KR20180059801A

KR20180059801A - Film for forming a protective film

Info

Publication number: KR20180059801A
Application number: KR1020187008992A
Authority: KR
Inventors: 유타카 니타; 가즈야 사토
Original assignee: 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤
Priority date: 2015-09-29
Filing date: 2016-09-15
Publication date: 2018-06-05
Also published as: KR102053554B1; TW201729320A; JP2017168856A; WO2017057009A1; JP6142101B1; JPWO2017057009A1; TWI689024B; JP6666875B2

Abstract

표면 보호 필름을 박리하는 공정을 거쳐 칩을 픽업한 경우라도, 표면 보호 필름의 종류에 구애되지 않고, 반도체 칩이 정전 파괴되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 품질 신뢰성이 높은 반도체 칩을 얻을 수 있는 보호막 형성용 필름을 제공한다. 본 발명의 보호막 형성용 필름은, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 이면에 설치되는 보호막을 형성하기 위한 필름으로서, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 필름의, 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율이 하기 식 (1): |ε_S-ε_F|≤9 (1)(식 중, ε_S는 측정 주파수 10Hz에 있어서의 반도체 웨이퍼의 비유전율을 나타내고, ε_F는 측정 주파수 10Hz에 있어서의 보호막 형성용 필름의 비유전율을 나타냄)을 만족하는 것을 특징으로 한다.Even when the chip is picked up through the step of peeling the surface protective film, it is possible to suppress the electrostatic breakdown of the semiconductor chip without depending on the kind of the surface protective film, and as a result, A film for forming a protective film is provided. A protective film for forming a protective film according to the present invention is a film for forming a protective film provided on a back surface of a circuit formation surface of a semiconductor wafer, wherein the relative dielectric constant of the semiconductor wafer and the film at a measurement frequency of 10 Hz satisfies the following formula (1) : 竜_S - 竜_F 9 9 wherein 竜_S represents a relative dielectric constant of a semiconductor wafer at a measurement frequency of 10 Hz, 竜_F represents a relative dielectric constant of a protective film for a measurement frequency of 10 Hz ). &Lt; / RTI >

Description

Film for forming a protective film

본 발명은 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 이면에 설치되는 보호막을 형성하기 위한 필름에 관한 것이며, 특히 소위 페이스 다운 방식으로 실장되는 반도체 칩의 제조에 사용되는 보호막 형성용 필름에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film for forming a protective film provided on the back surface of a circuit formation surface of a semiconductor wafer, and more particularly to a protective film forming film used for manufacturing a semiconductor chip mounted in a so-

근년, 소위 페이스 다운(face down) 방식이라고 불리는 실장법을 사용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩(이하, 간단히 「칩」이라고도 함)이 사용되고, 해당 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 칩의 회로면과는 반대측의 면(칩 이면)은 노출되는 경우가 있다.In recent years, a semiconductor device using a mounting method called a face down method has been manufactured. In the face-down method, a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a " chip ") having electrodes such as bumps is used on a circuit surface, and the electrode is bonded to the substrate. For this reason, the surface (the back surface of the chip) opposite to the circuit surface of the chip may be exposed.

이 노출된 칩 이면은, 유기막에 의해 보호되는 경우가 있다. 종래, 이 유기막을 포함하는 보호막을 갖는 칩은, 액상의 수지를 스핀 코팅법에 의해 웨이퍼 이면에 도포하고, 건조하고, 경화하여 웨이퍼와 함께 보호막을 절단하여 얻어지고 있었다. 그러나, 이와 같이 하여 형성되는 보호막의 두께 정밀도는 충분하지 않기 때문에, 제품의 수율이 저하되는 경우가 있었다.The back surface of the exposed chip may be protected by the organic film. Conventionally, a chip having a protective film containing this organic film has been obtained by applying a liquid resin on the back surface of a wafer by a spin coating method, drying and curing it, and cutting the protective film together with the wafer. However, since the thickness precision of the protective film thus formed is not sufficient, the yield of the product may be lowered.

열 또는 에너지선 경화성 성분을 포함하는 경화성 보호막 형성층을 갖는 칩용 보호막 형성용 필름이 개시되어 있다(특허문헌 1). 또한, 이측 보호 필름으로 보호한 칩을 다이싱 테이프로부터 픽업하면 정전 파괴가 발생하여, 수율이 저하되는 과제가 있고, 이측 보호 필름을 대전 방지 처리하는 방법이 개시되어 있다(특허문헌 2 및 3 등).Discloses a protective film forming film for chips having a curable protective film forming layer containing a heat or energy ray curable component (Patent Document 1). In addition, there is a problem that when the chip protected by the side protective film is picked up from the dicing tape, electrostatic breakdown occurs and the yield is lowered, and a method of antistatic treatment of the side protective film is disclosed (see Patent Documents 2 and 3 ).

일본 특허 공개 제2004-214288호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-214288 일본 특허 공개 제2014-133858호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-133858 일본 특허 공개 제2014-135469호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-135469

그런데, 페이스 다운 방식에 의한 칩의 실장에 있어서는, 다이싱 공정 전에 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 이측을 연마하여 박판화하는 일이 행해지는 경우가 있으며, 이 경우, 연마 공정 전에 회로 형성면을 보호하기 위해 일시적으로 표면 보호 필름(백그라운드 필름이라고도 함)을 웨이퍼의 회로 형성면에 설치하고, 다이싱 시에 표면 보호 필름을 박리하는 일이 행해지고 있다. 사용하는 표면 보호 필름의 종류에 따라서는, 후속 공정에서 박리할 때 반도체 웨이퍼가 대전되고, 다이싱 후의 칩의 픽업에 의해 더 대전되어, 칩이 정전 파괴될 우려가 있음을 알 수 있었다.However, in mounting the chip by the face down method, the side of the circuit formation surface of the semiconductor wafer may be polished and thinned before the dicing step. In this case, before the polishing step, A surface protective film (also referred to as a background film) is temporarily provided on the circuit formation surface of the wafer, and the surface protection film is peeled off at the time of dicing. Depending on the kind of the surface protective film to be used, it was found that the semiconductor wafer was charged at the time of peeling in the subsequent process, further charged by picking up the chip after dicing, and the chip might be electrostatically broken.

따라서, 본 발명의 목적은, 페이스 다운 방식에 의한 반도체 칩의 실장에 있어서, 표면 보호 필름을 박리하는 공정을 거쳐 칩을 픽업한 경우라도, 반도체 칩이 정전 파괴되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 품질 신뢰성이 높은 반도체 칩을 얻을 수 있는 보호막 형성용 필름을 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a semiconductor device which can suppress the electrostatic breakdown of the semiconductor chip even when the chip is picked up through the step of peeling the surface protective film in the mounting of the semiconductor chip by the face down method, And a film for forming a protective film which can obtain a semiconductor chip having high quality reliability.

본 발명자들은 예의 검토한 결과, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율을, 반도체 웨이퍼의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율과 소정의 범위 내로 하면, 표면 보호 필름을 박리하는 공정을 거쳐 칩을 픽업한 경우라도, 칩이 정전 파괴되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 칩의 품질 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 지견을 얻었다. 본 발명에 따르면, 이하의 보호막 형성용 필름이 제공된다.As a result of intensive investigations, the present inventors have found that if the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the protective film forming film is within a predetermined range from the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the semiconductor wafer, It is possible to suppress the electrostatic breakdown of the chip even when the chip is picked up, and as a result, the quality reliability of the chip can be improved. According to the present invention, the following film for forming a protective film is provided.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 이면에 설치되는 보호막을 형성하기 위한 필름으로서,The protective film forming film according to the present invention is a film for forming a protective film provided on the back surface of a circuit formation surface of a semiconductor wafer,

상기 반도체 웨이퍼 및 상기 필름의, 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율이 하기 식 (1):Wherein the relative dielectric constant of the semiconductor wafer and the film at a measurement frequency of 10 Hz satisfies the following formula (1):

|ε_S-ε_F|≤9 (1)|? _S- ? _F |? 9 (1)

(식 중, ε_S는 측정 주파수 10Hz에 있어서의 반도체 웨이퍼의 비유전율을 나타내고, ε_F는 측정 주파수 10Hz에 있어서의 보호막 형성용 필름의 비유전율을 나타냄)(Wherein,? _S represents a relative dielectric constant of the semiconductor wafer at a measurement frequency of 10 Hz, and? _F represents a relative dielectric constant of the protective film forming film at a measurement frequency of 10 Hz)

을 만족하는 것을 특징으로 하는 것이다.Is satisfied.

본 발명의 형태에 있어서는, 상기 반도체 웨이퍼가 실리콘 웨이퍼여도 된다.In the aspect of the present invention, the semiconductor wafer may be a silicon wafer.

본 발명의 형태에 있어서는, 상기 보호막 형성용 필름이, 상기 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 이면에 직접 접촉하여 설치되는 것이어도 된다.In the aspect of the present invention, the protective film forming film may be provided in direct contact with the back surface of the circuit formation surface of the semiconductor wafer.

본 발명의 형태에 있어서는, 상기 보호막 형성용 필름이, 박리 가능한 지지체를 더 구비하고 있어도 된다.In the aspect of the present invention, the protective film forming film may further comprise a peelable support.

본 발명에 따르면, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율을, 반도체 웨이퍼의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율과 소정의 범위 내로 함으로써, 표면 보호 필름을 박리하는 공정을 거쳐 칩을 픽업한 경우라도, 표면 보호 필름의 종류에 구애되지 않고, 반도체 칩이 정전 파괴되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 품질 신뢰성이 높은 반도체 칩을 얻을 수 있다.According to the present invention, by making the relative dielectric constant of the protective film forming film at a measurement frequency of 10 Hz fall within a predetermined range from the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the semiconductor wafer, the surface protective film is peeled, It is possible to suppress the electrostatic breakdown of the semiconductor chip without depending on the kind of the surface protective film. As a result, a semiconductor chip with high quality reliability can be obtained.

[보호막 형성용 필름][Film for forming a protective film]

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름에 대하여 설명한다. 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 이면에 설치되는 보호막을 형성하기 위한 필름으로서, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 필름의, 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율이 하기 식 (1):The protective film forming film according to the present invention will be described. A protective film for forming a protective film according to the present invention is a film for forming a protective film provided on the back surface of a circuit forming surface of a semiconductor wafer, wherein the relative dielectric constant of the semiconductor wafer and the film at a measurement frequency of 10 Hz satisfies the following formula ):

|ε_S-ε_F|≤9 (1)|? _S- ? _F |? 9 (1)

을 만족하는 것을 특징으로 하는 것이다. 다이싱을 행한 후에 반도체 칩을 픽업할 때 발생하는 정전기에 의한 칩의 정전 파괴를 방지하기 위해, 이제까지도, 특허문헌 2 및 3 등에 제안되어 있는 바와 같이 다이싱 테이프와 반도체 칩의 사이에, 양이온형 대전 방지제나 도전성 물질을 포함하는 점착제층을 형성하는 일이 행해지고 있었다. 그러나, 상기한 바와 같이 반도체 칩의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 연마 공정 전에 회로 형성면에 설치한 표면 보호 필름을 박리하고 나서 다이싱 공정이 행해지지만, 그 표면 보호 필름을 박리할 때의 영향에 대해서는, 이제까지 고려되어 있지 않았다. 그래서, 본 발명에 있어서는, 표면 보호 테이프 박리 전에 설치되는 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 이면의 보호막을 소정의 비유전율을 갖는 재료로 형성함으로써, 표면 보호 필름을 박리하는 공정을 거쳐 칩을 픽업한 경우라도, 표면 보호 필름의 종류에 구애되지 않고, 반도체 칩이 정전 파괴되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 품질 신뢰성이 높은 반도체 칩을 얻을 수 있는 것이다.Is satisfied. In order to prevent the electrostatic breakdown of the chip due to the static electricity generated when the semiconductor chip is picked up after the dicing, as described in Patent Documents 2 and 3 and so on, An antistatic agent or a conductive material is formed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. However, in the production of the semiconductor chip as described above, the dicing process is performed after the surface protective film provided on the circuit formation surface is peeled off prior to the polishing process of the semiconductor wafer. However, It has not been considered so far. Therefore, in the present invention, when the protective film on the back surface of the circuit formation surface of the semiconductor wafer to be provided before peeling the surface protective tape is formed of a material having a predetermined relative dielectric constant, the chip is picked up through the step of peeling the surface protective film , It is possible to suppress the electrostatic breakdown of the semiconductor chip without depending on the kind of the surface protective film, and as a result, a semiconductor chip with high quality reliability can be obtained.

본 발명에 있어서는, 박리할 때 발생하는 정전기가, 일반적으로 측정 대상물의 계면 분극이 반영되는 주파수 10Hz 정도의 저주파수 영역에서의, 반도체 웨이퍼 및 보호막 형성용 필름의 비유전율차와 관계가 있음을 발견한 것이며, 양자가 상기 식 (1)의 관계를 만족하는 보호막 형성용 필름으로 함으로써, 표면 보호 필름의 종류에 구애되지 않고, 반도체 칩이 정전 파괴되는 것을 억제할 수 있다. 여기서, 본 명세서에 있어서 「비유전율」이란, 측정 대상물의 편면에 도너츠상 가드 전극을 외주에 갖는 38mmφ의 은 페이스트 전극을 형성하고, 반대면에는 전면의 전극과 대향하는 위치에, 보다 면적이 큰 전극을 형성하고, 측정 환경 23℃, 50％ RH에 시료를 하루 방치한 후, LCR 미터(예를 들어, 히오키 덴키제 LCR 미터 IM3536)를 사용하여 시험 전압(신호 전압) 0.5V, 측정 주파수 10Hz에서, 비유전율을 256회 연속해서 측정하고, 그 평균한 값을 의미하는 것으로 한다. 측정 주파수 10Hz에서의 비유전율을 보다 정확하게 측정하기 위해, 시료를 콘덴서 형상으로 형성하여 측정하는 평행 평판법에 의해 행하는 것이 바람직하다.In the present invention, it has been found that the static electricity generated at the time of peeling is related to the difference in relative dielectric constant of the semiconductor wafer and the protective film forming film in the low-frequency region of about 10 Hz at which the interface polarization of the measurement object is reflected , And it is possible to suppress the electrostatic breakdown of the semiconductor chip regardless of the kind of the surface protective film by making the film for forming a protective film satisfying the relationship of the above formula (1). Here, in the present specification, the term "specific dielectric constant" means that a silver paste electrode of 38 mmφ having a donut-shaped guard electrode on the outer periphery is formed on one side of the measurement object, and on the opposite side, (Signal voltage) of 0.5 V and a measurement frequency of 0.5 V were measured using an LCR meter (for example, LCR meter IM3536 manufactured by Hioki Denki Co., Ltd.) The relative dielectric constant is measured 256 times continuously at 10 Hz, and this value is taken as an average value. In order to more accurately measure the relative dielectric constant at the measurement frequency of 10 Hz, it is preferable to perform the parallel plate method in which the sample is formed into a capacitor shape and measured.

상기한 계면 분극은, 유전체가 복수의 상이한 성분을 포함하는 불균일 분산체인 경우, 그 불균일 부분의 계면(즉, 이종 물질의 경계면)에 전하가 축적되는 현상이며, 특히 1×10⁴Hz 이하의 저주파수 영역에서 관측되는 현상이다. 또한, 비유전율이란, 매질의 유전율(ε)과 진공의 유전율(ε₀)의 비(ε_r)이며, 매질의 유전율(ε)은, 매질의 유전 분극의 방법에 의해 정해지는 매질 고유의 물성값이지만, 비유전율은 매질에 따라서는 측정 주파수에 의존하는 경우가 있다. 이러한 저주파수 영역에서의 보호막 형성용 필름의 비유전율을, 반도체 웨이퍼의 비유전율에 접근시킴으로써, 반도체 웨이퍼로부터 보호막 형성용 필름을 박리할 때 발생하는 정전기(박리 내전압)를 저감할 수 있는 것은, 예상 외의 일이었다.Above the interface polarization, if non-uniform distribution chain to the dielectric comprises a plurality of different components, and the phenomenon that the electrical charge on the surface of the uneven portion (i.e., the boundary surface of the heterogeneous material) accumulates, in particular 1 × 10 low frequency of less than ⁴ Hz Is a phenomenon observed in the region. The relative permittivity is a ratio (ε _r ) of a dielectric constant (ε) of a medium to a dielectric constant (∈ ₀ ) of a vacuum, and a dielectric constant (ε) of a medium is a specific property of a medium determined by a dielectric polarization method , But the relative dielectric constant may depend on the measurement frequency depending on the medium. The reason why the static electricity (peeling withstand voltage) generated when the protective film forming film is peeled off from the semiconductor wafer by approaching the relative dielectric constant of the protective film forming film in the low frequency region to the relative dielectric constant of the semiconductor wafer is that, It was.

본 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼 및 보호막 형성용 필름의, 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율의 차의 절댓값이 9를 초과하면, 반도체 칩을 픽업할 때 등에 발생하는 정전기에 의해 반도체 칩이 정전 파괴되어 버리는 것을 유효하게 방지할 수 없다. 바람직한 비유전율차의 절댓값은 8.9 이하이며, 보다 바람직하게는 8.8 이하, 더욱 바람직하게는 8.7이다.In the present invention, when the absolute value of the difference in the relative dielectric constant at the measurement frequency of 10 Hz of the semiconductor wafer and the protective film forming film exceeds 9, the semiconductor chip is electrostatically broken by the static electricity generated when picking up the semiconductor chip It is impossible to effectively prevent the discarding. The absolute value of the relative dielectric constant difference is preferably 8.9 or less, more preferably 8.8 or less, and further preferably 8.7.

보호막 형성용 필름을 사용하는 반도체 웨이퍼로서는, 특별히 제한되는 것은 아니며, 반도체 재료로서 공지의 웨이퍼를 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, GaAs 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaN 웨이퍼 등의 다양한 반도체 웨이퍼를 들 수 있지만, 범용성이 높은 실리콘 웨이퍼인 것이 바람직하다.A semiconductor wafer using a film for forming a protective film is not particularly limited, and a known wafer can be used as a semiconductor material. For example, various semiconductor wafers such as silicon wafers, GaAs wafers, SiC wafers, GaN wafers and the like can be mentioned, but silicon wafers having high versatility are preferable.

이하, 상기한 식 (1)을 만족하는 보호막 형성용 필름을 구성하는 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다. 반도체 칩의 보호막 형성용 필름에 요구되는 특성으로서, 적어도 (i) 필름(내지 시트) 형상을 유지할 수 있는 것, (ii) 초기 점착성이 있고, 연마된 반도체 이면에 밀착시킬 수 있는 것, 또한 (iii) 보호막 형성용 필름을 반도체 칩 이면에 밀착시킨 후에 경화하여 보호막을 형성할 수 있는 것이 요구된다. 이들 요구를 만족시키기 위해, 보호막 형성용 필름을 구성하는 성분으로서는, 필름성 부여 중합체 성분 또는 반응성의 필름 부여성 중합체 성분, 경화성 성분, 경화 촉진 성분, 무기 필러 성분, 착색제 성분, 커플링제 성분 등을 들 수 있지만, 이들 성분에 한정되는 것은 아니며, 반도체 칩 용도에 따라 적절히 성분을 보충하거나 할 수 있다.Hereinafter, each component constituting the protective film forming film satisfying the above formula (1) will be described in detail. (I) a film (or a sheet) shape can be maintained, (ii) a film which has initial tackiness and can be brought into close contact with the back surface of a polished semiconductor, and iii) It is required that the film for forming a protective film is adhered to the back surface of a semiconductor chip and then cured to form a protective film. In order to satisfy these requirements, the components constituting the film for forming a protective film are preferably a film-imparting polymer component or a reactive film-like female polymer component, a curing component, a curing accelerating component, an inorganic filler component, a colorant component, However, the present invention is not limited to these components, and components can be appropriately supplemented depending on the use of the semiconductor chip.

한편, 반도체 웨이퍼 및 보호막 형성용 필름의, 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율의 차의 절댓값을 9 이하로 하기 위해, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율(ε_F)을 조정할 필요가 있다. 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율(ε_F)은, 후기하는 각 성분의 종류나 배합량을 적절히 조정함으로써, 원하는 범위로 할 수 있다. 예를 들어, 후기하는 중합체 성분이나 경화성 성분 등과 같은 유기 재료 성분의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율(ε_M)이, 반도체 웨이퍼의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율(ε_S)보다 상당히 작은 값이며, |ε_S-ε_M|>9가 되어 버리는 경우라도, 무기 필러 등의 유기 재료 성분에는 용해되지 않는 성분의 종류나 형상, 사이즈, 그의 배합량 등을 조정함으로써, 반도체 웨이퍼 및 보호막 형성용 필름의, 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율의 차의 절댓값(|ε_S-ε_F|)을 9 이하로 할 수 있다. 또한, 유기 재료 성분의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율(ε_M), 및 유기 재료 성분에는 용해되지 않는 성분의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율(ε_I) 모두가, |ε_S-ε_M|≤9 및 |ε_S-ε_I|≤9를 만족하는 재료 선택을 행함으로써, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율(ε_F)을, |ε_S-ε_F|≤9를 만족하도록 조정하는 것이 용이하게 된다.On the other hand, in order to make the absolute value of the difference in relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the semiconductor wafer and the protective film forming film 9 or less, it is necessary to adjust the relative dielectric constant ( _f ) at a measurement frequency of 10 Hz of the protective film- . The relative dielectric constant (? _F ) at a measurement frequency of 10 Hz of the film for forming a protective film can be set in a desired range by appropriately adjusting the kind and blending amount of each component described later. For example, the relative permittivity epsilon _M at a measurement frequency of 10 Hz of a later-described polymer component, an organic component such as a curable component, or the like is significantly smaller than a relative dielectric constant epsilon _S at a measurement frequency of 10 Hz of the semiconductor wafer Even when the value of ε _S -ε _M │> 9 is satisfied, the kind, shape, size, blending amount, and the like of a component that is not dissolved in an organic material component such as an inorganic filler are adjusted, , the absolute value of the difference of the relative dielectric constant in the measured frequency _{_{10Hz (| ε S -ε F |}} ) of 9 or less can be made. The relative dielectric constant? _{M of the} organic material component at a measurement frequency of 10 Hz and the relative dielectric constant? _I at a measurement frequency of 10 Hz of a component that is not soluble in the organic material component are |? _S- _M |? 9 and |? _S- ? _I |? 9, the relative dielectric constant (? _F ) at a measurement frequency of 10 Hz of the protective film forming film is defined as |? _S- ? _F | Is easily satisfied.

<필름성 부여 중합체 성분>&Lt; Film property imparting polymer component >

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은, 반도체 이면의 보호막으로서 기능하기 위해 필름(내지 시트) 형상을 유지할 수 있는 성분이 포함되어 있는 것이 필요하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 필름성 부여 중합체 성분은, 후기하는 반응성의 필름 부여성 중합체 성분과 구별하기 위해, 반응성 관능기를 갖지 않은 중합체 성분을 의미하는 것으로 한다. 이러한 필름성 부여 중합체 성분으로서는, 열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지나, 에피클로로히드린과 각종 2관능 페놀 화합물의 축합물인 페녹시수지 또는 그의 골격에 존재하는 히드록시에테르부의 수산기를 각종 산 무수물이나 산 클로라이드를 사용하여 에스테르화한 페녹시수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 중합체는 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 필름(내지 시트) 형상을 유지할 수 있기 위해서는, 이들 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 통상 2×10⁴ 이상이며, 2×10⁴ 내지 3×10⁶인 것이 바람직하다.The film for forming a protective film according to the present invention needs to contain a component capable of maintaining the film (or sheet) shape in order to function as a protective film for the back surface of a semiconductor. In the present specification, the term "film-imparting polymer component" means a polymer component having no reactive functional group to distinguish it from the later-described reactive film-forming polymer component. Examples of the film property imparting polymer component include a thermoplastic polyhydroxypolyether resin, a phenoxy resin which is a condensation product of epichlorohydrin and various bifunctional phenol compounds, or a hydroxyl group of a hydroxy ether moiety present in the skeleton thereof is substituted with various acid anhydrides or acids A polyvinyl acetal resin, a polyamide resin, a polyamide-imide resin, a block copolymer and the like, which are esterified by using a chloride. These polymers may be used singly or in combination of two or more. In order to maintain the film (or sheet) shape, the weight average molecular weight (Mw) of these polymers is usually 2 x 10 ⁴ or more, preferably 2 x 10 ⁴ to 3 x 10 ⁶ .

또한, 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw)의 값은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC)법(폴리스티렌 표준)에 의해, 하기 측정 장치, 측정 조건에서 측정할 수 있다.In the present specification, the value of the weight average molecular weight (Mw) can be measured by the gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene standard) under the following measuring apparatus and measurement conditions.

측정 장치: Waters제 「Waters 2695」Measuring apparatus: Waters "Waters 2695"

검출기: Waters제 「Waters 2414」, RI(시차 굴절률계)Detector: "Waters 2414" manufactured by Waters, RI (differential refractometer)

칼럼: Waters제 「HSPgel Column, HR MB-L, 3㎛, 6mm×150mm」×2+Waters제 「HSPgel Column, HR 1.3㎛, 6mm×150mm」×2Column: HSPgel Column, HR MB-L, 3 탆, 6 mm × 150 mm × 2, manufactured by Waters HSPgel Column, HR 1.3 μm, 6 mm × 150 mm × 2

측정 조건:Measuring conditions:

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

RI 검출기 설정 온도: 35℃RI detector set temperature: 35 ℃

전개 용매: 테트라히드로푸란Developing solvent: tetrahydrofuran

유속: 0.5㎖/분Flow rate: 0.5 ml / min

샘플양: 10㎕Sample volume: 10 μl

샘플 농도: 0.7wt％Sample concentration: 0.7 wt%

폴리비닐아세탈 수지는, 예를 들어 폴리비닐알코올 수지를 알데히드로 아세탈화함으로써 얻어진다. 상기 알데히드로서는, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, 부틸알데히드 등을 들 수 있다.The polyvinyl acetal resin is obtained, for example, by acetalizing a polyvinyl alcohol resin with an aldehyde. The aldehyde is not particularly limited and includes, for example, formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde and butylaldehyde.

페녹시수지의 구체예로서는 도토 가세이사제 FX280, FX293, 미츠비시 가가쿠사제 YX8100, YL6954, YL6974 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenoxy resin include FX280 and FX293 manufactured by Toko Chemical Co., Ltd., YX8100, YL6954 and YL6974 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 세키스이 가가쿠 고교사제 에스렉 KS 시리즈, 폴리아미드 수지로서는 히타치 가세이사제 KS5000 시리즈, 닛폰 가야쿠사제 BP 시리즈,Specific examples of the polyvinyl acetal resin include Slak KS series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., KS5000 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., BP series manufactured by Nippon Kayaku Co.,

폴리아미드이미드 수지로서는 히타치 가세이사제 KS9000 시리즈 등을 들 수 있다.Examples of the polyamideimide resin include KS9000 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. and the like.

열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지는, 플루오렌 골격을 갖는 경우, 높은 유리 전이점을 갖고 내열성이 우수하기 때문에, 반고형 또는 고형 에폭시 수지에 의한 낮은 열팽창률을 유지함과 함께 그의 유리 전이점을 유지하고, 얻어지는 경화 피막은 낮은 열팽창률과 높은 유리 전이점을 밸런스 좋게 겸비하는 것이 된다. 또한, 열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지는 수산기를 갖기 때문에, 반도체 웨이퍼에 대하여 양호한 밀착성을 나타낸다.Since the thermoplastic polyhydroxypolyether resin has a high glass transition point and excellent heat resistance when having a fluorene skeleton, the thermoplastic polyhydroxypolyether resin maintains a low thermal expansion rate by the semi-solid or solid epoxy resin and maintains its glass transition point , The resulting cured coating has a balance of a low coefficient of thermal expansion and a high glass transition point. Further, since the thermoplastic polyhydroxypolyether resin has a hydroxyl group, it exhibits good adhesion to a semiconductor wafer.

필름성 부여 중합체 성분은, 상기한 성분을 구성하는 단량체가 블록공중합한 것이어도 된다. 블록 공중합체란, 성질이 상이한 2종류 이상의 중합체가, 공유 결합으로 연결되어 긴 연쇄가 된 분자 구조의 공중합체를 말한다. 블록 공중합체로서는 X-Y-X형 또는 X-Y-X'형 블록 공중합체가 바람직하다. X-Y-X형 및 X-Y-X'형 블록 공중합체 중, 중앙의 Y가 소프트 블록이며 유리 전이 온도(Tg)가 낮고, 그의 양 외측 A 또는 X'가 하드 블록이며 유리 전이 온도(Tg)가 중앙의 Y 블록보다 높은 중합체 단위에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 유리 전이 온도(Tg)는 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정된다.The film property imparting polymer component may be a block copolymer of monomers constituting the above-mentioned components. The block copolymer refers to a copolymer having a molecular structure in which two or more kinds of polymers having different properties are linked by a covalent bond to form a long chain. The block copolymer is preferably an X-Y-X type block copolymer or an X-Y-X 'type block copolymer. (Y) is a soft block, a glass transition temperature (Tg) is low, an outer side A or X 'is a hard block and a glass transition temperature (Tg) is a central Y It is preferable that the polymer is composed of polymer units higher than the block. The glass transition temperature (Tg) is measured by differential scanning calorimetry (DSC).

또한, X-Y-X형 및 X-Y-X'형 블록 공중합체 중, X 또는 X'가, Tg가 50℃ 이상인 중합체 단위를 포함하고, B의 유리 전이 온도(Tg)가, X 또는 X'의 Tg 이하인 중합체 단위를 포함하는 블록 공중합체가 더욱 바람직하다. 또한, X-Y-X형 및 X-Y-X'형 블록 공중합체 중, X 또는 X'가, 후기하는 경화성 성분과의 상용성이 높은 것이 바람직하고, Y가 경화성 성분과의 상용성이 낮은 것이 바람직하다. 이와 같이, 양단의 블록이 매트릭스(경화성 성분)에 상용이며, 중앙의 블록이 매트릭스(경화성 성분)에 비상용인 블록 공중합체로 함으로써, 매트릭스 중에 있어서 특이적인 구조를 나타내기 쉬워진다고 생각된다.In the XYX and XY-X'-type block copolymers, X or X 'includes a polymer unit having a Tg of 50 ° C or higher and a glass transition temperature (Tg) of B of Tg or less of X or X' Block copolymer is more preferable. In the X-Y-X and X-Y-X 'type block copolymers, it is preferable that X or X' has high compatibility with the curable component described later, and Y is preferably low in compatibility with the curable component. As described above, it is considered that the block copolymer at both ends is compatible with the matrix (curable component), and the central block is a block copolymer which is used as an emergency for the matrix (curable component), thereby making it easy to exhibit a specific structure in the matrix.

상기한 여러 가지 중합체 중에서도 페녹시수지, 폴리비닐아세탈 수지, 플루오렌 골격을 갖는 열가소성 폴리히드록시폴리에테르 수지, 블록 공중합체가 바람직하다.Among the various polymers described above, a phenoxy resin, a polyvinyl acetal resin, a thermoplastic polyhydroxypolyether resin having a fluorene skeleton, and a block copolymer are preferable.

보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 성분에서 차지하는 필름성 부여 중합체 성분의 비율은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 전체 성분의 합계를 100질량부라고 하였을 때 10 내지 50질량부인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 15 내지 45질량부이다.The proportion of the film-forming polymer component in the total components constituting the film for forming a protective film is not particularly limited and is preferably 10 to 50 parts by mass when the total amount of the components is 100 parts by mass, 15 to 45 parts by mass.

<반응성 필름성 부여 중합체 성분>&Lt; Reactive film property imparting polymer component >

보호막 형성용 필름을 구성하는 성분으로서, 후기하는 경화성 성분과 반응할 수 있는 필름성 부여 중합체 성분이 포함되어 있어도 된다. 이러한 반응성 필름성 부여 중합체로서는, 카르복실기 함유 수지 또는 페놀 수지를 사용하면 바람직하다. 특히, 카르복실기 함유 수지를 사용하면, 경화성 성분으로서 에폭시 수지가 포함되는 경우에 에폭시 수지와 반응하기 쉽고, 필름 형성성을 부여하면서 반도체 보호막으로서의 특성이 향상되기 때문에 바람직하다.As the component constituting the film for forming a protective film, a film property imparting polymer component capable of reacting with a later-described curable component may be contained. As such a reactive film property imparting polymer, it is preferable to use a carboxyl group-containing resin or a phenol resin. Particularly, the use of a carboxyl group-containing resin is preferable because it is easy to react with an epoxy resin when an epoxy resin is contained as a curing component and the characteristics as a semiconductor protective film are improved while imparting film formability.

카르복실기 함유 수지로서는, 이하의 (1) 내지 (7)의 수지를 적합하게 사용할 수 있다.As the carboxyl group-containing resin, the following resins (1) to (7) can be suitably used.

(1) 지방족 디이소시아네이트, 분지 지방족 디이소시아네이트, 지환식 디이소시아네이트, 방향족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트와, 디메틸올프로피온산, 디메틸올부탄산 등의 카르복실기를 함유하는, 디알코올 화합물, 폴리카보네이트계 폴리올, 폴리에테르계 폴리올, 폴리에스테르계 폴리올, 폴리올레핀계 폴리올, 비스페놀 A계 알킬렌옥사이드 부가체 디올, 페놀성 히드록실기 및 알코올성 히드록실기를 갖는 화합물 등의 디올 화합물의 중부가 반응에 의한 카르복실기 함유 우레탄 수지,(1) a dialcohol compound containing a diisocyanate such as an aliphatic diisocyanate, a branched aliphatic diisocyanate, an alicyclic diisocyanate, or an aromatic diisocyanate and a carboxyl group such as dimethylolpropionic acid or dimethylolbutanoic acid, a polycarbonate-based polyol, a poly Containing urethane resin (s) by a mid-portion reaction of a diol compound such as an ether-based polyol, a polyester-based polyol, a polyolefin-based polyol, a bisphenol A-based alkylene oxide adduct diol, a compound having a phenolic hydroxyl group and an alcoholic hydroxyl group ,

(2) 디이소시아네이트와, 카르복실기 함유 디알코올 화합물의 중부가 반응에 의한 카르복실기 함유 우레탄 수지,(2) a carboxyl group-containing urethane resin obtained by a reaction between a diisocyanate and a carboxyl group-containing dialcohol compound,

(3) (메타)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 스티렌, α-메틸스티렌, 저급 알킬(메타)아크릴레이트, 이소부틸렌 등의 불포화기 함유 화합물의 공중합에 의해 얻어지는 카르복실기 함유 수지,(3) a carboxyl group-containing resin obtained by copolymerizing an unsaturated carboxylic acid such as (meth) acrylic acid with an unsaturated group-containing compound such as styrene,? -Methylstyrene, lower alkyl (meth) acrylate or isobutylene,

(4) 2관능 에폭시 수지 또는 2관능 옥세탄 수지에 아디프산, 프탈산, 헥사히드로프탈산 등의 디카르복실산을 반응시키고, 발생한 수산기에 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산 등의 2염기산 무수물을 부가시킨 카르복실기 함유 폴리에스테르 수지,(4) reacting a bifunctional epoxy resin or a bifunctional oxetane resin with a dicarboxylic acid such as adipic acid, phthalic acid or hexahydrophthalic acid, and reacting the produced hydroxyl group with phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride or hexahydrophthalic anhydride A carboxyl group-containing polyester resin to which dibasic acid anhydride is added,

(5) 에폭시 수지 또는 옥세탄 수지를 개환시키고, 생성된 수산기에 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지,(5) a carboxyl group-containing resin obtained by ring-opening an epoxy resin or an oxetane resin and reacting the resulting hydroxyl group with a polybasic acid anhydride,

(6) 1분자 중에 복수의 페놀성 수산기를 갖는 화합물, 즉 폴리페놀 화합물을, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 등의 알킬렌옥사이드와 반응시켜 얻어지는 폴리알코올 수지 등의 반응 생성물에, 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지, 및(6) a polyalcohol resin obtained by reacting a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups in one molecule, that is, a polyalcohol resin obtained by reacting a polyphenol compound with an alkylene oxide such as ethylene oxide or propylene oxide, with a polybasic acid anhydride A carboxyl group-containing resin, and

(7) 1분자 중에 복수의 페놀성 수산기를 갖는 화합물, 즉 폴리페놀 화합물을, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 등의 알킬렌옥사이드와 반응시켜 얻어지는 폴리알코올 수지 등의 반응 생성물에, (메타)아크릴산 등의 불포화기 함유 모노카르복실산을 반응시키고, 얻어지는 반응 생성물에, 다염기산 무수물을 더 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지(7) To a reaction product such as a polyalcohol resin obtained by reacting a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups in one molecule, that is, a polyphenol compound, with an alkylene oxide such as ethylene oxide or propylene oxide, Containing resin obtained by reacting an unsaturated group-containing monocarboxylic acid with a reaction product obtained by further reacting a polybasic acid anhydride with a carboxyl group-containing resin

등의 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴레이트란, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 및 그들의 혼합물을 의미한다.Can be suitably used. Further, in the present specification, (meth) acrylate means acrylates, methacrylates, and mixtures thereof.

상기한 수지 중에서, 상기 (1), (2), (6) 및 (7)은 염소를 함유하고 있지 않다는 점에서, 비감광성 카르복실기 함유 수지로서 사용할 수 있다. 이들 중에서도 (6) 및 (7)의 수지가 모든 특성에 있어서의 밸런스가 좋다는 점에서 바람직하다.Among the resins described above, the above-mentioned (1), (2), (6) and (7) can be used as the non-photosensitive carboxyl group-containing resin in that they contain no chlorine. Among them, the resins (6) and (7) are preferable because they have good balance in all properties.

반응성 필름성 부여 중합체의 중량 평균 분자량은, 수지 골격에 따라 상이하지만, 일반적으로는 2×10³ 내지 1.5×10⁵의 범위인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 3×10³ 내지 1×10⁵의 범위이지만, 이들 범위에 한정되는 것은 아니다.The weight average molecular weight of the reactive film property imparting polymer varies depending on the resin skeleton, but is preferably in the range of 2 x 10 ³ to 1.5 x 10 ⁵ , more preferably 3 x 10 ³ to 1 x 10 ⁵ , But the present invention is not limited to these ranges.

보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 성분에서 차지하는 반응성 필름성 부여 중합체 성분의 비율은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기한 필름성 부여 중합체 100질량부 중 20 내지 60질량부를 반응성 필름성 부여 중합체로 치환하는 것이 바람직하다.The proportion of the reactive film property imparting polymer component in the total components constituting the protective film forming film is not particularly limited and may be, for example, 20 to 60 parts by mass of the reactive film property imparting polymer . &Lt; / RTI >

<경화성 성분><Curable Component>

경화성 성분으로서는, 열에 의해 경화하는 성분 및 자외선이나 전자선 등의 전리 방사선에 의해 경화하는 성분 중 어느 것을 사용해도 되지만, 열에 의해 경화하는 성분인 것이 바람직하다. 이하, 열경화성 성분에 대하여 설명하지만, 전리 방사선에 의해 경화하는 성분을 배제하는 것을 의도하는 것은 아니다.As the curable component, any of a component that is cured by heat and a component that is cured by ionizing radiation such as ultraviolet rays or electron beams may be used, but it is preferable that the component is cured by heat. Hereinafter, the thermosetting component will be described, but it is not intended to exclude components that are cured by ionizing radiation.

열경화성 성분으로서, 특별히 제한없이 종래 공지의 수지를 사용할 수 있지만, 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지에는 반응 전의 형상으로부터 고형, 반고형, 액상의 에폭시 수지가 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As the thermosetting component, conventionally known resins can be used without particular limitation, but an epoxy resin is preferably used. Epoxy resins include solid, semi-solid and liquid epoxy resins from the shape before reaction. These may be used alone or in combination of two or more.

고형 에폭시 수지로서는, DIC사제 HP-4700(나프탈렌형 에폭시 수지), DIC사제 EXA4700(4관능 나프탈렌형 에폭시 수지), 닛폰 가야쿠사제 NC-7000(나프탈렌 골격 함유 다관능 고형 에폭시 수지) 등의 나프탈렌형 에폭시 수지; 닛폰 가야쿠사제 EPPN-502H(트리스페놀에폭시 수지) 등의 페놀류와 페놀성 수산기를 갖는 방향족 알데히드의 축합물의 에폭시화물(트리스페놀형 에폭시 수지); DIC사제 에피클론 HP-7200H(디시클로펜타디엔 골격 함유 다관능 고형 에폭시 수지) 등의 디시클로펜타디엔아르알킬형 에폭시 수지; 닛폰 가야쿠사제 NC-3000H(비페닐 골격 함유 다관능 고형 에폭시 수지) 등의 비페닐아르알킬형 에폭시 수지; 닛폰 가야쿠사제 NC-3000L 등의 비페닐/페놀노볼락형 에폭시 수지; DIC사제 에피클론 N660, 에피클론 N690, 닛폰 가야쿠사제 EOCN-104S 등의 노볼락형 에폭시 수지; 미츠비시 가가쿠사제 YX-4000 등의 비페닐형 에폭시 수지; 신닛테츠 스미킹 가가쿠사제 TX0712 등의 인 함유 에폭시 수지; 닛산 가가쿠 고교사제 TEPIC 등의 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.Examples of the solid epoxy resin include naphthalene type epoxy resins such as HP-4700 (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, EXA4700 (tetrafunctional naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, NC-7000 (polyfunctional solid epoxy resin containing naphthalene skeleton) manufactured by Nippon Kayaku Co., Epoxy resin; EPPN-502H (trisphenol epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. and epoxides (trisphenol type epoxy resin) of condensates of aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group; Dicyclopentadiene aralkyl type epoxy resins such as Epiclon HP-7200H (multifunctional solid epoxy resin containing dicyclopentadiene skeleton) manufactured by DIC Corporation; Biphenylaralkyl type epoxy resins such as NC-3000H (polyfunctional solid epoxy resin containing biphenyl skeleton) produced by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Biphenyl / phenol novolak type epoxy resins such as NC-3000L manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Novolak type epoxy resins such as Epiclon N660 manufactured by DIC, Epiclon N690, and EOCN-104S manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; Biphenyl-type epoxy resins such as YX-4000 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; A phosphorus-containing epoxy resin such as TX0712 manufactured by Shin-Nitetsu Sumi Kagaku Co., Ltd.; Tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate such as TEPIC manufactured by Nissan Kagaku Kogyo Co., Ltd., and the like.

반고형 에폭시 수지로서는, DIC사제 에피클론 860, 에피클론 900-IM, 에피클론 EXA-4816, 에피클론 EXA-4822, 아사히 치바사제 아랄다이트 AER280, 도토 가세이사제 에포토토 YD-134, 미츠비시 가가쿠사제 jER834, jER872, 스미토모 가가쿠 고교사제 ELA-134 등의 비스페놀 A형 에폭시 수지; DIC사제 에피클론 HP-4032 등의 나프탈렌형 에폭시 수지; DIC사제 에피클론 N-740 등의 페놀노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the semi-solid epoxy resin include Epiclon 860, Epiclon 900-IM, Epiclon EXA-4816, Epiclon EXA-4822 manufactured by DIC, Araldite AER280 manufactured by Asahi Chiba, A bisphenol A type epoxy resin such as jER834, jER872 manufactured by Kagaku Co., and ELA-134 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.; Naphthalene-type epoxy resins such as Epiclon HP-4032 manufactured by DIC Corporation; And phenol novolak type epoxy resins such as Epiclon N-740 manufactured by DIC Corporation.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the liquid epoxy resin include epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, Epoxy resins, and alicyclic epoxy resins.

상기한 경화성 성분은, 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 경화성 성분의 배합량은, 필름성 부여 중합체와 반응성의 필름성 부여 중합체의 합계를 100중량부라고 하였을 때, 10 내지 50중량부인 것이 바람직하고, 20 내지 40중량부인 것이 보다 바람직하고, 20 내지 35질량부가 보다 더 바람직하다. 또한, 액상 에폭시 수지를 배합하면, 경화물의 유리 전이 온도(Tg)가 저하되고, 크랙 내성이 나빠지는 경우가 있으므로, 액상 에폭시 수지의 배합량은, 경화성 성분 전체에 대하여, 0 내지 45중량부인 것이 바람직하고, 0 내지 30중량부인 것이 보다 바람직하고, 0 내지 5중량부인 것이 특히 바람직하다.The curable component may be used alone or in combination of two or more. The blending amount of the curable component is preferably from 10 to 50 parts by weight, more preferably from 20 to 40 parts by weight, more preferably from 20 to 35 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the film-imparting polymer and the reactive film- Addition is more preferable. In addition, when the liquid epoxy resin is blended, the glass transition temperature (Tg) of the cured product may be lowered and the crack resistance may be deteriorated. Therefore, the blending amount of the liquid epoxy resin is preferably 0 to 45 parts by weight relative to the whole curable component More preferably 0 to 30 parts by weight, and particularly preferably 0 to 5 parts by weight.

<경화제 성분><Curing Agent Component>

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 구성하는 성분으로서, 경화제 성분이 포함되어 있어도 된다. 경화제 성분은, 상기한 경화성 성분과 반응하는 관능기를 갖는 것이다. 이러한 경화제 성분으로서는, 페놀 수지, 폴리카르복실산 및 그의 산 무수물, 시아네이트에스테르 수지, 활성 에스테르 수지 등을 들 수 있고, 이들 중 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As the component constituting the film for forming a protective film according to the present invention, a curing agent component may be contained. The curing agent component has a functional group that reacts with the above-mentioned curing component. Examples of such a curing agent component include a phenol resin, a polycarboxylic acid and an acid anhydride thereof, a cyanate ester resin and an active ester resin, and one kind or two or more kinds of these can be used in combination.

페놀 수지로서는, 페놀노볼락 수지, 알킬페놀노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, Xylok형 페놀 수지, 테르펜 변성 페놀 수지, 크레졸/나프톨 수지, 폴리비닐페놀류, 페놀/나프톨 수지, α-나프톨 골격 함유 페놀 수지, 트리아진 함유 크레졸노볼락 수지 등의 종래 공지의 것을, 1종을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the phenol resin include phenol novolac resins, alkylphenol novolac resins, bisphenol A novolak resins, dicyclopentadiene type phenol resins, Xylok type phenol resins, terpene modified phenol resins, cresol / naphthol resins, polyvinyl phenols, phenol / Naphthol resin,? -Naphthol skeleton-containing phenol resin and triazine-containing cresol novolac resin, which are known in the art, may be used singly or in combination of two or more kinds.

폴리카르복실산 및 그의 산 무수물은, 1분자 중에 2개 이상의 카르복실기를 갖는 화합물 및 그의 산 무수물이며, 예를 들어 (메타)아크릴산의 공중합물, 무수 말레산의 공중합물, 이염기산의 축합물 등 외에, 카르복실산 말단 이미드 수지 등의 카르복실산 말단을 갖는 수지를 들 수 있다.The polycarboxylic acid and its acid anhydride are compounds having two or more carboxyl groups in one molecule and their acid anhydrides, and examples thereof include copolymers of (meth) acrylic acid, copolymers of maleic anhydride, condensates of dibasic acids A resin having a carboxylic acid terminal such as a carboxylic acid terminal imide resin.

시아네이트에스테르 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 시아네이트에스테르기(-OCN)를 갖는 화합물이다. 시아네이트에스테르 수지는, 종래 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 시아네이트에스테르 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락형 시아네이트에스테르 수지, 알킬페놀노볼락형 시아네이트에스테르 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀 A형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀 F형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀 S형 시아네이트에스테르 수지를 들 수 있다. 또한, 일부가 트리아진화한 프리폴리머여도 된다.The cyanate ester resin is a compound having two or more cyanate ester groups (-OCN) in one molecule. As the cyanate ester resin, conventionally known ones can be used. Examples of the cyanate ester resin include phenol novolak type cyanate ester resins, alkylphenol novolak type cyanate ester resins, dicyclopentadiene type cyanate ester resins, bisphenol A type cyanate ester resins, bisphenol F type cyanate ester resins Naphthoate ester resin, and bisphenol S type cyanate ester resin. In addition, some of them may be trierized prepolymers.

활성 에스테르 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 수지이다. 활성 에스테르 수지는, 일반적으로 카르복실산 화합물과 히드록시 화합물의 축합 반응에 의해 얻을 수 있다. 그 중에서도, 히드록시 화합물로서 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물을 사용하여 얻어지는 활성 에스테르 화합물이 바람직하다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락 등을 들 수 있다.The active ester resin is a resin having two or more active ester groups in one molecule. The active ester resin can be generally obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and a hydroxy compound. Among them, an active ester compound obtained by using a phenol compound or a naphthol compound as a hydroxy compound is preferable. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzo Phenol, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolac, and the like.

경화제 성분으로서, 상기한 것 이외에도 지환식 올레핀 중합체를 사용할 수 있다. 적합하게 사용할 수 있는 지환식 올레핀 중합체로서는, (1) 카르복실기 및/또는 카르복실산 무수물기(이하, 「카르복실기 등」이라고 칭함)를 갖는 지환식 올레핀을, 필요에 따라 다른 단량체와 함께 중합한 것, (2) 카르복실기 등을 갖는 방향족 올레핀을, 필요에 따라 다른 단량체와 함께 중합하여 얻어지는 (공)중합체의 방향환 부분을 수소화한 것, (3) 카르복실기 등을 갖지 않는 지환식 올레핀과, 카르복실기 등을 갖는 단량체를 공중합한 것, (4) 카르복실기 등을 갖지 않는 방향족 올레핀과, 카르복실기 등을 갖는 단량체를 공중합하여 얻어지는 공중합체의 방향환 부분을 수소화한 것, (5) 카르복실기 등을 갖지 않는 지환식 올레핀 중합체에 카르복실기 등을 갖는 화합물을 변성 반응에 의해 도입한 것, 또는 (6) 상기 (1) 내지 (5)와 같이 하여 얻어지는 카르복실산에스테르기를 갖는 지환식 올레핀 중합체의 카르복실산에스테르기를, 예를 들어 가수분해 등에 의해 카르복실기로 변환한 것 등을 들 수 있다.As the curing agent component, an alicyclic olefin polymer may be used in addition to the above components. Examples of the alicyclic olefin polymer that can be suitably used include those obtained by polymerizing an alicyclic olefin having a carboxyl group and / or a carboxylic anhydride group (hereinafter referred to as " carboxyl group etc. ") together with other monomers , (2) an aromatic ring portion of a (co) polymer obtained by polymerizing an aromatic olefin having a carboxyl group or the like together with other monomers, if necessary, (3) an alicyclic olefin having no carboxyl group and the like, (4) an aromatic ring portion of a copolymer obtained by copolymerizing an aromatic olefin having no carboxyl group or the like with a monomer having a carboxyl group or the like, (5) an alicyclic group having no carboxyl group or the like A compound having a carboxyl group or the like in an olefin polymer is introduced by a modification reaction, or (6) a compound obtained by carrying out the steps (1) to (5) Le, and the like will be converted into a carboxyl group by an alicyclic carboxylic acid ester of an olefin polymer, for example, hydrolysis or the like having an acid ester.

상기한 경화제 성분 중에서도, 페놀 수지, 시아네이트에스테르 수지, 활성 에스테르 수지, 지환식 올레핀 중합체가 바람직하다. 특히, 극성이 높고, 비유전율을 조정하기 쉽다는 점에서, 페놀 수지를 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among the above-mentioned curing agent components, a phenol resin, a cyanate ester resin, an active ester resin, and an alicyclic olefin polymer are preferable. Particularly, it is more preferable to use a phenol resin in view of high polarity and easy adjustment of relative dielectric constant.

경화제 성분은, 경화성 성분의 에폭시기 등의 관능기(경화 반응 가능한 관능기)와, 당해 관능기와 반응할 수 있는 경화제 성분의 관능기의 비율(경화제 성분의 관능기의 수/경화성 성분의 관능기의 수: 당량비)이 0.2 내지 5가 되는 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 당량비를 상기의 범위로 함으로써, 한층 더 보호 특성이 우수한 보호막 형성용 필름을 얻을 수 있다.(The number of functional groups of the curing agent component / the number of functional groups of the curable component: equivalent ratio) of the functional groups of the curing agent component capable of reacting with the functional group (the curing reaction functional group) such as epoxy group of the curable component It is preferably contained in a ratio of 0.2 to 5. By setting the equivalence ratio within the above range, a film for forming a protective film with further excellent protective properties can be obtained.

<경화 촉진제 성분>&Lt; Curing accelerator component >

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 구성하는 성분으로서, 경화 촉진제 성분이 포함되어 있어도 된다. 경화 촉진제 성분은 경화성 성분의 경화 반응을 촉진시키는 것이며, 보호막의 반도체 웨이퍼에 대한 밀착성 및 내열성을 한층 더 향상시킬 수 있다. 경화 촉진제 성분으로서는, 이미다졸 및 그의 유도체; 아세토구아나민, 벤조구아나민 등의 구아나민류; 디아미노디페닐메탄, m-페닐렌디아민, m-크실렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 디시안디아미드, 요소, 요소 유도체, 멜라민, 다염기 히드라지드 등의 폴리아민류; 이들의 유기산염 및/또는 에폭시 어덕트; 3불화붕소의 아민 착체; 에틸디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-크실릴-S-트리아진 등의 트리아진 유도체류; 트리메틸아민, 트리에탄올아민, N,N-디메틸옥틸아민, N-벤질디메틸아민, 피리딘, N-메틸모르폴린, 헥사(N-메틸)멜라민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노페놀), 테트라메틸구아니딘, m-아미노페놀 등의 아민류; 폴리비닐페놀, 폴리비닐페놀 브롬화물, 페놀노볼락, 알킬페놀노볼락 등의 폴리페놀류; 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리스-2-시아노에틸포스핀 등의 유기 포스핀류; 트리-n-부틸(2,5-디히드록시페닐)포스포늄 브로마이드, 헥사데실트리부틸포스포늄 클로라이드 등의 포스포늄염류; 벤질트리메틸암모늄 클로라이드, 페닐트리부틸암모늄 클로라이드 등의 4급 암모늄염류; 상기 다염기산 무수물; 디페닐요오도늄테트라플루오로보로에이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 2,4,6-트리페닐티오피릴륨헥사플루오로포스페이트 등의 광 양이온 중합 촉매; 스티렌-무수 말레산 수지; 페닐이소시아네이트와 디메틸아민의 등몰 반응물이나, 톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 유기 폴리이소시아네이트와 디메틸아민의 등몰 반응물, 금속 촉매 등의 종래 공지의 경화 촉진제를 들 수 있으며, 이들 1종을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the component constituting the film for forming a protective film according to the present invention, a curing accelerator component may be contained. The curing accelerator component accelerates the curing reaction of the curing component and can further improve the adhesion of the protective film to the semiconductor wafer and the heat resistance. Examples of the curing accelerator component include imidazole and derivatives thereof; Guanamine such as acetoguanamine and benzoguanamine; Polyamines such as diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, m-xylenediamine, diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, urea, urea derivatives, melamine and polybasic hydrazide; Organic acid salts and / or epoxy adducts thereof; Amine complexes of boron trifluoride; Triazine derived products such as ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine and 2,4-diamino-6-xylyl-S-triazine; (N-methyl) melamine, 2,4,6-tris (dimethylaminophenol), tetra (dimethylaminophenol), N, N-dimethyloctylamine, N-benzyldimethylamine, pyridine, N-methylmorpholine, Amines such as methyl guanidine and m-aminophenol; Polyphenols such as polyvinyl phenol, polyvinyl phenol bromide, phenol novolac, and alkylphenol novolak; Organic phosphines such as tributylphosphine, triphenylphosphine, and tris-2-cyanoethylphosphine; Phosphonium salts such as tri-n-butyl (2,5-dihydroxyphenyl) phosphonium bromide, and hexadecyl tributylphosphonium chloride; Quaternary ammonium salts such as benzyltrimethylammonium chloride and phenyltributylammonium chloride; The polybasic acid anhydride; Photo cationic polymerization catalysts such as diphenyliodonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, and 2,4,6-triphenylthiopyrylium hexafluorophosphate; Styrene-maleic anhydride resin; Condensation reaction products of phenyl isocyanate and dimethyl amine, condensation reaction products of organic polyisocyanates such as tolylene diisocyanate and isophorone diisocyanate with dimethylamine, metal catalysts, and the like, Two or more of them may be used in combination.

경화 촉진제 성분은 필수는 아니지만, 특히 경화 반응을 촉진하고 싶은 경우에는, 상기한 경화성 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 20질량부의 범위에서 사용할 수 있다. 경화 촉진제 성분으로서 금속 촉매를 사용하는 경우, 그의 함유량은, 경화성 성분 100질량부에 대하여 금속 환산으로 10 내지 550ppm이 바람직하고, 25 내지 200ppm이 바람직하다.The curing accelerator component is not essential, but when it is desired to accelerate the curing reaction, the curing accelerator component may be used in an amount of preferably 0.01 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the curing component. When a metal catalyst is used as the curing accelerator component, its content is preferably 10 to 550 ppm, more preferably 25 to 200 ppm, in terms of the metal, based on 100 parts by mass of the curable component.

<무기 필러 성분>&Lt; Inorganic filler component >

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름에는, 무기 필러 성분이 포함되어 있어도 된다. 무기 필러 성분이 함유됨으로써 다이싱 시의 반도체 칩의 보호가 용이하게 된다. 또한, 보호막에 레이저 마킹을 실시함으로써, 레이저광에 의해 깍인 부분에 무기 필러 성분이 노출되어, 반사광이 확산되기 때문에 백색에 가까운 색을 나타낸다. 이에 의해, 보호막 형성용 필름이 후술하는 착색제 성분을 함유하는 경우, 레이저 마킹 부분과 다른 부분에서 콘트라스트차가 얻어지고, 마킹(인자)이 명료하게 된다고 하는 효과가 있다.The film for forming a protective film according to the present invention may contain an inorganic filler component. By containing the inorganic filler component, it is easy to protect the semiconductor chip during dicing. In addition, by performing laser marking on the protective film, the inorganic filler component is exposed to the cut portion by the laser beam, and the reflected light is diffused, thereby exhibiting a color close to white. Thereby, when the protective film forming film contains a coloring agent component described later, there is an effect that a contrast difference is obtained at a portion different from the laser marking portion, and the marking (printing) becomes clear.

상기한 무기 필러는, 보호막 형성용 필름을 구성하는 상기한 바와 같은 유기 재료 성분에는 용해는 되지 않고, 해당 유기 재료 성분 중에 분산된다. 그 때문에, 유기 재료 성분과 용해되지 않는 성분과의 계면의 존재에 의해, 계면 분극이 발생한다. 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율은, 계면 분극을 제어함으로써 조정할 수 있지만, 유기 재료 성분 및 해당 유기 재료 성분에는 용해되지 않는 성분(예를 들어 무기 필러 성분)의 양쪽을, 반도체 웨이퍼의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율에 가까운 것부터 선택함으로써, 보호막 형성용 필름의 비유전율을 소정의 범위 내로 조정하기 쉬워진다.The above-mentioned inorganic filler is not dissolved in the above-mentioned organic material constituting the film for forming a protective film, but is dispersed in the organic material component. Therefore, interface polarization occurs due to the presence of the interface between the organic material component and the non-dissolved component. The relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the film for forming a protective film can be adjusted by controlling the interface polarization, but it is preferable that both the organic material component and a component (for example, an inorganic filler component) The relative dielectric constant of the film for forming a protective film can be easily adjusted within a predetermined range by selecting from the one close to the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the wafer.

무기 필러 성분으로서는, 종래 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 실리카, 알루미나, 탈크, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 산화티타늄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있으며, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 단, 무기 필러 성분 등과 같이 유기 재료 성분에는 용해되지 않는 성분이 보호막 형성용 필름에 포함되는 경우, 용해되지 않는 성분의 종류가 증가하면, 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율이 커지는 경우가 있다. 유기 재료 성분에 용해되지 않는 성분의 종류에 의해서만 보호막 형성용 필름의 비유전율이 일의적으로 결정되는 것은 아니지만, 용해되지 않는 성분의 종류는 적은 쪽이 바람직하며, 5종류 이내의 성분으로 하는 것이 바람직하고, 3종류 이내로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기한 무기 필러 성분 중에서도, 필름 중의 비유전율을 제어하기 위해 실리카, 알루미나, 산화티타늄이 바람직하다.As the inorganic filler component, conventionally known ones can be used without limitation, and examples thereof include powders of silica, alumina, talc, aluminum hydroxide, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide and boron nitride, Single crystal fibers, and glass fibers. These fibers may be used singly or in combination of two or more. However, in the case where a component which is not soluble in an organic material component such as an inorganic filler component is included in the protective film-forming film, the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz is sometimes increased when the kinds of components that can not be dissolved increase. The specific dielectric constant of the film for forming a protective film is not determined uniquely by the kind of the component which is not dissolved in the organic material component, but it is preferable that the kind of the component which is not dissolved is small, , And it is more preferable to make three kinds or less. Of the above-mentioned inorganic filler components, silica, alumina and titanium oxide are preferable for controlling the relative dielectric constant in the film.

무기 필러 성분은 유기 재료 성분에는 용해는 되지 않고 분산되어, 불균일한 분산 상태로 되어 있다. 측정 주파수 10Hz에 있어서의, 반도체 웨이퍼와 보호막 형성용 필름의 비유전율차가 9 이하가 되도록 하기 위해서는, 유기 재료 성분과 무기 필러 성분의 계면을 작게 하고, 계면 분극의 영향을 한정적으로 하면 비유전율을 제어하기 쉬워지기 때문에 바람직하다. 따라서, 동일한 평균 입자 직경을 갖는 무기 필러라면, 입자 형상은 부정형의 것보다 구형에 가까운 것 쪽이 바람직하다. 또한, 보호막 형성용 필름에 유기 재료 성분과 무기 필러 성분이 포함되는 경우에는, 무기 필러의 평균 입자 직경이나 그의 배합량 등에 의해, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율을 조정할 수 있다.The inorganic filler component is not dissolved in the organic material component but is dispersed and is in a non-uniformly dispersed state. In order to make the relative dielectric constant difference between the semiconductor wafer and the protective film forming film at a measurement frequency of 10 Hz to be 9 or less, by setting the interface between the organic material component and the inorganic filler component small and limiting the influence of the interface polarization, It is preferable because it becomes easy to do. Therefore, if the inorganic filler has the same average particle diameter, it is preferable that the particle shape is closer to spherical than that of the irregular shape. When the film for forming a protective film contains an organic material component and an inorganic filler component, the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the protective film-forming film can be adjusted by the average particle diameter of the inorganic filler and the amount thereof blended.

무기 필러 성분은, 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.01 내지 15㎛, 보다 바람직하게는 0.02 내지 12㎛, 특히 바람직하게는 0.03 내지 10㎛인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서 중, 평균 입자 직경은, 전자 현미경으로 무작위로 선택한 무기 필러 20개의 장축 직경을 측정하고, 그의 산술 평균값으로서 산출되는 개수 평균 입자 직경으로 한다.The inorganic filler component preferably has an average particle diameter of preferably 0.01 to 15 占 퐉, more preferably 0.02 to 12 占 퐉, particularly preferably 0.03 to 10 占 퐉. In the present specification, the average particle diameter is a number average particle diameter calculated as an arithmetic mean value of 20 long axis diameters of 20 inorganic fillers randomly selected by an electron microscope.

무기 필러 성분의 함유량은, 보호막 형성용 필름을 구성하는 불휘발성인 전체 유기물 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 10 내지 400질량부, 보다 바람직하게는 30 내지 350질량부, 특히 바람직하게는 60 내지 300질량부이다.The content of the inorganic filler component is preferably from 10 to 400 parts by mass, more preferably from 30 to 350 parts by mass, and particularly preferably from 60 to 60 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the nonvolatile organic compound constituting the protective film- To 300 parts by mass.

또한, 무기 필러 성분 등의 유기 재료 성분에는 용해되지 않는 성분이 보호막 형성용 필름에 포함되는 경우, 무기 필러 성분과 유기 재료 성분의 계면에서의 계면 분극의 영향을 한정적으로 하고 비유전율을 제어하기 쉽게 한다는 관점에서, 무기 필러 성분의 표면적은 작은 쪽이 바람직하다. 예를 들어, 무기 필러 성분이 보호막 형성용 필름 중에 20질량％ 이상의 비율로 포함되는 경우, 비표면적이 10㎡/g 이하인 무기 필러 성분을 선택함으로써, 계면 분극을 조정하기 쉬워진다.In the case where a component that is not soluble in an organic material component such as an inorganic filler component is included in the protective film forming film, the influence of the interface polarization at the interface between the inorganic filler component and the organic material component is limited and the relative dielectric constant can be easily controlled It is preferable that the surface area of the inorganic filler component is small. For example, when the inorganic filler component is contained in the protective film-forming film at a ratio of 20 mass% or more, the interface polarization can be easily adjusted by selecting an inorganic filler component having a specific surface area of 10 m 2 / g or less.

한편, 무기 필러 성분 등의 유기 재료 성분에는 용해되지 않는 성분의 비표면적이 10㎡/g을 초과하는 경우, 이러한 성분이 유기 재료 성분 중에 분산된 상태이면, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율이 크게 변화하는 경우가 있다. 따라서, 비표면적이 10㎡/g을 초과하는 무기 필러 성분 등은, 보호막 형성용 필름 중에 10질량％ 이하의 비율로 포함되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 유기 재료 성분에는 용해되지 않는 성분의 비표면적의 크기에 의해, 당해 성분의 보호막 형성용 필름 중의 배합량을 적절히 조정하고, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율을 원하는 값으로 할 수 있다.On the other hand, when the specific surface area of a component which is not soluble in an organic material component such as an inorganic filler component exceeds 10 m 2 / g, if such a component is dispersed in an organic material component, The relative dielectric constant of the dielectric layer may vary greatly. Therefore, the inorganic filler component having a specific surface area of more than 10 m < 2 > / g is preferably contained in the protective film forming film at a ratio of 10 mass% or less. The blending amount of the component in the film for forming a protective film is appropriately adjusted in accordance with the specific surface area of the component that is insoluble in the organic material component so that the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the protective film forming film is set to a desired value .

<착색제 성분>&Lt; Colorant component >

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름에는, 착색제 성분이 포함되어 있어도 된다. 착색제 성분이 포함됨으로써, 보호막을 구비한 반도체 칩을 기기에 내장하였을 때, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등에 의한 반도체 장치의 오작동을 방지할 수 있다. 또한, 레이저 마킹 등의 수단에 의해 보호막에 각인을 행한 경우에, 문자, 기호 등의 마크가 인식되기 쉬워진다. 즉, 보호막이 형성된 반도체 칩에서는, 보호막의 표면에 품번 등이 통상 레이저 마킹법(레이저광에 의해 보호막 표면을 깍아내어 인자를 행하는 방법)에 의해 인자되지만, 보호막이 착색제를 함유함으로써, 보호막의 레이저광에 의해 깍인 부분과 그렇지 않은 부분의 콘트라스트차가 충분히 얻어져, 시인성이 향상된다.The film for forming a protective film according to the present invention may contain a colorant component. By incorporating the colorant component, it is possible to prevent malfunction of the semiconductor device due to infrared rays or the like generated from the peripheral devices when the semiconductor chip having the protective film is embedded in the device. Further, when engraving is performed on the protective film by a means such as laser marking, marks such as characters and symbols are easily recognized. That is, in the semiconductor chip having the protective film, the part number or the like is printed on the surface of the protective film by a laser marking method (a method of cutting off the surface of the protective film by laser light to print the surface) The difference in contrast between the portion where the light is shone and the portion where the light is not is sufficiently obtained, and the visibility is improved.

착색제 성분으로서, 유기 또는 무기의 안료 및 염료를 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있지만, 이들 중에서도 전자파나 적외선 차폐성의 점에서 흑색 안료가 바람직하다. 흑색 안료로서는, 카본 블랙, 페릴렌 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 사용되지만, 이들에 한정되는 일은 없다. 반도체 장치의 오작동 방지의 관점에서는 카본 블랙이 특히 바람직하다. 또한, 카본 블랙 대신에, 적색, 청색, 녹색, 황색 등의 안료 또는 염료를 혼합하고, 흑색 또는 그에 가까운 흑색계의 색으로 할 수도 있다.As the colorant component, organic or inorganic pigments and dyes may be used singly or in combination of two or more. Among them, black pigments are preferable from the viewpoint of electromagnetic wave shielding and infrared rays. As the black pigment, carbon black, perylene black, iron oxide, manganese dioxide, aniline black, activated carbon and the like are used, but the present invention is not limited thereto. From the viewpoint of preventing malfunction of the semiconductor device, carbon black is particularly preferable. Instead of carbon black, pigments or dyes such as red, blue, green, and yellow may be mixed to form a black or nearly black-based color.

적색 착색제로서는 모노아조계, 디스아조계, 아조레이크계, 벤즈이미다졸론계, 페릴렌계, 디케토피롤로피롤계, 축합 아조계, 안트라퀴논계, 퀴나크리돈계 등이 있으며, 구체적으로는 이하의 것을 들 수 있다. Pigment Red 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 12, 14, 15, 16, 17, 21, 22, 23, 31, 32, 112, 114, 146, 147, 151, 170, 184, 187, 188, 193, 210, 245, 253, 258, 266, 267, 268, 269 등의 모노아조계 적색 착색제, Pigment Red 37, 38, 41 등의 디스아조계 적색 착색제, Pigment Red 48:1, 48:2, 48:3, 48:4, 49:1, 49:2, 50:1, 52:1, 52:2, 53:1, 53:2, 57:1, 58:4, 63:1, 63:2, 64:1, 68 등의 모노아조레이크계 적색 착색제, Pigment Red 171, Pigment Red 175, Pigment Red 176, Pigment Red 185, Pigment Red 208 등의 벤즈이미다졸론계 적색 착색제, Solvent Red 135, Solvent Red 179, Pigment Red 123, Pigment Red 149, Pigment Red 166, Pigment Red 178, Pigment Red 179, Pigment Red 190, Pigment Red 194, Pigment Red 224 등의 페릴렌계 적색 착색제, Pigment Red 254, Pigment Red 255, Pigment Red 264, Pigment Red 270, Pigment Red 272 등의 디케토피롤로피롤계 적색 착색제, Pigment Red 220, Pigment Red 144, Pigment Red 166, Pigment Red 214, Pigment Red 220, Pigment Red 221, Pigment Red 242 등의 축합 아조계 적색 착색제, Pigment Red 168, Pigment Red 177, Pigment Red 216, Solvent Red 149, Solvent Red 150, Solvent Red 52, Solvent Red 207 등의 안트라퀴논계 적색 착색제, Pigment Red 122, Pigment Red 202, Pigment Red 206, Pigment Red 207, Pigment Red 209 등의 퀴나크리돈계 적색 착색제를 들 수 있다.Examples of the red colorant include monoazo, disazo, azo lake, benzimidazolone, perylene, diketopyrrolopyrrole, condensed azo, anthraquinone, and quinacridone. &Lt; / RTI > Pigment Red 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 12, 14, 15, 16, 17, 21, 22, 23, 31, 32, 112, 114, Monoazo red coloring agents such as Pigment Red 37, 38 and 41, Pigment Red 48: colorants such as Pigment Red 37, 38 and 41, 52: 1, 52: 1, 53: 2, 57: 1, 58: 4, 48: Based red colorant such as Pigment Red 171, Pigment Red 175, Pigment Red 176, Pigment Red 185, and Pigment Red 208, which are monoazo lake-based red colorants such as 63: 1, 63: Based red coloring agents such as Solvent Red 135, Solvent Red 179, Pigment Red 123, Pigment Red 149, Pigment Red 166, Pigment Red 178, Pigment Red 179, Pigment Red 190, Pigment Red 194, Based pigment such as Pigment Red 220, Pigment Red 144, Pigment Red 166, Pigment Red 214, Pigment Red 220, Pigment Red 264, Pigment Red 255, Pigment Red 264, Pigment Red 270, t Red 221 and Pigment Red 242, and anthraquinone-based red coloring agents such as Pigment Red 168, Pigment Red 177, Pigment Red 216, Solvent Red 149, Solvent Red 150, Solvent Red 52 and Solvent Red 207, Pigment Red 122, Pigment Red 202, Pigment Red 206, Pigment Red 207, and Pigment Red 209.

청색 착색제로서는 프탈로시아닌계, 안트라퀴논계 등이 있으며, 안료계는 피그먼트(Pigment)로 분류되어 있는 화합물, 구체적으로는: Pigment Blue 15, Pigment Blue 15:1, Pigment Blue 15:2, Pigment Blue 15:3, Pigment Blue 15:4, Pigment Blue 15:6, Pigment Blue 16, Pigment Blue 60 등을 들 수 있다. 염료계로서는, Solvent Blue 35, Solvent Blue 63, Solvent Blue 68, Solvent Blue 70, Solvent Blue 83, Solvent Blue 87, Solvent Blue 94, Solvent Blue 97, Solvent Blue 122, Solvent Blue 136, Solvent Blue 67, Solvent Blue 70 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 이외에도, 금속 치환 혹은 비치환의 프탈로시아닌 화합물도 사용할 수 있다.Examples of the blue colorant include phthalocyanine type and anthraquinone type. The pigment type is a compound classified into Pigment, specifically, Pigment Blue 15, Pigment Blue 15: 1, Pigment Blue 15: 2, Pigment Blue 15 : 3, Pigment Blue 15: 4, Pigment Blue 15: 6, Pigment Blue 16, and Pigment Blue 60. Examples of the dye system include Solvent Blue 35, Solvent Blue 63, Solvent Blue 68, Solvent Blue 70, Solvent Blue 83, Solvent Blue 87, Solvent Blue 94, Solvent Blue 97, Solvent Blue 122, Solvent Blue 136, 70 may be used. In addition to these, metal substituted or unsubstituted phthalocyanine compounds may also be used.

녹색 착색제로서는, 마찬가지로 프탈로시아닌계, 안트라퀴논계, 페릴렌계 등이 있으며, 구체적으로는 Pigment Green 7, Pigment Green 36, Solvent Green 3, Solvent Green 5, Solvent Green 20, Solvent Green 28 등을 사용할 수 있다. 상기 이외에도, 금속 치환 혹은 비치환의 프탈로시아닌 화합물도 사용할 수 있다.Examples of the green colorant include phthalocyanine type, anthraquinone type, and perylene type. Specific examples thereof include Pigment Green 7, Pigment Green 36, Solvent Green 3, Solvent Green 5, Solvent Green 20 and Solvent Green 28. In addition to the above, metal substituted or unsubstituted phthalocyanine compounds may also be used.

황색 착색제로서는 모노아조계, 디스아조계, 축합 아조계, 벤즈이미다졸론계, 이소인돌리논계, 안트라퀴논계 등이 있으며, 구체적으로는 이하의 것을 들 수 있다. Solvent Yellow 163, Pigment Yellow 24, Pigment Yellow 108, Pigment Yellow 193, Pigment Yellow 147, Pigment Yellow 199, Pigment Yellow 202 등의 안트라퀴논계 황색 착색제, Pigment Yellow 110, Pigment Yellow 109, Pigment Yellow 139, Pigment Yellow 179, Pigment Yellow 185 등의 이소인돌리논계 황색 착색제, Pigment Yellow 93, Pigment Yellow 94, Pigment Yellow 95, Pigment Yellow 128, Pigment Yellow 155, Pigment Yellow 166, Pigment Yellow 180 등의 축합 아조계 황색 착색제, Pigment Yellow 120, Pigment Yellow 151, Pigment Yellow 154, Pigment Yellow 156, Pigment Yellow 175, Pigment Yellow 181 등의 벤즈이미다졸론계 황색 착색제, Pigment Yellow 1, 2, 3, 4, 5, 6, 9, 10, 12, 61, 62, 62:1, 65, 73, 74, 75, 97, 100, 104, 105, 111, 116, 167, 168, 169, 182, 183 등의 모노아조계 황색 착색제, Pigment Yellow 12, 13, 14, 16, 17, 55, 63, 81, 83, 87, 126, 127, 152, 170, 172, 174, 176, 188, 198 등의 디스아조계 황색 착색제 등을 사용할 수 있다.Examples of the yellow colorant include monoazo, disazo, condensed azo, benzimidazolone, isoindolinone, and anthraquinone. Specific examples of the yellow colorant include the following. An anthraquinone yellow colorant such as Solvent Yellow 163, Pigment Yellow 24, Pigment Yellow 108, Pigment Yellow 193, Pigment Yellow 147, Pigment Yellow 199 and Pigment Yellow 202, Pigment Yellow 110, Pigment Yellow 109, Pigment Yellow 139, Pigment Yellow 179 , Pigment Yellow Yellow 185, Pigment Yellow 93, Pigment Yellow 94, Pigment Yellow 95, Pigment Yellow 128, Pigment Yellow 155, Pigment Yellow 166 and Pigment Yellow 180, and Pigment Yellow Pigment Yellow 1, 2, 3, 4, 5, 6, 9, 10, and 12 of benzimidazolone yellow coloring agents such as Pigment Yellow 120, Pigment Yellow 151, Pigment Yellow 154, Pigment Yellow 156, Pigment Yellow 175, , 61, 62, 62: 1, 65, 73, 74, 75, 97, 100, 104, 105, 111, 116, 167, 168, 169, 182, 183, Pigment Yellow 12, Disodium-based yellow coloring agents such as 13, 14, 16, 17, 55, 63, 81, 83, 87, 126, 127, 152, 170, 172, 174, 176, 188, There.

또한, 색조를 조정할 목적으로 보라색, 오렌지, 갈색, 흑색 등의 착색제를 첨가해도 된다. 구체적으로 예시하면, Pigment Violet 19, 23, 29, 32, 36, 38, 42, Solvent Violet 13, 36, C.I.피그먼트 오렌지 1, C.I.피그먼트 오렌지 5, C.I.피그먼트 오렌지 13, C.I.피그먼트 오렌지 14, C.I.피그먼트 오렌지 16, C.I.피그먼트 오렌지 17, C.I.피그먼트 오렌지 24, C.I.피그먼트 오렌지 34, C.I.피그먼트 오렌지 36, C.I.피그먼트 오렌지 38, C.I.피그먼트 오렌지 40, C.I.피그먼트 오렌지 43, C.I.피그먼트 오렌지 46, C.I.피그먼트 오렌지 49, C.I.피그먼트 오렌지 51, C.I.피그먼트 오렌지 61, C.I.피그먼트 오렌지 63, C.I.피그먼트 오렌지 64, C.I.피그먼트 오렌지 71, C.I.피그먼트 오렌지 73, C.I.피그먼트 브라운 23, C.I.피그먼트 브라운 25, C.I.피그먼트 블랙 1, C.I.피그먼트 블랙 7 등을 들 수 있다.For the purpose of adjusting the color tone, a coloring agent such as purple, orange, brown or black may be added. Specific examples include Pigment Violet 19, 23, 29, 32, 36, 38, 42, Solvent Violet 13, 36, CI Pigment Orange 1, CI Pigment Orange 5, CI Pigment Orange 13, CI Pigment Orange 14 , CI Pigment Orange 16, CI Pigment Orange 17, CI Pigment Orange 24, CI Pigment Orange 34, CI Pigment Orange 36, CI Pigment Orange 38, CI Pigment Orange 40, CI Pigment Orange 43, Pigment Orange 46, CI Pigment Orange 49, CI Pigment Orange 51, CI Pigment Orange 61, CI Pigment Orange 63, CI Pigment Orange 64, CI Pigment Orange 71, CI Pigment Orange 73, CI Pigment Brown 23, CI Pigment Brown 25, CI Pigment Black 1, CI Pigment Black 7, and the like.

상기 착색제 성분에 있어서도, 안료 등은, 유기 재료 성분에는 용해는 되지 않고 분산되어, 불균일한 분산 상태로 되어 있다. 따라서, 무기 필러 성분과 마찬가지로, 착색제 성분의 종류나 배합량뿐만 아니라, 착색제 성분의 형상이나 비표면적에 의해서도, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율을 제어할 수 있다.In the colorant component as well, the pigment and the like are dispersed without dissolving in the organic material component and are in a non-uniformly dispersed state. Therefore, as with the inorganic filler component, the relative dielectric constant at the measurement frequency of 10 Hz of the protective film-forming film can be controlled not only by the kind and amount of the colorant component, but also by the shape and specific surface area of the colorant component.

착색제 성분은, 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 35질량부, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 25질량부, 특히 바람직하게는 1 내지 15질량부의 비율로 함유된다.The colorant component is contained in an amount of preferably 0.1 to 35 parts by mass, more preferably 0.5 to 25 parts by mass, particularly preferably 1 to 15 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total solid content constituting the protective film- do.

<커플링제 성분><Coupling Agent Component>

보호막 형성용 필름의 피착체(반도체 웨이퍼)에 대한 접착성, 밀착성 및/또는 보호막의 응집성을 향상시키기 위해, 무기물과 반응하는 관능기 및 유기 관능기와 반응하는 관능기를 갖는 커플링제 성분이 포함되어 있어도 된다. 또한, 커플링제 성분이 포함됨으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어지는 보호막의 내열성을 손상시키지 않고, 그의 내수성을 향상시킬 수 있다. 이러한 커플링제로서는, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실란 커플링제가 바람직하다.A coupling agent component having a functional group which reacts with an inorganic substance and a functional group which reacts with an organic functional group may be contained in order to improve adhesion, adhesion and / or cohesiveness of the protective film to an adherend (semiconductor wafer) of the protective film forming film . Incorporation of the coupling agent component can improve the water resistance of the protective film obtained by curing the protective film-forming film without deteriorating the heat resistance of the protective film. Examples of such a coupling agent include a titanate-based coupling agent, an aluminate-based coupling agent, and a silane coupling agent. Among them, a silane coupling agent is preferred.

실란 커플링제에 함유되는 유기기로서는, 예를 들어 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 메타크릴옥시기, 아크릴옥시기, 아미노기, 우레이도기, 클로로프로필기, 머캅토기, 폴리술피드기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 실란 커플링제로서 시판되고 있는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어 KA-1003, KBM-1003, KBE-1003, KBM-303, KBM-403, KBE-402, KBE-403, KBM-1403, KBM-502, KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103, KBM-602, KBM-603, KBE-603, KBM-903, KBE-903, KBE-9103, KBM-9103, KBM-573, KBM-575, KBM-6123, KBE-585, KBM-703, KBM-802, KBM-803, KBE-846, KBE-9007(모두 상품명; 신에츠 실리콘사제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the organic group contained in the silane coupling agent include a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, a methacryloxy group, an acryloxy group, an amino group, an ureido group, a chloropropyl group, a mercapto group, a polysulfide group, . KBM-1003, KBM-303, KBM-403, KBE-402, KBE-403, KBM-1403 and KBM-502, which are commercially available as silane coupling agents. , KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103, KBM-602, KBM-603, KBE-603, KBM-903, KBE-903, KBE-9103, KBM- -575, KBM-6123, KBE-585, KBM-703, KBM-802, KBM-803, KBE-846 and KBE-9007 (both trade names; manufactured by Shinetsu Silicone). These may be used singly or in combination of two or more.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름에는, 상기한 성분 이외에, 필요에 따라 각종 첨가제가 배합되어도 된다. 각종 첨가제로서는, 레벨링제, 가소제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제, 박리제 등을 들 수 있다.In the film for forming a protective film according to the present invention, various additives may be added, if necessary, in addition to the above components. Examples of the various additives include leveling agents, plasticizers, antioxidants, ion scavengers, gettering agents, chain transfer agents, and release agents.

보호막 형성용 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3 내지 300㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 250㎛, 특히 바람직하게는 7 내지 200㎛이다.The thickness of the protective film-forming film is not particularly limited, but is preferably 3 to 300 占 퐉, more preferably 5 to 250 占 퐉, and particularly preferably 7 to 200 占 퐉.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은, 초기 접착성과 열경화성을 갖고, 미경화 상태에서는 반도체 웨이퍼나 칩 등에 압박됨으로써 용이하게 접착된다. 또한 압박할 때 보호막 형성용 필름에 대하여, 가열 및 가압 중 어느 수단을 실시해도 된다. 그리고 열경화를 거쳐 최종적으로는 내충격성이 높은 보호막을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 사용하여 형성된 보호막은, 접착 강도도 우수하고, 엄격한 고온도 고습도 조건 하에 있어서도 충분한 보호 기능을 유지할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름은 단층 구조여도 되고, 또한 다층 구조여도 된다.The film for forming a protective film according to the present invention has an initial adhesive property and a thermosetting property, and is easily adhered by being pressed against a semiconductor wafer or a chip in an uncured state. Further, the film for forming the protective film may be subjected to any of heating and pressurizing when pressed. Finally, a protective film having high impact resistance can be formed through thermal curing. The protective film formed using the film for forming a protective film according to the present invention has excellent adhesive strength and can maintain a sufficient protective function even under severe high temperature and high humidity conditions. The protective film forming film may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은, 가시광선 및/또는 적외선과 자외선의 투과성을 나타내는 척도인, 파장 300 내지 1200nm에 있어서의 최대 투과율은 20％ 이하인 것이 바람직하고, 0 내지 15％인 것이 보다 바람직하고, 0％ 초과 10％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.001 내지 8％인 것이 특히 바람직하다. 파장 300 내지 1200nm에 있어서의 보호막 형성용 필름의 최대 투과율을 상기 범위로 함으로써, 가시광 파장 영역 및/또는 적외 파장 영역의 투과성의 저하가 발생하고, 반도체 장치의 적외선 기인의 오작동의 방지나, 인자의 시인성 향상과 같은 효과가 얻어진다. 파장 300 내지 1200nm에 있어서의 보호막 형성용 필름의 최대 투과율은, 상기한 착색제 성분의 종류 및 함유량에 의해 조정할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 보호막 형성용 필름의 최대 투과율은, UV-vis 스펙트럼 검사 장치((주)시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여, 경화 후의 보호막 형성용 필름(두께 25㎛)의 300 내지 1200nm에서의 전체 광선 투과율을 측정하여, 투과율이 가장 높은 값(최대 투과율)을 말하는 것으로 한다.In the protective film forming film according to the present invention, the maximum transmittance at a wavelength of 300 to 1200 nm, which is a measure for the transmittance of visible light and / or infrared and ultraviolet rays, is preferably 20% or less, more preferably 0 to 15% , More preferably more than 0% and 10% or less, and particularly preferably 0.001 to 8%. By setting the maximum transmittance of the protective film forming film at the wavelength of 300 to 1200 nm within the above range, the transmittance of the visible light wavelength region and / or the infrared wavelength region is lowered and the malfunction of the infrared device of the semiconductor device can be prevented, Effects such as improvement in visibility can be obtained. The maximum transmittance of the protective film forming film at a wavelength of 300 to 1200 nm can be adjusted depending on the type and content of the above colorant component. In the present specification, the maximum transmittance of the protective film-forming film was measured using a UV-vis spectral analyzer (Shimadzu Corporation) at 300 to 1200 nm of a film for forming a protective film (Maximum transmittance) of the transmittance is measured.

[보호막 형성용 필름의 제조 방법][Method for producing protective film-forming film]

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은, 상기 각 성분을 비율로 혼합하여 얻어지는 조성물(보호막 형성용 조성물)을 사용하여 얻어지지만, 조성물을 제조할 때에는, 상기한 식 (1)을 만족하는 비유전율이 되도록 각 성분을 배합하는 것이 필요하다. 보호막 형성용 조성물은 미리 용매로 희석해 두어도 되고, 또한 혼합 시에 용매에 첨가해도 된다. 또한, 보호막 형성용 조성물의 사용 시에, 용매로 희석해도 된다. 용매로서는, 아세트산에틸, 아세트산메틸, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세토니트릴, 헥산, 시클로헥산, 톨루엔, 헵탄 등을 들 수 있다.The film for forming a protective film according to the present invention is obtained by using a composition (composition for forming a protective film) obtained by mixing the respective components in proportions. When the composition is produced, the relative dielectric constant satisfying the formula (1) It is necessary to blend each component so as to make it possible. The protective film forming composition may be diluted with a solvent in advance, or may be added to a solvent at the time of mixing. When the composition for forming a protective film is used, it may be diluted with a solvent. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl acetate, diethyl ether, dimethyl ether, acetone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, hexane, cyclohexane, toluene and heptane.

상기와 같이 하여 제조된 보호막 형성용 조성물을 지지체 상에 도포하여 제막함으로써 보호막 형성용 필름으로 할 수 있다. 제막 방법으로서는, 종래 공지의 방법을 적용할 수 있으며, 롤 나이프 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등의 공지의 수단에 의해 보호막 형성용 조성물을 지지체 상에 도포 시공하고, 건조함으로써 보호막 형성용 필름을 얻을 수 있다. 또한, 보호막 형성용 조성물의 도포 시공량을 조정함으로써, 상기한 바와 같은 두께의 보호막 형성용 필름을 얻을 수 있다.The film for forming a protective film can be formed by applying the composition for forming a protective film as described above onto a support and forming the film. As a film-forming method, conventionally known methods can be applied, and a composition for forming a protective film is formed on a support by a known means such as a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, or a reverse coater and dried to form a protective film A film can be obtained. Further, by adjusting the application amount of the composition for forming a protective film, a film for forming a protective film having the above-described thickness can be obtained.

지지체로서는, 세퍼레이트지, 세퍼레이트 필름, 합지, 박리 필름, 박리지 등의 종래 공지의 것을 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 필름, 연신 폴리프로필렌 필름(OPP) 등의 폴리올레핀 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름을 포함하는 이형지용 기재의 편면 또는 양면에 이형층을 형성한 것을 사용해도 된다. 이형층으로서는, 이형성을 갖는 재료라면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 실리콘 수지, 유기 수지 변성 실리콘 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.As the support, conventionally known ones such as a separator paper, a separate film, a laminate paper, a release film, and a release paper can be suitably used. Further, it is also possible to use a single-sided or two-sided (single-sided) or double-sided (single-sided) or double-sided (multi-sided) May be used. The releasing layer is not particularly limited as long as it is a releasable material, and examples thereof include a silicone resin, an organic resin-modified silicone resin, and a fluororesin.

[반도체 장치의 제조 방법][Method of Manufacturing Semiconductor Device]

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름의 이용 방법에 대하여, 반도체 장치의 제조에 적용한 경우를 일례로 들어 설명한다.A method of using a film for forming a protective film according to the present invention will be described by way of example as applied to the manufacture of a semiconductor device.

우선, 반도체 웨이퍼를 준비하고, 한쪽 면에 회로 형성을 행한다. 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또한 갈륨ㆍ비소(GaAs) 등의 화합물 반도체 웨이퍼여도 된다. 웨이퍼 표면으로의 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러 가지 방법에 의해 행할 수 있다.First, a semiconductor wafer is prepared, and a circuit is formed on one side. The semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide (GaAs). The circuit formation on the wafer surface can be performed by various methods including a commonly used method such as an etching method and a lift-off method.

이어서, 반도체 웨이퍼의 회로면의 반대면(이면)을 연삭한다. 연삭법은 특별히 한정되지 않고, 그라인더 등을 사용한 공지의 수단으로 연삭해도 된다. 이면 연삭 시에는, 표면의 회로를 보호하기 위해 회로면에, 표면 보호 필름(백그라운드 필름)을 첩부한다. 이면 연삭은, 웨이퍼의 회로면측(즉 표면 보호 필름(백그라운드 필름)측)을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더에 의해 연삭한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 통상은 50 내지 500㎛ 정도이다.Then, the opposite surface (back surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground. The grinding method is not particularly limited, and may be ground by a known means using a grinder or the like. When grinding the back surface, a surface protective film (background film) is pasted on the circuit surface to protect the circuit on the surface. The back side grinding is performed by grinding the circuit side of the wafer (that is, the side of the surface protective film (background film)) with a chuck table or the like, and grinding the back side where no circuit is formed. The thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 50 to 500 mu m.

계속해서, 필요에 따라 이면 연마 시에 발생한 파쇄층을 제거한다. 파쇄층의 제거는, 케미컬 에칭이나, 플라스마 에칭 등에 의해 행해진다.Subsequently, if necessary, the fractured layer produced during backside polishing is removed. The removal of the fractured layer is performed by chemical etching, plasma etching, or the like.

그 후, 반도체 웨이퍼의 이면에, 지지체를 구비한 보호막 형성용 필름을 접착하고, 보호막 형성용 필름으로부터 지지체 필름을 박리하고, 반도체 웨이퍼와 보호막 형성용 필름의 적층체를 얻는다. 이때, 반도체 웨이퍼와 보호막 형성용 필름은, 박리대 전압의 상승을 억제하기 위해, 직접 접촉하는 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼와 보호막 형성용 필름의 사이에 다른 층이 존재하는 경우, 다른 층의 비유전율은 반도체 웨이퍼의 비유전율과 보호막 형성용 필름의 비유전율의 사이의 값을 갖는 것이 바람직하다.Thereafter, a film for forming a protective film having a support is adhered to the back surface of the semiconductor wafer, and the support film is peeled off from the protective film forming film to obtain a laminated body of the semiconductor wafer and the protective film forming film. At this time, it is preferable that the semiconductor wafer and the protective film forming film are brought into direct contact with each other in order to suppress the rise of the peeling electrification voltage. When another layer exists between the semiconductor wafer and the protective film forming film, the relative dielectric constant of the other layer preferably has a value between the relative dielectric constant of the semiconductor wafer and the relative dielectric constant of the protective film forming film.

이어서, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 웨이퍼의 전체면에 보호막을 형성한다. 구체적으로는, 열경화에 의해 보호막 형성용 필름을 경화한다. 이 결과, 웨이퍼 이면에 상기한 수지 조성물을 포함하는 보호막이 형성되고, 웨이퍼 단독의 경우와 비교하여 강도가 향상되기 때문에, 연마에 의해 박판화한 웨이퍼의 취급 시의 파손을 저감할 수 있다. 또한, 웨이퍼나 칩의 이면에 직접 보호막용 도포액을 도포ㆍ피막화하는 코팅법과 비교하여, 보호막의 두께의 균일성이 우수하다.Subsequently, the protective film forming film is cured to form a protective film on the entire surface of the wafer. Specifically, the protective film forming film is cured by thermal curing. As a result, a protective film containing the resin composition described above is formed on the back surface of the wafer, and the strength is improved as compared with the case where the wafer alone is used, so that breakage during handling of the wafer thinned by polishing can be reduced. In addition, the uniformity of the thickness of the protective film is excellent as compared with the coating method in which the coating liquid for the protective film is applied directly to the back surface of the wafer or chip.

여기서는, 보호막 형성용 필름으로부터 지지체 필름을 박리한 후에 보호막 형성용 필름을 경화시켜 웨이퍼의 전체면에 보호막을 형성하는 방법을 예시하였지만, 지지체의 박리 공정과 경화 공정의 순서를 반대로 해도 된다. 즉, 반도체 웨이퍼의 이면에, 지지체를 구비한 보호막 형성용 필름을 접착하고, 이어서 보호막 형성용 필름을 경화시켜 웨이퍼의 전체면에 보호막을 형성한 후에, 보호막면으로부터 지지체 필름을 박리해도 된다.Here, the method of forming the protective film on the entire surface of the wafer by curing the protective film forming film after peeling the support film from the protective film forming film has been exemplified, but the order of the peeling step and the curing step of the support may be reversed. That is, the support film may be peeled from the protective film surface after the protective film forming film provided with the support is adhered to the back surface of the semiconductor wafer, and then the protective film forming film is cured to form a protective film on the entire surface of the wafer.

보호막을 형성한 후, 보호막에 레이저 인자하는 것이 바람직하다. 레이저 인자는 레이저 마킹법에 의해 행해지며, 레이저광의 조사에 의해 보호막의 표면을 깍아냄으로써 보호막에 품번 등을 마킹한다.After forming the protective film, it is preferable to laser-coat the protective film. Laser marking is performed by a laser marking method. The surface of the protective film is scratched by laser light irradiation, thereby marking the protective film on the protective film.

계속해서, 반도체 웨이퍼의 이면측에 다이싱 테이프를 붙여 웨이퍼를 고정한 후, 웨이퍼를 연삭할 때 접착한 표면 보호 필름을 박리한다. 이 박리 시에는, 박리용 테이프를 표면 보호 필름에 열 압착 등으로 접합하고, 박리용 테이프를 인상하여 표면 보호 필름을 박리하는 방법, 미리 표면 보호 필름에 자외선 등에 의해 점착력을 변화시킬 수 있는 기능을 부여해 두고, 자외선 조사에 의해 표면 보호 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법 등이 있다.Subsequently, a dicing tape is stuck to the back side of the semiconductor wafer to fix the wafer, and then the bonded surface protective film is peeled off when the wafer is ground. At the time of peeling, a method of peeling the surface protective film by bonding the peeling tape to the surface protective film by thermocompression or the like and pulling up the peeling tape and a function of changing the adhesive force by ultraviolet rays or the like in advance A method of peeling off the adhesive force of the surface protective film by ultraviolet ray irradiation, and the like.

반도체 웨이퍼의 회로측의 표면 보호 필름을 박리한 후, 웨이퍼 표면에 형성된 회로마다 다이싱한다. 다이싱은, 웨이퍼와 보호막을 모두 절단하도록 행해진다. 웨이퍼의 다이싱은, 다이싱 시트를 사용한 통상의 방법에 의해 행해진다. 이 결과, 다이싱 시트 상에 개편화된, 이면에 보호막을 갖는 반도체 칩군이 얻어진다.After the surface protective film on the circuit side of the semiconductor wafer is peeled off, dicing is performed for each circuit formed on the wafer surface. Dicing is performed to cut both the wafer and the protective film. Dicing of the wafer is performed by a conventional method using a dicing sheet. As a result, a group of semiconductor chips separated on the dicing sheet and having a protective film on the back surface is obtained.

마지막으로, 이면에 보호막을 설치한 반도체 칩(보호막 구비 칩)을 콜릿 등의 범용 수단에 의해 픽업함으로써, 보호막 구비 칩이 얻어진다. 그리고, 보호막 구비 칩을 페이스 다운 방식으로 소정의 베이스 상에 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 보호막 구비 칩을, 다이 패드부 또는 다른 반도체 칩 등의 다른 부재 상(칩 탑재부 상)에 접착함으로써, 반도체 장치를 제조할 수도 있다. 본 발명에 따르면, 보호막 형성용 필름의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율을, 반도체 웨이퍼의 측정 주파수 10Hz에 있어서의 비유전율과 소정의 범위 내로 함으로써, 표면 보호 필름을 박리하는 공정을 거쳐 칩을 픽업한 경우라도, 표면 보호 필름의 종류에 구애되지 않고, 반도체 칩이 정전 파괴되는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 품질 신뢰성이 높은 반도체 칩을 얻을 수 있다. 또한, 정전 파괴되는지 여부는, 박리대 전압을 측정함으로써 평가할 수 있다.Finally, by picking up a semiconductor chip (chip with a protective film) provided with a protective film on the back side by a general means such as a collet, a chip with a protective film is obtained. Then, a semiconductor device can be manufactured by mounting a chip with a protective film on a predetermined base in face-down manner. The semiconductor device can also be manufactured by bonding the chip with a protective film to another member (chip mounting portion) such as a die pad portion or another semiconductor chip. According to the present invention, by making the relative dielectric constant of the protective film forming film at a measurement frequency of 10 Hz fall within a predetermined range from the relative dielectric constant at a measurement frequency of 10 Hz of the semiconductor wafer, the surface protective film is peeled, It is possible to suppress the electrostatic breakdown of the semiconductor chip without depending on the kind of the surface protective film. As a result, a semiconductor chip with high quality reliability can be obtained. Whether electrostatic breakdown is caused or not can be evaluated by measuring the peeling electrification voltage.

본 발명에 있어서의 박리대 전압의 측정 방법에 대하여 설명한다. 우선, 표면 보호 필름을 접착한 반도체 웨이퍼의 이면을 연마하여 소정의 두께로 한다. 그 연마면에 제전한 보호막 형성용 필름을, 핸드 롤러를 사용하여 접합한다. 지지체를 보호막 형성용 필름으로부터 박리한 후에 소정의 열처리를 행하고, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성한다. 이어서, 얻어진 보호막 필름 구비 칩의 보호막측에, 미리 제전해 둔 다이싱 테이프를, 핸드 롤러를 사용하여 접합한다. 이와 같이 하여 얻어진 시료를 소정 시간 방치한 후, 표면 보호 필름을 시료로부터 박리한다. 그 다음의 다이싱 테이프의 박리는, 다이싱 테이프를 자동 권취 장치에 고정하고, 박리 각도 170±5°, 박리 속도 10mm/sec가 되도록 행한다. 이때 발생하는 보호막 형성용 필름측의 면의 전위를, 보호막 형성용 필름의 표면으로부터50mm의 위치에 고정한 전위 측정기로 측정한다. 측정은, 23℃, 50％ RH의 환경 하에서 행하는 것으로 한다.A method of measuring the peeling electrification voltage in the present invention will be described. First, the back surface of a semiconductor wafer to which a surface protective film is adhered is polished to a predetermined thickness. The film for forming a protective film, which has been removed from the polished surface, is bonded using a hand roller. After the support is peeled off from the film for forming a protective film, predetermined heat treatment is performed to form a protective film by curing the protective film forming film. Next, the dicing tape previously removed is bonded to the protective film side of the obtained chip with a protective film film by using a hand roller. After the thus obtained sample is allowed to stand for a predetermined time, the surface protective film is peeled from the sample. The subsequent dicing tape is peeled off so that the dicing tape is fixed to the automatic winding device and the peeling angle is 170 占 5 占 and the peeling speed is 10 mm / sec. The electric potential of the side of the protective film forming film side generated at this time is measured with a potential measuring device fixed at a position 50 mm from the surface of the protective film forming film. The measurement is performed under an environment of 23 ° C and 50% RH.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급이 없는 한, 「부」란 질량부를 의미하는 것으로 한다.Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise stated, " part " means a mass part.

<반응성 필름 부여 중합체의 합성>&Lt; Synthesis of reactive film-imparting polymer >

온도계, 질소 도입 장치겸 알킬렌옥사이드 도입 장치 및 교반 장치를 구비한 오토클레이브에, 비스페놀 A-포름알데히드형 페놀 수지(메이와 가세이(주)제, 상품명 「BPA-D」, OH 당량: 120) 120.0g, 수산화칼륨 1.20g 및 톨루엔 120.0g을 투입하고, 교반하면서 계 내를 질소 치환하고, 가열 승온하였다. 이어서, 프로필렌옥사이드 63.8g을 서서히 적하하고, 125 내지 132℃, 0 내지 4.8kg/㎠에서 16시간 반응시켰다.120 g of a bisphenol A-formaldehyde-type phenol resin (trade name "BPA-D", OH equivalent: 120, manufactured by Meiwa Kasei K.K.) was added to an autoclave equipped with a thermometer, a nitrogen introducing device and an alkylene oxide introducing device, g, potassium hydroxide (1.20 g) and toluene (120.0 g) were charged, the inside of the system was replaced with nitrogen while stirring, and the temperature was raised by heating. Subsequently, 63.8 g of propylene oxide was slowly added dropwise, and the reaction was carried out at 125 to 132 캜 and 0 to 4.8 kg / cm 2 for 16 hours.

그 후, 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 이 반응 용액에 89％ 인산 1.56g을 첨가 혼합하여 수산화칼륨을 중화하고, 불휘발분 62.1％, 수산기가가 182.2g/eq.인 비스페놀 A-포름알데히드형 페놀 수지의 프로필렌옥사이드 반응 용액을 얻었다. 이것은 페놀성 수산기 1당량당 알킬렌옥사이드가 평균 1.08몰 부가되어 있는 것이었다.Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, and 1.56 g of 89% phosphoric acid was added to the reaction solution to neutralize the potassium hydroxide to obtain a bisphenol A-formaldehyde type having a nonvolatile content of 62.1% and a hydroxyl value of 182.2 g / To obtain a propylene oxide reaction solution of a phenol resin. This means that an average of 1.08 mole of alkylene oxide per equivalent of phenolic hydroxyl group was added.

얻어진 노볼락형 크레졸 수지의 알킬렌옥사이드 반응 용액 293.0g, 아크릴산 43.2g, 메탄술폰산 11.53g, 메틸하이드로퀴논 0.18g 및 톨루엔 252.9g을, 교반기, 온도계 및 공기 흡입관을 구비한 반응기에 투입하고, 공기를 10㎖/분의 속도로 불어 넣어, 교반하면서, 110℃에서 12시간 반응시켰다.293.0 g of the alkylene oxide reaction solution of the obtained novolac cresol resin, 43.2 g of acrylic acid, 11.53 g of methanesulfonic acid, 0.18 g of methylhydroquinone and 252.9 g of toluene were fed into a reactor equipped with a stirrer, a thermometer and an air suction pipe, Was blown at a rate of 10 ml / min and reacted at 110 캜 for 12 hours while stirring.

반응에 의해 생성된 물은, 톨루엔과의 공비 혼합물로서 12.6g 유출되었다. 그 후, 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 얻어진 반응 용액을 15％ 수산화나트륨 수용액 35.35g으로 중화하고, 이어서 수세하였다. 그 후, 증발기에서 톨루엔을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 118.1g으로 치환하면서 증류 제거하여, 노볼락형 아크릴레이트 수지 용액을 얻었다.The water produced by the reaction was 12.6 g effluent as an azeotropic mixture with toluene. Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, and the obtained reaction solution was neutralized with 35.35 g of a 15% aqueous solution of sodium hydroxide, followed by washing with water. Thereafter, toluene was distilled off from the evaporator while replacing the toluene with 118.1 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a novolak type acrylate resin solution.

이어서, 얻어진 노볼락형 아크릴레이트 수지 용액 332.5g 및 트리페닐포스핀 1.22g을, 교반기, 온도계 및 공기 흡입관을 구비한 반응기에 투입하고, 공기를 10㎖/분의 속도로 불어 넣어, 교반하면서, 테트라히드로프탈산 무수물 60.8g을 서서히 첨가하고, 95 내지 101℃에서 6시간 반응시켜, 고형물의 산가 88mgKOH/g, 불휘발분 71％의 카르복실기 함유 수지를 얻었다. 이것을 수지 용액 A라고 한다. 수지 용액 A에 포함되는 반응성 필름성 부여 중합체(카르복실기 함유 수지) 성분의 중량 평균 분자량은 4×10³이었다.Subsequently, 332.5 g of the obtained novolak type acrylate resin solution and 1.22 g of triphenylphosphine were introduced into a reactor equipped with a stirrer, a thermometer and an air suction tube, blowing air at a rate of 10 ml / min, 60.8 g of tetrahydrophthalic anhydride was gradually added and reacted at 95 to 101 ° C for 6 hours to obtain a carboxyl group-containing resin having an acid value of 88 mg KOH / g and a nonvolatile content of 71%. This is referred to as resin solution A. The weight average molecular weight of the reactive film property imparting polymer (carboxyl group-containing resin) component contained in the resin solution A was 4 x 10 ³ .

또한, 중량 평균 분자량(Mw)의 값은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC)법(폴리스티렌 표준)에 의해, 하기 측정 장치, 측정 조건에서 측정하였다.The value of the weight average molecular weight (Mw) was measured by the gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene standard) under the following measuring apparatus and measurement conditions.

측정 조건:Measuring conditions:

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

RI 검출기 설정 온도: 35℃RI detector set temperature: 35 ℃

전개 용매: 테트라히드로푸란Developing solvent: tetrahydrofuran

유속: 0.5㎖/분Flow rate: 0.5 ml / min

샘플양: 10㎕Sample volume: 10 μl

샘플 농도: 0.7wt％Sample concentration: 0.7 wt%

<보호막 형성용 필름 1의 제작>&Lt; Production of protective film forming film 1 >

이하의 성분을 메틸에틸케톤에 용해ㆍ분산시켜, 고형분 질량 농도 20％의 보호막 형성용 조성 용액 1을 제조하였다.The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 1 for forming a protective film having a solid content mass concentration of 20%.

ㆍ페녹시수지(도토 가세이사제 FX293) 50부Phenoxy resin (FX293 manufactured by Toko Chemical Co., Ltd.) 50 parts

ㆍ수지 용액 A 70.4부ㆍ Resin Solution A 70.4 parts

ㆍ나프탈렌형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠사제 NC-7000) 30부Naphthalene type epoxy resin (NC-7000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 30 copies

ㆍ비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 가가쿠사제 YX-4000) 10부- Vicilsilene type epoxy resin (YX-4000 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 10 copies

ㆍ페놀 수지(더 다우 케미컬 컴퍼니제 DEN-431) 10부Phenol resin (DEN-431 made by The Dow Chemical Company) 10 copies

ㆍC.I.Pigment Blue 15:3 0.8부C.I.Pigment Blue 15: 3 0.8 part

ㆍC.I.Pigment Yellow 147 0.55부C.I.Pigment Yellow 147 0.55 part

ㆍPaliogen Red K3580 1.5부ㆍ Paliogen Red K3580 1.5 parts

ㆍ구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인 SO-E2) 100부ㆍ spherical silica (Admafine SO-E2 made by Admatex) 100 copies

ㆍ수산화알루미늄(쇼와 덴코(주)제 하이질라이트 H-42M) 150부Aluminum hydroxide (Hajilite H-42M manufactured by Showa Denko K.K.) 150 parts

ㆍ실란 커플링제(신에츠 가가쿠사제 KBM-403) 2부Silane coupling agent (KBM-403 made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Part 2

ㆍ2-페닐이미다졸(시코쿠 가세이 고교(주)제 2PZ) 2부2-phenylimidazole (2PZ, Shikoku Kasei Corporation) Part 2

보호막 형성용 조성 용액 1을 표면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)에 도포하고, 100℃에서 5분 건조시켜 두께 20㎛의 보호막 형성용 필름 1을 제작하였다.The protective film forming composition solution 1 was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) subjected to a peeling treatment on the surface and dried at 100 캜 for 5 minutes to prepare a protective film forming film 1 having a thickness of 20 탆.

<보호막 형성용 필름 2의 제작>&Lt; Preparation of protective film forming film 2 >

이하의 성분을 메틸에틸케톤에 용해ㆍ분산시켜, 고형분 질량 농도 20％의 보호막 형성용 조성 용액 2를 제조하였다.The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 2 for forming a protective film having a solid content mass concentration of 20%.

ㆍ수지 용액 A 70.4부ㆍ Resin Solution A 70.4 parts

ㆍ에폭시 수지(상품명 에피코트 1001; JER사제) 30부Epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, manufactured by JER) 30 copies

ㆍC.I.Pigment Blue 15:3 0.8부C.I.Pigment Blue 15: 3 0.8 part

ㆍC.I.Pigment Yellow 147 0.55부C.I.Pigment Yellow 147 0.55 part

ㆍPaliogen Red K3580 1.5부ㆍ Paliogen Red K3580 1.5 parts

ㆍ구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인 SO-E2) 300부ㆍ spherical silica (Admafine SO-E2 made by Admatex) 300 parts

보호막 형성용 조성 용액 2를 표면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)에 도포하고, 100℃에서 5분 건조시켜 두께 20㎛의 보호막 형성용 필름 2를 제작하였다.The composition solution 2 for forming a protective film was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) subjected to a peeling treatment on the surface and dried at 100 ° C for 5 minutes to prepare a protective film forming film 2 having a thickness of 20 μm.

<보호막 형성용 필름 3의 제작>&Lt; Fabrication of protective film forming film 3 >

이하의 성분을 메틸에틸케톤에 용해ㆍ분산시켜, 고형분 질량 농도 20％의 보호막 형성용 조성 용액 3을 제조하였다.The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 3 for forming a protective film having a solid content mass concentration of 20%.

ㆍ수지 용액 A 70.4부ㆍ Resin Solution A 70.4 parts

ㆍ카본 블랙(카본 MA-100) 10부Carbon black (Carbon MA-100) 10 copies

ㆍ구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인 SO-E2) 200부ㆍ spherical silica (Admafine SO-E2 made by Admatex) 200 parts

ㆍ산화티타늄(이시하라 산교(주)제 CR-90) 15부ㆍ Titanium oxide (CR-90, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) Part 15

보호막 형성용 조성 용액 3을 표면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)에 도포하고, 100℃에서 5분 건조시켜 두께 20㎛의 보호막 형성용 필름 3을 제작하였다.The composition solution 3 for forming a protective film was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) subjected to a peeling treatment on the surface and dried at 100 DEG C for 5 minutes to prepare a protective film forming film 3 having a thickness of 20 mu m.

<보호막 형성용 필름 4의 제작>&Lt; Fabrication of Protective Film Forming Film 4 >

이하의 성분을 메틸에틸케톤에 용해ㆍ분산시켜, 고형분 질량 농도 20％의 보호막 형성용 조성 용액 4를 제조하였다.The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 4 for forming a protective film having a solid content mass concentration of 20%.

ㆍ폴리스티렌 수지(와코 쥰야쿠 고교 시약 그레이트) 100부ㆍ Polystyrene resin (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 100 copies

ㆍ에폭시 수지(JER사제 에피코트 1001) 30부Epoxy resin (Epikote 1001 manufactured by JER) 30 copies

ㆍ수산화알루미늄(와코 쥰야쿠 고교 시약 그레이트) 100부ㆍ Aluminum hydroxide (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 100 copies

ㆍ탄산칼슘(닛토분 가고교 가부시키가이샤제 NITOREX#23P) 100부Calcium carbonate (NITOREX # 23P manufactured by Nitto Kagyo KK) 100 copies

ㆍC.I.Pigment Blue 15:3 0.8부C.I.Pigment Blue 15: 3 0.8 part

ㆍC.I.Pigment Yellow 147 0.55부C.I.Pigment Yellow 147 0.55 part

ㆍPaliogen Red K3580 1.5부ㆍ Paliogen Red K3580 1.5 parts

보호막 형성용 조성 용액 4를 표면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)에 도포하고, 80℃에서 5분 건조시켜 두께 20㎛의 보호막 형성용 필름 4를 제작하였다.The protective film forming composition solution 4 was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) subjected to a peeling treatment on the surface and dried at 80 캜 for 5 minutes to prepare a protective film forming film 4 having a thickness of 20 탆.

<보호막 형성용 필름 5의 제작>&Lt; Preparation of protective film forming film 5 >

이하의 성분을 메틸에틸케톤에 용해ㆍ분산시켜, 고형분 질량 농도 20％의 보호막 형성용 조성 용액 5를 제조하였다.The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 5 for forming a protective film having a solid content mass concentration of 20%.

ㆍ수지 용액 A 70.4부ㆍ Resin Solution A 70.4 parts

ㆍ카본 블랙(카본 MA-100) 10부Carbon black (Carbon MA-100) 10 copies

ㆍ침전법 실리카(도소ㆍ실리카(주)제 Nipsil L300) 15부ㆍ Precipitation method silica (Nipsil L300, manufactured by Toso Silica Co., Ltd.) Part 15

보호막 형성용 조성 용액 5를 표면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)에 도포하고, 100℃에서 5분 건조시켜 두께 20㎛의 보호막 형성용 필름 5를 제작하였다.The composition solution 5 for forming a protective film was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) subjected to a peeling treatment on the surface and dried at 100 占 폚 for 5 minutes to prepare a protective film forming film 5 having a thickness of 20 占 퐉.

<보호막 형성용 필름 6의 제작>&Lt; Preparation of protective film forming film 6 >

이하의 성분을 메틸에틸케톤에 용해ㆍ분산시켜, 고형분 질량 농도 20％의 보호막 형성용 조성 용액 6을 제조하였다.The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 6 for forming a protective film having a solid content concentration of 20%.

ㆍ수지 용액 A 70.4부ㆍ Resin Solution A 70.4 parts

ㆍ카본 블랙(카본 MA-100) 10부Carbon black (Carbon MA-100) 10 copies

ㆍ구상 실리카(애드마텍스사제 애드마파인 SO-E2) 180부ㆍ spherical silica (Admafine SO-E2 made by Admatex) 180 parts

ㆍ구상 알루미나(덴키 가가쿠 고교(주)제 DAW0525) 20부Spherical alumina (DAW0525 manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) 20 copies

보호막 형성용 조성 용액 6을 표면에 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)에 도포하고, 100℃에서 5분 건조시켜 두께 20㎛의 보호막 형성용 필름 6을 제작하였다.The protective film forming composition solution 6 was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) subjected to a peeling treatment on the surface and dried at 100 ° C for 5 minutes to prepare a protective film forming film 6 having a thickness of 20 μm.

<표면 보호 필름의 제작>&Lt; Preparation of surface protective film >

두께 100㎛의 폴리올레핀 필름을 기재 필름으로서 사용하고, 이 기재 필름의 한쪽의 주면 상에 폴리에틸렌디옥시티오펜의 수용액(상품명: 코니솔 F-205, 인스콘텍(주)제)을 그라비아 도포 시공하여 0.1㎛ 두께의 대전 방지층을 형성시켰다. 그 후, 베이스 중합체가 분자 내에 광경화성 불포화 탄소 결합을 0.5meq/g의 비율로 함유하는 아크릴계 공중합체 100부와 경화제인 폴리이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄사제, 상품명 코로네이트 L) 1부와 광개시제인 α-히드록시시클로헥실페닐케톤 2부를 배합하여, 점착제 도포액을 제조하였다. 콤마 코터를 사용하여 편면에 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 25㎛)의 상기 이형 처리의 반대면 상에 제조한 점착제 도포액을 선 속도 2m/분으로 도포 시공하고, 110℃로 설정한 온풍 건조로를 통하여, 점착제층을 형성하고, 대전 방지 처리 기재 필름과 접합하여, 건조 후의 도포 두께가 30㎛인 표면 보호 필름 A를 제작하였다. 또한, 점착제층의 두께를 300㎛로 한 것 이외에는 표면 보호 필름 A와 마찬가지로 하여, 대전 방지층으로부터의 거리를 넓혀 정전 파괴의 리스크를 높인 표면 보호 필름 B를 제작하였다.A polyolefin film having a thickness of 100 占 퐉 was used as a base film and an aqueous solution of polyethylene dioxythiophene (trade name: Conesol F-205, manufactured by Instron KK) was gravure coated on one main surface of the base film to obtain 0.1 Thereby forming an antistatic layer having a thickness of 占 퐉. Thereafter, 100 parts of an acrylic copolymer containing a photopolymerizable unsaturated carbon bond in a proportion of 0.5 meq / g in the molecule, 1 part of a polyisocyanate compound (trade name, Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as a curing agent, and 2 parts of? -hydroxycyclohexyl phenyl ketone were mixed to prepare a pressure-sensitive adhesive application liquid. The pressure-sensitive adhesive coating liquid prepared on the opposite surface of the release treatment of a polyethylene terephthalate film (thickness 25 탆) obtained by subjecting a silicone-modified surface to a single-sided coating with a comma coater was applied at a linear velocity of 2 m / min, A pressure sensitive adhesive layer was formed through a hot air drying furnace and bonded to an antistatic treatment base film to prepare a surface protective film A having a coating thickness of 30 mu m after drying. Further, the surface protective film B was produced in the same manner as the surface protective film A except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 300 mu m to widen the distance from the antistatic layer to increase the risk of electrostatic breakdown.

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

점착제층 형성 재료로서, 상품명 「WINTEC WFX4M」(닛폰 폴리프로필렌사제) 80부와, 상품명 「타프셀렌 H5002」(스미토모 가가쿠사제) 20부의 혼합물을 사용하였다. 또한, 기재층 형성 재료로서, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA)(미츠이 듀퐁사제, 상품명 「에바플렉스 P-1007」)를 사용하였다. 점착제 형성 재료 및 기재층 형성 재료를 각각 압출기에 투입하고, T 다이 용융 공압출을 행하여, 점착제층의 두께가 40㎛, 기재층의 두께가 80㎛인 다이싱 테이프를 얻었다.As a pressure-sensitive adhesive layer-forming material, a mixture of 80 parts of trade name "WINTEC WFX4M" (manufactured by Nippon Polypropylene) and 20 parts of trade name "Tapscelene H5002" (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was used. Further, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) (trade name "Evaplex P-1007" manufactured by Mitsui Dupont Co., Ltd.) was used as the substrate layer-forming material. The pressure-sensitive adhesive forming material and the base layer forming material were put into an extruder, respectively, and subjected to T-die melt co-extrusion to obtain a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer thickness of 40 m and a base layer thickness of 80 m.

<반도체 웨이퍼의 준비><Preparation of Semiconductor Wafer>

반도체 웨이퍼로서, 캐노시스사제의 4인치, 두께 525㎛의 P형 실리콘 웨이퍼, 및 4인치, 두께 625㎛의 논도프 GaAs 웨이퍼의 2종류를 준비하였다.As semiconductor wafers, there were prepared four types of P-type silicon wafers of 4 inches and 525 m in thickness, and 4 inches of non-doped GaAs wafers of 625 m in thickness.

<보호막 형성용 필름의 비유전율의 측정><Measurement of relative dielectric constant of protective film forming film>

상기와 같이 하여 얻어진 보호막 형성용 필름 1 내지 6에 대하여, 이하와 같이 하여 비유전율을 측정하였다. 우선, 두께 20㎛의 보호막 형성용 필름을 동장 적층판 상에 핸드 롤러를 사용하여 적층하고, PET 필름을 박리하고 나서 150℃에서 30분 가열하여 경화시켰다. 적층체를 실온까지 냉각하였다. 보호막 형성용 필름의 두께는, 고사카 겡큐쇼 서프 코터 SE-2300을 사용하여 측정하였다. 두께는 5회 측정한 평균값으로 하였다. 이어서, 이 보호막 형성용 필름 적층체의 보호막 형성용 필름측에 은 페이스트(다이요 잉크 세조(주)제 AF-5000)를 사용하여, 스크린 인쇄로 직경 38mmφ의 원형 전극을 형성하였다. 이때 38mmφ 원형 전극의 동심원상의 외주에, 내경 40mmφ, 외형 50mmφ의 도너츠 형상의 가드 전극도 함께 형성하였다. 은 페이스트를 인쇄한 후에, 80℃에서 30분 건조시켜 은 전극을 형성함으로써, 비유전율 측정용 샘플 1 내지 6을 얻었다.The relative dielectric constants of the protective film forming films 1 to 6 thus obtained were measured as follows. First, a film for forming a protective film having a thickness of 20 mu m was laminated on a copper clad laminate using a hand roller, and the PET film was peeled and then heated at 150 DEG C for 30 minutes to cure. The laminate was cooled to room temperature. The thickness of the protective film-forming film was measured using a Kosaku Gunkyusho Surf Coater SE-2300. The thickness was the average value measured five times. Next, a circular electrode having a diameter of 38 mm was formed by screen printing using a silver paste (AF-5000 manufactured by Daiei InkSeo Co., Ltd.) on the protective film forming film side of the protective film forming film laminate. At this time, a donor-shaped guard electrode having an inner diameter of 40 mm? And an outer diameter of 50 mm? Was also formed on the outer periphery of the concentric circle of the 38 mm? Circular electrode. Silver paste was printed and dried at 80 DEG C for 30 minutes to form silver electrodes to obtain samples 1 to 6 for measuring the relative dielectric constant.

얻어진 비유전율 측정용 샘플 1 내지 6을 23℃ 50％ RH에서 하루 방치하였다. 히오키 덴키제 LCR 미터 IM3536을 사용하여, 38mmφ 원형 은 전극과 동장 적층판의 구리박을 각각 LCR 미터에 결선하고, 보호막 형성용 필름 적층체를 차폐 상자에 넣어 23℃ 50％ RH의 환경 하에서, 시험 전압(신호 전압) 0.5V, 측정 주파수 10Hz에서 256회 연속해서 비유전율을 측정하여, 그의 평균값을 산출하였다. 측정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.The obtained samples 1 to 6 for measuring the relative dielectric constant were allowed to stand at 23 DEG C and 50% RH for one day. Using a LCR meter IM3536 manufactured by Hioki Denki Co., Ltd., a 38 mm diameter circular electrode and a copper foil of a copper clad laminate were each connected to an LCR meter, and the film laminate for forming a protective film was placed in a shield box and tested under an environment of 23 deg. The relative dielectric constant was measured 256 times at a voltage (signal voltage) of 0.5 V and a measurement frequency of 10 Hz, and the average value thereof was calculated. The measurement results are shown in Table 1 below.

<반도체 웨이퍼의 비유전율의 측정>&Lt; Measurement of relative dielectric constant of semiconductor wafer &

반도체 웨이퍼의 편면에 상기에서 제작한 표면 보호 필름 A를 접합한 후, 그 반대측을, 웨이퍼 두께가 300㎛가 될 때까지 연마하였다. 이어서, 표면 보호 필름 A측으로부터, 고압 수은등을 200mJ/㎠ 조사 에너지로 1분간 조사한 후, 자동 권취 장치에 고정하고, 박리 각도 170±5°, 박리 속도 10mm/sec가 되도록, 표면 보호 필름 A를 박리하였다.The surface protective film A prepared above was bonded to one side of the semiconductor wafer, and the opposite side was polished until the wafer thickness became 300 m. Subsequently, the surface protective film A was irradiated with a high-pressure mercury lamp at an irradiation energy of 200 mJ / cm 2 for one minute, and then fixed on the automatic winding device. The surface protective film A was soaked at a peeling angle of 170 ± 5 ° and a peeling rate of 10 mm / And peeled.

얻어진 300㎛ 두께의 반도체 웨이퍼의 편면에는 은 페이스트(다이요 잉크 세조(주)제 AF-5000)를 사용하여, 반도체 웨이퍼의 거의 중앙에, 스크린 인쇄로 직경 80mmφ의 원형 전극을 형성하고, 80℃ 30분 건조하여 은 전극을 형성하였다. 반대면에는 반도체 웨이퍼의 거의 중앙에, 스크린 인쇄로 직경 38mmφ의 원형 전극을 형성하였다. 이때 38mmφ 원형 전극의 동심원상의 외주에, 내경 40mmφ, 외형 50mmφ의 도너츠 형상의 가드 전극도 함께 형성하였다. 은 페이스트를 인쇄한 후에, 80℃에서 30분 건조시켜 은 전극을 형성함으로써, 반도체 웨이퍼의 비유전율 측정용 샘플을 얻었다.A round electrode having a diameter of 80 mm? Was formed on the surface of a semiconductor wafer having a thickness of 300 占 퐉 by screen printing using a silver paste (AF-5000 manufactured by Daiyo Yuka Seiki Co., Ltd.) And dried to form a silver electrode. On the opposite surface, a circular electrode having a diameter of 38 mmφ was formed by screen printing at almost the center of the semiconductor wafer. At this time, a donor-shaped guard electrode having an inner diameter of 40 mm? And an outer diameter of 50 mm? Was also formed on the outer periphery of the concentric circle of the 38 mm? Circular electrode. Silver paste was printed and then dried at 80 DEG C for 30 minutes to form a silver electrode to obtain a sample for measuring the relative dielectric constant of the semiconductor wafer.

얻어진 반도체 웨이퍼의 비유전율 측정용 샘플을 23℃ 50％ RH에서 하루 방치하였다. 히오키 덴키제 LCR 미터 IM3536을 사용하여, 38mmφ 원형 은 전극과 80mmφ 원형 은 전극을 각각 LCR 미터에 결선하고, 반도체 웨이퍼의 비유전율 측정용 샘플을 차폐 상자에 넣어 23℃ 50％ RH의 환경 하에서, 시험 전압(신호 전압) 0.5V, 측정 주파수 10Hz에서 256회 연속해서 비유전율을 측정하여, 그의 평균값을 산출하였다. 측정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.A sample for measuring the relative dielectric constant of the obtained semiconductor wafer was allowed to stand at 23 占 폚 and 50% RH for one day. Using a LCR meter IM3536 manufactured by Hioki Denki Co., Ltd., an electrode of 38 mm in diameter and an electrode of 80 mm in diameter were respectively connected to an LCR meter, and a sample for measuring the relative dielectric constant of the semiconductor wafer was placed in a shield box, The relative dielectric constant was measured 256 times at the test voltage (signal voltage) of 0.5 V and the measurement frequency of 10 Hz, and the average value thereof was calculated. The measurement results are shown in Table 1 below.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

실리콘 웨이퍼의 편면에 상기에서 제작한 표면 보호 필름 A를 접합한 후, 그 반대측을, 웨이퍼 두께가 300㎛가 될 때까지 연마하였다. 이어서, 그 연마면에 보호막 형성용 필름 1을 핸드 롤러를 사용하여 접합하고, 보호막 형성용 필름 1로부터 PET 필름을 박리한 후, 150℃, 30분 가열함으로써 보호막을 형성하였다. 계속해서, 보호막측에, 미리 제전해 둔 다이싱 테이프의 점착제층측을 핸드 롤러를 사용하여 접합함으로써 샘플 1을 제작하였다.The surface protective film A prepared above was bonded to one side of the silicon wafer, and the opposite side was polished until the wafer thickness became 300 m. Subsequently, the protective film forming film 1 was bonded to the polished surface using a hand roller, the PET film was peeled from the protective film forming film 1, and the protective film was formed by heating at 150 DEG C for 30 minutes. Subsequently, on the protective film side, the pressure sensitive adhesive layer side of the dicing tape previously removed was bonded using a hand roller, to thereby fabricate Sample 1. [

상기와 같이 하여 얻어진 샘플 1을 23℃ 50％ RH의 환경 하에서 하루 방치한 후, 그 측정 환경 상태에서 표면 보호 필름 A측으로부터, 고압 수은등을 200mJ/㎠ 조사 에너지로 1분간 조사한 후, 자동 권취 장치에 고정하고, 박리 각도 170±5°, 박리 속도 10mm/sec가 되도록 표면 보호 필름 A를 박리하였다.After the sample 1 thus obtained was allowed to stand in an environment of 23 ° C and 50% RH for one day, a high-pressure mercury lamp was irradiated from the surface protective film A side for one minute at an irradiation energy of 200 mJ / , And the surface protective film A was peeled so that the peeling angle was 170 占占 and the peeling speed was 10 mm / sec.

표면 보호 필름 A를 박리하고 나서 10분 경과한 후에, 다이싱 테이프측을 위로 하여 전위 측정기의 센서의 바로 밑 50mm의 위치에 샘플을 세팅하였다. 다이싱 테이프를 자동 권취 장치에 고정하고, 박리 각도 170±5°, 박리 속도 10mm/sec가 되도록 다이싱 테이프를 박리하였다.After lapse of 10 minutes from peeling of the surface protective film A, the sample was set at a position 50 mm right below the sensor of the electric potential measuring device with the dicing tape side up. The dicing tape was fixed to the automatic winding device, and the dicing tape was peeled so that the peeling angle was 170 占 5 占 and the peeling speed was 10 mm / sec.

이 때 발생하는 보호막 형성용 필름측의 면의 전위를 소정의 위치에 고정한 전위 측정기(가스가 덴키사제 KSD-2000)로 측정하였다. 박리대 전압이 ±0.2kv 이내인 경우를 ○, +0.2kv를 초과할 때, 또는 -0.2kv보다 마이너스의 값이 커지는 경우를 ×로 판정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.The potential at the side of the protective film forming film generated at this time was measured with a potential meter (KSD-2000 made by Kasuga Electric Co., Ltd.) fixed at a predetermined position. A case where the peeling electrification voltage was within ± 0.2 kv was evaluated as O, a case where the value exceeded + 0.2 kv, or a case where a negative value became greater than -0.2 kv was evaluated as x. The determination results are shown in Table 1 below.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

실시예 1에 있어서, 보호막 형성용 필름 1 대신에 보호막 형성용 필름 2를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.The peeling electrification voltage was measured in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming film 2 was used instead of the protective film forming film 1 in Example 1. The determination results are shown in Table 1 below.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

실시예 1에 있어서, 보호막 형성용 필름 1 대신에 보호막 형성용 필름 3을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.The peeling electrification voltage was measured in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming film 3 was used instead of the protective film forming film 1 in Example 1. [ The determination results are shown in Table 1 below.

<실시예 4><Example 4>

실시예 3에 있어서, 실리콘 웨이퍼 대신에 GaAs 웨이퍼를 사용한 것 이외에는 실시예 3과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.In Example 3, the peeling electrification voltage was measured in the same manner as in Example 3 except that a GaAs wafer was used in place of the silicon wafer. The determination results are shown in Table 1 below.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

실시예 1에 있어서, 보호막 형성용 필름 1 대신에 보호막 형성용 필름 5를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.The peeling electrification voltage was measured in the same manner as in Example 1, except that the protective film forming film 5 was used in place of the protective film forming film 1 in Example 1. The determination results are shown in Table 1 below.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

실시예 1에 있어서, 보호막 형성용 필름 1 대신에 보호막 형성용 필름 4를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.The peeling electrification voltage was measured in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming film 4 was used instead of the protective film forming film 1 in Example 1. The determination results are shown in Table 1 below.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

실시예 1에 있어서, 실리콘 웨이퍼 대신에 GaAs 웨이퍼를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.In Example 1, the peeling electrification voltage was measured in the same manner as in Example 1 except that a GaAs wafer was used in place of the silicon wafer. The determination results are shown in Table 1 below.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

실시예 1에 있어서, 보호막 형성용 필름 1 대신에 보호막 형성용 필름 6을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 판정 결과는, 하기 표 1에 나타내는 바와 같았다.The peeling electrification voltage was measured in the same manner as in Example 1 except that the protective film forming film 6 was used instead of the protective film forming film 1 in Example 1. [ The determination results are shown in Table 1 below.

표 1에 나타난 평가 결과로부터도 명백한 바와 같이, 보호막 형성용 필름이, 반도체 웨이퍼와의 관계에서, 상기한 식 (1)을 만족하는 비유전율인 경우(실시예 1 내지 5)에는, 모두 양호한 박리대 전압의 평가 결과를 나타내었다. 한편, 보호막 형성용 필름의 비유전율이 반도체 웨이퍼와의 관계에서, 상기한 식 (1)을 만족하지 않는 경우(비교예 1 내지 3)에는, 박리대 전압이 높았다.As is clear from the evaluation results shown in Table 1, in the case where the protective film forming film had a relative dielectric constant satisfying the above-described formula (1) (Examples 1 to 5) in relation to the semiconductor wafer, The evaluation results of the large voltage are shown. On the other hand, in the case where the relative dielectric constant of the film for forming a protective film did not satisfy the above-mentioned formula (1) (Comparative Examples 1 to 3) in relation to the semiconductor wafer, the peeling electrification voltage was high.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

실시예 1에 있어서, 표면 보호 필름 A 대신에, 점착층의 두께가 10배 두껍고, 대전 방지층으로부터의 거리를 넓혀 정전 파괴의 리스크를 높인 표면 보호 필름 B를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 박리대 전압을 측정하였다. 그 결과, 실시예 1과 마찬가지로, 박리대 전압의 평가 결과는 ○이었다. 이상의 결과로부터, 표면 보호 필름에 구애되지 않고, 식 (1)을 만족하는 보호막 형성용 필름으로 함으로써, 박리대 전압을 작게 억제할 수 있음을 알 수 있다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the surface protective film A was replaced with the surface protective film B in which the thickness of the adhesive layer was 10 times thicker and the distance from the antistatic layer was increased to increase the risk of electrostatic breakdown The peeling electrification voltage was measured. As a result, in the same manner as in Example 1, the evaluation result of the peeling electrification voltage was?. From the above results, it can be seen that the peeling electrification voltage can be suppressed to be small by forming a film for forming a protective film satisfying the formula (1) without depending on the surface protective film.

Claims

A film for forming a protective film provided on a back surface of a circuit formation surface of a semiconductor wafer,
Wherein the relative dielectric constant of the semiconductor wafer and the film at a measurement frequency of 10 Hz satisfies the following formula (1):
|? _S- ? _F |? 9 (1)
(Wherein,? _S represents a relative dielectric constant of the semiconductor wafer at a measurement frequency of 10 Hz, and? _F represents a relative dielectric constant of the protective film forming film at a measurement frequency of 10 Hz)
Is satisfied. &Lt; / RTI >

The protective film forming film according to claim 1, wherein the semiconductor wafer is a silicon wafer.

The protective film forming film according to claim 1 or 2, wherein the protective film forming film is provided in direct contact with the back surface of the circuit forming surface of the semiconductor wafer.

The protective film forming film according to any one of claims 1 to 3, wherein the protective film forming film further comprises a peelable support.