WO2013073837A1 - 비접촉식 발광다이오드 검사장치 - Google Patents

비접촉식 발광다이오드 검사장치 Download PDF

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WO2013073837A1
WO2013073837A1 PCT/KR2012/009606 KR2012009606W WO2013073837A1 WO 2013073837 A1 WO2013073837 A1 WO 2013073837A1 KR 2012009606 W KR2012009606 W KR 2012009606W WO 2013073837 A1 WO2013073837 A1 WO 2013073837A1
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emitting diode
light emitting
light
unit
camera
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PCT/KR2012/009606
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French (fr)
Inventor
이동호
안보혁
Original Assignee
주식회사 미르기술
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/265—Contactless testing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting diode inspection device, and more particularly, to a non-contact light emitting diode inspection device that can obtain a clear image information for each element inside the light emitting diode.
  • a light emitting diode is an electronic component that generates a small number of carriers (electrons or holes) injected using a p-n junction structure of a semiconductor and emits light by recombination thereof.
  • carriers electrons or holes
  • LED light emitting diode
  • Such light emitting diodes have recently been improved in light emission efficiency, and their application ranges are light sources of flat panel display devices such as backlight units (BLUs) and liquid crystal displays (LCDs) for mobile phones in the early signal display. It is getting wider for lighting purposes. This is because the light emitting diode consumes less power and has a longer life than a light bulb or a fluorescent lamp used as a conventional lighting.
  • BLUs backlight units
  • LCDs liquid crystal displays
  • the light emitting diode may be manufactured in a light emitting diode package.
  • the light emitting diode package includes a light emitting diode chip, a body on which the light emitting diode chip is mounted, and fluorescent silicon covering the light emitting diode chip on the body.
  • the light emitting diode package may further include a zener diode next to the light emitting diode chip.
  • a light emitting diode chip is manufactured by growing different conductive semiconductor layers on a substrate and an active layer activating light emission therebetween, and then forming electrodes on each semiconductor layer.
  • the light emitting diode chip and the zener diode are electrically connected to a lead frame through wire bonding.
  • An object of the present invention is to provide a non-contact light emitting diode inspection device capable of more clearly obtaining image information on a bonding wire connection state inside a light emitting diode and a pattern of a light emitting diode body by sharpening an image contrast of each element of a light emitting diode.
  • the non-contact LED inspection apparatus is a device for determining whether the LED is good or bad by comparing the photographed image with a pre-input target image after photographing the LED with a camera.
  • a stage unit for mounting or fixing the light emitting diode to an inspection position;
  • a first illumination unit positioned above the stage unit to irradiate visible light in a sub-blue wavelength region to the light emitting diode and a second illumination unit disposed above the first illumination unit to irradiate visible light in a green wavelength region to the light emitting diode;
  • a camera positioned above the lighting unit to capture an image of the light emitting diode;
  • a vision processor configured to read an image photographed by the camera and determine whether the light emitting diode is good or bad;
  • a controller including a motion controller controlling the stage unit and the camera unit.
  • the first lighting unit may irradiate light to the light emitting diode at a Brewster's angle.
  • the non-contact light emitting diode inspection device may further include a polarization filter positioned in front of the first illumination unit and blocking a specific polarization component among the light emitted from the first illumination unit, in which case the polarization filter is vertically polarized (s-polarized). ) Can block the component.
  • a polarization filter positioned in front of the first illumination unit and blocking a specific polarization component among the light emitted from the first illumination unit, in which case the polarization filter is vertically polarized (s-polarized). ) Can block the component.
  • the wavelength below blue may be 495 nm or less, and the green wavelength may be 495 nm to 570 nm.
  • the light emitting diode may include a body having a bonding wire and a pattern including a gold component on a surface of the light emitting diode.
  • the image contrast of each element of the light emitting diode can be clearly obtained, so that the image information of the bonding wire connection state inside the light emitting diode and the pattern of the light emitting diode body can be obtained more clearly.
  • FIG. 1 is a side cross-sectional view of a non-contact light emitting diode inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a graph showing reflectance according to the wavelength of light when light is irradiated to a metal material.
