KR20180134922A - 기판 노출 장치 - Google Patents

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KR20180134922A
KR20180134922A KR1020187030523A KR20187030523A KR20180134922A KR 20180134922 A KR20180134922 A KR 20180134922A KR 1020187030523 A KR1020187030523 A KR 1020187030523A KR 20187030523 A KR20187030523 A KR 20187030523A KR 20180134922 A KR20180134922 A KR 20180134922A
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귄터 퓨휘
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아이스트 메츠 게엠베하
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Abstract

본 발명은 전자기 방사선을 위한 하나 이상의 방사선 생성기를 포함하는 노출 유닛(2)과 마스크(100)를 가진, 기판(200)을 노출하기 위한 장치(1)에 관한 것으로서, 상기 마스크(100)는 마스크(100) 내에 포함된 정보 또는 구성을 기판(200)으로 전달하기 위해 적어도 일부 영역들에서 전자기 방사선에 투명하게 구성된다. 본 발명에 따르면, 마스크(100)는 수용 및 고정 장치(6)에 의해 노출 유닛(2)에 연결되고 음압에 의해 고정되며, 마스크(100)는 기판(200)에 평행하게 평면 배열된 지지 요소(70, 80)들에 의해 지지된다.

Description

기판 노출 장치
본 발명은 청구항 제1항의 특징들에 따른 기판 노출 장치에 관한 것이다.
정보 또는 평면 구조(planar structure)를 기판에 전달하기 위해 광학 마스크를 사용하는 방법은 잘 알려져 있으며, 예를 들어, 반도체 산업에서, 전도성 트랙(conductive track) 또는 반도체 구조물, 가령, 트랜지스터 또는 집적 회로를 제작하기 위해 사용된다. 특히, 마스크는 디스플레이를 제작하는 데 사용되는데, 몇몇 경우에서는, 예를 들어, 컨덕터 경로 장치를 마스크로부터 광구조화 디스플레이 유리(display glass) 또는 한 공정 단계에서 디스플레이 유리에 위치된 광민감성 레이어에 전달하기 위해, 수 제곱 미터의 유리 또는 석영 마스크를 이용하여, 디스플레이를 제작하는 데 사용된다. 상응하는 개별 제품들을 위해 디스플레이 유리가 몇몇 제작상의 혜택을 가지는 것은 일반적이며, 한 공정 단계에서, 예를 들어 65인치의 크기를 가진 8개의 디스플레이가 처리될 수 있다.
이러한 구조들은 이전 단계에서 마스크에 의해 노출되는 디스플레이 유리에 제공되는 광민감성 레이어(photosensitive layer)에 의해 전달되며, 마스크 내에 포함된 표면 구조물은 디스플레이 유리의 광민감성 레이어에 전달된다. 그 다음 단계에서, 노출되지 않은 영역들의 포토레지스트(photoresist)가 제거되며, 이제 노출된 영역들에는, 예를 들어 전도성 트랙이 제공된다. 그 뒤, 노출된 포토레지스트가 제거되고, 디스플레이 유리는 추가적인 공정 단계, 가령, 예컨대, 반도체 레이어를 증착시키기 위한 공정 단계를 위해 사용될 수 있다.
공정 기술에 있어서, 마스크를 수평방향 위치에 유지하는 것이 바람직하며, 몇몇 램프(lamp)들로 구성된 노출 유닛과 그에 상응하게 제공된 광학 시스템을 마스크 위에 배열하여, 마스크에 위로부터 수직 방향으로 방사선이 투사되도록(irradiated) 하는 것이 바람직하다. 노출 공정 동안, 노출되어야 하는 기판은 위로부터 마스크로 안내되고(guided), 노출 공정 동안에는 균일한 위치에 유지된다.
이미지를 가능한 최대한 선명하게 구현하고 구조물을 가능한 최대한 미세하게 구현하기 위하여, 기판과 마스크 사이의 거리를 일정하게 유지하고 전체 작업 영역에 걸쳐 가능한 최대한 작게 유지해야 한다. 이를 위해, 굽힘 또는 파형을 가능한 최대한 적게 하기 위하여, 특히, 고-평평도(flatness)로 수평으로 배열된 마스크를 고정시켜야 하며, 그에 따라 국부적으로 기판까지 상이한 거리가 발생되며 그에 따라 국부적으로 상이한 노출 결과가 발생된다.
추가적인 복합적인 요인으로는, 사용되는 마스크들은, 각각, 두께 범위가 수 1/10 밀리미터로부터 수 밀리미터까지이며 크기는 수 제곱 미터가 될 수 있는 얇은 유리 시트(sheet)를 포함한다는 사실이다. 따라서, 각각의 마스크를 에지(edge)에서만이 아니라 표면에 걸쳐 몇몇 영역에 고정하고 정렬시켜 마스크의 중량으로 인한 굴곡(deflection)을 허용가능한 수준으로 감소시켜야 한다.
이런 점에 있어서, 일본 특허출원 JP002009237442A호는 마스크를 향하는 면에 하나 이상의 홈(groove)을 가지는 투명 캐리어 플레이트(carrier plate)를 사용하며, 하나 이상의 홈을 통해 마스크와 캐리어 플레이트 사이에 진공이 생성될 수 있도록 하며, 마스크는 캐리어 플레이트에 대해 평평하게 가압되는 방법을 제안한다. 여기서, 수 제곱 미터의 영역을 가진 대형 마스크를 사용할 때 캐리어 플레이트 자체가 매우 크고 무거워지며, 고-평평도를 가져야 되는 특정의 단점이 발생한다. 추가적인 단점으로는, 이러한 캐리어 플레이트는 제작에 있어서 비용이 많이 들고 그에 따라 경제적이지 못하다.
일본 특허출원 JP002011155108A호에서, 대안으로, 몇몇 광학적으로 투명한 스트립을 이용하여 마스크를 고정하는 방법이 제안된다. 이를 위하여, 각각의 스트립은 마스크 면을 향하는 홈을 가지며 상기 홈에는 진공이 제공될 수 있고, 마스크는 내부로 흡입되고 고정된다. 여기서, 단점은, 광학적으로 투명한 스트립은 노출 공정 동안에 광학 요소로서 작용되는데, 공정 평면에서 방사선이 균질하게 투사되는 것을 저하시켜, 국부적으로 상이한 노출 결과를 발생시킨다는 점이다. 또 다른 문제점은, 공정 레벨에서 마스크의 요구 평평도를 보장하기 위하여, 이러한 스트립은 전체 길이에 걸쳐 매우 높은 수준의 직선도(straightness)와 평평도 및 강성(rigidity)을 가져야 한다는 점이다. 또 다른 단점으로는, 진공 스트립을 상이한 수의 마스크에 적용시키고 배열하는 것이 가능하지 않거나 매우 어려우며, 스트립을 광학 빔 경로(optical beam path)에 고정시킴으로써 최적으로 노출되지 않는다는 점이다.
본 발명의 목적은 위에서 언급한 단점들을 해결하고, 큰 면적의 마스크를 사용할 수 있으며, 선택적으로는, 패널(panel)의 노출을 저하시키지 않고, 상이한 수의 패널로, 마스크를 위한 노출 시스템을 생성하는 데 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 청구항 제1항에 기재된 특징들이 제안된다. 본 발명의 바람직한 변형예들은 종속항들에 기술된다.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크는 수용 및 고정 장치에 의해 하나 이상의 노출 유닛에 연결되고, 수용 및 고정 장치에 제공된 음압에 의해 고정되며, 마스크는 기판에 평행하게 평면 배열된 지지 요소들에 의해 지지된다.
이점으로는, 노출 장치가 진공원 또는 진공 챔버의 한 면에 위치되며, 마스크 홀더는 진공 챔버의 맞은편 면에 위치된다는 사실이다. 또 다른 이점으로는, 음압 효과가 유지되도록, 마스크가 진공 챔버의 방사선이 통과하는(trans-irradiated) 개구(opening)를 닫다는 점이다.
