KR20180091746A - Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip - Google Patents

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다카시 오카무라
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Abstract

An objective of the present invention is to provide a method of manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip which can obtain a sufficient luminance. A method of manufacturing a light emitting diode chip includes a wafer preparing step of preparing a wafer on which an LED circuit is formed in each region partitioned by a plurality of division-scheduled lines crossing each other on a lamination layer having a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer on a transparent substrate for crystal growth; a first transparent substrate bonding step of forming a first integrated wafer by bonding a surface of a first transparent substrate having a plurality of bubbles formed to a rear surface of the wafer; a second transparent substrate bonding step of bonding a surface of a second transparent substrate having a plurality of through holes formed on the entire back surface of the wafer onto a rear surface of the first transparent substrate to form a second integrated wafer after performing the first transparent substrate bonding step; and a dividing step of dividing the second integrated wafer into individual LED chips by cutting the wafer together with the first and second transparent substrates along the division-scheduled lines.

Description

발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩{METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND A LIGHT EMITTING DIODE CHIP}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting diode chip,

본 발명은, 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip.

사파이어 기판, GaN 기판, SiC 기판 등의 결정 성장용 기판의 표면에 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층이 복수 적층된 적층체층이 형성되고, 이 적층체층과 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 복수의 LED(Light Emitting Diode) 등의 발광 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 분할 예정 라인을 따라 절단되어 개개의 발광 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 발광 디바이스 칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터, 조명기기 등의 각종 전기기기에 널리 이용되고 있다.A laminate layer in which a plurality of n-type semiconductor layers, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer are laminated is formed on the surface of a crystal growth substrate such as a sapphire substrate, a GaN substrate or a SiC substrate, and a plurality of lines to be divided A wafer on which a light emitting device such as a plurality of LEDs (Light Emitting Diode) is formed in an area partitioned by the dividing line is cut along the line to be divided and divided into individual light emitting device chips, and the divided light emitting device chips are mounted on mobile phones, And is widely used in various electric appliances such as lighting equipment.

발광 디바이스 칩의 발광층으로부터 출사되는 광은 등방성을 갖고 있기 때문에, 결정 성장용 기판의 내부에도 조사되어 기판의 이면 및 측면으로부터도 광이 출사된다. 그러나, 기판의 내부에 조사된 광 중 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상의 광은 계면에서 전반사되어 기판 내부에 가둬지고, 기판으로부터 외부로 출사되는 일이 없기 때문에 발광 디바이스 칩의 휘도의 저하를 초래한다고 하는 문제가 있다.Since the light emitted from the light emitting layer of the light emitting device chip is isotropic, light is also emitted from the back surface and the side surface of the substrate irradiated to the interior of the crystal growth substrate. However, among the light irradiated to the inside of the substrate, light having a critical angle of incidence at the interface with the air layer is totally reflected at the interface, is trapped inside the substrate, and is not emitted from the substrate to the outside. There is a problem that it causes.

이 문제를 해결하기 위해, 발광층으로부터 출사된 광이 기판의 내부에 가둬지는 것을 억제하기 위해서, 기판의 이면에 투명 부재를 첩착(貼着)시켜 휘도의 향상을 도모하도록 한 발광 다이오드(LED)가 일본 특허 공개 제2014-175354호 공보에 기재되어 있다.In order to solve this problem, a light emitting diode (LED) is proposed in which a transparent member is adhered (adhered) to the back surface of a substrate so as to improve brightness by suppressing the light emitted from the light emitting layer from being trapped inside the substrate And is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-175354.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2014-175354호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-175354

그러나, 특허문헌 1에 개시된 발광 다이오드에서는, 기판의 이면에 투명 부재를 첩착시킴으로써 휘도가 약간 향상되었지만 충분한 휘도를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있다.However, in the light emitting diode disclosed in Patent Document 1, there is a problem that although the brightness is slightly improved by attaching the transparent member to the back surface of the substrate, sufficient brightness can not be obtained.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 충분한 휘도를 얻을 수 있는 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip capable of obtaining a sufficient luminance.

청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서, 결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 가지며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과, 웨이퍼의 이면에 내부에 복수의 기포가 형성된 제1 투명 기판의 표면을 첩착시켜 제1 일체화 웨이퍼를 형성하는 제1 투명 기판 첩착 공정과, 상기 제1 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 상기 제1 투명 기판의 이면에 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 기판의 표면을 첩착시켜 제2 일체화 웨이퍼를 형성하는 제2 투명 기판 첩착 공정과, 상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 제1 및 제2 투명 기판과 함께 절단하여 상기 제2 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법이 제공된다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode chip, comprising: forming a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer on a transparent substrate for crystal growth, A wafer preparation step of preparing wafers each having an LED circuit formed in each area partitioned by a line to be divided, a step of forming a first integrated wafer by adhering a surface of a first transparent substrate, on which a plurality of bubbles are formed, A second transparent substrate adhering step of adhering a surface of a second transparent substrate having a plurality of through holes formed over the entirety of the back surface of the first transparent substrate to the second transparent substrate, A second transparent substrate adhering step of forming the wafer along the line to be divided along with the first and second transparent substrates; Than the second method for manufacturing a light-emitting diode chip it comprises a dividing step is provided for dividing the wafer into individual integrated LED chip.

바람직하게는, 상기 제1 및 제2 투명 기판은, 투명 세라믹스, 광학 유리, 사파이어, 투명 수지 중 어느 하나로 형성되고, 상기 제1 및 상기 제2 투명 기판 첩착 공정은 투명 접착제를 사용하여 실시된다.Preferably, the first and second transparent substrates are formed of any one of transparent ceramics, optical glass, sapphire, and transparent resin, and the first and second transparent substrate adhesion processes are performed using a transparent adhesive.

청구항 4에 기재된 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩으로서, 표면에 LED 회로가 형성된 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드의 이면에 표면이 첩착된 내부에 복수의 기포를 갖는 제1 투명 부재와, 상기 제1 투명 부재의 이면에 표면이 첩착된 복수의 관통 구멍을 갖는 제2 투명 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩이 제공된다.According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a light-emitting diode chip comprising: a light-emitting diode having an LED circuit formed on its surface; a first transparent member having a plurality of bubbles in a surface thereof bonded to a back surface of the light- And a second transparent member having a plurality of through holes to which a surface is adhered on the back surface of the member.

본 발명의 발광 다이오드 칩은, LED의 이면에 내부에 복수의 기포를 갖는 제1 투명 부재의 표면이 첩착되고, 상기 제1 투명 부재의 이면에 복수의 관통 구멍을 갖는 제2 투명 부재의 표면이 첩착되어 있기 때문에, 광이 제1 및 제2 투명 부재 내에서 복잡하게 굴절되어 제1 및 제2 투명 부재 내에 가두어지는 광이 감소되고, 제1 및 제2 투명 부재로부터 출사되는 광의 양이 증대되어 발광 다이오드 칩의 휘도가 향상된다.A surface of a second transparent member having a plurality of through holes in the back surface of the first transparent member is bonded to the surface of the first transparent member having a plurality of bubbles inside the back surface of the LED, The light is intricately refracted in the first and second transparent members to reduce light confined in the first and second transparent members and the amount of light emitted from the first and second transparent members is increased The brightness of the light emitting diode chip is improved.

도 1은 광 디바이스 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 2의 (A)는 제1 투명 기판의 표면을 웨이퍼의 이면에 첩착시켜 일체화하는 제1 투명 기판 첩착 공정을 도시한 사시도, 도 2의 (B)는 제1 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 3의 (A)는 제1 일체화 웨이퍼의 제1 투명 기판의 이면에 제2 투명 기판의 표면을 첩착시켜 일체화하는 제2 투명 기판 첩착 공정을 도시한 사시도, 도 3의 (B)는 제2 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 제2 일체화 웨이퍼를 다이싱 테이프를 통해 환형 프레임으로 지지하는 지지 공정을 도시한 사시도이다.
도 5는 제2 일체화 웨이퍼를 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 도시한 사시도이다.
도 6은 분할 공정 종료 후의 제2 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 7은 본 발명 실시형태에 따른 발광 다이오드 칩의 사시도이다.1 is a front side perspective view of an optical device wafer.
2 (A) is a perspective view showing a first transparent substrate adhering step in which the surface of the first transparent substrate is adhered to the back surface of the wafer to integrate them, and Fig. 2 (B) is a perspective view of the first integrated wafer.
3A is a perspective view showing a second transparent substrate adhering step in which a surface of a second transparent substrate is adhered to a back surface of a first transparent substrate of a first integrated wafer, Fig.
4 is a perspective view showing a supporting step of supporting the second integrated wafer with the annular frame through the dicing tape.
5 is a perspective view showing a dividing step of dividing the second integrated wafer into light emitting diode chips.
6 is a perspective view of the second integrated wafer after the division process is completed.
7 is a perspective view of a light emitting diode chip according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 광 디바이스 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to Fig. 1, there is shown a front side perspective view of an optical device wafer (hereinafter sometimes simply referred to as a wafer) 11.

광 디바이스 웨이퍼(11)는, 사파이어 기판(13) 상에 질화갈륨(GaN) 등의 에피택셜층(적층체층)(15)이 적층되어 구성되어 있다. 광 디바이스 웨이퍼(11)는, 에피택셜층(15)이 적층된 표면(11a)과, 사파이어 기판(13)이 노출된 이면(11b)을 갖고 있다.The optical device wafer 11 is constituted by stacking an epitaxial layer (laminate layer) 15 such as gallium nitride (GaN) on a sapphire substrate 13. The optical device wafer 11 has a surface 11a on which the epitaxial layer 15 is laminated and a back surface 11b on which the sapphire substrate 13 is exposed.

여기서, 본 실시형태의 광 디바이스 웨이퍼(11)에서는, 결정 성장용 기판으로서 사파이어 기판(13)을 채용하고 있지만, 사파이어 기판(13) 대신에 GaN 기판 또는 SiC 기판 등을 채용하도록 하여도 좋다.Here, in the optical device wafer 11 of the present embodiment, the sapphire substrate 13 is used as the substrate for crystal growth, but a GaN substrate or a SiC substrate may be employed in place of the sapphire substrate 13. [

적층체층(에피택셜층)(15)은, 전자가 다수 캐리어가 되는 n형 반도체층(예컨대, n형 GaN층), 발광층이 되는 반도체층(예컨대, InGaN층), 정공이 다수 캐리어가 되는 p형 반도체층(예컨대, p형 GaN층)을 차례로 에피택셜 성장시킴으로써 형성된다.The stacked layer (epitaxial layer) 15 includes an n-type semiconductor layer (for example, n-type GaN layer) in which electrons become majority carriers, a semiconductor layer (for example, InGaN layer) Type semiconductor layer (for example, a p-type GaN layer) in this order.

사파이어 기판(13)은 예컨대 100 ㎛의 두께를 갖고 있고, 적층체층(15)은 예컨대 5 ㎛의 두께를 갖고 있다. 적층체층(15)에 복수의 LED 회로(19)가 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(17)에 의해 구획되어 형성되어 있다. 웨이퍼(11)는, LED 회로(19)가 형성된 표면(11a)과, 사파이어 기판(13)이 노출된 이면(11b)을 갖고 있다.The sapphire substrate 13 has a thickness of, for example, 100 mu m, and the laminate layer 15 has a thickness of, for example, 5 mu m. The laminated body layer 15 is formed by being partitioned by a plurality of lines 17 to be divided in which a plurality of LED circuits 19 are formed in a lattice form. The wafer 11 has a surface 11a on which the LED circuit 19 is formed and a back surface 11b on which the sapphire substrate 13 is exposed.

본 발명 실시형태의 발광 다이오드 칩의 제조 방법에 따르면, 우선 도 1에 도시된 바와 같은 광 디바이스 웨이퍼(11)를 준비하는 웨이퍼 준비 공정을 실시한다. 또한, 내부에 복수의 기포가 형성된 제1 투명 기판 및 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 기판을 준비하는 투명 기판 준비 공정을 실시한다.According to the method for manufacturing a light emitting diode chip of the embodiment of the present invention, first, a wafer preparation step for preparing the optical device wafer 11 as shown in Fig. Further, a transparent substrate preparation step is performed in which a first transparent substrate having a plurality of bubbles formed therein and a second transparent substrate having a plurality of through holes formed over the entire surface thereof are prepared.

투명 기판 준비 공정을 실시한 후, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 내부에 복수의 기포가 형성된 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)을 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 첩착시키는 제1 투명 기판 첩착 공정을 실시한다. 도 2의 (B)는 제1 일체화 웨이퍼(25)의 사시도이다.The surface 21a of the first transparent substrate 21 having a plurality of bubbles formed therein is placed on the back surface 11b of the wafer 11 as shown in Fig. The first transparent substrate adhering step is performed. Fig. 2B is a perspective view of the first integrated wafer 25. Fig.

제1 투명 기판(21)은, 투명 수지, 광학 유리, 사파이어, 투명 세라믹스 중 어느 하나로 형성된다. 본 실시형태에서는, 광학 유리에 비하여 내구성이 있는 폴리카보네이트, 아크릴 수지 등의 투명 수지로 제1 및 제2 투명 기판을 형성하였다.The first transparent substrate 21 is formed of any one of transparent resin, optical glass, sapphire, and transparent ceramics. In the present embodiment, the first and second transparent substrates are formed of a transparent resin such as polycarbonate or acrylic resin, which is durable as compared with the optical glass.

제1 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍(29A)이 형성된 제2 투명 기판(21A)의 표면(21a)을 제1 일체화 웨이퍼(25)의 제1 투명 기판(21)의 이면에 첩착시키고(제2 투명 기판 첩착 공정), 도 3의 (B)에 도시된 바와 같은, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 형성한다. 제2 투명 기판(21A)의 재질도 전술한 제1 투명 기판(21)의 재질과 동일하다.The surface 21a of the second transparent substrate 21A having a plurality of through holes 29A formed on the entire surface thereof is first integrated with the first transparent substrate 21A as shown in Fig. The second integrated wafer 25A as shown in Fig. 3 (B) is formed by adhering it to the back surface of the first transparent substrate 21 of the wafer 25 (the second transparent substrate adhering step). The material of the second transparent substrate 21A is also the same as that of the first transparent substrate 21 described above.

전술한 제1 투명 기판 첩착 공정 및 제2 투명 기판 첩착 공정 대신에, 제1 투명 기판(21)의 이면에 제2 투명 기판(21A)의 표면을 첩착시켜 일체화한 후, 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 첩착시키도록 하여도 좋다.The surface of the second transparent substrate 21A is adhered to the back surface of the first transparent substrate 21 and integrated with the first transparent substrate 21 The back surface 11b of the wafer 11 may be adhered to the surface 21a of the wafer 11.

제2 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 일체화 웨이퍼(25A)의 제2 투명 기판(21A)을 외주부가 환형 프레임(F)에 첩착된 다이싱 테이프(T)에 첩착시켜 프레임 유닛을 형성하고, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 다이싱 테이프(T)를 통해 환형 프레임(F)으로 지지하는 지지 공정을 실시한다.The second transparent substrate 21A of the second integrated wafer 25A is bonded to the dicing tape T whose outer peripheral portion is adhered to the annular frame F as shown in Fig. And a supporting step of supporting the second integrated wafer 25A with the annular frame F through the dicing tape T is carried out.

지지 공정을 실시한 후, 프레임 유닛을 절삭 장치에 투입하고, 절삭 장치로 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 절삭하여 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 실시한다. 이 분할 공정에 대해서, 도 5를 참조하여 설명한다.After the supporting process is performed, the frame unit is put into the cutting device, and the second integrated wafer 25A is cut by the cutting device and divided into individual light emitting diode chips. This division process will be described with reference to Fig.

이 분할 공정은, 예컨대 잘 알려진 절삭 장치를 이용하여 실시한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 절삭 장치의 절삭 유닛(10)은, 스핀들 하우징(12)과, 스핀들 하우징(12) 내에 회전 가능하게 삽입된 도시하지 않은 스핀들과, 스핀들의 선단에 장착된 절삭 블레이드(14)를 포함하고 있다.This dividing step is carried out, for example, by using a well-known cutting apparatus. 5, the cutting unit 10 of the cutting apparatus includes a spindle housing 12, a spindle (not shown) rotatably inserted in the spindle housing 12, a cutting blade (not shown) mounted at the tip of the spindle, (14).

절삭 블레이드(14)의 절삭날은, 예컨대 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고정시킨 전주 지석으로 형성되어 있고, 그 선단 형상은 삼각 형상, 사각 형상, 또는 반원 형상을 하고 있다.The cutting edge of the cutting blade 14 is formed, for example, of a diamond grinding stone in which diamond abrasive grains are fixed by nickel plating, and has a triangular, quadrangular, or semi-circular tip shape.

절삭 블레이드(14)의 대략 상반부는 블레이드 커버(휠 커버)(16)로 덮여 있고, 블레이드 커버(16)에는 절삭 블레이드(14)의 깊이측 및 전방측에 수평으로 신장되는 한 쌍의(1개만 도시) 쿨러 노즐(18)이 배치되어 있다.A substantially upper half portion of the cutting blade 14 is covered with a blade cover 16 and a pair of (1) pieces extending horizontally on the depth side and the front side of the cutting blade 14 are provided on the blade cover 16 City) cooler nozzles 18 are disposed.

분할 공정에서는, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 프레임 유닛의 다이싱 테이프(T)를 통해 절삭 장치의 척 테이블(20)로 흡인 유지하고, 환형 프레임(F)은 도시하지 않은 클램프로 클램프하여 고정한다.In the dividing step, the second integrated wafer 25A is sucked and held by the chuck table 20 of the cutting device through the dicing tape T of the frame unit, and the annular frame F is clamped by a clamp do.

그리고, 절삭 블레이드(14)를 화살표(R) 방향으로 고속 회전시키면서 절삭 블레이드(14)의 선단이 다이싱 테이프(T)에 닿을 때까지 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)에 절입하고, 쿨러 노즐(18)로부터 절삭 블레이드(14) 및 웨이퍼(11)의 가공점을 향해 절삭액을 공급하면서, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 화살표(X1) 방향으로 가공 이송함으로써, 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)을 따라 웨이퍼(11) 및 제1 및 제2 투명 기판(21, 21A)을 절단하는 절단홈(27)을 형성한다.The cutting blade 14 is rotated at a high speed in the direction of the arrow R and the cutting blade 14 is inserted into the line 17 to be divided of the wafer 11 until the tip of the cutting blade 14 touches the dicing tape T, The second integrated wafer 25A is transferred and processed in the direction of the arrow X1 while the cutting liquid is supplied from the cooler nozzle 18 toward the cutting point of the cutting blade 14 and the wafer 11, A cutting groove 27 for cutting the wafer 11 and the first and second transparent substrates 21 and 21A along the line to be divided 17 is formed.

절삭 유닛(10)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(17)을 따라 동일한 절단홈(27)을 차례차례로 형성한다. 계속해서, 척 테이블(20)을 90° 회전하고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(17)을 따라 동일한 절단홈(27)을 형성하여, 도 6에 도시된 상태로 함으로써, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 도 7에 도시된 바와 같은 발광 다이오드 칩(31)으로 분할한다.The same cutting grooves 27 are formed in order along the line to be divided 17 extending in the first direction while the cutting unit 10 is being indexed and transferred in the Y-axis direction. Subsequently, after the chuck table 20 is rotated by 90 degrees, the same cutting grooves 27 are formed along all the lines 17 to be divided extending in the second direction orthogonal to the first direction, The second integrated wafer 25A is divided into the light emitting diode chips 31 as shown in Fig.

전술한 실시형태에서는, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 개개의 발광 다이오드 칩(31)으로 분할하는 데 절삭 장치를 사용하고 있지만, 웨이퍼(11) 및 투명 기판(21, 21A)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼(11)에 조사하여, 웨이퍼(11) 및 제1 투명 기판(21) 및 제2 투명 기판(21A)의 내부에 두께 방향으로 복수 층의 개질층을 형성하고, 계속해서 제2 일체화 웨이퍼(25A)에 외력을 부여하여, 개질층을 분할 기점으로 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 개개의 발광 다이오드 칩(31)으로 분할하도록 하여도 좋다.Although the cutting apparatus is used to divide the second integrated wafer 25A into the individual LED chips 31 in the above-described embodiment, it is also possible to use a cutting apparatus having the transmissive property with respect to the wafer 11 and the transparent substrates 21, A laser beam of a wavelength is irradiated to the wafer 11 along the line to be divided 13 to form a plurality of layers 11 in the thickness direction inside the wafer 11 and the first transparent substrate 21 and the second transparent substrate 21A The second integrated wafer 25A may be divided into the individual light emitting diode chips 31 by dividing the modified layer by the external force to form the modified layer and subsequently the second integrated wafer 25A.

도 7에 도시된 발광 다이오드 칩(31)은, 표면에 LED 회로(19)를 갖는 LED(13A)의 이면에 내부에 복수의 기포(29)를 갖는 제1 투명 부재(21')가 첩착되어 있다. 또한, 제1 투명 부재(21')의 이면에 복수의 관통 구멍(29A)을 갖는 제2 투명 부재(21A')가 첩착되어 있다.The LED chip 31 shown in Fig. 7 has a first transparent member 21 'having a plurality of bubbles 29 therein attached to the back surface of the LED 13A having an LED circuit 19 on its surface have. A second transparent member 21A 'having a plurality of through holes 29A is attached to the back surface of the first transparent member 21'.

따라서, 도 7에 도시된 발광 다이오드 칩(31)에서는, 제1 및 제2 투명 부재(21', 21A')의 표면적이 증대되는 것에 덧붙여, 광이 제1 및 제2 투명 부재(21', 21A') 내에서 복잡하게 굴절되어 투명 부재 내에 가두어지는 광이 감소되고, 투명 부재(21', 21A')로부터 출사되는 광의 양이 증대되어, 발광 다이오드 칩(31)의 휘도가 향상된다.Therefore, in the light emitting diode chip 31 shown in FIG. 7, in addition to the increase in the surface area of the first and second transparent members 21 'and 21A', light is transmitted through the first and second transparent members 21 ' 21A ', the amount of light confined in the transparent member is reduced, and the amount of light emitted from the transparent members 21', 21A 'is increased, so that the brightness of the light emitting diode chip 31 is improved.

10 : 절삭 유닛 11 : 광 디바이스 웨이퍼(웨이퍼)
13 : 사파이어 기판 14 : 절삭 블레이드
15 : 적층체층 17 : 분할 예정 라인
19 : LED 회로 21 : 제1 투명 기판
21A : 제2 투명 기판 25 : 제1 일체화 웨이퍼
25A : 제2 일체화 웨이퍼 27 : 절단홈
29 : 기포 29A : 관통 구멍
31 : 발광 다이오드 칩10: cutting unit 11: optical device wafer (wafer)
13: sapphire substrate 14: cutting blade
15: laminate layer 17: line to be divided
19: LED circuit 21: first transparent substrate
21A: second transparent substrate 25: first integrated wafer
25A: second integrated wafer 27: cutting groove
29: air bubble 29A: through hole
31: Light Emitting Diode Chip

Claims (4)

발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서,
결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 가지며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과,
웨이퍼의 이면에 내부에 복수의 기포가 형성된 제1 투명 기판의 표면을 첩착시켜 제1 일체화 웨이퍼를 형성하는 제1 투명 기판 첩착 공정과,
상기 제1 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 상기 제1 투명 기판의 이면에 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 기판의 표면을 첩착시켜 제2 일체화 웨이퍼를 형성하는 제2 투명 기판 첩착 공정과,
상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 제1 및 제2 투명 기판과 함께 절단하여 상기 제2 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting diode chip,
1. A semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer formed on a transparent substrate for crystal growth, each semiconductor substrate having a plurality of semiconductor layers formed thereon, A wafer preparation step of preparing a wafer,
A first transparent substrate adhering step of forming a first integrated wafer by adhering a surface of a first transparent substrate having a plurality of bubbles formed therein on the back surface of the wafer,
A second transparent substrate adhering step of forming a second integrated wafer by adhering a surface of a second transparent substrate having a plurality of through holes formed over the entirety of the back surface of the first transparent substrate after the first transparent substrate adhering step, and,
Dividing the wafer into individual light emitting diode chips by cutting the wafer together with the first and second transparent substrates along the line to be divided,
And forming a light emitting diode chip on the light emitting diode chip. 제1항에 있어서, 상기 제1 투명 기판 첩착 공정 및 상기 제2 투명 기판 첩착 공정 대신에, 상기 제1 투명 기판의 이면에 상기 제2 투명 기판의 표면을 첩착시켜 일체화한 후, 상기 제1 투명 기판의 표면에 웨이퍼의 이면을 첩착시키는 것인 발광 다이오드 칩의 제조 방법.The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein, in place of the first transparent substrate adhering step and the second transparent substrate adhering step, the surface of the second transparent substrate is adhered to the back surface of the first transparent substrate, And the back surface of the wafer is adhered to the surface of the substrate. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명 기판은, 투명 세라믹스, 광학 유리, 사파이어, 투명 수지 중 어느 하나로 형성되고, 상기 제1 및 상기 제2 투명 기판 첩착 공정은 투명 접착제를 사용하여 실시되는 것인 발광 다이오드 칩의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the first and second transparent substrates are formed of any one of transparent ceramics, optical glass, sapphire, and transparent resin, and the first and second transparent substrate adhesion processes are performed using a transparent adhesive Of the light emitting diode chip. 발광 다이오드 칩으로서,
표면에 LED 회로가 형성된 발광 다이오드와,
상기 발광 다이오드의 이면에 표면이 첩착된 내부에 복수의 기포를 갖는 제1 투명 부재와,
상기 제1 투명 부재의 이면에 표면이 첩착된 복수의 관통 구멍을 갖는 제2 투명 부재
를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.As a light emitting diode chip,
A light emitting diode having an LED circuit formed on its surface,
A first transparent member having a plurality of bubbles in a surface thereof bonded to the back surface of the light emitting diode;
A second transparent member having a plurality of through holes to which a surface is adhered on a back surface of the first transparent member,
And a light emitting diode chip.
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