KR20180066205A

KR20180066205A - 인듐 오버레이를 함유하는 얇은 층들의 스택의 급속 어닐링 방법

Info

Publication number: KR20180066205A
Application number: KR1020187013389A
Authority: KR
Inventors: 안토이네 디게; 니콜라스 메르카디에르; 요한 스콜스키; 매튜 오르벤; 카미유 조세프; 쌩 콤므 예미마 봉
Original assignee: 쌩-고벵 글래스 프랑스
Priority date: 2015-10-16
Filing date: 2016-10-12
Publication date: 2018-06-18
Also published as: FR3042492B1; EP3362416A1; MX2018004583A; FR3042492A1; BR112018007675A2; RU2018117903A; RU2018117903A3; AU2016338962A1; WO2017064420A1; US20180305250A1; CA2999205A1; JP2018531872A; CO2018004061A2; ZA201802154B; CN108137395A

Abstract

본 발명은 표면들 중 하나가 얇은 층들의 스택으로 코팅된 유리 시트를 포함하는 기판에, 산소(O₂)를 함유하는 대기에서, 500 내지 2000 nm의 파장을 갖는 전자기 방사선을 조사하는 것을 포함하고, 상기 전자기 방사선은 얇은 층들의 스택에 대향하여 배치된 방출 장치로부터 나오고, 상기 방출 장치와 상기 기판 간의 상대적 이동이, 상기 얇은 층들의 스택을 1초 미만, 바람직하게는 0.1초 미만의 짧은 기간 동안에 적어도 300℃의 온도로 가열하도록 이루어지는 것인 열 처리 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 오버레이라고 지칭되는, 상기 대기와 접촉하는, 스택의 마지막 층이 인듐 또는 인듐 합금의 금속 층인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 이 방법을 실시하기 위한 기판 및 이 방법에 의해 얻을 수 있는 기판에 관한 것이다.

Description

인듐 오버레이를 함유하는 얇은 층들의 스택의 급속 어닐링 방법

본 발명은 유리로 제조되거나 또는 플라스틱으로 제조된 기판 상에 피착된 무기 얇은 층 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 전자기 방사선 흡수 오버코트를 이용하여 피착 후 얇은 층들의 스택을 표면 어닐링(superficial annealing)하기 위한 급속 어닐링 방법에 관한 것이다.

얻은 품목에 특별한 특성을 제공하기 위해 많은 얇은 광물 층이 투명 기판, 특히 편평한 또는 약간 만곡된 유리로 제조된 기판 상에 피착된다: 예를 들어 주어진 파장 도메인에서의 방사선의 반사 또는 흡수의 광학적 특성, 특별한 전기 전도 특성, 또는 심지어, 세정 용이성 또는 물질의 자정 능력과 관련된 특성.

얇은 층을 특히 글레이징 기판 상에 피착하기 위해 산업적 규모로 흔히 이용되는 한 방법은 "마그네트론" 방법이라고 지칭되는 자기장 지원 음극 스퍼터링 방법이다. 이 방법에서는, 피착될 화학 원소를 포함하는 표적 부근에서 고진공 하에서 플라즈마가 생성된다. 표적에 충격을 가할 때 플라즈마의 활성 종이 상기 원소를 떼어내고, 이 원소가 기판 상에 피착되고, 이렇게 하여 요망되는 얇은 층을 생성한다. 표적으로부터 떼어낸 원소와 플라즈마에 함유된 기체 사이의 화학 반응으로부터 얻은 물질로부터 층이 생성될 때, 이 방법은 "반응성"이라고 말한다. 이 방법의 주된 이점은 기판이 다양한 표적 아래로 연속하여 진행하게 함으로써 주어진 라인 상에서 매우 복잡한 층 스택을 피착시키는 능력에 있다.

마그네트론 방법의 산업적 실시 동안에, 기판은 그대로 실온에 있거나 또는 특히 기판의 진행 속도가 높을 때는 중간 정도의 온도 증가(80℃ 미만)를 겪는데, 이것은 일반적으로 경제적 이유 때문에 바람직하다. 그러나, 언뜻 보기에는 이점인 것으로 보일 수 있는 이 중간 정도의 온도는 위에 언급된 층의 경우에는 결점인데, 그 이유는 일반적으로 낮은 피착 온도는 충분히 낮은 비저항을 얻는 것을 허용하지 않기 때문이다. 그래서, 요망되는 비저항을 얻기 위해서는 열 처리가 필요하다.

편평한 기판 상에 피착된 얇은 코팅의 급속 국소 레이저 어닐링(레이저 플래쉬 가열)을 수행하는 것이 알려져 있다. 이것을 하기 위해서는, 어닐링될 코팅을 갖는 기판을 레이저 선 아래로 진행하게 하거나, 또는 사실, 코팅을 지니는 기판 위로 레이저 선을 진행시킨다(예를 들어, WO2008/096089 및 WO2013/156721 참조).

레이저 어닐링은 얇은 코팅이 아래에 있는 기판을 보존하면서 순식간에 약 수백 도의 고온으로 가열되는 것을 허용한다.

또한, 그러한 표면 급속 어닐링 방법에서는 레이저 광원, 예컨대 레이저 다이오드를 플래쉬 램프라고도 지칭되는 강렬한 펄스형 광(intense pulsed light; IPL) 램프로 대체하는 것이 제안되었다. 따라서, 국제 특허 출원 WO2013/026817에서는, 얇은 은계 층을 피착시키는 단계, 그 다음, 상기 층의 방사율을 감소시키고 그의 전도도를 증가시킬 목적으로 상기 층을 표면 급속 어닐링하는 단계를 포함하는 저방사율 코팅을 제조하는 방법이 제안된다. 어닐링 단계에서는, 은 층으로 코팅된 기판이 층의 피착 스테이션의 하류에 있는 한 세트의 플래쉬 램프 아래로 진행하게 한다.

급속 어닐링이 효과적이기 위해서는, 어닐링될 얇은 층 또는 스택이 이용되는 전자기 방사선의 적어도 일부를 흡수해야 한다. 불충분한 흡수를 완화시키기 위해, 이용되는 방사선을 강하게 흡수하는 얇은 "잠정" 층을 어닐링될 스택 상에 피착시키는 것이 제안되었다. 얇은 흡수 층은 처리 후 예를 들어 세척에 의해 제거될 수 있거나, 또는 사실, 얇은 흡수 층은 열 처리 후 충분히 투명해지도록 선택될 수 있다.

