KR20180131631A - 논-섀도우 프레임 플라즈마 프로세싱 챔버 - Google Patents

논-섀도우 프레임 플라즈마 프로세싱 챔버 Download PDF

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KR20180131631A
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ceramic layer
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support assembly
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영진 최
범수 박
동수 이
윌리엄 노먼 스털링
로빈 엘. 타이너
신이치 쿠리타
수하일 안와르
수영 최
이 쿠이
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 지지 어셈블리에 관한 것이다. 기판 지지 어셈블리는 지지 플레이트 및 세라믹 층을 포함한다. 지지 플레이트는 최상부 표면을 갖는다. 최상부 표면은 대면적 기판을 지지하도록 구성된 기판 수용 영역 및 기판 수용 영역의 바깥쪽에 로케이팅된 외측 영역을 포함한다.

Description

논-섀도우 프레임 플라즈마 프로세싱 챔버
[0001] 본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 지지 어셈블리에 관한 것이다.
[0002] 평판 디스플레이(FPD; flat panel display)들은 보통, 능동 매트릭스 디스플레이들, 이를테면, 컴퓨터 및 텔레비전 모니터들, 개인 휴대 정보 단말(PDA; personal digital assistant)들, 및 휴대전화(cell phone)들뿐만 아니라 태양 전지들 등을 위해 사용된다. 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD; plasma enhanced chemical vapor deposition)은 평판 디스플레이 제조에서 기판 상에 박막을 증착하기 위해 이용될 수 있다. PECVD는 일반적으로, 진공 프로세스 챔버 내에서 전구체 가스를 플라즈마로 여기시키고, 여기된 전구체 가스로부터 기판 상에 막을 증착시킴으로써 달성된다.
[0003] 종래의 PECVD 시스템들은 프로세싱 동안에 기판을 홀딩하기 위해 섀도우 프레임을 사용한다. 섀도우 프레임은 기판의 에지 둘레의 막 두께 균일성을 저하시키는 경향이 있다. 동시에, 섀도우 프레임이 사용되지 않는다면, 지지 플레이트 상에 플라즈마 아킹(plasma arcing)이 발생할 수 있다.
[0004] 따라서, 개선된 기판 지지 어셈블리에 대한 필요성이 있다.
[0005] 본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 지지 어셈블리에 관한 것이다. 기판 지지 어셈블리는, 엑스-시튜 증착된 세라믹 층(ex-situ deposited ceramic layer)을 갖는 지지 플레이트를 포함한다. 지지 플레이트는 최상부 표면을 갖는다. 최상부 표면은 대면적 기판을 지지하도록 구성된 기판 수용 영역 및 기판 수용 영역의 바깥쪽에 로케이팅된 외측 영역을 포함한다. 세라믹 층은, 적어도 외측 영역 상에 배치된다.
[0006] 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버가 본원에서 개시된다. 프로세싱 챔버는 챔버 바디 및 기판 지지 어셈블리를 포함한다. 챔버 바디는, 챔버 바디에 프로세싱 구역을 정의하는, 최상부 벽, 측벽, 및 최하부 벽을 포함한다. 기판 지지 어셈블리는 프로세싱 구역 내에 배치된다. 기판 지지 어셈블리는, 엑스-시튜 증착된 세라믹 층을 갖는 지지 플레이트를 포함한다. 지지 플레이트는 최상부 표면을 갖는다. 최상부 표면은 대면적 기판을 지지하도록 구성된 기판 수용 영역 및 기판 수용 영역의 바깥쪽에 로케이팅된 외측 영역을 포함한다. 세라믹 층은, 적어도 외측 영역 상에 배치된다.
