KR20180058892A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an apparatus for treating a substrate and a method thereof. The apparatus for cleaning a non-treated surface of a substrate comprises: a substrate support unit supporting and rotating the substrate; an inversion unit inverting the substrate so that a treating surface on which a pattern of the substrate is formed faces downward and the non-treated surface, which is a non-pattern surface of the substrate, faces upward; and a cleaning unit cleaning the non-treated surface of the substrate held in an inverted state on the substrate support unit. The cleaning unit includes a cleaning nozzle supplying a cleaning liquid in a mist method to the non-treated surface of the substrate. As a result, pressing force is generated between the cleaning liquid and the substrate, and a process by-products remaining on the non-treated surface can be removed.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 세정 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for cleaning a substrate.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정 공정이 실시된다.In order to fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photo, etch, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. A cleaning process is performed to clean the substrate before or after each process to remove contaminants and particles generated in each process.

이 중 액침 노광(Immersion lithography) 공정이 수행된 기판에는 브러시 세정 공정이 수행된다. 액침(Immersion) 방식으로 노광 공정이 진행되는 경우, 기판의 저면인 비패턴면에는 다량의 이물들이 부착되는 이멀전 디펙트(Immersion Defect)가 발생된다. 이에 따라 기판의 비패턴면을 브러시 세정 처리하는 공정이 필수적으로 진행되어야 한다. A brush cleaning process is performed on the substrate on which the immersion lithography process is performed. When an exposure process is carried out by immersion, an immersion defect occurs in which a large amount of foreign matter adheres to the non-patterned surface of the substrate. Accordingly, a step of performing a brush cleaning process on the non-patterned surface of the substrate must be essentially performed.

일반적으로, 브러시 세정 공정은 기판의 비패턴면을 세정 처리하는데 적용된다. 브러시 세정 공정은 기판을 반전시키고, 도 1과 같이, 반전된 기판(W)의 비패턴면(Wb)을 브러시(2)로 물리 세정한다. 기판(W)의 비패턴면(Wb)을 물리 세정하는 중에는 그 세정 효율을 향상시키기 위해 비패턴면(Wb)으로 세정액이 공급된다. 비패턴면(Wb)에는 세정액에 의한 액막이 형성되며, 브러시(2)는 액막이 형성된 비패턴면(Wb)을 물리 세정한다. 이후에 기판을 회전시켜 기판을 건조 처리한다. 기판을 건조 처리하는 공정 중에는 기판을 고속으로 회전시켜 기판 상에 잔류되는 액막을 제거한다. Generally, the brush cleaning process is applied to clean the non-patterned surface of the substrate. The brush cleaning step reverses the substrate and physically cleans the non-patterned surface Wb of the inverted substrate W with the brush 2 as shown in Fig. While physically cleaning the non-patterned surface Wb of the substrate W, the cleaning liquid is supplied to the non-patterned surface Wb in order to improve the cleaning efficiency. On the non-patterned surface Wb, a liquid film is formed by the cleaning liquid, and the brush 2 physically cleans the non-patterned surface Wb on which the liquid film is formed. Thereafter, the substrate is rotated to dry the substrate. During the step of drying the substrate, the substrate is rotated at high speed to remove the liquid film remaining on the substrate.

그러나 기판 상에 잔류되는 액막을 건조 처리하기 위해서는 매우 많은 시간이 소요되며, 이는 생산성을 저하시킨다.However, it takes a very long time to dry the liquid film remaining on the substrate, which lowers the productivity.

본 발명은 액침 노광 공정의 진행시 발생하는 이머젼 디펙트(Immersion Defect)를 감소시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides an apparatus and a method that can reduce immersion defects that occur during the progress of a liquid immersion exposure process.

본 발명은 기판의 비패턴면인 저면을 브러시없이 세정 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method capable of cleaning a bottom surface which is a non-patterned surface of a substrate without a brush.

또한 본 발명은 기판의 저면을 세정 처리하는데에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and a method for shortening the time required for cleaning the bottom surface of a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 세정 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판의 비처리면을 세정 처리하는 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 기판의 패턴이 형성된 처리면이 아래를 향하도록, 그리고 기판의 비패턴면인 비처리면이 위를 향하도록 기판을 반전시키는 반전 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 반전된 상태로 지지되는 기판의 비처리면을 세정 처리하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은 기판의 비처리면으로 세정액을 미스트 방식으로 공급하는 세정 노즐을 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for cleaning a substrate. An apparatus for cleaning a non-processed surface of a substrate includes a substrate supporting unit for supporting and rotating the substrate, a substrate holding unit for holding the substrate so that the processed surface on which the pattern of the substrate is formed faces downward, And a cleaning unit for cleaning the non-processed surface of the substrate supported in the inverted state on the substrate supporting unit, wherein the cleaning unit is provided with a cleaning unit And a cleaning nozzle.