따라서, 특히 WO2010/142926으로부터, 적외선을 효과적으로 흡수하고 대기와 접촉할 때 열 영향 하에서 TiO₂로 산화하는 Ti 금속으로 제조된 오버코트를 이용하는 것이 알려져 있다. 그러나, 이산화티타늄은 많은 결점을 갖는다: 그의 굴절률이 특히 높고(550 nm의 파장에서 약 2.6), 절연 글레이징의 저-E 스택의 마지막 층으로서 얇은 TiO₂ 층의 존재는 바람직하지 않게 글레이징의 태양 취득(g)을 감소시킬 수 있거나 또는 반대로, 증가시킬 수 있다. 게다가, 광전지 또는 전기-광학 장치의 전극으로 쓰이는 투명 전도성 산화물(TCO), 예컨대 ITO(인듐 주석 산화물) 상에 TiO₂ 층의 존재는 전기 접촉의 질을 감소시킬 수 있고, 레이저 연마(laser abrasion) 또는 화학적 에칭에 의한 TCO의 패터닝을 복잡하게 할 수 있다.

출원인에 의해 이미 이용된 또 다른 흡수 오버코트는 적외선을 강하게 흡수하고 대기와 접촉하고 온도 증가의 영향 하에서 SnZnO로 산화하는 SnZn 합금으로 제조된 얇은 층이다. 그러나, SnZn의 오버코트의 두께는 불과 수 나노미터로 제한된다. 더 큰 두께를 위해서는, 합금의 충분한 산화가 너무 긴 방사선 노출 기간 - 즉, 너무 낮은 진행 속도, 또는 지나치게 높은 레이저 전력을 요구한다. 두 경우 모두에서, 이것은 어닐링 단계와 관련된 제조 비용의 바람직하지 않은 증가를 초래한다.

본 발명은 인듐 금속 또는 인듐계 합금이 얇은 층들의 스택을 급속 어닐링하는 데 임시 오버코트로 매우 효과적으로 이용될 수 있다는 발견에 기초한다. 이 금속은 티타늄 또는 합금 SnZn보다 비싸지만, 그것들보다 더 쉽게 산화한다는 이점을 갖는다. 이러한 산화 용이성은 티타늄 또는 SnZn을 기재로 하는 공지된 오버코트의 경우보다 훨씬 더 높은 진행 속도로 표면 어닐링을 실시하는 것을 허용한다.

추가로, 인듐이 주석과 합금 형태로 이용될 때, 산화는 가장 널리 보급된 투명 전도성 산화물인 ITO를 생성한다. 따라서, ITO 층 상에 피착된 인듐-주석 합금(InSn)으로 제조된 오버코트는 산화 후에 아래에 있는 ITO 층과 혼합될 것이다. 화학적 에칭 또는 레이저에 의한 구조화에 대한 적합성이 감소되지 않는다.

게다가, 인듐 산화물의 굴절률 (1.4 내지 1.5에 포함됨) 및 ITO의 굴절률 (약 1.8)은 TiO₂의 굴절률보다 낮다. 인듐 금속을 기재로 하는 오버코트가 절연 글레이징의 저-E 스택의 흡광도를 개선하는 데 이용될 때, In₂O₃ 또는 인듐 합금의 산화물, 예컨대 ITO로 제조된 최종 층의 존재는 TiO₂ 최종 층보다 태양 취득에 대해 더 적은 부정적 영향을 가질 것이다.

본 발명의 한 대상은 면들 중 하나가 얇은 층들의 스택으로 코팅된 투명 시트, 바람직하게는 유리 시트를 포함하는 기판에, 산소(O₂)를 함유하는 대기 하에, 500 내지 2000 nm에 포함되는 파장을 갖는 전자기 방사선을 조사하는 것을 포함하고, 상기 전자기 방사선은 상기 얇은 층들의 스택에 대향 배치된 방출체 장치에 의해 방출되고, 상기 방출체 장치와 상기 기판 간의 상대적 이동이, 상기 얇은 층들의 스택을 1초 미만, 바람직하게는 0.1초 미만의 짧은 기간 동안에 적어도 300℃의 온도로 상승시키도록 이루어지는 것인 열 처리 방법으로서, 오버코트라고 지칭되는, 상기 대기와 접촉하는, 스택의 마지막 층이 인듐 또는 인듐계 합금의 층임을 특징으로 하는 열 처리 방법이다.

본 출원의 또 다른 대상은 그러한 방법의 실시를 위한 기판이다. 이 기판은 오버코트라고 지칭되는, 대기와 접촉하는 마지막 층이 인듐 또는 인듐계 합금, 바람직하게는 인듐-주석 합금(InSn)의 층인 얇은 층들의 스택으로 면들 중 하나가 코팅된 투명 시트, 바람직하게는 유리 시트를 포함한다.

마지막으로, 본 출원의 또 다른 대상은 위에서 정의되고 아래에서 더 상세히 정의되는 방법으로 얻을 수 있는 기판이다.

본 출원에서, "인듐계 합금"이라는 표현은 과반수의 인듐 원자, 즉, 합금 중의 금속 원자의 총량을 기준으로 50% 초과의 인듐 원자를 함유하는 합금을 의미하는 것으로 이해한다.

바람직하게는, 합금 중의 금속 원자의 총량을 기준으로 60% 초과, 특히 70% 초과, 심지어, 더 바람직하게는 80% 초과의 인듐 원자를 함유하는 인듐의 합금이 이용될 것이다.

인듐 또는 인듐계 합금의 오버코트는 금속 층이다. 본 출원에서, 이 용어는 모든 원자가 산화 상태 0인 층 뿐만 아니라 약간 산화된 층도 포함한다. 특히, 산소가 항상 미량으로 존재하기 때문에, 산소의 완전 부재 하에서 음극 스퍼터링에 의해 피착물을 피착시키는 것은 매우 어렵거나 또는 심지어 불가능하다. 게다가, 금속 오버코트를 피착 후 수 시간, 또는 심지어 수 일 동안 야외에 남겨둘 때, 금속 오버코트는 아마도 표면 산화 후에 외관이 점차 변한다. 마지막으로, 출원인은 피착 동안에 플라즈마 내에 도입된 소량의 산소(약 5 mol% 이하)의 존재가 오버코트의 효과성에 결코 불리한 영향을 미치지 않는다는 것을 관찰하였다.

따라서, 본 출원에서, "금속 오버코트"라는 용어는 금속 및 산소 원자의 총량을 기준으로 10% 이하의 산소 원자를 함유하는 오버코트를 포함한다.

