KR20180051913A - substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for forming a thin film on a substrate, capable of uniformly distributing a gas on the substrate. The present invention discloses the substrate processing apparatus including: a process chamber (100) for forming a sealed process space (S) for processing a substrate; a substrate support unit (300) on which a plurality of substrates (10) are seated; a gas injection unit (200) disposed at an upper portion of the process chamber (100) while facing the substrate support unit (300) to inject a gas onto the substrate (10) seated on the substrate support unit (300); and a gas exhaust unit installed in the process chamber (100) to exhaust the gas injected from the gas injection unit (200) to an outside, wherein the substrate support unit (300) includes a substrate support plate (310) formed on an upper surface thereof with a plurality of substrate seating parts (316) and having a groove (312) formed around the substrate seating parts (316), a support part (301) for rotating while supporting the substrate support plate (310), and an exhaust guide member (320) for forming an exhaust guide passage (326) having a plurality of penetration parts for exhausting the gas to cover an upper end of the groove 312 so as to exhaust the gas introduced into the groove (312) to a lateral side of the substrate support unit (300) through the penetration parts.

Description

기판처리장치{substrate processing apparatus}[0001]

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판에 박막을 형성하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for forming a thin film on a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해 기판 상에 박막을 형성하는 방법으로, 화학기상증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition), 물리적기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD, Atomic Layer Deposition) 등이 있다.(CVD), physical vapor deposition (PVD), atomic layer deposition (ALD), or the like can be used as a method of forming a thin film on a substrate for manufacturing a semiconductor device have.

이 중 원자층증착법은, 기판 상에 가스를 공급하여 박막을 형성하는 방식이므로, 챔버 내에 기판상에 소스가스, 퍼지가스 및 반응가스를 분사하는 가스분사부와 내부의 가스를 배기하는 가스배기부를 구비한다.Since the atomic layer deposition method is a method of forming a thin film by supplying a gas onto a substrate, a gas ejecting portion for ejecting a source gas, a purge gas, and a reactive gas onto the substrate and a gas exhausting portion for exhausting the gas inside the chamber Respectively.

도 1은, 원자층증착법을 이용하여 기판처리를 하는 종래의 기판처리장치의 일예를 보여주는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a view showing an example of a conventional substrate processing apparatus for performing a substrate processing using an atomic layer deposition method. FIG.

종래의 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체(100)와, 공정챔버(100) 상측에 설치되며 공정챔버(100) 내부로 기판처리를 위한 가스를 분사하는 가스분사부(200)와, 상기 공정챔버(100) 하측에 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 지지하는 기판지지부(300)와, 공정챔버(100)에 설치되어 처리공간의 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함한다.1, the conventional substrate processing apparatus includes a chamber main body 100 forming a closed processing space, and a gas supply unit (not shown) disposed above the process chamber 100 for supplying a gas for substrate processing into the process chamber 100 A substrate support 300 installed below the process chamber 100 to support at least one substrate 10 and a gas supply unit 300 installed in the process chamber 100 for supplying gas And a gas exhaust unit for exhausting the gas to the outside.

상기 가스분사부(200)는, 복수의 기판(10)들을 지지하는 기판지지부(300)와 대응되는 형상으로 형성되고, 기판지지부(300) 상측에 설치되어 기판지지부(300) 상면에 안착된 기판(10)들을 향하여 가스를 분사한다.The gas spraying unit 200 is formed in a shape corresponding to the substrate supporting unit 300 that supports a plurality of substrates 10 and is mounted on the substrate supporting unit 300 and mounted on the upper surface of the substrate supporting unit 300. (10).

상기 기판지지부(300)는, 복수의 기판(10)들이 기판지지부(300)을 중앙을 중심으로 원주방향으로 등간격으로 이격되어 안착되고, 가스분사부(200)에 대하여 상대회전한다.The plurality of substrates 10 are mounted on the substrate supporting part 300 at equal intervals in the circumferential direction around the center of the substrate supporting part 300 and rotate relative to the gas injecting part 200.

종래의 기판처리장치는, 기판지지부(300)가 기판지지부(300)의 중앙을 중심으로 가스분사부(200)에 대해 회전하고 기판(10)들을 향하여 분사된 가스가 기판지지부(300)의 반경방향으로 흘러 공정챔버(100)의 측면에 설치된 가스배기부를 통해 공정챔버(100) 외부로 배기되므로, 기판(10)을 향해 분사되어 박막형성에 영향을 미친 가스가 바로 기판(10) 상에서 제거되지 못하여 기판(10) 상에 공급되는 가스의 분포가 기판(10)의 가장자리로 갈수록 적어지는 문제점이 있다.The conventional substrate processing apparatus is configured such that the substrate supporting portion 300 is rotated about the center of the substrate supporting portion 300 with respect to the gas emitting portion 200 and the gas injected toward the substrate 10 is radiated to the substrate supporting portion 300 The gas that has been injected toward the substrate 10 and has an influence on the formation of the thin film is directly removed on the substrate 10 because the gas is exhausted to the outside of the process chamber 100 through the gas exhaust unit installed on the side surface of the process chamber 100 There is a problem that the distribution of the gas supplied onto the substrate 10 becomes smaller as it goes to the edge of the substrate 10.

즉, 종래의 기판처리장치는, 기판처리장치내의 가스배기가 원활히 이루어지지 않아 기판(10)의 위치에 따라 박막의 두께에 영향을 주는 가스의 분포가 상이하게 나타나고 이에 따라 박막의 균일도가 떨어지게 된다.That is, in the conventional substrate processing apparatus, the gas exhaust in the substrate processing apparatus is not smoothly performed, so that the distribution of the gas affecting the thickness of the thin film is different according to the position of the substrate 10, and the uniformity of the thin film is lowered .

상술한 문제점은, 기판(10) 상에 형성되는 박막의 균일도를 떨어뜨리므로 가스분사부(200)에서 분사된 가스의 흐름을 개선하여 기판(10) 상의 가스의 분포를 균일하게 함으로써, 박막의 균일도를 향상시키기 위한 기술 개발이 요구된다. The above-described problem is to reduce the uniformity of the thin film formed on the substrate 10, thereby improving the flow of the gas injected from the gas injecting unit 200 to uniform the distribution of the gas on the substrate 10, It is required to develop a technique for improving the uniformity.

본 발명의 목적은, 기판 상에 박막을 형성하는 가스의 분포를 균일하게 하여 기판 상에 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly distributing a gas for forming a thin film on a substrate to improve the uniformity of the thin film formed on the substrate.

본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)와 대향되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며, 상기 기판지지부(300)에 안착된 기판(10)에 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되며 상기 가스분사부(200)로부터 분사된 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber 100 for forming a closed process space S for substrate processing; A substrate support 300 on which a plurality of substrates 10 are mounted; A gas spraying part 200 disposed above the process chamber 100 to face the substrate supporting part 300 and injecting gas onto the substrate 10 mounted on the substrate supporting part 300; And a gas exhaust unit installed in the process chamber 100 and exhausting the gas injected from the gas injection unit 200 to the outside.

상기 기판지지부(300)는, 상면에 복수의 기판안착부(316)가 구비되며 상기 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 상기 기판지지플레이트(310)를 지지하며 회전하는 지지부(301)와, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 상기 홈부(312)의 상단을 복개하여 상기 관통부를 통해 상기 홈부(312)로 유입된 가스가 상기 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 배기가이드부재(320)를 포함할 수 있다.The substrate support 300 includes a substrate support plate 310 having a plurality of substrate seating portions 316 on the upper surface thereof and a groove 312 formed around the substrate seating portions 316, 310 and a plurality of perforations for exhausting gas are provided and the gas introduced into the grooves 312 through the perforations is covered with the upper portion of the grooves 312, And an exhaust guide member 320 for forming an exhaust guide passage 326 for exhausting to the side of the support portion 300.

상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판안착부(316)에 대응되는 영역에 개방부(322)가 형성되며 상기 홈부(312)를 복개하는 상면부(321)를 포함할 수 있다.The exhaust guide member 320 may include an upper surface portion 321 formed with an opening portion 322 corresponding to the substrate seating portion 316 and covering the groove portion 312.

상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 측방을 제외한 나머지 부분에서 하측으로 돌출되어 상기 홈부(312)에 삽입되는 측벽부(325)를 더 포함할 수 있다.The exhaust guide member 320 may further include a side wall portion 325 protruding downward from the remaining portion of the substrate support plate 310 except for the lateral sides thereof and inserted into the groove portion 312.

상기 배기가이드유로(326)는, 상기 홈부(312) 및 상기 배기가이드부재(320) 사이 공간에 형성될 수 있다.The exhaust guide passage 326 may be formed in a space between the groove 312 and the exhaust guide member 320.

상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기홀(324)일 수 있다.The penetrating portion may be an exhaust hole 324 penetrating the upper surface portion 321 and formed around the opening portion 322.

상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기슬릿일 수 있다.The penetrating portion may be an exhaust slit passing through the upper surface portion 321 and formed around the opening portion 322.

상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 등간격으로 배치될 수 있다.The plurality of exhaust holes 324 may be spaced apart from each other around the circumference of the opening 322 and disposed at equal intervals.

상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 상이한 간격으로 배치될 수 있다.The plurality of exhaust holes 324 may be arranged at different intervals along the circumference of the opening 322.

상기 지지부(301)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부에 결합되어 회전하며, 상기 복수의 기판안착부(316)는, 상기 지지부(301)에 의한 상기 기판지지플레이트(310)의 회전방향을 따라 배치될 수 있다.The support part 301 is coupled to the center of the substrate support plate 310 and rotates and the plurality of substrate support parts 316 are supported by the support part 301 in the rotation direction of the substrate support plate 310 As shown in FIG.

이때, 상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부로부터 거리에 따라 상이한 직경을 가질 수 있다.At this time, the plurality of exhaust holes 324 may have different diameters depending on the distance from the center of the substrate support plate 310.

상기 기판지지플레이트(310)는, 상기 기판안착부(316) 보다 돌출된 돌출부(317)가 상기 기판안착부(316)와 상기 홈부(312) 사이에 형성될 수 있다.The substrate support plate 310 may have a protrusion 317 protruding from the substrate seating portion 316 between the substrate seating portion 316 and the groove portion 312.

상기 가스배기부는, 상기 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스를 유입하여 외부로 배기하기 위하여 상기 공정챔버(100)의 측벽과 간격을 두고 상기 기판지지플레이트(310)의 가장자리를 따라 형성되는 배기유로홈부(400)를 포함할 수 있다.The gas exhaust unit may include an exhaust gas passage formed along an edge of the substrate support plate 310 at an interval from a side wall of the process chamber 100 for introducing gas discharged from the exhaust guide passage 326 and exhausting the gas to the outside, And may include a channel groove portion 400.

상기 배기유로홈부(400)의 상단은, 기판처리가 수행되는 동안 상기 배기가이드유로(326)의 하측경계(L1) 보다 낮거나 같은 높이에 위치될 수 있다. The upper end of the exhaust passage groove portion 400 may be positioned at a lower or equal height than the lower boundary L1 of the exhaust guide passage 326 during the substrate processing.

상기 공정챔버(100)는, 상측이 개방된 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상측에 결합되어 상기 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함할 수 있다.The process chamber 100 may include a chamber body 110 opened on the upper side and an upper lead 120 coupled to the upper side of the chamber body 110 to form the processing space S.

상기 상부리드(120) 및 상기 가스분사부(200) 중 적어도 어느 하나는, 상기 챔버본체(110)의 내측벽과 상기 가스분사부(200)의 가스분사영역 사이에서 상기 가스분사영역보다 하측으로 더 돌출된 가이드부(122)를 포함할 수 있다.At least one of the upper lead 120 and the gas injecting unit 200 is disposed between the inner wall of the chamber body 110 and the gas injection region of the gas injection unit 200, And may further include a protruding guide portion 122.

상기 가스분사부(200)는, 상기 기판지지부(300)를 향해 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부, 반응가스를 분사하는 반응가스 분사부 및 소스가스 분사부와 반응가스 분사부 사이에 가스혼합을 방지하기 위한 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사부을 포함할 수 있다.The gas injection unit 200 includes a source gas injection unit for injecting a source gas toward the substrate support unit 300, a reaction gas injection unit for injecting a reaction gas, and a gas mixture And a purge gas injecting part for injecting purge gas for preventing the purge gas.

상기 소스가스 분사부, 퍼지가스 분사부 및 반응가스 분사부는, 상기 기판지지플레이트(310)의 회전축을 중심으로 상기 기판안착부(316)의 배치방향을 따라 배치될 수 있다.The source gas spraying unit, the purge gas spraying unit, and the reaction gas spraying unit may be arranged along the arrangement direction of the substrate seating unit 316 around the rotation axis of the substrate support plate 310.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지부에서 기판이 안착되는 기판안착부의 둘레를 따라 형성되며 가스분사부에서 분사되어 기판 상의 박막형성에 기여한 가스가 더 이상 기판 상에 머물지 않도록 바로 배기시키는 복수의 배기홀들 또는 배기슬릿을 구비함으로써, 기판 상에서의 가스의 분포를 균일하게 할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus comprising: a plurality of substrate processing units arranged along a periphery of a substrate mounting portion on which a substrate is mounted on a substrate supporting portion and ejected by a gas ejecting portion to exhaust gas so as to prevent a gas, By providing the exhaust holes or the exhaust slit, there is an advantage that the distribution of the gas on the substrate can be made uniform.

이때, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 배기홀들 또는 배기슬릿을 통과한 가스가 기판지지부의 반경방향으로 형성된 배기유로를 통해 기판지지부의 측방으로 배출되도록 함으로써, 가스가 기판지지부를 상하로 관통하여 통과하지 않아 기판지지부의 하부에 설치되는 히터와 같은 구조물이 가스에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.At this time, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the gas that has passed through the exhaust holes or the exhaust slit is discharged to the side of the substrate supporter through the exhaust path formed in the radial direction of the substrate supporter, It is possible to prevent a structure such as a heater, which is provided at a lower portion of the substrate supporting portion, from being damaged by the gas.

그리고, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버 상부 일부가 배기유로가 위치되는 지점까지 하측을 향하여 돌출되도록 하여 공정챔버의 상부에 형성되는 공간을 제거함으로써, 기판지지부의 배기유로를 통해 배출된 가스가 공정챔버 상부에 형성되는 공간으로 확산되는 것을 방지하여 가스배기구로 향하는 가스의 유동을 개선할 수 있는 이점이 있다. In the substrate processing apparatus according to the present invention, the upper portion of the process chamber is protruded downward to a position where the exhaust passage is located, thereby removing the space formed in the upper portion of the process chamber, There is an advantage that the gas can be prevented from diffusing into the space formed in the upper part of the process chamber, and the flow of the gas toward the gas exhaust port can be improved.

도 1은, 종래의 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도 3은, 도 2의 A부분을 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 4는, 도 2의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 평면도이다.
도 5는, 도 2의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 6은, 도 4의 Ⅰ-Ⅰ방향 단면도이다.1 is a view showing a conventional substrate processing apparatus.
2 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is an enlarged view showing an enlarged part A of Fig.
4 is a plan view showing a part of the configuration of the substrate processing apparatus of Fig.
Fig. 5 is a perspective view showing a part of the constitution of the substrate processing apparatus of Fig. 2; Fig.
Fig. 6 is a sectional view in the I-I direction of Fig.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 기판(10)들을 지지하는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)와 대향 하도록 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며, 상기 기판지지부(300)에 안착된 기판(10)에 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되며 상기 가스분사부(200)로부터 분사된 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a process chamber (100) forming an enclosed process space (S) for substrate processing; A substrate support 300 for supporting a plurality of substrates 10; A gas spraying part 200 installed above the process chamber 100 to face the substrate supporting part 300 and injecting gas onto the substrate 10 mounted on the substrate supporting part 300; And a gas exhaust unit installed in the process chamber 100 and exhausting gas injected from the gas injection unit 200 to the outside.

상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is configured to form a closed process space S for substrate processing, and various configurations are possible.

상기 공정챔버(100)는, 상측이 개방된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함할 수 있다.The process chamber 100 may include a chamber body 110 opened at an upper side and an upper lead 120 coupled to an upper portion of the chamber body 110 to form a closed processing space S. [

그리고, 상기 공정챔버(100)는, 기판인입 또는 기판반출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 일측에 형성될 수 있다.In the process chamber 100, one or more gates 111 may be formed on one side for substrate entry or substrate exit.

상기 기판지지부(300)는, 공정챔버(100)에 회전가능하게 설치되며, 상면 둘레를 따라 복수의 기판(10)들이 안착되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate supporting unit 300 is rotatably installed in the process chamber 100, and a plurality of substrates 10 are mounted along the upper surface of the substrate supporting unit 300.

상기 기판지지부(300)는, 상하구동부(미도시)에 의해 상하이동되는 지지부(301)와 중앙부(C)에서 결합되어 공정챔버(100) 내에서 상하이동될 수 있다.The substrate supporting part 300 may be moved up and down in the process chamber 100 by being coupled with the supporting part 301 moved up and down by a vertical driving part (not shown) at the central part C.

상기 지지부(301)는, 공정챔버(100)의 하측에서 관통되어 공정챔버(100)에 설치될 수 있다.The support portion 301 may be installed in the process chamber 100 through the lower side of the process chamber 100.

상기 지지부(301)는, 기판지지부(300)의 중심(C)을 지나는 수직방향 회전축을 중심으로 기판지지부(300)를 회전시키기 위하여 회전모터(미도시)와 결합되어 회전될 수 있다.The support part 301 may be coupled with a rotation motor (not shown) to rotate the substrate support part 300 about a vertical rotation axis passing through the center C of the substrate support part 300.

상기 기판지지부(300)는, 평면형상이 원형 또는 다각형 등의 형상으로 이루어질 수 있다.The substrate support 300 may have a circular or polygonal planar shape.

상기 기판지지부(300)는, 공정환경에 따라 다양한 재질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 그래파이트(Graphite) 재질로 형성수 있다.The substrate supporting part 300 may be made of various materials according to the process environment, and may be formed of, for example, a graphite material.

상기 기판지지부(300)는, 상면 둘레를 따라 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판안착부(316)가 구비될 수 있다.The substrate support part 300 may include a substrate seating part 316 on which a plurality of substrates 10 are mounted along the upper surface.

상기 기판안착부(316)에는, 공정챔버(100)로의 기판인입 또는 기판인출시 상하이동되는 리프트핀(미도시)을 위한 리프트핀홀(600)이 형성될 수 있다.A lift pinhole 600 may be formed in the substrate seating part 316 for lifting the substrate into the process chamber 100 or lifting the lift pin (not shown).

상기 가스분사부(200)는, 기판지지부(300)와 마주보도록 공정챔버(100) 상측에 설치되어 공정챔버(100) 내부로 기판처리를 위한 가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas injecting unit 200 may be configured to inject gas for substrate processing into the process chamber 100 on the upper side of the process chamber 100 so as to face the substrate supporting unit 300.

예로서, 상기 가스분사부(200)는, 기판지지부(300)의 상면에 안착되는 기판(10)에 가스를 분사하기 위하여, 기판지지부(300)와 대응되는 평면형상으로 공정챔버(100)의 상부리드(120)에 설치될 수 있다.For example, the gas spraying unit 200 may include a gas injection unit 200 for injecting a gas into the process chamber 100 in a planar shape corresponding to the substrate support unit 300 in order to inject gas onto the substrate 10 mounted on the upper surface of the substrate support unit 300. And may be installed in the upper lead 120.

상기 기판처리장치가 원자층증착장치인 경우, 상기 가스분사부(200)는, 상기 기판지지부(300)를 향해 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부(미도시), 반응가스를 분사하는 반응가스 분사부(미도시) 및 소스가스 분사부과 반응가스 분사부 사이에 가스혼합을 방지하기 위한 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사부(미도시)를 포함할 수 있다.When the substrate processing apparatus is an atomic layer deposition apparatus, the gas spraying unit 200 includes a source gas spraying unit (not shown) for spraying a source gas toward the substrate supporting unit 300, a reactive gas And a purge gas injecting unit (not shown) for injecting a purge gas for preventing gas mixing between the injecting unit (not shown) and the source gas injecting unit and the reactive gas injecting unit.

상기 분사부들은, 기판지지부(300)의 둘레 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.The ejecting portions may be sequentially disposed along the circumferential direction of the substrate supporting portion 300.

예를들어, 상기 소스가스 분사부, 퍼지가스 분사부 및 반응가스 분사부는, 기판지지부(300)의 회전축을 중심으로 기판(10)의 배치방향을 따라 배치될 수 있다.For example, the source gas injecting portion, the purge gas injecting portion, and the reaction gas injecting portion may be arranged along the arrangement direction of the substrate 10 about the rotation axis of the substrate supporting portion 300.

구체적으로, 상기 가스분사부(200)는, 한국공개특허 제10-2014-0000447호에 개시된 가스분사장치와 동일하게 구성될 수 있다.Specifically, the gas injecting unit 200 may be configured in the same manner as the gas injecting apparatus disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2014-0000447.

상기 가스배기부는, 공정챔버(100)에 형성되는 배기구(402)를 통해 외부의 진공펌프와 연결되어 가스를 외부로 배기하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas exhaust unit may be configured to have a variety of configurations by being connected to an external vacuum pump through an exhaust port 402 formed in the process chamber 100 and exhausting the gas to the outside.

상기 가스배기부는, 처리공간(S)내의 가스를 유입하여 외부로 배기하기 위하여 공정챔버(100)의 측벽과 간격을 두고 기판지지플레이트(310)의 가장자리를 따라 형성되는 배기유로홈부(400)를 포함할 수 있다.The gas exhaust unit includes an exhaust flow path groove portion 400 formed along an edge of the substrate support plate 310 at an interval from the side wall of the process chamber 100 to exhaust gas into the process space S .

상기 배기유로훔부(400)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 히터부(500)에 가스가 유입되지 않도록 기판지지플레이트(310)의 가장자리에 최대한 근접하게 위치됨이 바람직하다.As shown in FIG. 2, it is preferable that the exhaust flow path 400 is located as close as possible to the edge of the substrate support plate 310 so as to prevent gas from flowing into the heater unit 500.

상기 배기유로홈부(400)는, 상단에 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스가 흡입되는 배플(baffle)이 결합될 수 있다.A baffle through which the gas discharged from the exhaust guide passage 326 is sucked may be coupled to the upper end of the exhaust passage groove portion 400.

상기 배플 주변의 가스는 외부에 설치된 진공펌프에 의해 배플로 흡인된 후 외부배기유로를 따라 이동하여 배기될 수 있다.The gas around the baffle may be sucked into the baffle by an externally installed vacuum pump and then moved along the external exhaust passage to be exhausted.

한편, 종래의 기판처리장치는, 상술한 바와 같이, 기판지지부(300)가 가스분사부(200)에 대해 회전하고 기판(10)들을 향하여 분사된 가스가 기판지지부(300) 상면에서 반경방향으로 흘러 공정챔버(100) 외부로 배기되므로, 기판(10)을 향해 분사되어 박막형성에 영향을 미친 가스가 바로 기판(10) 상에서 제거되지 못하여 기판(10) 상에 공급되는 가스의 분포가 기판(10)의 가장자리로 갈수록 적어지는 문제점이 있다.In the conventional substrate processing apparatus, as described above, the substrate supporting portion 300 rotates with respect to the gas spraying portion 200, and the gas injected toward the substrate 10 is radially directed from the upper surface of the substrate supporting portion 300 The gas which has been injected toward the substrate 10 and influences the formation of the thin film can not be directly removed on the substrate 10 so that the distribution of the gas supplied onto the substrate 10 can be prevented 10).

또한, 종래의 기판처리장치는, 상기 기판지지부(300)의 하부에 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(500)가 설치되는 것이 일반적이다.In addition, in the conventional substrate processing apparatus, a heater unit 500 for heating the substrate 10 is generally provided below the substrate supporting unit 300.

상기 히터부(500)는, 기판(10)을 공정온도로 가열하기 위한 것으로, 전원인가시 발열되는 발열부재(미도시)와 발열부재를 보호하기 위하여 발열부재를 커버부재를 포함할 수 있다.The heater unit 500 is for heating the substrate 10 to a process temperature. The heater unit 500 may include a heating member (not shown) that generates heat when power is applied and a cover member that protects the heating member.

이때, 가스가 히터부(500)의 내부로 유입되는 경우, 가스가 히터부(500)의 발열부재와 반응하거나 히터부(500)의 내부에 증착되어 히터부(500)가 손상되며 수명이 단축되는 문제점이 있다.At this time, when the gas flows into the heater unit 500, the gas reacts with the heating member of the heater unit 500 or is deposited inside the heater unit 500 to damage the heater unit 500, .

이에 본 발명에 따른 기판처리장치에서, 상기 기판지지부(300)는, 기판지지부(300)를 향해 분사된 가스가 기판(10)의 박막형성에 기여한 후 바로 배기되도록 하며, 기판지지부(300)의 하부에 설치되는 히터부(500)와 같은 구조물이 손상되지 않도록 가스가 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 복수의 기판 안착모듈(320)을 포함할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the substrate supporter 300 allows the gas injected toward the substrate supporter 300 to be exhausted immediately after it contributes to the formation of the thin film of the substrate 10, And a plurality of substrate seating modules 320 for allowing gas to be exhausted laterally of the substrate support 300 so that structures such as the heater unit 500 installed at the lower portion are not damaged.

구체적으로, 상기 기판지지부(300)는, 상면에 복수의 기판안착부(316)가 구비되며 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 기판지지플레이트(310)를 지지하며 회전하는 지지부(301)와, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 홈부(312)의 상단을 복개하여 관통부를 통해 홈부(312)로 유입된 가스가 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 배기가이드부재(320)를 포함할 수 있다.The substrate support unit 300 includes a substrate support plate 310 having a plurality of substrate mounts 316 on the upper surface thereof and a groove 312 formed around the substrate mounts 316, And the gas introduced into the groove 312 through the penetrating part is supplied to the substrate supporting part 300 through the penetrating part 300. The supporting part 301 supports the substrate 310, And an exhaust guide passage 320 for exhausting the exhaust gas to the side of the exhaust guide member 320.

상기 기판지지플레이트(310)는, 지지부(301)와 결합되어 상하이동 및 회전되며 후술하는 복수의 배기가이드부재(320)들과 결합되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support plate 310 can be variously configured by being coupled with the support portion 301 to be vertically moved and rotated and being coupled with a plurality of exhaust guide members 320 described later.

상기 기판지지플레이트(310)는, 복수의 배기가이드부재(320)을 상면에서 지지하는 수평단면이 원형인 플레이트로 이루어질 수 있다.The substrate support plate 310 may be formed of a plate having a circular horizontal cross section and supporting a plurality of exhaust guide members 320 on the upper surface.

상기 기판지지플레이트(310)는, 지지부(301)의 회전축을 중심으로 원주방향을 따라서 배치되며 기판(10)이 안착되는 기판안착부(316)를 구비할 수 있다.The substrate support plate 310 may include a substrate seating portion 316 disposed along the circumferential direction about the rotation axis of the support portion 301 and on which the substrate 10 is seated.

예로서, 상기 기판안착부(316)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 6개로 이루어져 기판지지플레이트(310)의 상면 둘레를 따라 배치될 수 있다.For example, the substrate seating portion 316 may be disposed along the upper surface of the substrate support plate 310, as shown in FIGS.

상기 기판안착부(316)는, 기판(10)과 대응되는 형상으로 이루어져 기판(10)이 안착되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate seating part 316 may have various shapes corresponding to the substrate 10, and the substrate 10 may be seated thereon.

이때, 상기 기판지지플레이트(310)는, 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성될 수 있다.At this time, the substrate support plate 310 may have a groove 312 formed around the substrate seating portion 316.

상기 홈부(312)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 배기가이드유로(326)를 통과한 가스가 기판지지플레이트(310)의 측방에서 배출될 수 있도록, 기판지지플레이트(310)의 상면 및 측면의 경계를 이루는 모서리(E)까지 이어지도록 형성될 수 있다.5, the groove 312 is formed in the upper surface and the side surface of the substrate support plate 310 so that the gas that has passed through the exhaust guide channel 326 can be discharged from the side of the substrate support plate 310. [ To the edge (E) which forms the boundary between the two ends.

그리고, 상기 기판지지플레이트(310)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 안정적으로 안착될 수 있도록 기판안착부(316) 보다 돌출된 돌출부(317)가 기판안착부(316)와 홈부(312) 사이에 형성될 수 있다.6, a protrusion 317 protruding from the substrate seating portion 316 is formed on the substrate seating portion 316 so that the substrate 10 can be stably mounted. And the groove 312, as shown in FIG.

그리고 상기 배기가이드부재(320)는, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 홈부(312)의 상단을 복개하여 관통부를 통해 홈부(312)로 유입된 가스가 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The exhaust guide member 320 is provided with a plurality of through holes for exhausting the gas and the gas introduced into the groove 312 through the penetrating part is covered with the upper end of the groove 312 to the side of the substrate supporting part 300 And an exhaust guide passage 326 for exhausting the exhaust gas.

상기 배기가이드부재(320)는, 홈부(312)의 상단을 복개함으로써 홈부(312)와 배기가이드부재(320) 사이에 배기가이드유로(236)을 형성할 수 있다.The exhaust guide member 320 may form an exhaust guide passage 236 between the groove 312 and the exhaust guide member 320 by covering the upper end of the groove 312.

일 실시예에서, 상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판안착부(316)에 대응되는 영역에 개방부(322)가 형성되며 상기 홈부(312)를 복개하는 상면부(321)를 포함할 수 있다.The exhaust guide member 320 includes an upper portion 321 formed with an opening portion 322 corresponding to the substrate seating portion 316 and covering the groove portion 312 .

상기 상면부(321)는, 개방부(322)가 형성되는 플레이트로, 기판지지플레이트(310)에 형성되는 홈부(312)를 복개하는 한편 홈부(312) 또는 기판안착부(316)에 형성되는 단차구조(미도시)에 의해 지지되어 기판지지플레이트(310)에 결합될 수 있다.The upper surface portion 321 is a plate on which the opening portion 322 is formed and is formed in the groove portion 312 or the substrate seating portion 316 while covering the groove portion 312 formed in the substrate support plate 310 May be supported by a stepped structure (not shown) and coupled to the substrate support plate 310.

상기 개방부(322)는, 기판안착부(316)가 삽입될 수 있도록 기판안착부(316)와 동일한 형상으로 이루어질 수 있다.The opening portion 322 may have the same shape as the substrate seating portion 316 so that the substrate seating portion 316 may be inserted.

이때, 상기 관통부는, 가스배기를 위한 구성으로, 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기홀(324)이거나 또는 호형상으로 형성되는 배기슬릿일 수 있다.At this time, the through-hole may be an exhaust hole 324 formed in the periphery of the opening portion 322 through the upper surface portion 321, or an exhaust slit formed in an arc shape, for gas exhaust.

상기 관통부가 배기홀(324)인 경우, 상기 복수의 배기홀(324)들은 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 등간격으로 배치되거나 또는 상이한 간격으로 배치될 수 있다.When the through hole is an exhaust hole 324, the plurality of exhaust holes 324 may be spaced apart from one another along the circumference of the opening 322, or may be disposed at different intervals.

또한, 상기 복수의 배기홀(324)들은, 기판지지플레이트(310)의 중심부로부터 거리에 따라 상이한 직경을 가지도록 형성될 수 있다.The plurality of exhaust holes 324 may be formed to have different diameters depending on the distance from the center of the substrate support plate 310.

상기 복수의 배기홀(324)들은, 개방부(322)의 둘레에 한 줄로 형성될 수 있으나, 공정환경에 따라 여러 줄로 형성될 수 있음은 물론이다.The plurality of exhaust holes 324 may be formed in one line around the opening 322, but may be formed in a plurality of lines depending on the process environment.

다른 일 실시예에서, 상기 배기가이드부재(320)는, 상면부(321)에 더하여, 상면부(321) 중 기판지지플레이트(310)의 측방을 제외한 나머지 부분에서 하측으로 돌출되어 상기 홈부(312)에 삽입되는 측벽부(325)를 더 포함할 수 있다.The exhaust guide member 320 protrudes downward from the upper surface portion 321 of the upper surface portion 321 except for the lateral sides of the substrate support plate 310 so that the groove portion 312 And a side wall portion 325 inserted into the side wall portion 325. [

한편, 상기와 같은 구성을 가지는 배기가이드부재(320)에 의하여 관통부를 통과한 가스가 상기 배기가이드유로(326)을 통해 배기유로홈부(400)으로 가이드될 수 있다.Meanwhile, the gas having passed through the penetration portion can be guided to the exhaust passage groove portion 400 through the exhaust guide passage 326 by the exhaust guide member 320 having the above-described structure.

상기 배기유로홈부(400)의 상단은, 가스의 흐름을 방해하지 않기 위하여, 기판처리가 수행되는 동안 상기 배기가이드유로(326)의 하측경계(L1) 보다 낮거나 같은 높이에 위치됨이 바람직하다.The upper end of the exhaust flow path groove portion 400 is preferably located at a level lower than or equal to a lower boundary L1 of the exhaust guide flow path 326 during substrate processing so as not to interfere with the flow of the gas .

이를 통해, 상기 배기유로홈부(400)는, 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스의 유동을 방해하지 않으면서 가스가 기판지지플레이트(310) 하부의 히터부(500)로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The exhaust flow path groove portion 400 prevents the gas from flowing into the heater portion 500 under the substrate support plate 310 without interfering with the flow of the gas discharged from the exhaust guide flow path 326 .

한편, 상기 배기가이드유로(326)를 통해 배출된 가스는 공정챔버(100) 내에서 가스배기부의 배기유로홈부(400)를 향하는 방향이 아닌 다른 방향으로 확산될 수 있다.Meanwhile, the gas discharged through the exhaust guide passage 326 may be diffused in the process chamber 100 in a direction other than the direction toward the exhaust passage groove portion 400 of the gas exhaust portion.

상기 배기가이드유로(326)를 통해 배출된 가스가 다른 방향으로 확산되는 경우, 가스의 배기경로를 방해하여 가스가 원활히 배기되지 않는 문제점이 있다.When the gas discharged through the exhaust guide passage 326 diffuses in another direction, there is a problem that the gas is not smoothly exhausted due to the obstruction of the exhaust path of the gas.

따라서, 상기 배기가이드유로(326)를 통해 배출된 가스가 다른 방향으로 확산되는 것을 방지하기 위하여, 상기 상부리드(120) 및 상기 가스분사부 중 적어도 어느 하나는, 챔버본체(110)의 내측벽과 가스분사부(200)의 가스분사영역 사이에서 가스분사영역보다 하측으로 더 돌출된 가이드부(122)를 포함할 수 있다.At least one of the upper lead 120 and the gas injection part may be formed on an inner wall of the chamber body 110 to prevent the gas discharged through the exhaust guide channel 326 from diffusing in other directions. And a guide part 122 further protruding downward from the gas injection area between the gas injection area of the gas injection part 200 and the gas injection area.

상기 가이드부(122)는, 가스의 유동을 방해하지 않기 위하여 배기가이드유로(326)의 상측경계(L2) 보다 높거나 같은 높이까지 돌출됨이 바람직하다.The guide part 122 may protrude to a level higher than or equal to the upper boundary L2 of the exhaust guide passage 326 so as not to interfere with the flow of the gas.

상기 가이드부(122)는, 공정챔버(100) 내의 불필요한 공간을 제거 함으로써, 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스가 다른 방향으로 확산되지 않고 외부배기유로를 향해 흐르도록 가이드하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The guide portion 122 is configured to guide unnecessary spaces in the process chamber 100 so that the gas discharged from the exhaust guide flow path 326 flows toward the external exhaust flow path without being diffused in the other direction. This is possible.

도 2는, 상기 가이드부(122)가 상부리드(120)와 일체로 형성되는 경우를 도시하였으나 이는 일 실시예일뿐, 이에 한정되는 것은 아니다.FIG. 2 shows a case where the guide part 122 is formed integrally with the upper lead 120. However, the present invention is not limited thereto.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100: 공정챔버 200: 가스분사부
300: 기판지지부 100: Process chamber 200:
300:

Claims (13)

기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)와 대향되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며, 상기 기판지지부(300)에 안착된 기판(10)에 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되며 상기 가스분사부(200)로부터 분사된 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함하며,
상기 기판지지부(300)는,
상면에 복수의 기판안착부(316)가 구비되며 상기 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 상기 기판지지플레이트(310)를 지지하며 회전하는 지지부(301)와, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 상기 홈부(312)의 상단을 복개하여 상기 관통부를 통해 상기 홈부(312)로 유입된 가스가 상기 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 배기가이드부재(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber (100) forming an enclosed process space (S) for substrate processing; A substrate support 300 on which a plurality of substrates 10 are mounted; A gas spraying part 200 disposed above the process chamber 100 to face the substrate supporting part 300 and injecting gas onto the substrate 10 mounted on the substrate supporting part 300; And a gas exhaust unit installed in the process chamber 100 and exhausting the gas injected from the gas injection unit 200 to the outside,
The substrate support 300 may include a substrate support 300,
A substrate support plate 310 having a plurality of substrate seating portions 316 on an upper surface thereof and a groove 312 formed around the substrate seating portions 316, And the gas introduced into the groove 312 through the penetrating part is exhausted to the side of the substrate supporting part 300. In addition, And an exhaust guide member (320) for forming an exhaust guide passage (326) for allowing the exhaust gas to pass through the exhaust guide passage (326). 청구항 1에 있어서,
상기 배기가이드부재(320)는,
상기 기판안착부(316)에 대응되는 영역에 개방부(322)가 형성되며 상기 홈부(312)를 복개하는 상면부(321)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The exhaust guide member (320)
And an upper surface portion (321) having an opening portion (322) formed in a region corresponding to the substrate seating portion (316) and covering the groove portion (312). 청구항 2에 있어서,
상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 측방을 제외한 나머지 부분에서 하측으로 돌출되어 상기 홈부(312)에 삽입되는 측벽부(325)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
The exhaust guide member (320) further includes a side wall part (325) protruded downward from the remaining part except the side of the substrate support plate (310) and inserted into the groove part (312) Device. 청구항 2에 있어서,
상기 배기가이드유로(326)는,
상기 홈부(312) 및 상기 배기가이드부재(320) 사이 공간에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
The exhaust guide passage 326 is formed in a substantially cylindrical shape,
(312) and the exhaust guide member (320). 청구항 2에 있어서,
상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기홀(324)인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
Wherein the penetrating portion is an exhaust hole (324) passing through the upper surface portion (321) and formed around the opening portion (322). 청구항 2에 있어서,
상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기슬릿인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
Wherein the through-hole is an exhaust slit passing through the upper surface portion (321) and formed around the opening (322). 청구항 5에 있어서,
상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
Wherein the plurality of exhaust holes (324) are spaced apart from each other around the circumference of the opening (322). 청구항 5에 있어서,
상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 상이한 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
Wherein the plurality of exhaust holes (324) are spaced apart from each other around the periphery of the opening (322). 청구항 5에 있어서,
상기 지지부(301)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부에 결합되어 회전하며,
상기 복수의 기판안착부(316)는, 상기 지지부(301)에 의한 상기 기판지지플레이트(310)의 회전방향을 따라 배치되며,
상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부로부터 거리에 따라 상이한 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
The support portion 301 is coupled to the center of the substrate support plate 310 and rotates,
The plurality of substrate seating portions 316 are disposed along the rotation direction of the substrate support plate 310 by the support portions 301,
Wherein the plurality of exhaust holes (324) have different diameters depending on the distance from the center of the substrate support plate (310). 청구항 5에 있어서,
상기 기판지지플레이트(310)는,
상기 기판안착부(316) 보다 돌출된 돌출부(317)가 상기 기판안착부(316)와 상기 홈부(312) 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
The substrate support plate (310)
Wherein a protrusion (317) protruding from the substrate seating part (316) is formed between the substrate seating part (316) and the groove part (312). 청구항 1에 있어서,
상기 가스배기부는, 상기 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스를 유입하여 외부로 배기하기 위하여 상기 공정챔버(100)의 측벽과 간격을 두고 상기 기판지지플레이트(310)의 가장자리를 따라 형성되는 배기유로홈부(400)를 포함하며,
상기 배기유로홈부(400)의 상단은, 기판처리가 수행되는 동안 상기 배기가이드유로(326)의 하측경계(L1) 보다 낮거나 같은 높이에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method according to claim 1,
The gas exhaust unit may include an exhaust gas passage formed along an edge of the substrate support plate 310 at an interval from a side wall of the process chamber 100 for introducing the gas discharged from the exhaust guide channel 326 and exhausting the gas to the outside. And a channel groove portion 400,
Wherein an upper end of the exhaust flow path groove part (400) is positioned at a lower or equal height than a lower side boundary (L1) of the exhaust guide flow path (326) during a substrate process. 청구항 11에 있어서,
상기 공정챔버(100)는, 상측이 개방된 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상측에 결합되어 상기 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하며,
상기 상부리드(120) 및 상기 가스분사부(200) 중 적어도 어느 하나는, 상기 챔버본체(110)의 내측벽과 상기 가스분사부(200)의 가스분사영역 사이에서 상기 가스분사영역보다 하측으로 더 돌출된 가이드부(122)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
The process chamber 100 includes a chamber body 110 opened on the upper side and an upper lead 120 coupled to an upper side of the chamber body 110 to form the processing space S,
At least one of the upper lead 120 and the gas injecting unit 200 is disposed between the inner wall of the chamber body 110 and the gas injection region of the gas injection unit 200, Further comprising a guide portion (122) protruding from the substrate. 청구항 1 내지 12에 있어서,
상기 가스분사부(200)는,
상기 기판지지부(300)를 향해 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부, 반응가스를 분사하는 반응가스 분사부 및 소스가스 분사부와 반응가스 분사부 사이에 가스혼합을 방지하기 위한 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사부을 포함하며,
상기 소스가스 분사부, 퍼지가스 분사부 및 반응가스 분사부는,
상기 기판지지플레이트(310)의 회전축을 중심으로 상기 기판안착부(316)의 배치방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 12,
The gas spraying unit 200 includes:
A source gas spraying part for spraying the source gas toward the substrate supporting part 300, a reaction gas spraying part for spraying the reaction gas, and a purge gas for spraying the gas mixture between the source gas spraying part and the reaction gas spraying part And a purge gas injection portion,
Wherein the source gas injecting section, the purge gas injecting section,
Is disposed along a direction in which the substrate seating portion (316) is arranged with the rotation axis of the substrate support plate (310) as a center.
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