KR20180074199A - 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 - Google Patents
반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180074199A KR20180074199A KR1020160178048A KR20160178048A KR20180074199A KR 20180074199 A KR20180074199 A KR 20180074199A KR 1020160178048 A KR1020160178048 A KR 1020160178048A KR 20160178048 A KR20160178048 A KR 20160178048A KR 20180074199 A KR20180074199 A KR 20180074199A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- disposed
- semiconductor layer
- type semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
실시 예는, 제1 도전형 반도체층, 제1 클래드층, 활성층, 제2 클래드층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 제1방향으로 배치된 발광영역, 변조영역, 및 상기 발광영역과 변조영역 사이에 배치되는 절연영역을 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층상에 배치되는 제1전극; 상기 발광영역의 제2-1 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-1전극; 상기 변조영역의 제2-2 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-2전극; 및 상기 절연영역상에 배치되는 제3전극을 포함하고, 상기 제1방향은 상기 반도체 구조물의 두께 방향과 수직한 방향인 반도체 소자를 개시한다.
Description
실시 예는 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
광 통신 수단을 사용하는 반도체 소자는 레이저 다이오드의 단파장을 이용한 전계 흡수 변조기(EAM)가 대표적이다. 그러나, 레이저 다이오드는 제조가 어려울 뿐만 아니라, 협소한 빔에 의해 광변조기와 레이저 다이오드의 얼라인이 어려운 문제가 있다. 따라서, 광출력이 떨어지는 문제가 있다.
실시 예는 빛샘 현상을 방지할 수 있는 반도체 소자를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제1 클래드층, 활성층, 제2 클래드층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 제1방향으로 배치된 발광영역, 변조영역, 및 상기 발광영역과 변조영역 사이에 배치되는 절연영역을 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층상에 배치되는 제1전극; 상기 발광영역의 제2-1 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-1전극; 상기 변조영역의 제2-2 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-2전극; 및 상기 절연영역상에 배치되는 제3전극을 포함하고, 상기 제1방향은 상기 반도체 구조물의 두께 방향과 수직한 방향이다.
상기 절연영역은 제2-1 도전형 반도체층과 제2-2 도전형 반도체층 사이에 배치된 리세스를 포함할 수 있다.
상기 반도체 구조물과 전극 구조체 사이에 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 전극 구조체는 상기 제1전극, 제2-1전극, 및 제2-2전극을 포함할 수 있다.
상기 절연층은, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 반도체 구조물 사이에 배치되는 제1관통홀, 상기 제2-1 도전형 반도체층과 상기 반도체 구조물 사이에 배치되는 제2관통홀, 및 상기 제2-2 도전형 반도체층과 상기 반도체 구조물 사이에 배치되는 제3관통홀을 포함할 수 있다.
상기 제2-1전극은 상기 제3전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제3전극은 상기 제2-2 도전형 반도체층의 일부를 덮는 연장부를 포함할 수 있다.
상기 연장부의 제1방향 길이는 상기 변조영역의 제1방향 최대 길이의 1% 내지 10%일 수 있다.
상기 전극 구조체는 상기 제1전극, 제2-1전극, 및 제2-2전극과 전기적으로 절연되는 더미전극을 포함할 수 있다.
상기 제2-1전극과 제2-2전극의 면적비는 1:0.2 내지 1:0.8일 수 있다.
상기 제2-2전극은 상기 제2-2 도전형 반도체층상에 배치되는 컨택부, 외부 전원과 연결되는 패드부, 및 상기 컨택부와 패드부를 연결하는 연결부를 포함하고, 상기 연결부는 상기 컨택부과 가까워질수록 제1방향 폭이 두꺼워지는 구간을 가질 수 있다.
상기 제1전극, 제2-1전극, 제2-2전극, 및 제3전극의 두께는 30㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
상기 변조영역은 역바이어스 인가시 상기 발광영역에서 출사된 광을 투과할 수 있다.
상기 발광영역에서 생성된 광은 400nm 내지 450nm 파장대를 가질 수 있다.
