KR20180129450A - Solution process apparatus using microwave and nebulizer - Google Patents

Solution process apparatus using microwave and nebulizer Download PDF

Info

Publication number
KR20180129450A
KR20180129450A KR1020170065501A KR20170065501A KR20180129450A KR 20180129450 A KR20180129450 A KR 20180129450A KR 1020170065501 A KR1020170065501 A KR 1020170065501A KR 20170065501 A KR20170065501 A KR 20170065501A KR 20180129450 A KR20180129450 A KR 20180129450A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solution
reaction chamber
substrate
reaction
nebulizer
Prior art date
Application number
KR1020170065501A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102370369B1 (en
Inventor
류혁현
최하영
홍예진
김재연
김진천
이종민
Original Assignee
인제대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인제대학교 산학협력단 filed Critical 인제대학교 산학협력단
Priority to KR1020170065501A priority Critical patent/KR102370369B1/en
Publication of KR20180129450A publication Critical patent/KR20180129450A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102370369B1 publication Critical patent/KR102370369B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

The present invention relates to a solution process apparatus using microwaves and a nebulizer for growing a nanostructure which can be applied to various devices, the solution process apparatus comprising: a reaction chamber using microwaves as an energy source; a substrate unit located in the upper part in the reaction chamber; a ventilation unit located in the upper part in the reaction chamber, and adjacent to the substrate unit; an ultraviolet lamp unit located in the lower part in the reaction chamber; a motor unit located outside the reaction chamber, and rotating the substrate unit; and a solution supply unit located outside the reaction chamber, injecting a reaction solution through the lower part of the reaction chamber, and having a nebulizer. According to the present invention, provided is a new solution process apparatus capable of reducing waste of a solution while an energy source is present by including microwaves and a nebulizer at the same time.

Description

마이크로파 및 네블라이저를 이용한 용액 공정 장치{SOLUTION PROCESS APPARATUS USING MICROWAVE AND NEBULIZER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a solution processing apparatus using a microwave and a nebulizer,

본 발명은 다양한 소자에 적용이 가능한 나노구조체 성장을 위한 마이크로파와 네블라이저를 적용한 용액 공정 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마이크로파 챔버의 하부로부터 네블라이저에 의하여 반응 용액을 미세 입자의 형태로 분사시켜주면서 마이크로파를 에너지원을 사용하여 기판에 나노구조체를 성장시키는 나노구조체 성장용 용액 공정 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a solution processing apparatus using a microwave and a navelizer for growing a nanostructure applicable to various devices, and more particularly, to a solution processing apparatus using a micelle- The present invention relates to a solution processing apparatus for growing a nanostructure on a substrate by using a microwave as an energy source.

산화물의 박막은 디스플레이 분야, 태양전지 분야, 터치패널 분야 등 다양한 분야에서 전자 소자로 이용되는 것으로, 간단한 조성 변화로 광학적으로 투명하면서도 전기 전도성이 높은 박막의 형성이 가능하므로 그 관심이 증대되고 있다.Thin films of oxides are used as electronic devices in various fields such as display field, solar cell field, and touch panel field, and the interest is growing because they can form optically transparent and highly conductive thin films with simple compositional change.

한편, 기존 산화물 박막 제조 시에는 고가의 진공 증착 장비 및 타겟 등의 공정이 많이 이용되었으나, 최근에는 경제성 있는 공정을 위하여 용액 공정을 통한 산화물 박막 형성 방법에 대한 연구가 이루어지고 있다. 대표적인 용액 공정으로는 spin-coating, inkjek printing 등이 있으며, 용액 공정은 일반적인 진공공정에 비하여 저가의 비용으로 대면적에 균일한 박막의 형성이 유리하며, 방법이 매우 간단하고, 박막 사이의 계면의 특성을 조절하면 추가적인 전기적 특성 향상을 기대할 수 있다는 장점이 있으나, 일반적인 열처리 방식을 이용하여 우수한 전기적 특성을 얻기 위해서는 매우 높은 온도가 요구된다. 이러한 열처리 온도는 용액 공정의 제조비용을 증가시키는 문제점이 있다. 이에 마이크로파를 이용한 용액 공정이 제안되었다.On the other hand, in the production of the conventional oxide thin film, expensive vacuum deposition equipment and a target process have been widely used. Recently, a process for forming an oxide thin film through a solution process has been studied for economical process. Typical solution processes include spin-coating and inkjek printing. The solution process is advantageous in forming a uniform thin film over a large area at a low cost compared with a general vacuum process. The method is very simple, and the interface between the thin films Although controlling the characteristics improves the electrical characteristics, it requires a very high temperature in order to obtain excellent electrical characteristics by using the general heat treatment method. Such a heat treatment temperature has a problem of increasing the manufacturing cost of the solution process. A solution process using microwave was proposed.