  • FIG. 3 (a) shows an image of the bonding wire portion of the light emitting diode when the first lighting unit of the existing light emitting diode inspection apparatus provides visible light in the green wavelength region with respect to the light emitting diode module.
  • FIG. 3B illustrates an image of the bonding wire portion of the light emitting diode when the light source provided by the first lighting unit of the non-contact LED inspection apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention is visible light in a wavelength range of blue or less.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the principle of Brewster's angle.
  • FIG. 5A illustrates an image of the main body of the light emitting diode when the visible light of the sub-blue wavelength region is reflected on the light emitting diode as the inspection object.
  • FIG. 5B illustrates light emission obtained when the light emitting diode is irradiated with visible light in the sub-blue wavelength region provided by the first illumination unit and visible light in the green wavelength region provided by the second illumination unit together, according to an embodiment of the present invention. Represents an image of a diode.
  • Figure 6 shows a side view of the entire non-contact light emitting diode inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the non-contact type light emitting diode inspection apparatus includes a stage unit 10, an illumination unit 20, a camera 30, a vision processor 40, and a controller 50.
  • the stage unit 10 provides a space in which the light emitting diode 5 as an inspection object is seated.
  • the stage unit 10 may include a position adjusting unit (not shown) and a fixing unit (not shown) for adjusting and fixing the position of the light emitting diode 5.
  • the lighting unit 20 is positioned above the stage unit 10.
  • the lighting unit 20 provides illumination to the light emitting diodes 5 in order to secure accurate image information of the light emitting diodes 5.
  • a plurality of lamps may be disposed on an outer surface of the field securing part 25 penetrating the center to provide illumination of the light emitting diodes 5 from all directions.
  • the lighting unit 20 includes a first lighting unit 22 and a second lighting unit 24.
  • the first lighting unit 22 is installed below the lighting unit 20 and provides a light source incident on the light emitting diode 5 at an angle smaller than normal.
  • the first lighting unit 22 includes a first lamp 22a that is inclined at a predetermined slope to the upper side to provide a light source. It is preferable that the light source provided by the 1st illumination part 22 is visible light of a blue or less wavelength (about 495 nm or less) area
  • FIG. 2 is a graph showing reflectance according to the wavelength of light when light is irradiated to a metal material.
  • the surface of the bonding wire of the light emitting diode to be inspected is generally plated with gold (Au).
  • Au gold
  • FIG. 2 it can be seen that when the wavelength of about 200 nm to about 500 nm is irradiated with gold (Au), the reflectance becomes about 40% or less. That is, when light of blue wavelength is irradiated onto the bonding wire plated with gold (Au), most of the light is absorbed and is darker than the surroundings in the image of the light emitting diode. Therefore, the contrast is clear, it is possible to know the connection state of the bonding wire more accurately.
  • FIG 3 (a) shows an image of the bonding wire portion of the light emitting diode when the first lighting unit 22 of the conventional light emitting diode inspection apparatus provides the visible light in the green wavelength region with respect to the light emitting diode as the inspection object.
  • 3B illustrates an image of the bonding wire portion of the light emitting diode when the light source provided by the first illumination unit 22 of the non-contact light emitting diode inspection apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention is visible light in a wavelength range of blue or less. . Visible light in the wavelength range below the blue is mostly absorbed from the bonding wire surface of the light emitting diode of gold (Au), so that the bonding wire portion and the background portion indicated by the red arrow are clearly distinguished from the image of the light emitting diode.
  • Au gold
  • the Brewster's angle principle may be used to further increase the absorption rate of visible light in the sub-blue wavelength region on the bonding wire surface of the light emitting diode.
  • 4 is a conceptual diagram illustrating a Brewster's angle principle.
  • the light is refracted at the boundary surface 200 and passed through another medium (120).
  • the incidence angle formed by the normal line 202 of the boundary surface 200 and the incident light 100 is the Brewster angle ⁇ B.
  • the electric field of the polarized light is not reflected because it is parallel to the plane of incidence.
  • This polarized light is called horizontally polarized light, or p-polarized state, and is named because it is parallel to the plane of incidence.
  • light is polarized perpendicular to the plane of incidence, it is called vertically polarized, or s-polarized, originated from the German senkrecht meaning vertical.