인듐 금속 또는 인듐 합금 오버코트의 실제 두께를 나타내는 것은 불가능하다. 특히, 인듐 및 일부 인듐 합금은 상당히 낮은 용융점을 가지고, 문헌에서 특히 금 또는 은의 얇은 필름에 관해서 광범위하게 서술되는 얇은 고체 필름의 비젖음(dewetting) 효과가 아마도 일어날 것이다. 따라서, 인듐 또는 인듐계 합금의 오버코트는 균일한 두께의 연속 층이 아니라, 마이크로미터 미만 크기의 치수를 갖는 둥근 형상의 요소로 이루어진다. 열 처리 전 및 후에 오버코트에 대해 수행된 원자력 현미경검사(AFM)에 의한 분석은 이 릴리프(relief) 요소가 "슈가로프" 형상(실질적으로 포물면 형상의 피크)을 갖는다는 것을 밝혔다. 출원인은 오버코트의 표면 요소의 이 특징적 형상이 열 처리 후에 보존되고, 따라서 그것이 열 처리 전의 기판의 마커를 구성할 뿐만 아니라 본 발명에 따른 방법에 의해 얻은 기판의 마커도 구성한다는 것을 관찰하였다. 위에서 본 이 릴리프 요소의 직경은 대략 수십 나노미터이고, 일반적으로 10 내지 200 nm에 포함된다.

피착된 물질의 양이 가장 명료하게 및 가장 직접적으로 특징화되는 것을 허용하는 매개변수는 오버코트의 단위 면적 당 질량인 것으로 보인다. 이 단위 면적 당 질량이 산화 정도와 무관하기 위해서, 그것은 단위 면적 당 모든 금속 원자(인듐 및 합금화된 금속)의 질량으로 표현될 것이다. 이 단위 면적 당 질량이 원리적으로는 급속 어닐링 방법 동안에 상당히 변하지 않고, 원리적으로는 어닐링 후 최종 생성물에서 변하지 않는 것으로 발견된다.

이 단위 면적 당 질량은 전자 현미경 또는 카스테잉 마이크로프로브 마이크로분석, 예를 들어 카메카(Cameca)로부터의 "에스엑스 파이브"(SX Five) 모델 마이크로프로브(15 kV, 선 모드, 150 nA, 원소 및 선: In-Lα 및 Sn-Lα)에 의해 결정될 수 있다. 필요하다면, 이 전자 마이크로프로브 마이크로분석은 이차 이온 질량 분광법(SIMS)에 의한 분석과 조합될 수 있다.

그 다음, 이 단위 면적 당 질량은 그것을 물질의 밀도로 나눔으로써 "금속 오버코트의 등가 두께"라고 부를 수 있는 것을 계산하는 데 이용될 수 있다. 따라서, 7.31 g/㎤의 이론 밀도를 갖는 10 μg/㎠의 단위 면적 당 질량의 순수한 인듐 층은 13.7 nm의 등가 두께를 가질 것이다. 그러나, 이 등가 두께는 부분 산화 또는 완전 산화일 수 있는 가능한 산화로 인한 오버코트의 실제 두께 증가를 고려하지 않는다.

단위 면적 당 금속 원자의 질량으로 나타낸, 오버코트의 단위 면적 당 질량은 유리하게는 1 내지 30 μg/㎠, 바람직하게는 3 내지 25 μg/㎠, 특히 4 내지 15 μg/m²에 포함된다.

본 발명에 따른 열 처리는 표면 층의 산화를 초래하고, 따라서 오버코트 중의 금속 원자의 분율을 변경시킨다. 그러나, 열 처리가 오버코트의 단위 면적 당 금속 원자의 양을 변경시키지 않고, 따라서 위에 지시된 단위 면적 당 질량 범위가 본 발명에 따른 열 처리 전 및 후에 오버코트에 타당하다는 것에 주목하는 것이 중요하다.

인듐은 하나 이상의 다른 금속과 합금화될 수 있다. 금속 또는 금속들 및 합금에서 그의 원자 비율은 완전 산화 후 오버코트의 흡수가 금속 상태의 초기 합금의 흡수에 비해 무시할 수 있도록 선택되어야 한다.

그러한 합금 금속의 비제한적 예로서는 Al, Ga, Ge, Zn, Ti, Sn, Bi, Pb, Ad, Ag, Cu 및 Ni를 언급할 수 있다.

5 내지 30 원자%, 특히 8 내지 20 원자%에 포함되는 비율의 주석(Sn)이 특히 바람직하게 이용될 것이다. 아래에서 실시예에서 예시되는 한 특히 바람직한 실시양태에서는, 오버코트가 인듐-주석 합금(InSn), 특히 약 90% 인듐 원자 및 10% 주석 원자를 함유하는 합금의 층이다.

본 발명에 따른 방법은 절연 글레이징 제조용으로 의도된 유리 시트의 제조에 특히 유리하다. 이 유리 시트는 그의 표면 상에 적외선을 반사하는 적어도 하나의 금속 층, 바람직하게는 은 층을 두 개의 유전 층 사이에 포함하는 저-방사율 또는 저-E 스택이라고 지칭되는 얇은 층들의 스택을 지닌다.

그러한 저-방사율 스택은 관련 분야에 알려져 있다. 그것은 단일의 은 층 또는 복수의 은 층, 예를 들어 2개 또는 3개의 은 층을 포함할 수 있다.

단일의 은 층을 포함하는 스택을 갖는 유리 시트는 출원인에 의해 예를 들어 플래니썸® 원(Planitherm® One)이라는 상표명으로 판매된다.

일반적으로, 본 발명에 따른 급속 어닐링을 받는 얇은 층들의 스택은, 바람직하게는 대기와 접촉하는 오버코트 외에 적어도 하나의 전기 전도성 층을 포함한다. 이 전기 전도성 층은 금속 층, 예를 들어 위에서 언급한 은 층, 또는 사실, 투명 전도성 산화물 층일 수 있다.

본 발명의 방법의 한 실시양태에서는, 얇은 층들의 스택의 끝에서 두 번째 층, 즉 대기와 접촉하는 인듐계 오버코트 바로 아래에 위치하는 층이 인듐 주석 산화물(ITO) 층이다. 이 실시양태는 오버코트가 InSn 합금으로 제조될 때 특히 유리한데, 그 이유는 오버코트의 산화에 의해 생성되는 ITO 층의 두께가 아래에 있는 ITO 층의 두께에 더하고, 따라서 그의 시트 저항(R_□)을 감소시키기 때문이다.

또 다른 실시양태에서는, 얇은 층들의 스택이, 두 반사방지 코팅 사이에 배치된 금속 기능성 층, 특히 은을 기재로 하는 층을 포함하고, 각 반사방지 코팅이 적어도 하나의 유전 층을 포함한다. 인듐계 오버코트와 기능성 층 사이에 위치하는 반사방지 코팅은 바람직하게는 오버코트와 직접 접촉하는 약 10 내지 50 ㎚에 포함되는 두께의 규소 질화물의 층 및 규소 질화물의 층과 직접 접촉하는 2.3 내지 2.7에 포함되는 굴절률 및 바람직하게는 5 내지 15 nm에 포함되는 두께를 갖는 금속 산화물의 층을 포함한다.

본 발명에 따른 방법은 바람직하게는 조사에 의한 급속 열 어닐링 단계가 적어도 15%, 바람직하게는 적어도 20%의 얇은 층들의 스택의 시트 저항 및/또는 방사율 감소를 초래하도록 하는 조건 하에서 실시된다. 물론, 이 감소는 전체 스택의 전도도에 대한 산화된 오버코트의 기여로부터 초래하는 것을 포함한다.

한 바람직한 실시양태에 따르면, 전자기 방사선은 레이저 방사선, 다시 말해서 방출체 장치가 레이저, 바람직하게는 기판의 폭 전체 또는 일부, 바람직하게는 기판의 전체 폭에 동시에 조사하는 레이저 선 형태로 오버코트의 평면에 집속되는 레이저 빔을 방출하는 레이저이다.

레이저 방사선은 바람직하게는 하나 이상의 레이저원 및 형상화 및 방향변경 광학체를 포함하는 모듈에 의해 생성된다.

레이저원은 전형적으로 레이저 다이오드 또는 섬유-전달형 레이저, 특히 섬유 레이저, 다이오드-펌핑형 레이저 또는 심지어 디스크 레이저이다. 레이저 다이오드는 낮은 벌크에 비해 전기 공급 전력에 관하여 높은 전력 밀도를 경제적으로 얻는 것을 허용한다. 섬유-전달형 레이저의 벌크는 훨씬 더 작고, 얻어지는 단위 길이 당 전력은 훨씬 더 높을 수 있지만, 더 높은 비용이 든다. "섬유-전달형 레이저"라는 표현은 레이저 광의 생성 장소가 그의 전달 장소에 대해 공간적으로 멀리 떨어져 있고, 레이저 광이 적어도 하나의 광섬유에 의해 전달되는 레이저를 의미하는 것으로 이해한다. 디스크 레이저의 경우, 레이저 광은 디스크 형태를 취하는 방출 매체, 예를 들어 Yb:YAG로 제조된 얇은 디스크(약 0.1 mm 두께)가 발견되는 공명 캐비티에서 생성된다. 이와 같이 하여 생성된 광은 처리 장소 쪽으로 향해 가는 적어도 하나의 광섬유에 커플링된다. 섬유 또는 디스크 레이저는 바람직하게는 레이저 다이오드를 이용하여 광학적으로 펌핑된다.

레이저원에 의해 방출되는 방사선은 바람직하게는 연속파이다.

레이저 방사선의 파장은 바람직하게는 900 nm 내지 1100 nm, 특히 950 nm 내지 1050 nm의 범위 내에 포함된다.

디스크 레이저의 경우, 파장이 예를 들어 1030 nm(Yb:YAG 레이저의 방출 파장)이다. 섬유 레이저의 경우, 파장이 전형적으로 1070 nm이다.

섬유-전달형이 아닌 레이저의 경우, 형상화 및 방향변경 광학체가 바람직하게는 렌즈 및 거울을 포함하고, 빔의 위치설정 수단, 집속 수단 및 균일성 증가 수단으로 이용된다.

위치설정 수단의 목표는 레이저원에 의해 방출되는 방사선을 하나의 선으로 배열하는 것이다. 그것은 바람직하게는 거울을 포함한다.

균일성 증가 수단의 목표는 선을 따라서 내내 균일한 단위 길이 당 전력을 얻기 위해 레이저원의 공간 프로파일을 중첩시키는 것이다. 균일성 증가 수단은 바람직하게는 입사하는 빔이 이차 빔으로 분리되는 것을 허용하고 상기 이차 빔이 균일한 선으로 재조합되는 것을 허용하는 렌즈를 포함한다.

방사선 집속 수단은 방사선이 처리될 얇은 층들의 스택 상에, 더 특히, 흡수 오버코트 상에 요망되는 길이 및 폭의 선 형태로 집속되는 것을 허용한다. 집속 수단은 바람직하게는 집속 거울 또는 수렴 렌즈를 포함한다.

섬유-전달형 레이저의 경우, 형상화 광학체가 바람직하게는 광섬유 또는 각 광섬유의 출구에 위치하는 광학 헤드 형태로 함께 집단화된다.

상기 광학 헤드의 형상화 광학체는 바람직하게는 렌즈, 거울 및 프리즘을 포함하고, 방사선의 전환 수단, 집속 수단 및 균일성 증가 수단으로 이용된다.

전환 수단은 거울 및/또는 프리즘을 포함하고, 광섬유로부터 출력되는 원형 빔을 이방성 비원형 선-형상 빔으로 전환하는 역할을 한다. 이것을 하기 위해, 전환 수단은 빔의 질을 그의 축 중 하나(빠른 축, 또는 레이저 선의 폭 w의 축)를 따라서 증가시키고, 다른 하나(느린 축, 또는 레이저 선의 길이 L의 축)를 따라서 감소시킨다.

균일성 증가 수단은 선을 따라서 내내 균일한 단위 길이 당 전력을 얻기 위해 레이저원의 공간 프로파일을 중첩시킨다. 균일성 증가 수단은 바람직하게는 입사하는 빔이 이차 빔으로 분리되는 것을 허용하고 상기 이차 빔이 균일한 선으로 재조합되는 것을 허용하는 렌즈를 포함한다.

마지막으로, 방사선 집속 수단은 방사선이 작업 평면 상에, 즉, 처리될 얇은 층 스택의 평면에 요망되는 길이 및 폭의 선 형태로 집속되는 것을 허용한다. 집속 수단은 바람직하게는 집속 거울 또는 수렴 렌즈를 포함한다.

단일의 레이저 선이 이용될 때, 선의 길이는 유리하게는 기판의 폭과 같다. 이 길이는 전형적으로 적어도 1 m, 특히 적어도 2 m, 특히 적어도 3 m이다. 또한, 복수의 임의로 분리된 선이 이용될 수 있지만, 기판의 전체 폭을 처리하도록 배열된다. 이 경우, 각 레이저 선의 길이는 바람직하게는 적어도 10 cm, 바람직하게는 적어도 20 cm이고, 특히, 30 cm 내지 100 cm, 바람직하게는 30 cm 내지 75 cm, 특히 30 cm 내지 60 cm의 범위에 포함된다.

선의 "길이"가 의미하는 것은 얇은 층들의 스택의 표면 상에서 측정되는 선의 최대 치수이고, "폭"이 의미하는 것은 제1 방향에 수직인 제2 방향에서의 치수이다. 레이저 분야에서 통상적인 바와 같이, 선의 폭(w)은 제2 방향에서 방사선의 세기가 최대인 빔의 축과 방사선의 세기가 최대 세기의 1/e²배와 같은 지점 사이의 거리에 상응한다.

레이저 선의 평균 폭은 바람직하게는 적어도 35 ㎛이고, 특히 40 ㎛ 내지 100 ㎛, 특히 40 ㎛ 내지 70 ㎛의 범위에 포함된다. 본 명세서 전반에 걸쳐서, "평균"이라는 용어는 산술 평균을 의미하는 것으로 이해한다. 선의 전체 길이에서, 처리에서의 임의의 비균일성을 가능한 한 많이 제한하기 위해 폭 분포가 좁다. 따라서, 최대 폭과 최소 폭 사이의 차가 바람직하게는 평균 폭의 값의 10% 이하이다. 이 값은 바람직하게는 5% 이하이다.

형상화 및 방향변경 광학체, 특히 위치설정 수단은 수동으로 또는 거리별 위치가 조정되는 것을 허용하는 작동기를 이용해서 조정될 수 있다. 이 작동기(전형적으로 모터 또는 압전 작동기)는 수동으로 조절될 수 있고/있거나 자동으로 조정될 수 있다. 후자의 경우, 작동기는 바람직하게는 검출기 및 피드백 루프에 연결될 것이다.

바람직하게는, 레이저 모듈 중 적어도 일부, 심지어 레이저 모듈 전부가 그의 열 안정성을 보장하기 위해 유리하게 냉각되는, 특히 팬-냉각되는 밀봉된 인클로저 안에 배치된다.

레이저 모듈은 바람직하게는 전형적으로 알루미늄으로 제조되는 금속 요소를 기재로 하는 "브릿지"라고 지칭되는 강직성 구조물 상에 장착된다. 구조물은 바람직하게는 대리석 시트를 포함하지 않는다. 브릿지는 바람직하게는 레이저 선의 초점 평면이 처리될 기판의 표면에 그대로 평행하도록 운반 수단에 평행하게 위치한다. 바람직하게는, 브릿지는 어떤 경우이든 브릿지 및 운반 수단이 서로 평행한 것을 보장하기 위해 개별적으로 조정될 수 있는 높이를 갖는 적어도 4개의 풋(foot)을 포함한다. 조정은 각 풋에 위치하는 모터에 의해 거리 센서에 관해서 수동으로 또는 자동으로 달성될 수 있다. 브릿지의 높이는 처리될 기판의 두께를 고려하기 위해 및 따라서, 기판의 평면이 레이저 선의 초점 평면과 일치하는 것을 보장하기 위해 (수동으로 또는 자동으로) 변경될 수 있다.

레이저 선의 단위 길이 당 전력은 유리하게는 적어도 300 W/cm, 바람직하게는 적어도 400 W/cm, 특히 적어도 500 W/cm이다. 그것은 심지어 유리하게는 적어도 600 W/cm, 특히 800 W/cm, 심지어 1000 W/cm이다. 단위 길이 당 전력은 레이저 선의 초점 평면에서, 즉, 장비의 작업 평면이라고도 지칭되는 얇은 층 스택의 평면에서 측정된다.

그것은 전력 검출기, 예를 들어 열량측정 전력 계측기, 특히, 예컨대 코히런트 인크.(Coherent Inc.)에 의해 판매되는 빔 파인더(Beam Finder)(S/N 2000716) 전력 계측기를 선을 따라서 배치함으로써 측정될 수 있다. 전력은 유리하게는 레이저 선의 전체 길이에서 균일하게 분포된다. 바람직하게는, 최고 전력과 최저 전력 사이의 차는 평균 전력의 10% 미만이다.

레이저 장치에 의해 얇은 층들의 스택에 전달되는 에너지 밀도는 바람직하게는 20 J/㎠ 내지 500 J/㎠, 특히 50 J/㎠ 내지 400 J/㎠에 포함된다.

또 다른 바람직한 실시양태에 따르면, 전자기 방사선을 방출하는 장치는 아래에서 플래쉬 램프라고 지칭되는 강렬한 펄스형 광(IPL) 램프이다.

일반적으로 그러한 플래쉬 램프는 말단에 전극이 구비된 밀봉되고 영족 기체로 충전된 유리 또는 석영 튜브의 형태를 취한다. 커패시터를 방전함으로써 얻는 짧은 기간의 전기 펄스의 효과 하에서, 기체가 이온화하여 비간섭성 광의 특히 강렬한 버스트(burst)를 생성한다. 방출 스펙트럼은 일반적으로 적어도 2개의 방출 선을 포함한다: 그것은 바람직하게는 근자외선에서 방출 최대값을 갖는 연속 스펙트럼이다.

램프는 바람직하게는 크세논 램프이다. 그것은 또한 아르곤 램프, 헬륨 램프 또는 크립톤 램프일 수 있다. 방출 스펙트럼은 바람직하게는 특히 160 내지 1000 nm의 범위의 파장의 복수의 선을 포함한다.

각 광 펄스의 기간은 바람직하게는 0.05 밀리초 내지 20 밀리초, 특히 0.1 밀리초 내지 5 밀리초의 범위에 포함된다. 반복률은 바람직하게는 0.1 Hz 내지 5 Hz, 특히 0.2 Hz 내지 2 Hz의 범위에 포함된다.

방사선은 더 큰 영역을 동시에 처리하기 위해 나란히 배치된 복수의 램프, 예를 들어 5 내지 20개 램프 또는 심지어 8 내지 15개 램프에 의해 방출될 수 있다. 이 경우에, 모든 램프가 플래쉬를 동시에 방출할 수 있다.

램프는 바람직하게는 기판의 최대 변에 횡단하여 배치된다. 램프는 큰 기판이 처리되는 것을 허용하도록 바람직하게는 적어도 1 m, 특히 2 m, 심지어 3 m의 길이를 갖는다.

커패시터는 전형적으로 500 V 내지 500 kV의 전압으로 충전된다. 전류 밀도는 바람직하게는 적어도 4000 A/㎠이다. 처리되는 스택의 면적으로 나눈 플래쉬 램프에 의해 방출되는 총 에너지 밀도는 바람직하게는 1 내지 100 J/㎠, 특히 1 내지 30 J/㎠ 또는 심지어 5 내지 20 J/㎠에 포함된다.

그러한 높은 에너지 밀도 및 전력은 얇은 층 스택이 매우 급속하게 고온으로 가열되는 것을 허용한다.

본 발명에 따른 방법 동안에, 바람직하게는 스택의 각 지점이 적어도 300 ℃, 특히 350 ℃, 또는 심지어 400 ℃, 및 심지어 500 ℃ 또는 600 ℃의 온도로 상승된다. 최대 온도는 보통 문제의 스택의 지점이 방사 장치 아래로, 예를 들어 레이저 선 아래로 또는 플래쉬 램프 아래로 지나는 순간에 도달된다. 주어진 순간에, 보통은 방사 장치 아래에, 예를 들어 레이저 선 아래에 및 그의 바로 인근에 위치하는 스택의 표면의 지점들만 적어도 300 ℃의 온도이다. 레이저 선의 하류를 포함해서 2 mm 초과, 특히 5 mm 초과의 레이저 선까지의 거리에서, 스택의 온도는 보통 50 ℃ 이하, 심지어 40 ℃ 이하 또는 30 ℃ 이하이다.

스택의 각 지점은 유리하게는 0.05 밀리초 내지 10 밀리초, 특히 0.1 밀리초 내지 5 밀리초, 또는 0.1 밀리초 내지 2 밀리초의 범위에 포함되는 기간 동안에 열 처리의 최대 온도까지 상승된다. 레이저 선에 의한 처리의 경우, 이 기간은 레이저 선의 폭 및 기판과 레이저 선 간의 상대적 이동 속도 둘 모두에 의해 정해진다. 플래쉬 램프에 의한 처리의 경우, 이 기간은 플래쉬의 기간에 상응한다.

플래쉬 램프 장치는 진공 피착 시스템 내부에 또는 그의 외부에 조절된 대기에서 또는 주위 공기 중에서 설치될 수 있다.

레이저 방사선은 처리될 스택에 의해 부분적으로 반사되고, 기판을 통해 부분적으로 투과된다. 안전성 때문에, 이 반사된 및/또는 투과된 방사선의 경로에 방사선을 중단시키는 수단을 배치하는 것이 바람직하다. 그것은 전형적으로 유체, 특히 물 흐름에 의해 냉각되는 금속 자켓의 문제일 것이다. 반사되는 방사선이 레이저 모듈을 손상시키는 것을 방지하기 위해, 바람직하게는 레이저 선 또는 각 레이저 선의 전파 축은 기판에 대한 법선에 대해 0이 아닌 각도, 전형적으로 5 내지 20°에 포함되는 각도를 이룬다.

기판이 특히 병진이동으로 이동할 때, 임의의 기계적 운반 수단을 이용하여, 예를 들어 병진이동을 제공하는 벨트, 롤러 또는 트레이를 이용하여 기판을 이동하게 할 수 있다. 운반 수단은 바람직하게는 강직성 샤시 및 복수의 롤러를 포함한다. 롤러의 피치는 유리하게는 50 mm 내지 300 mm의 범위에 포함된다. 바람직하게는 롤러는 플라스틱 커버로 덮인 전형적으로 스틸로 제조된 금속 링을 포함한다. 롤러는 바람직하게는 로우-플레이(low-play) 엔드 베어링 상에 장착되고, 전형적으로 엔드 베어링 당 3개의 롤러를 갖는다. 운반 평면이 완벽하게 평탄한 것을 보장하기 위해, 유리하게 각 롤러의 위치가 조정될 수 있다. 바람직하게는 롤러는 적어도 하나의 모터에 의해 구동되는 피니언 또는 체인, 바람직하게는 접선 체인을 이용하여 이동된다.

기판과 각 방사선원 간의 상대적 이동 속도는 유리하게는 적어도 2 m/분 또는 4 m/분, 특히 5 m/분, 심지어 6 m/분 또는 7 m/분, 또는 심지어 8 m/분, 심지어 9 m/분 또는 10 m/분이다. 특정 실시양태에서, 특히, 스택에 의한 방사선 흡수가 높을 때 또는 스택이 높은 피착 속도로 피착될 수 있을 때, 기판과 방사선원 간의 상대적 이동은 적어도 12 m/분 또는 15 m/분, 특히 20 m/분 및 심지어 25 또는 30 m/분이다. 처리가 가능한 한 균일한 것을 보장하기 위해, 기판과 각 방사선원 간의 상대적 이동 속도는 처리 동안에 그의 공칭 값에 비해 10 rel% 이하, 특히 2 rel% 이하, 심지어 1 rel% 이하 변한다.

바람직하게는, 방사선원은 그대로 정지해 있고 기판이 이동하는데, 상대적 이동 속도는 기판의 진행 속도에 상응한다.

인듐 금속 또는 인듐 합금의 오버코트를 이용하는 또 다른 이점은 처리되는 기판의 우수한 광학적 균일성에 있다.

특히, 얇은 층들의 스택을 지니는 큰 기판이 그것이 레이저 선 아래로 급속하게 진행하는 동안에 처리될 때, "레잉"(raying)이라고 지칭되는 광학적 결함이 빈번히 관찰된다. 이 레잉은 처리 균일성 결함에 상응한다. 어닐링할 층을 지니는 기판이 아래로 진행하는 레이저 선이 완벽하게 규칙적이지 않을 때, 예를 들어 그의 두께 또는 그의 단위 길이 당 전력이 레이저 선을 따라서 내내 엄격하게 동일하지 않을 때, 진행 방향에 평행한 선 형태를 취하는 가시적 결함이 생성된다(종방향 레잉). 또한, 횡방향 레잉(진행 방향에 수직임)도 존재하고, 이것은 진행 속도의 불규칙성에 기인한다.

하기 실시예에서 나타내는 바와 같이, 본 발명에 따라서 어닐링되는 기판의 레잉은 Ti 금속 또는 SnZn의 흡수 오버코트의 경우에 관찰되는 것보다 덜 확연하다.

위에 지시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 대상은 본 발명에 따른 방법으로 얻을 수 있는 기판이다. 이 기판은 얇은 층들의 스택의 마지막 층으로서 인듐 산화물 또는 인듐 및 또 다른 금속의 혼합된 산화물의 층을 갖는다. 이 층은 매우 얇을 뿐만 아니라 포물면 피크("슈가로프")로부터 생성된 특징적 표면 릴리프를 갖는다.

특히, 이 표면 릴리프는 일반적으로 1 nm 미만, 또는 심지어 0.5 nm 미만의 변량(R_a)을 가지며 그러한 특징적 요소가 없는 마그네트론 음극 스퍼터링에 의해 피착된 ITO 층의 표면 릴리프와 매우 상이하다.

도 3은 열 처리 후 ITO(인듐 주석 산화물)로 제조된 산화된 오버코트의 표면의 원자력 현미경검사 사진을 보여준다. 나란히 배치된 둥근 결정립을 볼 수 있다. 도 4에 나타낸 이 표면의 조도(roughness) 프로파일은 이 결정립 각각이 실질적으로 포물면 형상을 갖는 피크에 상응한다는 것을 보여준다.

한 실시양태에서, 본 발명에 따른 방법에 의해 얻은 기판은 면들 중 하나가, 2개의 얇은 유전 층 사이에 얇은 은 층을 포함하는 얇은 층들의 스택으로 코팅되고, 대기와 접촉하는 얇은 층들의 스택의 마지막 층이 1 내지 30 μg/㎠, 바람직하게는 3 내지 25 μg/㎠에 포함되는 단위 면적 당 금속 원자의 질량으로 나타낸, 단위 면적 당 질량을 갖는 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)의 층인 비템퍼링된 유리 시트를 포함한다.

인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물 (ITO)의 층은 1 내지 5 nm에 포함되는 변량(R_a)(1 ㎛²의 면적에 대해 원자력 현미경검사(AFM)에 의해 결정됨)을 갖는 표면 릴리프를 가지고, 릴리프의 요소 대부분은 "슈가로프" 형상을 갖는다.

다음 실시예는 레이저 방사선이 티타늄 금속의 오버코트(실시예 1) 및 SnZn 금속의 오버코트(실시예 2 및 3)에 비해 인듐계 금속 오버코트에 의해 얼마나 효과적으로 흡수되는지를 보여준다.

실시예 1

약 23 nm의 두께의 얇은 ITO 필름을 세라믹 표적의 마그네트론 음극 스퍼터링에 의해 플라니룩스 유리의 2 mm 두께 시트 상에 피착시켰다.

그 다음, 두 시리즈의 이 유리 시트 샘플 상에, 다음 금속 오버코트를 각각 피착시켰다:

- 4 nm의 티타늄으로 제조된 층 (비교예) 및

- 약 5 nm의 등가 두께를 갖는 (90/10) InSn 층 (본 발명에 따른 실시예).

열 처리 전에, 두 시리즈의 샘플은 약 400 Ω/□의 시트 저항 (R_□) 및 약 20%의 흡광도를 가졌다.

두 시리즈의 샘플을 어닐링될 코팅 상에 집속되는 선 형태로 레이저 방사선을 방출하는 다이오드-펌핑형 레이저에 의해 레이저 어닐링시켰다:

- 방사선의 파장: 915 + 980 nm

- 단위 길이 당 전력: 49 W/mm

- 초점 평면에서 선의 폭: 45 ㎛

- 선의 길이: 30 cm

샘플을 다양한 속도로 이 레이저 장치 아래로 진행시키고, 그 다음에 가시광 흡광도 및 R_□ 값의 감소를 초기 값에 대한 %로 측정하였다.

하기 표 1에 결과를 수집하여 분석하였다

<표 1>

본 발명에 따른 InSn 오버코트로 얻은 전도도 증가가 선행 기술에 따른 티타늄으로 제조된 오버코트로 얻은 전도도 증가보다 크다는 것을 알게 될 것이다. 따라서, 본 발명에 따른 샘플의 경우에 6 m/분의 속도에서 얻은 전도도 증가(65%)가 단지 티타늄 오버코트를 갖는 샘플의 경우에 3 m/분의 속도에서 얻은 전도도 증가(62%)보다 높았다.

이 결과는 TiO₂로 산화하는 티타늄으로 제조된 오버코트가 산화 후 ITO를 제공하는 InSn으로 제조된 오버코트에 의해 유리하게 대체될 수 있다는 것을 보여준다.

따라서, 본 발명에 따른 샘플은 단일의 ITO 층을 가지고, 유리하게, 글레이징의 태양 취득을 불리하게 변경시키기 쉬운 고굴절률 TiO₂로 제조된 오버코트가 없다.

실시예 2

모든 시험은 면들 중 하나가, 다음 층으로 연속으로 구성된 저-E 스택을 지니는 플래니클리어(Planiclear)® 유리 시트에 의해 생성된 글레이징에 대해 수행하였다:

Si₃N₄ (30 nm)

TiO₂ (12 nm)

ZnO (4 nm)

Ti (0.4 nm)

Ag (13.5 nm)

ZnO (4 nm)

TiO₂ (24 nm)

플래니클리어 (4 mm)

레이저 처리 전에 마그네트론 스퍼터링에 의해 피착된 흡수 오버코트가 상이한 4개 샘플을 제조하였다.

샘플 1 (비교예): 2 nm의 TiO₂

샘플 2 (비교예): 3 nm Sn_xZn_(1-x) (x = 0.35)

샘플 3 (본 발명에 따름): 2.8 nm InSn

샘플 4 (본 발명에 따름): 8.4 nm InSn

4개 샘플을 25 W/mm의 단위 길이 당 전력의 레이저 선(파장 915 nm 및 980 nm; 초점 평면에서 선의 폭 45 ㎛, 선의 길이 30 cm)으로 열 처리하였다. 하기 표 2는 기판의 진행 속도, 레이저 처리 전 및 후의 가시광 흡수 및 레이저 처리 전 및 후의 시트 저항을 나타낸다.

<표 2>

4개 샘플은 열 처리 후 대략 동등한 흡수 및 시트 저항 값을 갖는 것으로 관찰될 것이다. 그러나, InSn으로 제조된 8.4 nm 흡수 층을 지니는 샘플 4의 경우, 이 결과는 선행 기술(샘플 2)의 SnZn의 흡수 층에 이용된 것보다 3배 높은 처리 속도로 얻을 수 있었다.

게다가, 표의 마지막 란에서 본 발명에 따라서 처리된 샘플의 "레잉"이 비교 샘플들의 레잉보다 상당히 덜 가시적이라는 것을 분명히 알 수 있다.

레잉의 가시도는 작업자에 의해 육안으로 다음 채점표에 따라서 평가된다;

- 등급 1은 비균일성이 눈으로 인지할 수 없을 때를 말하고,

- 등급 2는 샘플의 특정 구역에 제한된 국지화된 비균일성이 밝은 확산 조명(> 800 lux) 하에서 눈으로 인지할 수 있을 때를 말하고,

- 등급 3은 샘플의 특정 구역에 제한된 국지화된 비균일성이 표준 조명(< 500 lux) 하에서 눈으로 인지할 수 있을 때를 말하고,

- 등급 4는 샘플의 모든 표면에서 연장되는 비균일성이 표준 조명(< 500 lux) 하에서 눈으로 인지할 수 있을 때를 말한다.

실시예 3

이용되는 흡수 오버코트가 상이한 두 시리즈의 플래니썸(Planitherm) 유형 샘플을 제조하였다:

시리즈 1 (본 발명에 따름): InSn 8.4 nm

시리즈 2 (비교예): SnZn 5 nm

레이저 처리 전의 두 시리즈의 샘플의 광 흡수는 약 35%이다.

각 시리즈의 샘플을 실시예 2에서와 동일한 특징을 갖는 레이저 선 아래에서 다양한 진행 속도로 열 처리하였다.

도 1은 기판의 진행 속도의 함수로서 레이저 처리 후 샘플의 가시광 흡수(%)의 변화를 나타낸다.

낮은 진행 속도(10 m/분 미만)에서, 두 시리즈의 샘플의 광 흡수는 대략 동등하다(약 5 - 10%)는 것을 알 것이다. 진행 속도가 증가함에 따라, 두 시리즈 사이의 흡수차가 두드러졌다: 본 발명에 따른 샘플은 심지어 높은 진행 속도 (30 m/분)에서도 상대적으로 낮은 흡수(10% 미만)을 보존하는 반면, SnZn 오버코트를 이용하는 샘플의 경우에는 진행 속도에 따라 흡수가 크게 증가한다.

도 2는 기판의 진행 속도의 함수로서 열 처리 후의 전도도 증가의 변화를 보여준다. 전도도 증가는 R_□처음(열 처리 전)과 R_□최종(열 처리 후)의 차를 R_□ _처음로 나눈 것으로 정의된다.

증가 (%) = (R_□처음- R_□최종)/R_□처음

약 15 m/분 이하의 낮은 진행 속도에서는, 두 시리즈의 샘플의 경우에 전도도 증가가 약 20%로 대략 동등하다는 것을 알 것이다. 반대로, 30 m/분의 진행 속도에서는, 본 발명에 따른 InSn 오버코트를 지니는 샘플의 열 처리 후의 전도도 증가가 비교 SnZn 오버코트를 지니는 샘플보다 2배 더 컸다.

Claims

면들 중 하나가 얇은 층들의 스택으로 코팅된 투명 시트, 바람직하게는 유리 시트를 포함하는 기판에, 산소(O₂)를 함유하는 대기 하에, 500 내지 2000 nm에 포함되는 파장을 갖는 전자기 방사선을 조사하는 것을 포함하고, 상기 전자기 방사선은 상기 얇은 층들의 스택에 대향 배치된 방출체 장치에 의해 방출되고, 상기 방출체 장치와 상기 기판 간의 상대적 이동이, 상기 얇은 층들의 스택을 1초 미만, 바람직하게는 0.1초 미만의 짧은 기간 동안에 적어도 300℃의 온도로 상승시키도록 이루어지는 것인 열 처리 방법이며,
오버코트라고 지칭되는, 상기 대기와 접촉하는, 스택의 마지막 층이 인듐 또는 인듐계 합금의 금속 층인 것을 특징으로 하는 열 처리 방법.
제1항에 있어서, 단위 면적 당 금속 원자의 질량으로 나타낸, 오버코트의 단위 면적 당 질량이 1 내지 30 μg/㎠, 바람직하게는 3 내지 25 μg/㎠에 포함되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 오버코트가, 합금 중의 금속 원자의 총량을 기준으로 70% 초과의 인듐 원자, 바람직하게는 80% 초과의 인듐 원자를 함유하는 인듐계 합금의 층인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 오버코트가 인듐-주석 합금 (InSn), 특히 약 90% 인듐 원자 및 10% 주석 원자를 함유하는 합금의 층인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 층들의 스택이, 상기 대기와 접촉하는 오버코트 외에 적어도 하나의 전기 전도성 층을 포함하고, 이 전기 전도성 층은 금속 층 또는 투명 전도성 산화물의 층인 것을 특징으로 하는 방법.
제5항에 있어서, 얇은 층들의 스택이, 적외선을 반사하는 적어도 하나의 금속 층, 바람직하게는 은 층을 두 개의 유전 층 사이에 포함하는 저-방사율 스택인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 얇은 층들의 스택의 끝에서 두 번째 층, 즉, 상기 대기와 접촉하는 오버코트 바로 아래에 위치하는 층이 인듐 주석 산화물(ITO)의 층인 것을 특징으로 하는 방법.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 열 처리가, 얇은 층들의 스택의 시트 저항 및/또는 방사율을 적어도 15% 감소, 바람직하게는 적어도 20% 감소시키는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 전자기 방사선이 레이저 방사선인 것을 특징으로 하는 방법.
제9항에 있어서, 레이저 방사선의 파장이 900 내지 1100 nm, 바람직하게는 950 내지 1050 nm에 포함되는 것을 특징으로 하는 방법.
제10항에 있어서, 레이저 방사선이, 기판의 폭 전체 또는 일부, 바람직하게는 기판의 폭 전체에 동시에 조사하는 레이저 선 형태로 오버코트의 평면 상에 집속되는 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 전자기 방사선을 방출하는 장치가 플래쉬 램프인 것을 특징으로 하는 방법.
면들 중 하나가 얇은 층들의 스택으로 코팅된 투명 시트, 바람직하게는 유리 시트를 포함하는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 청구된 방법을 실시하기 위한 기판이며, 오버코트라고 지칭되는, 대기와 접촉하는, 스택의 마지막 층이 인듐 또는 인듐계 합금, 바람직하게는 인듐-주석 합금(InSn)의 층인 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 청구된 방법을 실시하기 위한 기판.
면들 중 하나가, 두 개의 얇은 유전 층 사이에 얇은 은 층을 포함하는 얇은 층들의 스택으로 코팅된 비템퍼링된 유리 시트를 포함하는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 청구된 방법으로 얻을 수 있는 기판이며, 대기와 접촉하는, 얇은 층들의 스택의 마지막 층이 1 내지 30 μg/㎠, 바람직하게는 3 내지 25 μg/㎠에 포함되는, 단위 면적 당 금속 원자의 질량으로 나타낸, 단위 면적 당 질량을 갖는 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)의 층인 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 청구된 방법으로 얻을 수 있는 기판.
제14항에 있어서, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)의 층이, 원자력 현미경검사(AFM)에 의해 결정시, 1 내지 5 nm에 포함되는 변량(R_a)을 갖는 표면 릴리프를 가지며, 릴리프 요소의 대부분이 포물면 피크 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판.