KR20180088813A - 피복 재료를 포함하는 전기 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 166
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 23
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 claims 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 5
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N calcium;oxido(oxo)alumane Chemical compound [Ca+2].[O-][Al]=O.[O-][Al]=O XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010669 acid-base reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003311 flocculating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H—ELECTRICITY
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 시멘트 재료(22)를 포함하는 피복 재료(20)에 의해 적어도 부분적으로 덮인 전기 부품(12)을 구비한 전기 장치(10)의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 - 시멘트 재료(22)를 제공하는 단계; - 첨가제(28)를 시멘트 재료(22)에 혼합하는 단계; - 상기 첨가제(28)를 갖는 상기 시멘트 재료(22)를 포함하는 상기 피복 재료(20)를 상기 전기 부품(12)에 도포하는 단계; 및 - 상기 피복 재료(20)를 처리하는 단계를 포함하고, 상기 처리에 의해 상기 첨가제(28)가 상기 시멘트 재료(22)로부터 상기 피복 재료(20)의 표면(24)에 도달하여, 상기 표면(24)에 보호층(26)을 형성한다.
Description
본 발명은 피복 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮인 전기 부품을 구비한 전기 장치의 제조 방법 및 상기 전기 장치에 관한 것이다.
오늘날, 전력 전자 모듈 및 견고한 센서 시스템의 비용을 낮추면서 신뢰성과 효율을 높이는 것은 매우 중요하다. 현재 피복 재료(에폭시 화합물, 실리콘 재료)는 200℃ 미만의 온도 범위로 제한된다. 피복 재료에 대해 최대 300℃ 또는 350℃의 온도 범위의 개발에 의해, 피복 재료의 추가 기능(예를 들면 환경 영향으로부터의 보호, 개선된 열)을 포기하지 않으면서, 최신 전력 반도체(예를 들어 SiC)의 작동 범위가 200℃ 이상으로 확장될 수 있다.
DE102013112267A1에는 반도체 장치를 덮는, 상이한 유형의 시멘트로 이루어진 피복 재료를 구비한 반도체 모듈이 공지되어 있다. 이 경우, 피복 재료는 별도의 제조 단계에서 시멘트 재료의 결합 후에 도포되는 내습성 보호층을 포함한다.
본 발명의 과제는 종래 기술의 단점을 갖지 않는 전기 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 시멘트 재료를 포함하는 피복 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮인 전기 부품을 구비한 전기 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 상기 제조 방법은:
- 시멘트 재료를 제공하는 단계;
- 첨가제를 시멘트 재료에 혼합하는 단계;
- 전기 부품이 피복 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮이도록, 상기 첨가제를 갖는 상기 시멘트 재료를 포함하는 상기 피복 재료를 상기 전기 부품에 도포하는 단계; 및
- 피복 재료를 열 처리하는 단계를 포함하고, 상기 처리에 의해 상기 첨가제가 상기 시멘트 재료로부터 상기 시멘트 재료의 표면에 도달하여, 상기 표면에 보호층을 형성한다.
본 발명은 또한 시멘트 재료를 포함하는 피복 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮인 전기 부품을 구비한 전기 장치에 관한 것이고, 상기 시멘트 재료의 표면에는 보호층이 배치되며, 상기 보호층은 시멘트 재료의 내부로부터 나와 시멘트 재료의 표면에 도달하여 상기 표면에 상기 보호층을 형성하는 첨가제를 포함한다.
본 발명은 또한 전기 장치의 전기 부품의, 시멘트 재료를 포함하는 피복 재료에 보호층을 형성하기 위한 첨가제의 용도에 관한 것이며, 상기 첨가제는 피복 재료의 처리에 의해 상기 시멘트 재료의 표면에 도달하여 상기 표면에 보호층을 형성한다.
전기 부품은 예를 들어, 반도체 부품, 센서 소자, 인덕터, 커패시터, 배터리 셀, 배터리 모듈 또는 전체 회로일 수 있다. 그러나 본 발명의 범위에서, 전기 부품은 임의의 능동 및 수동 부품 또는 고성능 부품일 수 있다. 전기 장치는 이 경우 전기 부품이 배치되는 캐리어 기판을 포함할 수 있다.
시멘트는 본 발명의 범위에서, 무기의, 비금속의, 수경성(hydraulic) 결합제를 의미할 수 있다. 이 경우, 시멘트는 수경성이다. 즉, 물과 화학적으로 반응하여 안정한 불용성 화합물을 형성한다. 이 경우, 시멘트는 공정의 초기에 또는 수화 전에 미세하게 분쇄된 분말로서 형성될 수 있으며, 상기 분말은 물 또는 혼합 수와 반응하여 수화물을 형성하며, 응고되고 경화된다. 수화물은, 맞물려 시멘트의 강도를 높이는 니들들 및/또는 작은 판들을 형성할 수 있다. 이와 달리, 인산염 시멘트는 수경성이 아니다. 염 겔을 형성하면서 산-염기 반응이 일어나고, 상기 염 겔은 나중에 응고되어 대부분 비정질 재료를 형성한다. 산 염기 반응에서, H+(수소 이온)가 치환된다.
시멘트는 주로 칼슘 알루미네이트로 이루어질 수 있고, 수화 중에 칼슘 알루미네이트 수화물을 형성한다. 시멘트 재료가 알루미나 시멘트를 포함하는 것이, 특히 알루미나 시멘트로 이루어지는 것이 바람직하다. 알루미나 시멘트(약어 CAC)는 DIN EN 14647 European에 따라 규제된다. 알루미나 시멘트는 주로 모노칼슘 알루미네이트(CaO*Al2O3)로 이루어진다.
알루미나 시멘트는 예를 들어 하기 조성을 가질 수 있다:
- Al203: 67.8 중량% 이상
- CaO: 31.0 중량 % 이하
- SiO2: 0.8 중량 % 이하
- Fe2O3: 0.4 중량 % 이하
본 발명의 범위에서, 첨가제는 첨가제 또는 층 형성제를 의미할 수 있다. 첨가제는 시멘트 재료에 혼합하는 단계 전에 분말형으로 형성될 수 있다. 그러나 첨가제는 액체 성분도 포함할 수 있다. 따라서, 첨가제는 예를 들어 수분 함량을 갖는 용액 또는 분산액 또는 현탁액으로서 존재할 수 있다. 이상적으로, 첨가제는 혼합 수 중에 혼합되거나 용해된다. 첨가제는 건조 시멘트 재료 또는 시멘트 분말 혼합물에, 즉 필요에 따라 혼합 수가 혼합되기 전에, 혼합될 수 있다. 첨가제는 또한, 습한 시멘트 재료 또는 시멘트 분말 혼합물에, 즉 필요에 따라 혼합 수가 혼합된 후에, 혼합될 수 있다. 본 발명의 범위에서, 피복 재료는 임의의 유형의 캡슐화(패키징)를 의미할 수 있다. 피복 재료는 시멘트 복합물로서 형성될 수 있다. 다시 말하면, 피복 재료는 충전제 및 첨가제를 갖는 시멘트 매트릭스를 포함할 수 있다. 피복 재료는 처리 단계 전 및/또는 후에 하기 조성을 가질 수 있다:
- 결합제 알루미나 시멘트: 8 중량 % 이상 내지 47 중량 % 이하(예를 들면, SECAR 71)
- 반응물 물: 10 중량 % 이상 내지 28 중량 % 이하
- 첨가제: 3-20 중량 %
- 충전제: 25 중량 % 이상 내지 82 중량 % 이하.
충전제는
- Al2O3 : 미세 d50 약 1 ㎛ 내지 거친 d50 약 150-200 ㎛
- 알파-Si3N4 : 미세 약 1 ㎛ 내지 거친 약 100 ㎛
- Hex. BN : 미세 약 15 ㎛ 또는 약 250 ㎛ 이하
- SiC: 미세 약 10-50 ㎛ 또는 약 600 ㎛ 이하
- AlN : 미세 약 1 ㎛ 또는 약 100 ㎛ 이하
로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
처리 단계는 다수의 부분 단계를 포함할 수 있다. 처리 단계는 수화 단계 및/또는 결합 단계 및/또는 건조 단계 및/또는 경화 단계를 포함할 수 있다. 처리 단계는 또한 예를 들어 "자발적" 공정을 기다리거나 끝내기 위해, 대기 단계를 포함할 수 있다. 처리 단계에 의해, 첨가제는 시멘트 재료의 내부로부터 피복 재료의 표면으로 "드라이브" 될 수 있다. 그러나 처리 단계에 의해, 첨가제가 지원 없이 시멘트 재료의 내부로부터 피복 재료의 표면에 도달할 때까지 대기될 수도 있다. 처리 단계에 의해, 첨가제는 또한 상기 표면에 보호층을 형성하기 위해 여기될 수 있다.
본 발명에 따른 방법에 의해, 시멘트 재료에 적합한 첨가제의 첨가에 의해 바람직하게는 피복 재료의 처리 시에 또는 피복 재료의 처리 동안, 즉 하나의 동일한 제조 단계에서 동시에 추가로 보호층을 시멘트 재료의 표면 상에 형성하는 것이 가능하다. 달리 표현하면, 예를 들어 피복 재료의 결합 또는 건조 시에 일종의 피부 형성이 이루어지고, 상기 피부 형성은 상기 표면에서 시멘트 재료의 다공을 폐쇄하며 피복 재료의 기계적 특성 및 밀봉성을 향상시킨다. 그에 따라 한편으로는 전기 부품 전체에 도포한 후에 시멘트 재료의 코팅의 추가 처리 단계가 생략된다. 다른 한편으로는, 보호층의 보호 기능은 피복 재료의 처리 중에 이미 제공될 수 있고, 그 후에야 제공되지 않는다.
또한, 보호층이 수증기 불투과성으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 보호층은 증기 차단 층 또는 밀봉 층으로서 형성된다. 시멘트 재료의 재료 표면 상의 물 불투과성 보호층 또는 증기 차단 층은 수화 공정 및/또는 결합 공정 및/또는 건조 공정 및/또는 경화 공정 동안 시멘트 재료로부터 물의 증발을 방지함으로써, 물/시멘트 값이 일정하게 유지된다. 물/시멘트 값은 재료 특성에 대해 임계적이기 때문에 정확히 설정되어야 하고 가급적 일정하게 유지되어야 한다. 왜냐하면, 한편으로는, 물이 너무 적으면 시멘트 입자 코어가 수화되지 않기 때문이다. 이로 인해, 나중의 물 접촉 시 시멘트 입자 코어의 후속 수화에 의해 야기된 체적 팽창으로 인해 경질 피복 재료 내에 균열이 생길 수 있고, 상기 균열은 피복 재료의 구조를 파괴할 수 있다. 다른 한편으로는, 물이 너무 많으면, 초과량의 물에 의해 모세관 다공이 형성되어 피복 재료의 다공성이 커지고 그에 따라 밀봉성이 줄어들기 때문이다. 따라서, 피복 재료의 처리 단계 시 또는 처리 단계 동안 형성되는, 본 발명에 따른 수증기 불투과성 보호층에 의해 바람직하게는 시멘트 재료의 결정화 시에 시멘트/물 비율이 일정하게 유지될 수 있다. 또한, 수증기 불투과성 보호층은 전기 장치의 완성 후에도, 즉 전기 장치의 작동 중에도 피복 재료의 밀봉성을 보장한다. 그러나 피복 재료가 최적의 물/시멘트 비율에서도 미세한 잔류 다공성을 갖기 때문에, 수증기 불투과성 보호층은 결합 후에 추가의 밀봉을 제공하므로 피복 재료에 대한 최적의 습기 보호를 제공한다.
또한, 피복 재료의 처리 단계가 하기 처리들 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다:
- 진동, 흔들림 운동 및/또는 기울어짐 운동을 피복 재료에 가함;
- 피복 재료의 열처리;
- 규정된 가스 분위기에 피복 재료의 노출;
- 규정된 압력을 피복 재료에 제공;
- 규정된 파장 및 세기의 전자기 복사, 예를 들어 자외선, 적외선, 가시광선을 피복 재료에 제공.
진동, 흔들림 운동 및/또는 기울어짐 운동을 피복 재료에 가함으로써, 첨가제가 매우 간단히 분리되어 상기 표면에 도달할 수 있다.
열처리는 템퍼링 오븐 내에서의 템퍼링 단계를 포함할 수 있다. 열처리는 40℃ 이상 내지 300℃ 이하의 온도 범위에서 수행될 수 있다.
가스 분위기는 예를 들어 100 %까지 증가된 공기 습도를 갖는 대기 또는 공기로서 형성될 수 있다. 가스 분위기는 또한 촉매 분자 또는 가속기 분자를 포함할 수 있다.
이 조치에 의해, 첨가제의 작용기를 활성화하는 파라미터가 간단한 방식으로 적응되어 첨가제가 시멘트 재료의 표면에 확실하고 효율적으로 도달하여 상기 표면에 보호층을 형성할 수 있다.
또한, 피복 재료의 처리 단계에 의해, 첨가제가 시멘트 재료의 표면으로 부유 및/또는 확산 및/또는 응집 및/또는 팽창하는 것이 바람직하다. 이 경우, 첨가제는 겔화 단계 동안 유동성 시멘트 재료 상태의 시멘트 재료의 표면으로 부유할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 첨가제는 건조 단계 동안 시멘트 재료 내의 입자 크기 기울기 및/또는 밀도 기울기에 의해 시멘트 재료의 표면으로 확산할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 첨가제는 그 농도로 인해 시멘트 재료의 표면으로 응집하여 거기에 모일 수 있다. 또한, 대안으로서 또는 추가로, 첨가제는 반응에 의해 시멘트 재료의 표면으로 팽창할 수 있다. 첨가제가 시멘트 재료의 표면으로 팽창, 중합 및 경화하여 보호층을 형성하는 것이 특히 바람직하다. 그에 따라, 첨가제는 특정 분위기(주변 온도, 산소, 템퍼링 오븐 분위기)와 접촉 시 및/또는 그 밖의 조건(온도, 자외선, pH-값)에서 반응하도록 형성된다. 시멘트 슬러리에서 부유하여 신속히 합해져, 물 표면 상의 유막과 유사하게, 층을 형성하는 재료가 특히 바람직하다. 막을 형성하는 용해된 중합체도 가능하다. 이 조치에 의해, 첨가제는 간단히 표면에 도달할 수 있고, 거기서 보호층을 형성하거나 합해져서 보호 층을 형성한다.
첨가제가 단량체, 중합체, 특히 실리콘 및 무기 물질, 특히 산화물, 질화물, 세라믹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 이 경우, 선택된 재료들은 처리 중에 또는 템퍼링 중에 그리고 경우에 따라 작동 중에 온도를 안정적으로 견딜 수 있도록 형성되어야 한다. 첨가제는 특히 수용성 중합체일 수 있고, 예컨대 비닐알콜 또는 이것으로 이루어진 혼합물을 포함하거나 이것으로 이루어질 수 있다. 이들 재료 또는 재료 그룹들은 높은 온도 안정성을 갖기 때문에, 피복 재료의 밀봉성을 설정하거나 높이기에 특히 적합하다.
또한, 다음의 추가 단계가 실시되는 것이 바람직하다: 피복 재료의 처리 단계 중에 첨가제를 시멘트 재료의 표면에 유지시키기 위해, 전기 부품에 시멘트 재료를 도포하기 전에 결합제 및/또는 팽윤제를 시멘트 재료에 혼합하는 단계. 이 조치에 의해 첨가제는 처리 중에 상기 표면에 "고정된" 상태로 유지되므로, 층 형성이 최적화될 수 있고 밀봉성이 더욱 개선될 수 있다.
또한, 첨가제가 시멘트 재료의 내부에 배치되는 것이 바람직하다. 이 경우, 미량의 첨가제만이 시멘트 재료에 존재할 수 있다. 시멘트 재료 중의 "초과량의" 첨가제에 의해, 층 형성 후 시멘트 재료에 일정량의 잔류물이 잔류하므로, 첨가제의 초기 양이 바람직하게는 폐쇄되어 형성되는 보호층의 형성을 위해 충분하다는 것이 보장된다.
또한, 보호층은 처리 단계 후에 특정 온도에서, 특히 250℃ 이상의 범위에서 분해되거나 또는 탄화되도록 형성되는 것이 바람직하다. 달리 표현하면, 보호층은 결정화 시에 시멘트/물 비율을 유지하기 위해 "임계 단계", 즉 건조 및 경화 공정에서만 제공되고, 그 후에 의도적으로 용해된다. 이는, 장기간 밀봉성을 제공할 필요가 없는, 매우 얇아서 간단히 구현되는 보호층으로 충분하다는 장점을 제공한다. 이 용도를 위해 단량체 및 중합체 물질이 바람직하다.
이하, 본 발명이 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전기 장치의 예시.
도 1에서, 본 발명에 따른 전기 장치가 전체적으로 도면 부호 10으로 표시되어 있다.
전기 장치(10)는 전기 부품(12)을 포함한다. 전기 부품(12)은 반도체 부품(12)으로서 설계된다. 전기 부품(12)은 캐리어 기판(14) 상에 배치된다. 전기 부품(12)과 캐리어 기판(14) 사이에는 구리 층(16)이 배치된다. 이 경우 구리 층(16)은 다수의 기능, 즉 열 결합 및 열 방출을 개선하는 기능, 전기 부품(12)에 대한 전기 접촉 가능성을 제공하는 기능, 및 필요한 경우 도포 시 피복 재료의 유동 정지부로서의 기능을 한다.
전기 부품(12)은 본딩 와이어(18)를 통해, 상기 전기 부품에 마주 놓인 캐리어 기판(14)의 면에 연결되어, 외부로부터 전기 부품(12)의 전기 접촉이 가능해진다. 이 경우, 캐리어 기판(14)은 예를 들어 플레이트로서 형성될 수 있으며, 전기 부품(12)을 접촉하기 위한 도체 트랙들 또는 전기 콘택들이 상기 플레이트 내에 통합될 수 있다. 도체 트랙들은 캐리어 기판(14)의 표면 상에도 배치될 수 있다. 캐리어 기판(14)은 하나의 칩을 형성할 수 있다.
전기 장치(10)는 시멘트 재료(22)를 포함하는 피복 재료(20)를 포함한다. 피복 재료(20) 또는 시멘트 재료(22)는 글로브 탑(Glob-Top)으로서 형성된다. 피복 재료(20) 또는 시멘트 재료(22)는 캐리어 기판(14) 상에 배치된다. 이 경우 시멘트 재료(22)는 캐리어 기판(14)에 의해 덮이지 않은 면 상에서 전기 부품(12)을 덮는다. 따라서, 전기 부품(12)은 캐리어 기판(14) 및 피복 재료(20)에 의해 완전히 덮인다. 시멘트 재료(22)는 또한 캐리어 기판(14)의 일부를 덮으며, 이를 통해 캐리어 기판(14)에 단단히 연결된다.
피복 재료(20) 또는 시멘트 재료(22)는 보호층(26)이 배치된 표면(24)을 갖는다. 본 발명에 따라, 보호층(26)은 첨가제(28)를 포함한다. 첨가제(28)는 이 경우 피복 재료(20)의 처리에 의해 또는 피복 재료(20)의 처리 동안, 특히 시멘트 재료(22)의 결합 시, 시멘트 재료(22)의 내부로부터 시멘트 재료(22)의 표면(24)에 도달한다. 이는, 예를 들어, 시멘트 재료(22)의 표면(24)으로 첨가제(28)의 부유 및/또는 확산 및/또는 응집 및/또는 팽창에 의해 행해질 수 있다. 표면(24)에 첨가제(28)의 축적 및 경화에 의해 보호층(26)이 본 발명에 따라 형성된다. 이 경우, 보호층(26)은 경화 공정 동안 물/시멘트 값을 일정하게 유지하기 위해, 바람직하게는 증기 불투과성으로 형성된다.
전기 장치(10)의 제조 시, 먼저 시멘트 재료(22)가 예를 들어 분말 형태로 제공된다. 그리고 나서, 예를 들어 분말 형태로 존재할 수 있는 첨가제(28)가 시멘트 재료(22)에 혼합된다. 후속해서, 액체 성분, 예를 들어 물이 선택적으로 Melflux인 플럭스와 함께 혼합된다. 시멘트 재료(22), 첨가제(28) 및 물을 포함하는 습한 피복 재료(20)는 배기되고, 전기 부품(12)에 도포되고, 예컨대 사출 성형 또는 주형 내에서의 주조에 의해 성형된다. 이어서, 피복 재료(20)가 예를 들어 60 ℃ 및 90 % 상대 습도에서 열처리 또는 템퍼링됨으로써, 시멘트 재료(22)의 겔화, 결정화, 니들링 및 경화가 일어난다. 이 경우, 습도는 물 손실(물-시멘트 값)을 방지하고, 온도는 소정 구조를 형성한다. 처리 시 또는 처리 동안, 즉 겔 형성부터 경화까지, 본 발명에 따라 보호층(26)은 시멘트 재료(22)의 표면(24)에 형성되고, 첨가제(28)는 도포된 피복 재료(20)의 내부로부터 시멘트 재료(22)의 표면(24)에 도달하고, 예를 들어 부유 및/또는 확산 및/또는 응집 및/또는 팽창되고 거기서 경화된다. 최종적으로, 보호층(26)을 가진 피복 재료(20)가 선택적으로 처리된 다음, 예를 들어 300 ℃에서 탈형되어(demold) 보관된다.
10
전기 장치
12 전기 부품
20 피복 재료
22 시멘트 재료
26 보호층
28 첨가제
12 전기 부품
20 피복 재료
22 시멘트 재료
26 보호층
28 첨가제
Claims (15)
- 시멘트 재료를 포함하는 피복 재료(20)에 의해 적어도 부분적으로 덮인 전기 부품(12)을 구비한 전기 장치(10)의 제조 방법으로서,
- 상기 시멘트 재료(22)를 제공하는 단계;
- 첨가제(28)를 상기 시멘트 재료(22)에 혼합하는 단계;
- 상기 첨가제(28)를 갖는 상기 시멘트 재료(22)를 포함하는 상기 피복 재료(20)를 상기 전기 부품(12)에 도포하는 단계; 및
- 상기 피복 재료(20)를 처리하는 단계를 포함하고, 상기 처리에 의해 상기 첨가제(28)가 상기 시멘트 재료(22)로부터 상기 시멘트 재료(22)의 표면(24)에 도달하여, 상기 표면(24)에 보호층(26)을 형성하는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 시멘트 재료(22)는 알루미나 시멘트를 포함하고, 특히 알루미나 시멘트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호층(26)은 수증기 불투과성으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피복 재료(20)의 처리 단계는 다음의 처리들 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법:
- 진동, 흔들림 운동 및/또는 기울어짐 운동을 상기 피복 재료(20)에 가함;
- 상기 피복 재료(20)의 열처리;
- 규정된 가스 분위기에 상기 피복 재료(20)의 노출;
- 규정된 압력을 상기 피복 재료(20)에 제공;
- 전자기 복사를 상기 피복 재료(20)에 제공. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피복 재료(20)의 처리 단계에 의해, 상기 첨가제(28)가 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)으로 부유 및/또는 확산 및/또는 응집 및/또는 팽창하는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 첨가제(28)는:
- 겔화 단계 동안 유동성 시멘트 재료(22) 상태의 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)으로 부유하고; 및/또는
- 건조 단계 동안 상기 시멘트 재료(22) 내의 입자 크기 기울기 및/또는 밀도 기울기에 의해 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)으로 확산하고; 및/또는
- 그 농도로 인해 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)으로 응집하고; 및/또는
- 반응에 의해 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)으로 팽창하는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법. - 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 첨가제(28)가 상기 시멘트 재료(22)의 표면(24)으로 팽창하고, 중합하고 경화하여 보호층(26)을 형성하는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 첨가제(28)가 단량체, 중합체, 특히 실리콘 및 무기 물질, 특히 산화물, 질화물, 실란, 세라믹으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
- 상기 피복 재료(20)의 처리 단계 중에 상기 첨가제(28)를 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)에 유지시키기 위해, 상기 시멘트 재료에 결합제 및/또는 팽윤제를 혼합하는 추가의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 장치의 제조 방법. - 시멘트 재료(22)를 포함하는 피복 재료(20)에 의해 적어도 부분적으로 덮인, 특히 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 전기 부품(12)을 구비한 전기 장치(10)로서, 상기 시멘트 재료(22)의 표면(24) 상에 보호층(26)이 배치되어 있는, 상기 전기 장치에 있어서,
상기 보호층(26)이 첨가제(28)를 포함하고, 상기 첨가제(28)가 상기 시멘트 재료(22)의 내부로부터 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)에 도달함으로써, 상기 보호층(26)이 상기 표면(24) 상에 형성되었는 것을 특징으로 하는 전기 장치. - 제 10 항에 있어서, 상기 첨가제(28)는 상기 시멘트 재료(22)에 혼합되었고, 상기 시멘트 재료(22)의 내부로부터 상기 시멘트 재료(22)의 상기 표면(24)으로 부유 및/또는 확산 및/또는 응집 및/또는 팽창함으로써, 상기 보호 층(26)이 상기 표면(24)에 형성되었는 것을 특징으로 하는 전기 장치.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 첨가제(28)는 상기 시멘트 재료(22)의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 전기 장치.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호층(12)은 특정 온도, 특히 250℃ 이상의 범위에서 분해 또는 탄화되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 장치.
- 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 부품(12)은 반도체 부품(12), 센서 소자, 인덕터, 커패시터, 배터리 셀, 배터리 모듈 또는 회로인 것을 특징으로 하는 전기 장치.
- 특히 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 또는 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 전기 장치(10)의 전기 부품(12)의, 시멘트 재료(22)를 포함하는 피복 재료(20)에 보호층(26)을 형성하기 위한 첨가제(28)의 용도로서, 상기 첨가제(28)는 상기 피복 재료(20)의 처리에 의해 상기 시멘트 재료(22)의 표면(24)에 도달하여, 상기 표면(24) 상에 보호층(26)을 형성하는, 용도.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015223439.8A DE102015223439A1 (de) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung mit einer Umhüllmasse |
DE102015223439.8 | 2015-11-26 | ||
PCT/EP2016/077924 WO2017089210A1 (de) | 2015-11-26 | 2016-11-17 | Verfahren zur herstellung einer elektrischen vorrichtung mit einer umhüllmasse |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180088813A true KR20180088813A (ko) | 2018-08-07 |
KR102578320B1 KR102578320B1 (ko) | 2023-09-15 |
Family
ID=57348662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187014729A KR102578320B1 (ko) | 2015-11-26 | 2016-11-17 | 피복 재료를 포함하는 전기 장치의 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10504809B2 (ko) |
KR (1) | KR102578320B1 (ko) |
CN (1) | CN108352368B (ko) |
DE (1) | DE102015223439A1 (ko) |
WO (1) | WO2017089210A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015102041A1 (de) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungsmodul |
DE102017207424A1 (de) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung mit einer Umhüllmasse |
DE102018214641B4 (de) * | 2018-08-29 | 2022-09-22 | Robert Bosch Gmbh | Vergussmasse, Verfahren zum elektrischen Isolieren eines elektrischen oder elektronischen Bauteils unter Verwendung der Vergussmasse, elektrisch isoliertes Bauteil, hergestellt über ein solches Verfahren und Verwendung der Vergussmasse |
EP4095894A1 (de) * | 2021-05-26 | 2022-11-30 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Mit einer umhüllung aus einer hydraulisch gehärteten anorganischen zementzusammensetzung versehenes elektronikobjekt |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080017999A1 (en) * | 2005-03-23 | 2008-01-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US20090258237A1 (en) * | 2008-04-10 | 2009-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graded composition encapsulation thin film comprising anchoring layer and method of fabricating the same |
US20150076524A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sealing resin, semiconductor device, and photocoupler |
DE102013112267A1 (de) * | 2013-11-07 | 2015-05-07 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Halbleitermodul mit einer einen Halbleiterbaustein bedeckenden Umhüllungsmasse |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2491487A (en) * | 1945-07-09 | 1949-12-20 | Roy C Faulwetter | Process of making water-impervious concrete |
JPH09110484A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-04-28 | Toray Ind Inc | セメント用原料およびセメント |
SE514686C2 (sv) * | 1998-10-12 | 2001-04-02 | Doxa Certex Ab | Dimensionsstabila bindemedelssystem |
CN1528852A (zh) * | 2003-09-26 | 2004-09-15 | 中国科学院广州化学研究所 | 一种新型环氧塑封料及其制备方法 |
KR20090011223A (ko) | 2007-07-25 | 2009-02-02 | 삼성전자주식회사 | 방송처리장치 및 그 제어방법 |
JP5809349B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2015-11-10 | エイディエイ テクノロジーズ インコーポレイテッドAda Technologies,Inc. | サーマルインターフェースマテリアルならびにそれを含む組成物、システムおよび装置 |
EP2851353A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-03-25 | Sika Technology AG | Kombination von ternären Bindemitteln mit wässrigem Epoxidharz-System |
CN104022047B (zh) * | 2014-06-10 | 2018-02-16 | 平生医疗科技(昆山)有限公司 | 一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构 |
US9871301B2 (en) * | 2014-07-21 | 2018-01-16 | Energous Corporation | Integrated miniature PIFA with artificial magnetic conductor metamaterials |
US9520372B1 (en) * | 2015-07-20 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer level package (WLP) and method for forming the same |
-
2015
- 2015-11-26 DE DE102015223439.8A patent/DE102015223439A1/de active Pending
-
2016
- 2016-11-17 WO PCT/EP2016/077924 patent/WO2017089210A1/de active Application Filing
- 2016-11-17 CN CN201680069336.0A patent/CN108352368B/zh active Active
- 2016-11-17 US US15/775,345 patent/US10504809B2/en active Active
- 2016-11-17 KR KR1020187014729A patent/KR102578320B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080017999A1 (en) * | 2005-03-23 | 2008-01-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US20090258237A1 (en) * | 2008-04-10 | 2009-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graded composition encapsulation thin film comprising anchoring layer and method of fabricating the same |
US20150076524A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sealing resin, semiconductor device, and photocoupler |
DE102013112267A1 (de) * | 2013-11-07 | 2015-05-07 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Halbleitermodul mit einer einen Halbleiterbaustein bedeckenden Umhüllungsmasse |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10504809B2 (en) | 2019-12-10 |
WO2017089210A1 (de) | 2017-06-01 |
CN108352368A (zh) | 2018-07-31 |
CN108352368B (zh) | 2021-08-10 |
KR102578320B1 (ko) | 2023-09-15 |
US20180331006A1 (en) | 2018-11-15 |
DE102015223439A1 (de) | 2017-06-01 |
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A201 | Request for examination | ||
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