  • the incident light emitted from the first illumination unit 22 is placed in front of the first illumination unit 22 so that the incident light emitted from the first illumination unit 22 is Brewster's angle with respect to the surface of the light emitting diode 5.
  • incident light it is possible to obtain a more clear image of the light emitting diode 5 by preventing the incident light from being reflected on the surface of the light emitting diode 5.
  • the second lighting unit 24 is disposed on the upper part of the first lighting unit 22, and a light source that is incident perpendicularly to the light emitting diodes 5 is provided.
  • the second lighting unit 24 is positioned at the side of the second lighting unit 24, and is semi-reflective mirror disposed in a diagonal line at a predetermined distance from the second lamp 24a and the second lamp 24a for providing a light source ( half mirror, 24b).
  • the light source provided by the second lighting unit 24 is preferably visible light in the green wavelength region (about 495nm to about 570nm). The reason is that since the pattern of the LED chip is parallel to the bottom surface and is a mirror-like surface, the green wavelength light provided by the second lighting unit 24 perpendicularly to the pattern of the chip is specularly reflected in the camera direction.
  • the non-contact LED inspection apparatus of the present invention considers only the wavelength region of the narrower region than the optical system of the entire visible light region by using the blue and green wavelength regions. Therefore, the design of the camera lens is relatively easy due to the low chromatic aberration, and the lens can be manufactured with a cheap material.
  • FIG. 5B is a view showing irradiation of a light emitting diode that is an inspection object with visible light in a sub-blue wavelength region provided by a first lighting unit of a lighting unit and visible light in a green wavelength region provided by a second lighting unit according to an embodiment of the present invention.
  • LED image obtained when the 5 (b) it can be seen that when compared with FIG. 5 (a), the pattern image of the light emitting diode body part can be obtained more clearly.
  • the camera 30 may be positioned above the lighting unit 20 to capture an image of the light emitting diodes 5.
  • the vision inspection apparatus of the present invention may provide a plurality of cameras (not shown) having different magnifications to vary the inspection range of the light emitting diode 5 according to a user's needs. Can be.
  • a plurality of lenses (not shown) having different magnifications may be provided between the camera 30 and the lighting unit 20 to vary the inspection range of the light emitting diodes 5.
  • the vision processor 40 determines the good or bad of the light emitting diode 5 by comparing the image information obtained from the camera 30 with the target image previously input.
  • the controller 50 is a component including a motion controller (not shown) for controlling the driving and operation of the stage unit 10 and the camera 30 to control the overall driving of the vision inspection apparatus according to the present invention. It may be.
  • the controller 50 transfers the vision inspection apparatus coupled to the transfer conveyor 60 to the front, rear, left, and right sides of the fixed light emitting diode 5 to the front, and the predetermined light emission.
  • the photographing area of the diode 5 may be provided to transmit a photographing control signal to the camera (30).
  • control unit 50 is responsible for physical control, such as the control of the photographing position of the vision inspection apparatus, the processing of the photographed image and the control of the lighting unit 20 according to the system control program, as well as performing the inspection operation and data operation. Perform.
  • control unit 50 is responsible for the overall control of the vision inspection apparatus, such as output device control for outputting the work contents and inspection results to the monitor and input device control for the operator to input the settings and all the details.

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 발광다이오드 검사장치는 발광다이오드를 카메라로 촬영한 후 촬영된 이미지를 미리 입력된 대상 이미지와 비교하여 발광다이오드의 양호 또는 불량을 판별하기 위한 장치로서, 상기 발광다이오드를 탑재하고, 상기 발광다이오드를 검사위치에 고정 또는 이송시키는 스테이지부; 상기 스테이지부의 상부에 위치하며, 상기 발광다이오드에 청색 이하 파장 영역의 가시광을 조사하는 제1 조명부와 상기 제1 조명부 상부에 위치하고 상기 발광다이오드에 녹색 파장 영역의 가시광을 조사하는 제2 조명부를 구비하는 조명부; 상기 조명부의 상부에 위치하여, 상기 발광다이오드의 영상을 촬영하는 카메라; 상기 카메라에서 촬영된 영상을 판독하여 상기 발광다이오드의 양호 또는 불량을 판별하는 비전처리부; 및 상기 스테이지부 및 상기 카메라부를 제어하는 모션 컨트롤러를 포함하는 제어부를 포함한다.