실시 예에 따르면, 반도체 소자의 빛샘 현상이 방지될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 일 실시 예에 따른 광통신 시스템의 개념도이고,
도 2는 본 발명에 일 실시 예에 따른 따른 반도체 소자에 의하여 광신호가 변조되는 과정을 보여주는 개념도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 4는 도 3의 A-A 방향 단면도이고,
도 5는 제2-2전극의 확대도이고,
도 6은 도 3의 B-B 방향 단면도이고,
도 7은 도 4의 일부 확대도이고,
도 8a는 절연영역이 노출된 반도체 소자가 평면 사진이고,
도 8b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면 사진이고,
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이다.
도 2는 본 발명에 일 실시 예에 따른 따른 반도체 소자에 의하여 광신호가 변조되는 과정을 보여주는 개념도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 4는 도 3의 A-A 방향 단면도이고,
도 5는 제2-2전극의 확대도이고,
도 6은 도 3의 B-B 방향 단면도이고,
도 7은 도 4의 일부 확대도이고,
도 8a는 절연영역이 노출된 반도체 소자가 평면 사진이고,
도 8b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면 사진이고,
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이다.
본 실시 예들은 다른 형태로 변형되거나 여러 실시 예가 서로 조합될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 각각의 실시 예로 한정되는 것은 아니다.
특정 실시 예에서 설명된 사항이 다른 실시 예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 실시 예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 실시 예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
예를 들어, 특정 실시 예에서 구성 A에 대한 특징을 설명하고 다른 실시 예에서 구성 B에 대한 특징을 설명하였다면, 구성 A와 구성 B가 결합된 실시 예가 명시적으로 기재되지 않더라도 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
반도체 소자는 발광소자, 수광 소자, 광변조기 등 각종 전자 소자를 포함할 수 있으며, 발광소자, 수광소자, 광변조기는 모두 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 반도체 소자는 발광소자 및 광변조기일 수 있다.
발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다.
광변조기는 전계 흡수 변조기(EAM: Electro-Absorption Modulator)일 수 있다. 그러나 이것으로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 전계 흡수 변조기는 저전압에서 구동이 가능하고, 소자를 소형화할 수 있다. 광변조기는 인가되는 전압에 따라 광흡수의 정도가 변할 수 있다. 즉, 광변조기는 인가되는 전압의 변화에 따라 입사되는 광을 외부로 방출하거나(on-state) 흡수함으로써(off-state) 변조된 광을 출력할 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 광통신 시스템의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 광통신 시스템은 제1 호스트(1)와 통신하는 제1 광 트랜시버(3), 제2 호스트(2)와 통신하는 제2 광 트랜시버(4) 및 제1 광 트랜시버(3)와 제2 광 트랜시버(4) 사이에 연결된 채널을 포함한다.
제1 호스트(1)와 제2 호스트(2)는 통신 가능한 전자 디바이스이면 특별히 제한되지 않는다. 예시적으로 제1 호스트(1)는 서버이고, 제2 호스트(2)는 퍼스널 컴퓨터일 수 있다.
제1 광 트랜시버(3)와 제2 광 트랜시버(4)는 각각 광 송신 모듈(5)과 광 수신 모듈(6)을 포함하는 양방향 통신 모듈일 수 있으나, 본 발명의 실시 예는 반드시 이에 한정하지 않는다. 예시적으로 제1 광 트랜시버(3)는 광 송신모듈일 수 있고 제2 광 트랜시버(4)는 광 수신모듈일 수도 있다. 이하에서는 양방향 통신방법을 기준으로 설명한다.
제1 광 트랜시버(3)의 광 송신 모듈(5)은 제1 광섬유(8)에 의하여 제2 광 트랜시버(4)의 광 수신 모듈(6)과 연결될 수 있다. 광 송신 모듈(5)은 호스트의 전기신호를 광신호로 변환할 수 있다. 제어부(7)는 호스트의 전기신호에 따라 광신호를 변조할 수 있다. 예시적으로 제어부(7)는 드라이버 IC를 포함할 수 있다.
제1 광 트랜시버(3)의 광 수신 모듈(6)은 제2 광섬유(9)에 의하여 제2 광 트랜시버(4)의 광 송신 모듈(5)과 연결될 수 있다. 광 수신 모듈(6)은 광신호를 전기신호로 변환할 수 있다. 제어부(7)는 변환된 전기신호를 증폭(TIA)하거나, 전기신호에서 패킷 정보를 추출하여 호스트에 전송할 수 있다. 제1 광섬유(8)와 제2 광섬유(9)는 플라스틱 재질을 포함할 수 있다(POF, Plastic Optical Fiber). 또한, 제1 광섬유(8)와 제2 광섬유(9)은 단일 광섬유일 수 있다.
한편, 광 송신 모듈(5)은 본 발명에 따른 반도체 소자를 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자에 의하여 광신호가 변조되는 과정을 보여주는 개념도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 소자는 발광영역 및 광변조영역을 포함할 수 있다. 이러한 반도체 소자는 도 1의 광 송신 모듈(5)의 구성 요소일 수 있다.
반도체 소자는 전기신호(E1)를 이용하여 광신호(L1)를 변조할 수 있다. 즉, 발광영역에서 출사된 광은 광변조영역에 의해 변조될 수 있다. 여기서, 전기신호(E1)를 제공할 때를 “1 상태”, 전기적인 신호(E1)를 제공하지 않을 때를 “0 상태”라 할 수 있다. 전기신호(E1)는 역 바이어스 전압일 수 있다.
“1 상태”일 때, 반도체 소자는 광신호(L1)를 방출할 수 있고(On-state), “0 상태”일 때 반도체 소자는 광신호(L1)를 방출하지 않을 수 있다(Off-state). 이에 따라, 반도체 소자는 주기를 가지며 광신호(L1)를 방출하거나 방출하지 않는 펄스 광신호(Pulsed light signal)를 출력할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자는 전계가 없을 경우 벤딩된 에너지 밴드갭 구조를 갖고, 역방향 전압이 인가되면 벤딩이 평탄해진 에너지 밴드갭 구조를 가질 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 반도체 소자는 전계가 없는 경우 활성층에서 광을 흡수할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 반도체 소자는 질화물계 반도체를 포함하여 활성층의 에너지 밴드갭이 비대칭하게 형성된다. 이는 광흡수층 내부에 강한 압전 전기장(piezoelectric field)이 존재하기 때문이다. 이러한 압전 전기장은 다양한 원인에 의해 유발될 수 있다. 예시적으로 압전 자기장은 격자 상수 부정합에 의한 스트레인(strain)에 의해 유발될 수 있다.
그러나, 활성층에 역 바이어스 전압이 걸린 경우, 활성층은 광을 투과할 수 있다. 이는 역 바이어스 전압이 걸렸을 때 에너지 밴드가 상대적으로 평탄해지며 밴드갭이 커지기 때문이다.
이처럼, 본 발명에 따른 반도체 소자는 발광영역에서 광이 출사되고, 광변조영역은 출사된 광을 전압의 변화에 따라 변조하여 광신호를 출력할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A 방향 단면도이고, 도 5는 제2-2전극의 확대도이고, 도 6은 도 3의 B-B 방향 단면도이고, 도 7은 도 4의 일부 확대도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 실시 예에 따른 반도체 소자는 제1방향으로 발광영역(P1), 절연영역(P3), 및 변조영역(P2)을 포함하는 반도체 구조물(120), 반도체 구조물(120)상에 배치되는 제1전극(130), 제2-1전극(140), 및 제3전극(141)을 포함한다.
반도체 구조물(120)은 기판(110) 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층(121), 제1 클래드층(122), 활성층(123), 제2 클래드층(124), 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 투광성, 전도성 기판 또는 절연성 기판(110)일 수 있다. 예컨대 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, 및 Ga2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 기판(110)의 상면에는 요철이 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(121)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(121)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다.
제1 클래드층(122)은 제1 도전형 반도체층(121) 상에 배치될 수 있다. 제1 클래드층(122)은 활성층(123)에 비해 굴절률이 낮을 수 있다. 따라서, 제1 클래드층(122)은 활성층(123)에서 제1 도전형 반도체층(121) 방향으로 진행하는 광을 반사하는 역할을 수행할 수 있다. 제1 클래드층(122)은 AlpGa1-pN (0<p<1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 제1 클래드층(122)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
제1 광가이드층(127a)은 제1 클래드층(122)상에 배치되어 활성층(123)에서 출사된 광을 제1방향(X축 방향)으로 도파시킬 수 있다. 제1 광가이드층(127a)은 제1 클래드층(122)보다 굴절률이 높을 수 있다. 제1 광가이드층(127a)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다 예시적으로 제1 광가이드층(127a)은 GaN 또는 Ga을 포함하는 물질일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 제1 광가이드층(127a)은 도펀트가 도핑되지 않을 수 있다.
