KR20180055720A - 노광 장치, 노광 장치의 조정 방법 및 기억 매체 - Google Patents

노광 장치, 노광 장치의 조정 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

기판의 표면 전체를 노광하는 노광 장치에 있어서, 기판면 내의 각 부를 적절한 노광량으로 노광할 수 있는 기술을 제공하는 것.
기판(W)을 적재하기 위한 적재부(33)와, 상기 기판(W) 표면의 좌우의 서로 다른 위치에 각각 독립하여 광을 조사하여, 상기 기판의 표면의 일단부로부터 타단부에 걸치는 띠 형상의 조사 영역을 형성하는 복수의 광조사부(4)와, 상기 기판(W)의 표면 전체가 노광되도록, 상기 조사 영역에 대하여 상기 적재부(33)를 전후로 상대적으로 이동시키는 적재부용 이동 기구(36)와, 상기 조사 영역의 길이 방향에 있어서의 조도 분포를 검출하기 위해서, 당해 조사 영역을 일단부와 타단부 사이에서 이동해서 광을 수광하는 수광부(51)를 구비하는 노광 장치(3)를 구성한다. 이와 같은 구성에 의해, 상기 조도 분포가 이상이 되는 것에 의한 기판(W)의 각 부의 노광량이 이상이 되는 것을 방지할 수 있다.

Description

노광 장치, 노광 장치의 조정 방법 및 기억 매체{EXPOSURE APPARATUS, ADJUSTING METHOD OF EXPOSURE APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 기판의 표면 전체를 노광하는 기술에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재한다)의 표면 전체를 노광하는 처리가 행해지는 경우가 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는 웨이퍼의 표면에 광증감 화학 증폭형 레지스트에 의해 구성되는 레지스트막을 형성하고, 계속해서 패턴 마스크를 사용한 노광에 의해 당해 레지스트막을 노광하고, 그 후에 당해 웨이퍼의 표면 전체를 노광하는 것이 기재되어 있다. 상기 웨이퍼의 표면 전체의 노광(일괄 노광)에 의해, 레지스트막 중 패턴 마스크에 의해 노광된 영역에 있어서 산이 증식하고, 이 일괄 노광 후에 행해지는 가열 처리와 현상 처리에 의해 당해 영역이 용해하여, 레지스트 패턴이 형성된다.
상기 웨이퍼의 표면 전체의 노광은, 각각 하방을 향해서 광을 조사하는 복수의 LED(발광 다이오드)를 가로 방향으로 배열하고, 당해 LED의 열의 하방을 전후 방향으로 웨이퍼를 이동시킴으로써 행해진다. 특허문헌 1에는 이와 같은 구성의 노광 장치에 대해서 나타나 있다. 그런데, 이 표면 전체의 노광을 행하는 장치의 사용을 계속함에 있어서, LED에 공급하는 전류값이 일정하면, LED의 열화에 의해 웨이퍼의 각 부의 노광량이 점차 저하된다. 그 결과, 원하는 처리를 행할 수 없게 되어 버릴 우려가 있다. 예를 들어 상기와 같이 레지스트막에 산을 발생시키기 위해서 웨이퍼 표면 전체를 노광하는 경우에는, 형성되는 레지스트 패턴의 치수인 CD(Critical Dimension)가 웨이퍼의 면 내에서 변동되어 버리는 것이 생각된다. 특허문헌 1에 있어서는, 이러한 문제의 해결 방법은 기재되어 있지 않다.
일본특허공개 제2015-156472호 공보
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판의 표면 전체를 노광하는 노광 장치에 있어서, 기판면 내의 각 부를 적절한 노광량으로 노광할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 노광 장치는, 기판을 적재하기 위한 적재부와,
상기 기판의 표면의 좌우의 서로 다른 위치에 각각 독립하여 광을 조사하여, 상기 기판의 표면의 일단부로부터 타단부에 걸치는 띠 형상의 조사 영역을 형성하는 복수의 광조사부와,
상기 기판의 표면 전체가 노광되도록, 상기 조사 영역에 대하여 상기 적재부를 전후로 상대적으로 이동시키는 적재부용 이동 기구와,
상기 조사 영역의 길이 방향에 있어서의 조도 분포를 검출하기 위해서, 당해 조사 영역을 일단부로부터 타단부로 이동해서 광을 수광하는 수광부
를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 노광 장치의 조정 방법은, 기판을 적재부에 적재하는 공정과,
복수의 광조사부에 의해, 상기 기판의 표면의 좌우의 서로 다른 위치에 각각 독립하여 광을 조사하여, 상기 기판의 표면의 일단부로부터 타단부에 걸치는 띠 형상의 조사 영역을 형성하는 공정과,
적재부용 이동 기구에 의해, 상기 기판의 표면 전체가 노광되도록, 상기 조사 영역에 대하여 상기 적재부를 전후로 상대적으로 이동시키는 공정과,
상기 조사 영역의 길이 방향에 있어서의 조도 분포를 검출하기 위해서, 수광부를 당해 조사 영역의 일단부로부터 타단부로 이동시켜서, 광을 수광시키는 공정과,
상기 조도 분포에 기초하여, 상기 광조사부의 광의 조사량을 조정하는 공정
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
기판을 노광하기 위한 노광 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 노광 장치의 조정 방법을 실행하도록 스텝군이 편성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 복수의 광조사부에 의해 전후로 이동하는 기판의 표면의 좌우의 일단부로부터 타단부에 걸치는 띠 형상의 조사 영역이 형성되고, 이 조사 영역의 일단부로부터 타단부로 이동해서 광을 수광하는 수광부가 설치된다. 그에 의해, 조사 영역의 길이 방향에 있어서의 조도 분포를 검출할 수 있다. 따라서, 기판의 각 부에 있어서의 노광량이 소정의 양으로부터 어긋나는 것을 억제하여, 당해 기판에 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 노광 장치가 적용된 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 일괄 노광 모듈의 횡단 평면도이다.
도 5는 일괄 노광 모듈에 의해 형성되는 조사 영역의 모식도이다.
도 6은 상기 일괄 노광 모듈에 설치되는 셀의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 7은 상기 일괄 노광 모듈에 설치되는 도광부의 사시도이다.
도 8은 상기 도광부의 종단 측면도이다.
도 9는 상기 도광부의 종단 정면도이다.
도 10은 상기 일괄 노광 모듈에 설치되는 메모리에 기억되는 데이터의 개략을 나타내는 그래프도이다.
도 11은 상기 메모리에 기억되는 데이터의 개략을 나타내는 그래프도이다.
도 12는 상기 일괄 노광 모듈에 의한 노광 처리를 도시하는 설명도이다.
도 13은 상기 셀에 대한 공급 전류를 조정하는 조도 조정의 흐름도이다.
도 14는 상기 공급 전류의 조정 시에 있어서의 상기 도광부의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 15는 취득되는 조도 분포의 일례를 나타내는 그래프도이다.
도 16은 제2 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 17은 상기 일괄 노광 모듈의 종단 배면도이다.
도 18은 제3 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 19는 상기 일괄 노광 모듈의 횡단 평면도이다.
도 20은 제4 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 21은 상기 일괄 노광 모듈의 종단 배면도이다.
도 22는 제5 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 23은 상기 일괄 노광 모듈의 종단 배면도이다.
도 24는 제6 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 25는 상기 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 26은 상기 일괄 노광 모듈의 종단 배면도이다.
도 27은 제7 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 28은 상기 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 29는 제8 실시 형태에 따른 일괄 노광 모듈의 종단 측면도이다.
도 30은 상기 일괄 노광 모듈의 종단 배면도이다.
도 31은 상기 일괄 노광 모듈에 설치되는 석영 로드의 측면도이다.
도 32는 상기 석영 로드의 상면도이다.
도 33은 상기 일괄 노광 모듈에 사용되는 지그의 사시도이다.
도 34는 상기 지그의 종단 측면도이다.
도 35는 상기 지그의 평면도이다.
(제1 실시 형태)
본 발명이 적용된 도포, 현상 장치(1)에 대해서, 평면도, 개략적인 종단 측면도인 도 1, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도포, 현상 장치(1)는 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)과, 인터페이스 블록(D3)을 수평하게 직선 형상으로 접속함으로써 구성되어 있다. 편의상, 이들 블록(D1 내지 D3)의 배열 방향을 Y 방향, Y 방향에 직교하는 수평 방향을 X 방향으로 한다. 인터페이스 블록(D3)에는 노광 장치(D4)가 접속되어 있다. 캐리어 블록(D1)은, 예를 들어 직경이 300㎜인 원형의 기판인 웨이퍼(W)를 격납하는 캐리어(C)가 적재되는 적재부(11)를 구비하고 있다. 도면 중 12는 개폐부, 도면 중 13은 통해서 캐리어(C)와 처리 블록(D2) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 이동 탑재 기구이다.
처리 블록(D2)은, 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 단위 블록(E1 내지 E6)이 하방으로부터 차례로 적층되어 구성되어 있고, 이들 단위 블록(E1 내지 E6)에서는 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행해진다. 단위 블록(E1, E2)이 서로 마찬가지로 구성되고, 단위 블록(E3, E4)이 서로 마찬가지로 구성되고, 단위 블록(E5, E6)이 서로 마찬가지로 구성되어 있다.
여기에서는 단위 블록 중 대표해서 E5를, 도 1을 참조하면서 설명한다. 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D3)을 향하는 반송 영역(14)의 X 방향의 일방측에는 선반 유닛(U)이 전후 방향으로 복수 배치되고, 타방측에는 2개의 현상 모듈(21)이 Y 방향으로 배열해서 설치되어 있다. 현상 모듈(21)은, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트막에 현상액을 공급한다. 선반 유닛(U)은, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈(22)과, 일괄 노광 모듈(3)을 구비하고 있다. 일괄 노광 모듈(3)은, 본 발명에 따른 노광 장치를 이루어, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 노광한다. 이 이후에, 이 표면 전체의 노광을 일괄 노광으로 한다. 일괄 노광 모듈(3)의 상세한 구성은 후술한다. 또한, 상기 반송 영역(14)에는, 웨이퍼(W)의 반송 기구인 반송 아암(F5)이 설치되어 있고, 이 단위 블록(E5)에 설치되는 각 모듈 및 후술하는 타워(T1, T2)에 있어서 단위 블록(E5)과 동일한 높이로 설치되는 모듈 사이에서 웨이퍼(W)가 반송된다.
단위 블록(E1 내지 E4)은, 웨이퍼(W)에 공급하는 약액이 다른 것을 제외하고, 단위 블록(E5, E6)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(E1, E2)은, 현상 모듈(21) 대신에 웨이퍼(W)에 반사 방지막 형성용 약액을 공급하는 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고 있는, 단위 블록(E3, E4)은, 현상 모듈(21) 대신에 웨이퍼(W)에 약액으로서 광증감 화학 증폭형 레지스트라고 불리는 레지스트를 공급해서 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 모듈을 구비한다. 도 2에서는 각 단위 블록(E1 내지 E6)의 반송 아암을 F1 내지 F6으로서 나타내고 있다.
처리 블록(D2)에 있어서의 캐리어 블록(D1)측에는, 각 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T1)와, 타워(T1)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 승강 가능한 수수 기구인 수수 아암(15)이 설치되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있고, 웨이퍼(W)가 적재되는 수수 모듈 TRS를 구비하고 있다.
인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T2, T3, T4)를 구비하고 있고, 타워(T2)와 타워(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 승강 가능한 수수 기구인 인터페이스 아암(16)과, 타워(T2)와 타워(T4)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 승강 가능한 수수 기구인 인터페이스 아암(17)과, 타워(T2)와 노광 장치(D4) 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 인터페이스 아암(18)이 설치되어 있다. 노광 장치(D4)는 패턴 마스크를 사용해서 웨이퍼(W)의 표면을 예를 들어 극단 자외선(EUV)에 의해 노광한다. 즉, 일괄 노광 모듈(3)과 달리, 웨이퍼(W)의 일부를 한정적으로 노광한다. 노광 장치(D4)에 의한 노광을, 일괄 노광 모듈(3)에 의한 일괄 노광과 구별하기 위해서, 패턴 노광으로서 기재하는 경우가 있다.