Description

비접촉식 발광다이오드 검사장치
본 발명은 발광다이오드 검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 발광다이오드 내부 각 요소에 대한 명확한 영상정보를 얻을 수 있는 비접촉식 발광다이오드 검사장치에 관한 것이다.
발광다이오드(light emitting diode; LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 전자부품이다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자의 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데, 전자의 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지가 되므로, 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.
이러한 발광다이오드는 최근 발광 효율의 향상으로 그 응용범위가 초기의 신호 표시용에서 휴대폰용 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)이나 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)와 같은 평판 표시장치의 광원 및 조명용으로 더욱 넓어지고 있다. 이는 발광다이오드가 종래의 조명으로 사용되는 전구나 형광등에 비해 소모전력이 적고 수명이 길기 때문이다.
발광다이오드는 발광다이오드 패키지로 제조될 수 있다. 일반적으로, 발광다이오드 패키지는 발광다이오드 칩과, 발광다이오드 칩이 실장되는 몸체와, 몸체 상부에 발광다이오드 칩을 덮는 형광성 실리콘을 포함한다. 발광다이오드 패키지는 발광다이오드 칩 옆에 제너다이오드(zener diode)를 더 포함하기도 한다.
발광다이오드 칩은, 기판상에 서로 다른 도전형의 반도체층과 그 사이에 발광을 활성화하는 활성층을 성장시킨 후, 각 반도체층에 전극을 형성하여 제조된다. 발광다이오드 칩과 제너다이오드는 와이어 본딩(wire bonding)을 통해 리드 프레임(lead frame)과 전기적으로 연결된다.
발광다이오드 칩과 제너다이오드의 상부에 형광성 실리콘을 충전하는 과정에서, 형광성 실리콘이 과소하게 충전될 경우, 내부의 본딩 와이어가 노출되어 발열로 인해 끊어질 수 있다. 이와 반대로, 형광성 실리콘이 과다하게 충전될 경우, 추후 모듈에 조립될 때 조립이 불가능하게 되고 빛의 발산각이 설정 수치보다 커지게 되는 불량이 야기된다. 따라서 발광다이오드 패키지의 형광성 실리콘의 충전 상태 및 본딩 와이어의 연결 상태 등을 검사하는 공정이 필요하게 된다.
본 발명의 배경기술로는 대한민국공개특허공보 제2009-0053591호를 참조하여 이해할 수 있다.
본 발명의 목적은 발광다이오드의 각 요소에 대한 영상 대비를 뚜렷이 함으로써 발광다이오드 내부의 본딩 와이어 연결상태 및 발광다이오드 본체의 패턴에 대한 영상 정보를 보다 명확하게 얻을 수 있는 비접촉식 발광다이오드 검사장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 발광다이오드 검사장치는 발광다이오드를 카메라로 촬영한 후 촬영된 이미지를 미리 입력된 대상 이미지와 비교하여 발광다이오드의 양호 또는 불량을 판별하기 위한 장치로서, 상기 발광다이오드를 탑재하고, 상기 발광다이오드를 검사위치에 고정 또는 이송시키는 스테이지부; 상기 스테이지부의 상부에 위치하며, 상기 발광다이오드에 청색 이하 파장 영역의 가시광을 조사하는 제1 조명부와 상기 제1 조명부 상부에 위치하고 상기 발광다이오드에 녹색 파장 영역의 가시광을 조사하는 제2 조명부를 구비하는 조명부; 상기 조명부의 상부에 위치하여, 상기 발광다이오드의 영상을 촬영하는 카메라; 상기 카메라에서 촬영된 영상을 판독하여 상기 발광다이오드의 양호 또는 불량을 판별하는 비전처리부; 및 상기 스테이지부 및 상기 카메라부를 제어하는 모션 컨트롤러를 포함하는 제어부를 포함한다.
상기 제1 조명부는 상기 발광다이오드에 대해 브루스터 각(brewster’s angle)으로 빛을 조사할 수 있다.
