KR20190010125A - 정전척의 에지 링 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전척의 에지 링에 관한 것으로서, 도전성 금속층에 폴리이미드층을 절연 접착하여 히터 전극을 형성하는 정전척의 에지 링에 관한 것이다. 이를 위해 정전척의 외주에 배치되는 에지 링, 및 정전척의 일면에 놓이는 웨이퍼 에지의 온도를 보상하도록 웨이퍼 에지의 위치와 대응되는 위치의 에지 링의 일면에 구비되어 발열되는 히터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링이 개시된다.

Description

정전척의 에지 링{Edge ring of electrostatic chuck}
본 발명은 정전척의 에지 링에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도전성 금속층에 폴리이미드층을 절연 접착하여 히터 전극을 형성하는 정전척의 에지 링에 관한 것이다.
일반적으로 정전척의 에지 링에는 웨이퍼 에지 영역의 온도를 보상하기 위해 히터 전극이 마련된다. 이러한 히터 전극을 마련하기 위해 종래에는 텅스텐(w) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 재료를 대략 1500도씨에서 소성 접합함으로써 에지 링에 히터 전극이 마련된다.
이렇게 텅스텐 또는 몰리브덴 등의 재료를 이용하여 에지 링의 바닥면에 소성 접합되는 히터 전극은 추후 수명이 다한 경우 에지 링의 바닥면에 재형성할 수 없기 때문에 에지 링 전체를 교환해야 하는 문제점이 있다(즉, 히터 전극을 다시 갈아내고 에지 링의 바닥면에 재형성 할 수 없음).
(선행문헌 1) KR 10-2008-0046822 (선행문헌 2) JP 2016-26401 (선행문헌 3) KR 10-2008-0042409 (선행문헌 4) KR 10-2006-0005740 선행문헌 1,2에는 포커스 링에 전극이 부착된 것을 개시하고 있으며, 선행문헌 3에는 정전척의 유전층 형성시에 폴리이미드를 사용할 수 있음을 개시하고 있으며, 선행문헌 4에는 정전척의 에지 단부에 놓이는 사이드 패드가 폴리이미드 재질로 이루어질 수 있음을 개시하고 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 에지 링에 부착되는 히터 전극을 폴리이미드 필름, 도전성 금속(전극), 및 접착 테이프에 의해 접착 형성시킴으로써 히터 전극의 사용 수명을 높일 수 있고 이에 따라 전체적으로 에지 링의 사용 수명을 늘릴 수 있는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적은, 정전척의 외주에 배치되는 에지 링, 및 정전척의 일면에 놓이는 웨이퍼 에지의 온도를 보상하도록 웨이퍼 에지의 위치와 대응되는 위치의 에지 링의 일면에 구비되어 발열되는 히터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링을 제공함으로써 달성될 수 있다.
또한, 에지 링은 단차가 형성된 제1 에지 링, 및 제1 에지 링의 단차부에 안착 구비되는 제2 에지 링을 포함하며, 히터 전극은 제2 에지 링의 하부면의 둘레방향에 구비된다.
또한, 제1,2 에지 링은 알루미나로 소성되어 상호 접착 본딩된다.
또한, 히터 전극은 열선이 패터닝된 도전성 금속층, 도전성 금속층에 절연 접착되는 절연 필름층, 및 도전성 금속층 또는 절연 필름층 중 어느 한 층에 적층되는 접착 필름층을 포함한다.
또한, 접착 필름층이 제2 에지 링의 하부면에 압력 접합된다.
또한, 절연 필름층은 폴리이미드이다.
또한, 도전성 금속층은 제1 전극, 및 제1 전극과 일정 거리 이격 배치되는 제2 전극을 포함하며, 절연 필름층은 제1 전극 및 제2 전극이 서로 절연되도록 도전성 금속층에 절연 접착된다.
또한, 제2 에지 링의 하부면에는 히터 전극이 삽입 안착되도록 음각 패턴이 형성된다.
또한, 음각 패턴의 안착홈의 높이는 히터 전극의 높이와 동일하거나 높게 형성된다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 에지 링에 부착되는 히터 전극의 수명이 다한 경우 구 히터 전극을 떼어내고 새 히터 전극을 부착함으로써 히터 전극의 교체가 간단하고 전체 교체 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 정전척 및 에지 링을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 에지 링 및 제2 에지 링의 단면을 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 제2 에지 링의 하부면에 히터 전극이 형성된 것을 나타낸 도면이고,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 히터 전극이 제2 에지 링의 하부면에 접착된 것을 도시한 도면이고,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 제2 에지 링의 하부면에 음각 패턴이 형성된 것을 도시한 도면이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 제2 에지 링의 하부면에 복수의 음각 패턴이 형성된 것을 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 정전척의 에지 링(200)은 도 1에 도시된 바와 같이 정전척(100)의 외주에 배치되어 플라즈마를 이용한 공정 처리 시 공정 균일도(Uniformity)를 향상시켜주는 기능을 수행하며 포커스 링으로도 불린다. 이러한 본 발명의 일실시예에 따른 에지 링(500)과 정전척(100)의 배치는 본 출원인이 기 출원한 대한민국 등록특허공보 제10-1591455(발명의 명칭 : 정전척 및 이의 리페어 방법)를 참조할 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 에지 링(200)은 대략적으로 제1 에지 링(210) 및 제2 에지 링(220)을 포함한다. 제1 에지 링(210)은 도 2에 도시된 바와 같이 단차(211)를 가진다. 따라서 제1 에지 링(210)의 단면 형상은 대략 "ㄴ"자이다. 제1 에지 링(210)에 제2 에지 링(220)이 안착된다. 제1,2 에지 링(210,220)은 알루미나(또는 세라믹 소재)를 소성 가공함으로써 이루어지며 서로 접착 본딩되어 에지 링(200)을 형성한다. 제2 에지 링(220)에는 TC홀(221)이 형성되어 있어서 정전척의 온도를 감지하도록 한다.
에지 링(200)에는 히터 전극이 마련되고 히터 전극에 전기가 공급되어 발열됨으로써 웨이퍼 에지의 온도를 보상한다. 웨이퍼(도면 미도시)는 정전척(100)의 상부면에 놓여 정전척에 의해 클램핑된다. 이때, 웨이퍼의 폭이 정전척(100)의 폭보다 조금 넓게 배치되기 때문에 웨이퍼의 에지 영역은 웨이퍼의 다른 영역(일예로서 중앙 영역)에 비해 온도가 다를 수 있다. 웨이퍼에 가해지는 온도가 불균일할 경우 공정 불량이 발생할 수 있다. 따라서 에지 링(200)에 히터 전극(300)을 배치하여 웨이퍼의 중앙 영역 대비 에지 영역의 온도를 균일하게 맞추도록 함으로써 공정 불량을 낮추도록 한다.
이에 따라 본 발명의 일실시예에 따른 에지 링(200)은 히터 전극(300)을 구비하는 것이 바람직하다. 더 나아가 도 3에 도시된 바와 같이 에지 링(200) 중 제2 에지 링(220)의 하부면에 히터 전극(300)을 형성하도록 하는 것이 더욱 바람직하다. 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 히터 전극(300)은 제2 에지 링(220)의 하부면 내측에 둘레방향으로 형성된다. 히터 전극(300)은 도 4에 도시된 바와 같이 대략적으로 전극을 이루는 도전성 금속층(310), 절연 필름층(330), 및 접착 필름층(340)으로 이루어진다. 이때, 도전성 금속층(310)은 SUS 재질로 이루어지며, 도 3에 도시된 바와 같이 설명의 편의를 위하여 제1 전극(311) 및 제2 전극(312)을 포함한다. 도전성 금속층(310)은 원하는 패턴으로 패터닝될 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같은 형상으로 제1,2 전극(311,312)이 패터닝될 수도 있고 도면에는 도시되어 있지 않으나 다양한 패턴 형상(일예로서 메쉬형상)을 가지도록 제1,2 전극이 패터닝될 수 있다. 이때, 제1,2 전극(311,312)은 제1,2 단자(321,322)를 통해 외부에서 전원이 공급되는 경우 발열되며, 이 발열량에 따라 웨이퍼의 에지 영역에 온도를 보상하게 된다. 따라서 제1,2 전극(311,312)은 보상할 웨이퍼 에지 영역에 대응하여 수직 하방에 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 도 3에 도시된 히터 전극(300)은 제1,2 전극을 포함하여 이루어지나, 다른 예로서 도 3에 도시된 히터 전극(300)이 제2 에지 링(220)의 하부면에 복수로 구비될 수도 있다. 즉, 제1 히터 전극(제1,2 전극으로 이루어짐)이 제2 에지 링(220)의 하부면에 형성되고, 제2 히터 전극(제1,2 전극으로 이루어짐)이 제1 히터 전극의 외주면에 배치될 수 있다. 따라서 좀 더 넓은 범위(면적)에서 웨이퍼 에지를 온도 보상할 수 있다. 다만, 후술하는 바와 같이 제1,2 히터 전극으로 복수로 구비되는 경우에는 음각 패턴(400)도 이에 상응하도록 형성되는 것이 바람직하다.
도 3에 도시된 바와 같이 제1,2 단자(321,322)는 도 3을 기준으로 상측에 형성된다. 또한, 제1,2 전극(311,312)은 도 3을 기준으로 하측에서 절곡되며, 제1,2단자(321,322)와 서로 전기적으로 접속된다. 좀 더 상세하게는 제1 단자(321)와 전기적으로 접속된 제1 전극(311)은 제2 에지 링(220)의 좌측에서 반시계방향으로 반원 형상으로 이루어지며, 제2 에지 링(220)의 하측에서 절곡되어 다시 시계방향으로 반원 형상으로 제2 전극(312)이 이루어진다. 제2 에지 링(220)의 우측에서 시계방향으로 반원 형상으로 제2 전극(312)이 이루어지며, 제2 에지 링(220)의 하측에서 절곡되어 다시 반시계방향으로 반원 형상으로 제1 전극(311)이 이루어진다. 다만, 상술한 제1,2 전극(311,312)은 제1,2 단자(321,322)에 서로 전기적으로 끊김 없이 연결 접속되며, 설명의 편의를 위하여 구분하였을 뿐이다. 또한, 제1,2 전극(311,312)의 전체적인 형상은 제2 에지 링(220)의 단면 형상과 유사하게 "원 형상"이다. 다만, 제1,2 전극(311,312)은 상호간에 일정 거리 이격되어 구비된다.
도 4에 도시된 바와 같이 히터 전극(300)은 대략 10 ~ 15옴의 전기적 특성을 유지하여야 하며, 상술한 바와 같이 도전성 금속층(310), 절연 필름층(330), 및 접착 필름층(340)으로 이루어진다. 도전성 금속층(310)은 상술한 바와 같이 SUS 재질로 제1,2 전극(311,312)을 포함한다. 도전성 금속층(310)은 다양한 패턴으로 이루어질 수 있다. 도전성 금속층(310)의 상부면에는 절연 필름층(330)이 절연 접착된다. 절연 필름층(330)은 폴리이미드로 이루어진다. 절연 필름층(330)은 도 4에 도시된 바와 같이 제1,2 전극(310,320)이 서로 이격된 사이 공간에 절연 필름층(330)이 접착되도록 절연 접착되어 제1 전극과 제2 전극을 서로 절연하는 것이 바람직하다. 절연 필름층(330) 또는 도전성 금속층(310) 중 어느 한 층에는 접착 필름층(340)이 형성되는 것이 바람직하다. 접착 필름층(340)은 일예로서 양면 테이프(아크릴 재질 접착제)가 될 수 있으며, 접착 필름층(340)이 제2 에지 링(220)의 하부면에 압력 접착된다. 압력 접착은 히터 전극(300)을 제2 에지 링(220)의 하부면 바닥에 올려놓고 장비로 가열과 압력을 가하여 접착함으로써 수행된다.
