JP2014045148A

JP2014045148A - 露光装置の制御方法、露光装置の制御プログラムおよび露光装置

Info

Publication number: JP2014045148A
Application number: JP2012187999A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Komine; 信洋小峰
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2012-08-28
Filing date: 2012-08-28
Publication date: 2014-03-13
Also published as: US20140063479A1; US9104115B2

Abstract

【課題】照度分布を高精度に制御できる露光装置の制御方法、露光装置の制御プログラムおよび露光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、露光装置１０の制御方法は、レチクル１３に照射された光のレチクル１３上での照度分布と、レチクル１３を経由した光をウェーハ１８に投影させる投影光学系としての反射光学系１６の特性を反映した像強度分布と、反射光学系１６を介してウェーハ１８に照射された光のウェーハ１８上での照度分布との相関関係を表す関係式と、ウェーハ１８上での照度分布の測定値とに基づいて、レチクル１３上での照度分布の目標値からのずれを算出する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、露光装置の制御方法、露光装置の制御プログラムおよび露光装置に関する。

半導体装置に形成されるパターンの微細化に伴い、露光光の短波長化が進んでおり、波長１３．５ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）光を利用するＥＵＶ露光の実用化に対する要求が高まっている。

ＥＵＶ光は短波長であり、またウェーハへの投影光学系として反射光学系が用いられることから、ＥＵＶ露光では、その反射光学系におけるミラー表面の凹凸に起因した散乱光による迷光（フレア）が生じやすい。

米国特許出願公開第２０１１／００６５０２７号明細書

本発明の実施形態は、照度分布を高精度に制御できる露光装置の制御方法、露光装置の制御プログラムおよび露光装置を提供する。

実施形態によれば、露光装置の制御方法は、レチクルに照射された光の前記レチクル上での照度分布と、前記レチクルを経由した光をウェーハに投影させる投影光学系の特性を反映した像強度分布と、前記投影光学系を介して前記ウェーハに照射された光の前記ウェーハ上での照度分布との相関関係を表す関係式と、前記ウェーハ上での照度分布の測定値とに基づいて、前記レチクル上での照度分布の目標値からのずれを算出する。

実施形態の露光装置の模式図。実施形態の露光装置における光量調整機構の模式平面図。第１実施形態の露光装置の制御方法のフローチャート。実施形態の露光装置の投影光学系の特性を反映した点像強度分布図。第１実施形態の露光装置の制御方法におけるレチクル上での目標照度分布とウェーハ上での目標照度分布を表す図。第１実施形態の露光装置の制御方法におけるウェーハ上での照度分布の測定値とウェーハ上での目標照度分布を表す図。第２実施形態の露光装置の制御方法のフローチャート。第２実施形態の露光装置の制御方法におけるウェーハ上での照度分布の測定値と、その測定値から推算されたレチクル上での照度分布を表す図。第２実施形態の露光装置の制御方法においてレチクル上での照度分布を推算する他の方法を示す模式図。反射光学系のミラー表面における光の散乱を表す模式図。（ａ）は比較例におけるレチクル上での照度分布図であり、（ｂ）は比較例におけるウェーハ上での照度分布図。

ＥＵＶ光は、光学部材として現在用いられているあらゆる物質に対する吸収係数が、ＫｒＦ光やＡｒＦ光といった深紫外光（ＤＵＶ：Deep Ultra Violet）よりも大きい。そのため、レチクルとウェーハとの間の投影光学系としては透過レンズを用いた屈折光学系の使用が難しい。したがって、ＥＵＶ露光では、ミラーを用いた反射光学系で投影光学系が構成される。

その反射光学系の問題の一つとして、図１０に示すように、ミラー４０の反射面の微小凹凸に起因する散乱光１０１によるフレア（迷光）の存在が挙げられる。このフレアは、露光光の波長が短くなるほど影響が大きくなることが知られており、ＡｒＦ光（波長１９３ｎｍ）やＫｒＦ光（２４５ｎｍ）に対して、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光１００を用いたＥＵＶ露光ではフレアの影響を無視することができない。