마이크로파(Microwave)는 주파수가 낮은 전자기파의 한 종류(3 내지 300 GHz)로서, 산업용, 과학용 또는 의료용 등의 응용분야에 적용할 수 있는 재현성이 높은 강력한 에너지원이다. 일반적으로 물질을 가열하기 위해서는 열원으로부터 전도열을 이용하여 처리하였으며, 열은 시료와 용매에 전달되기 위해 먼저 시료 용기, 매질을 통하여 물질에 전달된다. 이러한 중간과정은 비효율적이며, 열 손실이 발생하고, 수시간이 소요된다. 이에 비하여, 마이크로파는 재질과 열전도도에 의존하지 않고, 직접 시료에 전달되어, 분자의 회전운동으로 인해 에너지를 전달한다.Microwave is a kind of electromagnetic wave with low frequency (3 to 300 GHz), and it is a powerful and highly reproducible energy source applicable to industrial, scientific or medical applications. Generally, to heat a substance, heat is transferred from a heat source to the substance through the sample container and the medium to be transferred to the sample and the solvent. This intermediate process is inefficient, resulting in heat loss, and takes several hours. On the other hand, microwaves are transferred directly to the sample without depending on the material and the thermal conductivity, and transfer the energy due to the rotational motion of the molecules.

이외에 네블라이저(nebulizer)를 이용한 용액 공정은 통하여 기판 상에 박막을 증착시키는데 이용된다. 일반적으로 웨이퍼나 유리 등의 기판 상에 박막 층을 형성시켜 태양전지 등의 제조에서 증착 공정을 수행한다. 이외에 태양전지를 제조하면서 다양한 증착 장비들이 사용되고 있다. In addition, a solution process using a nebulizer is used to deposit a thin film on the substrate. Generally, a thin film layer is formed on a substrate such as a wafer or glass to perform a deposition process in the manufacture of a solar cell or the like. In addition, various deposition equipments are being used while manufacturing solar cells.

종래의 네블라이저 또는 마이크로파를 이용한 용액 공정 장치는 다음과 같은 문제점이 있었다. 네블라이저 용액 공정 장치는 추가적인 에너지원이 없어 기판에 박막을 형성시킴에 있어 효율성의 문제점이 있었으며, 마이크로파 용액 공정 장치는 반응 용액의 농도가 변화하는 문제점과 공정이 진행된 후 대용량의 폐용액이 발생하는 등의 문제점이 있었다.Conventional solution processing apparatuses using a nebulizer or a microwave have the following problems. Nebulizer solution process equipment has a problem of efficiency in forming a thin film on a substrate because there is no additional energy source. Microwave solution process equipment has problems of changing concentration of reaction solution and large amount of waste solution after process And the like.

대한민국 공개특허공보 제10-2011-0007681호Korean Patent Publication No. 10-2011-0007681

본 발명의 목적은, 마이크로파와 네블라이저를 동시에 이용하는 용액 공정 장치를 제공함으로써, 기판에 박막을 형성시 효율성을 개선하고, 반응 용액의 농도가 일정하여, 기판 상에 나노구조체를 균일하게 성장시킬 수 있는 용액 공정 장치를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a solution processing apparatus using a microwave and a nebulizer simultaneously to improve the efficiency in forming a thin film on a substrate and to uniformly grow the nanostructure on the substrate with constant concentration of the reaction solution And a solution processing apparatus.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 에너지원으로 마이크로파를 이용하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내 상부에 위치하는 기판부; 상기 반응 챔버 내 상부에 위치하고, 상기 기판부에 인접하는 환기부; 상기 반응 챔버 내 하부에 위치하는 자외선 램프부; 상기 반응 챔버 외부에 위치하며 상기 기판부를 회전시키는 모터부; 및 상기 반응 챔버 외부에 위치하고 상기 반응 챔버의 하부를 통하여 반응 용액을 주입하며 네블라이저가 구비된 용액공급부를 포함하는 용액 공정 장치를 제공하는 것을 본 발명의 일 측면으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus comprising: a reaction chamber using a microwave as an energy source; A substrate part positioned in the reaction chamber; A ventilation part located in the upper part of the reaction chamber and adjacent to the substrate part; An ultraviolet lamp unit disposed in a lower portion of the reaction chamber; A motor unit located outside the reaction chamber and rotating the substrate unit; And a solution supply unit which is located outside the reaction chamber and injects the reaction solution through the lower part of the reaction chamber, and a solution supply unit provided with the Neblai.

상기 반응 챔버는 마그네트론을 구비할 수 있다.The reaction chamber may include a magnetron.

상기 환기부는 환풍기와 환풍구를 구비할 수 있다.The ventilating unit may include a ventilator and a ventilator.

상기 자외선 램프부는 무전극 자외선 램프일 수 있다.The ultraviolet lamp unit may be an electrodeless ultraviolet lamp.

상기 용액공급부는 용액주입구와 용액분출구로 더 포함할 수 있으며, 상기 용액분출구는 반응 용액이 분출되는 출구의 형태가 관형, 원추형 또는 교차형일 수 있다.The solution supply part may further include a solution injection port and a solution jet port, and the solution jet port may have a tubular shape, a conical shape, or a cross shape in the shape of the outlet through which the reaction solution is ejected.

상기와 같은 본 발명에 따르면, According to the present invention as described above,

마이크로파와 네블라이저를 동시에 구비함으로써, 에너지원이 존재하면서 용액의 낭비를 줄일 수 있는 새로운 용액 공정 장치를 제공할 수 있다.By providing the microwave and the nebulizer at the same time, it is possible to provide a new solution processing apparatus capable of reducing the waste of solution while the energy source is present.

또한, 자외선 램프를 이용하여 기판 표면의 특성을 변화시켜 표면 특성 제어를 통한 성장 효율을 높일 수 있다.In addition, the characteristics of the surface of the substrate can be changed by using an ultraviolet lamp, and the growth efficiency through the control of the surface characteristics can be enhanced.

또한, 기판부를 회전시킴으로써 반응 용액이 균일하게 기판부에 도달하여, 나노구조체를 균일하게 성장시킬 수 있는 효과가 있다.Further, by rotating the substrate portion, the reaction solution can uniformly reach the substrate portion, and the nanostructure can be uniformly grown.

도 1은 본 발명의 일 형태에 따른 용액 공정 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 형태에 따른 용액 공정 장치의 구성도이다.
도 3는 본 발명의 일 형태에 따른 용액 공정 장치에서의 용액분출구의 실시예이다.
도 4는 본 발명의 일 형태에 따른 용액 공정 장치에서의 용액공급부의 실시예이다.1 is a configuration diagram of a solution processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram of a solution processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is an embodiment of a solution jetting port in a solution processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is an embodiment of a solution supply unit in a solution processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 다양한 소자에 적용 가능한 나노구조체의 성장을 위한 마이크로파 및 네블라이저를 이용한 용액 공정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a solution processing apparatus using a microwave and a nebulizer for growing a nanostructure applicable to various devices.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 용액 공정 장치의 구성도에 관한 것으로, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 용액 공정 장치(100)는 에너지원으로 마이크로파를 이용하는 반응 챔버(110); 반응 챔버(110) 내 상부에 위치하는 기판부(120); 반응 챔버(110) 내 상부에 위치하고, 기판부(120)에 인접하는 환기부(130); 반응 챔버(110) 내 하부에 위치하는 자외선 램프부(140); 반응 챔버(110) 외부에 위치하며 기판부(120)을 회전시키는 모터부(150); 및 반응 챔버(110) 외부에 위치하며 반응 챔버(110)의 하부를 통하여 반응 용액을 증기의 상태로 주입하는 것으로 네블라이저(161)를 구비하는 용액공급부(160);를 포함한다.1 and 2 are schematic views of a solution processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 1 and 2, a solution processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a reaction A chamber 110; A substrate part 120 located in the upper part of the reaction chamber 110; A ventilation part 130 located above the reaction chamber 110 and adjacent to the substrate part 120; An ultraviolet lamp unit 140 positioned below the reaction chamber 110; A motor unit 150 positioned outside the reaction chamber 110 and rotating the substrate unit 120; And a solution supply unit 160 which is located outside the reaction chamber 110 and includes a nibilizer 161 by injecting the reaction solution in a vapor state through the lower part of the reaction chamber 110.