특히, 바람직한 디자인에 따르면, 마스크는, 수용 및 고정 장치로서, 교체가능한 고정 프레임(exchangeable holding frame) 내에 수용되는 것이 바람직하다. 따라서, 고정 프레임은 방사선이 통과하기 위한 프레임 개구를 제한하며, 진공 챔버에 탈착 가능하게 결부될 수 있다. 이와 동시에, 마스크는 프레임 개구를 닫는다.
마스크를 지지하는 지지 요소를 수용하고 고정시키기 위해 홀더 프레임 또는 노출 유닛 상에서 홀더가 제공되는 것이 바람직하다. 고정 프레임 상의 홀더는 지지 요소들을 이동시키기 위해 프레임의 내부에 있는 홈에 의해 형성되고 상기 홈 내에 지지 요소들을 고정시키기 위해 고정 요소들에 형성된다. 또한, 브래킷(bracket)들이, 마스크에 수직으로 정렬된 로드(rod) 형태의 지지 요소들에 의해 형성될 수 있다.
각각의 마스크 구조를 제공하기 위하여, 지지 요소들이 자유롭게 위치되거나 다양하게 위치될 수 있으며(variably positioned) 고정 프레임의 개구 영역에 고정되는 것이 바람직하다.
또한, 지지 요소들이 동일하거나 상이한 횡단면적을 가진 바(bar)로서 구성되는 것이 바람직하다. 지지 요소들에는 리세스(recess)들이 제공될 수 있으며 리세스들에 의해 서로 연결되어 격자 구조를 형성할 수 있다.
또 다른 변형예에 따르면, 지지 요소들은 선형 또는 점 형태의 지지 영역들에 의해 마스크를 지지한다.
지지부를 가능한 최대한 평면으로 구현하기 위하여, 노출 유닛이 마스크에 수직으로 작용하는 로드 형태의 지지 요소를 고정시키기 위해 마스크 방향으로 조절될 수 있는 고정 요소들을 가지는 것이 바람직하다.
균일한 노출을 위하여, 지지부들은, 사용되는 방사선에 대해 투명한 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
노출과 간섭되지(interfere) 않도록 하기 위하여, 마스크는 복수의 패널(panel)로 나뉘어지며, 지지 요소는 패널들 사이의 분리 영역에서 마스크를 지지하는 것이 바람직하다.
진공 챔버의 상측면은 사용되는 방사선에 적어도 부분적으로 투명해야 한다. 노출 장치는, 진공 챔버의 상측면을 통해 진공 챔버의 하측면을 포함하도록, 마스크를 완전히 노출시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 개별 특징 또는 개별 특징들의 조합에 따르면, 다음과 같이:
- 진공 챔버의 기저 영역(base area)이 마스크의 기저 영역보다 더 크다.
- 진공 챔버의 상측면은 진공 챔버의 바닥면에 평행하게 정렬된다.
- 진공 챔버는 직육면체(cuboid) 또는 절두형 피라미드(truncated pyramid) 형태를 포함한다.
- 진공 챔버의 높이 대 폭의 비는 1:100 내지 1:2 사이의 범위에 있다.
- 진공 챔버의 하측면은 마스크의 형태에 꼭 맞게 구성된(adapted) 개구를 가진다.
- 개구는 마스크의 외측 에지가 개구의 에지에 균일하게 배열되어 밀봉하도록 마스크의 형태에 꼭 맞게 구성된다.
- 마스크는 진공에 의해 진공 챔버의 하측면으로 끌어 당겨져서(pulled), 진공 챔버에서 생성되고 그 위치에 고정될 수 있다.
- 마스크는 진공 챔버의 하측면 상의 주변 밀봉부(circumferential seal)에 의해 에지에서 진공 챔버를 향해 밀봉된다.
- 진공 챔버는 마스크를 배열하거나 및/또는 고정하기 위해 하측면 상에 기계적 장치, 가령, 예를 들어, 기계식 가이드(mechanical guide) 및/또는 정렬 요소 및/또는 리테이닝 클램프(retaining clamp)를 가진다.
- 진공 챔버의 상측면은 광학적으로 투명한 재료, 예를 들어, 석영 유리 또는 유리 또는 플라스틱으로 적어도 부분적으로 형성된다.
- 상측면의 광학적으로 투명한 재료는 평면에 평행하게 배열된 플레이트이다.
- 상측면의 광학적으로 투명한 재료는 광 안내 및/또는 광 전도를 위한 광학 요소들을 포함한다.
- 상측면의 광학적으로 투명한 재료는 파장에 대해 선택적인 특성, 가령, 예컨대, 광학 필터 특성을 가진다.
- 상측면은 몇몇의 광학적으로 투명한 요소들로 구성된다.
- 진공 챔버는 연결부에 의해 진공 생성기(vacuum generator)에 연결된다.
- 진공 챔버는 에어레이션 장치(aeration device)를 포함한다.
- 지지 요소를 위한 지지 장치는 진공 챔버 내부 또는 마스크를 고정시키기 위한 프레임에 위치된다.
- 고정 장치는 동일하거나 또는 상이한 디자인의 지지 요소들을 수용할 수 있다.
- 고정 장치는 사용가능한 광학적 방사선에 대해 투명한 재료로 적어도 부분적으로 구성된다.
- 지지 요소는 사용가능한 방사선에 대해 투명한 재료로 구성된다.
- 지지 요소들의 조합 및 배열은 변경될 수 있다.
- 지지 요소들은 광학 기능(optical functionality)을 가진다.
- 지지 요소들은 광 가이드 및/또는 렌즈(lens)로서 작용한다.
- 지지 요소들의 적어도 일부분은 거울(mirror)로서 작용한다.
- 지지 요소들은 스트립(strip) 또는 바(bar)로서 구성된다.
- 지지 요소들은 수직이며, 마스크, 원통형 또는 원뿔형의 바 또는 콘(cone)을 하나씩 하나씩(point-by-point) 지지한다.
밑에서, 본 발명은 첨부도면에서 개략적으로 도시된 실시예들에 대해 보다 상세하게 기술된다. 도면에서:
도 1은 기판을 노출하거나 방사선을 투사하기 위한 장치의 측면도;
도 2는 도 1에 따른 장치의 상면도;
도 3은 노출 장치의 또 다른 상세 측면도;
도 4는 방사선 투사 장치를 부분적으로 절단한 투시도;
도 5는 상이한 형상의 마스크를 위한 지지부의 투시도;
도 6은 지지부의 또 다른 변형예이다.
도면에 도시된 노출 시스템(1)은 챔버(3)의 상측면(3a)에 나란하게 배열된 복수의 기다란(elongated) 노출 유닛(2)들을 포함한다. 챔버(3)는 하측면(3b) 상에 개구(3c)를 가지는데, 상기 개구(3c)는 챔버(3)가 진공 상태가 될 수 있도록 작동 동안에는 마스크(100)로 닫혀진다(closed). 이를 위하여, 챔버(3)는, 도시되지는 않았지만 연결 라인(connection line)들과 연결 부분(5)에 의해 도시되지는 않았지만 진공 생성기(vacuum generator)에 연결된다. 예를 들어, 진공 펌프(vacuum pump) 또는 흡입 송풍기(suction blower)를 사용하거나 혹은 이와 비슷한 공정에 의해, 음압(negative pressure)이 생성될 수 있다. 제작 공정에서, 필요요건에 따라, 기판의 노출을 위해 노출 마스크(100)가 0.1mm 내지 2mm 사이의 짧은 거리와 0.1mm 내지 0.5mm 사이의 작은 오차(tolerance) 만을 가질 수 있기 때문에, 마스크(100)를 하측면(3b)에서 챔버(3)의 외부에 배열해야 되며, 그 위치에서 적어도 마스크(100)를 고정시켜야 한다.
