KR20190003747A - Target device, sputtering device - Google Patents

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KR20190003747A
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high permeability
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KR1020187035177A
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마사노리 시라이
타쿠지 야마모토
사토루 타카사와
사토루 이시바시
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울박, 인크
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Abstract

타겟 사용 효율이 높은 타겟 장치와 스퍼터링 장치를 제공한다. 백킹 플레이트(21)보다도 투자율이 높은 환상(環狀)의 고투자율판(27)의 표면(33)을, 외측 자석(25)의 상단과 내측 자석(26)의 상단이 위치하는 자석 평면(31)에 일치하거나 또는 자석 평면(31)보다도 스퍼터링 타겟(22)에 가까운 위치에 배치하고, 이면(32)을 자석 평면(31)과 일치하거나 또는 자석 평면(31)보다도 스퍼터링 타겟(22)으로부터 먼 위치에 배치한다. 외측 자석(25)의 상단 또는 내측 자석(26)의 상단으로부터 방출된 자력선 중, 아래쪽에 위치하는 일부는 고투자율판(27)으로 들어가 내부를 통하여 내측 자석(26)의 상단 또는 외측 자석(25)의 상단으로 들어가기 때문에, 위쪽에 위치하는 자력선은 스퍼터링 타겟(22)의 스퍼터면(24)과 평행하게 되어 타겟 사용 효율이 향상된다.A target device and a sputtering device with high target use efficiency are provided. The surface 33 of the annular high permeability plate 27 having a permeability higher than that of the backing plate 21 is set to the magnet plane 31 where the upper end of the outer magnet 25 and the upper end of the inner magnet 26 are located Of the sputtering target 22 or in a position closer to the sputtering target 22 than the magnet plane 31 and the rear face 32 is located at a position that is coincident with the magnet plane 31 or is located farther from the sputtering target 22 than the magnet plane 31 Position. A part of the magnetic force lines emitted from the upper end of the outer magnet 25 or the upper end of the inner magnet 26 enters the high permeability plate 27 and passes through the inside of the upper magnet 25 , The magnetic force line located at the upper side becomes parallel to the sputter surface 24 of the sputtering target 22, and the target use efficiency is improved.

Description

타겟 장치, 스퍼터링 장치Target device, sputtering device

본 발명은 타겟 장치와 그 타겟 장치를 이용한 스퍼터링 장치의 기술 분야에 관한 것으로, 특히 스퍼터링 타겟을 균일하게 스퍼터링할 수 있는 타겟 장치와 스퍼터링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a target device and a sputtering device using the target device, and more particularly to a target device and a sputtering device capable of uniformly sputtering a sputtering target.

마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟 장치에 설치된 스퍼터링 타겟의 표면에 자력선을 형성하고, 전자를 자력선을 따라 나선 운동시켜 고밀도의 플라즈마를 형성하여 스퍼터링 타겟을 스퍼터링하는 장치이다. 그리고 종래부터 스퍼터링 타겟의 표면 중, 스퍼터링 타겟의 표면과 평행한 자력선이 위치하는 부분이 다량으로 스퍼터링되는 것으로 알려져 있다.The magnetron sputtering apparatus is a device for sputtering a sputtering target by forming a magnetic line of force on the surface of a sputtering target installed in a target device and forming a high-density plasma by spirally moving electrons along magnetic lines of force. It is known that a portion of the surface of a sputtering target, on which a magnetic line of force parallel to the surface of the sputtering target, is conventionally sputtered in a large amount.

그 때문에 타겟 표면에 평행한 자력선이 위치하는 부분의 면적을 넓히려는 노력이 거듭되고 있다. 예를 들면, 일본 특허공개 2006-16634호 공보에서는 백킹 플레이트 중에 판상 자성 부재를 배치함으로써, 스퍼터링 타겟 표면에서의 자기장의 수직 성분이 제로 혹은 제로 근방에서 플랫이 되는 영역이 형성되도록 하고 있다(이 문헌 단락 [0011]).Therefore, efforts have been made to increase the area of the portion where the magnetic force lines parallel to the target surface are located. For example, in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-16634, a plate-like magnetic member is disposed in a backing plate to form a region where the vertical component of the magnetic field on the surface of the sputtering target becomes flat at zero or near zero Paragraph [0011]).

마그네트론 스퍼터링 장치에서는, 타겟은 스퍼터링함에 따라 타겟 표면이 파여 두께가 감소되는데, 타겟을 교환하기 위해서는 스퍼터링 장치의 진공 분위기를 깨고 대기로 되돌릴 필요가 있다. 따라서 타겟의 교환 빈도를 줄이는 것은 스퍼터링 장치의 생산 효율을 향상시키기 위한 중요한 요소이다.In the magnetron sputtering apparatus, as the target is sputtered, the thickness of the target is reduced by the sputtering. In order to replace the target, it is necessary to break the vacuum atmosphere of the sputtering apparatus and return it to the atmosphere. Therefore, reducing the frequency of replacement of the target is an important factor for improving the production efficiency of the sputtering apparatus.

그러나 타겟의 교환 빈도를 줄이기 위하여 스퍼터링 타겟의 두께를 두껍게 하면, 타겟의 스퍼터링에 의한 파임이 진행됨에 따라 스퍼터링 타겟을 균일하게 스퍼터링할 수 없게 되어 타겟의 사용 효율이 악화된다. 이 때문에 타겟의 두께를 두껍게 하여 타겟의 교환 빈도를 삭감하려고 하여도, 두껍게 한 타겟의 사용 효율이 악화되기 때문에, 결과적으로 타겟을 교환하는 빈도의 감소 효과를 얻을 수 없다는 문제가 있었다.However, if the thickness of the sputtering target is increased in order to reduce the frequency of replacement of the target, the sputtering target can not be uniformly sputtered as the sputtering proceeds by sputtering of the target, and the use efficiency of the target deteriorates. Therefore, even if an attempt is made to reduce the frequency of replacement of the target by increasing the thickness of the target, the use efficiency of the thickened target deteriorates, resulting in a problem that the effect of reducing the frequency of replacement of the target can not be obtained.