[0007] 다른 실시예에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 방법이 본원에서 개시된다. 방법은, 증착 챔버 내에 배치된 지지 플레이트의 최상부 표면 상에 대면적 기판을 포지셔닝하는 단계를 포함하며, 최상부 표면은 기판 수용 영역 및 기판 수용 영역의 바깥쪽의 외측 영역을 갖고, 외측 영역은 엑스-시튜 증착된 세라믹 층을 갖는다. 방법은, 기판 상에 재료 층을 증착하기 위해 플라즈마 강화 화학 기상 증착 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 일 실시예에 따른, 기판 지지 어셈블리가 내부에 배치된 프로세싱 챔버의 단면도를 예시한다.
[0010] 도 2는 일 실시예에 따른, 도 1의 기판 지지 어셈블리의 부분의 단면도를 예시한다.
[0011] 도 3은 일 실시예에 따른, 도 2의 기판 지지 어셈블리의 평면도를 예시한다.
[0012] 명확성을 위해, 도면들 사이에서 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 적용가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 부가적으로, 일 실시예의 엘리먼트들은, 본원에서 설명되는 다른 실시예들에서의 활용을 위해 유리하게 적응될 수 있다.
[0013] 도 1은 일 실시예에 따른, 세라믹 층(200)이 상부에 증착된 기판 지지 어셈블리(118)를 갖는 프로세싱 챔버(100)의 단면도를 예시한다. 프로세싱 챔버(100)는, 프로세싱 볼륨(110)을 정의하는 최하부(106) 및 측벽들(104)을 갖는 챔버 바디(102)를 포함할 수 있다. 프로세싱 볼륨(110)은 측벽들(104)을 관통해 형성된 개구(109)를 통해 액세스된다.
[0014] 프로세싱 볼륨(110) 내에 샤워헤드(108)가 배치된다. 샤워헤드(108)는 백킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 예컨대, 샤워헤드(108)는 백킹 플레이트(112)의 단부에서 서스펜션(114)에 의해 백킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 커플링 지지부들(116)은 샤워헤드(108)를 백킹 플레이트(112)에 커플링하여 처짐(sag)을 방지하는 것을 돕는 데 사용될 수 있다.
[0015] 기판 지지 어셈블리(118)는 또한, 프로세싱 볼륨(110) 내에 배치된다. 기판 지지 어셈블리(118)는 지지 플레이트(120), 세라믹 층(200), 및 지지 플레이트(120)에 커플링된 스템(122)을 포함한다. 지지 플레이트(120)는 프로세싱 동안에 기판(101)을 지지하도록 구성된다. 일 실시예에서, 지지 플레이트(120)는 금속, 이를테면, 알루미늄으로 형성될 수 있다. 지지 플레이트(120)의 부분들 또는 전부는 양극산화처리된다. 세라믹 층(200)(도 2-3에서 상세하게 논의됨)은, 프로세싱 챔버(100) 내의 설치 및 사용 전에 지지 플레이트(120) 상에 증착되는데, 다시 말해, 세라믹 층(200)은, 프로세싱 챔버(100)에 대해 엑스-시튜(ex-situ)로 증착된다. 세라믹 층(200)은 프로세싱 동안에 지지 플레이트(120)의 플라즈마 아킹을 방지하도록 구성된다. 엑스-시튜 증착된 세라믹 층(200)의 추가의 세부사항들은 도 2-3을 참조하여 아래에서 추가로 제공된다.
[0016] 도 1을 계속 참조하면, 지지 플레이트(120)는 온도 제어 엘리먼트들(124)을 포함한다. 온도 제어 엘리먼트들(124)은 기판 지지 어셈블리(118)를 원하는 온도로 유지하도록 구성된다. 온도 제어 엘리먼트들(124)은 스템(122)을 관통하여 위로 이어지고 지지 플레이트(120)의 전체-영역 전체에 걸쳐 연장된다.
