KR20190004503A - Producing method of mask - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a mask. According to the present invention, the method for manufacturing a mask (100) by electroforming comprises the steps of: (a) providing a conductive substrate (21); (b) forming an insulation unit (26) patterned on one surface of the conductive substrate (21) to manufacture a mother plate (20); (c) using the mother plate (20) as a cathode body (20), and forming a plating film (100) on a surface of the mother plate (20) by electroforming; (d) performing heat-treatment on the plating film (100); and (e) separating the plating film (100) from the mother plate (20). In the step (c), the plating film (100: 110, 120) is formed on upper and side surfaces of the mother plate (20).

Description

마스크의 제조 방법 {PRODUCING METHOD OF MASK}PRODUCING METHOD OF MASK

본 발명은 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전주 도금 방식을 이용하여 패턴을 가지는 마스크를 형성함과 동시에 마스크의 변형을 방지하고 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있는 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a mask. More specifically, the present invention relates to a mask manufacturing method capable of forming a mask having a pattern by using a electroplating method, preventing deformation of the mask, and making alignment clear.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, electroforming methods have been studied in the manufacture of thin plates. In the electroplating method, an anode body and a cathode body are immersed in an electrolytic solution, and a power source is applied to electrodeposit a metal thin plate on the surface of the cathode body, so that an ultra thin plate can be manufactured and mass production can be expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.On the other hand, FMM (Fine Metal Mask) method for depositing an organic material at a desired position by bringing a thin film metal mask (Shadow Mask) into close contact with a substrate is mainly used as a technique of forming a pixel in an OLED manufacturing process.

도 1은 종래의 FMM(Fine Metal Mask) 제조 과정을 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional FMM (Fine Metal Mask) manufacturing process.

도 1를 참조하면, 도금을 이용한 기존의 마스크 제조 방법은, 기판(4)[도 1의 (a)]을 준비하고, 기판(4) 상에 소정의 패턴을 가지는 PR(2)을 코팅한다[도 1의 (b)]. 이어서, 기판(4) 상에 도금을 수행하여 금속 박판(3)을 형성한다[도 1의 (c)]. 이어서, PR(2)을 제거하고[도 1의 (d)], 기판(4)으로부터 패턴(P)이 형성된 마스크(3)[또는, 금속 박판(3)]을 분리하여 제조를 완료한다.Referring to FIG. 1, a conventional mask manufacturing method using plating includes preparing a substrate 4 (FIG. 1 (a)) and coating a PR 2 having a predetermined pattern on a substrate 4 (Fig. 1 (b)). Subsequently, plating is performed on the substrate 4 to form a metal thin plate 3 (Fig. 1 (c)). Subsequently, the PR 2 is removed (Fig. 1 (d)), and the mask 3 (or the thin metal plate 3) on which the pattern P is formed is removed from the substrate 4 to complete the fabrication.

도 1과 같이 도금으로 생성한 금속 박판(3)은 압연으로 생성한 금속 박판에 비해 열팽창계수가 높다. 금속 박판을 FMM으로 사용할 때, 열팽창계수가 낮을수록 열에 대한 패턴의 변형이 줄어들어 고화질의 화소 공정을 수행할 수 있다. 따라서 도금으로 생성한 금속 박판(3)에 열처리(H)를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있다. 하지만, 도 1의 (e)와 같이 열처리(H)를 수행하는 경우 기판(4) 상의 금속 박판(3)이 박리(3')되는 문제점이 있었다. 심지어는 박리(3')되어 찢어지거나, 잘게 부서지거나, 접히거나 주름이 생겨, 패턴(P') 형태가 불명확해지며, 제품으로 사용할 수 없게되는 문제점이 있었다.As shown in Fig. 1, the thin metal plate 3 produced by plating has a higher thermal expansion coefficient than the thin metal plate produced by rolling. When metal foil is used as FMM, the lower the thermal expansion coefficient, the less deformation of the pattern with respect to heat, and the high-quality pixel process can be performed. Therefore, the thermal expansion coefficient can be lowered by performing the heat treatment (H) on the thin metal plate 3 formed by plating. However, there is a problem that when the heat treatment (H) is performed as shown in FIG. 1 (e), the thin metal plate 3 on the substrate 4 peels off. It is even peeled (3 ') to be torn, crushed, folded or wrinkled, and the pattern (P') becomes unclear, making the product unusable.

초고화질의 OLED 제조 공정에서는 수 ㎛의 미세한 정렬의 오차도 화소 증착의 실패로 이어 질 수 있으므로, 화소 증착 공정에서 열에 의한 변형을 방지할 수 있도록, 열팽창계수가 낮은 FMM을 제조하는 기술이 필요한 실정이다.In order to prevent deformation due to heat in the pixel deposition process, there is a need for a technique for manufacturing an FMM having a low thermal expansion coefficient because an error in fine alignment of several micrometers in an ultra-high quality OLED manufacturing process may lead to failure of pixel deposition. to be.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는 마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a mask capable of manufacturing a mask having a pattern by only a plating process, and a mold plate used therefor .

또한, 본 발명은 열처리를 통해 낮은 열팽창계수를 가지는 마스크를 제조할 수 있고, 열처리 과정에서 마스크의 박리를 방지하고, 마스크 패턴의 변형을 방지할 수 있는 마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Also, the present invention provides a method of manufacturing a mask capable of manufacturing a mask having a low thermal expansion coefficient through heat treatment, preventing peeling of the mask during heat treatment, preventing deformation of the mask pattern, and providing a base plate The purpose of that is to do.

본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서, (a) 전도성 기재를 제공하는 단계; (b) 전도성 기재의 일면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계; (c) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 모판 표면 상에 도금막을 형성하는 단계; (d) 도금막을 열처리하는 단계; 및 (e) 모판으로부터 도금막을 분리하는 단계를 포함하고, (c) 단계에서, 모판의 상부면 및 측면 상에 도금막을 형성하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is achieved by a method of manufacturing a mask by electroforming comprising the steps of: (a) providing a conductive substrate; (b) forming a patterned insulating part on one surface of the conductive substrate to manufacture a mother plate; (c) forming a plating film on the surface of the base plate by electroforming using a base plate as a cathode body; (d) heat treating the plating film; And (e) separating the plating film from the base plate, wherein in the step (c), a plating film is formed on the upper surface and side surfaces of the base plate.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서, (a) 전도성 기재를 제공하는 단계; (b) 전도성 기재의 일면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계; (c) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 모판 표면 상에 도금막을 형성하는 단계; (d) 도금막을 열처리하는 단계; 및 (e) 모판으로부터 도금막을 분리하는 단계를 포함하고, (c) 단계에서, 모판의 상부면 및 측면 및 하부면의 적어도 일부 상에 도금막을 형성하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is also achieved by a method of manufacturing a mask by electroforming comprising the steps of: (a) providing a conductive substrate; (b) forming a patterned insulating part on one surface of the conductive substrate to manufacture a mother plate; (c) forming a plating film on the surface of the base plate by electroforming using a base plate as a cathode body; (d) heat treating the plating film; And (e) separating the plated film from the base plate, wherein in step (c), a plated film is formed on at least a part of the upper surface and the side and lower surfaces of the base plate.

전도성 기재는 도핑된 단결정 실리콘 재질일 수 있다.The conductive substrate may be a doped monocrystalline silicon material.

절연부는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나의 재질일 수 있다.The insulating portion may be made of any one of photoresist, silicon oxide, and silicon nitride.

절연부는 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.The insulating portion may have a tapered shape or a reverse tapered shape.

열처리는 300℃ 내지 800℃로 수행할 수 있다.The heat treatment may be performed at 300 캜 to 800 캜.

(c) 단계와 (d) 단계 사이에, 절연부를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.between the step (c) and the step (d), removing the insulating portion.

(d) 단계와 (e) 단계 사이에, 도금막의 테두리 영역을 커팅하는 단계를 더 포함할 수 있다.and cutting the edge region of the plating film between the step (d) and the step (e).

(d) 단계와 (e) 단계 사이에, 도금막의 적어도 일부의 테두리 영역을 제외한 나머지 영역 상에 2차 절연부를 형성한 후, 도금막의 테두리 영역의 적어도 일부를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.the method may further include, after the step (d) and the step (e), forming a secondary insulation portion on the remaining region except the edge region of at least a part of the plated film, and then removing at least a part of the edge region of the plated film .

(c) 단계는, (c1) 모판의 폭보다 큰 통전막이 상부에 형성되고, 통전막의 테두리 영역 상에 지지 절연부가 형성된 지지부를 준비하는 단계; (c2) 모판을 지지부의 통전막 상에 로딩하는 단계; (c3) 모판 및 지지부의 적층체를 음극체로 사용하고, 전주 도금으로 모판 상에 도금막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.(c) the step (c1) comprises the steps of: (c1) preparing a supporting portion in which a conductive film larger than the width of the base plate is formed on the upper portion and the support insulating portion is formed on the edge region of the conductive film; (c2) loading the base plate on the conductive film of the supporting portion; (c3) forming a plating film on the base plate by electroplating using a laminate of a base plate and a support as a negative electrode body.

