KR20180098768A - 다공 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판 - Google Patents
다공 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180098768A KR20180098768A KR1020170025295A KR20170025295A KR20180098768A KR 20180098768 A KR20180098768 A KR 20180098768A KR 1020170025295 A KR1020170025295 A KR 1020170025295A KR 20170025295 A KR20170025295 A KR 20170025295A KR 20180098768 A KR20180098768 A KR 20180098768A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- present
- porous graphite
- substrate layer
- insulating
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims abstract description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 20
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 aromatic anhydride Chemical class 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(2,3-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTMISTPNEUTGRV-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2-(4-aminophenyl)benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=C(N)C=C1 VTMISTPNEUTGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 2
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMXCPDQUXVZBGQ-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound ClC1=C(Cl)C(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=C(Cl)C(Cl)=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O XMXCPDQUXVZBGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGKKWUNSNDTGDS-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylheptane-1,7-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CCN XGKKWUNSNDTGDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CN YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDWGBHZZXPDKDZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=C(Cl)C(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=CC(Cl)=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O SDWGBHZZXPDKDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZWGLBCZWLGCDT-UHFFFAOYSA-N 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound ClC1=CC(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=CC(Cl)=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O JZWGLBCZWLGCDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dichlorobenzidine Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(Cl)=C1 HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical group C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 3-[(4-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=CC(N)=C1 FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2,3-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEEIWUUBRYZFEH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxyhexane-1,6-diamine Chemical compound NCCC(OC)CCCN YEEIWUUBRYZFEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGEWZUYVXQESSB-UHFFFAOYSA-N 3-methylheptane-1,7-diamine Chemical compound NCCC(C)CCCCN SGEWZUYVXQESSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZLSMUPEJXXBO-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminophenyl)-phenylphosphoryl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1P(=O)(C=1C=CC(N)=CC=1)C1=CC=CC=C1 KTZLSMUPEJXXBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAAFQELLFJHAHD-UHFFFAOYSA-N 4-diethylsilylaniline Chemical compound CC[SiH](CC)c1ccc(N)cc1 YAAFQELLFJHAHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFBMJEBQWQBRQJ-UHFFFAOYSA-N 4-n-(4-aminophenyl)-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N(C=1C=CC(N)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YFBMJEBQWQBRQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWKVCLRLFUIZLG-UHFFFAOYSA-N 5-(4-carboxyphenyl)cyclohexa-2,4-diene-1,1,2-tricarboxylic acid Chemical compound C1C(C(O)=O)(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 TWKVCLRLFUIZLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUZDWKQSIJVSMY-UHFFFAOYSA-N 5-[4-(6-amino-2-methylhexan-2-yl)phenyl]-5-methylhexan-1-amine Chemical compound NCCCCC(C)(C)C1=CC=C(C(C)(C)CCCCN)C=C1 DUZDWKQSIJVSMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940064734 aminobenzoate Drugs 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N cyclohexatrienamine Chemical group NC1=CC=C=C[CH]1 UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 1
- CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfoxide Chemical compound CCS(=O)CC CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- CBLAIDIBZHTGLV-UHFFFAOYSA-N dodecane-2,11-diamine Chemical compound CC(N)CCCCCCCCC(C)N CBLAIDIBZHTGLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZHPCFQBBJISDG-UHFFFAOYSA-N ethyl(oxido)phosphanium Chemical compound CC[PH2]=O AZHPCFQBBJISDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N ethylmethylbenzene Natural products CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C21 KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N nonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCN SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQXBKCWOCJSIRT-UHFFFAOYSA-N octadecane-1,12-diamine Chemical compound CCCCCCC(N)CCCCCCCCCCCN VQXBKCWOCJSIRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- JGGWKXMPICYBKC-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C3C(C(=O)O)=CC=CC3=C21 JGGWKXMPICYBKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- JRDBISOHUUQXHE-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)N=C1C(O)=O JRDBISOHUUQXHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHNQIURBCCNWDN-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,6-diamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=N1 VHNQIURBCCNWDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006160 pyromellitic dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
- B32B9/007—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile comprising carbon, e.g. graphite, composite carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B9/041—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
- B32B37/24—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer not being coherent before laminating, e.g. made up from granular material sprinkled onto a substrate
- B32B2037/246—Vapour deposition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/206—Insulating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
- B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
- B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B32B2310/0843—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
본 발명은 회로층; 절연층; 및 기재층을 포함하는 적층체로서, 상기 기재층은 다공 그래파이트층을 포함하고, 상기 절연층은 절연 화합물을 에어로졸 증착법으로 상기 기재층의 일면 또는 양면에 증착시켜 적층된 것이며, 상기 회로층은 금속층을 포함하고, 상기 절연층의 일면에 적층된 것인, 적층체와 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판에 관한 것이다.
Description
본 발명은 다공 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판에 관한 것이다.
전자기기들은 일반적으로 그 사용 중 내부 부품들의 구동으로 인하여 소정의 열을 발생함에 따라 일정 내열온도를 기준으로 정하고 그 온도 이하를 유지하도록 하는 방열 구조를 구비하고 있다.
특히, 이동통신 단말기와 같은 고성능 소형 휴대 전자기기와 같은 경우 전자기기 전력을 증폭하기 위한 전력 증폭기(Power Amplifier Module) 등의 부품에서 많은 열이 발생된다.
이러한 전자기기의 회로를 구성하는 회로기판으로 연성 인쇄회로기판 (FPCB, flexible printed circuit board)는 발열에 취약한 문제점이 있었으며, 이러한 발열 문제를 해결하기 위하여 종래에는 연성 인쇄회로기판의 배면에 방열 패드나 방열 테이프를 접착시켜 열을 분산시키는 방법이 존재하였다.
그러나, 종래의 방열 패드나 방열 테이프를 연성 인쇄회로기판의 배면에 구비하는 방법은 연성 인쇄회로기판의 수축이 발생하는 문제와 연성 인쇄회로기판의 강도가 약한 문제점이 존재하였다.
본 발명은 열로 인한 수축 발생을 억제하면서 강도가 우수한 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판을 제공하고자 한다.
본 발명은 회로층; 절연층; 및 기재층을 포함하는 적층체로서, 상기 기재층은 그래파이트층을 포함하고, 상기 절연층은 절연 화합물을 에어로졸 증착법으로 상기 기재층의 일면 또는 양면에 증착시켜 적층된 것이며, 상기 회로층은 금속층을 포함하고, 상기 절연층의 일면에 적층된 것인, 적층체를 제공한다.
본 발명은 다공 그래파이트를 기재층으로 사용하고 절연층을 에어로졸법으로 적층하여 열로 인한 수축 발생을 억제하면서 강도가 우수한 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 적층체를 설명한다.
기재층
본 발명에 따른 적층체는 다공 그래파이트층을 포함하는 기재층을 포함한다.
본 발명에 따른 다공 그래파이트층의 기공의 평균 직경은 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층의 평균 기공 면적율은 10% 내지 90%이고, 바람직하게는 50% 내지 90%이며, 더 바람직하게는 70% 내지 90%이다.
본 명세서에 있어서, 평균 기공 면적율은 다공 그래파이트층의 단위 면적 당 평균 기공의 면적의 비율의 백분율을 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층의 기공율은 20% 내지 90%이다. 바람직하게는 50% 내지 90%이며, 더 바람직하게는 70% 내지 90%이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층의 단위 면적 100 mm2 당 기공수는 63000 개 내지 64000 개이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 기공 간의 평균 간격은 1 mm 내지 10 mm이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층의 두께는 5 ㎛ 내지 200 ㎛이다. 상기 다공 그래파이트층의 두께가 5 ㎛ 미만이면 적층체에서 유효한 방열 효과가 발휘되지 않으며, 200 ㎛ 초과이면 인쇄회로기판을 다른 부품과 연결하는 본딩 공정에 장애를 발생시켜 인쇄회로기판의 연성 물성으로 인한 장점이 저하된다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층은 공지의 그래파이트 필름일 수 있으며, 후술하는 다공 그래파이트층일 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층은 폴리이미드 필름을 열처리하여 탄화한 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 열처리는 탄화 단계 및 그래파이트 단계를 포함하는 방법이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 탄화 단계는 제 1 온도구간을 갖는 제 1 히터내로 폴리이미드 필름을 도입시킴으로써 상기 고분자 필름을 탄화시켜 탄소질 필름으로 변환시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제 1 온도 구간은 500±50℃ 내지 1000℃로 순차 상승하는 구간이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 그래파이트 단계는 선형적으로 온도가 상승하는 구간인 제 2 온도 구간을 갖는 제 2 히터내로 상기 탄소질 필름을 도입시켜 그라파이트 필름으로 변환시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제 2 히터는 4000 mm 내지 6000 mm의 길이를 갖는다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제 2 온도 구간은 1000℃ 내지 2800℃로 순차 상승하는 구간이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제 2 온도 구간은 1000℃ 내지 1500℃의 제 2-1 온도 구간, 1500℃ 내지 2200℃의 제 2-2 온도구간, 및 2200℃ 내지 2800℃의 제 2-3 온도 구간을 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 그래파이트 단계는 상기 제 2-1 온도구간 내에서 상기 탄소질 필름을 횡방향으로 0.33 mm/초 내지 1.33 mm/초로 이동하게 하고, 상기 제 2 히터의 내부 온도를 분당 1℃ 내지 5℃로 상승시키면서 1 시간 내지 4시간 동안 상기 탄소질 필름에 대하여 열처리를 진행하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층은 핀을 가압 또는 레이저를 조사하여 기공을 형성하는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀은 평균 직경이 1 μm 내지 100 μm이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀은 하나 이상의 것이며, 상기 핀들의 간격은 평균 10 μm 이상이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀은 하나 이상의 것이며, 상기 핀들은 사각형, 원형, 타원형, 마름모형, 또는 이들의 조합인 패턴을 형성하는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀의 가압방향은 상기 다공 탄소질 필름층의 일면의 수직 방향 또는 그 배면의 수직방향이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀의 가압방법은 수직으로 가압 또는 핀을 회전하며 가압하는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층은 상기 폴리이미드 필름에 기공을 형성한 후 열처리한 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 다공 그래파이트층은 상기 폴리이미드 필름에 열처리한 후 기공을 형성한 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 공지의 폴리이미드 필름이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 폴리아믹산 용액을 가열하여 수득되는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 폴리아믹산 용액을 필름형상으로 캐스트하고 열적으로 탈환화 탈용매시켜서 수득하는 것, 또는 폴리아믹산 용액에 환화촉매 및 탈수제를 혼합하고 화학적으로 탈환화시켜서 겔필름을 제작하고, 이것을 가열 탈용매하여 수득하는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리아믹산 용액은, 원료의 방향족 디아민 성분과 방향족산 이무수물 성분, 또는 이 양자를 주성분으로 하는 화학물질을 유기용매 중에서 중합시킴으로써 수득하는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 디아민 성분은, 파라페닐렌디아민을 포함하는 것이며, 4, 4'-디아미노디페닐에테르를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 방향족 무수물 성분은, 피로메리트산 이무수물 및/또는 3, 3', 4, 4'-비페닐테트라카르본산 이무수물이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리아믹산 용액은 추가 디아민 성분을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 추가 디아민 성분은, 3, 3'-디아미노디페닐에테르, 메타페닐렌디아민, 4, 4'-디아미노디페닐프로판, 3, 4'-디아미노디페닐프로판, 3, 3'-디아미노디페닐프로판, 4, 4'-디아미노디페닐메탄, 3, 4'-디아미노디페닐메탄, 3, 3'-디아미노디페닐메탄, 벤지딘, 4, 4'-디아미노디페닐설파이드, 3, 4'-디아미노디페닐설파이드, 3, 3'-디아미노디페닐설파이드, 4, 4'-디아미노디페닐설폰, 3, 4'-디아미노디페닐설폰, 3, 3'-디아미노디페닐설폰, 2, 6-디아미노피리딘, 비스-(4-아미노페닐)디에틸실란, 3, 3'-디클로로벤지딘, 비스-(4-아미노페닐)에틸포스핀옥사이드, 비스-(4-아미노페닐) 페닐포스핀옥사이드, 비스-(4-아미노페닐)-N-페닐아민, 비스-(4-아미노페닐)-N-메틸아민, 1, 5-디아미노나프탈렌, 3, 3'-디메틸-4, 4'-디아미노비페닐, 3, 4'-디메틸-3', 4-디아미노비페닐-3, 3'-디메톡시벤지딘, 2, 4-비스(p-β-아미노-t-부틸페닐)에테르, 비스(p-β-아미노-t-부틸페닐)에테르, p-비스(2-메틸-4-아미노펜틸)벤젠, p-비스-(1, 1-디메틸-5-아미노펜틸)벤젠, m-자일릴렌디아민, p-자일릴렌디아민, 1, 3-디아미노아다만탄, 3, 3'-디아미노-1, 1'-디아미노아다만탄, 3, 3'-디아미노메틸-1, 1'-디아다만탄, 비스(p-아미노시클로헥실)메탄, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 노나메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3-메틸헵타메틸렌디아민, 4, 4'-디메틸헵타메틸렌디아민, 2, 11-디아미노도데칸, 1, 2-비스(3-아미노프로폭시)에탄, 2, 2-디메틸프로필렌디아민, 3-메톡시헥사에틸렌디아민, 2, 5-디메틸헥사메틸렌디아민, 2, 5-디메틸헵타메틸렌디아민, 5-메틸노나메틸렌디아민, 1, 4-디아미노시클로헥산, 1, 12-디아미노옥타데칸, 2, 5-디아미노-1, 3, 4-옥사디아졸, 2, 2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오르프로판, N-(3-아미노페닐)-4-아미노벤즈아미드, 4-아미노페닐-3-아미노벤조에이트, 또는 이들의 혼합물이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리아믹산 용액은 추가 산이수물 성분을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 추가 산이수물은, 2, 3', 3, 4'-비페닐테트라카르본산 이무수물, 3, 3', 4, 4'-벤조페논테트라카르본산 이무수물, 2, 3, 6, 7-나프탈렌디카르본산 이무수물, 2, 2-비스(3, 4-디카르복시페닐)에테르, 피리딘-2, 3, 5, 6-테트라카르본산 이무수물, 1, 2, 4, 5-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 1, 4, 5, 8-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 1, 4, 5, 8-데카히드로나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 4, 8-디메틸-1, 2, 5, 6-헥사히드로나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 2, 6-디클로로-1, 4, 5, 8-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 2, 7-디클로로-1, 4, 5, 8-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 2, 3, 6, 7-테트라클로로-1, 4, 5, 8-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 1, 8, 9, 10-페난트렌테트라카르본산 이무수물, 2, 2-비스(2, 3-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1, 1-비스(3, 4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1, 1-비스(2, 3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(2, 3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3, 4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3, 4-디카르복시페닐)설폰 이무수물, 벤젠-1, 2, 3, 4-테트라카르본산 이무수물, 3, 4, 3', 4'-벤조페논테트라카르본산 이무수물, 또는 이들의 혼합물이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 폴리아믹산 용액은 유기용매를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기용매는 디메틸설폭시드, 디에틸설폭시드 등의 설폭시드계 용매, N, N-디메틸포름아미드, N, N-디에틸포름아미드 등의 포름아미드계 용매, N, N-디메틸아세트아미드, N, N-디에틸아세트아미드 등의 아세트아미드계 용매, N-메틸-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈 등의 피롤리돈계 용매, 페놀, o-, m-, 또는 p-크레졸, 크실레놀, 할로겐화 페놀, 카테콜 등의 페놀계 용매는, 또한 헥사메틸포스포르아미드, γ-부틸올락톤 등의 비프로톤성 극성용매, 또는 이들의 혼합물이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기용매는 크실렌, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소를 더 포함한다.
절연층
본 발명에 따른 적층체는 절연 화합물을 에어로졸 증착법으로 상기 기재층의 일면 또는 양면에 증착시켜 적층시킨 절연층을 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 절연층은 상기 기재층의 양면에 적층된 것이다. 구체적으로, 상기 적층체는 상기 기재층, 상기 기재층의 일면에 에어로졸 증착법으로 증착시켜 적층시킨 제1 절연층 및 상기 기재층의 다른 일면에 에어로졸 증착법으로 증착시켜 적측시킨 제2 절연층을 포함한다.
본 명세서에 있어서, 에어로졸 증착법은 공지의 에어로졸 증착기를 이용할 수 있으며, 상기 에어로졸 증착기는 후술하는 구성으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 에어로졸 증착기는 이송가스 공급부, 에어로졸 챔버 및 증착 챔버를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 이송가스 공급부는 상기 에어로졸 챔버와 연결수단으로 연결된다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 에어로졸 챔버는 상기 증착 챔버와 연결수단으로 연결되며, 상기 연결수단의 에어로졸 챔버 측 말단에는 노즐이 구비된다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 에어로졸 챔버의 일면에는 진동판이 구비된다. 상기 진동판은 상기 에어로졸 챔버에 진동을 가하도록 상하 운동을 하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 에어로졸 증착기는 펌프를 더 포함하며, 상기 펌프는 상기 에어로졸 챔버 및 상기 증착 챔버와 연결수단으로 연결된다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 하기의 단계들을 포함하는 에어로졸 증착법으로 상기 기재층의 일면에 증착시켜 적층시킨 것이다:
절연 화합물을 밀링 (mill)하는 단계;
에어로졸 챔버에 상기 밀링된 절연 화합물을 장입하는 단계;
증착 챔버에 상기 에어로졸 챔버와 연결된 노즐의 대향 방향으로 상기 기재층의 일면을 장입하는 단계; 및
상기 에어로졸 챔버에 진동을 가하면서, 이송 가스를 주입하는 단계.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 이송 가스는 산소 또는 헬륨이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 밀링은 볼 (ball mill) 쉐이커 밀(shaker mill), 유성밀(planetary mill) 또는 어트리션밀(attrition mill)일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 밀링은 불활성 기체 분위기 하에서 수행되는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 불활성 기체는 헬률, 아르곤, 또는 질소일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 에어로졸 증착법은 연속 증착법이다. 본 발명에 있어서 “연속 증착법”은 증착 물질을 증착체에 증착 시 증착면을 고정하지 않고 연속적으로 이동시켜 증착 물질을 에어로졸 증착하는 공정을 의미한다. 상기 연속 증착법은 증착체인 기재층의 증착면이 연속적으로 이동하여 에어로졸 증착으로 인한 분사압으로 기재층이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 본 발명에 있어서, “증착체”는 증착층이 일면에 증착되는 기재층 또는 기재층을 포함하는 증착 대상을 의미한다. 본 발명에 있어서, “증착 물질”은 에어로졸법으로 증착층을 형성할 수 있는 절연 화합물 또는 절연 화합물을 포함하는 물질을 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 연속 증착법은 일방향으로 이동하는 상기 기재층의 일면에 상기 절연 화합물이 에어로졸 증착법으로 상기 절연층을 형성하는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 연속 증착법은 상기 기재층이 하나 이상의 롤에 권취되어 이동되는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 연속 증착법은 상기 기재층이 롤투롤법에 의하여 이동되는 것이다. 본 발명에 있어서, “롤투롤(roll-to-roll)법”은 롤러의 회전 운동에 의하여 하나 이상의 풀림 롤러에 권취된 증착체가 풀리면서 하나 이상의 감김 롤러에 감기면서 증착체가 연속적으로 이동하는 공정을 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 연속 증착법은 상기 기재층을 지지하는 흡착체로 지지하면서 증착하는 것이다. 상기 흡착체는 상기 기재층이 증착되는 경우 일정 시간동안 고정하거나 상기 기재층의 연속 이동 속도를 일시적으로 저하하는 것이다. 상기 흡착체는 증착 시에 상기 기재층을 흡착시켜 상기 기재층이 평면 상태에서 구김없도록 인장력을 가함으로써 상기 절열층이 상기 기재층이 균일하게 증착되면서도 에어로졸의 분사압으로 인한 상기 기재층의 손상을 억제한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 흡착체의 음압의 방향은 상기 절연 화합물의 에어로졸 분사 방향과 대향하는 방향이다. 상기 흡착체의 음압의 방향이 상기 절연 화합물의 에어로졸 분사 방향이 대향함으로 인하여 상기 에어로졸 분사의 압력으로 인한 상기 기재층의 손상을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 흡착체는 표면에 미세 기공이 존재하는 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 흡착체는 흡착 펌프에 연결된 것이다. 상기 흡착 펌프는 상기 흡착체에 음압을 가하여 상기 흡착체의 미세 기공과 상기 기재층 사이에 읍압으로 인하여 상기 기재층에 인장력을 가해져 상기 기재층이 구김없도록 한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 흡착 펌프는 상기 흡착체와 흡착 밸브로 연결된 것이다. 상기 흡착 밸브는 상기 기재층의 권취 이동 속도에 따라 흡착 펌프에서 발생하는 음압을 조절한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 흡착 펌프는 상기 흡착체와 흡착 밸브로 연결된 것이다. 상기 흡착 밸브는 상기 기재층의 권취 이동 속도에 따라 흡착 펌프에서 발생하는 음압을 조절한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 흡착체가 롤투롤법에 의하여 이동되는 것이다. 상기 흡착체는 상기 기재층의 기공이 존재하는 절연 화합물의 에어로졸 증착으로 인하여 상기 기재층의 기공을 통과한 절연 화합물을 제거함으로 써 상기 기재층이 롤투롤법으로 이동 시 잔존한 절연 화합물로 인하여 손상되는 것을 방지한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 절연 화합물은 알루미나, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 마그네슘 옥사이드, 지리코니아 및 티타늄 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 절연층의 두께는 1 ㎛ 내지 30 ㎛이다.
회로층
본 발명에 따른 회로층은 상기 절연층의 일면에 적층된 것으로, 금속층을 포함한다. 상기 금속층의 적층은 공지의 금속 적층방법으로 적층될 수 있으며, 구체적으로 스퍼터링(sputtering)법, 화학 기상 증착 (chemical vapor deposition)법, 스핀 코팅(spin coating)법, 디핑(dipping)법 등일 수 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 적층체는 상기 기재층, 상기 기재층의 일면에 에어로졸 증착법으로 증착시켜 적층시킨 제1 절연층, 상기 제1 절연층의 일면에 적층된 제1 금속층, 상기 기재층의 다른 일면에 에어로졸 증착법으로 증착시켜 적측시킨 제2 절연층 및 상기 제2 절연층의 일면에 적층된 제2 금속층을 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 금속층은 구리, 알루미늄, 티탄, 텅스텐, 은 및 니켈로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속을 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 금속층의 두께는 1 ㎛ 내지 30 ㎛이다.
이하, 본 발명에 따른 연성 인쇄회로기판을 설명한다.
본 발명에 따른 연성 인쇄회로기판은 전술한 적층체를 포함한다.
이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 자세하게 설명한다. 그러나 이러한 실시예들은 본 발명을 구체적으로 설명하려는 것일 뿐, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
<
제조예
1>
기재층의
제조
TAIMADE 사에서 제조된 상품명 TL-050인 두께가 50㎛의 폴리이미드 필름을 롤형태로 지그에 권취시킨후, 제 1 온도구간을 갖는 제 1 히터내로 폴리이미드 필름을 도입시킴으로써 상기 고분자 필름을 탄화시켜 탄소질 필름으로 변환시켰다. 상기 제 1 온도 구간에서는, 500℃에서 1000℃까지 분당 10℃로 승온시킨 후, 1000℃의 온도를 2시간 정도 동안 유지하였다.
이후, 제 1 히터에서 변환된 탄소질 필름은 5000 mm의 길이를 갖게 되며, 상기 탄소질 필름을 횡방향으로 1.00 mm/초로 이동하고, 아르곤 가스를 5kgf/cm2의 압력 분위기인 제 2 히터 내로 도입시킴으로써 그라파이트 필름으로 변환시켜 25 ㎛의 두께의 기재층을 제조하였다.
상기 제 2 온도 구간에서는, 1000℃ 내지 1500℃의 제 2-1 온도 구간과, 1500℃~2200℃의 제 2-2 온도구간, 그리고, 2200℃ 내지 2800℃의 제 2-3 온도 구간을 순차적으로 적용하였으며,
상기 제 2-1 온도 구간인 1000℃ 내지 1500℃에서는 분당 3 ℃로 승온을 3 시간동안 진행시켰고, 상기 제 2-2 온도 구간인 1500℃ 내지 2200℃에서는 분당 5℃로 2 시간 동안 진행시켰으며,
제 2-3 온도구간인 2200℃ 내지 2800℃에서는 분당 10℃로 승온시킨 후 2800℃의 온도를 유지시키는 구간을 2 시간 동안 진행시켜 그래파이트 필름을 얻었다.
이후 얻어진 그래파이트 필름에, UHT 사에서 제조된 상품명 RFP-3P20인 레이저 조사기기로 주파수 60kHz, 가공단 출력 1.2 W, 조사횟수 15shot/hole 및 조사시간 7.3초의 조건으로 레이저를 조사하여 기재층을 제조하였다.
제조된 기재층의 두께는 25 ㎛, 평균 기공 직경은 10 ㎛, 평균 기공 면적율은 50%, 기공율은 58%이었다.
Claims (14)
- 회로층;
절연층; 및
기재층을 포함하는 적층체로서,
상기 기재층은 다공 그래파이트층을 포함하고,
상기 절연층은 절연 화합물을 에어로졸 증착법으로 상기 기재층의 일면 또는 양면에 증착시켜 적층된 것이며,
상기 회로층은 금속층을 포함하고, 상기 절연층의 일면에 적층된 것인, 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 다공 그래파이트층의 평균 기공 면적율은 10% 내지 90%인, 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 다공 그래파이트층의 기공율은 20% 내지 90%인, 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 다공 그래파이트층의 두께는 5 ㎛ 내지 200 ㎛인, 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 다공 그래파이트층은 핀을 가압 또는 레이저를 조사하여 기공을 형성하는 것인, 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 절연 화합물은 알루미나, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 마그네슘 옥사이드, 지리코니아 및 티타늄 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것인 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 절연층의 두께는 1 ㎛ 내지 30 ㎛인, 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 금속층은 구리, 알루미늄, 티탄, 텅스텐, 은 및 니켈로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속을 포함하는 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 금속층의 두께는 1 ㎛ 내지 30 ㎛인, 적층체. - 제1항에 있어서,
상기 에어로졸 증착법은 연속 증착법인 적층체. - 제10항에 있어서,
상기 연속 증착법은 일방향으로 이동하는 상기 기재층의 일면에 상기 절연 화합물이 에어로졸 증착법으로 상기 절연층을 형성하는 것인 적층체. - 제11항에 있어서,
상기 연속 증착법은 상기 기재층이 하나 이상의 롤에 권취되어 이동되는 것인 적층체. - 제12항에 있어서,
상기 연속 증착법은 상기 기재층이 롤투롤법에 의하여 이동되는 것인 적층체. - 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 적층체를 포함하는 연성 인쇄회로기판.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170025295A KR20180098768A (ko) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 다공 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170025295A KR20180098768A (ko) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 다공 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180098768A true KR20180098768A (ko) | 2018-09-05 |
Family
ID=63594207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170025295A KR20180098768A (ko) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 다공 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20180098768A (ko) |
-
2017
- 2017-02-27 KR KR1020170025295A patent/KR20180098768A/ko unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10946617B2 (en) | Graphite laminated body | |
JP4110669B2 (ja) | 多孔質絶縁材料およびその積層体 | |
KR100818483B1 (ko) | 폴리이미드 필름의 표면 처리 방법 및 금속 박막을 갖는폴리이미드 필름 | |
CN107073915A (zh) | 用于制造柔性基底的方法 | |
JP2008291063A (ja) | ポリイミド樹脂の表面処理方法及び金属張積層体の製造方法 | |
JP2017114098A (ja) | 積層フィルム | |
KR100656106B1 (ko) | 폴리이미드/금속 적층체, 및 이를 사용하는 전기/전자 장치용 기재, 자기 기록용 기재, 태양 전지용 기재, 항공 우주 재료용 피복 필름 및 필름상 저항체 | |
TWI635116B (zh) | Polyimine film | |
JP2016183224A (ja) | ポリイミドフィルム及びその製造方法 | |
JP4406764B2 (ja) | ガスバリアー性ポリイミドフィルムおよびそれを用いた金属積層体 | |
WO2014013711A1 (ja) | グラファイト複合材料 | |
JP2010137571A (ja) | ポリイミド積層板の製造方法 | |
KR20180098768A (ko) | 다공 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판 | |
TWI698462B (zh) | 聚醯亞胺膜 | |
KR20030061323A (ko) | 금속 호일 적층체 및 그의 제조방법 | |
KR20180098761A (ko) | 그래파이트 기재층을 포함하는 적층체 및 이를 포함하는 연성 인쇄회로기판 | |
JP2023550619A (ja) | グラファイトシート用ポリイミドフィルム、その製造方法およびそれから製造されたグラファイトシート | |
KR20110074428A (ko) | 가스 배리어성 폴리이미드 필름 및 이를 사용한 금속 적층체 | |
JP2005135985A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP5709018B2 (ja) | 金属積層体 | |
JP2001068608A (ja) | 熱伝導体およびそれを用いた電気・電子機器 | |
JP2002185093A (ja) | 両面配線基板用積層体および両面配線基板 | |
JP5499555B2 (ja) | ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの製造方法 | |
JP6603021B2 (ja) | ポリイミドフィルム | |
KR101778739B1 (ko) | 이방성 열전도 필름, 이를 사용한 적층시트 및 이의 제조방법 |