KR20170049215A - 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법 - Google Patents

웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170049215A
KR20170049215A KR1020150150310A KR20150150310A KR20170049215A KR 20170049215 A KR20170049215 A KR 20170049215A KR 1020150150310 A KR1020150150310 A KR 1020150150310A KR 20150150310 A KR20150150310 A KR 20150150310A KR 20170049215 A KR20170049215 A KR 20170049215A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
inspection
cleaning
unit
polishing
Prior art date
Application number
KR1020150150310A
Other languages
English (en)
Inventor
장준영
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020150150310A priority Critical patent/KR20170049215A/ko
Publication of KR20170049215A publication Critical patent/KR20170049215A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02054Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 폴리싱 가공과 세정과 검사 및 그 검사 결과에 따른 재가공을 한 장치 내에서 연속하여 진행할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법은 가공부와 세정부와 검사부 및 재가공 스테이지를 구비함으로써, 웨이퍼 단위로 폴리싱 가공과 세정과 검사 및 그 검사 결과에 따른 재가공을 한 장치 내에서 연속하여 진행할 수 있다.
따라서, 한 장치 내에서 가공 공정과 세정 공정과 검사 공정 및 재가공 공정이 모두 이뤄지기 때문에 별도의 장치가 필요 없으며, 제품의 크기 및 설치 공간을 줄일 수 있다.
또한, 한 장치 내에서 웨이퍼 단위로 공정별로 이동됨에 따라 이동 시간이 단축되고, 카세트에 장착된 웨이퍼들 중 일부가 검사 결과를 만족하지 못하더라도 해당 웨이퍼만 재자공 고정을 진행할 수 있어 전체 카세트의 공정 완료 시간을 단축시키기 때문에 생산 효율을 높일 수 있는 이점이 있다.

Description

웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법 {A polishing apparatus and a polishing method of a wafer}
본 발명은 웨이퍼의 폴리싱 가공과 세정과 검사 및 그 검사 결과에 따른 재가공을 한 장치 내에서 연속하여 진행할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼는 단결정 잉곳을 얇게 자르고, 표면 전체를 여러 번에 걸쳐 연마하여 만들어지는데, 웨이퍼를 정렬하기 위하여 에지 부분에 노치를 가공한 다음, 노치와 에지 부분을 폴리싱한다.
물론, 웨이퍼의 에지는 낮은 조도(Roughness)를 가져야 하고, 가능한 오염이 없어야 한다.
최근 웨이퍼의 직경이 300mm 이상으로 커지고 있는데, 웨이퍼의 직경이 커질수록 웨이퍼의 에지에 대한 품질을 중요하게 요구하고 있다.
한국등록특허 제861101호에는 라운드 처리되고 에칭된 에지를 가진 웨이퍼가 제공되면, 에지 폴리싱 공정과 세정 공정 및 검사 공정을 순차적으로 거친 다음, 검사 공정의 결과에 따라 재가공 공정을 진행하는 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법이 개시되고 있다.
이때, 폴리싱 공정과 세정 공정 및 검사 공정은 각각의 장치에서 진행되고, 작업 특성상 웨이퍼들이 수납된 카세트 단위로 공정별로 이동된다.
그러나, 상기의 종래 기술에 따르면, 카세트에 장착된 웨이퍼들이 모두 해당 공정을 수행한 다음, 카세트 단위로 다음 공정으로 이동하기 때문에 공정별 이동 시간이 길어지고, 나아가 카세트에 장착된 웨이퍼들 중 일부가 검사 공정의 검사 결과를 만족하지 못하더라도 카세트 전체가 다시 재가공 공정을 진행하기 때문에 전체 카세트의 공정 완료가 지연되는 문제점이 있다.
일본공개특허 제2007-194612호에는 웨이퍼의 연마를 수행하는 복수개의 연마부와, 웨이퍼의 연마 후에 후처리를 수행하는 후처리부가 구비된 연마장치가 개시되고 있으며, 반도체 웨이퍼 이면에 부착한 슬러리를 확실하게 제거할 수 있는 구조가 제공된다.
그러나, 상기의 종래 기술에 따르면, 웨이퍼의 폴리싱 가공만 위한 장치만 제공되기 때문에 추가적인 세정 공정과 검사 공정을 수행하기 위한 각각의 장치가 요구되며, 검사 공정의 검사 결과를 만족하지 못하는 경우에 재가공하기 위한 별도의 장치가 요구되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 단위로 폴리싱 가공과 세정과 검사 및 그 검사 결과에 따른 재가공을 한 장치 내에서 연속하여 진행할 수 있는 웨이퍼의 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 웨이퍼를 로딩하는 로딩부; 상기 로딩부에서 로딩된 웨이퍼에 노치 또는 에지 라운드를 폴리싱하는 가공부; 상기 가공부에서 폴리싱된 웨이퍼를 세정하고 건조하는 세정부; 상기 세정부에서 건조된 웨이퍼의 에지를 검사하는 검사부; 상기 검사부의 검사 결과를 만족하는 웨이퍼를 언로딩하는 언로딩부; 상기 검사부의 검사 결과를 만족하지 못하는 웨이퍼를 언로딩하고, 상기 언로딩된 웨이퍼를 다시 상기 가공부에 로딩하는 재가공 스테이지; 및 상기 가공부에 로딩된 웨이퍼에 따라 상기 가공부의 폴리싱 조건을 제어하는 제어부;를 웨이퍼 폴리싱 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 카세트에 장착된 웨이퍼들을 하나씩 로딩하는 로딩(Loading) 단계; 상기 로딩 단계에서 로딩된 웨이퍼에 노치 또는 에지 라운드를 폴리싱하는 가공 단계; 상기 가공 단계에서 폴리싱된 웨이퍼를 세정하고 건조하는 세정 단계; 상기 세정 단계에서 건조된 웨이퍼의 에지를 검사하는 검사 단계; 상기 검사 단계의 검사 결과를 만족하는 웨이퍼를 언로딩하는 카세트에 언로딩(Un-loading) 단계; 상기 검사 단계의 검사 결과를 만족하지 못하는 웨이퍼를 언로딩하고, 상기 언로딩된 웨이퍼에 다시 폴리싱하기 위하여 로딩하는 리로딩(Re-loading) 단계; 및 상기 리로딩 단계에서 로딩된 웨이퍼를 검사 결과에 따라 다시 폴리싱하는 재가공 단계;를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법은 가공부와 세정부와 검사부 및 재가공 스테이지를 구비함으로써, 웨이퍼 단위로 폴리싱 가공과 세정과 검사 및 그 검사 결과에 따른 재가공을 한 장치 내에서 연속하여 진행할 수 있다.
따라서, 한 장치 내에서 가공 공정과 세정 공정과 검사 공정 및 재가공 공정이 모두 이뤄지기 때문에 별도의 장치가 필요 없으며, 제품의 크기 및 설치 공간을 줄일 수 있다.
또한, 한 장치 내에서 웨이퍼 단위로 공정별로 이동됨에 따라 이동 시간이 단축되고, 카세트에 장착된 웨이퍼들 중 일부가 검사 결과를 만족하지 못하더라도 해당 웨이퍼만 재가공 고정을 진행할 수 있어 전체 카세트의 공정 완료 시간을 단축시키기 때문에 생산 효율을 높일 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 일예가 도시된 도면.
도 2는 도 1에 적용된 검사 장치의 일예가 도시된 도면.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법의 일예가 도시된 순서도.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 일예가 도시된 도면이고, 도 2는 도 1에 적용된 검사 장치의 일예가 도시된 도면이다.
본 발명의 웨이퍼 폴리싱 장치는 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이 로딩부(110)와, 가공부(120)와, 이동수단(130)과, 세정부(140)와, 검사부(150)와, 언로딩부(160)와, 재가공 스테이지(170)가 한 테이블에 구성된다.
상기 로딩부(110)는 카세트 단위로 웨이퍼를 로딩하는 공간으로써, 상기 로딩부(110)와 가공부(120) 사이에 제1로봇 핸드(181)가 위치한다.
이때, 상기 제1로봇 핸드(181)는 상측에 매달린 상태에서 전후 및 좌우 방향으로 이동 가능한 다관절 로봇 형태로 구성되는데, 상기 제1로봇 핸드(181)는 상기 로딩부(110)와 하기에서 설명될 재가공 스테이지(170) 중 한 군데에 위치한 웨이퍼를 상기 가공부(120)에 제공한다.
상기 가공부(120)는 웨이퍼의 위치를 정렬시킨 다음, 웨이퍼의 노치(Notch)를 폴리싱(Polishing)하고, 웨이퍼의 에지 라운드(Edge round)를 폴리싱하도록 구성되는데, 실시예에서 정렬부(121)와, 한 쌍의 노치 가공부(122)와, 한 쌍의 에지 라운드 가공부(123)가 일렬로 구비되고, 이와 나란히 가공 레일 핸드(Rail hand : 124)로 배열된다.
상세하게, 상기 노치 가공부(122)와 에지 라운드 가공부(123)는 한 쌍씩 구비되는데, 이는 노치 폴리싱 가공과 에지 라운드 폴리싱 가공이 각각 두 번에 걸쳐서 나누어서 진행될 수 있어 각각의 폴리싱 가공에서 요구되는 압력 부하를 줄일 수 있다.
물론, 상기 노치 가공부(122)와 에지 라운드 가공부(123)는 제어부(미도시)에 의해 그 작동이 제어되는데, 상기 제어부에 의해 미리 설정된 가공 시간, 가공 압력, 가공 속도 등을 제어할 수 있으며, 하기에서 설명될 검사 결과에 따라 재설정된 값으로 제어될 수 있다.
또한, 상기 가공 레일 핸드(124)는 복수개의 그립 타입 트랜스퍼(Grip type transfer)가 레일(Rail)을 따라 이동 가능하게 구비되는데, 그립 타입 트랜스퍼들은 상기 정렬부(121)와 노치 가공부(122)와 에지 라운드 가공부(123) 및 하기에서 설명된 대기부(131) 사이에 각각 위치되며, 웨이퍼들을 동시에 이송시킬 수 있도록 작동됨에 따라 생산 시간을 단축시킬 수 있다.
따라서, 상기 로딩부(110) 또는 재가공 스테이지(170)에서 웨이퍼가 하나씩 제공되면, 상기 정렬부(121)에서 웨이퍼의 중심 및 노치 위치를 맞추어 정렬하고, 상기 노치 가공부(122)와 에지 라운드 가공부(123)를 거치면서 설정된 값에 따라 웨이퍼의 노치 및 에지 라운드를 폴리싱한다.
상기 이동수단(130)은 상기 가공부(120)와 세정부(140)가 나란히 위치됨에 따라 그 사이에서 웨이퍼를 대기 및 이동시키기 위하여 구비되는데, 실시예에서 대기부(Buffer : 131)와, 그립 타입의 트랜스퍼(132a)가 구비된 레일 핸드(132)로 구성된다.
따라서, 상기 가공부(120)에서 폴리싱 가공을 마친 웨이퍼가 상기 대기부(131)에 웨이퍼가 올려지면, 상기 그립 타입 트랜스퍼(132a)가 상기 대기부(131)에 올려진 웨이퍼를 상기 세정부(140)로 이동시킨다.
상기 세정부(140)는 웨이퍼를 세정액으로 세정한 다음, 건조하도록 구성되는데, 실시예에서 한 쌍의 스핀 크리너(Spin cleaner : 141)와, 스핀 드라이어(Spin drier : 142)가 일렬로 배열되고, 이와 나란히 세정 레일 핸드(143)가 배열된다.
상세하게, 상기 스핀 크리너(141)는 하나씩 올려진 웨이퍼를 회전시키는 동시에 분사 노즐을 통하여 세정액을 분사하여 세정하도록 구성되고, 상기 스핀 드라이어(142)도 하나씩 올려진 웨이퍼를 회전시키는 동시에 분사 노즐을 통하여 공기를 분사하여 세정하도록 구성된다.
이때, 상기 스핀 크리너(141)에 공급되는 세정액은 NH4OH, H2O2, HF를 포함하되 그 비율과 구성을 변경할 수 있고, 한 쌍의 스핀 크리너(141)가 구비됨에 따라 두 번에 걸쳐 세정이 이뤄지도록 하여 세정 효과를 높일 수 있다.
또한, 상기 스핀 크리너(141)와 스핀 드라이어(142)는 웨이퍼가 출입 가능한 도어(미도시)가 구비된 밀폐된 케이스(미도시)에 각각 내장되도록 구성되며, 다른 공정 중 웨이퍼에 묻은 이물질을 깨끗하게 제거할 수 있다.
한편, 상기 세정 레인 핸드(143)도 상기 가공 레일 핸드(124)와 마찬가지로 복수개의 그립 타입 트랜스퍼가 레일을 따라 이동 가능하게 구비되는데, 그립 타입 트랜스퍼들은 상기 스핀 크리너(141)와 스핀 드라이어(142) 사이에 각각 위치되며, 웨이퍼들을 동시에 이송시킬 수 있도록 작동됨에 따라 생산 시간을 단축시킬 수 있다.
따라서, 상기 이동수단(130)에 의해 웨이퍼가 제공되면, 상기 스핀 크리너(141)를 거치면서 두 번에 걸쳐 웨이퍼를 세정하고, 상기 스핀 드라이어(142)를 거치면서 젖은 웨이퍼를 건조한다.
상기 검사부(150)는 웨이퍼의 노치와 에지 라운드를 검사하는데, 실시예에서 노치 카메라(151)와, 상/하부 카메라(152,153)와, 복수개의 조명(154a,154b,154c)으로 구성된 모듈 형태로 제공된다.
상세하게, 상기 노치 카메라(151)와 상/하부 카메라(152,153)는 CCD 카메라가 적용될 수 있고, 상기 조명들(154a,154b,154c)은 각각의 카메라 측에 구비된 LED가 적용될 수 있다.
또한, 상기 스핀 드라이어(142)와 검사부(150) 사이에 제2로봇 핸드(182)가 위치하는데, 상기 제1로봇 핸드(181)와 같이 구성되며, 상기 스핀 드라이어(142)에 위치한 웨이퍼를 하나씩 상기 검사부(150)로 로딩시킨다.
따라서, 상기 스핀 드라이어(142)에서 건조된 웨이퍼가 제공되면, 상기 조명들(154a,154b,154c)이 웨이퍼의 에지 측으로 빛을 비추고, 상기 노치 카메라(151)가 웨이퍼의 노치를 촬영하고, 상기 상/하부 카메라(152,153)가 웨이퍼의 에지 상하부를 촬영한 다음, 그 영상으로부터 웨이퍼의 노치와 에지 라운드를 검사하고, 검사 결과에 따라 웨이퍼를 하기의 언로딩부(160)와 재가공 스테이지(170) 중 한 군데로 언로딩한다.
상기 언로딩부(160)는 상기 검사부(150)의 검사 결과를 만족하는 웨이퍼가 언로딩되는 공간인 반면, 상기 재가공 스테이지(170)는 상기 검사부(150)의 검사 결과를 만족하지 못한 웨이퍼가 언로딩되는 공간을 제공한다.
이때, 상기 검사부(150)와 언로딩부(160) 사이에 제3로봇 핸드(183)가 위치하는데, 상기 제3로봇 핸드(183) 역시 상기 제1로봇 핸드(181)와 같이 구성되며, 상기 제3로봇 핸드(183)는 상기 검사부(150)의 검사 결과에 따라 웨이퍼를 상기 언로딩부(160)와 재가공 스테이지(170) 중 한 군데로 이동시킨다.
따라서, 한 카세트의 웨이퍼들이 모두 상기 언로딩부(160)에 언로딩되면, 한 카세트의 작업이 완료되지만, 한 카세트의 웨이퍼들 중 하나라도 상기 재가공 스테이지(170)에 언로딩되면, 상기 제1로봇 핸드(181)가 상기 재가공 스테이지(170)에 언로딩된 웨이퍼를 다시 상기 가공부(120)로 로딩하여 재가공이 이뤄지도록 한다.
물론, 상기 재가공 스테이지(170)의 웨이퍼를 상기 가공부(120)로 로딩하면, 검사 결과에 따라 재설정된 값에 따라 가공 시간, 가공 압력, 가공 속도를 제어하면서 재가공이 이뤄지도록 한다.
상기와 같이, 본 발명의 웨이퍼 폴리싱 장치는 테이블의 전방에 로딩부(110)와 재가공 스테이지(170) 및 언로딩부(160)가 일렬로 구비되고, 테이블의 일측에 정렬부(121)와 노치 가공부(122) 및 에지 라운드 가공부(123)가 일렬로 구비되며, 테이블의 후방에 이동수단(130)이 일렬로 구비되며, 테이블의 다른 일측에 스핀 크리너(141)와 스핀 드라이어(142) 및 검사부(150)가 일렬로 구비됨으로써, 한 장치 내에서 웨이퍼가 하나씩 이동되면서 가공과 세정과 검사 및 재가공이 한꺼번에 이뤄지도록 하며, 그에 따라 웨이퍼의 이동 시간을 단축할 수 있어 생산 효율을 높일 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법의 일예가 도시된 순서도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법은 도 3에 도시된 바와 같이 로딩부의 카세트에 웨이퍼들을 하나씩 로딩한다.(S1 참조)
카세트 단위로 로딩부에 웨이퍼들이 장착되지만, 웨이퍼들이 하나씩 하기의 가공 공정으로 로딩된다.
다음, 웨이퍼의 노치 위치를 맞춘 다음, 웨이퍼의 노치를 폴리싱하고, 웨이퍼의 에지 라운드를 폴리싱한다.(S2,S3,S4 참조)
로딩부에서 웨이퍼가 제공되면, 미리 설정된 값 즉, 가공 시간, 가공 압력, 가공 속도 등에 따라 웨이퍼의 노치와 에지 라운드를 순차적으로 폴리싱 가공한다.
하기에서 설명될 검사 결과를 만족하지 못하는 웨이퍼가 제공되면, 검사 결과에 따라 재설정된 값에 폴리싱 가공한다.
다음, 웨이퍼를 제1,2차 세정하고, 젖은 웨이퍼를 건조한 다음, 건조된 웨이퍼를 검사한다.(S5,S6,S7 참조)
웨이퍼는 두 번에 걸쳐 세정 공정을 거치는데, 세정 공정은 하나의 웨이퍼를 회전시키는 동시에 웨이퍼에 세정액을 분사하여 웨이퍼에 묻은 이물질을 제거하며, NH4OH, H2O2, HF를 포함하는 세정액이 사용될 수 있다.
이후, 젖은 웨이퍼는 건조 공정을 거치는데, 건조 공정은 마찬가지로 하나의 웨이퍼를 회전시키는 동시에 웨이퍼에 공기를 분사하여 웨이퍼를 건조한다.
이후, 건조된 웨이퍼는 노치와 에지 라운드를 촬영하고, 그 촬영 영상으로부터 폴리싱의 가공 정도를 검사한다.
다음, 웨이퍼의 검사 결과를 만족하면, 언로딩부의 카세트에 웨이퍼를 언로딩하는 반면, 웨이퍼의 검사 결과를 만족하지 못하면, 재가공 스테이지에 웨이퍼를 리로딩한다.(S8,S9,S10 참조)
웨이퍼의 검사 결과에 따라 웨이퍼는 언로딩부와 재가공 스테이지 중 한 군데로 언로딩된다.
검사 결과 가공 조건을 만족한 웨이퍼는 언로딩부로 옮겨지는 반면, 검사 결과 가공 조건을 만족하지 못한 웨이퍼는 재가공 스테이지로 옮겨진다.
물론, 재가공 스테이지의 웨이퍼는 다시 상기의 가공 공정으로 리로딩되고, 상기의 폴리싱 공정과 세정 공정과 건조 공정 및 검사 공정을 반복하게 된다.
따라서, 한 카세트의 웨이퍼들이 가공되는 중에 검사 결과를 만족하지 못하는 웨이퍼가 발생되면, 불량인 웨이퍼를 즉시 다른 웨이퍼들 사이에 리로딩되도록 하여 재가공이 이뤄지도록 하여 생산 효율을 높일 수 있다.
다음, 언로딩부의 카세트에 웨이퍼들이 모두 장착되지 않으면, 상기와 같은 과정을 반복하고, 언로딩부의 카세트에 웨이퍼들이 모두 장착되면, 한 카세트의 작업을 종료한다.(S11 참조)
110 : 로딩부 120 : 가공부
130 : 이동수단 140 : 세정부
150 : 검사부 160 : 언로딩부
170 : 재가공 스테이지 181,182,183 : 제1,2,3로봇 핸드

Claims (6)

  1. 웨이퍼를 로딩하는 로딩부;
    상기 로딩부에서 로딩된 웨이퍼에 노치 또는 에지 라운드를 폴리싱하는 가공부;
    상기 가공부에서 폴리싱된 웨이퍼를 세정하고 건조하는 세정부;
    상기 세정부에서 건조된 웨이퍼의 에지를 검사하는 검사부;
    상기 검사부의 검사 결과를 만족하는 웨이퍼를 언로딩하는 언로딩부;
    상기 검사부의 검사 결과를 만족하지 못하는 웨이퍼를 언로딩하고, 상기 언로딩된 웨이퍼를 다시 상기 가공부에 로딩하는 재가공 스테이지; 및
    상기 가공부에 로딩된 웨이퍼에 따라 상기 가공부의 폴리싱 조건을 제어하는 제어부;를 웨이퍼 폴리싱 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가공부는,
    웨이퍼의 중심 및 노치를 정렬하는 정렬부와,
    상기 정렬부에서 정렬된 웨이퍼의 노치를 폴리싱하는 노치(Notch) 가공부와,
    상기 노치 가공부에서 노치 가공된 웨이퍼의 에지 라운드를 폴리싱하는 에지 라운드(Edge round) 가공부와,
    상기 노치 가공부와 에지 라운드 가공부 사이에 웨이퍼를 이송시키는 가공 레일 핸드(Rail hand)로 구성되는 웨이퍼 폴리싱 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 세정부는,
    웨이퍼를 회전시키는 동시에 분사 노즐을 통하여 분사되는 세정액에 웨이퍼를 세정하는 적어도 두 개 이상의 스핀 크리너(Spin cleaner)와,
    상기 스핀 크리너들에서 세정된 웨이퍼를 건조하는 스핀 드라이어(Spin drier)와,
    상기 스핀 크리너들과 스핀 드라이어 사이에 웨이퍼를 이송시키는 세정 레일 핸드(Rail hand)로 구성되는 웨이퍼 폴리싱 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 로딩부와 재가공 스테이지에서 공급되는 웨이퍼에 따라 상기 가공부에서 가공 시간, 가공 압력, 가공 속도를 다르게 설정하여 제어하는 웨이퍼 폴리싱 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로딩부 및 재가공 스테이지와 가공부 사이에 웨이퍼를 이송시키는 제1로봇 핸드;
    상기 가공부와 세정부 사이에 웨이퍼를 이송시키는 이동수단;
    상기 세정부와 검사부 사이에 웨이퍼를 이송시키는 제2로봇 핸드; 및
    상기 검사부와 언로딩부 및 재가공 스테이지 사이에 웨이퍼를 이송시키는 제3로봇 핸드;를 더 포함하는 웨이퍼 폴리싱 장치.
  6. 카세트에 장착된 웨이퍼들을 하나씩 로딩하는 로딩(Loading) 단계;
    상기 로딩 단계에서 로딩된 웨이퍼에 노치 또는 에지 라운드를 폴리싱하는 가공 단계;
    상기 가공 단계에서 폴리싱된 웨이퍼를 세정하고 건조하는 세정 단계;
    상기 세정 단계에서 건조된 웨이퍼의 에지를 검사하는 검사 단계;
    상기 검사 단계의 검사 결과를 만족하는 웨이퍼를 카세트로 언로딩하는 언로딩(Un-loading) 단계;
    상기 검사 단계의 검사 결과를 만족하지 못하는 웨이퍼를 언로딩하고, 상기 언로딩된 웨이퍼에 다시 폴리싱하기 위하여 로딩하는 리로딩(Re-loading) 단계; 및
    상기 리로딩 단계에서 로딩된 웨이퍼를 검사 결과에 따라 다시 폴리싱하는 재가공 단계;를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 방법.
KR1020150150310A 2015-10-28 2015-10-28 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법 KR20170049215A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150150310A KR20170049215A (ko) 2015-10-28 2015-10-28 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150150310A KR20170049215A (ko) 2015-10-28 2015-10-28 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170049215A true KR20170049215A (ko) 2017-05-10

Family

ID=58744009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150150310A KR20170049215A (ko) 2015-10-28 2015-10-28 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170049215A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210133460A (ko) * 2020-04-29 2021-11-08 주식회사 디에이치지 로봇을 이용한 가공 부품 이송 시스템 및 이를 이용한 소재 가공방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210133460A (ko) * 2020-04-29 2021-11-08 주식회사 디에이치지 로봇을 이용한 가공 부품 이송 시스템 및 이를 이용한 소재 가공방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9287145B2 (en) Substrate treatment system, substrate transfer method, and a non-transitory computer storage medium
KR20180015652A (ko) 기판의 검사 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 검사 장치
JP4916890B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US6887124B2 (en) Method of polishing and cleaning substrates
TWI704629B (zh) 晶圓檢查裝置
US6313903B1 (en) Resist coating and developing unit
TWI664670B (zh) 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記憶媒體
TWI828772B (zh) 塗布顯像裝置及塗布顯像方法
KR101585144B1 (ko) 연마방법 및 연마장치, 및 연마장치 제어용 프로그램
US20080031510A1 (en) Method of and apparatus for inspecting wafers in chemical mechanical polishing equipment
JP7452611B2 (ja) 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体
KR101377988B1 (ko) 렌즈 어셈블리 고속 검사 장치
WO2020077649A1 (zh) 一种cmp晶圆清洗设备
CN110568725A (zh) 涂敷膜形成装置和涂敷膜形成装置的调整方法
TW201601875A (zh) 基板處理裝置
TW201519358A (zh) 基板處理裝置
KR20170049215A (ko) 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 폴리싱 방법
CN110534405B (zh) 处理工件的工作站及方法
US10249518B2 (en) Polishing device and polishing method
KR101610003B1 (ko) 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 다단계 세정 장치
JP2000216227A (ja) チャックテ―ブル検査方法
KR20170058070A (ko) 검사 장치용 기판 세정 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션
TW201324600A (zh) 化學機械研磨製程及化學機械研磨系統
JP3811409B2 (ja) 処理装置
TW202302271A (zh) 具有整合的旋轉沖洗乾燥的矽基板的自動化裡外乾燥雙側拋光及計量