타워(T2)는, 수수 모듈 TRS, 노광 처리 전의 복수매 웨이퍼(W)를 격납해서 체류시키는 버퍼 모듈, 노광 처리 후의 복수매 웨이퍼(W)를 격납하는 버퍼 모듈 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조정 모듈 SCPL 등이 서로 적층되어 구성되어 있지만, 여기에서는, 버퍼 모듈 및 온도 조정 모듈의 도시는 생략한다. 또한, 타워(T3, T4)에도 각각 모듈이 설치되어 있지만, 여기에서는 설명을 생략한다.
이 도포, 현상 장치(1) 및 노광 장치(D4)로 이루어지는 시스템에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해서 설명한다. 웨이퍼(W)는 캐리어(11)로부터 이동 탑재 기구(13)에 의해, 처리 블록(D2)에 있어서의 타워(T1)의 수수 모듈 TRS0으로 반송된다. 이 수수 모듈 TRS0으로부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)으로 할당되어 반송된다. 예를 들어 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)으로 수수하는 경우에는, 타워(T1)의 수수 모듈 TRS 중, 단위 블록(E1)에 대응하는 수수 모듈 TRS1(반송 아암(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 수수가 가능한 수수 모듈)에 대하여, 상기 수수 모듈 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 수수된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)으로 수수하는 경우에는, 타워(T1)의 수수 모듈 TRS 중, 단위 블록(E2)에 대응하는 수수 모듈 TRS2에 대하여, 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 수수된다. 이들의 웨이퍼(W)의 수수는, 수수 아암(15)에 의해 행해진다.
이와 같이 할당된 웨이퍼(W)는, 수수 모듈 TRS1(TRS2) → 반사 방지막 형성 모듈 → 가열 모듈 → 수수 모듈 TRS1(TRS2)의 순으로 반송되고, 계속해서 수수 아암(15)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 수수 모듈 TRS3과, 단위 블록(E4)에 대응하는 수수 모듈 TRS4로 할당된다.
이와 같이 수수 모듈 TRS3, TRS4에 할당된 웨이퍼(W)는, 수수 모듈 TRS3(TRS4)으로부터 레지스트막 형성 모듈로 반송되어, 표면 전체에 상기 광증감 화학 증폭형 레지스트가 도포되어, 레지스트막이 형성된다. 그리고 나서, 웨이퍼(W)는, 가열 모듈 → 타워(T2)의 수수 모듈 TRS의 순으로 반송된다. 그 후, 이 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(16, 18)에 의해, 타워(T3)을 통해서 노광 장치(D4)로 반입되어, 레지스트막이 패턴 노광되고, 패턴 노광된 영역에 산과 광증감제가 발생한다.
패턴 노광 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(16, 17)에 의해 타워(T2, T4)사이를 반송되어, 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 수수 모듈 TRS51, TRS61로 각각 반송된다. 그리고 나서, 일괄 노광 모듈(3)에서 웨이퍼(W)의 표면 전체가 노광되어, 상기 광증감제가 광을 흡수하고, 패턴 노광된 영역에 있어서 추가로 산과 광증감제가 발생한다. 즉, 일괄 노광이 행해짐으로써, 패턴 노광이 행해진 영역에 있어서 한정적으로 산이 증식한다. 그리고 나서, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(22)로 반송되어 가열된다. 소위 포스트 익스포저 베이크(PEB)가 행해진다.
이 PEB에 의해 패턴 노광된 영역이, 상기 산에 의해 현상액에 가용이 되도록 변질된다. 계속해서 웨이퍼(W)는, 현상 모듈(21)로 반송되어 현상액이 공급되고, 변질된 영역이 현상액에 용해함으로써 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 타워(T1)의 수수 모듈 TRS5, TRS6으로 반송된 후, 이동 탑재 기구(13)를 통해서 캐리어(C)로 되돌아간다.
계속해서, 상기 단위 블록(E5)에 설치되는 일괄 노광 모듈(3)에 대해서, 도 3의 종단 측면도 및 도 4의 횡단 평면도를 참조하면서 설명한다. 도면 중 31은 하우징이며, 당해 하우징(31)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반송구(32)가 개구되어 있다. 하우징(31) 내에는, 웨이퍼(W)가 수평하게 적재되는 원형의 적재대(적재부)(33)가 설치되어 있다. 상기 반송 아암(F5)은, 적재대(33)에 대하여 웨이퍼(W)를 서로의 중심축이 일치하도록 수수된다. 적재대(33)는 적재된 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다. 도면 중 34는 적재대(33)의 하방에 설치되는 회전 기구이며, 적재대(33)에 적재된 웨이퍼(W)가 중심축 주위로 회전하도록, 당해 적재대(33)를 회전시킨다. 도면 중 35는 지지대이며, 회전 기구(34)를 하방으로부터 지지한다. 도면 중 36은, 모터와 볼 나사를 포함하는 적재부용 이동 기구이다. 모터에 의해 볼 나사가 회전하고, 당해 볼 나사에 접속되는 상기 지지대(35)가, 적재대(33)와 함께 전후로 수평 이동한다.
상기 지지대(35)의 이동에 의해, 적재대(33)는 하우징(31) 내에 있어서 상기 반송구(32)에 비교적 가깝게, 반송 아암(F5)에 의해 웨이퍼(W)의 수수가 행해지는 수수 위치와, 하우징(31) 내에 있어서 상기 반송구(32)로부터 비교적 크게 떨어지게, 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W) 방향의 조정이 행해지는 방향 조정 위치 사이에서 이동한다. 도 3, 도 4에서는, 수수 위치에 위치하는 적재대(33)를 나타내고 있다. 이 이후의 설명에서는, 이 적재대(33)의 이동 방향에 있어서, 수수 위치측을 전방측, 방향 조정 위치측을 후방측이라 한다.
하우징(31) 내의 후방측에는, 웨이퍼(W)의 주연에 형성된 절결인 노치(N)를 검출하는 검출 기구를 이루는 투광부(38)와 수광부(39)가 설치되어 있다. 투광부(38) 및 수광부(39)는, 상기 방향 조정 위치에 위치하는 적재대(33) 상의 웨이퍼(W)의 주연부를 상하로 끼우도록 설치되고, 적재대(33)에 의한 웨이퍼(W)의 회전중, 투광부(38)로부터 수광부(39)로 광이 조사된다. 이 회전 중에 수광부(39)가 수광하는 광량의 변화에 기초하여, 후술하는 제어부(10)가 노치(N)를 검출한다. 적재대(33) 및 회전 기구(34)에 의해, 검출된 노치(N)가 소정의 방향을 향하도록 웨이퍼(W)의 방향이 조정된다.
상기 적재부용 이동 기구(36)에 의한 웨이퍼(W)의 이동로의 상방에는, 광원 유닛(40)이 설치되어 있다. 광원 유닛(40)은, 케이스체(41), 셔터(44), LED군(47), 지지 기판(45), 제어 기판(49) 및 조도 분포 검출부(5)를 구비하고 있다. 케이스체(41)의 하부는, 적재부용 이동 기구(36)에 의한 웨이퍼(W)의 전후 방향의 이동로를 덮는 수평판(42)으로서 구성되어 있다. 이 수평판(42)의 전후 방향의 중앙부에는, 좌우 방향으로 신장되는 노광용 개구부(43)가 설치되어 있고, 수평판(42) 상에는 셔터(44)가 설치되어 있다. 셔터(44)는 케이스체(41) 내에 설치되는 도시하지 않은 이동 기구에 의해, 노광용 개구부(43)를 막는 폐쇄 위치와, 당해 폐쇄 위치의 후방측에서 노광용 개구부(43)를 개방하는 개방 위치 사이에서 이동한다.
케이스체(41) 내에 있어서 노광용 개구부(43)의 상방에는 지지 기판(45)이 수평하게 설치되어 있고, 지지 기판(45)의 하면에는, 다수의 LED(발광 다이오드)(46)가 하방에 예를 들어 파장이 365㎚인 자외광을 조사할 수 있도록 지지되어 있다. 이 LED(46)는 예를 들어 합계 356개 설치되어 있고, 4×89의 행렬 형상으로 배치되어 있다. 전후 방향의 배치수가 4, 좌우 방향의 배치수가 89이다. 단 도 4에서는 도시의 편의상, 좌우 방향에는 대략 20개만의 LED(46)가 배치되어 있도록 나타내고 있다. 이 행렬 형상으로 배치된 LED(46)를 일괄해서 LED군(47)으로 하면, LED군(47)으로부터의 자외광의 조사에 의해, 적재대(33)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면의 높이 위치에 띠 형상의 자외광의 조사 영역(30)이 형성된다. 또한, 조사 영역(30)의 좌우 방향의 각 위치에는, 복수의 셀(4)로부터 자외광이 조사된다. 도 5는 조사 영역(30)과 적재대(33)에 의해 이동하는 웨이퍼(W)와의 위치 관계를 나타내고 있고, 이 조사 영역(30)의 길이 방향의 크기는 웨이퍼(W)의 직경보다 커서, 웨이퍼(W)가 전후 방향으로 이동함으로써 웨이퍼(W)의 표면 전체가 조사 영역(30)을 통과하여, 당해 표면 전체가 노광된다.
LED군(47) 중, 전후 방향으로 일렬로 배치된 4개의 LED(46)를, 셀(4)로 한다. 각 셀에 대해서 서로 구별하기 위해서, 셀(4-1, 4-2, 4-3 … 4-89)로 하여, 셀(4)에 하이픈과 1 내지 89의 번호를 붙여서 나타내는 경우가 있다. 번호는 좌우의 한쪽으로부터 다른 쪽을 향해서 차례로 붙이기로 한다. 도 6의 블록도도 사용해서 설명하면, 전류 조정부(48)를 통해서, 예를 들어 하우징(31)의 외부에 설치되는 전원(23)에 접속되어 있고, 전류 조정부(48)는 전원(23)으로부터 LED(46)로 공급하는 전류를 셀(4)마다 조정한다. 각 셀(4)에 공급되는 전류에 의해, 조사 영역(30)에 있어서의 좌우의 각 부에 있어서의 조도가 조정된다. 또한, 일괄 노광 모듈(3)의 동작 중에는, 예를 들어 상시 LED군(47)으로부터 광이 출력된다. 전류 조정부(48)는, 케이스체(41) 내에 있어서 예를 들어 지지 기판(45)의 상방에 설치되는 제어 기판(49)에 설치된다.
그런데, 도 5에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 일괄 노광이 행해지지만, 이 일괄 노광 모듈(3)에 의한 노광량이 많아질수록, 웨이퍼(W) 표면의 레지스트막에 있어서 상기 패턴 노광이 행해진 영역에는 많은 산이 발생하고, 후에 현상 처리를 받았을 때에 패턴의 치수인 CD가 커진다. 즉, 웨이퍼(W)의 면 내에서 CD를 균일화하기 위해서는, 웨이퍼(W)의 면 내 각 부의 노광량을 제어하는 것이 필요하게 된다.
그러나, 배경기술의 항목에서 설명한 바와 같이 LED군(47)에 공급되는 전류가 일정한 경우, LED(46)의 열화에 의해, 당해 LED군(47)으로부터 출력되는 광량은 저하된다. 즉, 각 셀(4)에 공급하는 전류가 일정한 경우, 웨이퍼(W)의 면 내의 각 부의 노광량은 셀(4)을 구성하는 LED(46)의 열화에 의해 변동되게 된다. 또한, LED(46)가 열화한 경우에는 공급하는 전류를 상승시켜서 대처하기 때문에, 교환 당초 혹은 제조 당초에 사용되는 LED(46)로서는 정격보다 낮은, 예를 들어 정격의 75% 정도의 전류가 공급됨으로써 원하는 조도가 얻어지는 것이 사용되게 된다. 그러나, 이와 같이 정격 전류보다 낮은 전류를 각 LED(46)에 공급함으로써, LED(46) 사이에서의 광량의 변동이 비교적 커진다. 또한, 각 셀은 서로 밀접해서 배치되어 있기 때문에, 좌우의 배열 방향의 중심부에 있어서의 셀(4)에 대해서는 다른 셀(4)에 비하여, LED(46)의 정션 온도가 높아진다. 결과적으로 LED(46)의 순전압이 떨어져서, 광량의 저하가 일어난다.
