JP2018101703A - Method for manufacturing printed wiring board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a printed wiring board in which the warp is reduced and the delamination is suppressed.SOLUTION: A method for manufacturing a printed wiring board comprises the steps of: (A) preparing an insulative resin film including a support body and a resin composition layer provided on the support body and formed from a resin composition containing a cyanate ester resin; (B) putting the insulative resin film on an internal layer substrate of 10 ppm or less in thermal expansion coefficient so that the resin composition layer is joined to the internal layer substrate; (C) thermally curing the resin composition layer to form an insulator layer having a glass transition temperature of T1(°C); and (E) heating the insulator layer at T2(°C) so as to meet the following general expression (1): 5°C≤T1-T2≤50°C (1).SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、プリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board.

多層プリント配線板の製造技術としては、内層基板上に絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。絶縁層は、一般に、樹脂組成物を硬化させることにより形成される。   As a manufacturing technique of a multilayer printed wiring board, a manufacturing method by a build-up method in which insulating layers and conductor layers are alternately stacked on an inner substrate is known. The insulating layer is generally formed by curing a resin composition.

例えば、特許文献1には、シアネートエステル樹脂、特定のエポキシ樹脂及び活性エステル硬化剤を含む樹脂組成物を用いて、プリント配線板における絶縁層を形成することが開示されており、絶縁層は、低粗度かつめっきにより形成される導体層の高いピール強度を両立し、さらに低熱膨張率を達成することが記載されている。   For example, Patent Document 1 discloses that an insulating layer in a printed wiring board is formed using a resin composition containing a cyanate ester resin, a specific epoxy resin, and an active ester curing agent. It is described that both a low roughness and a high peel strength of a conductor layer formed by plating are achieved, and a low thermal expansion coefficient is achieved.

特開2011−144361号公報JP 2011-144361 A

近年、電子機器や電子部品の小型化のニーズにより、プリント配線板においては、配線の微細化及び高密度化が求められている。配線の微細化及び高密度化に伴い、内層基板の反りを低減させることがより重要となり、反りを低減させるために熱膨張率(CTE)が低い内層基板が求められている。   In recent years, miniaturization and high density of wiring have been demanded in printed wiring boards due to the need for miniaturization of electronic devices and electronic components. As the wiring becomes finer and higher in density, it is more important to reduce the warpage of the inner layer substrate, and an inner layer substrate having a low coefficient of thermal expansion (CTE) is required to reduce the warpage.

特許文献1に記載されているようなシアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物は耐熱性に優れることから、絶縁層の形成によく利用されるが、本発明者らは、シアネートエステル樹脂は硬化時に応力が溜まりやすく、内層基板と絶縁層との間、もしくは絶縁層と導体層の間で層間剥離が発生しやすくなってしまうことを知見した。   Since a resin composition containing a cyanate ester resin as described in Patent Document 1 is excellent in heat resistance, it is often used for the formation of an insulating layer. It has been found that delamination tends to occur and delamination tends to occur between the inner layer substrate and the insulating layer or between the insulating layer and the conductor layer.

本発明の課題は、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物を用いて絶縁層を形成しても、反りの低減及び層間剥離を抑制できるプリント配線板の製造方法を提供することにある。   The subject of this invention is providing the manufacturing method of the printed wiring board which can suppress reduction of curvature and delamination even if an insulating layer is formed using the resin composition containing cyanate ester resin.

本発明者らが検討した結果、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物を用いて絶縁層を形成するにあたり、熱硬化により絶縁層を形成後、さらに特定の条件にて絶縁層を加熱(アニール処理)することにより、反りの低減及び層間剥離の抑制を両立できることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of investigations by the present inventors, in forming an insulating layer using a resin composition containing a cyanate ester resin, after forming the insulating layer by thermosetting, further heating the insulating layer under specific conditions (annealing treatment) As a result, it has been found that both reduction of warpage and suppression of delamination can be achieved, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
[1] (A)支持体と、該支持体上に設けられた、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む絶縁樹脂フィルムを準備する工程、
(B)熱膨張率が10ppm以下の内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように絶縁樹脂フィルムを積層する工程、
(C)樹脂組成物層を熱硬化させ、ガラス転移温度がT1(℃)である絶縁層を形成する工程、
(E)下記一般式(1)を満たすように絶縁層をT2(℃)で加熱する工程、を含む、プリント配線板の製造方法。
5℃≦T1−T2≦50℃ (1)
[2] (E)工程の前に、(D)絶縁層を室温まで冷却する工程を含む、[1]に記載のプリント配線板の製造方法。
[3] (E)工程において、絶縁層を、T2(℃)で5〜90分間加熱する、[1]又は[2]に記載のプリント配線板の製造方法。
[4] (C)工程において、絶縁層のガラス転移温度T1(℃)が、100℃≦T1≦200℃を満たす、[1]〜[3]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[5] (E)工程の後で、(G)絶縁層を粗化処理する工程を含む、[1]〜[4]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[6] (G)工程の後で、(H)絶縁層表面に導体層を形成する工程を含む、[5]に記載のプリント配線板の製造方法。
[7] 絶縁層の厚みが、100μm以下である、[1]〜[6]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
That is, the present invention includes the following contents.
[1] (A) A step of preparing an insulating resin film including a support and a resin composition layer formed on the support and formed from a resin composition including a cyanate ester resin;
(B) A step of laminating an insulating resin film on an inner layer substrate having a coefficient of thermal expansion of 10 ppm or less so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate;
(C) a step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer having a glass transition temperature of T1 (° C.);
(E) The manufacturing method of a printed wiring board including the process of heating an insulating layer by T2 (degreeC) so that the following general formula (1) may be satisfy | filled.
5 ° C ≦ T1-T2 ≦ 50 ° C (1)
[2] The method for manufacturing a printed wiring board according to [1], including a step (D) of cooling the insulating layer to room temperature before the step (E).
[3] The method for producing a printed wiring board according to [1] or [2], wherein in the step (E), the insulating layer is heated at T2 (° C.) for 5 to 90 minutes.
[4] The process for producing a printed wiring board according to any one of [1] to [3], wherein in the step (C), the glass transition temperature T1 (° C.) of the insulating layer satisfies 100 ° C. ≦ T1 ≦ 200 ° C. .
[5] The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of [1] to [4], including a step of roughening the insulating layer (G) after the step (E).
[6] The method for manufacturing a printed wiring board according to [5], further including (H) a step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer after the step (G).
[7] The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of [1] to [6], wherein the insulating layer has a thickness of 100 μm or less.

本発明によれば、反りの低減及び層間剥離を抑制したプリント配線板の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the printed wiring board which suppressed curvature reduction and delamination can be provided.

[絶縁樹脂フィルム]
本発明のプリント配線板の製造方法について詳細に説明する前に、本発明のプリント配線板の製造方法において使用される「絶縁樹脂フィルム」について説明する。
[Insulating resin film]
Before describing the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention in detail, the “insulating resin film” used in the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention will be described.

絶縁樹脂フィルムは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含み、樹脂組成物層はシアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物から形成される。以下、絶縁樹脂フィルムが有する樹脂組成物層及び支持体について説明する。   The insulating resin film includes a support and a resin composition layer provided on the support, and the resin composition layer is formed from a resin composition including a cyanate ester resin. Hereinafter, the resin composition layer and the support that the insulating resin film has will be described.

(樹脂組成物層)
樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物は、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物であれば特に限定されず、例えば、シアネートエステル樹脂と硬化性樹脂を含む組成物が挙げられる。硬化性樹脂としては、プリント配線板の絶縁層を形成する際に使用される任意の硬化性樹脂を用いることができ、中でもエポキシ樹脂が好ましい。したがって、一実施形態において、樹脂組成物はシアネートエステル樹脂及びエポキシ樹脂を含む。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに無機充填材、熱可塑性樹脂、硬化剤(シアネートエステル樹脂は除く)、硬化促進剤、難燃剤及び有機充填材等の添加剤を含んでいてもよい。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
(Resin composition layer)
The resin composition used for a resin composition layer will not be specifically limited if it is a resin composition containing cyanate ester resin, For example, the composition containing cyanate ester resin and curable resin is mentioned. As curable resin, arbitrary curable resin used when forming the insulating layer of a printed wiring board can be used, and an epoxy resin is especially preferable. Accordingly, in one embodiment, the resin composition includes a cyanate ester resin and an epoxy resin. The resin composition may further contain additives such as an inorganic filler, a thermoplastic resin, a curing agent (excluding cyanate ester resin), a curing accelerator, a flame retardant, and an organic filler, as necessary. Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in detail.

−シアネートエステル樹脂−
樹脂組成物は、シアネートエステル樹脂を含む。シアネートエステル樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型などのノボラック型シアネートエステル樹脂;ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂;ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型などのビスフェノール型シアネートエステル樹脂、及びこれらが一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。
-Cyanate ester resin-
The resin composition includes a cyanate ester resin. Examples of the cyanate ester resins include novolak-type cyanate ester resins such as phenol novolak type and alkylphenol novolak type; dicyclopentadiene type cyanate ester resins; bisphenol type cyanate ester resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, and bisphenol S type, And a prepolymer in which these are partially triazines. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.

シアネートエステル樹脂の具体例としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート(オリゴ(3−メチレン−1,5−フェニレンシアネート))、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルフェニルシアネート)、4,4’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2−ビス(4−シアネート)フェニルプロパン、1,1−ビス(4−シアネートフェニルメタン)、ビス(4−シアネート−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアネートフェニル−1−(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4−シアネートフェニル)チオエーテル、ビス(4−シアネートフェニル)エーテル等の2官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。   Specific examples of the cyanate ester resin include, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate)), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4 , 4′-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5 A bifunctional cyanate resin such as dimethylphenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, bis (4-cyanatephenyl) ether, Phenol novolac, black Tetrazole novolac, polyfunctional cyanate resin derived from dicyclopentadiene structure-containing phenol resin, these cyanate resins and partially triazine of prepolymer.

シアネートエステル樹脂は市販品を用いてもよく、例えば、下式(A)で表されるフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製、PT30、シアネート当量124)、下式(B)で表されるビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー(ロンザジャパン社製、BA230、シアネート当量232)、下式(C)で表されるジシクロペンタジエン構造含有シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製、DT−4000、DT−7000)等が挙げられる。   A commercially available product may be used as the cyanate ester resin. For example, a phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin represented by the following formula (A) (Lonza Japan, PT30, cyanate equivalent 124), and the following formula (B): Prepolymer (Lonza Japan Co., Ltd., BA230, cyanate equivalent 232) in which a part or all of the bisphenol A dicyanate represented is triazine is formed, containing a dicyclopentadiene structure represented by the following formula (C) Examples include cyanate ester resins (Lonza Japan, DT-4000, DT-7000).

Figure 2018101703
[式(A)中、nは平均値としての任意の数を表す。]
式(A)中のnは0〜20を表すことが好ましい。
Figure 2018101703
[In formula (A), n represents an arbitrary number as an average value. ]
N in the formula (A) preferably represents 0 to 20.

Figure 2018101703
Figure 2018101703

Figure 2018101703
[式(C)中、nは平均値としての任意の数を表す。]
式(C)中のnは0〜5を表すことが好ましい。
Figure 2018101703
[In formula (C), n represents an arbitrary number as an average value. ]
N in Formula (C) preferably represents 0 to 5.

シアネートエステル樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、好ましくは500〜4500であり、より好ましくは600〜3000である。ここで、シアネートエステル樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。   Although the weight average molecular weight of cyanate ester resin is not specifically limited, Preferably it is 500-4500, More preferably, it is 600-3000. Here, the weight average molecular weight of the cyanate ester resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

樹脂組成物中のシアネートエステル樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、耐熱性を向上させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%以下が好ましく、25質量%以下がより好ましく、20質量%以下が更に好ましい。下限値は、耐熱性低下を防止し、熱膨張率増加を防止し、誘電正接増加を防止するという観点から、1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましく、5質量%以上が更に好ましく、10質量%以上が更に一層好ましい。   The content of the cyanate ester resin in the resin composition is not particularly limited, but from the viewpoint of improving heat resistance, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, 30% by mass or less. Is preferable, 25 mass% or less is more preferable, and 20 mass% or less is still more preferable. The lower limit is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and further more preferably 5% by mass or more from the viewpoint of preventing a decrease in heat resistance, preventing an increase in thermal expansion coefficient and preventing an increase in dielectric loss tangent. Preferably, 10% by mass or more is even more preferable.

−エポキシ樹脂−
一実施形態において、樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有し得る。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、及びパーフルオロアルキル型エポキシ樹脂等のフッ素含有エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ビスフェノールF型エポキシ樹脂;ビスフェノールS型エポキシ樹脂;ビキシレノール型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;トリスフェノール型エポキシ樹脂;ナフトールノボラック型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂;tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂;ナフタレン型エポキシ樹脂;ナフトール型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;グリシジルアミン型エポキシ樹脂;グリシジルエステル型エポキシ樹脂;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;線状脂肪族エポキシ樹脂;ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;複素環式エポキシ樹脂;スピロ環含有エポキシ樹脂;シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂;トリメチロール型エポキシ樹脂;テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
-Epoxy resin-
In one embodiment, the resin composition may contain an epoxy resin. Examples of the epoxy resin include fluorine-containing epoxy resins such as bisphenol AF type epoxy resin and perfluoroalkyl type epoxy resin; bisphenol A type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; bisphenol S type epoxy resin; Dicyclopentadiene type epoxy resin; trisphenol type epoxy resin; naphthol novolac type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin; tert-butyl-catechol type epoxy resin; naphthalene type epoxy resin; naphthol type epoxy resin; Glycidylamine type epoxy resin; Glycidyl ester type epoxy resin; Cresol novolac type epoxy resin; Biphenyl type epoxy resin; Linear aliphatic epoxy Fatty; Epoxy resin having butadiene structure; Alicyclic epoxy resin; Heterocyclic epoxy resin; Spiro ring-containing epoxy resin; Cyclohexane dimethanol type epoxy resin; Naphthylene ether type epoxy resin; Trimethylol type epoxy resin; Type epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin and the like. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を100質量%とした場合に、少なくとも50質量%以上は1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、1分子中に2個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下「液状エポキシ樹脂」という。)と、1分子中に3個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(以下「固体状エポキシ樹脂」という。)とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有し、硬化物の破断強度も向上する。   The epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100% by mass, at least 50% by mass or more is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, it has two or more epoxy groups in one molecule, and has a liquid epoxy resin (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”) at a temperature of 20 ° C. and three or more epoxy groups in one molecule, It is preferable to contain a solid epoxy resin (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”) at a temperature of 20 ° C. By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination as the epoxy resin, the epoxy resin has excellent flexibility and the breaking strength of the cured product is improved.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、三菱化学社製の「828US」、「jER828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER807」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂)、「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂)、「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂)、新日鉄住金化学社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品)、新日鉄住金化学社製「YD−8125G」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、ナガセケムテックス社製の「EX−721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂)、ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂)、「PB−3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂)、新日鐵化学社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4−グリシジルシクロヘキサン)、三菱化学社製の「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂)、ダイキン工業社製の「E−7432」、「E−7632」(パーフルオロアルキル型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, and ester skeletons. Preferred are cycloaliphatic epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure. Glycidylamine type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF Type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include “HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, “828US”, “jER828EL” (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. "JER807" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak type epoxy resin), "630", "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin), "ZX1059" (bisphenol A) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin), “YD-8125G” (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation , Daicel "Celoxide 2021P" (an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton), "PB-3600" (an epoxy resin having a butadiene structure), "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1, 4) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. -Glycidylcyclohexane), "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "E-7432", "E-7632" (perfluoroalkyl type epoxy resin) manufactured by Daikin Industries, Ltd., and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「HP−4700」、「HP−4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂)、「N−690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「N−695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「HP−7200」、「HP−7200HH」、「HP−7200H」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂)、「EXA−7311」、「EXA−7311−G3」、「EXA−7311−G4」、「EXA−7311−G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂)、日本化薬社製の「EPPN−502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂)、「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、新日鉄住金化学社製の「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、三菱化学社製の「YX4000H」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂)、「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂)、大阪ガスケミカル社製の「PG−100」、「CG−500」、三菱化学社製の「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂)、三菱化学社製の「jER1010」、(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)、「YL7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂)、新日鉄住金化学社製の「TX0712−EK75」(リン含有エポキシ樹脂)等が挙げられる。   Solid epoxy resins include naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, Anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the solid epoxy resin include “HP4032H” (naphthalene type epoxy resin), “HP-4700”, “HP-4710” (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), “N-690” (manufactured by DIC) Cresol novolac type epoxy resin), "N-695" (cresol novolac type epoxy resin), "HP-7200", "HP-7200HH", "HP-7200H" (dicyclopentadiene type epoxy resin), "EXA-7311 ”,“ EXA-7311-G3 ”,“ EXA-7311-G4 ”,“ EXA-7311-G4S ”,“ HP6000 ”(naphthylene ether type epoxy resin),“ EPPN-502H ”(manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) Trisphenol type epoxy resin), "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy) Fat), “NC3000H”, “NC3000”, “NC3000L”, “NC3100” (biphenyl type epoxy resin), “ESN475V” (naphthalene type epoxy resin), “ESN485” (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. ), “YX4000H”, “YL6121” (biphenyl type epoxy resin), “YX4000HK” (bixylenol type epoxy resin), “YX8800” (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “PG” manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd. -100 "," CG-500 "," YL7800 "(fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation," jER1010 "manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (solid bisphenol A type epoxy resin)," jER1031S "(tetraphenyl) Ethane type epoxy tree ) "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin), Nippon Steel Sumitomo Metal Chemical Co. "TX0712-EK75" (phosphorus-containing epoxy resin) and the like.

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、1:0.1〜1:15の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、i)絶縁樹脂フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ii)絶縁樹脂フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにiii)十分な破断強度を有する樹脂組成物層の硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記i)〜iii)の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、1:0.1〜1:10の範囲がより好ましく、1:0.3〜1:3の範囲がさらに好ましい。   When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as an epoxy resin, the quantitative ratio thereof (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is in the range of 1: 0.1 to 1:15 in terms of mass ratio. preferable. By making the quantity ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within such a range, i) suitable adhesiveness is provided when used in the form of an insulating resin film, ii) used in the form of an insulating resin film In this case, sufficient flexibility can be obtained, handling properties can be improved, and iii) a cured product of the resin composition layer having a sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects i) to iii) above, the quantitative ratio of liquid epoxy resin to solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is in the range of 1: 0.1 to 1:10 by mass ratio. Is more preferable, and the range of 1: 0.3 to 1: 3 is more preferable.

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な引張破壊強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、さらに好ましくは20質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは50質量%以下、より好ましくは40質量%以下である。   The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 5% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good tensile fracture strength and insulation reliability. As mentioned above, More preferably, it is 10 mass% or more, More preferably, it is 20 mass% or more. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited as long as the effect of this invention is show | played, Preferably it is 50 mass% or less, More preferably, it is 40 mass% or less.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50〜5000、より好ましくは50〜3000、さらに好ましくは80〜2000、さらにより好ましくは110〜1000である。この範囲となることで、樹脂組成物層の硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができ、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。   The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, and even more preferably 110 to 1000. By being in this range, the crosslinked density of the cured product of the resin composition layer is sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be provided. The epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236, and is the mass of a resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは100〜5000、より好ましくは250〜3000、さらに好ましくは400〜1500である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。   The weight average molecular weight of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

−無機充填材−
一実施形態において、樹脂組成物は無機充填材を含有し得る。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
-Inorganic filler-
In one embodiment, the resin composition may contain an inorganic filler. The material of the inorganic filler is not particularly limited. For example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, water Aluminum oxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide , Zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly preferred. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, spherical silica is preferable as the silica. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

無機充填材の平均粒径は、表面粗さの小さい絶縁層を得る、及び微細配線形成性向上の観点から、好ましくは3μm以下、より好ましくは2μm以下、さらに好ましくは1μm以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは0.01μm以上、より好ましくは0.1μm以上、さらに好ましくは0.3μm以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、アドマテックス社製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C−MJE」、「YA010C」、電気化学工業社製「UFP−30」、トクヤマ社製「シルフィルNSS−3N」、「シルフィルNSS−4N」、「シルフィルNSS−5N」、アドマテックス社製「SO−C2」、「SO−C1」等が挙げられる。   The average particle size of the inorganic filler is preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less, and even more preferably 1 μm or less from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a small surface roughness and improving the fine wiring formability. Although the minimum of this average particle diameter is not specifically limited, Preferably it is 0.01 micrometer or more, More preferably, it is 0.1 micrometer or more, More preferably, it is 0.3 micrometer or more. Examples of commercially available inorganic fillers having such an average particle diameter include, for example, “YC100C”, “YA050C”, “YA050C-MJE”, “YA010C” manufactured by Admatechs, and “UFP-30” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. ”,“ Silfil NSS-3N ”,“ Silfil NSS-4N ”,“ Silfil NSS-5N ”manufactured by Tokuyama Corporation,“ SO-C2 ”,“ SO-C1 ”manufactured by Admatechs, and the like.

無機充填材の平均粒径はミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「LA−500」、島津製作所社製「SALD−2200」等を使用することができる。   The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, “LA-500” manufactured by Horiba, Ltd., “SALD-2200” manufactured by Shimadzu Corporation, etc. can be used.

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、上記フッ素化合物であるフッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の1種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましく、フッ素含有シランカップリング剤で処理されていることがより好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「KBM403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM803」(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBE903」(3−アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「SZ−31」(ヘキサメチルジシラザン)、信越化学工業社製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM−4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)、信越化学工業社製「KBM−7103」(3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン)等が挙げられる。   Inorganic fillers are fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane-based coupling agents, epoxysilane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, and silane-based cups that are fluorine compounds from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. It is preferably treated with one or more surface treatment agents such as a ring agent, an alkoxysilane, an organosilazane compound, and a titanate coupling agent, and more preferably treated with a fluorine-containing silane coupling agent. Examples of commercially available surface treatment agents include “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu. “KBE903” (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Chemical Industry Co., Ltd. “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “SZ-31” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ( Hexamethyldisilazane), “KBM103” (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM-4803” (long-chain epoxy type silane coupling agent) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM-” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 7103 "(3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane) and the like.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の分散性向上の観点から、無機充填材100質量部に対して、0.2質量部〜5質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、0.2質量部〜3質量部で表面処理されていることが好ましく、0.3質量部〜2質量部で表面処理されていることが好ましい。   The degree of the surface treatment with the surface treatment agent is surface-treated with 0.2 to 5 parts by mass of the surface treatment agent with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler from the viewpoint of improving dispersibility of the inorganic filler. It is preferable that the surface treatment is performed at 0.2 to 3 parts by mass, and the surface treatment is preferably performed at 0.3 to 2 parts by mass.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、0.02mg/m以上が好ましく、0.1mg/m以上がより好ましく、0.2mg/m以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、1mg/m以下が好ましく、0.8mg/m以下がより好ましく、0.5mg/m以下が更に好ましい。 The degree of surface treatment with the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. Carbon content per unit surface area of the inorganic filler, from the viewpoint of improving dispersibility of the inorganic filler is preferably 0.02 mg / m 2 or more, 0.1 mg / m 2 or more preferably, 0.2 mg / m 2 The above is more preferable. On the other hand, 1 mg / m 2 or less is preferable, 0.8 mg / m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg / m 2 or less is more preferable from the viewpoint of suppressing the increase in melt viscosity of the resin varnish and the sheet form. preferable.

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「EMIA−320V」等を使用することができる。   The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent and ultrasonically cleaned at 25 ° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid, the carbon amount per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, “EMIA-320V” manufactured by HORIBA, Ltd. can be used.

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、熱膨張率が低い絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは30質量%以上、より好ましくは35質量%以上、さらに好ましくは40質量%以上である。上限は、絶縁層の層間剥離を抑制するという観点から、好ましくは85質量%以下、より好ましくは80質量%以下、さらに好ましくは75質量%以下である。   From the viewpoint of obtaining an insulating layer having a low coefficient of thermal expansion, the content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 30% by mass or more, more preferably, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. It is 35% by mass or more, more preferably 40% by mass or more. From the viewpoint of suppressing delamination of the insulating layer, the upper limit is preferably 85% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, and further preferably 75% by mass or less.

−硬化促進剤−
一実施形態において、樹脂組成物は、硬化促進剤を含有し得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
-Curing accelerator-
In one embodiment, the resin composition may contain a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include a phosphorus-based curing accelerator, an amine-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a guanidine-based curing accelerator, a metal-based curing accelerator, and the like. A curing accelerator, an imidazole curing accelerator, and a metal curing accelerator are preferable, and an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, and a metal curing accelerator are more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4−メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。   Examples of phosphorus curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセン等が挙げられ、4−ジメチルアミノピリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセンが好ましい。   Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo. (5,4,0) -undecene and the like are mentioned, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールが好ましい。   Examples of the imidazole curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2 Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2′-Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl- 4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl Examples include imidazole compounds such as -3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins, such as 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2- Phenylimidazole is preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「P200−H50」、三菱化学社製の「jERcure P200H50」等が挙げられる。   Commercially available products may be used as the imidazole curing accelerator, and examples thereof include “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation and “jERcure P200H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1−メチルグアニジン、1−エチルグアニジン、1−シクロヘキシルグアニジン、1−フェニルグアニジン、1−(o−トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、7−メチル−1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、1−メチルビグアニド、1−エチルビグアニド、1−n−ブチルビグアニド、1−n−オクタデシルビグアニド、1,1−ジメチルビグアニド、1,1−ジエチルビグアニド、1−シクロヘキシルビグアニド、1−アリルビグアニド、1−フェニルビグアニド、1−(o−トリル)ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンが好ましい。   Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- ( - tolyl) biguanide, and the like, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene are preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。   As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Organic zinc complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

樹脂組成物が硬化促進剤を含有する場合、硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、樹脂0.01質量%〜3質量%が好ましく、0.01質量%〜3質量%がより好ましく、0.01質量%〜1質量%がさらに好ましい。   When the resin composition contains a curing accelerator, the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass to 3% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 01 mass%-3 mass% are more preferable, and 0.01 mass%-1 mass% are still more preferable.

−硬化剤(シアネートエステル樹脂は除く)−
一実施形態において、樹脂組成物は硬化剤を含有し得る。但し、ここでいう硬化剤はシアネートエステル樹脂を含めない。硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する化合物を用いることができ、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
-Curing agent (except cyanate ester resin)-
In one embodiment, the resin composition may contain a curing agent. However, the curing agent here does not include a cyanate ester resin. As the curing agent, a compound having a function of curing an epoxy resin can be used. For example, a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an active ester curing agent, a benzoxazine curing agent, a carbodiimide curing agent, and the like. Is mentioned. A hardening | curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。   As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Moreover, from a viewpoint of adhesiveness with a conductor layer, a nitrogen-containing phenol type hardening | curing agent is preferable and a triazine frame | skeleton containing phenol type hardening | curing agent is more preferable.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「MEH−7700」、「MEH−7810」、「MEH−7851」、日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鉄住金社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN−495V」、「SN375」、「SN395」、DIC社製の「TD−2090」、「LA−7052」、「LA−7054」、「LA−1356」、「LA−3018−50P」、「EXB−9500」等が挙げられる。   Specific examples of the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent include, for example, “MEH-7700”, “MEH-7810”, “MEH-7785” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., “NHN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. “CBN”, “GPH”, “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495”, “SN-495V”, “SN375”, “SN395” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Co., Ltd. “TD-2090”, “LA-7052”, “LA-7054”, “LA-1356”, “LA-3018-50P”, “EXB-9500” and the like manufactured by DIC.

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。   Although there is no restriction | limiting in particular as an active ester type hardening | curing agent, Generally 1 molecule of ester groups with high reaction activity, such as phenol ester, thiophenol ester, N-hydroxyamine ester, ester of a heterocyclic hydroxy compound, are carried out. A compound having two or more thereof is preferably used. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac and the like can be mentioned. Here, the “dicyclopentadiene type diphenol compound” refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる2価の構造単位を表す。   Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of a phenol novolac, and an active ester compound containing a benzoylated product of a phenol novolac are preferred, Of these, active ester compounds having a naphthalene structure and active ester compounds having a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferred. The “dicyclopentadiene type diphenol structure” represents a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC−8000−65T」、「HPC−8000H−65TM」、「EXB−8000L−65TM」(DIC社製)、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「EXB9416−70BK」(DIC社製)、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「DC808」(三菱化学社製)、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「YLH1026」(三菱化学社製)、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱化学社製)、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱化学社製)、「YLH1030」(三菱化学社製)、「YLH1048」(三菱化学社製)等が挙げられる。   Commercially available active ester curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", "HPC-8000H-" as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. 65TM "," EXB-8000L-65TM "(manufactured by DIC)," EXB9416-70BK "(manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure, and" DC808 "as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac ( Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), “YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolac, “DC808” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent which is an acetylated product of phenol novolac, "YLH1026" as an active ester-based curing agent is benzoyl product of E Nord novolac (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and the like.

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「HFB2006M」、四国化成工業社製の「P−d」、「F−a」が挙げられる。   Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include “HFB2006M” manufactured by Showa Polymer Co., Ltd. and “Pd” and “Fa” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「V−03」、「V−07」等が挙げられる。   Specific examples of the carbodiimide curing agent include “V-03” and “V-07” manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、[エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数]:[硬化剤の反応基の合計数]の比率で、1:0.01〜1:2の範囲が好ましく、1:0.015〜1:1.5がより好ましく、1:0.02〜1:1がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物層の硬化物の耐熱性がより向上する。   The amount ratio of the epoxy resin and the curing agent is preferably a ratio of [total number of epoxy groups of the epoxy resin]: [total number of reactive groups of the curing agent] in the range of 1: 0.01 to 1: 2. 1: 0.015 to 1: 1.5 are more preferable, and 1: 0.02 to 1: 1 are more preferable. Here, the reactive group of the curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group or the like, and varies depending on the type of the curing agent. Moreover, the total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by dividing the value obtained by dividing the solid mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent for all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is: The value obtained by dividing the solid mass of each curing agent by the reactive group equivalent is the total value for all curing agents. By making the quantity ratio of an epoxy resin and a hardening | curing agent into such a range, the heat resistance of the hardened | cured material of a resin composition layer improves more.

樹脂組成物が硬化剤を含有する場合、硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは25質量%以下、より好ましくは20質量%以下、さらに好ましくは15質量%以下である。また、下限は特に制限はないが2質量%以上が好ましい。   When the resin composition contains a curing agent, the content of the curing agent is preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, even more preferably when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Is 15% by mass or less. The lower limit is not particularly limited but is preferably 2% by mass or more.

−熱可塑性樹脂−
一実施形態において、樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有し得る。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられ、フェノキシ樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、1種単独で用いてもよく、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
-Thermoplastic resin-
In one embodiment, the resin composition may contain a thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene ether resin, polycarbonate resin, and polyether. Examples include ether ketone resins and polyester resins, and phenoxy resins are preferred. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは8,000以上、より好ましくは10,000以上、さらに好ましくは20,000以上、特に好ましくは40,000以上である。上限は特に限定されないが、好ましくは70,000以下、より好ましくは60,000以下である。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製LC−9A/RID−6Aを、カラムとして昭和電工社製Shodex K−800P/K−804L/K−804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。   The polystyrene-converted weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, still more preferably 20,000 or more, and particularly preferably 40,000 or more. Although an upper limit is not specifically limited, Preferably it is 70,000 or less, More preferably, it is 60,000 or less. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the polystyrene-converted weight average molecular weight of the thermoplastic resin is LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and Shodex K-800P / K-804L / K- manufactured by Showa Denko KK as a column. 804L can be calculated using a standard polystyrene calibration curve by measuring the column temperature at 40 ° C. using chloroform or the like as the mobile phase.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂)、「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂)、及び「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂)が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「FX280」及び「FX293」、三菱化学社製の「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及び「YL7482」等が挙げられる。   Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene Examples thereof include phenoxy resins having a skeleton and one or more skeletons selected from the group consisting of a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resin), “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and “YX6954” (bisphenolacetophenone) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. In addition, “FX280” and “FX293” manufactured by NS ”,“ YL6794 ”,“ YL7213 ”,“ YL7290 ”,“ YL7482 ”, and the like.

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業社製の「電化ブチラール4000−2」、「電化ブチラール5000−A」、「電化ブチラール6000−C」、「電化ブチラール6000−EP」、積水化学工業社製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ(例えばBX−5Z)、KSシリーズ(例えばKS−1)、BLシリーズ、BMシリーズ等が挙げられる。   Examples of the polyvinyl acetal resin include a polyvinyl formal resin and a polyvinyl butyral resin, and a polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include, for example, “Electrical butyral 4000-2”, “Electrical butyral 5000-A”, “Electrical butyral 6000-C”, “Electrical butyral 6000-EP”, and Sekisui. Examples include ESREC BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by Chemical Industries.

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006−37083号公報記載のポリイミド)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002−12667号公報及び特開2000−319386号公報等に記載のポリイミド)等の変性ポリイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyimide resin include “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. Specific examples of the polyimide resin include linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (polyimide described in JP-A-2006-37083), a polysiloxane skeleton. Examples thereof include modified polyimides such as containing polyimide (polyimides described in JP-A Nos. 2002-12667 and 2000-319386).

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績社製の「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業社製の「KS9100」、「KS9300」(ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド)等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyamideimide resin include “Vilomax HR11NN” and “Vilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of the polyamide-imide resin also include modified polyamide-imides such as “KS9100” and “KS9300” (polysiloxane skeleton-containing polyamideimide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「PES5003P」等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「OPE−2St 1200」等が挙げられる。   Specific examples of the polyethersulfone resin include “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Specific examples of the polyphenylene ether resin include oligophenylene ether / styrene resin “OPE-2St 1200” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company.

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。   Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solvay Advanced Polymers.

中でも、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。したがって好適な一実施形態において、熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される1種以上を含む。中でも、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂が好ましく、重量平均分子量が40,000以上のフェノキシ樹脂が特に好ましい。重量平均分子量が40,000以上のフェノキシ樹脂を用いることで配線回路の微細化が可能となる。   Of these, phenoxy resin and polyvinyl acetal resin are preferable as the thermoplastic resin. Accordingly, in a preferred embodiment, the thermoplastic resin includes one or more selected from the group consisting of a phenoxy resin and a polyvinyl acetal resin. Among these, as the thermoplastic resin, a phenoxy resin is preferable, and a phenoxy resin having a weight average molecular weight of 40,000 or more is particularly preferable. By using a phenoxy resin having a weight average molecular weight of 40,000 or more, the wiring circuit can be miniaturized.

樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有する場合、熱可塑性樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは0.05質量%〜5質量%、より好ましくは0.1質量%〜4質量%、さらに好ましくは0.15質量%〜3質量%である。   When the resin composition contains a thermoplastic resin, the content of the thermoplastic resin is preferably 0.05% by mass to 5% by mass, more preferably 100% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. It is 0.1 mass%-4 mass%, More preferably, it is 0.15 mass%-3 mass%.

−有機充填材−
一実施形態において、樹脂組成物は、有機充填材を含有し得る。有機充填材を含有させることで、絶縁樹脂フィルムの樹脂組成物層の硬化物の引張破壊強度を向上させることができる。有機充填材としては、プリント配線板の絶縁層を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。
-Organic filler-
In one embodiment, the resin composition may contain an organic filler. By containing an organic filler, the tensile fracture strength of the cured product of the resin composition layer of the insulating resin film can be improved. As the organic filler, any organic filler that can be used in forming the insulating layer of the printed wiring board may be used, and examples thereof include rubber particles, polyamide fine particles, and silicone particles.

ゴム粒子としては、市販品を用いてもよく、例えば、ダウ・ケミカル日本社製の「EXL2655」、アイカ工業社製の「AC3401N」、「AC3816N」等が挙げられる。   As the rubber particles, commercially available products may be used, and examples thereof include “EXL2655” manufactured by Dow Chemical Japan, “AC3401N” and “AC3816N” manufactured by Aika Industry.

樹脂組成物が有機充填材を含有する場合、有機充填材の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、1質量%〜10質量%が好ましく、2質量%〜5質量%がより好ましい。   When the resin composition contains an organic filler, the content of the organic filler is preferably 1% by mass to 10% by mass and preferably 2% by mass to 5% when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. The mass% is more preferable.

−難燃剤−
一実施形態において、樹脂組成物は、難燃剤を含有し得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
-Flame retardant-
In one embodiment, the resin composition may contain a flame retardant. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「HCA−HQ」、大八化学工業社製の「PX−200」等が挙げられる。難燃剤としては加水分解しにくいものが好ましく、例えば、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド等が好ましい。   Commercially available products may be used as the flame retardant, such as “HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., “PX-200” manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd., and the like. As the flame retardant, those which are difficult to hydrolyze are preferable, and for example, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide and the like are preferable.

樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、0.5質量%〜20質量%が好ましく、0.5質量%〜15質量%がより好ましく、0.5質量%〜10質量%がさらに好ましい。   When the resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is preferably 0.5% by mass to 20% by mass, and 0.5% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. -15% by mass is more preferable, and 0.5% by mass to 10% by mass is more preferable.

−任意の添加剤−
一実施形態において、樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
-Optional additives-
In one embodiment, the resin composition may further contain other additives as necessary. Examples of such other additives include organic copper compounds, organic zinc compounds, and organic cobalt compounds. And organic additives such as thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion-imparting agents, and color additives.

樹脂組成物層の厚さは、プリント配線板の薄型化の観点から、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下、さらに好ましくは60μm以下、さらにより好ましくは50μm以下又は40μm以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、1μm以上、5μm以上、10μm以上等とし得る。   The thickness of the resin composition layer is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less, still more preferably 60 μm or less, and even more preferably 50 μm or less or 40 μm or less, from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board. Although the minimum of the thickness of a resin composition layer is not specifically limited, Usually, it may be 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, 10 micrometers or more, etc.

(支持体)
絶縁樹脂フィルムに用いる支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
(Support)
Examples of the support used for the insulating resin film include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。   When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as “PEN”). .) Polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as “PC”), polymethyl methacrylate (PMMA) and other acrylics, cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether Examples include ketones and polyimides. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。   When using metal foil as a support body, as metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.). It may be used.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。   The support may be subjected to mat treatment, corona treatment, and antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック社製の「SK−1」、「AL−5」、「AL−7」、東レ社製の「ルミラーT60」帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。   Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer in the surface joined to a resin composition layer. Examples of the release agent used for the release layer of the support with a release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . As the support with a release layer, a commercially available product may be used. For example, “SK-1”, “SK-1” manufactured by Lintec Corporation, which is a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent. “AL-5”, “AL-7”, “Lumirror T60” manufactured by Toray Industries, Inc., “Purex” manufactured by Teijin Ltd., “Unipeel” manufactured by Unitika, and the like.

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、5μm〜75μmの範囲が好ましく、10μm〜60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。   Although it does not specifically limit as thickness of a support body, The range of 5 micrometers-75 micrometers is preferable, and the range of 10 micrometers-60 micrometers is more preferable. In addition, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

[プリント配線板の製造方法]
本発明のプリント配線板の製造方法は、
(A)支持体と、該支持体上に設けられた、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む絶縁樹脂フィルムを準備する工程、
(B)熱膨張率が10ppm以下の内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように絶縁樹脂フィルムを積層する工程、
(C)樹脂組成物層を熱硬化させ、ガラス転移温度がT1(℃)である絶縁層を形成する工程、
(E)下記一般式(1)を満たすように絶縁層をT2(℃)で加熱する工程、を含む。
5℃≦T1−T2≦50℃ (1)
[Method of manufacturing printed wiring board]
The method for producing a printed wiring board according to the present invention includes:
(A) A step of preparing an insulating resin film including a support and a resin composition layer formed on the support and formed from a resin composition including a cyanate ester resin;
(B) A step of laminating an insulating resin film on an inner layer substrate having a coefficient of thermal expansion of 10 ppm or less so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate;
(C) a step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer having a glass transition temperature of T1 (° C.);
(E) A step of heating the insulating layer at T2 (° C.) so as to satisfy the following general formula (1).
5 ° C ≦ T1-T2 ≦ 50 ° C (1)

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、必要に応じて、(E)工程の前に、(D)絶縁層を室温まで冷却する工程を含んでいてもよい。   Moreover, the manufacturing method of the printed wiring board of this invention may include the process of cooling (D) an insulating layer to room temperature before a (E) process as needed.

以下、本発明のプリント配線板の製造方法における各工程について説明する。   Hereinafter, each process in the manufacturing method of the printed wiring board of this invention is demonstrated.

<(A)工程>
この(A)工程では、支持体と、該支持体上に設けられた、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む絶縁樹脂フィルムを準備する。絶縁樹脂フィルムは、上記[絶縁樹脂フィルム]において説明したとおりである。
<(A) Process>
In the step (A), an insulating resin film including a support and a resin composition layer formed on the support and formed from a resin composition including a cyanate ester resin is prepared. The insulating resin film is as described in the above [Insulating resin film].

絶縁樹脂フィルムは、例えば、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物を有機溶剤に溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。   The insulating resin film is prepared, for example, by preparing a resin varnish in which a resin composition containing a cyanate ester resin is dissolved in an organic solvent, and applying the resin varnish on a support using a coating device such as a die coater, followed by drying. It can manufacture by making it form a resin composition layer.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN−メチルピロリドン等のアミド系溶剤等を挙げることができる。有機溶剤は1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。   Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetates such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, cellosolve and butyl carbitol, etc. Carbitols, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc), and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%〜60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃〜150℃で3分間〜10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。   Drying may be performed by a known method such as heating or hot air blowing. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent, the resin composition is dried at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes. A physical layer can be formed.

絶縁樹脂フィルムにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm〜40μmである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。絶縁樹脂フィルムは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。絶縁樹脂フィルムが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。   In the insulating resin film, a protective film according to the support can be further laminated on the surface of the resin composition layer that is not joined to the support (that is, the surface opposite to the support). Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer-40 micrometers. By laminating the protective film, it is possible to prevent dust and the like from being attached to the surface of the resin composition layer and scratches. The insulating resin film can be wound and stored in a roll shape. When the insulating resin film has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.

<(B)工程>
この(B)工程では、熱膨張率が10ppm以下の内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように絶縁樹脂フィルムを積層する。
<(B) Process>
In this step (B), an insulating resin film is laminated on the inner layer substrate having a thermal expansion coefficient of 10 ppm or less so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate.

内層基板とは、プリント配線板の基板となる部材であって、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。また、該基板は、その片面又は両面に導体層を有していてもよく、この導体層はパターン加工されていてもよい。基板の片面または両面に導体層(回路)が形成された内層基板は「内層回路基板」ということがある。またプリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層及び/又は導体層が形成されるべき中間製造物も本発明でいう「内層基板」に含まれる。プリント配線板が部品内蔵回路板である場合、部品を内蔵した内層基板を使用し得る。   An inner layer board | substrate is a member used as the board | substrate of a printed wiring board, For example, a glass epoxy board | substrate, a metal board | substrate, a polyester board | substrate, a polyimide board | substrate, a BT resin board | substrate, a thermosetting polyphenylene ether board | substrate etc. are mentioned. Moreover, this board | substrate may have a conductor layer in the single side | surface or both surfaces, and this conductor layer may be patterned. An inner layer substrate having a conductor layer (circuit) formed on one or both sides of the substrate may be referred to as an “inner layer circuit board”. Further, when the printed wiring board is manufactured, an intermediate product in which an insulating layer and / or a conductor layer is to be formed is also included in the “inner layer substrate” in the present invention. When the printed wiring board is a circuit board with a built-in component, an inner layer board with a built-in component can be used.

熱膨張率が10ppm以下の内層基板を用いることで、反りを低減及び層間剥離を抑制することができる。内層基板の熱膨張率は、10ppm以下であり、9ppm以下が好ましく、8ppm以下がより好ましく、7ppmが一層好ましい。下限は特に限定されないが、0.1ppm以上等とし得る。内層基板の熱膨張率は、後述する[内層基板の熱膨張率(CTE)の測定]に記載の方法に従って測定することができる。   By using an inner layer substrate having a coefficient of thermal expansion of 10 ppm or less, warpage can be reduced and delamination can be suppressed. The coefficient of thermal expansion of the inner layer substrate is 10 ppm or less, preferably 9 ppm or less, more preferably 8 ppm or less, and even more preferably 7 ppm. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.1 ppm or more. The coefficient of thermal expansion of the inner layer substrate can be measured according to the method described in [Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE) of inner layer substrate] described later.

樹脂組成物層が、熱膨張率が10ppm以下の内層基板と接合するように、内層基板に絶縁樹脂フィルムを積層する。一実施形態において、内層基板と絶縁樹脂フィルムの積層は、例えば、支持体側から絶縁樹脂フィルムを内層基板に加熱圧着することにより行うことができる。絶縁樹脂フィルムを内層基板に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ともいう。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を絶縁樹脂フィルムに直接プレスするのではなく、内層基板の表面凹凸に絶縁樹脂フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。   An insulating resin film is laminated on the inner layer substrate so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate having a coefficient of thermal expansion of 10 ppm or less. In one embodiment, the inner layer substrate and the insulating resin film can be laminated by, for example, thermocompression bonding the insulating resin film to the inner layer substrate from the support side. Examples of the member that heat-presses the insulating resin film to the inner layer substrate (hereinafter also referred to as “heat-pressing member”) include a heated metal plate (SUS end plate, etc.) or a metal roll (SUS roll). In addition, it is preferable not to press the thermocompression bonding member directly on the insulating resin film but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the insulating resin film sufficiently follows the surface irregularities of the inner layer substrate.

内層基板と絶縁樹脂フィルムの積層は、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃〜160℃、より好ましくは80℃〜140℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa〜1.77MPa、より好ましくは0.29MPa〜1.47MPaの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは20秒間〜400秒間、より好ましくは30秒間〜300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。   Lamination of the inner layer substrate and the insulating resin film may be performed by a vacuum laminating method. In the vacuum laminating method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60 ° C to 160 ° C, more preferably 80 ° C to 140 ° C, and the thermocompression bonding pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0. The thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions with a pressure of 26.7 hPa or less.

積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアップリケーター、バッチ式真空加圧ラミネーター等が挙げられる。   Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. Examples of the commercially available vacuum laminator include a vacuum pressurizing laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials, and a batch vacuum pressurizing laminator.

積層の後に、常圧下(大気圧下)、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された絶縁樹脂フィルムの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。   After the lamination, the laminated insulating resin film may be smoothed by pressing the thermocompression bonding member from the support side under normal pressure (under atmospheric pressure), for example. The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same conditions as the thermocompression bonding conditions for the laminate. The smoothing treatment can be performed with a commercially available laminator. In addition, you may perform lamination | stacking and a smoothing process continuously using said commercially available vacuum laminator.

<(C)工程>
この(C)工程では、樹脂組成物層を熱硬化させ、ガラス転移温度がT1(℃)である絶縁層を形成する。
<Process (C)>
In the step (C), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer having a glass transition temperature of T1 (° C.).

樹脂組成物層の熱硬化条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。   The thermosetting conditions for the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions normally employed when forming the insulating layer of the printed wiring board may be used.

例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は120℃〜240℃の範囲(好ましくは150℃〜220℃の範囲、より好ましくは170℃〜200℃の範囲)、硬化時間は5分間〜120分間の範囲(好ましくは10分間〜100分間、より好ましくは15分間〜90分間)とすることができる。   For example, although the thermosetting conditions of the resin composition layer vary depending on the type of the resin composition, the curing temperature is in the range of 120 ° C to 240 ° C (preferably in the range of 150 ° C to 220 ° C, more preferably in the range of 170 ° C to 200 ° C.) and the curing time can be in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上110℃以下、より好ましくは70℃以上100℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を5分間以上(好ましくは5分間〜150分間、より好ましくは15分間〜120分間)予備加熱してもよい。   Before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is formed at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 100 ° C. or lower). Preheating may be performed for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化した後の絶縁層のガラス転移温度T1(℃)としては、好ましくは100℃以上、より好ましくは110℃以上、さらに好ましくは120℃、130℃、140℃、又は150℃以上である。上限は特に限定されないが、好ましくは200℃以下、より好ましくは190℃以下、さらに好ましくは180℃以下である。絶縁層のガラス転移温度T1を上記範囲内とすることで、反りを低減及び層間剥離を抑制することができる。   The glass transition temperature T1 (° C.) of the insulating layer after thermosetting the resin composition layer is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 110 ° C. or higher, further preferably 120 ° C., 130 ° C., 140 ° C., or 150. It is above ℃. Although an upper limit is not specifically limited, Preferably it is 200 degrees C or less, More preferably, it is 190 degrees C or less, More preferably, it is 180 degrees C or less. By setting the glass transition temperature T1 of the insulating layer within the above range, warpage can be reduced and delamination can be suppressed.

一般に、絶縁層が薄いほど絶縁層の剥離が生じやすい傾向があったので、その剥離を抑制することは従来の技術では困難であった。このような解決困難であった剥離の抑制を可能にして本発明の効果を有効に活用する観点では、絶縁層は薄いほど好ましい。具体的な絶縁層の厚みは、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下、さらに好ましくは60μm以下、さらにより好ましくは50μm以下又は40μm以下である。絶縁層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、1μm以上、5μm以上、10μm以上等とし得る。   In general, the thinner the insulating layer, the easier the peeling of the insulating layer tends to occur, and it has been difficult for the conventional technique to suppress the peeling. From the viewpoint of making it possible to suppress such peeling, which has been difficult to solve, and effectively utilizing the effects of the present invention, the thinner the insulating layer, the better. The specific thickness of the insulating layer is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less, still more preferably 60 μm or less, and even more preferably 50 μm or less or 40 μm or less. Although the minimum of the thickness of an insulating layer is not specifically limited, Usually, 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, 10 micrometers or more etc. can be used.

<(D)工程>
一実施形態において、(D)絶縁層を室温まで冷却する工程を含み得る。(D)工程は、(C)工程と(E)工程との間、即ち(E)工程の前に行うことが好ましい。(D)工程を行うことで、(E)工程での絶縁層の応力の緩和によって、絶縁層での応力の残留を効果的に抑制でき、層間剥離をより抑制することができる。ここで室温とは、通常10〜30℃を表す。
<(D) Process>
In one embodiment, the method may include (D) cooling the insulating layer to room temperature. The step (D) is preferably performed between the step (C) and the step (E), that is, before the step (E). By performing the step (D), the relaxation of the stress of the insulating layer in the step (E) can effectively suppress the residual stress in the insulating layer, and the delamination can be further suppressed. Here, room temperature usually represents 10 to 30 ° C.

冷却する方法は、特に限定されず、絶縁層を放冷してもよく、強制的に絶縁層を冷却してもよい。強制的に絶縁層を冷却する場合、公知の種々の方法で冷却すればよく、例えば、絶縁層に冷風を吹きあてる方法、絶縁層を冷却したロールに押し当てる方法などが挙げられる。   The method for cooling is not particularly limited, and the insulating layer may be allowed to cool or the insulating layer may be forcibly cooled. When the insulating layer is forcibly cooled, it may be cooled by various known methods, for example, a method of blowing cool air to the insulating layer, a method of pressing the insulating layer against a cooled roll, and the like.

<(E)工程>
この(E)工程では、下記一般式(1)を満たすように絶縁層をT2(℃)で加熱する。即ち、(C)工程での熱硬化温度よりも低い、一般式(1)を満たす温度で絶縁層のアニール処理を行う。(E)工程を行うことで絶縁層の応力を緩和させることができ、その結果、反りを低減及び層間剥離を抑制することができる。
5℃≦T1−T2≦50℃ (1)
<(E) Process>
In this step (E), the insulating layer is heated at T2 (° C.) so as to satisfy the following general formula (1). That is, the insulating layer is annealed at a temperature satisfying the general formula (1), which is lower than the thermosetting temperature in the step (C). (E) By performing a process, the stress of an insulating layer can be relieved, As a result, curvature can be reduced and delamination can be suppressed.
5 ° C ≦ T1-T2 ≦ 50 ° C (1)

先述したように、従来、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物を用いて絶縁層を形成すると、層間剥離が発生しやすくなるという課題があったが、熱硬化して絶縁層を形成後に、一般式(1)を満たすように、絶縁層のガラス転移温度Tgよりも低い温度で絶縁層を加熱することにより、絶縁層中の応力が緩和され、これにより、反りを低減及び層間剥離を抑制することができる。   As described above, conventionally, when an insulating layer is formed using a resin composition containing a cyanate ester resin, there has been a problem that delamination is likely to occur. By heating the insulating layer at a temperature lower than the glass transition temperature Tg of the insulating layer so as to satisfy (1), the stress in the insulating layer is relaxed, thereby reducing warpage and suppressing delamination. Can do.

加熱温度T2(℃)としては、一般式(1)を満たすように調整すれば特に限定されないが、好ましくは95℃以上、より好ましくは105℃以上、さらに好ましくは115℃、125℃以上である。上限は、好ましくは150℃以下、より好ましくは140℃以下、さらに好ましくは130℃以下である。   Although it will not specifically limit if it adjusts so that General formula (1) may be satisfy | filled as heating temperature T2 (degreeC), Preferably it is 95 degreeC or more, More preferably, it is 105 degreeC or more, More preferably, it is 115 degreeC, 125 degreeC or more. . An upper limit becomes like this. Preferably it is 150 degrees C or less, More preferably, it is 140 degrees C or less, More preferably, it is 130 degrees C or less.

(E)工程での絶縁層の加熱温度T2(℃)は、下記一般式(1)を満たし、下記一般式(2)を満たすことが好ましく、下記一般式(3)を満たすことがより好ましい。T1−T2が一般式(1)を満たすようにT2(℃)で絶縁層を加熱することにより、反りを低減及び層間剥離を抑制することができる。
5℃≦T1−T2≦50℃ (1)
10℃≦T1−T2≦45℃ (2)
15℃≦T1−T2≦40℃ (3)
The heating temperature T2 (° C.) of the insulating layer in the step (E) satisfies the following general formula (1), preferably satisfies the following general formula (2), and more preferably satisfies the following general formula (3). . By heating the insulating layer at T2 (° C.) so that T1-T2 satisfies the general formula (1), warpage can be reduced and delamination can be suppressed.
5 ° C ≦ T1-T2 ≦ 50 ° C (1)
10 ° C ≦ T1-T2 ≦ 45 ° C (2)
15 ° C. ≦ T1-T2 ≦ 40 ° C. (3)

(E)工程では、絶縁層の応力を緩和させる観点から、T2(℃)で所定時間保持することが好ましい。T2(℃)の保持時間は、5〜90分が好ましく、15〜70分が好ましく、20〜40分が好ましい。   In the step (E), it is preferable to hold at T2 (° C.) for a predetermined time from the viewpoint of relaxing the stress of the insulating layer. The holding time of T2 (° C.) is preferably 5 to 90 minutes, preferably 15 to 70 minutes, and preferably 20 to 40 minutes.

支持体は、(B)工程と(C)工程と工程の間、(C)工程と(D)工程との間、(D)工程と(E)工程との間、又は(E)工程の後に除去してもよい。   The support is between step (B) and step (C), between step (C) and step (D), between step (D) and step (E), or in step (E). It may be removed later.

支持体の除去は、従来公知の任意好適な方法により剥離除去することができ、自動剥離装置により機械的に剥離除去してもよい。支持体を除去することにより、形成された絶縁層の表面が露出する。   The support can be removed by any suitable method known in the art, or mechanically removed by an automatic peeling device. By removing the support, the surface of the formed insulating layer is exposed.

<(F)工程乃至(H)工程>
プリント配線板を製造するに際しては、(E)工程の後で、(F)絶縁層に穴あけする工程、(G)絶縁層を粗化処理する工程、(H)絶縁層表面に導体層を形成する工程をさらに実施してもよい。これらの(F)工程乃至(H)工程は、プリント配線板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。
<(F) Process thru | or (H) Process>
When manufacturing a printed wiring board, after the step (E), (F) a step of drilling the insulating layer, (G) a step of roughening the insulating layer, and (H) forming a conductor layer on the surface of the insulating layer. You may further implement the process to do. These steps (F) to (H) may be performed according to various methods known to those skilled in the art, which are used for manufacturing printed wiring boards.

(F)工程は、絶縁層に穴あけする工程であり、これにより絶縁層にビアホール、スルーホールを形成することができる。穴あけする工程は、例えば、ドリル、レーザー(炭酸ガスレーザー、YAGレーザー等)、プラズマ等を使用して実施することができる。   Step (F) is a step of making a hole in the insulating layer, whereby via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step of drilling can be performed using, for example, a drill, laser (carbon dioxide laser, YAG laser, etc.), plasma, or the like.

(G)工程は、絶縁層を粗化処理する工程である。かかる粗化処理の手順、条件は特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。(G)工程は、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して絶縁層を粗化処理する工程とすることができる。膨潤液は特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、30℃〜90℃の膨潤液に絶縁層を1分間〜20分間浸漬することにより行うことができる。酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃〜80℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を10分間〜30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は5質量%〜10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトCP」、「ドージングソリューション・セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスP」が挙げられる。中和液による処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を30℃〜80℃の中和液に5分間〜30分間浸漬させることにより行うことができる。   (G) A process is a process of roughening an insulating layer. The procedure and conditions for the roughening treatment are not particularly limited, and known procedures and conditions that are normally used when forming an insulating layer of a printed wiring board can be employed. (G) A process can be made into the process of carrying out the roughening process of the insulating layer by implementing the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralization liquid in this order, for example. The swelling liquid is not particularly limited, and examples thereof include an alkaline solution and a surfactant solution, and an alkaline solution is preferable. As the alkaline solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of the commercially available swelling liquid include “Swelling Dip Securigans P”, “Swelling Dip Securigans SBU” manufactured by Atotech Japan. Although the swelling process by a swelling liquid is not specifically limited, For example, it can perform by immersing an insulating layer for 1 minute-20 minutes in 30 degreeC-90 degreeC swelling liquid. Although it does not specifically limit as an oxidizing agent, For example, the alkaline permanganate solution which melt | dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes. The concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizers include alkaline permanganate solutions such as “Concentrate Compact CP” and “Dosing Solution Securigans P” manufactured by Atotech Japan. The neutralizing solution is preferably an acidic aqueous solution. Examples of commercially available products include “Reduction Solution / Securigans P” manufactured by Atotech Japan. The treatment with the neutralizing liquid can be performed by immersing the treated surface, which has been subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent solution, in a neutralizing liquid at 30 ° C. to 80 ° C. for 5 to 30 minutes.

(H)工程は、絶縁層の表面に導体層を形成する工程である。   Step (H) is a step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer.

導体層に使用される導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層の形成の容易性、コスト、パターン加工の容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。   The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Contains metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. As the alloy layer, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper- A layer formed from a nickel alloy and a copper / titanium alloy). Among them, from the viewpoint of ease of formation of the conductor layer, cost, ease of pattern processing, etc., single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or nickel-chromium alloy, Copper / nickel alloy, alloy layer of copper / titanium alloy is preferable, single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or alloy layer of nickel / chromium alloy is more preferable, copper The single metal layer is more preferable.

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が2層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。   The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel / chromium alloy.

導体層の厚さは、所望のプリント配線板のデザインによるが、一般に3μm〜35μmであり、好ましくは5μm〜30μmである。   Although the thickness of a conductor layer is based on the design of a desired printed wiring board, it is generally 3 micrometers-35 micrometers, Preferably it is 5 micrometers-30 micrometers.

導体層は、めっきにより形成してよい。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。   The conductor layer may be formed by plating. For example, the surface of the insulating layer can be plated by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by a semi-additive method will be described.

まず、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチングなどにより除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。   First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern that exposes a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. A metal layer is formed by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

導体層の残銅率としては、反りを低減する観点から、35〜85%が好ましく、45〜75%がより好ましく、55〜65%がさらに好ましい。   From the viewpoint of reducing warpage, the remaining copper ratio of the conductor layer is preferably 35 to 85%, more preferably 45 to 75%, and still more preferably 55 to 65%.

本発明の製造方法により得られたプリント配線板は、反りが低減されていることから良好な反り挙動を示す。一実施形態において、反り挙動は40μm未満である。反り挙動は、後述する[反り挙動の評価]に記載の方法に従って測定することができる。   The printed wiring board obtained by the manufacturing method of the present invention exhibits good warpage behavior because warpage is reduced. In one embodiment, the warping behavior is less than 40 μm. The warpage behavior can be measured according to the method described in [Evaluation of warpage behavior] described later.

本発明の製造方法により得られたプリント配線板は、導体層(又は配線層)と絶縁層との間の層間剥離が抑制されるという優れた効果を奏する。層間剥離が発生するエリアは、基板面積20.25cmに対して10%未満が好ましく、5%以下がより好ましく、1%以下がより好ましい。層間剥離は、後述する[層間剥離の評価]に記載の方法に従って測定することができる。 The printed wiring board obtained by the manufacturing method of the present invention has an excellent effect that delamination between the conductor layer (or wiring layer) and the insulating layer is suppressed. The area where delamination occurs is preferably less than 10%, more preferably 5% or less, and even more preferably 1% or less with respect to the substrate area of 20.25 cm 2 . The delamination can be measured according to the method described in [Evaluation of delamination] described later.

[半導体装置]
本発明の製造方法により得られたプリント配線板を用いて、かかるプリント配線板を含む半導体装置を製造することができる。
[Semiconductor device]
A semiconductor device including such a printed wiring board can be manufactured using the printed wiring board obtained by the manufacturing method of the present invention.

半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。   Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices used for electrical products (for example, computers, mobile phones, digital cameras, and televisions) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, trains, ships, and aircrafts).

半導体装置は、プリント配線板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。   The semiconductor device can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) on a conductive portion of a printed wiring board. The “conduction location” is a “location where an electrical signal is transmitted on a printed wiring board”, and the location may be a surface or an embedded location. The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。   The semiconductor chip mounting method for manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, but specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and no bumps. Examples include a mounting method using a build-up layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a mounting method using a non-conductive film (NCF). Here, “a mounting method using a build-up layer without a bump (BBUL)” means “a mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board and the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board are connected”. It is.

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、「部」及び「%」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. The present invention is not limited to these examples. In the following, “part” and “%” mean “part by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified.

[実施例1]
(樹脂ワニスの作製)
ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(エポキシ当量277、DIC社製「EXA−7311」)20質量部と、液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量169、ジャパンエポキシレジン社製「YL983U」)15質量部、リン含有エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「TX0712−EK75」、リン含有量2.6%、エポキシ当量約355の不揮発分75質量%のMEK溶液)10質量部、フェノキシ樹脂(重量平均分子量38000、三菱化学社製「YX6954」不揮発分30質量%のメチルエチルケトン(以下「MEK」と略称する。)とシクロヘキサノンの1:1溶液)10質量部とをMEK10質量部、シクロヘキサノン5質量部、ソルベントナフサ20質量部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、ビスフェノールAジシアネートのプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA230S75」、シアネート当量約232、不揮発分75質量%のMEK溶液)20質量部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT30」、シアネート当量約124、不揮発分80質量%のMEK溶液)10質量部と共に攪拌混合し、硬化促進剤としてイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体(三菱化学社製「jERcure P200H50」、不揮発分50質量%のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液)0.4質量部、ナフテン酸亜鉛(II)ミネラルスピリット溶液(和光純薬工業社製、亜鉛8%含有)の3質量%のアノン溶液3質量部、及び球形シリカ(アドマテックス社製「SOC2」をアミノシランで表面処理したもの、平均粒子径0.5μm)75質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物のワニス(樹脂ワニス)を作製した。
[Example 1]
(Production of resin varnish)
20 parts by mass of a naphthylene ether type epoxy resin (epoxy equivalent 277, "EXA-7311" manufactured by DIC), 15 parts by mass of liquid bisphenol F type epoxy resin (epoxy equivalent 169, "YL983U" manufactured by Japan Epoxy Resin), phosphorus Containing epoxy resin (“TX0712-EK75” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., MEK solution having a phosphorus content of 2.6% and an epoxy equivalent of about 355 with a nonvolatile content of 75% by mass), 10 parts by mass, a phenoxy resin (weight average molecular weight 38000, Mitsubishi 10 parts by mass of MEK 10 parts by mass, cyclohexanone 5 parts by mass, solvent naphtha 20 parts by mass “YX6954” manufactured by Kagaku Co., Ltd., 10 parts by mass of methyl ethyl ketone (hereinafter abbreviated as “MEK”) having a nonvolatile content of 30% by mass and cyclohexanone The solution was heated and dissolved with stirring. After cooling to room temperature, 20 parts by mass of a prepolymer of bisphenol A dicyanate ("BA230S75" manufactured by Lonza Japan, cyanate equivalent of about 232, non-volatile content of 75% by mass MEK solution), phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin (Lonza Japan “PT30”, cyanate equivalent of about 124, MEK solution with non-volatile content of 80% by mass) Agitated and mixed with 10 parts by mass, and an adduct of an imidazole compound and an epoxy resin as a curing accelerator (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation “ jERcure P200H50 ", propylene glycol monomethyl ether solution having a nonvolatile content of 50% by mass), 0.4 parts by mass, zinc naphthenate (II) mineral spirit solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., containing 8% zinc) 3 parts by mass of solution and spherical silica (Adma 75 parts by mass of “SOC2” manufactured by Tex Co., Ltd., surface-treated with aminosilane (average particle size 0.5 μm) was mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin composition varnish (resin varnish) .

(絶縁樹脂フィルムの製造)
作製した樹脂ワニスを、PETフィルム(厚さ38μm)上に、乾燥後の厚さが25μmになるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させて絶縁樹脂フィルムを得た。
(Manufacture of insulating resin film)
The prepared resin varnish is uniformly applied on a PET film (thickness 38 μm) with a die coater so that the thickness after drying is 25 μm, and dried at 80 to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 5 minutes. Thus, an insulating resin film was obtained.

(絶縁樹脂フィルムのラミネート)
得られた絶縁樹脂フィルムを、内層回路基板(日立化成社製「MCL−E705G」、導体層の厚さ35μm、計0.4mm厚、残銅率60%)の両面にラミネートした。かかるラミネートは、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーターMVLP−500を用い、温度100℃にて30秒間真空吸引後、温度100℃、圧力7.0kg/cmの条件で、PETフィルム上から、耐熱ゴムを介して30秒間プレスすることによりラミネートした。次に、大気圧下で、SUS鏡板を用いて、温度100℃、圧力5.5kg/cmの条件で60秒間プレスを行った。
(Lamination of insulating resin film)
The obtained insulating resin film was laminated on both surfaces of an inner layer circuit board (“MCL-E705G” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness of conductor layer: 35 μm, total thickness: 0.4 mm, remaining copper ratio: 60%). This laminate uses a vacuum pressurization type laminator MVLP-500 manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., and is vacuum-sucked at a temperature of 100 ° C. for 30 seconds, and then on the PET film under the conditions of a temperature of 100 ° C. and a pressure of 7.0 kg / cm 2. Lamination was performed by pressing through heat resistant rubber for 30 seconds. Next, pressing was performed for 60 seconds under conditions of a temperature of 100 ° C. and a pressure of 5.5 kg / cm 2 using an SUS end plate under atmospheric pressure.

(絶縁樹脂フィルムの熱硬化)
ラミネートされた絶縁樹脂フィルムから、PETフィルムを剥離し、熱風循環炉を用いて、180℃、30分の硬化条件で絶縁樹脂フィルムの樹脂組成物層を熱硬化させて、Tgが160℃(T1=160℃)の絶縁層を形成した。次に室温(25℃)まで基板を冷却させた。室温まで冷却後、すぐに130℃(T2=130℃)で30分のアニール条件でアニール処理を行った。これにより、内層回路基板の両面に絶縁層が形成された積層板を得た。
(Thermosetting of insulating resin film)
The PET film is peeled off from the laminated insulating resin film, and the resin composition layer of the insulating resin film is thermally cured under a curing condition of 180 ° C. for 30 minutes using a hot air circulating furnace, so that Tg is 160 ° C. (T1 = 160 ° C.). Next, the substrate was cooled to room temperature (25 ° C.). Immediately after cooling to room temperature, annealing was performed at 130 ° C. (T2 = 130 ° C.) under annealing conditions for 30 minutes. Thereby, the laminated board in which the insulating layer was formed on both surfaces of the inner circuit board was obtained.

(粗化処理)
絶縁層表面を、膨潤液であるアトテックジャパン社製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスP(Swelling Dip Securiganth P)に80℃で10分間浸漬し、次に、酸化剤としてアトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクト CPに80℃で10分間浸漬し、最後に中和液として、アトテックジャパン社製のリダクションソリューシン・セキュリガントPに40℃で5分間浸漬した。その後80℃で30分間乾燥した。
(Roughening treatment)
The surface of the insulating layer is immersed in a swelling liquid, Swelling Dip Securigans P (Swelling Dip Securigans P) at 80 ° C. for 10 minutes, and then an concentrate manufactured by Atotech Japan. -It immersed in compact CP for 10 minutes at 80 degreeC, and was finally immersed in the reduction solution securigant P made from Atotech Japan for 5 minutes as a neutralization liquid at 40 degreeC. Thereafter, it was dried at 80 ° C. for 30 minutes.

(めっきによる導体層の形成)
粗化処理された積層板を、PdClを含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅めっき液に浸漬した。150℃にて30分間加熱してめっきシード層のアニール処理を行った後に、硫酸銅電解メッキを行い、30±5μmの厚さで導体層を形成した。次に、導体層のアニール処理を180℃にて60分間行い、多層プリント配線板を製造した。
(Formation of conductor layer by plating)
The roughened laminate was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 and then immersed in an electroless copper plating solution. After annealing the plating seed layer by heating at 150 ° C. for 30 minutes, copper sulfate electrolytic plating was performed to form a conductor layer with a thickness of 30 ± 5 μm. Next, the conductor layer was annealed at 180 ° C. for 60 minutes to produce a multilayer printed wiring board.

[実施例2]
実施例1において、アニール処理の前に、絶縁樹脂フィルムを熱硬化させた後内層回路基板を室温まで冷却させなかった。以上の事項以外は実施例1と同様にして、多層プリント配線板を得た。
[Example 2]
In Example 1, the inner layer circuit board was not cooled to room temperature after the insulating resin film was thermally cured before the annealing treatment. Except for the above, a multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

[実施例3]
実施例1において、内層回路基板(日立化成社製「MCL−E705G」、導体層の厚さ35μm、計0.4mm厚)を、内層回路基板(三菱ガス化学社製「HL832NSF−LCA」、導体層の厚さ35μm、計0.4mm厚)に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして、多層プリント配線板を得た。
[Example 3]
In Example 1, an inner layer circuit board (“MCL-E705G” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., a conductor layer thickness of 35 μm, a total thickness of 0.4 mm) is used as an inner layer circuit board (“HL832NSF-LCA” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) The thickness of the layer was changed to 35 μm (total thickness: 0.4 mm). Except for the above, a multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

[実施例4]
実施例1において、130℃で30分のアニール条件で行ったアニール処理を、130℃で15分のアニール条件で行ったアニール処理に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして、多層プリント配線板を得た。
[Example 4]
In Example 1, the annealing process performed at 130 ° C. under the annealing condition for 30 minutes was changed to the annealing process performed at 130 ° C. under the annealing condition for 15 minutes. Except for the above, a multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

[実施例5]
実施例1において、130℃で30分のアニール条件で行ったアニール処理を、130℃で60分のアニール条件で行ったアニール処理に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして、多層プリント配線板を得た。
[Example 5]
In Example 1, the annealing process performed at 130 ° C. under the annealing condition for 30 minutes was changed to the annealing process performed at 130 ° C. under the annealing condition for 60 minutes. Except for the above, a multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

[比較例1]
実施例1において、130℃で30分のアニール条件で行ったアニール処理を、180℃で30分のアニール条件で行ったアニール処理に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして、多層プリント配線板を得た。
[Comparative Example 1]
In Example 1, the annealing process performed at 130 ° C. under the annealing condition for 30 minutes was changed to the annealing process performed at 180 ° C. under the annealing condition for 30 minutes. Except for the above, a multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

[比較例2]
実施例1において、130℃で30分のアニール条件で行ったアニール処理を、100℃で30分のアニール条件で行ったアニール処理に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして、多層プリント配線板を得た。
[Comparative Example 2]
In Example 1, the annealing process performed at 130 ° C. under the annealing condition for 30 minutes was changed to the annealing process performed at 100 ° C. under the annealing condition for 30 minutes. Except for the above, a multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

[比較例3]
実施例1において、内層回路基板(日立化成社製「MCL−E705G」、導体層の厚さ35μm、計0.4mm厚)を、内層回路基板(三菱ガス化学社製「MCL−E679FGR」、導体層の厚さ35μm、計0.4mm厚)に変更した。以上の事項以外は実施例1と同様にして、多層プリント配線板を得た。
[Comparative Example 3]
In Example 1, an inner layer circuit board (“MCL-E705G” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., a conductor layer thickness of 35 μm, a total thickness of 0.4 mm) is used as an inner layer circuit board (“MCL-E679FGR” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) The thickness of the layer was changed to 35 μm (total thickness: 0.4 mm). Except for the above, a multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

以上の実施例及び比較例で得られた絶縁樹脂フィルム及び回路基板についての評価を下記のとおりに行った。その結果を下記表に示す。   Evaluation about the insulating resin film and circuit board obtained by the above Example and the comparative example was performed as follows. The results are shown in the table below.

[内層基板の熱膨張率(CTE)の測定]
JIS C 6481−1996(5.19)の規定に基づき、内層回路基板上の回路をエッチング処理により除いて、内層回路基板の熱膨張率をTMA法により測定した。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE) of inner layer substrate]
Based on the provisions of JIS C 6481-1996 (5.19), the circuit on the inner layer circuit board was removed by etching, and the thermal expansion coefficient of the inner layer circuit board was measured by the TMA method.

[絶縁層のガラス転移温度の測定]
樹脂ワニスを、アルキッド系離型剤で処理されたPETフィルム(38μm)の離型処理面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが25μmになるように、ダイコーターにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥することにより、絶縁樹脂フィルムを得た。次いで、絶縁樹脂フィルムを実施例及び比較例に記載した条件で熱硬化させ、樹脂組成物層を熱硬化させた絶縁樹脂フィルムの小片をサンプルとした。サンプルを、熱機械分析装置(DMA)としてセイコーインスツルメンツ社製の型式DMS-6100を用い、「引っ張りモード」にて測定した。かかる測定は、2℃/分の昇温にて、25℃〜240℃の範囲で行った。測定で得られた貯蔵弾性率(E’)と損失弾性率(E”)との比で求められる損失正接(tanδ)の最大値の小数点第一位を四捨五入した値をガラス転移温度とした。
[Measurement of glass transition temperature of insulating layer]
Resin varnish is evenly applied with a die coater on the release treatment surface of a PET film (38 μm) treated with an alkyd release agent so that the thickness of the resin composition layer after drying is 25 μm. And it dried at 80-120 degreeC (average 100 degreeC) for 5 minutes, and the insulating resin film was obtained. Next, the insulating resin film was thermally cured under the conditions described in Examples and Comparative Examples, and a small piece of the insulating resin film obtained by thermosetting the resin composition layer was used as a sample. The sample was measured in a “tensile mode” using a model DMS-6100 manufactured by Seiko Instruments Inc. as a thermomechanical analyzer (DMA). This measurement was performed in the range of 25 ° C. to 240 ° C. at a temperature increase of 2 ° C./min. A value obtained by rounding off the first decimal place of the maximum value of the loss tangent (tan δ) obtained by the ratio between the storage elastic modulus (E ′) and the loss elastic modulus (E ″) obtained by the measurement was taken as the glass transition temperature.

[反り挙動の評価]
実施例及び比較例での多層プリント配線板を、5つの45mm角の個片に切り出した後、ピーク温度260℃のリフロー装置(日本アントム社製「HAS−6116」)に一回通した(この条件は、IPC/JEDEC J−STD−020Cに準拠)。次いで、シャドウモアレ装置(Akrometrix社製TherMoire AXP)を用いて、IPC/JEDEC J−STD−020C(ピーク温度260℃)に準拠した温度プロファイルにて多層プリント配線板の下部より加熱し、多層プリント配線板中央の10mm角部分の反り挙動を測定した。5つの個片について行い、得られた変位データの最大高さと最少高さの差異が、全温度範囲で1サンプルでも40μm以上となるものを「×」、全サンプルが40μm未満となるものを「○」とした。
[Evaluation of warpage behavior]
The multilayer printed wiring boards in the examples and comparative examples were cut into five 45 mm square pieces and then passed once through a reflow apparatus (“HAS-6116” manufactured by Nippon Antom Co., Ltd.) having a peak temperature of 260 ° C. The conditions are based on IPC / JEDEC J-STD-020C). Next, using a shadow moire device (Thermoire AXP manufactured by Akrometrix), the multilayer printed wiring board is heated from the lower part of the multilayer printed wiring board with a temperature profile conforming to IPC / JEDEC J-STD-020C (peak temperature 260 ° C.). The warpage behavior of a 10 mm square portion at the center of the plate was measured. Performed for 5 pieces, the difference between the maximum height and the minimum height of the obtained displacement data is “x” when one sample is 40 μm or more in the whole temperature range, and “x” when all samples are less than 40 μm. ○ ”.

[層間剥離の評価]
反り挙動の評価後の多層プリント配線板について、日立パワーソリューションズ社製「FineSAT FS300III」で内層回路基板上の回路と絶縁層との間、もしくは絶縁層と導体層の間の層間剥離の発生エリアを確認した。多層プリント配線板の面積20.25cmに対して層間剥離の発生エリアが10%以上となるものを「×」、1%以上10%未満となるものを「△」、1%未満となるものを「○」とした。
[Evaluation of delamination]
For multilayer printed wiring boards after warpage behavior evaluation, the area where delamination occurs between the circuit on the inner circuit board and the insulating layer, or between the insulating layer and the conductor layer using “FineSAT FS300III” manufactured by Hitachi Power Solutions. confirmed. “×” means that the delamination area is 10% or more with respect to the area of 20.25 cm 2 of the multilayer printed wiring board, “△” means that the area is 10% or more, and “△” means that it is less than 1%. Was marked as “◯”.

Figure 2018101703
Figure 2018101703

Claims (7)

(A)支持体と、該支持体上に設けられた、シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む絶縁樹脂フィルムを準備する工程、
(B)熱膨張率が10ppm以下の内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように絶縁樹脂フィルムを積層する工程、
(C)樹脂組成物層を熱硬化させ、ガラス転移温度がT1(℃)である絶縁層を形成する工程、
(E)下記一般式(1)を満たすように絶縁層をT2(℃)で加熱する工程、を含む、プリント配線板の製造方法。
5℃≦T1−T2≦50℃ (1)
(A) A step of preparing an insulating resin film including a support and a resin composition layer formed on the support and formed from a resin composition including a cyanate ester resin;
(B) A step of laminating an insulating resin film on an inner layer substrate having a coefficient of thermal expansion of 10 ppm or less so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate;
(C) a step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer having a glass transition temperature of T1 (° C.);
(E) The manufacturing method of a printed wiring board including the process of heating an insulating layer by T2 (degreeC) so that the following general formula (1) may be satisfy | filled.
5 ° C ≦ T1-T2 ≦ 50 ° C (1)
(E)工程の前に、(D)絶縁層を室温まで冷却する工程を含む、請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1 including the process of cooling (D) an insulating layer to room temperature before a (E) process. (E)工程において、絶縁層を、T2(℃)で5〜90分間加熱する、請求項1又は2に記載のプリント配線板の製造方法。   (E) The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1 or 2 which heats an insulating layer for 5 to 90 minutes at T2 (degreeC) in a process. (C)工程において、絶縁層のガラス転移温度T1(℃)が、100℃≦T1≦200℃を満たす、請求項1〜3のいずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法。   (C) The manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-3 in which glass transition temperature T1 (degreeC) of an insulating layer satisfy | fills 100 degreeC <= T1 <= 200 degreeC in a process. (E)工程の後で、(G)絶縁層を粗化処理する工程を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-4 including the process of roughening a (G) insulating layer after the (E) process. (G)工程の後で、(H)絶縁層表面に導体層を形成する工程を含む、請求項5に記載のプリント配線板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 5 including the process of forming a conductor layer in the (H) insulating layer surface after (G) process. 絶縁層の厚みが、100μm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-6 whose thickness of an insulating layer is 100 micrometers or less.
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