상기 기판 지지 유닛은 지지판, 상기 지지판을 지지하는 회전축, 그리고 상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하고, 상기 세정 유닛은 상기 세정 노즐에 세정액을 공급하며, 밸브가 설치되는 액 공급 라인을 포함하되, 상기 장치는 상기 기판 지지 유닛 및 상기 세정 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 제1속도로 회전되는 기판의 비처리면에 세정액을 공급하여 기판의 비처리면을 세정 처리하고, 이후에 세정액의 공급을 중지하고 기판을 상기 제1속도와 상이한 제2속도로 회전되도록 상기 구동기 및 상기 밸브를 제어할 수 있다. 상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠른 속도로 제공될 수 있다. 상기 제어기는 세정액의 공급이 중지되는 동시에 기판을 상기 제1속도에서 상기 제2속도로 회전시킬 수 있다. Wherein the substrate supporting unit includes a supporting plate, a rotating shaft for supporting the supporting plate, and a driving unit for rotating the rotating shaft, wherein the cleaning unit supplies a cleaning liquid to the cleaning nozzle, and a liquid supply line for installing the valve, The apparatus further includes a controller for controlling the substrate supporting unit and the cleaning unit, wherein the controller applies a cleaning liquid to the non-processing surface of the substrate rotated at the first speed to clean the non-processing surface of the substrate, It is possible to stop the supply of the cleaning liquid and to control the actuator and the valve to rotate the substrate at a second speed different from the first speed. The second speed may be provided at a speed higher than the first speed. The controller may rotate the substrate at the first speed and the second speed while the supply of the cleaning liquid is stopped.

기판의 비처리면을 세정 처리하는 방법은 상기 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 비처리면에 세정액을 공급하는 세정 처리 단계 및 상기 세정 처리 단계 이후에, 상기 기판을 상기 제2속도로 회전시켜 상기 비처리면을 건조하는 건조 처리 단계를 포함하되, 상기 세정액은 미스트 방식으로 토출된다. A method of cleaning a non-processed surface of a substrate includes a cleaning processing step of rotating the substrate at a first speed and supplying a cleaning liquid to the non-processed surface, and a cleaning processing step of rotating the substrate at the second speed And drying the non-treated surface, wherein the cleaning liquid is discharged in a mist manner.

상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠른 속도로 제공될 수 있다. 상기 세정액의 공급이 중지되는 동시에 상기 건조 처리 단계가 진행될 수 있다. 상기 세정액에 의해 상기 비처리면에 가해지는 압력은 400 내지 430 킬로파스칼(kPa)일 수 있다. 상기 세정 처리 단계에서 상기 세정액의 공급 영역은 상기 기판의 중심 및 가장자리 영역 간에 이동될 수 있다.The second speed may be provided at a speed higher than the first speed. The supply of the cleaning liquid may be stopped and the drying process may proceed. The pressure applied to the non-treated surface by the cleaning liquid may be 400 to 430 kilopascals (kPa). In the cleaning process step, the supply region of the cleaning liquid may be moved between the center and edge regions of the substrate.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 비처리면에는 미스트 방식으로 세정액이 공급된다. 이로 인해 세정액과 기판 간에 타력이 발생되며, 비처리면에 잔류되는 공정 부산물을 제거할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the cleaning liquid is supplied to the non-treated surface of the substrate in a mist manner. As a result, a pressing force is generated between the cleaning liquid and the substrate, and process-by-products remaining on the non-treated surface can be removed.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 비처리면에는 미스트 방식으로 세정액이 공급된다. 이로 인해 기판의 비처리면에는 적하 방식으로 액이 공급되는 것보다 얇은 액막이 형성되고, 이를 건조시키는 건조 단계에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the cleaning liquid is supplied to the non-treated surface of the substrate in a mist manner. Accordingly, a thin liquid film is formed on the non-treated surface of the substrate in a dropwise manner, and the time required for drying the liquid film can be shortened.

도 1은 일반적으로 기판의 비패턴면을 브러시 세정 처리하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 기판 지지 유닛을 확대해 보여주는 단면도이다.
도 9 내지 도 13은 도 7의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a process of brush-cleaning a non-patterned surface of a substrate.
2 is a top view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed in the AA direction.
Fig. 4 is a cross-sectional view of the facility of Fig. 2 viewed from the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the installation of FIG.
FIG. 6 is a perspective view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2;
7 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
8 is an enlarged cross-sectional view of the substrate supporting unit of Fig. 7;
FIGS. 9 to 13 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정, 그리고 액침 노광 전후에 요구되는 노광 전후 처리 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facility of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the facilities of this embodiment are used to perform a coating process, a development process, and a pre- and post-exposure process required for the substrate before and after the immersion exposure. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본단면도이며, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.FIG. 2 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the apparatus of FIG. 2 viewed in the AA direction, FIG. 4 is a cross- 2 is a cross-sectional view of the facility in the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 기판 세정 장치(800)는 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있으며, 이와 달리 기판 세정 장치(800)는 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction. The substrate cleaning apparatus 800 may be provided at a position where the exposure apparatus 900 at the rear end of the interface module 700 is connected or at a position where the interface module 700 is connected to the substrate cleaning apparatus 800. [ Side portions, and the like.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 그리고 기판 세정 장치(800)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, the interface module 700 ), And the substrate cleaning apparatus 800 will now be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 1, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances and moisture on the surface of the substrate W, A soft bake process is performed after coating the substrate W on the substrate W, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(5402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 5402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470 and the development chambers 460 and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 기판 세정 장치(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600, the substrate cleaning apparatus 800, and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 기판 세정 장치(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, the substrate cleaning apparatus 800, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. Only the buffers and robots can be provided as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W in the interface module.

기판 세정 장치(800)는 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 기판 세정 장치(800)는 현상 모듈(402)과 동일한 높이에 위치될 수 있다. 구체적으로, 기판 세정 장치(800)는 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제 1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리 기판 세정 장치(800)는 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다. 기판 세정 장치(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행한다. 본 실시예에는 기판 세정 장치(800)가 노광 처리 후에 기판을 세정 처리하는 장치로 설명한다. 선택적으로 기판 세정 장치(800)는 노광 처리 전에 기판을 세정 처리하는 장치로 제공될 수 있다.The substrate cleaning apparatus 800 may be disposed in the interface module 700. The substrate cleaning apparatus 800 may be located at the same height as the development module 402. Specifically, the substrate cleaning apparatus 800 may be disposed at a position facing the first buffer 720 around the interface robot 740. The substrate cleaning apparatus 800 may be provided at various positions such as a position where the exposure apparatus 900 at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. [ The substrate cleaning apparatus 800 performs a cleaning process on the substrate W coated with a protective film for protecting the photoresist in the pre- and post-exposure processing module 600. In this embodiment, the substrate cleaning apparatus 800 will be described as an apparatus for cleaning the substrate after exposure processing. Alternatively, the substrate cleaning apparatus 800 may be provided with an apparatus for cleaning the substrate before the exposure processing.

기판 세정 장치(800)는 기판(W)의 비패턴면인 비처리면 즉 저면을 세정 처리하는 기판 처리 장치(1000)로 제공된다. 기판 처리 장치(1000)는 브러시 없이 기판(W)의 비처리면을 세정 처리한다. 미스트 방식으로 토출되는 세정액을 이용하여 세정 공정을 수행한다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 6 및 7을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 처리 용기(1100), 기판 지지 유닛(1200), 승강 유닛(1300), 반전 유닛(1400), 세정 유닛(1500), 그리고 제어기(1900)를 포함한다. The substrate cleaning apparatus 800 is provided to the substrate processing apparatus 1000 for cleaning the non-processed surface, i.e., the bottom surface, of the substrate W, which is the non-patterned surface. The substrate processing apparatus 1000 cleans the non-processed surface of the substrate W without a brush. A cleaning process is performed using a cleaning liquid discharged in a mist manner. FIG. 6 is a perspective view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2, and FIG. 7 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 6 and 7, the substrate processing apparatus 1000 includes a processing vessel 1100, a substrate supporting unit 1200, a lift unit 1300, an inversion unit 1400, a cleaning unit 1500, and a controller 1900 ).

처리 용기(1100)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(1100)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(1100)의 내측 공간(1110)은 액이 유입되는 공간으로 기능한다. 처리 용기(1100)의 저면에는 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인(1130)이 연결된다. 처리 용기(1100)에 유입된 액은 회수 라인(1130)을 통해 외부로 배출한다. 배출된 액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The processing vessel 1100 provides a processing space in which a process for processing the substrate W is performed. The processing vessel 1100 is provided in the form of a cup having an open top. The inner space 1110 of the processing vessel 1100 functions as a space into which the liquid flows. A recovery line 1130 extending vertically downward is connected to the bottom surface of the processing vessel 1100. The liquid introduced into the processing vessel 1100 is discharged to the outside through the recovery line 1130. The discharged liquid can be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

기판 지지 유닛(1200)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 도 8은 도 7의 기판 지지 유닛을 확대해 보여주는 단면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 지지 유닛(1200)은 지지판(1220), 회전축(1240), 척핀(1260), 그리고 리프트 어셈블리를 포함한다. 지지판(1220)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(1220)의 상면에는 복수 개의 핀 홀(미도시)들이 형성된다. 핀 홀(미도시)들은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀(미도시)들은 원주 방향을 따라 배열된다. 핀 홀들(미도시)은 척핀(1260)보다 지지판(1220)의 중심에 가깝게 위치된다. 예컨대, 핀 홀들(미도시)은 3 개일 수 있다. 지지판(1220)의 저면에는 구동기(1242) 의해 회전 가능한 회전축(1240)이 고정 결합된다. The substrate supporting unit 1200 supports the substrate W in the processing space. 8 is an enlarged cross-sectional view of the substrate supporting unit of Fig. 7; 7 and 8, the substrate support unit 1200 includes a support plate 1220, a rotation axis 1240, a chuck pin 1260, and a lift assembly. The support plate 1220 has an upper surface that is provided generally in a circular shape when viewed from above. A plurality of pin holes (not shown) are formed on the upper surface of the support plate 1220. The pin holes (not shown) are provided so as to face up and down. Pin holes (not shown) are arranged along the circumferential direction when viewed from above. Pin holes (not shown) are positioned closer to the center of the support plate 1220 than the chuck pin 1260. For example, the number of pin holes (not shown) may be three. A rotation shaft 1240 rotatable by a driver 1242 is fixedly coupled to a bottom surface of the support plate 1220.

척핀(1260)은 기판(W)의 측단을 척킹한다. 척핀(1260)은 복수 개 제공된다. 척핀(1260)은 지지판(1220)의 중심보다 지지판(1220)의 끝단에 더 가깝게 위치된다. 척핀(1260)은 지지판(1220)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(1260)은 지지판(1220)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(1260)은 지지판(1220)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(1220)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판 지지 유닛(1200)에 기판(W)이 로딩 또는 언로딩시에는 척핀(1260)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(1260)은 지지 위치에 위치된다. 지지위치의 척핀(1260)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The chuck pin 1260 chucks the side edge of the substrate W. A plurality of the chuck pins 1260 are provided. The chuck pin 1260 is positioned closer to the end of the support plate 1220 than the center of the support plate 1220. The chuck pin 1260 is provided to protrude upward from the support plate 1220. The chuck pin 1260 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced from the correct position when the support plate 1220 is rotated. The chuck pin 1260 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the support plate 1220. The standby position is located away from the center of the support plate 1220 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded to the substrate supporting unit 1200, the chuck pin 1260 is positioned at the standby position and the chuck pin 1260 is positioned at the supporting position when the substrate W is being processed. The chuck pin 1260 in the support position is in contact with the side of the substrate W. [

리프트 어셈블리는 기판(W)을 지지판(1220)으로부터 들어올리거나 내려놓는다. 리프트 어셈블리는 복수 개의 리프트핀(1280)들을 포함한다. 리프트핀(1280)들은 핀 홀(미도시)과 동일 개수로 제공된다. 핀 홀(미도시)들 각각에는 리프트핀(1280)이 제공된다. 각각의 리프트핀(1280)은 핀 구동 부재(미도시)에 의해 승강 위치 또는 하강 위치로 이동 가능하다. 각각의 리프트핀(1280)은 서로 동일 높이를 가지도록 이동된다. 여기서 승강 위치는 리프트핀(1280)의 상단이 척핀(1260)보다 높게 제공되는 위치이고, 하강 위치는 리프트핀(1280)의 상단이 핀 홀(미도시)에 제공되는 위치로 정의한다. 선택적으로 기판(W)이 기판 지지 유닛(1200)에 로딩 시에는 리프트핀(1280)의 상단이 척핀(1260)에 대응되는 높이로 이동될 수 있다.The lift assembly lifts or drops the substrate W from the support plate 1220. The lift assembly includes a plurality of lift pins 1280. The lift pins 1280 are provided in the same number as the pin holes (not shown). Each of the pin holes (not shown) is provided with a lift pin 1280. Each lift pin 1280 is movable to a lift position or a lift position by a pin drive member (not shown). Each of the lift pins 1280 is moved to have the same height as each other. The lift position is a position where the upper end of the lift pin 1280 is provided higher than the chuck pin 1260 and the lowered position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1280 is provided in the pin hole (not shown). Optionally, when the substrate W is loaded into the substrate support unit 1200, the top of the lift pin 1280 may be moved to a height corresponding to the chuck pin 1260.

다시 도 6 및 7을 참조하면, 승강 유닛(1300)은 처리 용기(1100)와 지지판(1220) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(1300)은 처리 용기(1100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(1100)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(1220)에 대한 처리 용기(1100)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(1300)은 브라켓(1320), 이동축(1340), 그리고 승강 구동 부재(1360)를 가진다. 브라켓(1320)은 처리 용기(1100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(1320)에는 승강 구동 부재(1360)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(1340)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지판(1220)에 놓이거나, 지지판(1220)으로부터 들어올려 질 때 지지판(1220)이 처리 용기(1100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(1100)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 액이 처리 용기(1100)에 유입될 수 있도록 처리 용기(1100)의 높이가 조절한다. 6 and 7, the elevation unit 1300 adjusts the relative height between the processing vessel 1100 and the support plate 1220. [ The elevating unit 1300 linearly moves the processing vessel 1100 in the vertical direction. As the processing vessel 1100 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 1100 with respect to the supporting plate 1220 is changed. The elevating unit 1300 has a bracket 1320, a moving shaft 1340, and a lifting and lowering driving member 1360. The bracket 1320 is fixed to the outer wall of the processing container 1100 and a moving shaft 1340 which is moved in the vertical direction by the elevation driving member 1360 is fixedly coupled to the bracket 1320. The processing vessel 1100 is lowered so that the support plate 1220 protrudes to the upper portion of the processing vessel 1100 when the substrate W is placed on the support plate 1220 or lifted from the support plate 1220. [ Further, when the process is performed, the height of the processing vessel 1100 is adjusted so that the liquid supplied to the substrate W can flow into the processing vessel 1100.

상술한 바와 달리 승강 유닛(1300)은 처리 용기(1100) 대신 지지판(1220)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating unit 1300 can move the supporting plate 1220 in the vertical direction instead of the processing vessel 1100. [

반전 유닛(1400)은 기판(W)의 패턴면인 처리면(Wa)과 비패턴면인 비처리면(Wb)이 서로 반대로 위치되도록 기판(W)을 반전시킨다. 반전 유닛(1400)은 홀딩부(1420), 승강부(1440), 그리고 반전부(1460)를 포함한다. 홀딩부(1420)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 홀딩부(1420)의 내측면에는 기판(W)의 측부를 그립 가능한 그립 부재가 위치된다.The inversion unit 1400 inverts the substrate W such that the processing surface Wa as the pattern surface of the substrate W and the non-processing surface Wb as the non-pattern surface are positioned opposite to each other. The inversion unit 1400 includes a holding unit 1420, a lift unit 1440, and an inverting unit 1460. [ The holding portion 1420 is provided so as to have an annular ring shape. On the inner surface of the holding part 1420, a grip member capable of gripping the side of the substrate W is positioned.

승강부(1440)는 처리 용기(1100)의 일측에 위치된다. 승강부(1440)는 홀딩부(1420) 및 반전부(1460)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강부(1440)는 길이 방향이 상하 방향을 향하는 로드 형상을 가질 수 있다.The elevating portion 1440 is located on one side of the processing vessel 1100. The elevating portion 1440 moves the holding portion 1420 and the inverting portion 1460 in the vertical direction. The elevating portion 1440 may have a rod shape whose longitudinal direction faces upward and downward.

반전부(1460)는 승강부(1440)와 홀딩부(1420)를 서로 연결한다. 반전부(1460)의 일단에는 홀딩부(1420)가 연결되고, 이와 반대되는 타단에는 승강부(1440)가 연결된다. 반전부(1460)는 길이 방향이 수평 방향을 향하는 바 형상을 가질 수 있다. 반전부(1460)는 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 이에 따라 홀딩부(1420)는 180°또는 360°로 회전 가능하다.The inverting portion 1460 connects the lifting portion 1440 and the holding portion 1420 to each other. The holding part 1420 is connected to one end of the inverting part 1460 and the elevating part 1440 is connected to the opposite end. The inverting portion 1460 may have a bar shape whose longitudinal direction is directed to the horizontal direction. The inverting portion 1460 is rotatable about the central axis. Accordingly, the holding portion 1420 is rotatable by 180 ° or 360 °.

세정 유닛(1500)은 기판(W) 상에 미스트 방식으로 세정액을 공급한다. 세정 유닛(1500)은 기판(W)의 비패턴면에 세정액을 공급한다. 세정 유닛(1500)은 지지축(1520), 구동기(1550), 아암(1540), 그리고 노즐(1560)을 포함한다. 지지축(1520)은 처리 용기(1100)의 일측에 위치된다. 지지축(1520)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(1520)의 하단에는 구동기(1550)가 결합된다. 구동기(1550)는 지지축(1520)이 회전 가능하도록 지지축(1520)에 구동력을 제공한다. 아암(1540)은 지지축(1520)의 상단에 고정 결합된다. 아암(1540)은 지지축(1520)으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 아암(1540)의 끝단 저면에는 노즐(1560)이 설치된다. 지지축(1520)이 회전됨에 따라, 노즐(1560)은 공정 위치와 대기 위치로 회전 이동된다. 공정 위치는 노즐(1560)이 처리 용기(1100)의 상부에서 마주하는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 노즐(1560)에는 가스 공급 라인(1592) 및 액 공급 라인(1582)이 각각 연결된다. 액 공급 라인(1582)은 노즐(1560)에 세정액을 공급하고, 가스 공급 라인(1592)은 노즐(1560)에 가스를 공급한다. 액 공급 라인(1582)에는 액 조절 밸브(1584)가 설치되고, 가스 공급 라인(1592)에는 가스 조절 밸브(1594)가 설치된다. 각각의 밸브(1584,1594)는 각 라인(1582,1592)을 개폐한다. 예컨대, 세정액은 순수이고, 가스는 비활성 가스일 수 있다. 노즐(1560)은 이류체 노즐(1560)일 수 있다.The cleaning unit 1500 supplies the cleaning liquid on the substrate W in a mist-like manner. The cleaning unit 1500 supplies the cleaning liquid to the non-patterned surface of the substrate W. [ The cleaning unit 1500 includes a support shaft 1520, a driver 1550, an arm 1540, and a nozzle 1560. The support shaft 1520 is located on one side of the processing vessel 1100. The support shaft 1520 has a rod shape whose longitudinal direction faces up and down. A driver 1550 is coupled to the lower end of the support shaft 1520. The driver 1550 provides a driving force to the support shaft 1520 so that the support shaft 1520 is rotatable. The arm 1540 is fixedly coupled to the upper end of the support shaft 1520. The arm 1540 extends in a vertical direction from the support shaft 1520. A nozzle 1560 is provided at the bottom end of the arm 1540. As the support shaft 1520 is rotated, the nozzle 1560 is rotationally moved to the process position and the standby position. The process position is a position at which the nozzle 1560 faces at the top of the processing container 1100, and a standby position is defined as a position outside the process position. A gas supply line 1592 and a liquid supply line 1582 are connected to the nozzle 1560, respectively. The liquid supply line 1582 supplies the cleaning liquid to the nozzle 1560 and the gas supply line 1592 supplies the gas to the nozzle 1560. The liquid supply line 1582 is provided with a liquid control valve 1584 and the gas supply line 1592 is provided with a gas control valve 1594. Each valve 1584, 1594 opens and closes each line 1582, 1592. For example, the cleaning liquid may be pure water and the gas may be an inert gas. The nozzle 1560 may be an air nozzle 1560.

제어기(1900)는 기판 지지 유닛(1200) 및 세정 유닛(1500)을 제어한다. 제어기(1900)는 기판(W)을 제1속도(Va) 또는 제2속도(Vb)로 회전되도록 기판 지지 유닛(1200)의 구동기(1242)를 제어한다. 또한 제어기(1900)는 세정액의 유량을 조절하도록 액 조절 밸브(1584) 및 가스 조절 밸브(1594)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제1속도(Va) 및 제2속도(Vb)는 상이한 속도일 수 있다. 제2속도(Vb)는 제1속도(Va)보다 빠른 속도일 수 있다.The controller 1900 controls the substrate supporting unit 1200 and the cleaning unit 1500. The controller 1900 controls the actuator 1242 of the substrate supporting unit 1200 to rotate the substrate W at the first speed Va or the second speed Vb. The controller 1900 also controls the liquid control valve 1584 and the gas control valve 1594 to regulate the flow rate of the cleaning liquid. According to one example, the first speed Va and the second speed Vb may be different speeds. The second velocity Vb may be faster than the first velocity Va.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)의 비처리면(Wb)을 세정 처리하는 방법을 설명한다. 도 9 내지 도 13은 도 7의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 9 내지 도 13을 참조하면, 기판(W)의 비처리면(Wb)을 세정 처리하는 방법은 기판 반전 단계, 세정 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계를 포함한다. 기판 반전 단계, 세정 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계는 순차적으로 진행된다. Next, a method of cleaning the non-processed surface Wb of the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. FIGS. 9 to 13 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 9 to 13, a method of cleaning the non-processed surface Wb of the substrate W includes a substrate inversion step, a cleaning processing step, and a drying processing step. The substrate inversion step, the cleaning processing step, and the drying processing step are sequentially performed.

기판 반전 단계에는 처리면(Wa)이 위를 향하고, 비처리면(Wb)이 아래를 향하도록 기판 지지 유닛(1200)에 기판(W)이 놓여지면, 반전 유닛(1400)은 처리면(Wa)과 비처리면(Wb)이 서로 반대편을 향하도록 기판(W)을 반전시킨다. 이에 따라 처리면(Wa)은 아래를 향하고, 비처리면(Wb)은 위를 향하도록 기판 지지 유닛(1200)에 기판(W)이 놓여진다.When the substrate W is placed on the substrate supporting unit 1200 such that the processing surface Wa faces upward and the untreated surface Wb faces downward in the substrate reversing step, the reversing unit 1400 reverses the processing surface Wa ) And the non-processed surface Wb are opposite to each other. The substrate W is placed on the substrate supporting unit 1200 so that the processing surface Wa is directed downward and the untreated surface Wb is directed upward.

세정 처리 단계에는 기판(W)은 제1속도(Va)로 회전되고, 기판(W)의 비처리면(Wb)으로 세정액을 공급한다. 세정액은 미스트 방식으로 토출된다. 세정액의 타력에 의해 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물은 제거된다. 노즐(1560)은 세정액의 공급 영역이 비처리면(Wb)의 중앙 영역 및 가장자리 영역으로 변경되도록 이동되면서 세정액을 공급한다. 일 예에 의하면, 세정액에 의해 비처리면(Wb)에 가해지는 압력은 400 내지 430 킬로파스칼(kPa) 일 수 있다. 세정 처리 단계가 완료되면, 세정액의 공급은 중지된다.In the cleaning processing step, the substrate W is rotated at the first speed Va, and the cleaning liquid is supplied to the non-processed surface Wb of the substrate W. The cleaning liquid is discharged in a mist manner. The process by-products remaining on the substrate W due to the impact force of the cleaning liquid are removed. The nozzle 1560 is moved so that the supply region of the cleaning liquid is changed to the central region and the edge region of the non-processing surface Wb, and supplies the cleaning liquid. According to an example, the pressure applied to the untreated surface Wb by the cleaning liquid may be 400 to 430 kilopascals (kPa). When the cleaning processing step is completed, the supply of the cleaning liquid is stopped.

세정 처리 단계가 완료되면, 건조 처리 단계가 진행된다. 세정액의 공급이 중지되는 동시에 건조 처리 단계가 진행된다. 건조 처리 단계에는 기판(W)을 제2속도(Vb)로 회전시킨다. 이에 따라 비처리면(Wb) 상에 잔류된 세정액은 건조 처리된다.When the washing treatment step is completed, the drying treatment step is carried out. The supply of the cleaning liquid is stopped and the drying treatment step proceeds. In the drying process step, the substrate W is rotated at the second speed Vb. Thus, the cleaning liquid remaining on the non-treated surface Wb is dried.

본 실시예에는 기판(W)의 비처리면(Wb)에 세정액을 미스트 방식으로 공급한다. 이로 인해 세정 처리 단계에는 비처리면(Wb) 상에 액막이 형성되며, 이는 적하 방식의 액 공급보다 얇은 두께의 액막이다. 이로 인해 비처리면(Wb) 상에 형성된 액막을 건조 처리하는 시간을 단축시킬 수 있다.In this embodiment, the cleaning liquid is supplied to the non-processed surface Wb of the substrate W in a mist manner. As a result, a liquid film is formed on the non-processed surface Wb in the cleaning process step, which is a thin liquid film having a thickness thinner than that of the dropping liquid. As a result, the time for drying the liquid film formed on the non-processed surface Wb can be shortened.

또한 본 실시예에는 기판(W)의 비처리면(Wb)을 세정 처리하는 중에 브러시와 같은 물리 접촉 세정이 수행되지 않는다. 이로 인해 물리적 접촉으로 인한 스크래치가 기판(W)에 발생되는 것을 방지할 수 있다. Also, in this embodiment, physical contact cleaning such as a brush is not performed during the cleaning processing of the non-processed surface Wb of the substrate W. This prevents scratches due to physical contact from being generated in the substrate W.

또한 본 실시예에는 비처리면(Wb)과 세정액 간에 타력으로 인해 비처리면(Wb)에 잔류되는 공정 부산물을 제거한다. 이로 인해 물리 접촉 세정과 동일한 효과를 가지도록 비처리면(Wb)을 세정 처리할 수 있다.In this embodiment, the process by-products remaining on the untreated surface Wb due to the impact force between the untreated surface Wb and the cleaning liquid are removed. As a result, the non-processed surface Wb can be cleaned to have the same effect as the physical contact cleaning.

다음에는 도 1의 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing the process using the substrate processing apparatus 1 of Fig. 1 will be described.

기판들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. The cassette 20 containing the substrates W is placed on the mount 120 of the load port 100. The door of the cassette 20 is opened by the door opener. The index robot 220 removes the substrate W from the cassette 20 and transfers it to the second buffer 330.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 기판(W)을 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 기판(W)을 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 기판(W)을 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 도포부 로봇(432)은 기판(W)을 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 기판(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다. The first buffer robot 360 carries the substrate W stored in the second buffer 330 to the first buffer 320. The application robot 432 removes the substrate W from the first buffer 320 and transfers the wafer W to the bake chamber 420 of the application module 401. The bake chamber 420 sequentially performs a pre-bake and a cooling process. The application part robot 432 removes the substrate W from the bake chamber 420 and transfers it to the resist application chamber 410. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The applicator robot 432 then transfers the substrate W from the resist application chamber 410 to the bake chamber 420. The bake chamber 420 performs a soft bake process on the substrate W.

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 기판(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 기판(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The application robot 432 removes the substrate W from the bake chamber 420 and transfers the substrate W to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. A cooling process is performed on the substrate W in the first cooling chamber 530. [ The substrate W processed in the first cooling chamber 530 is transported to the edge exposure chamber 550 by the second buffer robot 560. The edge exposure chamber 550 performs a process of exposing an edge region of the substrate W. [ The substrate W having been processed in the edge exposure chamber 550 is transferred to the buffer 520 by the second buffer robot 560.

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 기판(W)을 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 기판(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 기판(W)을 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 기판(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다. The preprocessing robot 632 takes the substrate W from the buffer 520 and transfers it to the protective film application chamber 610 of the preprocessing module 601. The protective film applying chamber 610 applies a protective film on the substrate W. [ Thereafter, the pre-processing robot 632 carries the substrate W from the protective film application chamber 610 to the bake chamber 620. The bake chamber 620 performs a heat treatment on the substrate W such as heating and cooling.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 기판(W)을 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 이후 기판(W)은 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 기판의 상면인 처리면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 기판(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 기판(W)을 제 2 버퍼(730)로 운반한다. 제 2 버퍼(730)에 운반된 기판(W)은 제 2 버퍼(730)의 일측에 위치되는 기판 세정 장치(800)로 운반된다. The preprocessing robot 632 takes the substrate W out of the bake chamber 620 and transfers it to the first buffer 720 of the interface module 700. Subsequently, the substrate W is transferred from the first buffer 720 to the exposure apparatus 900. The exposure apparatus 900 performs an exposure process, for example, a liquid immersion exposure process, on the process surface, which is the upper surface of the substrate. When the exposure process for the substrate W is completed in the exposure apparatus 900, the interface robot 740 carries the substrate W from the exposure apparatus 900 to the second buffer 730. The substrate W carried in the second buffer 730 is conveyed to the substrate cleaning apparatus 800 located at one side of the second buffer 730.

기판 세정 장치(800)에는 기판의 비패턴면인 저면을 세정한다. 기판의 저면 브러시 세정이 완료되면, 후처리 로봇(682)에 의해 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 기판(W)의 패턴면인 상면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 기판(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 기판(W)을 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 기판(W)을 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 기판(W)의 가열에 의해 기판(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 기판(W)을 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 기판(W)의 냉각이 수행된다.The bottom surface of the substrate, which is the non-patterned surface, is cleaned in the substrate cleaning apparatus 800. After the cleaning of the bottom brush of the substrate is completed, the post-processing robot 682 carries it to the cleaning chamber 660 of the post-processing module 602. The cleaning chamber 660 performs a cleaning process by supplying a cleaning liquid to a top surface of the substrate W, which is a pattern surface. After the cleaning of the substrate W using the cleaning liquid is completed, the post-processing robot 682 immediately removes the substrate W from the cleaning chamber 660 and transports the substrate W to the post-exposure bake chamber 670. The cleaning liquid adhered on the substrate W is removed by heating the substrate W in the heating plate 672 of the post-exposure bake chamber 670 while the acid generated in the photoresist is amplified, The property change of the resist is completed. The post-processing robot 682 carries the substrate W from the post-exposure baking chamber 670 to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500. Cooling of the substrate W in the second cooling chamber 540 is performed.

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 기판(W)을 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 기판(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다. The developing robot 482 takes the substrate W from the second cooling chamber 540 and transfers it to the bake chamber 470 of the developing module 402. [ The bake chamber 470 sequentially performs post bake and cooling processes. The developing sub-robot 482 takes the substrate W from the bake chamber 470 and transfers it to the developing chamber 460. The development chamber 460 supplies a developer onto the substrate W to perform a development process. The developing robot 482 carries the substrate W from the developing chamber 460 to the bake chamber 470. [ The bake chamber 470 performs a hard bake process on the substrate W.

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 기판(W)을 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 기판(W)을 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.The development robot 482 takes the substrate W from the bake chamber 470 and transfers it to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. [ The cooling chamber 350 performs a process of cooling the substrate W. [ The index robot 360 carries the substrate W from the cooling chamber 350 to the cassette 20. The development robot 482 removes the substrate W from the bake chamber 470 and transports the substrate W to the second buffer 330 of the first buffer module 300, 20). ≪ / RTI >

Wb: 비처리면 1200: 기판 지지 유닛
1400: 반전 유닛 1500: 세정 유닛
1560: 노즐 1900: 제어기Wb: non-treated surface 1200: substrate holding unit
1400: inverting unit 1500: cleaning unit
1560: Nozzle 1900: Controller

Claims (9)

기판의 비처리면을 세정 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
기판의 패턴이 형성된 처리면이 아래를 향하도록, 그리고 기판의 비패턴면인 비처리면이 위를 향하도록 기판을 반전시키는 반전 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 반전된 상태로 지지되는 기판의 비처리면을 세정 처리하는 세정 유닛을 포함하되,
상기 세정 유닛은,
기판의 비처리면으로 세정액을 미스트 방식으로 공급하는 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.An apparatus for cleaning a non-processed surface of a substrate,
A substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
An inverting unit for inverting the substrate so that the processing surface on which the pattern of the substrate is formed faces downward and the non-processing surface, which is the non-patterned surface of the substrate, faces upward;
And a cleaning unit for cleaning the non-processed surface of the substrate supported in the inverted state on the substrate supporting unit,
The cleaning unit includes:
And a nozzle for supplying the cleaning liquid in a misted manner to the non-processed surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
지지판과;
상기 지지판을 지지하는 회전축과;
상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하고,
상기 세정 유닛은,
상기 세정 노즐에 세정액을 공급하며, 밸브가 설치되는 액 공급 라인을 포함하되,
상기 장치는,
상기 기판 지지 유닛 및 상기 세정 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는 제1속도로 회전되는 기판의 비처리면에 세정액을 공급하여 기판의 비처리면을 세정 처리하고, 이후에 세정액의 공급을 중지하고 기판을 상기 제1속도와 상이한 제2속도로 회전되도록 상기 구동기 및 상기 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support plate;
A rotation shaft for supporting the support plate;
And a driver for rotating the rotation shaft,
The cleaning unit includes:
And a liquid supply line for supplying a cleaning liquid to the cleaning nozzle and provided with a valve,
The apparatus comprises:
Further comprising a controller for controlling the substrate support unit and the cleaning unit,
The controller supplies the cleaning liquid to the non-processed surface of the substrate rotated at the first speed to clean the non-processed surface of the substrate, then stops supplying the cleaning liquid and rotates the substrate at a second speed different from the first speed Wherein the controller controls the actuator and the valve so that the actuator and the valve are controlled. 제2항에 있어서,
상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠른 속도로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the second speed is provided at a speed higher than the first speed. 제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 제어기는 세정액의 공급이 중지되는 동시에 기판을 상기 제1속도에서 상기 제2속도로 회전시키는 기판 처리 장치.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the controller stops the supply of the cleaning liquid and rotates the substrate at the first speed and the second speed. 기판의 비처리면을 세정 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 비처리면에 세정액을 공급하는 세정 처리 단계와;
상기 세정 처리 단계 이후에, 상기 기판을 상기 제2속도로 회전시켜 상기 비처리면을 건조하는 건조 처리 단계를 포함하되,
상기 세정액은 미스트 방식으로 토출되는 기판 처리 방법.A method of cleaning a non-processed surface of a substrate,
A cleaning processing step of rotating the substrate at a first speed and supplying a cleaning liquid to the non-processed surface;
And a drying treatment step of drying the non-treated surface by rotating the substrate at the second speed after the cleaning treatment step,
Wherein the cleaning liquid is discharged in a mist manner. 제5항에 있어서,
상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠른 속도로 제공되는 기판 처리 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the second rate is provided at a rate that is faster than the first rate. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 세정액의 공급이 중지되는 동시에 상기 건조 처리 단계가 진행되는 기판 처리 방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the supply of the cleaning liquid is stopped and the drying step is performed. 제7항에 있어서,
상기 세정액에 의해 상기 비처리면에 가해지는 압력은 400 내지 430 킬로파스칼(kPa)인 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the pressure applied to the non-treated surface by the cleaning liquid is 400 to 430 kilopascals (kPa). 제8항에 있어서,
상기 세정 처리 단계에서 상기 세정액의 공급 영역은 상기 기판의 중심 및 가장자리 영역 간에 이동되는 기판 처리 방법.

9. The method of claim 8,
Wherein the supplying region of the cleaning liquid is moved between the center and the edge region of the substrate in the cleaning processing step.

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