이와 같이 복수의 요인에 의해, LED(46) 사이에서의 광량의 변동이 일어난다. 그러한 LED(46)의 광량의 변동에 의해, 웨이퍼(W)의 면 내 각 부의 노광량이 설정으로부터 어긋나는 것을 방지하기 위해서, 일괄 노광 모듈(3)에서는 웨이퍼(W)의 노광이 행해지지 않은 대기 시에 있어서, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서의 조도 분포의 검출과, 이 검출 결과에 기초한 각 셀(4)에 공급하는 전류의 설정값의 보정이 행해진다.
이 조도 분포의 검출을 행하기 위해서, 일괄 노광 모듈(3)에는 조도 분포 검출부(5)가 설치되어 있다. 조도 분포 검출부(5)는, 도광부(51)와, 조도 센서(52)와, 아암(56)과, 이동 기구(58)를 포함하고, 수광부인 도광부(51)는 셀(4)로부터 조사되는 자외광을 수광하고, 조도가 저하되지 않도록 조도 센서(52)로 도광한다. 조도 검출부인 조도 센서(52)는 상기 제어 기판(49)에 접속되어 있고, 도광된 광의 조도에 따른 전류(검출 전류)를 당해 제어 기판(49)에 출력한다. 이 조도 센서(52)로서는, 예를 들어 응답 속도가 비교적 빠른 포토다이오드가 사용되지만, 서모파일에 의해 구성해도 된다.
도광부(51)에 대해서 도 7의 사시도, 도 8의 종단 측면도, 도 9의 종단 정면도를 사용해서 설명한다. 도광부(51)는 외장부(53) 및 형광 유리(54)를 구비하고 있다. 외장부(53)는 수평판(42)의 하방에 설치되고, 전후 방향으로 가늘고 긴 상자 형상으로 구성되어 있다. 형광 유리(54)는 가늘고 긴 각봉으로서 형성되어 있고, 외장부(53) 내에 있어서 당해 외장부(53)를 따라 설치되어 있다. 외장부(53)의 상부에는 전후 방향으로 신장되는 슬릿(55)이 개구되어 있고, 셀(4)로부터 조사된 자외광은, 당해 슬릿(55)을 통해서 수평한 형광 유리(54)의 상면에 조사된다. 즉, 외장부(53)는, 셀(4)로부터 조사되는 광의 일부를 차광하는 차광부이다. 슬릿(55)의 짧은 쪽 방향의 폭은 예를 들어 1㎜이다.
외장부(53)는 아암(56)의 일단부에 접속되어 있고, 아암(56)의 타단부는 케이스체(41) 내로 신장되어, 상기 조도 센서(52)에 접속되어 있다(도 3 참조). 또한, 형광 유리(54)의 길이 방향에 있어서의 일단부와 조도 센서(52)가, 광 파이버(57)에 의해 접속되어 있다. 조도 센서(52)는 케이스체(41) 내에 설치되는 이동 기구(58)에 접속되어 있다. 당해 이동 기구(58)에 의해, 조도 센서(52), 아암(56) 및 도광부(51)는 좌우 방향으로 이동할 수 있고, 도광부(51)에 대해서는, 상기 조사 영역(30)의 외측의 대기 위치와 조사 영역(30)에 있어서의 좌우의 각 위치에 위치할 수 있다. 즉, 도광부(51)는, 웨이퍼(W)의 이동로를 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 도 4는 대기 위치에 위치한 상태의 도광부(51)를 나타내고 있다.
상기 조사 영역(30)의 조도를 측정하는 것을 목적으로 하기 때문에, 형광 유리(54)의 상면은, 당해 조사 영역(30)과 동일한 높이, 즉 웨이퍼(W)의 표면과 동일한 높이가 되도록 수평하게 형성되어 있다. 그리고, 형광 유리(54)에 조사된 자외광은 가시광으로 변환되어, 광 파이버(57)를 통해서 조도 센서(52)로 도광된다. 즉, 형광 유리(54)는, 광이 갖는 스펙트럼 분포를 변환하는 파장 변환부이다. 이와 같이 조도 센서(52)에 가시광을 도광함으로써, 조도 센서(52)에 자외광을 도광 하는 것보다 조도 센서(52)가 받는 에너지를 작게 하여, 조도 센서(52)의 온도 상승을 억제하고, 당해 온도 상승에 의해, 조도 센서(52)의 검출 정밀도가 저하되는 것을 억제하는, 즉 온도 드리프트를 억제하는 역할도 갖는다.
또한 도 8, 도 9의 쇄선은, 각 셀(4)에 의해 형성되는 광로를 나타내고 있다. 조사 영역(30)의 짧은 쪽 방향의 일단부로부터 타단부에 걸쳐서 조사되는 광을 수광할 수 있도록, 형광 유리(54)의 일단부, 타단부는, 당해 조사 영역(30)의 짧은 쪽 방향의 일단부, 타단부의 외측에 각각 위치하도록 설치되어 있다. 그런데 상기 도광부(51)의 슬릿(55)은, 셀(4)로부터 조사되는 광의 일부만을 형광 유리(54)에 도광함으로써 조도 센서(52)로 공급되는 광량을 억제하고, 당해 조도 센서(52)의 온도가 상승하는 것에 기인하는 당해 조도 센서(52)의 검출 정밀도의 저하를 억제하는, 즉 온도 드리프트를 억제하는 역할도 갖는다. 또한, 짧은 쪽 방향이 좌우 방향이 되도록 슬릿(55)이 형성되어 있기 때문에, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서, 보다 많은 서로 다른 위치의 조도를 검출할 수 있다. 즉, 도광부(51)는, 길이 조사 영역(30)의 길이 방향에 대해서 조도 분포를 상세하게 취득 할 수 있도록 구성되어 있다.
도 6으로 되돌아가서, 제어 기판(49)에 대해서 추가로 설명한다. 이 제어 기판(49)에는, 연산부(59) 및 메모리(50)가 포함되어 있다. 이 메모리(50)에 기억되는 데이터에 대해서 개략적으로 도시한 도 10, 도 11을 참조하면서 설명한다. 도 10, 도 11에서는, 셀(4-1 내지 4-89) 중, 대표로 임의의 3개를 선택하여, 셀(4-A1 내지 4-A3)이라 하였다. 도 10의 그래프의 횡축은 셀(4)에 공급되는 공급 전류(단위: ㎃)를 나타내고, 종축은 조도(단위: W/㎠)를 나타내고 있다. 여기에서의 조도는, 1개의 셀(4)에 의해서만 광조사가 행해졌다고 한 경우의 조도이다. 즉, 메모리(50)에는 1개의 셀(4)에 대한 공급 전류의 변화량에 대한, 조사 영역(30) 중 당해 셀(4)에 광조사되는 영역의 조도 변화량이 기억되어 있고, 이 서로의 변화량의 대응 관계는, 그래프에 도시하는 바와 같이 1차 함수로 표현되는 것으로 한다. 편의상, 이 그래프에 나타내는 서로의 변화량의 대응 관계를 전류-조도 대응 관계로 한다. 셀(4)마다 다른 특성을 갖기 때문에, 전류-조도 대응 관계는, 셀(4)마다 기억되어 있다.
또한, 조사 영역(30)을 길이 방향으로 n개(n은 정수)로 등분할한 각 영역을 분할 영역 1 내지 n이라 한다. 이들 분할 영역은, 후술하는 바와 같이 조도의 검출이 각각 행해지는 영역이다. 도 10에서는 일부가 연속해서 배치되는 분할 영역을 B1 내지 B16으로서 나타내고 있다. 도 10의 상단의 그래프에 대해서 설명하면, 종축은 (단위: W/㎠)를 나타내고 있다. 또한 그래프의 횡축에 있어서의 각 위치는, 횡축의 상방에 나타낸 분할 영역 B1 내지 B16의 각 위치에 대응한다. 도면 중 그래프의 각 파형은, 셀(4-A1 내지 4-A3)에 각각 소정의 전류를 공급했을 때에 있어서의, 셀의 하나하나가 형성하는 조도 분포를 나타내고 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 각 파형은, 소정의 전류를 공급해서 1개의 셀(4)만을 점등시켰을 때, 각 분할 영역의 조도가 각각 어느 정도 변화하는지를 나타내는, 즉 셀(4)의 각 분할 영역에 대한 조도의 기여의 정도를 나타내고 있다고 할 수 있다. 이 파형에 대한 데이터를 셀 개별 조도 분포로 하면, 이 셀 개별 조도 분포가 셀(4)마다 설정되어 메모리(50)에 기억되어 있다.
또한, 도 11의 상단에 나타내는 파형이 형성되는 상태보다, 셀(4)에 공급되는 전류를 일정량 증가시켰다 하더라도, 도 11의 하단의 그래프에 나타낸 바와 같이, 셀 개별 조도 분포의 파형의 형상은 변화하지 않고, 각 분할 영역의 조도가 상승하는 것으로 한다. 즉, 1개의 셀(4)의 각 분할 영역에 대한 조도의 기여의 정도는 일정하다. 또한, 도 10에서 설명한 바와 같이, 셀 마다의 조도의 상승량은 다르다. 그런데 분할 영역의 조도는, 당해 분할 영역에 광을 조사하는 각 셀(4)에 의한 조도의 합계값이다. 구체적으로 설명하면 도 11의 하단에서는 분할 영역 B10에 있어서, 셀(4-A1 및 4-A2)로부터 광이 조사되는 것으로서 나타내고 있지만, 셀(4-A1)에 의한 조도가 (C1)W/㎠, 셀(4-A2)에 의한 조도가 (C2)W/㎠로 하면, 당해 분할 영역 B6의 조도는 (C1+C2)W/㎠가 된다.
메모리(50)에 기억되는 다른 데이터에 대해서 설명해 둔다. 메모리(50)에는, 셀(4)에 공급하는 전류의 값(설정 공급 전류값)이 셀(4)마다 기억되어 있다. 제어 기판(49)에 설치되는 연산부(59)는, 이 설정 공급 전류가 각 셀(4)에 공급되도록 전류 조정부(48)의 제어와, 후술하는 바와 같이 취득되는 조사 영역(30)의 조도 분포에 기초한 설정 공급 전류값의 갱신을 행한다. 또한 메모리(50)에는, 조도의 허용값에 대한 데이터와, 분할 영역마다의 기준의 조도에 대한 데이터가 기억되어 있다. 검출된 각 분할 영역의 조도가, 이 허용값을 하회했을 때, 상기 기준의 조도가 되도록 설정 공급 전류값의 갱신이 행해진다.
또한, 일괄 노광 모듈(3)에는, 도 3에 도시한 바와 같이 컴퓨터로 이루어지는 제어부(10)가 설치되어 있다. 제어부(10)는, 도시하지 않은 프로그램을 구비하고 있다. 각 프로그램은, 일괄 노광 모듈(3)의 각 부에 제어 신호를 보내서, 후술하는 웨이퍼(W)의 노광과, 조도의 조정을 행할 수 있도록 스텝군이 편성되어 있다. 구체적으로는 당해 프로그램에 의해, 회전 기구(34)에 의한 적재대(33)의 회전, 회전 기구(34)에 의한 적재대(33)의 전후 방향의 이동, 투광부(38)로부터의 광의 조사 및 조사의 정지, 수광부(39)에 의한 수광량을 감시하는 것에 의한 노치(N)의 검출, 셔터(44)의 개폐, 제어 기판(49)의 동작의 제어 등이 행해진다. 이 프로그램은, 예를 들어 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크), 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어, 제어부(10)에 인스톨된다.
계속해서, 일괄 노광 모듈(3)에 의한 웨이퍼(W)의 노광에 대해서 설명한다. 각 셀(4)에 대하여 메모리(50)에 기억된 설정 공급 전류값의 전류가 공급되고 또한, 셔터(44)에 의해 노광용 개구부(43)가 폐쇄된 상태에서, 반송 아암(F5)에 의해 수수 위치에 위치하는 적재대(33)에 웨이퍼(W)가 적재된다. 그리고 나서, 적재대(33)는 방향 조정 위치로 이동하여, 투광부(38)로부터 수광부(39)로 광이 조사되고, 웨이퍼(W)가 1회전하여, 노치(N)의 방향이 검출된다. 그리고, 당해 노치(N)가 소정의 방향을 향하도록 웨이퍼(W)가 회전하면, 웨이퍼(W)의 회전이 정지한다. 그리고 나서, 셔터(44)가 이동해서 노광용 개구부(43)가 개방되고, 도 12에 도시하는 바와 같이 적재대(33)가 수수 위치를 향해서 이동한다. 그리고, 웨이퍼(W)가 각 셀(4)로부터의 광조사에 의해 형성되는 조사 영역(30)을 통과하고, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 노광되면, 셔터(44)가 이동해서 노광용 개구부(43)가 폐쇄된다. 적재대(33)가 수수 위치에 위치하면 정지하고, 웨이퍼(W)는 반송 아암(F5)에 의해, 일괄 노광 모듈(3)로부터 반출된다.
계속해서, 조도의 조정에 대해서 도 13의 플로우를 참조하면서 설명한다. 웨이퍼(W)가 하우징(31) 내에 반입되어 있지 않고, 또한 각 셀(4)에 대하여 메모리(50)에 기억된 설정 공급 전류가 공급된 상태에서 셔터(44)가 이동하고, 노광용 개구부(43)가 개방된다. 그리고, 대기 위치에 위치하는 도광부(51)가, 도 14에 도시한 바와 같이 조사 영역(30)의 좌우 방향의 일단부로 이동하고, 당해 좌우 방향의 타단부를 향해서 이동한다. 이 도광부(51)의 이동은 일정한 속도로 행해진다. 그리고, 이 이동 중에 도광부(51)의 형광 유리(54)에 자외광이 조사된다(스텝 S1). 그리고, 조도 센서(52)에 당해 자외광이 변환된 가시광이 도광되어, 조도 센서(52)로부터는 분할 영역의 조도에 대응하는 전류가 출력되고, 이 전류값(검출 전류값)이 메모리(50)에 기억된다. 도광부(51)가 이동을 계속함으로써, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서의 각 분할 영역의 검출 전류가 취득된다. 도광부(51)가 조사 영역(30)의 타단부에 위치하면, 셔터(44)가 이동해서 노광용 개구부(43)가 폐쇄됨과 함께 도광부(51)는 대기 위치로 되돌아간다. 그 반면에 취득된 검출 전류로부터, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서의 조도 분포가 취득된다(스텝 S2). 도 15의 상단의 그래프는, 이와 같이 취득된 조도 분포의 예를 나타내고 있다. 그래프의 종축은 조도(단위: W/㎠), 횡축은 검출 전류를 취득한 분할 영역을 나타낸다. 그래프 중의 C3은 조도의 허용값을 나타내고 있다.
계속해서, 각 분할 영역에 대해서 검출된 조도가 허용값을 하회하고 있는지 여부가 판정되고, 조도가 허용값을 하회하고 있다고 판정된 분할 영역에 대해서는, 도 10, 도 11에서 설명한 전류-조도 대응 관계 및 셀 개별 조도 분포에 기초하여, 당해 분할 영역에 대응하는 셀(4)에 대한 설정 공급 전류값이 갱신되고(스텝 S3), 조도의 조정이 종료된다.
상기 설정 공급 전류값의 갱신에 대해서 구체적인 일례를 나타내 두면, 조도의 허용값과 검출된 조도와의 괴리가 가장 큰 분할 영역에 대해서, 검출된 조도와, 당해 분할 영역에 설정된 조도의 기준값과의 차분이 연산된다(공정 1). 예를 들어, 도 15의 상단과 같은 조도 분포가 취득된 경우, 분할 영역 3에 있어서 허용값과 검출된 조도에 관한 괴리가 가장 크므로, 이 분할 영역 3에 대해서 검출된 조도와, 분할 영역 3에 대해서 설정된 조도의 기준값과의 차분이 연산된다. 이 차분의 연산 후, 셀 개별 조도 분포보다, 당해 분할 영역에 대해서 가장 조도의 기여가 큰 셀(4)을 특정하여, 전류-조도 대응 관계를 사용해서, 이 차분이 해소되도록 당해 셀(4)에 공급하는 설정 공급 전류값을 상승시킨다(공정 2).
이와 같이 설정 공급 전류값을 상승시킴으로써, 이미 설명한 차분을 검출한 분할 영역 이외의 분할 영역의 조도도 상승하지만, 각 분할 영역의 조도 상승량은, 셀 개별 조도 분포 및 전류-조도 대응 관계로부터 연산에 의해 취득할 수 있다. 즉, 설정 공급 전류를 상승시킴으로써 보정된 조도 분포를 취득할 수 있다. 이 보정 후의 조도 분포에 대해서, 조도가 허용값을 하회하고 있다고 판정되는 분할 영역이 없으면, 조도의 조정이 종료된다. 허용값을 하회하고 있다고 판정되는 분할 영역이 있으면, 공정 1, 2가 반복해서 행해진다. 또한, 도 15의 하단은, 상기와 같이 분할 영역 3에 대응하는 셀의 설정 공급 전류값이 보정됨으로써, 도 15의 상단의 조도 분포로부터 보정된 조도 분포를 나타내고 있고, 이 보정된 조도 분포에 대해서는, 각 분할 영역의 조도가 허용값 C3을 초과하고 있다. 따라서, 더 이상의 설정 공급 전류의 보정은 행해지지 않고, 조도의 조정이 종료된다.
상기 스텝 S1 내지 S3의 플로우인 각 셀(4-1 내지 4-89)에 대한 공급 설정 전류값의 보정을 캘리브레이션이라 칭하기로 하면, 이 캘리브레이션은, 정기적으로 행해져도 되고, 부정기로 행해져도 된다. 예를 들어 일괄 노광 모듈(3)에 있어서, 하나의 로트에 속하는 웨이퍼(W)의 처리가 모두 종료된 후, 다음 로트에 속하는 웨이퍼(W)가 당해 일괄 노광 모듈로 반송될 때까지 캘리브레이션을 행해도 되고, 1매의 웨이퍼(W)에 일괄 노광 처리를 종료할 때마다 캘리브레이션을 행해도 된다. 또한, 일괄 노광 모듈(3)에 전원을 투입해서 기동시킬 때마다, 이 캘리브레이션이 행해지도록 해도 된다.
그런데, 설명의 편의상, 메모리(50)에는, 조도의 허용값 및 조도의 기준값이 저장되어 있고, 이들 조도의 데이터와, 검출된 조도에 기초하여 캘리브레이션이 행해진다고 설명하였다. 이 검출된 조도는, 조도 센서(52)로부터 출력되는 검출 전류에 대응하므로, 메모리(50)에는, 검출 전류의 허용값, 검출 전류의 기준값이 저장되어 있고, 이들 전류의 데이터와 검출 전류에 기초하여 캘리브레이션이 행해지고 있다고 볼 수 있다. 즉, 메모리(50)에는 이들 조도에 대한 데이터, 전류에 대한 데이터 중의 어느 것이 저장되어 있어도 된다. 또한, 도 15에서는, 각 분할 영역의 조도의 허용값은 일률적으로 C3인 것으로 했지만, 이 일괄 노광 모듈(3)에 대해서는 조사 영역(30)의 좌우의 각 위치에서 조도가 동일해지도록 운용되는 것에는 한정되지 않으므로, 이 조도의 허용값에 대해서, 분할 영역마다 개별의 값을 설정해도 된다.
이 일괄 노광 모듈(3)에 의하면, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서의 각 분할 영역의 조도를 취득할 수 있도록, 도광부(51)가 당해 길이 방향으로 이동하고, 도광부(51)에 의한 수광에 기초하여, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서의 조도 분포가 취득된다. 그리고, 이 조도 분포에 기초하여 셀(4)로부터 조사되는 광량이 보정되고, 각 분할 영역의 조도가 허용값을 하회하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 면 내 각 부의 노광량이 설정값보다 저하되는 것을 억제할 수 있으므로, 일괄 노광 모듈(3)에 의한 일괄 노광 후에 형성되는 레지스트 패턴의 CD에 대해서, 웨이퍼(W)의 면 내 각 부에서 변동되는 것을 억제할 수 있다.
상기 예에서는 웨이퍼(W)를 방향 조정 위치로부터 수수 위치로 이동해서 노광하는 동안, 웨이퍼(W)를 회전시키지 않았지만, 이동 중에 회전시켜서 노광을 행해도 된다. 또한, 상기 예에서는, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서의 조도 분포의 조정이 자동으로 행해지고 있지만, 일괄 노광 모듈(3)의 유저에 의해 수동으로 행해지도록 해도 된다. 이 수동 조정의 예를 구체적으로 설명한다. 우선, 컴퓨터인 제어부(10)에 대하여 유저가 소정의 조작을 행함으로써, 조도 분포 검출부(5)의 도광부(51)가 상기와 같이 조사 영역(30)의 길이 방향을 따라 이동하고, 도 15에 예시한 조도 분포의 취득이 행해지도록 한다. 이 취득된 조도 분포가, 제어부(10)에 포함되는 모니터에 표시되도록, 당해 제어부(10)가 구성된다. 그리고, 이 조도 분포의 표시를 본 유저가, 설정 공급 전류값을 보정하는 셀(4)을 선택하여, 제어부(10)로부터 소정의 조작을 행함으로써, 선택한 셀(4)의 설정 공급 전류값을 임의의 보정량으로 보정한다. 보정 후에는 다시 도광부(51)를 이동시켜서, 조도 분포를 취득해서 모니터에 표시시켜서, 보정이 적절하게 행해졌는지를 확인한다고 하는 운용을 행할 수 있다.
도 11에서 설명한 셀 개별 조도 분포에 대해서, 그 취득 방법의 일례에 대해서 설명해 둔다. 예를 들어 셀(4)을 모두 점등시킨 상태에서, 조사 영역(30)의 길이 방향의 조도 분포를 취득한다. 다음에 89개의 셀(4) 중 1개의 셀(4)을 소등시킨 상태에서 마찬가지로 조도 분포를 취득한다. 이 2개의 조도 분포의 차분을 연산함으로써, 소등한 셀(4)에 대한 셀 개별 조도 분포를 취득할 수 있다. 이러한 차분을 취득하는 방법 외에, 89개의 셀 중, 1개만 셀(4)을 점등시켜서 당해 셀(4)의 하방의 조도 분포를 취득하고, 셀 개별 조도 분포를 취득할 수 있다. 단, 이미 설명한 바와 같이 LED(46)의 광량은 LED(46)의 온도에 따라 변동하고, 1개만의 셀(4)을 점등시키는 경우에는, 당해 셀(4)이 소정의 온도가 되고, 상기 조도 분포를 취득할 수 있게 될 때까지 비교적 많은 시간을 요하게 된다. 따라서 상기와 같이 차분을 취득하는 방법을 사용하는 것이, 빠르게 모든 셀(4)에 관한 셀 개별 조도 분포를 취득할 수 있으므로 바람직하다.