활성층(123)은 제1 광가이드층(127a) 상에 배치될 수 있다. 활성층(123)은 제1 도전형 반도체층(121)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층(125)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다.
활성층(123)은 예로서 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 활성층(123)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 활성층(123)은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(123)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 활성층(123)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN의 페어 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 활성층(123)은 400nm 내지 450nm 파장대의 광을 생성할 수 있으나, 조성에 따라 발광파장은 조절될 수 있다.
제2 광가이드층(127b)은 활성층(123)상에서 출사된 광을 제1방향으로 도파시킬 수 있다. 제2 광가이드층(127b)은 제2 클래드층(124)보다 굴절률이 높을 수 있다. 예시적으로 제2 광가이드층(127b)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다 예시적으로 제2 광가이드층(127b)은 GaN 또는 Ga을 포함하는 물질일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 제2 광가이드층(127b)은 제1 도펀트 또는 제2 도펀트를 포함하지 않을 수 있다.
제2 클래드층(124)은 제2 광가이드층(127b) 상에 배치될 수 있다. 제2 클래드층(124)은 활성층(123)에 비해 굴절률이 낮을 수 있다. 따라서, 제2 클래드층(124)은 활성층(123)에서 제2 도전형 반도체층(125) 방향으로 진행하는 광을 반사하는 역할을 수행할 수 있다. 제2 클래드층(124)은 AlpGa1-pN (0<p<1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 제2 클래드층(124)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
제2 도전형 반도체층(125)은 제2 클래드층(124)상에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(125)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(125)은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(125)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(125)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
활성층(123)에서 생성된 광은 제1, 제2 클래드층(122, 124)에 반사되면서 제1방향(X방향)으로 진행할 수 있다. 반도체 구조물(120)은 제1 클래드층(122), 활성층(123), 제2 클래드층(124), 제2 도전형 반도체층(125)을 메사 식각하여 제2방향(Y방향)으로 상대적으로 얇게 제작할 수 있다.
반도체 구조물(120)은 소정 파장대의 광을 생성하는 발광영역(P1), 광을 선택적으로 투과 및 흡수하는 변조영역(P2), 및 발광영역(P1)과 변조영역(P2)을 구획하는 절연영역(P3)을 포함할 수 있다. 실시 예는 하나의 반도체 구조물(120)이 발광영역(P1)과 변조영역(P2)을 갖는 일체형 구조일 수 있다.
발광영역(P1)과 변조영역(P2)은 제1 도전형 반도체층(121), 제1 클래드층(122), 활성층(123)을 공유하는 반면, 제2 도전형 반도체층(125)은 절연영역(P3)에 의해 전기적으로 분리될 수 있다. 필요에 따라 제2 클래드층(124)도 전기적으로 분리될 수 있다. 그러나, 이 경우 절연영역(P3)으로 빛이 방출될 수 있다.
절연영역(P3)은 발광영역(P1)과 변조영역(P2)을 독립적으로 제어할 수 있도록 저항이 높을 수 있다. 절연영역(P3)은 리세스(H1)를 형성하거나 이온을 주입하여 형성할 수 있다. 절연영역(P3)은 발광영역(P1)에 주입된 전류가 변조영역(P2)으로 누설되는 것을 방지할 수 있다.
제1전극(130)은 제1 도전형 반도체층(121)상에 배치되어 발광영역(P1)과 변조영역(P2)에 전원을 인가할 수 있다. 즉, 제1전극(130)은 공통전극 역할을 수행할 수 있다. 제1전극(130)의 면적은 특별히 제한하지 않는다. 제1전극(130)의 면적은 가능한 크게 제작하여 제1 도전형 반도체층(121)을 덮을 수 있다.
제2-1전극(140)은 발광영역(P1)의 제2 도전형 반도체층(125b)(이하 제2-1 도전형 반도체층)상에 배치되어 발광영역(P1)에 전원을 인가할 수 있다. 발광영역(P1)의 활성층(123)은 제1전극(130)과 제2-1전극(140)을 통해 전류가 주입되면 발광할 수 있다. 생성된 광은 제1, 제2 클래드층(122, 124)에 의해 반사되어 변조영역(P2)으로 진행할 수 있다.
제2-2전극(150)은 변조영역(P2)의 제2 도전형 반도체층(125a)(이하 제2-2 도전형 반도체층)상에 배치되어 전원을 인가할 수 있다. 변조영역(P2)은 제2-2전극(150)을 통해 역바이어스가 인가되면 광을 투과하고, 역바이어스가 인가되지 않는 경우에는 광을 흡수할 수 있다.
도 3을 참조하면, 반도체 소자는 평면상 제1 내지 제4측면(S1, S2, S3, S4)을 갖는 사각 형상을 가질 수 있다. 이때, 반도체 소자는 서로 마주보는 제1측면(S1)과 제3측면(S3)의 중심을 통과하는 제1가상직선(L1)과 서로 마주보는 제2측면(S2)과 제4측면(S4)의 중심을 통과하는 제2가상직선(L2)을 가질 수 있다. 또한, 제1측면(S1)과 제2측면(S2)을 갖는 제1사분면, 제2측면(S2)과 제3측면(S3)을 갖는 제2사분면, 제3측면(S3)과 제4측면(S4)을 갖는 제3사분면, 및 제4측면(S4)과 제1측면(S1)을 갖는 제4사분면을 포함할 수 있다.
전극 구조체(130, 140, 150, 160)는 반도체 구조물(120)의 상부에 전체적으로 배치될 수 있다. 전극 구조체(130, 140, 150, 160)는 제1전극(130), 제2-1전극(140), 제2-2전극(150), 및 더미전극(160)을 포함할 수 있다.
제1전극(130)은 제2사분면과 제3사분면상에 배치될 수 있다. 제1전극(130)의 제1방향(X방향) 길이는 활성층(123)의 제1방향 전체 길이와 동일하거나 클 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 제1전극(130)의 면적은 가능한 크게 제작하여 커버 면적을 넓힐 수 있다.
제2-1전극(140)은 제4사분면상에 배치될 수 있다. 제2-1전극(140)은 발광영역(P1)의 상부와 측면을 모두 덮을 수 있는 정도의 크기를 가질 수 있다. 제2-1전극(140)은 관통홀에 의해 제2-1 도전형 반도체층(125b)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2-2전극(150)은 제1사분면 상에 배치될 수 있다. 제2-2전극(150)의 주변에는 더미전극(160)이 배치될 수 있다. 제2-2전극(150)을 넓게 배치하는 경우 기생 커패시턴스가 커져 고속 변조가 어려워질 수 있다. 따라서, 제2-2전극(150)은 면적을 작게 형성하는 것이 유리할 수 있다.
제1전극(130)과 제2-1전극(140)은 전원을 연속적으로 인가하여 연속적으로 광을 생성하므로 상대적으로 기생 커패시턴스에 영향을 받지 않는다. 따라서, 제1전극(130)과 제2-1전극(140)은 상대적으로 면적을 넓히는 것이 유리할 수 있다.
제2-1전극(140)의 면적과 제2-2전극(150)의 면적의 비는 1: 0.2 내지 1:0.8일 수 있다. 면적비가 0.2보다 작은 경우 제2-2전극(150)의 면적이 작아져 저항이 높아질 수 있으며, 면적비가 0.8보다 커지는 경우 제2-2전극(150)의 면적이 넓어져 기생 커패시턴스가 커지므로 고속 변조가 어려워질 수 있다.
실시 예에 따른 전극 구조체(130, 140, 150, 160)는 반도체 구조물(120)의 상부를 전체적으로 덮을 수 있다. 따라서, 반도체 구조물(120)의 상부로 출사되는 광을 대부분 차폐할 수 있어 빛샘 현상을 개선할 수 있다. 전극 구조체(130, 140, 150, 160)는 반도체 구조물(120)의 상부면을 90%이상 커버할 수 있다.
전극 구조체(130, 140, 150, 160)의 두께는 30㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 실시 예에 따른 전극 구조체(130, 140, 150, 160)는 Cr/Ni/Au로 구성된 멀티층을 포함할 수 있다. 전극 구조체(130, 140, 150, 160)는 Al을 포함하지 않아 입사되는 광을 흡수할 수 있다. 두께가 30㎛보다 작은 경우 반도체 구조물(120)의 상부로 출사된 광을 충분히 흡수하지 못하는 문제가 있으며, 두께가 100㎛보다 큰 경우 소자의 두께가 두꺼워지는 문제가 있다.
제1전극(130), 제2-1전극(140), 제2-2전극(150), 및 더미전극(160)은 전극층을 형성한 후 패터닝하여 제작할 수 있다. 이때, 전극들 사이의 간격은 0.1㎛ 내지 20㎛이상일 수 있다. 간격이 0.1㎛보다 작으면 전극들 간에 쇼트가 발생할 수 있으며, 간격이 20㎛보다 크면 전극의 면적이 작아져 사이로 빛이 누설될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제2-2전극(150)은 변조영역(P2)의 제2-2 도전형 반도체층(125a)상에 배치되는 컨택부(151), 외부 전원과 연결되는 패드부(153), 및 컨택부(151)와 패드부(153)를 연결하는 연결부(152)를 포함할 수 있다. 이때, 연결부(152)는 컨택부(151)과 가까워질수록 제1방향 폭이 두꺼워지는 제1구간(R1)을 가질 수 있다. 제1구간(R1)은 곡률을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 반도체 구조물(120)과 전극 구조체(130, 140, 150, 160) 사이에는 절연층(170)이 배치될 수 있다. 따라서, 제2-1전극(140), 제2-2전극(150)이 제1 도전형 반도체층(121)상에 배치되어도 전기적으로 절연될 수 있다.
제1전극(130)을 절연층(170)에 형성된 제1관통홀(131)을 통해 제1 도전형 반도체층(121)과 전기적으로 연결할 수 있고, 제2-2전극(150)은 제3관통홀(154)을 통해 변조영역(P2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도시되지는 않았으나 제2-1전극(140)은 역시 제2관통홀을 통해 발광영역(P1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제3전극(141)은 절연영역(P3)상에 배치될 수 있다. 절연영역(P3)은 발광영역(P1)과 변조영역(P2)을 구획하기 위해 리세스(H1)를 포함할 수 있다.
제2-1전극(140)은 제3전극(141)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제2-1전극(140)은 절연영역(P3)의 리세스로 연장되어 빛샘 현상을 개선할 수 있다. 전술한 바와 같이 제2-1전극(140)의 하부에는 절연층(170)이 배치되므로 제2-1전극(140)은 절연영역(P3)과 전기적으로 절연상태를 유지할 수 있다.
그러나, 실시 예는 이에 한정되지 않는다. 예시적으로 제1전극(130)이 제3전극(141)과 전기적으로 연결될 수도 있고, 제2-2전극(150)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 더미전극(160)이 제3전극(141)과 연결될 수도 있다. 즉, 제1전극(130), 제2-1전극(140), 및 제2-1전극(140), 및 더미전극(160) 중 어느 하나가 절연영역(P3)으로 연장 배치될 수 있다.
제3전극(141)은 리세스(H1)의 내부에 충진될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 예시적으로 리세스 내부에는 별도의 층(예: 이온 주입층)이 더 배치되고 제3전극(141)은 그 위에 평탄하게 배치될 수도 있다.
제3전극(141)은 제2-2 도전형 반도체층(125a)으로 연장된 연장부(142)를 더 포함할 수 있다. 연장부(142)의 제1방향(X방향) 길이는 제2-2 도전형 반도체층(125a)의 전체 길이의 1% 내지 10%일 수 있다. 길이가 1%보다 작은 경우에는 공차에 의해 일부 절연영역(P3)에는 연장부(142)가 배치되지 않아 빛샘 현상이 발생할 수 있으며, 길이가 10%보다 커지는 경우에는 제2-2전극(150)의 면적이 작아져 실질적으로 변조영역(P2)이 작아질 수 있다. 따라서, 소광비가 작아질 수 있다.
도 8a는 절연영역이 노출된 반도체 소자가 평면 사진이고, 도 8b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면 사진이다.
도 8a를 참조하면, 절연영역(P3)이 외부로 노출되는 경우 빛샘 현상이 발생하는 것을 확인할 수 있다. 그러나, 도 8b를 참조하면, 제3전극(141)의 연장부(142)가 절연영역(P3)을 커버함으로써 빛샘 현상이 개선되었음을 확인할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따르면 소광비가 개선될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고, 도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이다.
실시 예에 따른 전극 구조체(130, 140, 150, 160)는 발광소자의 특성상 상부로 발광하므로 이를 최대한 억제하기 위한 다양한 전극 디자인을 가질 수 있다. 도 9를 참조하면, 제1전극(130)은 제2-1전극(140)의 면적이 가장 넓고, 더미전극이 그 다음으로 넓게 배치될 수 있다. 제2-2전극(150)은 기생 캐패시턴스를 최소화하기 위해 면적을 작게 제어할 수 있다.
그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 도 10과 같이 제1전극(130), 제2-1 전극, 제2-2전극(150)의 면적을 유사하게 제작하고, 나머지 영역에는 더미전극(160)을 배치할 수도 있다.
Claims (15)
- 제1 도전형 반도체층, 제1 클래드층, 활성층, 제2 클래드층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 제1방향으로 배치된 발광영역, 변조영역, 및 상기 발광영역과 변조영역 사이에 배치되는 절연영역을 포함하는 반도체 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층상에 배치되는 제1전극;
상기 발광영역의 제2-1 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-1전극;
상기 변조영역의 제2-2 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-2전극; 및
상기 절연영역상에 배치되는 제3전극을 포함하고,
상기 제1방향은 상기 반도체 구조물의 두께 방향과 수직한 방향인 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 절연영역은 제2-1 도전형 반도체층과 제2-2 도전형 반도체층 사이에 배치된 리세스를 포함하는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 반도체 구조물과 전극 구조체 사이에 배치되는 절연층을 포함하고,
상기 전극 구조체는 상기 제1전극, 제2-1전극, 제2-2전극, 및 제3전극을 포함하는 반도체 소자.
- 제3항에 있어서,
상기 절연층은,
상기 제1 도전형 반도체층과 상기 반도체 구조물 사이에 배치되는 제1관통홀,
상기 제2-1 도전형 반도체층과 상기 반도체 구조물 사이에 배치되는 제2관통홀, 및
상기 제2-2 도전형 반도체층과 상기 반도체 구조물 사이에 배치되는 제3관통홀을 포함하는 반도체 소자.
- 제3항에 있어서,
상기 제2-1전극은 상기 제3전극과 전기적으로 연결되는 반도체 소자.
- 제5항에 있어서,
상기 제3전극은 상기 제2-2 도전형 반도체층의 일부를 덮는 연장부를 포함하는 반도체 소자.
- 제6항에 있어서,
상기 연장부의 제1방향 길이는 상기 제2-2 도전형 반도체층의 제1방향 최대 길이의 1% 내지 10%인 반도체 소자.
- 제4항에 있어서,
상기 전극 구조체는 상기 제1전극, 제2-1전극, 및 제2-2전극과 절연되는 더미전극을 포함하는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 제2-1전극과 제2-2전극의 면적비는 1:0.2 내지 1:0.8인 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 제2-2전극은 상기 제2-2 도전형 반도체층상에 배치되는 컨택부, 외부 전원과 연결되는 패드부, 및 상기 컨택부와 패드부를 연결하는 연결부를 포함하고,
상기 연결부는 상기 컨택부과 가까워질수록 제1방향 폭이 두꺼워지는 구간을 갖는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 제1전극, 제2-1전극, 제2-2전극, 및 제3전극의 두께는 30㎛ 내지 100㎛인 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 변조영역은 역바이어스 인가시 상기 발광영역에서 출사된 광을 투과하는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 발광영역에서 생성된 광은 400nm 내지 450nm 파장대를 갖는 반도체 소자.
- 케이스,
상기 케이스에 배치되는 반도체 소자,
상기 반도체 소자와 광섬유를 연결하는 광학적 인터페이스를 포함하고,
상기 반도체 소자는,
제1 도전형 반도체층, 제1 클래드층, 활성층, 제2 클래드층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 제1방향으로 배치된 발광영역, 변조영역, 및 상기 발광영역과 변조영역 사이에 배치되는 절연영역을 포함하는 반도체 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층상에 배치되는 제1전극;
상기 발광영역의 제2-1 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-1전극;
상기 변조영역의 제2-2 도전형 반도체층상에 배치되는 제2-2전극; 및
상기 절연영역상에 배치되는 제3전극을 포함하고,
상기 제1방향은 상기 반도체 구조물의 두께 방향과 수직한 방향인 광 모듈.
- 제14항에 따른 제1 광모듈과 제2 광모듈; 및
상기 제1 광모듈과 제2 광모듈은 광학적으로 연결하는 광섬유를 포함하고,
상기 광섬유는 플라스틱 재질을 포함하는 광통신 시스템.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160178048A KR102621843B1 (ko) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160178048A KR102621843B1 (ko) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180074199A true KR20180074199A (ko) | 2018-07-03 |
| KR102621843B1 KR102621843B1 (ko) | 2024-01-05 |
Family
ID=62917989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160178048A KR102621843B1 (ko) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102621843B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3575997A1 (en) | 2018-06-01 | 2019-12-04 | Lg Electronics Inc. | Vein biometric authentication device and method |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5952680A (en) * | 1994-10-11 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Monolithic array of light emitting diodes for the generation of light at multiple wavelengths and its use for multicolor display applications |
| JP2005129953A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 光送信モジュール及びこれを用いた波長分割多重方式の光源 |
| KR20050060305A (ko) * | 2003-12-16 | 2005-06-22 | 삼성전자주식회사 | 광검출기가 모놀리식 집적된 전계 흡수형 광변조 모듈 |
| KR20070059878A (ko) * | 2005-12-07 | 2007-06-12 | 한국전자통신연구원 | 전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법 |
| KR20080051955A (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 한국전자통신연구원 | 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR20080052233A (ko) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 한국전자통신연구원 | 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자 |
| JP2009182346A (ja) * | 2001-10-09 | 2009-08-13 | Xerox Corp | 半導体レーザ構造体 |
-
2016
- 2016-12-23 KR KR1020160178048A patent/KR102621843B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5952680A (en) * | 1994-10-11 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Monolithic array of light emitting diodes for the generation of light at multiple wavelengths and its use for multicolor display applications |
| JP2009182346A (ja) * | 2001-10-09 | 2009-08-13 | Xerox Corp | 半導体レーザ構造体 |
| JP2005129953A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 光送信モジュール及びこれを用いた波長分割多重方式の光源 |
| KR20050060305A (ko) * | 2003-12-16 | 2005-06-22 | 삼성전자주식회사 | 광검출기가 모놀리식 집적된 전계 흡수형 광변조 모듈 |
| KR20070059878A (ko) * | 2005-12-07 | 2007-06-12 | 한국전자통신연구원 | 전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법 |
| KR20080052233A (ko) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 한국전자통신연구원 | 광모드 크기 변환기가 집적된 레이저 소자 |
| KR20080051955A (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 한국전자통신연구원 | 광변조기 집적 분포궤환형 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3575997A1 (en) | 2018-06-01 | 2019-12-04 | Lg Electronics Inc. | Vein biometric authentication device and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102621843B1 (ko) | 2024-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20190165226A1 (en) | Semiconductor element package | |
| KR102007405B1 (ko) | 발광 모듈 | |
| KR20130074471A (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR102285432B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102189129B1 (ko) | 발광 소자 모듈 | |
| KR20160007854A (ko) | Led 면광원 및 그 제조방법 | |
| KR20180028331A (ko) | 전계 흡수 변조기 및 광 통신 시스템 | |
| KR102621843B1 (ko) | 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 | |
| KR20160145274A (ko) | 광 출사 유닛 및 이를 포함하는 광원 유닛 | |
| KR20120019598A (ko) | 발광 소자 | |
| KR102474695B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102464320B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20180040005A (ko) | 광변조기 및 이를 포함하는 광모듈 | |
| US10903404B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR20180085221A (ko) | 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 | |
| KR20180086840A (ko) | 반도체 소자 패키지 및 광원 모듈 | |
| KR20170133702A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102607401B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20180075324A (ko) | 반도체 소자 | |
| KR102550033B1 (ko) | 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 패키지 | |
| KR102127446B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광소자 어레이 | |
| KR20180080853A (ko) | 반도체 소자 및 이를 포함하는 광 모듈 | |
| KR20180075323A (ko) | 반도체 소자 | |
| KR20180080855A (ko) | 반도체 소자 | |
| KR20180062792A (ko) | 반도체 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |