JP6410319B2 - 研磨装置 - Google Patents
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Description
(第1の実施形態)
先ず、第1の実施形態について説明する。
一般に、ウェーハの主面上に多数の材料が成膜されると、ウェーハの周縁部上にも、それらの材料が膜として形成される。また、ウェーハの主面上に形成された膜を加工する場合においても、その加工の際に発生したデポ物がウェーハの周縁部の膜の一部となる。このような、ウェーハの周縁部上に形成された膜は、ウェーハの主面上を汚染する可能性がある。このため、ウェーハ上に材料を成膜した後にウェーハの周縁部上に形成された膜は、研磨装置によって研磨除去される場合がある。
図1に示すように、本実施形態に係る研磨装置100には、ロードポート10、研磨モジュール11、検査モジュール12、移動モジュール13、14、15、16、ウェーハステーション17、洗浄モジュール18、乾燥モジュール19、演算部31及び制御部32が設けられている。
図2は、本実施形態に係る研磨装置における研磨モジュールの構成を例示する模式図である。
図3は、本実施形態に係る研磨装置の研磨モジュールにおけるステージと研磨ユニットを例示する模式図である。
図4は、本実施形態に係る研磨装置の検査モジュールにおけるステージと検出部を例示する模式図である。
次に、本実施形態に係る研磨装置100の動作、すなわち、ウェーハwfの周縁部上に形成された膜fmの研磨方法について説明する。
図5(a)は、ウェーハを例示する模式図であり、図5(b)は、上面に膜が形成されたウェーハを例示する模式図であり、図5(c)は、図5(b)のA1−A2線における断面を例示する断面図である。
図5(b)及び図5(c)に示すように、ウェーハwf上には、膜fmが形成される。このとき、ウェーハwfの主面上における膜fmは、所定の形状に加工されていても良い。この場合、ウェーハwfの周縁部に形成された膜fmは、膜fmを加工する工程で生じたデポ物などを含んでいる。膜fmが複数の膜を積層させた積層膜である場合、ウェーハwfの周縁部上に形成される膜fmは、厚くなる。
図6(a)及び図6(b)に示すように、研磨処理によってウェーハwfの周縁部からは、膜fmが除去される。なお、研磨処理後のウェーハwfにおいて、周縁部に膜fmが残留することがある。その場合は、再度、ウェーハwfを研磨することが好ましい。
本実施形態に係る研磨装置の研磨方法においては、まず、ステップS1に示すように、ロードポート10に搭載されているウェーハwfを移動モジュール13によってウェーハステーション17に移動させる。このウェーハwfの主面上及び周縁部上には、膜fmが形成されている。
ステップS16に示すように、制御部32は、演算部31から送られた解析結果に基づいて研磨ユニット51を制御する。制御部32からの制御によって、研磨ユニット51は膜fmの残留部分に研磨テープ51aが選択的に接触する位置に移動する。そして、ウェーハwfは再研磨される。これにより、膜fmの残留部分は、ウェーハwfの周縁部上から選択的に除去される。
図8(d)に示すように、再研磨処理後におけるウェーハwfの周縁部においては、膜fmの残留部分は再研磨処理によって除去されている。検出部61によって、図8(d)に示す矢印fの方向からウェーハwfの断面を撮影した場合においては、図8(e)に示すように、再研磨処理前と比較して、ボトム領域btの輝度は高くなる。つまり、ウェーハwfの周縁部上における膜fmの残留部分が再研磨によって除去されたことが、ウェーハwfのボトム領域btにおける輝度の増加として測定される。検出部61で取得された検査データは、演算部31で数値データとして解析される。図8(e)に示すように、再研磨されたことで、膜fmの残留部分が除去されたボトム領域btにおける検査データは、演算部31によって所定の閾値よりも高い数値として解析される。
本実施形態に係る研磨装置100においては、ウェーハwfの周縁部上に形成された膜fmを研磨する研磨ユニット51が可動機構を持っている。これにより、ウェーハwfの周縁部上における所定の位置を選択的に研磨することが可能である。
以下、本実施形態の試験例について説明する。
図9(a)は、膜が残留するウェーハの周縁部を撮像した写真であり、図9(b)は、図9(a)に示すウェーハの周縁部を検出部のカメラによって撮像した写真を模式的に示す図であり、図9(c)は、膜の残留部分を選択的に研磨した後のウェーハの周縁部を撮像した写真であり、図9(d)は、図9(c)に示すウェーハの周縁部を検出部のカメラによって撮像した写真を模式的に示す図である。
図9(b)に示すように、検出部61によって、図9(a)に示す矢印gの方向から周縁部に膜fmが残留するウェーハwfの断面を撮影した場合においては、輝度の低い部分が検知された。この場合、輝度の高い部分は、膜fmの残留が無い部分であり、輝度の低い部分は膜fmが残留している部分である。図9(b)に示す場合においては、他の領域と比較して、ボトム領域btの輝度が低くなっている。すなわち、ボトム領域において、膜fmの残留が検知された。
次に、第2の実施形態について説明する。
図11は、本実施形態に係る研磨装置の構成を例示する模式図である。
図12は、本実施形態に係る研磨装置の複合モジュールの構成を例示する模式図である。
本実施形態に係る研磨装置200においては、同じチャンバー20内で、ウェーハwfの研磨処理と周縁部の検査を実施できる。このため、チャンバー間の移動させることなく研磨処理と周縁部の検査を実施できる。したがって、スループットの向上につながる。
次に、第3の実施形態について説明する。
図13は、本実施形態に係る研磨装置における検査モジュールの構成を例示する模式図である。
本実施形態に係る研磨装置300の検査モジュール12においては、図13に示すように、レーザー光をウェーハwfの周縁部に対して照射する照射部41と、周縁部によって反射された反射光を検出する検出部42が設けられている。検出部42には、可動機構が設けられている。
本実施形態に係る研磨装置300は、検査モジュール12において、検出部61の代わりに照射部41及び検出部42が設けられていること以外は第1の実施形態と同様である。
本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、可動機構を持つ研磨ユニット51により、ウェーハwfの周縁部上における所定の位置を選択的に研磨することが可能である。
次に、第4の実施形態について説明する。
図14は、本実施形態に係る研磨装置における検査モジュールの構成を例示する模式図である。
次に、本実施形態の効果について説明する。
次に、第5の実施形態について説明する。
図15は、本実施形態に係る研磨装置における検査モジュールの構成を例示する模式図である。
本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、可動機構を持つ研磨ユニット51により、ウェーハwfの周縁部上における所定の位置を選択的に研磨することが可能である。
次に、第6の実施形態について説明する。
図16は、本実施形態に係る研磨装置における検査モジュールの構成を例示する模式図である。
本実施形態に係る研磨装置600においては、図16に示すように、検査モジュール12に超音波をウェーハwfの周縁部に対して照射する照射部48と、周縁部によって反射した反射波を検出する反射波検出部49が設けられている。反射波検出部49は複数設けられていても良い。また、検査モジュール12には、ウェーハwfによって回折された回折波を検出する回折波検出部53が設けられている。
本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、可動機構を持つ研磨ユニット51により、ウェーハの周縁部上における所定の位置を選択的に研磨することが可能である。
Claims (1)
- ウェーハを保持するステージと、
前記ウェーハの周縁部上に形成されている膜を研磨する研磨部と、
前記周縁部を撮像し画像を記録する検出部と、
前記ウェーハを洗浄する洗浄部と、
前記ウェーハを乾燥させる乾燥部と、
前記ウェーハの裏面側から表面側に向かう方向を上としたとき、前記検出部を前記ウェーハに対して外側にありかつ上側に位置し、前記ウェーハに対して外側にありかつ前記ウェーハの表面に対して水平な方向に位置し、及び前記ウェーハに対して外側にありかつ下側に位置している少なくとも3つの位置から前記周縁部を撮像可能なように移動させる第1可動部と、
前記周縁部を上部、中央部、及び下部の少なくとも3つの領域に分割したとき、前記3つの領域について前記画像の輝度値が高い部分は前記膜が残留しておらず、前記輝度値が低い部分は前記膜が残留していると判断し、前記膜が残留している部分のみに研磨を実行させるように前記研磨部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部はさらに、前記研磨部で前記ウェーハが研磨され、その後前記洗浄部で前記ウェーハが洗浄され、その後前記乾燥部で前記ウェーハが乾燥された後、前記検出部にて前記ウェーハの前記周縁部の画像を撮像した後、前記周縁部の前記上部、前記中央部、及び前記下部に前記膜が残留しているかどうかを判断した後、前記上部、前記中央部、及び前記下部のうち前記膜が残留した部分だけを選択的に再度研磨するように制御する研磨装置。
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