KR20180125608A - 영구 자석 입자 빔 장치 및 조정성을 위한 비자성 금속 부분을 통합하는 방법 - Google Patents

영구 자석 입자 빔 장치 및 조정성을 위한 비자성 금속 부분을 통합하는 방법 Download PDF

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Abstract

영구 자석 입자 빔 장치 및 조정성을 위한 비자성 부분을 통합하는 방법이 제공된다. 영구 자석 입자 빔 장치는 대전 입자 빔을 방출하는 입자 빔 이미터를 포함하고, 대전 입자 빔의 집광을 제어하기 위한 자기장을 형성하는 영구 자석의 세트를 포함한다. 영구 자석 입자 빔 장치는 자기장을 통해 이동하는 대전 입자 빔의 운동 에너지를 제어하기 위해 영구 자석의 세트와 함께 위치된 비자성 도전체 콤포넌트를 더 포함한다.

Description

영구 자석 입자 빔 장치 및 조정성을 위한 비자성 금속 부분을 통합하는 방법
본 출원은 여기에 전체가 참조로 포함된 미국 가출원 62/321,077(출원일 : 2016년 4월 11일)의 이익을 주장한다.
본 발명은 대전 입자 빔 디바이스에 관한 것이고 특히 영구 자석을 포함하는 입자 빔 디바이스에 관한 것이다.
입자 빔 디바이스는 다수의 목적을 위해 입자 빔을 방출하는 전기 디바이스의 클래스(class)이다. 전자 빔의 경우에, 입자 빔 디바이스는 전자 건/이미터(electron gun/emitter)일 수 있다. 기존 전자 건의 단점들이 후술되지만, 이 단점들은 다른 타입의 특정 빔 디바이스(예컨대, 양의 또는 음의 대전 이온 빔)에 동일하게 적용된다는 것에 주목해야 한다.
전자 건의 경우에, 이들 디바이스는 통상적으로 제어된 전자 빔을 생성하도록, 즉 전자 빔을 가속 및/또는 포커싱(집광)함으로써 동작한다. 일부 기본 구현예에서, 전자 건은 전자 빔을 제어하기 위한 영구 자석으로 구성된다. 자석은 전자 건을 제어하는 자기장을 형성하기(shape) 위해 전자 건 하우징 내에 영구적으로 위치한다.
저자의 지식에 따르면 모든 전자 건은 이미터 영역의 전기장을 제어하는 전용 추출기 전극을 갖는다. 도 1은 종래 기술에 따른 방출 전류를 제어하기 위한 추출기를 갖는 영구 자석 전자 건의 구성의 일례를 도시한다. 도시된 바와 같이, 도 2는 전자 이미터(102) 근방에 위치된 추출기(107A, 107B)를 포함한다. 추출기(107A, 107B)는 개구에서 전자 이미터(102)에 의해 방출된 전자 빔(106)을 가속시키고 영구 자석(104A, 104B)을 향해 더 작은 개구를 통해 전자 빔(106)을 지향시킨다. 이 영구 자석 엘리먼트(104A, 104B)은 전자 빔(106)을 집광하는 자기 렌즈를 제공한다. 이러한 타입의 영구 자석 전자 건의 더 상세한 설명은, 발명의 명칭이 ""이고 2012년 5월 10일에 출원된 Nasser-Ghodsi 등의 미국 특허 8,513,619에 개시되어 있다. 가장 이상적으로는 추출기가 영구 자석 렌즈로 인한 집광에 영향을 미치지 않고 방출을 제어한다. 종래 기술(예컨대, Nasser-Ghodsi 등의 미국 특허 8,513,619)의 실제 구현예에서, 추출기는 전자 건의 방출 및 집광 모두에 영향을 주어서 동작을 어렵게 만든다. 또한, 여기에 도시된 추출기는 제조가 어려울 수 있는 깊은 웰(deep well)을 갖고, 이미터 위치에서 트랩된 볼륨(trapped volume) 및 열악한 국부적 진공을 제공한다.
영구 자석 전자 건에서 집광 제어의 단점을 해결하는 데 도움이 되는 한 가지 해결책은 영구 자석 대신 자기 코일을 배치하는(deploy) 것이다. 코일은 조정 가능한 자기장을 가능하게 하지만, 불행하게도 자기장을 생성하기 위해 전력을 필요로 한다. 코일과 전원 접속을 고려하기 위해, 전자 건 하우징은 위에 설명된 것과 같은 영구 자석 대응물(counterpart)보다 크게 될 필요가 있다.
따라서, 종래 기술의 영구 자석 기반 대전 입자 건 디바이스와 관련된 이들 및/또는 다른 문제점을 해결할 필요가 있다.
영구 자석 입자 빔 장치 및 조정성을 위한 비자성 부분을 통합하는 방법이 제공된다. 영구 자석 입자 빔 장치는 대전 입자 빔을 방출하는 입자 빔 이미터를 포함하고, 대전 입자 빔의 집광을 제어하기 위한 자기장을 형성하는 영구 자석의 세트를 포함한다. 영구 자석 입자 빔 장치는 자기장을 통해 이동하는 대전 입자 빔의 운동 에너지를 제어하기 위해 영구 자석의 세트와 함께 위치된 비자성 도전체 콤포넌트를 더 포함한다.
도 1은 종래 기술에 따른 방출 전류를 제어하기 위한 추출기를 갖는 영구 자석 전자 건의 구성의 일례를 도시한다.
도 2는 실시형태에 따른 조정성을 위한 부착형 비자성 금속 부분을 가진 영구 자석 입자 빔 장치를 도시한다.
도 3은 실시형태에 따른 조정성을 위한 비부착형 비자성 금속 부분을 가진 영구 자석 입자 빔 장치를 도시한다.
도 4는 도 1의 종래 기술 구현예에 관하여 도 2 및 도 3의 구성의 효과의 예시를 도시한다.
도 5는 실시형태에 따른 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔의 제어를 도시한다.
도 2는 실시형태에 따른 조정성을 위한 부착형 비자성 금속 부분을 가진 영구 자석 입자 빔 장치를 도시한다. 특히, 도 2는 다른 3차원 영구 자석 입자 빔 장치의 단면도이다.
영구 자석 입자 빔 장치의 특정 콤포넌트가 도시되어 있지만, 영구 자석 입자 장치는 또한 도시되지 않은 부가적인 콤포넌트를 선택적으로 포함할 수 있음을 알아야 한다. 단지 예시로서, 영구 자석 입자 빔 장치는 통상적으로 도 2에 도시되지는 않지만 당업계에 공지된 하우징 및 전기 커넥터를 포함할 수 있다. 선택적인 다른 추가 콤포넌트가 후술된다. 따라서, 도 2는 영구 자석 입자 빔 장치의 내부의 전부 또는 일부를 도시하는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 영구 자석 입자 빔 장치에 대한 설명이 전체적으로 이루어진다. 이것은 입자 빔을 방출하고 입자 빔을 제어하는 데 사용되는 영구 자석 세트를 포함하도록 구성된 전기 디바이스를 의미한다. 그러나, 여기에 개시된 본 실시형태는 또한 도 1에 도시된 것과 같은 유사한 종래 기술 디바이스에 대한 개선된, 조정성을 위한 비자성 도전체(예를 들어, 금속) 부분을 포함한다. 영구 자석 입자 빔 장치는 예컨대 e-빔 리소그래피에 대한 마이크로 포커싱 엘리먼트를 포함하는 다수의 애플리케이션에 대하여 사용될 수 있다.
도 2의 본 실시형태에 도시된 바와 같이, 영구 자석 입자 빔 장치는 입자 빔(208)을 방출하는 입자 이미터(202)를 포함한다. 입자 빔(208)은 전자 또는 다른 대전 입자가 될 수 있는 입자들의 스트림(stream)으로 구성된다. 영구 자석 입자 빔 장치는 또한, 입자 빔(208)의 집광을 제어하기 위한 자기장을 형성하는 영구 자석의 세트(204A, 204B) 및 추출기(203A, 203B)를 포함한다.
또한, 영구 자석 입자 빔 장치는 자기장을 통해 이동하는 입자 빔(208)의 운동 에너지를 제어하기 위해 영구 자석(204A, 204B)의 세트와 함께 위치된 비자성 금속(또는 다른 비자성 도전체/반도체 물질) 콤포넌트(206A, 206B)(즉, 전극)을 포함한다. 이 엘리먼트(206A, 206B)는 자기장 분포에 영향을 미치지 않고 자기 렌즈의 영역 내에서 입자 빔(208)의 운동 에너지를 제어한다. 단면도에서 2개의 부분(206A, 206B)으로 도시되었지만, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)는, 일 실시형태에서, 입자 빔(208)이 이동하는 채널을 가진 단일 콤포넌트가 될 수 있다는 것에 주목해야 한다. 예컨대, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)는, 비자성 금속 물질의 링 또는 다른 실린더형 콤포넌트가 될 수 있다.
비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)는 영구 자석(204A, 204B)에 연결(부착)되거나 근방에 있는 것에 의해 영구 자석(204A, 204B)의 세트와 함께 위치될 수 있다. 도시된 실시형태에서, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)는 영구 자석(204A, 204B)에 연결된다. 특히, 비자성 금속 콤포넌트9206A, 206B)는 영구 자석(204A, 204B)의 전방 측(즉, 입자 빔(208)이 들어가는 개구를 가진 측)에 연결될 수 있다. 그러나, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)가 영구 자석(204A, 204B)의 세트로부터 분리되는 다른 실시형태가 고려되며, 이것은 도 3과 관련하여 이하에서 상세히 설명된다.
이를 위해, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)는 자기장이 가장 강한 위치 또는 그 근처에 위치될 수 있다. 그러나, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)가 비자성 금속 물질이기 때문에, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)는 입자 빔(208)의 정전 전위를 제어할 수 있고, 이에 따라 영구 자석(204A, 204B)의 세트에 의해 형성된 자기장을 간섭하지 않고(변경 또는 열화시키지 않고) 자기장을 통해 이동하는 입자 빔(208)의 운동 에너지를 제어할 수 있다. 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)의 형상은 자기 렌즈 영역 내 또는 근방에서의 입자 빔(208)의 운동 에너지가 제어되는 정도(extent)에 영향을 줄 수 있다는 것에 주목해야 한다. 따라서, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)는 원하는 정도로 입자 빔(208)의 속도(velocity)에 영향을 주는 형상으로 제조될 수 있고, 이에 따라 영구 자석 입자 빔 장치를 위한 조정성을 제공한다.
(빔 애퍼쳐링(beam aperturing)의 부가 목적을 갖는 비자성 콤포넌트(206A, 206B)의 특정 실시예로서) 도시된 바와 같이, 이미터(202)로부터 입자 빔(208)을 입력으로서 수신하는 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)의 제1 개구는 입자 빔(208)이 출력되는 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)의 제2 개구보다 클 수 있다. 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)의 이러한 구성은, 지바성 금속 콤포넌트(206A, 206B)를 통해 입자 빔(208)이 포커싱되게 한다. 물론, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)의 이러한 개구 구성은, 선택 사항이거나, 출력에서 입자 빔(208)의 원하는 속도 및 빔 전류를 제공하는 각각의 개구 사이즈로 구성될 수 있다.
도 3은 실시형태에 따른 조정성을 위한 비부착형 비자성 금속 부분을 가진 영구 자석 입자 빔 장치를 도시한다. 영구 자석 입자 빔 장치는 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B)가 도 2에 도시된 바와 같이 영구 자석(204A, 204B)에 전기적으로 접속되는 것을 제외하고는 도 2와 관련하여 전술한 바와 같고, 도 3은 비자성 금속 컴포넌트(207A, 207B)가 영구 자석(204A, 204B)의 세트로부터 전기적으로 분리되는 실시형태를 도시한다.
도 2 및 도 3에 대해 전술한 각 실시형태에서, 소형 디바이스(miniature-scale device)들 및 높은 진공과 호환 가능한 아키텍쳐(architecture)가 개시되어 있다. 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)의 통합은 영구 자석(204A, 204B) 상의 감소된 운동 에너지 변화와 함께 빔 집광 조정성을 최대화하는 자기장의 근처 또는 피크(peak)에서의 정전 전위의 제어를 제공한다.
도 2 및 도 3에 도시된 실시형태에서, 영구 자석 입자 빔 장치는 별도의 추출기를 포함하지 않을 수 있다. 이것은, 영구 자석(204A, 204B)에서의 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)가 전술한 바와 같이 추출기 및 빔 제한 애퍼쳐(aperture) 모두를 제공할 수 있기 때문에 가능하지만, 그 기능은 선택적이고 용도에 따라 다르다. 또한, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)(즉, 추출기를 사용할 때와 같이 이미터 (202)가 아닌 자석에서)에 의해 제공될 때 빔 제한 애퍼쳐의 새로운 위치는 이미터(202)로부터 더 멀리 떨어져 있고, 이전의 위치가 입자 이미터에 더 가깝게 비교될 때 약간 더 큰 직경일 수 있고 한 세트의 여유 공차(relaxed tolerance)를 가질 수 있다. 이것은 제조 가능성에 이점을 제공할 수 있다. 물론, 이미 상술한 바와 같이, 이 빔 제한 애퍼쳐는 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)에 대해 선택적이다.
그러나, 선택으로서, 도 2 및 도 3에 대해 위에서 설명한 영구 자석 입자 빔 장치는 또한 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)와 완전히 분리된 추출기(미도시)를 포함할 수 있어서, 영구 자석 입자 빔 장치는 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)와 영구 자석(204A, 204B)의 조합에 의해 제공되는 전극 진공으로부터 추출기에 의해 제공되는 팁 추출기 진공 영역을 분리하도록 설계된다. 이 경우, 추출기는 도 1에 개시된 종래 기술의 경우에서와 같이, 트랩된 볼륨(trapped volume)을 나타내는 긴 반 폐쇄 보어(long semi-closed bore)를 필요로 하지 않는다. 지금 추출기가 완전히 분리된 전극이고 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B) 상에 빔 제한 애퍼쳐가 존재할 수 있기 때문에, 추출기가 포함된 도 2 및 도 3의 아키텍쳐는 진공 아키텍쳐에서의 더 많은 유연성(flexibility) 및 전체 영구 자석 입자 빔 장치 영역에 대한 전도도(conductance)를 제공할 수 있다.
영구 자석 입자 빔 장치가 추출기를 포함하는 경우, 추출 필드(extraction field)의 변화와 집광 사이의 크로스 토크(cross-talk)의 감소가 제공될 수 있다. 예컨대, 추출기 상의 운동 에너지의 변화는 종래 기술의 영구 자석 입자 빔 장치 아키텍쳐에서 관찰되는 것보다 집광에 약한 영향을 미친다. 이것은, 도 2 및 도 3에서 설명한 아키텍쳐에서 추출기는 자기 렌즈 필드의 피크 영역에 위치되지 않기 때문이다.
또한, 집광의 개별 제어는 정전 전압으로 제공될 수 있다. 과거에는 하류에 별도의 정전 집광 렌즈를 추가해야 했다. 개별 영구 자석 렌즈 전압 제어 및 비자성 금속 콤포넌트는 그 기능을 제공하며 필요한 조정 전압 범위가 훨씬 낮다.
도 2 및 도 3에 대하여 위에서 설명한 영구 자석 입자 빔 장치는 또한 제조성을 향상시킬 수 있다. 개별 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)는 빔 제한 애퍼쳐 치수의 정밀 선택 개별 선택(precision pick individual selection)에 의해 제조, 선택, 및 위치될 수 있다. 미크론 단위의 작은 애퍼쳐 사이즈로 인해, 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)는 제조 롯트(manufacture lot)로부터 "체리 피크(cherry-picked)"되어서, 목표 허용 오차 및 시스템 대 시스템 균일성을 보다 가깝게 일치시킬 수 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 대하여 위에서 설명한 영구 자석 입자 빔 장치는 저전력 구동 전자기기를 사용할 수 있다. 비자성 금속 콤포넌트(206A, 206B 또는 207A, 207B)는 전압에 의해 제어된다. 작은 누설 전류와 커패시턴스의 합은 관련성의 유일한 임피던스이다. 따라서, 상대적으로 높은 프로그래밍 속도 이외에, 도 1과 관련하여 전술한 아키텍쳐를 갖는 전자 건의 경우와 같이, 높은 인덕턴스 코일을 구동하기 위한 큰 전류가 필요하지 않다. 도 2 및 도 3의 아키텍처는 냉각이 필요 없으며 집광의 고속 변화를 허용할 수 있다. 후자는 미래의 대전 입자 디바이스에 가치가 있을 수 있다.
도 4는 도 1의 종래 기술 구현예에 관하여 도 2 및 도 3의 구성의 효과의 예시를 도시한다. 도시된 바와 같이, 도 1의 장치는 특정 레벨의 방출을 유지하는데 필요한 추출 필드의 강한 기능인 빔 집광을 제공한다. 따라서, 그래프의 라인은 가장 가파른 경사(또는 커플링)를 나타낸다.
도 2의 장치는 도 1의 장치로부터 얻어진 경사보다 약 5배 더 더 작은 경사를 갖는다. 이것은 장치의 하류 측에 집광에 대한 보정량이 보다 적게 요구되고, 소스에서 보다 많은 조정성이 제공되며, 보다 큰 축방향 공차 버짓(axial tolerance budget)이 제공된다는 것을 의미한다.
도 3의 장치는, 그래프에 도시된 바와 같이, 방출 및 집광을 완전히 제어하여, 장치의 하류에 위치하는 추가 콘덴서 렌즈의 필요성을 제거한다.
도 5는 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법(500)을 도시한다. 방법(500)은 동작(502)에서 입자 빔 이미터에 의해 대전 입자 빔을 방출하는 단계를 포함한다. 이어서, 동작(504)에서, 대전 입자 빔의 집광을 제어하기 위한 영구 자석의 세트에 의해 형성된 자기장을 통해 대전 입자 빔이 전달된다. 또한, 동작(506)에서, 자기장을 통해 이동하는 대전 입자 빔은 영구 자석의 세트와 함께 우치된 비자성 도전체 콤포넌트를 사용하여 제어된다.
다수의 실시형태가 위에서 설명되었지만, 한정이 아닌 예시만을 위해 제시되었다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 바람직한 실시형태의 폭과 범위는 상술한 예시적인 실시형태들 중 어느 것에 의해서도 제한되어서는 안되며, 다음의 청구 범위 및 그 등가물에 따라서만 정의되어야 한다.

Claims (18)

  1. 영구 자석 입자 빔 장치에 있어서,
    입자 빔을 방출하는 대전 입자 빔 이미터(chared particle beam emitter);
    상기 대전 입자 빔의 집광을 제어하기 위한 자기장을 형성하는 영구 자석 세트; 및
    상기 자기장을 통해 이동하는 상기 대전 입자 빔의 운동 에너지를 제어하기 위해 영구 자석들의 세트와 함께 위치하는 비자성 도전체 콤포넌트
    를 포함하는, 영구 자석 입자 빔 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대전 입자 빔은 전자 빔인 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 영구 자석들의 세트에 연결되는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 영구 자석들의 세트로부터 분리되는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비자석 도전체 콤포넌트는 상기 자기장이 가장 강한 위치에 위치되는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 금속인 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 이미터로부터의 상기 대전 입자 빔을 입력으로서 수신하는 상기 비자성 도전체 콤포넌트의 제1 개구는 상기 대전 입자 빔이 출력되는 상기 비자성 도전체 콤포넌트의 제2 개구보다 큰 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트의 형상은 상기 대전 입자 빔의 운동 에너지가 제어되는 정도에 영향을 미치는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 영구 자석들의 세트에 의해 형성되는 상기 자기장과 간섭하지 않고 상기 자기장을 통해 이동하는 상기 대전 입자 빔의 운동 에너지를 제어하는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치.
  10. 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법에 있어서,
    입자 빔 이미터에 의해 대전 입자 빔을 방출하는 단계;
    상기 대전 입자 빔의 집광을 제어하기 위해 영구 자석들의 세트에 의해 형성된 자기장을 통해 상기 대전 입자 빔을 전송하는 단계; 및
    상기 영구 자석들의 세트와 함께 위치된 비자성 도전체 콤포넌트를 사용하여 상기 자기장을 통해 이동하는 상기 대전 입자 빔의 운동 에너지를 제어하는 단계
    를 포함하는, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 대전 입자 빔은 전자 빔인 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 영구 자석들의 세트에 연결되는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 영구 자석들의 세트로부터 분리되는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 자기장이 가장 강한 위치에 위치되는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 자기장이 가장 강한 위치의 근방에 위치되는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 대전 입자 빔은, 상기 비자성 도전체 콤포넌트의 제1 개구에서 입력으로서 수신되고, 상기 비자성 도전체의 제2 개구를 통해 출력되며, 상기 제1 개구는 상기 제2 개구보다 큰 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 대전 입자 빔의 운동 에너지가 제어되는 정도는 상기 비자성 도전체 콤포넌트의 형상에 기초하는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 비자성 도전체 콤포넌트는 상기 영구 자석들의 세트에 의해 형성된 상기 자기장과 간섭하지 않고 상기 자기장을 통해 이동하는 상기 대전 입자 빔의 운동 에너지를 제어하는 것인, 영구 자석 입자 빔 장치를 통해 입자 빔을 제어하는 방법.
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