KR20180050979A - Thinner composition for improving applying performance a photosensitive resin and anti-reflective coating, and removing the photosensitive resin and anti-reflective coating - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a thinner thin film transistor liquid crystal display device and a thinner for enhancing and removing coating properties of a photosensitive resin and an antireflection film.
반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성해나가는 작업으로 매우 중요한 작업중의 하나이다. In a photolithography process during the manufacturing process of a semiconductor device, a photosensitive resin composition is coated on a wafer, a predetermined pattern is transferred, and then an electronic circuit is formed through an etching process appropriately according to the transferred pattern This is one of the most important tasks.
이러한 포토리소그래피 공정은 (1)웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2)도포된 감광막으로부터 용매를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 부착하게 하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3)자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광(露光)공정, (4)광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상(現像)공정, (5)현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀하게 고착시키기 위한 하드 베이킹(hard baking) 공정, (6)현상된 감광막의 패턴에 따라 일정부위를 에칭하는 식각(蝕刻)공정 및 (7)상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리(剝離) 공정 등으로 진행된다.Such a photolithography process includes (1) a coating process for uniformly applying a photosensitive resin composition to the surface of a wafer, (2) a soft baking process for causing a photosensitive film to adhere to the surface of a wafer by evaporating a solvent from the applied photosensitive film (3) an exposure process for exposing the photoresist film while transferring the circuit pattern on the mask repeatedly and sequentially while reducing the light exposure using a light source such as ultraviolet rays to transfer the pattern of the mask onto the photoresist film, (4) (5) a process of selectively removing the portions of the photoresist film remaining on the wafer after the development work by using a developing solution to fix the photoresist film more closely to the wafer A hard baking process, (6) an etching process for etching a predetermined portion according to the pattern of the developed photoresist, and (7) Proceeds to such separation (剝離) step for removing the photosensitive film yohage.
상기 포토리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 감광막을 공급하고 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전도포 공정은 원심력으로 인해 기판의 에지부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치 내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시키므로, 이를 제거하기 위하여 기판의 에지부위와 후면부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지부위와 후면부위에 유기용매 성분으로 구성된 신너 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.In the spin coating process in which the photosensitive film is supplied onto the wafer in the photolithography process and the substrate is rotated to uniformly spread the surface by centrifugal force, the photosensitive film is molten due to the centrifugal force to form a small spherical material. The spherical material may be peeled off during transfer of the substrate after the baking process, which may cause particles in the device and cause defocusing during exposure. In order to remove the unnecessary photosensitive material as a cause of the contamination of the equipment and to reduce the yield in the manufacturing process of the semiconductor device, an injection nozzle is installed above and below the edge portion and the rear portion of the substrate, A thinner composition composed of an organic solvent component is sprayed thereon to remove the thinner composition.
상기 신너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 신너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있느냐 하는 능력으로 매우 중요하다. 구체적으로 에지부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있으며, 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라고 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근 들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도화에 따른 기판의 대구경화로 인해 회전도포기를 이용한 린스공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전 속도에 따른 기판의 요동과 분사되는 신너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 신너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인한 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 신너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.Factors that determine the performance of the thinner composition include dissolution rate and volatility. The dissolution rate of the thinner composition is very important as the ability to dissolve and remove the photosensitive resin quickly and effectively. Specifically, in the rinsing of the edge portion, a proper processing speed can be obtained with an appropriate dissolution rate, and if the dissolution rate is too high, a photoresist attack may appear in the rinsing of the photoresist applied to the substrate. On the other hand, if the dissolution rate is too low, a partially dissolved photoresist tail flow phenomenon called tailing may appear in the rinse of the photoresist layer applied to the substrate. Especially in recent years, due to the high integration and high density of semiconductor integrated circuits, the substrate is hardened to a large extent, so that the rpm of the rotation speed is inevitable in the case of the rinsing process using the rotary evaporator. In this rinse process, when the substrate rotation due to the low rotation speed and the contact speed of the thinner composition to be sprayed do not have a proper dissolution rate, a bounding phenomenon appears and the use of unnecessary thinner composition is increased. In such a low rotation rinse process due to the large-scale curing of the substrate, a stronger dissolution rate of the thinner is required than in the conventional high rotation rinse process.