상기 비접촉식 발광다이오드 검사장치는, 상기 제1 조명부 앞에 위치하고 상기 상기 제1 조명부에서 나온 빛 중 특정 편광 성분을 차단하는 편광필터를 더 포함할 수 있고, 이 경우 상기 편광필터는 수직 편광(s-polarized) 성분을 차단할 수 있다.
상기 청색 이하 파장은 495nm 이하일 수 있고, 상기 녹색파장은 495 nm 내지 570nm일 수 있다.
상기 발광다이오드는 발광다이오드는 표면에 금(Au) 성분을 포함하는 본딩 와이어 및 패턴이 마련되어 있는 몸체부를 구비할 수 있다.
본 발명의 비접촉식 발광다이오드 검사장치에 의하면, 발광다이오드의 각 요소에 대한 영상 대비를 뚜렷이 함으로써 발광다이오드 내부의 본딩 와이어 연결상태 및 발광다이오드 본체의 패턴에 대한 영상 정보를 보다 명확하게 얻을 수 있다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 발광다이오드 검사장치의 측단면도를 나타낸다.
도 2는 금속물질에 빛을 조사하였을 때 빛의 파장에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 3의 (a)는 기존 발광다이오드 검사장치의 제1 조명부가 발광다이오드 모듈에 대해 광원이 녹색 파장 영역의 가시광을 제공할 때 발광다이오드의 본딩 와이어 부분의 영상을 나타낸다.
도 3의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 발광다이오드 검사장치의 제1 조명부가 제공하는 광원이 청색 이하 파장 영역의 가시광일 때 발광다이오드의 본딩 와이어 부분의 영상을 나타낸다.
도 4는 브루스터 각(Brewster’s angle) 원리를 나타내는 개념도이다.
도 5의 (a)는 검사대상물인 발광다이오드에 청색 이하 파장 영역의 가시광을 비추었을 때 발광다이오드 본체의 영상을 나타낸다.
도 5의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따라 제1 조명부가 제공하는 청색 이하 파장 영역의 가시광과 제2 조명부가 제공하는 녹색 파장 영역의 가시광을 함께 발광다이오드에 조사하였을 때 획득한 발광다이오드의 영상을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전체 비접촉식 발광다이오드 검사장치의 측면도를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 발광다이오드 검사장치의 측단면도를 나타낸다. 도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 전체 비접촉식 발광다이오드 검사장치의 측면도를 나타낸다. 도 1, 6을 참조하면, 비접촉식 발광다이오드 검사장치는 스테이지부(10), 조명부(20), 카메라(30), 비전처리부(40) 및 제어부(50)를 포함한다.
스테이지부(10)는 검사대상물인 발광다이오드(5)가 착좌되는 공간을 제공한다. 스테이지부(10)는 발광다이오드(5)의 위치를 조절 및 고정시키기 위한 위치조절부(미도시) 및 고정부(미도시)를 포함할 수 있다.
스테이지부(10)의 상부에는 조명부(20)가 위치한다. 조명부(20)는 발광다이오드(5)의 정확한 영상정보를 확보하기 위하여 발광다이오드(5)에 조명을 제공한다. 중앙을 관통하는 시야확보부(25)의 외측면에 복수의 램프가 배치되어 상기 발광다이오드(5)를 사방에서 조명하도록 마련될 수 있다.
상기 조명부(20)는 제1 조명부(22)와 제2 조명부(24)를 포함한다.
제1 조명부(22)는 조명부(20)의 하부에 설치되며, 상기 발광다이오드(5)에 수직보다 작은 각으로 입사되는 광원을 제공한다. 제1 조명부(22)는 측상부에 일정 기울기로 기울어져 광원을 제공하는 제1 램프(22a)를 포함한다. 제1 조명부(22)에서 제공하는 광원은 청색 이하 파장(약 495nm 이하) 영역의 가시광인 것이 바람직하다. 그 이유를 도 2를 이용하여 설명하기로 한다.