(제2 실시 형태)
제2 실시 형태의 일괄 노광 모듈(61)에 대해서, 제1 실시 형태의 일괄 노광 모듈(3)과의 차이점을 중심으로, 종단 측면도인 도 16 및 종단 배면도인 도 17을 참조하여 설명한다. 이 일괄 노광 모듈(61)에 있어서는 검출부(5)가 도광부(51)를 구비하고 있지 않고, 케이스체(41)의 하방에는 당해 도광부(51) 대신에 조도 센서(52)가, 아암(56)의 일단부에 지지되어 설치되어 있다. 아암(56)의 타단부는 광원 유닛(40)의 케이스체(41) 안으로 신장되어, 이동 기구(58)에 접속되어 있다. 이 이동 기구(58)에 의해, 조도 센서(52)는, 제1 실시 형태의 도광부(51)와 마찬가지로 좌우 방향으로 이동할 수 있어, 조도의 조정이 행해질 때에는 조사 영역(30)의 각 분할 위치에 위치하고, 웨이퍼(W)의 노광이 행해질 때에는 조사 영역(30)의 외측의 대기 위치에서 대기할 수 있다. 이와 같이 조도 센서(52)가 조사 영역(30)에 위치하므로, 이 일괄 노광 모듈(61)에 있어서는 자외광이 가시광으로 변환되지 않고, 조도 센서(52)에 조사된다. 도 17은 당해 대기 위치에 위치하는 상태의 조도 센서(52)를 나타내고 있다.
이 제2 실시 형태에 있어서의 조도 센서(52)는, 수평한 상면에서 각 셀(4)로부터 조사되는 자외광을 수광하고, 예를 들어 도시하지 않은 배선을 통해서 조도에 대응하는 검출 전류를 제어 기판(49)에 송신한다. 웨이퍼(W)의 표면의 조도를 검출할 수 있도록, 이 조도 센서(52)의 상면은, 적재대(33)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면과 동일한 높이에 위치하고 있다. 도 16 중의 이점쇄선은, 웨이퍼(W)의 표면의 높이 및 조도 센서(52)의 상면의 높이를 나타내고 있다.
이 일괄 노광 모듈(61)에 있어서, 웨이퍼(W)의 노광은 일괄 노광 모듈(3)과 마찬가지로 행해진다. 그리고, 조도의 조정으로서, 제1 실시 형태에서 설명한 캘리브레이션이 행해진다. 단, 도 13에서 설명한 플로우의 스텝 S1에 있어서는, 도광부(51) 대신에 조도 센서(52)가, 조사 영역(30)의 길이 방향의 일단부로부터 타단부로 이동함으로써, 각 분할 영역의 조도에 따른 검출 전류가 취득된다. 이와 같이 구성된 일괄 노광 모듈(61)에 대해서도, 일괄 노광 모듈(3)과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 각 부의 노광량이 설정값으로부터 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
(제3 실시 형태)
제3 실시 형태의 일괄 노광 모듈(62)에 대해서, 종단 측면도인 도 18 및 횡단 평면도인 도 19를 참조하여, 제2 실시 형태의 일괄 노광 모듈(61)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 일괄 노광 모듈(62)에 있어서의 검출부(5)는, 회전 기구(34)로부터 후방으로 수평하게 신장되는 아암(63)과, 아암(63)의 선단부에 설치되는 센서용 이동 기구(64)와, 센서용 이동 기구(64)에 설치되는 조도 센서(52)에 의해 구성된다. 즉, 이 일괄 노광 모듈(62)에서는, 조도 센서(52)는 적재부용 이동 기구(36)에 의해, 웨이퍼(W)의 적재대(33)와 함께 전후 방향으로 이동한다. 또한, 조도 센서(52)는, 센서용 이동 기구(64)에 의해 좌우로 수평하게 이동한다. 조도 센서(52)의 상면은, 제2 실시 형태와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 표면과 동일한 높이로 설치되어 있다. 이 일괄 노광 모듈(62)에 있어서도, 일괄 노광 모듈(61)과 마찬가지로, 조도 센서(52)가 조사 영역(30)의 길이 방향의 일단부로부터 타단부로 이동함으로써, 상기 캘리브레이션이 행해진다.
(제4 실시 형태)
제4 실시 형태의 일괄 노광 모듈(66)에 대해서, 종단 측면도인 도 20 및 종단 배면도인 도 21을 참조하여, 제1 실시 형태의 일괄 노광 모듈(3)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 일괄 노광 모듈(66)에 있어서는, 셀(4-1 내지 4-89)에 있어서의 설정 공급 전류값이, 캘리브레이션과는 다른 방법으로 보정된다. 일괄 노광 모듈(66)에서는, 일괄 노광 모듈(3)보다 LED군(47)을 구성하는 셀(4)이 1개 많게 설치되어 있고, 따라서, 지지 기판(45)에는 4×90의 행렬 형상으로 LED(46)가 설치되어 있다. 이 1개 많게 설치된 셀(4)을, 셀(4-0)이라 기재하는 경우가 있다. 셀(4-0)에 대해서도, 셀(4-1) 내지 셀(4-89)와 마찬가지로 고유의 설정 공급 전류값이 설정되어 있고, 당해 설정 공급 전류값의 전류가 공급됨으로써, 일괄 노광 모듈(66)의 가동 중에는 상시, 하방으로 광을 조사한다.
LED군(47)에 있어서, 셀(4-0)은 좌우 방향의 일단부에 배치된다. 셀(4-1 내지 4-89)은, 상기와 같이 조사 영역(30)을 형성해서 웨이퍼(W)를 노광하기 위해서 사용되는 광조사부이지만, 셀(4-0)은 웨이퍼(W)의 노광을 목적으로 하지 않는 감시용 광조사부이고, 도 21에 도시한 바와 같이, 노광용 개구부(43)의 상방 영역으로부터 좌우 방향으로 벗어난 위치에 설치되어 있고, 셔터(44)가 개방 위치로 이동해서 노광용 개구부(43)가 개방되었을 때에서도 셀(4-0)로부터 조사된 자외광은 웨이퍼(W)에 조사되지 않는다. 또한, 도 21에서는 일점쇄선으로 셀(4-0)에 의해 형성되는 광로를, 이점쇄선으로 셀(4-1 내지 4-89)에 의해 형성되는 광로를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 20에서는 일점쇄선의 화살표에 의해, 셀(4-0)에 의해 형성되는 광로를 나타내고 있다.
셀(4-0)의 하방에는 예를 들어 프리즘인 반사 부재(67)가 설치되어 있고, 셀(4-0)로부터 조사된 자외광을 전방측으로 반사한다. 셀(4-1 내지 4-89)에 의한 이 반사 부재(67)에 대한 광조사는 행해지지 않고, 셀(4-0)만이 반사 부재(67)에 대한 광조사를 행한다. 반사 부재(67)의 전방측에는 렌즈(68)가 설치되고, 렌즈(68)의 전방측에는 조도 센서(52)가 추가로 설치되어 있다. 또한, 렌즈(68)로서는 열화에 의한 광량의 저하를 방지하기 위해서, UV 내성을 갖는 유리제의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 반사 부재(67)에 의해 반사된 광은, 렌즈(68)에 의해 집광되어 조도 센서(52)에 조사된다. 이 광을 수광할 수 있도록, 조도 센서(52)에 있어서 광을 수광하는 수광면은, 후방을 향하는 수직면으로서 설치되어 있다. 이 일괄 노광 모듈(66)에서는 센서용 이동 기구(58)가 설치되어 있지 않고, 조도 센서(52)의 위치가 고정되어 있어, 셀(4-0)로부터 조사되는 자외광을 상시, 수광한다.
또한, 이 일괄 노광 모듈(66)에 있어서의 제어 기판(49)의 메모리(50)에는, 앞서 서술한 각 데이터 외에, 셀(4-0)에 관한 도 10에서 설명한 전류-조도 대응 관계와, 셀(4-0)에 관한 공급 설정 전류값, 셀(4-0)에 관한 기준의 조도가 기억되어 있다. 셀(4-0)에 대해서도, 다른 셀(4)와 마찬가지로 공급 설정 전류값의 전류가 공급된다.
일괄 노광 모듈(66)의 동작 중, 제어 기판(49)의 연산부(59)에 의해, 조도 센서(52)에 의해 검출되는 조도와, 셀(4-0)에 대해서 설정된 기준의 조도와의 차분의 유무가 상시 감시된다. 그리고, 차분이 있는 것이 검출되면, 이 차분값에 대응하는 만큼, 각 셀(4-0 내지 4-89)에 대해서, 각각의 셀에 대해서 설정된 전류-조도 대응 관계에 기초하여, 이 차분이 해소되도록 설정 공급 전류값이 일괄적으로 보정되고, 셀(4-0 내지 4-89)의 광량이 보정된다.
즉, 이 일괄 노광 모듈(66)에서는 셀(4-0)의 조도를 상시 감시하고, 조도의 저하가 검출된 경우에는, 셀(4-1 내지 4-89)에서도 마찬가지로 조도의 저하가 일어나 있는 것으로 간주하여, 이 조도의 저하분, 셀(4-0 내지 4-89)에 대한 공급 전류를 보정한다. 이러한 보정을, 여기에서는 피드백 보정이라 칭하는 것으로 하면, 당해 피드백 보정을 행함으로써도 웨이퍼(W)의 각 부에 있어서의 노광량의 변동을 억제할 수 있다. 단, 상기 캘리브레이션을 행하는 제1 내지 제3 실시 형태에 따르면, 셀(4-1 내지 4-89)의 조도를 직접 검출함으로써, 보다 확실하게 웨이퍼(W)의 각 부에 있어서의 노광량의 변동을 억제할 수 있으므로 바람직하다.
(제5 실시 형태)
제5 실시 형태의 일괄 노광 모듈(71)에 대해서, 제4 실시 형태의 일괄 노광 모듈(66)과의 차이점을 중심으로, 종단 측면도인 도 22와, 종단 배면도인 도 23을 참조하여 설명한다. 이 일괄 노광 모듈(71)은, 상기 피드백 보정 및 캘리브레이션의 양쪽을 행할 수 있도록 구성되어 있다. 이 일괄 노광 모듈(71)에는, 상기 반사 부재(67), 렌즈(68) 및 조도 센서(52)를 지지하는 지지 부재(72)가 설치되어 있다. 이 일괄 노광 모듈(71)에서는, 렌즈(68)는 전후 방향에 있어서 셀(4)과 동일 위치에, 상방의 셀(4)로부터 조사된 광을 하방을 향해서 집광하도록 설치되어 있고, 반사 부재(67)는 그와 같이 집광된 광을 후방의 조도 센서(52)를 향해서 반사한다.
이 지지 부재(72)는 센서용 이동 기구(58)에 접속되어 있고, 좌우 방향으로 이동할 수 있다. 따라서, 반사 부재(67), 렌즈(68) 및 조도 센서(52)에 대해서는 서로의 상대 위치가 동일한 그대로 수평하게 이동할 수 있다. 그에 의해, 셀(4-1) 내지 셀(4-89)의 자외광이 조도 센서(52)에 조사된다. 예를 들어 조도 센서(52)의 수광면의 조도가, 조사 영역(30) 중 당해 조도 센서(52)의 수광면이 위치하는 영역과 좌우 방향의 위치가 동일한 영역의 조도와 동일해지도록, 당해 조도 센서(52)가 배치되어 있다. 따라서, 조도 센서(52)가 그와 같이 좌우로 이동함으로써, 상기 캘리브레이션을 행할 수 있다.
캘리브레이션이 행해지지 않는 타이밍에 있어서는, 셀(4-0)로부터 조사되는 자외광이 조도 센서(52)에 조사되는 위치에서 반사 부재(67), 렌즈(68) 및 조도 센서(52)가 정지하고, 일괄 노광 모듈(66)에서 설명한 피드백 보정이 행해진다. 이 제5 실시 형태의 일괄 노광 모듈(71)에 의하면, 캘리브레이션을 행한 후, 다음 캘리브레이션을 행할 때까지의 사이에, 피드백 보정이 행해짐으로써, 셀(4-1 내지 4-89)로부터 조사되는 광량의 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 각 위치에 있어서의 노광량의 저하를, 보다 확실하게 억제할 수 있다.
(제6 실시 형태)
제6 실시 형태의 일괄 노광 모듈(73)에 대해서, 종단 측면도인 도 24, 도 25 및 종단 배면도인 도 26을 참조하여, 제1 실시 형태의 일괄 노광 모듈(3)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 일괄 노광 모듈(73)에서는, 일괄 노광 모듈(3)과 마찬가지로, 피드백 보정은 행해지지 않고, 캘리브레이션이 행해진다. 일괄 노광 모듈(73)에는, 검출부(5)로서 조도 센서(52) 및 센서용 이동 기구(58)가 설치되어 있다. 조도 센서(52)는, 수광면이 후방을 향하도록 설치되고, 센서용 이동 기구(58)에 의해 좌우로 수평하게 이동한다.
각 셀(4)에 의한 자외광의 조사 방향에는, 가운데가 볼록한 형태로 좌우로 가늘고 긴 렌즈(74)가 설치되어 있고, 이 렌즈(74)는 1개의 셀(4)을 구성하는 LED(46)의 배열 방향으로 집광할 수 있도록 구성되어 있다. LED군(47)을 지지하는 지지 기판(45) 및 렌즈(74)는, 회전 기구(75)에 접속되어 있고, 회전 기구(75)는, 좌우 방향으로 신장되는 수평축 주위에 지지 기판(45) 및 LED(46)를 회전시킨다. 이 회전이 행해져도 지지 기판(45) 및 LED(46)에 대해서, 서로의 상대 위치는 일정하다. 따라서, 렌즈(74)를 통해서 LED(46)에 의해 자외광이 조사되는 방향을, 상기 수평축 주위로 변경할 수 있다. 따라서, 회전 기구(75)는 광의 조사 방향을 변경하기 위해서 셀(4)을 이동시키는 이동 기구이다.
도 24 내지 도 26의 일점쇄선은, LED군(47)으로부터 조사되는 자외광의 광로를 나타내고 있다. 웨이퍼(W)의 노광 시에는, 도 24, 도 26에 도시하는 바와 같이 하방을 향해서 LED군(47)은 광을 조사하고, 조사 영역(30)을 형성해서 웨이퍼(W)를 노광한다. 또한 렌즈(74)에 의해 집광되어 있으므로, 제1 실시 형태보다 조사 영역(30)의 전후의 폭은 작다. 그리고 캘리브레이션을 행할 때에는, LED군(47) 및 렌즈(74)의 방향이 90° 회전하고, 도 25에 도시하는 바와 같이 전방을 향해서 LED군(47)이 광을 조사한다. 이와 같이 전방을 향해서 광이 조사될 때, 조도 센서(52)가 좌우 방향으로 이동한다.
조도 센서(52)의 수광면의 조도가, 조사 영역(30)에 있어서 당해 수광면과 좌우 방향의 위치가 동일한 영역의 조도가 되도록, 도 24에 나타내는 렌즈(74)의 정상부로부터 웨이퍼(W)의 표면까지의 수직 거리 L1과, 도 25에 나타내는 렌즈(74)의 정상부로부터 조도 센서(52)의 수광면까지의 수평 거리 L2가, 서로 동일한 크기로 되도록 설정되어 있다. 이와 같이 구성된 일괄 노광 모듈(73)에 대해서도, 캘리브레이션을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 각 부의 노광량이 이상이 되는 것을 억제할 수 있다.
(제7 실시 형태)
제7 실시 형태의 일괄 노광 모듈(81)에 대해서, 종단 측면도인 도 27, 도 28을 참조하여, 제6 실시 형태의 일괄 노광 모듈(71)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 일괄 노광 모듈(81)에서는, 케이스체(41) 내에 있어서 노광용 개구부(43)보다 후방측으로 LED군(47)이 배치되고, LED군(47)은 전방을 향해서 자외광을 조사한다. 이 LED군(47)의 전방에는, 상기 렌즈(74)가 설치되어 있다. 렌즈(74)의 전방측에는 광을 전반사시키는 반사 부재로서, 미러(76)가 설치되어 있다. 이 미러(76)는, 당해 미러(76)의 위치를 변경하기 위한 회전 기구(77)에 접속되어 있다. 회전 기구(77)에 의해 미러(76)는, 좌우 방향으로 신장되는 수평축 주위로 회전 이동할 수 있고, 렌즈(74)로부터 조사된 광의 광로 상의 반사 위치와, 당해 광로로부터 벗어난 비반사 위치 사이에서 이동한다. 도 27은 미러(76)가 반사 위치에 위치하는 상태를, 도 28은 미러(76)가 비반사 위치에 위치하는 상태를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 27, 도 28에 있어서의 일점쇄선은 LED군(47)으로부터 조사되어 형성되는 광로를 나타내고 있다.
반사 위치에 위치하는 미러(76)는, LED군(47)으로부터 조사된 자외광이 하방의 노광용 개구부(43)를 향하도록, 당해 자외광을 반사시킨다. 노광용 개구부(43)에는 확산판(78)이 설치되어 있고, 미러(76)에 의해 반사된 자외광을 전후 방향으로 확산시켜서 웨이퍼(W)에 조사하고, 웨이퍼(W)에 조사 영역(30)을 형성한다. 미러(76)의 전방측에는, 확산판(79)이 설치되어 있고, 미러(76)가 비반사 위치에 위치할 때, LED군(47)으로부터 조사된 자외광을 상하 방향으로 확산시킨다. 확산판(79)의 전방측에는 조도 센서(52)가 설치되어 있다. 이 조도 센서(52)는, 제6 실시 형태의 일괄 노광 모듈(73)의 조도 센서(52)와 마찬가지로, 센서용 이동 기구(58)에 의해 좌우로 이동 가능하며, 수광면이 전방을 향하고 있다.
미러(76)는 캘리브레이션을 행할 때를 제외하고 반사 위치에 위치하고, 캘리브레이션을 행할 때에는 비반사 위치에 위치한다. 도 27에 나타내는, 반사 위치에 위치하는 미러(76)의 반사면과 웨이퍼(W)의 표면과의 수직 거리 L3과, 당해 반사면과 조도 센서(52)의 수광면과의 수평 거리 L4는 동일하다. 이와 같이 L3, L4가 설정됨으로써, 조도 센서(52)의 수광면의 조도는, 조사 영역(30) 중 당해 수광면과 좌우 방향의 위치가 동일한 영역의 조도와 동일해지도록 구성되어 있다. 즉, 이 일괄 노광 모듈(81)에 있어서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 캘리브레이션을 행할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 각 부의 노광량이 설정값으로부터 어긋나는 것을 억제할 수 있다. 또한, 이 일괄 노광 모듈(81)에서는, 제6 실시 형태의 일괄 노광 모듈(73)과 달리, LED군(47) 및 렌즈(74)를 회전시킬 필요가 없으므로, 광원 유닛(40)의 높이가 커지는 것을 억제할 수 있다는 이점이 있다.
그런데, 수광에 의해 조도 센서(52)의 온도가 상승하면, 상기 온도 드리프트에 의해 조도의 검출값이 저하된다. 그것을 방지하기 위해서, 조도 센서(52)를 냉각하기 위한 냉각부를 설치해도 된다. 구체적으로는, 예를 들어 칠러에 의해 냉각액이 공급되는 유로를 냉각부로 해서 조도 센서(52)에 설치하고, 당해 조도 센서(52)가 냉각되는 구성이어도 된다. 또한, 상기와 같이 제6 실시 형태, 제7 실시 형태에서는 LED(46)로부터 조도 센서(52)에 이르기까지의 거리가, LED(46)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 이르기까지의 거리와 동일해지도록 조도 센서(52)가 설치되어 있지만, LED(46)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 이르기까지의 거리보다 크게 함으로써, 조도 센서(52)의 온도 상승을 억제해도 된다. 그 경우에는, 예를 들어 검출된 조도에 소정의 상수를 곱해서 보정함으로써, 조사 영역(30)의 조도를 산출하고, 상기 캘리브레이션이나 피드백 보정을 행한다.
그 밖에 조도 센서(52)의 온도 상승을 방지하기 위해서, 캘리브레이션을 행할 때에는 각 셀(4)에 공급하는 전류값을, 웨이퍼(W)에 노광을 행할 때의 설정 공급 전류값보다 소정의 양, 저하시켜서 조사 영역(30)의 조도 분포를 측정하고, 얻어진 조도 분포를, 도 10에서 설명한 전류-조도 대응 관계를 사용해서 보정함으로써, 설정 공급 전류값으로 전류가 각 셀(4)에 공급되었을 때의 조사 영역(30)의 조도 분포를 산출해도 된다. 또한, 그와 같이 셀(4)에 공급하는 전류값을 저하시키는 대신에 LED군(47)을 PWM 제어하고, 웨이퍼(W)의 노광 시에는 예를 들어 듀티비 100%로 광이 조사되고, 캘리브레이션을 행할 때에는 웨이퍼(W)의 노광 시보다 낮은, 예를 들어 듀티비 10%로 LED군(47)으로부터 광을 조사하고, 조사 영역(30)의 각 분할 영역의 조도를 취득한다. 그리고, 취득된 각 조도에 소정의 상수를 승산해서 보정함으로써, 듀티비가 100%일 때의 조도 분포를 산출해도 된다.
또한, ND(Neutral Density) 필터를 설치하여, LED(46)로부터 조도 센서(52)에 조사되는 광을 감광시켜서, 검출된 조도를 보정함으로써 ND 필터가 설치되지 않은 경우의 조도를 산출해도 된다. 구체적으로는, 제4 실시 형태에서 셀(4-0)과 조도 센서(52) 사이에 ND 필터를 설치하고, 검출된 조도에 대하여 소정의 상수를 곱함으로써 ND 필터가 설치되지 않은 경우에 조도 센서(52)에 의해 취득되는 조도를 산출해도 된다. 또한, 예를 들어 제1 실시 형태에서, 외장부(53) 내에서 형광 유리(54) 위에 ND 필터를 설치하고, 당해 ND 필터를 통해서 형광 유리(54)에 셀(4)로부터 자외광이 조사되도록 해도 된다. 그 경우에도, 검출된 조도에 소정의 상수를 승산함으로써 ND 필터가 설치되지 않은 경우에, 취득되는 조도를 산출해도 된다. 이와 같이 ND 필터에 의한 감광을 행함으로써, 조도 센서(52)의 온도 상승을 억제할 수 있다.
(제8 실시 형태)
계속해서, 제8 실시 형태인 일괄 노광 모듈(9)에 대해서, 제1 실시 형태의 일괄 노광 모듈(3)과의 차이점을 중심으로, 도 29의 종단 측면도 및 도 30의 종단 배면도를 참조하면서 설명한다. 이 일괄 노광 모듈(9)는, 일괄 노광 모듈(3)과 마찬가지로 캘리브레이션을 행할 수 있도록 구성되어 있다. 이 일괄 노광 모듈(9)에 있어서의 조도 분포 검출부(5)는, 조도 센서(52)와, 아암(56)과, 이동 기구(58)와, 도광 부재인 석영 로드(91)를 구비하고 있다. 아암(56)은 상하 방향으로 신장되어 있고, 당해 아암(56)의 일단부는 광원 유닛(40)의 케이스체(41) 내에서 이동 기구(58)에 접속되어 있다. 아암(56)의 타단부는, 케이스체(41)의 하방에 있어서 조도 센서(52)를 조사 영역(30)보다 전방측에 위치하도록 지지하고 있다. 이 조도 센서(52)는, 조도를 검출하기 위해서 광을 수광하는 수광면이 좌우 방향을 향하도록 지지되어 있다. 그리고, 이 수광면에 석영 로드(91)의 일단부가 겹치도록 설치되어 있고, 석영 로드(91)의 타단부는 후방측으로 연신되어 있다.
이동 기구(58)에 의해, 조도 센서(52)는 조사 영역(30)의 외측을, 석영 로드(91)는 조사 영역(30)을, 각각 조사 영역(30)의 길이 방향을 따라서 이동한다. 따라서, 석영 로드(91)는, 웨이퍼(W)의 이동로를 이동하도록 구성되어 있다. 캘리브레이션을 행할 때에는 석영 로드(91)이 조사 영역(30)에 위치하고, 석영 로드(91)는, 조사 영역(30)에 있어서 당해 석영 로드(91)에 조사되는 광을 조도 센서(52)에 도광한다.
석영 로드(91)에 대해서 측면도인 도 31, 상면도인 도 32도 참조하면서 설명한다. 석영 로드(91)는, 측면에서 볼 때, 수평한 변 및 수직한 변을 가짐과 함께 후방을 향함에 따라서 가늘어지는 직각 삼각형상으로 구성되어 있다. 이 직각 삼각형의 변을 이루고, 후방을 향해서 오르는 경사면을 92로서 나타내고 있다. 또한, 상방에서 보면, 석영 로드(91)는 전후로 가늘고 긴 대략 직사각 형상으로 형성되어 있고, 그 전단부에 있어서 조도 센서(52)에 면하는 측과는 반대측이 절결되어 첨두 형상으로 되어 있다. 따라서, 당해 전단부에는, 전방을 향함에 따라서 조도 센서(52)에 가까운 경사면이 형성되어 있고, 당해 경사면을 93으로 한다.
석영 로드(91)의 상면은 수평이고, 이 상면 중 후단부로부터 전단부에 치우친 영역에 대해서는, 석영 로드(91) 내에 광을 입사시키는 입사면(94)으로서 구성되어 있다. 조사 영역(30)에 있어서의 조도를 검출할 목적으로부터, 당해 입사면(94)은, 적재대(33)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면과 동일한 높이에 위치해 있다. 도 29, 도 30의 점선은, 웨이퍼(W)의 표면 및 입사면(94)의 각 높이를 나타내고 있다. 입사면(94)의 전후의 길이는, 조사 영역(30)의 전후의 길이보다 길고, 입사면(94)의 전단부의 위치는 조사 영역(30)의 전단부보다 전방, 입사면(94)의 위치는 조사 영역(30)의 후단부보다 후방에 각각 위치해 있다.
또한 이 입사면(94)은, 불투명 유리로서 구성되어 있다. 즉, 미소한 요철을 갖도록 구성되어 있다. 도 32에서는, 그와 같이 불투명 유리로 된 입사면(94)을 그레이 스케일로 표시하고 있다. 또한, 석영 로드(91)에 있어서 상기 조도 센서(52)의 수광면에 겹치는 측면은, 당해 석영 로드(91)로부터 광이 출사하는 출사면(95)을 이룬다.
도 31, 도 32 중 화살표는, 석영 로드(91)에 있어서의 광로를 나타내고 있다. 입사면(94)이 조사 영역(30)에 위치할 때, 입사면(94)이 상기와 같이 불투명 유리로서 구성되어 있기 때문에, 석영 로드(91)에 조사된 광은, 감광되어 당해 석영 로드(91) 안으로 입사한다. 그리고, 석영 로드(91) 내에 있어서 경사면(92)에 의해 전방을 향해서 반사되고, 추가로 경사면(93)에 의해 측방을 향해서 반사되고, 조도 센서(52)의 수광면으로 조사된다. 이와 같이 입사면(94)으로부터 입사 후, 조도 센서(52)에 도광될 때까지의 사이에도 광은 감쇠된다. 따라서, 조사 영역(30)에서 석영 로드(91)가 위치하는 영역에 있어서의 조도(조도 K1(단위: W/㎠)로 한다)보다 당해 석영 로드(91)에 의해 조도 센서(52)에 도광되는 광의 조도, 즉 조도 센서(52)의 수광면의 조도(조도 K2(단위: W/㎠)로 한다)가 작아진다. 예를 들어 조도 K2는, 조도 K1의 1/2 이하이다. 석영 로드(91)에 의해 이와 같이 조도 K2를 비교적 낮게 하는 것은, 비교적 높은 조도로 광이 조사되는 것에 의한 조도 센서(52)의 열화 및 상기한 온도 드리프트에 의한 조도의 검출 정밀도의 저하를 방지하기 위함이다. 또한, 조사 영역(30)의 조도 분포를 취득하기 위해서, 조도 K1과 조도 K2의 대응 관계에 대해서는 미리 취득해 두고, 예를 들어 제어 기판(49)의 메모리(50)에 기억해 둔다.
또한, 도 29, 도 30에 도시한 바와 같이, 조사 영역(30)의 좌우의 외측에서 석영 로드(91)의 이동로의 상방에는, 차광 부재(97)가 각각 설치되어 있다. 석영 로드(91)가 이 차광 부재(97)의 바로 아래에 위치할 때, 차광 부재(97)에 의해 차폐됨으로써 각 셀(4)로부터 석영 로드(91)의 입사면(94)으로의 광조사는 행해지지 않는다. 각 차광 부재(97)의 바로 아래는, 캘리브레이션이 행해지지 않을 때에 석영 로드(91)가 대기하는 대기 영역이며, 도 30에서는 당해 대기 영역에 위치하는 상태의 석영 로드(91)를 나타내고 있다.
캘리브레이션은, 한쪽 대기 영역으로부터 다른 쪽 대기 영역으로 석영 로드(91)가 이동함으로써 행해진다. 이 석영 로드(91)의 이동 중, 일괄 노광 모듈(3)에 있어서의 캘리브레이션과 마찬가지로, 제어 기판(49)에 의해 조도 센서(52)로부터 출력되는 전류값이 취득되어, 조사 영역(30)의 각 분할 영역의 조도가 취득된다. 이와 같이 취득된 각 분할 영역의 조도는, 상기와 같이 실제의 각 분할 영역의 조도보다 작기 때문에, 제어 기판(49)에 의해 상기 조도 K1과 조도 K2의 대응 관계를 사용해서 보정되고, 실제의 각 분할 영역의 조도, 즉 조사 영역(30)의 조도 분포가 취득된다. 그리고, 이와 같이 취득된 조도 분포에 기초하여, 일괄 노광 모듈(3)과 마찬가지로 각 셀(4)에 대한 공급 전류값이 갱신된다.
또한, 도광 부재로서는 상기 구성예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 상기 석영 로드(91)에 대해서는 입사면(94)을 불투명 유리로 함으로써 조도 센서(52)에 조사되는 광의 강도를 감쇠시키기 위한 감쇠부로 하고 있지만, 입사면(94)을 불투명 유리로 하는 대신에 출사면(95)을 불투명 유리로서 구성해도 된다. 또한, 도광 부재로서는 1개의 석영 로드(91)에 의해 구성되어 있지 않아도 되고, 복수의 석영 로드에 의해 구성해도 된다. 그 경우, 각 석영 로드의 입사면 및/또는 출사면을 불투명 유리로 해도 된다. 또한, 그와 같이 복수의 석영 로드를 설치하는 경우, 석영 로드간에 상기 ND 필터를 감쇠부로서 설치하여, 조도 센서(52)에 있어서의 조도를 작게 억제해도 된다.
그런데, 웨이퍼(W)에 화학 증폭형의 레지스트가 아닌 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해서도, 상기한 각 실시 형태의 일괄 노광 모듈로 처리를 받음으로써 각 부의 노광량을 적절한 것으로 하여, 웨이퍼(W)의 면 내의 각 부에서 레지스트 패턴의 균일화를 도모할 수 있다. 즉, 각 일괄 노광 모듈은 화학 증폭형이 아닌 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)에도 적용할 수 있다. 또한, 레지스트막이나 레지스트막 이외의 유기막이 노광량에 따라서 경화하는 경우, 이들 막에 대하여 이미 설명한 일괄 노광 모듈에 의한 처리를 행하여, 막의 경화 정도를 제어함으로써, 에칭 시에 이들의 막이 웨이퍼(W)의 면 내에서 균일성 높게 에칭되도록 할 수 있다. 즉, 본 발명은 레지스트 패턴의 CD를 조정하는 것만으로 사용되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명에서 말하는 노광 장치란, 레지스트를 노광하는 장치인 것에는 한정되지 않고, 기판에 광을 조사해서 처리를 행하는 광조사 처리 장치이다.
또한, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이 레지스트 패턴의 CD를 조정하는 경우에는, 일괄 노광 모듈(3)은 앞서 서술한 위치에 설치하는 것에는 한정되지 않는다. 예를 들어 처리 블록(D2)과 인터페이스 블록(D3) 사이에 있어서 웨이퍼(W)의 수수를 행하는 반송 기구, 일괄 노광 모듈(3), 수수 모듈을 구비한 블록(중간 블록으로 한다)을 설치한다. 그리고, 인터페이스 블록(D3)으로부터 타워(T2)의 수수 모듈 TRS51, TRS61로 반송된 패턴 노광이 끝난 웨이퍼(W)를 중간 블록의 반송 기구가, 일괄 노광 모듈로 반송한 후, 당해 중간 블록의 수수 모듈로 반송한다. 당해 수수 모듈에, 단위 블록(E5, E6)의 반송 아암(F5, F6)이 액세스해서 일괄 노광이 끝난 웨이퍼(W)가 단위 블록(E5, E6)으로 반송되고, 이후의 처리가 행해지는 구성으로 할 수 있다.
또한, 일괄 노광 모듈(3)에서는 도광부(51)를 LED군(47)에 대하여 이동시킴으로써 조도를 검출하고 있지만, LED군(47)을 이동시키는 이동 기구를 설치하고, LED군(47)을 도광부(51)에 대하여 이동시켜서 조도의 검출을 행해도 된다. 또한 웨이퍼(W)를 광원 유닛(40)에 대하여 이동시키는 대신에, 광원 유닛(40)을 웨이퍼(W)에 대하여 이동시킴으로써 노광이 행해지도록 해도 된다. 그런데, 웨이퍼(W)의 표면 전체의 노광이란, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 반도체 디바이스가 형성되는 영역 전체가 노광되어 있으면 되고, 따라서 이 반도체 디바이스의 형성 영역의 외측이 노광되어 있지 않은 경우에도 당해 형성 영역 전체가 노광되어 있으면, 웨이퍼(W)의 표면 전체의 노광에 포함된다. 또한, 본 발명은 앞서 서술한 각 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 각 실시 형태는 서로 조합하거나, 적절히 변경할 수 있다.
또한, 상기 일괄 노광 모듈(3)에서는 도 8에서 설명한 바와 같이 조사 영역(30)의 짧은 쪽 방향으로 조사된 광을 일괄적으로 수광하고, 당해 짧은 쪽 방향의 조도의 적산값을 측정할 수 있는 구성으로 되어 있다. 즉, 조사 영역(30) 내의 짧은 쪽 방향에 있어서의 개개의 영역 조도에 대해서는 측정하고 있지 않다. 그와 같이, 짧은 쪽 방향의 조도의 적산값을 측정하는 구성으로 하고 있는 것은, 조사 영역(30) 중, 길이 방향의 위치가 동일하고 짧은 쪽 방향에 있어서의 위치가 다른 영역 사이에서 조도에 변동이 발생하고 있어도, 웨이퍼(W)의 일괄 노광에 영향이 없기 때문이다. 보다 구체적으로 설명하면, 도 11에 도시한 바와 같이 조사 영역(30)을 길이 방향으로 분할했을 때의 분할 영역 B1 내지 B16의 각각에 대해서, 조사 영역(30)의 짧은 쪽 방향으로 볼 때 변동이 발생하고 있어도 웨이퍼(W)의 일괄 노광에 영향이 없다. 그것은, 이미 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)는 일괄 노광 시에 이 짧은 쪽 방향을 따라 이동해서 조사 영역(30)을 통과하기 때문에, 웨이퍼(W)를 조사 영역(30)의 길이 방향으로 분할했을 때의 각 분할 영역의 노광량은, 조사 영역(30)의 길이 방향에 있어서의 그 분할 영역에 대응하는 위치의 짧은 쪽 방향의 조도의 적산값에 대응하기 위함이다. 따라서, 일괄 노광 모듈(3)의 캘리브레이션으로서 설명한 바와 같이, 짧은 쪽 방향의 조도의 적산값을 측정하고, 이 적산값이 조사 영역(30)의 길이 방향의 각 부에서 서로 같게 함으로써, 웨이퍼(W)의 면 내 각 부에 있어서의 노광량을 맞출 수 있다.
그런데 이미 설명한 각 실시 형태에서는 모듈에 설치된 수광부인 조도 센서(52)에 의해 조사 영역(30)의 조도를 측정하는 예를 나타냈지만, 이하에 모듈과는 별개로 설치된 지그를 사용해서 당해 조도를 측정하는 예를 설명한다. 도 33, 도 34, 도 35는 그와 같이 조도의 측정을 행하기 위한 지그(100)의 사시도, 종단 측면도, 평면도를 각각 나타내고 있다. 지그(100)는, 평면에서 볼 때 웨이퍼(W)와 동일한 크기로 형성된 원판 형상의 지그 본체(101)를 구비하고 있다. 지그 본체(101)의 중심부에는 관통 구멍이 형성되어 있다. 그리고, 지그 본체(101)에는, 이 관통 구멍을 상측으로부터 막는 폐색판(102)이 설치되어 있다. 지그 본체(101)의 하측에는 상기 관통 구멍의 주연부를 따르도록 환상 돌기(103)가 설치되어 있고, 당해 환상 돌기(103), 관통 구멍을 형성하는 측벽 및 폐색판(102)에 의해, 적재용 오목부(104)가 형성되어 있다. 폐색판(102)의 이면은, 앞서 서술한 각 일괄 노광 모듈의 적재대(33)에 적재된다. 그와 같이 적재대(33)에 적재될 때, 적재용 오목부(104)는 당해 적재대(33)에 감합하여, 지그 본체(101)는 수평으로 지지된다.
지그 본체(101)에는, 중심부측으로부터 주연부측을 향해서 신장되는 가늘고 긴 슬릿이 형성되어 있고, 이 슬릿을 하면측으로부터 막음으로써 측정기 적재용 오목부(105)를 형성하도록 폐색 부재(106)가 설치되어 있다. 그리고, 이 측정기 적재용 오목부(105) 내에는 가늘고 긴 측정기(107)가, 당해 측정기 적재용 오목부(105)에 대하여 착탈 가능하게 설치되어 있다. 측정기(107)는, 조도 센서(52)와, 당해 조도 센서(52)에 의해 검출된 조도를 기억하는 도시하지 않은 메모리를 포함하고 있다. 조도 센서(52)의 수광면은 소직경의 원형으로 구성되어 있고, 상방을 향하도록 설치되어 있다. 또한, 예를 들어 당해 수광면의 중심은 예를 들어 지그 본체(101)의 중심으로부터 140㎜ 떨어져 있다. 그리고, 도 34에 도시한 바와 같이, 지그(100)가 적재대(33)에 적재되었을 때에, 당해 수광면은 조사 영역(30)과 동일한 높이에 위치한다. 그리고, 도 34, 도 35에 화살표로 나타낸 바와 같이, 적재대(33)의 회전과 전후 이동에 의해, 조도 센서(52)의 수광면은 조사 영역(30)을 따라 이동하여, 조사 영역(30) 내의 각 위치의 조도를 취득할 수 있다.
조도 분포 검출부(5)가 설치되어 있지 않은 것을 제외하고는 도 3 등에서 설명한 일괄 노광 모듈(3)과 마찬가지로 구성된 일괄 노광 모듈에 있어서, 지그(100)를 사용해서 조도를 검출하는 수순을 설명한다. 또한, 이 일괄 노광 모듈에서는 유저가 제어부(10)로부터 조작을 행하여, 수동으로 당해 일괄 노광 모듈의 각 부의 동작을 제어할 수 있는 것으로 한다. 우선 유저가, 지그(100)가 소정의 방향을 향하도록 당해 지그(100)를, 웨이퍼(W)가 적재되어 있지 않은 적재대(33)에 적재한다. 계속해서 유저는, 적재대(33)의 상면에 설치되는 웨이퍼(W)를 흡인하기 위한 흡인 구멍(도시하지 않음)으로부터의 흡인이 행해지도록 조작하고, 지그(100)를 적재대(33)에 고정한다. 그리고 나서, 적재대(33)의 회전과 전후 이동을 행함으로써, 조사 영역(30)에 있어서의 임의의 위치에 조도 센서(52)를 이동시킨다. 이 회전과 전후 이동을 반복해서 행하여, 원하는 각 위치의 조도를 측정한다. 이와 같이 조도가 측정되는 것에 병행하여, 제어부(10)에 의해, 각 시간에 있어서의 회전하는 적재대(33)의 방향 및 전후 방향에 있어서의 위치에 대한 데이터가 취득된다. 그 후, 적재대(33)의 흡인을 정지하고, 지그(100)를 적재대(33)로부터 떼어낸다. 그리고, 지그 본체(101)로부터 측정기(107)를 떼어내고, 컴퓨터에 접속해서 조도의 데이터를 취득한다. 이 조도의 데이터와 제어부(10)가 취득한 데이터를 대조하여, 조사 영역(30)에 있어서의 각 위치의 조도가 취득된다.
이 지그(100)에 의해, 조사 영역(30) 중 국소적인 위치의 조도를 취득해도 된다. 또한, 일괄 노광 모듈(3, 61) 등과 마찬가지로, 조사 영역(30)의 일단부와 타단부 사이에 걸치는 각 위치의 조도를 취득해서 조도 분포를 취득하고, 그 조도 분포에 기초하여 각 셀(4)로부터 출력되는 광량을 조정해도 된다. 그와 같이 조도 분포를 취득함에 있어서, 조사 영역(30)의 길이 방향의 중앙부로부터 일단부측으로 조도 센서(52)를 이동시키고, 계속해서 중앙부로부터 타단부측으로 조도 센서(52)를 이동시키도록 해도 된다. 즉, 조사 영역(30)의 일단부로부터 타단부를 향해서 조도 센서(52)를 이동시킴으로써 조도 분포를 취득하는 것에는 한정되지 않는다. 또한, 적재대(33)에 아암을 통해 조도 센서(52)가 설치되고, 적재대(33)의 회전과 진퇴 동작에 의해 지그(100)를 사용하는 경우와 마찬가지로 조도 센서(52)가 조사 영역(30) 내의 각 부로 이동함으로써 조도의 검출을 행할 수 있도록 해도 된다. 적재대(33)의 회전 및 전후 이동을 이용해서 조사 영역(30)의 조도를 검출하는 경우도, 조도 센서(52)는 모듈에 설치되는 구성으로 해도 된다.
W : 웨이퍼
10 : 제어부
3 : 일괄 노광 모듈
30 : 조사 영역
33 : 적재부
36 : 적재부용 이동 기구
4 : 셀
40 : 광원 유닛
46 : LED
47 : LED군
5 : 조도 분포 검출부
51 : 도광부
52 : 조도 센서

Claims (16)

  1. 기판을 적재하기 위한 적재부와,
    상기 기판의 표면의 좌우의 서로 다른 위치에 각각 독립하여 광을 조사하여, 상기 기판의 표면의 일단부로부터 타단부에 걸치는 띠 형상의 조사 영역을 형성하는 복수의 광조사부와,
    상기 기판의 표면 전체가 노광되도록, 상기 조사 영역에 대하여 상기 적재부를 전후로 상대적으로 이동시키는 적재부용 이동 기구와,
    상기 조사 영역의 길이 방향에 있어서의 조도 분포를 검출하기 위해서, 당해 조사 영역을 일단부와 타단부 사이에서 이동해서 광을 수광하는 수광부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수광부에 의해 검출된 조도 분포에 기초하여, 상기 기판을 노광할 때의 각 광조사부로부터 출력되는 광량을 조정하기 위한 조정부가 설치되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수광부는, 상기 적재부용 이동 기구에 의해 상기 기판이 이동하는 이동로를 이동하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수광부는, 상기 기판이 이동하는 이동로를 이동하고, 수광한 광의 파장의 스펙트럼을 변환하는 파장 변환부를 구비하고,
    상기 파장 변환부에서 파장 스펙트럼이 변환된 광이 도광되고, 당해 파장 변환부에 있어서의 조도를 검출하기 위한 조도 검출부가 설치되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 수광부는, 상기 광조사부로부터 상기 파장 변환부로 조사되는 광의 일부를 차광하기 위해서, 개구부가 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 개구부는 상기 좌우가 짧은 쪽 방향이 되는 슬릿 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수광부는, 상기 기판이 이동하는 이동로를 이동하는 도광 부재를 구비하고,
    상기 도광 부재에 의해 도광되는 광의 조도를 검출하기 위한 조도 검출부가 설치되고,
    상기 도광 부재는, 상기 조도 검출부에 도광되는 광의 강도를 감쇠시키기 위한 감쇠부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 도광 부재는 석영 로드에 의해 구성되고,
    당해 석영 로드에 있어서의 광이 입사하는 입사면 및 광이 출사되는 출사면 중 적어도 한쪽은, 상기 감쇠부를 구성하는 불투명 유리인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 광조사부와는 별개로, 상기 기판으로의 광조사를 행하지 않는 감시용 광조사부가 설치되고,
    상기 조도 검출부는, 상기 복수의 광조사부 및 상기 감시용 광조사부 중 한쪽으로부터 조사되는 광을 선택적으로 수광하고,
    상기 조정부는, 상기 감시용 광조사부로부터 상기 조도 검출부로 조사된 광의 조도에 기초하여, 상기 기판을 노광할 때의 각 광조사부로부터 출력되는 광량을 일괄하여 조정하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판을 노광할 때와, 상기 조도 검출부에 광을 조사할 때에, 각 광조사부에 의해 형성되는 광로를 변경하는 광로 변경 기구가 설치되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광로 변경 기구는, 상기 각 광조사부에 의한 광의 조사 방향이 변경되도록 광조사부를 이동시키는 광조사부용 이동 기구인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 광로 변경 기구는, 상기 각 광조사부에 의해 조사된 광을 반사하는 반사 부재와,
    당해 반사 부재의 위치를 변경하는 위치 변경 기구
    에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판에 있어서는, 패턴 마스크를 사용해서 패턴 노광이 행해진 레지스트막이, 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 노광 장치.
  14. 기판을 적재부에 적재하는 공정과,
    복수의 광조사부에 의해, 상기 기판의 표면의 좌우의 서로 다른 위치에 각각 독립하여 광을 조사하여, 상기 기판의 표면의 일단부로부터 타단부에 걸치는 띠 형상의 조사 영역을 형성하는 공정과,
    적재부용 이동 기구에 의해, 상기 기판의 표면 전체가 노광되도록, 상기 조사 영역에 대하여 상기 적재부를 전후로 상대적으로 이동시키는 공정과,
    상기 조사 영역의 길이 방향에 있어서의 조도 분포를 검출하기 위해서, 수광부를 당해 조사 영역의 일단부와 타단부 사이에서 이동시켜서, 광을 수광시키는 공정과,
    상기 조도 분포에 기초하여, 상기 광조사부의 광의 조사량을 조정하는 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치의 조정 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 수광부를 구비하는 지그를, 상기 기판이 적재되어 있지 않은 상기 적재부에 적재하는 공정을 포함하고,
    상기 수광부에 광을 수광시키는 공정은, 상기 지그를 적재한 적재부를 회전시키는 공정 및 당해 적재부를 상기 조사 영역에 대하여 전후로 상대적으로 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치의 조정 방법.
  16. 기판을 노광하기 위한 노광 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제14항 또는 제15항에 기재된 노광 장치의 조정 방법을 실행하도록 스텝군이 편성되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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