도 5에 도시된 바와 같이 히터 전극(300)은 제2 에지 링(220)의 하부면에 형성된 음각 패턴(400)에 삽입된다. 즉, 제2 에지 링(220)의 하부면에는 히터 전극(300)이 삽입 안착될 수 있는 안착홈(410)이 형성된다. 이러한 음각 패턴(400)은 상술한 바와 같이 제1,2 히터 전극(351,352)이 구비되는 경우에는 이에 맞도록 음각 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 제1,2 히터 전극(351,352)의 각각의 폭에 맞도록 안착홈(411,412)의 폭이 제2 에지 링(220)의 하부면에 형성되거나 또는 제1 히터 전극(351)과 제2 히터 전극(352) 사이를 구획할 수 있는 구획 공간이 형성될 수 있다. 이때에는 제1 히터 전극(351)은 제1 음각 패턴(411)에 안착 되고, 제2 히터 전극(352)은 제2 음각 패턴(412)에 안착 되어 상호 격리 안착될 수 있다. 이러한 구현은 제1 안착홈(411)과 제2 안착홈(412) 간에 일정 거리를 둠으로써 제2 에지 링(220)의 대략 중앙영역에 구획부(222)가 형성됨으로써 구체화될 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 바람직하게는 히터 전극(300)의 높이보다 음각 패턴(또는 안착홈,410,411,412)의 높이가 더 높거나 동일한 것이 좋다. 즉, 안착홈(410)의 깊이가 히터 전극(300)을 수용하도록 깊은 것이 바람직하다. 이렇게 음각 패턴(410)을 형성하고 그 속에 히터 전극(300)을 삽입하는 경우에는 공정 챔버 내에서 플라즈마 데미지를 줄일 수 있다. 즉, 플라즈마에 의해 제1 에지 링(210)과 제2 에지 링(220)의 접착 데미지가 발생하고, 이러한 접착 데미지에 의해 히터 전극이 손상을 입거나 히터 전극의 발열이 일정하게(대략 60도) 유지되지 않는 문제점이 있다. 따라서 음각 패턴 내에 히터 전극을 삽입하는 경우에는 이러한 문제점을 방지할 수 있는 장점이 있다.
상술한 나란하게 배치되는 제1,2 전극의 수는 사용환경에 따라 더 많게 또는 더 적게 구비될 수 있으며, 전극 간 이격 거리도 전극이 3개 이상 구비되는 경우 서로 다르게 할 수 있다. 전극의 폭(또는 넓이) 및 높이도 사용환경에 따라 다양한 수치를 적용할 수 있다. 다만, 전극의 높이는 상술한 음각 패턴의 깊이와 서로 연관되어 정해지는 것이 바람직하다.
본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.