[0017] 리프트 시스템(126)은 지지 플레이트(120)를 상승 및 하강시키기 위해 스템(122)에 커플링될 수 있다. 리프트 핀들(128)은, 기판(101)의 로봇식 전달(robotic transfer)을 가능하게 하기 위해, 기판(101)을 지지 플레이트(120)로부터 이격시키도록 지지 플레이트(120)를 통해 이동가능하게 배치된다. 기판 지지 어셈블리(118)는 또한, 기판 지지 어셈블리(118)의 단부에서 RF 리턴 경로를 제공하기 위해 RF 리턴 스트랩들(130)을 포함할 수 있다.
[0018] 가스 소스(132)는 백킹 플레이트(112)의 가스 배출구(134)를 통해 프로세싱 가스를 제공하기 위해 백킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 프로세싱 가스는 가스 배출구(134)로부터 샤워헤드(108)의 가스 통로들(136)을 통해 유동한다. 프로세싱 볼륨(110) 내의 압력을 제어하기 위해, 진공 펌프(111)가 챔버(100)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(108)에 RF 전력을 제공하기 위해, RF 전력 소스(138)가 백킹 플레이트(112) 및/또는 샤워헤드(108)에 커플링될 수 있다. RF 전력은, 샤워헤드(108)와 기판 지지 어셈블리(118) 사이의 가스들로부터 플라즈마가 발생될 수 있도록, 샤워헤드(108)와 기판 지지 어셈블리(118) 사이에 전기장을 생성한다.
[0019] 유도성으로 커플링된 원격 플라즈마 소스와 같은 원격 플라즈마 소스(140)가 또한, 가스 소스(132)와 백킹 플레이트(112) 사이에 커플링될 수 있다. 기판들이 프로세싱되는 사이에, 세정 가스가 원격 플라즈마 소스(140)에 제공되어서, 원격 플라즈마가 발생되고 챔버 컴포넌트들을 세정하도록 프로세싱 볼륨(110) 내로 제공될 수 있다. 세정 가스는, 프로세싱 볼륨(110) 내에 있는 동안 RF 전력 소스(138)로부터 샤워헤드(108)에 인가되는 전력에 의해 추가로 여기될 수 있다. 적합한 세정 가스들은 NF3, F2, 및 SF6를 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음).
[0020] 종래의 PECVD 시스템들은, 프로세스 가스들 또는 플라즈마가 기판의 에지 및 후면측에 도달하는 것을 방지하고, 그에 따라, 지지 플레이트의 표면의 플라즈마 아킹을 방지하고 기판의 극단부 및 후면측 상에서의 증착을 방지하기 위해, 기판의 주변부 둘레에 포지셔닝된 섀도우 프레임을 활용한다. 증착에 이용가능한 영역을 증가시키기 위해, 본원에서는 섀도우 프레임이 활용되지 않는다. 섀도우 프레임 없이, 엑스-시튜 증착된 세라믹 층(200)이, 지지 플레이트(120)의 최상부 표면의 노출된 부분을 아킹 및 플라즈마 공격으로부터 보호한다.
[0021] 도 2 및 3은, 지지 플레이트(120)의 적어도 최상부 표면의 양극산화처리된 층(230) 상에 배치된 엑스-시튜 증착된 세라믹 층(200)을 예시하는 일 실시예에 따른 기판 지지 어셈블리(118)를 예시한다. 세라믹 층(200)은 지지 플레이트(120)의 플라즈마 아킹을 방지하기 위해 절연된 표면을 제공하도록 구성된다. 지지 플레이트(120)는 일반적으로 최상부 표면(202)을 포함한다. 최상부 표면(202)은 기판 수용 표면(244) 및 외측 영역(206)을 포함한다. 기판 수용 표면(244)은 기판(101)을 수용하도록 구성된다. 외측 영역(206)은 기판 수용 표면(244)의 외부에 있다. 일반적으로, 외측 영역(206)에는 기판(101)이 없다.