도 2는 금속물질에 빛을 조사하였을 때 빛의 파장에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다. 검사대상물인 발광다이오드의 본딩 와이어의 표면은 금(Au)으로 도금하는 경우가 일반적이다. 도 2를 참조하면, 금(Au)에 대하여 파장이 약 200nm 내지 약 500nm의 빛을 조사하는 경우 반사율은 약 40% 이하가 됨을 알 수 있다. 즉 청색 파장의 빛을 금(Au)으로 도금된 본딩 와이어에 조사하면 대부분 흡수되어 발광다이오드를 촬영한 영상에서 주위보다 어둡게 표시된다. 따라서 명암 대비가 뚜렷하므로 본딩 와이어의 연결상태를 보다 정확하게 알 수 있다.
도 3의 (a)는 기존 발광다이오드 검사장치의 제1 조명부(22)가 검사대상물인 발광다이오드에 대해 광원이 녹색 파장 영역의 가시광을 제공할 때 발광다이오드의 본딩 와이어 부분의 영상을 나타낸다.
도 3의 (a)를 참조하면, 발광다이오드의 금(Au)으로 도금된 본딩 와이어 부분과 본딩 와이어의 배경이 되는 발광다이오드 몸체부의 색상이 명확하게 구별되지 않음을 알 수 있다. 특히 붉은 원에 있는 본딩 와이어의 색상이 균일하지 않으므로 후술하는 비전처리부(40)가 본딩 와이어가 끊어진 것으로 잘못 판단할 우려가 있다. 제1 조명부(22)에서 제공하는 녹색 파장 영역의 가시광은 발광다이오드 몸체부뿐만 아니라, 금(Au)으로 된 본딩 와이어 표면에서도 반사되어 카메라로 촬영된 영상에서 본딩 와이어와 배경부분이 뚜렷하게 구별되지 않기 때문이다.
도 3의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 발광다이오드 검사장치의 제1 조명부(22)가 제공하는 광원이 청색 이하 파장 영역의 가시광일 때 발광다이오드의 본딩 와이어 부분의 영상을 나타낸다. 청색 이하 파장 영역의 가시광은 금(Au)으로 된 발광다이오드의 본딩 와이어 표면에서 대부분 흡수됨으로써 발광다이오드를 촬영한 영상에서 붉은 화살표로 표시된 본딩 와이어 부분과 배경부분이 뚜렷하게 구별됨을 확인할 수 있다.
발광다이오드의 본딩 와이어 표면에서의 청색 이하 파장 영역의 가시광의 흡수율을 보다 높이기 위하여 브루스터 각(Brewster’s angle) 원리를 이용할 수 있다. 도 4는 브루스터 각(Brewster’s angle) 원리를 나타내는 개념도이다. 빛이 굴절률이 다른 두 매질 사이를 지날 때, 보통 그 경계면(200)에서 반사가 일어난다. 하지만, 어떤 편광 상태의 빛이 특정한 입사각으로 입사되면 경계면(200)에서 반사되지 않고 굴절되어 다른 매질을 통과한다(120). 이 때 경계면(200)의 법선(202)과 입사광(100)이 이루는 입사각이 브루스터 각(θB)이다.
이 각도에서는 편광된 빛의 전기장이 입사되는 평면과 나란하기 때문에 반사되지 않는 것이다. 이 편광상태의 빛은 수평 편광, 또는 p-편광(p-polarized) 상태라고 하는데, 입사되는 평면과 평행(parallel)하기 때문에 붙여진 이름이다. 빛이 입사된 평면과 수직한 상태로 편광되어 있다면 수직 편광, 또는 s-편광(s-polarized) 상태라고 하는데, 수직하다는 의미의 독일어 senkrecht에서 유래한 것이다. 따라서 무편광 상태의 빛(100)이 브루스터 각(θB)으로 입사되면, 반사된 빛(110)은 항상 s-편광 상태가 된다.
다시 도 1을 참조하면, 제1 조명부(22) 앞에 s- 편광 성분을 차단하는 편광필터(24b)를 배치함으로써 제1 조명부(22)에서 나온 입사광이 발광다이오드(5)의 표면에 대해 브루스터 각으로 입사하는 경우 발광다이오드(5)의 표면에서 입사광이 반사되는 것을 막음으로써 더욱 명확한, 발광다이오드(5)의 영상을 얻을 수 있다.
다만 검사대상물인 발광다이오드(5)에 대한 조명으로서 청색 이하 파장 영역의 가시광을 사용한다면 도 5의 (a)와 같이 발광다이오드의 본딩 와이어 부분 외 발광다이오드의 몸체부 패턴 등을 인식하기가 어려운 점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 제1 조명부(22)의 상부에 제2 조명부(24)를 배치하고 상기 발광다이오드(5)에 수직으로 입사하는 광원을 제공한다. 상기 제2 조명부(24)는 상기 제2 조명부(24)의 측부에 위치하고, 광원을 제공하는 제2램프(24a)와 제2 램프(24a)와 일정 거리 이격되어 사선으로 배치되는 반반사거울(half mirror, 24b)을 포함할 수 있다.
상기 제2 조명부(24)가 제공하는 광원은 녹색 파장 영역(약 495nm 내지 약 570nm)의 가시광이 바람직하다. 그 이유는 발광다이오드 칩의 패턴은 바닥면과 평행하고, 경면(mirror-like surface)이므로 제2 조명부(24)가 칩의 패턴에 대해 수직으로 제공하는 녹색 파장광을 카메라 방향으로 정반사한다.
그리고 본 발명의 비접촉식 발광다이오드 검사장치는 청색 및 녹색 파장 영역을 사용함으로써, 가시광 전체 영역의 광학계보다 좁은 영역의 파장 영역만 고려한다. 따라서 색수차가 적어 카메라 렌즈의 설계가 비교적 용이하고, 저렴한 재료로 렌즈를 제작할 수 있다.
도 5의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따라 조명부의 제1 조명부가 제공하는 청색 이하 파장 영역의 가시광과 제2 조명부가 제공하는 녹색 파장 영역의 가시광을 함께 검사대상물인 발광다이오드에 조사하였을 때 획득한 발광다이오드 영상이다. 도 5의 (b)는 도 5의 (a)와 비교했을 때, 발광다이오드 몸체부의 패턴 영상을 더 뚜렷하게 획득할 수 있음을 확인할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 카메라(30)는 조명부(20)의 상부에 위치하여, 상기 발광다이오드(5)의 영상을 촬영할 수 있다. 도 1에서는 하나의 카메라(30) 만을 도시하였으나, 본 발명의 비전검사장치는 배율이 다른 복수 개의 카메라(미도시)를 마련하여 사용자의 필요에 따라 발광다이오드(5)의 검사 범위를 다양하게 할 수 있다. 또는 상기 카메라(30)와 조명부(20) 사이에 배율이 서로 다른 복수 개의 렌즈(미도시)를 마련하여 발광다이오드(5)의 검사 범위를 다양하게 할 수도 있다.
한편, 비전처리부(40)는 상기 카메라(30)로부터 획득한 영상정보를 미리 입력된 대상 이미지와 비교하여 발광다이오드(5)의 양호 또는 불량을 판단한다.
상기 제어부(50)는 상기 스테이지부(10), 상기 카메라(30)의 구동 및 동작을 제어하는 모션 컨트롤러(미도시)를 포함하는 구성요소로서 본 발명에 따른 비전검사장치의 전체 구동을 제어할 수도 있다.
즉, 상기 제어부(50)는, 도 6에서와 같이, 이송 컨베이어(60)에 결합된 비전검사장치를 고정된 발광다이오드(5) 상부에서 전, 후, 좌, 우로 이송시켜, 미리 설정된 상기 발광다이오드(5)의 촬영영역에 따라 상기 카메라(30)에 촬영제어신호를 전송하도록 마련될 수 있다.
또한, 상기 제어부(50)는 시스템 제어 프로그램에 따라 비전검사장치의 촬영위치제어와 촬영된 영상의 처리와 조명부(20) 제어 등의 물리적인 제어를 담당함은 물론 검사작업수행 및 데이터 연산 작업을 수행한다.
아울러, 상기 제어부(50)는 작업내용 및 검사결과를 모니터에 출력하기 위한 출력장치 제어와 작업자가 설정 및 제반사항을 입력할 수 있는 입력장치 제어 등 비전검사장치의 총괄적인 제어를 담당한다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.

Claims (7)

  1. 발광다이오드를 카메라로 촬영한 후 촬영된 이미지를 미리 입력된 대상 이미지와 비교하여 발광다이오드의 양호 또는 불량을 판별하기 위한 검사장치로서,
    상기 발광다이오드를 탑재하고, 상기 발광다이오드를 검사위치에 고정 또는 이송시키는 스테이지부;
    상기 스테이지부의 상부에 위치하며, 상기 발광다이오드에 청색 이하 파장 영역의 가시광을 조사하는 제1 조명부와 상기 제1 조명부 상부에 위치하고 상기 발광다이오드에 녹색파장 영역의 가시광을 조사하는 제2 조명부를 구비하는 조명부;
    상기 조명부의 상부에 위치하여, 상기 발광다이오드의 영상을 촬영하는 카메라;
    상기 카메라에서 촬영된 영상을 판독하여 상기 발광다이오드의 양호 또는 불량을 판별하는 비전처리부; 및
    상기 스테이지부 및 상기 카메라부를 제어하는 모션 컨트롤러를 포함하는 제어부를 포함하는 비접촉식 발광다이오드 검사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 조명부는 상기 발광다이오드에 대해 브루스터 각(brewster’s angle)으로 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 발광다이오드 검사장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 조명부 앞에 위치하고, 상기 상기 제1 조명부에서 나온 빛 중 특정 편광 성분을 차단하는 편광필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 발광다이오드 검사장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 편광필터는 수직 편광(s-polarized) 성분을 차단하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 발광다이오드 검사장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 이하 파장은 495nm 이하인 것을 특징으로 하는 비접촉식 발광다이오드 검사장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 녹색파장은 495 nm 내지 570nm인 것을 특징으로 하는 비접촉식 발광다이오드 검사장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 표면에 금(Au) 성분을 포함하는 본딩 와이어 및 패턴이 마련되어 있는 몸체부를 구비하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 발광다이오드 검사장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101557394B1 (ko) 2014-02-18 2015-10-08 한국기술교육대학교 산학협력단 머신 비전 시스템 실습장비
CN109765472A (zh) * 2018-12-29 2019-05-17 江西兆驰半导体有限公司 一种非直接电接触式的发光二极管器件的电致发光量测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11237210A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Komatsu Ltd 半導体パッケージの検査装置
KR20050015784A (ko) * 2003-08-07 2005-02-21 최종주 표면 및 형상 검사장치
KR20080110045A (ko) * 2007-06-14 2008-12-18 (주)에이치아이티에스 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법
KR20090021023A (ko) * 2007-08-24 2009-02-27 주식회사 미르기술 전자부품의 검사 대상물용 경사 표면 검사 방법 및 이를사용한 검사 대상물의 경사 표면 검사 장치
KR20090110495A (ko) * 2008-04-18 2009-10-22 주식회사 미르기술 비전 검사 시스템

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006087213A2 (de) * 2005-02-18 2006-08-24 Schott Ag Verfahren und vorrichtung zur erfassung und/oder klassifizierung von fehlstellen
TWI303960B (en) * 2006-05-24 2008-12-01 Everlight Electronics Co Ltd A manufacture method of a printed circuit board of a light-emitting diode and a structure thereof
TWI439687B (zh) * 2009-12-03 2014-06-01 Samsung Electronics Co Ltd 發光二極體測試設備及其測試方法
TW201124715A (en) * 2010-01-13 2011-07-16 Youngtek Electronics Corp Detection device and detection method for detecting the appearance of LED

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11237210A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Komatsu Ltd 半導体パッケージの検査装置
KR20050015784A (ko) * 2003-08-07 2005-02-21 최종주 표면 및 형상 검사장치
KR20080110045A (ko) * 2007-06-14 2008-12-18 (주)에이치아이티에스 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법
KR20090021023A (ko) * 2007-08-24 2009-02-27 주식회사 미르기술 전자부품의 검사 대상물용 경사 표면 검사 방법 및 이를사용한 검사 대상물의 경사 표면 검사 장치
KR20090110495A (ko) * 2008-04-18 2009-10-22 주식회사 미르기술 비전 검사 시스템

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