이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
100 : 정전척
200 : 에지 링(또는 포커스 링)
210 : 제1 에지 링
211 : 단차
220 : 제2 에지 링
221 : TC홀
222 : 구획부
223 : 내측면
224 : 외측면
300 : 히터 전극
310 : 도전성 금속층
311 : 제1 전극
312 : 제2 전극
321 : 제1 단자
322 : 제2 단자
330 : 절연 필름층
340 : 접착 필름층
351 : 제1 히터 전극
352 : 제2 히터 전극
400 : 음각 패턴
410 : 안착홈
411 : 제1 안착홈
412 : 제2 안착홈

Claims (9)

  1. 정전척의 외주에 배치되는 에지 링, 및
    상기 정전척의 일면에 놓이는 웨이퍼 에지의 온도를 보상하도록 상기 웨이퍼 에지의 위치와 대응되는 위치의 상기 에지 링의 일면에 구비되어 발열되는 히터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 링은,
    단차가 형성된 제1 에지 링, 및
    상기 제1 에지 링의 단차부에 안착 구비되는 제2 에지 링을 포함하며,
    상기 히터 전극은 상기 제2 에지 링의 하부면의 둘레방향에 구비되는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1,2 에지 링은 알루미나로 소성되어 상호 접착 본딩되는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 히터 전극은,
    열선이 패터닝된 도전성 금속층,
    상기 도전성 금속층에 절연 접착되는 절연 필름층, 및
    상기 도전성 금속층 또는 절연 필름층 중 어느 한 층에 적층되는 접착 필름층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 접착 필름층이 상기 제2 에지 링의 하부면에 압력 접합되는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연 필름층은 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 도전성 금속층은,
    제1 전극, 및
    상기 제1 전극과 일정 거리 이격 배치되는 제2 전극을 포함하며,
    상기 절연 필름층은 상기 제1 전극 및 제2 전극이 서로 절연되도록 상기 도전성 금속층에 절연 접착되는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 에지 링의 하부면에는 상기 히터 전극이 삽입 안착되도록 음각 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 음각 패턴의 안착홈의 높이는 상기 히터 전극의 높이와 동일하거나 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척의 에지 링.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112234015A (zh) * 2020-10-12 2021-01-15 北京巨瓷科技有限公司 一种同心圆结构的静电吸盘电极图形结构

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060005740A (ko) 2004-07-14 2006-01-18 삼성전자주식회사 건식 식각 장비의 프로세스 챔버 내부구조
KR20080042409A (ko) 2006-11-10 2008-05-15 주식회사 코미코 정전척
KR20080046822A (ko) 2006-11-23 2008-05-28 삼성전자주식회사 포커스 링 내부에 조절 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치
JP4596883B2 (ja) * 2004-10-28 2010-12-15 京セラ株式会社 環状ヒータ
KR20110120349A (ko) * 2009-03-24 2011-11-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 구조 및 처리 장치
KR20150074447A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 (주)엘케이솔루션 정전척 및 이의 리페어 방법
JP2016026401A (ja) 2015-10-02 2016-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法
JP2017050468A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 新光電気工業株式会社 静電チャック装置及び静電チャック装置の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060005740A (ko) 2004-07-14 2006-01-18 삼성전자주식회사 건식 식각 장비의 프로세스 챔버 내부구조
JP4596883B2 (ja) * 2004-10-28 2010-12-15 京セラ株式会社 環状ヒータ
KR20080042409A (ko) 2006-11-10 2008-05-15 주식회사 코미코 정전척
KR20080046822A (ko) 2006-11-23 2008-05-28 삼성전자주식회사 포커스 링 내부에 조절 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치
KR20110120349A (ko) * 2009-03-24 2011-11-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 구조 및 처리 장치
KR20150074447A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 (주)엘케이솔루션 정전척 및 이의 리페어 방법
JP2017050468A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 新光電気工業株式会社 静電チャック装置及び静電チャック装置の製造方法
JP2016026401A (ja) 2015-10-02 2016-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
선행문헌 1,2에는 포커스 링에 전극이 부착된 것을 개시하고 있으며, 선행문헌 3에는 정전척의 유전층 형성시에 폴리이미드를 사용할 수 있음을 개시하고 있으며, 선행문헌 4에는 정전척의 에지 단부에 놓이는 사이드 패드가 폴리이미드 재질로 이루어질 수 있음을 개시하고 있다.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112234015A (zh) * 2020-10-12 2021-01-15 北京巨瓷科技有限公司 一种同心圆结构的静电吸盘电极图形结构

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