JP6318690B2 - Manufacturing method of component built-in circuit board and semiconductor device - Google Patents

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

本発明は、部品内蔵回路板の製造方法および半導体装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a component-embedded circuit board and a semiconductor device.

近年、スマートフォン、タブレットPCといった小型の高機能電子機器の需要が増大している。それに伴い、こうした小型の高機能電子機器に用いられるプリント配線板のさらなる高機能化、小型化が求められている。   In recent years, the demand for small high-performance electronic devices such as smartphones and tablet PCs is increasing. Accordingly, there is a demand for further enhancement and miniaturization of printed wiring boards used in such small high-performance electronic devices.

プリント配線板には、ベアチップ、チップ状コンデンサ、チップ状インダクタ等の部品が実装される。従来、このような部品はプリント配線板の表面回路にのみ実装されていたが、その実装量は限られており、近年のプリント配線板のさらなる高機能化、小型化の要求に対応するのは困難であった。   Components such as a bare chip, a chip capacitor, and a chip inductor are mounted on the printed wiring board. Conventionally, such components have been mounted only on the surface circuit of the printed wiring board, but the amount of mounting is limited, and it is possible to meet the recent demand for higher functionality and downsizing of the printed wiring board. It was difficult.

斯かる問題に対処すべく、部品を内層回路基板に内蔵させることにより部品の搭載量を増大させつつ小型化を図ることができるプリント配線板として、部品内蔵回路板が提案されている(特許文献1)。   In order to cope with such a problem, a component built-in circuit board has been proposed as a printed wiring board that can be miniaturized while increasing the amount of the component mounted by incorporating the component in the inner layer circuit board (Patent Literature). 1).

特開2011−216636号公報JP 2011-216636 A

部品内蔵回路板は、例えば、部品を収容するためのキャビティが形成された内層回路基板を用いて、下記のとおり製造することができる。(i)キャビティが形成された内層回路基板の片方の主面に、部品を仮付けするための仮付け材料を積層する。(ii)キャビティを介して露出した仮付け材料の粘着面に部品を仮付けする。(iii)キャビティ内に部品が仮付けされた内層回路基板の他方の主面に、熱硬化性樹脂組成物層を設け熱硬化させて絶縁層を形成する。(iv)仮付け材料を剥離した後、露出した内層回路基板の片方の主面に、熱硬化性樹脂組成物層を設け熱硬化させて絶縁層を形成する。その後、(v)回路配線を設けることにより部品内蔵回路板が形成される。   The component built-in circuit board can be manufactured as follows using, for example, an inner layer circuit board in which a cavity for housing a component is formed. (I) A temporary attachment material for temporarily attaching components is laminated on one main surface of the inner layer circuit board on which the cavity is formed. (Ii) A part is temporarily attached to the adhesive surface of the temporary attachment material exposed through the cavity. (Iii) A thermosetting resin composition layer is provided on the other main surface of the inner layer circuit board in which components are temporarily attached in the cavity, and the insulating layer is formed by thermosetting. (Iv) After peeling off the tacking material, a thermosetting resin composition layer is provided on one main surface of the exposed inner layer circuit board and thermally cured to form an insulating layer. Thereafter, (v) a circuit board with a built-in component is formed by providing circuit wiring.

電子機器のさらなる小型化、軽量化を実現するには、部品内蔵回路板自体の小型化、薄型化が望まれる。しかしながら、部品内蔵回路板自体の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い内層回路基板や厚さの薄い内層回路基板を使用する場合などにおいては、内層回路基板の片方の主面に絶縁層を形成した段階(上記(iii)の後)で、絶縁層が設けられた面を内周側として内層回路基板がカールする現象(以下「基板反り」ともいう。)が生じる場合のあることを本発明者らは見出した。基板反りが生じると、基板搬送に支障をきたし、製造効率(歩留まり)の低下を招来してしまう。   In order to achieve further miniaturization and weight reduction of electronic devices, it is desired to reduce the size and thickness of the component built-in circuit board itself. However, when using an internal circuit board with a high cavity density or an internal circuit board with a small thickness to achieve miniaturization and thinning of the component built-in circuit board itself, it is insulated on one main surface of the internal circuit board. At the stage of forming the layer (after (iii) above), a phenomenon that the inner layer circuit board curls (hereinafter also referred to as “substrate warpage”) may occur with the surface on which the insulating layer is provided as the inner peripheral side. The present inventors have found out. When the substrate warps, the substrate conveyance is hindered and the manufacturing efficiency (yield) is reduced.

また、内蔵される部品の小型化、回路の微細配線化も進んでおり、内層回路基板のキャビティ内における部品の配置精度に対する要求はますます高くなっている。   In addition, the miniaturization of built-in components and the miniaturization of circuits are progressing, and the requirements for the placement accuracy of components in the cavity of the inner circuit board are increasing.

本発明は、基板反りを抑制し得るとともに、キャビティ内における部品の位置変化(ズレ)を抑え優れた部品の配置精度を実現することのできる部品内蔵回路板の製造方法を提供することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a circuit board with a built-in component that can suppress substrate warpage and can suppress the positional change (displacement) of the component in the cavity and realize excellent component placement accuracy. To do.

本発明者らは、上記の課題につき鋭意検討した結果、内層回路基板の片方の主面に熱硬化性樹脂組成物層を積層した後に、該熱硬化性樹脂組成物層を特定の条件にて加熱処理することによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of earnestly examining the above problems, the present inventors have laminated the thermosetting resin composition layer on one main surface of the inner layer circuit board, and then the thermosetting resin composition layer under specific conditions. It has been found that the above problems can be solved by heat treatment, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
[1] 下記工程(A)、(B)、(C)及び(D)をこの順序で含む部品内蔵回路板の製造方法。
(A)第1及び第2の主面を有し、該第1及び第2の主面間を貫通するキャビティが形成された回路基板と、該回路基板の第2の主面と接合している仮付け材料と、前記回路基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む、部品が仮付けされた回路基板に、第1の支持体及び該第1の支持体と接合する第1の熱硬化性樹脂組成物層を含む第1の接着フィルムを、該第1の熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の第1の主面と接合するように、真空積層する工程
(B)第1の熱硬化性樹脂組成物層を、下記工程(C)において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行われる工程
(C)回路基板の第2の主面から仮付け材料を剥離した後、第2の支持体及び該第2の支持体と接合する第2の熱硬化性樹脂組成物層を含む第2の接着フィルムを、該第2の熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の第2の主面と接合するように、真空積層する工程
(D)第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化する工程
[2] 第1の接着フィルムにおける第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度が100〜10000ポイズである、[1]に記載の部品内蔵回路板の製造方法。
[3] 工程(B)において、第1の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が15000〜200000ポイズとなるように加熱処理する、[1]又は[2]に記載の部品内蔵回路板の製造方法。
[4] 工程(B)において、第1の支持体の付いた状態で加熱処理する、[1]〜[3]のいずれかに記載の部品内蔵回路板の製造方法。
[5] 回路基板の厚さが50〜350μmである、[1]〜[4]のいずれかに記載の部品内蔵回路板の製造方法。
[6] キャビティ間のピッチが1〜10mmである、[1]〜[5]のいずれかに記載の部品内蔵回路板の製造方法。
[7] 第2の熱硬化性樹脂組成物層が、第1の熱硬化性樹脂組成物層よりも薄い、[1]〜[6]のいずれかに記載の部品内蔵回路板の製造方法。
[8] 工程(B)で得られる基板から、平面寸法がL(mm)×W(mm)(ここで、L≧Wであり、Lは550mm以下である。)の試験片を得たとき、該試験片の反りが0.1L(mm)以下である、[1]〜[7]のいずれかに記載の部品内蔵回路板の製造方法。
[9] [1]〜[8]のいずれかに記載の方法で製造された部品内蔵回路板を含む半導体装置。
That is, the present invention includes the following contents.
[1] A method for manufacturing a component-embedded circuit board including the following steps (A), (B), (C) and (D) in this order.
(A) A circuit board having first and second main surfaces and having a cavity penetrating between the first and second main surfaces, and a second main surface of the circuit board joined to each other A first support body and a first support body on a circuit board on which a part is temporarily attached, the part including a temporary attachment material and a part temporarily attached with the temporary attachment material inside a cavity of the circuit board The first adhesive film including the first thermosetting resin composition layer to be bonded to the substrate is vacuum laminated so that the first thermosetting resin composition layer is bonded to the first main surface of the circuit board. (B) heat-treating the first thermosetting resin composition layer in the following step (C) to suppress positional deviation of the component, and the heat treatment suppresses the occurrence of substrate warpage. (C) After removing the tacking material from the second main surface of the circuit board, the second step A second adhesive film including a support and a second thermosetting resin composition layer bonded to the second support is used as the second thermosetting resin composition layer. (D) The process of thermosetting the first and second thermosetting resin composition layers [2] The first thermosetting resin composition in the first adhesive film The method for producing a circuit board with a built-in component according to [1], wherein the minimum melt viscosity of the layer is 100 to 10,000 poise.
[3] In the step (B), the first thermosetting resin composition layer is heat-treated so that its minimum melt viscosity is 15,000 to 200,000 poises. Circuit board manufacturing method.
[4] The method for manufacturing a component built-in circuit board according to any one of [1] to [3], wherein in the step (B), heat treatment is performed with the first support attached.
[5] The method for manufacturing a component-embedded circuit board according to any one of [1] to [4], wherein the thickness of the circuit board is 50 to 350 μm.
[6] The method for manufacturing a component-embedded circuit board according to any one of [1] to [5], wherein a pitch between cavities is 1 to 10 mm.
[7] The method for manufacturing a circuit board with a built-in component according to any one of [1] to [6], wherein the second thermosetting resin composition layer is thinner than the first thermosetting resin composition layer.
[8] When a test piece having a planar dimension of L (mm) × W (mm) (where L ≧ W and L is 550 mm or less) is obtained from the substrate obtained in the step (B). The method for producing a circuit board with a built-in component according to any one of [1] to [7], wherein the warp of the test piece is 0.1 L (mm) or less.
[9] A semiconductor device including a component built-in circuit board manufactured by the method according to any one of [1] to [8].

本発明によれば、基板反りを抑制し得るとともに、キャビティ内における部品の位置変化(ズレ)を抑え優れた部品の配置精度を実現することのできる部品内蔵回路板の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a circuit board with a built-in component that can suppress substrate warpage and can suppress the positional change (displacement) of the component in the cavity and realize excellent component placement accuracy. it can.

図1Aは、本発明の部品内蔵回路板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた回路基板を用意する一手順を示す模式図(1)である。FIG. 1A is a schematic diagram (1) showing a procedure for preparing a circuit board on which a component is temporarily used, which is used in the method for manufacturing a component built-in circuit board according to the present invention. 図1Bは、本発明の部品内蔵回路板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた回路基板を用意する一手順を示す模式図(2)である。FIG. 1B is a schematic diagram (2) showing a procedure for preparing a circuit board on which a component is temporarily used, which is used in the method of manufacturing a component-embedded circuit board according to the present invention. 図1Cは、本発明の部品内蔵回路板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた回路基板を用意する一手順を示す模式図(3)である。FIG. 1C is a schematic diagram (3) showing a procedure for preparing a circuit board on which a component is temporarily used, which is used in the method of manufacturing a component-embedded circuit board according to the present invention. 図1Dは、本発明の部品内蔵回路板の製造方法において使用する、部品が仮付けされた回路基板を用意する一手順を示す模式図(4)である。FIG. 1D is a schematic diagram (4) showing a procedure for preparing a circuit board on which a component is temporarily attached, which is used in the method of manufacturing a component-embedded circuit board according to the present invention. 図2は、本発明の部品内蔵回路板の製造方法において使用する第1の接着フィルムの一態様を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing an embodiment of the first adhesive film used in the method for producing a component-embedded circuit board of the present invention. 図3Aは、本発明の一実施形態における部品内蔵回路板の製造方法を説明するための模式図(1)である。FIG. 3A is a schematic diagram (1) for explaining the method of manufacturing the component built-in circuit board according to the embodiment of the present invention. 図3Bは、本発明の一実施形態における部品内蔵回路板の製造方法を説明するための模式図(2)である。FIG. 3B is a schematic diagram (2) for explaining the method of manufacturing the component built-in circuit board according to the embodiment of the present invention. 図3Cは、本発明の一実施形態における部品内蔵回路板の製造方法を説明するための模式図(3)である。FIG. 3C is a schematic diagram (3) for explaining the method of manufacturing the component built-in circuit board according to the embodiment of the present invention. 図3Dは、本発明の一実施形態における部品内蔵回路板の製造方法を説明するための模式図(4)である。Drawing 3D is a mimetic diagram (4) for explaining a manufacturing method of a component built-in circuit board in one embodiment of the present invention. 図3Eは、本発明の一実施形態における部品内蔵回路板の製造方法を説明するための模式図(5)である。FIG. 3E is a schematic diagram (5) for explaining the method of manufacturing the component built-in circuit board according to the embodiment of the present invention. 図3Fは、本発明の一実施形態における部品内蔵回路板の製造方法を説明するための模式図(6)である。FIG. 3F is a schematic diagram (6) for explaining the method of manufacturing the component built-in circuit board according to the embodiment of the present invention. 図3Gは、本発明の一実施形態における部品内蔵回路板の製造方法を説明するための模式図(7)である。FIG. 3G is a schematic diagram (7) for explaining the method for manufacturing the component built-in circuit board according to the embodiment of the present invention. 図4は、基板反りの評価方法を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a substrate warpage evaluation method.

本発明の部品内蔵回路板の製造方法について詳細に説明する前に、本発明の製造方法において使用する「部品が仮付けされた回路基板」及び「接着フィルム」について説明する。   Before describing in detail the manufacturing method of the component built-in circuit board of the present invention, the “circuit board on which components are temporarily attached” and the “adhesive film” used in the manufacturing method of the present invention will be described.

<部品が仮付けされた回路基板>
本発明の製造方法で使用する部品が仮付けされた回路基板(以下、「部品仮付け回路基板」ともいう。)は、第1及び第2の主面を有し、該第1及び第2の主面間を貫通するキャビティが形成された回路基板と、該回路基板の第2の主面と接合している仮付け材料と、前記回路基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む。
<Circuit board with parts temporarily attached>
A circuit board on which a component used in the manufacturing method of the present invention is temporarily attached (hereinafter also referred to as “component temporary attachment circuit board”) has first and second main surfaces, and the first and second main surfaces. A circuit board in which a cavity penetrating between the main surfaces of the circuit board is formed, a temporary attachment material bonded to the second main surface of the circuit board, and temporary attachment with the temporary attachment material inside the cavity of the circuit board Parts.

斯かる部品仮付け回路基板は、部品内蔵回路板の製造に際し従来公知の任意の手順に従って用意してよい。以下、図1A乃至図1Dを参照して、部品仮付け回路基板を用意する手順の一例を説明する。   Such a component tack circuit board may be prepared according to any conventionally known procedure when manufacturing the component built-in circuit board. Hereinafter, an example of a procedure for preparing a component temporary circuit board will be described with reference to FIGS. 1A to 1D.

第一に、回路基板を用意する(図1A)。本発明において、「回路基板」とは、対向する第1及び第2の主面を有し、該第1及び第2の主面の片方又は両方にパターン加工された回路配線を有する板状の基板をいう。図1Aには、回路基板1の端面を模式的に示しており、回路基板1は、基板2と、ビア配線、表面配線等の回路配線3とを含む。以下の説明においては、便宜的に、回路基板の第1の主面とは、図示する回路基板の上側主面を表し、回路基板の第2の主面とは、図示する回路基板の下側主面を表すこととする。   First, a circuit board is prepared (FIG. 1A). In the present invention, the “circuit board” is a plate-like shape having first and second main surfaces facing each other and circuit wiring patterned on one or both of the first and second main surfaces. A substrate. FIG. 1A schematically shows an end face of the circuit board 1. The circuit board 1 includes a substrate 2 and circuit wirings 3 such as via wirings and surface wirings. In the following description, for convenience, the first main surface of the circuit board represents the upper main surface of the illustrated circuit board, and the second main surface of the circuit board represents the lower side of the illustrated circuit board. It represents the main surface.

回路基板1に用いられる基板2としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられ、ガラスエポキシ基板が好ましい。またプリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層及び/又は導体層が形成されるべき中間製造物の内層回路基板も本発明でいう「回路基板」に含まれる。   Examples of the substrate 2 used for the circuit board 1 include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, and the like, and a glass epoxy substrate is preferable. Further, when the printed wiring board is manufactured, an inner layer circuit board of an intermediate product on which an insulating layer and / or a conductor layer is to be formed is also included in the “circuit board” in the present invention.

回路基板1の基板2の厚さは、部品内蔵回路板の薄型化の観点から、薄い方が好適であり、好ましくは400μm未満、より好ましくは350μm以下、さらに好ましくは300μm以下、さらにより好ましくは250μm以下、特に好ましくは200μm以下、180μm以下、170μm以下、160μm以下、又は150μm以下である。本発明の方法によれば、斯かる薄い基板を備えた回路基板を使用する場合であっても、基板反りの発生を抑制することができる。基板2の厚さの下限は特に制限されないが、搬送時の取り扱い性向上の観点から、好ましくは50μm以上、より好ましくは80μm以上である。   The thickness of the substrate 2 of the circuit board 1 is preferably thinner from the viewpoint of reducing the thickness of the component-embedded circuit board, preferably less than 400 μm, more preferably 350 μm or less, still more preferably 300 μm or less, and even more preferably. It is 250 μm or less, particularly preferably 200 μm or less, 180 μm or less, 170 μm or less, 160 μm or less, or 150 μm or less. According to the method of the present invention, even when a circuit board having such a thin substrate is used, the occurrence of substrate warpage can be suppressed. Although the minimum of the thickness of the board | substrate 2 is not restrict | limited in particular, From a viewpoint of the handleability improvement at the time of conveyance, Preferably it is 50 micrometers or more, More preferably, it is 80 micrometers or more.

回路基板1の基板2の熱膨張係数は、回路歪みやクラックの発生を抑制する観点から、好ましくは15ppm/℃以下、より好ましくは13ppm/℃以下、さらに好ましくは11ppm/℃以下である。基板2の熱膨張係数の下限は、絶縁層の形成に使用する樹脂組成物の組成にもよるが、好ましくは−2ppm/℃以上、より好ましくは0ppm/℃以上であり、さらに好ましくは4ppm/℃以上である。本発明において、基板の熱膨張係数は、引張加重法で熱機械分析(TMA)することにより得られた、平面方向の25〜150℃の線熱膨張係数である。基板の線熱膨張係数の測定に使用し得る熱機械分析装置としては、例えば、(株)リガク製「Thermo Plus TMA8310」、セイコーインスツル(株)製「TMA-SS6100」が挙げられる。   The thermal expansion coefficient of the substrate 2 of the circuit board 1 is preferably 15 ppm / ° C. or less, more preferably 13 ppm / ° C. or less, and still more preferably 11 ppm / ° C. or less from the viewpoint of suppressing the occurrence of circuit distortion and cracks. The lower limit of the thermal expansion coefficient of the substrate 2 depends on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer, but is preferably −2 ppm / ° C. or higher, more preferably 0 ppm / ° C. or higher, and still more preferably 4 ppm / ° C. It is above ℃. In this invention, the thermal expansion coefficient of a board | substrate is a linear thermal expansion coefficient of 25-150 degreeC of the plane direction obtained by carrying out the thermomechanical analysis (TMA) by the tension load method. Examples of the thermomechanical analyzer that can be used for measuring the linear thermal expansion coefficient of the substrate include “Thermo Plus TMA8310” manufactured by Rigaku Corporation and “TMA-SS6100” manufactured by Seiko Instruments Inc.

回路基板1の基板2のガラス転移温度(Tg)は、部品内蔵回路板の機械強度の観点から、好ましくは170℃以上、より好ましくは180℃以上である。基板2のTgの上限は特に限定されないが、通常300℃以下である。基板のTgは、引張加重法で熱機械分析することにより測定することができる。熱機械分析装置としては、上記と同じものを使用し得る。   The glass transition temperature (Tg) of the substrate 2 of the circuit board 1 is preferably 170 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, from the viewpoint of mechanical strength of the component built-in circuit board. Although the upper limit of Tg of the board | substrate 2 is not specifically limited, Usually, it is 300 degrees C or less. The Tg of the substrate can be measured by thermomechanical analysis using a tensile load method. The same thermomechanical analyzer as described above can be used.

回路基板1の備える回路配線3の寸法は、所望の特性に応じて決定してよい。例えば、表面配線の厚さは、部品内蔵回路板の薄型化の観点から、好ましくは40μm以下、より好ましくは35μm以下、さらに好ましくは30μm以下、さらにより好ましくは25μm以下、特に好ましくは20μm以下、19μm以下、又は18μm以下である。表面配線の厚さの下限は特に制限されないが、通常、1μm以上、3μm以上、5μm以上などである。   The dimensions of the circuit wiring 3 provided on the circuit board 1 may be determined according to desired characteristics. For example, the thickness of the surface wiring is preferably 40 μm or less, more preferably 35 μm or less, even more preferably 30 μm or less, even more preferably 25 μm or less, particularly preferably 20 μm or less, from the viewpoint of thinning the component built-in circuit board. 19 μm or less, or 18 μm or less. The lower limit of the thickness of the surface wiring is not particularly limited, but is usually 1 μm or more, 3 μm or more, 5 μm or more, and the like.

第二に、部品を収容するためのキャビティを回路基板に設ける(図1B)。図1Bに模式的に示すように、基板2の所定の位置に、回路基板の第1及び第2の主面間を貫通するキャビティ2aを設けることができる。キャビティ2aは、基板2の特性を考慮して、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ、エッチング媒体等を用いる公知の方法により形成することができる。   Second, a cavity for housing the components is provided in the circuit board (FIG. 1B). As schematically shown in FIG. 1B, a cavity 2 a that penetrates between the first and second main surfaces of the circuit board can be provided at a predetermined position of the board 2. The cavity 2a can be formed by a known method using, for example, a drill, a laser, plasma, an etching medium, or the like in consideration of the characteristics of the substrate 2.

図1Bには、1つのキャビティ2aのみを示しているが、キャビティ2aは、互いに所定の間隔をあけて複数設けることができる。キャビティ2a間のピッチは、部品内蔵回路板の小型化の観点から、短いことが好適である。キャビティ2a間のピッチは、キャビティ2a自体の開口寸法にもよるが、好ましくは10mm以下、より好ましくは9mm以下、さらに好ましくは8mm以下、さらにより好ましくは7mm以下、特に好ましくは6mm以下である。本発明の方法によれば、キャビティを斯かる短いピッチにて設ける場合であっても、基板反りの発生を抑制することができる。キャビティ2a間のピッチの下限は、キャビティ2a自体の開口寸法にもよるが、通常、1mm以上、2mm以上などである。キャビティ2a間の各ピッチは、回路基板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。   Although only one cavity 2a is shown in FIG. 1B, a plurality of cavities 2a can be provided at predetermined intervals. The pitch between the cavities 2a is preferably short from the viewpoint of miniaturization of the component built-in circuit board. The pitch between the cavities 2a is preferably 10 mm or less, more preferably 9 mm or less, even more preferably 8 mm or less, even more preferably 7 mm or less, and particularly preferably 6 mm or less, although it depends on the opening size of the cavity 2a itself. According to the method of the present invention, even when the cavities are provided at such a short pitch, occurrence of substrate warpage can be suppressed. The lower limit of the pitch between the cavities 2a is usually 1 mm or more, 2 mm or more, although depending on the opening size of the cavities 2a itself. Each pitch between the cavities 2a does not need to be the same across the circuit board, and may be different.

キャビティ2aの開口形状は特に制限されず、矩形、円形、略矩形、略円形等の任意の形状としてよい。また、キャビティ2aの開口寸法は、回路配線の設計にもよるが、例えば、キャビティ2aの開口形状が矩形の場合、5mm×5mm以下が好ましく、3mm×3mm以下がより好ましい。当該開口寸法の下限は、収容する部品の寸法にもよるが、通常、0.5mm×0.5mm以上である。キャビティ2aの開口形状及び開口寸法は、回路基板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。   The opening shape of the cavity 2a is not particularly limited, and may be an arbitrary shape such as a rectangle, a circle, a substantially rectangle, or a substantially circle. Moreover, although the opening dimension of the cavity 2a depends on the design of the circuit wiring, for example, when the opening shape of the cavity 2a is rectangular, it is preferably 5 mm × 5 mm or less, and more preferably 3 mm × 3 mm or less. Although the minimum of the said opening dimension is based also on the dimension of the components accommodated, it is 0.5 mm x 0.5 mm or more normally. The opening shape and opening size of the cavity 2a do not need to be the same over the circuit board and may be different.

第三に、回路基板の第2の主面に仮付け材料を積層する(図1C)。仮付け材料としては、部品を仮付けするのに十分な粘着性を示す粘着面を有する限り特に制限されず、部品内蔵回路板の製造に際し従来公知の任意の仮付け材料を使用してよい。図1Cに模式的に示す態様では、フィルム状の仮付け材料4を、該仮付け材料4の粘着面が回路基板の第2の主面と接合するように積層している。これにより、キャビティ2aを介して仮付け材料4の粘着面が露出するようになる。   Third, a temporary attachment material is laminated on the second main surface of the circuit board (FIG. 1C). The tacking material is not particularly limited as long as it has an adhesive surface exhibiting sufficient tackiness for tacking a component, and any conventionally known tacking material may be used in the manufacture of the component built-in circuit board. In the embodiment schematically shown in FIG. 1C, the film-like temporary attachment material 4 is laminated so that the adhesive surface of the temporary attachment material 4 is bonded to the second main surface of the circuit board. Thereby, the adhesive surface of the temporary attachment material 4 comes to be exposed through the cavity 2a.

フィルム状の仮付け材料としては、例えば、古河電気工業(株)製のUCシリーズ(ウエハダイシング用UVテープ)が挙げられる。   Examples of the film-like tacking material include UC series (UV tape for wafer dicing) manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.

第四に、キャビティを介して露出した仮付け材料の粘着面に部品を仮付けする(図1D)。図1Dに模式的に示す態様では、キャビティ2aを介して露出した仮付け材料4の粘着面に部品5を仮付けしている。   Fourth, a part is temporarily attached to the adhesive surface of the temporary attachment material exposed through the cavity (FIG. 1D). In the embodiment schematically shown in FIG. 1D, the component 5 is temporarily attached to the adhesive surface of the temporary attachment material 4 exposed through the cavity 2a.

部品5としては、所望の特性に応じて適切な電気部品を選択してよく、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受動部品、半導体ベアチップ等の能動部品を挙げることができる。全てのキャビティに同じ部品5を用いてもよく、キャビティごとに異なる部品5を用いてもよい。   As the component 5, an appropriate electrical component may be selected according to desired characteristics, and examples thereof include a passive component such as a capacitor, an inductor, and a resistor, and an active component such as a semiconductor bare chip. The same part 5 may be used for all the cavities, or a different part 5 may be used for each cavity.

以上、図1A乃至図1Dを参照して、部品仮付け回路基板を用意する手順の一例を説明したが、部品仮付け回路基板が得られる限り、上記の手順に限定されるものではない。例えば、基板2にキャビティ2aを形成した後に、回路配線3を設けてもよい。また、仮付け材料4を回路基板の第2の主面に積層した後に、キャビティ2aを形成してもよい。部品仮付け回路基板を用意する手順には多数の変形例が考えられる。このような変形例によって用意した部品仮付け回路基板を使用して部品内蔵回路板を製造する態様も本発明の範囲内である。   The example of the procedure for preparing the component temporary circuit board has been described above with reference to FIGS. 1A to 1D. However, the procedure is not limited to the above as long as the component temporary circuit board is obtained. For example, the circuit wiring 3 may be provided after the cavity 2 a is formed in the substrate 2. Alternatively, the cavity 2a may be formed after the tacking material 4 is laminated on the second main surface of the circuit board. Many variations of the procedure for preparing the component tack circuit board are conceivable. A mode in which a component built-in circuit board is manufactured using a component temporary circuit board prepared according to such a modification is also within the scope of the present invention.

<接着フィルム>
本発明の製造方法では、第1の接着フィルムと第2の接着フィルムを使用する。
<Adhesive film>
In the manufacturing method of the present invention, the first adhesive film and the second adhesive film are used.

(第1の接着フィルム)
図2に、第1の接着フィルムの端面を模式的に示す。第1の接着フィルム10は、第1の支持体11と、該第1の支持体と接合する第1の熱硬化性樹脂組成物層12とを含む。
(First adhesive film)
In FIG. 2, the end surface of a 1st adhesive film is shown typically. The first adhesive film 10 includes a first support 11 and a first thermosetting resin composition layer 12 that is bonded to the first support.

第1の支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。   Examples of the first support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

第1の支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。   When a film made of a plastic material is used as the first support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as “PEN”). Such as polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as “PC”), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), and polyether sulfide (PES). , Polyether ketone, polyimide and the like. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

第1の支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。   When metal foil is used as the first support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.). It may be used.

第1の支持体は、後述する第1の熱硬化性樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。   The first support may be subjected to a mat treatment or a corona treatment on a surface to be bonded to a first thermosetting resin composition layer described later.

また、第1の支持体としては、後述する第1の熱硬化性樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック(株)製の「SK−1」、「AL−5」、「AL−7」などが挙げられる。   Moreover, as the first support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the first thermosetting resin composition layer described later may be used. Examples of the release agent used for the release layer of the support with a release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . As the support with a release layer, a commercially available product may be used. For example, “SK-1” manufactured by Lintec Corporation, which is a PET film having a release layer mainly composed of an alkyd resin release agent. , “AL-5”, “AL-7”, and the like.

第1の支持体の厚さは、特に限定されないが、5μm〜75μmの範囲が好ましく、10μm〜60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚みが上記範囲であることが好ましい。   Although the thickness of a 1st support body is not specifically limited, The range of 5 micrometers-75 micrometers is preferable, and the range of 10 micrometers-60 micrometers is more preferable. In addition, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであればよい。得られる絶縁層の熱膨張率を低下させて、絶縁層と導体層との熱膨張の差によるクラックや回路歪みの発生を防止する観点から、第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は無機充填材を含むことが好ましい。   The resin composition used for the first thermosetting resin composition layer is not particularly limited as long as the cured product has sufficient hardness and insulation. Resin used for the first thermosetting resin composition layer from the viewpoint of reducing the thermal expansion coefficient of the obtained insulating layer and preventing the occurrence of cracks and circuit distortion due to the difference in thermal expansion between the insulating layer and the conductor layer The composition preferably includes an inorganic filler.

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、得られる絶縁層の熱膨張率を低下させる観点から、好ましくは30質量%以上、より好ましくは40質量%以上、さらに好ましくは50質量%以上、さらにより好ましくは60質量%以上、特に好ましくは62質量%以上、64質量%以上、又は66質量%以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、得られる絶縁層の機械強度の観点から、好ましくは90質量%以下、より好ましくは85質量%以下である。
なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計を100質量%としたときの値である。
The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, still more preferably 50% by mass or more, from the viewpoint of reducing the thermal expansion coefficient of the obtained insulating layer. Even more preferably, it is 60% by mass or more, particularly preferably 62% by mass or more, 64% by mass or more, or 66% by mass or more. The upper limit of the content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, from the viewpoint of mechanical strength of the obtained insulating layer.
In addition, in this invention, content of each component in a resin composition is a value when the sum total of the non-volatile component in a resin composition is 100 mass%.

無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。市販されている球状溶融シリカとして、(株)アドマテックス製「SOC2」、「SOC1」が挙げられる。   Examples of inorganic fillers include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, and nitride. Boron, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and phosphoric acid Examples thereof include zirconium tungstate. Among these, silica such as amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica is particularly suitable. Moreover, spherical silica is preferable as the silica. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Examples of commercially available spherical fused silica include “SOC2” and “SOC1” manufactured by Admatechs.

無機充填材の平均粒径は、樹脂組成物の流動性を高めて十分な部品の埋め込み性及びキャビティ充填性を実現する観点から、0.01μm〜4μmの範囲が好ましく、0.05μm〜2μmの範囲がより好ましく、0.1μm〜1μmの範囲がさらに好ましく、0.3μm〜0.8μmがさらにより好ましい。無機充填材の平均粒径はミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、(株)堀場製作所製LA−500等を使用することができる。   The average particle size of the inorganic filler is preferably in the range of 0.01 μm to 4 μm from the viewpoint of increasing the fluidity of the resin composition and realizing sufficient part embedding and cavity filling properties, and 0.05 μm to 2 μm. The range is more preferable, the range of 0.1 μm to 1 μm is further preferable, and the range of 0.3 μm to 0.8 μm is even more preferable. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, LA-500 manufactured by Horiba, Ltd. or the like can be used.

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの1種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業(株)製「KBM403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM803」(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBE903」(3−アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「SZ−31」(ヘキサメチルジシラザン)等が挙げられる。   Inorganic fillers are aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, organosilazane compounds, titanate coupling agents from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. It is preferable that it is processed with 1 or more types of surface treating agents. Examples of commercially available surface treatment agents include “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxy manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). Silane), Shin-Etsu Chemical "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "SZ-31" (Hexamethyldisilazane) manufactured by Co., Ltd.

表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、(株)堀場製作所製「EMIA−320V」等を使用することができる。   The inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent can be washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)), and then the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured. Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent and ultrasonically cleaned at 25 ° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid, the carbon amount per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, “EMIA-320V” manufactured by Horiba, Ltd. can be used.

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、0.02mg/m以上が好ましく、0.1mg/m以上がより好ましく、0.2mg/m以上が更に好ましい。一方、熱硬化性樹脂組成物層の溶融粘度の上昇を防止する観点から、1mg/m以下が好ましく、0.8mg/m以下がより好ましく、0.5mg/m以下が更に好ましい。 Carbon content per unit surface area of the inorganic filler, from the viewpoint of improving dispersibility of the inorganic filler is preferably 0.02 mg / m 2 or more, 0.1 mg / m 2 or more preferably, 0.2 mg / m 2 The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in melt viscosity of the thermosetting resin composition layer, 1 mg / m 2 or less is preferable, 0.8 mg / m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg / m 2 or less is more preferable.

第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる熱硬化性樹脂としては、プリント配線板の絶縁層を形成する際に使用される従来公知の熱硬化性樹脂を用いることができ、中でもエポキシ樹脂が好ましい。一実施形態において、第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、無機充填材及びエポキシ樹脂を含む。樹脂組成物はまた、必要に応じて、硬化剤を含んでいてもよい。一実施形態において、第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含む。第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、更に熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。
以下、樹脂組成物の材料として使用し得るエポキシ樹脂、硬化剤、及び添加剤について説明する。
As the thermosetting resin used for the first thermosetting resin composition layer, a conventionally known thermosetting resin used when forming an insulating layer of a printed wiring board can be used, and among them, an epoxy resin is used. preferable. In one embodiment, the resin composition used for the first thermosetting resin composition layer includes an inorganic filler and an epoxy resin. The resin composition may also contain a curing agent as necessary. In one embodiment, the resin composition used for the first thermosetting resin composition layer includes an inorganic filler, an epoxy resin, and a curing agent. The resin composition used for the first thermosetting resin composition layer may further contain additives such as a thermoplastic resin, a curing accelerator, a flame retardant, and rubber particles.
Hereinafter, an epoxy resin, a curing agent, and an additive that can be used as a material for the resin composition will be described.

−エポキシ樹脂−
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
-Epoxy resin-
Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, Phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type Epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring Epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins and trimethylol type epoxy resins. An epoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を100質量%とした場合に、少なくとも50質量%以上は1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、1分子中に2個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下、「液状エポキシ樹脂」という。)と、1分子中に3個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(以下、「固体状エポキシ樹脂」という。)とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物を硬化して形成される絶縁層の破断強度も向上する。   The epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100% by mass, at least 50% by mass or more is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, it has two or more epoxy groups in one molecule and has a liquid epoxy resin (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”) at a temperature of 20 ° C. and three or more epoxy groups in one molecule. And a solid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”). By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination as an epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility can be obtained. Moreover, the breaking strength of the insulating layer formed by curing the resin composition is also improved.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC(株)製の「HP4032」、「HP4032D」、「EXA4032SS」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂)、三菱化学(株)製の「jER828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂)、「jER807」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂)、「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂)、新日鐵化学(株)製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品)、ナガセケムテックス(株)製の「EX−721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。   As the liquid epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, or naphthalene type epoxy resin are preferable, and bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, or naphthalene type epoxy resin are preferable. More preferred. Specific examples of the liquid epoxy resin include “HP4032”, “HP4032D”, “EXA4032SS”, “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, and “jER828EL” (bisphenol A) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. Type epoxy resin), "jER807" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolac type epoxy resin), "ZX1059" (bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Resin mixture), “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation, and the like. These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

固体状エポキシ樹脂としては、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が好ましく、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC(株)製の「HP−4700」、「HP−4710」(4官能ナフタレン型エポキシ樹脂)、「N−690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「N−695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、「HP−7200」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311−G3」、「EXA7311−G4」、「EXA7311−G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂)、日本化薬(株)製の「EPPN−502H」(トリスフェノールエポキシ樹脂)、「NC7000L」(ナフトールノボラックエポキシ樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、新日鐵化学(株)製の「ESN475」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、「ESN485V」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂)、三菱化学(株)製の「YX4000H」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂)、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂)、大阪ガスケミカル(株)製の「PG−100」、「CG−500」、三菱化学(株)製の「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。   The solid epoxy resin includes a tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a trisphenol type epoxy resin, a naphthol novolac type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, or a naphthylene ether type epoxy. Resin is preferable, tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, or naphthylene ether type epoxy resin is more preferable, and biphenyl type epoxy resin is more preferable. Specific examples of the solid epoxy resin include “HP-4700”, “HP-4710” (tetrafunctional naphthalene type epoxy resin), “N-690” (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, “ N-695 ”(cresol novolac type epoxy resin),“ HP-7200 ”(dicyclopentadiene type epoxy resin),“ EXA7311 ”,“ EXA7311-G3 ”,“ EXA7311-G4 ”,“ EXA7311-G4S ”,“ HP6000 ” ”(Naphthylene ether type epoxy resin),“ EPPN-502H ”(trisphenol epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.,“ NC7000L ”(naphthol novolac epoxy resin),“ NC3000H ”,“ NC3000 ”,“ NC3000L ” ”,“ NC3100 ”(biphenyl type Xyresin), “ESN475” (naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., “ESN485V” (naphthol novolac type epoxy resin), “YX4000H”, “YL6121” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) ( Biphenyl type epoxy resin), “YX4000HK” (bixylenol type epoxy resin), “PG-100”, “CG-500” manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., “YL7800” (fluorene type manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) Epoxy resin).

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、1:0.1〜1:4の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、i)接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ii)接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにiii)十分な破断強度を有する絶縁層を得ることができるなどの効果が得られる。上記i)〜iii)の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、1:0.3〜1:3.5の範囲がより好ましく、1:0.6〜1:3の範囲がさらに好ましく、1:0.8〜1:2.5の範囲が特に好ましい。
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、3質量%〜50質量%が好ましく、5質量%〜45質量%がより好ましく、5質量%〜40質量%が更に好ましく、7質量%〜35質量%が特に好ましい。
When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the quantitative ratio thereof (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is in the range of 1: 0.1 to 1: 4 in terms of mass ratio. preferable. By making the quantitative ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within such a range, i) suitable adhesiveness is obtained when used in the form of an adhesive film, ii) when used in the form of an adhesive film Sufficient flexibility and handleability are improved, and iii) an insulating layer having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects i) to iii) above, the quantitative ratio of liquid epoxy resin to solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is from 1: 0.3 to 1: 3.5 in mass ratio. Is more preferable, the range of 1: 0.6 to 1: 3 is more preferable, and the range of 1: 0.8 to 1: 2.5 is particularly preferable.
The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 3% by mass to 50% by mass, more preferably 5% by mass to 45% by mass, still more preferably 5% by mass to 40% by mass, and 7% by mass to 35% by mass. % Is particularly preferred.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50〜3000、より好ましくは80〜2000、さらに好ましくは110〜1000である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗度の低い絶縁層をもたらす。なお、エポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができ、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。   The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 3000, more preferably 80 to 2000, and still more preferably 110 to 1000. By being in this range, the crosslink density of the cured product is sufficient and an insulating layer having a low surface roughness is obtained. The epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236, and is the mass of a resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

−硬化剤−
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
-Curing agent-
The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the epoxy resin. For example, a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an active ester curing agent, a benzoxazine curing agent, and a cyanate ester curing agent may be used. Can be mentioned. A hardening | curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層(回路配線)との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性(剥離強度)を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を硬化剤として用いることが好ましい。   As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Moreover, from a viewpoint of adhesiveness with a conductor layer (circuit wiring), a nitrogen-containing phenol type hardening | curing agent is preferable and a triazine frame | skeleton containing phenol type hardening | curing agent is more preferable. Among these, from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesiveness (peel strength) to the conductor layer, it is preferable to use a triazine skeleton-containing phenol novolac resin as a curing agent.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成(株)製の「MEH−7700」、「MEH−7810」、「MEH−7851」、日本化薬(株)製の「NHN」、「CBN」、「GPH」、東都化成(株)製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN375」、「SN395」、DIC(株)製の「LA7052」、「LA7054」、「LA3018」等が挙げられる。   Specific examples of the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent include, for example, “MEH-7700”, “MEH-7810”, “MEH-7785” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and Nippon Kayaku Co., Ltd. “NHN”, “CBN”, “GPH”, “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495”, “SN375”, “SN395” manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. "LA7052", "LA7054", "LA3018", etc. manufactured by DIC Corporation.

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエニルジフェノール」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。   Although there is no restriction | limiting in particular as an active ester type hardening | curing agent, Generally ester groups with high reaction activity, such as phenol ester, thiophenol ester, N-hydroxyamine ester, ester of heterocyclic hydroxy compound, are in 1 molecule. A compound having two or more in the above is preferably used. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Benzenetriol, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac and the like. Here, “dicyclopentadienyl diphenol” refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

具体的には、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエニルジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンタレン−フェニレンからなる2価の構造単位を表す。   Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadienyl diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of a phenol novolak, and an active ester compound containing a benzoylated product of a phenol novolak are preferred. Of these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadienyl diphenol structure are more preferred. The “dicyclopentadienyl diphenol structure” represents a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentalene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC−8000−65T」(DIC(株)製)、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「EXB9416−70BK」(DIC(株)製)、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「DC808」(三菱化学(株)製)、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「YLH1026」(三菱化学(株)製)などが挙げられる。   Commercially available active ester curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T" (DIC Corporation) as active ester compounds containing a dicyclopentadienyl diphenol structure. Manufactured product), "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, Examples of the active ester compound containing a benzoylated compound include “YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子(株)製の「HFB2006M」、四国化成工業(株)製の「P−d」、「F−a」が挙げられる。   Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include “HFB2006M” manufactured by Showa Polymer Co., Ltd., “Pd” and “Fa” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3−メチレン−1,5−フェニレンシアネート)、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルフェニルシアネート)、4,4’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2−ビス(4−シアネート)フェニルプロパン、1,1−ビス(4−シアネートフェニルメタン)、ビス(4−シアネート−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアネートフェニル−1−(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4−シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4−シアネートフェニル)エーテル等の2官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン(株)製の「PT30」及び「PT60」(いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「BA230」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)等が挙げられる。   Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4. '-Ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) Bifunctional cyanate resins such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether, phenol Novolac and K Polyfunctional cyanate resin derived from tetrazole novolac, these cyanate resins and partially triazine of prepolymer. Specific examples of the cyanate ester curing agent include “PT30” and “PT60” (both phenol novolak polyfunctional cyanate ester resins) and “BA230” (part or all of bisphenol A dicyanate) manufactured by Lonza Japan Co., Ltd. And the like, and the like, and the like.

エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、[エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数]:[硬化剤の反応基の合計数]の比率で、1:0.2〜1:2の範囲が好ましく、1:0.3〜1:1.5がより好ましく、1:0.4〜1:1がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。   The amount ratio of the epoxy resin and the curing agent is preferably a ratio of [total number of epoxy groups of the epoxy resin]: [total number of reactive groups of the curing agent] in the range of 1: 0.2 to 1: 2. 1: 0.3-1: 1.5 are more preferable, and 1: 0.4-1: 1 are further more preferable. Here, the reactive group of the curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group or the like, and varies depending on the type of the curing agent. Moreover, the total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by dividing the value obtained by dividing the solid mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent for all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is: The value obtained by dividing the solid mass of each curing agent by the reactive group equivalent is the total value for all curing agents. By setting the amount ratio of the epoxy resin and the curing agent in such a range, the heat resistance of the cured product of the resin composition is further improved.

一実施形態において、第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、上述の無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含む。樹脂組成物は、無機充填材としてシリカを、エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂の質量比は1:0.1〜1:4の範囲が好ましく、1:0.3〜1:3.5の範囲がより好ましく、1:0.6〜1:3の範囲がさらに好ましく、1:0.8〜1:2.5の範囲が特に好ましい)を、硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される1種以上(好ましくはフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される1種以上、より好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される1種以上、さらに好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を含む硬化剤)を、それぞれ含むことが好ましい。斯かる特定の成分を組み合わせて含む樹脂組成物に関しても、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤の好適な含有量は上述のとおりであるが、中でも、無機充填材の含有量が30質量%〜90質量%、エポキシ樹脂の含有量が3質量%〜50質量%であることが好ましく、無機充填材の含有量が50質量%〜90質量%、エポキシ樹脂の含有量が5質量%〜45質量%であることがより好ましい。硬化剤の含有量に関しては、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、硬化剤の反応基の合計数との比が、好ましくは1:0.2〜1:2の範囲、より好ましくは1:0.3〜1:1.5の範囲、さらに好ましくは1:0.4〜1:1の範囲となるように含有させる。   In one embodiment, the resin composition used for the first thermosetting resin composition layer includes the above-described inorganic filler, epoxy resin, and curing agent. The resin composition includes silica as an inorganic filler and a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (the mass ratio of liquid epoxy resin: solid epoxy resin is in the range of 1: 0.1 to 1: 4. Is preferable, a range of 1: 0.3 to 1: 3.5 is more preferable, a range of 1: 0.6 to 1: 3 is further preferable, and a range of 1: 0.8 to 1: 2.5 is particularly preferable. 1 or more selected from the group consisting of a phenolic curing agent, a naphthol curing agent, an active ester curing agent, and a cyanate ester curing agent (preferably a phenol curing agent and a naphthol curing agent). One or more selected from the group consisting of, more preferably one or more selected from the group consisting of a triazine skeleton-containing phenol novolak resin and a naphthol-based curing agent, more preferably The curing agent) containing a triazine skeleton-containing phenol novolak resin, it is preferable to include, respectively. Regarding the resin composition containing a combination of such specific components, the preferred content of the inorganic filler, the epoxy resin, and the curing agent is as described above. Among them, the content of the inorganic filler is 30% by mass. It is preferable that the content of the epoxy resin is 3% by mass to 50% by mass, the content of the inorganic filler is 50% by mass to 90% by mass, and the content of the epoxy resin is 5% by mass to 45%. More preferably, it is mass%. Regarding the content of the curing agent, the ratio of the total number of epoxy groups of the epoxy resin to the total number of reactive groups of the curing agent is preferably in the range of 1: 0.2 to 1: 2, more preferably 1: It is contained so as to be in the range of 0.3 to 1: 1.5, more preferably in the range of 1: 0.4 to 1: 1.

樹脂組成物は、必要に応じて、さらに熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。   The resin composition may further contain additives such as a thermoplastic resin, a curing accelerator, a flame retardant, and rubber particles as necessary.

−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
-Thermoplastic resin-
Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyethersulfone resin, polyphenylene ether resin, and polysulfone resin. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は8,000〜70,000の範囲が好ましく、10,000〜60,000の範囲がより好ましく、20,000〜60,000の範囲がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として(株)島津製作所製LC−9A/RID−6Aを、カラムとして昭和電工(株)製Shodex K−800P/K−804L/K−804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。   The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is preferably in the range of 8,000 to 70,000, more preferably in the range of 10,000 to 60,000, and still more preferably in the range of 20,000 to 60,000. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the polystyrene-reduced weight average molecular weight of the thermoplastic resin is LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and Shodex K-800P / K- manufactured by Showa Denko KK as a column. 804L / K-804L can be measured at a column temperature of 40 ° C. using chloroform or the like as a mobile phase, and can be calculated using a standard polystyrene calibration curve.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学(株)製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂)、「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂)、及び「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂)が挙げられ、その他にも、東都化成(株)製の「FX280」及び「FX293」、三菱化学(株)製の「YL7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及び「YL7482」等が挙げられる。   Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene Examples thereof include phenoxy resins having a skeleton and one or more skeletons selected from the group consisting of a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Specific examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resin), “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and “YX6954” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). In addition, “FX280” and “FX293” manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., “YL7553”, “YL6794”, “YL7213” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, YL7290 "," YL7482 ", etc. are mentioned.

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製の電化ブチラール4000−2、5000−A、6000−C、6000−EP、積水化学工業(株)製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ、KSシリーズ、BLシリーズ、BMシリーズ等が挙げられる。   Specific examples of the polyvinyl acetal resin include: Electric Butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. KS series, BL series, BM series, etc. are mentioned.

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化(株)製の「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006−37083号公報記載のもの)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002−12667号公報及び特開2000−319386号公報等に記載のもの)等の変性ポリイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyimide resin include “Rika Coat SN20” and “Rika Coat PN20” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. Specific examples of the polyimide resin include linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (described in JP-A-2006-37083), a polysiloxane skeleton. Examples thereof include modified polyimides such as containing polyimide (described in JP-A No. 2002-12667 and JP-A No. 2000-319386).

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績(株)製の「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業(株)製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「KS9100」、「KS9300」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyamide-imide resin include “Bilomax HR11NN” and “Bilomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of the polyamideimide resin also include modified polyamideimides such as polysiloxane skeleton-containing polyamideimides “KS9100” and “KS9300” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学(株)製の「PES5003P」等が挙げられる。   Specific examples of the polyethersulfone resin include “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ(株)製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。   Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone “P1700” and “P3500” manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.

樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、0.1質量%〜20質量%であることが好ましい。熱可塑性樹脂の含有量を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚みやバルク性状の均一な樹脂組成物を形成することができる。樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、0.5質量%〜10質量%であることがより好ましい。   The content of the thermoplastic resin in the resin composition is preferably 0.1% by mass to 20% by mass. By setting the content of the thermoplastic resin within such a range, the viscosity of the resin composition becomes appropriate, and a uniform resin composition having a thickness and a bulk property can be formed. The content of the thermoplastic resin in the resin composition is more preferably 0.5% by mass to 10% by mass.

−硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。
-Curing accelerator-
Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, and imidazole-based accelerators. A curing accelerator is preferable, and an amine-based curing accelerator and an imidazole-based curing accelerator are more preferable.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4−メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。   Examples of phosphorus curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセン等が挙げられ、4−ジメチルアミノピリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセンが好ましい。   Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo. (5,4,0) -undecene and the like are mentioned, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールが好ましい。   Examples of the imidazole curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2 Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2′-Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl- 4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl Examples include imidazole compounds such as 3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins, such as 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenyl. Imidazole is preferred.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1−メチルグアニジン、1−エチルグアニジン、1−シクロヘキシルグアニジン、1−フェニルグアニジン、1−(o−トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、7−メチル−1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、1−メチルビグアニド、1−エチルビグアニド、1−n−ブチルビグアニド、1−n−オクタデシルビグアニド、1,1−ジメチルビグアニド、1,1−ジエチルビグアニド、1−シクロヘキシルビグアニド、1−アリルビグアニド、1−フェニルビグアニド、1−(o−トリル)ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンが好ましい。   Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- ( - tolyl) biguanide, and the like, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene are preferred.

硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分合計量を100質量%としたとき、0.05質量%〜3質量%の範囲で使用することが好ましい。   A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The content of the curing accelerator in the resin composition is preferably in the range of 0.05% by mass to 3% by mass when the total amount of nonvolatile components of the epoxy resin and the curing agent is 100% by mass.

−難燃剤−
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。樹脂組成物層中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、0.5質量%〜10質量%が好ましく、1質量%〜9質量%がより好ましく、1.5質量%〜8質量%がさらに好ましい。
-Flame retardant-
Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. The content of the flame retardant in the resin composition layer is not particularly limited, but is preferably 0.5% by mass to 10% by mass, more preferably 1% by mass to 9% by mass, and 1.5% by mass to 8% by mass. Is more preferable.

−ゴム粒子−
ゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、上述のエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないものが使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。
-Rubber particles-
As the rubber particles, for example, those that do not dissolve in an organic solvent described later and are incompatible with the above-described epoxy resin, curing agent, thermoplastic resin, and the like are used. Such rubber particles are generally prepared by increasing the molecular weight of the rubber component to a level at which it does not dissolve in an organic solvent or resin and making it into particles.

ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される2層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される3層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物(ブチルゴム)などで構成される。ゴム粒子は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。   Examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, cross-linked acrylonitrile butadiene rubber particles, cross-linked styrene butadiene rubber particles, and acrylic rubber particles. The core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, a two-layer structure in which an outer shell layer is made of a glassy polymer and an inner core layer is made of a rubbery polymer, or Examples include a three-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer, the intermediate layer is made of a rubbery polymer, and the core layer is made of a glassy polymer. The glassy polymer layer is made of, for example, methyl methacrylate polymer, and the rubbery polymer layer is made of, for example, butyl acrylate polymer (butyl rubber). A rubber particle may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

ゴム粒子の平均粒径は、好ましくは0.005μm〜1μmの範囲であり、より好ましくは0.2μm〜0.6μmの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー(FPAR−1000;大塚電子(株)製)を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。樹脂組成物中のゴム粒子の含有量は、好ましくは1質量%〜10質量%であり、より好ましくは2質量%〜5質量%である。   The average particle size of the rubber particles is preferably in the range of 0.005 μm to 1 μm, more preferably in the range of 0.2 μm to 0.6 μm. The average particle diameter of the rubber particles can be measured using a dynamic light scattering method. For example, rubber particles are uniformly dispersed in an appropriate organic solvent by ultrasonic waves, etc., and a particle size distribution of rubber particles is created on a mass basis using a concentrated particle size analyzer (FPAR-1000; manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). And it can measure by making the median diameter into an average particle diameter. The content of the rubber particles in the resin composition is preferably 1% by mass to 10% by mass, and more preferably 2% by mass to 5% by mass.

第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに有機フィラー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。   The resin composition used for the first thermosetting resin composition layer may contain other additives as necessary. Examples of such other additives include organic copper compounds and organic zinc. Examples thereof include organometallic compounds such as compounds and organic cobalt compounds, and resin additives such as organic fillers, thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents, and coloring agents.

第1の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは、回路基板の厚さなどにもよるが、部品内蔵回路板の薄型化の観点から、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下、さらに好ましくは60μm以下、さらにより好ましくは50μm以下である。第1の熱硬化性樹脂組成物層の厚さの下限は、回路基板の厚さなどにもよるが、部品の埋め込み性及びキャビティ充填性の観点から、通常、15μm以上である。   The thickness of the first thermosetting resin composition layer is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less, and even more preferably from the viewpoint of reducing the thickness of the component-embedded circuit board, although it depends on the thickness of the circuit board. Is 60 μm or less, and more preferably 50 μm or less. Although the lower limit of the thickness of the first thermosetting resin composition layer depends on the thickness of the circuit board and the like, it is usually 15 μm or more from the viewpoint of component embedding property and cavity filling property.

部品内蔵回路板の製造に際して十分な部品の埋め込み性及びキャビティ充填性を実現する観点から、第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、好ましくは10000ポイズ以下、より好ましくは8000ポイズ以下、さらに好ましくは6000ポイズ以下、さらにより好ましくは4000ポイズ以下、特に好ましくは3000ポイズ以下である。第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度の下限は、部品内蔵回路板の製造に際して層保形性(染み出し防止)の観点から、好ましくは100ポイズ以上、より好ましくは300ポイズ以上、さらに好ましくは500ポイズ以上である。   The minimum melt viscosity of the first thermosetting resin composition layer is preferably 10,000 poises or less, more preferably 8000 poises, from the viewpoint of realizing sufficient component embedding property and cavity filling property in the production of the component built-in circuit board. Hereinafter, it is more preferably 6000 poise or less, even more preferably 4000 poise or less, and particularly preferably 3000 poise or less. The lower limit of the minimum melt viscosity of the first thermosetting resin composition layer is preferably 100 poises or more, more preferably 300 poises or more, from the viewpoint of layer shape retention (prevention of bleeding) in the production of a component-embedded circuit board. More preferably, it is 500 poise or more.

ここで、熱硬化性樹脂組成物層の「最低溶融粘度」とは、熱硬化性樹脂組成物層の樹脂が溶融した際に熱硬化性樹脂組成物層が呈する最低の粘度をいう。詳細には、一定の昇温速度で熱硬化性樹脂組成物層を加熱して樹脂を溶融させると、初期の段階は溶融粘度が温度上昇とともに低下し、その後、ある温度を超えると温度上昇とともに溶融粘度が上昇する。「最低溶融粘度」とは、斯かる極小点の溶融粘度をいう。熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、動的粘弾性法により測定することができる。具体的には、熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、測定開始温度60℃、昇温速度5℃/分、振動数1Hz、ひずみ1degの条件で動的粘弾性測定を行うことにより得ることができる。動的粘弾性測定装置としては、例えば、(株)ユー・ビー・エム製の「Rheosol−G3000」が挙げられる。   Here, the “minimum melt viscosity” of the thermosetting resin composition layer refers to the lowest viscosity exhibited by the thermosetting resin composition layer when the resin of the thermosetting resin composition layer is melted. Specifically, when the thermosetting resin composition layer is heated at a constant temperature increase rate to melt the resin, the initial stage of the melt viscosity decreases as the temperature increases, and thereafter, when a certain temperature is exceeded, the temperature increases. Increases melt viscosity. “Minimum melt viscosity” refers to the melt viscosity at such a minimum point. The minimum melt viscosity of the thermosetting resin composition layer can be measured by a dynamic viscoelastic method. Specifically, the minimum melt viscosity of the thermosetting resin composition layer is determined by performing dynamic viscoelasticity measurement under conditions of a measurement start temperature of 60 ° C., a temperature increase rate of 5 ° C./min, a frequency of 1 Hz, and a strain of 1 deg. Can be obtained. Examples of the dynamic viscoelasticity measuring apparatus include “Rheosol-G3000” manufactured by UBM Co., Ltd.

(第2の接着フィルム)
第2の接着フィルムは、第2の支持体と、該第2の支持体と接合する第2の熱硬化性樹脂組成物層を含む。
(Second adhesive film)
The second adhesive film includes a second support and a second thermosetting resin composition layer bonded to the second support.

第2の支持体の材料及び厚さは、上記第1の支持体について説明したものと同じであってよい。   The material and thickness of the second support may be the same as described for the first support.

第2の熱硬化性樹脂組成物層の材料は、上記第1の熱硬化性樹脂組成物層について説明したものと同じであってよい。   The material of the second thermosetting resin composition layer may be the same as that described for the first thermosetting resin composition layer.

第2の熱硬化性樹脂組成物層は、第1の熱硬化性樹脂組成物層に比し薄くてもよい。第2の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは、部品内蔵回路板の薄型化の観点から、好ましくは80μm以下、より好ましくは60μm以下、さらに好ましくは40μm以下、さらにより好ましくは30μm以下である。第1の熱硬化性樹脂組成物層の厚さの下限は、特に制限されないが、通常、10μm以上である。   The second thermosetting resin composition layer may be thinner than the first thermosetting resin composition layer. The thickness of the second thermosetting resin composition layer is preferably 80 μm or less, more preferably 60 μm or less, still more preferably 40 μm or less, and even more preferably 30 μm or less, from the viewpoint of thinning the component-embedded circuit board. is there. The lower limit of the thickness of the first thermosetting resin composition layer is not particularly limited, but is usually 10 μm or more.

第2の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、部品内蔵回路板の製造に際して層保形成(染み出し防止)の観点から、好ましくは100ポイズ以上、より好ましくは300ポイズ以上、さらに好ましくは500ポイズ以上である。第2の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度の上限は、特に制限されないが、第1の熱硬化性樹脂組成物層について説明したものと同様の範囲としてよい。   The minimum melt viscosity of the second thermosetting resin composition layer is preferably 100 poises or more, more preferably 300 poises or more, and even more preferably from the viewpoint of layer retention (prevention of bleeding) in the production of a component-embedded circuit board. Is over 500 poise. The upper limit of the minimum melt viscosity of the second thermosetting resin composition layer is not particularly limited, but may be in the same range as that described for the first thermosetting resin composition layer.

以下、第1及び第2の接着フィルムを作製する手順の一例を示す。   Hereinafter, an example of a procedure for producing the first and second adhesive films is shown.

接着フィルムは、第1及び第2の接着フィルムの別を問わず、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて支持体上に塗布し、樹脂ワニスを乾燥させることによって作製することができる。   Regardless of whether the adhesive film is a first adhesive film or a second adhesive film, for example, a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent is prepared, and this resin varnish is formed on a support using a die coater or the like. It can be produced by applying and drying the resin varnish.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びN−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。   Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, acetates such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, and carbitols such as cellosolve and butyl carbitol. And aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

樹脂ワニスの乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の乾燥方法により実施してよい。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%〜60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃〜150℃で3分間〜10分間乾燥させることにより、支持体上に熱硬化性樹脂組成物層を形成することができる。   The resin varnish may be dried by a known drying method such as heating or hot air blowing. Depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of the organic solvent is used, the support is obtained by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes. A thermosetting resin composition layer can be formed thereon.

接着フィルムは、第1及び第2の接着フィルムの別を問わず、熱硬化性樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に、保護フィルムをさらに含んでもよい。保護フィルムは、熱硬化性樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズの防止に寄与する。保護フィルムの材料としては、支持体について説明した材料と同じものを用いてよい。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm〜40μmである。接着フィルムは、部品内蔵回路板を製造する際には、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。   The adhesive film is a protective film on the surface of the thermosetting resin composition layer that is not joined to the support (that is, the surface opposite to the support), regardless of whether the first and second adhesive films are used. May further be included. The protective film contributes to the prevention of adhesion and scratches of dust on the surface of the thermosetting resin composition layer. As the material for the protective film, the same materials as described for the support may be used. Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer-40 micrometers. The adhesive film can be used by removing the protective film when manufacturing the component built-in circuit board.

以上、第1及び第2の接着フィルムを作製する手順の一例を示したが、第1及び第2の接着フィルムが得られる限り、上記の手順に限定されるものではない。例えば、保護フィルム上に熱硬化性樹脂組成物層を形成した後に、該熱硬化性樹脂組成物層上に支持体を積層して接着フィルムを作製してもよい。本発明において「支持体」とは、部品内蔵回路板の製造に際し、熱硬化性樹脂組成物層と共に回路基板の主面に積層される部材をいうのであって、接着フィルム製造時における樹脂ワニスの支持部材を限定的に表すものではない。   As mentioned above, although an example of the procedure which produces the 1st and 2nd adhesive film was shown, as long as the 1st and 2nd adhesive film is obtained, it is not limited to said procedure. For example, after forming a thermosetting resin composition layer on a protective film, a support may be laminated on the thermosetting resin composition layer to produce an adhesive film. In the present invention, the “support” refers to a member laminated on the main surface of the circuit board together with the thermosetting resin composition layer in the production of the component built-in circuit board. The supporting member is not limitedly represented.

以下、本発明の部品内蔵回路板の製造方法を、その好適な実施形態に即して詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the component built-in circuit board of this invention is demonstrated in detail according to the suitable embodiment.

[部品内蔵回路板の製造方法]
本発明の部品内蔵回路板の製造方法は、下記工程(A)、(B)、(C)及び(D)をこの順序で含む。
(A)第1及び第2の主面を有し、該第1及び第2の主面間を貫通するキャビティが形成された回路基板と、該回路基板の第2の主面と接合している仮付け材料と、前記回路基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む、部品が仮付けされた回路基板に、第1の支持体及び該第1の支持体と接合する第1の熱硬化性樹脂組成物層を含む第1の接着フィルムを、該第1の熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の第1の主面と接合するように、真空積層する工程
(B)第1の熱硬化性樹脂組成物層を、下記工程(C)において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行われる工程
(C)回路基板の第2の主面から仮付け材料を剥離した後、第2の支持体及び該第2の支持体と接合する第2の熱硬化性樹脂組成物層を含む第2の接着フィルムを、該第2の熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の第2の主面と接合するように、真空積層する工程
(D)第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化する工程
[Manufacturing method of component built-in circuit board]
The manufacturing method of the component built-in circuit board of the present invention includes the following steps (A), (B), (C) and (D) in this order.
(A) A circuit board having first and second main surfaces and having a cavity penetrating between the first and second main surfaces, and a second main surface of the circuit board joined to each other A first support body and a first support body on a circuit board on which a part is temporarily attached, the part including a temporary attachment material and a part temporarily attached with the temporary attachment material inside a cavity of the circuit board The first adhesive film including the first thermosetting resin composition layer to be bonded to the substrate is vacuum laminated so that the first thermosetting resin composition layer is bonded to the first main surface of the circuit board. (B) heat-treating the first thermosetting resin composition layer in the following step (C) to suppress positional deviation of the component, and the heat treatment suppresses the occurrence of substrate warpage. (C) After removing the tacking material from the second main surface of the circuit board, the second step A second adhesive film including a support and a second thermosetting resin composition layer bonded to the second support is used as the second thermosetting resin composition layer. (D) The process of thermosetting the 1st and 2nd thermosetting resin composition layer so that it may join to a surface

なお本発明において、工程(A)乃至(D)についていう「この順序で含む」とは、工程(A)乃至(D)の各工程を含み且つ工程(A)乃至(D)の各工程がこの順序で実施される限り、他の工程を含むことを妨げるものではない。
以下、工程又は処理についていう「この順序で含む」に関しても、同様とする。
In the present invention, “including in this order” for the steps (A) to (D) includes the steps (A) to (D) and includes the steps (A) to (D). As long as it is performed in this order, it does not prevent including other steps.
Hereinafter, the same applies to “include in this order” for the steps or processes.

以下、図3A乃至図3Gを参照しつつ、各工程について説明する。   Hereinafter, each process will be described with reference to FIGS. 3A to 3G.

<工程(A)>
工程(A)において、部品が仮付けされた回路基板1’に、第1の接着フィルム10を、第1の熱硬化性樹脂組成物層12が回路基板の第1の主面と接合するように真空積層する(図3A)。
<Process (A)>
In the step (A), the first adhesive film 10 and the first thermosetting resin composition layer 12 are bonded to the first main surface of the circuit board on the circuit board 1 ′ to which the component is temporarily attached. Is laminated in a vacuum (FIG. 3A).

部品が仮付けされた回路基板1’および第1の接着フィルム10の構成は先述のとおりである。   The configurations of the circuit board 1 ′ and the first adhesive film 10 on which components are temporarily attached are as described above.

部品仮付け回路基板1’への第1の接着フィルム10の真空積層は、例えば、減圧条件下、第1の支持体11側から、第1の接着フィルム10を部品仮付け回路基板1’に加熱圧着することにより行うことができる。第1の接着フィルム10を部品仮付け回路基板1’に加熱圧着する部材(図示せず;以下、「加熱圧着部材」ともいう。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を第1の接着フィルム10に直接プレスするのではなく、部品仮付け回路基板1’の回路配線3やキャビティ2aに起因する凹凸に第1の接着フィルム10が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。   For example, vacuum lamination of the first adhesive film 10 to the component tack circuit board 1 ′ is performed by, for example, applying the first adhesive film 10 to the component tack circuit board 1 ′ from the first support 11 side under reduced pressure. This can be done by thermocompression bonding. As a member (not shown; hereinafter, also referred to as “heat-bonding member”) for heat-pressing the first adhesive film 10 to the component temporary circuit board 1 ′, for example, a heated metal plate (SUS end plate, etc.) Or a metal roll (SUS roll) etc. are mentioned. In addition, the 1st adhesive film 10 fully tracks the unevenness | corrugation resulting from the circuit wiring 3 and the cavity 2a of component temporary attachment circuit board 1 'rather than directly pressing the thermocompression bonding member to the 1st adhesive film 10. It is preferable to press through an elastic material such as heat resistant rubber.

加熱圧着温度は、好ましくは80℃〜160℃、より好ましくは100℃〜140℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa〜1.77MPa、より好ましくは0.29MPa〜1.47MPaの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは20秒間〜400秒間、より好ましくは30秒間〜300秒間の範囲である。真空積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。なお、加熱圧着温度とは、加熱圧着部材の表面温度をいい、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスする場合は、第1の接着フィルム10と接合する該弾性材の表面の温度をいう。   The thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 80 ° C. to 160 ° C., more preferably 100 ° C. to 140 ° C., and the thermocompression bonding pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1. The range is 47 MPa, and the thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. The vacuum lamination is preferably performed under a reduced pressure condition of a pressure of 26.7 hPa or less. The thermocompression bonding temperature refers to the surface temperature of the thermocompression bonding member, and refers to the temperature of the surface of the elastic material to be bonded to the first adhesive film 10 when pressed through an elastic material such as heat-resistant rubber.

真空積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、(株)名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン(株)製のバキュームアップリケーター等が挙げられる。   Vacuum lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. Examples of the commercially available vacuum laminator include a vacuum pressure laminator manufactured by Meiki Seisakusho, a vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton, and the like.

斯かる工程(A)において、第1の熱硬化性樹脂組成物層12は、キャビティ2a内に充填され、キャビティ2a内に仮付けされていた部品5は第1の熱硬化性樹脂組成物層12に埋め込まれることとなる(図3B)。   In the step (A), the first thermosetting resin composition layer 12 is filled in the cavity 2a, and the component 5 temporarily attached in the cavity 2a is replaced with the first thermosetting resin composition layer. 12 (FIG. 3B).

工程(A)の後に、常圧下(大気圧下)、例えば、加熱圧着部材を第1の支持体11側からプレスすることにより、積層された第1の接着フィルムの平滑化処理を行う平滑化工程(以下、「工程(A’)」ともいう。)を行うことが好ましい。工程(A’)のプレス条件は、上記真空積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。   After the step (A), smoothing for smoothing the laminated first adhesive film by pressing the thermocompression bonding member from the first support 11 side under normal pressure (under atmospheric pressure), for example. It is preferable to perform a process (hereinafter also referred to as “process (A ′)”). The pressing conditions in the step (A ′) can be the same conditions as the thermocompression bonding conditions for the vacuum lamination.

工程(A’)は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、工程(A)と工程(A’)は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。   Step (A ′) can be performed with a commercially available laminator. In addition, you may perform a process (A) and a process (A ') continuously using said commercially available vacuum laminator.

斯かる工程(A)において、第1の熱硬化性樹脂組成物層12は、キャビティ2a内に充填され、キャビティ2a内に仮付けされていた部品5は第1の熱硬化性樹脂組成物層12に埋め込まれることとなる(図3B)。   In the step (A), the first thermosetting resin composition layer 12 is filled in the cavity 2a, and the component 5 temporarily attached in the cavity 2a is replaced with the first thermosetting resin composition layer. 12 (FIG. 3B).

<工程(B)>
工程(B)において、第1の熱硬化性樹脂組成物層を、下記工程(C)において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行う。
<Process (B)>
In the step (B), the first thermosetting resin composition layer is subjected to heat treatment in order to suppress positional displacement of the component in the following step (C), and the heat treatment suppresses occurrence of substrate warpage. Perform within the range.

従来技術においては、熱硬化性樹脂組成物層を部品仮付け回路基板の片方の主面に設けた後、該熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させて部品仮付け回路基板の片方の主面に硬化体(絶縁層)を形成していた。斯かる技術においては、部品が埋め込まれた熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して、部品を封止する硬化体(絶縁層)が得られるため、以後の工程に起因する部品の位置変化(ズレ)が起こらず、キャビティ内における部品の配置精度に優れていた。しかしながら先述のとおり、斯かる技術においては、部品内蔵回路板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い回路基板や厚さの薄い回路基板を使用する場合などにおいて、回路基板の片方の主面に絶縁層を形成した段階で、基板反りが生じる場合のあることを本発明者らは見出した。基板反りが生じると、基板搬送に支障をきたし、製造効率(歩留まり)の低下を招来することから、斯かる基板反りの発生を抑制し得る技術が求められる。   In the prior art, after the thermosetting resin composition layer is provided on one main surface of the component temporary circuit board, the thermosetting resin composition layer is thermoset and the main component circuit board on one side is temporarily cured. A cured body (insulating layer) was formed on the surface. In such a technique, since the cured body (insulating layer) for sealing the component is obtained by thermosetting the thermosetting resin composition layer in which the component is embedded, the position change of the component due to the subsequent process is obtained. (Displacement) did not occur, and the placement accuracy of the components in the cavity was excellent. However, as described above, in such a technique, when a circuit board with a high cavity density or a circuit board with a small thickness is used in order to achieve a reduction in size and thickness of a circuit board with a built-in component, one of the circuit boards is used. The present inventors have found that the substrate warpage may occur at the stage of forming the insulating layer on the main surface. When the substrate warpage occurs, the substrate conveyance is hindered and the manufacturing efficiency (yield) is lowered. Therefore, a technique capable of suppressing the occurrence of the substrate warpage is required.

基板反りは、詳細には、絶縁層を形成した後、熱硬化温度から室温へと冷却する過程において顕在化する。よって、基板反りの発生を抑制するにあたり、熱硬化温度から冷ますことなく、次工程を実施することも考えられる。しかしながら、熱硬化工程から第2の接着フィルムの積層工程までの間、熱硬化温度を維持することは現実的ではなく、また、仮付け材料の剥離が困難となるといった問題も生じる。また、溶融粘度が高い熱硬化性樹脂組成物層を備えた接着フィルムを部品仮付け回路基板に積層することにより、熱硬化工程を経ずともキャビティ内における部品の位置変化(ズレ)を防止することも考えられるが、最低溶融粘度が高い熱硬化性樹脂組成物層を備えた接着フィルムを用いると、そもそも十分な部品の埋め込み性やキャビティ充填性が得られないため、部品の固定性に乏しく実質的な解決策とはならない。このように、部品内蔵回路板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い回路基板や厚さの薄い回路基板を使用する場合などにおいては、良好な部品の配置精度を保ったまま基板反りの発生を抑制することは困難であった。   Specifically, the substrate warp becomes apparent in the process of cooling from the thermosetting temperature to room temperature after forming the insulating layer. Therefore, in order to suppress generation | occurrence | production of board | substrate curvature, it is also considered to implement the next process, without cooling from thermosetting temperature. However, it is not realistic to maintain the thermosetting temperature from the thermosetting step to the second adhesive film laminating step, and there is also a problem that it is difficult to peel off the tacking material. Further, by laminating an adhesive film having a thermosetting resin composition layer having a high melt viscosity on a component temporary circuit board, the position change (displacement) of the component in the cavity can be prevented without going through a thermosetting process. However, if an adhesive film with a thermosetting resin composition layer with a high minimum melt viscosity is used, sufficient component embedding and cavity filling properties cannot be obtained in the first place, resulting in poor component fixing. It is not a practical solution. In this way, when using a circuit board with a high cavity density or a circuit board with a small thickness to achieve miniaturization and thinning of the circuit board with a built-in component, the board maintains good component placement accuracy. It was difficult to suppress the occurrence of warpage.

本発明者らは、熱硬化性樹脂組成物層を部品仮付け回路基板の片方の主面に積層した後、該熱硬化性樹脂組成物層を、特定の条件にて加熱処理することによって(すなわち、上記工程(B)を採用することによって)、室温へと冷却した後も基板反りの発生を抑制できることを見出した。また、斯かる方法によれば、適度な最低溶融粘度を有する熱硬化性樹脂組成物層を備えた接着フィルムを使用できるため、接着フィルムを積層する際に十分な部品の埋め込み性やキャビティ充填性を達成できる。このように本発明は、部品内蔵回路板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い回路基板や厚さの薄い回路基板を使用する場合などにおいても、良好な部品の配置精度を保ったまま基板反りの発生を抑制することができる。従って本発明は、小型かつ薄型の部品内蔵回路板を歩留まりよく製造することができ、部品内蔵回路板の小型化、薄型化に著しく寄与するものである。   By laminating a thermosetting resin composition layer on one main surface of a component tack circuit board, the present inventors heat-treat the thermosetting resin composition layer under specific conditions ( That is, it has been found that by adopting the above step (B), the occurrence of substrate warpage can be suppressed even after cooling to room temperature. In addition, according to such a method, since an adhesive film having a thermosetting resin composition layer having an appropriate minimum melt viscosity can be used, sufficient embeddability of parts and cavity filling ability when the adhesive film is laminated. Can be achieved. As described above, the present invention maintains good component placement accuracy even when a circuit board with a high cavity density or a thin circuit board is used in order to reduce the size and thickness of a circuit board with a built-in component. It is possible to suppress the occurrence of substrate warping. Therefore, the present invention can manufacture a small and thin component-embedded circuit board with a high yield, and contributes significantly to making the component-embedded circuit board smaller and thinner.

好適な一実施形態において、工程(B)で得られる基板から、平面寸法がL(mm)×W(mm)(ここで、L≧Wであり、Lは550mm以下である。)の試験片を得たとき、該試験片の反りが0.1L(mm)以下である。平面寸法がL(mm)×W(mm)の試験片は、工程(B)で得られる基板をL(mm)×W(mm)の寸法へと切断することによって得ることができる。なお、上記L(mm)×W(mm)の平面寸法条件を満たす部品仮付け回路基板を使用する際は、工程(B)で得られる基板をそのまま試験片として用いてよい。試験片の反りとは、工程(B)の後、15℃〜40℃の常温(室温)に冷ました際の試験片の反りをいう。なお、試験片の反りとは、該試験片の一辺(寸法Wの辺)を固定具で水平表面に固定した際の、水平表面からの、対辺(寸法Wの辺)の両端部の垂直高さの算術平均値を意味する。試験片(基板)の反りは、具体的には、実施例に記載の測定方法により測定することができる。   In a preferred embodiment, a test piece having a planar dimension of L (mm) × W (mm) (where L ≧ W and L is 550 mm or less) is obtained from the substrate obtained in step (B). The warp of the test piece is 0.1 L (mm) or less. A test piece having a planar dimension of L (mm) × W (mm) can be obtained by cutting the substrate obtained in the step (B) into a dimension of L (mm) × W (mm). In addition, when using the component temporary circuit board which satisfy | fills the planar dimension of said L (mm) x W (mm), you may use the board | substrate obtained at a process (B) as a test piece as it is. The warp of the test piece refers to the warp of the test piece when cooled to room temperature (room temperature) of 15 ° C. to 40 ° C. after the step (B). Note that the warp of the test piece is the vertical height of both ends of the opposite side (side of dimension W) from the horizontal surface when one side (side of dimension W) is fixed to the horizontal surface with a fixture. It means the arithmetic mean value. Specifically, the warp of the test piece (substrate) can be measured by the measurement method described in the examples.

好適な一実施形態において、工程(B)で得られる基板の反りは、好ましくは0.09L(mm)以下、より好ましくは0.08L(mm)以下、さらに好ましくは0.07L(mm)以下、さらにより好ましくは0.06L(mm)以下、特に好ましくは0.05L(mm)以下、0.04L(mm)以下、0.03L(mm)以下、又は0.02L(mm)以下である。   In a preferred embodiment, the warpage of the substrate obtained in the step (B) is preferably 0.09 L (mm) or less, more preferably 0.08 L (mm) or less, and further preferably 0.07 L (mm) or less. Even more preferably, it is 0.06 L (mm) or less, particularly preferably 0.05 L (mm) or less, 0.04 L (mm) or less, 0.03 L (mm) or less, or 0.02 L (mm) or less. .

試験片の寸法Lは、好ましくは300mm以下である。試験片の寸法Lの下限は、通常、50mm以上、100mm以上、又は200mm以上とし得る。試験片の寸法Wは、通常、L≧W≧0.5L、L≧W≧0.7L、又はL≧W≧0.9Lとし得る。   The dimension L of the test piece is preferably 300 mm or less. The lower limit of the dimension L of the test piece can be usually 50 mm or more, 100 mm or more, or 200 mm or more. The dimension W of the test specimen can usually be L ≧ W ≧ 0.5L, L ≧ W ≧ 0.7L, or L ≧ W ≧ 0.9L.

工程(B)においては、基板反りの発生を抑制する観点から、第1の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が、好ましくは200,000ポイズ以下、より好ましくは180,000ポイズ以下、さらに好ましくは160,000ポイズ以下、さらにより好ましくは140,000ポイズ以下、特に好ましくは120,000ポイズ以下、100,000ポイズ以下、90,000ポイズ以下、80,000ポイズ以下、又は70,000ポイズ以下となるように加熱処理することが好適である。また、部品の位置変化(ズレ)を抑制する観点から、第1の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が、好ましくは15,000ポイズ以上、より好ましくは16,000ポイズ以上、さらに好ましくは18,000ポイズ以上、さらにより好ましくは20,000ポイズ以上、特に好ましくは22,000ポイズ以上、25,000ポイズ以上、30,000ポイズ以上、又は35,000ポイズ以上となるように加熱処理することが好適である。
工程(B)において、加熱処理された第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は、上記と同様にして測定することができる。なお、工程(B)における第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度を測定するに際し、測定開始温度は100℃としてよい。
In the step (B), from the viewpoint of suppressing the occurrence of substrate warp, the first thermosetting resin composition layer has a minimum melt viscosity of preferably 200,000 poise or less, more preferably 180,000 poise. Hereinafter, more preferably 160,000 poise or less, still more preferably 140,000 poise or less, particularly preferably 120,000 poise or less, 100,000 poise or less, 90,000 poise or less, 80,000 poise or less, or 70 It is preferable that the heat treatment is performed so as to be equal to or less than 1,000 poise. Further, from the viewpoint of suppressing the positional change (displacement) of the parts, the first thermosetting resin composition layer has a minimum melt viscosity of preferably 15,000 poise or more, more preferably 16,000 poise or more, More preferably 18,000 poise or more, even more preferably 20,000 poise or more, particularly preferably 22,000 poise or more, 25,000 poise or more, 30,000 poise or more, or 35,000 poise or more. Heat treatment is preferable.
In the step (B), the minimum melt viscosity of the heat-treated first thermosetting resin composition layer can be measured in the same manner as described above. In measuring the minimum melt viscosity of the first thermosetting resin composition layer in the step (B), the measurement start temperature may be 100 ° C.

工程(B)における第1の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理の条件は、下記工程(C)において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行われる限り、特に制限されない。好適な一実施形態において、工程(B)における加熱温度は、上記特定範囲の最低溶融粘度を達成し得る観点から、好ましくは155℃以下、より好ましくは150℃以下、さらに好ましくは145℃以下、さらにより好ましくは140℃以下である。加熱温度の下限は、好ましくは110℃以上、より好ましくは115℃以上、さらに好ましくは120℃以上、さらにより好ましくは125℃以上である。   The conditions for the heat treatment of the first thermosetting resin composition layer in the step (B) are the heat treatment for suppressing the positional deviation of the component in the following step (C), and the heat treatment is performed for the substrate warpage. There is no particular limitation as long as it is performed within a range where generation is suppressed. In a preferred embodiment, the heating temperature in the step (B) is preferably 155 ° C. or less, more preferably 150 ° C. or less, further preferably 145 ° C. or less, from the viewpoint of achieving the minimum melt viscosity in the specific range. Even more preferably, it is 140 ° C. or lower. The lower limit of the heating temperature is preferably 110 ° C or higher, more preferably 115 ° C or higher, still more preferably 120 ° C or higher, and even more preferably 125 ° C or higher.

工程(B)における加熱時間は、加熱温度にもよるが、好ましくは10分間以上、より好ましくは15分間以上、さらに好ましくは20分間以上である。加熱時間の上限は特に制限されないが、通常、60分間以下とし得る。   Although the heating time in the step (B) depends on the heating temperature, it is preferably 10 minutes or more, more preferably 15 minutes or more, and further preferably 20 minutes or more. The upper limit of the heating time is not particularly limited, but can usually be 60 minutes or less.

工程(B)における第1の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理は、大気圧下(常圧下)にて行うことが好ましい。   The heat treatment of the first thermosetting resin composition layer in the step (B) is preferably performed under atmospheric pressure (under normal pressure).

工程(B)における第1の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理は、第1の支持体11が第1の熱硬化性樹脂組成物層12に付いた状態で実施してもよく、第1の支持体11を剥離し第1の熱硬化性樹脂組成物層12を露出させた後に実施してもよい。好適な一実施形態においては、工程(B)における第1の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理は、第1の支持体11が第1の熱硬化性樹脂組成物層12に付いた状態で実施する。これにより、異物付着の防止、第1の熱硬化樹脂組成物層のダメージ防止という点で有利となる。   The heat treatment of the first thermosetting resin composition layer in the step (B) may be performed with the first support 11 attached to the first thermosetting resin composition layer 12. It may be carried out after the first support 11 is peeled off and the first thermosetting resin composition layer 12 is exposed. In a preferred embodiment, the heat treatment of the first thermosetting resin composition layer in the step (B) is performed when the first support 11 is attached to the first thermosetting resin composition layer 12. To implement. This is advantageous in terms of preventing foreign matter adhesion and preventing damage to the first thermosetting resin composition layer.

工程(B)における第1の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理を、第1の支持体が付いた状態で実施する場合、該第1の支持体は、第1の熱硬化性樹脂組成物層を硬化させて得られる絶縁層に導体層(回路配線)を設ける工程の前に剥離すればよく、例えば、工程(B)と後述する工程(C)との間に剥離してもよく、後述する工程(C)と工程(D)との間に剥離してもよく、後述する工程(D)の後に剥離してもよい。好適な一実施形態において、第1の支持体は、後述する工程(D)の後に剥離する。なお、第1の支持体として銅箔等の金属箔を用いた場合は、後述するとおり、斯かる金属箔を使用して導体層(回路配線)を設けることが可能であるため、第1の支持体は剥離しなくてもよい。   When the heat treatment of the first thermosetting resin composition layer in the step (B) is carried out with the first support attached, the first support is the first thermosetting resin composition. What is necessary is just to peel before the process of providing a conductor layer (circuit wiring) in the insulating layer obtained by hardening a physical layer, for example, you may peel between a process (B) and the process (C) mentioned later. In addition, it may be peeled off between step (C) and step (D) described later, or may be peeled off after step (D) described later. In a preferred embodiment, the first support is peeled off after the step (D) described later. When a metal foil such as a copper foil is used as the first support, it is possible to provide a conductor layer (circuit wiring) using such a metal foil as described later. The support may not be peeled off.

好適な一実施形態において、工程(A)と工程(B)との間に、回路基板を常温(室温)に冷ます処理を実施してよい。   In a preferred embodiment, a process of cooling the circuit board to room temperature (room temperature) may be performed between step (A) and step (B).

好適な一実施形態において、工程(B)において、第1の熱硬化性樹脂組成物層12は、最低溶融粘度が15,000ポイズ〜200,000ポイズの範囲にある第1の熱硬化性樹脂組成物層(加熱処理体)12’となる(図3C)。なお、図3Cは、第1の支持体11が付いた状態で加熱処理して第1の熱硬化性樹脂組成物層(加熱処理体)12’を得る態様を示している。   In a preferred embodiment, in step (B), the first thermosetting resin composition layer 12 is a first thermosetting resin having a minimum melt viscosity in the range of 15,000 poise to 200,000 poise. It becomes a composition layer (heat treatment body) 12 '(FIG. 3C). FIG. 3C shows a mode in which the first thermosetting resin composition layer (heat treatment body) 12 ′ is obtained by heat treatment with the first support 11 attached.

<工程(C)>
工程(B)の後、回路基板の第2の主面から仮付け材料4を剥離して、回路基板の第2の主面を露出させる。そして、第2の接着フィルム20を、第2の熱硬化性樹脂組成物層22が回路基板の第2の主面と接合するように、真空積層する(図3D)。
<Process (C)>
After the step (B), the temporary attachment material 4 is peeled from the second main surface of the circuit board to expose the second main surface of the circuit board. Then, the second adhesive film 20 is vacuum laminated so that the second thermosetting resin composition layer 22 is bonded to the second main surface of the circuit board (FIG. 3D).

仮付け材料4の剥離は、仮付け材料4の種類に応じて、従来公知の方法に従って行ってよい。例えば、仮付け材料4として、古河電気工業(株)製のUCシリーズ等のウエハダイシング用UVテープを使用する場合、仮付け材料4をUV照射した後、仮付け材料4を剥離することができる。UV照射量等の条件は、部品内蔵回路板の製造に際して通常採用される公知の条件とし得る。   The peeling of the tacking material 4 may be performed according to a conventionally known method according to the type of the tacking material 4. For example, when a UV tape for wafer dicing such as UC series manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. is used as the tacking material 4, the tacking material 4 can be peeled off after the tacking material 4 is irradiated with UV. . The conditions such as the UV irradiation amount can be known conditions that are usually employed in the production of the component built-in circuit board.

第2の接着フィルム20の構成は先述のとおりである。なお、工程(C)で用いる第2の接着フィルム20の第2の支持体21は、工程(A)で用いる第1の接着フィルム10の第1の支持体11と同じでもよく、異なっていてもよい。また、工程(C)で用いる第2の熱硬化性樹脂組成物層22に用いる樹脂組成物は、工程(A)で用いる第1の熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物と同じでもよく、異なっていてもよい。   The configuration of the second adhesive film 20 is as described above. In addition, the 2nd support body 21 of the 2nd adhesive film 20 used at a process (C) may be the same as the 1st support body 11 of the 1st adhesive film 10 used at a process (A), and is different. Also good. Moreover, even if the resin composition used for the 2nd thermosetting resin composition layer 22 used at a process (C) is the same as the resin composition used for the 1st thermosetting resin composition layer used at a process (A). Well, it can be different.

工程(B)を採用する本発明の製造方法によれば、部品内蔵回路板の小型化、薄型化を達成すべくキャビティ密度の高い回路基板や厚さの薄い回路基板を使用する場合などにおいても、基板反りの発生を抑制することができるため、工程(B)から工程(C)までの基板搬送に支障をきたさず、円滑に工程(C)を実施することができる。さらには、第1の熱硬化性樹脂組成物層を、特定の条件にて加熱処理しているため、工程(C)の真空積層に伴う、部品の位置変化(ズレ)も抑えることができ、部品の配置精度に優れる部品内蔵回路板を歩留まりよく実現することができる。   According to the manufacturing method of the present invention that employs the step (B), even when a circuit board having a high cavity density or a circuit board having a small thickness is used in order to achieve miniaturization and thinning of the component-embedded circuit board. Since generation | occurrence | production of a board | substrate curvature can be suppressed, a process (C) can be smoothly implemented, without affecting the board | substrate conveyance from a process (B) to a process (C). Furthermore, since the first thermosetting resin composition layer is heat-treated under specific conditions, the position change (displacement) of the components accompanying the vacuum lamination in the step (C) can be suppressed, A component built-in circuit board having excellent component placement accuracy can be realized with a high yield.

好適な一実施形態において、工程(C)において部品の位置ズレは40μm未満である。ここで、部品の位置ズレとは、工程(B)において第1の熱硬化性樹脂組成物層を加熱処理した後の部品の中心と、工程(C)において第2の熱硬化性樹脂組成物層を真空積層した後の部品の中心との位置変化のことをいう。部品の位置ズレは、具体的には、実施例に記載の測定方法により測定することができる。   In a preferred embodiment, in step (C), the positional deviation of the component is less than 40 μm. Here, the positional displacement of the components means the center of the components after the first thermosetting resin composition layer is heat-treated in the step (B) and the second thermosetting resin composition in the step (C). Refers to the change in position with the center of the part after the layers are vacuum laminated. Specifically, the positional deviation of the components can be measured by the measuring method described in the examples.

工程(C)における第2の接着フィルム20の真空積層は、工程(A)における第1の接着フィルムの真空積層と同様の方法、条件を採用してよい。   For the vacuum lamination of the second adhesive film 20 in the step (C), the same method and conditions as the vacuum lamination of the first adhesive film in the step (A) may be employed.

好適な一実施形態において、工程(B)と工程(C)との間に、回路基板を常温(室温)に冷ます処理を実施してよい。   In a preferred embodiment, a process of cooling the circuit board to room temperature (room temperature) may be performed between step (B) and step (C).

工程(C)において、回路基板の第2の主面に第2の熱硬化性樹脂組成物層22及び第2の支持体21が積層される(図3E)。   In the step (C), the second thermosetting resin composition layer 22 and the second support 21 are laminated on the second main surface of the circuit board (FIG. 3E).

第2の支持体21は、第2の熱硬化性樹脂組成物層を硬化させて得られる絶縁層に導体層(回路配線)を設ける工程の前に剥離すればよく、例えば、工程(C)と後述する工程(D)との間に剥離してもよく、後述する工程(D)の後に剥離してもよい。好適な一実施形態において、第2の支持体は、後述する工程(D)の後に剥離する。なお、第2の支持体として銅箔等の金属箔を用いた場合は、後述するとおり、斯かる金属箔を使用して導体層(回路配線)を設けることが可能であるため、第2の支持体は剥離しなくてもよい。   The second support 21 may be peeled off before the step of providing the conductor layer (circuit wiring) on the insulating layer obtained by curing the second thermosetting resin composition layer. For example, the step (C) And may be peeled after the step (D) described later, or after the step (D) described later. In a preferred embodiment, the second support is peeled off after the step (D) described later. When a metal foil such as a copper foil is used as the second support, it is possible to provide a conductor layer (circuit wiring) using such a metal foil, as will be described later. The support may not be peeled off.

<工程(D)>
工程(D)において、第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化する。これにより、第1の熱硬化性樹脂組成物層(加熱処理体)12’が絶縁層12’’を、第2の熱硬化性樹脂組成物層22が絶縁層22’’をそれぞれ形成する(図3F)。
<Process (D)>
In the step (D), the first and second thermosetting resin composition layers are thermoset. Thus, the first thermosetting resin composition layer (heat treatment body) 12 ′ forms the insulating layer 12 ″, and the second thermosetting resin composition layer 22 forms the insulating layer 22 ″ (see FIG. FIG. 3F).

熱硬化の条件は特に限定されず、部品内蔵回路板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。   The conditions for thermosetting are not particularly limited, and conditions usually employed when forming the insulating layer of the component built-in circuit board may be used.

例えば、第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化条件は、各熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物の組成等によっても異なるが、硬化温度は120℃〜240℃の範囲(好ましくは150℃〜210℃の範囲、より好ましくは170℃〜190℃の範囲)、硬化時間は5分間〜90分間の範囲(好ましくは10分間〜75分間、より好ましくは15分間〜60分間)とすることができる。   For example, the thermosetting conditions of the first and second thermosetting resin composition layers vary depending on the composition of the resin composition used for each thermosetting resin composition layer, but the curing temperature is 120 ° C to 240 ° C. (Preferably in the range of 150 ° C. to 210 ° C., more preferably in the range of 170 ° C. to 190 ° C.), and the curing time is in the range of 5 minutes to 90 minutes (preferably 10 minutes to 75 minutes, more preferably 15 minutes to 60 minutes).

熱硬化させる前に、第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、熱硬化に先立ち、50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上110℃以下、より好ましくは70℃以上100℃以下)の温度にて、第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層を5分間以上(好ましくは5分間〜150分間、より好ましくは15分間〜120分間)予備加熱してもよい。予備加熱を行う場合、斯かる予備加熱も工程(D)に含まれることとする。   Before thermosetting, the first and second thermosetting resin composition layers may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, the first and second thermosetting resin compositions at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 100 ° C. or lower) prior to thermosetting. The layer may be preheated for 5 minutes or longer (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes). When preheating is performed, such preheating is also included in the step (D).

工程(D)における第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化は、大気圧下(常圧下)にて行うことが好ましい。   The thermosetting of the first and second thermosetting resin composition layers in the step (D) is preferably performed under atmospheric pressure (under normal pressure).

工程(D)は、基板をほぼ水平に維持した状態にて実施することが好ましい。例えば、基板の厚さ方向における軸が水平面に対して80°〜100°の範囲となるような状態にて工程(D)を実施することが好ましい。   The step (D) is preferably performed with the substrate kept substantially horizontal. For example, the step (D) is preferably performed in a state where the axis in the thickness direction of the substrate is in a range of 80 ° to 100 ° with respect to the horizontal plane.

好適な一実施形態において、工程(C)と工程(D)との間に、回路基板を常温(室温)に冷ます処理を実施してよい。   In a preferred embodiment, a process of cooling the circuit board to room temperature (room temperature) may be performed between step (C) and step (D).

なお、以下の説明において、第1の熱硬化性樹脂組成物層(加熱処理体)12’を熱硬化させて得られた絶縁層12’’を「第1の絶縁層」と称する場合がある。また、第2の熱硬化性樹脂組成物層22を熱硬化させて得られた絶縁層22’’を「第2の絶縁層」と称する場合がある。   In the following description, the insulating layer 12 ″ obtained by thermosetting the first thermosetting resin composition layer (heat-treated body) 12 ′ may be referred to as “first insulating layer”. . Further, the insulating layer 22 ″ obtained by thermosetting the second thermosetting resin composition layer 22 may be referred to as a “second insulating layer”.

<その他の工程>
本発明の部品内蔵回路板の製造方法は、さらに、(E)第1及び第2の絶縁層に穴あけする工程、(F)第1及び第2の絶縁層を粗化処理する工程、(G)粗化された絶縁層表面に導体層を形成する工程をさらに含んでもよい。これらの工程(E)乃至(G)は、部品内蔵回路板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。なお、第1及び第2の支持体を工程(D)の後に剥離する場合、該第1及び第2の支持体の剥離は、工程(D)と工程(E)との間、工程(E)と工程(F)の間、又は工程(F)と工程(G)の間に実施してよい。
<Other processes>
The method for manufacturing a component-embedded circuit board according to the present invention further includes (E) a step of drilling holes in the first and second insulating layers, (F) a step of roughening the first and second insulating layers, (G ) A step of forming a conductor layer on the roughened insulating layer surface may be further included. These steps (E) to (G) may be carried out according to various methods known to those skilled in the art, which are used for manufacturing a component built-in circuit board. In addition, when peeling a 1st and 2nd support body after a process (D), peeling of this 1st and 2nd support body is a process (E) between a process (D) and a process (E). ) And step (F), or between step (F) and step (G).

工程(E)は、第1及び第2の絶縁層に穴あけする工程であり、これにより第1及び第2の絶縁層にビアホール等のホールを形成することができる。例えば、ドリル、レーザー(炭酸ガスレーザー、YAGレーザー等)、プラズマ等を使用して第1及び第2の絶縁層にホールを形成することができる。部品内蔵回路板において、絶縁層は、一般に、ビアホールにより導通が行われる。   Step (E) is a step of drilling holes in the first and second insulating layers, whereby holes such as via holes can be formed in the first and second insulating layers. For example, holes can be formed in the first and second insulating layers using a drill, laser (carbon dioxide laser, YAG laser, etc.), plasma, or the like. In the component built-in circuit board, the insulating layer is generally conducted by a via hole.

工程(F)は、第1及び第2の絶縁層を粗化処理する工程である。粗化処理の手順、条件は特に限定されず、部品内蔵回路板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。例えば、第1及び第2の絶縁層の粗化処理は、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して第1及び第2の絶縁層を粗化処理することができる。膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン(株)製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスP、スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、30〜90℃の膨潤液に第1及び第2の絶縁層を1分間〜20分間浸漬することにより行うことができる。第1及び第2の絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、40〜80℃の膨潤液に第1及び第2の絶縁層を5秒間〜15分間浸漬させることが好ましい。酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃〜80℃に加熱した酸化剤溶液に第1及び第2の絶縁層を10分間〜30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は5質量%〜10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン(株)製のコンセントレート・コンパクトP、ドージングソリューション・セキュリガンスP等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン(株)製のリダクションショリューシン・セキュリガントPが挙げられる。中和液による処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を30〜80℃の中和液に5分間〜30分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた対象物を、40〜70℃の中和液に5分間〜20分間浸漬する方法が好ましい。   Step (F) is a step of roughening the first and second insulating layers. The procedure and conditions of the roughening treatment are not particularly limited, and known procedures and conditions that are usually used when forming the insulating layer of the component built-in circuit board can be adopted. For example, the roughening treatment of the first and second insulating layers is performed by performing the swelling treatment with the swelling liquid, the roughening treatment with the oxidizing agent, and the neutralization treatment with the neutralizing liquid in this order. Can be roughened. Although it does not specifically limit as a swelling liquid, An alkaline solution, surfactant solution, etc. are mentioned, Preferably it is an alkaline solution, As this alkaline solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Securigans P and Swelling Dip Securigans SBU manufactured by Atotech Japan. Although the swelling process by a swelling liquid is not specifically limited, For example, it can carry out by immersing a 1st and 2nd insulating layer for 1 minute-20 minutes in 30-90 degreeC swelling liquid. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the first and second insulating layers to an appropriate level, it is preferable to immerse the first and second insulating layers in a swelling liquid at 40 to 80 ° C. for 5 seconds to 15 minutes. Although it does not specifically limit as an oxidizing agent, For example, the alkaline permanganate solution which melt | dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the first and second insulating layers in an oxidizing agent solution heated to 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes. The concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganate solutions such as Concentrate Compact P and Dosing Solution Securigans P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. As the neutralizing solution, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercially available product, for example, Reduction Sholysin Securigant P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. may be mentioned. The treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment with the oxidant solution in the neutralizing solution at 30 to 80 ° C. for 5 to 30 minutes. From the viewpoint of workability and the like, a method of immersing an object subjected to roughening treatment with an oxidant solution in a neutralizing solution at 40 to 70 ° C. for 5 to 20 minutes is preferable.

工程(G)は、粗化された絶縁層表面に導体層(回路配線)を形成する工程である。   Step (G) is a step of forming a conductor layer (circuit wiring) on the roughened insulating layer surface.

導体層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。   The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Contains metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. As the alloy layer, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper- A layer formed from a nickel alloy and a copper / titanium alloy). Among them, from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, ease of patterning, etc., single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or nickel / chromium alloy, copper / An alloy layer of nickel alloy or copper / titanium alloy is preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of nickel / chromium alloy is more preferable, and a single layer of copper is preferable. A metal layer is more preferred.

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が2層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。   The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel / chromium alloy.

導体層の厚さは、所望の部品内蔵回路板のデザインによるが、一般に3μm〜35μm、好ましくは5μm〜30μmである。   The thickness of the conductor layer is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm, although it depends on the desired design of the component built-in circuit board.

導体層の形成方法は、所望のパターンを有する導体層(回路配線)を形成し得る限り特に限定されない。好適な一実施形態において、導体層は、メッキにより形成することができる。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により第1及び第2の絶縁層の表面にメッキして、所望のパターンを有する導体層(回路配線)を形成することができる。以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。   The method for forming the conductor layer is not particularly limited as long as a conductor layer (circuit wiring) having a desired pattern can be formed. In a preferred embodiment, the conductor layer can be formed by plating. For example, the surface of the first and second insulating layers can be plated by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer (circuit wiring) having a desired pattern. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by a semi-additive method will be described.

まず、第1及び第2の絶縁層の表面に、無電解メッキによりメッキシード層を形成する。次いで、形成されたメッキシード層上に、所望の配線パターンに対応してメッキシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出したメッキシード層上に、電解メッキにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なメッキシード層をエッチングなどにより除去して、所望のパターンを有する導体層を形成することができる。   First, a plating seed layer is formed on the surfaces of the first and second insulating layers by electroless plating. Next, a mask pattern that exposes a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. A metal layer is formed by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired pattern.

これらの工程によりビアホール内にも導体(ビア配線)が形成され、第1及び第2の絶縁層12’’及び22’’の表面に設けられた回路配線3と回路基板の回路配線とが電気的に接続され、部品内蔵回路板100が得られる(図3G)。なお、電気的な接続がもたらされる限り、ビアホールの内部は導体で充填されている必要はなく、ビアホールの壁面をコーティングするように導体の薄層が形成されていてもよい。   Through these steps, a conductor (via wiring) is also formed in the via hole, and the circuit wiring 3 provided on the surfaces of the first and second insulating layers 12 ″ and 22 ″ and the circuit wiring on the circuit board are electrically connected. Are connected to each other, and the component built-in circuit board 100 is obtained (FIG. 3G). As long as electrical connection is provided, the inside of the via hole does not need to be filled with a conductor, and a thin layer of conductor may be formed so as to coat the wall surface of the via hole.

第1及び第2の支持体として、銅箔等の金属箔を用いた場合には、この金属箔を利用するサブトラクティブ法などによって、導体層を形成してもよい。また、金属箔をメッキシード層として、電解メッキにより導体層を形成してもよい。   When metal foil such as copper foil is used as the first and second supports, the conductor layer may be formed by a subtractive method using this metal foil. Alternatively, the conductive layer may be formed by electrolytic plating using a metal foil as a plating seed layer.

本発明の部品内蔵回路板の製造方法はまた、(H)部品内蔵回路板を個片化する工程を含んでもよい。   The method for manufacturing a component built-in circuit board according to the present invention may also include (H) a step of dividing the component built-in circuit board into individual pieces.

工程(H)は、例えば、回転刃を備える従来公知のダイシング装置により研削して、得られた構造体を個々の部品内蔵回路板ユニットへと個片化することができる。   In the step (H), for example, the structure obtained by grinding with a conventionally known dicing apparatus having a rotary blade can be separated into individual circuit board units with built-in components.

以上、本発明の部品内蔵回路板の製造方法を好適な実施形態に即して説明したが、上記工程(A)乃至(D)の各工程を含み且つ工程(A)乃至(D)の各工程がこの順序で実施される限り、本発明は上記で具体的に示した実施形態に限定されるものではない。例えば、工程(H)は、工程(C)と工程(D)の間、工程(D)と工程(E)の間、工程(E)と工程(F)の間、又は工程(F)と工程(G)の間に行ってもよい。また、工程(A)乃至(G)を繰り返して、多層化を図ってもよい。本発明の部品内蔵回路板の製造方法には多数の変形例が考えられる。   As mentioned above, although the manufacturing method of the component built-in circuit board of this invention was demonstrated according to suitable embodiment, each process of the process (A) thru | or (D) was included including each process of the said process (A) thru | or (D). As long as the steps are performed in this order, the present invention is not limited to the embodiments specifically shown above. For example, the step (H) is performed between the step (C) and the step (D), between the step (D) and the step (E), between the step (E) and the step (F), or in the step (F). You may perform during a process (G). Further, the steps (A) to (G) may be repeated to increase the number of layers. Many variations of the method for manufacturing a component-embedded circuit board according to the present invention are conceivable.

[半導体装置]
本発明の方法で製造された部品内蔵回路板を用いて、半導体装置を製造することができる。
[Semiconductor device]
A semiconductor device can be manufactured using the component built-in circuit board manufactured by the method of the present invention.

かかる半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。   Examples of such semiconductor devices include various semiconductor devices used for electrical products (for example, computers, mobile phones, digital cameras, and televisions) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, trains, ships, and aircrafts). .

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「%」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, “parts” and “%” mean “parts by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified.

まず各種測定方法・評価方法について説明する。   First, various measurement methods and evaluation methods will be described.

〔測定・評価用サンプルの調製〕
(1)部品が仮付けされた回路基板の準備
255mm×255mmサイズの内層回路基板に、該内層回路基板の第1及び第2の主面間を貫通する0.8mm×1.2mmサイズのキャビティを5mmピッチで作製した。内層回路基板としては、内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(片面の銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ150μm、全体厚さ186μm、松下電工(株)製「R5715ES」)を使用した。次いで、キャビティの形成された内層回路基板の両面をメック(株)製「CZ8100」にて1μmエッチングして銅表面の粗化処理をおこなった。その後、内層回路基板の片面(第2の主面)に仮付け材料(古川電気工業(株)製ウエハダイシング用UVテープUC)を貼り合わせ、内層回路基板のキャビティを介して露出した仮付け材料の粘着面に部品((株)村田製作所製積層薄膜コンデンサ1005、1.0mm×0.5mmサイズ、厚さ180μm)を仮付けした。
[Preparation of samples for measurement and evaluation]
(1) Preparation of a circuit board on which components are temporarily attached A cavity of 0.8 mm × 1.2 mm size penetrating between the first and second main surfaces of the inner layer circuit board in an inner layer circuit board of 255 mm × 255 mm size Was made at a pitch of 5 mm. As the inner layer circuit board, a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate on which an inner layer circuit is formed (the thickness of the copper foil on one side is 18 μm, the thickness of the substrate is 150 μm, the total thickness is 186 μm, manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd. R5715ES ") was used. Next, both surfaces of the inner circuit board in which the cavities were formed were etched by 1 μm using “CZ8100” manufactured by Mec Co., Ltd. to roughen the copper surface. Thereafter, a temporary attachment material (UV tape UC for wafer dicing manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) is bonded to one side (second main surface) of the inner layer circuit board, and the temporary attachment material exposed through the cavity of the inner layer circuit board. A part (a multilayer thin film capacitor 1005 manufactured by Murata Manufacturing Co., Ltd., 1.0 mm × 0.5 mm size, thickness 180 μm) was temporarily attached to the adhesive surface.

(2)第1の接着フィルムの真空積層
上記(1)で得た、部品が仮付けされた内層回路基板に、下記作製例において作製した第1の接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP−500」)を用いて、第1の熱硬化性樹脂組成物層が内層回路基板の第1の主面と接するように、真空積層した。第1の接着フィルムの真空積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、110℃、圧力0.74MPaにて30秒間ラミネート処理した。さらに、常圧下、110℃、圧力0.5MPaにて60秒間ホットプレスすることにより平滑化処理を行った。
なお、第1の接着フィルムは、保護フィルムを剥離した後に本工程に供した。本工程は工程(A)に相当する。
(2) Vacuum lamination of first adhesive film The first adhesive film produced in the following production example was applied to the inner-layer circuit board on which the component was temporarily attached obtained in (1) above with a batch type vacuum pressure laminator ( Using a “MVLP-500” manufactured by Meiki Seisakusho, vacuum lamination was performed so that the first thermosetting resin composition layer was in contact with the first main surface of the inner circuit board. In vacuum lamination of the first adhesive film, the pressure was reduced to 30 hPa by reducing the pressure for 30 seconds, and then the lamination was performed at 110 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Further, smoothing treatment was performed by hot pressing at 110 ° C. and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds under normal pressure.
In addition, the 1st adhesive film was used for this process, after peeling a protective film. This step corresponds to step (A).

(3)第1の熱硬化性樹脂組成物層の加熱処理
第1の接着フィルムが積層された内層回路基板を、常圧下、下記表2に示す温度および時間にて加熱し、第1の熱硬化性樹脂組成物層を加熱処理した。得られた基板を「評価基板a」と称する。本工程は工程(B)に相当する。
(3) Heat treatment of the first thermosetting resin composition layer The inner layer circuit board on which the first adhesive film is laminated is heated under normal pressure at the temperatures and times shown in Table 2 below, to obtain the first heat The curable resin composition layer was heat-treated. The obtained substrate is referred to as “evaluation substrate a”. This step corresponds to step (B).

(4)仮付け材料の剥離
仮付け材料をUV照射した後、評価基板aから仮付け材料を剥離して内層回路基板の第2の主面を露出させた。得られた基板を「評価基板b」と称する。
(4) Peeling of temporary attachment material After UV irradiation of temporary attachment material, the temporary attachment material was peeled off from the evaluation board | substrate a, and the 2nd main surface of the inner-layer circuit board was exposed. The obtained substrate is referred to as “evaluation substrate b”.

(5)第2の接着フィルムの真空積層
下記作製例で作製した第2の接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP−500」)を用いて、第2の熱硬化性樹脂組成物層が内層回路基板の第2の主面と接するように、評価基板bに真空積層した。第2の接着フィルムの真空積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、110℃、圧力0.74MPaにて30秒間ラミネート処理した。さらに、常圧下、110℃、圧力0.5MPaにて60秒間ホットプレスすることにより平滑化処理を行った。得られた基板を「評価基板c」と称する。
なお、第2の接着フィルムは、保護フィルムを剥離した後に本工程に供した。本工程は工程(C)に相当する。
(5) Vacuum lamination of the second adhesive film The second adhesive film produced in the following production example was subjected to the second using a batch type vacuum pressure laminator (“MVLP-500” manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.). The thermosetting resin composition layer was vacuum-laminated on the evaluation substrate b so as to be in contact with the second main surface of the inner circuit board. In vacuum lamination of the second adhesive film, the pressure was reduced to 30 hPa or less by reducing the pressure for 30 seconds, and then the laminate treatment was performed at 110 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Further, smoothing treatment was performed by hot pressing at 110 ° C. and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds under normal pressure. The obtained substrate is referred to as “evaluation substrate c”.
In addition, the 2nd adhesive film was used for this process, after peeling a protective film. This step corresponds to step (C).

(6)第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層の熱硬化
評価基板cを、常圧下、100℃にて30分間、次いで180℃にて30分間加熱して、第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化させ、内層回路基板の両面に絶縁層を形成した。本工程は工程(D)に相当する。
(6) Thermosetting of the first and second thermosetting resin composition layers The evaluation substrate c is heated under normal pressure at 100 ° C. for 30 minutes, then at 180 ° C. for 30 minutes, and the first and second The thermosetting resin composition layer was thermally cured to form insulating layers on both sides of the inner layer circuit board. This step corresponds to step (D).

<熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度の測定>
下記作製例で作製した第1の接着フィルムにおける第1の熱硬化性樹脂組成物層について、動的粘弾性測定装置((株)ユー・ビー・エム製「Rheosol−G3000」)を使用して最低溶融粘度を測定した。試料樹脂組成物1gについて、直径18mmのパラレルプレートを使用して、開始温度60℃から200℃まで昇温速度5℃/分にて昇温し、測定温度間隔2.5℃、振動1Hz、歪み1degの測定条件にて動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度(poise)を算出した。
また、第1の接着フィルムにおける第1の熱硬化性樹脂組成物層を表2の加熱条件にて加熱処理し、開始温度を100℃とした以外は上記と同様にして、評価基板aにおける第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度を測定した。
<Measurement of minimum melt viscosity of thermosetting resin composition layer>
About the 1st thermosetting resin composition layer in the 1st adhesive film produced in the following preparation examples, using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus ("Rhesol-G3000" by UBM). The minimum melt viscosity was measured. About 1 g of the sample resin composition, using a parallel plate with a diameter of 18 mm, the temperature was increased from a starting temperature of 60 ° C. to 200 ° C. at a rate of temperature increase of 5 ° C./min. The dynamic viscoelastic modulus was measured under a measurement condition of 1 deg, and the minimum melt viscosity (poise) was calculated.
Moreover, the 1st thermosetting resin composition layer in a 1st adhesive film was heat-processed on the heating conditions of Table 2, and it carried out similarly to the above except that the starting temperature was 100 degreeC. The minimum melt viscosity of the thermosetting resin composition layer 1 was measured.

<基板反りの評価>
基板反りの評価は、評価基板bを用いて、図4に示すように実施した。詳細には、室温(23℃)下、評価基板b(図4中の50)の一辺(CD辺)を固定具31で水平表面30に固定した際の、水平表面30からの、対辺(AB辺)の両端部、すなわちA端及びB端の垂直高さ(h及びh)を測定し、その平均値((h+h)/2)を求めた。そして、下記基準に基づき、基板反りを評価した。なお、本評価における平均値が25mmより大きいと、第2の接着フィルムの真空積層の工程で基板搬送に不具合が生じやすい。
評価基準:
○:平均値が25mm以下である
×:平均値が25mmより大きい
<Evaluation of substrate warpage>
The evaluation of the substrate warpage was performed using the evaluation substrate b as shown in FIG. Specifically, the opposite side (AB) from the horizontal surface 30 when one side (CD side) of the evaluation substrate b (50 in FIG. 4) is fixed to the horizontal surface 30 by the fixture 31 at room temperature (23 ° C.). The vertical heights (h A and h B ) of both ends of the side), that is, the A end and the B end were measured, and the average value ((h A + h B ) / 2) was obtained. And the board | substrate curvature was evaluated based on the following reference | standard. In addition, when the average value in this evaluation is larger than 25 mm, troubles are likely to occur in substrate conveyance in the step of vacuum lamination of the second adhesive film.
Evaluation criteria:
○: Average value is 25 mm or less ×: Average value is greater than 25 mm

<部品の位置ズレの評価>
第2の接着フィルムの積層前後における部品位置の変化を光学顕微鏡(キーエンス製「VH−5500」)で測定した。測定は、評価基板bと評価基板cとの間における該対象部品の位置の変化を測定した。なお、本評価においては、部品の中心を基準点とし、該基準点の位置変化(μm)を測定した。そして、下記評価基準に基づき、部品の位置ズレを評価した。
評価基準:
○:位置変化が40μm未満である
×:位置変化が40μm以上である
<Evaluation of component misalignment>
The change of the part position before and after lamination | stacking of a 2nd adhesive film was measured with the optical microscope ("VH-5500" by Keyence). In the measurement, a change in the position of the target component between the evaluation board b and the evaluation board c was measured. In this evaluation, the center of the component was used as a reference point, and the positional change (μm) of the reference point was measured. And the positional offset of components was evaluated based on the following evaluation criteria.
Evaluation criteria:
○: Change in position is less than 40 μm ×: Change in position is 40 μm or more

〔作製例1〕
(1)樹脂ワニスの調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品、エポキシ当量約169)5部、ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC(株)製「HP4032SS」、エポキシ当量約144)5部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)5部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」、エポキシ当量約288)15部、及びフェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、重量平均分子量約35000、固形分30%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ25部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC(株)製「LA−7054」、水酸基当量125、固形分60%のMEK溶液)10部、ナフトール系硬化剤(新日鐵化学(株)製「SN−485」、水酸基当量215、固形分60%のMEK溶液)10部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)1部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナントレン−10−オキサイド、平均粒径2μm)3部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理した球形シリカ((株)アドマテックス製「SOC2」、平均粒径0.5μm、単位表面積当たりのカーボン量0.39mg/m)100部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。
樹脂ワニス中の不揮発成分の合計を100質量%としたとき、無機充填材(球形シリカ)の含有量は、67.5質量%であった。
(2)第1の接着フィルム1の作製
支持体として、アルキド樹脂系離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、該支持体の離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させて第1の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第1の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは50μmであった。次いで第1の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子特殊紙(株)製「アルファンMA−411」、厚さ15μm)の平滑面側を貼り合わせて、第1の接着フィルム1を調製した。
(3)第2の接着フィルム1の作製
支持体として、アルキド樹脂系離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、該支持体の離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で4分間乾燥させて第2の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第2の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは30μmであった。次いで第2の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子特殊紙(株)製「アルファンMA−411」、厚さ15μm)の平滑面側を貼り合わせて、第2の接着フィルム1を調製した。
[Production Example 1]
(1) Preparation of resin varnish 5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type, epoxy equivalent of about 169), naphthalene type epoxy resin (“HP4032SS” manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent of about 144), 5 parts of bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, about 185 of epoxy equivalent), biphenyl type epoxy resin (Nippon Kayaku) 15 parts of “NC3000H” manufactured by (Co), and 10 parts of phenoxy resin (“YL7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., MEK solution having a weight average molecular weight of about 35000 and a solid content of 30%) are mixed with solvent naphtha. While stirring, 25 parts were dissolved with heating. After cooling to room temperature, 10 parts of a triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, MEK solution having a hydroxyl equivalent weight of 125 and a solid content of 60%), a naphthol-based curing agent ( “SN-485” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 10 parts of hydroxyl equivalent 215, 60% solid content MEK solution, curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5% solid content MEK solution) ) 1 part, flame retardant ("HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd.), 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle size 2 μm) 3 parts, spherical silica surface treated with an aminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (“SOC2” manufactured by Admatechs Co., Ltd.) Particle size 0.5 [mu] m, the carbon amount 0.39 mg / m 2 per unit surface area) were mixed 100 parts, was uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.
When the total of the non-volatile components in the resin varnish was 100% by mass, the content of the inorganic filler (spherical silica) was 67.5% by mass.
(2) Production of first adhesive film 1 As a support, a PET film with an alkyd resin release layer (“AL5” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) was prepared. The resin varnish prepared above is uniformly applied to the release layer side surface of the support with a die coater and dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 5 minutes to be a first thermosetting resin. A composition layer was formed. The thickness of the first thermosetting resin composition layer was 50 μm. Next, a smooth surface side of a polypropylene film (“Alphan MA-411” manufactured by Oji Specialty Paper Co., Ltd., thickness 15 μm) as a protective film is bonded to the surface of the first thermosetting resin composition layer, 1 adhesive film 1 was prepared.
(3) Production of Second Adhesive Film 1 As a support, a PET film with an alkyd resin release layer (“AL5” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) was prepared. The resin varnish prepared above is uniformly applied to the surface of the release layer side of the support with a die coater, and dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 4 minutes to give a second thermosetting resin. A composition layer was formed. The thickness of the second thermosetting resin composition layer was 30 μm. Next, the smooth surface side of a polypropylene film (“Alphan MA-411” manufactured by Oji Specialty Paper Co., Ltd., thickness 15 μm) as a protective film is bonded to the surface of the second thermosetting resin composition layer, 2 adhesive film 1 was prepared.

〔作製例2〕
(1)樹脂ワニスの調製
作製例1と同様にして樹脂ワニスを調製した。
(2)第1の接着フィルム2の作製
支持体として銅箔(三井金属鉱業(株)製「3EC−III」、厚さ18μm)を、保護フィルムとしてアルキド樹脂系離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、上記保護フィルムの離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させて第1の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第1の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは50μmであった。次いで第1の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、上記支持体のマット面側を貼り合わせて、第1の接着フィルム2を調製した。
(3)第2の接着フィルム2の作製
支持体として銅箔(三井金属鉱業(株)製「3EC−III」、厚さ18μm)を、保護フィルムとしてアルキド樹脂系離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、上記保護フィルムの離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で4分間乾燥させて第2の熱硬化性樹脂組成物層を形成した。第2の熱硬化性樹脂組成物層の厚さは30μmであった。次いで第2の熱硬化性樹脂組成物層の表面に、上記支持体のマット面側を貼り合わせて、第2の接着フィルム2を調製した。
[Production Example 2]
(1) Preparation of resin varnish A resin varnish was prepared in the same manner as in Preparation Example 1.
(2) Production of first adhesive film 2 Copper foil (“3EC-III” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., thickness 18 μm) as a support, and PET film with an alkyd resin release layer (Lintec) as a protective film “AL5” (thickness: 38 μm) was prepared. The resin varnish prepared above is uniformly applied to the release layer side surface of the protective film with a die coater, and dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 5 minutes to be a first thermosetting resin. A composition layer was formed. The thickness of the first thermosetting resin composition layer was 50 μm. Next, the matte surface side of the support was bonded to the surface of the first thermosetting resin composition layer to prepare a first adhesive film 2.
(3) Production of second adhesive film 2 Copper foil (“3EC-III” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., thickness 18 μm) as a support, PET film with an alkyd resin release layer (Lintec) as a protective film “AL5” (thickness: 38 μm) was prepared. The resin varnish prepared above is uniformly applied to the release layer side surface of the protective film with a die coater, and dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 4 minutes to be a second thermosetting resin. A composition layer was formed. The thickness of the second thermosetting resin composition layer was 30 μm. Next, the second adhesive film 2 was prepared by bonding the mat surface side of the support to the surface of the second thermosetting resin composition layer.

Figure 0006318690
Figure 0006318690

<実施例1>
第1の接着フィルム1及び第2の接着フィルム1を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板a、b及びcを製造した。各評価結果を2に示す。
<Example 1>
Evaluation substrates a, b, and c were produced using the first adhesive film 1 and the second adhesive film 1 according to the procedure of [Preparation of measurement / evaluation sample]. Each evaluation result is shown in 2.

<実施例2>
第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム2を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板a、b及びcを製造した。各評価結果を2に示す。
<Example 2>
Evaluation substrates a, b, and c were produced using the first adhesive film 2 and the second adhesive film 2 according to the procedure of [Preparation of measurement / evaluation sample]. Each evaluation result is shown in 2.

<実施例3>
第1の接着フィルム1及び第2の接着フィルム1を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板a、b及びcを製造した。各評価結果を表2に示す。
<Example 3>
Evaluation substrates a, b, and c were produced using the first adhesive film 1 and the second adhesive film 1 according to the procedure of [Preparation of measurement / evaluation sample]. Each evaluation result is shown in Table 2.

<比較例1>
第1の接着フィルム1及び第2の接着フィルム1を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板a、b及びcを製造した。各評価結果を2に示す。
<Comparative Example 1>
Evaluation substrates a, b, and c were produced using the first adhesive film 1 and the second adhesive film 1 according to the procedure of [Preparation of measurement / evaluation sample]. Each evaluation result is shown in 2.

<比較例2>
第1の接着フィルム1及び第2の接着フィルム1を用いて、上記〔測定・評価用サンプルの調製〕の手順に従って、評価基板a、b及びcを製造した。各評価結果を2に示す。
<Comparative example 2>
Evaluation substrates a, b, and c were produced using the first adhesive film 1 and the second adhesive film 1 according to the procedure of [Preparation of measurement / evaluation sample]. Each evaluation result is shown in 2.

Figure 0006318690
Figure 0006318690

第1の熱硬化性樹脂組成物層を、所定の条件にて加熱処理する工程(B)を採用する実施例1〜3においては、基板厚さが150μmと薄い回路基板を使用した場合であっても、基板反りの発生を抑制し得ることが確認された。また、斯かる実施例1〜3においては、部品の位置ズレも抑えられることが確認された。
これに対し、比較例1では、顕著な基板反りが発生し、基板搬送障害により歩留まりが著しく低下した(加熱処理後の第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は測定上限値(200,000ポイズ)を超えていた)。また、比較例2においては、著しい部品の位置ズレの起こることが確認された(加熱処理後の第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度は6,300であった)。
In Examples 1 to 3, which employ the step (B) of heat-treating the first thermosetting resin composition layer under predetermined conditions, a thin circuit board having a substrate thickness of 150 μm was used. However, it was confirmed that generation | occurrence | production of board | substrate curvature could be suppressed. In Examples 1 to 3, it was confirmed that the positional deviation of the components was also suppressed.
On the other hand, in Comparative Example 1, remarkable substrate warpage occurred, and the yield was remarkably reduced due to substrate conveyance failure (the minimum melt viscosity of the first thermosetting resin composition layer after the heat treatment is the upper limit of measurement ( 200,000 poise)). Further, in Comparative Example 2, it was confirmed that significant positional displacement of the parts occurred (the minimum melt viscosity of the first thermosetting resin composition layer after the heat treatment was 6,300).

1 回路基板
2 基板
2a キャビティ
3 回路配線
4 仮付け材料
5 部品
10 第1の接着フィルム
11 第1の支持体
12 第1の熱硬化性樹脂組成物層
12’ 第1の熱硬化性樹脂組成物層(加熱処理体)
12’’ 第1の熱硬化性樹脂組成物層(硬化体)
20 第2の接着フィルム
21 第2の支持体
22 第2の熱硬化性樹脂組成物層
22’’ 第2の熱硬化性樹脂組成物層(硬化体)
30 水平表面
31 固定具
50 評価基板b
100 部品内蔵回路板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit board 2 Board | substrate 2a Cavity 3 Circuit wiring 4 Temporary attachment material 5 Parts 10 1st adhesive film 11 1st support body 12 1st thermosetting resin composition layer 12 '1st thermosetting resin composition Layer (heat-treated body)
12 '' first thermosetting resin composition layer (cured body)
20 2nd adhesive film 21 2nd support body 22 2nd thermosetting resin composition layer 22 '' 2nd thermosetting resin composition layer (cured body)
30 Horizontal surface 31 Fixing tool 50 Evaluation board b
100 Built-in circuit board

Claims (9)

下記工程(A)、(B)、(C)及び(D)をこの順序で含む部品内蔵回路板の製造方法。
(A)第1及び第2の主面を有し、該第1及び第2の主面間を貫通するキャビティが形成された回路基板と、該回路基板の第2の主面と接合している仮付け材料と、前記回路基板のキャビティの内部において前記仮付け材料によって仮付けされた部品とを含む、部品が仮付けされた回路基板に、第1の支持体及び該第1の支持体と接合する最低溶融粘度が10000ポイズ以下の第1の熱硬化性樹脂組成物層を含む第1の接着フィルムを、該第1の熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の第1の主面と接合するように、真空積層する工程
(B)第1の熱硬化性樹脂組成物層を、下記工程(C)において前記部品の位置ズレを抑制するために加熱処理し、かつ該加熱処理が基板反りの発生が抑制される範囲で行われる工程
(C)回路基板の第2の主面から仮付け材料を剥離した後、第2の支持体及び該第2の支持体と接合する第2の熱硬化性樹脂組成物層を含む第2の接着フィルムを、該第2の熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の第2の主面と接合するように、真空積層する工程
(D)第1及び第2の熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化する工程
The manufacturing method of the circuit board with a built-in component which contains the following process (A), (B), (C) and (D) in this order.
(A) A circuit board having first and second main surfaces and having a cavity penetrating between the first and second main surfaces, and a second main surface of the circuit board joined to each other A first support body and a first support body on a circuit board on which a part is temporarily attached, the part including a temporary attachment material and a part temporarily attached with the temporary attachment material inside a cavity of the circuit board The first adhesive film including the first thermosetting resin composition layer having a minimum melt viscosity of 10,000 poise or less to be bonded to the first main surface of the circuit board is the first thermosetting resin composition layer. (B) heat-treating the first thermosetting resin composition layer to suppress positional displacement of the component in the following step (C), and the heat treatment Steps performed in a range where generation of substrate warpage is suppressed (C) Second circuit board The second adhesive film including the second support and the second thermosetting resin composition layer bonded to the second support is peeled off from the surface after the temporary attachment material is peeled off. (D) The process of thermosetting the 1st and 2nd thermosetting resin composition layer so that a heat-resistant resin composition layer may join to the 2nd main surface of a circuit board
第1の接着フィルムにおける第1の熱硬化性樹脂組成物層の最低溶融粘度が100〜10000ポイズである、請求項1に記載の部品内蔵回路板の製造方法。   The manufacturing method of the component built-in circuit board of Claim 1 whose minimum melt viscosity of the 1st thermosetting resin composition layer in a 1st adhesive film is 100-10000 poise. 工程(B)において、第1の熱硬化性樹脂組成物層を、その最低溶融粘度が15000〜200000ポイズとなるように加熱処理する、請求項1又は2に記載の部品内蔵回路板の製造方法。   The method for producing a circuit board with a built-in component according to claim 1 or 2, wherein in the step (B), the first thermosetting resin composition layer is heat-treated so that the minimum melt viscosity is 15,000 to 200,000 poise. . 工程(B)において、第1の支持体の付いた状態で加熱処理する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の部品内蔵回路板の製造方法。   The manufacturing method of the component built-in circuit board of any one of Claims 1-3 which heat-processes in the state with the 1st support body in a process (B). 回路基板の厚さが50〜350μmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の部品内蔵回路板の製造方法。   The manufacturing method of the circuit board with a built-in component of any one of Claims 1-4 whose thickness of a circuit board is 50-350 micrometers. キャビティ間のピッチが1〜10mmである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の部品内蔵回路板の製造方法。   The manufacturing method of the component built-in circuit board of any one of Claims 1-5 whose pitch between cavities is 1-10 mm. 第2の熱硬化性樹脂組成物層が、第1の熱硬化性樹脂組成物層よりも薄い、請求項1〜6のいずれか1項に記載の部品内蔵回路板の製造方法。   The manufacturing method of the component built-in circuit board of any one of Claims 1-6 whose 2nd thermosetting resin composition layer is thinner than the 1st thermosetting resin composition layer. 工程(B)で得られる基板から、平面寸法がL(mm)×W(mm)(ここで、L≧Wであり、Lは550mm以下である。)の試験片を得たとき、該試験片の反りが0.1L(mm)以下である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の部品内蔵回路板の製造方法。   When a test piece having a plane dimension of L (mm) × W (mm) (where L ≧ W and L is 550 mm or less) was obtained from the substrate obtained in the step (B), the test was performed. The method for manufacturing a component-embedded circuit board according to any one of claims 1 to 7, wherein the warpage of the piece is 0.1 L (mm) or less. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法で製造された部品内蔵回路板を含む半導体装置。   A semiconductor device comprising a component-embedded circuit board manufactured by the method according to claim 1.
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