(c) 단계는, (c1) 모판의 폭보다 큰 통전막이 상부에 형성되고, 통전막의 테두리 영역 상에 지지 절연부가 형성된 지지부를 준비하는 단계; (c2) 통전막 상에 모판의 폭보다 작은 플로팅 통전막을 형성하고, 모판을 지지부의 플로팅 통전막 상에 로딩하는 단계; (c3) 모판 및 지지부의 적층체를 음극체로 사용하고, 전주 도금으로 모판 상에 도금막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.(c) the step (c1) comprises the steps of: (c1) preparing a supporting portion in which a conductive film larger than the width of the base plate is formed on the upper portion and the support insulating portion is formed on the edge region of the conductive film; (c2) forming a floating conductive film smaller than the width of the matrix on the conductive film, and loading the matrix on the floating conductive film of the support; (c3) forming a plating film on the base plate by electroplating using a laminate of a base plate and a support as a negative electrode body.

지지부는 통전막보다 큰 폭을 가지고, 모판 측면에 가해지는 전기장의 적어도 일부가 통전막이 형성되지 않은 지지부의 영역 상으로 분산될 수 있다.The supporting portion has a width larger than that of the energizing film and at least a part of the electric field applied to the side surface of the base can be dispersed onto the region of the supporting portion where the energizing film is not formed.

절연부 상에서 도금막의 형성이 방지되어 도금막이 패턴을 가지게 될 수 있다.The formation of the plating film on the insulating portion can be prevented and the plating film can have a pattern.

도금막은 인바(Invar) 또는 수퍼 인바(Super Invar) 재질일 수 있다.The plated film may be Invar or Super Invar material.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 도금 공정만으로 패턴을 가지는 마스크를 제조할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that a mask having a pattern can be manufactured only by the plating process.

또한, 본 발명에 따르면, 열처리를 통해 낮은 열팽창계수를 가지는 마스크를 제조할 수 있고, 열처리 과정에서 마스크의 박리를 방지하고, 마스크 패턴의 변형을 방지할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, a mask having a low thermal expansion coefficient can be manufactured through heat treatment, and peeling of the mask in the heat treatment process can be prevented, and deformation of the mask pattern can be prevented.

도 1은 종래의 FMM(Fine Metal Mask) 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 FMM을 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전주 도금 장치를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7 내지 도 8은 도 5의 마스크 제조 과정을 상세히 나타내는 도면이다.
도 9 내지 도 10은 도 6의 마스크 제조 과정을 상세히 나타내는 도면이다.1 is a schematic view showing a conventional FMM (Fine Metal Mask) manufacturing process.
2 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus using FMM according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic view showing a electroplate plating apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view showing a mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic view illustrating a process of manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic view illustrating a process of manufacturing a mask according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 7 to 8 are views showing the mask manufacturing process of FIG. 5 in detail.
FIGS. 9 to 10 are views showing details of the mask manufacturing process of FIG.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views, and length and area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 FMM(100)을 이용한 OLED 화소 증착 장치(200)를 나타내는 개략도이다.2 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus 200 using the FMM 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 일반적으로 OLED 화소 증착 장치(200)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.2, an OLED pixel deposition apparatus 200 generally includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a cooling water line 350 is disposed, And a deposition source supply part 500 for supplying a deposition source 600.

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 FMM(100)이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의한 인력으로 FMM(100)이 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as a glass on which the organic material source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source evaporator 500. The FMM 100 for causing the organic material source 600 to be deposited on a pixel-by-pixel basis may be closely adhered to the target substrate 900 or may be disposed in close proximity. The magnet 310 generates a magnetic field and the FMM 100 can be brought into close contact with the target substrate 900 by a magnetic field.

스틱형(Stick-Type) 마스크[도 4의 (a) 참조], 플레이트형(Plate-Type) 마스크[도 4의 (b) 참조]는 대상 기판(900)에 밀착되기 전에 얼라인(align)이 필요하다. 하나의 마스크 또는 복수의 마스크는 프레임(800)에 결합될 수 있다. 프레임(800)은 OLED 화소 증착 장치(200) 내에 고정 설치되고, 마스크는 별도의 부착, 용접 공정을 거쳐 프레임(800)에 결합될 수 있다.A stick-type mask (see FIG. 4A) and a plate-type mask (see FIG. 4B) are aligned before they are brought into close contact with the target substrate 900, Is required. One mask or a plurality of masks may be coupled to the frame 800. The frame 800 is fixedly installed in the OLED pixel deposition apparatus 200, and the mask can be coupled to the frame 800 via a separate attachment, welding process.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 FMM 마스크(100)에 형성된 패턴(PP)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. FMM 마스크(100)의 패턴을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 reciprocates in the right and left path and can supply the organic material source 600. The organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 pass the pattern PP formed on the FMM mask 100 And may be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic material source 600 that has passed through the pattern of the FMM mask 100 may act as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, FMM 마스크(100)의 패턴(PP)은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴(PP)을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.The pattern PP of the FMM mask 100 may be formed obliquely S (or formed into a tapered shape S) in order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 by a shadow effect . The organic material sources 600 passing through the pattern PP in the diagonal direction along the inclined surface can also contribute to the formation of the pixel 700, so that the pixel 700 can be uniformly deposited in thickness as a whole.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전주 도금 장치(10)를 나타내는 개략도이다. 도 3에는 평면 전주 도금 장치(10)를 도시하였지만, 본 발명은 도 4에 도시된 형태에 제한되지는 않으며 평면 전주 도금 장치, 연속 전주 도금 장치 등 공지의 전주 도금 장치에 모두 적용될 수 있음을 밝혀둔다.Fig. 3 is a schematic view showing the electroplate plating apparatus 10 according to one embodiment of the present invention. Although FIG. 3 shows the planar electroplating apparatus 10, the present invention is not limited to the form shown in FIG. 4, and it can be applied to all known electroplating apparatuses such as a planar electroplating apparatus and a continuous electroplating apparatus Leave.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전주 도금 장치(10)는, 도금조(11), 음극체(Cathode Body; 20), 양극체(Anode Body; 30), 전원공급부(40)를 포함한다. 이 외에, 음극체(20)를 이동시키기 위한 수단, 마스크(100)로 사용될 도금막(100)[또는, 금속 박판(100)]을 음극체(20)로부터 분리시키기 위한 수단, 커팅하기 위한 수단 등(미도시)을 더 포함할 수 있다.3, the electroplating apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a plating vessel 11, a cathode body 20, an anode body 30, a power supply unit 40 ). A means for separating the plating film 100 (or the thin metal plate 100) to be used as the mask 100 from the cathode body 20, means for cutting the electrode body 20, And the like (not shown).

도금조(11) 내에는 도금액(12)이 수용된다. 도금액(12)은 전해액으로서, 마스크(100)로 사용될 도금막(100)의 재료가 될 수 있다. 일 실시 예로, 철니켈합금인 인바(Invar) 박판을 도금막(100)으로서 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액 및 Fe 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액(12)으로 사용할 수 있다. 다른 실시 예로, 철니켈코발트합금인 슈퍼 인바(Super Invar) 박판을 도금막(100)으로 제조하는 경우, 일 예로, Ni 이온을 포함하는 용액, Fe 이온을 포함하는 용액 및 Co 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액(12)으로 사용할 수도 있다. 인바 박판, 슈퍼 인바 박판은 OLED의 제조에 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용되며, 전자빔을 형광체에 정확하게 유도할 수 있는 역할을 한다. 그리고, 인바 박판은 열팽창계수가 약 약 1.0 X 10-6/℃, 슈퍼 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10-7/℃ 정도로 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 주로 사용된다. 이 외에도 목적하는 도금막(100)에 대한 도금액(12)을 제한없이 사용할 수 있으며, 본 명세서에서는 인바 박판(100)[또는, 인바 마스크(100)]을 제조하는 것을 주된 예로 상정하여 설명한다.A plating liquid (12) is contained in the plating tank (11). The plating liquid 12 may be a material of the plating film 100 to be used as the mask 100 as an electrolytic solution. In one embodiment, when a thin plate of Invar, which is an iron nickel alloy, is manufactured as a plated film 100, a mixed solution of a solution containing Ni ions and a solution containing Fe ions may be used as the plating solution 12. In another embodiment, when a super Invar thin plate, which is an iron nickel cobalt alloy, is made of the plated film 100, for example, a solution containing Ni ions, a solution containing Fe ions, and a solution containing Co ions May be used as the plating liquid (12). Inverted foil and Super Invarned foil are used as FMM (Fine Metal Mask) and Shadow Mask in the manufacture of OLED, and can play an important role in accurately guiding the electron beam to the phosphor. Then, the Invar sheet is from about from about 1.0 X the thermal expansion coefficient of 10 -6 / ℃, Super Invar sheet has a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 -7 / ℃ So that the pattern shape of the mask is not likely to be deformed due to heat energy, and thus it is mainly used in high-resolution OLED manufacturing. In addition to this, the plating solution 12 for the desired plating film 100 can be used without limitation. In this specification, it is assumed that the manufacturing of the thin insulating film 100 (or the invar mask 100) is described as a main example.