본 발명은 상기 종래 기술의 단점을 해결하기 위하여 창작된 것으로, 그 목적은 사용 효율이 높은 타겟 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to overcome the disadvantages of the prior art described above, and its object is to provide a target device with high efficiency of use.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 백킹 플레이트와, 상기 백킹 플레이트의 편면에 배치되고, 스퍼터링되는 스퍼터면이 노출된 스퍼터링 타겟과, 상기 백킹 플레이트의 상기 스퍼터링 타겟이 배치된 측과는 반대측에 배치 된 자석 장치를 갖는 타겟 장치로서, 상기 자석 장치는 상단이, 스퍼터링되기 전의 상기 스퍼터링 타겟의 상기 스퍼터면과 평행한 자석 평면에 위치하며, 링 형상으로 된 외측 자석과, 상단이 상기 자석 평면에 위치하며, 상기 외측 자석의 내측에 상기 외측 자석과는 비접촉으로 배치된 내측 자석과 상기 백킹 플레이트의 투자율보다도 큰 투자율을 갖는 링 형상의 고투자율판을 가지고, 상기 고투자율판은 상기 내측 자석을 둘러싸고, 상기 외측 자석에 의해 둘러 싸이는 위치에 배치되며, 상기 고투자율판의 표면은 상기 자석 평면과 일치하거나, 또는 상기 자석 평면보다도 상기 스퍼터링 타겟 가까이에 위치하고, 상기 고투자율판의 이면은 상기 자석 평면과 일치하거나, 또는 상기 자석 평면보다도 상기 스퍼터링 타겟으로부터 멀리 위치하도록 배치되며, 상기 스퍼터면 상에 자력선이 형성되는 타겟 장치이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a sputtering target comprising: a backing plate; a sputtering target disposed on one side of the backing plate, the sputtering target having a sputter surface exposed by sputtering; A target device having a magnet device, wherein the magnet device has an outer magnet located at the top in a magnet plane parallel to the sputtering surface of the sputtering target before sputtering and having a ring shape, and an upper end located in the magnet plane A ring-shaped high permeability plate having an inner magnet disposed inside the outer magnet in a non-contact manner with the outer magnet and a permeability higher than a permeability of the backing plate, the high permeability plate surrounding the inner magnet, Wherein the surface of the high permeability plate is disposed at a position surrounded by the outer magnet, Or the back surface of the high permeability plate coincides with the magnet plane or is positioned so as to be farther from the sputtering target than the magnet plane, and the surface of the sputtering target The magnetic force lines are formed in the target device.

본 발명은, 상기 고투자율판은 상기 외측 자석과 상기 내측 자석에 비접촉으로 된 타겟 장치이다.The present invention is a target device in which the high permeability plate is not in contact with the outer magnet and the inner magnet.

본 발명은, 상기 고투자율판은 투자율이 0.9 × 10-3H/m 이상의 금속 재료로 구성된 타겟 장치이다.In the present invention, the high permeability plate is a target device composed of a metal material having a permeability of 0.9 × 10 -3 H / m or more.

본 발명은, 진공조와, 상기 진공조의 내부에 배치된 타겟 장치를 갖는 스퍼터링 장치로서, 상기 타겟 장치는 백킹 플레이트와, 상기 백킹 플레이트의 편면에 배치되고, 스퍼터링되는 스퍼터면이 노출된 스퍼터링 타겟과, 상기 백킹 플레이트의 상기 스퍼터링 타겟이 배치된 측과는 반대측에 배치 된 자석 장치를 가지고, 상기 자석 장치는 상단이, 스퍼터링되기 전의 상기 스퍼터링 타겟의 상기 스퍼터면과 평행한 자석 평면에 위치하며, 링 형상으로 된 외측 자석와, 상단이 상기 자석 평면에 위치하며, 상기 외측 자석의 내측에 상기 외측 자석과는 비접촉으로 배치된 내측 자석과, 상기 백킹 플레이트의 투자율보다도 큰 투자율을 갖는 링 형상의 고투자율판을 가지고, 상기 고투자율판은 상기 내측 자석을 둘러싸고, 상기 외측 자석에 의해 둘러 싸이는 위치에 배치되며, 상기 고투자율판의 외측 측면과 내측 측면은 상기 자석 평면과 교차하고, 또는 상기 외측 측면의 상단과 상기 내측 측면의 상단 혹은 상기 외측 측면의 하단과 상기 내측 측면의 하단이 상기 자석 평면과 일치하도록 배치되고, 상기 스퍼터면 상에 자력선이 형성되는 스퍼터링 장치.A sputtering apparatus having a vacuum tank and a target apparatus disposed in the vacuum tank, the target apparatus comprising: a backing plate; a sputtering target disposed on one side of the backing plate, the sputtering target having a sputter surface exposed; And a magnet device disposed on a side of the backing plate opposite to the side on which the sputtering target is disposed, wherein the magnet device has an upper end located in a magnet plane parallel to the sputtering surface of the sputtering target before sputtering, An inner magnet having an upper end located on the magnet plane and disposed inside the outer magnet in a non-contact manner with the outer magnet, and a ring-shaped high permeability plate having a permeability higher than that of the backing plate. Wherein the high permeability plate surrounds the inner magnet, and the high permeability plate surrounds the inner magnet, Wherein an outer side surface and an inner side surface of the high permeability plate intersect with the magnet plane, or an upper end of the outer side surface, an upper end of the inner side surface, or a lower end of the outer side surface and a lower end of the inner side surface, And a magnetic force line is formed on the sputter surface.

본 발명은, 상기 고투자율판은 상기 외측 자석과 상기 내측 자석에 비접촉으로 된 스퍼터링 장치이다.The present invention is a sputtering apparatus in which the high permeability plate is not in contact with the outer magnet and the inner magnet.

본 발명은, 상기 고투자율판은 투자율이 0.9 × 10-3H/m 이상의 금속 재료로 구성된 스퍼터링 장치이다.In the present invention, the high permeability plate is a sputtering apparatus composed of a metal material having a permeability of 0.9 x 10 < -3 > H / m or more.

두꺼운 스퍼터링 타겟에서도 균일하게 스퍼터링할 수 있기 때문에 타겟 사용 효율이 높다. 스퍼터링 타겟을 고효율로 장시간 사용할 수 있다.Since the sputtering can be uniformly performed even in a thick sputtering target, the use efficiency of the target is high. The sputtering target can be used with high efficiency for a long time.