용액 공정 장치(100)는 에너지원으로서 마이크로파를 이용하여 기판부(120)에서 나노구조체를 성장시키며, 네블라이저(161)를 이용하여 반응 용액을 미세화한 증기의 상태로 반응 챔버(110) 내에 분사시켜 공급하고, 환기부(130), 자외선 램프부(140) 및 모터부(150)를 통해 나노구조체의 균일한 성장, 기판부(120) 표면 처리 등을 할 수 있도록 설계변경이 가능하다. The solution processing apparatus 100 grows the nanostructure on the substrate unit 120 using a microwave as an energy source and injects the reaction solution 110 into the reaction chamber 110 in the form of a vaporized reaction solution by using a nebulizer 161 And it is possible to change the design so as to uniformly grow the nanostructure through the ventilation part 130, the ultraviolet lamp part 140 and the motor part 150, and to process the surface of the substrate part 120.

반응 챔버(110)는 마이크로파가 기판부(120)에 집중되지 않고 잘 분산될 수 있도록 형성되며, 네블라이저(161)를 포함하는 용액공급부(160)와의 연결부가 누설되지 않도록 한다. 반응 챔버(110)는 전력에 따른 에너지 조절이 가능하며, 반응 챔버(110)는 나노구조체 성장 시 효과적인 에너지원으로 다양한 마이크로파를 발생시키는 마그네트론을 구비할 수 있으며, 상기 마그네트론은 반응 챔버(110) 외측 측면에 형성될 수 있다.The reaction chamber 110 is formed so that the microwaves are not concentrated on the substrate part 120 but can be well dispersed so that the connection part with the solution supply part 160 including the nibilizer 161 is not leaked. The reaction chamber 110 is capable of controlling energy according to electric power and the reaction chamber 110 may include a magnetron that generates various microwaves as an energy source effective for growing a nanostructure. As shown in FIG.

기판부(120)는 기판 홀더를 통하여 반응 챔버(110)의 상부에 형성되며, 용액 공정 시 불순물로 인한 오염을 방지하기 위하여 기판부(120)의 증착면이 지면을 향하는 방향으로 형성된다.The substrate part 120 is formed on the upper part of the reaction chamber 110 through the substrate holder and the deposition surface of the substrate part 120 is formed in the direction toward the paper surface in order to prevent contamination due to impurities during the solution process.

환기부(130)는 환풍기(131)와 환풍구(132)를 구비하며, 환기부(130)는 기판부(120)에서 나노구조체의 성장 중 새로운 반응 용액이 지속적으로 기판부(120)에 도달할 수 있도록 반응 챔버(110)의 상부에 형성되며, 반응 챔버 내부(110)에서 반응 용액이 기판부(120)에 공급될 수 있도록 반응 용액이 순환할 수 있을 정도로만 가동하는 것이 바람직하다. 환풍기(131)는 팬(fan)을 구비하며, 상기 팬은 회전 속도가 조절이 가능한 것이며, 상기 팬을 이용하여 챔버 내부의 증기 상태인 반응 용액을 환풍구(132)를 통하여 반응 챔버(110)의 외부로 배출한다. 이때, 환풍기(131) 팬의 속도, 환풍구(132)의 형성 각도 등을 조절하여 증기 상태인 반응 용액의 흐름이 제어 가능하도록 하고, 기판부(120)에서 반응하지 않은 반응 용액을 적절한 속도로 배출 가능하도록 조절할 수 있다.The ventilation part 130 includes a ventilator 131 and a ventilation part 132. The ventilating part 130 is configured such that a new reaction solution continuously reaches the substrate part 120 during growth of the nanostructure in the substrate part 120 The reaction solution may be circulated so that the reaction solution can be supplied to the substrate part 120 in the reaction chamber interior 110. [ The fan 131 is provided with a fan and the rotation speed of which can be adjusted. The reaction solution in a vapor state inside the chamber is introduced into the reaction chamber 110 through the air vent 132 using the fan, And discharged to the outside. At this time, the flow of the reaction solution in the vapor state can be controlled by controlling the speed of the fan of the fan 131, the forming angle of the vent hole 132, and the like, and the unreacted reaction solution is discharged .

