KR20180055345A - 웨이퍼 외주 가공장치 및 이를 이용한 가공방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 에지의 표면 결함을 검출 및 제어하기 용이한 웨이퍼 외주 가공장치 및 이를 이용한 가공방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 외주 가공장치 및 이를 이용한 가공방법은 한 장비 내에서 연속적으로 메인 가공부와 검사부와 보조 가공부가 구비됨으로써, 웨이퍼를 연속적으로 노치 및 에지 가공하고, 가공된 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함을 검사한 다음, 그 검사 결과에 따라 웨이퍼의 에지를 재가공하여 웨이퍼 에지의 표면 결함을 제어할 수 있다.

Description

웨이퍼 외주 가공장치 및 이를 이용한 가공방법 {Apparatus for processing a wafer edge and method using it}
본 발명은 웨이퍼 에지의 표면 결함을 검출 및 제어하기 용이한 웨이퍼 외주 가공장치 및 이를 이용한 가공방법에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 웨이퍼는, 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼 형태로 얇게 절단하는 슬라이싱 공정(slicing), 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하는 래핑 공정(lapping), 웨이퍼 내부의 손상(damage) 제거를 위한 에칭 공정(etching), 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 폴리싱 공정(polishing), 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정(cleaning) 등의 단계를 거쳐 생산된다.
물론, 그라인딩 공정과 랩핑 공정은 웨이퍼의 양측 표면과 에지에 모두 수행되고, 이 과정에서 웨이퍼의 표면과 에지에도 손상된 층이 발생된다.
따라서, 웨이퍼 에지에 형성된 손상된 층은 에지 폴리싱 공정에 의해 제거되어야 하며, 이러한 에지 폴리싱 공정은 웨이퍼의 에지를 연마(polishing)하여 에지 거칠기(Edge Roughness)를 Å 수준으로 낮출 수 있다.
일본공개특허 제2007-042811호에는 웨이퍼의 외경보다 작은 직경의 보호시트를 웨이퍼에 부착하고, 보조시트의 외주 위치를 검출한 다음, 보조시트의 외주 위치까지 연삭 숫돌의 토막난 양을 설정하고, 설정된 연삭 숫돌의 토막난 양에 따라 웨이퍼의 외주를 연삭하는 웨이퍼 외주 연삭 방법 및 웨이퍼 외주 연삭 장치가 개시되어 있다.
일본공개특허 제2006-294969호에는 웨이퍼 에지의 상부, 상측부, 측부, 하측부, 하부에서 웨이퍼 에지의 종단면을 촬영하고, 촬영된 영상을 통하여 웨이퍼의 이상 유무를 판단하는 웨이퍼 검사 장치 및 웨이퍼 검사 방법이 개시되어 있다.
상기와 같은 종래 기술에 따르면, 웨이퍼 에지를 가공하는 장치와 웨이퍼 에지를 검사하는 장치가 별도로 구성되고, 웨이퍼들이 카세트 단위로 웨이퍼 에지의 가공 공정과 웨이퍼 에지의 검사 공정이 별도의 공간에서 이뤄지기 때문에 공정 사이에 리드 타임(lead time)이 발생되고, 이로 인하여 생산 효율이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 종래 기술에 따르면, 단순히 웨이퍼 에지의 형상을 검사하고, 웨이퍼의 이상 유무를 판단하기 때문에 미세한 표면 결함이 있는 웨이퍼인 경우에 후공정으로 진행될 수 있는 위험이 있거나, 재가공을 통하여 결함 극복이 가능한 웨이퍼인 경우에도 불합격 처리되어 불량률이 높아지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 에지의 표면 결함을 검출 및 제어하기 용이한 웨이퍼 에지 가공장치 및 이를 이용한 가공방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 웨이퍼를 로딩(loading)하는 로딩부; 상기 로딩부로부터 이동된 웨이퍼의 노치(notch) 및 에지(edge)를 가공하는 메인 가공부; 상기 메인 가공부로부터 이동된 웨이퍼를 검사하고, 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함을 판단하는 검사부; 상기 검사부의 검사 결과 노치 및 에지의 형상은 합격이지만 에지의 표면 결함이 불합격인 경우, 웨이퍼의 에지를 재가공하는 보조 가공부; 상기 검사부의 검사 결과 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함이 모두 불합격이거나, 모두 합격인 웨이퍼를 구분하여 언로딩(unloading)하는 언로딩부; 및 상기 메인 가공부와 검사부와 보조 가공부 및 언로딩부 사이에 웨이퍼를 이동시키는 이동수단을 포함하는 웨이퍼 외주 가공장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 웨이퍼를 로딩(loading)하는 로딩 단계; 상기 로딩 단계에서 로딩된 웨이퍼의 노치(notch) 및 에지(edge)를 가공하는 메인 가공 단계; 상기 메인 가공 단계에서 가공된 웨이퍼를 검사하고, 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함을 판단하는 검사 단계; 상기 검사 단계의 검사 결과 노치 및 에지의 형상은 합격이지만 에지의 표면 결함이 불합격인 경우, 웨이퍼의 에지를 재가공하는 보조 가공 단계; 및 상기 검사 단계의 검사 결과 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함이 모두 불합격이거나, 모두 합격인 웨이퍼를 구분하여 언로딩(unloading)하는 언로딩 단계;를 포함하는 웨이퍼 외주 가공방법을 제공한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 외주 가공장치 및 이를 이용한 가공방법은 한 장비 내에서 연속적으로 메인 가공부와 검사부와 보조 가공부가 구비됨으로써, 웨이퍼를 연속적으로 노치 및 에지 가공하고, 가공된 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함을 검사한 다음, 그 검사 결과에 따라 웨이퍼의 에지를 재가공하여 웨이퍼 에지의 표면 결함을 제어할 수 있다.
따라서, 카세트 단위로 로딩 되더라도 웨이퍼를 하나씩 연속적으로 에지 가공과 검사 및 재가공할 수 있고, 그에 따라 공정 사이의 리드 타임을 없앨 수 있어 생산 효율을 높일 수 있는 이점이 있다.
또한, 노치 및 에지의 형상뿐 아니라 에지의 표면 결함을 정확하게 구분하여 검출할 수 있고, 나아가 미세한 표면 결함이 있는 웨이퍼인 경우에 재가공을 통하여 표면 결함 제어가 용이할 뿐 아니라 불량률을 저감시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 외주 가공장치가 도시된 도면.
도 2는 도 1에 적용된 검사부의 실시예가 도시된 도면.
도 3은 도 1에 적용된 보조 가공부의 실시예가 도시된 도면.
도 4는 도 1에 적용된 언로딩부의 실시예가 도시된 도면.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 외주 가공방법이 도시된 순서도.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 외주 가공장치가 도시된 도면이다.
본 발명의 웨이퍼 외주 가공장치는 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼가 하나씩 일련의 공정을 거칠 수 있도록 로딩부(110)와, 얼라인부(120)와, 메인 가공부(130)와, 클린부(140)와, 검사부(150)와, 보조 가공부(160)와, 버퍼부(170)와, 언로딩부(180)가 연속적으로 구비되고, 상기 검사부(150)와 보조 가공부(160)와 버퍼부(170) 및 언로딩부(180) 사이에 웨이퍼는 별도의 이동수단(190)에 의해 이동되도록 구성된다.
상기 로딩부(110)는 카세트(cassette) 단위로 웨이퍼들이 로딩(loading)되는 공간을 제공하는데, 카세트에는 노치(notch) 위치가 표시되거나, 모따기 형태의 에지가 가공된 웨이퍼들이 수납된다.
상기 얼라인부(120)는 상기 로딩부(110)에 로딩된 웨이퍼를 상기 메인 가공부(130)로 이동하기 전에 웨이퍼의 노치 위치를 일정한 방향으로 정렬시키도록 구성되는데, 별도의 로봇 암에 의해 상기 로딩부(110)와 얼라인부(120) 및 메인 가공부(130) 사이에서 웨이퍼가 이동된다.
상기 메인 가공부(130)는 웨이퍼의 노치와 에지를 둥근 라운드진 모양으로 연삭 가공하도록 구성되는데, 대개 고속 회전하는 연삭 숫돌이나, 일방향으로 이동되는 메쉬 타입의 연마 테이프에 웨이퍼의 에지를 접촉시켜 연마되도록 하며, 자세한 구성에 대한 설명은 공지된 기술이기 때문에 생략하기로 한다.
상기 클린부(140)는 가공 완료된 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및 건조시키도록 구성되는데, 노치 및 에지가 가공된 웨이퍼에 잔류하는 칩 또는 이물질을 제거할 수 있어 이후에 진행될 웨이퍼의 검사 정확도를 높일 수 있으며, 자세한 구성에 대한 설명은 공지된 기술이기 때문에 생략하기로 한다.
상기 검사부(150)는 세정 및 건조 완료된 웨이퍼의 에지를 촬영하여 검사하는데, 노치 및 에지의 형상을 측정하는 동시에 에지의 표면 결함도 측정할 수 있고, 제품 기준을 고려하여 촬영된 영상을 판독하여 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함에 대해 각각 합격과 불합격을 판단할 수 있으며, 자세한 구성은 하기에서 설명하기로 한다.
상기 보조 가공부(160)는 노치 및 에지 형상은 합격이지만, 표면 결함이 불합격인 웨이퍼에 대해서만 재가공하는데, 상기 메인 가공부(130)에 비해 더욱 정밀하게 연삭하도록 구성되며, 자세한 구성은 하기에서 설명하기로 한다.
상기 버퍼부(170)는 노치 및 에지 형상과 표면 결함 모두 합격인 웨이퍼가 상기 언로딩부(180)로 수납되기 전에 잠시 거치게 되는데, 공정 흐름 상 생략될 수도 있다.
상기 언로딩부(180)는 상기 검사부(150)의 검사 결과에 따라 웨이퍼들이 언로딩되는 공간으로서, 합격인 웨이퍼들과 불합격인 웨이퍼들을 구분하여 언로딩되며, 자세한 구성은 하기에서 설명하기로 한다.
상기 이동수단(190)은 일측에 구비된 레일(191)을 따라 왕복 이동되는 핸드(192)로 구성되는데, 상기 레일(191)은 상기 메인 가공부(130)와 검사부(150)와 보조 가공부(160) 및 언로딩부(180) 측면에 일렬로 설치되고, 상기 핸드(192)는 웨이퍼의 에지를 잡을 수 있도록 구성된다.
물론, 상기 이동수단(190)의 움직임은 일련의 제어 순서에 따라 웨이퍼를 이동시키게 된다.
상세하게, 상기 이동수단(190)은 상기 메인 가공부(130)에서 가공된 웨이퍼를 상기 클린부(140)를 거쳐 상기 검사부(150)로 이동시키고, 상기 검사부(150)에서 검사 완료된 웨이퍼를 검사 결과에 따라 상기 보조 가공(160)부와 버퍼부(170) 및 언로딩부(180) 중 한 군데로 이동시키며, 상기 보조 가공부(160)에서 재가공된 웨이퍼를 다시 상기 검사부(150)로 이동시킨다.
또한, 상기 검사부(150)의 검사 결과에 따라 노치 및 에지의 형상이 불합격인 웨이퍼는 상기 언로딩부로 이송되고, 노치 및 에지의 형상은 합격이더라도 에지의 표면 결함이 불합격인 웨이퍼는 상기 보조 가공부로 이송되며, 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함이 모두 합격인 웨이퍼는 상기 버퍼부를 거쳐서 상기 언로딩부로 이송된다.
도 2는 도 1에 적용된 검사부의 실시예가 도시된 도면이다.
본 발명에 적용된 검사부(150)는 도 2에 도시된 바와 같이 회전판(151)과, 챔버(152)와, 형상 측정부(153) 및 표면 결함 측정부(154)와, 송풍 노즐(155)로 구성될 수 있다.
상기 회전판(151)은 웨이퍼(W)가 올려진 상태로 회전 가능하게 설치되는데, 상기 형상 측정부(153) 및 표면 결함 측정부(154)에 의해 측정되는 시점에 상기 회전판(151)의 회전 여부 및 회전 속도가 제어될 수 있다.
상기 챔버(152)는 상기 회전판(151)을 비롯하여 상기 형상 측정부(153) 및 표면 결함 측정부(154)와 노즐(155)이 수용되는 공간을 제공하는데, 상기 챔버(152)의 일측에는 웨이퍼(W)가 출입되는 입구(152h)가 구비되고, 상기 입구(152h)를 개폐하는 도어(152a)가 구비된다.
물론, 상기 도어(152a)가 개방되면, 로봇 암에 의해 웨이퍼를 출입시키는데, 하기에서 설명될 웨이퍼(W)의 에지를 검사하는 중에 상기 도어(152a)가 닫힌 상태를 유지하여 외부의 오염 원인이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
실시예에서, 상기 챔버(152)의 하부가 개방되는 동시에 추가로 배기팬(미도시)이 설치될 수 있는데, 이는 하기에서 설명될 송풍 노즐(155)에 의해 분사되는 공기에 의해 웨이퍼의 에지 측의 오염 원인을 제거하는 동시에 함께 배기시킬 수 있도록 구성된다.
상기 형상 측정부(153)와 표면 결함 측정부(154)는 상기 회전판(151)에 올려진 웨이퍼(W)의 일측에 위치되는데, 웨이퍼(W)의 에지를 촬영하여 노치 및 에지의 형상을 비롯하여 에지의 표면 결함을 측정할 수 있도록 구성된다.
물론, 상기 표면 결함 측정부(154)가 상기 형상 측정부(153)보다 웨이퍼(W)의 에지에 더욱 근접하게 설치되는 것이 바람직하며, 각각 다른 형태의 카메라가 적용될 수 있는데, 상기 형상 측정부(153)는 CCD 카메라(Area 카메라)로 구성되는 반면, 상기 표면 결함 측정부(154)는 Line scan 카메라로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.
실시예에서, 상기 형상 측정부(153)와 표면 결함 측정부(154)는 하나의 CCD(charge-coupled device) 카메라로 구성될 수 있는데, 노치 및 에지 형상을 측정하기 위한 렌즈와 에지의 표면 결함을 측정하기 위한 렌즈를 교체하여 사용하거나, 하나의 렌즈를 사용하더라도 카메라와 웨이퍼(W)의 에지와 근접 거리를 조절함에 따라 포커싱(focusing) 위치를 조정하여 별도로 사용할 수 있다.
따라서, 상기 회전판(151)에 올려진 웨이퍼(W)가 회전하는 중에 상기 형상 측정부(153)와 표면 결함 측정부(154)가 웨이퍼(W)의 에지를 촬영하면, 촬영 영상을 통하여 노치 및 에지의 형상을 비롯하여 에지의 표면 결함을 품질 기준을 고려하여 검사하고, 검사 결과에 따라 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함에 대해 각각 합격과 불합격을 판단할 수 있다.
상기 송풍 노즐(155)은 상기 회전판(151)에 올려진 웨이퍼(W)의 에지를 향하여 청정 공기를 송풍시킬 수 있도록 구비되는데, 상기 송풍 노즐(155)의 끝단이 상기 회전판(151)에 올려진 웨이퍼(W)의 에지를 향하도록 양측 상부에 한 쌍이 위치된다.
따라서, 상기 회전판(151)에 올려진 웨이퍼(W)가 회전하는 중에 상기 송풍 노즐(155)을 통하여 청정 공기가 분사되면, 웨이퍼(W)의 에지에 잔류하는 오염 원인이 제거되고, 공기와 함께 오염 원인이 상기 챔버(152)의 하부로 빠져나가게 된다.
도 3은 도 1에 적용된 보조 가공부의 실시예가 도시된 도면이다.
본 발명에 적용된 보조 가공부(160)는 도 3에 도시된 바와 같이 공급 롤러(161)와 회수 롤러(162) 사이에서 연마 테이프(T)가 공급 및 회수됨에 따라 상기 연마 테이프(T)가 일 방향으로 이동되고, 고속 회전하는 웨이퍼(W)를 일 방향으로 가압하여 웨이퍼(W)의 에지가 상기 연마 테이프(T)의 일측과 접촉시키도록 구성된다.
물론, 상기 연마 테이프(T)는 그 표면에 소정 크기의 메쉬가 형성되는데, 상기 메인 가공부(130 : 도 2에 도시)에 사용되는 연삭 숫돌이나, 연마 테이프보다 더 정밀하게 연마시킬 수 있도록 구성된다.
그런데, 상기 보조 가공부(160)에 의해 웨이퍼(W)의 에지를 재가공하더라도 웨이퍼(W)의 에지 형상의 변형을 방지하기 위하여 최대 10um 이하로만 연마되도록 구성하는 것이 바람직하며, 이를 고려하여 상기 연마 테이프(T)의 메쉬 크기를 비롯하여 상기 연마 테이프(T)와 웨이퍼(W)의 에지 사이의 상대적인 속도 및 가압 정도 등이 제어될 수 있다.
도 4는 도 1에 적용된 언로딩부의 실시예가 도시된 도면이다.
본 발명에 적용된 언로딩부(180)는 도 4에 도시된 바와 같이 불합격인 웨이퍼가 수납되는 불합격 카세트(C1)와, 합격인 웨이퍼가 수납되는 합격 카세트(C2)를 포함하도록 구성된다.
물론, 상기 언로딩부(180)에는 상기 불합격 카세트(C1)와 합격 카세트(C2)를 구분하여 양측에 배치할 수 있지만, 작업자에게 두 카세트(C1,C2)의 위치가 혼돈될 수 있다.
따라서, 상기 언로딩부(180)는 두 개의 카세트(180)를 구분하여 수납할 수 있도록 상단(181)과 하단(182)으로 구분되고, 상기 불합격 카세트(C1)를 상단(181)에 배치하고, 상기 합격 카세트(C2)를 하단(182)에 배치하여 작업자의 혼돈을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 외주 가공방법이 도시된 순서도이다.
본 발명의 웨이퍼 외주 가공방법은 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼를 카세트 단위로 로딩한다.(S1 참조)
카세트에 수납된 웨이퍼들은 노치의 위치가 표시되어 있으며, 카세트에 수납된 웨이퍼들은 하나씩 순차적으로 다음 단계로 이송되는데, 웨이퍼들의 노치 위치를 정렬시킨 다음, 이송된다.
다음, 웨이퍼의 노치 및 에지를 가공한다.(S2 참조)
웨이퍼의 노치를 가공한 다음, 웨이퍼의 에지를 가공하는데, 웨이퍼의 노치 및 에지를 두 번에 걸쳐 정밀하게 가공할 수 있다.
다음, 웨이퍼의 에지를 검사한다.(S3 참조)
웨이퍼의 에지를 전체적으로 돌아가면서 촬영하는데, 웨이퍼의 에지에 오염 원인이 투입되는 것을 방지하기 위하여 별도의 제한된 청정 공간에서 촬영될 수 있다.
다음, 노치 및 에지의 형상을 판단하고, 에지의 표면 결함을 판단하게 된다.(S4,S5 참조)
촬영한 영상으로부터 웨이퍼의 노치 및 에지 형상과 에지의 표면 결함을 판독하는데, 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함에 대해 제품 기준을 고려하여 각각 합격과 불합격을 판단할 수 있다.
따라서, 노치 및 에지의 형상이 불합격인 웨이퍼는 불합격 카세트로 수납한다.(S6 참조)
반면, 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함이 모두 합격인 웨이퍼는 합격 카세트로 수납한다.(S7 참조)
한편, 노치 및 에지의 형상이 합격이더라도 에지의 표면 결함이 불합격인 웨이퍼는 에지를 재가공한 다음, 웨이퍼의 에지를 검사하는 과정을 반복한다.(S8,S3 참조)
그런데, 에지를 재가공한 웨이퍼인 경우, 웨이퍼를 검사한 결과 에지의 표면 결함이 불합격인 경우에 바로 불합격 카세트로 수납한다.(S6,S8 참조)
물론, 에지를 재가공한 웨이퍼를 반복하여 에지를 재가공할 수 있지만, 웨이퍼의 에지 형상이 변형될 수 있기 때문에 에지의 재가공 횟수를 제한하거나, 에지의 재가공 범위를 한정하는 것이 바람직하다.
110 : 로딩부 120 : 얼라인부
130 : 메인 가공부 140 : 클린부
150 : 검사부 160 : 보조 가공부
170 : 버퍼부 180 : 언로딩부
190 : 이동수단

Claims (14)

  1. 웨이퍼를 로딩(loading)하는 로딩부;
    상기 로딩부로부터 이동된 웨이퍼의 노치(notch) 및 에지(edge)를 가공하는 메인 가공부;
    상기 메인 가공부로부터 이동된 웨이퍼를 검사하고, 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함을 판단하는 검사부;
    상기 검사부의 검사 결과 노치 및 에지의 형상은 합격이지만 에지의 표면 결함이 불합격인 경우, 웨이퍼의 에지를 재가공하는 보조 가공부;
    상기 검사부의 검사 결과 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함이 모두 불합격이거나, 모두 합격인 웨이퍼를 구분하여 언로딩(unloading)하는 언로딩부; 및
    상기 메인 가공부와 검사부와 보조 가공부 및 언로딩부 사이에 웨이퍼를 이동시키는 이동수단을 포함하는 웨이퍼 외주 가공장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검사부는,
    웨이퍼가 올려진 상태로 회전 가능하게 설치된 회전판과,
    상기 회전판이 수납되고, 웨이퍼가 출입될 수 있는 챔버와,
    상기 회전판에 올려진 웨이퍼의 외주 측에 설치되고, 노치 및 에지의 형상을 측정하는 형상 측정부와,
    상기 회전판에 올려진 웨이퍼의 외주 측에 설치되고, 에지의 표면 결함을 측정하는 표면 결함 측정부를 포함하는 웨이퍼 외주 가공장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 검사부는,
    상측에서 상기 회전판에 올려진 웨이퍼의 외주를 향하여 공기를 불어주는 송풍 노즐을 더 포함하는 웨이퍼 외주 가공장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 검사부는,
    상기 챔버의 하부에서 공기를 배기시키는 웨이퍼 외주 가공장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 형상 측정부와 표면 결함 측정부는,
    하나의 CCD(charge-coupled device) 카메라로 구성되고,
    렌즈(lens) 변경 또는 포커싱(focusing) 위치 조정에 따라 구분하여 사용되는 웨이퍼 외주 가공장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 보조 가공부는,
    고속 회전하는 웨이퍼의 에지를 한 방향으로 이동되는 연마 연마 테이프와 접촉시켜 정밀 연마하는 웨이퍼 외주 가공장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보조 가공부는,
    웨이퍼의 에지를 최대 10um 이하로 정밀 연마하는 웨이퍼 외주 가공장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 이동수단은,
    상기 메인 가공부와 검사부와 보조 가공부 및 언로딩부 측면에 일렬로 설치된 레일과,
    상기 레일을 따라 이동되고 웨이퍼의 에지를 잡을 수 있는 핸드를 포함하는 웨이퍼 외주 가공장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 언로딩부는,
    형상 또는 표면 결함 중 적어도 하나 이상이 불합격인 웨이퍼가 수납되는 불합격 카세트와,
    형상과 표면 결함이 모두 합격인 웨이퍼가 수납되는 합격 카세트를 포함하는 웨이퍼 외주 가공장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 불합격 카세트는 상단에 구비되고,
    상기 합격 카세트는 하단에 구비되는 웨이퍼 외주 가공장치.
  11. 웨이퍼를 로딩(loading)하는 로딩 단계;
    상기 로딩 단계에서 로딩된 웨이퍼의 노치(notch) 및 에지(edge)를 가공하는 메인 가공 단계;
    상기 메인 가공 단계에서 가공된 웨이퍼를 검사하고, 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함을 판단하는 검사 단계;
    상기 검사 단계의 검사 결과 노치 및 에지의 형상은 합격이지만 에지의 표면 결함이 불합격인 경우, 웨이퍼의 에지를 재가공하는 보조 가공 단계; 및
    상기 검사 단계의 검사 결과 노치 및 에지의 형상과 에지의 표면 결함이 모두 불합격이거나, 모두 합격인 웨이퍼를 구분하여 언로딩(unloading)하는 언로딩 단계;를 포함하는 웨이퍼 외주 가공방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 보조 가공 단계는,
    재가공된 웨이퍼를 상기 검사 단계로 이송시키는 과정을 더 포함하는 웨이퍼 외주 가공방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 검사 단계는,
    재가공된 웨이퍼의 검사 결과 형상은 합격이지만 표면 결함이 불합격인 경우, 웨이퍼를 상기 언로딩 단계로 이송시키는 과정을 더 포함하는 웨이퍼 외주 가공방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 언로딩 단계는,
    형상 또는 표면 결함 중 적어도 하나 이상이 불합격인 웨이퍼를 불합격 카세트에 수납하는 과정과,
    형상과 표면 결함이 모두 합격인 웨이퍼를 합격 카세트에 수납하는 과정을 포함하는 웨이퍼 외주 가공방법.
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