KR20180123985A - Resin composition layer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 수지 조성물 층에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트; 및 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 절연층을 함유하는, 프린트 배선판 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition layer. The present invention also provides a resin sheet comprising the resin composition layer; And an insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer.
최근, 전자 기기의 소형화를 달성하기 위해, 프린트 배선판의 추가적인 박형화가 진행되고 있다. 이에 따라, 내층 기판에서의 배선 회로의 미세화가 진행되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 지지체 및 수지 조성물 층을 포함하는, 미세 배선에 대응 가능한 수지 시트(접착 필름)가 기재되어 있다.In recent years, in order to achieve miniaturization of electronic devices, further thinning of the printed wiring board is progressing. As a result, miniaturization of the wiring circuit in the innerlayer substrate is progressing. For example, Patent Document 1 describes a resin sheet (adhesive film) capable of coping with fine wiring, including a support and a resin composition layer.
본 발명자는, 전자 기기의 추가적인 소형화, 박형화를 달성하기 위해, 수지 시트의 수지 조성물 층을 얇게 하는 것을 검토했다. 검토 결과, 본 발명자는, 얇은 수지 조성물 층을 절연층에 적용한 경우에, 비아 홀의 형성 후에 할로잉(haloing) 현상이 생기는 것을 발견했다. 여기서, 할로잉 현상이란, 비아 홀 주위에서 절연층의 수지가 변색되는 현상을 말한다. 이러한 할로잉 현상은, 통상, 비아 홀 주위의 수지가 열화함으로써 생긴다. 또한 할로잉 현상이 생긴 절연층에 조화 처리를 실시하면, 할로잉 현상이 생긴 절연층의 부분(이하, 「할로잉부」라고 하는 경우가 있음)의 수지가 조화 처리 시에 침식되어, 절연층과 내층 기판과의 사이에서 층간 박리가 생기는 것을 알 수 있었다.The inventors of the present invention studied thinning of the resin composition layer of the resin sheet in order to achieve further miniaturization and thinning of electronic equipment. As a result of the study, the present inventors have found that when a thin resin composition layer is applied to an insulating layer, a haloing phenomenon occurs after the formation of the via hole. Here, the haloing phenomenon refers to a phenomenon in which the resin of the insulating layer is discolored around the via-hole. Such a haloing phenomenon is usually caused by deterioration of the resin around the via-hole. In addition, when the roughening treatment is performed on the insulating layer in which the haloing phenomenon has occurred, the resin of the portion of the insulating layer in which the haloing phenomenon has occurred (hereinafter also referred to as the "halo portion") is eroded during the roughening treatment, It was found that interlayer delamination occurred with the inner layer substrate.
또한, 본 발명자는, 얇은 수지 조성물 층을 절연층에 적용한 경우, 비아 홀 형상의 컨트롤이 곤란해지고, 양호한 형상의 비아 홀이 얻어지기 어려워지는 것을 발견했다. 여기서, 비아 홀의 형상이 「양호」하다는 것은, 비아 홀의 테이퍼율이 1에 가까운 것을 말한다. 또한, 비아 홀의 테이퍼율이란, 비아 홀의 탑 직경에 대한 보텀 직경의 비율을 말한다.Further, the present inventors have found that when a thin resin composition layer is applied to an insulating layer, it becomes difficult to control the shape of the via hole, and it becomes difficult to obtain a via hole having a good shape. Here, the shape of the via-hole is "good" means that the taper ratio of the via-hole is close to 1. The taper ratio of the via-hole refers to the ratio of the bottom diameter to the top diameter of the via-hole.
상기한 과제는, 모두 수지 조성물 층의 두께를 얇게 함으로써 비로소 발생한 것이고, 종래에는 알려져 있지 않은 신규한 과제이다. 프린트 배선판의 층간의 도통 신뢰성을 높이는 관점에서, 이러한 문제는 이의 해결이 요망된다.All of the above problems have arisen only when the thickness of the resin composition layer is made thin, which is a new problem which has not been known in the past. From the viewpoint of enhancing the conduction reliability between the layers of the printed wiring board, such a problem is desired to be solved.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 두께가 얇아도, 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 또한, 양호한 형상의 비아 홀의 형성이 가능한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물 층; 상기한 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트; 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 양호한 형상의 비아 홀의 형성이 가능한, 얇은 절연층을 포함하는 프린트 배선판; 및 상기한 프린트 배선판을 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a resin composition layer capable of suppressing a haloing phenomenon even if the thickness is thin, and capable of forming an insulating layer capable of forming a via- A resin sheet containing the above-mentioned resin composition layer; A printed wiring board including a thin insulating layer capable of suppressing a haloing phenomenon and capable of forming a via-hole of a good shape; And a semiconductor device including the above printed wiring board.
본 발명자는, 상기한 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및 (C) 100㎚ 이하의 평균 입자 직경 및 15㎡/g 이상의 비표면적 중 적어도 한쪽을 갖는 무기 충전재를 조합하여 포함하는 수지 조성물에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.(B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) 100 And an inorganic filler having at least one of an average particle diameter of 10 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 / g or more.
즉, 본 발명은 하기의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.
[1] 수지 조성물을 포함하는 두께 15㎛ 이하의 수지 조성물 층으로서,[1] A resin composition layer having a thickness of 15 탆 or less including the resin composition,
수지 조성물이, (A) 에폭시 수지, (B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및 (C) 평균 입자 직경 100㎚ 이하의 무기 충전재를 포함하는, 수지 조성물 층.Wherein the resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having an average particle diameter of 100 nm or less. Resin composition layer.
[2] 수지 조성물을 포함하는 두께 15㎛ 이하의 수지 조성물 층으로서,[2] As the resin composition layer having a thickness of 15 탆 or less including the resin composition,
수지 조성물이, (A) 에폭시 수지, (B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및 (C) 비표면적 15㎡/g 이상의 무기 충전재를 포함하는, 수지 조성물 층.Wherein the resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having a specific surface area of 15 m2 / Resin composition layer.
[3] (B) 성분이, 하기의 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물 층.[3] The resin composition layer according to [1] or [2], wherein the component (B) is represented by the following formula (1) or (2).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
(화학식 1에 있어서, R0는 각각 독립적으로, 2가의 탄화수소기를 나타내고, n1은 0 내지 6의 정수를 나타낸다)(In the general formula (1), R 0 independently represents a divalent hydrocarbon group, and n1 represents an integer of 0 to 6)
[화학식 2](2)
(화학식 2에 있어서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 탄화수소기를 나타낸다)(In the formula (2), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group)
[4] (B) 성분이, 하기의 화학식 3 또는 화학식 4로 나타내는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[4] The resin composition layer according to any one of [1] to [3], wherein component (B) is represented by the following general formula (3) or (4)
[화학식 3](3)
(화학식 3에 있어서, n2는 0 내지 6의 정수를 나타낸다)(In the general formula (3), n2 represents an integer of 0 to 6)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
(화학식 4에 있어서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 탄화수소기를 나타낸다)(In the formula (4), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group)
[5] (B) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 5질량% 내지 50질량%인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[5] The resin composition layer according to any one of [1] to [4], wherein the amount of the component (B) is 5% by mass to 50% by mass with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition.
[6] (C) 성분의 양이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 50질량% 이상인, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[6] The resin composition layer according to any one of [1] to [5], wherein the amount of the component (C) is 50% by mass or more based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.
[7] 도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용인, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[7] The resin composition layer according to any one of [1] to [6], which is for forming an insulating layer for forming a conductor layer.
[8] 프린트 배선판의 층간 절연층 형성용인, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[8] A resin composition layer according to any one of [1] to [7], which is for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board.
[9] 탑 직경 35㎛ 이하의 비아 홀을 갖는 절연층 형성용인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층.[9] The resin composition layer according to any one of [1] to [8], wherein the resin composition layer is for forming an insulating layer having a via-hole with a top diameter of 35 μm or less.
[10] 지지체와,[10]
지지체 위에 형성된 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층을 포함하는, 수지 시트.A resin sheet comprising the resin composition layer according to any one of [1] to [9] formed on a support.
[11] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판.[11] A printed wiring board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer according to any one of [1] to [9].
[12] 제1 도체층, 제2 도체층, 및 제1 도체층과 제2 도체층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 프린트 배선판으로서,[12] A printed wiring board comprising a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer,
절연층의 두께가 15㎛ 이하이고,The thickness of the insulating layer is 15 占 퐉 or less,
절연층이 탑 직경 35㎛ 이하의 비아 홀을 갖고,Wherein the insulating layer has a via hole with a top diameter of 35 mu m or less,
상기 비아 홀의 테이퍼율이 80% 이상이고,The taper ratio of the via hole is 80% or more,
상기 비아 홀의 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리가 5㎛ 이하이고,The haloing distance from the edge of the bottom of the via hole is 5 占 퐉 or less,
상기 비아 홀의 보텀 반경에 대한 할로잉비가 35% 이하인, 프린트 배선판.And the haloing ratio to the bottom radius of the via-hole is 35% or less.
[13] 상기 비아 홀의 보텀 반경에 대한 할로잉비가 5% 이상인, [12]에 기재된 프린트 배선판.[13] The printed wiring board according to [12], wherein the haloing ratio to the bottom radius of the via-hole is 5% or more.
[14] [11] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.[14] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to any one of [11] to [13].
본 발명에 의하면, 두께가 얇아도, 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 또한, 양호한 형상의 비아 홀의 형성이 가능한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물 층; 상기한 수지 조성물 층을 포함하는 수지 시트; 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 양호한 형상의 비아 홀의 형성이 가능한, 얇은 절연층을 포함하는 프린트 배선판; 및 상기한 프린트 배선판을 포함하는 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a resin composition layer capable of suppressing a haloing phenomenon even when the thickness is thin, and capable of forming an insulating layer capable of forming a via-hole of a good shape; A resin sheet containing the above-mentioned resin composition layer; A printed wiring board including a thin insulating layer capable of suppressing a haloing phenomenon and capable of forming a via-hole of a good shape; And a semiconductor device including the above printed wiring board.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜 수득한 절연층을 내층 기판과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜 수득한 절연층의, 도체층과는 반대측의 면을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜 수득한, 조화 처리 후의 절연층을, 내층 기판과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 프린트 배선판의 모식적인 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer obtained by curing a resin composition layer according to the first embodiment of the present invention together with an inner layer substrate.
Fig. 2 is a plan view schematically showing a surface of the insulating layer obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention, the surface being opposite to the conductor layer. Fig.
3 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer after roughening obtained by curing a resin composition layer according to the first embodiment of the present invention together with an inner layer substrate.
4 is a schematic cross-sectional view of a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.
이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에서 예를 드는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위 및 이의 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, embodiments and examples are shown, and the present invention will be described in detail. It should be noted, however, that the present invention is not limited to the following embodiments and examples, and can be arbitrarily changed without departing from the scope of the claims of the present invention and its equivalent scope.
이하의 설명에서, 수지 조성물의 「수지 성분」이란, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중, 무기 충전재를 제외한 성분을 말한다.In the following description, the "resin component" of the resin composition means a component other than the inorganic filler among the nonvolatile components contained in the resin composition.
[1. 수지 조성물 층 개요][One. Resin Composition Layer Outline]
본 발명의 수지 조성물 층은, 소정값 이하의 두께를 갖는 얇은 수지 조성물의 층이다. 또한, 본 발명의 수지 조성물 층이 포함하는 수지 조성물은,The resin composition layer of the present invention is a layer of a thin resin composition having a thickness of a predetermined value or less. In addition, the resin composition comprising the resin composition layer of the present invention,
(A) 에폭시 수지,(A) an epoxy resin,
(B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및(B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and
(C) 100㎚ 이하의 평균 입자 직경, 및 15㎡/g 이상의 비표면적 중 적어도 한쪽을 갖는 무기 충전재를 포함한다.(C) an inorganic filler having an average particle diameter of 100 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 / g or more.
따라서, 본 발명의 수지 조성물 층이 포함하는 수지 조성물에는, 하기의 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물 중 어느 것도 포함될 수 있다.Therefore, the resin composition contained in the resin composition layer of the present invention may include any of the following first resin composition and second resin composition.
(A) 에폭시 수지, (B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및 (C) 평균 입자 직경 100㎚ 이하의 무기 충전재를 포함하는, 제1 수지 조성물.(A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having an average particle diameter of 100 nm or less .
(A) 에폭시 수지, (B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및 (C) 비표면적 15㎡/g 이상의 무기 충전재를 포함하는, 제2 수지 조성물.(A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 / .
이러한 수지 조성물 층을 사용함으로써, 얇은 절연층을 수득할 수 있다. 그리고, 얻어진 절연층에, 할로잉 현상을 억제하면서 양호한 형상의 비아 홀을 형성할 수 있다는, 본 발명의 원하는 효과를 얻을 수 있다.By using such a resin composition layer, a thin insulating layer can be obtained. In addition, a desired effect of the present invention can be obtained in that a via-hole having a good shape can be formed on the obtained insulating layer while suppressing the haloing phenomenon.
[2. (A) 성분: 에폭시 수지][2. (A): epoxy resin]
(A) 성분으로서의 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the epoxy resin as the component (A) include epoxy resins such as a bicyclanol type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin , Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type Epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, A resin, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a naphthylene ether There may be mentioned epoxy resins, trimethyl olhyeong epoxy resin, tetraphenyl ethane epoxy resin and the like. The epoxy resin may be used alone, or two or more epoxy resins may be used in combination.
수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.The resin composition preferably contains, as the epoxy resin (A), an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. From the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to (A) 100% by mass of the nonvolatile component of the epoxy resin is preferably 50% by mass or more, More preferably not less than 60% by mass, particularly preferably not less than 70% by mass.
에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋지만, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용함으로써, 수지 조성물 층의 가요성을 향상시키거나, 수지 조성물 층의 경화물의 파단 강도를 향상시키거나 할 수 있다.The epoxy resin includes epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as " liquid epoxy resin ") which is liquid at a temperature of 20 캜, epoxy resin which is solid at a temperature of 20 캜 (hereinafter sometimes referred to as " solid epoxy resin " . The resin composition may contain only (A) the liquid epoxy resin as the epoxy resin, and may contain only the solid epoxy resin, but it is preferable to include the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin in combination. (A) By using a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as the epoxy resin, it is possible to improve the flexibility of the resin composition layer or to improve the fracture strength of the cured product of the resin composition layer.
액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 여기서, 「방향족계」의 에폭시 수지란, 이의 분자 내에 방향환을 갖는 에폭시 수지를 의미한다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable. Here, the "aromatic-based" epoxy resin means an epoxy resin having an aromatic ring in its molecule.
액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 및 사이클로헥산형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane-type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol-type epoxy resin, a glycidylamine-type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable. Bisphenol A type epoxy resins, F type epoxy resin and cyclohexane type epoxy resin are more preferable.
액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「세로키사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이 셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Specific examples of the liquid epoxy resin include " HP4032 ", " HP4032D ", " HP4032SS " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "828US", "jER828EL", "825", "Epikote 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku; &Quot; jER807 ", " 1750 " (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER152 " (phenol novolak type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; 630 ", " 630LSD " (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; ZX1059 " (a mixture of a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; EX-721 " (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation; &Quot; Verticalkide 2021P " (an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) manufactured by DICEL Corporation; &Quot; PB-3600 " (epoxy resin having a butadiene structure) manufactured by Daicel Company; ZX1658 " and " ZX1658GS " (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., and the like. These may be used singly or in combination of two or more.
고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable.
고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the solid epoxy resin include epoxy resins such as bicalcylenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, Epoxy resins such as phenylene type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin and tetraphenyl ethane type epoxy resin are preferable, and biscylenol type epoxy resin, Bisphenol AF type epoxy resin, and naphthylene ether type epoxy resin are more preferable.
고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Specific examples of the solid epoxy resin include " HP4032H " (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-4700 ", " HP-4710 " (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-690" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolak type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; HP-7200 " (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; EXA-7311-G4 "," EXA-7311-G4S ", and" HP6000 "(manufactured by DIC Corporation," HP-7200HH "," HP-7200H "," EXA-7311 " Naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; NC7000L " (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Quot; NC3000H ", " NC3000 ", " NC3000L ", and " NC3100 " (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; "ESN485" (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.; YX4000H ", " YX4000 ", and " YL6121 " manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (biphenyl type epoxy resin); &Quot; YX4000HK " (biquileneol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX8800" (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.; &Quot; YL7760 " (Bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YL7800 " (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; jER1010 " (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; And " jER1031S " (tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. These may be used singly or in combination of two or more.