도금액(12)이 외부의 도금액 공급수단(미도시)으로부터 도금조(11)로 공급될 수 있으며, 도금조(11) 내에는 도금액(12)을 순환시키는 순환 펌프(미도시), 도금액(12)의 불순물을 제거하는 필터(미도시) 등이 더 구비될 수 있다.A plating liquid 12 can be supplied from an external plating liquid supply means (not shown) to the plating tank 11 and a circulating pump (not shown), a plating liquid 12 (not shown) for circulating the plating liquid 12 in the plating tank 11, And a filter (not shown) for removing impurities of the semiconductor device.

음극체(20)는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액(12) 내에 음극체(20)의 전부가 침지될 수 있다. 도 3에는 음극체(20) 및 양극체(30)가 수직으로 배치되는 형태가 도시되어 있으나, 수평으로 배치될 수도 있으며, 이 경우에는 도금액(12) 내에 음극체(20)의 적어도 일부 또는 전부가 침지될 수 있다.The negative electrode body 20 has a flat plate shape and the like on one side, and the whole of the negative electrode body 20 can be immersed in the plating liquid 12. Although the anode 20 and the anode 30 are vertically arranged in FIG. 3, they may be arranged horizontally. In this case, at least a part or all of the anode 20 in the plating liquid 12 Can be immersed.

음극체(20)의 표면 상에 도금막(100)이 전착되고, 도금막(100)에 음극체(20)의 절연부(25)와 대응하는 패턴이 형성될 수 있다. 본 발명의 음극체(20)는 도금막(100)의 생성 과정에서 패턴까지 형성할 수 있으므로, 음극체(20)를 "모판"(Mother Plate; 20) 또는 "몰드"라고 표현하고 병기하여 사용한다. 모판(20)[또는, 음극체(20)] 표면의 구체적인 구성은 후술한다.A plating film 100 may be deposited on the surface of the cathode body 20 and a pattern corresponding to the insulating portion 25 of the cathode body 20 may be formed on the plating film 100. [ The negative electrode body 20 of the present invention can be formed up to a pattern in the process of forming the plating film 100. Therefore, the negative electrode body 20 is referred to as a " mother plate " do. The specific configuration of the surface of the base plate 20 (or the cathode body 20) will be described later.

양극체(30)는 음극체(20)와 대향하도록 소정 간격 이격 설치되고, 음극체(20)에 대응하는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액(12) 내에 양극체(30)의 전체가 침지될 수 있다. 양극체(30)는 티타늄(Ti), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등과 같은 불용성 재료로 구성될 수 있다. 음극체(20)와 양극체(30)는 수cm 정도로 이격 설치될 수 있다.The anode body 30 is provided at a predetermined interval so as to face the anode body 20 and has a flat plate shape or the like which is flat on one side corresponding to the anode body 20, It can be immersed. The anode body 30 may be made of an insoluble material such as titanium (Ti), iridium (Ir), ruthenium (Ru), or the like. The anode body 20 and the anode body 30 may be spaced apart by several centimeters.

전원공급부(40)는 음극체(20)와 양극체(30)에 전기 도금에 필요한 전류를 공급할 수 있다. 전원공급부(40)의 (-) 단자는 음극체(20), (+) 단자는 양극체(30)에 연결될 수 있다.The power supply unit 40 can supply a current necessary for electroplating to the anode body 20 and the anode body 30. The (-) terminal of the power supply unit 40 may be connected to the anode body 20, and the (+) terminal may be connected to the anode body 30.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크(100: 100a, 100b)를 나타내는 개략도이다.4 is a schematic diagram illustrating a mask 100 (100a, 100b) according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 모판(20)[또는, 음극체(20)]을 포함하는 전주 도금 장치(10)를 사용하여 제조된 마스크(100: 100a, 100b)가 도시되어 있다. 도 4의 (a)에 도시된 마스크(100a)는 스틱형(Stick-Type) 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임(800)에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 4의 (b)에 도시된 마스크(100b)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용할 수 있고, 플레이트의 테두리를 OLED 화소 증착 프레임(800)에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 4의 (c)는 도 4의 (a) 및 (b)의 A-A' 확대 측단면도이다.4, there is shown a mask 100 (100a, 100b) manufactured using a electroplate plating apparatus 10 comprising a base plate 20 (or a cathode body 20) of the present invention. The mask 100a shown in FIG. 4 (a) is a stick-type mask, and both sides of the stick can be welded and fixed to the OLED pixel deposition frame 800. The mask 100b shown in FIG. 4B is a plate-type mask, which can be used in a pixel forming process in a large area, and the edge of the plate is welded to the OLED pixel deposition frame 800 to be used . 4 (c) is an enlarged cross-sectional view along the line A-A 'in (a) and (b) of FIG.

마스크(100: 100a, 100b)의 바디(Body)에는 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 형성될 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응하는 패턴이다. 디스플레이 패턴(DP)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)을 확인할 수 있다. 화소 패턴(PP)들은 측부가 기울어진 형상, 테이퍼(Taper) 형상을 가질 수 있다[도 5의 (c) 참조]. 수많은 화소 패턴(PP)들은 군집을 이루어 디스플레이 패턴(DP) 하나를 구성하며, 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 마스크(100: 100a, 100b)에 형성될 수 있다.A plurality of display patterns DP may be formed on the body of the mask 100 (100a, 100b). The display pattern DP is a pattern corresponding to one display such as a smart phone. When the display pattern DP is enlarged, a plurality of pixel patterns PP corresponding to R, G, and B can be confirmed. The pixel patterns PP may have a tapered shape or a tapered shape (see Fig. 5 (c)). A large number of pixel patterns PP constitute one display pattern DP and a plurality of display patterns DP may be formed on the mask 100 (100a, 100b).

본 발명의 마스크(100)는 별도의 패터닝 공정을 거칠 필요 없이, 곧바로 복수의 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)을 가지며 제조되는 것을 특징으로 한다. 다시 말해, 전주 도금 장치에서 모판(20)[또는, 음극체(20)]의 표면에 전착되는 도금막(100)은 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)이 형성되면서 전착될 수 있다. 이하에서, 디스플레이 패턴(DP) 및 화소 패턴(PP)은 마스크 패턴으로 혼용되어 사용될 수 있다.The mask 100 of the present invention is characterized in that it is directly manufactured with a plurality of display patterns DP and pixel patterns PP without having to undergo a separate patterning process. In other words, the plating film 100 electrodeposited on the surface of the base plate 20 (or the cathode body 20) in the electroplating apparatus can be electrodeposited while the display pattern DP and the pixel pattern PP are formed. Hereinafter, the display pattern DP and the pixel pattern PP may be used in combination as a mask pattern.

마스크 패턴(PP)은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점점 넓어지거나, 점점 좁아지는 형상을 가지는, 대략 테이퍼 형상을 가지는 것이 바람직하며, 마스크(100)의 상부면이 대상 기판(900)[도 2 참조]에 밀착되므로, 마스크 패턴(PP)은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점점 넓어지는 형상인 것이 더 바람직하다.It is preferable that the mask pattern PP has a roughly tapered shape having a shape gradually becoming narrower or wider as it goes from the upper part to the lower part, , It is more preferable that the mask pattern PP has a shape in which the width gradually increases from the upper portion to the lower portion.

패턴 폭은 수 내지 수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 마스크 패턴(PP)은 절연부(25)에 의해 도금막(20)의 생성이 방지됨에 따라 형성될 수 있다. 구체적인 형성 과정은 도 7을 통해 후술한다.The pattern width may be formed to a size of several to several tens of micrometers, preferably to a size of less than 30 micrometers. The mask pattern PP can be formed as the generation of the plating film 20 is prevented by the insulating portion 25. [ A concrete formation process will be described later with reference to FIG.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크(100)의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.5 is a schematic view showing a manufacturing process of the mask 100 according to an embodiment of the present invention.

도 5의 (a)를 참조하면, 본 발명은 모판(20: 21, 25)을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 모판 표면 상에 전주 도금으로 도금막을 형성할 때, 모판(20)의 상부면 및 측면 상에 도금막(100: 110, 120)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 다시 말해, 모판(20)의 상부면에서 절연부(25)가 형성된 부분을 제외한 전도성 기재(21)가 노출된 면에서 전주 도금으로 도금막(110)을 형성하고, 동시에, 모판(20)의 측면[전도성 기재(21)]에서 전주 도금으로 도금막(120)을 형성하는 것을 특징으로 한다.5 (a), the present invention is characterized in that when the base plate 20 (20, 21, 25) is used as a cathode body and a plating film is formed by electroplating on the base plate surface, And a plating film (100: 110, 120) is formed on the upper surface and the side surface. In other words, the plated film 110 is formed by electroplating on the exposed surface of the conductive base material 21 except the portion where the insulating portion 25 is formed on the upper surface of the base plate 20, And the plating film 120 is formed on the side (conductive base material 21) by electroplating.