또한, 휘발성은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구된다. 휘발성이 너무 낮아 신너 조성물의 휘발되지 못하고 잔류하는 경우, 잔류하는 신너의 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상과 사용 중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다. 이로 인한 각종 테일링이나 감광막 어택 등의 불량은 모두 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 직접적인 원인이 되고 있다.Further, it is required that the volatility does not remain on the surface of the substrate easily after volatilization after removing the photosensitive resin. If the thinner composition is not volatilized and remains volatile, the residual thinner itself may act as a contamination source in various processes, particularly in a subsequent etching process, and may cause a problem of lowering the yield of semiconductor devices. When the volatility is too high, the substrate rapidly cools and the thickness variation of the applied photoresist becomes worse, and it can easily volatilize into the atmosphere during use, which may cause the cleanliness itself to be contaminated. Defects such as various tailings and photoresist attack are all a direct cause of lowering the yield of semiconductor devices.
대한민국 특허등록 제10-0503967호는 프로필렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트 1 내지 80 중량부, 씨클로 케톤 1 내지 99 중량부, 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부 및 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부 를 포함하는 세정용 신너 조성물을 개시한다. 그러나 상기 신너 조성물은 폴리에틸렌 옥사이드계 축합물 및 플루오리네이티드 아클릴릭 코폴리머 등의 폴리머가 포함됨으로서 파티클을 잔존시킬 가능성이 높다는 단점을 가지며, 신너의 용해도가 떨어져 PAG나 수지의 성분이 석출되는 문제를 야기할 수 있다.Korean Patent Registration No. 10-0503967 discloses a composition comprising 1 to 80 parts by weight of propylene glycol monoalkyl ether acetate, 1 to 99 parts by weight of a cycloketone, 0.001 to 1 part by weight of a polyethylene oxide-based condensate and 0.001 to 1 part by weight of a fluorinated acrylic copolymer A cleaning thinner composition comprising: However, the thinner composition has a disadvantage in that particles are likely to remain due to the inclusion of a polymer such as a polyethylene oxide-based condensate and a fluorinated acylic copolymer, and the problem that the solubility of the thinner deteriorates and the components of the PAG and the resin are precipitated You can.
한편 웨이퍼 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 공정에 있어서 대한민국 공개특허 제10-2003-0095033호에서와 같이, 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하기 이전에 신너를 먼저 도포하여 웨이퍼의 표면장력을 낮춘 상태에서 포토레지스트를 도포하여 적은 량의 포토레지스트의 양으로 패턴의 단차를 극복하면서 고르게 도포하는 공정이 이루어지고 있다. On the other hand, in the step of uniformly applying the photosensitive resin composition to the surface of the wafer, as described in Korean Patent Laid-Open No. 10-2003-0095033, thinner is first applied before the photoresist is applied to the wafer surface to lower the surface tension of the wafer A step of applying a photoresist in a state where the amount of the photoresist is less than the amount of the photoresist is overcome while the step of the pattern is overcome.
그러나, 이 경우에도 신너의 휘발성이 높으면 포토레지스트가 고르게 퍼지지 못하고, 웨이퍼 위에 미세한 패턴의 단차를 극복하지 못하여 웨이퍼 가장자리에서 갈라지는 현상이 발생한다. 휘발성이 너무 낮으면, 포토레지스트 도포 시에 잔존 신너에 의해 포토레지스가 어택을 받는 문제점이 발생한다. 휘발도 뿐만 아니라 도포되는 형상은 유기용매의 표면장력, 포토레지스트에 포함된 유기용매 및 포토레지스트의 주성분인 감광성 레진의 구조에 기인하므로, 이를 모두 만족시키는 신너 조성물을 필요로 한다.However, even in this case, if the volatility of the thinner is high, the photoresist can not spread evenly, and a step of fine pattern on the wafer can not be overcome, so that a phenomenon occurs at the edge of the wafer. If the volatility is too low, there is a problem that the photoresist is attacked by the remaining thinner at the time of applying the photoresist. Not only the volatility but also the shape to be applied is due to the surface tension of the organic solvent, the organic solvent contained in the photoresist and the structure of the photosensitive resin which is the main component of the photoresist, and therefore a thinner composition satisfying all of them is required.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the above-
반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인해 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 감광막에 대해 균일한 제거 성능을 지닌 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a thinner composition having a uniform removal performance against an unnecessary photoresist film generated on the edge portion or the rear portion of a substrate due to the large-scale curing of a substrate used for manufacturing semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices.