(A) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 이들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:1 내지 1:20, 보다 바람직하게는 1:2 내지 1:15, 특히 바람직하게는 1:5 내지 1:13이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지와의 양비가 이러한 범위에 있음으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 또한, 통상은, 수지 시트 형태로 사용하는 경우에, 적당한 점착성이 초래된다. 또한, 통상은, 수지 시트 형태로 사용하는 경우에, 충분한 가요성이 얻어지고, 취급성이 향상된다. 또한 통상은, 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 수득할 수 있다.(A) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the ratio of these amounts (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1: 1 to 1:20, more preferably 1: 2 to 1:15, particularly preferably 1: 5 to 1:13. When the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is in this range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably. Usually, when used in the form of a resin sheet, appropriate tackiness is caused. In general, when used in the form of a resin sheet, sufficient flexibility is obtained and handling properties are improved. Usually, a cured product having sufficient breaking strength can be obtained.
(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이러한 범위가 됨으로써, 수지 조성물 층의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다. 이러한 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. With such a range, the cross-linking density of the cured product of the resin composition layer becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness may be caused. The epoxy equivalent is the mass of the resin containing one equivalent of epoxy group. Such an epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.
(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다.The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention.
수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.The weight average molecular weight of the resin can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.
수지 조성물 중의 (A) 에폭시 수지의 양은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 85질량% 이하, 특히 바람직하게는 80질량% 이하이다.The amount of the epoxy resin (A) in the resin composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and most preferably 10% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability 20 mass% or more, and more preferably 30 mass% or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, and particularly preferably 80% by mass or less, from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention.
[3. (B) 성분: 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지][3. (B): aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups]
수지 조성물은, (B) 성분으로서, 수산기를 2개 이상 갖는 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지를 포함한다. 통상, 방향환이 갖는 수산기에 의해 (B) 성분은 (A) 에폭시 수지와 반응할 수 있으므로, (B) 성분은, 수지 조성물을 경화시키기 위한 경화제로서 기능할 수 있다. 그리고, 이러한 (B) 성분의 작용에 의해, 할로잉 현상을 억제할 수 있다.The resin composition includes, as the component (B), an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring having two or more hydroxyl groups. Normally, the component (B) can react with the epoxy resin (A) by the hydroxyl group of the aromatic ring, and therefore the component (B) can function as a curing agent for curing the resin composition. The haloing phenomenon can be suppressed by the action of the component (B).
여기서, 용어 「방향환」은, 벤젠환과 같은 단환으로서의 방향환, 및 나프탈렌환과 같은 축합환으로서의 방향환 전부를 포함한다. (B) 성분에 포함되는 상기한 방향환 1개당 탄소 원자수는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 6개 이상이고, 바람직하게는 14개 이하, 보다 바람직하게는 10개 이하이다.Here, the term " aromatic ring " includes an aromatic ring as a monocyclic ring such as a benzene ring and an aromatic ring as a condensed ring such as a naphthalene ring. The number of carbon atoms per one aromatic ring contained in the component (B) is preferably 6 or more, preferably 14 or less, more preferably 10 or less, more preferably 10 or less, from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. Or less.
방향환의 예로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 탄화수소 수지 1분자에 포함되는 방향환의 종류는, 1종류라도 좋고, 2종류 이상이라도 좋다.Examples of the aromatic ring include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. The type of the aromatic ring contained in one molecule of the aromatic hydrocarbon resin may be one kind or two or more types.
(B) 성분으로서의 방향족 탄화수소 수지가 포함하는 방향환 중 적어도 하나는, 상기 방향환 1개당 2개 이상의 수산기를 갖는다. 방향환 1개당 수산기의 수는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 3개 이하가 바람직하고, 2개가 특히 바람직하다.At least one of the aromatic rings contained in the aromatic hydrocarbon resin as the component (B) has at least two hydroxyl groups per aromatic ring. The number of hydroxyl groups per aromatic ring is preferably 3 or less and particularly preferably 2 from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably.
(B) 성분의 1분자당 2개 이상의 수산기를 갖는 방향환의 수는, 통상 1개 이상이고, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 2개 이상, 보다 바람직하게는 3개 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 입체 장애를 억제하여 에폭시 수지와의 반응성을 높이는 관점에서, 바람직하게는 6개 이하, 보다 바람직하게는 5개 이하이다.The number of aromatic rings having two or more hydroxyl groups per molecule of the component (B) is usually one or more, and preferably 2 or more, and more preferably 3 Or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 6 or less, and more preferably 5 or less, from the viewpoint of suppressing steric hindrance and enhancing reactivity with the epoxy resin.
적합한 (B) 성분의 예로서는, 하기의 화학식 1로 표시되는 방향족 탄화수소 수지, 및 하기 화학식 2로 표시되는 방향족 탄화수소 수지를 들 수 있다.Examples of the suitable component (B) include an aromatic hydrocarbon resin represented by the following formula (1) and an aromatic hydrocarbon resin represented by the following formula (2).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
[화학식 2](2)
화학식 1에 있어서, R0는, 각각 독립적으로, 2가의 탄화수소기를 나타낸다. 2가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기라도 좋고, 방향족 탄화수소기라도 좋고, 지방족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 조합한 기라도 좋다. 2가의 탄화수소기의 탄소 원자수는, 통상 1 이상이고, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 3 이상, 6 이상 또는 7 이상으로 할 수 있다. 상기한 탄소 원자수의 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 20 이하, 15 이하 또는 10 이하로 할 수 있다.In the general formula (1), R 0 represents, independently of each other, a divalent hydrocarbon group. The divalent hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a combination of an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group. The number of carbon atoms of the divalent hydrocarbon group is usually 1 or more and can be preferably 3 or more, 6 or more, or 7 or more from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably. The upper limit of the number of carbon atoms is preferably 20 or less, 15 or less, or 10 or less from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention.
R0의 구체예로서는, 하기의 탄화수소기를 들 수 있다.Specific examples of R 0 include the following hydrocarbon groups.
화학식 1에 있어서, n1은 0 이상 6 이하의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, n1은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 4 이하, 보다 바람직하게는 3 이하이다.In the general formula (1), n1 represents an integer of 0 or more and 6 or less. Among them, n1 is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, preferably 4 or less, more preferably 3 or less, from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably.
화학식 1로 표시되는 방향족 탄화수소 수지를 사용하면, 할로잉 현상을 특히 효과적으로 억제할 수 있다.When the aromatic hydrocarbon resin represented by the general formula (1) is used, the haloing phenomenon can be effectively suppressed.
화학식 2에 있어서, R1 내지 R4는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 탄화수소기를 나타낸다. 1가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기라도 좋고, 방향족 탄화수소기라도 좋고, 지방족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 조합한 기라도 좋다. 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 포화 지방족 탄화수소기가 보다 바람직하고, 쇄상 포화 지방족 탄화수소기가 특히 바람직하다. 1가의 탄화수소기의 탄소 원자수는, 통상 1 이상이고, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 15 이하, 10 이하 또는 8 이하이다. R1 내지 R4의 바람직한 예로서는, 수소 원자; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기 등의 알킬기를 들 수 있다. 화학식 2로 표시되는 방향족 탄화수소 수지를 사용하면, 조화 처리 시의 침식에 의한 할로잉부의 박리를 특히 효과적으로 억제할 수 있다.In the general formula (2), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group. The monovalent hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a combination of an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group. Among them, an aliphatic hydrocarbon group is preferable, a saturated aliphatic hydrocarbon group is more preferable, and a chain saturated aliphatic hydrocarbon group is particularly preferable from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably. The number of carbon atoms of the monovalent hydrocarbon group is usually 1 or more and is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, 10 or less or 8 or less from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably. Preferable examples of R 1 to R 4 include a hydrogen atom; And alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and hexyl group. When the aromatic hydrocarbon resin represented by the general formula (2) is used, the peeling of the halo pigments due to erosion during the roughening treatment can be particularly effectively suppressed.
그 중에서도, (B) 성분으로서 특히 바람직한 방향족 탄화수소 수지로서는, 하기 화학식 3으로 표시되는 방향족 탄화수소 수지, 및 하기 화학식 4로 표시되는 방향족 탄화수소 수지를 들 수 있다. 화학식 3에 있어서, n2는 화학식 1의 n1과 동일하게 정의되는 정수를 나타내고, 바람직한 범위도 동일하다. 또한, 화학식 4에 있어서, R1 내지 R4는 화학식 2에서의 R1 내지 R4와 같다.Among them, particularly preferable aromatic hydrocarbon resins as the component (B) include an aromatic hydrocarbon resin represented by the following formula (3) and an aromatic hydrocarbon resin represented by the following formula (4). In the general formula (3), n2 represents an integer defined in the same manner as n1 in the general formula (1), and the preferable range is also the same. Also, it is the same as R 1 to R 4 in the formula (2) in the general formula 4, R 1 to R 4.
[화학식 3](3)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
화학식 3으로 표시되는 방향족 탄화수소 수지의 시판품으로서는, 예를 들어, 하기 화학식 5로 표시되는 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 나프톨계 경화제 「SN395」를 들 수 있다. 화학식 5에 있어서, n3은 2 또는 3을 나타낸다. 또한, 화학식 4로 표시되는 방향족 탄화수소 수지의 시판품으로서는, 예를 들어, 군에이 카가쿠 코교사 제조의 페놀계 경화제 「GRA13H」를 들 수 있다.As a commercial product of the aromatic hydrocarbon resin represented by the formula (3), for example, a naphthol-based curing agent "SN395" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., represented by the following formula (5) In formula (5), n3 represents 2 or 3. As a commercially available product of the aromatic hydrocarbon resin represented by the general formula (4), for example, a phenol-based curing agent "GRA13H" manufactured by Aikagaku Kogyo Co., Ltd. may be mentioned.
[화학식 5][Chemical Formula 5]
(B) 성분으로서의 방향족 탄화수소 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The aromatic hydrocarbon resin as the component (B) may be used singly or in combination of two or more kinds.
(B) 성분의 수산기 당량은, 수지 조성물 층의 경화물로서의 절연층의 가교 밀도를 높이는 관점, 및 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 50g/eq 이상, 보다 바람직하게는 60g/eq 이상, 더욱 바람직하게는 70g/eq 이상이고, 또한, 바람직하게는 200g/eq 이하, 보다 바람직하게는 150g/eq 이하, 특히 바람직하게는 120g/eq 이하이다. 수산기 당량은, 1당량의 수산기를 포함하는 수지의 질량이다.The hydroxyl group equivalent of the component (B) is preferably not less than 50 g / eq, more preferably not less than 50 g / eq, from the viewpoint of increasing the crosslinking density of the insulating layer as the cured product of the resin composition layer and obtaining the desired effect of the present invention remarkably Eq or more, more preferably 70 g / eq or more, further preferably 200 g / eq or less, more preferably 150 g / eq or less, particularly preferably 120 g / eq or less. The hydroxyl equivalent is the mass of the resin containing one equivalent of hydroxyl groups.
수지 조성물에서의 (B) 성분의 양은, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 7질량% 이상, 특히 바람직하게는 9질량% 이상이고, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 30질량% 이하 또는 20질량% 이하이다. (B) 성분의 양이 상기 범위에 있음으로써, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.The amount of the component (B) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 7% by mass or more, particularly preferably 9% by mass or more, relative to 100% by mass of the resin component in the resin composition, Is not more than 50 mass%, more preferably not more than 40 mass%, not more than 30 mass%, or not more than 20 mass%. When the amount of the component (B) is in the above range, the haloing phenomenon can be effectively suppressed.
(A) 에폭시 수지 100질량%에 대한 (B) 성분의 양은, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 8질량% 이상, 특히 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 100질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 특히 바람직하게는 30질량% 이하이다. (B) 성분의 양이 상기 범위에 있음으로써, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.(B) is preferably 5 mass% or more, more preferably 8 mass% or more, particularly preferably 10 mass% or more, and preferably 100 mass% or more, relative to 100 mass% of the epoxy resin (A) Or less, more preferably 50 mass% or less, and particularly preferably 30 mass% or less. When the amount of the component (B) is in the above range, the haloing phenomenon can be effectively suppressed.
(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우, (B) 성분의 수산기 수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이고, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1 이하, 특히 바람직하게는 0.5 이하이다. 여기서, 「(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 성분의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. 또한, 「(B) 성분의 수산기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (B) 성분의 불휘발 성분의 질량을 수산기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우의 (B) 성분의 수산기 수가 상기 범위에 있음으로서, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the number of hydroxyl groups in the component (B) is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.3 or more, More preferably 1.5 or less, further preferably 1 or less, particularly preferably 0.5 or less. Here, the "epoxy group number of the epoxy resin (A)" is a value obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the component (A) present in the resin composition by the epoxy equivalent. The "hydroxyl number of the component (B)" is a value obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the component (B) present in the resin composition by the hydroxyl equivalent. When the number of hydroxyl groups in the component (B) in the case where the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the haloing phenomenon can be effectively suppressed.
[4. (C) 성분: 100㎚ 이하의 평균 입자 직경, 및 15㎡/g 이상의 비표면적 중 적어도 한쪽을 갖는 무기 충전재][4. (C): an inorganic filler having at least one of an average particle diameter of 100 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 / g or more]
수지 조성물은, (C) 성분으로서, 무기 충전재를 포함한다. 무기 충전재에 의하면, 수지 조성물 층의 경화물의 열팽창 계수를 작게 할 수 있으므로, 리플로우 휨이 억제된 절연층을 얻을 수 있다. 또한, (C) 성분으로서의 무기 충전재는, 100㎚ 이하의 평균 입자 직경, 및 15㎡/g 이상의 비표면적 중 적어도 한쪽을 갖는다. 무기 충전재로서, 이와 같은 범위의 평균 입자 직경 및 비표면적 중 적어도 한쪽을 갖는 (C) 성분을 (B) 성분과 조합하여 사용함으로써, 양호한 형상의 비아 홀 형성이 가능한 절연층을 실현할 수 있다.The resin composition includes, as the component (C), an inorganic filler. According to the inorganic filler, since the thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition layer can be reduced, an insulating layer in which reflow warpage is suppressed can be obtained. The inorganic filler as the component (C) has at least one of an average particle diameter of 100 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 / g or more. As the inorganic filler, by using the component (C) having at least one of the average particle diameter and the specific surface area in such a range in combination with the component (B), it is possible to realize an insulating layer capable of forming a via hole having a good shape.
무기 충전재의 재료로서는, 무기 화합물을 사용한다. 무기 충전재의 재료의 예로서는, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무스, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구상 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a material of the inorganic filler, an inorganic compound is used. Examples of the material of the inorganic filler include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, Calcium carbonate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, barium titanate zirconate, zirconium titanate, zirconium titanate, zirconium oxide, zirconium oxide, Barium oxide, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly suitable. As the silica, for example, amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica and the like can be given. As the silica, spherical silica is preferable. The inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds.
(C) 성분의 평균 입자 직경은, 절연층을 얇게 하는 관점, 및 비아 홀 형상의 컨트롤을 가능하게 하여 양호한 형상을 실현하는 관점에서, 통상 100㎚ 이하, 바람직하게는 90㎚ 이하, 보다 바람직하게는 80㎚ 이하이다. 상기 평균 입자 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50㎚ 이상, 60㎚ 이상, 또는 70㎚ 이상이다. 이러한 평균 입자 직경을 갖는 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 덴키 카가쿠 코교사 제조 「UFP-30」, 「UFP-40」 등을 들 수 있다.The average particle diameter of the component (C) is usually 100 nm or less, preferably 90 nm or less, more preferably 90 nm or less, from the viewpoint of thinning the insulating layer and from the viewpoint of realizing a good shape, Is 80 nm or less. The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more, 60 nm or more, or 70 nm or more. Examples of commercially available inorganic fillers having such an average particle diameter include "UFP-30" and "UFP-40" manufactured by Denki Kagaku Koh Corporation.
무기 충전재의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 메틸에틸케톤 중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「LA-500」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle diameter distribution of the inorganic filler can be measured with a laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring apparatus, and the average particle diameter can be measured by forming the particle diameter based on volume. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring apparatus, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd., "SALD-2200" manufactured by Shimadzu Corporation can be used.
(C) 성분의 비표면적은, 비아 홀 형상의 컨트롤을 용이하게 하여 양호한 형상을 실현하는 관점에서, 통상 15㎡/g 이상, 바람직하게는 20㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 30㎡/g 이상이다. 또한, 이와 같이 비표면적이 큰 (C) 성분은, 일반적으로 입자 직경이 작으므로 절연층을 얇게 할 수 있다. 상한에 특단의 제한은 없으나, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 무기 충전재의 비표면적은, BET법에 의해 측정할 수 있다.The specific surface area of the component (C) is usually at least 15 m 2 / g, preferably at least 20 m 2 / g, particularly preferably at least 30 m 2 / g, from the viewpoint of facilitating the control of via- Or more. In addition, the component (C) having a large specific surface area as described above generally has a small particle diameter, so that the insulating layer can be made thin. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 / g or less, 50 m 2 / g or 40 m 2 / g or less. The specific surface area of the inorganic filler can be measured by the BET method.
(C) 성분으로서의 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.The inorganic filler as the component (C) is preferably treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. As the surface treatment agent, for example, a fluorine-containing silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, an alkoxysilane, an organosilazane compound, LINGER, and the like. The surface treatment agent may be used singly or in combination of two or more kinds.
표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the surface treatment agent include KBM403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM803 (3-mercaptopropyltrimethoxy Silane), KBE903 (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin- KBM103 "(phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.," KBM-4803 "manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (long-chain epoxy-type silane couples , KBM-7103 (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.
표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량부는, 0.2질량부 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.The degree of surface treatment by the surface treatment agent is preferably within a predetermined range from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. Specifically, 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with 0.2 to 5 parts by mass of the surface treating agent, preferably 0.2 to 3 parts by mass, more preferably 0.3 to 2 parts by mass It is preferable that it is surface-treated.
표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02㎎/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1㎎/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1㎎/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8㎎/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5㎎/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The degree of the surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably at least 0.02 mg / m 2, more preferably at least 0.1 mg / m 2, and most preferably at least 0.2 mg / m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the increase of the melt viscosity and the melt viscosity in the sheet form of the resin varnish, it is preferably 1 mg / m 2 or less, more preferably 0.8 mg / m 2 or less, and further preferably 0.5 mg / .
무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent, and ultrasonically cleaned at 25 占 폚 for 5 minutes. After the supernatant is removed and the solid content is dried, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.
수지 조성물에서의 (C) 성분의 양은, 절연층의 유전 정접을 낮게 하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 30질량% 이상, 보다 바람직하게는 35질량% 이상, 더욱 바람직하게는 40질량% 이상이다. 또한, 종래, 무기 충전재를 이와 같이 많이 포함하는 수지 조성물의 층이 얇은 경우, 비아 홀의 형상을 양호하게 하는 것이 곤란하고, 특히, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 무기 충전재의 양이 50질량% 이상이면, 양호한 형상의 비아 홀의 형성은 특히 곤란했다. 그래서, 이와 같이 종래에는 특히 곤란했던 양호한 형상의 비아 홀을 형성할 수 있다는 본 발명의 이점을 유효하게 활용하는 관점에서는, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 (C) 성분의 양은, 50질량% 이상이 바람직하고, 54질량% 이상이 특히 바람직하다. 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 (C) 성분의 양의 상한은, 절연층의 기계 강도를 높이는 관점에서, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 85질량% 이하, 더욱 바람직하게는 80질량% 이하, 또는 75질량% 이하이다.The amount of the component (C) in the resin composition is preferably not less than 30% by mass, more preferably not less than 35% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, from the viewpoint of lowering the dielectric tangent of the insulating layer , And more preferably 40 mass% or more. In addition, when the layer of the resin composition containing such an inorganic filler is thin, it is difficult to improve the shape of the via hole. In particular, when the amount of the inorganic filler relative to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition is 50 If it is more than% by mass, formation of a via hole having a good shape is particularly difficult. Therefore, from the viewpoint of effectively utilizing the advantage of the present invention that a via hole of a good shape which is conventionally difficult to form in the past, the amount of the component (C) relative to 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition is preferably 50 By mass or more, more preferably 54% by mass or more. The upper limit of the amount of the component (C) relative to 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition is preferably 90 mass% or less, more preferably 85 mass% or less, still more preferably 85 mass% Is 80 mass% or less, or 75 mass% or less.
[5. (D) 성분: 열가소성 수지][5. (D) Component: thermoplastic resin]
수지 조성물은, 상기한 성분 이외에 임의의 성분으로서, 추가로 (D) 열가소성 수지를 포함하고 있어도 좋다.The resin composition may further contain (D) a thermoplastic resin as an optional component in addition to the above components.
(D) 성분으로서의 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점, 및 표면 거칠기가 작은 도체층과의 밀착성이 특히 우수한 절연층을 얻는 관점에서, 페녹시 수지가 바람직하다. 또한, 열가소성 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the thermoplastic resin as the component (D) include thermoplastic resins such as phenoxy resins, polyvinyl acetal resins, polyolefin resins, polybutadiene resins, polyimide resins, polyamideimide resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, Resins, polyphenylene ether resins, polycarbonate resins, polyether ether ketone resins, and polyester resins. Among them, a phenoxy resin is preferable from the viewpoint of obtaining a desired effect of the present invention remarkably and from the viewpoint of obtaining an insulating layer particularly excellent in adhesion to a conductor layer having a small surface roughness. The thermoplastic resin may be used singly or in combination of two or more kinds.
페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등 중의 어느 관능기라도 좋다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, A phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of a skeleton, an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a trimethyl cyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group.
페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지); 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「FX280」 및 「FX293」; 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenoxy resin include " 1256 " and " 4250 " (all phenolic resin containing bisphenol A skeleton) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; YX8100 " (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX6954" (a phenoxy resin containing a bisphenol acetophenone skeleton) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; &Quot; FX280 " and " FX293 " manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku; YL7500BH30, YX6954BH30, YX7553, YX7553BH30, YL7769BH30, YL6794, YL7213, YL7290 and YL7482 manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.,
폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들어, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키 카가쿠 코교사 제조의 「덴카 부티랄 4000-2」,「덴카 부티랄 5000-A」, 「덴카 부티랄 6000-C」, 「덴카 부티랄 6000-EP」; 세키스이 카가쿠 코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들어 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들어 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.As the polyvinyl acetal resin, for example, a polyvinyl formal resin and a polyvinyl butyral resin can be mentioned, and a polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include "Denkabutilal 4000-2", "Denkabutilal 5000-A", "Denkabutilal 6000-C", "Denkabutilal 6000-EP" manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., ; (For example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Sekisui Kagaku Kogyo Co., Ltd.
폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼 리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록시기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 사염기산 무수물을 반응시켜 수득되는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호 기재의 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.Specific examples of the polyimide resin include "Rika coat SN20" and "Rika coat PN20" manufactured by Shin-Nihon Rika Co., Ltd. Specific examples of the polyimide resin include a linear polyimide (polyimide disclosed in JP-A 2006-37083) obtained by reacting a bifunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride, Modified polyimides such as polysiloxane skeleton-containing polyimide (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12667 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-319386, etc.).
폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 도요보사 제조의 「바이로맥스 HR11NN」 및 「바이로맥스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치 카세이사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.Specific examples of the polyamide-imide resin include " Viromax HR11NN " and " Viromax HR16NN " manufactured by Toyobo Co., Specific examples of the polyamide-imide resin include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamideimide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyether sulfone resin include "PES 5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2St 1200」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyphenylene ether resin include an oligophenylene ether styrene resin "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Gas Kagaku Co., Ltd. and the like.
폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.
(D) 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 8,000 이상, 보다 바람직하게는 10,000 이상, 특히 바람직하게는 20,000 이상이고, 바람직하게는 70,000 이하, 보다 바람직하게는 60,000 이하, 특히 바람직하게는 50,000 이하이다.The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin (D) is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, particularly preferably 20,000 or more, from the viewpoint of obtaining the desired effect of the present invention remarkably, Preferably 70,000 or less, more preferably 60,000 or less, particularly preferably 50,000 or less.
(D) 열가소성 수지를 사용하는 경우, 수지 조성물에서의 (D) 열가소성 수지의 양은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이고, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 12질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.When the thermoplastic resin (D) is used, the amount of the thermoplastic resin (D) in the resin composition is preferably from 0.1 mass% to 100 mass% of the resin component in the resin composition from the viewpoint of achieving the desired effect of the present invention More preferably not less than 0.5% by mass, more preferably not less than 1% by mass, preferably not more than 15% by mass, more preferably not more than 12% by mass, further preferably not more than 10% by mass.
[6. (E) 성분: 경화제][6. Component (E): Curing agent]
수지 조성물은, 상기한 성분 이외에 임의의 성분으로서, 추가로, (B) 성분 이외의 (E) 경화제를 포함하고 있어도 좋다.The resin composition may further contain (E) a curing agent other than the component (B) as an optional component in addition to the above components.
(E) 성분으로서의 경화제로서는, (A) 성분을 경화시키는 작용을 갖는 것을 사용할 수 있다. (E) 경화제로서는, 예를 들어, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 및 카르보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다. 또한, 경화제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 병용해도 좋다. 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다.As the curing agent as the component (E), those having a function of curing the component (A) can be used. Examples of the (E) curing agent include an active ester type curing agent, a phenol type curing agent, a naphthol type curing agent, a benzoxazine type curing agent, a cyanate ester type curing agent and a carbodiimide type curing agent. The curing agent may be used singly or in combination of two or more kinds. Among them, an active ester-based curing agent is preferable in view of obtaining a desired effect of the present invention remarkably.
활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 상기 활성 에스테르계 경화제는, 카르복실산 화합물 및/또는 티오카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카르복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.As the active ester type curing agent, a compound having at least one active ester group in one molecule can be used. Among them, examples of the active ester curing agent include esters having two or more ester groups having high reactivity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds Compounds are preferred. It is preferable that the active ester curing agent is obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. Particularly, from the viewpoint of improving the heat resistance, active ester curing agents obtained from carboxylic acid compounds and hydroxy compounds are preferable, and active ester curing agents obtained from carboxylic acid compounds and phenol compounds and / or naphthol compounds are more preferable .
카르복실산 화합물로서는, 예를 들어, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyromellic acid and the like.
페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalein, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, phenol novolak, and the like. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol in one dicyclopentadiene molecule.
활성 에스테르계 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노 볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specific preferred examples of the active ester-based curing agent include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated phenol novolac, And an active ester compound including a benzoylate. Of these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" refers to a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.
활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」, 「EXB-8150-65T」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미츠비시 카가쿠사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미츠비시 카가쿠사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 카가쿠사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 카가쿠사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 카가쿠사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 카가쿠사 제조) 등을 들 수 있다.EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "," HPC-8000H-65TM ", and the like are available as commercial products of the active ester- EXB-8000L-65TM ", " EXB-8150-65T " (manufactured by DIC Corporation); EXB9416-70BK " (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure; &Quot; DC808 " (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing an acetylated phenol novolak; &Quot; YLH1026 " (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.) as the active ester compound containing benzoylated phenol novolak; DC808 " (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.) as an active ester-based curing agent which is an acetylated product of phenol novolak; YLH1026 " (manufactured by Mitsubishi Kagaku), " YLH1030 " (manufactured by Mitsubishi Kagaku), and " YLH1048 " (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.) as the benzoylates of phenol novolak.
페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성의 관점에서 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion with a conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable.
페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」; 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」, 「SN375」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include "MEH-7700", "MEH-7810" and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei; NHN ", " CBN ", " GPH ", manufactured by Nippon Kayaku Co., "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V" and "SN375" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., TD-2090 "," LA-7052 "," LA-7054 "," LA-1356 "," LA-3018-50P "and" EXB-9500 "manufactured by DIC Corporation.
벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와 고분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa Kogane Co., Ltd., "P-d" and "F-a" manufactured by Shikoku Kasei Corporation.
시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'- Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1- Cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis Naphthyl phenyl) thioether, and bis (4-cyanate phenyl) ether; Polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak and cresol novolak; And a partially triarylated prepolymer of these cyanate resins. Specific examples of the cyanate ester curing agent include "PT30" and "PT60" (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (multifunctional cyanate ester resin), "BA230 , And " BA230S75 " (a prepolymer obtained by trimerizing a part or all of bisphenol A dicyanate and becoming a trimer).
카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co.,
(E) 경화제를 사용하는 경우, 수지 조성물에서의 (E) 경화제의 양은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 12질량% 이하이다.When the (E) curing agent is used, the amount of the (E) curing agent in the resin composition is preferably at least 0.1% by mass or more, more preferably at least 0.1% by mass with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition, , More preferably not less than 0.5 mass%, further preferably not less than 1 mass%, preferably not more than 20 mass%, more preferably not more than 15 mass%, further preferably not more than 12 mass%.
또한, (E) 경화제를 사용하는 경우, 수지 조성물에서의 (E) 경화제의 양은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (B) 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상, 특히 바람직하게는 60질량% 이상이고, 바람직하게는 120질량% 이하, 보다 바람직하게는 100질량% 이하, 특히 바람직하게는 90질량% 이하이다.When the (E) curing agent is used, the amount of the (E) curing agent in the resin composition is preferably 40 mass% or more, more preferably 40 mass% or less, , More preferably not less than 50 mass%, particularly preferably not less than 60 mass%, preferably not more than 120 mass%, more preferably not more than 100 mass%, particularly preferably not more than 90 mass%.
또한, (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우, (E) 성분의 활성기 수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상이고, 바람직하게는 2 이하이고, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1 이하, 특히 바람직하게는 0.5 이하이다. 여기서, 「(E) 성분의 활성기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (E) 성분의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우의 (E) 성분의 활성기 수가 상기 범위에 있음으로써, 특히 기계적 강도가 우수한 절연층을 얻을 수 있다.When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the number of active groups in the component (E) is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and preferably 2 or less, 1.5 or less, more preferably 1 or less, particularly preferably 0.5 or less. Here, the "number of active groups of the component (E)" is a value obtained by summing the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the component (E) present in the resin composition by the active group equivalent. When the number of active groups of the component (E) in the case where the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the insulating layer having particularly excellent mechanical strength can be obtained.
[7. (F) 성분: 경화 촉진제][7. (F): Curing accelerator]
수지 조성물은, 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 추가로 (F) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다.The resin composition may further contain, as optional components, (C) a curing accelerator in addition to the above components.
경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the curing accelerator include phosphorus hardening accelerator, amine hardening accelerator, imidazole hardening accelerator, guanidine hardening accelerator, metal hardening accelerator and the like. Among them, a phosphorus hardening accelerator, an amine hardening accelerator, an imidazole hardening accelerator, and a metal hardening accelerator are preferable, and an amine hardening accelerator, an imidazole hardening accelerator, and a metal hardening accelerator are more preferable. The curing accelerator may be used singly or in combination of two or more kinds.
인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus hardening accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.
아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) -Diazabicyclo (5,4,0) undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferred.
이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] -ethyl-s-triazine, 2,4- diamino-6- [ Imidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl- , 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3- Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline An imidazole compound and an adduct of an imidazole compound and an epoxy resin, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.
이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and for example, " P200-H50 " manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.,
구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1- (o-tolyl) biguanide, and the like, and dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene are preferred.
금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 동(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 동 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organometallic complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc An organic iron complex such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.
(F) 경화 촉진제를 사용하는 경우, 수지 조성물에서의 (F) 경화 촉진제의 양은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1.5질량% 이하이다.When the (F) curing accelerator is used, the amount of the (C) curing accelerator in the resin composition is preferably 0.01 mass% More preferably not less than 0.05% by mass, more preferably not less than 0.1% by mass, preferably not more than 3% by mass, more preferably not more than 2% by mass, further preferably not more than 1.5% by mass.
[8. (G) 성분: 임의의 첨가제][8. (G) component: optional additive]
수지 조성물은, 상기한 성분 이외에 임의의 성분으로서, 추가로 임의의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 충전재; 유기 동 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 난연제, 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. 이들 첨가제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further contain optional additives as optional components in addition to the above components. Such additives include, for example, organic fillers; Organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds; A flame retardant, a thickener, a defoaming agent, a leveling agent, an adhesion promoter, and a colorant. These additives may be used singly or in combination of two or more kinds.
[9. 수지 조성물 층의 두께][9. Thickness of resin composition layer]
수지 조성물 층은, 상기한 수지 조성물로 형성된 층으로서, 소정값 이하의 두께를 갖는다. 수지 조성물 층의 구체적인 두께는, 통상 15㎛ 이하, 바람직하게는 14㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 12㎛ 이하이다. 종래, 프린트 배선판의 절연층 형성용의 수지 조성물 층의 두께는, 이것보다도 두꺼운 것이 일반적이었다. 이에 대해, 본 발명자가 일반적인 조성의 수지 조성물 층을 상기와 같이 얇게 한 바, 이러한 얇은 수지 조성물 층에서는, 할로잉 현상의 발생, 및 비아 홀의 형상 제어의 곤란화라는 종래 알려져 있지 않았던 과제가 생기는 것을 발견했다. 이러한 새로운 과제를 해결하여 프린트 배선판의 박막화에 기여하는 관점에서, 본 발명의 수지 조성물 층은, 상기와 같이 얇게 형성된다. 수지 조성물 층의 두께의 하한은 임의이며, 예를 들어 1㎛ 이상, 3㎛ 이상으로 할 수 있다.The resin composition layer is a layer formed of the resin composition described above and has a thickness of a predetermined value or less. The specific thickness of the resin composition layer is usually 15 占 퐉 or less, preferably 14 占 퐉 or less, more preferably 12 占 퐉 or less. Conventionally, the thickness of the resin composition layer for forming the insulating layer of the printed wiring board is generally thicker than that. On the other hand, the present inventors found that such a thin resin composition layer as described above has a problem in that the generation of the haloing phenomenon and the difficulty in controlling the shape of the via-hole become difficult, found. From the viewpoint of solving these new problems and contributing to the thinning of the printed wiring board, the resin composition layer of the present invention is formed as described above. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is arbitrary, and may be, for example, 1 占 퐉 or more and 3 占 퐉 or more.
[10. 수지 조성물 층의 특성][10. Properties of Resin Composition Layer]
본 발명의 수지 조성물 층을 경화시킴으로써, 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 얇은 절연층을 수득할 수 있다. 이러한 절연층에는, 양호한 형상의 비아 홀을 형성할 수 있다. 또한, 이러한 절연층에 비아 홀을 형성할 때에는, 할로잉 현상을 억제할 수 있다. 이하, 이러한 효과에 대해 도면을 참조하여 설명한다.By curing the resin composition layer of the present invention, a thin insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer can be obtained. In this insulating layer, a via-hole having a good shape can be formed. Further, when a via hole is formed in such an insulating layer, the haloing phenomenon can be suppressed. Hereinafter, such effects will be described with reference to the drawings.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜 수득한 절연층(100)을, 내층 기판(200)과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다. 이러한 도 1에 있어서는, 비아 홀(110)의 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하고 또한 절연층(100)의 두께 방향으로 평행한 평면에서, 절연층(100)을 절단한 단면을 나타낸다.Fig. 1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 절연층(100)은, 도체층(210)을 포함하는 내층 기판(200) 위에 형성된 수지 조성물 층을 경화시켜 수득된 층으로서, 상기 수지 조성물 층의 경화물로 이루어진다. 또한, 절연층(100)에는 비아 홀(110)이 형성되어 있다. 비아 홀(110)은, 일반적으로 도체층(210)과는 반대측의 절연층(100)의 면(100U)에 가까울수록 직경이 크고, 도체층(210)에 가까울수록 직경이 작은 순 테이퍼 형상으로 형성되고, 이상적으로는, 절연층(100)의 두께 방향에 있어서 일정한 직경을 갖는 주상(柱狀)으로 형성된다. 이러한 비아 홀(110)은 통상, 도체층(210)과는 반대측의 절연층(100)의 면(100U)에 레이저광을 조사하여, 절연층(100)의 일부를 제거함으로써 형성된다.As shown in Fig. 1, the insulating
상기한 비아 홀(110)의 도체층(210)측의 보텀을, 적절하게 「비아 보텀」이라고 부르고, 부호(120)로 나타낸다. 그리고, 이러한 비아 보텀(120)의 직경을 보텀 직경(Lb)이라고 부른다. 또한, 비아 홀(110)의 도체층(210)과는 반대측에 형성된 개구를 적절히 「비아 탑」이라고 부르고, 부호(130)로 나타낸다. 그리고, 이러한 비아 탑(130)의 직경을 탑 직경(Lt)이라고 부른다. 통상, 비아 보텀(120) 및 비아 탑(130)은, 절연층(100)의 두께 방향으로부터 본 평면 형상이 원 형상으로 형성되지만, 타원 형상이라도 좋다. 비아 보텀(120) 및 비아 탑(130)의 평면 형상이 타원 형상인 경우, 그 보텀 직경(Lb) 및 탑 직경(Lt)은 각각, 상기한 타원 형상의 긴 직경을 나타낸다.The bottom of the via
이 때, 보텀 직경(Lb)을 탑 직경(Lt)으로 나누어 얻어지는 테이퍼율(Lb/LT(%))이 100%에 가까울수록, 그 비아 홀(110)의 형상은 양호하다. 본 발명의 수지 조성물 층을 사용하면, 비아 홀(110)의 형상을 용이하게 제어하는 것이 가능하므로, 테이퍼율(Lb/Lt)이 100%에 가까운 비아 홀(110)을 실현할 수 있다.At this time, as the taper ratio Lb / LT (%) obtained by dividing the bottom diameter Lb by the top diameter Lt is closer to 100%, the shape of the via
예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열하여 경화시켜 수득한 절연층(100)에, 마스크 직경 1㎜, 펄스 폭 16㎲, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10㎑)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 직경(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아 홀(110)을 형성한 경우, 그 비아 홀(110)의 테이퍼율(Lb/Lt)을, 바람직하게는 60% 내지 100%, 보다 바람직하게는 70% 내지 100%, 특히 바람직하게는 80% 내지 100%로 할 수 있다.For example, the insulating
비아 홀(110)의 테이퍼율(Lb/Lt)은, 비아 홀(110)의 보텀 직경(Lb) 및 탑 직경(Lt)으로부터 계산할 수 있다. 또한, 비아 홀(110)의 보텀 직경(Lb) 및 탑 직경(Lt)은, FIB(집속 이온 빔)를 사용하여, 절연층(100)을, 상기 절연층(100)의 두께 방향으로 평행하게 또한 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하는 단면이 나타나도록 깎아낸 후, 그 단면을 전자 현미경으로 관찰함으로써 측정할 수 있다.The taper ratio Lb / Lt of the via
도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜 얻은 절연층(100)의, 도체층(210)(도 2에서는 도시하지 않음)과는 반대측의 면(100U)을 모식적으로 나타내는 평면도이다.2 shows the
도 2에 나타내는 바와 같이, 비아 홀(110)이 형성된 절연층(100)을 보면, 이러한 비아 홀(110)의 주위에, 절연층(100)이 변색된 할로잉부(140)가 관찰되는 경우가 있다. 이러한 할로잉부(140)는, 비아 홀(110)의 형성 시에서의 할로잉 현상에 의해 형성될 수 있는 것이므로, 통상 비아 홀(110)로부터 연속해서 형성된다. 또한, 많은 경우, 할로잉부(140)는 백화 부분으로 되어 있다.2, when the insulating
본 발명의 수지 조성물 층을 사용함으로써, 상기한 할로잉 현상을 억제할 수있다. 따라서, 할로잉부(140)의 사이즈를 작게 할 수 있고, 이상적으로는 할로잉부(140)를 없앨 수 있다. 할로잉부(140)의 사이즈는, 비아 홀(110)의 비아 탑(130)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wt)에 의해 평가할 수 있다.By using the resin composition layer of the present invention, the haloing phenomenon described above can be suppressed. Therefore, the size of the
비아 탑(130)의 엣지(150)는, 할로잉부(140)의 내주측의 가장자리부에 상당한다. 비아 탑(130)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wt)란, 비아 탑(130)의 엣지(150)로부터 할로잉부(140)의 외주측의 가장자리부(160)까지의 거리를 나타낸다. 비아 탑(130)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wt)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.The
예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열하여 경화시켜서 얻은 절연층(100)에, 마스크 직경 1㎜, 펄스 폭 16㎲, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10㎑)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 직경(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아 홀(110)을 형성한 경우, 비아 탑(130)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wt)를, 바람직하게는 6㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하로 할 수 있다.For example, the insulating
비아 탑(130)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wt)는, 광학 현미경에 의한 관찰에 의해 측정할 수 있다.The haloing distance Wt from the
또한, 본 발명자의 검토에 의하면 일반적으로, 비아 홀(110)의 직경이 클수록 할로잉부(140)의 사이즈가 커지기 쉬운 경향이 있는 것이 판명되었다. 따라서, 비아 홀(110)의 직경에 대한 할로잉부(140)의 사이즈의 비율에 따라, 할로잉 현상의 억제의 정도를 평가할 수 있다. 예를 들어, 비아 홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)에 의해 평가할 수 있다. 여기서, 비아 홀(110)의 탑 반경 (Lt/2)이란, 비아 홀(110)의 비아 탑(130)의 반경을 말한다. 또한, 비아 홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)란, 비아 탑(130)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wt)를, 비아 홀(110)의 탑 반경(Lt/2)으로 나누어 얻어지는 비율이다. 비아 홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있었다는 것을 나타낸다.Further, according to the study by the present inventors, it has been found that the size of the
예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열하여 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 직경 1㎜, 펄스 폭 16㎲, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10㎑)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 직경(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아 홀(110)을 형성한 경우, 비아 홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)를, 바람직하게는 45% 이하, 보다 바람직하게는 40% 이하, 더욱 바람직하게는 35% 이하로 할 수 있다.For example, the insulating
비아 홀(110)의 탑 반경(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)는, 비아 홀(110)의 탑 직경(Lt), 및 비아 홀(110)의 비아 탑(130)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wt)로부터 계산할 수 있다.The halo ingot Ht with respect to the top radius Lt / 2 of the via
도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 조성물 층을 경화시켜 얻은, 조화 처리 후의 절연층(100)을, 내층 기판(200)과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다. 이러한 도 3에서는, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하고 또한 절연층(100)의 두께 방향으로 평행한 평면에서, 절연층(100)을 절단한 단면을 나타낸다.Fig. 3 is a cross-sectional view schematically showing the roughened insulating
도 3에 나타내는 바와 같이, 비아 홀(110)이 형성된 절연층(100)에 조화 처리를 실시하면, 할로잉부(140)의 절연층(100)이 도체층(210)으로부터 박리하여, 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터 연속된 간극부(180)가 형성되는 경우가 있다. 이러한 간극부(180)는 통상, 조화 처리 시에 할로잉부(140)가 침식되어 형성된다.3, the insulating
본 발명의 수지 조성물 층을 사용함으로써, 상기와 같이 할로잉 현상을 억제할 수 있다. 따라서, 할로잉부(140)의 사이즈를 작게 할 수 있고, 이상적으로는 할로잉부(140)를 없앨 수 있다. 따라서, 도체층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리를 억제할 수 있으므로, 간극부(180)의 사이즈를 작게 할 수 있다.By using the resin composition layer of the present invention, the haloing phenomenon can be suppressed as described above. Therefore, the size of the
비아 보텀(120)의 엣지(170)는, 간극부(180)의 내주측의 가장자리부에 상당한다. 따라서, 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터, 간극부(180)의 외주측의 단부(즉, 비아 보텀(120)의 중심(120C)으로부터 먼 측의 단부)(190)까지의 거리(Wb)는, 간극부(180)의 면내 방향의 사이즈에 상당한다. 여기서, 면내 방향이란, 절연층(100)의 두께 방향에 수직인 방향을 말한다. 또한, 이하의 설명에 있어서 상기한 거리(Wb)를, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)라고 하는 경우가 있다.The
비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)에 의해, 간극부(180)의 형성의 억제 정도를 평가할 수 있다. 구체적으로는, 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)가 작을수록, 간극부(180)의 형성을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.The suppressing degree of the formation of the
또한, 간극부(180)는, 할로잉부(140)의 절연층(100)이 박리하여 형성된 것이기 때문에, 그 치수는 할로잉 현상(140)의 사이즈에 상관이 있다. 따라서, 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.Since the
예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열하여 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 직경 1㎜, 펄스 폭 16㎲, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10㎑)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 직경(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아 홀(110)을 형성한다. 그 후, 팽윤액에 60℃에서 10분간 침지하고, 이어서 산화제 용액에 80℃에서 20분간 침지하고, 이어서, 중화액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조한다. 이러한 조화 처리를 실시한 경우, 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)를, 바람직하게는 60㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 40㎛ 이하로 할 수 있다.For example, the insulating
비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)는, FIB(집속 이온 빔)를 사용하여, 절연층(100)을 상기 절연층(100)의 두께 방향으로 평행하게 또한 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하는 단면이 나타나도록 깎아낸 후, 그 단면을 전자 현미경으로 관찰함으로써, 측정할 수 있다.The haloing distance Wb from the
또한, 본 발명자의 검토에 의하면, 일반적으로, 비아 홀(110)의 직경이 클수록, 할로잉부(140)의 사이즈가 커지기 쉬우므로, 간극부(180)의 사이즈도 커지기 쉬운 경향이 있는 것으로 판명되고 있다. 따라서, 비아 홀(110)의 직경에 대한 간극부(180)의 사이즈의 비율에 따라, 할로잉 현상의 억제의 정도를 평가할 수 있고, 나아가서는, 간극부(180)의 형성의 억제의 정도를 평가할 수 있다. 예를 들어, 비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)에 의해 평가할 수 있다. 여기서, 비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)이란, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 반경을 말한다. 또한, 비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)란, 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)를, 비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)으로 나누어 얻어지는 비율이다. 비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)가 작을수록, 간극부(180)의 형성을 효과적으로 억제할 수 있었던 것을 나타낸다.According to the study by the inventor of the present invention, it is generally found that the larger the diameter of the via
예를 들어, 수지 조성물 층을 100℃에서 30분간 가열하고, 이어서 180℃에서 30분간 가열하여 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 마스크 직경 1㎜, 펄스 폭 16㎲, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10㎑)의 조건으로 CO2 레이저광을 조사하여, 탑 직경(Lt)이 30㎛±2㎛인 비아 홀(110)을 형성한다. 그 후, 팽윤액에 60℃에서 10분간 침지하고, 이어서 산화제 용액에 80℃에서 20분간 침지하고, 이어서, 중화액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조한다. 이러한 조화 처리를 실시한 경우, 비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)를, 바람직하게는 60% 이하, 보다 바람직하게는 50% 이하, 더욱 바람직하게는 40% 이하로 할 수 있다.For example, the insulating
비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)는, 비아 홀(110)의 보텀 직경(Lb), 및 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)로부터 계산할 수 있다.The hole diameter Hb of the via
프린트 배선판의 제조 과정에서, 비아 홀(110)은 통상, 도체층(210)과는 반대측의 절연층(100)의 면(100U)에 다른 도체층(도시하지 않음)이 마련되어 있지 않은 상태로 형성된다. 따라서, 프린트 배선판의 제조 과정을 알면, 도체층(210)측에 비아 보텀(120)이 있고, 도체층(210)과는 반대측에 비아 탑(130)이 개구되어 있는 구조를 명확하게 인식할 수 있다. 그러나, 완성된 프린트 배선판에서는, 절연층(100)의 양측에 도체층이 마련되어 있는 경우가 있을 수 있다. 이러한 경우, 도체층과의 위치 관계에 의해 비아 보텀(120)과 비아 탑(130)을 구별하는 것이 어려운 경우가 있을 수 있다. 그러나, 통상 비아 탑(130)의 탑 직경(Lt)은, 비아 보텀(120)의 보텀 직경(Lb) 이상의 크기이다. 따라서, 상기한 경우, 직경을 크기에 따라, 비아 보텀(120)과 비아 탑(130)을 구별하는 것이 가능하다.The via
본 발명의 수지 조성물 층에 의해 상기와 같은 효과가 얻어지는 구조를, 본 발명자는 하기와 같이 추측한다. 단, 본 발명의 기술적 범위는, 하기에 설명하는 구조에 의해 제한되는 것은 아니다.The inventors of the present invention presume a structure in which the above-mentioned effects can be obtained by the resin composition layer of the present invention as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the structure described below.
통상, 비아 홀(110)을 형성할 때에는, 절연층(100)의 비아 홀(110)을 형성하려고 하는 부분에 열, 빛 등의 에너지가 제공된다. 이 때에 제공된 에너지의 일부는, 비아 홀(110)을 형성하고자 하는 부분의 주위에 전해져서 수지의 산화를 발생시킬 수 있다. 이러한 산화가 발생하면 수지가 열화되고, 할로잉 현상으로서 나타날 수 있다. 그러나, (B) 성분이, 수산기를 2개 이상 갖는 방향환을 가지므로, 상기 수산기의 입체 장애 작용에 의해, 수지의 산화 반응의 진행을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물 층을 사용하여 얻어지는 절연층(100)에서는 할로잉 현상을 억제할 수 있다.Typically, when forming the via
또한, 평균 입자 직경 및 비표면적의 설명에서 알 수 있듯이, 수지 조성물 층에 포함되는 (C) 성분의 입자 직경은 통상 작다. (C) 성분의 입자 직경이 작으므로, 절연층(100)에 제공된 에너지는, 절연층(100)의 두께 방향으로 양호하게 전해질 수 있다. 예를 들어, 절연층(100)의 면(100U)에 열 에너지 또는 빛 에너지가 제공되면, 그 에너지는 큰 감쇠를 발생시키지 않고 두께 방향으로 전해질 수 있다. 따라서, 테이퍼율이 큰 비아 홀(110)을 용이하게 형성할 수 있으므로, 그 비아 홀(110)의 형상을 양호하게 하는 것이 가능하다.Further, as can be seen from the description of the average particle diameter and the specific surface area, the particle diameter of the component (C) contained in the resin composition layer is usually small. The energy provided to the insulating
[11. 수지 조성물 층의 용도][11. Use of resin composition layer]
본 발명의 수지 조성물 층은, 절연 용도의 수지 조성물 층으로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 수지 조성물 층은, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(프린트 배선판의 절연층 형성용의 수지 조성물 층)으로서 적합하게 사용할 수 있고, 또한, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(프린트 배선판의 층간 절연층 형성용의 수지 조성물 층)으로서 보다 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지 조성물 층은, 절연층 위에 도체층(재배선층을 포함함)을 형성하기 위한 상기 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용 수지 조성물 층)으로서 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition layer of the present invention can be suitably used as a resin composition layer for insulation purposes. Specifically, the resin composition layer of the present invention can be suitably used as a resin composition layer (a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board) for forming an insulating layer of a printed wiring board, It can be more suitably used as a resin composition layer (resin composition layer for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board) for forming an insulating layer. The resin composition layer of the present invention may further comprise a resin composition layer for forming the insulating layer for forming a conductor layer (including a rewiring layer) on the insulating layer (a resin composition layer for forming an insulating layer ) Can be suitably used.
특히, 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 또한, 양호한 형상의 비아 홀의 형성이 가능하다는 이점을 유효하게 활용하는 관점에서, 상기한 수지 조성물 층은, 비아 홀을 갖는 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물 층(비아 홀을 갖는 절연층 형성용의 수지 조성물 층)으로서 적합하고, 그 중에서도, 탑 직경 35㎛ 이하의 비아 홀을 갖는 절연층 형성용 수지 조성물 층으로서 특히 적합하다.Particularly, from the viewpoint of effectively utilizing the advantage that the haloing phenomenon can be suppressed and the formation of the via-hole having a good shape can be effectively utilized, the above-mentioned resin composition layer is excellent in the resin composition for forming the insulating layer having via holes (A resin composition layer for forming an insulating layer having a via-hole), and is particularly suitable as a resin composition layer for forming an insulating layer having a via-hole with a column diameter of 35 m or less.
[12. 수지 시트][12. Resin sheet]
본 발명의 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 위에 형성된 본 발명의 수지 조성물 층을 포함한다.The resin sheet of the present invention comprises a support and a resin composition layer of the present invention formed on the support.
지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박이 바람직하다.As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil and a release paper can be mentioned, and a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.
지지체로서 플라스틱 재료로 이루어지는 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(이하, 「PMMA」라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 아크릴 중합체, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(이하, 「TAC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에테르설파이드(이하, 「PES」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter may be abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN" (Hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), polymethyl methacrylate (hereinafter may be abbreviated as "PMMA"), and other polymers such as cyclic polyolefins, Triacetyl cellulose (hereinafter may be abbreviated as "TAC"), polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"), polyether ketone, polyimide and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.
지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 동와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.In the case of using a metal foil as a support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a copper metal may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used.
지지체는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.The support may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, and an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.
또한, 지지체로서는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」; 도레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니티카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.As the support, a support having a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. As the releasing agent for use in the release layer of the release layer-adhered support, for example, one or more release agents selected from the group consisting of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin may be mentioned. SK-1, " " AL-5, " and " AL-5, " manufactured by LINTEX Corporation, each of which is a PET film having a releasing layer mainly composed of an alkyd resin-based releasing agent, 7 "; &Quot; Lumirra T60 " "Purex" manufactured by Teijin Co., Ltd.; And " UNIPHIL " manufactured by UniCasa.
지지체의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 탆 to 75 탆, more preferably in the range of 10 탆 to 60 탆. When a release layer-adhered support is used, it is preferable that the thickness of the entirety of the release layer-adhered support is in the above range.
또한, 수지 시트는, 필요에 따라 지지체 및 수지 조성물 층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 이러한 임의의 층으로서는, 예를 들어, 수지 조성물 층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 형성된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물 층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다.The resin sheet may contain any layer other than the support and the resin composition layer, if necessary. Examples of such arbitrary layers include a protective film based on a support formed on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (i.e., the surface opposite to the support), and the like. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 m to 40 m. By the protective film, adhesion and scratches of dust or the like to the surface of the resin composition layer can be suppressed.
수지 시트는, 예를 들어, 유기 용제 및 수지 조성물을 포함하는 수지 바니시를 조제하고, 이러한 수지 바니시를 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체 위에 도포하고, 또한 건조시켜 수지 조성물 층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The resin sheet can be produced, for example, by preparing a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition, coating the resin varnish on a support using a coating apparatus such as a die coater, and drying the resin varnish to form a resin composition layer can do.
유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥사논 등의 케톤 용제; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제 등을 들 수 있다. 유기 용제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Acetic acid ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; Carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; And amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. The organic solvent may be used singly or in combination of two or more kinds.
건조는, 가열, 열풍 분사 등의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 층 중의 유기 용제의 함유량이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물 층을 형성할 수 있다.Drying may be carried out by heating, hot air blowing, or the like. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is carried out so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. For example, 30% by mass to 60% by mass, is used, the resin varnish is dried at 50 ° C to 150 ° C for 3 minutes to 10 minutes to obtain a resin A composition layer can be formed.
수지 시트는, 롤 형상으로 감아 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 통상은 보호 필름을 뗌으로써 사용 가능해진다.The resin sheet can be rolled and stored. When the resin sheet has a protective film, it is usually usable by removing the protective film.
[13. 프린트 배선판][13. Printed wiring board]
본 발명의 프린트 배선판은, 상기한 바와 같이 얇은 수지 조성물 층의 경화물로 형성된 절연층을 구비한다. 또한, 이러한 절연층은, 비아 홀의 형성 시에 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 또한, 양호한 형상의 비아 홀의 형성이 가능하다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물 층을 사용함으로써, 할로잉 현상 또는 비아 홀 형상의 악화에 의한 성능의 저하를 억제하면서, 프린트 배선판의 박형화를 달성할 수 있다.The printed wiring board of the present invention comprises an insulating layer formed of a cured product of the thin resin composition layer as described above. In addition, such an insulating layer can suppress the haloing phenomenon at the time of forming the via-hole, and can form a via-hole having a good shape. Therefore, by using the resin composition layer of the present invention, the thickness of the printed wiring board can be reduced while suppressing deterioration in performance due to deterioration of haloing phenomenon or via-hole shape.
비아 홀은, 통상, 상기 비아 홀을 갖는 절연층의 양측에 형성된 도체층을 도통시키기 위해 형성된다. 따라서, 본 발명의 프린트 배선판은 통상, 제1 도체층, 제2 도체층, 및 제1 도체층과 제2 도체층과의 사이에 형성된 절연층을 포함한다. 그리고, 절연층에 비아 홀이 형성되고, 그 비아 홀을 통해 제1 도체층과 제2 도체층이 도통할 수 있다.The via-holes are usually formed to conduct the conductor layers formed on both sides of the insulating layer having the via-holes. Therefore, the printed wiring board of the present invention usually includes a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer. Then, a via hole is formed in the insulating layer, and the first conductor layer and the second conductor layer can be made conductive through the via hole.
할로잉 현상의 억제가 가능하고, 또한, 양호한 형상의 비아 홀을 형성할 수 있다는 수지 조성물 층의 이점을 활용함으로써, 종래는 실현이 곤란했던 특정 프린트 배선판을 실현할 수 있다. 이러한 특정 프린트 배선판은, 제1 도체층, 제2 도체층, 및 제1 도체층과 제2 도체층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 프린트 배선판으로서, 하기의 요건 (i) 내지 (v)를 모두 만족시킨다.By utilizing the advantage of the resin composition layer capable of suppressing the haloing phenomenon and forming a via-hole having a good shape, it is possible to realize a specific printed wiring board which has been difficult to realize in the past. This specific printed wiring board includes a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer. The printed wiring board satisfies all of the following requirements (i) to (v) Satisfaction.
(i) 절연층의 두께가 15㎛ 이하이다.(i) the thickness of the insulating layer is 15 占 퐉 or less;
(ii) 절연층이 탑 직경 35㎛ 이하의 비아 홀을 갖는다.(ii) the insulating layer has a via hole with a top diameter of 35 mu m or less.
(iii) 상기 비아 홀의 테이퍼율이 80% 이상이다.(iii) the taper ratio of the via hole is 80% or more.
(iv) 상기 비아 홀의 비아 보텀의 엣지로부터 할로잉 거리가 5㎛ 이하이다.(iv) the haloing distance from the edge of the via bottom of the via hole is 5 占 퐉 or less.
(v) 상기 비아 홀의 보텀 반경에 대한 할로잉비가 35% 이하이다.(v) the haloing ratio to the bottom radius of the via-hole is 35% or less.
이하, 도면을 나타내어, 특정 프린트 배선판에 대해 설명한다. 도 4는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 프린트 배선판(300)의 모식적인 단면도이다. 이러한 도 4에 있어서는, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 통과하고 또한 절연층(100)의 두께 방향으로 평행한 평면에서, 프린트 배선판(300)을 절단한 단면을 나타낸다. 또한, 도 4에 있어서는, 도 1 내지 도 3에 기재된 요소에 상당하는 부위는, 도 1 내지 도 3에서 사용한 것과 동일한 부호를 붙여서 나타낸다.Hereinafter, the specific printed wiring board will be described with reference to the drawings. 4 is a schematic cross-sectional view of a printed
도 4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 특정 프린트 배선판(300)은, 제1 도체층(210), 제2 도체층(220), 및 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220)과의 사이에 형성된 절연층(100)을 포함한다. 절연층(100)에는, 비아 홀(110)이 형성되어 있다. 또한, 통상, 제2 도체층(220)은, 비아 홀(110)이 형성된 후에 형성된 것이다. 따라서, 제2 도체층(220)은, 통상, 절연층(100)의 면(100U)뿐만 아니라, 비아 홀(110) 내에도 형성되고, 이러한 비아 홀(110)을 통해 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220)이 도통하고 있다.4, the specific printed
특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)의 두께(T)는, 통상 15㎛ 이하, 바람직하게는 12㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 이와 같이 얇은 절연층(100)을 갖는 것이므로, 특정 프린트 배선판(300) 자체의 박형화를 달성할 수 있다. 절연층(100)의 두께(T)의 하한은, 절연층(100)의 절연 성능을 높이는 관점에서, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상, 특히 바람직하게는 3㎛ 이상이다. 여기서, 절연층(100)의 두께(T)란, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220)의 사이의 절연층(100)의 치수를 나타내고, 제1 도체층(210) 또는 제2 도체층(220)이 없는 위치에서의 절연층(100)의 치수를 나타내는 것은 아니다. 절연층(100)의 두께(T)는, 통상, 상기 절연층(100)을 통해 대향하는 제1 도체층(210)의 주면(210U)과 제2 도체층(220)의 주면(220D)의 사이의 거리와 일치하고, 또한, 비아 홀(110)의 깊이에 일치한다.The thickness T of the insulating
특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아 홀(110)의 탑 직경(Lt)은, 통상 35㎛ 이하, 바람직하게는 33㎛ 이하, 특히 바람직하게는 32㎛ 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 이와 같이 탑 직경(Lt)이 작은 비아 홀(110)을 갖는 절연층(100)을 포함하므로, 제1 도체층(210) 및 제2 도체층(220)을 포함하는 배선의 미세화를 촉진할 수 있다. 비아 홀(110)의 탑 직경(Lt)의 하한은, 비아 홀(110)의 형성을 용이하게 행하는 관점에서, 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 특히 바람직하게는 15㎛ 이상이다.The top diameter Lt of the via
특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아 홀(110)의 테이퍼율(Lb/Lt)(%)은, 통상 80% 내지 100%이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 이와 같이 테이퍼율(Lb/Lt)이 높은 양호한 형상의 비아 홀(110)을 갖는 절연층(100)을 포함하는 것이다. 따라서, 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220)의 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.The taper ratio Lb / Lt (%) of the via
특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)는, 통상 5㎛ 이하, 바람직하게는 4㎛ 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 비아 보텀(120)의 엣지(170)로부터의 할로잉 거리(Wb)가 이와 같이 작고, 따라서, 제1 도체층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리가 작다. 따라서, 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220)과의 사이의 도통의 신뢰성을 높일 수 있다.The haloing distance Wb from the
특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아 홀(110)의 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)는, 통상 35% 이하, 바람직하게는 33% 이하, 더욱 바람직하게는 31% 이하이다. 특정 프린트 배선판(300)은, 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)가 이와 같이 작고, 따라서, 제1 도체층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리가 작다. 이와 같이 할로잉비(Hb)가 작은 절연층(100)을 포함하는 특정 프린트 배선판(300)은, 통상, 제1 도체층(210)과 제2 도체층(220)과의 사이의 도통의 신뢰성을 높일 수 있다. 보텀 반경(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)의 하한은, 이상적으로는 제로이지만, 통상은 5% 이상이다.The halo ingot Hb against the bottom radius Lb / 2 of the via
특정 프린트 배선판(300)이 포함하는 절연층(100)이 갖는 비아 홀(110)의 수는, 1개라도 좋고, 2개 이상이라도 좋다. 절연층(100)이 2개 이상의 비아 홀(110)을 갖는 경우, 그 일부가 요건 (ii) 내지 (v)를 충족하고 있어도 좋지만, 그 전부가 요건 (ii) 내지 (v)를 충족하는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어, 절연층(100)으로부터 무작위로 선택한 5개소의 비아 홀(110)이, 평균으로, 요건 (ii) 내지 (v)를 충족하는 것이 바람직하다.The number of the via holes 110 included in the insulating
상기한 특정 프린트 배선판(300)은, 본 발명의 수지 조성물 층의 경화물에 의해 절연층(100)을 형성함으로써 실현할 수 있다. 이때, 절연층(100)에 형성되는 비아 홀(110)의 비아 보텀(120) 및 비아 탑(130)의 평면 형상은 임의이지만, 통상은 원 형상 또는 타원 형상이고, 바람직하게는 원 형상이다.The above-mentioned specific printed
특정 프린트 배선판 등의 프린트 배선판은, 예를 들어, 수지 시트를 사용하여, 하기의 공정 (I) 내지 공정 (III)을 포함하는 제조 방법을 행함으로써, 제조할 수 있다.A printed wiring board such as a specific printed wiring board can be produced by, for example, using a resin sheet and performing the manufacturing method including the following steps (I) to (III).
(I) 내층 기판 위에, 수지 조성물 층이 내층 기판과 접합하도록, 수지 시트를 적층하는 공정.(I) A step of laminating a resin sheet on the inner layer substrate so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate.
(II) 수지 조성물 층을 열경화하여, 절연층을 형성하는 공정.(II) A step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer.
(III) 절연층에 비아 홀을 형성하는 공정.(III) A step of forming via holes in the insulating layer.
공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 프린트 배선판의 기판이 되는 부재이다. 내층 기판으로서는, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 통상, 내층 기판으로서는, 그 편면 또는 양면에 도체층을 갖고 있는 것을 사용한다. 그리고 이러한 도체층 위에 절연층을 형성한다. 이러한 도체층은, 예를 들어 회로로서 기능시키기 위해 패턴 가공되어 있어도 좋다. 기판의 편면 또는 양면에 회로로서 도체층이 형성된 내층 기판은, 「내층 회로 기판」이라고 하는 경우가 있다. 또한, 프린트 배선판을 제조할 때에 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 할 중간 제조물도 「내층 기판」에 포함된다. 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용해도 좋다.The " inner layer substrate " used in the step (I) is a member to be a substrate of a printed wiring board. Examples of the inner layer substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. Normally, as the inner layer substrate, one having a conductor layer on one side or both sides thereof is used. Then, an insulating layer is formed on the conductor layer. Such a conductor layer may be patterned to function as, for example, a circuit. An inner layer substrate having a conductor layer formed as a circuit on one side or both sides of the substrate may be referred to as an " inner layer circuit substrate ". Further, an intermediate product to which the insulating layer and / or the conductor layer is to be further formed when manufacturing the printed wiring board is also included in the " inner layer substrate ". If the printed wiring board is a component built-in circuit board, an inner-layer board containing components may be used.
내층 기판과 수지 시트와의 적층은, 예를 들어, 지지체측에서 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착함으로써, 내층 기판에 수지 조성물 층을 접함함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고 하는 경우가 있음)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 내층 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 통해 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed, for example, by heating and pressing the resin sheet to the inner layer substrate on the support side, and bringing the resin composition layer into contact with the inner layer substrate. Examples of the member for heating and pressing the resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter also referred to as " hot pressing member ") include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll) . Further, it is preferable to press the heat-press member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet can sufficiently follow the surface unevenness of the inner layer substrate, instead of directly pressing the heat-press member to the resin sheet.
내층 기판과 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098㎫ 내지 1.77㎫, 보다 바람직하게는 0.29㎫ 내지 1.47㎫의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.The lamination of the inner layer substrate and the resin sheet may be carried out, for example, by a vacuum laminating method. In the vacuum laminating method, the heat-pressing temperature is preferably in the range of 60 占 폚 to 160 占 폚, more preferably 80 占 폚 to 140 占 폚, the heat pressing pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, Is in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heat pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 26.7 hPa or less.
적층은, 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 메이키 세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터, 배취식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.The lamination can be performed by a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, for example, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meiji Seisakusho Co., Ltd., a baking applicator manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., and a vacuum type vacuum laminator are available.
적층 후에, 상압 하(대기압 하)에서, 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측에서 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기한 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행해도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet may be subjected to smoothing treatment under atmospheric pressure (at atmospheric pressure), for example, by pressing the hot press member on the support side. The pressing condition of the smoothing treatment may be the same as the conditions of the hot pressing of the laminate. The smoothing process can be performed by a commercially available laminator. The lamination and the smoothing process may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator.
공정 (II)에 있어서, 수지 조성물 층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 수지 조성물 층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 채용되는 조건을 임의로 사용해도 좋다.In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions employed when forming the insulating layer of the printed wiring board may be arbitrarily used.
예를 들어, 수지 조성물 층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 다르지만, 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 통상 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)로 할 수 있다.For example, the thermosetting condition of the resin composition layer varies depending on the kind of the resin composition and the like, but the curing temperature is usually in the range of 120 to 240 占 폚 (preferably in the range of 150 to 220 占 폚, more preferably 170 ° C to 200 ° C), and the curing time is usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).
수지 조성물 층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물 층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물 층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 115℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 110℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물 층을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간) 예비 가열해도 좋다.The resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer. For example, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer is heated at a temperature of generally 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 115 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 110 ° C or less) May be preliminarily heated for usually 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, further preferably 15 minutes to 100 minutes).
공정 (III)에 있어서, 절연층에 비아 홀을 형성한다. 비아 홀의 형성 방법으로서는, 레이저광의 조사, 에칭, 메카니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 레이저광의 조사는, 일반적으로, 할로잉 현상이 발생하기 쉽다. 그래서, 할로잉 현상의 억제라는 효과를 유효하게 활용하는 관점에서, 레이저 조사가 바람직하다.In the step (III), a via hole is formed in the insulating layer. Examples of the method of forming the via-hole include laser light irradiation, etching, and mechanical drilling. Among them, haloing phenomenon is likely to occur in irradiation of laser light. Therefore, from the viewpoint of effectively utilizing the effect of inhibiting the haloing phenomenon, laser irradiation is preferable.
이러한 레이저광의 조사는, 예를 들어, 광원으로서, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등의 레이저광원을 갖는 레이저 가공기를 사용하여 행할 수 있다. 사용될 수 있는 레이저 가공기로서는, 예를 들어, 비아메카닉스사 제조 CO2 레이저 가공기 「LC-2k212/2C」, 미츠비시 덴키사 제조의 605GTWIII(-P), 마츠시타 요우세츠 시스템사 제조의 레이저 가공기 등을 들 수 있다.Such laser light irradiation can be performed, for example, by using a laser processing machine having a laser light source such as a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an excimer laser as a light source. As the laser processing machine that can be used, for example, a CO 2 laser processing machine "LC-2k212 / 2C" manufactured by VIA MECHANICS, 605GTWIII (-P) manufactured by Mitsubishi Denki K.K., a laser processing machine manufactured by Matsushita Iowa Systems Co., .
레이저광의 파장, 펄스 수, 펄스 폭, 출력 등의 레이저광의 조사 조건은 특별히 한정되지 않고, 레이저광원의 종류에 따른 적절한 조건을 설정해도 좋다.The irradiation conditions of the laser light such as the wavelength, the number of pulses, the pulse width, and the output of the laser light are not particularly limited, and appropriate conditions may be set according to the type of the laser light source.
그런데, 지지체는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II)와 공정 (III) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (III) 후에 제거해도 좋다. 그 중에서도, 패임부의 발생을 보다 억제하는 관점에서, 절연층에 비아 홀을 형성하는 공정 (III) 후에 제거하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 레이저광의 조사에 의해 절연층에 비아 홀을 형성한 후에 지지체를 박리하면, 양호한 형상의 비아 홀을 형성하기 쉽다.Incidentally, the support may be removed between the step (I) and the step (II), or between the step (II) and the step (III) or may be removed after the step (III). Among them, it is preferable to remove after the step (III) of forming the via-hole in the insulating layer from the viewpoint of further suppressing the occurrence of the depressed portion. For example, when the support is peeled off after the via hole is formed in the insulating layer by irradiation with laser light, the via hole having a good shape can be easily formed.
프린트 배선판의 제조 방법은, (IV) 절연층을 조화 처리하는 공정, 및 (V) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이들 공정 (IV) 및 공정 (V)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는 각종 방법에 따라 실시해도 좋다. 또한, 지지체를 공정 (III) 후에 제거하는 경우, 상기 지지체의 제거는, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이에 실시해도 좋고, 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시해도 좋다.The manufacturing method of the printed wiring board may further include (IV) a step of roughening the insulating layer, and (V) a step of forming a conductor layer. These steps (IV) and (V) may be carried out according to various methods used in the production of printed wiring boards. When the support is removed after the step (III), the removal of the support may be performed between the step (III) and the step (IV), or between the step (IV) and the step (V).
공정 (IV)는 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 조화 처리의 수순 및 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용되는 임의의 수순 및 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 및 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순으로 실시하여, 절연층을 조화 처리할 수 있다.Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The procedure and conditions of the roughening treatment are not particularly limited and arbitrary procedures and conditions used for forming the insulating layer of the printed wiring board can be adopted. For example, the swelling treatment with a swelling liquid, the coarsening treatment with an oxidizing agent, and the neutralization treatment with a neutralizing liquid can be carried out in this order to roughen the insulating layer.
팽윤액으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 알칼리 용액, 계면 활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액을 들 수 있다. 상기 알칼리 용액으로서는, 수산화 나트륨 용액 및 수산화 칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「스웰링 딥 시큐리간스 P」, 「스웰링 딥 시큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 또한, 팽윤액은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.The swelling liquid is not particularly limited, and examples thereof include an alkali solution, a surfactant solution, and the like, preferably an alkali solution. As the alkali solution, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include "Swelling Deep Sucrygan G P" and "Swelling Deep Sucralgan SBU" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The swelling liquid may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio. The swelling treatment by the swelling liquid is not particularly limited, and can be performed, for example, by immersing the swelling liquid at 30 캜 to 90 캜 for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin in the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in the swelling liquid at 40 占 폚 to 80 占 폚 for 5 minutes to 15 minutes.
산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 수산화 나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨 또는 과망간산 나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 산화제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 시큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다.The oxidizing agent is not particularly limited, and for example, an alkaline permanganic acid solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide can be mentioned. The oxidizing agent may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated at 60 캜 to 80 캜 for 10 minutes to 30 minutes. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and "Dozing Solution Securegan's P".
중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션 솔루션 시큐리간스 P」를 들 수 있다. 또한, 중화액은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.As the neutralization solution, an acidic aqueous solution is preferable, and commercially available products include, for example, " Reduction Solution Securigans P " manufactured by Atotech Japan Co., The neutralizing liquid may be used singly or in combination of two or more in an arbitrary ratio. The treatment with the neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent in a neutralizing solution at 30 ° C to 80 ° C for 5 minutes to 30 minutes. From the standpoint of workability and the like, it is preferable to immerse the object subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 to 70 캜 for 5 to 20 minutes.
공정 (V)는 도체층을 형성하는 공정이다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 좋고, 합금층이라도 좋다. 합금층으로서는, 예를 들어, 상기한 그룹으로부터 선택되는 2종류 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하다. 나아가서는, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층; 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 특히 바람직하다.Step (V) is a step of forming a conductor layer. The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium . The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more kinds of metals (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy) selected from the above-mentioned group. Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver, or copper single metal layers are preferable from the viewpoints of versatility of the conductor layer formation, cost and ease of patterning. Or an alloy layer of a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, or a copper-titanium alloy. Further, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layers; Or an alloy layer of a nickel-chromium alloy is more preferable, and a single-ended metal layer is particularly preferable.
도체층은 단층 구조라도 좋고, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층을 2층 이상 포함하는 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure including two or more single-metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.
도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따라 다르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.The thickness of the conductor layer differs depending on the design of the desired printed wiring board, but is generally 3 mu m to 35 mu m, preferably 5 mu m to 30 mu m.
도체층은 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 그 중에서도, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 어디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.The conductor layer may be formed by plating. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a technique such as a semi-custom method or a pull-to-body method. Above all, from the viewpoint of simplicity of production, it is preferable to form it by the semi-specific method.
이하, 도체층을 세미 어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다. 우선, 절연층의 표면에 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by the semi- First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Then, a mask pattern for exposing a part of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. A metal layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.
또한, 필요에 따라, 공정 (I) 내지 공정 (V)에 의한 절연층 및 도체층의 형성을 반복해서 실시하여, 다층 프린트 배선판을 제조해도 좋다.Furthermore, if necessary, the multilayer printed wiring board may be produced by repeating the formation of the insulating layer and the conductor layer by the steps (I) to (V).
[14. 반도체 장치][14. Semiconductor device]
본 발명의 반도체 장치는, 상기한 프린트 배선판을 포함한다. 이러한 반도체 장치는, 프린트 배선판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes the above-mentioned printed wiring board. Such a semiconductor device can be manufactured by using a printed wiring board.
반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided in an electric product (e.g., a computer, a mobile phone, a digital camera and a television) and a vehicle (e.g., a motorcycle, an automobile, a tank, .
반도체 장치는, 예를 들어, 프린트 배선판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「프린트 배선판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 곳이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은, 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자를 임의로 사용할 수 있다.The semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) in a conductive portion of a printed wiring board. The "conduction point" is a "point for transmitting electrical signals on the printed wiring board", and may be a surface or a buried point. Further, as the semiconductor chip, an electric circuit element using a semiconductor material can be arbitrarily used.
반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면 특별히 한정되지 않는다. 실장 방법의 예로서는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하여, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말한다.The method of mounting the semiconductor chip at the time of manufacturing the semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip effectively functions. Examples of the mounting method include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method using a nonconductive film (NCF) . Here, the "mounting method using the bumpless buildup layer (BBUL)" refers to a "mounting method in which the semiconductor chip is directly buried in the concave portion of the printed wiring board to connect the semiconductor chip and the wiring on the printed wiring board.
실시예Example
이하, 본 발명에 대해, 실시예를 나타내어 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도 명시가 없는 한, 상온 상압의 환경으로 행했다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, " parts " and "% " representing quantities mean " part by mass " and "% by mass ", respectively, unless otherwise specified. In addition, the operations described below were carried out under normal ambient temperature and normal pressure unless otherwise specified.
[무기 충전재의 설명][Explanation of inorganic filler]
<무기 충전재의 평균 입자 직경의 측정 방법>≪ Method of measuring average particle diameter of inorganic filler >
무기 충전재 100㎎, 분산제(산놉코사 제조 「SN9228」) 0.1g, 및 메틸에틸케톤 10g을 바이얼병에 칭량하여 달고, 초음파로 20분간 분산했다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치(시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」)를 사용하여, 회분 셀 방식으로 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 측정했다. 그리고, 얻어진 입자 직경 분포로부터, 중간 직경으로서, 무기 충전재의 평균 입자 직경을 산출했다., 0.1 g of a dispersing agent (" SN9228 " manufactured by Sanbopo Co., Ltd.) and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed in a vial bottle and dispersed by ultrasonic waves for 20 minutes. The particle diameter distribution of the inorganic filler was measured on a volumetric basis by a batch cell method using a laser diffraction particle diameter distribution measuring device ("SALD-2200" manufactured by Shimadzu Corporation). From the obtained particle diameter distribution, the average particle diameter of the inorganic filler was calculated as the intermediate diameter.
<무기 충전재의 비표면적의 측정 방법>≪ Method for measuring specific surface area of inorganic filler &
BET 전자동 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 「Macsorb HM-1210」)를 사용하여, 무기 충전재의 비표면적을 측정했다.The specific surface area of the inorganic filler was measured using a BET full automatic specific surface area measuring apparatus ("Macsorb HM-1210" manufactured by Mau Tec Corporation).
<무기 충전재의 종류><Types of inorganic fillers>
무기 충전재 1: 구상 실리카(덴키 카가쿠 코교사 제조 「UFP-30」, 평균 입자 직경 0.078㎛, 비표면적 30.7㎡/g) 100부에 대해, N-페닐-3-아미노프로필트리메 톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조, KBM573) 2부로 표면 처리한 것.Inorganic filler 1: 100 parts of spherical silica ("UFP-30" manufactured by Denki Kagakuko Co., Ltd., average particle diameter: 0.078 μm, specific surface area: 30.7 m 2 / g) was added N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573).
무기 충전재 2: 구형 실리카(애드마텍스사 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 직경 0.77㎛, 비표면적 5.9㎡/g) 100부에 대해, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조, KBM573) 1부로 표면 처리한 것.Inorganic filler 2: 100 parts of spherical silica ("SC2500SQ" manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle diameter 0.77 μm, specific surface area 5.9 m 2 / g) was added N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane Manufactured by Kokusa Kogyo Co., Ltd., KBM573).
[실시예 1. 수지 조성물 1의 조제][Example 1: Preparation of Resin Composition 1]
비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 나프탈렌형 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ESN475V」, 에폭시 당량 약 332) 5부, 비스페놀 AF형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YL7760」, 에폭시 당량 약 238) 15부, 사이클로헥산형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「ZX1658GS」, 에폭시 당량 약 135) 2부, 및 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7553BH30」, 불휘발 성분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=35000) 2부를, 솔벤트나프타 20부 및 사이클로헥사논 10부의 혼합 용제에 교반하면서 가열 용해시켰다. 수득된 용액을 실온으로까지 냉각했다. 그 후, 이 용액에, (B) 성분으로서의 나프톨계 경화제(화학식 5로 표시되는 방향족 탄화수소 수지. 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN395」, 수산기 당량 107) 5부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「EXB-8000L-65TM」, 활성기 당량 약 220, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔:MEK의 1:1 용액) 6부, 무기 충전재 1을 50부, 및 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP)) 0.05부를 혼합하여, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 혼합물을 수득했다. 이 혼합물을 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP020」)로 여과하여, 수지 조성물 1을 수득했다., 6 parts of a biscylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent: about 185), 5 parts of a naphthalene type epoxy resin (ESN475V manufactured by Shin Nitetsu Sumikin Kagaku, epoxy equivalent weight of about 332) , 15 parts of resin ("YL7760" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent of about 238), 2 parts of cyclohexane type epoxy resin ("ZX1658GS" manufactured by Mitsubishi Kagaku Corp., epoxy equivalent weight of 135) 2 parts of a solvent mixture of 20 parts by weight of solvent naphtha and 10 parts by weight of cyclohexanone was dissolved by heating in a mixed solvent of 20 parts by weight of solvent naphtha and 10 parts by weight of cyclohexanone, . The resulting solution was cooled to room temperature. Then, 5 parts of a naphthol-based curing agent (aromatic hydrocarbon resin represented by Chemical Formula 5, "SN395", manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., hydroxyl equivalent of 107) as an ingredient (B), 5 parts of an active ester type curing agent 6 parts of an inorganic filler 1 (trade name: EXB-8000L-65TM, an activator group equivalent of about 220, and a nonvolatile component 65% by mass of toluene: MEK solution 1: 1), 50 parts of an amine- Pyridine (DMAP)) were mixed and uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to obtain a mixture. This mixture was filtered with a cartridge filter (" SHP020 " manufactured by ROKITECHNO) to obtain Resin Composition 1.
[실시예 2. 수지 조성물 2의 조제][Example 2: Preparation of Resin Composition 2]
사용하는 시약의 종류 및 양을, 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 수지 조성물 2를 조제했다. 실시예 1로부터의 구체적인 변경점은, 하기와 같다.The same operation as in Example 1 was carried out except that the kinds and amounts of reagents used were changed as shown in Table 1 to prepare Resin Composition 2. Specific changes from Example 1 are as follows.
사이클로헥산형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「ZX1658GS」, 에폭시 당량 약 135) 2부 대신에, 비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 4부, 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-7311-G4」, 에폭시 당량 약 213) 2부를 사용했다.("ZX1059", manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight: about 169, bisphenol A type and bisphenol type epoxy resin) were used in place of 2 parts of cyclohexane type epoxy resin ("ZX1658GS" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., (1: 1 mixture of F type) and 2 parts of naphthylene ether type epoxy resin ("EXA-7311-G4" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent weight: about 213)
또한, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7553BH30」, 불휘발 성분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=35000) 2부 대신에, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YL7500BH30」, 불휘발 성분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=44000) 2부를 사용했다.In place of 2 parts of a phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., a 1: 1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) having a nonvolatile component of 30 mass%, Mw = 35000) 2 parts of a 1: 1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK), Mw = 44000) and 30 parts by mass of a nonvolatile component of YL7500BH30 manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd. were used.
또한, (B) 성분으로서, 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN395」, 수산기 당량 107) 5부 대신에, 페놀계 경화제(화학식 4로 표시되는 방향족 탄화수소 수지. 군에이 카가쿠 코교사 제조 「GRA13H」, 수산기 당량 75) 4부를 사용했다.As the component (B), a phenol-based curing agent (an aromatic hydrocarbon resin represented by the formula (4)) was used instead of 5 parts of a naphthol-based curing agent ("SN395" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Quot; GRA13H ", and hydroxyl equivalent 75) were used.
[비교예 1. 수지 조성물 3의 조제][Comparative Example 1] Preparation of Resin Composition 3 [
사용하는 시약의 종류 및 양을, 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 수지 조성물 3을 조제했다. 실시예 1로부터의 구체적인 변경점은, 하기와 같다.The same operation as in Example 1 was carried out except that the kinds and amounts of the reagents to be used were changed as shown in Table 1 to prepare Resin Composition 3. Specific changes from Example 1 are as follows.
사이클로헥산형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「ZX1658GS」, 에폭시 당량 약 135) 2부 대신에, 비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 4부, 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-7311-G4」, 에폭시 당량 약 213) 2부를 사용했다.("ZX1059", manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight: about 169, bisphenol A type and bisphenol type epoxy resin) were used in place of 2 parts of cyclohexane type epoxy resin ("ZX1658GS" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., (1: 1 mixture of F type) and 2 parts of naphthylene ether type epoxy resin ("EXA-7311-G4" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent weight: about 213)
또한, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7553BH30」, 불휘발 성분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=35000) 2부 대신에, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YL7500BH30」, 불휘발 성분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=44000) 2부를 사용했다.In place of 2 parts of a phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., a 1: 1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) having a nonvolatile component of 30 mass%, Mw = 35000) 2 parts of a 1: 1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK), Mw = 44000) and 30 parts by mass of a nonvolatile component of YL7500BH30 manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd. were used.
또한, 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN395」, 수산기 당량 107) 5부 대신에, (E) 성분으로서의 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 불휘발 성분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 10부를 사용했다.A cresol novolac-based curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC Corporation) as the component (E) was used instead of 5 parts of the naphthol-based curing agent (SN395 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., , A hydroxyl group equivalent of about 151, and a non-volatile component 50% in 2-methoxypropanol solution).
[비교예 2. 수지 조성물 4의 조제][Comparative Example 2: Preparation of Resin Composition 4]
사용하는 시약의 종류 및 양을, 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 수지 조성물 4를 조제했다. 실시예 1로부터의 구체적인 변경점은, 하기와 같다.The same operation as in Example 1 was carried out except that the kinds and amounts of the reagents to be used were changed as shown in Table 1 to prepare Resin Composition 4. Specific changes from Example 1 are as follows.
나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN395」, 수산기 당량 107) 5부 대신에, (E) 성분으로서의 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 불휘발 성분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 4부를 사용했다.("LA-3018-50P" manufactured by DIC Co., Ltd.) containing triazine skeleton as the component (E) was used instead of 5 parts of the naphthol-based curing agent (SN395 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Hydroxyl group equivalent of about 151, and non-volatile component 50% of 2-methoxypropanol solution).
또한, 무기 충전재 1을 50부 사용하는 대신에, 무기 충전재 2를 80부 사용했다.Instead of using 50 parts of the inorganic filler 1, 80 parts of the inorganic filler 2 was used.
[비교예 3. 수지 조성물 5의 조제][Comparative Example 3: Preparation of Resin Composition 5]
사용하는 시약의 종류 및 양을, 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 수지 조성물 5를 조제했다. 실시예 1로부터의 구체적인 변경점은, 하기와 같다.The same operation as in Example 1 was carried out except that the kinds and amounts of the reagents used were changed as shown in Table 1 to prepare Resin Composition 5. Specific changes from Example 1 are as follows.
나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN395」, 수산기 당량 107) 5부 대신에, (E) 성분으로서의 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 약 215) 4부, 및 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 불휘발 성분 50%의 2-메 톡시프로판올 용액) 4부를 사용했다.(SN485, manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., hydroxyl equivalent weight of about 215) 4 as a component (E) was used instead of 5 parts of a naphthol-based curing agent (SN395 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., And 4 parts of a cresol novolak-based curing agent containing a triazine skeleton ("LA-3018-50P" manufactured by DIC Corporation, hydroxyl equivalent equivalent of about 151 and 50% non-volatile component of 2-methoxypropanol solution) were used.
[비교예 4. 수지 조성물 6의 조제][Comparative Example 4: Preparation of Resin Composition 6]
사용하는 시약의 종류 및 양을, 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 수지 조성물 6을 조제했다. 실시예 1로부터의 구체적인 변경점은, 하기와 같다.The same operation as in Example 1 was carried out except that the kinds and amounts of reagents to be used were changed as shown in Table 1 to prepare Resin Composition 6. Specific changes from Example 1 are as follows.
경화제로서, 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN395」, 수산기 당량 107) 5부, 및 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「EXB-8000L-65TM」, 활성기 당량 220, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔:MEK의 1:1 용액) 6부에 조합하고, 추가로, (E) 성분으로서의 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 불휘발 성분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 4부를 사용했다.5 parts of a naphthol-based curing agent ("SN395", manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., hydroxyl group equivalent 107) and 5 parts of an active ester curing agent "EXB-8000L-65TM" (1: 1 solution of toluene: MEK in mass%), and further adding a triazine skeleton-containing cresol novolac curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC Co., 151, a non-volatile component 50% solution in 2-methoxypropanol).
또한, 무기 충전재 1을 50부 사용하는 대신에, 무기 충전재 2를 80부 사용했다.Instead of using 50 parts of the inorganic filler 1, 80 parts of the inorganic filler 2 was used.
[수지 조성물의 조성][Composition of resin composition]
수지 조성물 1 내지 6의 조제에 사용한 성분과 그 배합량(불휘발분의 질량 부)을 하기 표 1에 나타냈다. 하기 표 중의 약칭은 이하와 같다.The components used in the preparation of Resin Compositions 1 to 6 and the compounding amount thereof (parts by mass of nonvolatile matter) are shown in Table 1 below. The abbreviations in the following table are as follows.
경화제의 함유율: 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한, 경화제의 함유량.Content of curing agent: Content of curing agent to 100 mass% of resin component in resin composition.
활성 에스테르계 경화제의 함유율: 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한, 활성 에스테르계 경화제 함유량.Content of active ester-based curing agent: Content of active ester-based curing agent relative to 100 mass% of the resin component in the resin composition.
무기 충전재의 함유율: 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한, 무기 충전재의 함유량.Content of inorganic filler: Content of inorganic filler to 100 mass% of non-volatile component in resin composition.
[수지 시트의 제조][Production of Resin Sheet]
지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃)을 준비했다.A polyethylene terephthalate film (" Lumirror80 ", manufactured by Toray Industries, Inc., thickness: 38 mu m, softening
수지 조성물 1 내지 6 각각을, 지지체 위에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 10㎛가 되도록, 다이 코터로 균일하게 도포하고, 70℃ 내지 95℃에서 2분간 건조함으로써, 지지체 위에 수지 조성물 층을 형성했다. 이어서, 수지 조성물 층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면에, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오우지 에프텍스사 제조 「알팬 MA-411」, 두께 15㎛)의 조면(粗面)을 접합했다. 이로써, 지지체, 수지 조성물 층, 및 보호 필름을 이러한 순으로 갖는 수지 시트 A를 얻었다.Each of the resin compositions 1 to 6 was uniformly coated on a support with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 10 占 퐉 and dried at 70 占 폚 to 95 占 폚 for 2 minutes to form a resin composition layer did. Subsequently, a roughened surface of a polypropylene film ("ALPAN MA-411" manufactured by Oji-Fiftech Co., Ltd., thickness 15 μm) as a protective film was bonded to the surface of the resin composition layer not bonded to the support. Thus, a resin sheet A having a support, a resin composition layer, and a protective film in this order was obtained.
[두께의 측정 방법][Measurement method of thickness]
수지 조성물 층 등의 층의 두께는, 접촉식 막후계(미츠토요사 제조 「MCD-25MJ」)를 사용하여 측정했다.The thickness of the layer of the resin composition layer or the like was measured using a contact type film thickness meter (" MCD-25MJ " manufactured by Mitsutoyo Corporation).
[레이저 비아 가공 후의 비아 홀의 평가][Evaluation of via hole after laser via processing]
수지 조성물 1 내지 6 각각을 사용하여 제조된 수지 시트 A를 사용하여, 하기의 방법에 의해 비아 홀을 갖는 절연층을 형성하고, 그 비아 홀의 평가를 행했다.Using the resin sheet A prepared using each of the resin compositions 1 to 6, an insulating layer having via holes was formed by the following method, and the via holes were evaluated.
<평가용 샘플의 제작><Preparation of sample for evaluation>
(1) 내층 기판의 준비:(1) Preparation of inner layer substrate:
내층 기판으로서, 양면에 동박층을 갖는 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 3㎛, 기판 두께 0.15㎜, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조 「HL832NSF LCA」, 255×340㎜ 사이즈)을 준비했다.A glass cloth base epoxy resin double-sided copper clad laminate (HL832NSF LCA, thickness: 3 mu m, substrate thickness: 0.15 mm, manufactured by Mitsubishi Gas Kagaku Co., Ltd., size of 255 x 340 mm) having copper foil layers on both surfaces was prepared as the inner layer substrate.
(2) 수지 시트의 라미네이트:(2) Laminate of resin sheet:
수지 시트 A로부터 보호 필름을 떼어 수지 조성물 층을 노출시켰다. 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조, 2스텝 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물 층이 내층 기판과 접하도록 내층 기판의 양면에 라미네이트했다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 조정한 후, 130℃, 압력 0.74㎫로 45초간 압착시킴으로써 실시했다. 이어서, 120℃, 압력 0.5㎫로 75초간 열 프레스를 행했다.The protective film was peeled from the resin sheet A to expose the resin composition layer. Layer laminate was laminated on both surfaces of the inner layer substrate so that the resin composition layer was in contact with the inner layer substrate by using a vacuum pressurizing laminator (Niko Materials " CVP700, 2 step buildup laminator " The laminate was subjected to pressure reduction for 30 seconds to adjust the air pressure to 13 hPa or less, followed by compression at 130 DEG C and pressure of 0.74 MPa for 45 seconds. Then, hot pressing was performed at 120 DEG C and a pressure of 0.5 MPa for 75 seconds.
(3) 수지 조성물 층의 열경화:(3) Thermal curing of the resin composition layer:
그 후, 수지 시트가 라미네이트된 내층 기판을 100℃의 오븐에 투입하여 30분간 가열하고, 이어서, 180℃의 오븐에 옮겨 30분간 가열하고, 수지 조성물 층을 열경화시켜 절연층을 형성했다. 절연층의 두께는 10㎛였다. 이로써, 지지체, 절연층, 내층 기판, 절연층 및 지지체를 이 순으로 갖는 경화 기판 A를 얻었다.Thereafter, the inner-layer substrate laminated with the resin sheet was placed in an oven at 100 캜, heated for 30 minutes, transferred to an oven at 180 캜 and heated for 30 minutes to thermally cure the resin composition layer to form an insulating layer. The thickness of the insulating layer was 10 mu m. Thus, a cured substrate A having a support, an insulating layer, an inner layer substrate, an insulating layer, and a support in this order was obtained.
(4) 레이저 비아 가공:(4) Laser via processing:
CO2 레이저 가공기(미츠비시 덴키사 제조 「605GTWIII(-P)」)를 사용하여, 지지체를 통해 절연층에 레이저광을 조사하여, 절연층에 탑 지름(직경)이 약 30㎛인 복수 개의 비아 홀을 형성했다. 레이저광의 조사 조건은, 마스크 직경 1㎜, 펄스 폭 16㎲, 에너지 0.2mJ/쇼트, 쇼트 수 2, 버스트 모드(10㎑)였다.Laser light was irradiated to the insulating layer through a support using a CO 2 laser processing machine ("605GTWIII (-P)" manufactured by Mitsubishi Denki K.K.) To form a plurality of via holes having a top diameter (diameter) . The irradiation conditions of the laser beam were 1 mm in mask diameter, 16 占 퐏 in pulse width, 0.2 mJ / shot in energy, 2 in number of shots, and burst mode (10 kHz).
(5) 조화 처리:(5) Harmonizing treatment:
절연층에 비아 홀을 형성한 후, 지지체를 박리하여, 절연층, 내층 기판 및 절연층을 이러한 순으로 갖는 비아 가공 기판 A를 얻었다. 그 후, 이러한 비아 가공 기판 A에, 조화 처리로서의 디스미어 처리를 행했다. 디스미어 처리로서는, 하기의 습식 디스미어 처리를 실시했다.After forming a via hole in the insulating layer, the support was peeled off to obtain a via-processed substrate A having the insulating layer, the innerlayer substrate, and the insulating layer in this order. Thereafter, the via processed substrate A was subjected to a desmear treatment as a roughening treatment. As the desmear treatment, the following wet desmear treatment was carried out.
(습식 디스미어 처리)(Wet desmear treatment)
비아 가공 기판 A를, 팽윤액(아토텍 재팬사 제조 「스웰링 딥 시큐리간스 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 수산화 나트륨의 수용액)에 60℃에서 10분간 침지하고, 이어서, 산화제 용액(아토텍 재팬사 제조 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 과망간산 칼륨 농도 약 6%, 수산화 나트륨 농도 약 4%의 수용액)에 80℃에서 20분간 침지하고, 이어서, 중화액(아토텍 재팬사 제조 「리덕션 솔루션 시큐리간스 P」, 황산 수용액)에 40℃에서 5분간 침지한 후, 80℃에서 15분간 건조했다. 이러한 습식 디스미어 처리가 실시된 비아 가공 기판 A를, 조화 기판 A라고 한다.The via-processed substrate A was immersed in a swelling liquid (aqueous solution of "Swelling Deep Securigans P", diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 60 ° C for 10 minutes, (Concentrate Compact CP manufactured by Tek Japan Co., Ltd .; an aqueous solution having a potassium permanganate concentration of about 6% and a sodium hydroxide concentration of about 4%) for 20 minutes at 80 ° C, and then a neutralization solution (Reduction Solution Sucury Gans P ", aqueous sulfuric acid solution) at 40 ° C for 5 minutes, and then dried at 80 ° C for 15 minutes. The via-processed substrate A subjected to the wet desmear treatment is referred to as a coarsened substrate A.
<조화 처리 전의 비아 홀의 치수 측정>≪ Measurement of dimensions of via holes before harmonic treatment >
샘플로서, 조화 처리 전의 비아 가공 기판 A를 준비했다. 이러한 비아 가공 기판 A에 대해, FIB-SEM 복합 장치(SII 나노 테크놀로지사 제조 「SMI3050SE」)를 사용하여 단면 관찰을 행했다. 상세하게는, FIB(집속 이온 빔)를 사용하여, 절연층을, 상기 절연층의 두께 방향으로 평행하게 또한 비아 홀의 비아 보텀의 중심을 지나는 단면이 나타나도록 깎아냈다. 이러한 단면을 SEM(주사형 전자 현미경)에 의해 관찰하고, 관찰된 화상으로부터, 비아 홀의 탑 직경 및 보텀 직경을 측정했다.As a sample, a via-processed substrate A before the roughening treatment was prepared. The via-processed substrate A was subjected to a cross-section observation using an FIB-SEM composite device ("SMI3050SE" manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.). More specifically, using an FIB (focused ion beam), the insulating layer was scraped so that a cross section extending parallel to the thickness direction of the insulating layer and passing through the center of the via bottom of the via hole appeared. These cross sections were observed by SEM (scanning electron microscope), and the top diameter and bottom diameter of via holes were measured from the observed images.
상기한 측정을 무작위로 선택한 5개소의 비아 홀로 행했다. 그리고, 측정된 5개소의 비아 홀의 탑 직경의 측정값의 평균을, 그 샘플의 비아 홀의 탑 직경(Lt1)으로서 채용했다. 또한, 측정된 5개소의 비아 홀의 보텀 직경의 측정값의 평균을, 그 샘플의 비아 홀의 보텀 직경(Lb1)으로서 채용했다.The above-mentioned measurement was carried out at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the measured diameters of the via holes of the five holes was adopted as the top diameter Lt1 of the via-hole of the sample. The average of the measured values of the bottom diameters of the via holes measured at five places was used as the bottom diameter Lb1 of the via-hole of the sample.
<조화 처리 후의 비아 홀의 치수 측정>≪ Measurement of Dimension of via Hole after Hardening >
샘플로서, 비아 가공 기판 A 대신에 조화 기판 A를 사용했다. 이상의 사항 이외에는, 상기 <조화 처리 전의 비아 홀의 치수 측정>과 동일한 조작을 행하여, 조화 처리 후의 비아 홀의 탑 직경(Lt2) 및 보텀 직경(Lb2)을 측정했다.As a sample, a harmonized substrate A was used in place of the via-processed substrate A. Except for the above, the same operation as in < Measurement of dimensions of via holes before harmonization treatment > was carried out to measure the top diameter (Lt2) and bottom diameter (Lb2) of via holes after the coarsening treatment.
<조화 처리 전의 할로잉 거리의 측정>≪ Measurement of haloing distance before harmonic treatment >
조화 처리 전에 비아 가공 기판 A를, 광학 현미경(하이록스사 제조 「KH8700」)으로 관찰했다. 상세하게는, 비아 홀의 주변의 절연층을, 광학 현미경(CCD)을 사용하여 비아 가공 기판 A의 상부에서 관찰했다. 이러한 관찰은, 비아 탑에 광학 현미경의 초점을 맞춰서 행했다. 관찰 결과, 비아 홀의 주위에, 상기 비아 홀의 비아 탑의 엣지로부터 연속해서 절연층이 흰색으로 변색된 도넛 형상의 할로잉부가 보였다. 여기서, 관찰된 상으로부터, 비아 홀의 비아 탑의 반경(할로잉부의 내주 반경에 상당)(r1)과, 할로잉부의 외주 반경(r2)을 측정하고, 이들 반경(r1)과 반경(r2)과의 차(r2-r1)를, 그 측정 지점의 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리로서 산출했다.The via-processed substrate A was observed with an optical microscope (" KH8700 " Specifically, the insulating layer around the via-hole was observed at the top of the via-processed substrate A using an optical microscope (CCD). This observation was made by focusing the optical microscope on the via-top. As a result of the observation, a donut-shaped halo portion having an insulating layer turned to white from the edge of the via-hole of the via-hole was observed around the via-hole. The radius (r1) of the via-hole of the via-hole (corresponding to the inner radius of the hollow portion) and the outer radius (r2) of the halo portion are measured from the observed image, and the radius r1 and the radius r2 (R2-r1) as the haloing distance from the edge of the via-top of the measurement point.
상기한 측정을 무작위로 선택한 5개소의 비아 홀로 행했다. 그리고, 측정된 5개소의 비아 홀의 할로잉 거리의 측정값의 평균을, 그 샘플의 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wt)로서 채용했다.The above-mentioned measurement was carried out at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the haloing distances of the five via holes measured was adopted as the haloing distance Wt from the edge of the via-top of the sample.
<조화 처리 후 할로잉 거리의 치수 측정>≪ Dimension measurement of haloing distance after harmonic treatment >
조화 기판 A에 대해, FIB-SEM 복합 장치(SII 나노 테크놀로지사 제조 「SMI3050SE」)를 사용하여, 단면 관찰을 행했다. 상세하게는, FIB(집속 이온 빔)를 사용하여, 절연층을, 상기 절연층의 두께 방향으로 평행하고 또한 비아 홀의 비아보텀의 중심을 지나는 단면이 나타나도록 깎아냈다. 이러한 단면을 SEM(주사형 전자 현미경)에 의해 관찰했다. 관찰 결과, 비아 보텀의 엣지로부터 연속해서, 절연층이 내층 기판의 동박층으로부터 박리하여 형성된 간극부가 관찰되었다. 관찰된 화상으로부터, 비아 보텀의 중심으로부터 비아 보텀의 엣지까지의 거리(할로잉부의 내주 반경에 상당)(r3)와, 비아 보텀의 중심으로부터 상기 간극부의 먼 측의 단부까지의 거리(할로잉부의 외주 반경에 상당)(r4)를 측정하고, 이들 거리(r3)와 거리(r4)의 차(r4-r3)를, 그 측정 지점의 비아 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리로서 산출했다.The cross-section of the coarsened substrate A was observed using an FIB-SEM composite device ("SMI3050SE" manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.). More specifically, using an FIB (focused ion beam), the insulating layer was scraped so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer and passing through the center of the via bottom of the via hole appeared. These cross sections were observed by SEM (scanning electron microscope). As a result of observation, a gap portion formed by peeling the insulating layer from the copper foil layer of the innerlayer substrate was observed successively from the edge of the via bottom. The distance r3 from the observed image to the edge of the via bottom at the center of the via bottom (corresponding to the inner radius of the halo portion) r3 and the distance from the center of the via bottom to the far side end of the via portion R4) of the distance r4 between the distance r4 and the distance r4 is calculated as the haloing distance from the edge of the via bottom of the measurement point.
상기한 측정을, 무작위로 선택한 5개소의 비아 홀로 행했다. 그리고, 측정된 5개소의 비아 홀의 할로잉 거리의 측정값의 평균을, 그 샘플의 비아 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wb)로서 채용했다.The above-described measurement was carried out at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the haloing distances of the five via holes measured was adopted as the haloing distance Wb from the edge of the via bottom of the sample.
[결과][result]
상기 실시예 및 비교예의 평가 결과를 하기의 표 2에 나타낸다.The evaluation results of the above Examples and Comparative Examples are shown in Table 2 below.
표 2에 있어서, 테이퍼율이란, 조화 처리 전의 비아 홀의 탑 직경(Lt1)과 보텀 직경(Lb1)과의 비「Lb1/Lt1」를 나타낸다. 이러한 테이퍼율(Lb1/Lt1)이 75% 이상이면 비아 가공성을 「양호」라고 판정하고, 테이퍼율(b1/Lt1) 75% 미만이면 비아 가공성을 「불량」이라고 판정했다.In Table 2, the taper ratio indicates the ratio " Lb1 / Lt1 " of the bottom diameter Lt1 of the via-hole before the harmonic treatment to the bottom diameter Lb1. When the taper ratio Lb1 / Lt1 was 75% or more, the via processability was judged as "good". When the taper ratio (b1 / Lt1) was less than 75%, the via processability was judged as "poor".
표 2에 있어서, 조화 처리 전의 할로잉비(Ht)란, 조화 처리 전의 비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wt)와, 조화 처리 전의 비아 홀의 비아 탑의 반경(Lt1/2)과의 비「Wt/(Lt1/2)」를 나타낸다. 이러한 할로잉비(Ht)가 35% 이하이면 할로잉 평가를 「양호」라고 판정하고, 할로잉비(Ht)가 35%보다 크면 할로잉 평가를 「불량」으로 판정했다.In Table 2, the halo ingot (Ht) before the roughening treatment is the ratio of the haloing distance (Wt) from the edge of the via-top before the roughening treatment to the radius (Lt1 / 2) of the via- Wt / (Lt1 / 2) ". If the halo ingot Ht is 35% or less, the halo ing evaluation is judged as "good". If the halo ingot Ht is higher than 35%, the halo ing evaluation is judged as "bad".
표 2에 있어서, 조화 처리 후의 할로잉비(Hb)란, 조화 처리 후의 비아 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wb)와, 조화 처리 후의 비아 홀의 비아 보텀의 반경(Lb2/2)과의 비「Wb/(Lb2/2)」를 나타낸다. 이러한 할로잉비(Hb)가 35% 이하이면 할로잉 평가를 「양호」라고 판정하고, 할로잉비(Ht)가 35%보다 크면 할로잉 평가를 「불량」으로 판정했다.In Table 2, the halo ingot (Hb) after the roughening treatment is the ratio of the haloing distance Wb from the edge of the via bottom after the roughening treatment to the radius Lb2 / 2 of the via bottom of the via hole after the roughening treatment Wb / (Lb2 / 2) ". If the halo ingot Hb is 35% or less, the halo ing evaluation is judged as "good". If the halo ingot Ht is greater than 35%, the halo ing evaluation is judged as "bad".
[검토][Review]
표 2로부터 알 수 있듯이, 실시예에 있어서는, 두께가 10㎛로 얇은 수지 조성물 층을 사용하여 절연층을 형성하고 있으면서, 상기 절연층에 테이퍼율이 큰 비아 홀을 형성할 수 있다. 이 결과로부터, 본 발명의 수지 조성물 층에 의해, 두께가 얇아도, 양호한 형상의 비아 홀을 형성 가능한 절연층을 실현할 수 있는 것이 확인되었다.As can be seen from Table 2, in the embodiment, a via hole having a large taper ratio can be formed in the insulating layer while forming an insulating layer using a resin composition layer having a thickness of 10 占 퐉. From these results, it was confirmed that the resin composition layer of the present invention can realize an insulating layer capable of forming a via-hole having a good shape even if the thickness is thin.
또한, 표 2로부터 알 수 있듯이, 실시예에 있어서는, 두께가 10㎛로 얇은 수지 조성물 층을 사용하여 절연층을 형성하고 있으면서, 비아 홀의 형성에 따라 생기는 할로잉부의 할로잉비가 작다. 이 결과로부터, 본 발명의 수지 조성물 층에 의해, 두께가 얇아도, 할로잉 현상의 억제가 가능한 절연층을 실현할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다.As can be seen from Table 2, in the examples, the insulating layer is formed by using the resin composition layer having a thickness of 10 占 퐉, and the haloing ratio of the halo portion due to the formation of the via hole is small. From these results, it was confirmed that the insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon can be realized by the resin composition layer of the present invention even if the thickness is thin.
특히, 상기한 실시예 1 및 실시예 2에서 얻어진 바와 같은, 두께가 15㎛ 이하이고, 비아 홀의 탑 직경이 35㎛ 이하이고, 비아 홀의 테이퍼율이 80% 이상이고, 비아 홀의 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리가 5㎛ 이하이고, 또한, 비아 홀의 보텀 반경에 대한 할로잉비가 35% 이하인 절연층은 종래 실현되어 있지 않았다. 따라서, 이러한 절연층을 실현할 수 있었던 것은, 절연층의 박형화가 요망되는 최근의 프린트 배선판에 있어서, 현저한 기술적 의의가 있다.Particularly, when the thickness of the via hole is 35 占 퐉 or less and the taper ratio of the via hole is 80% or more and the thickness of the via hole is 35 占 퐉 or less as obtained in Examples 1 and 2, An insulating layer having a haloing distance of 5 占 퐉 or less and a haloing ratio of 35% or less to the bottom radius of the via hole has not been realized in the past. Therefore, the reason why such an insulating layer can be realized is remarkable technical significance in a recent printed wiring board in which it is desired to make the insulating layer thinner.
실시예 1 내지 실시예 2에 있어서는, 조화 기판 A의 절연층 위에 도체층을 형성한 경우의 구체적인 결과를 나타내고 있지 않지만, 상기한 실시예의 결과를 보면, 조화 기판 A의 절연층 위에 도체층을 형성함으로써 요건 (i) 내지 (v)를 충족하는 특정 프린트 배선판을 얻을 수 있는 것은, 당업자가 명확하게 이해할 수 있다.In the first to second embodiments, although concrete results are not shown in the case where a conductor layer is formed on the insulating layer of the coarse substrate A, the results of the above-described embodiments show that a conductor layer is formed on the insulating layer of the coarse substrate A It is possible for a person skilled in the art to clearly understand that a specific printed wiring board satisfying the requirements (i) to (v) can be obtained.
또한, 실시예 1 내지 실시예 2에서, (D) 성분 내지 (F) 성분을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차이는 있지만, 상기 실시예와 동일한 결과에 귀착됨을 확인하였다.In Examples 1 to 2, even when the components (D) and (F) were not contained, it was confirmed that the results were the same as those of the above-mentioned Examples although there were differences in the degree.
100
절연층
100U
도체층과는 반대측의 절연층의 면
110
비아 홀
120
비아 보텀
120C
비아 보텀의 중심
130
비아 탑
140
할로잉부
150
비아 홀의 비아 탑의 엣지
160
할로잉부의 외주측의 엣지
170
비아 홀의 비아 보텀의 엣지
180
간극부
190
간극부의 외주측의 단부
200
내층 기판
210
도체층(제1 도체층)
220
제2 도체층
300
프린트 배선판
Lb
비아 홀의 보텀 직경
Lt
비아 홀의 탑 직경
T
절연층의 두께
Wt
비아 탑의 엣지로부터의 할로잉 거리
Wb
비아 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리100 insulating layer
The surface of the insulating layer on the opposite side of the 100U conductor layer
110 via hole
120 Via Bottom
120C Center of Via Bottom
130 Via Tower
140 Half a pig
150 Via hole Via top edge
160 Edge on the outer circumference side of the halo portion
170 Edge of Via Bottom of Via Hole
180 gap portion
190 End portion on the outer peripheral side of the gap portion
200 inner layer substrate
210 conductor layer (first conductor layer)
220 second conductor layer
300 printed wiring board
Bottom Diameter of Lb via Hole
Lt Via hole top diameter
T insulation layer thickness
Walt Via the edge of Via Pagoda
Wb The haloing distance from the edge of the via bottom
Claims (15)
수지 조성물이, (A) 에폭시 수지, (B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및 (C) 평균 입자 직경 100㎚ 이하의 무기 충전재를 포함하는, 수지 조성물 층.As the resin composition layer having a thickness of 15 mu m or less including the resin composition,
Wherein the resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having an average particle diameter of 100 nm or less. Resin composition layer.
수지 조성물이, (A) 에폭시 수지, (B) 수산기를 2개 이상 갖는 단환 또는 축합환으로서의 방향환을 함유하는 방향족 탄화수소 수지, 및 (C) 비표면적 15㎡/g 이상의 무기 충전재를 포함하는, 수지 조성물 층.As the resin composition layer having a thickness of 15 mu m or less including the resin composition,
Wherein the resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having a specific surface area of 15 m2 / Resin composition layer.
[화학식 1]
(화학식 1에 있어서, R0는 각각 독립적으로, 2가의 탄화수소기를 나타내고, n1은 0 내지 6의 정수를 나타낸다)
[화학식 2]
(화학식 2에 있어서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 탄화수소기를 나타낸다)The resin composition layer according to claim 1 or 2, wherein the component (B) is represented by the following formula (1) or (2).
[Chemical Formula 1]
(In the general formula (1), R 0 independently represents a divalent hydrocarbon group, and n1 represents an integer of 0 to 6)
(2)
(In the formula (2), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group)
[화학식 3]
(화학식 3에 있어서, n2는 0 내지 6의 정수를 나타낸다)
[화학식 4]
(화학식 4에 있어서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 탄화수소기를 나타낸다)The resin composition layer according to claim 1 or 2, wherein the component (B) is represented by the following formula (3) or (4).
(3)
(In the general formula (3), n2 represents an integer of 0 to 6)
[Chemical Formula 4]
(In the formula (4), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group)
지지체 위에 형성된 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물 층을 포함하는, 수지 시트.A support,
A resin sheet comprising the resin composition layer according to claim 1 or 2 formed on a support.
절연층의 두께가 15㎛ 이하이고,
절연층이 탑 직경 35㎛ 이하의 비아 홀을 갖고,
상기 비아 홀의 테이퍼율이 80% 이상이고,
상기 비아 홀의 보텀의 엣지로부터의 할로잉(haloing) 거리가 5㎛ 이하이고,
상기 비아 홀의 보텀 반경에 대한 할로잉비가 35% 이하인, 프린트 배선판.A printed wiring board comprising a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer,
The thickness of the insulating layer is 15 占 퐉 or less,
Wherein the insulating layer has a via hole with a top diameter of 35 mu m or less,
The taper ratio of the via hole is 80% or more,
The haloing distance from the edge of the bottom of the via hole is 5 占 퐉 or less,
And the haloing ratio to the bottom radius of the via-hole is 35% or less.
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---|---|---|---|---|
WO2022114859A1 (en) * | 2020-11-27 | 2022-06-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Circuit board and method for manufacturing same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012136693A (en) * | 2010-12-08 | 2012-07-19 | Ajinomoto Co Inc | Resin composition |
JP2014036051A (en) | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Ajinomoto Co Inc | Adhesive film, method of manufacturing hardening body, hardening body, wiring board, and semiconductor device |
JP2015003982A (en) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 住友ベークライト株式会社 | Resin composition for forming primer layer |
JP2016157821A (en) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 味の素株式会社 | Circuit board and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI410442B (en) * | 2005-11-29 | 2013-10-01 | Ajinomoto Kk | A resin composition for an insulating layer of a multilayer printed circuit board |
JP4983228B2 (en) * | 2005-11-29 | 2012-07-25 | 味の素株式会社 | Resin composition for insulating layer of multilayer printed wiring board |
US20110217512A1 (en) * | 2008-09-01 | 2011-09-08 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Laminated body and method for producing laminated body |
JP2013006893A (en) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Hitachi Chemical Co Ltd | High thermal conductivity resin composition, high thermal conductivity cured product, adhesive film, sealing film, and semiconductor device using them |
WO2013065758A1 (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 日立化成株式会社 | Resin composition, and resin sheet, prepreg, laminate, metal substrate, printed circuit board and power semiconductor device using same |
JP6021748B2 (en) * | 2013-06-19 | 2016-11-09 | 三井化学株式会社 | Olefin polymerization catalyst and process for producing olefin polymer using the same |
JP2016035969A (en) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 味の素株式会社 | Circuit board and method for manufacturing the same |
JP6408847B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-10-17 | 積水化学工業株式会社 | Resin composition |
JP6648425B2 (en) * | 2015-06-22 | 2020-02-14 | 味の素株式会社 | Resin composition |
-
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012136693A (en) * | 2010-12-08 | 2012-07-19 | Ajinomoto Co Inc | Resin composition |
JP2014036051A (en) | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Ajinomoto Co Inc | Adhesive film, method of manufacturing hardening body, hardening body, wiring board, and semiconductor device |
JP2015003982A (en) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 住友ベークライト株式会社 | Resin composition for forming primer layer |
JP2016157821A (en) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 味の素株式会社 | Circuit board and method of manufacturing the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022114859A1 (en) * | 2020-11-27 | 2022-06-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Circuit board and method for manufacturing same |
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