도 1을 통해 상술한 바와 같이, 종래의 도금과정에서 금속 박판(3)은 기판(4)의 상부면에만 형성되어 있기 때문에, 열처리(H)를 수행하는 경우에 금속 박판(3)이 박리(3')될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 본 발명은 모판(20)의 상부면에 도금막(110)을 형성하고, 추가로 모판(20)의 측면에 도금막(120)을 형성하여 도금막(110)과 일체를 이루도록 할 수 있다. 모판(20)과 상부의 도금막(110) 사이의 부착력만으로는 열처리(H) 과정에서 인가되는 응력을 견디기 어려울 수 있다. 따라서, 측면의 도금막(120)이 모판(20) 측면에서 모판(20)과의 부착력을 보강함에 따라, 열처리(H) 과정에서 전체 도금막(100)이 박리되지 않고, 모판(20)에 잘 고정부착될 수 있도록 하는 이점이 있다.Since the metal thin plate 3 is formed only on the upper surface of the substrate 4 in the conventional plating process as described above with reference to FIG. 1, when the metal thin plate 3 is peeled off 3 '). A plating film 110 is formed on the upper surface of the base plate 20 and a plating film 120 is formed on the side surface of the base plate 20 so as to be integral with the plating film 110. [ . It may be difficult to withstand the stress applied in the heat treatment (H) process only by the adhesion force between the base plate 20 and the plating film 110 on the upper side. Therefore, the entire plating film 100 is not peeled off during the heat treatment (H) process, and the plating film 120 is peeled off from the bottom surface of the base plate 20 There is an advantage that it can be fixed and attached well.

다시, 도 5의 (a)를 참조하면, 전주 도금 과정에서 역테이퍼 형상을 가지는 절연부(25)가 배치된 영역에서는 도금막(100)의 생성이 방지되고, 전도성 기재(21)의 노출된 상면 및 측면에 도금막(100: 110, 120)이 형성될 수 있다.5 (a), in the region where the insulating portion 25 having an inverted taper shape is disposed in the electroplating process, the formation of the plated film 100 is prevented, and the exposed portion of the conductive substrate 21 Plating films 100 (110, 120) may be formed on the upper and side surfaces.

다음으로, 도 5의 (b)를 참조하면, 절연부(25)를 제거하면, 절연부(25)가 차지했던 공간 부분이 마스크 패턴(PP)이 될 수 있다.Next, referring to FIG. 5B, when the insulating portion 25 is removed, the space portion occupied by the insulating portion 25 can be a mask pattern PP.

다음으로, 도 5의 (c)를 참조하면, 도금막(100)[또는, 마스크(100)]을 모판(20)[또는, 전도성 기재(21)]으로부터 분리하기 전에, 열처리(H)를 수행할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(PP)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해, 모판(20)으로부터 분리 전에 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 5 (c), before the plating film 100 (or the mask 100) is separated from the base plate 20 (or the conductive base material 21), the heat treatment H Can be performed. The present invention is characterized in that a heat treatment (H) is performed before separation from the base plate (20) in order to lower the thermal expansion coefficient of the mask (100) and prevent deformation by the heat of the mask (100) do. The heat treatment may be performed at a temperature of 300 ° C to 800 ° C.

일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 박리(3'), 변형 등이 생길 수 있음은 상술한 바 있다. 하지만, 본 발명은 모판(20)[또는, 전도성 기재(21)]의 상부면뿐만 아니라 측면에도 도금막(100)을 형성하기 때문에, 열처리(H)를 하여도 박리, 변형 등이 발생하지 않는다. 모판(20)과 도금막(100)이 긴밀히 접착된 상태에서 열처리를 수행하므로, 모판(20)의 절연부(25)가 차지하는 공간 부분에 형성된 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 박리, 변형 등을 방지할 수 있는 이점이 있다.In general, the invar sheet produced by electroplating is higher in thermal expansion coefficient than the invar sheet produced by rolling. As a result, the thermal expansion coefficient can be lowered by performing the heat treatment on the thinned plate, and it has been described that the thinned plate may be peeled (3 ') and deformed during the heat treatment process. However, since the plating film 100 is formed on the side surface as well as the upper surface of the base plate 20 (or the conductive base material 21) according to the present invention, peeling, deformation, and the like do not occur even after the heat treatment (H) . Since the heat treatment is performed in a state where the base plate 20 and the plated film 100 are closely adhered to each other, the shape of the mask pattern PP formed in the space portion occupied by the insulating portion 25 of the base plate 20 is kept constant, There is an advantage that peeling and deformation due to heat treatment can be prevented.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마스크(100')의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 6에서는 도 5와의 차이점에 대해서만 설명한다.6 is a schematic view showing a manufacturing process of a mask 100 'according to another embodiment of the present invention. In Fig. 6, only differences from Fig. 5 will be described.

도 6의 (a)를 참조하면, 본 발명은 모판(20: 21, 25)을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 모판 표면 상에 전주 도금으로 도금막을 형성할 때, 모판(20)의 상부면과 측면의 전부 및 하부면의 적어도 일부 상에 도금막(100': 110, 120, 130)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 다시 말해, 모판(20)의 상부면에서 절연부(25)가 형성된 부분을 제외한 전도성 기재(21)가 노출된 면에서 전주 도금으로 도금막(110)을 형성하고, 동시에, 모판(20)의 측면[전도성 기재(21)]과 하부면에서 전주 도금으로 도금막(120, 130)을 형성하는 것을 특징으로 한다.6 (a), when the base plate 20 is used as a cathode body and the plating film is formed by electroplating on the base plate surface, the base plate 20 (100 ': 110, 120, 130) is formed on at least a part of the front and bottom surfaces of the top and side surfaces. In other words, the plated film 110 is formed by electroplating on the exposed surface of the conductive base material 21 except the portion where the insulating portion 25 is formed on the upper surface of the base plate 20, And the plating films 120 and 130 are formed by electroplating on the side surface (the conductive base material 21) and the lower surface.

본 발명은 모판(20)의 상부면에 도금막(110)을 형성하고, 추가로 모판(20)의 측면 및 하부면에 도금막(120, 130)을 형성하여 도금막(110)과 일체를 이루도록 할 수 있다. 따라서, 측면과 하부면의 도금막(120, 130)이 모판(20) 측면과 하부면에서 모판(20)과의 부착력을 보강함에 따라, 열처리(H) 과정에서 전체 도금막(100')이 박리되지 않고, 모판(20)에 잘 고정부착될 수 있도록 하는 이점이 있다.The present invention is characterized in that a plating film 110 is formed on the upper surface of a base plate 20 and plating films 120 and 130 are formed on side and lower surfaces of the base plate 20, . Therefore, as the plating films 120 and 130 on the side surfaces and the bottom surface reinforce the adhesion between the side surface and the bottom surface of the base plate 20, the entire plating film 100 ' There is an advantage that it can be fixedly attached to the base plate 20 without peeling.

다시, 도 6의 (a)를 참조하면, 전주 도금 과정에서 역테이퍼 형상을 가지는 절연부(25)가 배치된 영역에서는 도금막(100)의 생성이 방지되고, 전도성 기재(21)의 노출된 상면, 측면 및 하부면에 도금막(100': 110, 120, 130)이 형성될 수 있다. 하부면에서도 일부는 전도성 기재(21)가 노출되지 않도록 할 수 있다.6 (a), in the region where the insulating portion 25 having an inverted taper shape is disposed in the electroplating process, the formation of the plated film 100 is prevented, and the exposed portion of the conductive substrate 21 Plating films 100 ': 110, 120, and 130 may be formed on the upper, side, and lower surfaces. A portion of the conductive base material 21 can be prevented from being exposed on the lower surface.

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 절연부(25)를 제거하면, 절연부(25)가 차지했던 공간 부분이 마스크 패턴(PP)이 될 수 있다.6 (b), when the insulating portion 25 is removed, the space portion occupied by the insulating portion 25 can be the mask pattern PP.

다음으로, 도 6의 (c)를 참조하면, 도금막(100')[또는, 마스크(100')]을 모판(20)[또는, 전도성 기재(21)]으로부터 분리하기 전에, 열처리(H)를 수행할 수 있다.6 (c), before the plating film 100 '(or the mask 100') is separated from the base plate 20 (or the conductive base material 21), a heat treatment H ). ≪ / RTI >

본 발명은 모판(20)[또는, 전도성 기재(21)]의 상부면뿐만 아니라 측면 및 하부면에도 도금막(100')을 형성하기 때문에, 열처리(H)를 하여도 박리, 변형 등이 발생하지 않는다. 모판(20)과 도금막(100')이 긴밀히 접착된 상태에서 열처리를 수행하므로, 모판(20)의 절연부(25)가 차지하는 공간 부분에 형성된 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 박리, 변형 등을 방지할 수 있는 이점이 있다.Since the plating film 100 'is formed not only on the upper surface of the base plate 20 (or the conductive base 21) but also on the side surfaces and the lower surface thereof, the plating film 100' I never do that. The pattern of the mask pattern PP formed in the space occupied by the insulating portion 25 of the base plate 20 is kept constant since the heat treatment is performed in a state where the base plate 20 and the plated film 100 ' , Peeling due to heat treatment, deformation, and the like can be prevented.

도 7 내지 도 8은 본 발명의 도 5의 마스크 제조 과정을 상세히 나타내는 도면이다.7 to 8 are views showing details of the mask manufacturing process of FIG. 5 of the present invention.

도 7의 (a)를 참조하면, 전도성 기재(21)를 준비한다. 전주 도금(electroforming)을 수행할 수 있도록, 모판(20)의 기재(21)는 전도성 재질일 수 있다. 모판(20)은 전주 도금에서 음극체(cathode) 전극으로 사용될 수 있다.Referring to Fig. 7 (a), a conductive base material 21 is prepared. In order to perform electroforming, the base material 21 of the base plate 20 may be a conductive material. The base plate 20 can be used as a cathode electrode in electroplating.

전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(20)[또는, 기재(21)]의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(100)의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.In the case of a metal, metal oxide may be generated on the surface, impurities may be introduced in the course of metal production, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, an inclusion or a grain boundary may exist. In the case of the substrate, there is a high possibility that impurities are contained, and strength. Acid resistance may be weak. An element that interferes with the uniform formation of an electric field on the surface of the base plate 20 (or the base material 21) such as metal oxide, impurities, inclusions, grain boundaries and the like is referred to as "Defect ". Due to the defect, a uniform electric field is not applied to the negative electrode of the above-described material, so that a part of the plating film 100 can be formed non-uniformly.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막(100) 및 도금막 패턴(PP)의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수 내지 수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다.Unevenness of the plated film 100 and the plated film pattern PP in implementing ultra high image quality of the UHD class or higher may adversely affect pixel formation. Since the pattern width of the FMM and the shadow mask can be formed to a size of several to several tens of micrometers, preferably less than 30 micrometers, even a defect of a few micrometers in size occupies a large proportion in the pattern size of the mask.

또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.Further, in order to remove defects in the cathode body made of the above-mentioned material, an additional process for removing metal oxide, impurities and the like may be performed. In this process, another defect such as etching of the cathode body material may be caused have.

따라서, 본 발명은 단결정 실리콘 재질의 기재(21)를 사용할 수 있다. 전도성을 가지도록, 기재(21)는 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 기재(21)의 전체에 수행될 수도 있으며, 기재(21)의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, the present invention can use the base material 21 made of a single crystal silicon. The substrate 21 may be doped with a high concentration of 10 < 19 > or more so as to have conductivity. The doping may be performed on the entire surface of the substrate 21 or may be performed only on the surface portion of the substrate 21. [

도핑된 단결정 실리콘의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막(100)[또는, 마스크(100)]이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막(100)을 통해 제조하는 FMM(100)은 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.In the case of doped monocrystalline silicon, there is no defect. Therefore, there is an advantage that a uniform plating film 100 (or mask 100) due to the formation of a uniform electric field on the entire surface at the time of electroplating can be produced. The FMM 100 manufactured through the uniform plating film 100 can further improve the image quality level of OLED pixels. Further, since there is no need to carry out an additional process for removing and eliminating defects, there is an advantage that the process cost is reduced and the productivity is improved.

또한, 단결정 실리콘 재질의 기재(21)의 측면도 상면과 마찬가지로 개재물 또는 결정립계가 없이 균일한 표면 상태를 가지므로, 측면 및 상면 상에 형성된 도금막(100: 110, 120)이 표면 결함 없이 기재(21)에 더욱 잘 부착될 수 있는 이점이 있다. 향상된 부착력으로 인해 열처리(H) 과정에서의 박리, 변형 등을 더욱 방지할 수 있다.Since the side surface of the base material 21 made of a single crystal silicon material has a uniform surface state without any inclusions or grain boundaries as in the upper surface, the plating films 100 (110 and 120) formed on the side surfaces and the upper surface are free from surface defects ). ≪ / RTI > It is possible to further prevent peeling and deformation in the heat treatment (H) process due to the improved adhesion.

또한, 실리콘 재질의 기재(21)를 사용함에 따라서, 필요에 따라 기재(21)의 표면을 산화(Oxidation), 질화(Nitridation)하는 과정만으로 절연부(25)를 형성할 수 있는 이점이 있다. 절연부(25)는 도금막(100)의 전착을 방지하는 역할을 하여 도금막(100)의 패턴(PP)을 형성할 수 있다.In addition, when the base material 21 made of a silicon material is used, there is an advantage that the insulating portion 25 can be formed only by oxidizing and nitriding the surface of the base material 21 as needed. The insulating part 25 serves to prevent the electrodeposition of the plating film 100 and can form the pattern PP of the plating film 100. [

다음으로, 도 7의 (b)를 참조하면, 전도성 기재(21)의 적어도 일면 상에 패턴화(26)된 절연부(25)를 형성할 수 있다. 절연부(25)는 기재(21)의 일면 상에 돌출되도록(양각으로) 형성한 부분으로서, 도금막(100)의 생성을 방지하도록, 절연 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 절연부(25)는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 절연부(25)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트를 형성할 수 있다. 또는, 절연부(25)는 기재(21) 상에 증착 등의 방법으로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 형성할 수 있고, 기재(21)를 베이스로 하여 산화(Thermal Oxidation), 열 질화(Thermal Nitiridation) 방법을 사용할 수도 있다. 절연부(25)는 후술할 도금막(100)보다는 두껍도록 약 5㎛ ~ 20㎛의 두께를 가질 수 있다.Next, referring to FIG. 7 (b), the insulating portion 25 patterned 26 may be formed on at least one surface of the conductive base 21. The insulating portion 25 is a portion formed (protruded) on one surface of the substrate 21 (at an embossed angle), and may have an insulating property to prevent the formation of the plated film 100. Accordingly, the insulating portion 25 may be formed of any one of photoresist, silicon oxide, and silicon nitride. The insulating portion 25 can form a photoresist using a printing method or the like. Alternatively, the insulating portion 25 may be formed of silicon oxide or silicon nitride on the substrate 21 by a method such as vapor deposition, and may be formed by thermal oxidation, thermal nitridation, You can also use the method. The insulating portion 25 may have a thickness of about 5 占 퐉 to 20 占 퐉 so as to be thicker than the plating film 100 to be described later.

절연부(25)는 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 가지는 것이 바람직하다. 포토레지스트를 사용하여 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상의 패턴을 형성할 때에는 다중 노광 방법, 영역마다 노광 강도를 다르게 하는 방법 등을 사용할 수 있다.The insulating portion 25 preferably has a tapered shape or a reverse tapered shape. When a tapered or inverted tapered pattern is formed by using a photoresist, a multiple exposure method, a method of varying the exposure intensity for each region, or the like can be used.

후술할 전주 도금 과정에서 기재(21)의 노출된 표면으로부터 도금막(100)이 형성되고, 절연부(25)가 배치된 영역에서는 도금막(100)의 생성이 방지되어 패턴(PP)이 형성될 수 있다. 전도성 기재(21) 및 패턴화(26)된 절연부(25)를 포함하는 모판(20)은 도금막(100)의 생성 과정에서 패턴까지 형성할 수 있으므로, 몰드, 음극체로 병기될 수 있다.The plated film 100 is formed from the exposed surface of the substrate 21 in the electrophotographic plating process to be described later and the formation of the plated film 100 is prevented in the region where the insulating portion 25 is disposed, . The base plate 20 including the conductive base material 21 and the insulating portion 25 patterned 26 can be formed into a mold and a negative electrode because the pattern can be formed up to the pattern in the process of forming the plating film 100.

다음으로, 도 7의 (c)를 참조하면, 지지부(30)를 준비한다.Next, referring to Fig. 7 (c), the support portion 30 is prepared.

지지부(30)는 상부에 Cu, Ag, Pt 등 전도성 재질의 통전막(31)이 형성될 수 있다. 지지부(30)는 SUS 등의 재질로 구성되며, 통전막(31)보다 큰 폭을 가지므로 통전막(31)은 지지부(30) 상의 일부에 형성될 수 있다. 통전막(31)은 외부에서 전원을 인가받아 모판(20)에 전달하는 역할을 할 수 있다. 모판(20)의 전체면(전체 하부면)에 전원을 인가할 수 있도록, 통전막(31)은 모판(20)보다 큰 폭을 가지도록 형성될 수 있다.A conductive film 31 made of a conductive material such as Cu, Ag, or Pt may be formed on the upper portion of the support portion 30. The supporting portion 30 is made of a material such as SUS and has a width larger than that of the conducting film 31 so that the conducting film 31 can be formed on a part of the supporting portion 30. [ The energizing film 31 may be externally supplied with power and transmitted to the base plate 20. The conductive film 31 may be formed to have a width larger than that of the base plate 20 so that power can be applied to the entire surface (entire lower surface) of the base plate 20. [

통전막(31)의 테두리 영역 상에는 지지 절연부(35)가 형성될 수 있다. 지지 절연부(35)가 모판(20)의 폭보다 큰 통전막(31)의 테두리 영역 상에 형성됨에 따라, 지지 절연부(35)와 모판(20) 측면의 사이에 빈 공간이 형성될 수 있다. 이 빈 공간을 통해 모판(20)의 측면에 도금막(120)이 형성될 수 있다. 지지 절연부(35)는 공지의 절연성 재질을 제한없이 사용할 수 있고, 지지 절연부(35) 상에서는 도금막(100)의 형성이 방지될 수 있다.A supporting insulating portion 35 may be formed on the edge region of the conductive film 31. [ An empty space may be formed between the supporting insulating portion 35 and the side surface of the base plate 20 because the supporting insulating portion 35 is formed on the edge region of the conductive film 31 larger than the width of the base plate 20. [ have. The plated film 120 may be formed on the side surface of the base plate 20 through the empty space. The support insulating portion 35 can use a known insulating material without limitation and the formation of the plating film 100 on the support insulating portion 35 can be prevented.

한편, 통전막(31)의 상부와, 지지 절연부(35)와 모판(20) 측면의 사이에 빈 공간에 2차 통전막(32)이 더 형성될 수 있다. 2차 통전막(32)이 형성되어도 모판(20) 측면의 사이에는 측면의 도금막(120)이 생기기 위한 소정의 공간이 형성될 수 있다. 지지 절연부(35)는 2차 통전막(32)의 상부까지 커버하는 것이 바람직하다. 2차 통전막(32)은 모판(20)의 측면에 전기장(E)을 더 집중시키는 역할을 함에 따라, 모판(20)의 상부면의 도금막(110)과 측면의 도금막(120)이 끊김없이 일체로 연결되어 전주 도금될 수 있도록 할 수 있다.On the other hand, a secondary energizing film 32 may be further formed in the empty space between the upper portion of the energizing film 31 and the side surfaces of the support insulating portion 35 and the base plate 20. [ A predetermined space for forming the plating film 120 on the side surface may be formed between the side surfaces of the base plate 20 even if the secondary energization film 32 is formed. It is preferable that the support insulating portion 35 cover the upper portion of the secondary energizing film 32. The secondary energizing film 32 serves to further concentrate the electric field E on the side surface of the base plate 20 so that the plating film 110 on the upper surface of the base plate 20 and the plating film 120 on the side surface So that they can be integrally connected to each other so as to be electroplated.

지지부(30)의 통전막(31) 상부에 모판(20)을 로딩한다. 모판(20)의 하부면에는 통전막(31)으로부터 전원이 인가될 수 있다.The base plate 20 is loaded onto the conductive film 31 of the support portion 30. [ Power can be applied to the lower surface of the base plate 20 from the energization film 31.

다음으로, 도 7의 (d)를 참조하면, 모판(20) 표면 상에 도금막(100)을 형성할 수 있다. 다시 말해, 모판(20)의 상부면의 노출된 면 상에 도금막(110)을 형성하고, 모판(20)의 측면의 노출된 면 상에 도금막(120)을 형성할 수 있다. 모판(20)[및 지지부(30)]을 음극체로서 사용하고, 이에 대향하는 양극체(미도시)를 준비한다. 양극체(미도시)는 도금액(미도시)에 침지되어 있고, 모판(20)은 전부 또는 일부가 도금액(미도시)에 침지되어 있을 수 있다. 7 (d), a plated film 100 may be formed on the surface of the base plate 20. In this case, as shown in FIG. In other words, the plating film 110 may be formed on the exposed surface of the upper surface of the base plate 20, and the plating film 120 may be formed on the exposed surface of the side surface of the base plate 20. The base plate 20 (and the support 30) is used as a negative electrode, and an opposite positive electrode (not shown) is prepared. An anode body (not shown) is immersed in a plating liquid (not shown), and all or a part of the base plate 20 may be immersed in a plating liquid (not shown).

절연부(25)가 절연 특성을 가지므로, 절연부(25)와 양극체 사이에서는 전기장이 형성되지 않거나, 도금이 수행되기 어려운 정도의 미약한 전기장만이 형성된다. 따라서, 모판(20)의 상부면에서 도금막(110)이 생성되지 않는, 절연부(25)에 대응하는 부분은 도금막(100)의 패턴, 홀(Hole) 등을 구성한다. 다시 말해, 패턴화(26)된 절연부(25) 각각은 마스크(100)의 R, G, B에 대응하는 마스크 패턴(PP)을 형성할 수 있다.Since the insulating portion 25 has an insulating property, an electric field is not formed between the insulating portion 25 and the anode body, or only a weak electric field is formed to such an extent that plating is difficult to be performed. Therefore, a portion corresponding to the insulating portion 25 where the plating film 110 is not formed on the upper surface of the base plate 20 constitutes a pattern, a hole, or the like of the plating film 100. In other words, each of the insulating portions 25 patterned 26 may form a mask pattern PP corresponding to R, G, and B of the mask 100.

기재(21)의 노출된 상부 표면으로부터 도금막(110)이 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 절연부(25)의 상단을 넘기 전까지만 도금막(110)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 절연부(25)의 두께보다 도금막(100)의 두께가 더 작을 수 있다. 도금막(110)은 절연부(25)의 패턴(26) 내의 공간에 채워지며 전착되므로, 마스크 패턴(PP)의 측단면의 형상은 대략 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상으로 기울어지게 형성될 수 있고, 기울어진 각도는 약 45° 내지 65°일 수 있다.It is preferable to form the plated film 110 only until the upper end of the insulating portion 25 is turned over since the plated film 110 is thickened by electrodeposition from the exposed upper surface of the substrate 21. [ That is, the thickness of the plating film 100 may be smaller than the thickness of the insulating portion 25. [ The plated film 110 is filled in the space in the pattern 26 of the insulating portion 25 and is electrodeposited so that the shape of the side end face of the mask pattern PP can be formed to be tapered in a substantially tapered shape or a reverse tapered shape, The tilted angle may be about 45 ° to 65 °.

그리고, 기재(21)의 노출된 측면으로부터 도금막(120)이 전착되면서 두꺼워질 수 있다. 지지 절연부(35)가 절연 특성을 가지므로, 지지 절연부(35)와 모판(20) 측면의 사이의 빈 공간에서만 도금막(120)이 전착될 수 있다.Then, the plating film 120 can be thickened while being electrodeposited from the exposed side of the base material 21. The plating film 120 can be electrodeposited only in the empty space between the supporting insulating portion 35 and the side surface of the base plate 20 because the supporting insulating portion 35 has an insulating property.

한편, 전기장(E)의 특성상, 모판(20)의 모서리에 집중될 수 있고, 통전막(31, 32), 절연부(35)와 모판(20) 측면의 사이에 빈 공간에 더 집중될 수 있다. 이 경우에, 도금막(100)이 두께가 균일하게 형성되지 않고, 모판(20)의 모서리 부분에서만 두껍게 도금막(100)이 형성되는 문제점이 발생할 수 있다. On the other hand, due to the characteristics of the electric field E, it can be concentrated at the edge of the base plate 20 and can be concentrated more in the empty space between the conductive films 31, 32, have. In this case, the plated film 100 may not be uniformly formed in thickness, and the plated film 100 may be formed only at the corners of the base plate 20.

따라서, 모판(20)의 모서리, 측면 등으로 가해지는 전기장(E)의 일부를 분산시킬 필요가 있다. 지지부(30)의 상부 표면 외곽은 통전막(31), 지지 절연부(35)에 의해 커버되지 않고 노출된 전도성의 부분을 가진다. 이 부분으로 모판(20)의 모서리, 측면 등으로 가해지는 전기장(E)의 일부가 분산될 수 있고, 전기장(E)의 분산 결과로, 소정의 도금막(40)이 형성될 수 있다. 전기장(E)이 분산되므로, 모판(20)의 모서리 부분에서만 두껍게 도금막(100)이 형성되는 문제를 방지할 수 있다.Therefore, it is necessary to disperse a part of the electric field E applied to the edge, side, or the like of the base plate 20. The outer surface of the upper surface of the support portion 30 has a conductive portion exposed without being covered by the conductive film 31, the support insulating portion 35, and the like. A part of the electric field E applied to the edge, side, or the like of the base plate 20 can be dispersed into this portion and the predetermined plating film 40 can be formed as a result of dispersion of the electric field E. Since the electric field E is dispersed, it is possible to prevent the problem that the plating film 100 is formed only at the corner portion of the base plate 20.

다음으로, 도 8의 (e)를 참조하면, 도금막(100)이 상부면 및 측면에 형성된 모판(20)을 지지부(30)로부터 언로딩할 수 있다. 이 과정을 생략하고, 지지부(30) 상에서 후술할 공정을 수행할 수도 있다.8 (e), the base plate 20 on which the plated film 100 is formed on the upper surface and the side surface can be unloaded from the support portion 30. Next, as shown in FIG. This process may be omitted, and the process described later on the support 30 may be performed.

다음으로, 도 8의 (f)를 참조하면, 절연부(25)를 제거할 수 있다. 절연부(25)의 제거는 도금막(100)에 손상을 가하지 않는 범위에서 공지의 방법을 제한없이 사용할 수 있다. 절연부(25)를 제거하면, 절연부(25)가 차지했던 공간 부분이 마스크 패턴(PP)이 될 수 있다.Next, referring to FIG. 8 (f), the insulating portion 25 can be removed. The removal of the insulating portion 25 can be carried out by any method known in the art without limitation to the extent that the plating film 100 is not damaged. When the insulating portion 25 is removed, the space portion occupied by the insulating portion 25 can be the mask pattern PP.

다음으로, 도 8의 (g)를 참조하면, 도금막(100)[또는, 마스크(100)]을 모판(20)[또는, 전도성 기재(21)]으로부터 분리하기 전에, 열처리(H)를 수행할 수 있다. 이는 도 5의 (c)를 통해 상술한 바와 동일하므로, 구체적인 설명은 생략한다. 도금막(100)은 모판(20)에 잘 부착된 상태로 열처리가 수행되므로, 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 박리, 변형 등이 방지되는 이점이 있다.Next, referring to FIG. 8 (g), before the plating film 100 (or the mask 100) is separated from the base plate 20 (or the conductive base material 21), the heat treatment H Can be performed. This is the same as described above with reference to FIG. 5 (c), and a detailed description thereof will be omitted. Since the plated film 100 is heat-treated in a state of being well adhered to the base plate 20, the shape of the mask pattern PP is maintained constant, and peeling and deformation due to the heat treatment are prevented.

다음으로, 도 8의 (h1) 또는 (h2)를 참조하면, 도금막(100)의 테두리 영역을 제거할 수 있다. 테두리 영역은 모판(20)의 측면에 형성된 도금막(120) 뿐만 아니라, 모판(20)의 상부면에 형성된 도금막(110)에서 실제 마스크(100)로 사용될 부분을 제외한 나머지 더미 영역을 의미할 수 있다.Next, referring to (h1) or (h2) in FIG. 8, the edge region of the plating film 100 can be removed. The rim region means not only the plating film 120 formed on the side surface of the base plate 20 but also the remaining dummy region except the portion to be used as the actual mask 100 in the plating film 110 formed on the top surface of the base plate 20 .

(h1)을 참조하면, 도금막(100)의 테두리 영역을 커팅(C)할 수 있다. 커팅(C)은 칼, 레이저 등의 커팅 수단을 제한없이 사용할 수 있다. 커팅(C) 후에, 도금막(100)은 내부 영역과 테두리 영역으로 분리된 상태로 모판(20)에 부착될 수 있다.(C), the edge region of the plating film 100 can be cut. The cutting (C) can use cutting means such as a knife, a laser, etc. without limitation. After the cutting (C), the plated film 100 can be attached to the base plate 20 in a state separated into an inner region and a border region.

(h2)를 참조하면, 도금막(100)의 테두리 영역을 제외한 나머지 영역 상에 2차 절연부(50)를 형성할 수 있다. 2차 절연부(50)는 포토레지스트인 것이 바람직하다. 2차 절연부(50)에 의해 커버되지 않은 도금막(100)의 테두리 영역은 식각(D)되어 제거될 수 있다.(h2), the secondary insulation portion 50 may be formed on the remaining region except for the rim region of the plated film 100. In this case, The secondary insulation portion 50 is preferably a photoresist. The edge area of the plated film 100 which is not covered by the secondary insulation portion 50 can be removed by etching (D).

한편, (h2')를 참조하면, 도금막(100)의 테두리 영역에서 제거할 부분을 제외한 나머지 영역 상에2차 절연부(50)를 형성할 수 있다. 2차 절연부(50)에서 패턴은 테두리를 둘러싼 링 형태로 나타날 수 있다. 2차 절연부(50)에 의해 커버되지 않은 도금막(100)을 대략 선 형태로 식각(D)하면, (h1)과 유사하게, 도금막(100)이 내부 영역과 테두리 영역으로 분리된 상태로 모판(20)에 부착될 수 있다.On the other hand, referring to (h2 '), the secondary insulation portion 50 may be formed on the remaining region except the portion to be removed from the edge region of the plated film 100. [ In the secondary insulation portion 50, the pattern may appear in the form of a ring surrounding the rim. When the plated film 100 not covered by the secondary insulating portion 50 is etched (D) in a substantially linear form, similarly to (h1), the plated film 100 is separated into the inner region and the border region As shown in FIG.

다음으로, 도 8의 (i)를 참조하면, 모판(20)[또는, 절연성 기재(21)] 상에서 실제 마스크(100)로 사용될 부분만을 남길 수 있다. (h1) 단계 후에 도금막의 테두리 영역을 모판(20)으로부터 떼어내거나, (h2) 단계 후에 2차 절연부(50)를 제거함에 따라 (i)와 같은 형태가 구현될 수 있다.Next, referring to Fig. 8 (i), only the portion to be used as the actual mask 100 on the base plate 20 (or the insulating base material 21) can be left. (i) can be realized by removing the edge region of the plated film from the base plate 20 after the step (h1), or removing the secondary insulation portion 50 after the step (h2).

다음으로, 도 8의 (j)를 참조하면, 도금막(100)을 모판(20)으로부터 분리할 수 있다. 도금막(100)과 모판(20)을 분리하면, 도금막(100)이 생성된 부분은 마스크(100)[또는, 마스크 바디]를 구성하고, 도금막(100)이 생성되지 않은 부분은 디스플레이 패턴(DP), 화소 패턴(PP)[또는, 마스크 패턴]을 구성할 수 있다[도 4 참조].Next, referring to FIG. 8 (j), the plating film 100 can be separated from the base plate 20. When the plated film 100 and the base plate 20 are separated from each other, the portion where the plated film 100 is formed constitutes the mask 100 (or the mask body) A pattern DP, a pixel pattern PP (or a mask pattern) (see FIG. 4).

도 9 내지 도 10은 도 6의 마스크 제조 과정을 상세히 나타내는 도면이다. 도 9 내지 10에서는 도 7 내지 도 8과의 차이점에 대해서만 설명한다.FIGS. 9 to 10 are views showing details of the mask manufacturing process of FIG. In Figs. 9 to 10, only differences from Figs. 7 to 8 will be described.

도 9의 (a)를 참조하면, 전도성 기재(21)를 준비한다. 다음으로, 도 9의 (b)를 참조하면, 전도성 기재(21)의 적어도 일면 상에 패턴화(26)된 절연부(25)를 형성할 수 있다.9 (a), a conductive base material 21 is prepared. Next, referring to FIG. 9 (b), the insulating portion 25 patterned 26 may be formed on at least one surface of the conductive base 21.

다음으로, 도 9의 (c)를 참조하면, 지지부(30)를 준비한다. 지지부(30)는 상부에 전도성 재질의 통전막(31)이 형성될 수 있다. 지지부(30)는 SUS 등의 재질로 구성되며, 통전막(31)보다 큰 폭을 가지므로 통전막(31)은 지지부(30) 상의 일부에 형성될 수 있다. 통전막(31)의 테두리 영역 상에는 지지 절연부(35)가 형성될 수 있다. 지지 절연부(35)가 모판(20)의 폭보다 큰 통전막(31)의 테두리 영역 상에 형성됨에 따라, 지지 절연부(35)와 모판(20) 측면의 사이에 빈 공간이 형성될 수 있다. 이 빈 공간을 통해 모판(20)의 측면에 도금막(120)이 형성될 수 있다.Next, referring to Fig. 9 (c), a support portion 30 is prepared. A conductive film 31 made of a conductive material may be formed on the support portion 30. The supporting portion 30 is made of a material such as SUS and has a width larger than that of the conducting film 31 so that the conducting film 31 can be formed on a part of the supporting portion 30. [ A supporting insulating portion 35 may be formed on the edge region of the conductive film 31. [ An empty space may be formed between the supporting insulating portion 35 and the side surface of the base plate 20 because the supporting insulating portion 35 is formed on the edge region of the conductive film 31 larger than the width of the base plate 20. [ have. The plated film 120 may be formed on the side surface of the base plate 20 through the empty space.

또한, 통전막(31)의 상부에는 모판(20)보다 작은 폭을 가지도록 플로팅 통전막(33)이 형성될 수 있다. 플로팅 통전막(33)은 모판(20)에 전원을 인가함과 동시에 모판(20)을 통전막(31)으로부터 소정간격 띄우기 위한 전극으로 이해될 수 있다. 플로팅 통전막(33) 상에 모판(20)이 배치되므로, 플로팅 통전막(33)의 외주 방향에서 모판(20)과 통전막(31)의 사이에 빈 공간이 형성될 수 있다. 이 빈 공간을 통해 모판(20)의 하부면에 도금막(130)이 형성될 수 있다.The floating conductive film 33 may be formed on the upper portion of the conductive film 31 to have a width smaller than that of the base plate 20. The floating energization film 33 can be understood as an electrode for applying power to the base plate 20 and for floating the base plate 20 from the energization film 31 at a predetermined distance. An empty space can be formed between the base plate 20 and the conductive film 31 in the outer peripheral direction of the floating conductive film 33 because the base plate 20 is disposed on the floating energization film 33. [ The plated film 130 may be formed on the bottom surface of the base plate 20 through the empty space.

다음으로, 도 9의 (d)를 참조하면, 모판(20) 표면 상에 도금막(100')을 형성할 수 있다. 다시 말해, 모판(20)의 상부면의 노출된 면 상에 도금막(110)을 형성하고, 모판(20)의 측면의 노출된 면 상에 도금막(120)을 형성하며, 모판(20)의 하부면의 노출된 면 상에 도금막(130)을 형성할 수 있다. 모판(20)의 상부면과 측면에서는 전면(全面)에서 도금막(110, 120)이 형성될 수 있고, 모판(20)의 하부면에서는 플로팅 통전막(33)이 배치되는 영역의 제외한 나머지 영역에서 도금막(130)이 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 9D, a plating film 100 'may be formed on the surface of the base plate 20. In other words, the plating film 110 is formed on the exposed surface of the upper surface of the base plate 20, the plating film 120 is formed on the exposed surface of the side surface of the base plate 20, The plated film 130 may be formed on the exposed surface of the lower surface of the substrate 110. [ Plating films 110 and 120 may be formed on the entire upper surface and the side surfaces of the base plate 20 and the remaining regions except the region where the floating conductive film 33 is disposed on the lower surface of the base plate 20. [ A plating film 130 may be formed.

다음으로, 도 10의 (e) 내지 (j)는 모판(20)의 하부면에까지 도금막(130)이 형성되는 것을 제외하고는 동일하게 진행될 수 있다.10 (e) to 10 (j) can be proceeded in the same manner, except that the plating film 130 is formed on the lower surface of the base plate 20.

위와 같이, 본 발명은 전주 도금 공정에서 도금막(100)을 형성하는 공정만으로 패턴(PP)을 가지는 마스크(100)를 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 열처리(H)를 통해 낮은 열팽창계수(CTE)를 가지는 마스크(100)를 제조할 수 있고, 열처리(H) 과정에서 마스크(100)의 박리를 방지하고, 마스크 패턴(PP)의 변형을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 모판(20)의 절연부(25) 패턴을 미세하게 형성할 수 있고, 변형이 일어나지 않도록 열처리 하므로, OLED의 FMM의 패턴을 미세하게 형성할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention has the effect of manufacturing the mask 100 having the pattern PP only by the process of forming the plating film 100 in the electroplating process. It is also possible to manufacture the mask 100 having a low thermal expansion coefficient CTE through the heat treatment H and to prevent the peeling of the mask 100 during the heat treatment H, There is an effect that can be prevented. Further, since the pattern of the insulating portion 25 of the base plate 20 can be finely formed and heat-treated so as not to be deformed, an FMM pattern of the OLED can be finely formed.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

10: 전주 도금 장치
20: 모판
21: 전도성 기재
25: 절연부
30: 지지부
31, 32: 통전막
35: 지지 절연부
100: 마스크, 새도우 마스크, FMM(Fine Metal Mask), 도금막
110: 모판 상부면에 형성되는 도금막
120: 모판 측면에 형성되는 도금막
200: OLED 화소 증착 장치
DP: 디스플레이 패턴
PP: 화소 패턴, 마스크 패턴10: Electroplating device
20: Sheets
21: Conductive substrate
25:
30: Support
31, 32: Energizing film
35:
100: mask, shadow mask, FMM (fine metal mask), plated film
110: Plating film formed on the upper surface of the base plate
120: Plating film formed on the side of the base plate
200: OLED pixel deposition apparatus
DP: Display pattern
PP: pixel pattern, mask pattern

Claims (14)

전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서,
(a) 전도성 기재를 제공하는 단계;
(b) 전도성 기재의 일면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계;
(c) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 모판 표면 상에 도금막을 형성하는 단계;
(d) 도금막을 열처리하는 단계; 및
(e) 모판으로부터 도금막을 분리하는 단계
를 포함하고,
(c) 단계에서, 모판의 상부면 및 측면 상에 도금막을 형성하는, 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a mask by electroforming,
(a) providing a conductive substrate;
(b) forming a patterned insulating part on one surface of the conductive substrate to manufacture a mother plate;
(c) forming a plating film on the surface of the base plate by electroforming using a base plate as a cathode body;
(d) heat treating the plating film; And
(e) separating the plating film from the base plate
Lt; / RTI >
and in the step (c), a plating film is formed on the upper surface and the side surface of the base plate. 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서,
(a) 전도성 기재를 제공하는 단계;
(b) 전도성 기재의 일면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계;
(c) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 모판 표면 상에 도금막을 형성하는 단계;
(d) 도금막을 열처리하는 단계; 및
(e) 모판으로부터 도금막을 분리하는 단계
를 포함하고,
(c) 단계에서, 모판의 상부면 및 측면 및 하부면의 적어도 일부 상에 도금막을 형성하는, 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a mask by electroforming,
(a) providing a conductive substrate;
(b) forming a patterned insulating part on one surface of the conductive substrate to manufacture a mother plate;
(c) forming a plating film on the surface of the base plate by electroforming using a base plate as a cathode body;
(d) heat treating the plating film; And
(e) separating the plating film from the base plate
Lt; / RTI >
(c), a plated film is formed on at least a part of the upper surface and the side and lower surfaces of the base plate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
전도성 기재는 도핑된 단결정 실리콘 재질인, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the conductive substrate is a doped monocrystalline silicon material. 제1항 또는 제2항에 있어서,
절연부는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나의 재질인, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the insulating portion is made of any one of photoresist, silicon oxide, and silicon nitride. 제1항 또는 제2항에 있어서,
절연부는 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 가지는, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the insulating portion has a tapered shape or a reverse tapered shape. 제1항 또는 제2항에 있어서,
열처리는 300℃ 내지 800℃로 수행하는, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heat treatment is performed at 300 캜 to 800 캜. 제1항 또는 제2항에 있어서,
(c) 단계와 (d) 단계 사이에, 절연부를 제거하는 단계를 더 포함하는, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
further comprising the step of removing the insulating portion between the step (c) and the step (d). 제1항 또는 제2항에 있어서,
(d) 단계와 (e) 단계 사이에, 도금막의 테두리 영역을 커팅하는 단계를 더 포함하는, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
further comprising the step of cutting the edge region of the plated film between the step (d) and the step (e). 제1항 또는 제2항에 있어서,
(d) 단계와 (e) 단계 사이에, 도금막의 적어도 일부의 테두리 영역을 제외한 나머지 영역 상에 2차 절연부를 형성한 후, 도금막의 테두리 영역의 적어도 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
further comprising, after step (d) and after step (e), forming a secondary insulation part on the remaining area except the edge area of at least part of the plated film and then removing at least part of the edge area of the plating film. ≪ / RTI > 제1항에 있어서,
(c) 단계는,
(c1) 모판의 폭보다 큰 통전막이 상부에 형성되고, 통전막의 테두리 영역 상에 지지 절연부가 형성된 지지부를 준비하는 단계;
(c2) 모판을 지지부의 통전막 상에 로딩하는 단계;
(c3) 모판 및 지지부의 적층체를 음극체로 사용하고, 전주 도금으로 모판 상에 도금막을 형성하는 단계
를 포함하는, 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1,
(c)
(c1) preparing a supporting portion having a conductive film larger than the width of the base and formed on the rim portion of the conductive film, the supporting portion having insulating portions;
(c2) loading the base plate on the conductive film of the supporting portion;
(c3) a step of forming a plated film on the base plate by electroplating using a laminate of a base plate and a support as a negative electrode body
≪ / RTI > 제2항에 있어서,
(c) 단계는,
(c1) 모판의 폭보다 큰 통전막이 상부에 형성되고, 통전막의 테두리 영역 상에 지지 절연부가 형성된 지지부를 준비하는 단계;
(c2) 통전막 상에 모판의 폭보다 작은 플로팅 통전막을 형성하고, 모판을 지지부의 플로팅 통전막 상에 로딩하는 단계;
(c3) 모판 및 지지부의 적층체를 음극체로 사용하고, 전주 도금으로 모판 상에 도금막을 형성하는 단계
를 포함하는, 마스크의 제조 방법.3. The method of claim 2,
(c)
(c1) preparing a supporting portion having a conductive film larger than the width of the base and formed on the rim portion of the conductive film, the supporting portion having insulating portions;
(c2) forming a floating conductive film smaller than the width of the matrix on the conductive film, and loading the matrix on the floating conductive film of the support;
(c3) a step of forming a plated film on the base plate by electroplating using a laminate of a base plate and a support as a negative electrode body
≪ / RTI > 제10항 또는 제 11항에 있어서,
지지부는 통전막보다 큰 폭을 가지고,
모판 측면에 가해지는 전기장의 적어도 일부가 통전막이 형성되지 않은 지지부의 영역 상으로 분산되는, 마스크의 제조 방법.The method according to claim 10 or 11,
The supporting portion has a larger width than the energizing film,
Wherein at least a part of the electric field applied to the side of the base plate is dispersed on a region of the support portion where the conductive film is not formed. 제1항 또는 제2항에 있어서,
절연부 상에서 도금막의 형성이 방지되어 도금막이 패턴을 가지게 되는, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The formation of the plating film on the insulating portion is prevented so that the plating film has the pattern. 제1항 또는 제2항에 있어서,
도금막은 인바(Invar) 또는 수퍼 인바(Super Invar) 재질인, 마스크의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plated film is made of Invar or Super Invar.
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