도 1은 본 발명의 타겟 장치와 스퍼터링 장치.
도 2는 본 발명의 타겟 장치.
도 3은 그 A-A 선 재단 단면도.
도 4(a) ~(e)는 고투자율판과 외측 자석 및 내측 자석의 위치 관계를 설명하기 위한 도면.
도 5는 고투자율판을 갖지 않는 자석 장치를 설명하기 위한 도면.
도 6은 도 4(a) ~(e)의 자기장 강도와 넓이를 나타내는 그래프.
도 7은 타겟의 위치와 두께의 관계를 나타내는 그래프.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a target device and sputtering apparatus of the present invention.
Figure 2 is a target device of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the AA line cut.
4 (a) to 4 (e) are diagrams for explaining the positional relationship between the high permeability plate and the outer magnet and the inner magnet.
5 is a view for explaining a magnet apparatus not having a high permeability plate;
Fig. 6 is a graph showing the magnetic field strength and widths in Figs. 4 (a) to 4 (e).
7 is a graph showing the relationship between the position of the target and the thickness.

도 1의 스퍼터링 장치(11)는 본 발명의 일례로서, 진공조(12)를 가지고 있고, 진공조(12)의 내부에는 본 발명의 타겟 장치(14)가 배치되어 있다.The sputtering apparatus 11 of FIG. 1 is an example of the present invention and has a vacuum tank 12, and the target apparatus 14 of the present invention is disposed inside the vacuum tank 12.

이 타겟 장치(14)의 평면도를 도 2에 나타내고, 그 A-A선 재단 단면도를 도 3에 나타낸다. 타겟 장치(14)는 판상의 백킹 플레이트(21)를 가지고 있고, 백킹 플레이트(21)의 편면에는 스퍼터링 타겟(22)이 배치되어 있다.A plan view of the target device 14 is shown in Fig. 2, and a cross-sectional view of the target device 14 is shown in Fig. The target device 14 has a plate-shaped backing plate 21, and a sputtering target 22 is disposed on one side of the backing plate 21.

진공조(12) 내부의 타겟 장치(14)와 반대측의 위치에는 기판 홀더(17)가 배치되어 있다. 스퍼터링 타겟(22)의 편면인 스퍼터면(24)은 진공조(12)의 내부에 노출되어 있고, 기판 홀더(17)에 기판(18)이 배치되면, 기판(18)의 성막면(19)은 스퍼터면(24)과 평행하게 대면한다.A substrate holder 17 is disposed at a position on the opposite side of the target device 14 in the vacuum chamber 12. The sputtering surface 24 as one surface of the sputtering target 22 is exposed to the inside of the vacuum chamber 12. When the substrate 18 is placed on the substrate holder 17, Facing the sputter surface 24 in parallel.

진공조(12)에는 진공 배기 장치(13)와 가스 공급 장치(16)가 접속되어 있고, 진공 배기 장치(13)에 의해 진공조(12) 내부를 진공 배기하여 진공조(12)의 내부에 진공 분위기가 형성된 후, 가스 공급 장치(16)로부터 진공조(12)의 내부에 스퍼터링 가스를 공급하여, 진공조(12)의 내부에 스퍼터링 가스를 함유하는 진공 상태인 스퍼터링 가스 분위기를 형성한다.A vacuum evacuation device 13 and a gas supply device 16 are connected to the vacuum evacuation device 12 and the inside of the vacuum evacuation device 12 is vacuum evacuated by a vacuum evacuation device 13, After the vacuum atmosphere is formed, a sputtering gas is supplied from the gas supply device 16 to the inside of the vacuum chamber 12 to form a vacuum sputtering gas atmosphere containing a sputtering gas inside the vacuum chamber 12.

백킹 플레이트(21)의 스퍼터링 타겟(22)이 배치된 면과는 반대측 면의 근방에는 자석 장치(23)가 배치되어 있다.A magnet device 23 is disposed in the vicinity of a surface of the backing plate 21 opposite to the surface on which the sputtering target 22 is disposed.

이 자석 장치(23)는 스퍼터링 타겟(22)의 스퍼터면(24)과는 반대측인 이면측에 위치하고 있다.This magnet device 23 is located on the back surface side opposite to the sputter surface 24 of the sputtering target 22.

자석 장치(23)는 투자성을 갖는 투자성 재료가 평판상으로 성형된 요크(28)와, 요크(28)의 편면 상에 배치된 내측 자석(26)과, 내측 자석(26)이 배치된 편면에 배치되며 내측 자석(26)을 둘러싸는 링 형상의 외측 자석(25)을 가지고 있다.The magnet device 23 includes a yoke 28 formed of an investment material having an investment property formed into a flat plate shape, an inner magnet 26 disposed on one side of the yoke 28, And has a ring-shaped outer magnet 25 disposed on one side and surrounding the inner magnet 26.

N극과 S극 중 어느 한 쪽을 제 1 자극으로 하고, 다른 쪽을 제 2 자극으로 하면, 내측 자석(26)은 요크(28)를 향한 쪽의 단부에 제 1 자극이 배치되고, 요크 (28)와는 반대측을 향한 단부에 제 2 자극이 배치되어 있으며, 외측 자석(25)은 내측 자석(26)과는 정반대로, 요크(28)를 향한 쪽의 단부에 제 2 자극이 배치되고, 요크(28)와는 반대측을 향한 단부에 제 1 자극이 배치되어 있다. 자극에 대해서는, 제 1 자극이 N극이고 제 2 자극이 S극인 경우와, 제 1 자극이 S극이고 제 2 자극이 N극인 경우가 있다.When either one of the N pole and the S pole is used as the first magnetic pole and the other is used as the second magnetic pole, the first magnetic pole is disposed at the end of the inner magnet 26 facing the yoke 28, The second magnetic pole is disposed at an end portion of the outer magnet 25 facing the yoke 28 opposite to the inner magnet 26 and the second magnetic pole is disposed at the end opposite to the yoke 28, And a first magnetic pole is disposed at an end portion opposite to the first magnetic pole 28. Regarding stimulation, there are cases where the first magnetic pole is the N pole and the second magnetic pole is the S pole, and the first magnetic pole is the S pole and the second magnetic pole is the N pole.