특히, 본 발명은 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트, SOH(Spin-on-Hardmask), SOC(Spin-on_carbon) 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가짐으로써 EBR 공정뿐만 아니라 리워크 등의 공정에서도 효과적으로 사용할 수 있으며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하여 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정(RRC 공정)에서도 우수한 특성을 제공하는 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. Particularly, the present invention has excellent solubility in various photoresists including i-line, KrF and ArF photoresist, spin-on-hard mask (SOH), spin-on-carbon (SOC) (RRC process) in which the thinner composition is applied before the photoresist application to improve the coating performance of the photoresist, thereby improving the coating performance of the photoresist as well as the EBR process and the rework process It is an object of the present invention to provide a thinner composition.
또한 본 발명은 종래기술과 비교하여 더 우수한 효과를 제공하면서도, 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높은 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a thinner composition which provides a superior effect as compared with the prior art, and which has no toxicity to the human body and has no discomfort due to odor and thus has high work stability.
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르, 및 (c) 사이클로펜타논 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.The present invention provides a photosensitive resin and a thinner composition for removing an antireflection film, which comprises (a) a C2 to C4 alkylene glycol C1 to C4 alkyl ether acetate, (b) propylene glycol alkyl ether, and (c) cyclopentanone.
상기 신너 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 10 내지 70중량%; 및 (c) 사이클로펜타논 1 내지 50중량%를 포함할 수 있다. The thinner composition comprises (a) from 10 to 70% by weight, based on the total weight of the composition, of (a) propylene glycol alkyl ether acetate; (b) 10 to 70% by weight of propylene glycol alkyl ether; And (c) 1 to 50% by weight of cyclopentanone.
본 발명에 따른 신너 조성물은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지부위와 후면부위에 사용되어 불필요하게 부착된 감광막을 단시간에 효율적으로 제거하는 효과를 제공한다.The thinner composition according to the present invention provides an effect of efficiently removing a photoresist film unnecessarily adhered on an edge portion and a rear portion of a substrate used in a semiconductor device and a thin film transistor liquid crystal display device manufacturing method in a short time.
특히, i-라인, KrF, ArF 용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트, SOH, SOC, 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 제공한다. In particular, various photoresists including i-line, KrF, ArF photoresist, Excellent solubility and EBR characteristics for SOH, SOC, and lower antireflection film (BARC).
또한 포토레지스트가 도포된 웨이퍼의 재생 공정에 사용되어 우수한 리워크 특성을 제공하며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하는 공정(RRC)에서도 우수한 성능을 발휘하므로 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 한다.It is also used in the regeneration process of photoresist-coated wafers to provide excellent rework characteristics and also exhibits excellent performance in a process (RRC) in which the thinner composition is applied before the photoresist application to improve the coating performance of the photoresist The amount of the photoresist and the lower antireflection film (BARC) is reduced and the uniform application is facilitated.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높으며, 부식성이 낮아서 세정 대상 기판에 대한 어텍을 발생시키지 않는다. In addition, the thinner composition of the present invention has no toxicity to the human body, has no discomfort due to odor, has high stability of operation, and has low corrosiveness, so that it does not cause attack to the substrate to be cleaned.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등을 발생시키지 않으므로 신나 조성물을 사용하는 공정의 생산성을 크게 향상시킨다. Further, the thinner composition of the present invention does not cause contamination of the production equipment such as a cup holder or clogging of the discharge port, thereby greatly improving the productivity of the process using the thinner composition.
도 1은 시험예 2의 EBR(Edge Bead Removal) 테스트에서 EBR 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 라인 균일성(line uniformity)우수한 상태, (b): 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태).