そのフレアの影響を受けるものとして、例えば照度分布の調整が挙げられる。屈折光学系を用いた露光装置においては、ウェーハステージ上で測定された照度分布に基づいて、レチクルに光を通す露光スリットの形状を変形させたり、光路中に濃淡を変化させたフィルターを挿入することによって、ウェーハ上での照度分布が均一になるように調整することができる。そして、フレアの影響が小さい露光装置では、ウェーハ上での照度分布が均一になるように調整すれば、レチクル上での照度分布も均一に調整することができる。

しかしながら、ＥＵＶ露光装置では、フレアの影響が大きいために、ウェーハ上での照度分布の測定結果には、反射光学系を構成するミラーによって発生するフレアの影響が含まれてしまう。したがって、フレアの影響を考慮せずにウェーハ上での照度分布を図１１（ｂ）に示すように均一となるように調整しても、図１１（ａ）に示すようにレチクル面上での照度分布は均一に調整されないことがある。

以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。

図１は、実施形態の露光装置１０の模式図である。

実施形態の露光装置１０は、光源１１として波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いたＥＵＶ露光装置である。露光装置１０は、光源１１と、光量調整機構３３と、レチクルステージ１２と、反射光学系１６と、ウェーハステージ１７と、制御装置２０と、記憶装置２１とを有する。

レチクルステージ１２にはレチクル１３が保持され、ウェーハステージ１７にはウェーハ１８が保持される。レチクル１３には、ウェーハ１８に転写するパターンが形成されている。また、レチクル１３は、反射型のフォトマスクである。

光源１１とレチクル１３との間に、光量調整機構３３が設けられている。光量調整機構３３は、露光スリット３０と遮光ブレード３１とを有する。

図２（ａ）は、光量調整機構３３の模式平面図である。

露光スリット３０は矩形状に形成され、その長手方向をＸ方向としし、Ｘ方向に対して直交する方向（露光スリット３０の短手方向）をＹ方向とする。光源１１からのＥＵＶ光は、露光スリット３０を通ってレチクル１３に照射される。

露光スリット３０の短手方向（Ｙ方向）の両端部付近には、複数の遮光ブレード３１が設けられている。複数の遮光ブレード３１は、露光スリット３０の長手方向（Ｘ方向）に沿って並んでいる。各々の遮光ブレード３１は、Ｙ方向に長手方向を有する矩形板状に形成されている。

各遮光ブレード３１は、図示しないアクチュエータによりＹ方向に駆動可能となっている。その遮光ブレード３１のＹ方向の駆動により、図２（ｂ）に示すように、露光スリット３０の面積（形状）を変えることができる。したがって、遮光ブレード３１の駆動により、レチクル１３に対するＥＵＶ光の照射光量を調整することができる。

レチクル１３とウェーハ１８との間には、レチクル１３で反射されたＥＵＶ光をウェーハ１８に投影させる投影光学系として反射光学系１６が設けられている。反射光学系１６は、複数のミラー１４、１５を有する。

光源１１から出射されたＥＵＶ光は、露光スリット３０を通ってレチクル１３に照射され、レチクル１３で反射される。そのレチクル１３で反射されたＥＵＶ光は、反射光学系１６を経てウェーハ１８のパターン形成面に照射される。ウェーハステージ１７には、ウェーハ１８上でのＥＵＶ光の照度分布を測定する照度センサー１９が設けられている。

実施形態の露光装置１０はスキャン露光方式であり、レチクルステージ１２とウェーハステージ１７とを同時に、露光スリット３０の短手方向（Ｙ方向）に、露光スリット３０に対して相対移動させつつ、光源１１からのＥＵＶ光を露光スリット３０、レチクル１３、および反射光学系１６を介してウェーハ１８に照射する。

制御装置２０は、後述する図３に示す処理を実行し、また、遮光ブレード３１の駆動を制御する。

ウェーハ１８に照射されたＥＵＶ光のウェーハ１８上での照度分布は、ウェーハステージ１７に設けられた照度センサー１９により、実測することができる。しかしながら、レチクル１３上でのＥＵＶ光の照度分布の測定は難しい。また、反射光学系１６でのフレアの影響のため、ウェーハ１８上での照度分布からレチクル１３上での照度分布を単純な線形関係により求めることができない。

そこで、実施形態によれば、（１）式の関係式により、ウェーハ１８上での照度分布と、レチクル１３上での照度分布とを対応付ける。

（１）式において、ｐは、反射光学系１６の特性としてフレアの影響を反映させた点像強度分布関数（ＰＳＦ：Point Spread Function）を表す。点像強度分布関数ｐは、以下のようにして求められる。

反射光学系１６を構成する各々のミラー１４、１５の反射面の形状を計測し、その計測された面形状に対して点光源を仮定して光線追跡計算を行う。すると、集光点であるウェーハ１８上では点像ではなく、光路差のために図４に示すような像強度分布になる。図４において横軸はウェーハ１８上での距離（像の広がり）τを表す。

また、（１）式において、ｕ_ｗはウェーハ１８上での照度分布を表し、ｕ_ｒはレチクル１３上での照度分布を表す。ｕ_ｗ及びｕ_ｒは、露光スリット３０の長手方向（Ｘ方向）の位置ｘの関数として表される。

（１）式は、レチクル１３上での照度分布ｕ_ｒと、反射光学系１６の特性（フレアの影響）を反映した点像強度分布関数ｐと、ウェーハ１８上での照度分布ｕ_ｗとの相関関係を表す関係式であり、ｕ_ｒ＊ｐは、ｕ_ｒとｐとの畳み込み積分（積和演算）を表す。

積分区間は、図２（ａ）に示す露光スリット３０の長手方向（Ｘ方向）の幅に等しい。例えば、露光スリット３０の長手方向の幅が２ｂであったとすると、積分区間は−ｂからｂまでとなる。

なお、点像強度分布関数ｐは、あらかじめ計測しておいたミラー１４、１５の反射面の面精度（平坦度）データからの予測データであってもよいし、あるいは図４の点像強度分布を実際に測定したデータを用いてもよい。本実施形態では、予測データを用いている。

（１）式の関係式から、レチクル１３上での照度分布ｕ_ｒが均一に調整された場合、反射光学系１６によるフレアの影響を受けたウェーハ１８上での照度分布ｕ_ｗがどのようになっているのかということを計算的に求めることが可能である。

レチクル１３上での照度分布ｕ_ｒが均一であるときのウェーハ１８上での照度分布ｕ_ｗが算出できれば、その計算値を、ウェーハ１８上での照度分布の実測値と比較することで、実測できないレチクル１３上での照度分布ｕ_ｒを間接的に評価することができる。

図３は、第１実施形態による露光装置１０の制御方法のフローチャートである。

以下に説明する一連の処理は、図１に示す記憶装置２１に格納された実施形態による露光装置の制御プログラムを制御装置２０が読み込み、その命令のもとに実行される。

まず、ステップＳ１として、（１）式にしたがい、レチクル１３上での目標照度分布ｕ_ｒ_targetと、反射光学系１６の特性（フレアの影響）を反映した点像強度分布関数ｐとの畳み込み積分を行う。

この畳み込み積分により、レチクル１３上で目標とする照度分布になっているときに、フレアの影響を反映させたウェーハ１８上での照度分布が算出される。この計算によって得られたウェーハ１８上での目標照度分布ｕ_ｗ_targetと、ウェーハ１８上での照度分布の実測値との差を比較することで、実測のできないレチクル１３上での照度分布が目標照度分布ｕ_ｒ_targetになっているかどうかを間接的に評価することができる。

図５は、レチクル１３上での目標照度分布ｕ_ｒ_targetと、それに対応するウェーハ１８上での目標照度分布ｕ_ｗ_targetとを表す。図５において、横軸は露光スリット３０の長手方向（Ｘ方向）の位置ｘを表し、０は露光スリット３０のＸ方向の中心位置を表す。

第１実施形態において、レチクル１３上での目標照度分布ｕ_ｒ_targetは、均一な照度分布である。レチクル１３上で均一な照度分布になっているとき、反射光学系１６のフレアの影響により、ウェーハ１８上では均一な照度分布にならず、図５に示すｕ_ｗ_targetのように、露光スリット３０の長手方向の両端で照度が相対的に低下する照度分布となっている。

上記ステップＳ１での計算結果は、ステップＳ２として、露光装置１０が備えた図１に示す記憶装置２１のデータベース上に格納しておく。あるいは、上記計算結果は、露光装置１０との通信が可能な外部の記憶装置２２に格納してもよい。

次に、ステップＳ３として、照度センサー１９を用いてウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureを取得する。このウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureは、記憶装置２１に格納される。

図６に、ウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureと、ウェーハ１８上での目標照度分布ｕ_ｗ_targetとを表す。図６において、横軸は露光スリット３０の長手方向（Ｘ方向）の位置ｘを表し、０は露光スリット３０のＸ方向の中心位置を表す。

そして、ステップＳ４として、ウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureと、ウェーハ１８上での目標照度分布ｕ_ｗ_targetとの差を計算する。すなわち、ウェーハ１８上での照度分布がｕ_ｗ_measureとなっているときのレチクル１３上での照度分布ｕ_ｒの、目標照度分布ｕ_ｒ_targetからのずれが、間接的に算出されることになる。

次に、ステップＳ５として、ステップＳ４で算出されたｕ_ｗ_measureとｕ_ｗ_targetとの差、すなわちレチクル１３上での照度分布ｕ_ｒの目標照度分布ｕ_ｒ_targetからのずれが、設定されたスペック（許容範囲）内かどうかの判定が行われる。

このスペック判定でＯＫであれば、ステップＳ６に進み、レチクル１３上での照度分布の調整は完了する。

上記スペック判定でＮＧであった場合には、ステップＳ７として、ステップＳ４の計算で得られた差分に基づき、図２（ａ）及び（ｂ）に示す遮光ブレード３１の駆動制御量を算出し、その駆動制御量にしたがって遮光ブレード３１を駆動させて露光スリット３０の面積を調整する。

そして、調整された露光スリット３０を通じてレチクル１３にＥＵＶ光を照射し、その反射光を反射光学系１６を介してウェーハ１８に投影させる。そして、そのときのウェーハ１８上での照度分布を測定する。すなわち、ステップＳ３に戻る。そして、次のステップＳ４として、ウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureと、ステップＳ１の計算で得られたウェーハ１８上での目標照度分布ｕ_ｗ_targetとの差を計算し、ステップＳ５でその差を評価する。

ステップＳ５のスペック判定でＯＫとなるまで上記処理を繰り返すことで、レチクル１３上での照度分布を均一に調整することができる。したがって、実施形態によれば、フレアの影響を考慮した高精度なレチクル１３上での照度分布制御を行える。なお、レチクル１３上での照度分布の評価及び調整は、例えば、露光装置１０の定期的な点検として行われる。

また、レチクル１３上での目標照度分布ｕ_ｒ_targetは均一分布であることに限らず、実施形態によれば、任意のレチクル上照度分布に調整することが可能である。最終的には、ウェーハ１８に転写されるパターンサイズのばらつきを小さくするために他の要素の補正が行われるが、その補正を精度良く且つ簡便に行うことの前提として、レチクル１３上での照度分布を均一にすることが求められることが多い。

図３のフローチャートで示される第１実施形態によれば、（１）式に基づいてあらかじめ設定されたウェーハ１８上での目標照度分布ｕ_ｗ_targetと、実測値ｕ_ｗ_measureとの比較から、間接的にレチクル１３上での照度分布を目標分布（均一分布）になるように調整することができる。しかしながら、ウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureと（１）式とから、レチクル１３上での照度分布を計算的に求めて、直接レチクル１３上での照度分布を評価することも可能である。

以下、第２実施形態による露光装置１０の制御方法として、（１）式と、ウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureとから、レチクル１３上での照度分布を計算的に求めて、直接レチクル１３上での照度分布を評価する方法について説明する。

図７は、そのフローチャートである。

第２実施形態における以下に説明する一連の処理も、図１に示す記憶装置２１に格納された露光装置の制御プログラムを制御装置２０が読み込み、その命令のもとに実行される。

まず、ステップＳ１として、照度センサー１９を用いてウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureを取得する。このウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureは、記憶装置２１に格納される。

次に、ステップＳ２として、上記（１）式のデコンボリューション演算をして、レチクル１３上での照度分布を、ウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureから推算する。

図８は、ウェーハ１８上での照度分布の測定値ｕ_ｗ_measureと、ステップＳ２でのデコンボリューション演算により得られたレチクル１３上での照度分布ｕ_ｒ_calcを表す。図８において、横軸は露光スリット３０の長手方向（Ｘ方向）の位置ｘを表し、０は露光スリット３０のＸ方向の中心位置を表す。

そして、ステップＳ３として、ステップＳ２で得られたレチクル１３上での照度分布ｕ_ｒ_calcを直接的に評価することができる。すなわち、照度分布ｕ_ｒ_calcの、目標照度分布ｕ_ｒ_targetからのずれが、設定されたスペック（許容範囲）内かどうかの判定が行われる。

このスペック判定でＯＫであれば、ステップＳ４に進み、レチクル１３上での照度分布の調整は完了する。

上記スペック判定でＮＧであった場合には、ステップＳ５として、照度分布ｕ_ｒ_calcと目標照度分布ｕ_ｒ_targetとの差分に基づき、図２（ａ）及び（ｂ）に示す遮光ブレード３１の駆動制御量を算出し、その駆動制御量にしたがって遮光ブレード３１を駆動させて露光スリット３０の面積を調整する。

そして、調整された露光スリット３０を通じてレチクル１３にＥＵＶ光を照射し、その反射光を反射光学系１６を介してウェーハ１８に投影させる。そして、そのときのウェーハ１８上での照度分布ｕ_ｗ_measureを測定する。すなわち、ステップＳ１に戻る。そして、ステップＳ２及びステップＳ３が繰り返され、レチクル１３上での照度分布ｕ_ｒ_calcを評価する。

ステップＳ３のスペック判定でＯＫとなるまで上記処理を繰り返すことで、レチクル１３上での照度分布を目標分布（例えば均一分布）に調整することができる。

具体的には、（１）式からレチクル１３上での照度分布ｕ_ｒを求めるために、フーリエ変換を行う。畳み込みを直接計算するよりも、フーリエ変換をしてかけ算をしてから、フーリエ変換の逆演算（逆フーリエ変換）をした方がはるかに少ない計算量で計算することができる。

レチクル１３上での照度分布をｕ_ｒ、反射光学系１６の特性としてフレアの影響を反映させた点像強度分布関数をｐとすると、ウェーハ１８上での照度分布ｕ_ｗは、上記（１）式で表すことができる。

ここで、ｕ_ｗの逆フーリエ関数ｃｉが存在するとすると、ｕ_ｒは、ｕ_ｗとｃｉを用いて（２）式のように表すことができる。

例えばレチクル１３上での照度分布ｕ_ｒを均一にすることは、ｕ_ｒを最小にすることと等価である。したがって、レチクル１３上での照度分布ｕ_ｒを均一にする場合、（２）式におけるｕ_ｒを最小にするｃｉが最適な補正値となる。すなわち、（２）式におけるｕ_ｒを最小にするように、図２（ａ）及び（ｂ）に示す遮光ブレード３１を駆動させて露光スリット３０の面積が調整される。

上記具体例ではフーリエ変換を用いて（１）式のデコンボリューション演算を行ったが、逆フーリエ関数が存在しない場合には、図９（ａ）〜（ｅ）を参照して以下に説明する繰り返し計算による方法で、レチクル１３上での照度分布を推算することが可能である。

まず、レチクル１３上での照度分布として、図９（ａ）に示すように適当な照度分布を設定する。

そして、（１）式にしたがって、図９（ａ）で設定されたレチクル１３での照度分布と、反射光学系１６のフレアの影響を反映させた図９（ｂ）に示す点像強度分布関数ｐとの畳み込み積分を行う。

その畳み込み積分で得られたウェーハ１８上での照度分布の計算値を、図９（ｃ）において実線で表す。図９（ｃ）における破線は、照度センサー１９を用いて測定されたウェーハ１８上での照度分布の測定値を表す。

そして、ウェーハ１８上での照度分布の計算値と、ウェーハ１８上での照度分布の測定値との差を評価し、その差がスペック（許容範囲）内でない場合には、その差に基づいて、図９（ｄ）において実線で表すようにレチクル１３上での照度分布を修正する。図９（ｄ）において破線は、修正前の図９（ａ）で設定されたレチクル１３上での照度分布を表す。

そして、再び、（１）式にしたがって、図９（ｄ）で修正されたレチクル１３上での照度分布と、図９（ｅ）に示す点像強度分布関数ｐとの畳み込み積分を行う。

そして、その畳み込み積分で得られたウェーハ１８上での照度分布の計算値と、ウェーハ１８上での照度分布の測定値（図９（ｃ）における破線）との差を評価する。その差がスペック（許容範囲）内になるまで以上の処理を繰り返す。

以上の処理により、（１）式による畳み込み積分で算出されたウェーハ１８上での照度分布の計算値と、ウェーハ１８上での照度分布の測定値との差が小さくなるように、（１）式で使われるレチクル１３上での照度分布の設定値（予想分布）を修正していく。この結果、ウェーハ１８上でこういう照度分布の実測値が得られていれば、レチクル１３上ではこういう照度分布になっているだろうということが推算される。

レチクル１３上の照度分布を求めることができれば、その照度分布に基づいて、露光スリット３０の面積を調整することで、レチクル１３上での照度分布を目標分布に調整することが可能になる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…露光装置、１３…レチクル、１４，１５…ミラー、１６…反射光学系、１７…ウェーハステージ、１８…ウェーハ、１９…照度センサー、２０…制御装置、２１，２２…記憶装置、３０…露光スリット、３１…遮光ブレード、３３…光量調整機構

Claims

レチクルに照射されたＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光の前記レチクル上での照度分布と、前記レチクルで反射したＥＵＶ光をウェーハに投影させる反射光学系の特性を反映した像強度分布と、前記反射光学系を介して前記ウェーハに照射されたＥＵＶ光の前記ウェーハ上での照度分布との相関関係を表す関係式と、前記ウェーハ上での照度分布の測定値とに基づいて、前記レチクル上での照度分布の目標値からのずれを算出する露光装置の制御方法。
レチクルに照射された光の前記レチクル上での照度分布と、前記レチクルを経由した光をウェーハに投影させる投影光学系の特性を反映した像強度分布と、前記投影光学系を介して前記ウェーハに照射された光の前記ウェーハ上での照度分布との相関関係を表す関係式と、前記ウェーハ上での照度分布の測定値とに基づいて、前記レチクル上での照度分布の目標値からのずれを算出する露光装置の制御方法。
前記関係式から、前記レチクル上での目標照度分布に対応する前記ウェーハ上での目標照度分布を算出し、
前記ウェーハ上での目標照度分布と、前記ウェーハ上での照度分布の測定値とを比較する請求項１または２に記載の露光装置の制御方法。
レチクルに照射された光の前記レチクル上での照度分布と、前記レチクルを経由した光をウェーハに投影させる投影光学系の特性を反映した像強度分布と、前記投影光学系を介して前記ウェーハに照射された光の前記ウェーハ上での照度分布との相関関係を表す関係式と、前記ウェーハ上での照度分布の測定値とに基づいて、前記レチクル上での照度分布の目標値からのずれを算出する処理をコンピュータに実行させるための露光装置の制御プログラム。
光源からの光をレチクルに通すスリットの面積を変更可能な光量調整機構と、
前記スリットを通過して前記レチクルを経由した光をウェーハに投影させる投影光学系と、
前記レチクルに照射された光の前記レチクル上での照度分布と、前記投影光学系の特性を反映した像強度分布と、前記投影光学系を介して前記ウェーハに照射された光の前記ウェーハ上での照度分布との相関関係を表す関係式と、前記ウェーハ上での照度分布の測定値とに基づいて、前記レチクル上での照度分布の目標値からのずれを算出する制御装置と、
を備えた露光装置。