도 3에 도시된 것과 같이, 외측 에지(101)를 가진 마스크(100)는 수용 및 고정 장치로서 주변 프레임(6) 상에 주변 방향으로 배열되며, 개구(3c) 내에 삽입되고 도면에 도시되지는 않았지만 적절한 리테이닝 요소(retaining element)를 사용하여 상기 개구에 고정될 수 있으며, 그에 따라 공기가 새지 않는 연결부(airtight connection)를 형성할 수 있다. 마스크(100)의 외측 에지(101)는 프레임(6)의 홈에 삽입되는 주변 밀봉 요소(6a)에 배치되고, 챔버(3) 내부에 진공이 제공될 때, 마스크는 밀봉 요소(6a)에 대해 가압되며 그에 따라 프레임(6)에 대해 가압되어, 외부로부터 챔버가 닫혀진다. 만약 충분한 음압이 제공되면, 마스크(100)는 프레임(6)에 고정될 수 있다.
마스크(100)를 프레임(6)에 고정시키는 것을 지지하고, 그 위치에서 상기 마스크를 정렬하기 위하여, 특히, 마스크(100)를 교체할 때, 기계적인 리테이닝 스트립(7)과, 도시되지는 않았지만, 스톱 에지(stop edge) 또는 정렬 요소(alignment element)들이 제공되며, 이들은 컨트롤 구동부(7a)를 사용하여 스위치-온 되거나 또는 스위치-오프될 수 있다. 리테이닝 스트립(7)들은, 밀봉요소(6a)에 대한 저압 하에서, 마스크(100)의 외측 에지(101)를 가압하며, 그에 따라, 어떠한 임의의 문제도 발생시키지 않고도, 일련의 음압이 챔버(3)에 제공될 수 있다.
기판(200)까지의 마스크(100)의 거리 및 마스크의 평면 배열을 유지하기 위한 필요조건이 가능한 최대한 좁기 때문에, 특히, 수 제곱 미터의 마스크 크기에 대해서, 마스크의 전체 표면에 걸쳐 노출 공정을 수행해도 지지 요소들에 의해 실질적으로 영향을 받지 않도록, 챔버(3) 또는 프레임(6) 내부에 추가적인 지지 요소를 배열해야 한다.
상이한 마스크들이 상이한 수의 패널을 가지고 이 패널들이 상이하게 배열되며 패널들이 각각 분리 영역(separation area) 만큼 서로로부터 분리되기 때문에, 지지 요소들을 패널들 사이의 분리 영역에 위치시키는 것이 바람직하다. 이에 따라 지지 요소는 균일하게 노출되는 마스크와 간섭되지(interfere) 않는다.
지지 요소를 상이한 수의 패널을 가지며 패널들이 상이하게 위치된 상이한 마스크들과 꼭 맞게 배열하기 위하여, 지지 요소를 프레임(6)에 배열하고 고정한다.
도 4에 도시된 것과 같이, 프레임(6)은 예를 들어 주변 방향으로 배열된 홈(60)을 가지는데, 상기 홈(60) 안으로 전방 단부(front end)들과 함께 로드(rod) 형태의 지지 요소(70)들이 삽입될 수 있으며 그에 상응하는 고정 요소(61)들로 고정될 수 있다.
연동(interlocking) 지지 요소(70)들을 이용함으로써, 예를 들어, 도 5에 도시된 것과 같이, 상이한 형상의 지지부를 구현할 수 있다. 상이한 프레임(6)을 상이하게 배열된 지지 요소들로 적층(stock)하고 각각의 마스크(100)에 상이한 형상의 지지부를 제공하고 필요시에 이들을 교체하는 것도 가능하다.
지지 요소(70)들은, 지지 요소들이 수평 방향으로 장착될 때 마스크는 지지 요소(70)들의 한 에지에서 지지되도록, 둥글거나 직사각형의 횡단면을 가진 로드(rod)로 구성될 수 있다.
도 6에 도시된 것과 같이, 굽힘에 대해 마스크를 지지하기 위하여, 투사 방향에 대해 수평방향 또는 횡단방향으로 배열된 지지 요소(70)들 대신에, 마스크가 다수의 지지 지점(81)들에 걸쳐 점 형태로 지지되도록, 복수의 수직으로 배열된 지지 요소(80)를 사용하는 것도 제공될 수 있다. 이를 위하여, 지지 요소(80)들은 프레임(6)에 고정되지 않고, 지지 요소(80)들의 종방향이 노출 유닛(2)들의 방사선 전파 방향을 가리키도록, 챔버(3)의 상측면 근처에 배열된 홀더(9)에 개별적으로 또는 함께 고정된다. 이를 위하여, 홀더(9)는 복수의 고정 장치(9a)를 가지며, 각각의 고정 장치는 하나 이상의 수직 지지부(80)를 고정하도록 사용된다.
각각의 고정 장치(9a)에 높이 조절 장치, 예를 들어, 마이크로미터 나사(micrometer screw)를 제공하는 것도 바람직할 수 있는데, 상기 높이 조절 장치는 공정 평면(process 평면)에서 마스크가 최대한 평면으로 배열될 수 있도록 하기 위하여 각각의 지지 지점(81)들이 마스크 평면 내에 위치하도록 조절할 수 있다. 또한, 모터로 구동되는 조절 장치를 사용하는 것도 가능한데, 이러한 모터-구동 조절 장치는 도면에는 도시되지 않았지만 단일-지점 또는 다수-지점 거리 측정 시스템에 의해 마스크의 평면도(flatness)를 자동으로 재조절할 수 있다.
지지 요소(80)들은 10mm보다는 크고 1mm보다는 작은 직경으로 챔버의 상측면 가까이에 위치된 지지부로부터 마스크 평면까지 충분한 길이를 가진다. 지지 요소(80)들을, 적어도 지지 요소의 길이 부분에서, 바람직하게는 마스크 지지 영역에서, 원뿔 형태로 구성하는 것이 바람직할 수 있다. 이 경우, 지지 요소(80)들에 의해 노출 불균형(exposure impairment)이 최소화되도록, 다수의 개별 지점에서 마스크를 지지할 수도 있다. 이에 따라, 마스크(100) 상의 단일 지점에 제공되는 과도한 압력으로 인해, 마스크(100)에 가해지는 기계적인 파손이 최소화되도록 하기 위하여, 지지 요소(80)들의 끝단(81)은 평평한 표면, 구형 표면 또는 자유-형태 표면(free-form surface)으로 구성된다. 마스크가 파손되는 위험을 추가로 줄이기 위하여 지지 지점(81)들의 표면 영역을 증가시키고 지지 지점(81)들을 마스크(100) 상의 패널의 분리 영역들에 배열하는 것이 바람직할 수 있다.
노출 유닛(2)들은, 하나 이상의 방사선 생성기, 가령, 백열 램프 또는 가스 배출 램프 또는 반도체 이미터 또는 LED 또는 레이저 또는 원하는 방출 범위에서 충분한 방사선 파워를 방출하는 이와 유사한 전자기 방사선 생성기를 포함한다. 방사선은 EUV, VUV 및/또는 UV 범위 및/또는 가시광선 및 적외선 범위 내에 있을 수 있다. 만약, 예를 들어, 노출 공정을 위해 자외선이 필요한 경우, 예를 들어, 노출 유닛(2)들은, 방사선 생성기로서, 하나 이상의 수은 램프(2b)를 가질 수 있으며, 이러한 수은 램프는 전체 효율을 증가시키기 위하여 노출 윈도(2d)로부터 멀어지는 방향을 향하는 쪽에 리플렉터(2c)를 가진다(도 2 참조). 특히, 중압 및 고압의 수은 램프가 자외선으로부터 적외선까지 광범위한 스펙트럼의 방사선을 방출하기 때문에, 예를 들어, 광학 요소들을 이용함으로써, 노출을 위해 특정 파장 범위를 선택할 필요가 있을 것이다. 이를 위하여, 예를 들어, 리플렉터(2c)는 원하는 스펙트럼 범위를 반사하는 유전체 거울(dielectric mirror)로서 구성되며, 노출 윈도(2d)는 오직 원하는 스펙트럼 범위가 사이를 관통할 수 있는 유전체 필터(dielectric filter)로서 구성된다.
노출 유닛(2)들은 챔버(3) 위에 배열되며, 방출된 방사선은 노출 윈도(2d)를 통해 챔버(3)의 내부로 유입되어 개구(3c)를 통해 하측면(3b) 상에서 마스크(100)와 충돌하고 마스크(100)를 통해 투명 영역들에서 마스크(100) 밑에 직접 챔버(3) 외부에 위치된 기판(200)과 충돌된다.

Claims (11)

  1. 전자기 방사선을 위한 방사선 생성기(2b)를 포함하는 하나 이상의 노출 유닛(2)과 마스크(100)가 제공된, 기판(200)을 노출하기 위한 장치로서, 상기 마스크(100)는 마스크(100) 내에 포함된 정보 또는 구성을 기판(200)으로 전달하기 위해 적어도 일부 영역들에서 전자기 방사선에 투명한, 기판(200) 노출 장치에 있어서,
    마스크(100)는 수용 및 고정 장치(6)에 의해 하나 이상의 노출 유닛(2)에 연결되고 음압에 의해 고정되며, 마스크(100)는 기판(200)에 평행하게 평면 배열된 지지 요소(70, 80)들에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 하나 이상의 노출 유닛(2)은 진공 챔버(3)의 한 면에 배열되고, 마스크(100)를 위한 수용 및 고정 장치(6)는 맞은편에 있는 진공 챔버(3)의 다른 면에 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 바람직하게는, 마스크(100)는 교체가능한 고정 프레임 내에 수용되는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 마스크(100)를 지지하는 지지 요소(70, 80)를 수용하고 고정시키기 위해 홀더(60, 61; 9)가 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 지지 요소(70, 80)는 고정 프레임에 다양하게 위치되고 고정될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 지지 요소(70, 80)는 동일하거나 상이한 횡단면적을 가진 로드(rod)로서 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 지지 요소(70, 80)에는 리세스들이 제공되며 리세스들에 의해 서로 연결되어 격자 구조를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 지지 요소(70, 80)는 선형 또는 점 형태의 지지부에 의해 마스크(100)를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 노출 유닛(2)은 마스크(100)에 수직으로 작용하는 로드 형태의 지지 요소(70, 80)를 고정시키기 위해 마스크(100) 방향으로 조절될 수 있는 고정 요소들을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 지지 요소(70, 80)는 사용되는 방사선에 대해 투명한 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 마스크(100)는 복수의 패널로 나뉘어지며, 지지 요소(70, 80)는 패널들 사이의 분리 영역에서 마스크(100)를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 노출 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3539915C1 (en) * 1985-11-11 1987-06-11 Klimsch & Co Cassette for exposing, in particular, printed circuit boards
JPH11142121A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Nikon Corp レチクルの歪み計測方法および歪み計測装置
TW504605B (en) * 1999-12-03 2002-10-01 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the same, the device and mask
JP4829006B2 (ja) * 2005-05-17 2011-11-30 ウシオ電機株式会社 露光装置
US7564536B2 (en) * 2005-11-08 2009-07-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008016825A (ja) * 2006-06-09 2008-01-24 Canon Inc 露光装置、除去方法及びデバイス製造方法
DE102007043958B4 (de) * 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP5200622B2 (ja) 2008-03-28 2013-06-05 ウシオ電機株式会社 光照射装置におけるマスクの取り外し方法
JP5472616B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-16 ウシオ電機株式会社 光照射装置

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