스퍼터링 타겟(22)는 내측 자석(26)과 외측 자석(25)의, 요크(28)과는 반대측으로 향한 단부의 가까이에 백킹 플레이트(21)를 통해 위치하고 있다.The sputtering target 22 is positioned via the backing plate 21 near the end of the inner magnet 26 and the outer magnet 25 facing away from the yoke 28. [

백킹 플레이트(21)는 투자율이 진공의 값에 가까운 구리로 구성되어 있고, 여기에서는 스퍼터링 타겟(22)도 진공의 값에 가까운 재료가 이용되고 있다. 자석 장치(23)의 N극에서 방출된 자력선은 백킹 플레이트(21)와 스퍼터링 타겟(22)을 관통하여 스퍼터면(24) 상에 노출되고, 스퍼터면(24) 상에서 만곡하여 스퍼터링 타겟(22)과 백킹 플레이트(21)를 관통하여 자석 장치(23)의 S극으로 들어간다.The backing plate 21 is made of copper whose magnetic permeability is close to the value of vacuum. Here, a material close to the vacuum value is also used for the sputtering target 22. The magnetic lines of force emitted from the N pole of the magnet device 23 are exposed on the sputter surface 24 through the backing plate 21 and the sputtering target 22 and curved on the sputter surface 24 to form the sputtering target 22, And the backing plate 21 to enter the S pole of the magnet device 23. [

백킹 플레이트(21)는 스퍼터 전원(34)에 접속되어 있고, 스퍼터링 분위기가 형성된 상태에서 스퍼터 전원(34)에 의해 백킹 플레이트(21)에 전압을 인가하면, 캐소드 전극(여기에서는 타겟(22))의 표면으로부터 전자가 방출된다.The backing plate 21 is connected to the sputtering power source 34. When a voltage is applied to the backing plate 21 by the sputtering power source 34 in a state where the sputtering atmosphere is formed, Electrons are emitted from the surface of the substrate.

캐소드 전극에서 방출된 전자는 스퍼터면(24) 상의 자력선을 따라 나선 운동을 하고, 스퍼터링 가스와의 상호 작용에 의해 스퍼터면(24) 근방에 플라즈마를 발생시켜 스퍼터면(24)이 스퍼터링된다.The electrons emitted from the cathode electrode are spirally moved along the magnetic force lines on the sputtering surface 24 and generate plasma in the vicinity of the sputtering surface 24 by the interaction with the sputtering gas so that the sputtering surface 24 is sputtered.

이 때, 스퍼터면(24) 상에 누출된 자력선 중, 수직 방향의 자기 성분이 제로인 부분, 즉 스퍼터면(24) 상에 누출된 자력선 중의 스퍼터면(24)과 평행한 방향으로 연장되는 부분 바로 아래 위치의 플라즈마는 고밀도가 되어, 스퍼터면(24) 중, 그 고밀도 플라즈마와 접촉하는 부분이 다량으로 스퍼터링된다.At this time, among the magnetic lines of force leaking on the sputter surface 24, a portion having a zero magnetic component in the vertical direction, that is, a portion linearly extending in the direction parallel to the sputter surface 24 in the magnetic force lines leaking on the sputter surface 24 The plasma at the lower position becomes high density, and a large portion of the sputter surface 24 that is in contact with the high density plasma is sputtered.

따라서, 스퍼터면(24) 중, 스퍼터면(24)과 평행하게 연장되는 자력선 바로 아래에 위치하는 부분의 면적이 넓을수록 스퍼터링 타겟(22)의 넓은 영역이 스퍼터링되어 사용 효율이 향상된다.Therefore, as the area of the sputter surface 24 located directly under the magnetic force lines extending in parallel with the sputter surface 24 is wider, the large area of the sputtering target 22 is sputtered and the use efficiency is improved.

본 발명의 자석 장치(23)는 도 3에 나타내는 바와 같이, 외측 자석(25)과 내측 자석(26) 사이에는 수지(29)가 배치되어 있고, 외측 자석(25)과 내측 자석(26)은 수지(29)에 의해 서로 이격한 상태로 고정되어 있다.3, a resin 29 is disposed between the outer magnet 25 and the inner magnet 26, and the outer magnet 25 and the inner magnet 26 are disposed between the outer magnet 25 and the inner magnet 26, And are fixed to each other with a resin 29 therebetween.

수지(29) 상에는 내측 자석(26)을 둘러싸는 링 형상의 고투자율판(27)이 배치되어 있고, 후술하는 바와 같이, 스퍼터면(24)과 평행하게 연장되는 자력선이 많다.On the resin 29, a ring-shaped high permeability plate 27 surrounding the inner magnet 26 is disposed. As will be described later, there are many lines of magnetic force extending parallel to the sputter face 24.

도 5는 고투자율판(27)이 배치되어 있지 않은 자석 장치(33d)이고, 자석 장치(33d)에 의해 형성되는 자력선(30)은 외측 자석(25)과 내측 자석(26)의 거의 중간 위치에서 최대치가 되도록 만곡하고 있어, 자력선(30) 중 스퍼터면(24)과 평행하게 연장되는 부분이 적다.5 is a magnet device 33d in which the high permeability plate 27 is not disposed and the magnetic force line 30 formed by the magnet device 33d is located at an intermediate position between the outer magnet 25 and the inner magnet 26 And the portion of the magnetic force lines 30 extending parallel to the sputter surface 24 is small.

도 4(a)~(e)의 자석 장치(23, 33a, 33b)는 고투자율판(27)을 가지고 있고, 수지(29)의 기재는 생략되어 있다. 고투자율판(27)의 외주와 외측 자석(25)의 내주사이와, 고투자율판(27)의 내주와 내측 자석(26)의 외주 사이에는 간극이 형성되어 있어 고투자율판(27)은 외측 자석(25)과 비접촉으로 되어, 과도한 자력선(30)이 고투자율판(27) 안을 지나는 일이 없으며, 또한 자력선(30)의 형상이 치우치는 일이 없도록 되어 있다.The magnet apparatuses 23, 33a and 33b in FIGS. 4 (a) to 4 (e) have a high permeability plate 27 and the description of the resin 29 is omitted. A gap is formed between the outer periphery of the high permeability plate 27 and the inner periphery of the outer magnet 25 and between the inner periphery of the high permeability plate 27 and the outer periphery of the inner magnet 26, Contact with the magnets 25 does not occur and the excessive magnetic flux lines 30 do not pass through the high permeability plate 27 and the shape of the magnetic flux lines 30 is not shifted.

외측 자석(25)의 상단과 내측 자석(26)의 상단은 아직 스퍼터링되지 않은 스퍼터링 타겟(22)의 스퍼터면(24)과 평행하며 동일한 자석 평면(31)에 위치하고 있다.The upper end of the outer magnet 25 and the upper end of the inner magnet 26 are parallel to the sputter surface 24 of the sputtering target 22 that is not yet sputtered and are located in the same magnet plane 31.