[0022] 세라믹 층(200)은 최상부 표면 상에 선택적으로 증착되는 제1 부분(240) 및 지지 플레이트(120)의 측부 상에 증착되는 제2 부분(203)을 포함한다. 세라믹 층(200)은, 적어도 외측 영역(206) 상에 그리고 부분적으로는 기판 수용 표면(244) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 세라믹 층(200)에 의해 커버되는 최상부 표면(202)의 표면적은 외측 영역(206)의 표면적보다 더 크다. 세라믹 층(200)이 기판 수용 표면(244) 상에 부분적으로 증착될 때, 세라믹 층(200)은 기판(101) 아래로 부분적으로 연장되어 중첩 영역(250)을 생성한다. 일 실시예에서, 세라믹 층(200)은 기판 수용 표면(244) 상으로 적어도 5 mm 연장될 수 있다. 다른 실시예에서, 세라믹 층(200)은 최상부 표면(202)의 전체 표면으로 연장될 수 있다.
[0023] 일반적으로, 기판 수용 표면(244)은 치수들(
Figure pct00001
)을 가질 수 있으며, 여기서
Figure pct00002
은
Figure pct00003
와 동일하거나 또는 그 미만일 수 있다. 세라믹 층(200)의 내측 에지(208)는 폭 방향으로 지지 플레이트(120)의 중심(C)으로부터 적어도 거리(
Figure pct00004
)에, 그리고 길이 방향으로 중심(C)로부터 적어도 거리(
Figure pct00005
)에 배치될 수 있다. 직사각형의 둘레를 따르는 모든 점(point)들이 직사각형의 중심까지 등거리가 아니기 때문에,
Figure pct00006
및
Figure pct00007
는 기판 수용 표면(244)의 길이의 중간점(220)에 대해 그리고 기판 수용 표면의 폭의 중간점(222)에 대해 컴퓨팅된다. 일반적으로, 기판 수용 표면(244)의 치수들은 프로세싱될 기판의 치수들이다.
[0024] 예컨대,
Figure pct00008
는 다음과 같이 표현될 수 있으며,
Figure pct00009
여기서,
Figure pct00010
은 기판 수용 표면(244)의 길이를 밀리미터 단위로 표현한다.
[0025] 예컨대,
Figure pct00011
는 다음과 같이 표현될 수 있으며,
Figure pct00012
여기서,
Figure pct00013
는 기판 수용 표면(244)의 길이를 밀리미터 단위로 표현한다.
[0026] 예컨대,
Figure pct00014
의 치수를 갖는 기판이 주어지면, 세라믹 층의 내측 에지(208)는
Figure pct00015
방향으로 다음과 같이 배치된다.
Figure pct00016
세라믹 층의 내측 에지(208)는
Figure pct00017
방향으로 다음과 같이 배치된다.
Figure pct00018
[0027] 예컨대,
Figure pct00019
의 치수를 갖는 기판이 주어지면, 세라믹 층의 내측 에지(208)는 지지 플레이트(120)의 중심으로부터
Figure pct00020
방향으로 다음과 같이 배치된다.
Figure pct00021
세라믹 층의 내측 에지(208)는 지지 플레이트(120)의 중심으로부터
Figure pct00022
방향으로 다음과 같이 배치된다.
Figure pct00023
[0028] 예컨대,
Figure pct00024
의 치수를 갖는 기판이 주어지면, 세라믹 층의 내측 에지(208)는 지지 플레이트(120)의 중심으로부터
Figure pct00025
방향으로 다음과 같이 배치된다.
Figure pct00026
세라믹 층(200)의 내측 에지(208)는 지지 플레이트(120)의 중심으로부터
Figure pct00027
방향으로 다음과 같이 배치된다.
Figure pct00028
[0029] 일 실시예에서, 세라믹 층(200)은 아크 스프레이 증착 기법을 사용하여 엑스-시튜로 지지 플레이트(120) 상에 증착될 수 있다. 다른 실시예에서, 세라믹 층(200)은 물리 기상 증착(PVD; physical vapor deposition) 스퍼터링 기법을 사용하여 엑스-시튜로 지지 플레이트(120) 상에 증착될 수 있다.
[0030] 최상부 표면(202)은 복수의 기공들(210)로부터 형성된 대략 80 내지 230 μinches의 초기 표면 거칠기를 갖는 양극산화처리된 층(230)을 포함할 수 있다. 양극산화처리된 층(230)은, 세라믹 층(200)이 엑스-시튜로 지지 플레이트(120) 상에 증착되기 전에 비드 블라스팅될(bead blasted) 수 있다. 양극산화처리된 층(230)의 표면 거칠기는 비드 블라스팅 후에 대략 80 내지 200 μinches로 감소된다. 지지 플레이트(120)가 엑스-시튜로 코팅될 때, 세라믹 층(200)은 또한 기공들(210) 내에 증착된다. 일 실시예에서, 세라믹 층이 상부에 증착된 지지 플레이트(120)의 결과적인 표면 거칠기는 대략 2 내지 10 μm이다. 다른 실시예에서, 세라믹 층(200)은 대략 3% 내지 10%의 다공성을 갖는다. 다른 실시예에서, 세라믹 층(200)은 대략 5% 내지 20%의 균일성을 갖는다.
[0031] 세라믹 층(200)은, 세라믹 층(200)이 기판(101)의 에지에서 플라즈마 밀도를 감소시키지 않으면서 지지 플레이트(120)의 플라즈마 아킹을 방지하도록 하는 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 10 내지 15 μm의 두께를 갖는 세라믹 층(200)은, 기판(101)의 에지에서 플라즈마 밀도 감소를 야기하기에는 너무 두껍지 않으면서 지지 플레이트(120)의 플라즈마 아킹을 방지하기에는 충분하다.
[0032] 다른 실시예에서, 세라믹 층(200)은, 세라믹 층(200)이 적어도 500 V 절연파괴 전압을 갖도록 하는 두께를 갖는다. 예컨대, 세라믹 층(200)은, 세라믹 층(200)이 1000 내지 2000 V의 절연파괴 전압을 갖도록 하는 두께를 갖는다. 다른 예에서, 세라믹 층(200)은, 세라믹 층(200)이 대략 103 Hz의 주파수로 대략 3 내지 대략 10의 유전 상수를 갖도록 하는 두께를 갖는다. 다른 실시예에서, 세라믹 층(200)은 대략 104 Hz 내지 106 Hz의 주파수로 대략 5 내지 대략 40의 유전 상수를 갖는다.
[0033] 세라믹 층(200)은 절연 재료로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 세라믹 층(200)은 SiO2로 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 세라믹 층(200)은 Al2O3로 형성될 수 있다. 일반적으로, 세라믹 층(200)은, 불소 가스들을 사용하는 상승된 온도들에서의 세정 프로세스를 세라믹 층(200)이 견딜 수 있게 하는, 재료로 제조되고 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 세라믹 층(200)은 1,000 내지 2,000 psi(pounds per square inch)의 박리 강도(peel strength)를 가질 수 있다. 다른 예에서, 세라믹 층(200)은 대략 500 HV(Vickers Pyramid Number) 내지 대략 1000 HV의 경도(hardness)를 가질 수 있다.
[0034] 동작시, 증착 챔버 내에 배치된 지지 플레이트의 최상부 표면 상에 대면적 기판이 포지셔닝된다. 지지 플레이트는 기판 수용 영역 및 기판 수용 영역의 바깥쪽의 외측 영역을 갖는다. 외측 영역은 엑스-시튜 증착된 세라믹 층을 갖는다. 기판 상에 재료 층을 증착하기 위해 기판 상에서 플라즈마 강화 화학 기상 증착 프로세스가 수행된다.
[0035] 위에서 언급된 바와 같이, 세라믹 층(200)은 플라즈마 프로세싱 동안에 지지 플레이트(120)의 플라즈마 아킹을 방지한다. 세라믹 층(200)은 기판의 증착 균일성을 향상시키면서 플라즈마 아킹을 방지한다. 따라서, 세라믹 층(200)은, 섀도우 프레임을 사용하지 않으면서 프로세싱 대안을 가능하게 하며, 이에 따라 유리하게, 디바이스 제조에 이용가능한 기판의 면적을 증가시킨다.
[0036] 전술한 바가 특정 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 지지 어셈블리로서,
    최상부 표면을 갖는 지지 플레이트 ― 상기 최상부 표면은 대면적 기판을 지지하도록 구성된 기판 수용 영역 및 상기 기판 수용 영역의 바깥쪽에 로케이팅된 외측 영역을 포함함 ―; 및
    상기 지지 플레이트의 최상부 표면의 외측 영역 상에 증착되는, 엑스-시튜 증착된 세라믹 층(ex-situ deposited ceramic layer)을 포함하는,
    기판 지지 어셈블리.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은 상기 기판 수용 영역의 전체 영역 상에 증착되는,
    기판 지지 어셈블리.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은, 적어도, 상기 기판 수용 영역의 길이의 절반에서 5 mm를 뺀 것과 동일한 거리에 포지셔닝되는 내측 에지를 갖는,
    기판 지지 어셈블리.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은, 상기 세라믹 층이 500 내지 2000 V의 절연파괴 전압을 갖도록 하는 두께를 갖는,
    기판 지지 어셈블리.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은 상기 지지 플레이트의 측부를 커버하는,
    기판 지지 어셈블리.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 플레이트의 표면은 양극산화처리되고, 그리고 상기 세라믹 층은 양극산화처리된 최상부 표면의 거친 부분(roughened portion)을 커버하는,
    기판 지지 어셈블리.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은 아크-스프레이 증착되는,
    기판 지지 어셈블리.
  8. 프로세싱 챔버로서,
    챔버 바디 ― 상기 챔버 바디는, 상기 챔버 바디 내에 프로세싱 구역을 정의하는, 최상부 벽, 측벽 및 최하부 벽을 포함함 ―; 및
    상기 프로세싱 구역 내에 배치된 기판 지지 어셈블리를 포함하며,
    상기 기판 지지 어셈블리는,
    최상부 표면을 갖는 지지 플레이트 ― 상기 최상부 표면은 대면적 기판을 지지하도록 구성된 기판 수용 영역 및 상기 기판 수용 영역의 바깥쪽에 로케이팅된 외측 영역을 포함함 ―; 및
    상기 지지 플레이트의 최상부 표면의 외측 영역 상에 증착되는, 엑스-시튜 증착된 세라믹 층을 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은 상기 기판 수용 영역의 전체 영역 상에 증착되는,
    프로세싱 챔버.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은, 상기 세라믹 층이 500 내지 2000 V의 절연파괴 전압을 갖도록 하는 두께를 갖는,
    프로세싱 챔버.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은 상기 지지 플레이트의 측부를 커버하는,
    프로세싱 챔버.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은, 적어도, 상기 기판 수용 영역의 길이의 절반에서 5 mm를 뺀 것과 동일한 거리에 포지셔닝되는 내측 에지를 갖는,
    프로세싱 챔버.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 지지 플레이트의 표면은 양극산화처리되고, 그리고 상기 세라믹 층은 양극산화처리된 최상부 표면의 거친 부분을 커버하는,
    프로세싱 챔버.
  14. 제8 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은 아크-스프레이 증착되는,
    프로세싱 챔버.
  15. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    기판 수용 영역 및 상기 기판 수용 영역의 바깥쪽의 외측 영역을 갖는 지지 플레이트 상에 상기 기판을 포지셔닝하는 단계 ― 상기 외측 영역은 엑스-시튜 증착된 세라믹을 가짐 ―; 및
    상기 기판 상에 재료 층을 증착하기 위해 플라즈마 강화 화학 기상 증착 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
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