도 2는 시험예 3의 RRC(Reducing Resist Coating) 테스트에서 RRC 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 상태, (b): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 상태).
도 3은 시험예 4에서 포토레지스트 종류에 따른 코팅 균일성을 평가하기 위하여 웨이퍼 상에서 코팅의 균일성을 평가한 지점을 나타낸 도면이다. FIG. 1 is a photograph taken after the EBR process in the EBR (Edge Bead Removal) test of Test Example 2 ((a): excellent line uniformity), (b): tailing ) Phenomenon occurs).
Fig. 2 is a schematic view showing the RRC (Reducing Resist Coating) (A): the photoresist is applied on the wafer in a ratio of 99 to 100%; (b): the photoresist is applied on the wafer in a ratio of less than 85%).
3 is a view showing a point where the uniformity of the coating on the wafer is evaluated in order to evaluate coating uniformity according to the type of the photoresist in Test Example 4. FIG.
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 (c) 사이클로케톤을 포함하는 신너 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a thinner composition comprising (a) a C2 to C4 alkylene glycol C1 to C4 alkyl ether acetate, (b) propylene glycol alkyl ether, and (c) a cycloketone.
상기 신너 조성물은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지, SOH(Spin-on-Hardmask), SOC(Spin-on_carbon) 및 반사방지막의 도포성 향상용 및 제거용으로 바람직하게 사용될 수 있다. The thinner composition is preferably used for improving and removing coating properties of a photosensitive resin, a spin-on-hard mask (SOH), a spin-on-carbon (SOC) .
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트 는 조성물 총 중량에 대하여, 10 내지 70 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 30 내지 50 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상술한 범위를 만족하면 모든 포토레지스트에 대한 용해성이 우수하고, 적절한 표면장력이 구현되어 포토레지스트가 균일하게 도포되는 이점이 있다. 상술한 범위를 벗어나면, 표면장력이 높아져서 포토레지스트의 도포 시 고르게 퍼지지 못하고 웨이퍼 상의 미세한 패턴 단차를 극복하지 못하여 가장자리가 갈라지는 현상이 발생한다.The C2-C4 alkylene glycol C1-C4 alkyl ether acetate contained in the thinner composition of the present invention is preferably contained in an amount of 10 to 70% by weight, more preferably 30 to 50% by weight, based on the total weight of the composition . When the above-mentioned range is satisfied, there is an advantage that the solubility to all the photoresists is excellent, the appropriate surface tension is realized, and the photoresist is uniformly applied. If the thickness is out of the above range, the surface tension is increased and the photoresist is not uniformly spread when the photoresist is applied, so that the fine pattern step on the wafer can not be overcome and the edge is cracked.
상기 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트로는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하게 사용될 수 있으며, The C2 to C4 alkylene glycol C1 to C4 alkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof. May be preferably used,
특히, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.In particular, at least one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof may be more preferably used.
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 조성물의 총 중량에 대하여, 10 내지 70 중량%로 포함되고, 바람직하게는 30 내지 50중량%로 포함된다. 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 메타아크릴레이트 계열의 ArF용 포토레지스트를 비롯하여 다양한 종류의 감광막에 대한 용해도가 우수하다. 따라서 상술한 함량범위 내에서는 프로필렌 글리콜알킬 에테르의 함량이 증가함에 따라 ArF용 포토레지스트의 용해도가 향상될 수 있다. 그러나 프로필렌 글리콜 알킬 에테르는 상대적으로 휘발도가 높기 때문에 상술한 범위 이상이 사용되면 두께 편차나 리프팅이 발생할 수 있다.The propylene glycol alkyl ether included in the thinner composition of the present invention is contained in an amount of 10 to 70% by weight, preferably 30 to 50% by weight, based on the total weight of the composition. The propylene glycol alkyl ether has excellent solubility in various types of photoresist including methacrylate-based ArF photoresist. Accordingly, the solubility of the ArF photoresist can be improved as the content of the propylene glycol alkyl ether increases within the above-mentioned content range. However, since propylene glycol alkyl ether has relatively high volatility, thickness deviation or lifting may occur when the above range is used.