고투자율판(27)은 백킹 플레이트(21)보다도 큰 투자율을 갖는 재료로 구성되어 있으며, 진공이나 공기의 투자율보다도 큰 투자율이기 때문에 외측 자석(25)과 내측 자석(26) 사이에 형성되는 자력선(30) 중 일부 자력선(30)이 고투자율판(27)의 외주 부근 또는 내주 부근 중 어느 하나로부터 고투자율판(27)의 내부로 들어가, 고투자율판(27)의 내부를 통해서 다른 쪽으로부터 외부로 나오게 되어 있다.The high magnetic permeability plate 27 is made of a material having a permeability higher than that of the backing plate 21 and has a magnetic permeability higher than that of vacuum or air so that the magnetic permeability line 27 formed between the outer magnet 25 and the inner magnet 26 Permeability plate 27 from either the outer periphery of the high permeability plate 27 or the vicinity of the inner periphery of the high permeability plate 27 and the outside of the high permeability plate 27 through the inside of the high permeability plate 27 .

특히 도 4(b)의 자석 장치(23)에서는, 고투자율판(27)은 고투자율판(27)의 표면(33)이 자석 평면(31)과 일치하는 동시에, 고투자율판(27)의 표면(33)과는 반대측의 이면이 자석 평면(31)보다도 스퍼터링 타겟(22)으로부터 멀리 위치하도록 배치되어 있고, 도 4(c)의 자석 장치(23)에서는 고투자율판(27)의 표면(33)이 자석 평면(31)보다도 스퍼터링 타겟(22) 가까이에 위치하는 동시에 고투자율판(27)의 표면(33)과는 반대측의 이면(32)이 자석 평면(31)보다도 스퍼터링 타겟(22)으로부터 멀리 위치하도록 배치되어 있다. 또한 도 4(d)의 자석 장치(23)에서는, 고투자율판(27)은 고투자율판(27)의 이면(32)이 자석 평면(31)과 일치하도록 배치되어 있다.In particular, in the magnet device 23 of FIG. 4 (b), the high permeability plate 27 is formed by the high permeability plate 27 having the surface 33 of the high permeability plate 27 aligned with the magnet plane 31, The back surface opposite to the surface 33 is arranged farther from the sputtering target 22 than the magnet plane 31. In the magnet apparatus 23 of Fig. 33 are located nearer to the sputtering target 22 than the magnet plane 31 and the back surface 32 of the high permeability plate 27 opposite to the surface 33 is located closer to the sputtering target 22 than the magnet plane 31. [ As shown in Fig. 4 (d), the high permeability plate 27 is disposed such that the back surface 32 of the high permeability plate 27 is coincident with the magnet plane 31. In the magnet apparatus 23 shown in Fig.

외측 자석(25)의 상단과 내측 자석(26)의 상단 사이에 형성되는 자력선(30) 중, 내측 자석(26)의 중앙 부근과 외측 자석(25)의 외주 부근 사이에 형성되는 자력선(30)을 상방 자력선(35)이라 하고, 내측 자석(26)의 바깥 가장자리 부근과 외측 자석(25)의 내주 부근 사이에 형성되는 자력선(30)을 하방 자력선(36)이라 하면, 외측 자석(25)의 상단과 내측 자석(26)의 상단으로부터 일정 거리 이간된 스퍼터링 타겟(22)의 스퍼터면(24) 상에는, 상방 자력선(35)이 반고리 형상으로 누출되어 전자를 휘감는 한편, 하방 자력선(36)은 스퍼터면(24) 상에는 누출되지 않지만, 고투자율판(27)이 설치되어 있지 않은 도 5의 자석 장치(33d)에서는 하방 자력선(36)이 상방 자력선(35)의 중앙 부분을 밀어 올리기 때문에, 스퍼터면(24) 상에서 상방 자력선(35)이 만곡하여 스퍼터면(24)과 평행하게 연장되는 자력선(30) 부분이 감소한다.The magnetic force line 30 formed between the vicinity of the center of the inner magnet 26 and the outer periphery of the outer magnet 25 among the magnetic force lines 30 formed between the upper end of the outer magnet 25 and the upper end of the inner magnet 26, And the magnetic line of force 30 formed between the vicinity of the outer edge of the inner magnet 26 and the vicinity of the inner periphery of the outer magnet 25 is referred to as the downward magnetic line of force 36, On the sputtering surface 22 of the sputtering target 22 separated by a distance from the upper end of the upper inner magnet 26, the upper magnetic line of force 35 leaks in the shape of a semicircle to wind the electrons, while the lower magnetic line of force 36, 5, in which the high magnetic permeability plate 27 is not provided, the lower magnetic force line 36 pushes up the central portion of the upper magnetic force line 35, The upper magnetic force lines 35 are bent on the upper surface 24 so as to be parallel to the sputter surface 24 The portion of the magnetic force line 30 extending is reduced.

그에 대하여, 고투자율판(27)을 갖는 도 4(a)~(e)의 자석 장치(23, 33a, 33b) 중, 본 발명에 이용하는 도 4(b),(c),(d)의 자석 장치(23)에서는 하방 자력선(36)의 일부가 고투자율판(27)의 외주 부근 또는 내주 부근 중, 한 쪽 부근에서 고투자율판(27) 안으로 들어가, 고투자율판(27) 안을 지나 다른 쪽 근처에서 고투자율판(27)의 외부로 누출된다.4 (b), 4 (c), and 4 (d) used in the present invention among the magnet devices 23, 33a and 33b shown in Figs. 4 In the magnet device 23, a part of the lower magnetic force line 36 enters the high permeability plate 27 in the vicinity of the outer periphery or the inner periphery of the high permeability plate 27, passes through the high permeability plate 27, And leaks to the outside of the high permeability plate 27 in the vicinity of the high permeability plate 27.

상방 자력선(35) 중앙 바로 아래 위치에서는 고투자율판(27)의 외부를 지나는 하방 자력선(36)은 적어지기 때문에, 상방 자력선(35)의 중앙 부분은 아래쪽에서 가압되지 않아 스퍼터면(24)에 대하여 평행하게 연장되는 부분이 증가하여 스퍼터링되는 면적이 증대한다.The lower portion of the magnetic force line 36 passing through the outside of the high permeability plate 27 is less at the position immediately below the center of the upper magnetic force line 35 and therefore the central portion of the upper magnetic force line 35 is not pressed downward, The area extending parallel to the surface of the substrate increases and the area to be sputtered increases.

한편, 도 4(a)와 같이 고투자율판(27)의 표면(33)이 자석 평면(31)보다도 아래쪽이 되는 자석 장치(33a)의 경우에는, 고투자율판(27)의 내부를 지나는 자력선(30)이 감소하여 상방 자력선(35)이 하방 자력선(36)에 의해 위쪽으로 가압되기 때문에, 스퍼터면(24)에 대하여 평행하게 연장되는 부분은 감소한다.On the other hand, in the case of the magnet apparatus 33a in which the surface 33 of the high permeability plate 27 is lower than the magnet plane 31 as shown in Fig. 4 (a) Since the upper magnetic force line 35 is pressed upward by the lower magnetic force line 36, the portion extending parallel to the sputter face 24 decreases.

도 4(e)와 같이 고투자율판(27)의 이면(32)이 자석 평면(31)의 위쪽에 위치하고 있는 자석 장치(33b)에서는 다량의 자력선이 고투자율판(27) 안을 지나게 되고, 특히 상방 자력선(35)의 일부도 고투자율판(27) 안을 지나게 된다. 이 때, 상방 자력선(35)은 하방 자력선(36)에 의해 가압되지 않아 스퍼터면(24)에 대하여 평행하게 연장되는 부분이 증가하기 때문에 스퍼터링되는 면적은 증대하지만, 스퍼터면(24) 상의 자력선(30)이 감소하여 스퍼터링 효율이 저하되게 된다.In the magnet apparatus 33b in which the back surface 32 of the high permeability plate 27 is located above the magnet plane 31 as shown in Fig. 4 (e), a large amount of magnetic force lines pass through the high permeability plate 27, A part of the upper magnetic force line 35 also passes through the high permeability plate 27. At this time, the upper magnetic force lines 35 are not pressed by the lower magnetic lines of force 36 to increase the area extending in parallel to the sputter face 24, so that the sputtered area increases. However, 30) is decreased and the sputtering efficiency is lowered.

여기에서 스퍼터면(24) 상에 있어서, 자기장의 수직 성분이 제로인 점을 연결하여 얻어지는 선분은 스퍼터면(24) 상에 누출된 복수의 자력선과 교차하고 있으며, 그 선분에는 도 4(b)와 도 4(d)에 나타내는 바와 같이, 고투자율판(27)의 표면에 대하여 거의 수직 방향으로 연장되는 제 1 선분(41)과, 외측 자석(25) 상단의 내주로부터 내측 자석(26) 상단 바깥 가장자리로 연장되거나, 혹은 고투자율판(27)의 표면 한쪽 단부로부터 다른 쪽 단부로 연장되는 제 2 선분(42)이 포함된다.Here, a line segment obtained by connecting the points at which the vertical component of the magnetic field is zero on the sputter face 24 intersects a plurality of magnetic flux lines leaking on the sputter face 24, A first line segment 41 extending in a substantially vertical direction with respect to the surface of the high permeability plate 27 and a second line segment 41 extending from the inner periphery of the upper end of the outer magnet 25 to the outer periphery of the inner magnet 26 Or a second line segment 42 extending from one end of the surface of the high permeability plate 27 to the other end.

제 1 선분(41)과 제 2 선분(42)의 교점을 수직 자기장 제로인 특이점(43)이라 하면, 도 4(b)의 자석 장치(23)의 제 2 선분(42)은 외측 자석(25)의 상단 내주로부터 내측 자석(26)의 상단 바깥 가장자리로 연장되고 있고, 도 4(b)와 도 4(d)에서는, 특이점(43)은 상방 자력선(35)과 하방 자력선(36) 사이 부근에 형성되는 것을 알 수 있다.The second line segment 42 of the magnet apparatus 23 shown in Fig. 4 (b) is the point of intersection of the first line segment 41 and the second line segment 42 with a vertical magnetic field zero, The outlier 43 extends from the upper inner circumference of the inner magnet 26 to the upper outer edge of the inner magnet 26. In Figures 4 (b) and 4 (d) . ≪ / RTI >

도 6의 그래프의 왼쪽 세로축은 특이점에서의 수평 방향의 자기장 강도를 나타내고, 오른쪽 세로축은 특이점에서의 수평 방향의 자기장 강도 ± 5G의 강도를 갖는 자력선의 폭(자석 평면(31)과 평행한 평면 내의 직선 방향으로서, 외측 자석(25)과 내측 자석(26) 사이의 거리를 나타내는 직선과는 수직인 직선 방향의 길이)를 나타내고 있고, 도 6의 그래프의 가로축 (a)~(e)는 도 4(a)~(e)의 동일한 알파벳의 자석 장치(23, 33a, 33b)에 대응된다.6 represents the magnetic field strength in the horizontal direction in the singular point, and the right vertical axis represents the width of the magnetic line of force in the horizontal direction (in the plane parallel to the magnet plane 31) And the horizontal axes (a) to (e) of the graph of FIG. 6 indicate the lengths in the straight direction perpendicular to the straight line indicating the distance between the outer magnet 25 and the inner magnet 26, correspond to the magnet apparatuses 23, 33a, 33b of the same alphabet in (a) to (e).

실험에서는 특이점(43)에서의 수평 방향의 자기장 강도가 140G 이상 230G 이하의 값인 경우에 안정된 방전을 얻을 수 있고, 동시에 스퍼터면(24)이 넓게 스퍼터링되는 것을 확인할 수 있다. 특이점(43)에서의 수평 방향의 자기장 강도가 140G보다도 작으면 스퍼터링 타겟(22)의 스퍼터면(24) 근방에 발생하는 플라즈마가 불안정해져 방전 전압이 상승하는 경향이 보였다.In the experiment, it can be confirmed that a stable discharge can be obtained when the magnetic field intensity in the horizontal direction in the singular point 43 is a value of 140G or more and 230G or less, and at the same time, the sputter surface 24 is sputtered widely. If the magnetic field intensity in the horizontal direction in the singular point 43 is smaller than 140G, the plasma generated in the vicinity of the sputter surface 24 of the sputtering target 22 becomes unstable and the discharge voltage tends to rise.

한편, 특이점(43)에서의 수평 방향의 자기장 강도가 230G보다도 크면 자력선을 따라 나선 운동하는 전자의 자력선에 대한 구속이 강해지기 때문에, 고밀도인 플라즈마 영역이 좁아져 스퍼터링 타겟(22)의 스퍼터면(24)에서 스퍼터링되는 영역이 좁아지게 된다.On the other hand, if the magnetic field strength in the horizontal direction in the singular point 43 is larger than 230G, the high-density plasma region becomes narrower due to the stronger binding of the electrons that spiral along the magnetic line of force, 24 are narrowed.

도 6에서, 도 4(b),(c),(d)의 자석 장치(23)가 140G 이상 230G 이하 범위 내의 자기장 강도로 되어 있다. 또한 자기장 강도 ± 5G의 강도를 갖는 자력선의 폭은 어느 자석 장치(23, 33a, 33b)에서도 10mm를 초과하고 있어 넓은 스퍼터 영역을 얻을 수 있게 되어 있다. 즉, 도 4(b),(c),(d)의 자석 장치(23)는 스퍼터면(24) 상의 반고리 형상의 자력선을 크게 감소시키는 일은 없기 때문에, 두꺼운 스퍼터링 타겟(22)도 균일하게 스퍼터링할 수 있다.In Fig. 6, the magnet apparatus 23 of Figs. 4 (b), 4 (c) and 4 (d) has a magnetic field strength in the range of 140 G to 230 G inclusive. Also, the width of the magnetic lines of force having the strength of the magnetic field intensity of ± 5G exceeds 10 mm in any of the magnet devices (23, 33a, 33b), so that a wide sputter area can be obtained. That is, since the magnet apparatus 23 of Figs. 4 (b), 4 (c), and 4 (d) does not significantly reduce the line of magnetic force of the semicylindrical shape on the sputter surface 24, the thick sputtering target 22 is also uniformly sputtered can do.

여기서,도 4(b)의 자석 장치(23)와 도 4(e)의 자석 장치(33b)를 이용하여, 각각 두께 14mm의 타겟을 스퍼터링했을 때의, 타겟의 길이 방향 중앙부에서의 단면 형상, 즉 타겟 표면 프로파일을 도 7에 나타낸다.Here, when the targets each having a thickness of 14 mm are sputtered using the magnet apparatus 23 of Fig. 4 (b) and the magnet apparatus 33b of Fig. 4 (e) That is, the target surface profile is shown in Fig.

이 때, 도 4(b)의 자석 장치(23)에서는 특이점(43)에서의 수평 방향의 자기장 강도는 208G이고, 자기장 강도 ±5G의 강도를 갖는 자력선의 폭은 13mm였다. 또한, 도 4(e)의 자석 장치(33b)에서는 특이점에서의 수평 방향의 자기장 강도는 119G이며, 자기장 강도 ±5G의 강도를 갖는 자력선의 폭은 15mm였다.At this time, in the magnet apparatus 23 of Fig. 4 (b), the magnetic field strength in the horizontal direction in the singular point 43 was 208 G, and the width of the magnetic force lines having the strength of the magnetic field strength +/- 5 G was 13 mm. In the magnet apparatus 33b of Fig. 4 (e), the magnetic field strength in the horizontal direction in the singular point was 119G, and the width of the magnetic force lines having the magnetic field strength of +/- 5G was 15 mm.

스퍼터링 타겟(22)의 단면적으로부터 각 스퍼터링 타겟(22)의 사용 효율을 계산하면, 도 4(e)에서는 42.8%이었으나 도 4(b)에서는 53.5%가 되어, 10% 이상의 개선이 보였다.The use efficiency of each sputtering target 22 from the cross-sectional area of the sputtering target 22 was calculated to be 42.8% in FIG. 4E but 53.5% in FIG. 4B, showing an improvement of 10% or more.

도 4(e) 자석 장치(33b)에서는 자기장 강도가 119G로 140G보다도 작고, 이 때문에 방전이 안정되지 않아 자력선이 집중하여 비교적 자기장이 강한 중앙측에 방전이 집중했기 때문에, 스퍼터링에 의해 스퍼터되는 양에 편차가 발생한 것으로 생각된다.In the magnet device 33b of Fig. 4 (e), the magnetic field intensity is smaller than 140G at 119G, and therefore the discharge is not stable, and the discharge is concentrated on the center side where the magnetic lines of force are concentrated and the magnetic field is relatively strong. Therefore, the amount sputtered by sputtering Is considered to have occurred.

이 점에서, 도 4(b)의 자석 장치(23)에서는 자기장 강도가 208G로 140G ~ 230G 범위에 들어가고 자력선의 폭도 13mm로 넓기 때문에, 타겟(22)의 깊은 위치, 즉 스퍼터링이 진행한 후에도 넓은 스퍼터 영역을 얻을 수 있는 것으로 생각된다.In this regard, in the magnet device 23 of Fig. 4 (b), the magnetic field strength is in the range of 140G to 230G at 208G and the width of the magnetic lines of force is as wide as 13mm. Therefore, the deep position of the target 22, It is considered that a sputter region can be obtained.

또한, 고투자율판(27)의 두께는 수 mm 정도로서, 스테인레스, 철, 퍼멀로이를 평판 형상으로 가공한 판이나, 다른 투명 재료의 판을 이용할 수 있다.The thickness of the high permeability plate 27 is several millimeters, and it is possible to use a plate obtained by processing stainless steel, iron or permalloy into a flat plate shape or a plate of another transparent material.

백킹 플레이트를 구성하는 구리의 투자율(μ(H / m))은 1.26 × 10-6이고, 본 발명의 고투자율판(27)을 구성하는 재료는 마르텐사이트 스테인레스(소둔 : 9.42 × 10-4, 1.19 × 10-3), 페라이트 스테인레스(소둔 : 1.26 × 10-3, 2.26 × 10-3), 퍼멀로이(1.2 × 10-2), 철(99.8% 순철 : 6.3 × 10-3), 규소강(5.0 × 10-3), 철 코발트 합금(2.3 × 10-2) 등의 투자율(μ)이 0.9 × 10-3 이상인 금속 재료를 사용할 수 있다.(H / m) of copper constituting the backing plate is 1.26 x 10 -6 , and the material constituting the high permeability plate 27 of the present invention is martensitic stainless steel (annealing: 9.42 x 10 -4 , 1.9 x 10 -3 ), ferritic stainless steel (annealing: 1.26 x 10 -3 , 2.26 x 10 -3 ), permalloy (1.2 x 10 -2 ), iron (99.8% pure iron: 6.3 x 10 -3 ) 5.0 × 10 -3), cobalt iron alloy (2.3 × 10 -2) magnetic permeability (μ), such as a 0.9 × 10 -3 or greater can be used for the metal material.