자외선 램프부(140)는 2 이상인 것이 바람직하며, 반응 챔버(110) 내 하부의 양단에 형성될 수 있으며, 기판부(120)의 표면 특성을 변화시켜 반응 액체가 기판부(120)에 용이하게 접근할 수 있도록 하여 증착률을 향상시킨다. 자외선 램프부(140)는 무전극 자외선 램프일 수 있으며, 상기 무전극 자외선 램프는 마이크로파의 조사 시에만 작동되어 기판부(120)의 표면특성을 변화시켜 표면 특성 제어를 통한 성장 효율을 높일 수 있으며, 동시에 용액 공정 장치(100)의 작동 순서를 간소화 시킬 수 있다.The ultraviolet lamp part 140 may be formed at both ends of the lower part of the reaction chamber 110 and may be formed by changing the surface characteristics of the substrate part 120, Thereby improving the deposition rate. The ultraviolet lamp unit 140 may be an electrodeless ultraviolet lamp, and the electrodeless ultraviolet lamp may be operated only at the time of irradiation of the microwave to change the surface characteristics of the substrate unit 120 to increase the growth efficiency by controlling the surface characteristics. , And at the same time, the operation sequence of the solution processing apparatus 100 can be simplified.

모터부(150)는 회전속도(RPM) 조절 기능을 수반하는 것으로, 용액 공정 중 기판부(120)의 기판부(120)를 회전시켜 기판부(120)에 반응 용액이 균일하게 도달하여 나노구조체 등의 균일한 성장이 가능하도록 한다. 모터부(150)는 반응 챔버(110) 외부 상면에 형성되는 것으로, 반응 챔버(110) 내의 기판 홀더를 통하여 기판부(120)와 연결되며, 기판부(120)를 일정한 RPM으로 회전시켜, 기판부(120)에서의 나노구조체를 균일하게 성장시킨다.The motor unit 150 is accompanied by a rotational speed control function to rotate the substrate unit 120 of the substrate unit 120 during the solution process so that the reaction solution uniformly reaches the substrate unit 120, And so on. The motor unit 150 is formed on the outer surface of the reaction chamber 110 and is connected to the substrate unit 120 through a substrate holder in the reaction chamber 110. The substrate unit 120 is rotated at a constant RPM, Thereby uniformly growing the nanostructure in the portion 120.

용액공급부(160)는 네블라이저(161)를 포함하는 것으로, 반응 챔버(110)의 하부와 연결되어 반응 용액이 증기 상태로 반응 챔버(110) 내부로 유입될 수 있도록 한다. 용액공급부(160)는 용액주입구(162)와 용액분출구(163)을 더 포함할 수 있으며, 네블라이저(161)는 용액주입구(162)의 일단과 연결되며, 용액주입구(162)의 타단과 용액분출구(163)의 일단과 연결되며, 용액분출구(162)의 일단은 반응 챔버(110) 외부에 위치하며, 용액분출구(163)의 타단은 반응 챔버(110) 내에 위치한다. 용액주입구(162)와 용액분출구(163)는 서로 탈부착이 가능한 조립식일 수 있으며, 용액분출구(163)는 필요에 따라 교체가 가능하다. The solution supply unit 160 includes a nibilizer 161 and is connected to a lower portion of the reaction chamber 110 to allow the reaction solution to flow into the reaction chamber 110 in a vapor state. The solution supply unit 160 may further include a solution injection port 162 and a solution injection port 163 which are connected to one end of the solution injection port 162, One end of the solution jet port 162 is located outside the reaction chamber 110 and the other end of the solution jet port 163 is positioned within the reaction chamber 110. The solution injection port 162 and the solution jet port 163 may be of a prefabricated type detachable from each other, and the solution jet port 163 may be replaced as needed.

도 3 및 도 4는 용액분출구의 실시예로서, 도 3 및 도 4를 참조하면, 용액분출구(163)는 필요에 따라 다양한 형태를 가지는 용액분출구(163)를 제작하여 적용할 수 있으며, 보다 상세하게는 반응 용액이 분출되는 출구의 형태가 관형(163a), 원추형(163b) 또는 교차형(cross-type)(163c)일 수 있다. 용액분출구(163)는 용액공급부(160)와 기판 사이의 거리를 조절할 수 있도록 설계변경할 수 있다.3 and 4 illustrate an embodiment of a solution jetting port. Referring to FIGS. 3 and 4, the solution jetting port 163 may be formed by applying a solution jetting port 163 having various shapes according to need, The shape of the outlet through which the reaction solution is ejected may be a tubular shape 163a, a conical shape 163b, or a cross-type shape 163c. The solution jetting port 163 can be designed and modified to adjust the distance between the solution supply unit 160 and the substrate.

네블라이저(161)는 용액주입구(162) 및 용액분출구(163)을 통하여 반응 챔버(110)의 하부와 연결되며, 반응 용액의 입자를 미세화하여 증기의 상태로 반응 챔버(110) 내부로 유입될 수 있도록 한다. 또한, 네블라이저(161)는 반응 용액의 분사 량을 조절할 수 있도록 하여 반응 용액의 공급 속도를 제어할 수 있으며, 상술한 다양한 출구의 형태를 가지는 용액분출구(163)를 탈부착하여 용도에 따른 공정 진행이 가능하며, 필요에 따라 다양한 형태를 가지는 용액분출구(163)의 제작 및 적용이 가능하다.The nibbler 161 is connected to the lower portion of the reaction chamber 110 through the solution injection port 162 and the solution jet port 163 and refines the particles of the reaction solution to flow into the reaction chamber 110 in a vapor state . In addition, the nibbler 161 can adjust the injection amount of the reaction solution to control the supply rate of the reaction solution. The solution jetting port 163 having the various types of outlets described above can be detached and attached, And a solution jetting port 163 having various shapes can be manufactured and applied as needed.

이상, 본 발명내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 실시양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의해 정의된다고 할 것이다.Having described specific portions of the present invention in detail, those skilled in the art will appreciate that these specific embodiments are merely preferred embodiments and that the scope of the present invention is not limited thereby. something to do. Accordingly, the actual scope of the present invention will be defined by the appended claims and their equivalents.

100 : 용액 공정 장치
110 : 반응 챔버 120 : 기판부
130 : 환기부 140 : 자외선 램프부
150 : 모터부 160 : 용액공급부100: solution processing apparatus
110: reaction chamber 120: substrate part
130: ventilation part 140: ultraviolet lamp part
150: motor section 160: solution supply section

Claims (6)

에너지원으로 마이크로파를 이용하는 반응 챔버;
상기 반응 챔버 내 상부에 위치하는 기판부;
상기 반응 챔버 내 상부에 위치하고, 상기 기판부에 인접하는 환기부;
상기 반응 챔버 내 하부에 위치하는 자외선 램프부;
상기 반응 챔버 외부에 위치하며 상기 기판부를 회전시키는 모터부; 및
상기 반응 챔버 외부에 위치하고 상기 반응 챔버의 하부를 통하여 반응 용액을 주입하며 네블라이저가 구비된 용액공급부를 포함하는 용액 공정 장치.
A reaction chamber using microwaves as an energy source;
A substrate part positioned in the reaction chamber;
A ventilation part located in the upper part of the reaction chamber and adjacent to the substrate part;
An ultraviolet lamp unit disposed in a lower portion of the reaction chamber;
A motor unit located outside the reaction chamber and rotating the substrate unit; And
And a solution supply unit located outside the reaction chamber and injecting a reaction solution through a lower portion of the reaction chamber, the solution supply unit comprising a Neblai.
제 1 항에 있어서,
상기 반응 챔버는 마그네트론을 구비하는 것을 특징으로 하는 용액 공정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the reaction chamber comprises a magnetron.
제 1 항에 있어서,
상기 환기부는 환풍기와 환풍구를 구비하는 것을 특징으로 하는 용액 공정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the ventilation part includes a ventilator and a vent.
제 1 항에 있어서,
상기 자외선 램프부는 무전극 자외선 램프인 것을 특징으로 하는 용액 공정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the ultraviolet lamp unit is an electrodeless ultraviolet lamp.
제 1 항에 있어서,
상기 용액공급부는 용액주입구와 용액분출구로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the solution supply unit further comprises a solution injection port and a solution jet port.
제 5 항에 있어서,
상기 용액분출구는 반응 용액이 분출되는 출구의 형태가 관형, 원추형 또는 교차형인 것을 특징으로 하는 용액 공정 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the solution jetting port has a tubular shape, a conical shape, or an intersecting shape at an outlet through which the reaction solution is ejected.
KR1020170065501A 2017-05-26 2017-05-26 Solution process apparatus using microwave and nebulizer KR102370369B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170065501A KR102370369B1 (en) 2017-05-26 2017-05-26 Solution process apparatus using microwave and nebulizer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170065501A KR102370369B1 (en) 2017-05-26 2017-05-26 Solution process apparatus using microwave and nebulizer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180129450A true KR20180129450A (en) 2018-12-05
KR102370369B1 KR102370369B1 (en) 2022-03-04

Family

ID=64743669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170065501A KR102370369B1 (en) 2017-05-26 2017-05-26 Solution process apparatus using microwave and nebulizer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102370369B1 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040035721A (en) * 2001-08-06 2004-04-29 세미툴 인코포레이티드 Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
JP2004160388A (en) * 2002-11-14 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production method and equipment for thin film
KR100436297B1 (en) * 2000-03-14 2004-06-18 주성엔지니어링(주) Plasma spray apparatus for use in semiconductor device fabrication and method of fabricating semiconductor devices using the same
KR20100116400A (en) * 2009-04-22 2010-11-01 한국세라믹기술원 Method and apparatus depositing trans-phase aerosol
KR20110007681A (en) 2009-07-17 2011-01-25 연세대학교 산학협력단 Thin film fabrication by solution process
KR20120106236A (en) * 2011-03-18 2012-09-26 인하대학교 산학협력단 Device of aerosol-jet deposition and fabrication method of absorber layer thereby
KR20150136740A (en) * 2014-05-28 2015-12-08 인제대학교 산학협력단 Manufacturing device for thin film

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436297B1 (en) * 2000-03-14 2004-06-18 주성엔지니어링(주) Plasma spray apparatus for use in semiconductor device fabrication and method of fabricating semiconductor devices using the same
KR20040035721A (en) * 2001-08-06 2004-04-29 세미툴 인코포레이티드 Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
JP2004160388A (en) * 2002-11-14 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production method and equipment for thin film
KR20100116400A (en) * 2009-04-22 2010-11-01 한국세라믹기술원 Method and apparatus depositing trans-phase aerosol
KR20110007681A (en) 2009-07-17 2011-01-25 연세대학교 산학협력단 Thin film fabrication by solution process
KR20120106236A (en) * 2011-03-18 2012-09-26 인하대학교 산학협력단 Device of aerosol-jet deposition and fabrication method of absorber layer thereby
KR20150136740A (en) * 2014-05-28 2015-12-08 인제대학교 산학협력단 Manufacturing device for thin film

Also Published As

Publication number Publication date
KR102370369B1 (en) 2022-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2006290162B2 (en) Film forming apparatus and method of film formation
KR100532657B1 (en) Apparatus for controlling deposition zone of homogeneously mixed layer in multi source co-deposition
CN1300875A (en) Plasma treating apparatus
CN101982563A (en) Plasma treatment device
CN104937678B (en) Production method for transparent electrical conductivity film
US5013416A (en) Process for manufacturing transparent, conductive film
CN105714256A (en) Method for low-temperature preparation of DLC film through magnetron sputtering
CN106929806A (en) High-barrier nano inorganic non-metallic film, its preparation method and vacuum winding filming equipment
CN103993269A (en) Coating device and coating method
KR20180129450A (en) Solution process apparatus using microwave and nebulizer
WO2005111259A1 (en) Organic material evaporation source and organic vapor deposition device
CN115821210A (en) Powder coating device and using method thereof
CN104995330B (en) Film build method and film formation device
CN107815659A (en) A kind of optical fiber cylindrical side uniform coated devices and methods therefor
CN201228282Y (en) Composite material surface modification apparatus assisted by pulse high energy density plasma
CN204097560U (en) Optical grade class diamond film intermittent type cylinder film coating apparatus
CN218946351U (en) Powder preparation device
KR102033514B1 (en) Thin film deposition apparatus including nebulizer and method of depositing thin film using the same
CN108004510B (en) Crucible and evaporation equipment
WO2020170577A1 (en) Sputtering film forming apparatus, sputtering film forming method therefor, and compound thin film
KR20030066557A (en) Continuous surface-treating apparatus for three-dimensional shape of polymer and continuous surface-treating method thereof
CN208151477U (en) A kind of PECVD device of controllable air-flow uniform and stable
TWI623052B (en) Fluid uniform device
JPH09148308A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
KR20200105015A (en) Apparatus for a oxide powder

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant