JP7279303B2 - Resin composition layer - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂組成物層に関する。さらには、本発明は、当該樹脂組成物層を含む樹脂シート;並びに、樹脂組成物層の硬化物で形成された絶縁層を含有する、プリント配線板及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin composition layer. Furthermore, the present invention relates to a resin sheet containing the resin composition layer; and a printed wiring board and a semiconductor device containing an insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer.

近年、電子機器の小型化を達成すべく、プリント配線板の更なる薄型化が進められている。それに伴い、内層基板における配線回路の微細化が進められている。例えば、特許文献1には、支持体及び樹脂組成物層を含む、微細配線に対応可能な樹脂シート(接着フィルム)が記載されている。 In recent years, in order to achieve miniaturization of electronic devices, printed wiring boards have been further thinned. Along with this, miniaturization of the wiring circuit in the inner layer substrate is being promoted. For example, Patent Literature 1 describes a resin sheet (adhesive film) that includes a support and a resin composition layer and is compatible with fine wiring.

特開2014-36051号公報JP 2014-36051 A

本発明者は、さらなる電子機器の小型化、薄型化を達成すべく、樹脂シートの樹脂組成物層を薄くすることを検討した。検討の結果、本発明者は、薄い樹脂組成物層を絶縁層に適用した場合に、ビアホールの形成後にハローイング現象が生じることを見出した。ここで、ハローイング現象とは、ビアホールの周囲において絶縁層の樹脂が変色する現象をいう。このようなハローイング現象は、通常、ビアホールの周囲の樹脂が劣化することによって生じる。さらにハローイング現象が生じた絶縁層に粗化処理を施すと、ハローイング現象が生じた絶縁層の部分(以下「ハローイング部」ということがある。)の樹脂が粗化処理時に浸食されて、絶縁層と内層基板との間で層間剥離が生じることがわかってきた。 In order to achieve further miniaturization and thinning of electronic devices, the inventors studied thinning the resin composition layer of the resin sheet. As a result of investigation, the present inventors have found that when a thin resin composition layer is applied to an insulating layer, a haloing phenomenon occurs after formation of via holes. Here, the haloing phenomenon refers to a phenomenon in which the resin of the insulating layer changes color around the via hole. Such a haloing phenomenon is usually caused by deterioration of the resin surrounding the via hole. Furthermore, when roughening treatment is applied to the insulating layer where the haloing phenomenon has occurred, the resin in the part of the insulating layer where the haloing phenomenon has occurred (hereinafter sometimes referred to as "haloing part") is eroded during the roughening treatment. It has been found that delamination occurs between the insulating layer and the inner layer substrate.

さらに、本発明者は、薄い樹脂組成物層を絶縁層に適用した場合、ビアホールの形状のコントロールが困難になり、良好な形状のビアホールが得られ難くなることを見い出した。ここで、ビアホールの形状が「良好」であるとは、ビアホールのテーパー率が1に近いことをいう。また、ビアホールのテーパー率とは、ビアホールのトップ径に対するボトム径の比率をいう。 Furthermore, the present inventors have found that when a thin resin composition layer is applied to the insulating layer, it becomes difficult to control the shape of via holes, making it difficult to obtain via holes of good shape. Here, the "good" shape of the via hole means that the taper ratio of the via hole is close to one. Also, the taper rate of a via hole means the ratio of the bottom diameter to the top diameter of the via hole.

上述した課題は、いずれも、樹脂組成物層の厚みを薄くしたことによってはじめて生じたものであり、従来は知られていなかった新規な課題である。プリント配線板の層間の導通信頼性を高める観点から、これらの課題は、その解決が望まれる。 All of the above-mentioned problems arise only when the thickness of the resin composition layer is reduced, and are new problems that have not been known in the past. From the viewpoint of improving the reliability of electrical connection between layers of a printed wiring board, it is desirable to solve these problems.

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、厚みが薄くても、ハローイング現象を抑制でき、且つ、良好な形状のビアホールの形成が可能な絶縁層を得られる樹脂組成物層;前記の樹脂組成物層を含む樹脂シート;ハローイング現象を抑制でき、良好な形状のビアホールの形成が可能な、薄い絶縁層を含むプリント配線板;並びに、前記のプリント配線板を含む半導体装置;を提供することを目的とする。 The present invention has been invented in view of the above-mentioned problems, and provides a resin composition layer capable of suppressing the haloing phenomenon and providing an insulating layer capable of forming well-shaped via holes even when the thickness is thin. a resin sheet comprising the above resin composition layer; a printed wiring board comprising a thin insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon and forming via holes of good shape; and a semiconductor device comprising the above printed wiring board. ; is intended to provide

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、並びに、(C)100nm以下の平均粒径及び15m/g以上の比表面積の少なくとも一方を有する無機充填材、を組み合わせて含む樹脂組成物により、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記の内容を含む。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having at least one of an average particle diameter of 100 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 /g or more. completed.
That is, the present invention includes the following contents.

〔1〕 樹脂組成物を含む厚み15μm以下の樹脂組成物層であって、
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、及び、(C)平均粒径100nm以下の無機充填材を含む、樹脂組成物層。
〔2〕 樹脂組成物を含む厚み15μm以下の樹脂組成物層であって、
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、及び、(C)比表面積15m/g以上の無機充填材を含む、樹脂組成物層。
〔3〕 (B)成分が、下記の式(1)又は式(2)で表される、〔1〕又は〔2〕記載の樹脂組成物層。

Figure 0007279303000001
(式(1)において、Rは、それぞれ独立して、2価の炭化水素基を表し、n1は、0~6の整数を表す。)
Figure 0007279303000002
(式(2)において、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基を表す。)
〔4〕 (B)成分が、下記の式(3)又は式(4)で表される、〔1〕~〔3〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
Figure 0007279303000003
(式(3)において、n2は、0~6の整数を表す。)
Figure 0007279303000004
(式(4)において、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基を表す。)
〔5〕 (B)成分の量が、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、5質量%~50質量%である、〔1〕~〔4〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
〔6〕 (C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、50質量%以上である、〔1〕~〔5〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
〔7〕 導体層を形成するための絶縁層形成用である、〔1〕~〔6〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
〔8〕 プリント配線板の層間絶縁層形成用である、〔1〕~〔7〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
〔9〕 トップ径35μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用である、〔1〕~〔8〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
〔10〕 支持体と、
支持体上に設けられた、〔1〕~〔9〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
〔11〕 〔1〕~〔9〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物層の硬化物で形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
〔12〕 第1の導体層、第2の導体層、及び、第1の導体層と第2の導体層との間に形成された絶縁層を含むプリント配線板であって、
絶縁層の厚みが、15μm以下であり、
絶縁層が、トップ径35μm以下のビアホールを有し、
該ビアホールのテーパー率が、80%以上であり、
該ビアホールのボトムのエッジからのハローイング距離が、5μm以下であり、
該ビアホールのボトム半径に対するハローイング比が、35%以下である、プリント配線板。
〔13〕 該ビアホールのボトム半径に対するハローイング比が、5%以上である、〔12〕記載のプリント配線板。
〔14〕 〔11〕~〔13〕のいずれか一項に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。 [1] A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less containing a resin composition,
The resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic compound having an average particle size of 100 nm or less. A resin composition layer containing a filler.
[2] A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less containing a resin composition,
The resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) a specific surface area of 15 m 2 /g or more. A resin composition layer containing an inorganic filler.
[3] The resin composition layer according to [1] or [2], wherein the component (B) is represented by the following formula (1) or (2).
Figure 0007279303000001
(In Formula (1), R 0 each independently represents a divalent hydrocarbon group, and n1 represents an integer of 0 to 6.)
Figure 0007279303000002
(In Formula (2), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group.)
[4] The resin composition layer according to any one of [1] to [3], wherein the component (B) is represented by the following formula (3) or (4).
Figure 0007279303000003
(In formula (3), n2 represents an integer of 0 to 6.)
Figure 0007279303000004
(In Formula (4), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group.)
[5] The amount of component (B) is 5% by mass to 50% by mass with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition, [1] to [4]. Resin composition layer.
[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the amount of component (C) is 50% by mass or more with respect to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition. layer.
[7] The resin composition layer according to any one of [1] to [6], which is used for forming an insulating layer for forming a conductor layer.
[8] The resin composition layer according to any one of [1] to [7], which is used for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board.
[9] The resin composition layer according to any one of [1] to [8], which is for forming an insulating layer having via holes with a top diameter of 35 μm or less.
[10] a support;
A resin sheet comprising a resin composition layer according to any one of [1] to [9] provided on a support.
[11] A printed wiring board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer according to any one of [1] to [9].
[12] A printed wiring board comprising a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer,
The thickness of the insulating layer is 15 μm or less,
The insulating layer has a via hole with a top diameter of 35 μm or less,
The taper rate of the via hole is 80% or more,
The haloing distance from the bottom edge of the via hole is 5 μm or less,
A printed wiring board, wherein the haloing ratio of the via hole to the bottom radius is 35% or less.
[13] The printed wiring board of [12], wherein the via hole has a haloing ratio to the bottom radius of 5% or more.
[14] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to any one of [11] to [13].

本発明によれば、厚みが薄くても、ハローイング現象を抑制でき、且つ、良好な形状のビアホールの形成が可能な絶縁層を得られる樹脂組成物層;前記の樹脂組成物層を含む樹脂シート;ハローイング現象を抑制でき、良好な形状のビアホールの形成が可能な、薄い絶縁層を含むプリント配線板;並びに、前記のプリント配線板を含む半導体装置;を提供できる。 According to the present invention, a resin composition layer capable of suppressing the haloing phenomenon and forming an insulating layer capable of forming a via hole with a good shape even if the thickness is thin; a resin containing the resin composition layer; It is possible to provide a sheet; a printed wiring board including a thin insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon and forming a via hole with a good shape; and a semiconductor device including the printed wiring board.

図1は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer obtained by curing a resin composition layer according to the first embodiment of the present invention together with an inner layer substrate. 図2は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層の、導体層とは反対側の面を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing the surface of the insulating layer obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention, opposite to the conductor layer. 図3は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た、粗化処理後の絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer after roughening treatment, which is obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention, together with an inner layer substrate. 図4は、本発明の第二実施形態に係るプリント配線板の模式的な断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a printed wiring board according to a second embodiment of the invention.

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the following embodiments and examples, and can be arbitrarily modified without departing from the scope of the claims of the present invention and their equivalents.

以下の説明において、樹脂組成物の「樹脂成分」とは、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、無機充填材を除いた成分をいう。 In the following description, the "resin component" of the resin composition refers to the non-volatile components contained in the resin composition excluding the inorganic filler.

[1.樹脂組成物層の概要]
本発明の樹脂組成物層は、所定値以下の厚みを有する薄い樹脂組成物の層である。また、本発明の樹脂組成物層が含む樹脂組成物は、
(A)エポキシ樹脂、
(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、並びに、
(C)100nm以下の平均粒径、及び、15m/g以上の比表面積、の少なくとも一方を有する無機充填材、を含む。
よって、本発明の樹脂組成物層が含む樹脂組成物には、下記の第一の樹脂組成物及び第二の樹脂組成物のいずれもが包含されうる。
[1. Overview of resin composition layer]
The resin composition layer of the present invention is a thin resin composition layer having a thickness equal to or less than a predetermined value. Further, the resin composition contained in the resin composition layer of the present invention is
(A) an epoxy resin,
(B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and
(C) an inorganic filler having at least one of an average particle size of 100 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 /g or more.
Therefore, the resin composition contained in the resin composition layer of the present invention can include both the following first resin composition and second resin composition.

(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、及び、(C)平均粒径100nm以下の無機充填材を含む、第一の樹脂組成物。 (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having an average particle size of 100 nm or less, A first resin composition.

(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、及び、(C)比表面積15m/g以上の無機充填材を含む、第二の樹脂組成物。 (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 /g or more. A second resin composition comprising:

このような樹脂組成物層を用いることにより、薄い絶縁層を得ることができる。そして、得られた絶縁層に、ハローイング現象を抑制しながら良好な形状のビアホールを形成できるという、本発明の所望の効果を得ることができる。 A thin insulating layer can be obtained by using such a resin composition layer. Then, it is possible to obtain the desired effect of the present invention that a via hole having a good shape can be formed in the obtained insulating layer while suppressing the haloing phenomenon.

[2.(A)成分:エポキシ樹脂]
(A)成分としてのエポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[2. (A) component: epoxy resin]
Examples of epoxy resins as component (A) include bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy resins, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, naphthylene ether-type epoxy resins, trimethylol-type epoxy resins, tetraphenylethane-type epoxy resins, and the like. Epoxy resins may be used singly or in combination of two or more.

樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(A)エポキシ樹脂の不揮発成分100質量%に対して、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、特に好ましくは70質量%以上である。 The resin composition preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule as (A) the epoxy resin. From the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100% by mass of the non-volatile components of the epoxy resin (A) is preferably 50% by mass. % or more, more preferably 60 mass % or more, and particularly preferably 70 mass % or more.

エポキシ樹脂には、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。)と、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(「固体状エポキシ樹脂」ということがある。)とがある。樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよいが、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含むことが好ましい。(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いることで、樹脂組成物層の可撓性を向上させたり、樹脂組成物層の硬化物の破断強度を向上させたりできる。 Epoxy resins include liquid epoxy resins at a temperature of 20° C. (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resins”) and solid epoxy resins at a temperature of 20° C. (sometimes referred to as “solid epoxy resins”). There is. As the epoxy resin (A), the resin composition may contain only a liquid epoxy resin or only a solid epoxy resin, but may contain a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin. is preferred. (A) By using a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as the epoxy resin, the flexibility of the resin composition layer is improved, and the breaking strength of the cured product of the resin composition layer is improved. can.

液状エポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する芳香族系の液状エポキシ樹脂がより好ましい。ここで、「芳香族系」のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。 The liquid epoxy resin is preferably a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule, more preferably an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule. Here, the “aromatic” epoxy resin means an epoxy resin having an aromatic ring in its molecule.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びシクロヘキサン型エポキシ樹脂がより好ましい。 Examples of liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and an ester skeleton. An alicyclic epoxy resin having a Resin is more preferred.

液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「828US」、「jER828EL」、「825」、「エピコート828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「jER807」、「1750」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品);ナガセケムテックス社製の「EX-721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂);ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂);ダイセル社製の「PB-3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4-グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of liquid epoxy resins include "HP4032", "HP4032D", and "HP4032SS" (naphthalene-type epoxy resins) manufactured by DIC; 828EL" (bisphenol A type epoxy resin); "jER807" and "1750" (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER152" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (phenol novolac type epoxy resin); manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation "630", "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin); Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. "ZX1059" (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); Nagase ChemteX Co., Ltd. "EX -721" (glycidyl ester type epoxy resin); Daicel's "Celoxide 2021P" (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); Daicel's "PB-3600" (epoxy resin having a butadiene structure); Nippon Steel "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Sumikin Chemical Co., Ltd., and the like can be mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

固体状エポキシ樹脂としては、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。 The solid epoxy resin is preferably a solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule, more preferably an aromatic solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule.

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましい。 Solid epoxy resins include bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resins and naphthylene ether type epoxy resins are more preferred.

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP-4700」、「HP-4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂);DIC社製の「N-690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「N-695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP-7200」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「EPPN-502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂);大阪ガスケミカル社製の「PG-100」、「CG-500」;三菱化学社製の「YL7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱化学社製の「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of solid epoxy resins include "HP4032H" (naphthalene-type epoxy resin) manufactured by DIC; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC; "N-690" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "N-695" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; DIC's "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" ( Naphthylene ether type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin); Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin); Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. "ESN485" (naphthol novolac type epoxy resin); "YX4000H", "YX4000", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; YX8800" (anthracene type epoxy resin); Osaka Gas Chemicals Co., Ltd. "PG-100", "CG-500"; Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YL7800 (fluorene type epoxy resin); "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(A)エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、好ましくは1:1~1:20、より好ましくは1:2~1:15、特に好ましくは1:5~1:13である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、適度な粘着性がもたらされる。また、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる。 (A) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the ratio by mass (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1:1 to 1:20. , more preferably 1:2 to 1:15, particularly preferably 1:5 to 1:13. The desired effect of the present invention can be remarkably obtained by setting the amount ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin within such a range. In addition, it usually provides moderate tackiness when used in the form of a resin sheet. In addition, when used in the form of a resin sheet, sufficient flexibility is usually obtained, and handleability is improved. Furthermore, usually, a cured product having sufficient breaking strength can be obtained.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50~5000、より好ましくは50~3000、さらに好ましくは80~2000、さらにより好ましくは110~1000である。この範囲となることで、樹脂組成物層の硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができる。 (A) The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50-5000, more preferably 50-3000, even more preferably 80-2000, still more preferably 110-1000. Within this range, the crosslink density of the cured product of the resin composition layer is sufficient, and an insulating layer with a small surface roughness can be obtained. Epoxy equivalent weight is the mass of resin containing one equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(A)エポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは100~5000、より好ましくは250~3000、さらに好ましくは400~1500である。
樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
(A) The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.
The weight average molecular weight of the resin can be measured as a polystyrene-equivalent value by a gel permeation chromatography (GPC) method.

樹脂組成物中の(A)エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、さらに好ましくは30質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは90質量%以下、より好ましくは85質量%以下、特に好ましくは80質量%以下である。 The amount of (A) epoxy resin in the resin composition is preferably 10% by mass with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. Above, more preferably 20% by mass or more, still more preferably 30% by mass or more. The upper limit of the epoxy resin content is preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, and particularly preferably 80% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

[3.(B)成分:水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂]
樹脂組成物は、(B)成分として、水酸基を2個以上有する芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂を含む。通常、芳香環が有する水酸基によって(B)成分は(A)エポキシ樹脂と反応できるので、(B)成分は、樹脂組成物を硬化させるための硬化剤として機能できる。そして、この(B)成分の作用により、ハローイング現象を抑制することができる。
[3. Component (B): Aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups]
The resin composition contains, as the component (B), an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring having two or more hydroxyl groups. Generally, component (B) can react with epoxy resin (A) due to the hydroxyl group of the aromatic ring, so component (B) can function as a curing agent for curing the resin composition. The effect of this component (B) can suppress the haloing phenomenon.

ここで、用語「芳香環」は、ベンゼン環のような単環としての芳香環、及び、ナフタレン環のような縮合環としての芳香環の、いずれも包含する。(B)成分に含まれる前記の芳香環1個当たりの炭素原子数は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは6個以上であり、好ましくは14個以下、より好ましくは10個以下である。 Here, the term "aromatic ring" includes both aromatic rings as monocyclic rings such as benzene rings and aromatic rings as condensed rings such as naphthalene rings. The number of carbon atoms per aromatic ring contained in component (B) is preferably 6 or more, preferably 14 or less, more preferably 14 or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. 10 or less.

芳香環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、等が挙げられる。また、芳香族炭化水素樹脂1分子に含まれる芳香環の種類は、1種類であってもよく、2種類以上であってもよい。 Examples of aromatic rings include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, and the like. The number of types of aromatic rings contained in one molecule of the aromatic hydrocarbon resin may be one, or two or more.

(B)成分としての芳香族炭化水素樹脂が含む芳香環のうち、少なくとも一つは、当該芳香環1個当たり2個以上の水酸基を有する。芳香環1個当たりの水酸基の数は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、3個以下が好ましく、2個が特に好ましい。 At least one of the aromatic rings contained in the aromatic hydrocarbon resin as component (B) has two or more hydroxyl groups per aromatic ring. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention, the number of hydroxyl groups per aromatic ring is preferably 3 or less, particularly preferably 2.

(B)成分の1分子当たりの、2個以上の水酸基を有する芳香環の数は、通常1個以上であり、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは2個以上、より好ましくは3個以上である。上限に特段の制限は無いが、立体障害を抑制してエポキシ樹脂との反応性を高める観点から、好ましくは6個以下、より好ましくは5個以下である。 The number of aromatic rings having two or more hydroxyl groups per molecule of component (B) is usually one or more, and from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, preferably two or more, more Three or more are preferable. Although there is no particular upper limit, the number is preferably 6 or less, more preferably 5 or less, from the viewpoint of suppressing steric hindrance and enhancing reactivity with the epoxy resin.

好適な(B)成分の例としては、下記の式(1)で表される芳香族炭化水素樹脂、及び、下記式(2)で表される芳香族炭化水素樹脂が挙げられる。 Suitable examples of component (B) include aromatic hydrocarbon resins represented by the following formula (1) and aromatic hydrocarbon resins represented by the following formula (2).

Figure 0007279303000005
Figure 0007279303000005

Figure 0007279303000006
Figure 0007279303000006

式(1)において、Rは、それぞれ独立して、2価の炭化水素基を表す。2価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を組み合わせた基であってもよい。2価の炭化水素基の炭素原子数は、通常1以上であり、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは3以上、6以上又は7以上としうる。前記の炭素原子数の上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは20以下、15以下又は10以下としうる。 In Formula (1), each R 0 independently represents a divalent hydrocarbon group. The divalent hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a combination of an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group. . The number of carbon atoms in the divalent hydrocarbon group is usually 1 or more, and preferably 3 or more, 6 or more, or 7 or more from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. The upper limit of the number of carbon atoms is preferably 20 or less, 15 or less, or 10 or less from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

の具体例としては、下記の炭化水素基が挙げられる。 Specific examples of R 0 include the following hydrocarbon groups.

Figure 0007279303000007
Figure 0007279303000007

式(1)において、n1は、0以上6以下の整数を表す。中でも、n1は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは1以上、より好ましくは2以上であり、好ましくは4以下、より好ましくは3以下である。 In Formula (1), n1 represents an integer of 0 or more and 6 or less. Among them, n1 is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, and preferably 4 or less, more preferably 3 or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.

式(1)で表される芳香族炭化水素樹脂を用いれば、ハローイング現象を特に効果的に抑制できる。 The haloing phenomenon can be particularly effectively suppressed by using the aromatic hydrocarbon resin represented by formula (1).

式(2)において、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基を表す。1価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を組み合わせた基であってもよい。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、脂肪族炭化水素基が好ましく、飽和脂肪族炭化水素基がより好ましく、鎖状飽和脂肪族炭化水素基が特に好ましい。1価の炭化水素基の炭素原子数は、通常1以上であり、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは20以下、より好ましくは15以下、10以下又は8以下である。R~Rの好ましい例としては、水素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等のアルキル基;が挙げられる。式(2)で表される芳香族炭化水素樹脂を用いれば、粗化処理時の浸食によるハローイング部の剥離を特に効果的に抑制できる。 In formula (2), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group. The monovalent hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a group combining an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group. . Among them, an aliphatic hydrocarbon group is preferable, a saturated aliphatic hydrocarbon group is more preferable, and a chain saturated aliphatic hydrocarbon group is particularly preferable, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. The number of carbon atoms in the monovalent hydrocarbon group is usually 1 or more, preferably 20 or less, more preferably 15 or less, 10 or less, or 8 or less from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. Preferred examples of R 1 to R 4 include hydrogen atoms; alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and hexyl group; By using the aromatic hydrocarbon resin represented by the formula (2), peeling of the haloing portion due to erosion during roughening treatment can be particularly effectively suppressed.

中でも、(B)成分として特に好ましい芳香族炭化水素樹脂としては、下記式(3)で表される芳香族炭化水素樹脂、及び、下記式(4)で表される芳香族炭化水素樹脂が挙げられる。式(3)において、n2は、式(1)のn1と同様に定義される整数を表し、好ましい範囲も同様である。また、式(4)において、R~Rは、式(2)におけるR~Rと同義である。 Among them, aromatic hydrocarbon resins particularly preferable as the component (B) include aromatic hydrocarbon resins represented by the following formula (3) and aromatic hydrocarbon resins represented by the following formula (4). be done. In formula (3), n2 represents an integer defined in the same manner as n1 in formula (1), and the preferred range is also the same. In formula (4), R 1 to R 4 have the same definitions as R 1 to R 4 in formula (2).

Figure 0007279303000008
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Figure 0007279303000009
Figure 0007279303000009

式(3)で表される芳香族炭化水素樹脂の市販品としては、例えば、下記式(5)で表される新日鉄住金化学社製のナフトール系硬化剤「SN395」が挙げられる。式(5)において、n3は、2又は3を表す。また、式(4)で表される芳香族炭化水素樹脂の市販品としては、例えば、群栄化学工業社製のフェノール系硬化剤「GRA13H」が挙げられる。 Examples of commercially available aromatic hydrocarbon resins represented by formula (3) include naphthol-based curing agent "SN395" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. represented by formula (5) below. In formula (5), n3 represents 2 or 3. Commercially available aromatic hydrocarbon resins represented by formula (4) include, for example, phenol-based curing agent “GRA13H” manufactured by Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd.

Figure 0007279303000010
Figure 0007279303000010

(B)成分としての芳香族炭化水素樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 The aromatic hydrocarbon resin as component (B) may be used singly or in combination of two or more.

(B)成分の水酸基当量は、樹脂組成物層の硬化物としての絶縁層の架橋密度を高める観点、及び、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは50g/eq以上、より好ましくは60g/eq以上、更に好ましくは70g/eq以上であり、また、好ましくは200g/eq以下、より好ましくは150g/eq以下、特に好ましくは120g/eq以下である。水酸基当量は、1当量の水酸基を含む樹脂の質量である。 The hydroxyl group equivalent of component (B) is preferably 50 g/eq or more, more It is preferably 60 g/eq or more, more preferably 70 g/eq or more, and is preferably 200 g/eq or less, more preferably 150 g/eq or less, and particularly preferably 120 g/eq or less. A hydroxyl equivalent is the mass of a resin containing one equivalent of hydroxyl.

樹脂組成物における(B)成分の量は、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは5質量%以上、より好ましくは7質量%以上、特に好ましくは9質量%以上であり、好ましくは50質量%以下、より好ましくは40質量%以下、30質量%以下又は20質量%以下である。(B)成分の量が前記範囲にあることにより、ハローイング現象を効果的に抑制できる。 The amount of component (B) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 7% by mass or more, and particularly preferably 9% by mass or more, relative to 100% by mass of the resin component in the resin composition. , preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, 30% by mass or less, or 20% by mass or less. When the amount of component (B) is within the above range, the haloing phenomenon can be effectively suppressed.

(A)エポキシ樹脂100質量%に対する(B)成分の量は、好ましくは5質量%以上、より好ましくは8質量%以上、特に好ましくは10質量%以上であり、好ましくは100質量%以下、より好ましくは50質量%以下、特に好ましくは30質量%以下である。(B)成分の量が前記範囲にあることにより、ハローイング現象を効果的に抑制できる。 (A) The amount of component (B) relative to 100% by mass of the epoxy resin is preferably 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, particularly preferably 10% by mass or more, and preferably 100% by mass or less. It is preferably 50% by mass or less, particularly preferably 30% by mass or less. When the amount of component (B) is within the above range, the haloing phenomenon can be effectively suppressed.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、(B)成分の水酸基数は、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上、更に好ましくは0.3以上であり、好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下、更に好ましくは1以下、特に好ましくは0.5以下である。ここで、「(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する(A)成分の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「(B)成分の水酸基数」とは、樹脂組成物中に存在する(B)成分の不揮発成分の質量を水酸基当量で除した値を全て合計した値である。(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合の(B)成分の水酸基数が前記範囲にあることにより、ハローイング現象を効果的に抑制できる。 When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the number of hydroxyl groups in the component (B) is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.3 or more, and preferably It is 2 or less, more preferably 1.5 or less, still more preferably 1 or less, and particularly preferably 0.5 or less. Here, "(A) the number of epoxy groups of the epoxy resin" is a value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the component (A) present in the resin composition by the epoxy equivalent and summing all the values. In addition, "the number of hydroxyl groups of component (B)" is the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile component of component (B) present in the resin composition by the hydroxyl equivalent. The haloing phenomenon can be effectively suppressed by setting the number of hydroxyl groups of the component (B) within the above range when the number of epoxy groups of the epoxy resin (A) is 1.

[4.(C)成分:100nm以下の平均粒径、及び、15m/g以上の比表面積、の少なくとも一方を有する無機充填材]
樹脂組成物は、(C)成分として、無機充填材を含む。無機充填材によれば、樹脂組成物層の硬化物の熱膨張係数を小さくできるので、リフロー反りが抑制された絶縁層を得ることができる。また、(C)成分としての無機充填材は、100nm以下の平均粒径、及び、15m/g以上の比表面積、の少なくとも一方を有する。無機充填材として、このような範囲の平均粒径及び比表面積の少なくとも一方を有する(C)成分を、(B)成分と組み合わせて用いることにより、良好な形状のビアホールの形成が可能な絶縁層を実現することができる。
[4. (C) Component: Inorganic filler having at least one of an average particle diameter of 100 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 /g or more]
The resin composition contains an inorganic filler as the (C) component. Since the thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition layer can be reduced by using the inorganic filler, it is possible to obtain an insulating layer in which reflow warpage is suppressed. In addition, the inorganic filler as component (C) has at least one of an average particle size of 100 nm or less and a specific surface area of 15 m 2 /g or more. By using the component (C) having at least one of the average particle diameter and the specific surface area within such ranges as the inorganic filler in combination with the component (B), an insulating layer capable of forming a via hole with a good shape. can be realized.

無機充填材の材料としては、無機化合物を用いる。無機充填材の材料の例としては、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。無機充填材は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 An inorganic compound is used as the material of the inorganic filler. Examples of inorganic filler materials include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, Magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide , barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, silica is particularly suitable. Examples of silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as silica, spherical silica is preferable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(C)成分の平均粒径は、絶縁層を薄くする観点、及び、ビアホールの形状のコントロールを可能にして良好な形状を実現する観点から、通常100nm以下、好ましくは90nm以下、より好ましくは80nm以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは50nm以上、60nm以上、又は、70nm以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、電気化学工業社製「UFP-30」、「UFP-40」等が挙げられる。 The average particle size of the component (C) is usually 100 nm or less, preferably 90 nm or less, more preferably 80 nm, from the viewpoint of thinning the insulating layer and realizing a favorable shape by enabling control of the shape of the via hole. It is below. Although the lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more, 60 nm or more, or 70 nm or more. Examples of commercially available inorganic fillers having such an average particle size include "UFP-30" and "UFP-40" manufactured by Denki Kagaku Kogyo.

無機充填材の平均粒径は、ミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「LA-500」、島津製作所社製「SALD-2200」等を使用することができる。 The average particle size of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler is prepared on a volume basis using a laser diffraction/scattering type particle size distribution measuring device, and the median diameter can be used as the average particle size for measurement. As a measurement sample, an inorganic filler dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction/scattering type particle size distribution analyzer, "LA-500" manufactured by Horiba Ltd., "SALD-2200" manufactured by Shimadzu Corporation, etc. can be used.

(C)成分の比表面積は、ビアホールの形状のコントロールを容易にして良好な形状を実現する観点から、通常15m/g以上、好ましくは20m/g以上、特に好ましくは30m/g以上である。また、このように比表面積が大きい(C)成分は、一般に、粒径が小さいので、絶縁層を薄くすることができる。上限に特段の制限は無いが、好ましくは60m/g以下、50m/g以下又は40m/g以下である。無機充填材の比表面積は、BET法によって測定できる。 The specific surface area of component (C) is usually 15 m 2 /g or more, preferably 20 m 2 /g or more, and particularly preferably 30 m 2 /g or more, from the viewpoint of facilitating control of the shape of the via hole and realizing a favorable shape. is. In addition, since the component (C), which has such a large specific surface area, generally has a small particle size, the insulating layer can be made thinner. Although there is no particular upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area of the inorganic filler can be measured by the BET method.

(C)成分としての無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、例えば、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。また、表面処理剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。 The inorganic filler as component (C) is preferably treated with a surface treatment agent from the viewpoint of enhancing moisture resistance and dispersibility. Examples of surface treatment agents include fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, alkoxysilanes, organosilazane compounds, and titanate compounds. A coupling agent etc. are mentioned. Moreover, one type of surface treatment agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「KBM403」(3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM803」(3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBE903」(3-アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM573」(N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「SZ-31」(ヘキサメチルジシラザン)、信越化学工業社製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM-4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)、信越化学工業社製「KBM-7103」(3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン)等が挙げられる。 Examples of commercially available surface treatment agents include "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "SZ-31" ( Hexamethyldisilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy type silane coupling agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM- 7103” (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane).

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、無機充填材100質量部は、0.2質量部~5質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、0.2質量部~3質量部で表面処理されていることが好ましく、0.3質量部~2質量部で表面処理されていることが好ましい。 From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the degree of surface treatment with the surface treatment agent is preferably within a predetermined range. Specifically, 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with 0.2-5 parts by mass of a surface treatment agent, and is surface-treated with 0.2-3 parts by mass. preferably 0.3 parts by mass to 2 parts by mass of the surface treatment.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、0.02mg/m以上が好ましく、0.1mg/m以上がより好ましく、0.2mg/m以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、1mg/m以下が好ましく、0.8mg/m以下がより好ましく、0.5mg/m以下が更に好ましい。 The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and more preferably 0.2 mg/m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in the sheet form, it is preferably 1 mg/m 2 or less, more preferably 0.8 mg/m 2 or less, and further preferably 0.5 mg/m 2 or less. preferable.

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「EMIA-320V」等を使用することができる。 The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (eg, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent, and ultrasonic cleaning is performed at 25° C. for 5 minutes. After removing the supernatant liquid and drying the solid content, a carbon analyzer can be used to measure the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Ltd. can be used.

樹脂組成物における(C)成分の量は、絶縁層の誘電正接を低くする観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは30質量%以上、より好ましくは35質量%以上、さらに好ましくは40質量%以上である。また、従来、無機充填材をこのように多く含む樹脂組成物の層が薄い場合、ビアホールの形状を良好にすることが困難であり、特に、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対する無機充填材の量が50質量%以上であると、良好な形状のビアホールの形成は特に困難であった。そこで、このように従来は特に困難であった良好な形状のビアホールを形成できるという本発明の利点を有効に活用する観点では、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対する(C)成分の量は、50質量%以上が好ましく、54質量%以上が特に好ましい。樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対する(C)成分の量の上限は、絶縁層の機械強度を高める観点から、好ましくは90質量%以下、より好ましくは85質量%以下、さらに好ましくは80質量%以下、又は75質量%以下である。 From the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent of the insulating layer, the amount of component (C) in the resin composition is preferably 30% by mass or more, more preferably 35% by mass, based on 100% by mass of non-volatile components in the resin composition. above, more preferably 40% by mass or more. In addition, conventionally, when the layer of the resin composition containing such a large amount of inorganic filler is thin, it is difficult to improve the shape of the via hole. When the amount of the material is 50% by mass or more, it is particularly difficult to form well-shaped via holes. Therefore, from the viewpoint of effectively utilizing the advantage of the present invention that it is possible to form a well-shaped via hole, which has been particularly difficult in the past, the amount of component (C) relative to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition is is preferably 50% by mass or more, particularly preferably 54% by mass or more. The upper limit of the amount of component (C) with respect to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition is preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, and even more preferably 80% by mass, from the viewpoint of increasing the mechanical strength of the insulating layer. % by mass or less, or 75% by mass or less.

[5.(D)成分:熱可塑性樹脂]
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に(D)熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
[5. (D) component: thermoplastic resin]
The resin composition may further contain (D) a thermoplastic resin as an optional component in addition to the components described above.

(D)成分としての熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点、並びに、表面粗さが小さく導体層との密着性に特に優れる絶縁層を得る観点から、フェノキシ樹脂が好ましい。また、熱可塑性樹脂は、1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of thermoplastic resins as component (D) include phenoxy resins, polyvinyl acetal resins, polyolefin resins, polybutadiene resins, polyimide resins, polyamideimide resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, and polyphenylene ether resins. , polycarbonate resins, polyetheretherketone resins, polyester resins, and the like. Among them, the phenoxy resin is preferable from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably and from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a small surface roughness and particularly excellent adhesion to the conductor layer. Further, the thermoplastic resin may be used singly or in combination of two or more.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。 Examples of phenoxy resins include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, and terpene. Examples include phenoxy resins having one or more skeletons selected from the group consisting of skeletons and trimethylcyclohexane skeletons. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group.

フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂);三菱化学社製の「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂);三菱化学社製の「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「FX280」及び「FX293」;三菱化学社製の「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及び「YL7482」;等が挙げられる。 Specific examples of phenoxy resins include Mitsubishi Chemical's "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins); Mitsubishi Chemical's "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin); "YX6954" (bisphenolacetophenone skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.; "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.; "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290" and "YL7482";

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の「電化ブチラール4000-2」、「電化ブチラール5000-A」、「電化ブチラール6000-C」、「電化ブチラール6000-EP」;積水化学工業社製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ(例えばBX-5Z)、KSシリーズ(例えばKS-1)、BLシリーズ、BMシリーズ;等が挙げられる。 Examples of polyvinyl acetal resins include polyvinyl formal resins and polyvinyl butyral resins, and polyvinyl butyral resins are preferred. Specific examples of polyvinyl acetal resins include Denka Butyral 4000-2, Denka Butyral 5000-A, Denka Butyral 6000-C, and Denka Butyral 6000-EP manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. S-LEC BH series, BX series (eg BX-5Z), KS series (eg KS-1), BL series, BM series;

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006-37083号公報記載のポリイミド)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002-12667号公報及び特開2000-319386号公報等に記載のポリイミド)等の変性ポリイミドが挙げられる。 Specific examples of the polyimide resin include "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" manufactured by Shin Nippon Rika. Specific examples of polyimide resins also include linear polyimides obtained by reacting bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, diisocyanate compounds and tetrabasic acid anhydrides (polyimides described in JP-A-2006-37083), and polysiloxane skeletons. Examples include modified polyimides such as polyimide containing (polyimides described in JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-319386).

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「KS9100」、「KS9300」(ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド)等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。 Specific examples of polyamide-imide resins include "VYLOMAX HR11NN" and "VYLOMAX HR16NN" manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of polyamideimide resins include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamideimides) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「PES5003P」等が挙げられる。 Specific examples of the polyethersulfone resin include "PES5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., and the like.

ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「OPE-2St 1200」等が挙げられる。 Specific examples of the polyphenylene ether resin include oligophenylene ether/styrene resin "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc., and the like.

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。 Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers.

(D)熱可塑性樹脂の重量平均分子量(Mw)は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは8,000以上、より好ましくは10,000以上、特に好ましくは20,000以上であり、好ましくは70,000以下、より好ましくは60,000以下、特に好ましくは50,000以下である。 (D) The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, and particularly preferably 20,000 or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. is preferably 70,000 or less, more preferably 60,000 or less, and particularly preferably 50,000 or less.

(D)熱可塑性樹脂を使用する場合、樹脂組成物における(D)熱可塑性樹脂の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上であり、好ましくは15質量%以下、より好ましくは12質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。 (D) When using a thermoplastic resin, the amount of the (D) thermoplastic resin in the resin composition is, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, relative to 100% by mass of the resin component in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1% by mass or more, preferably 15% by mass or less, more preferably 12% by mass or less, further preferably 10% by mass or less. % by mass or less.

[6.(E)成分:硬化剤]
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に、(B)成分以外の(E)硬化剤を含んでいてもよい。
[6. (E) component: curing agent]
In addition to the components described above, the resin composition may further contain (E) a curing agent other than the (B) component as an optional component.

(E)成分としての硬化剤としては、(A)成分を硬化させる作用を有するものを用いることができる。(E)硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。また、硬化剤は1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を併用してもよい。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、活性エステル系硬化剤が好ましい。 As the curing agent as the component (E), those having the effect of curing the component (A) can be used. (E) Curing agents include, for example, active ester curing agents, phenol curing agents, naphthol curing agents, benzoxazine curing agents, cyanate ester curing agents, and carbodiimide curing agents. Moreover, one type of curing agent may be used alone, or two or more types may be used in combination. Among them, an active ester curing agent is preferable from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention.

活性エステル系硬化剤としては、1分子中に1個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N-ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。 A compound having one or more active ester groups in one molecule can be used as the active ester curing agent. Among them, active ester curing agents include phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, esters of heterocyclic hydroxy compounds, and the like, and have two or more ester groups per molecule with high reaction activity. Preferred are compounds having The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferred, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferred. .

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。 Examples of carboxylic acid compounds include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、カテコール、α-ナフトール、β-ナフトール、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 Examples of phenol compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, Benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, phenol novolak, and the like. Here, the term "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing one molecule of dicyclopentadiene with two molecules of phenol.

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン-ジシクロペンチレン-フェニレンからなる2価の構造単位を表す。 Preferred specific examples of the active ester curing agent include an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated phenol novolac, and a benzoylated phenol novolac. active ester compounds containing Among them, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. "Dicyclopentadiene-type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」、「EXB-8150-65T」(DIC社製);ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「EXB9416-70BK」(DIC社製);フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「DC808」(三菱化学社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「YLH1026」(三菱化学社製);フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱化学社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱化学社製)、「YLH1030」(三菱化学社製)、「YLH1048」(三菱化学社製);等が挙げられる。 Commercially available active ester curing agents include, as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", and "HPC-8000H- 65TM", "EXB-8000L-65TM", "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC); "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure; including acetylated phenol novolak "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolak; and "DC808" as an active ester curing agent that is an acetylated phenol novolak. " (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as active ester curing agents that are benzoyl compounds of phenol novolak. ; and the like.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。 From the viewpoint of heat resistance and water resistance, the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent preferably have a novolak structure. From the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenolic curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenolic curing agent is more preferable.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」;日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」;新日鉄住金化学社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN-495V」「SN375」;DIC社製の「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」;等が挙げられる。 Specific examples of phenol-based curing agents and naphthol-based curing agents include "MEH-7700", "MEH-7810", and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei; "NHN" manufactured by Nippon Kayaku; "CBN", "GPH"; "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V", "SN375" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.; manufactured by DIC "TD-2090", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", "EXB-9500";

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「HFB2006M」、四国化成工業社製の「P-d」、「F-a」が挙げられる。 Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd., and "Pd" and "Fa" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3-メチレン-1,5-フェニレンシアネート)、4,4’-メチレンビス(2,6-ジメチルフェニルシアネート)、4,4’-エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2-ビス(4-シアネート)フェニルプロパン、1,1-ビス(4-シアネートフェニルメタン)、ビス(4-シアネート-3,5-ジメチルフェニル)メタン、1,3-ビス(4-シアネートフェニル-1-(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4-シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4-シアネートフェニル)エーテル、等の2官能シアネート樹脂;フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂;これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー;などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「PT30」及び「PT60」(フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「ULL-950S」(多官能シアネートエステル樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)等が挙げられる。 Examples of cyanate ester curing agents include bisphenol A dicyanate, polyphenolcyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylenecyanate), 4,4′-methylenebis(2,6-dimethylphenylcyanate), 4,4 '-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanatophenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethyl Bifunctional cyanate resins such as phenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatophenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanatophenyl)thioether, and bis(4-cyanatophenyl)ether; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak, cresol novolak, etc.; prepolymers obtained by partially triazinizing these cyanate resins; and the like. Specific examples of cyanate ester curing agents include "PT30" and "PT60" (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins), "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resins) and "BA230" manufactured by Lonza Japan. , "BA230S75" (a prepolymer in which part or all of bisphenol A dicyanate is triazined to form a trimer), and the like.

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「V-03」、「V-07」等が挙げられる。 Specific examples of carbodiimide curing agents include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., and the like.

(E)硬化剤を使用する場合、樹脂組成物における(E)硬化剤の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、さらに好ましくは12質量%以下である。 (E) When using a curing agent, the amount of (E) curing agent in the resin composition is, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, relative to 100% by mass of the resin component in the resin composition, Preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, still more preferably 12% by mass It is below.

また、(E)硬化剤を使用する場合、樹脂組成物における(E)硬化剤の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(B)成分100質量%に対して、好ましくは40質量%以上、より好ましくは50質量%以上、特に好ましくは60質量%以上であり、好ましくは120質量%以下、より好ましくは100質量%以下、特に好ましくは90質量%以下である。 Further, when using the (E) curing agent, the amount of the (E) curing agent in the resin composition is preferably based on 100% by mass of the component (B) from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention. is 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, particularly preferably 60% by mass or more, preferably 120% by mass or less, more preferably 100% by mass or less, and particularly preferably 90% by mass or less.

さらに、(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、(E)成分の活性基数は、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上であり、好ましくは2以下であり、より好ましくは1.5以下、更に好ましくは1以下、特に好ましくは0.5以下である。ここで、「(E)成分の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する(E)成分の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合の(E)成分の活性基数が前記範囲にあることにより、特に機械的強度に優れた絶縁層を得ることができる。 Furthermore, when the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the number of active groups in the component (E) is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and preferably 2 or less. It is preferably 1.5 or less, more preferably 1 or less, and particularly preferably 0.5 or less. Here, "the number of active groups of the component (E)" is the sum of all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile components of the component (E) present in the resin composition by the active group equivalent. When the number of active groups of the component (E) is within the above range when the number of epoxy groups of the epoxy resin (A) is 1, it is possible to obtain an insulating layer particularly excellent in mechanical strength.

[7.(F)成分:硬化促進剤]
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に、(F)硬化促進剤を含んでいてもよい。
[7. (F) Component: Curing accelerator]
The resin composition may further contain (F) a curing accelerator as an optional component in addition to the components described above.

硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of curing accelerators include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, and the like. Among them, phosphorus curing accelerators, amine curing accelerators, imidazole curing accelerators, and metallic curing accelerators are preferred, and amine curing accelerators, imidazole curing accelerators, and metallic curing accelerators are more preferred. The curing accelerator may be used singly or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4-メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。 Phosphorus curing accelerators include, for example, triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphosphonium thiocyanate. , tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferred.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4-ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,-トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセン等が挙げられ、4-ジメチルアミノピリジン、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセンが好ましい。 Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8-diazabicyclo (5,4,0)-undecene and the like, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾールが好ましい。 Examples of imidazole curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl imidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanurate, 2-phenylimidazole isocyanurate, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline , 2-phenylimidazoline and the like, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins, with 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole being preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「P200-H50」等が挙げられる。 As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and examples thereof include "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1-メチルグアニジン、1-エチルグアニジン、1-シクロヘキシルグアニジン、1-フェニルグアニジン、1-(o-トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、7-メチル-1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、1-メチルビグアニド、1-エチルビグアニド、1-n-ブチルビグアニド、1-n-オクタデシルビグアニド、1,1-ジメチルビグアニド、1,1-ジエチルビグアニド、1-シクロヘキシルビグアニド、1-アリルビグアニド、1-フェニルビグアニド、1-(o-トリル)ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エンが好ましい。 Guanidine curing accelerators include, for example, dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, Pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Dec-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide and the like, with dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene being preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Metal-based curing accelerators include, for example, organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of organometallic complexes include organocobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organocopper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. and the like, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of organic metal salts include zinc octoate, tin octoate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

(F)硬化促進剤を使用する場合、樹脂組成物における(F)硬化促進剤の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上、さらに好ましくは0.1質量%以上であり、好ましくは3質量%以下、より好ましくは2質量%以下、さらに好ましくは1.5質量%以下である。 (F) When using a curing accelerator, the amount of (F) curing accelerator in the resin composition is, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, relative to 100% by mass of the resin component of the resin composition , preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, still more preferably 0.1% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, further preferably It is 1.5% by mass or less.

[8.(G)成分:任意の添加剤]
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機充填材;有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物;難燃剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤等の樹脂添加剤;などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[8. (G) Component: optional additive]
The resin composition may further contain optional additives as optional components in addition to the components described above. Such additives include, for example, organic fillers; organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds; flame retardants, thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents; resin additives such as colorants; and the like. These additives may be used singly or in combination of two or more.

[9.樹脂組成物層の厚み]
樹脂組成物層は、上述した樹脂組成物で形成された層であって、所定値以下の厚みを有する。樹脂組成物層の具体的な厚みは、通常15μm以下、好ましくは14μm以下、更に好ましくは12μm以下である。従来、プリント配線板の絶縁層形成用の樹脂組成物層の厚みは、これよりも厚いことが一般的であった。これに対し、本発明者が、一般的な組成の樹脂組成物層を前記のように薄くしたところ、そのような薄い樹脂組成物層では、ハローイング現象の発生、及び、ビアホールの形状制御の困難化という、従来知られていなかった課題が生じることを見い出した。このような新たな課題を解決してプリント配線板の薄膜化に寄与する観点から、本発明の樹脂組成物層は、前記のように薄く設けられる。樹脂組成物層の厚みの下限は、任意であり、例えば1μm以上、3μm以上としうる。
[9. Thickness of resin composition layer]
The resin composition layer is a layer formed of the resin composition described above and has a thickness equal to or less than a predetermined value. A specific thickness of the resin composition layer is usually 15 μm or less, preferably 14 μm or less, more preferably 12 μm or less. Conventionally, the thickness of a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board was generally thicker than this. On the other hand, when the present inventor made a resin composition layer having a general composition thin as described above, such a thin resin composition layer caused the haloing phenomenon and difficulty in controlling the shape of the via hole. It was discovered that a previously unknown problem of increasing difficulty arises. From the viewpoint of solving such a new problem and contributing to the thinning of the printed wiring board, the resin composition layer of the present invention is provided thinly as described above. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is arbitrary, and can be, for example, 1 μm or more and 3 μm or more.

[10.樹脂組成物層の特性]
本発明の樹脂組成物層を硬化させることにより、樹脂組成物層の硬化物で形成された薄い絶縁層を得ることができる。この絶縁層には、良好な形状のビアホールを形成することができる。また、この絶縁層にビアホールを形成する際には、ハローイング現象を抑制することができる。以下、これらの効果について、図面を参照して説明する。
[10. Properties of Resin Composition Layer]
By curing the resin composition layer of the present invention, a thin insulating layer formed of the cured resin composition layer can be obtained. A well-shaped via hole can be formed in this insulating layer. Also, when forming a via hole in this insulating layer, the haloing phenomenon can be suppressed. These effects will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層100を、内層基板200と共に模式的に示す断面図である。この図1においては、ビアホール110のボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、絶縁層100を切断した断面を示す。
図1に示すように、本発明の第一実施形態に係る絶縁層100は、導体層210を含む内層基板200上に形成された樹脂組成物層を硬化させて得られた層であって、前記樹脂組成物層の硬化物からなる。また、絶縁層100には、ビアホール110が形成されている。ビアホール110は、一般に、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uに近いほど径が大きく、導体層210に近いほど径が小さい順テーパ状に形成され、理想的には、絶縁層100の厚み方向において一定の径を有する柱状に形成される。このビアホール110は、通常、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uにレーザー光を照射して、絶縁層100の一部を除去することで、形成される。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer 100 obtained by curing a resin composition layer according to the first embodiment of the present invention together with an inner layer substrate 200. FIG. 1 shows a cross section of insulating layer 100 taken along a plane passing through center 120C of bottom 120 of via hole 110 and parallel to the thickness direction of insulating layer 100. FIG.
As shown in FIG. 1, the insulating layer 100 according to the first embodiment of the present invention is a layer obtained by curing a resin composition layer formed on an inner layer substrate 200 including a conductor layer 210, It consists of the hardened|cured material of the said resin composition layer. A via hole 110 is formed in the insulating layer 100 . Via hole 110 generally has a larger diameter closer to surface 100U of insulating layer 100 opposite conductor layer 210 and a smaller diameter closer to conductor layer 210. Ideally, via hole 110 is formed in a forward tapered shape. It is formed in a columnar shape having a constant diameter in the thickness direction of 100 . The via hole 110 is usually formed by irradiating the surface 100U of the insulating layer 100 opposite to the conductor layer 210 with a laser beam to partially remove the insulating layer 100 .

前記のビアホール110の導体層210側のボトムを、適宜「ビアボトム」と呼び、符号120で示す。そして、このビアボトム120の径を、ボトム径Lbと呼ぶ。また、ビアホール110の導体層210とは反対側に形成された開口を、適宜「ビアトップ」と呼び、符号130で示す。そして、このビアトップ130の径を、トップ径Ltと呼ぶ。通常、ビアボトム120及びビアトップ130は、絶縁層100の厚み方向から見た平面形状が円形状に形成されるが、楕円形状であってもよい。ビアボトム120及びビアトップ130の平面形状が楕円形状である場合、そのボトム径Lb及びトップ径Ltは、それぞれ、前記の楕円形状の長径を表す。 The bottom of the via hole 110 on the side of the conductor layer 210 is appropriately called a “via bottom” and denoted by reference numeral 120 . The diameter of the via bottom 120 is called a bottom diameter Lb. An opening formed on the side of the via hole 110 opposite to the conductor layer 210 is appropriately called a “via top” and denoted by reference numeral 130 . The diameter of the via top 130 is called a top diameter Lt. Generally, the via bottom 120 and the via top 130 are circular when viewed in the thickness direction of the insulating layer 100, but they may be oval. When the planar shapes of the via bottom 120 and the via top 130 are elliptical, the bottom diameter Lb and the top diameter Lt respectively represent the longer diameters of the elliptical shapes.

このとき、ボトム径Lbをトップ径Ltで割って得られるテーパー率Lb/Lt(%)が100%に近いほど、そのビアホール110の形状は良好である。本発明の樹脂組成物層を用いれば、ビアホール110の形状を容易に制御することが可能であるので、テーパー率Lb/Ltが100%に近いビアホール110を実現することができる。 At this time, the closer to 100% the taper ratio Lb/Lt (%) obtained by dividing the bottom diameter Lb by the top diameter Lt, the better the shape of the via hole 110 . By using the resin composition layer of the present invention, it is possible to easily control the shape of via hole 110, and thus via hole 110 having a taper ratio Lb/Lt close to 100% can be realized.

例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成した場合、そのビアホール110のテーパー率Lb/Ltを、好ましくは60%~100%、より好ましくは70%~100%、特に好ましくは80%~100%にできる。 For example, the resin composition layer is heated at 100° C. for 30 minutes and then heated at 180° C. for 30 minutes to cure. Equation 2, when a via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm±2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions, the taper ratio Lb/Lt of the via hole 110 is preferably 60%. to 100%, more preferably 70% to 100%, particularly preferably 80% to 100%.

ビアホール110のテーパー率Lb/Ltは、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltから計算できる。また、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。 The taper ratio Lb/Lt of via hole 110 can be calculated from bottom diameter Lb and top diameter Lt of via hole 110 . In addition, the bottom diameter Lb and the top diameter Lt of the via hole 110 are obtained by using FIB (focused ion beam) to measure the insulating layer 100 so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and passing through the center 120C of the via bottom 120 appears. It can be measured by observing the cross section with an electron microscope after shaving as described above.

図2は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層100の、導体層210(図2では図示せず。)とは反対側の面100Uを模式的に示す平面図である。
図2に示すように、ビアホール110を形成された絶縁層100を見ると、このビアホール110の周囲に、絶縁層100が変色したハローイング部140が観察されることがある。このハローイング部140は、ビアホール110の形成時におけるハローイング現象によって形成されうるもので、通常、ビアホール110から連続して形成される。また、多くの場合、ハローイング部140は、白化部分となっている。
FIG. 2 schematically shows a surface 100U of the insulating layer 100 obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention, opposite to the conductor layer 210 (not shown in FIG. 2). is a plan view shown in FIG.
As shown in FIG. 2, when looking at the insulating layer 100 with the via hole 110 formed therein, a haloing portion 140 where the insulating layer 100 is discolored may be observed around the via hole 110 . The haloing portion 140 may be formed by a haloing phenomenon during formation of the via hole 110 and is normally formed continuously from the via hole 110 . Also, in many cases, the haloing portion 140 is a whitened portion.

本発明の樹脂組成物層を用いることにより、前記のハローイング現象を抑制できる。そのため、ハローイング部140のサイズを小さくでき、理想的にはハローイング部140を無くすことができる。ハローイング部140のサイズは、ビアホール110のビアトップ130のエッジ150からのハローイング距離Wtによって評価できる。 By using the resin composition layer of the present invention, the haloing phenomenon can be suppressed. Therefore, the size of the haloing portion 140 can be reduced, and ideally the haloing portion 140 can be eliminated. The size of the haloing portion 140 can be evaluated by the haloing distance Wt from the edge 150 of the via top 130 of the via hole 110 .

ビアトップ130のエッジ150は、ハローイング部140の内周側の縁部に相当する。ビアトップ130のエッジ150からのハローイング距離Wtとは、ビアトップ130のエッジ150から、ハローイング部140の外周側の縁部160までの距離を表す。ビアトップ130のエッジ150からのハローイング距離Wtが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたと評価できる。 The edge 150 of the via top 130 corresponds to the inner edge of the haloing portion 140 . The haloing distance Wt from the edge 150 of the via top 130 represents the distance from the edge 150 of the via top 130 to the outer edge 160 of the haloing portion 140 . It can be evaluated that the smaller the haloing distance Wt from the edge 150 of the via top 130, the more effectively the haloing phenomenon was suppressed.

例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成した場合、ビアトップ130のエッジ150からのハローイング距離Wtを、好ましくは6μm以下、より好ましくは5μm以下にできる。 For example, the resin composition layer is heated at 100° C. for 30 minutes and then heated at 180° C. for 30 minutes to cure. Equation 2, when a via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm±2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions, the haloing distance Wt from the edge 150 of the via top 130 is preferably can be 6 μm or less, more preferably 5 μm or less.

ビアトップ130のエッジ150からのハローイング距離Wtは、光学顕微鏡による観察によって測定できる。 A haloing distance Wt from the edge 150 of the via top 130 can be measured by observation with an optical microscope.

また、本発明者の検討によれば、一般に、ビアホール110の径が大きいほど、ハローイング部140のサイズが大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール110の径に対するハローイング部140のサイズの比率によって、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htにより、評価ができる。ここで、ビアホール110のトップ半径Lt/2とは、ビアホール110のビアトップ130の半径をいう。また、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htとは、ビアトップ130のエッジ150からのハローイング距離Wtを、ビアホール110のトップ半径Lt/2で割って得られる比率である。ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたことを表す。 Further, according to the study of the present inventors, it has been found that, in general, the size of the haloing portion 140 tends to increase as the diameter of the via hole 110 increases. Therefore, the degree of suppression of the haloing phenomenon can be evaluated by the ratio of the size of the haloing portion 140 to the diameter of the via hole 110 . For example, it can be evaluated by the haloing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 . Here, the top radius Lt/2 of via hole 110 means the radius of via top 130 of via hole 110 . The haloing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 is a ratio obtained by dividing the haloing distance Wt of the via top 130 from the edge 150 by the top radius Lt/2 of the via hole 110 . The smaller the haloing ratio Ht with respect to the top radius Lt/2 of the via hole 110, the more effectively the haloing phenomenon was suppressed.

例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成した場合、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htを、好ましくは45%以下、より好ましくは40%以下、更に好ましくは35%以下にできる。 For example, the resin composition layer is heated at 100° C. for 30 minutes and then heated at 180° C. for 30 minutes to cure. Equation 2, when a via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm±2 μm is formed by irradiating a CO 2 laser beam under burst mode (10 kHz) conditions, the haloing ratio Ht with respect to the top radius Lt/2 of the via hole 110 is It is preferably 45% or less, more preferably 40% or less, still more preferably 35% or less.

ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htは、ビアホール110のトップ径Lt、及び、ビアホール110のビアトップ130のエッジ150からのハローイング距離Wtから計算できる。 The haloing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 can be calculated from the top diameter Lt of the via hole 110 and the haloing distance Wt of the via hole 110 from the edge 150 of the via top 130 .

図3は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た、粗化処理後の絶縁層100を、内層基板200と共に模式的に示す断面図である。この図3においては、ビアホール110のビアボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、絶縁層100を切断した断面を示す。
図3に示すように、ビアホール110が形成された絶縁層100に粗化処理を施すと、ハローイング部140の絶縁層100が導体層210から剥離して、ビアボトム120のエッジ170から連続した間隙部180が形成されることがある。この間隙部180は、通常、粗化処理の際にハローイング部140が浸食されて形成される。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the insulating layer 100 after roughening treatment, which is obtained by curing the resin composition layer according to the first embodiment of the present invention, together with the inner layer substrate 200 . 3 shows a cross section of insulating layer 100 taken along a plane passing through center 120C of via bottom 120 of via hole 110 and parallel to the thickness direction of insulating layer 100. FIG.
As shown in FIG. 3 , when the insulating layer 100 having the via hole 110 formed therein is roughened, the insulating layer 100 of the haloing portion 140 is peeled off from the conductor layer 210 , leaving a continuous gap from the edge 170 of the via bottom 120 . A portion 180 may be formed. This gap portion 180 is usually formed by eroding the haloing portion 140 during the roughening process.

本発明の樹脂組成物層を用いることにより、前記のように、ハローイング現象を抑制できる。そのため、ハローイング部140のサイズを小さくでき、理想的にはハローイング部140を無くすことができる。したがって、導体層210からの絶縁層100の剥離を抑制することができるので、間隙部180のサイズを小さくできる。 By using the resin composition layer of the present invention, the haloing phenomenon can be suppressed as described above. Therefore, the size of the haloing portion 140 can be reduced, and ideally the haloing portion 140 can be eliminated. Therefore, peeling of the insulating layer 100 from the conductor layer 210 can be suppressed, so that the size of the gap 180 can be reduced.

ビアボトム120のエッジ170は、間隙部180の内周側の縁部に相当する。よって、ビアボトム120のエッジ170から、間隙部180の外周側の端部(即ち、ビアボトム120の中心120Cから遠い側の端部)190までの距離Wbは、間隙部180の面内方向のサイズに相当する。ここで、面内方向とは、絶縁層100の厚み方向に垂直な方向をいう。また、以下の説明において、前記の距離Wbを、ビアホール110のビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbということがある。 The edge 170 of the via bottom 120 corresponds to the inner edge of the gap 180 . Therefore, the distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 to the edge 190 on the outer peripheral side of the gap 180 (that is, the edge far from the center 120C of the via bottom 120) is the size of the gap 180 in the in-plane direction. Equivalent to. Here, the in-plane direction means a direction perpendicular to the thickness direction of the insulating layer 100 . Further, in the following description, the distance Wb may be referred to as a haloing distance Wb of the via hole 110 from the edge 170 of the via bottom 120 .

ビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbによって、間隙部180の形成の抑制の程度を評価できる。具体的には、ビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbが小さいほど、間隙部180の形成を効果的に抑制できたと評価できる。 A haloing distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 can be used to evaluate the extent to which the formation of the gap 180 is suppressed. Specifically, it can be evaluated that the smaller the haloing distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 is, the more effectively the formation of the gap 180 can be suppressed.

また、間隙部180は、ハローイング部140の絶縁層100が剥離して形成されたものであるから、その寸法は、ハローイング現象140のサイズに相関がある。よって、ビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたと評価できる。 Moreover, since the gap 180 is formed by peeling the insulating layer 100 of the haloing portion 140 , the size of the gap 180 is correlated with the size of the haloing phenomenon 140 . Therefore, it can be evaluated that the smaller the haloing distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 is, the more effectively the haloing phenomenon can be suppressed.

例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で15分間乾燥する。このような粗化処理を施した場合、ビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbを、好ましくは60μm以下、より好ましくは50μm以下、特に好ましくは40μm以下にできる。 For example, the resin composition layer is heated at 100° C. for 30 minutes and then heated at 180° C. for 30 minutes to cure. Formula 2: A via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm±2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions. After that, it is immersed in a swelling solution at 60°C for 10 minutes, then in an oxidizing agent solution at 80°C for 20 minutes, then in a neutralizing solution at 40°C for 5 minutes, and then dried at 80°C for 15 minutes. When such roughening treatment is performed, the haloing distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 can be preferably 60 μm or less, more preferably 50 μm or less, and particularly preferably 40 μm or less.

ビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。 The haloing distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 is measured by using an FIB (focused ion beam) to cut the insulating layer 100 so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and passing through the center 120C of the via bottom 120 appears. It can be measured by observing the cross section with an electron microscope after shaving it out.

さらに、本発明者の検討によれば、一般に、ビアホール110の径が大きいほど、ハローイング部140のサイズが大きくなり易いので、間隙部180のサイズも大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール110の径に対する間隙部180のサイズの比率によって、ハローイング現象の抑制の程度を評価でき、ひいては間隙部180の形成の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbにより、評価ができる。ここで、ビアホール110のボトム半径Lb/2とは、ビアホール110のビアボトム120の半径をいう。また、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbとは、ビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbを、ビアホール110のボトム半径Lb/2で割って得られる比率である。ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbが小さいほど、間隙部180の形成を効果的に抑制できたことを表す。 Furthermore, according to the study of the present inventor, generally, the larger the diameter of the via hole 110, the larger the size of the haloing portion 140 tends to be, so it has been found that the size of the gap portion 180 also tends to be large. there is Therefore, the degree of suppression of the haloing phenomenon can be evaluated by the ratio of the size of the gap 180 to the diameter of the via hole 110, and thus the degree of suppression of the formation of the gap 180 can be evaluated. For example, the haloing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 can be used for evaluation. Here, the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 means the radius of the via bottom 120 of the via hole 110 . The haloing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 is a ratio obtained by dividing the haloing distance Wb of the via bottom 120 from the edge 170 by the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 . The smaller the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110, the more effectively the formation of the gap 180 can be suppressed.

例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で15分間乾燥する。このような粗化処理を施した場合、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbを、好ましくは60%以下、より好ましくは50%以下、更に好ましくは40%以下にできる。 For example, the resin composition layer is heated at 100° C. for 30 minutes and then heated at 180° C. for 30 minutes to cure. Formula 2: A via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm±2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions. After that, it is immersed in a swelling solution at 60°C for 10 minutes, then in an oxidizing agent solution at 80°C for 20 minutes, then in a neutralizing solution at 40°C for 5 minutes, and then dried at 80°C for 15 minutes. When such roughening treatment is performed, the haloing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 can be made preferably 60% or less, more preferably 50% or less, still more preferably 40% or less.

ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbは、ビアホール110のボトム径Lb、及び、ビアホール110のビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbから計算できる。 The haloing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 can be calculated from the bottom radius Lb of the via hole 110 and the haloing distance Wb of the via hole 110 from the edge 170 of the via bottom 120 .

プリント配線板の製造過程において、ビアホール110は、通常、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uに別の導体層(図示せず)が設けられていない状態で、形成される。そのため、プリント配線板の製造過程が分かれば、導体層210側にビアボトム120があり、導体層210とは反対側にビアトップ130が開口している構造が、明確に認識できる。しかし、完成したプリント配線板では、絶縁層100の両側に導体層が設けられている場合がありうる。この場合、導体層との位置関係によってビアボトム120とビアトップ130とを区別することが難しいことがありえる。しかし、通常、ビアトップ130のトップ径Ltは、ビアボトム120のボトム径Lb以上の大きさである。したがって、前記の場合、径が大きさによって、ビアボトム120とビアトップ130とを区別することが可能である。 In the process of manufacturing a printed wiring board, via hole 110 is normally formed without another conductor layer (not shown) provided on surface 100U of insulating layer 100 opposite conductor layer 210 . Therefore, if the manufacturing process of the printed wiring board is known, the structure in which the via bottom 120 is on the conductor layer 210 side and the via top 130 is opened on the side opposite to the conductor layer 210 can be clearly recognized. However, the completed printed wiring board may have conductor layers on both sides of the insulating layer 100 . In this case, it may be difficult to distinguish between the via bottom 120 and the via top 130 depending on the positional relationship with the conductor layer. However, the top diameter Lt of the via top 130 is usually larger than the bottom diameter Lb of the via bottom 120 . Therefore, in the above case, it is possible to distinguish between the via bottom 120 and the via top 130 according to the size of the diameter.

本発明の樹脂組成物層によって前記のような効果が得られる仕組みを、本発明者は、下記のように推測する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記に説明する仕組みによって制限されるものでは無い。 The present inventor presumes the mechanism by which the resin composition layer of the present invention achieves the effects described above as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the mechanism described below.

通常、ビアホール110を形成する際には、絶縁層100のビアホール110を形成しようとする部分に熱、光等のエネルギーが与えられる。この際に与えられたエネルギーの一部は、ビアホール110を形成しようとする部分の周囲に伝わり、樹脂の酸化を生じさせることがありえる。このような酸化が生じると、樹脂が劣化し、ハローイング現象として現れうる。しかし、(B)成分が、水酸基を2個以上有する芳香環を有するので、前記水酸基の立体障害作用により、樹脂の酸化反応の進行を抑制することができる。したがって、本発明の樹脂組成物層を用いて得られる絶縁層100では、ハローイング現象を抑制することができる。 Generally, when forming the via hole 110, energy such as heat or light is applied to a portion of the insulating layer 100 where the via hole 110 is to be formed. Part of the energy applied at this time is transmitted to the periphery of the portion where via hole 110 is to be formed, possibly causing oxidation of the resin. Such oxidation can degrade the resin and manifest itself as a haloing phenomenon. However, since the component (B) has an aromatic ring having two or more hydroxyl groups, the steric hindrance of the hydroxyl groups can suppress the progress of the oxidation reaction of the resin. Therefore, the haloing phenomenon can be suppressed in the insulating layer 100 obtained using the resin composition layer of the present invention.

また、平均粒径及び比表面積の説明から分かるように、樹脂組成物層に含まれる(C)成分の粒径は、通常、小さい。(C)成分の粒径が小さいので、絶縁層100に与えられたエネルギーは、絶縁層100の厚み方向に良好に伝わることができる。例えば、絶縁層100の面100Uに熱エネルギー又は光エネルギーが与えられると、そのエネルギーは大きな減衰を生じることなく厚み方向に伝わることができる。そのため、テーパー率が大きいビアホール110を容易に形成できるので、そのビアホール110の形状を良好にすることが可能である。 Moreover, as can be seen from the description of the average particle size and specific surface area, the particle size of the component (C) contained in the resin composition layer is usually small. Since the particle size of the component (C) is small, the energy applied to the insulating layer 100 can be transmitted well in the thickness direction of the insulating layer 100 . For example, when heat energy or light energy is applied to the surface 100U of the insulating layer 100, the energy can be transmitted in the thickness direction without significant attenuation. Therefore, the via hole 110 having a large taper rate can be easily formed, and the shape of the via hole 110 can be improved.

[11.樹脂組成物層の用途]
本発明の樹脂組成物層は、絶縁用途の樹脂組成物層として好適に使用することができる。具体的には、本発明の樹脂組成物層は、プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂組成物層(プリント配線板の絶縁層形成用の樹脂組成物層)として好適に使用することができ、更に、プリント配線板の層間絶縁層を形成するための樹脂組成物層(プリント配線板の層間絶縁層形成用の樹脂組成物層)としてより好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物層は、絶縁層上に導体層(再配線層を含む。)を形成するための当該絶縁層を形成するための樹脂組成物層(導体層を形成するための絶縁層形成用樹脂組成物層)として好適に使用できる。
[11. Application of resin composition layer]
The resin composition layer of the present invention can be suitably used as a resin composition layer for insulation. Specifically, the resin composition layer of the present invention is suitably used as a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board (a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board). Furthermore, it can be used more preferably as a resin composition layer for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (a resin composition layer for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board). Further, the resin composition layer of the present invention is a resin composition layer for forming a conductor layer (including a rewiring layer) on an insulating layer (a resin composition layer for forming a conductor layer). It can be suitably used as a resin composition layer for forming an insulating layer).

特に、ハローイング現象を抑制でき、且つ、良好な形状のビアホールの形成が可能であるという利点を有効に活用する観点から、前記の樹脂組成物層は、ビアホールを有する絶縁層を形成するための樹脂組成物層(ビアホールを有する絶縁層形成用の樹脂組成物層)として好適であり、中でも、トップ径35μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用の樹脂組成物層として特に好適である。 In particular, from the viewpoint of effectively utilizing the advantages of being able to suppress the haloing phenomenon and being able to form well-shaped via holes, the resin composition layer is used to form an insulating layer having via holes. It is suitable as a resin composition layer (resin composition layer for forming an insulating layer having via holes), and particularly suitable as a resin composition layer for forming an insulating layer having via holes with a top diameter of 35 μm or less.

[12.樹脂シート]
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた本発明の樹脂組成物層とを含む。
[12. resin sheet]
The resin sheet of the present invention includes a support and the resin composition layer of the present invention provided on the support.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(以下「PMMA」と略称することがある。)等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(以下「TAC」と略称することがある。)、ポリエーテルサルファイド(以下「PES」と略称することがある。)、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET") and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PEN"). ) and other polyesters, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"), cyclic polyolefins, triacetyl cellulose (hereinafter may be abbreviated as "TAC"), polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"), polyether ketone, polyimide, and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。 When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, with copper foil being preferred. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and other metals (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. may be used.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。 The support may be subjected to matte treatment, corona treatment, antistatic treatment, or the like on the surface to be bonded to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種類以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック社製の「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」;東レ社製の「ルミラーT60」;帝人社製の「ピューレックス」;ユニチカ社製の「ユニピール」;等が挙げられる。 Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. The release agent used in the release layer of the release layer-attached support includes, for example, one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . As the support with a release layer, a commercially available product may be used, for example, "SK-1", " AL-5", "AL-7"; "Lumirror T60" manufactured by Toray Industries, Inc.; "Purex" manufactured by Teijin; "Unipeel" manufactured by Unitika;

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、5μm~75μmの範囲が好ましく、10μm~60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚みが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. When a release layer-attached support is used, the thickness of the release layer-attached support as a whole is preferably within the above range.

また、樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。斯かる任意の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に設けられた、支持体に準じた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm~40μmである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。 Moreover, the resin sheet may contain arbitrary layers other than the support and the resin composition layer, if necessary. Examples of such an optional layer include a protective film conforming to the support provided on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). be done. Although the thickness of the protective film is not particularly limited, it is, for example, 1 μm to 40 μm. The protective film can prevent dust from adhering to the surface of the resin composition layer and scratches on the surface of the resin composition layer.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤及び樹脂組成物を含む樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより、製造することができる。 For the resin sheet, for example, a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition is prepared, the resin varnish is applied onto a support using a coating device such as a die coater, and dried to form a resin composition layer. It can be manufactured by forming.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤;セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN-メチルピロリドン等のアミド系溶剤;等を挙げることができる。有機溶剤は、1種類単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。 Examples of organic solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; acetic ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; carbitols such as cellosolve and butyl carbitol. Solvents; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は、特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%~60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃~150℃で3分間~10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be carried out by a method such as heating or blowing hot air. Although the drying conditions are not particularly limited, drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes The resin composition layer can be formed.

樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、通常は、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。 The resin sheet can be wound into a roll and stored. When the resin sheet has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.

[13.プリント配線板]
本発明のプリント配線板は、上述したように薄い樹脂組成物層の硬化物で形成された絶縁層を備える。また、この絶縁層は、ビアホールの形成の際にハローイング現象を抑制でき、且つ、良好な形状のビアホールの形成が可能である。よって、本発明の樹脂組成物層を用いることにより、ハローイング現象又はビアホールの形状の悪化による性能の低下を抑制しながら、プリント配線板の薄型化を達成することができる。
[13. Printed wiring board]
The printed wiring board of the present invention is provided with an insulating layer formed of a cured product of a thin resin composition layer as described above. In addition, this insulating layer can suppress the haloing phenomenon when forming the via hole, and can form the via hole with a good shape. Therefore, by using the resin composition layer of the present invention, it is possible to reduce the thickness of the printed wiring board while suppressing the deterioration of the performance due to the haloing phenomenon or the deterioration of the shape of the via hole.

ビアホールは、通常、当該ビアホールを有する絶縁層の両側に設けられた導体層を導通させるために設けられる。よって、本発明のプリント配線板は、通常、第1の導体層、第2の導体層、及び、第1の導体層と第2の導体層との間に形成された絶縁層を含む。そして、絶縁層にビアホールが形成され、そのビアホールを通じて第1の導体層と第2の導体層とが導通しうる。 A via hole is usually provided to conduct conductor layers provided on both sides of an insulating layer having the via hole. Therefore, the printed wiring board of the present invention usually includes a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer. A via hole is formed in the insulating layer, and the first conductor layer and the second conductor layer can be electrically connected through the via hole.

ハローイング現象の抑制が可能であり、且つ、良好な形状のビアホールを形成できるという樹脂組成物層の利点を活用することにより、従来は実現が困難であった特定プリント配線板を実現することができる。この特定プリント配線板は、第1の導体層、第2の導体層、及び、第1の導体層と第2の導体層との間に形成された絶縁層を含むプリント配線板であって、下記の要件(i)~(v)を全て満たす。
(i)絶縁層の厚みが、15μm以下である。
(ii)絶縁層が、トップ径35μm以下のビアホールを有する。
(iii)該ビアホールのテーパー率が、80%以上である。
(iv)該ビアホールのビアボトムのエッジからのハローイング距離が、5μm以下である。
(v)該ビアホールのボトム半径に対するハローイング比が、35%以下である。
By utilizing the advantages of the resin composition layer that it is possible to suppress the haloing phenomenon and to form via holes of good shape, it is possible to realize a specific printed wiring board that has been difficult to achieve in the past. can. This specific printed wiring board is a printed wiring board comprising a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer, All of the following requirements (i) to (v) are satisfied.
(i) The thickness of the insulating layer is 15 μm or less.
(ii) The insulating layer has a via hole with a top diameter of 35 μm or less.
(iii) The via hole has a taper ratio of 80% or more.
(iv) The haloing distance from the edge of the via bottom of the via hole is 5 μm or less.
(v) The haloing ratio of the via hole to the bottom radius is 35% or less.

以下、図面を示して、特定プリント配線板について説明する。図4は、本発明の第二実施形態に係るプリント配線板300の模式的な断面図である。この図4においては、ビアホール110のビアボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、プリント配線板300を切断した断面を示す。また、図4においては、図1~図3に記載された要素に相当する部位は、図1~図3で用いたのと同様の符号を付して示す。 The specific printed wiring board will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a printed wiring board 300 according to the second embodiment of the invention. 4 shows a cross section of printed wiring board 300 taken along a plane passing through center 120C of via bottom 120 of via hole 110 and parallel to the thickness direction of insulating layer 100. FIG. Also, in FIG. 4, parts corresponding to the elements described in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals as used in FIGS.

図4に示すように、本発明の第二実施形態に係る特定プリント配線板300は、第1の導体層210、第2の導体層220、及び、第1の導体層210と第2の導体層220との間に形成された絶縁層100を含む。絶縁層100には、ビアホール110が形成されている。また、通常、第2の導体層220は、ビアホール110が形成された後で設けられたものである。よって、第2の導体層220は、通常、絶縁層100の面100Uだけでなく、ビアホール110内にも形成され、このビアホール110を通して第1の導体層210と第2の導体層220とが導通している。 As shown in FIG. 4, the specific printed wiring board 300 according to the second embodiment of the present invention includes a first conductor layer 210, a second conductor layer 220, and the first conductor layer 210 and the second conductor It includes an insulating layer 100 formed between it and layer 220 . A via hole 110 is formed in the insulating layer 100 . Also, the second conductor layer 220 is usually provided after the via hole 110 is formed. Therefore, the second conductor layer 220 is normally formed not only on the surface 100U of the insulating layer 100 but also in the via hole 110, and the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 are electrically connected through the via hole 110. are doing.

特定プリント配線板300が含む絶縁層100の厚みTは、通常15μm以下、好ましくは12μm以下、より好ましくは10μm以下、特に好ましくは5μm以下である。特定プリント配線板300は、このように薄い絶縁層100を有するものであるので、特定プリント配線板300自体の薄型化を達成できる。絶縁層100の厚みTの下限は、絶縁層100の絶縁性能を高くする観点から、好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上、特に好ましくは3μm以上である。ここで、絶縁層100の厚みTとは、第1の導体層210と第2の導体層220との間の絶縁層100の寸法を表し、第1の導体層210又は第2の導体層220が無い位置での絶縁層100の寸法を表すものではない。絶縁層100の厚みTは、通常、当該絶縁層100を介して対向する第1の導体層210の主面210Uと第2の導体層220の主面220Dとの間の距離に一致し、また、ビアホール110の深さに一致する。 The thickness T of insulating layer 100 included in specific printed wiring board 300 is usually 15 μm or less, preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less, and particularly preferably 5 μm or less. Since the specific printed wiring board 300 has such a thin insulating layer 100, the thickness of the specific printed wiring board 300 itself can be reduced. The lower limit of the thickness T of the insulating layer 100 is preferably 1 μm or more, more preferably 2 μm or more, and particularly preferably 3 μm or more, from the viewpoint of enhancing the insulating performance of the insulating layer 100 . Here, the thickness T of the insulating layer 100 represents the dimension of the insulating layer 100 between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220. It does not represent the dimension of the insulating layer 100 at the position where there is no . The thickness T of the insulating layer 100 usually matches the distance between the main surface 210U of the first conductor layer 210 and the main surface 220D of the second conductor layer 220 facing each other with the insulating layer 100 interposed therebetween, and , corresponds to the depth of the via hole 110 .

特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のトップ径Ltは、通常35μm以下、好ましくは33μm以下、特に好ましくは32μm以下である。特定プリント配線板300は、このようにトップ径Ltが小さいビアホール110を有する絶縁層100を含むので、第1の導体層210及び第2の導体層220を含む配線の微細化を促進することができる。ビアホール110のトップ径Ltの下限は、ビアホール110の形成を容易に行う観点から、好ましくは3μm以上、より好ましくは10μm以上、特に好ましくは15μm以上である。 The top diameter Lt of via hole 110 of insulating layer 100 included in specific printed wiring board 300 is usually 35 μm or less, preferably 33 μm or less, and particularly preferably 32 μm or less. Since the specific printed wiring board 300 includes the insulating layer 100 having the via hole 110 with the small top diameter Lt, it is possible to promote miniaturization of the wiring including the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220. can. The lower limit of the top diameter Lt of via hole 110 is preferably 3 μm or more, more preferably 10 μm or more, and particularly preferably 15 μm or more, from the viewpoint of facilitating formation of via hole 110 .

特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のテーパー率Lb/Lt(%)は、通常80%~100%である。特定プリント配線板300は、このようにテーパー率Lb/Ltが高い良好な形状のビアホール110を有する絶縁層100を含むものである。よって、特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。 The taper ratio Lb/Lt (%) of via hole 110 in insulating layer 100 included in specific printed wiring board 300 is usually 80% to 100%. The specific printed wiring board 300 includes the insulating layer 100 having the well-shaped via holes 110 with a high taper ratio Lb/Lt. Therefore, specific printed wiring board 300 can generally improve the reliability of conduction between first conductor layer 210 and second conductor layer 220 .

特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbは、通常5μm以下、好ましくは4μm以下である。特定プリント配線板300は、ビアボトム120のエッジ170からのハローイング距離Wbがこのように小さく、よって、第1の導体層210からの絶縁層100の剥離が小さい。よって、特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。 The haloing distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 of the via hole 110 of the insulating layer 100 included in the specific printed wiring board 300 is usually 5 μm or less, preferably 4 μm or less. The specific printed wiring board 300 has such a small haloing distance Wb from the edge 170 of the via bottom 120 , so that the peeling of the insulating layer 100 from the first conductor layer 210 is small. Therefore, specific printed wiring board 300 can generally improve the reliability of conduction between first conductor layer 210 and second conductor layer 220 .

特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbは、通常35%以下、好ましくは33%以下、更に好ましくは31%以下である。特定プリント配線板300は、ボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbがこのように小さく、よって、第1の導体層210からの絶縁層100の剥離が小さい。このようにハローイング比Hbが小さい絶縁層100を含む特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。ボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbの下限は、理想的にはゼロであるが、通常は5%以上である。 The haloing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of via hole 110 of insulating layer 100 included in specific printed wiring board 300 is usually 35% or less, preferably 33% or less, and more preferably 31% or less. The specific printed wiring board 300 has such a small haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb/2. A specific printed wiring board 300 including an insulating layer 100 having such a small haloing ratio Hb can generally improve the reliability of conduction between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 . The lower limit of the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb/2 is ideally zero, but is usually 5% or more.

特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110の数は、1個でもよく、2個以上でもよい。絶縁層100が2個以上のビアホール110を有する場合、その一部が要件(ii)~(v)を満たしていてもよいが、その全部が要件(ii)~(v)を満たすことが好ましい。また、例えば、絶縁層100から無作為に選んだ5箇所のビアホール110が、平均で、要件(ii)~(v)を満たすことが好ましい。 The number of via holes 110 included in insulating layer 100 included in specific printed wiring board 300 may be one, or two or more. When the insulating layer 100 has two or more via holes 110, some of them may satisfy requirements (ii) to (v), but it is preferable that all of them satisfy requirements (ii) to (v). . Also, for example, five via holes 110 randomly selected from the insulating layer 100 preferably satisfy requirements (ii) to (v) on average.

上述した特定プリント配線板300は、本発明の樹脂組成物層の硬化物によって絶縁層100を形成することにより、実現できる。この際、絶縁層100に形成されるビアホール110のビアボトム120及びビアトップ130の平面形状は任意であるが、通常は円形状又は楕円形状であり、好ましくは円形状である。 The specific printed wiring board 300 described above can be realized by forming the insulating layer 100 from the cured resin composition layer of the present invention. At this time, the planar shape of via bottom 120 and via top 130 of via hole 110 formed in insulating layer 100 is arbitrary, but is usually circular or elliptical, preferably circular.

特定プリント配線板等のプリント配線板は、例えば、樹脂シートを用いて、下記の工程(I)~工程(III)を含む製造方法を行うことにより、製造できる。
(I)内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、樹脂シートを積層する工程。
(II)樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。
(III)絶縁層にビアホールを形成する工程。
A printed wiring board such as a specific printed wiring board can be manufactured, for example, by using a resin sheet and performing a manufacturing method including the following steps (I) to (III).
(I) A step of laminating a resin sheet on the inner layer substrate such that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate.
(II) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.
(III) A step of forming via holes in the insulating layer.

工程(I)で用いる「内層基板」とは、プリント配線板の基板となる部材である。内層基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。通常、内層基板としては、その片面又は両面に、導体層を有しているものを用いる。そして、この導体層上に、絶縁層を形成する。この導体層は、例えば回路として機能させるために、パターン加工されていてもよい。基板の片面または両面に回路として導体層が形成された内層基板は、「内層回路基板」ということがある。また、プリント配線板を製造する際に更に絶縁層及び/又は導体層が形成されるべき中間製造物も、「内層基板」に含まれる。プリント配線板が部品内蔵回路板である場合、部品を内蔵した内層基板を使用してもよい。 The "inner layer substrate" used in step (I) is a member that serves as the substrate of the printed wiring board. Examples of inner layer substrates include glass epoxy substrates, metal substrates, polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, thermosetting polyphenylene ether substrates, and the like. Usually, as the inner layer substrate, one having a conductor layer on one side or both sides thereof is used. Then, an insulating layer is formed on this conductor layer. This conductor layer may be patterned, for example, to function as a circuit. An inner layer substrate having a conductor layer formed as a circuit on one side or both sides of the substrate is sometimes referred to as an "inner layer circuit board." Further, an intermediate product on which an insulating layer and/or a conductor layer are further formed when manufacturing a printed wiring board is also included in the "inner layer board". When the printed wiring board is a circuit board with built-in components, an inner layer board with built-in components may be used.

内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを内層基板に加熱圧着することにより、内層基板に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを内層基板に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ということがある。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、内層基板の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 Lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed, for example, by bonding the resin composition layer to the inner layer substrate by thermocompression bonding the resin sheet to the inner layer substrate from the support side. Examples of the member for thermocompression bonding the resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter sometimes referred to as "thermocompression bonding member") include heated metal plates (such as SUS end plates) and metal rolls (SUS rolls). . Instead of pressing the thermocompression member directly onto the resin sheet, it is preferable to press through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet can sufficiently follow the uneven surface of the inner layer substrate.

内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃~160℃、より好ましくは80℃~140℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa~1.77MPa、より好ましくは0.29MPa~1.47MPaの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは20秒間~400秒間、より好ましくは30秒間~300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。 Lamination of the inner layer substrate and the resin sheet may be performed by, for example, a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the thermocompression temperature is preferably in the range of 60° C. to 160° C., more preferably 80° C. to 140° C., and the thermocompression pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0. .29 MPa to 1.47 MPa, and the heat pressing time is preferably 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアップリケーター、バッチ式真空加圧ラミネーター等が挙げられる。 Lamination can be done with a commercially available vacuum laminator. Commercially available vacuum laminators include, for example, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials, a batch vacuum pressurized laminator, and the like.

積層の後に、常圧下(大気圧下)で、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed by, for example, pressing a thermocompression member from the support side under normal pressure (atmospheric pressure). Pressing conditions for the smoothing treatment may be the same as the thermocompression bonding conditions for the lamination described above. Smoothing treatment can be performed with a commercially available laminator. Lamination and smoothing may be performed continuously using the above-mentioned commercially available vacuum laminator.

工程(II)において、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して採用される条件を任意に使用してよい。 In step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions for the resin composition layer are not particularly limited, and any conditions employed when forming an insulating layer of a printed wiring board may be used.

例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は、通常120℃~240℃の範囲(好ましくは150℃~220℃の範囲、より好ましくは170℃~200℃の範囲)、硬化時間は、通常5分間~120分間の範囲(好ましくは10分間~100分間、より好ましくは15分間~90分間)とすることができる。 For example, the thermosetting conditions for the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, etc., but the curing temperature is usually in the range of 120° C. to 240° C. (preferably 150° C. to 220° C., more preferably 170° C. C. to 200.degree. C.), and the curing time is usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を、硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上115℃以下、より好ましくは70℃以上110℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を、通常5分間以上(好ましくは5分間~150分間、より好ましくは15分間~120分間、さらに好ましくは15分間~100分間)予備加熱してもよい。 Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is usually heated at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 115 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 110 ° C. or lower). may be preheated for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, still more preferably 15 minutes to 100 minutes).

工程(III)において、絶縁層にビアホールを形成する。ビアホールの形成方法としては、レーザー光の照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー光の照射は、一般に、ハローイング現象が生じ易い。そこで、ハローイング現象の抑制という効果を有効に活用する観点から、レーザー光の照射が好ましい。 In step (III), via holes are formed in the insulating layer. Methods for forming via holes include laser light irradiation, etching, mechanical drilling, and the like. Among them, laser light irradiation generally tends to cause a haloing phenomenon. Therefore, from the viewpoint of effectively utilizing the effect of suppressing the haloing phenomenon, laser light irradiation is preferable.

このレーザー光の照射は、例えば、光源として、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、エキシマレーザー等のレーザー光源を有するレーザー加工機を用いて行うことができる。用いられ得るレーザー加工機としては、例えば、ビアメカニクス社製COレーザー加工機「LC-2k212/2C」、三菱電機社製の605GTWIII(-P)、松下溶接システム社製のレーザー加工機、などが挙げられる。 This laser beam irradiation can be performed, for example, using a laser processing machine having a laser light source such as a carbon dioxide laser, a YAG laser, or an excimer laser as a light source. Laser processing machines that can be used include, for example, CO 2 laser processing machine "LC-2k212/2C" manufactured by Via Mechanics, 605 GTW III (-P) manufactured by Mitsubishi Electric, laser processing machine manufactured by Matsushita Welding Systems, etc. is mentioned.

レーザー光の波長、パルス数、パルス幅、出力等のレーザー光の照射条件は、特に限定されず、レーザー光源の種類に応じた適切な条件を設定してよい。 Laser light irradiation conditions such as the wavelength, number of pulses, pulse width, and output of the laser light are not particularly limited, and appropriate conditions may be set according to the type of laser light source.

ところで、支持体は、工程(I)と工程(II)の間に除去してもよく、工程(II)と工程(III)との間に除去してもよく、工程(III)の後で除去してもよい。中でも、抉れ部の発生をより抑制する観点から、絶縁層にビアホールを形成する工程(III)の後に除去することが好ましい。例えば、レーザー光の照射によって絶縁層にビアホールを形成した後に支持体を剥離すると、良好な形状のビアホールを形成し易い。 By the way, the support may be removed between step (I) and step (II), may be removed between step (II) and step (III), or may be removed after step (III). may be removed. In particular, from the viewpoint of further suppressing the generation of gouged portions, it is preferable to remove after the step (III) of forming via holes in the insulating layer. For example, if a via hole is formed in an insulating layer by irradiation with a laser beam and then the support is peeled off, it is easy to form a well-shaped via hole.

プリント配線板の製造方法は、更に、(IV)絶縁層を粗化処理する工程、及び、(V)導体層を形成する工程を含んでいてもよい。これらの工程(IV)及び工程(V)は、プリント配線板の製造に用いられる各種方法に従って実施してよい。なお、支持体を工程(III)の後に除去する場合、該支持体の除去は、工程(III)と工程(IV)との間に実施してもよく、工程(IV)と工程(V)との間に実施してよい。 The method for manufacturing a printed wiring board may further include the steps of (IV) roughening the insulating layer and (V) forming the conductor layer. These steps (IV) and (V) may be carried out according to various methods used in the manufacture of printed wiring boards. In addition, when the support is removed after step (III), the removal of the support may be performed between step (III) and step (IV), and step (IV) and step (V) may be performed. may be carried out between

工程(IV)は、絶縁層を粗化処理する工程である。粗化処理の手順及び条件は、特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して使用される任意の手順及び条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に実施して、絶縁層を粗化処理することができる。 Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The procedure and conditions of the roughening treatment are not particularly limited, and any procedure and conditions used when forming an insulating layer of a printed wiring board can be adopted. For example, the insulating layer can be roughened by performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralizing treatment with a neutralizing liquid in this order.

膨潤液としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液が挙げられる。該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液及び水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」等が挙げられる。また、膨潤液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、30℃~90℃の膨潤液に絶縁層を1分間~20分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、40℃~80℃の膨潤液に絶縁層を5分間~15分間浸漬させることが好ましい。 Examples of the swelling liquid include, but are not limited to, alkaline solutions, surfactant solutions, and the like, preferably alkaline solutions. As the alkaline solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferred. Examples of commercially available swelling liquids include "Swelling Dip Securigans P" and "Swelling Dip Securigans SBU" manufactured by Atotech Japan. Moreover, one type of swelling liquid may be used alone, or two or more types may be used in combination at an arbitrary ratio. The swelling treatment with the swelling liquid is not particularly limited, but can be performed, for example, by immersing the insulating layer in the swelling liquid at 30.degree. C. to 90.degree. C. for 1 to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling liquid at 40° C. to 80° C. for 5 minutes to 15 minutes.

酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、酸化剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃~80℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を10分間~30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は、5質量%~10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製の「コンセントレート・コンパクトCP」、「ドージングソリューション・セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。 Examples of the oxidizing agent include, but are not limited to, an alkaline permanganate solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide. Moreover, one type of oxidizing agent may be used alone, or two or more types may be used in combination at an arbitrary ratio. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganate solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60° C. to 80° C. for 10 to 30 minutes. The permanganate concentration in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganate solutions such as "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Security P" manufactured by Atotech Japan.

中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「リダクションソリューション・セキュリガントP」が挙げられる。また、中和液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた処理面を30℃~80℃の中和液に5分間~30分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた対象物を、40℃~70℃の中和液に5分間~20分間浸漬する方法が好ましい。 As the neutralizing liquid, an acidic aqueous solution is preferable, and commercially available products include, for example, "Reduction Solution Securigant P" manufactured by Atotech Japan. Further, the neutralizing liquid may be used singly, or two or more types may be used in combination at an arbitrary ratio. The treatment with the neutralizing solution can be carried out by immersing the treated surface roughened with the oxidizing agent in the neutralizing solution at 30° C. to 80° C. for 5 to 30 minutes. From the viewpoint of workability, etc., a method of immersing an object roughened with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40° C. to 70° C. for 5 to 20 minutes is preferable.

工程(V)は、導体層を形成する工程である。導体層に使用する導体材料は、特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種類以上の金属を含む。導体層は、単金属層であってもよく、合金層であってもよい。合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種類以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又は、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層;が好ましい。さらには、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又はニッケル・クロム合金の合金層;がより好ましく、銅の単金属層が特に好ましい。 Step (V) is a step of forming a conductor layer. A conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer contains one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Contains metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. The alloy layer includes, for example, a layer formed from an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, ease of patterning, etc., a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; or nickel-chromium alloy, copper - An alloy layer of a nickel alloy or a copper-titanium alloy; is preferable. Furthermore, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; or an alloy layer of a nickel-chromium alloy; is more preferred, and a single metal layer of copper is particularly preferred.

導体層は、単層構造であってもよく、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層を2層以上含む複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。 The conductor layer may have a single layer structure, or may have a multi-layer structure including two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

導体層の厚みは、所望のプリント配線板のデザインによるが、一般に3μm~35μm、好ましくは5μm~30μmである。 The thickness of the conductor layer is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm, depending on the desired printed wiring board design.

導体層は、めっきにより形成してよい。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。中でも、製造の簡便性の観点から、セミアディティブ法により形成することが好ましい。 The conductor layer may be formed by plating. For example, a conductive layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by techniques such as a semi-additive method and a full-additive method. Among them, the semi-additive method is preferable from the viewpoint of manufacturing simplicity.

以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。まず、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。 An example of forming a conductor layer by a semi-additive method is shown below. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a portion of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern. After forming a metal layer on the exposed plating seed layer by electroplating, the mask pattern is removed. After that, the unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.

また、必要に応じて、工程(I)~工程(V)による絶縁層及び導体層の形成を繰り返して実施し、多層プリント配線板を製造してもよい。 Further, if necessary, the formation of the insulating layer and the conductor layer in steps (I) to (V) may be repeated to produce a multilayer printed wiring board.

[14.半導体装置]
本発明の半導体装置は、前記のプリント配線板を含む。この半導体装置は、プリント配線板を用いて製造することができる。
[14. semiconductor device]
A semiconductor device of the present invention includes the printed wiring board described above. This semiconductor device can be manufactured using a printed wiring board.

半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。 Examples of semiconductor devices include various semiconductor devices used in electrical appliances (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft, etc.).

半導体装置は、例えば、プリント配線板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは、半導体を材料とする電気回路素子を任意に用いることができる。 A semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) on a conductive portion of a printed wiring board. A "conducting part" is a "part where an electric signal is transmitted on a printed wiring board", and the place may be a surface or an embedded part. Moreover, the semiconductor chip can arbitrarily use an electric circuit element made of a semiconductor.

半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されない。実装方法の例としては、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。 A method of mounting a semiconductor chip when manufacturing a semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Examples of mounting methods include wire bonding mounting method, flip chip mounting method, mounting method by bumpless build-up layer (BBUL), mounting method by anisotropic conductive film (ACF), and mounting by non-conductive film (NCF). methods, and the like. Here, "a mounting method using a build-up layer without bumps (BBUL)" refers to a "mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a concave portion of a printed wiring board and the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board are connected." is.

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「%」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" representing amounts mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. In addition, unless otherwise specified, the operations described below were performed in an environment of normal temperature and normal pressure.

[無機充填材の説明]
<無機充填材の平均粒径の測定方法>
無機充填材100mg、分散剤(サンノプコ社製「SN9228」)0.1g、及び、メチルエチルケトン10gをバイアル瓶に秤取り、超音波にて20分間分散した。レーザー回折式粒径分布測定装置(島津製作所社製「SALD-2200」)を使用して、回分セル方式で無機充填材の粒径分布を体積基準で測定した。そして、得られた粒径分布から、メディアン径として、無機充填材の平均粒径を算出した。
[Explanation of inorganic filler]
<Method for measuring average particle size of inorganic filler>
100 mg of an inorganic filler, 0.1 g of a dispersant (“SN9228” manufactured by San Nopco), and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed into a vial and dispersed by ultrasonic waves for 20 minutes. Using a laser diffraction particle size distribution analyzer ("SALD-2200" manufactured by Shimadzu Corporation), the particle size distribution of the inorganic filler was measured on a volume basis by a batch cell method. Then, from the obtained particle size distribution, the average particle size of the inorganic filler was calculated as the median size.

<無機充填材の比表面積の測定方法>
BET全自動比表面積測定装置(マウンテック社製「Macsorb HM-1210」)を使用して、無機充填材の比表面積を測定した。
<Method for measuring specific surface area of inorganic filler>
The specific surface area of the inorganic filler was measured using a BET fully automatic specific surface area measuring device ("Macsorb HM-1210" manufactured by Mountec).

<無機充填材の種類>
無機充填材1:球状シリカ(電気化学工業社製「UFP-30」、平均粒径0.078μm、比表面積30.7m/g)100部に対して、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM573)2部で表面処理したもの。
<Kind of inorganic filler>
Inorganic filler 1: N-phenyl- 3 -aminopropyltri The surface was treated with 2 parts of methoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573).

無機充填材2:球形シリカ(アドマテックス社製「SC2500SQ」、平均粒径0.77μm、比表面積5.9m/g)100部に対して、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM573)1部で表面処理したもの。 Inorganic filler 2: N-phenyl- 3 -aminopropyltrimethoxysilane ( Surface treated with 1 part of KBM573) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

[実施例1.樹脂組成物1の調製]
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)6部、ナフタレン型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ESN475V」、エポキシ当量約332)5部、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YL7760」、エポキシ当量約238)15部、シクロヘキサン型エポキシ樹脂(三菱化学社製「ZX1658GS」、エポキシ当量約135)2部、及び、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=35000)2部を、ソルベントナフサ20部及びシクロヘキサノン10部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。得られた溶液を室温にまで冷却した。その後、この溶液に、(B)成分としてのナフトール系硬化剤(式(5)で表される芳香族炭化水素樹脂。新日鉄住金化学社製「SN395」、水酸基当量107)5部、活性エステル系硬化剤(DIC社製「EXB-8000L-65TM」、活性基当量約220、不揮発成分65質量%のトルエン:MEKの1:1溶液)6部、無機充填材1を50部、及び、アミン系硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP))0.05部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、混合物を得た。この混合物を、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)で濾過して、樹脂組成物1を得た。
[Example 1. Preparation of resin composition 1]
Bixylenol type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000HK", epoxy equivalent of about 185) 6 parts, naphthalene type epoxy resin (manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. "ESN475V", epoxy equivalent of about 332) 5 parts, bisphenol AF type epoxy resin ( Mitsubishi Chemical "YL7760", epoxy equivalent about 238) 15 parts, cyclohexane type epoxy resin (Mitsubishi Chemical "ZX1658GS", epoxy equivalent about 135) 2 parts, and phenoxy resin (Mitsubishi Chemical "YX7553BH30", 2 parts of a 1:1 solution of cyclohexanone:methyl ethyl ketone (MEK) containing 30% by mass of non-volatile components (Mw=35000) was heated and dissolved in a mixed solvent of 20 parts of solvent naphtha and 10 parts of cyclohexanone with stirring. The resulting solution was cooled to room temperature. Then, to this solution, 5 parts of a naphthol-based curing agent (aromatic hydrocarbon resin represented by formula (5), manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent 107), active ester-based Curing agent ("EXB-8000L-65TM" manufactured by DIC Corporation, active group equivalent of about 220, non-volatile component 65% by mass toluene: MEK 1:1 solution) 6 parts, inorganic filler 1 50 parts, and amine 0.05 part of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP)) was mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotating mixer to obtain a mixture. This mixture was filtered through a cartridge filter (“SHP020” manufactured by ROKITECHNO) to obtain a resin composition 1.

[実施例2.樹脂組成物2の調製]
使用する試薬の種類及び量を、表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂組成物2を調製した。実施例1からの具体的な変更点は、下記の通りである。
シクロヘキサン型エポキシ樹脂(三菱化学社製「ZX1658GS」、エポキシ当量約135)2部の代わりに、ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ZX1059」、エポキシ当量約169、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)4部、及び、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製「EXA-7311-G4」、エポキシ当量約213)2部を用いた。
また、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=35000)2部の代わりに、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YL7500BH30」、不揮発成分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=44000)2部を用いた。
さらに、(B)成分として、ナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学社製「SN395」、水酸基当量107)5部の代わりに、フェノール系硬化剤(式(4)で表される芳香族炭化水素樹脂。群栄化学工業社製「GRA13H」、水酸基当量約75)4部を用いた。
[Example 2. Preparation of resin composition 2]
Resin composition 2 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the types and amounts of reagents used were changed as shown in Table 1. Specific changes from Example 1 are as follows.
Instead of 2 parts of cyclohexane type epoxy resin (“ZX1658GS” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 135), bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 169, bisphenol A type and bisphenol F type 1:1 mixture) and 2 parts of a naphthylene ether type epoxy resin ("EXA-7311-G4" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 213) were used.
In addition, instead of 2 parts of phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1:1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) with 30% by mass of non-volatile components, Mw = 35000), a phenoxy resin (“YL7500BH30 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation ”, 2 parts of a 1:1 solution of cyclohexanone:methyl ethyl ketone (MEK) containing 30% by mass of non-volatile components, Mw=44000).
Furthermore, as the component (B), instead of 5 parts of a naphthol-based curing agent ("SN395" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent of 107), a phenol-based curing agent (an aromatic hydrocarbon resin represented by the formula (4) 4 parts of "GRA13H" manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd., having a hydroxyl equivalent of about 75) was used.

[比較例1.樹脂組成物3の調製]
使用する試薬の種類及び量を、表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂組成物3を調製した。実施例1からの具体的な変更点は、下記の通りである。
シクロヘキサン型エポキシ樹脂(三菱化学社製「ZX1658GS」、エポキシ当量約135)2部の代わりに、ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ZX1059」、エポキシ当量約169、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)4部、及び、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製「EXA-7311-G4」、エポキシ当量約213)2部を用いた。
また、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=35000)2部の代わりに、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YL7500BH30」、不揮発成分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=44000)2部を用いた。
さらに、ナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学社製「SN395」、水酸基当量107)5部の代わりに、(E)成分としてのトリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、不揮発成分50%の2-メトキシプロパノール溶液)10部を用いた。
[Comparative Example 1. Preparation of resin composition 3]
Resin composition 3 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the types and amounts of reagents used were changed as shown in Table 1. Specific changes from Example 1 are as follows.
Instead of 2 parts of cyclohexane type epoxy resin (“ZX1658GS” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of about 135), bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 169, bisphenol A type and bisphenol F type 1:1 mixture) and 2 parts of a naphthylene ether type epoxy resin ("EXA-7311-G4" manufactured by DIC, epoxy equivalent of about 213) were used.
In addition, instead of 2 parts of phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1:1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) with 30% by mass of non-volatile components, Mw = 35000), a phenoxy resin (“YL7500BH30 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation ”, 2 parts of a 1:1 solution of cyclohexanone:methyl ethyl ketone (MEK) containing 30% by mass of non-volatile components, Mw=44000).
Furthermore, instead of 5 parts of a naphthol-based curing agent (“SN395” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent 107), a triazine skeleton-containing cresol novolac-based curing agent (manufactured by DIC Corporation “LA-3018-50P , a 2-methoxypropanol solution with a hydroxyl equivalent of about 151 and a non-volatile component of 50%) was used.

[比較例2.樹脂組成物4の調製]
使用する試薬の種類及び量を、表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂組成物4を調製した。実施例1からの具体的な変更点は、下記の通りである。
ナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学社製「SN395」、水酸基当量107)5部の代わりに、(E)成分としてのトリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、不揮発成分50%の2-メトキシプロパノール溶液)4部を用いた。
さらに、無機充填材1を50部用いる代わりに、無機充填材2を80部用いた。
[Comparative Example 2. Preparation of resin composition 4]
Resin composition 4 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the types and amounts of the reagents used were changed as shown in Table 1. Specific changes from Example 1 are as follows.
Instead of 5 parts of a naphthol-based curing agent (“SN395” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent of 107), a triazine skeleton-containing cresol novolak-based curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC Corporation) is used as the component (E). 4 parts of a 2-methoxypropanol solution having a hydroxyl equivalent of about 151 and a non-volatile content of 50% was used.
Further, instead of using 50 parts of inorganic filler 1, 80 parts of inorganic filler 2 were used.

[比較例3.樹脂組成物5の調製]
使用する試薬の種類及び量を、表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂組成物5を調製した。実施例1からの具体的な変更点は、下記の通りである。
ナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学社製「SN395」、水酸基当量107)5部の代わりに、(E)成分としてのナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学社製「SN485」、水酸基当量約215)4部、及び、トリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、不揮発成分50%の2-メトキシプロパノール溶液)4部を用いた。
[Comparative Example 3. Preparation of resin composition 5]
Resin composition 5 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the types and amounts of reagents used were changed as shown in Table 1. Specific changes from Example 1 are as follows.
Naphthol-based curing agent (“SN395” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent of 107) instead of 5 parts of naphthol-based curing agent (“SN485” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent of about 215) as component (E) 4 and 4 parts of a cresol novolac curing agent containing a triazine skeleton (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, a 2-methoxypropanol solution with a hydroxyl equivalent of about 151 and a non-volatile component of 50%).

[比較例4.樹脂組成物6の調製]
使用する試薬の種類及び量を、表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、樹脂組成物6を調製した。実施例1からの具体的な変更点は、下記の通りである。
硬化剤として、ナフトール系硬化剤(新日鉄住金化学社製「SN395」、水酸基当量107)5部、及び、活性エステル系硬化剤(DIC社製「EXB-8000L-65TM」、活性基当量約220、不揮発成分65質量%のトルエン:MEKの1:1溶液)6部に組み合わせて、更に、(E)成分としてのトリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、不揮発成分50%の2-メトキシプロパノール溶液)4部を用いた。
また、無機充填材1を50部用いる代わりに、無機充填材2を80部用いた。
[Comparative Example 4. Preparation of resin composition 6]
Resin composition 6 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the types and amounts of the reagents used were changed as shown in Table 1. Specific changes from Example 1 are as follows.
As a curing agent, 5 parts of a naphthol curing agent (manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. "SN395", hydroxyl equivalent 107), and an active ester curing agent (manufactured by DIC "EXB-8000L-65TM", active group equivalent of about 220, 6 parts of a 1:1 solution of toluene:MEK containing 65% by mass of non-volatile components, and further a cresol novolac curing agent containing a triazine skeleton as component (E) (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, hydroxyl group 4 parts of a 2-methoxypropanol solution having an equivalent weight of about 151 and a non-volatile content of 50%) was used.
Further, instead of using 50 parts of inorganic filler 1, 80 parts of inorganic filler 2 were used.

[樹脂組成物の組成]
樹脂組成物1~6の調製に用いた成分とその配合量(不揮発分の質量部)を下記表1に示した。下記表中の略称は以下のとおりである。
硬化剤の含有率:樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対する、硬化剤の含有量。
活性エステル系硬化剤の含有率:樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対する、活性エステル系硬化剤の含有量。
無機充填材の含有率:樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対する、無機充填材の含有量。
[Composition of resin composition]
Table 1 below shows the components used in the preparation of Resin Compositions 1 to 6 and their blending amounts (mass parts of non-volatile matter). Abbreviations in the table below are as follows.
Curing agent content: Curing agent content with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition.
Content of active ester curing agent: Content of active ester curing agent with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition.
Inorganic filler content: Content of inorganic filler with respect to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition.

Figure 0007279303000011
Figure 0007279303000011

[樹脂シートの製造]
支持体として、アルキド樹脂系離型剤(リンテック社製「AL-5」)で離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ社製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃)を用意した。
[Production of resin sheet]
As a support, a polyethylene terephthalate film (“Lumirror R80” manufactured by Toray Industries, Inc., thickness 38 μm, softening point 130° C.) subjected to release treatment with an alkyd resin release agent (“AL-5” manufactured by Lintec) was prepared. .

樹脂組成物1~6それぞれを、支持体上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが10μmとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、70℃から95℃で2分間乾燥することにより、支持体上に樹脂組成物層を形成した。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA-411」、厚み15μm)の粗面を貼り合わせた。これにより、支持体、樹脂組成物層、及び保護フィルムをこの順で有する樹脂シートAを得た。 Each of the resin compositions 1 to 6 was uniformly coated on the support with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 10 μm, and dried at 70° C. to 95° C. for 2 minutes. , a resin composition layer was formed on the support. Next, a rough surface of a polypropylene film (“Alphan MA-411” manufactured by Oji F-Tex Co., Ltd., thickness 15 μm) was attached as a protective film to the surface of the resin composition layer not bonded to the support. As a result, a resin sheet A having a support, a resin composition layer, and a protective film in this order was obtained.

[厚みの測定方法]
樹脂組成物層等の層の厚みは、接触式膜厚計(ミツトヨ社製「MCD-25MJ」)を用いて、測定した。
[Method for measuring thickness]
The thickness of the layer such as the resin composition layer was measured using a contact film thickness gauge ("MCD-25MJ" manufactured by Mitutoyo Corporation).

[レーザービア加工後のビアホールの評価]
樹脂組成物1~6それぞれを用いて製造された樹脂シートAを用いて、下記の方法によってビアホールを有する絶縁層を形成し、そのビアホールの評価を行った。
[Evaluation of via hole after laser via processing]
Using the resin sheet A produced using each of the resin compositions 1 to 6, an insulating layer having via holes was formed by the following method, and the via holes were evaluated.

<評価用サンプルの作製>
(1)内層基板の用意:
内層基板として、両面に銅箔層を有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚み3μm、基板厚み0.15mm、三菱ガス化学社製「HL832NSF LCA」、255×340mmサイズ)を用意した。
<Preparation of sample for evaluation>
(1) Preparation of inner layer substrate:
Glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate having copper foil layers on both sides as an inner layer substrate (thickness of copper foil 3 μm, substrate thickness 0.15 mm, “HL832NSF LCA” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, 255 × 340 mm size) prepared.

(2)樹脂シートのラミネート:
樹脂シートAから保護フィルムを剥がして、樹脂組成物層を露出させた。バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製、2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が内層基板と接するように、内層基板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下に調整した後、130℃、圧力0.74MPaにて45秒間圧着させることにより実施した。次いで、120℃、圧力0.5MPaにて75秒間熱プレスを行った。
(2) Lamination of resin sheets:
The protective film was peeled off from the resin sheet A to expose the resin composition layer. Both surfaces of the inner layer substrate were laminated so that the resin composition layer was in contact with the inner layer substrate using a batch-type vacuum pressure laminator (manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., 2-stage build-up laminator "CVP700"). Lamination was carried out by pressure bonding for 45 seconds at 130° C. and pressure of 0.74 MPa after reducing the pressure for 30 seconds to adjust the atmospheric pressure to 13 hPa or less. Then, hot pressing was performed at 120° C. and a pressure of 0.5 MPa for 75 seconds.

(3)樹脂組成物層の熱硬化:
その後、樹脂シートがラミネートされた内層基板を、100℃のオーブンに投入して30分間加熱し、次いで180℃のオーブンに移し替えて30分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させて、絶縁層を形成した。絶縁層の厚みは10μmであった。これにより、支持体、絶縁層、内層基板、絶縁層及び支持体をこの順で有する硬化基板Aを得た。
(3) Thermosetting of resin composition layer:
After that, the inner layer substrate laminated with the resin sheet is placed in an oven at 100° C. and heated for 30 minutes, then transferred to an oven at 180° C. and heated for 30 minutes to thermally cure the resin composition layer, An insulating layer was formed. The thickness of the insulating layer was 10 μm. As a result, a cured substrate A having a support, an insulating layer, an inner layer substrate, an insulating layer and a support in this order was obtained.

(4)レーザービア加工:
COレーザー加工機(三菱電機社製「605GTWIII(-P)」)を使用して、支持体を通して絶縁層にレーザー光を照射して、絶縁層に、トップ径(直径)が約30μmの複数個のビアホールを形成した。レーザー光の照射条件は、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)であった。
(4) Laser via processing:
Using a CO 2 laser processing machine (“605GTWIII(-P)” manufactured by Mitsubishi Electric Corporation), the insulating layer is irradiated with a laser beam through the support, and the insulating layer is coated with a plurality of laser beams having a top diameter (diameter) of about 30 μm. Via holes were formed. The irradiation conditions of the laser light were mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ/shot, number of shots 2, and burst mode (10 kHz).

(5)粗化処理:
絶縁層にビアホールを形成した後、支持体を剥離して、絶縁層、内層基板及び絶縁層をこの順で有するビア加工基板Aを得た。その後、このビア加工基板Aに、粗化処理としてのデスミア処理を行った。デスミア処理としては、下記の湿式デスミア処理を実施した。
(5) Roughening treatment:
After forming via holes in the insulating layer, the support was peeled off to obtain a via-processed substrate A having an insulating layer, an inner layer substrate, and an insulating layer in this order. After that, the via processed substrate A was subjected to a desmear treatment as a roughening treatment. As the desmear treatment, the following wet desmear treatment was performed.

(湿式デスミア処理)
ビア加工基板Aを、膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液)に60℃で10分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液(アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトCP」、過マンガン酸カリウム濃度約6%、水酸化ナトリウム濃度約4%の水溶液)に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液(アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸水溶液)に40℃で5分間浸漬した後、80℃で15分間乾燥した。この湿式デスミア処理を施されたビア加工基板Aを、粗化基板Aという。
(Wet desmear treatment)
Via-processed substrate A is immersed in a swelling liquid (“Swelling Dip Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., an aqueous solution of diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60° C. for 10 minutes, and then immersed in an oxidizing agent solution (Atotech Japan company "Concentrate Compact CP", an aqueous solution with a potassium permanganate concentration of about 6% and a sodium hydroxide concentration of about 4%) at 80 ° C. for 20 minutes, then a neutralizing solution (Atotech Japan Co., Ltd. "Reduction Solution Securigant P", sulfuric acid aqueous solution) at 40°C for 5 minutes, and then dried at 80°C for 15 minutes. The via-processed substrate A subjected to this wet desmearing process is called a roughened substrate A. As shown in FIG.

<粗化処理前のビアホールの寸法測定>
サンプルとして、粗化処理前のビア加工基板Aを用意した。このビア加工基板Aについて、FIB-SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行った。詳細には、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層を、当該絶縁層の厚み方向に平行で且つビアホールのビアボトムの中心を通る断面が現れるように削り出した。この断面をSEM(走査型電子顕微鏡)によって観察し、観察された画像から、ビアホールのトップ径及びボトム径を測定した。
<Measurement of dimensions of via hole before roughening>
A via-processed substrate A before roughening treatment was prepared as a sample. Cross-sectional observation of the via-processed substrate A was performed using an FIB-SEM composite apparatus ("SMI3050SE" manufactured by SII Nano Technology Co., Ltd.). Specifically, an FIB (focused ion beam) was used to shave the insulating layer so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer and passing through the center of the via bottom of the via hole appeared. This cross section was observed with a SEM (scanning electron microscope), and the top diameter and bottom diameter of the via hole were measured from the observed image.

前記の測定を、無作為に選んだ5箇所のビアホールで行った。そして、測定された5箇所のビアホールのトップ径の測定値の平均を、そのサンプルのビアホールのトップ径Lt1として採用した。また、測定された5箇所のビアホールのボトム径の測定値の平均を、そのサンプルのビアホールのボトム径Lb1として採用した。 The above measurements were performed at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the top diameters of the five via holes was adopted as the via hole top diameter Lt1 of the sample. Also, the average of the measured values of the bottom diameters of the five via holes was adopted as the bottom diameter Lb1 of the via hole of the sample.

<粗化処理後のビアホールの寸法測定>
サンプルとして、ビア加工基板Aの代わりに粗化基板Aを用いた。以上の事項以外は、前記<粗化処理前のビアホールの寸法測定>と同じ操作を行って、粗化処理後のビアホールのトップ径Lt2及びボトム径Lb2を測定した。
<Measurement of dimensions of via hole after roughening>
As a sample, a roughened substrate A was used instead of the via-processed substrate A. Except for the above items, the same operation as <measurement of dimensions of via hole before roughening> was performed to measure the top diameter Lt2 and bottom diameter Lb2 of the via hole after roughening.

<粗化処理前のハローイング距離の測定>
粗化処理前のビア加工基板Aを、光学顕微鏡(ハイロックス社製「KH8700」)で観察した。詳細には、ビアホールの周辺の絶縁層を、光学顕微鏡(CCD)を用いて、ビア加工基板Aの上部から観察した。この観察は、ビアトップに光学顕微鏡の焦点を合わせて行った。観察の結果、ビアホールの周囲に、当該ビアホールのビアトップのエッジから連続して、絶縁層が白色に変色したドーナツ状のハローイング部が見られた。そこで、観察された像から、ビアホールのビアトップの半径(ハローイング部の内周半径に相当)r1と、ハローイング部の外周半径r2とを測定し、これら半径r1と半径r2との差r2-r1を、その測定地点のビアトップのエッジからのハローイング距離として算出した。
<Measurement of haloing distance before roughening>
The via-processed substrate A before the roughening treatment was observed with an optical microscope ("KH8700" manufactured by Hilox Co., Ltd.). Specifically, the insulating layer around the via hole was observed from above the via-processed substrate A using an optical microscope (CCD). This observation was made by focusing the optical microscope on the via top. As a result of the observation, a doughnut-shaped haloing portion in which the insulating layer was discolored to white was observed around the via hole continuously from the edge of the via top of the via hole. Therefore, from the observed image, the radius r1 of the via top of the via hole (corresponding to the inner radius of the haloing portion) and the outer radius r2 of the haloing portion are measured, and the difference r2 between the radius r1 and the radius r2 is measured. -r1 was calculated as the haloing distance from the edge of the via top at that measurement point.

前記の測定を、無作為に選んだ5か所のビアホールで行った。そして、測定された5箇所のビアホールのハローイング距離の測定値の平均を、そのサンプルのビアトップのエッジからのハローイング距離Wtとして採用した。 The above measurements were performed at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the haloing distances of the five via holes was adopted as the haloing distance Wt from the via top edge of the sample.

<粗化処理後のハローイング距離の寸法測定>
粗化基板Aについて、FIB-SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行った。詳細には、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層を、当該絶縁層の厚み方向に平行で且つビアホールのビアボトムの中心を通る断面が現れるように削り出した。この断面をSEM(走査型電子顕微鏡)によって観察した。観察の結果、ビアボトムのエッジから連続して、絶縁層が内層基板の銅箔層から剥離して形成された間隙部が観察された。観察された画像から、ビアボトムの中心からビアボトムのエッジまでの距離(ハローイング部の内周半径に相当)r3と、ビアボトムの中心から前記間隙部の遠い側の端部までの距離(ハローイング部の外周半径に相当)r4とを測定し、これら距離r3と距離r4との差r4-r3を、その測定地点のビアボトムのエッジからのハローイング距離として算出した。
<Dimensional measurement of haloing distance after roughening>
The cross-section of the roughened substrate A was observed using an FIB-SEM composite device ("SMI3050SE" manufactured by SII Nanotechnology). Specifically, an FIB (focused ion beam) was used to shave the insulating layer so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer and passing through the center of the via bottom of the via hole appeared. This cross section was observed by SEM (scanning electron microscope). As a result of observation, it was observed that there was a gap formed continuously from the edge of the via bottom and formed by peeling the insulating layer from the copper foil layer of the inner layer substrate. From the observed image, the distance r3 from the center of the via bottom to the edge of the via bottom (equivalent to the inner radius of the haloing) and the distance from the center of the via bottom to the far end of the gap (haloing The difference r4-r3 between the distance r3 and the distance r4 was calculated as the haloing distance from the edge of the beer bottom at the measurement point.

前記の測定を、無作為に選んだ5か所のビアホールで行った。そして、測定された5箇所のビアホールのハローイング距離の測定値の平均を、そのサンプルのビアボトムのエッジからのハローイング距離Wbとして採用した。 The above measurements were performed at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the haloing distances of the five via holes was adopted as the haloing distance Wb from the edge of the via bottom of the sample.

[結果]
前記の実施例及び比較例の評価結果を、下記の表2に示す。
表2において、テーパー率とは、粗化処理前のビアホールのトップ径Lt1とボトム径Lb1との比「Lb1/Lt1」を表す。このテーパー率Lb1/Lt1が75%以上であれば、ビア加工性を「良」と判定し、テーパー率Lb1/Lt1が75%未満であればビア加工性を「不良」と判定した。
[result]
The evaluation results of the above examples and comparative examples are shown in Table 2 below.
In Table 2, the taper ratio represents the ratio "Lb1/Lt1" between the top diameter Lt1 and the bottom diameter Lb1 of the via hole before roughening treatment. When the taper ratio Lb1/Lt1 was 75% or more, the via workability was determined as "good", and when the taper ratio Lb1/Lt1 was less than 75%, the via workability was determined as "poor".

表2において、粗化処理前のハローイング比Htとは、粗化処理前のビアトップのエッジからのハローイング距離Wtと、粗化処理前のビアホールのビアトップの半径(Lt1/2)との比「Wt/(Lt1/2)」を表す。このハローイング比Htが35%以下であればハローイング評価を「良」と判定し、ハローイング比Htが35%より大きければハローイング評価を「不良」と判定した。 In Table 2, the haloing ratio Ht before roughening is the haloing distance Wt from the edge of the via top before roughening and the radius (Lt1/2) of the via top of the via hole before roughening. represents the ratio "Wt/(Lt1/2)". If the haloing ratio Ht was 35% or less, the haloing evaluation was determined as "good", and if the haloing ratio Ht was greater than 35%, the haloing evaluation was determined as "bad".

表2において、粗化処理後のハローイング比Hbとは、粗化処理後のビアボトムのエッジからのハローイング距離Wbと、粗化処理後のビアホールのビアボトムの半径(Lb2/2)との比「Wb/(Lb2/2)」を表す。このハローイング比Hbが35%以下であればハローイング評価を「良」と判定し、ハローイング比Htが35%より大きければハローイング評価を「不良」と判定した。 In Table 2, the haloing ratio Hb after roughening is the ratio of the haloing distance Wb from the edge of the via bottom after roughening to the radius (Lb2/2) of the via bottom of the via hole after roughening. It represents "Wb/(Lb2/2)". When the haloing ratio Hb was 35% or less, the haloing evaluation was determined as "good", and when the haloing ratio Ht was greater than 35%, the haloing evaluation was determined as "bad".

Figure 0007279303000012
Figure 0007279303000012

[検討]
表2から分かるように、実施例においては、厚みが10μmと薄い樹脂組成物層を用いて絶縁層を形成していながら、当該絶縁層にテーパー率の大きいビアホールを形成できている。この結果から、本発明の樹脂組成物層により、厚みが薄くても良好な形状のビアホールを形成可能な絶縁層を実現できることが確認された。
[examination]
As can be seen from Table 2, in Examples, a via hole having a large taper rate can be formed in an insulating layer using a thin resin composition layer having a thickness of 10 μm. From these results, it was confirmed that the resin composition layer of the present invention can realize an insulating layer capable of forming a via hole with a good shape even if the thickness is small.

また、表2から分かるように、実施例においては、厚みが10μmと薄い樹脂組成物層を用いて絶縁層を形成していながら、ビアホールの形成に伴って生じるハローイング部のハローイング比が小さい。この結果から、本発明の樹脂組成物層により、厚みが薄くてもハローイング現象の抑制が可能な絶縁層を実現できることが確認できた。 Further, as can be seen from Table 2, in the example, although the insulating layer was formed using a thin resin composition layer having a thickness of 10 μm, the haloing ratio of the haloing portion caused by the formation of the via hole was small. . From this result, it was confirmed that the resin composition layer of the present invention can realize an insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon even if the thickness is thin.

特に、前記の実施例1及び2で得られたような、厚みが15μm以下であり、ビアホールのトップ径が35μm以下であり、ビアホールのテーパー率が80%以上であり、ビアホールのボトムのエッジからのハローイング距離が5μm以下であり、且つ、ビアホールのボトム半径に対するハローイング比が35%以下である絶縁層は、従来、実現できていなかった。よって、このような絶縁層を実現できたことは、絶縁層の薄型化が望まれる近年のプリント配線板において、顕著な技術的意義がある。 In particular, the thickness is 15 μm or less, the top diameter of the via hole is 35 μm or less, and the taper rate of the via hole is 80% or more, as obtained in Examples 1 and 2 above. Conventionally, an insulating layer having a haloing distance of 5 μm or less and a haloing ratio to the bottom radius of the via hole of 35% or less has not been realized. Therefore, the realization of such an insulating layer has a significant technical significance in the recent printed wiring board, where thinning of the insulating layer is desired.

実施例1~2においては、粗化基板Aの絶縁層上に導体層を形成した場合の具体的な結果を示していないが、上述した実施例の結果を見れば、粗化基板Aの絶縁層上に導体層を形成することで要件(i)~(v)を満たす特定プリント配線板が得られることは、当業者が明確に理解できる。
また、実施例1~2において、(D)成分~(F)成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの、上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。
Examples 1 and 2 do not show specific results when a conductor layer is formed on the insulating layer of the roughened substrate A, but the results of the above-described examples show that the insulation of the roughened substrate A Those skilled in the art will clearly understand that forming a conductor layer on a layer results in a specific printed wiring board that satisfies requirements (i) to (v).
Further, in Examples 1 and 2, even if the components (D) to (F) are not contained, although there is a difference in degree, it has been confirmed that results similar to those of the above examples are obtained. .

100 絶縁層
100U 導体層とは反対側の絶縁層の面
110 ビアホール
120 ビアボトム
120C ビアボトムの中心
130 ビアトップ
140 ハローイング部
150 ビアホールのビアトップのエッジ
160 ハローイング部の外周側の縁部
170 ビアホールのビアボトムのエッジ
180 間隙部
190 間隙部の外周側の端部
200 内層基板
210 導体層(第1の導体層)
220 第2の導体層
300 プリント配線板
Lb ビアホールのボトム径
Lt ビアホールのトップ径
T 絶縁層の厚み
Wt ビアトップのエッジからのハローイング距離
Wb ビアボトムのエッジからのハローイング距離
REFERENCE SIGNS LIST 100 Insulating layer 100U Side of insulating layer opposite to conductor layer 110 Via hole 120 Via bottom 120C Center of via bottom 130 Via top 140 Haloing part 150 Via top edge of via hole 160 Peripheral edge of haloing part 170 Via hole Edge of via bottom 180 Gap 190 Edge of the gap on the outer peripheral side 200 Inner layer substrate 210 Conductor layer (first conductor layer)
220 second conductor layer 300 printed wiring board Lb bottom diameter of via hole Lt top diameter of via hole T thickness of insulating layer Wt haloing distance from via top edge Wb haloing distance from via bottom edge

Claims (13)

ビアホールを有する絶縁層を内層基板の導体層上に形成するための厚み15μm以下の樹脂組成物層であって、
前記樹脂組成物層が、樹脂組成物を含み、
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、及び、(C)平均粒径100nm以下の無機充填材を含み、
(A)エポキシ樹脂100質量%に対する(B)成分の量が、5質量%以上50質量%以下であり、
(C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、50質量%以上である、樹脂組成物層。
A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less for forming an insulating layer having via holes on a conductor layer of an inner layer substrate,
The resin composition layer contains a resin composition,
The resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic compound having an average particle size of 100 nm or less. including fillers,
(A) the amount of component (B) relative to 100% by mass of the epoxy resin is 5% by mass or more and 50% by mass or less;
A resin composition layer in which the amount of component (C) is 50% by mass or more with respect to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition.
ビアホールを有する絶縁層を内層基板の導体層上に形成するための厚み15μm以下の樹脂組成物層であって、
前記樹脂組成物層が、樹脂組成物を含み、
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、及び、(C)比表面積15m/g以上の無機充填材を含み、
(A)エポキシ樹脂100質量%に対する(B)成分の量が、5質量%以上50質量%以下であり、
(C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、50質量%以上である、樹脂組成物層。
A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less for forming an insulating layer having via holes on a conductor layer of an inner layer substrate,
The resin composition layer contains a resin composition,
The resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) a specific surface area of 15 m 2 /g or more. of inorganic fillers,
(A) the amount of component (B) relative to 100% by mass of the epoxy resin is 5% by mass or more and 50% by mass or less;
A resin composition layer in which the amount of component (C) is 50% by mass or more with respect to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition.
ビアホールを有する絶縁層を内層基板の導体層上に形成するための厚み15μm以下の樹脂組成物層であって、
前記樹脂組成物層が、樹脂組成物を含み、
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、(C)平均粒径100nm以下の無機充填材、及び、(E)活性エステル系硬化剤を含む(B)成分以外の硬化剤、を含み、
(C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、50質量%以上である、樹脂組成物層。
A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less for forming an insulating layer having via holes on a conductor layer of an inner layer substrate,
The resin composition layer contains a resin composition,
The resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic filler having an average particle size of 100 nm or less. , and (E) a curing agent other than the component (B) containing an active ester curing agent,
A resin composition layer in which the amount of component (C) is 50% by mass or more with respect to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition.
ビアホールを有する絶縁層を内層基板の導体層上に形成するための厚み15μm以下の樹脂組成物層であって、
前記樹脂組成物層が、樹脂組成物を含み、
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)水酸基を2個以上有する単環又は縮合環としての芳香環を含有する芳香族炭化水素樹脂、(C)比表面積15m/g以上の無機充填材、及び、(E)活性エステル系硬化剤を含む(B)成分以外の硬化剤、を含み、
(C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、50質量%以上である、樹脂組成物層。
A resin composition layer having a thickness of 15 μm or less for forming an insulating layer having via holes on a conductor layer of an inner layer substrate,
The resin composition layer contains a resin composition,
The resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an aromatic hydrocarbon resin containing an aromatic ring as a monocyclic or condensed ring having two or more hydroxyl groups, and (C) an inorganic compound having a specific surface area of 15 m 2 /g or more. A filler and (E) a curing agent other than the component (B) containing an active ester curing agent,
A resin composition layer in which the amount of component (C) is 50% by mass or more with respect to 100% by mass of non-volatile components in the resin composition.
(B)成分が、下記の式(1)又は式(2)で表される、請求項1~4のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
Figure 0007279303000013
(式(1)において、Rは、それぞれ独立して、2価の炭化水素基を表し、n1は、0~6の整数を表す。)
Figure 0007279303000014
(式(2)において、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基を表す。)
The resin composition layer according to any one of claims 1 to 4, wherein component (B) is represented by the following formula (1) or formula (2).
Figure 0007279303000013
(In Formula (1), R 0 each independently represents a divalent hydrocarbon group, and n1 represents an integer of 0 to 6.)
Figure 0007279303000014
(In Formula (2), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group.)
(B)成分が、下記の式(3)又は式(4)で表される、請求項1~5のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。
Figure 0007279303000015
(式(3)において、n2は、0~6の整数を表す。)
Figure 0007279303000016
(式(4)において、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子又は1価の炭化水素基を表す。)
The resin composition layer according to any one of claims 1 to 5, wherein the component (B) is represented by the following formula (3) or (4).
Figure 0007279303000015
(In formula (3), n2 represents an integer of 0 to 6.)
Figure 0007279303000016
(In Formula (4), R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group.)
(B)成分の量が、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、5質量%以上である、請求項1~6のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。 The resin composition layer according to any one of claims 1 to 6, wherein the amount of component (B) is 5% by mass or more with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition. 導体層を形成するための絶縁層形成用である、請求項1~7のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。 The resin composition layer according to any one of claims 1 to 7, which is for forming an insulating layer for forming a conductor layer. プリント配線板の層間絶縁層形成用である、請求項1~8のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。 The resin composition layer according to any one of claims 1 to 8, which is for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board. トップ径35μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用である、請求項1~9のいずれか一項に記載の樹脂組成物層。 The resin composition layer according to any one of claims 1 to 9, which is for forming an insulating layer having via holes with a top diameter of 35 µm or less. 支持体と、
支持体上に設けられた、請求項1~10のいずれか一項に記載の樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
a support;
A resin sheet comprising a resin composition layer according to any one of claims 1 to 10 provided on a support.
請求項1~10のいずれか一項に記載の樹脂組成物層の硬化物で形成された絶縁層を含む、プリント配線板。 A printed wiring board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer according to any one of claims 1 to 10. 請求項12に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。 A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 12 .
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