KR20180105715A - 광의 스침각 입사를 성취하기 위한 빔 스플리터 - Google Patents

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KR20180105715A
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Abstract

본 발명은 특히 현미경법용 광학 시스템에 관한 것으로, 광 입사면 및 광 출사면을 갖는 빔 스플리터(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900)를 갖고, 빔 스플리터는 광학 시스템의 지정된 동작 파장 범위에 대해, 광 입사면 상에 입사되는 20% 미만의 전자기 방사선을 흡수하고, 빔 스플리터는, 광학 시스템의 동작 중 일 때 각각의 표면 법선에 대해 그리고 광 입사면 그리고/또는 광 출사면에 입사하는 입사각이 적어도 70°이도록 광학 시스템 내에 배열된다.

Description

광의 스침각 입사를 성취하기 위한 빔 스플리터
본 출원은 2016년 3월 8일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2016 203 749.8호의 우선권을 주장한다. 이 DE 출원의 내용은 본 출원 명세서에 참조로서 합체되어 있다.
발명의 분야
본 발명은 특히 현미경법(microscopy)용 광학 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 광범위한 적용 분야에, 예를 들어 재료 과학 분야에서, 생물학 또는 다양한 다른 기본 연구에서 현미경법 용례에 유리하게 사용될 수 있다. 본 발명의 다른 가능한 용도는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 사용을 위한 레티클 또는 마스크를 검사하기 위한 마스크 검사 시스템이다.
명시야 반사광 현미경법(brightfield reflected-light microscopy)에 있어서, 피조사 물체(object to be investigated)는 빔 스플리터를 사용하여 조명되는데, 이 빔 스플리터는 광원으로부터 입사되는 조명광에 대해 경사지고 피조사 물체 상에 광을 편향한다. 획득가능한 해상도를 증가시키기 위해, 점점 더 낮은 동작 파장으로의 전이가 이 경우에 바람직하다.
EUV 범위에 대해, 즉 예를 들어 30 nm 미만(예를 들어, 대략 13 nm 또는 대략 7 nm)의 파장에서 설계된 광학 시스템에 있어서, 적합한 투광 굴절성 재료의 이용 가능성의 결여에 기인하여, 미러가 이미징 프로세스를 위한 광학 구성요소로서 사용된다. 이는 이러한 시스템이 또한 바람직하게는 미러 시스템으로서 설계되기 때문에, 단파 VUV 방사선(예를 들어, 150 nm 파장)에 대해 설계된 시스템에 대해서도 또한 성립한다.
전술된 용례에서, 한편으로는 피조사 샘플(예를 들어, 현미경 대물렌즈의 대물 평면에 배열됨) 상에 관련 전자기 방사선을 지향하고, 다른 한편으로는 이 전자기 방사선을 검출기에 공급하기 위해 각각의 조명광의 부분을 투과하고 반사하는 빔 스플리터가 사용된다. 여기서 실제로 존재하는 요구는 또한 일반적으로 - 흡수 및 산란 손실 발생의 최소화에 추가하여 - 빔 스플리터에서 분리되는 부분(즉, 전자기 방사선의 투과된 부분 및 반사된 부분)이 가능하면 강도의 견지에서 동일한 것을 포함한다("50/50 빔 스플리터"로서 알려져 있음).
각각의 동작 파장에서 흡수 손실을 최소화하기 위해, 특히 상이한 굴절률을 갖는 재료로 제조된 개별층의 시퀀스를 갖는 유전층 시스템을 갖는 빔 스플리터의 구현예가 공지되어 있다.
그러나, 더 큰 파장 범위를 커버하기 위해, 원리적으로 많은 수의 상이한 유전층이 필요하고, 이는 이어서 특히 예를 들어 150 nm 미만의 낮은 파장에서 증가하는 미광(stray light) 부분을 갖는 다수의 계면에 기인하여 증가하는 흡수 손실을 수반하는 문제점이 실제로 빈번히 발생한다.
본 발명의 목적은 상당히 큰 파장 범위에 걸친 빔 분할이 전술된 문제점을 회피하면서 가능해지는, 특히 현미경법용 광학 시스템을 제공하는 것이다.
이 목적은 독립 청구항 1의 특징에 의해 성취된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 특히 현미경법용 광학 시스템은
- 광 입사면 및 광 출사면을 갖는 빔 스플리터를 포함하고;
- 빔 스플리터는 광학 시스템의 지정된 동작 파장 범위에 대해, 광 입사면 상에 입사되는 20% 미만의 전자기 방사선을 흡수하고;
- 빔 스플리터는, 광 입사면에서 그리고/또는 광 출사면에서 광학 시스템의 동작 중에 발생하는, 각각의 표면 법선을 기준으로 하는 입사각이 적어도 70°이도록 광학 시스템 내에 배열된다.
본 발명은 특히 현미경과 같은 광학 시스템 내에 비교적 높은 입사각(각각의 표면 법선을 기준으로)을 갖는, 광빔 경로 내에 위치된 빔 스플리터의 적어도 하나의 계면을 통한 통과의 개념에 기초하고, 그 결과 심지어 유전층 시스템과 같은 코팅을 사용하지 않고, 빔 스플리터에서 비교적 높은 반사율이 실현되고, 그 결과, 높은 처리량이 획득될 수 있다(가시 스펙트럼 범위에서 빔 스플리터에 상응하고 25%의 이론적 이상값에 가까울 수도 있음).
본 발명에 따른 빔 스플리터의 (예를 들어, 유전성) 코팅 또는 구조화의 요구의 생략에 기인하여, 통상적으로 이러한 층 시스템 내에서 발생하는 층 열화의 문제점이 회피될 수 있고, 그 결과 제조 노력 및 비용이 상당히 감소될 수 있다. 더욱이, 다수의 유전성 개별층으로부터 형성된 층 시스템의 생략에 기인하여, 흡수 및 산란 손실이 최소화될 수 있다.
본 발명에 따른 빔 스플리터의 기능 원리에 기인하여, 가능한 동작 파장 범위에 관하여 높은 광대역성을 갖는 빔 분할이 미리 "고유적으로" 획득되고, 실시예에 따라, 120 nm 미만(특히, 또한 EUV 범위에서, 즉 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만) 및 적외선 스펙트럼 범위 내로의 동작 파장이 실현가능하다.
실시예에 따르면, 빔 스플리터는, 광 입사면에서 그리고/또는 광 출사면에서 광학 시스템의 동작 중에 발생하는, 각각의 표면 법선을 기준으로 하는 입사각이 적어도 75°, 특히 적어도 80°이도록 하는 이러한 방식으로 광학 시스템 내에 배열된다.
일 실시예에 따르면, 빔 스플리터는 평면 평행 기하학 형상을 갖는다. 빔 스플리터는 이 경우에, 특히 1 mm 미만, 더 구체적으로 0.5 mm 미만의 두께를 가질 수 있다. 그 결과, 빔 스플리터의 각각의 재료 내의 상당히 낮은 또는 최소 광학 경로가 실현될 수 있고, 그 결과 흡수 손실, 빔 스플리터의 2개의 계면에서 반사되는 광 부분들 사이의 회피불가능한 빔 오프셋, 및 또한 색 수차가 최소화될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 빔 스플리터는 웨지형 또는 웨지 섹션형 기하학 형상을 갖는 적어도 하나의 구성요소를 갖는다. 이 유형의 구현예는 특히, 빔 스플리터 내의 다수의 반사 후에, 빔 오프셋을 갖고 출사하는 광 부분이 출사하는 "사용된 광"과는 상이한 출사각에 기인하여 비교적 용이하게 차단될 수 있고, 따라서 이미징 결과에 대한 이러한 광 부분의 교란 영향이 회피될 수 있는 장점을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 빔 스플리터는 프리즘형 기하학 형상을 갖는다. 이러한 구현예는 특히, 광학 (전체) 시스템 내의 빔 스플리터의 통합에 의해, 부가의 절첩 또는 편형 미러 없이 그리고 따라서 요구된 광학 구성요소 또는 미러의 총 수의 감소를 갖고 입사빔과 투과된 빔 사이의 90° 편향의 일반적으로 원하는 실현이 가능한 장점을 갖는다.
일 실시예에 따르면, 빔 스플리터는 마그네슘 플루오라이드(MgF2), 리튬 플루오라이드(LiF), 알루미늄 플루오라이드(AlF3), 칼슘 플루오라이드(CaF2) 및 바륨 플루오라이드(BaF2)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 재료로부터 제조된다.
일 실시예에 따르면, 빔 스플리터는 이러한 재료만으로 이루어진다.
일 실시예에 따르면, 빔 스플리터는 광 입사면 및/또는 광 출사면을 갖는 적어도 하나의 미코팅 구성요소를 갖는다. 달리 말하면, 빔 스플리터는 바람직하게는 (예를 들어, 유전성) 코팅을 전혀 갖지 않고, 그 결과 특히 어떠한 층 열화도 또한 발생할 수 없다.
실시예에 따르면, 광학 시스템은 150 nm 미만, 특히 120 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계된다.
실시예에 따르면, 광학 시스템은 30 nm 미만, 더 구체적으로 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계된다.
실시예에 따르면, 광학 시스템은 현미경이다.
일 실시예에 따르면, 광학 시스템은 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 사용을 위한 레티클 또는 마스크를 검사하기 위한 마스크 검사 시스템이다.
본 발명의 다른 구성은 상세한 설명 및 종속 청구항으로부터 얻어질 수 있다.
본 발명은 첨부 도면에 도시되어 있는 예시적인 실시예에 기초하여 이하에 더 상세히 설명된다.
도면에서:
도 1 내지 도 9는 본 발명에 따른 광학 시스템에 사용되는 빔 스플리터의 다양한 예시적인 실시예를 설명하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 빔 스플리터에 의해 획득가능한 처리량의 파장 의존성의 가능한 프로파일(도 10) 및 s-편광광 및 p-편광광에 대한 반사 계수 및 투과 계수의 가능한 프로파일(도 11)을 예시하기 위한 도면을 도시하고 있다.
도 12는 종래의 명시야 반사광 현미경의 디자인을 설명하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 12는 종래의 명시야 반사광 현미경의 디자인을 설명하기 위한 단지 개략도를 도시하고 있다.
도 12에 개략적으로 도시된 명시야 반사광 현미경의 디자인에서, 조명광은 빔 스플리터(10) 상에 입사되고, 여기서 그 제1 계면(10a)에서 일부는 반사되고 일부는 투과된다. 반사된 부분은 현미경 대물렌즈(15)를 통해 대물 평면(OP)으로 통과되고, 여기서 대물 평면(OP) 내에 위치된 피조사 샘플에서 반사되고, 재차 부분 투과 후에, 빔 스플리터(10)를 통해 그 제2 계면(10b)을 거쳐 검출기(20)로 통과한다.
본 발명은 이러한 현미경 내의 실현에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명, 또는 본 발명에 따른 디자인을 갖는 빔 스플리터는 다른 용례에서, 또한 예를 들어 마스크 검사 장치의 투영 노광 장치에 또는 다른 광학 시스템에 사용을 위한 레티클 또는 마스크를 검사하기 위한 마스크 검사 시스템에서 실현될 수 있다.
본 발명에 따른 빔 스플리터의 다양한 실시예가 도 1 내지 도 9의 개략도를 참조하여 이하에 설명될 것이다.
도 1은 서로 평행한 계면(100a, 100b)을 갖는 평면 플레이트로서 구체화되는 빔 스플리터(100)를 단지 개략도로 도시하고 있다. 빔 스플리터(100)는 제1 계면(100a)에 의해 형성된 광 입사면 상에 입사되는 전자기 방사선의 입사각이 적어도 70°이도록(여기서 그리고 이하에서, 각각의 경우에 입사각은 표면 법선을 기준으로 함) 하는 방식으로 광빔 경로 내에 배열된다.
도 1에서, 다른 도 2 내지 도 8에서와 같이, 광원(도시 생략)으로부터 오는 조명광은 각각의 경우에 위로부터의 도면에서 빔 스플리터 상에 입사되고, 여기서 이들 도면에서, 피검사 샘플[빔 스플리터(100)에 의해 투과되는 광이 그 위에 입사됨] 및 검출기[피조사 샘플에 의해 반환되고 이어서 제2 계면(100b)에서 반사되는 광이 마지막으로 통과함]는 각각의 경우에 도시되어 있지 않다.
흡수 손실을 최소화하기 위해, 빔 스플리터(100)는 바람직하게는 1 mm 미만, 특히 0.5 mm 미만의 두께를 갖는다. 더욱이, 빔 스플리터(100)는 각각의 동작 파장 범위에서 충분히 투과성 또는 투광성인 재료로부터 제조된다. 빔 스플리터의 재료 및 두께는 바람직하게는, 광학 시스템의 지정된 동작 파장 범위에 대해, 빔 스플리터가 광 입사면 상에 입사되는 20% 미만의 전자기 방사선을 흡수하도록 선택된다. 대략 120 nm 이하의 영역에서 동작 파장에서, 예를 들어 마그네슘 플루오라이드(MgF2)가 적합한 재료이다.
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 빔 스플리터에 의해 획득가능한 처리량의 파장 의존성의 가능한 프로파일을 설명하기 위한 도면을 도시하고 있는데, 여기서 빔 스플리터는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)로 제조된 평면 플레이트로서 설계되고, 광학 시스템 내의 상기 평면 플레이트의 광 입사면 상의, 표면 법선을 기준으로 하는 입사각은 79°이다. 도 10에 따르면, 평균 획득가능한 처리량(D)은 대략 22°이고, 여기서 처리량(D)은 D=(Rs*Ts+Rp*Tp)/2에 의해 제공된다. 이 값은 가시 스펙트럼 범위에서 빔 스플리터에 의해 획득가능한 값에 상응하고 25%의 이론적 이상값에 가깝다.
도 11은 s-편광을 갖는 부분 및 p-편광을 갖는 부분의 모두에 대한 반사 계수 및 투과 계수의 각각의 프로파일을 도시하고 있다. 양 편광 방향에 걸친 반사 부분 및 투과 부분의 평균값은 양 편광 부분에 대해 각각의 경우에 대략 50%의 희망값이고, 편광비 (Rp+Tp)/(Rs+Ts)는 1의 희망값에 가깝다.
다른 실시예에서, 빔 스플리터(100)는 또한 더욱 더 낮은 두께로[예를 들어, 실리콘(Si)으로 제조된 박막으로서를 포함함] 제조될 수 있다. 흡수 손실에 기인하여 가능한 한 낮은, 1 ㎛ 미만의 두께가 유리하고, 100 nm 미만의 두께가 더 바람직하다.
빔 스플리터의 임의의 표면 변형에 기인하는 이미징 품질의 원하지 않는 손상의 회피 또는 충분한 안정성을 보장하기 위한 일 실시예가 도 4에 단지 개략적으로 도시되어 있다. 도 4에 따르면, 빔 스플리터(400)의 기계적 안정성의 향상이 특히 빔 스플리터(400) 자체와 동일한 재료로 이루어질 수 있는 예를 들어 링 세그먼트 또는 프레임 세그먼트의 형태의 (예를 들어, 접촉 접합된) 지지 요소를 경유하여 획득될 수 있다. 도 4에서, 이러한 지지 요소는 단지 개략적으로 지시되어 있고 "410" 및 "420"으로 나타낸다. 이러한 지지 요소의 구체적인 구현예에 관하여, 본 발명은 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 지주(strut) 등을 경유하는 중앙 지지가 또한 제공될 수도 있다.
재차 도 1을 참조하면, 도시된 빔 경로는 회피불가능한 다수의 반사가 빔 스플리터(100) 내에서 발생하는 한 상당히 개략화되고, 여기서 다수회 반사되어 있는 대응 부분은 빔 스플리터(100)로부터의 출사 후에 빔 오프셋을 갖는다.
고도로 정밀한 이미징을 위한 교란 효과를 갖는 이러한 광 부분의 제거를 간단화하기 위해, 본 발명에 따른 빔 스플리터는 도 2에 도시된 바와 같이, 웨지형 또는 웨지 섹션형 기하학 형상을 또한 가질 수 있다. 이에 의해, 전술된 원하지 않는 광 부분의 출력 커플링이 사용된 광과는 상이한 출사각에 기인하여 더 용이해진다.
웨지형 또는 웨지 섹션형 기하학 형상을 갖는 전술된 빔 스플리터(200)의 구현예에서, 계면 중 하나[구체적으로, 제1 계면(200a)]는 반사 부분에 기여하지 않기 때문에, 이 계면에서의 투과 부분은 바람직하게는 가능한 한 크다. 이를 위해, 관련 계면에서의 입사각은 바람직하게는 다른 (반사) 계면에서보다 상당히 더 작고, 여기서 반사 부분에 기여하지 않는 관련 계면에서의 입사각은 바람직하게는 65° 미만이 되도록 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 6에 지시되어 있는 바와 같이, 반사 감소 코팅(630)(도 6에 점선에 의해 지시되어 있음)이 반사 부분에 기여하지 않는 빔 스플리터(600)의 계면 상에 도포되는 것이 가능하다.
도 3은 프리즘형 기하학 형상을 갖는 본 발명에 따른 빔 스플리터(300)의 다른 실시예를 도시하고 있다. 이러한 암시는 먼저 상기 광 부분들 사이의 더 큰 각도의 설정을 갖는 투과된 광 부분과 반사된 광 부분 사이의 더 상당한 분리의 효과를 가질 수 있다. 더욱이, 관련 프리즘의 적합한 구현예에 의해, 예를 들어, 추가의 편향 또는 절첩 미러의 요구 없이, 한편으로는 조명광의 서로 직교 배향 및 다른 한편으로 대물 평면 상에 입사되는 이미징광을 획득하기 위해, 빔 스플리터(300) 내에서 발생하는 내부 전반사에 기인하여 전체 시스템에서 가능하게 요구되는 빔 편향을 실현하는 것이 이미 가능하다.
프리즘으로서 본 발명에 따른 빔 스플리터의 전술된 구현예에서, 반사 부분에 기여하지 않는 계면의 최고 가능한 투과 부분 또는 관련 계면에서의 대응적으로 낮은 입사각의 바람직하게 수행된 선택에 관한 상기 설명이 유사하게 적용된다.
도 5는 복수의 웨지 세그먼트형 섹션을 갖는 본 발명에 따른 빔 스플리터(500)의 다른 실시예를 도시하고 있다. 빔 스플리터(500) 내의 광학 경로 및 연계된 흡수 손실이 이에 의해 최소화될 수 있고, 여기서 반사에 기여하지 않는 계면에서의 입사각이 더욱이 또한 최소화될 수 있다.
도 7에 따르면, 부가의 미러(740)는 도 1에 관하여 유사하게 설계되어 있는 빔 스플리터(700)의 제2 계면에서 반사된 광을 전체 시스템의 배치면에 평행한 방향으로 편향하도록 또한 제공될 수 있다.
도 8은 2개의 웨지 섹션형 서브요소(801, 802)를 갖는 본 발명에 따른 빔 스플리터(800)의 다른 실시예를 도시하고 있다. 이 방식으로, 제1 서브요소(801)에 의해 투과된 빔의 편향각의 파장 의존성 변화의 보정은 제1 서브요소(801)에 대해 약 180° 회전된 배향을 갖는 제2 서브요소를 배열함으로써 획득될 수 있다.
더욱이, 본 발명에 따른 빔 스플리터 내의 제2 서브요소의 사용에 기인하여 또는 빔 스플리터의 계면 상에 형성된 비구면 때문에, 비점수차 파면 에러(astigmatic wavefront error)가 또한 보정될 수 있다.
다른 실시예에서, 본 발명에 따른 빔 스플리터는 광빔 경로가 각각의 경우에 전술된 실시예에 비교할 때 역전되도록 광학 시스템 내에 또한 배열될 수 있다. 도 9는 역전된 빔 경로를 갖는, 도 1에 관하여 유사한 구현예를 예시의 목적으로 도시하고 있다. 이 구현예는 조명빔 경로 내의 이미징 품질의 요구가 낮은 한 유리할 수 있고, 그 결과 반사된 광 부분 내에 파면 에러를 야기하는 빔 스플리터(900) 상에 존재하는 임의의 표면 변형[예를 들어, 박막의 형태의 빔 스플리터(900)의 구현예에 기인하는]은 이미징 품질에 어떠한 영향도 미치지 않는다.
본 발명이 특정 실시예에 기초하여 설명되었지만, 수많은 변형 및 대안 실시예가 예를 들어 개별 실시예의 특징의 조합 및/또는 교환에 의해 통상의 기술자에게 명백하다. 이에 따라, 이러한 변형 및 대안 실시예는 본 발명에 의해 부수적으로 포함되고, 본 발명의 범주는 단지 첨부된 특허 청구범위 및 이들의 등가물의 의미 내에서만 한정된다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다.

Claims (13)

  1. 특히 현미경법용 광학 시스템이며,
    · 광 입사면 및 광 출사면을 갖는 빔 스플리터(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900)를 포함하고;
    · 상기 빔 스플리터는 상기 광학 시스템의 지정된 동작 파장 범위에 대해, 상기 광 입사면 상에 입사되는 20% 미만의 전자기 방사선을 흡수하고;
    · 상기 빔 스플리터는, 상기 광 입사면에서 그리고/또는 상기 광 출사면에서 상기 광학 시스템의 동작 중에 발생하는, 각각의 표면 법선을 기준으로 하는 입사각이 적어도 70°이도록 상기 광학 시스템 내에 배열되는, 광학 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빔 스플리터는, 상기 광 입사면에서 그리고/또는 상기 광 출사면에서 상기 광학 시스템의 동작 중에 발생하는, 각각의 표면 법선을 기준으로 하는 입사각이 적어도 75°, 특히 적어도 80°이도록 하는 이러한 방식으로 상기 광학 시스템 내에 배열되는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 빔 스플리터는 1 밀리미터(mm) 미만, 특히 0.5 mm 미만의 최대 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 스플리터(100, 400, 600, 700, 900)는 평면 평행 기하학 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 스플리터(200, 500, 800)는 웨지형 또는 웨지 섹션형 기하학 형상을 갖는 적어도 하나의 구성요소를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 스플리터(300)는 프리즘형 기하학 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 스플리터(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900)는 마그네슘 플루오라이드(MgF2), 리튬 플루오라이드(LiF), 알루미늄 플루오라이드(AlF3), 칼슘 플루오라이드(CaF2) 및 바륨 플루오라이드(BaF2)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 빔 스플리터(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900)는 상기 재료만으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 스플리터(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900)는 광 입사면 및/또는 광 출사면을 갖는 적어도 하나의 미코팅 구성요소를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 150 nm 미만, 특히 120 nm 미만의 동작 파장에 대해 설계되는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 30 nm 미만, 더 구체적으로 15 nm 미만의 동작 파장에 대해 설계되는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 현미경인 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 사용을 위한 마스크를 검사하기 위한 마스크 검사 시스템인 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
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