11 스퍼터링 장치
14 타겟 장치
21 백킹 플레이트
22 스퍼터링 타겟
23 자석 장치
24 스퍼터면
25 외측 자석
26 내측 자석
27 고투자율판
30 자력선
31 자석 평면11 Sputtering apparatus
14 Target device
21 backing plate
22 Sputtering target
23 Magnet devices
24 Sputter surface
25 Lateral magnet
26 inner magnet
27 High permeability plate
30 magnetic force lines
31 magnet plane

Claims (6)

백킹 플레이트;
상기 백킹 플레이트의 편면에 배치되고, 스퍼터링되는 스퍼터면이 노출된 스퍼터링 타겟; 및
상기 백킹 플레이트의 상기 스퍼터링 타겟이 배치된 측과는 반대측에 배치 된 자석 장치; 를 갖는 타겟 장치로서,
상기 자석 장치는
상단이, 스퍼터링되기 전의 상기 스퍼터링 타겟의 상기 스퍼터면과 평행한 자석 평면에 위치하며, 링 형상으로 된 외측 자석;
상단이 상기 자석 평면에 위치하며, 상기 외측 자석의 내측에 상기 외측 자석과는 비접촉으로 배치된 내측 자석; 및
상기 백킹 플레이트의 투자율보다도 큰 투자율을 갖는 링 형상의 고투자율판; 을 가지고,
상기 고투자율판은 상기 내측 자석을 둘러싸고, 상기 외측 자석에 의해 둘러 싸이는 위치에 배치되며,
상기 고투자율판의 표면은 상기 자석 평면과 일치하거나, 또는 상기 자석 평면보다도 상기 스퍼터링 타겟 가까이에 위치하고, 상기 고투자율판의 이면은 상기 자석 평면과 일치하거나, 또는 상기 자석 평면보다도 상기 스퍼터링 타겟으로부터 멀리 위치하도록 배치되며, 상기 스퍼터면 상에 자력선이 형성되는 타겟 장치.Backing plate;
A sputtering target disposed on one side of the backing plate, the sputtering target exposed to the sputtering surface; And
A magnet device disposed on a side of the backing plate opposite to a side on which the sputtering target is disposed; The target device comprising:
The magnet device
The upper end of the outer magnet being located in a magnet plane parallel to the sputtering surface of the sputtering target before sputtering;
An inner magnet located at an upper end in the magnet plane and disposed in the inner side of the outer magnet in non-contact with the outer magnet; And
A ring-shaped high permeability plate having a permeability higher than that of the backing plate; To have,
Wherein the high permeability plate surrounds the inner magnet and is disposed at a position surrounded by the outer magnet,
Wherein the surface of the high permeability plate coincides with the magnet plane or is located closer to the sputtering target than the magnet plane and the back surface of the high permeability plate coincides with the magnet plane or away from the sputtering target And a magnetic force line is formed on the sputter surface. 제 1항에 있어서,
상기 고투자율판은 상기 외측 자석과 상기 내측 자석에 비접촉으로 된 것을 특징으로 하는 타겟 장치.The method according to claim 1,
And the high permeability plate is not in contact with the outer magnet and the inner magnet. 제 1항에 있어서,
상기 고투자율판은 투자율이 0.9 × 10-3H/m 이상의 금속 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 타겟 장치.The method according to claim 1,
Wherein the high permeability plate is made of a metal material having a permeability of 0.9 x 10 < -3 > H / m or more. 진공조; 및
상기 진공조의 내부에 배치된 타겟 장치;
를 갖는 스퍼터링 장치로서,
상기 타겟 장치는
백킹 플레이트;
상기 백킹 플레이트의 편면에 배치되고, 스퍼터링되는 스퍼터면이 노출된 스퍼터링 타겟; 및
상기 백킹 플레이트의 상기 스퍼터링 타겟이 배치된 측과는 반대측에 배치 된 자석 장치; 를 가지고,
상기 자석 장치는
상단이, 스퍼터링되기 전의 상기 스퍼터링 타겟의 상기 스퍼터면과 평행한 자석 평면에 위치하며, 링 형상으로 된 외측 자석;
상단이 상기 자석 평면에 위치하며, 상기 외측 자석의 내측에 상기 외측 자석과는 비접촉으로 배치된 내측 자석; 및
상기 백킹 플레이트의 투자율보다도 큰 투자율을 갖는 링 형상의 고투자율판; 을 가지고,
상기 고투자율판은 상기 내측 자석을 둘러싸고, 상기 외측 자석에 의해 둘러 싸이는 위치에 배치되며,
상기 고투자율판의 외측 측면과 내측 측면은 상기 자석 평면과 교차하고, 또는 상기 외측 측면의 상단과 상기 내측 측면의 상단 혹은 상기 외측 측면의 하단과 상기 내측 측면의 하단이 상기 자석 평면과 일치하도록 배치되고,
상기 스퍼터면 상에 자력선이 형성되는 스퍼터링 장치.Vacuum chamber; And
A target device disposed within said vacuum chamber;
Wherein the sputtering apparatus comprises:
The target device
Backing plate;
A sputtering target disposed on one side of the backing plate, the sputtering target exposed to the sputtering surface; And
A magnet device disposed on a side of the backing plate opposite to a side on which the sputtering target is disposed; Lt; / RTI &
The magnet device
The upper end of the outer magnet being located in a magnet plane parallel to the sputtering surface of the sputtering target before sputtering;
An inner magnet located at an upper end in the magnet plane and disposed in the inner side of the outer magnet in non-contact with the outer magnet; And
A ring-shaped high permeability plate having a permeability higher than that of the backing plate; To have,
Wherein the high permeability plate surrounds the inner magnet and is disposed at a position surrounded by the outer magnet,
The outer side surface and the inner side surface of the high permeability plate intersect with the magnet plane or the upper end of the outer side surface and the upper end of the inner side surface or the lower end of the outer side surface and the lower end of the inner side surface coincide with the magnet plane And,
And magnetic force lines are formed on the sputter surface. 제 4항에 있어서,
상기 고투자율판은 상기 외측 자석과 상기 내측 자석에 비접촉으로 된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.5. The method of claim 4,
And the high permeability plate is not in contact with the outer magnet and the inner magnet. 상기 고투자율판은 투자율이 0.9 × 10-3H/m 이상의 금속 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.Wherein the high permeability plate is made of a metal material having a permeability of 0.9 x 10 < -3 > H / m or more.
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