블록(100), 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200), 집광렌즈(300), 확산판(400), 컨트롤러(500)를 포함한다.
메인블록(100)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 바디(110), 에어라인(120), 배출구(130)를 포함하며, 언더커버(140), 사이드커버(150), 탑커버(160)를 더 포함할 수 있다.
메인블록(100)은 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200) 및 집광렌즈(300), 확산판(400)이 장착될 수 있도록 몸체의 역할을 하며, 본 발명에 따른 글라스 검사용 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템이 생산 라인에 장착되는 경우 제품을 검사할 수 있도록 제품 또는 카메라의 폭에 맞게 길이 방향으로 형성된다.
이를 상세히 설명하면, 메인블록(100)의 바디(110)는 단면이 직사각형 모양을 이루며 길이 방향으로 길게 형성된다. 이러한 바디(110)는 열전도율이 높은 금속으로 이루어질 수 있으며, 특히 알루미늄과 같이 열전도율이 좋고 가공성이 좋으며 비교적 소재의 수급이 양호한 금속으로 이루어질 수 있다.
이러한 바디(110)에는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 전면부에 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)이 장착되며, 측면에 길이 방향으로 에어라인(120)이 관통 형성된다. 이는 후술할 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)을 냉각시키기 위한 것으로서, 일반적으로 본 발명에 따른 라인 조명이 설치되는 생산 공장에는 약 5기압(5 bar)정도의 압축 공기가 공장 자체 내에서 공급된다. 이러한 압축 공기를 에어라인(120)을 통해 흐르게 함으로써 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈이 과열되지 않도록 한다. 이를 위해 후술할 사이드커버(150)에 흡입구(151)가 형성되어 압축 공기를 에어라인(120)으로 공급하며, 바디(110)의 후면부에는 에어라인(120)을 통과한 압축 공기가 배출될 수 있도록 배출구(130)가 복수로 형성된다.
한편, 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈에 대한 냉각 성능을 증가시키기 위해 바디(110)의 관통부에는 에어라인(120) 내부의 공기와의 열전달율을 증가시키기 위한 복수의 냉각핀(111)이 돌출 형성된다. 이러한 냉각핀(111)은 도시된 바와 같이 얇은 판 형태로 이루어질 수 있으며, 바디(110) 성형시 바디(110)와 일체로 압출 성형할 수 있다.
메인블록(100)의 언더커버(140)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 바디(110)의 하측에서 전면부로 연장 형성된다. 이러한 언더커버(140)는 바디(110) 성형시 바디와 일체로 압출 성형될 수 있으며, 따라서 바디(110)와 동일한 소재, 예를 들면 알루미늄과 같은 소재로 이루어질 수 있다.
이러한 언더커버(140)에는 집광렌즈(300)와 확산판(400)이 안착 결합되며, 따라서 집광렌즈(300)와 확산판(400)이 안정적으로 결합 지지될 수 있는 바닥판의 역할을 한다. 언더커버(140)의 상면에는 집광렌즈(300)가 안정적으로 안착될 수 있도록 집광렌즈(300)의 외면에 맞게 오목하게 홈(도면번호 없음)이 길게 형성될 수 있으며, 따라서 집광렌즈(300)가 정확하고 일정한 위치에 위치할 수 있도록 돕는다.
사이드커버(150)는 바디(110)의 양 측면에 각각 결합되는데, 도 2에 도시된 바와 같이, 바디(110)의 전면부를 향해 연장 형성된 형태로 이루어진다. 따라서 바디(110)의 양 측면에 결합됨과 동시에 바디(110)의 전면부에 배치되는 집광렌즈(300)와 확산판(400)의 양 측면을 고정시키는 역할을 한다. 이러한 사이드커버(150)에는 에어라인(120)으로 압축 공기가 유입될 수 있도록 에어라인(120)와 대응되는 위치에 흡입구(151)가 형성된다. 여기서, 압축 공기 라인의 연결 구조는 생산 공장으로부터 공급되는 압축공기라인이 연결될 수 있도록 흡입구(151)에 탭이 형성되고 탭에 크기에 맞는 피팅이 결합되어 압축 공기 공급 라인이 피팅에 연결되는 구조로 이루어진다. 다만, 이러한 연결 구조는 일반적으로 생산 공정에서 흔히 쓰이는 방식이므로 따로 도시하지는 않았다.
탑커버(160)는 바디(110)의 상면에 결합되는데, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 바디(110)의 상면에 결합되고 바디(110)의 전면부를 향해 연장 형성된 형태로 이루어진다. 이러한 탑커버(160) 또한 집광렌즈(300) 및 확산판(400)을 고정시키는 역할을 하며, 이를 위해 언더커버(140)와 유사하게 집광렌즈(300)의 외면에 맞게 오목하게 홈(도면번호 없음)이 길게 형성될 수 있다.
칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)은 회로보드(210), 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드(220)를 포함하며, 메인블록(100)의 전면부에 장착되어, 빛을 발광하여 조명을 생산하는 역할을 한다. 이러한 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)은 하나의 메인블록(100)에 하나가 장착될 수 있지만, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 메인 블록의 복수 개의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)이 장착될 수 있다. 또한, 각각의 회로보드(210)에는 온도센서(도시되지 않음)가 장착될 수 있으며, 따라서 각각의 회로보드(210)로부터 신호를 받아 컨트롤러(500)가 개별적으로 각각의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)을 특정 온도 범위를 유지하도록 모니터링 및 제어함으로써 본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템은 높은 수준의 광 균일도를 이룰 수 있다.
회로보드(210)는 인쇄회로기판으로 이루어질 수 있으며, 일반적으로 반도체의 제어에 사용되는 PCB의 역할을 한다. 이러한 회로보드(210)는 각각의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드(220)를 제어하며, 이를 위해 후술할 다채널 컨트롤러(500)와 접속된다.
칩 사이즈 패키지 발광 다이오드(220)는 회로보드(210) 상에 배치되며, 발광체의 역할을 한다. 이를 위해 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드(220)는 반도체 적층 구조체(221), 제1콘택층(222), 제2콘택층(223), 제1전극패드(224), 제2전극패드(225), 보호절연층(226), 접속단자(227)를 포함하며, 범프(228), 시트(229)를 더 포함할 수 있다.
이를 설명하면 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드(220)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 적층 구조체(221)에 콘택층과 전극패드와 보호절연층이 배치된 형태를 갖는데, 반도체 적층 구조체(221)는 제1도전형 상부 반도체층(221a)과 제2도전형 하부 반도체층(221c)이 순서대로 적층되고 그 사이에 활성층(221b)이 개재되는 구조를 갖는다.
이러한 상부 반도체층(221a), 활성층(221b), 하부 반도체층(221c)은 III-N 계열의 화합물 반도체로 이루어질 수 있으며, 상기 상부 반도체층(221a) 및 하부 반도체층(221c)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 상기 상부 반도체층(221a) 또는 하부 반도체층(221c)은 콘택층과 클래드층을 포함할 수 있으며, 초격자층을 포함할 수도 있다.
상기 활성층(221b)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조일 수 있으며, 상기 상부 반도체층(221a)은 n형 반도체 구조로 이루어질 수 있으며, 상기 하부 반도체층(221c)은 p형 반도체 구조로 이루어질 수 있다.
제1콘택층(222)은 후술할 제1절연층(226a) 아래에 배치되며, 반도체 적층 구조체(221)의 하부 반도체층(221c)과 활성층(221b)을 관통하여 상부 반도체층(221a)에 접속된다. 한편, 제2콘택층(223)은 하부 반도체층(221c) 아래에 배치되며, 반도체 적층 구조체(221)의 하부 반도체층(221c)과 접속된다. 여기서, 제2콘택층(223)은 반사 금속층을 포함할 수 있으며, 활성층(221b)에서 생성된 빛을 반사시킬 수 있다.
보호절연층(226)은 배치에 따라 제1절연층(226a), 제2절연층(226b)으로 구분될 수 있는데, 제1절연층(226a)은 제2콘택층(223)을 덮음과 동시에 반도체 적층 구조체(221)의 측벽을 덮는다. 또한, 제1절연층(226a)은 제1콘택층(222)을 제2콘택층(223)으로부터 절연시키며, 하부 반도체층(221c)과 활성층(221b)을 제1콘택층(222)으로부터 절연시킨다. 이러한 제1절연층(226a)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단일층으로 형성될 수 있으며, 굴절율이 서로 다른 절연층으로 이루어진 다중층으로 형성될 수도 있다.
제2절연층(226b)은 제1콘택층(222) 아래에서 제1콘택층(222)을 덮는다. 한편, 제2절연층(226b)은 제1절연층(226a)을 덮으며, 반도체 적층 구조체(221)의 측벽을 덮을 수 있다. 이러한 제2절연층(226b)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
제1전극패드(224) 및 제2전극패드(225)는 제2절연층(226b) 아래에 배치되는데, 제1전극패드(224)는 제2절연층(226b)을 관통하여 제1콘택층(222)에 접속된다. 또한, 제2전극패드(225)는 제2절연층(226b) 및 제1절연층(226a)을 관통하여 제2콘택층(223)에 접속된다. 이때, 제2전극패드(225)는 제1전극패드(224)와 중첩되지 않도록 배치된다.
접속단자(227)는 제1 및 제2전극패드(225) 아래에 접속되는데, 이러한 접속단자(227)는 전술한 회로보드(210)에 전기적으로 접속된다. 한편, 접속단자(227)의 사이에는 범프(228)가 형성될 수 있는데, 이러한 범프(228)는 반도체 적층 구조체(221)에서 발생되는 열을 방출하는 통로의 역할을 한다.
시트(229)는 상부 반도체층(221a) 상에 접촉하도록 위치하며, 균일한 두께를 같는 형광체 시트로 이루어질 수 있다. 또한, 파장 변환을 위한 불균일 도핑 기판 또는 사파이어 기판 또는 실리콘 기판으로 이루어질 수 있다.
집광렌즈(300)는 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)의 전면에 배치되며, 모듈로부터 발생되는 빛을 굴절시켜 휘도를 상승시키는 역할을 한다. 이러한 집광렌즈(300)는 메인블록(100)의 언더커버(140) 상면에 안착되고 양 측면 및 상부가 사이드커버(150) 및 탑커버(160)에 의해 고정된다.
확산판(400)은 집광렌즈(300)의 전면에 배치되며, 집광렌즈(300)에 의해 집중된 빛을 고르게 확산하여 균일한 빛을 조사하도록 한다. 이러한 확산판(400)은 다중굴절판으로 이루어질 수 있으며, 양 측면 및 상하부가 메인블록(100)의 사이드커버(150), 언더커버(140), 탑커버(160)에 의해 고정될 수 있다.
컨트롤러(500)는 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈(200)과 전기적으로 접속되며, 각각의 모듈을 제어하는 역할을 한다. 이러한 컨트롤러(500)는 하나의 컨트롤러로 복수의 모듈을 각각 제어할 수 있는 다채널 컨트롤러일 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 실시예에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템의 사용 상태에 대해 도 5를 참조하여 설명하도록 한다.
본 발명에 따른 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템(1)은 디스플레이의 생산라인에서 글라스(10)를 고속으로 검사하는 고속 카메라 촬영 및 분석 검사장비(20)와 함께 사용된다. 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 생산된 글라스(10)의 상방에서 글라스(10)의 상태를 체크하는 검사장비(20)가 위치하게 된다. 이때, 검사장비(20)의 전후 또는 좌우에서 검사장비(20)의 카메라가 글라스(10)의 상태를 정확하게 촬상할 수 있도록 빛의 방향이 글라스(10)의 상면을 비추도록 배치한다. 그리고 메인블록(100)에 형성된 흡입구(151)에 공장에서부터 공급되는 압축 공기를 연결하여 냉각을 실시한다. 또한, 컨트롤러(500)에 전기를 공급하여 각각의 모듈의 상태를 모니터링 함과 동시에 제어하여 검사장비(20)의 카메라가 글라스(10)를 정확하게 촬상할 수 있도록 휘도를 조절한다.
이러한 과정으로 사용자는 발광체 간의 거리가 짧아 고휘도의 조명이 가능하여 고속 검사를 가능케 하고, 각 회로보드에 각각 온도센서가 장착되고 다채널 컨트롤러가 적용 됨으로써 개별적인 상태 확인 및 제어가 가능하며, 에어라인을 이용한 공랭식 냉각 구조를 가짐으로써 시스템의 효율적인 냉각이 가능한 글라스 검사용 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템을 사용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 특허청구범위를 벗어남이 없이 다양하게 변형 실시할 수 있을 것으로 이해된다.
10 : 글라스
20 : 검사장비
100 : 메인블록 110 : 바디
111 : 냉각핀 120 : 에어라인
130 : 배출구 140 : 언더커버
150 : 사이드커버 151 : 흡입구
160 : 탑커버 200 : 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈
210 : 회로보드 220 : 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드
221 : 반도체 적층 구조체 221a : 상부 반도체층
221b : 활성층 221c : 하부 반도체층
222 : 제1콘택층 223 : 제2콘택층
224 : 제1전극패드 225 : 제2전극패드
226 : 보호절연층 226a : 제1절연층
226b : 제2절연층 227 : 접속단자
228 : 범프 229 : 시트
300 : 집광렌즈 400 : 확산판
500 : 컨트롤러
100 : 메인블록 110 : 바디
111 : 냉각핀 120 : 에어라인
130 : 배출구 140 : 언더커버
150 : 사이드커버 151 : 흡입구
160 : 탑커버 200 : 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈
210 : 회로보드 220 : 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드
221 : 반도체 적층 구조체 221a : 상부 반도체층
221b : 활성층 221c : 하부 반도체층
222 : 제1콘택층 223 : 제2콘택층
224 : 제1전극패드 225 : 제2전극패드
226 : 보호절연층 226a : 제1절연층
226b : 제2절연층 227 : 접속단자
228 : 범프 229 : 시트
300 : 집광렌즈 400 : 확산판
500 : 컨트롤러
Claims (7)
- 메인블록;
상기 메인블록의 전면부에 장착되는 적어도 하나 이상의 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈;
상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈의 전면에 배치되는 집광 렌즈;
상기 집광 렌즈의 전면에 배치되는 확산판; 및
상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈과 접속되며 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈은 회로보드와 상기 회로보드상에 배치되는 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드를 포함하며, 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드는 상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체와, 상기 하부 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 상부 반도체층에 전기적으로 접속하는 제1콘택층과, 상기 하부 반도체층에 하측에서 전기적으로 접속하는 제2콘택층과, 상기 반도체 적층 구조체의 제1면에 배치되며 상기 상부 반도체층과 접속되는 제1전극패드와, 상기 반도체 적층 구조체의 제1면에 상기 제1전극패드와 서로 중첩되지 않도록 배치되고 상기 하부 반도체층과 전기적으로 접속되는 제2전극패드와, 상기 상부 반도체층과 하부 반도체층의 측벽을 덮되 서로 굴절율이 다른 절연층을 가지는 보호 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템. - 제 1 항에 있어서,
하나의 메인블록에 복수 개의 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈이 장착되며, 상기 컨트롤러는 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈의 회로보드를 각각 제어할 수 있는 다채널 컨트롤러인 것을 특징으로 하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 각각의 회로보드에는 온도센서가 장착되고, 상기 컨트롤러는 상기 온도센서로부터 전달되는 신호를 수신하여 상기 회로보드가 특정 온도 범위를 유지하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 메인블록은 길이 방향으로 형성되는 바디와, 상기 바디의 측면을 관통하도록 형성되며 상기 바디의 전면부에 장착되는 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈을 냉각시키기 위한 공기가 유입되는 에어라인과, 상기 에어라인을 통해 공급되는 공기가 배출될 수 있도록 후면부에 형성되는 복수의 배출구를 갖는 것을 특징으로 하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템. - 제 5 항에 있어서,
상기 바디는 상기 칩 사이즈 패키지 발광 다이오드 모듈로부터 형성되는 열을 상기 에어라인을 통과하는 공기에 전달하기 위해 상기 에어라인을 향해 돌출 형성되는 복수의 냉각핀을 갖는 것을 특징으로 하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템. - 제 5 항에 있어서,
상기 메인블록은 상기 바디의 하단부에서 전면으로 연장 형성되는 언더커버와, 상기 바디의 양 측면부에 각각 결합되되 상기 에어라인에 공기가 유입될 수 있도록 관통 형성되는 흡입구를 가지며 상기 집광렌즈 및 확산판의 양 측면을 고정할 수 있도록 상기 바디의 전면부 방향으로 연장 형성되는 한 쌍의 사이드커버와, 상기 바디의 상면부에 결합되고 상기 바디의 전면부 방향으로 연장 형성되며 상기 집광렌즈 및 확산판의 상측을 고정시키는 탑커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170100845A KR102012668B1 (ko) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170100845A KR102012668B1 (ko) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190066210A Division KR102056800B1 (ko) | 2019-06-04 | 2019-06-04 | 검사용 조명장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190016662A true KR20190016662A (ko) | 2019-02-19 |
| KR102012668B1 KR102012668B1 (ko) | 2019-08-21 |
Family
ID=65528840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170100845A KR102012668B1 (ko) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102012668B1 (ko) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100639926B1 (ko) | 2000-08-22 | 2006-10-31 | 씨씨에스 가부시키가이샤 | 표면검사용 조명장치 및 표면검사장치 |
| JP2009117228A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Aitec System:Kk | 照明装置 |
| JP2010114054A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Tozai Denko Co Ltd | 光源装置 |
| KR20100102929A (ko) * | 2009-03-12 | 2010-09-27 | (주)플레넷아이엔티 | Ｌｅｄ 비상등 |
| KR101040747B1 (ko) | 2010-07-19 | 2011-06-10 | 주식회사 엘브이에스 | 내구성이 향상된 광학 부재를 탑재한 검사용 조명 장치 |
| KR101660020B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2016-09-30 | 서울반도체 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
-
2017
- 2017-08-09 KR KR1020170100845A patent/KR102012668B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100639926B1 (ko) | 2000-08-22 | 2006-10-31 | 씨씨에스 가부시키가이샤 | 표면검사용 조명장치 및 표면검사장치 |
| JP2009117228A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Aitec System:Kk | 照明装置 |
| JP2010114054A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Tozai Denko Co Ltd | 光源装置 |
| KR20100102929A (ko) * | 2009-03-12 | 2010-09-27 | (주)플레넷아이엔티 | Ｌｅｄ 비상등 |
| KR101040747B1 (ko) | 2010-07-19 | 2011-06-10 | 주식회사 엘브이에스 | 내구성이 향상된 광학 부재를 탑재한 검사용 조명 장치 |
| KR101660020B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2016-09-30 | 서울반도체 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102012668B1 (ko) | 2019-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8445926B2 (en) | LED package, method of fabricating the same, and backlight unit having the same | |
| US8439513B2 (en) | Light emitting diode module and back light assembly | |
| US8194415B2 (en) | Backlight device and liquid crystal display device | |
| KR101320021B1 (ko) | 백라이트용 광원 및 백라이트 어셈블리 그리고 이를포함하는 액정 표시 장치 | |
| KR102387504B1 (ko) | 검사 장치 | |
| JP4830090B2 (ja) | 照明装置とバックライトユニット及びその印刷回路基板 | |
| CN100573934C (zh) | 用于成像单元的光源 | |
| US8777450B2 (en) | Light irradiation device | |
| KR101632624B1 (ko) | 광원 검사장치 및 광원 검사방법과 이를 이용한 발광소자 패키지, 발광모듈 및 조명장치의 제조방법 | |
| US8304789B2 (en) | Light emitting diode package | |
| US7375384B2 (en) | Side structure of a bare LED and backlight module thereof | |
| JP2010249718A (ja) | Ｌｅｄの試験に用いる光検出装置 | |
| KR20160011102A (ko) | 발광 소자 패키지의 제조 방법 | |
| US11499993B2 (en) | Stage and inspection apparatus for inspecting electronic device | |
| KR20180110614A (ko) | 발광 장치 및 당해 발광 장치를 포함하는 광 조사 장치 | |
| KR101977878B1 (ko) | 고휘도 led 모듈의 지향각 조정을 위해 필름시트를 이용한 라인 조명 시스템 | |
| KR20190016662A (ko) | 고밀집 칩 사이즈 패키지(CSP:Chip Size Package) LED 모듈을 이용한 라인 조명 시스템 | |
| KR20190068501A (ko) | 검사용 조명장치 | |
| KR20170033933A (ko) | 광원 모듈의 제조방법 | |
| WO2013073837A1 (ko) | 비접촉식 발광다이오드 검사장치 | |
| JP5530122B2 (ja) | 光センサの試験装置 | |
| WO2019111821A1 (ja) | 検査用照明装置 | |
| JP3155196U (ja) | 照明用ｌｅｄ検査装置 | |
| KR102012353B1 (ko) | 발광다이오드 모듈과, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 | |
| WO2012144819A2 (ko) | 열전 소자를 갖는 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |