KR20180079770A

KR20180079770A - Wpc 판재 제조 방법 및 평탄화장치

Info

Publication number: KR20180079770A
Application number: KR1020170000358A
Authority: KR
Inventors: 손달호
Original assignee: (주)경동월드와이드
Priority date: 2017-01-02
Filing date: 2017-01-02
Publication date: 2018-07-11
Also published as: KR101951656B1; WO2018124377A1

Abstract

WPC 판재 제조 방법은, 천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드를 생성하는 컴파운드 생성단계, 컴파운드 생성단계에서 생성된 컴파운드들이 집적되어 있는 컴파운드군이 소정 높이를 갖도록 컴파운드군을 평탄화하는 평탄화단계, 및 평탄화단계에서 평탄화된 컴파운드군을 벨트프레스를 통해 가압하여 판재로 성형하는 성형단계를 포함한다.

Description

WPC 판재 제조 방법 및 평탄화장치{MANUFACTURING METHOD OF WPC BOARD AND LEVELING EQUIPMENT}

본 발명은 WPC 판재 제조 방법 및 평탄화장치에 관한 것이다.

일반적으로 장식 벽 또는 바닥 패널, 건축 내외장재에 사용되는 합판 및 MDF 등의 복합목재는 접착제에 포함된 유해물질로 인하여 인체에 악영향을 끼치고, 수분에 의한 수축 팽창, 부패 등의 문제점을 가지고 있다.

이러한 문제점을 해결하기 위해서 합성목재의 개발이 활발히 진행되었고, 특히 천연목재와 올레핀계 고분자수지를 혼합하여 고온, 고압에서 제품 형태로 압출 또는 사출 성형시켜 목재의 장점과 고분자의 장점을 모두 갖춘 WPC 판재가 친환경 무독성 제품으로 주목을 받고 있다.

그러나 종래의 WPC 판재 제조 방법은 성형과정에서 복합재를 녹이기 위해 성형과정에서 열원이 추가로 들어가고 성형에 필요한 열원에 기인하여 생산된 제품의 두께가 한정적이다.

뿐만 아니라 냉각된 컴파운드를 이용하여 다양한 두께의 판재를 생산하고자 할 경우 필요에 따라 두꺼운 높이로 컴파운드를 충진하고 벨트프레스에서 성형이 이루어져야 하나, 컴파운드 입자의 크기가 작은 경우 두꺼운 높이로 충진하지 못하고 입자의 크기가 클 경우 가열 시 낮은 열전달에 기인하여 컴파운드의 온도 편차로 인해 유동성이 확보되지 못하는 문제로 컴파운드 입자의 크기가 제한적이었다.

또한, 성형 시 가열을 통해 합성목재 혼합물을 연화시켜야 하므로 플라스틱 수지의 양이 40% 이상 첨가되지 않을 경우 플라스틱 수지가 목재와 제대로 혼합되지 않아 생산된 제품의 부위별 기공율, 흡수율, 강도 등의 편차가 발생하는 문제점이 있었다.

또한, 더블벨트프레스 상에 열을 가해 플라스틱 수지와 목분을 결합하는 구조의 특성상 추가열원이 필요하며 생산속도가 한정되는 단점이 있었고, 가열, 성형, 냉각이 더블벨트프레스 내부에서 일어나므로 설비가 대형화 되는 단점이 존재했다.

본 발명의 일 과제는 천연목재와 플라스틱 수지가 각 부위별로 균일한 물성을 가지는 WPC 판재를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 과제는 판재의 성형과정에서 별도의 가열장치를 사용하지 않아도 고온의 컴파운드 원료가 가지는 점성과 유동성으로 인해 생산되는 판재의 두께 정밀도를 향상시킬 수 있고 생산성이 향상된 WPC 판재 제조 방법을 제공하는 것이다.

일 예에서, WPC 판재 제조 방법은, 천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드를 생성하는 컴파운드 생성단계, 컴파운드 생성단계에서 생성된 컴파운드들이 집적되어 있는 컴파운드군이 소정 높이를 갖도록 컴파운드군을 평탄화하는 평탄화단계, 및 평탄화단계에서 평탄화된 컴파운드군을 벨트프레스를 통해 가압하여 판재로 성형하는 성형단계를 포함한다.

다른 예에서, 평탄화장치는, 천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드들이 모여 형성된 컴파운드군의 상측에서 컴파운드군까지 하측으로 연장되고, 컴파운드군이 이송되는 이송방향을 따라 배열된 제1 정렬핀들 및 컴파운드군이 이송되는 이송방향을 가로지르는 방향으로 연장된 봉 형상으로 형성되고, 이송방향을 따라 나열된 제3 정렬핀들을 포함하고, 제1 정렬편들이 이송방향을 가로지르는 방향으로 왕복 운동하며 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하고, 제3 정렬핀들이 소정 높이를 최저 높이로 하여 진자 운동을 하며 상부가 고르게 정렬된 컴파운드군의 상부를 깎아내는 것에 의해 컴파운드군의 높이를 조절하여 컴파운드군을 평탄화한다.

또 다른 예에서, 평탄화장치는, 천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드들이 모여 형성된 컴파운드군이 공급되어 내부에서 컴파운드군을 압출하고, 수평방향으로 배열된 복수 개의 압출 스크루 및 복수 개의 압출 스크루의 출구 측에 형성되고, 복수 개의 압출 스크루에서 배출된 컴파운드군이 수용되며, 소정 높이를 갖는 홀을 포함하는 몰드부를 포함하고, 복수 개의 압출 스크루에서 배출되어 홀을 통과한 컴파운드군은 소정 높이를 가지며 평탄화된다.

본 발명에 의하면 벨트프레스에서 가압되는 컴파운드군이, 평탄화단계를 통해 균일한 높이를 갖도록 하여, 전체적으로 균일한 물성을 가지는 WPC 판재를 제조할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면 고온의 컴파운드들이 집적된 컴파운드군이 벨트프레스에서 가압되기 때문에, 판재의 성형과정에서 별도의 가열장치가 이용되지 않아 생산성이 향상될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 WPC 판재 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 WPC 판재 제조 방법을 실시하기 위한 장치들을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 컴파운드 생성단계를 나타내는 플로우차트이다.
도 4는 본 발명의 압출단계를 나타내는 플로우차트이다.
도 5는 본 발명의 압출장치를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 제1 평탄화장치를 측면에서 바라본 상태를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제1 평탄화장치를 정면에서 바라본 상태를 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 제2 평탄화장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제3 평탄화장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 벨트프레스를 나타내는 개략도이다.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해서 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 WPC 판재 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 WPC 판재 제조 방법을 실시하기 위한 장치들을 개략적으로 도시한 도면이다. 이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 WPC 판재 제조 방법에 대해 설명한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 WPC 제조 방법은 컴파운드 생성단계(S10), 평탄화단계(S20), 성형단계(S30) 및 냉각단계(S40)를 포함한다. 각 단계에서 수행되는 공정을 간략하게 설명하면, 압출장치(200)를 통해 컴파운드 생성단계(S10)에서 생성된 컴파운드(균일하게 혼합되어 덩어리진 혼합원료)가 벨트 컨베이어(500)를 통해 평탄화장치(300)로 이송되고, 이송된 컴파운드들은 평탄화장치(300)를 통해 평탄화단계(S20)가 수행되어 상부면이 평평하고, 균일한 높이를 가진 상태로 벨트프레스(400)로 이송되며, 이송된 컴파운드군은 벨트프레스(400)에서 성형단계(S30)를 통해 판재 형상으로 성형되고, 성형된 판재가 냉각단계(S40)를 통해 냉각되어 최종적으로 판재가 완성된다. 이하에서는 각 단계에 대해 보다 구체적으로 설명한다.

컴파운드 생성단계(S10)

도 3은 본 발명의 컴파운드 생성단계를 나타내는 플로우차트이다. 도 4는 본 발명의 압출단계를 나타내는 플로우차트이다. 도 5는 본 발명의 압출장치를 나타내는 개략도이다. 이하에서는 도 3 내지 도 5를 참조하여 컴파운드 생성단계에 대해 설명한다.

컴파운드 생성단계(S10)는 천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드를 생성하는 단계이다. 컴파운드란, 천연목재와 플라스틱 수지가 균일하게 혼합되어, 예를 들어 원통 형상으로 덩어리진 혼합원료를 말한다.

도 3을 참조하면 컴파운드 생성단계(S10)는 분쇄단계(S11), 혼합단계(S13), 압출단계(S15), 컴파운드 성형단계(S17) 및 절단단계(S19)를 포함할 수 있다.

먼저 분쇄단계(S11)에 대해 설명한다.

분쇄단계(S11)는 천연목재를 목분으로 분쇄하는 단계이다. 목재란 우드 칩, 우드 펠릿, 반탄화 목분, 기타 셀룰로오스를 함유하고 있는 목질계 원료를 포함할 수 있다.

분쇄단계(S11)는 목분의 입자크기가 0.05mm 내지 1.5mm 가 되도록 천연목재를 분쇄하는 단계일 수 있다. 더욱 바람직하게는 목분의 입자크기가 0.05mm 내지 1.0mm 가 되도록 분쇄하는 단계일 수 있다.

목분의 입자크기를 0.05mm 이하로 분쇄하려면, 분쇄 성능이 뛰어난 특수 장치가 필요하게 되고, 많은 시간과 비용이 지출되는 문제가 있다. 분쇄된 목분의 입자크기가 1.5mm 이상이면 목분이 WPC 판재 기타 제품으로 성형된 후 목분 사이에 기공이 형성될 수 있어 목분 사이에 결합력이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 목분에 플라스틱 수지를 코팅하는 경우에도 표면을 완전히 코팅하지 못해 제품의 물성이 떨어지는 현상이 발생할 수 있다.

다음으로 혼합단계(S13)에 대해 설명한다.

혼합단계(S13)는, 준비단계, 제1 혼합단계 및 제2 혼합단계를 포함할 수 있다.

준비단계는, 혼합하기 위한 원료를 준비하는 단계이다. 가장 기본적으로 목분과 플라스틱 수지를 준비할 수 있다. 여기에 더해서 목분과 플라스틱 수지의 결합력을 증대시키는 가교제와, 무기질 충진제, 산화방지제, 자외선 안정제 등을 준비할 수 있다.

특히 자외선은 플라스틱 수지의 노화의 주요인으로 작용할 수 있다. 빛에 의해 야기되는 물성 저하를 방지하기 위해 자외선 안정제로서 벤조페놀계(2-[0030]hydroxyl benzophenone 등), 벤조트리아졸계(2-hydroxy phenyl benzotriazole 등), 힌더스 아민류(hindered amines, 4-벤조일옥시-2,2,6,6-테트라메틸비페리딘, 2,4-디-tert-부틸페닐-3,5-디-tert-부틸-하이드록시벤조이드 등), 유기니켈 화합물 등을 사용할 수 있다.

그리고 산화방지제는, 제조된 판재가 실용환경 조건하에서 산소, 열, 빛 등의 영향에 의해 열화 또는 물성의 저하, 균열, 변색되는 것을 억제하기 위하여 사용하며, 예를 들어 아민류의 산화방지제가 사용될 수 있다.

다음으로 제1 혼합단계는, 혼합장치(미도시)에 구비된 회전날의 회전에 의해 목분과 플라스틱 수지 기타 준비된 원료들을 혼합하는 단계일 수 있다. 제1 혼합단계는, 내부 온도가 120℃ 내지 200℃인 혼합장치에서, 5분 내지 20분 동안 혼합하는 단계일 수 있다. 제1 혼합단계에서 회전날은 400RPM으로 회전하면서 투입된 원료들을 혼합할 수 있다.

이때 가교제가 함께 혼합되면 목분과 플라스틱 수지 간의 결합력과 밀도가 증가할 수 있다. 예를 들어, 목분, 플라스틱 수지 및 가교제를 목분 70 내지 85 중량%, 플라스틱 수지 10 내지 28 중량%, 가교제 2 내지 5 중량 %의 비율로 포함할 수 있다.

상대적으로는, 목분 100 중량부에 대하여 플라스틱 수지 12 내지 40 중량부, 가교제 2.9 내지 5.9 중량부로 포함할 수 있다. 보다 바람직하게는 목분 100 중량부에 대하여 플라스틱 수지 36 중량부, 가교제 2.8 중량부로 포함할 수 있다.

제2 혼합단계는 회전날이 제1 혼합단계보다 빠른 속도로 회전하며 목분과 플라스틱 기타 투입된 원료들을 혼합하는 단계일 수 있다. 예를 들어 제2 혼합단계에서 회전날은 800RPM으로 회전할 수 있고, 이때 회전장치 내부 온도는 150℃ 내지 200℃까지 상승할 수 있다.

이와 같은 온도에서 혼합이 이루어지면 목분 표면에 플라스틱 수지가 녹아 코팅되어 균일한 혼합이 이루어질 수 있다. 또한 이와 같은 온도 상승에 의해 원료들에 함유된 잔류 수분이 기화되면, 기화된 수분은 혼합장치에 구비된 별도의 수증기 배출 노즐을 통해 혼합장치의 외부로 배출될 수 있다.

다음으로 도 4를 참조하여 압출단계(S15)에 대해 설명한다.

압출단계(S15)는 혼합단계(S13)에 의해 혼합된 혼합원료를 가열 및 가압하여 컴파운드를 생성하는 단계일 수 있다. 압출단계(S15)는, 가열단계(S151), 투입단계(S153), 가압단계(S155) 및 혼합단계(S157)를 포함할 수 있다. 압출단계(S15)는 압출장치(200)에 의해 수행될 수 있다(도 5 참조).

압출장치(200)는 일측에 혼합원료가 투입되는 투입구(210)가 형성되고, 압출이 수행되는 내부공간(255)을 포함하는 본체(250)와, 내부공간(255)의 온도를 상승시키기 위한 가열부(미도시), 내부공간(255)에 구비되고, 평행한 방향의 축(Ca, Cb)을 중심으로 각각 회전하는 한 쌍의 스크루(220a, 220b) 및 스크루(220a, 220b)의 말단에 결합되어 투입된 혼합원료를 혼합하는 혼합 블록(222a, 222b)을 포함할 수 있다. 이때 스크루(220)와 혼합 블록(222)은 내부공간(255)의 길이 방향을 따라 복수 개 구비될 수 있다.

압출단계(S15)는 먼저 가열부에 의해 혼합원료가 투입되는 내부공간(255)의 온도를 125℃ 내지 250℃로 가열하는 가열단계(S151)가 수행될 수 있다.

내부공간(255)의 온도가 상승하면, 투입구(210)를 통해 혼합원료를 내부공간(255)으로 투입하는 투입단계(S153)가 수행될 수 있다. 내부공간(255)으로 투입된 혼합원료는 125℃ 내지 250℃로 가열될 수 있다. 이때 내부공간(255)으로 혼합원료를 정량 공급하기 위해, 투입구의 내부에 구비된 교반기(215)가 회전하고 혼합원료는 교반기(215)를 통과하며 내부공간(255)으로 투입될 수 있다.

다음으로 내부공간(255)으로 투입된 혼합원료를 가압하는 가압단계(S155)가 수행될 수 있다. 내부공간(255)에 구비되고, 외주가 나선 형상으로 가공된 한 쌍의 스크루(220)는 모터(230)의 작동에 의해 회전할 수 있다. 스크루(220)의 회전에 의해 투입된 혼합원료는 나선 사이의 간격이 넓은 스크루(220)에서 나선 사이의 간격이 좁은 스크루(220)로 이동되며 압착될 수 있다.

다음으로 내부공간(255)에서 가열되고 압축된 혼합원료는 스크루(220)의 말단에 구비된 혼합 블록(222)의 회전에 의해 혼합될 수 있다(혼합단계(S157)). 일반적으로 WPC 판재를 제조하는 경우 플라스틱 수지의 함량이 혼합원료의 40% 정도 되지만, 본 발명의 경우 플라스틱 수지가 혼합원료의 10 내지 28 중량% 포함되고, 목분의 비율이 크기 때문에, 혼합 블록(222)의 혼합 공간은 목분의 비율에 따라 넓게 형성되는 것이 바람직하다.

혼합된 혼합원료는 다시 나선 사이의 간격이 좁은 스크루(220), 나선 사이의 간격이 넓은 스크루(220), 나선 사이의 간격이 좁은 스크루(220)를 순차적으로 통과하며 압착되고, 스크루(220) 말단의 혼합 블록(222)에 의해 압착된 혼합원료가 다시 혼합될 수 있다. 즉, 투입된 혼합원료에 대해 가압단계(S155) 및 혼합단계(S13)가 복수 회 수행될 수 있다.

이와 같이 고온 및 고압의 상태에서 목분과 플라스틱 수지를 혼합하고 압출하여 형성된 컴파운드는 점성과 유동성을 가질 수 있고, 또한 이와 같은 압출공정을 통해 제조된 컴파운드에 포함된 목분은 반탄화되어, 이 컴파운드를 사용하여 제조된 WPC 판재는 향균성 및 흡습성이 향상될 수 있다.

다음으로 컴파운드 성형단계(S17) 및 절단단계(S19)에 대해 설명한다.

컴파운드 성형단계(S17)는 압출단계(S15)를 통해 생성된 컴파운드를 직경 0.5mm 내지 35mm의 타공형 몰드에 통과시켜, 소정 크기의 직경과 높이를 가지는 원통 형상으로 성형하는 단계일 수 있다.

컴파운드 성형단계(S17)를 통해 성형된 컴파운드는, 예를 들어 펠릿 형상 또는 브리켓 형상으로 성형될 수 있다. 컴파운드 성형단계(S17)를 통해 성형된 컴파운드는, 제조하고자 하는 판재의 목표하는 두께에 기초하여 아래 표(표 1)와 같이 기 설정된 직경을 가질 수 있다.

판재의 목표 두께[mm]	직경[mm]
3	0.5 ~ 11
6	1 ~ 15
10	2 ~ 18
20	3 ~ 25
35	4 ~ 35

절단단계(S19)는 컴파운드 성형단계(S17)에 의해 성형된 컴파운드를 높이 방향을 따라 소정 길이로 절단하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 30mm 내지 70mm의 길이를 갖도록 절단할 수 있다.

컴파운드들은 후술할 평탄화단계(S20)를 거쳐 성형단계(S30)에서도 고온을 유지할 필요가 있기 때문에, 컴파운드 성형단계(S17) 및 절단단계(S19)가 수행되는 경우에도 컴파운드의 온도를 190℃ 내지 210℃로 유지하는 것이 바람직하다.

이와 같은 분쇄단계(S11), 혼합단계(S13), 압출단계(S15), 컴파운드 성형단계(S17) 및 절단단계(S19)를 통해, 균일하게 혼합되고, 소정 크기의 직경과 높이를 갖는 컴파운드가 생성되며, 생성된 컴파운드들은 벨트 컨베이어(500)를 통해 평탄화장치(300)로 이송될 수 있다. 벨트 컨베이어(500)는 커버(미도시)에 의해 둘러싸여 있고, 커버는 벨트 컨베이어(500)를 통해 평탄화장치(300)로 이동하는 컴파운드들의 온도 저하를 방지할 수 있다.

평탄화단계(S20)

도 6은 본 발명의 제1 평탄화장치(300)를 측면에서 바라본 상태를 나타내는 개략도이다. 도 7은 본 발명의 제1 평탄화장치(300)를 정면에서 바라본 상태를 나타내는 개략도이다. 도 8은 본 발명의 제2 평탄화장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 9는 본 발명의 제3 평탄화장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 이하에서는 도 6 및 도 9를 참조하여 평탄화단계(S20)에 대해 설명한다.

먼저 제1 평탄화장치(300)를 이용한 평탄화단계(S20)에 대해 설명한다. 제1 평탄화장치(300)는 평탄화공간(315)을 포함하는 본체(305), 컴파운드들이 평탄화공간(315)으로 투입되는 투입구(310) 및 평탄화공간(315)에 투입된 컴파운드들을 벨트프레스(400)로 이송시키는 이송부(350)를 포함할 수 있다.

평탄화단계(S20)는 컴파운드 생성단계(S10)에서 생성된 컴파운드들이 평탄화공간(315)에 집적되어 있는 컴파운드군이 소정 높이를 갖도록 컴파운드군을 평탄화하는 단계이다.

평탄화단계(S20)는 정렬단계와 높이조절단계를 포함할 수 있다.

먼저 정렬단계에 대해 설명한다.

정렬단계는 평탄화공간(315)으로 투입된 컴파운드군의 상부를 고르게 하는 단계이다.

컴파운드 생성단계(S10)에 의해 생성된 직경 0.5mm 내지 35mm, 높이 30mm 내지 70mm, 표면온도 120℃ 내지 200℃의 컴파운드들이, 벨트 컨베이어(500) 등을 통해 투입구(310)로 이송되고, 이송된 컴파운드들은 입구가 점차 좁아지는 투입구(310)로 낙하되어 평탄화공간(315)으로 투입될 수 있다.

평탄화공간(315)으로 투입된 컴파운드들이 집적되어 있는 컴파운드군은 원뿔 형상의 모래성과 같이 상부의 높이가 균일하지 않을 것이고, 정렬단계는 컴파운드군의 상부를 고르게 하는 단계일 수 있다.

보다 구체적으로 정렬단계는 컴파운드군의 상측에서 컴파운드군까지 하측으로 연장된 정렬핀(320, 330)들과 컴파운드군 사이의 상대적인 이동에 따라, 정렬핀(320, 330)들이 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해, 컴파운드군의 상부를 고르게 하는 단계일 수 있다.

예를 들어, 정렬핀들은, 투입구(310)의 하단에 구비되고 컴파운드군이 벨트프레스(400)로 이송되는 이송방향(A)을 따라 배열된 제1 정렬핀(320)들을 포함할 수 있다. 그리고 정렬단계는, 투입구(310)가 이송방향(A)을 가로지르는 방향으로 왕복 운동하는 것에 의해 제1 정렬핀(320)들이 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해, 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하는 왕복정렬단계를 포함할 수 있다(도 8 참조).

즉, 투입구(310) 자체가 왕복 운동함으로써 제1 정렬핀(320)들이 컴파운드군의 상부를 가르는 것에 의해 컴파운드군의 상부를 고르게 할 수 있다.

또한, 정렬핀들은, 컴파운드군이 벨트프레스(400)로 이송되는 이송경로 상에 고정되고, 컴파운드군이 벨트프레스(400)로 이송되는 이송방향을 가로지르는 방향을 따라 배열된 제2 정렬핀(330)들을 포함할 수 있다. 그리고 정렬단계는, 제2 정렬핀(330)들이 컴파운드군의 이송 중에 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해, 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하는 이송정렬단계를 포함할 수 있다.

즉, 컴파운드군은 이송부에 의해 벨트프레스(400)로 이송되며 제2 정렬핀(330)들에 의해 갈라지며 높이가 고르게 될 수 있다.

왕복정렬단계와 이송정렬단계는 함께 수행될 수 있고, 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 이송방향(A) 및 이송방향을 가로지르는 방향으로 정렬핀(320, 330)들이 가르면서 컴파운드군의 상부가 고르게 정렬할 수 있다.

다음으로 높이조절단계에 대해 설명한다.

높이조절단계는, 정렬단계에 의해 상부가 고르게 된 컴파운드군이 소정 높이를 갖도록 컴파운드군의 높이를 조절하는 단계일 수 있다.

보다 구체적으로, 높이조절단계는 이송방향(A)을 가로지르는 방향으로 연장된 봉 형상으로 형성되고, 이송방향(A)을 따라 나열된 제3 정렬핀(340)들이, 소정 높이를 최저높이로 하여, 진자 운동을 하며 컴파운드군의 상부를 깎아내는 것에 의해, 컴파운드군의 높이를 조절하는 단계일 수 있다. 제3 정렬핀(340)들은 이송되는 컴파운드군의 상측에 힌지 결합되어 진자 운동을 할 수 있다.

이때 소정 높이는 판재의 목표하는 두께에 기초하여 아래 표(표 2)와 같이 기 설정될 수 있다.

판재의 목표 두께[mm]	소정 높이[mm]
3	20.9 ~ 50.8
6	31.2 ~ 64.7
10	42.9 ~ 80.7
20	69.6 ~ 115.5
35	106.6 ~ 162.2

이와 같이 평탄화장치(300)의 평탄화공간(315)으로 투입된 컴파운드군은, 정렬단계와 높이조절단계를 거치면서 기 설정된 소정 높이를 고르게 형성한 상태로 벨트프레스(400)로 이송될 수 있다.

다음으로 제1 평탄화장치(300)를 대신하여 제2 평탄화장치(360) 또는 제3 평탄화장치(380)를 이용한 평탄화단계(S20)에 대해 설명한다.

제2 평탄화장치(360)를 이용한 평탄화단계(S20)는 컴파운드군을 가압하여 소정 높이를 갖는 홀에 통과시킴으로써 소정 높이를 갖는 컴파운드군으로 평탄화하는 단계일 수 있다.

제2 평탄화장치(360)는 투입구(미도시), 평탄화공간(365), 가압부(361) 및 몰드부(368)를 포함할 수 있다.

컴파운드 생성단계(S10)에 의해 생성된 직경 0.5mm 내지 35mm, 높이 30mm 내지 70mm, 표면온도 120℃ 내지 200℃의 컴파운드들은 투입구를 통해 평탄화공간(365)으로 투입될 수 있다.

가압부(361)는 몰드부(368) 측으로 이동하며 평탄화공간(365)에 투입된 컴파운드들을 가압하고, 가압부(361)에 의해 가압된 컴파운드들은 몰드부(368)에 형성된 홀(369)을 통해 벨트프레스(400)로 배출될 수 있다. 홀(369)은 일정한 폭과 높이(h)를 갖는 직사각형 형태로 형성될 수 있다.

이때 배출되는 컴파운드들은 홀(369)의 형상을 따라 형태가 형성되며, 홀(369)의 높이는 소정 높이가 되도록 판재의 목표하는 두께에 기초하여 상기 표(표 2)와 같이 기 설정될 수 있다.

한편, 제3 평탄화장치(380)를 이용한 평탄화단계(S20)는, 수평하게 배열된 복수 개의 압출 스크루를 통해 컴파운드군을 가압하여 소정 높이를 갖는 홀에 통과시킴으로써 소정 높이를 갖는 컴파운드군으로 평탄화하는 단계일 수 있다.

제3 평탄화장치(380)는, 투입구(미도시), 복수 개의 압출 스크루(385) 및 몰드부(388)를 포함할 수 있다.

컴파운드 생성단계(S10)에 의해 생성된 직경 0.5mm 내지 35mm, 높이 30mm 내지 70mm, 표면온도 120℃ 내지 200℃의 컴파운드들은 투입구를 통해 복수 개의 압출 스크루(385)로 투입될 수 있다.

투입된 컴파운드들은 수평하게 배열된 복수 개의 압출 스크루(385)의 내부에서 압출될 수 있다. 압출 스크루(385)는 외주가 나선 형상으로 형성될 수 있고, 압출 스크루(385)는 각각 회전하며 개별적으로 컴파운드군을 압출할 수 있다. 압출 스크루(385)의 개수는 특별히 한정되지 않는다.

몰드부(388)는 복수 개의 압출 스크루(385)의 출구 측에 형성되고, 홀(389)을 포함하며, 복수 개의 압출 스크루(385)에서 배출된 컴파운드군을 수용할 수 있다.

복수 개의 압출 스크루에서 배출되어 홀(389)을 통과한 컴파운드군은 벨트프레스(400)로 배출될 수 있다. 홀(369)은 일정한 폭과 높이(h)를 갖는 직사각형 형태로 형성될 수 있다. 이때 배출되는 컴파운드군은 홀(369)의 형상을 따라 형태가 형성되며, 홀(369)의 높이는 소정 높이가 되도록 판재의 목표하는 두께에 기초하여 상기 표와 같이 기 설정될 수 있다.

한 개의 압출 스크루를 사용하면 제조하고자 하는 판재의 폭의 크기에 대응되는 크기의 직경을 갖는 압출 스크루를 사용할 필요가 있는데, 제조하고자 하는 판재의 폭이 너무 커지면 그에 따라 압출 스크루의 직경도 커져야 하기 때문에 압출 스크루가 대형화되는 문제가 있다.

그러나, 제3 평탄화장치(380)는 복수 개의 압출 스크루(385), 예를 들어 10 개의 압출 스크루(385)를 사용하고, 복수 개의 압출 스크루(385)의 말단에 형성된 몰드부(388)를 통해 컴파운드들을 배출시키기 때문에, 직경이 작은 압출 스크루(385)를 이용하여 큰 폭을 갖는 판재를 제조할 수 있다.

성형단계(S30)

성형단계(S30)는 이송된 컴파운드군을 벨트프레스(400)를 통해 가압하여 판재로 성형하는 단계이다. 도 10은 본 발명의 벨트프레스(400)를 나타내는 개략도이다. 이하에서는 도 10을 참조하여 성형단계(S30)에 대해 설명한다.

성형단계(S30)는 상부 벨트(410)와 하부 벨트(490)를 포함하는 더블벨트프레스에 의해 행해질 수 있고, 이송된 컴파운드군은 하부 벨트(490)의 상부면으로 이송될 수 있다.

성형단계(S30)는 170℃에서 210℃의 온도를 갖는 컴파운드군을 벨트프레스(400)를 통해 가압하여 판재로 성형하는 단계일 수 있다. 벨트프레스(400)로 이송된 컴파운드군의 온도가 너무 낮으면 유동성이 떨어져 균질한 판재를 성형하기 어려울 수 있다. 반면 컴파운드군의 온도가 너무 높으면 컴파운드가 벨트프레스(400)의 벨트에 들러 붙는 문제가 발생할 수 있다.

컴파운드 생성단계(S10)와 평탄화단계(S20)를 거쳐 이송된 컴파운드군이 170℃에서 210℃의 온도를 유지하고 있기 때문에 성형단계(S30)는 이송된 컴파운드군을 가열하지 않고 가압하는 공정만으로 수행될 수 있다.

따라서, 벨트프레스(400)에 별도의 가열장치가 구비되지 않거나, 벨트프레스(400)에 의해 이송되는 컴파운드군의 온도 저하를 방지하기 위한 정도의 가열장치만 마련될 수 있기 때문에 시간 당 8톤 이상의 판재 생산이 가능하고, 폭이 매우 넓은 WPC 판재도 제조할 수 있어, 생산성이 크게 향상될 수 있다.

성형단계(S30)는 제1 가압단계와 제2 가압단계를 포함할 수 있다.

제1 가압단계는 이송된 컴파운드군을 제1 압력으로 가압하는 단계일 수 있다. 예를 들어 제1 압력은 31 kgf/cm² 내지 100 kgf/cm²일 수 있다.

제1 가압단계는 상부 벨트(410)에 구비된 상부 드럼(411)과 하부 벨트(490)에 구비된 하부 보조 드럼(492) 사이에서, 이송된 컴파운드군을 가압하여 판재의 형상을 형성하는 단계일 수 있다.

이때 하부 벨트(490)는 하부 드럼(491)을 더 포함할 수 있고, 상부 드럼(411)과 하부 드럼(491)에는 이송되는 컴파운드군의 온도 저하를 방지 하기 위해 벨트를 가열하는 가열 장치가 마련될 수도 있다.

제2 가압단계는 제1 가압단계 이후에 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 가압하는 단계일 수 있다.

제2 가압단계는 상부 벨트(410) 및 하부 벨트(490)에 각각 구비된 가압롤러(413, 493) 사이에서, 제1 가압단계에 의해 형성된 판재를 가압하여, 판재의 표면을 가공하는 단계일 수 있다. 예를 들어 제2 압력은 5 kgf/cm² 내지 30 kgf/cm²일 수 있다.

이송된 컴파운드군을 제1 가압단계에 의해 고압으로 가압하여 판재의 형상을 형성하고, 판재의 형상이 형성되면 제2 가압단계에 의해 저압으로 판재를 가압하여 판재 표면의 평활도를 향상시키고, 판재의 밀도 편차를 줄일 수 있다.

제1 가압단계에서 두께 성형률은 성형 목표 두께의 약 85% 내지 95%의 수준으로 성형이 이루어지고 제2 가압단계에서 판재의 평활도 및 밀도의 균질화 과정과 함께 성형 목표 두께로 성형이 이루어진다.

이때, 상부 벨트(410)는 하부 벨트(490)에 대한 높이가 조절될 수 있다. 그리고 상부 벨트(410)의 높이 조절에 의해 이송되는 컴파운드군이 상부 벨트(410)와 하부 벨트(490) 사이로 삽입되는 입사각(a)이 조절될 수 있다. 여기서 입사각(a)이란, 하부 벨트(490)의 상부면 중 하부 보조 드럼(492)의 중심에 대응되는 위치인 기준위치(G)에서 상부 벨트(410)로 그어지는 접선과 기준위치(G)에서 하부 벨트(490)의 상부면을 따라 연장하는 연장선에 의해 정의되는 각도일 수 있다.

입사각(a)은, 제조하고자 하는 판재의 목표하는 두께에 기초하여 아래 표(표 3)와 같이 기 설정되고, 설정된 입사각(a)에 따라 상부 벨트(410)의 높이가 조정될 수 있다.

판재의 목표 두께[mm]	입사각(a)[°]
3	5
6	7.1
10	9.2
20	12.9
35	16.9

냉각단계(S40)

성형단계(S30)에 의해 성형된 판재는 냉각단계(S40)를 거쳐 냉각될 수 있다.

냉각단계(S40)는 판재의 변형을 방지하기 위해, 판재를 3 kgf/cm² 내지 10 kgf/cm²로 가압하면서 냉각시키는 단계일 수 있다. 일정한 두께로 성형한 판재를 냉각하는 과정에서 판재가 뒤틀어지거나 휘어질 수 있는데, 판재를 소정의 압력으로 가압하면서 고정시킴으로써, 판재의 변형을 방지할 수 있다.

이때 냉각 방식은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상부 벨트(410) 및 하부 벨트(490)에 각각 구비된 면 베어링(미도시)에 의한 간접 열교환 방식의 공냉식 냉각 또는 냉각수 분사에 의한 수냉식 냉각에 의해 수행될 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

200: 압출장치
210: 투입구
215: 교반기
220: 스크루
222: 혼합 블록
230: 모터
250: 본체
255: 내부공간
300: 제1 평탄화장치
305: 본체
310: 투입구
315: 평탄화공간
320: 제1 정렬핀
330; 제2 정렬핀
340: 제3 정렬핀
350: 이송부
360: 제2 평탄화장치
361: 가압부
365: 평탄화공간
368: 몰드부
369: 홀
380: 제3 평탄화장치
385: 압출 스크루
388: 몰드부
369: 홀
400: 벨트프레스
410: 상부 벨트
411: 상부 드럼
413: 가압롤러
490: 하부 벨트
491: 하부 드럼
492: 하부 보조 드럼
493: 가압롤러
500: 벨트 컨베이어

Claims

천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드를 생성하는 컴파운드 생성단계;
상기 컴파운드 생성단계에서 생성된 컴파운드들이 모여 형성된 컴파운드군이 소정 높이를 갖도록 상기 컴파운드군을 평탄화하는 평탄화단계; 및
상기 평탄화단계에서 평탄화된 상기 컴파운드군을 벨트프레스를 통해 가압하여 판재로 성형하는 성형단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 평탄화단계는,
상기 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하는 정렬단계; 및
상기 컴파운드군이 상기 소정 높이를 갖도록 상기 컴파운드군의 높이를 조절하는 높이조절단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 2에 있어서,
상기 정렬단계는, 상기 컴파운드군의 상측에서 상기 컴파운드군까지 하측으로 연장된 정렬핀들과 상기 컴파운드군 사이의 상대적인 이동에 따라, 상기 정렬핀들이 상기 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해, 상기 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
청구항 3에 있어서,
상기 정렬핀들은, 상기 컴파운드군이 상기 벨트프레스로 이송되는 이송방향을 따라 배열된 제1 정렬핀들을 포함하고,
상기 정렬단계는, 상기 제1 정렬핀들이 상기 이송방향을 가로지르는 방향으로 왕복 운동하며 상기 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해, 상기 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하는 왕복정렬단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 3에 있어서,
상기 정렬핀들은, 상기 컴파운드군이 상기 벨트프레스로 이송되는 이송경로 상에 고정되고, 상기 컴파운드군이 상기 벨트프레스로 이송되는 이송방향을 가로지르는 방향을 따라 배열된 제2 정렬핀들을 포함하고,
상기 정렬단계는, 상기 제2 정렬핀들이 상기 컴파운드군의 이송 중에 상기 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해, 상기 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하는 이송정렬단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 평탄화단계는, 상기 컴파운드군을 가압하여 상기 소정 높이를 갖는 홀에 통과시킴으로써 상기 소정 높이를 갖는 컴파운드군으로 평탄화하는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
청구항 6에 있어서,
상기 평탄화단계는, 수평하게 배열된 복수 개의 압출 스크루를 통해 상기 컴파운드군을 가압하여 상기 소정 높이를 갖는 홀에 통과시킴으로써 상기 소정 높이를 갖는 컴파운드군으로 평탄화하는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
청구항 2에 있어서,
상기 높이조절단계는, 상기 컴파운드군이 상기 벨트프레스로 이송되는 이송방향을 가로지르는 방향으로 연장된 봉 형상으로 형성되고, 상기 이송방향을 따라 나열된 제3 정렬핀들이, 상기 소정 높이를 최저 높이로 하여, 진자 운동을 하며 상기 컴파운드군의 상부를 깎아내는 것에 의해, 상기 컴파운드군의 높이를 조절하는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 소정 높이는 상기 판재의 목표하는 두께에 기초하여 기 설정되는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 컴파운드 생성단계는, 상기 천연목재를 목분으로 분쇄하는 분쇄단계, 상기 목분과 상기 플라스틱 수지를 혼합하는 혼합단계, 및 상기 혼합단계에 의해 혼합된 혼합원료를 가열 및 가압하여 컴파운드를 생성하는 압출단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 10에 있어서,
상기 혼합단계는,
회전날의 회전에 의해 상기 목분과 상기 플라스틱 수지를 혼합하는 제1 혼합단계; 및
상기 제1 혼합단계보다 상기 회전날이 빠른 속도로 회전하며 상기 목분과 상기 플라스틱 수지를 혼합하는 제2 혼합단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 10에 있어서,
상기 분쇄단계는, 상기 목분의 입자크기가 0.05mm 내지 1.5mm 가 되도록 상기 천연목재를 분쇄하는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
청구항 10에 있어서,
상기 혼합단계는, 상기 목분과 상기 플라스틱 수지의 결합력을 증대시키는 가교제를 더 혼합하는 단계이고,
상기 혼합원료는, 상기 목분 70 내지 85 중량%, 상기 플라스틱 수지 10 내지 28 중량%, 상기 가교제 2 내지 5 중량%를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 10에 있어서,
상기 혼합단계는, 상기 목분과 상기 플라스틱 수지의 결합력을 증대시키는 가교제를 더 혼합하는 단계이고,
상기 혼합원료는, 상기 목분 100 중량부에 대하여, 상기 플라스틱 수지 12 내지 40 중량부, 상기 가교제 2.9 내지 5.9 중량부로 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 10에 있어서,
상기 압출단계는,
상기 혼합원료가 투입되는 내부공간의 온도를 125℃ 내지 250℃로 가열하는 가열단계;
상기 내부공간으로 상기 혼합원료를 투입하는 투입단계;
상기 내부공간에 구비되고, 평행한 방향의 축을 중심으로 각각 회전하는 한 쌍의 스크루의 회전에 의해 상기 혼합원료를 가압하는 가압단계; 및
상기 스크루의 말단에 구비된 혼합 블록에 의해 상기 혼합원료를 혼합하는 혼합단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 10에 있어서,
상기 컴파운드 생성단계는,
상기 압출단계에서 생성된 컴파운드를 소정 크기의 직경과 높이를 가지는 원통 형상으로 성형하는 컴파운드 성형단계와, 상기 컴파운드 성형단계에서 성형된 컴파운드를 높이 방향을 따라 소정 길이로 절단하는 절단단계를 더 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 16에 있어서,
상기 컴파운드 성형단계는, 상기 컴파운드를 펠릿 형상 또는 브리켓 형상으로 성형하는 단계이고,
상기 펠릿 형상 또는 브리켓 형상은, 상기 판재의 목표하는 두께에 기초하여 기 설정된 직경을 갖는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 성형단계는, 상기 컴파운드군을 제1 압력으로 가압하는 제1 가압단계와, 상기 제1 가압단계 이후에 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 가압하는 제2 가압단계를 포함하는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 18에 있어서,
상기 성형단계는, 상부 벨트와 하부 벨트를 포함하는 더블벨트프레스에 의해 행해지고,
상기 제1 가압단계는, 상기 컴파운드군을 상기 상부 벨트에 구비된 상부 드럼과 상기 하부 벨트에 구비된 하부 보조 드럼 사이에서 31 kgf/cm² 내지 100kgf/cm²로 가압하여, 상기 판재의 형상을 형성하는 단계이고,
상기 제2 가압단계는, 상기 상부 벨트 및 상기 하부 벨트에 각각 구비된 가압롤러 사이에서 5 kgf/cm² 내지 30kgf/cm²로 상기 판재를 가압하여, 상기 판재의 표면을 가공하는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
청구항 19에 있어서,
상기 상부 벨트는, 상기 하부 벨트의 상부면 중 상기 하부 보조 드럼의 중심에 대응되는 위치인 기준위치에서 상기 상부 벨트로 그어지는 접선과, 상기 기준위치에서 상기 하부 벨트의 상부면을 따라 연장하는 연장선에 의해 정의되는 입사각이, 상기 판재의 목표하는 두께에 기초하여 조절되도록, 상기 하부 벨트에 대한 높이가 조절되는, WPC 판재 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 성형단계는, 170℃에서 210℃의 온도를 갖는 컴파운드군을 상기 벨트프레스를 통해 가압하여 상기 판재로 성형하는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 성형단계를 통해 성형된 판재를 냉각하는 냉각단계를 포함하고,
상기 냉각단계는, 상기 판재의 변형의 방지하기 위해, 상기 판재를 3 kgf/cm² 내지 10 kgf/cm²로 가압하면서 냉각시키는 단계인, WPC 판재 제조 방법.
천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드들이 모여 형성된 컴파운드군의 상측에서 상기 컴파운드군까지 하측으로 연장되고, 상기 컴파운드군이 이송되는 이송방향을 따라 배열된 제1 정렬핀들; 및
상기 컴파운드군이 이송되는 이송방향을 가로지르는 방향으로 연장된 봉 형상으로 형성되고, 상기 이송방향을 따라 나열된 제3 정렬핀들을 포함하고,
상기 제1 정렬편들이 상기 이송방향을 가로지르는 방향으로 왕복 운동하며 상기 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해 상기 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하고, 상기 제3 정렬핀들이 소정 높이를 최저 높이로 하여 진자 운동을 하며 상부가 고르게 정렬된 상기 컴파운드군의 상부를 깎아내는 것에 의해 상기 컴파운드군의 높이를 조절하여 상기 컴파운드군을 평탄화하는, 평탄화장치.
청구항 23에 있어서,
상기 컴파운드군이 이송되는 이송경로 상에 고정되고, 상기 컴파운드군이 이송되는 이송방향을 가로지르는 방향을 따라 배열된 제2 정렬핀들을 더 포함하고,
상기 제1 정렬편들이 상기 이송방향을 가로지르는 방향으로 왕복 운동하며 상기 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르고, 상기 제2 정렬핀들이 상기 컴파운드군의 이송 중에 상기 컴파운드군 상부의 컴파운드들을 가르는 것에 의해 상기 컴파운드군의 상부를 고르게 정렬하고, 상기 제3 정렬핀들이 소정 높이를 최저 높이로 하여 진자 운동을 하며 상부가 고르게 정렬된 상기 컴파운드군의 상부를 깎아내는 것에 의해 상기 컴파운드군의 높이를 조절하여 상기 컴파운드군을 평탄화하는, 평탄화장치.
천연목재와 플라스틱 수지가 혼합되어 형성된 컴파운드들이 모여 형성된 컴파운드군이 공급되어 내부에서 상기 컴파운드군을 압출하고, 수평방향으로 배열된 복수 개의 압출 스크루; 및
상기 복수 개의 압출 스크루의 출구 측에 형성되고, 상기 복수 개의 압출 스크루에서 배출된 컴파운드군이 수용되며, 소정 높이를 갖는 홀을 포함하는 몰드부를 포함하고,
상기 복수 개의 압출 스크루에서 배출되어 상기 홀을 통과한 컴파운드군은 상기 소정 높이를 가지며 평탄화되는, 평탄화장치.