구체적으로, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르의 함량이 10중량% 미만으로 포함되면, 신너 조성물의 ArF용 포토레지스트에 대한 용해도가 저하되어, ArF용 포토레지스트를 사용한 감광막에 대한 에지 비드 특성이 저하될 수 있고, 결함 발생으로 인한 리워크(Rework) 공정시 감광막이 용이하게 제거되지 않을 수 있다. 또한 프로필렌 글리콜 알킬 에테르의 함량이 70중량%를 초과하면, 신너 조성물의 휘발도가 증가하여 프리 웨팅 후 형성되는 감광막이 두께 편차가 크고 불균일하게 도포될 수 있다.Specifically, when the content of the propylene glycol alkyl ether is less than 10% by weight, the solubility of the thinner composition in the ArF photoresist is lowered, and the edge bead characteristics of the photoresist using the ArF photoresist may be deteriorated, The photoresist film may not be easily removed during a rework process due to a defect. When the content of the propylene glycol alkyl ether is more than 70% by weight, the volatility of the thinner composition increases, and the thickness of the photoresist film formed after prewetting may be large and non-uniformly applied.
상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르로는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용될 수 있다. Examples of the propylene glycol alkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether. These may be used singly or in combination of two or more kinds. have.
본 발명의 신너 조성물 포함되는 사이클로펜타논은 신너 조성물의 극성을 증가시켜, KrF, ArF 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력을 개선 시킨다.The cyclopentanone included in the thinner composition of the present invention increases the polarity of the thinner composition and improves the solubility in high polarity photoresist such as KrF, ArF.
특히, 상기 사이클로펜타논은 사이클로헥사논에 비해 휘발도가 높고 용해도가 우수하여 본 발명의 신너 조성물이 EBR이나 RRC에서 종래기술보다 더 뛰어난 효과를 제공할 수 있게 하며, 흡입시나 눈·피부 접촉시 인체에 대한 유해성이 적고 냄새로 인한 불쾌감이 없어 작업안정성도 크게 향상시킨다. In particular, the cyclopentanone has high volatility and excellent solubility as compared to cyclohexanone, so that the thinner composition of the present invention can provide superior effects over the prior art in EBR or RRC, There are few harmfulness to the human body and there is no discomfort due to the smell, which greatly improves work stability.
상기 사이클로펜타논은 조성물의 총 중량에 대하여 1 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 모든 포토레지스트에 대해 우수한 용해능을 제공하며, 적당한 표면장력을 구현하여 우수한 RRC 및 EBR 특성을 제공할 수 있다. The cyclopentanone is preferably contained in an amount of 1 to 50% by weight, more preferably 10 to 30% by weight based on the total weight of the composition. When the above-described range is satisfied, it provides excellent solubility to all the photoresists and can realize an appropriate surface tension to provide excellent RRC and EBR characteristics.
구체적으로 사이클로펜타논이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우 KrF, ArF 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력이 저하되며, RRC 및 EBR 특성이 저하된다. 그러나 50 중량%를 초과하는 경우 사이클로펜타논의 휘발도가 상대적으로 높기 때문에 두께 편차나 리프팅이 발생할 수 있다.Specifically, when cyclopentanone is contained in an amount of less than 1% by weight, solubility in KrF, ArF, or other high-polarity photoresist deteriorates, and RRC and EBR characteristics deteriorate. However, when it exceeds 50% by weight, the volatility of cyclopentanone is relatively high, so that a thickness variation or lifting may occur.
본 발명의 신너 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로는 불소계열, 비이온성 계열 또는 이온성 계열의 계면활성제를 사용할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 계면활성제는 본 발명의 신너 조성물에 대하여 약 10 내지 500중량 ppm으로 포함될 수 있다. 상술한 범위로 포함되는 것이, EBR 특성 개선에 바람직하다.The thinner composition of the present invention may further comprise a surfactant. The surfactant may be a fluorine-based surfactant, a nonionic surfactant, or an ionic surfactant. However, the present invention is not limited thereto. The surfactant may be included in an amount of about 10 to 500 ppm by weight based on the thinner composition of the present invention. It is preferable for the improvement of the EBR characteristics to be included in the above-mentioned range.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the thinner composition of the present invention may further contain usual additives in addition to the above-mentioned components in order to further improve the effect.
본 발명의 신너 조성물은 RRC 공정에 사용되어 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 하며, 도포 후 불필요한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 제거(EBR 공정)에 우수한 성능을 제공한다. 또한, 발명의 신너 조성물은 리워크(Rework) 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 등에서 우수한 효과를 제공한다. The thinner composition of the present invention is used in the RRC process to reduce the amount of photoresist and lower antireflection film (BARC) used and facilitate uniform application, and to remove unnecessary photoresist and lower antireflection film (BARC) ). ≪ / RTI > Further, the thinner composition of the invention provides excellent effects in a rework process, a wafer lower surface cleaning process, and the like.
또한 본 발명의 신너 조성물은 500nm 이하의 고에너지선, X선 및 전자선 등을 광원으로 사용하는 감광성 수지에 바람직하게 적용될 수 있는데, 예를 들면 감광성 수지가 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트인 경우에 적용될 수 있다.The thinner composition of the present invention can be suitably applied to a photosensitive resin using a high energy ray of 500 nm or less, an X-ray, an electron beam or the like as a light source. For example, the photosensitive resin is a photoresist for i- . ≪ / RTI >
본 발명의 신너 조성물은 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조공정에 사용될 수 있으며, 이 때 상기 신너 조성물의 분사량은 5 내지 50cc/min인 것이 바람직하다. 이후 공정은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조와 관련해 당기술 분야에 알려진 일반적인 공정이 적용될 수 있다.The thinner composition of the present invention can be used in a manufacturing process of a semiconductor device or a thin film transistor liquid crystal display device in which an unnecessary photoresist film is removed by spraying onto edge portions and rear portions of a substrate coated with a photosensitive resin composition, 5 to 50 cc / min. In the subsequent process, a general process known in the art can be applied to the fabrication of the semiconductor device and the thin film transistor liquid crystal display device.
본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서의 불필요한 포토레지스트를 균일하게 그리고 단시간에 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 신너 조성물은 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성, 리워크(Rework) 특성 및 포토레지스트의 도포성능을 향상시킬 수 있다. 특히 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트의 경우, 구성하는 감광성 수지의 기본 구조가 서로 다르기 때문에, 이들 모두의 용해성 및 도포성을 향상시키기 위한 유기용매의 조성 함량의 조절이 필요하지만, 본 발명의 신너 조성물은 이를 만족시킨다. 또한 본 발명의 신너 조성물은 극성이 높은 구조를 갖는 포토레지스트 및 반사방지막의 주요 성분들에 대한 용해능이 우수하여, EBR 공정, 웨이퍼 하부 세척공정 및 포토레지스트 도포 이전의 웨이퍼 상부의 전처리 공정이 끝난 후, 코터의 컵홀더를 오염시키거나 배출구를 막는 현상을 발생시키지 않아 생산성 향상에 도움을 준다. The photosensitive resin and the antireflection film removing thinner composition of the present invention can uniformly and quickly remove unnecessary photoresist on the edge portion or the rear portion of the substrate which is generated due to the large-scale curing of the substrate used for manufacturing semiconductor devices. Further, the thinner composition of the present invention has excellent solubility for various photoresists and lower antireflective coating (BARC), and can improve EBR characteristics, rework characteristics and coating performance of photoresist. In particular, in the case of photoresists for i-line, KrF and ArF, since the basic structures of the photosensitive resins to be constituted are different from each other, it is necessary to control the compositional content of the organic solvent for improving solubility and coating properties of all of them. The thinner composition of the invention satisfies this. Further, the thinner composition of the present invention has excellent solubility in the main components of the photoresist and antireflection film having a high polarity structure. Thus, after the EBR process, the wafer bottom cleaning process, and the pre- , It does not cause the phenomenon of contaminating the cup holder of the coater or blocking the outlet, thereby helping to improve the productivity.
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are provided for illustrating the present invention, and the present invention is not limited by the following examples, and various modifications and changes may be made.
실시예Example 1 내지 4 및 1 to 4 and 비교예Comparative Example 1 내지 9: 1 to 9: 신너Thinner 조성물의 제조 Preparation of composition
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 하기 표 1에 기재된 조성을 첨가 한 후, 상온에서 1 시간 동안 500 rpm의 속도로 교반하여 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 제조하였다. The composition shown in the following Table 1 was added to a mixing tank equipped with a stirrer and stirred at a rate of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9.
펜타논Cyclo
Pentanone
헥사논Cyclo
Hexanone
(단위: 중량%)(Unit: wt%)
시험예Test Example : : 신너Thinner 조성물의 특성 평가 Evaluation of composition characteristics
(1) (One) PAGPAG (( PhotoacidPhotoacid generator) 에 대한 용해도 테스트 Solubility test for generator
교반 중인 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물 50ml에 PAG 1 내지 PAG 9 를 각각 0.5g씩 첨가하여 신너 조성물 내에서 완전히 용해되는 시간을 측정하였다. 교반 속도는 150rpm이었으며 온도는 25℃를 유지 하였다.0.5 g of each of
(단위: 초)(Unit: second)
PAG 1: SP-302, PAG 2: NT-256, PAG 3: NT-1045, PAG 4: NT-552, PAG 1: SP-302, PAG 2: NT-256, PAG 3: NT-1045, PAG 4: NT-
PAG 5: NT-595, PAG 6: NT-962, PAG 7: NT-1029, PAG 8: NT-1266, PAG 9: NT-876PAG 5: NT-595, PAG 6: NT-962, PAG 7: NT-1029, PAG 8: NT-
표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 PAG 에 대하여 우수한 용해도를 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 실시예1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 용해되는 속도가 현저히 떨어짐을 알 수 있었다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정한 PAG가 아니라 다양한 PAG에서 종래의 신너 조성물보다 매우 우수한 용해도를 나타냄을 의미한다.Referring to Table 2, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention showed excellent solubility for all PAGs. On the other hand, it was found that the speeds of dissolution of the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 9 were significantly lower than those of the thinner compositions of the present invention of Examples 1 to 4. This means that the thinner composition according to the present invention exhibits a much better solubility than conventional thinner compositions in various PAGs rather than specific PAGs.
(2) (2) EBREBR (Edge Bead Removal) 테스트(Edge Bead Removal) test
8 인치 산화 실리콘 기판에 하기 표 3에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 각각 도포한 후, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 하기 표 4에 기재되어 있는 조건으로 Edge 부위의 불필요한 감광막을 제거하는 EBR 테스트를 진행 하였다. 각 실시예 1 내지 4 및 비교예1 내지 9의 신너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 신너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성능을 평가하여, 그 결과를 하기의 표 5에 나타내었다.The photosensitive resin compositions shown in the following Table 3 were respectively applied to 8-inch silicon oxide substrates, and then the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9 were used to form edge portions The EBR test was carried out to remove the unnecessary photoresist of the photoresist layer. The thinner compositions of each of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9 were supplied in a pressure vessel equipped with a pressure gauge at a pressure of 1 kgf and a flow rate of the thinner composition exiting the EBR nozzle was 10 to 30 cc / min Respectively. The removal performance of the unnecessary photoresist film was evaluated using an optical microscope, and the results are shown in Table 5 below.
<평가기준><Evaluation Criteria>
◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성 (line uniformity)이 일정한 상태 (도 1 (a) 참고)⊚: A state in which EBR line uniformity is constant with respect to the photoresist film after EBR (refer to FIG. 1 (a)).
○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태○: The EBR line uniformity to the photoresist film after EBR is 75% or more and is in a good linear state
△: EBR 후 엣지 부분의 모양이 신너의 용해작용에 영향을 받아 일그러진 상태?: The shape of the edge portion of the EBR is affected by the dissolving action of the thinner and is in a distorted state
X: EBR 후 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태 (도 1 (b) 참고)X: State in which tailing occurs in the film at the edge of the EBR (see Fig. 1 (b))
상기 표 5의 결과에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 실시예 1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 EBR 성능이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 본 발명의 신너 조성물은 4종류의 포토레지스트, 하부 반사 방지막(BARC) 및 SOH에 대하여 매우 우수한 EBR 성능을 제공한다는 것을 나타낸다.According to the results shown in Table 5, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention exhibited excellent EBR performance for all the photoresist layers. On the other hand, the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 9 showed significantly lower EBR performance than the thinner compositions of the present invention according to Examples 1 to 4. These results indicate that the thinner composition of the present invention provides very good EBR performance for four types of photoresist, bottom anti-reflective coating (BARC) and SOH.
또한, EBR의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.In addition, when the condition of the rotation speed (rpm) of the EBR was changed, an equally excellent shape was maintained. This shows that the thinner composition according to the present invention is not only effective under certain conditions but provides the same performance under various conditions. That is, the results indicate that the thinner composition of the present invention is more stable than the conventional thinner composition for changes in process conditions.
(3) (3) 포토레지스트Photoresist 종류 및 Type and BARC에At BARC 대한 RRC(Reducing Resist Coating) 성능 평가 Reducing Resist Coating (RRC) performance evaluation
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH에 대한 RRC 성능을 시험하였다. 표 6과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판에 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH를 도포하기 전에 각각의 신너 조성물을 도포한 후, 신너에 따른 포토레지스트의 도포 분포 및 소비량를 측정하는 RRC 공정을 실시하였다. BARC의 경우에도 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 RRC 공정을 실시하였다. 표 7은 8 inch 웨이퍼 위에 신너 0.5cc 를 도포한 후 PR1~4, BARC 1.0 cc, SOH 0.5cc를 각각 도포한 후 포토레지스트 소비량을 측정하여 나타낸 결과이다.The RRC performance for the four photoresists, BARC and SOH in Table 3 above was tested using the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9. After applying each of the thinner compositions before applying the four photoresists, BARC and SOH shown in Table 3 on the 8-inch silicon oxide substrate according to the recipe shown in Table 6, the coating distribution and consumption amount of the photoresist according to the thinner were measured RRC process was performed. In the case of BARC, RRC process was performed using each thinner composition without heat treatment. Table 7 shows the results of photoresist consumption after applying 0.5cc of thinner on an 8 inch wafer and then applying PR1-4, BARC 1.0cc, and SOC 0.5cc, respectively.
<평가기준><Evaluation Criteria>
◎: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 경우(도 2 (a) 참고) ⊚: RRC results When a photoresist is applied on a wafer by 99-100% (see Fig. 2 (a)) after applying 0.5 cc of thinner on an 8-inch wafer,
○: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 97~98% 도포된 경우○: RRC result When a photoresist was applied 97 to 98% on the wafer upon application of a 0.5 cc thick thinner on an 8-inch wafer
△: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85~90% 도포된 경우△: RRC results When a photoresist is applied on a wafer by 85 to 90% after application of a 0.5 cc thick thinner on an 8-inch wafer
X: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 경우(도 2 (b) 참고)X: RRC Result When a photoresist is applied on a wafer with less than 85% of the thinner on the wafer (0.5 cm thick) after application of the thinner on the wafer (see FIG. 2 (b)
표 7을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 RRC 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 포토레지스트, BARC 및 SOH의 도포성능 측면에서 본 발명의 실시예 1 내지 4의 신너 조성물과 비교하여 현저히 떨어지는 효과를 제공하였다. 또한, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 RRC의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.Referring to Table 7, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention exhibited excellent RRC performance for all photoresist films. On the other hand, the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 9 provided remarkable effects in terms of coating performance of photoresist, BARC and SOH compared with the thinner compositions of Examples 1 to 4 of the present invention. In addition, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention remained equally excellent even when the rotational speed (rpm) condition of the RRC was changed. This shows that the thinner composition according to the present invention is not only effective under certain conditions but provides the same performance under various conditions. That is, the results indicate that the thinner composition of the present invention is more stable than the conventional thinner composition for changes in process conditions.
(4) (4) 포토레지스트Photoresist 종류에 따른 코팅 균일성 평가(Coating Uniformity) Evaluation of Coating Uniformity by Type (Coating Uniformity)
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 Photoresist, BARC 및 SOH에 대한 코팅 균일성을 시험하였다. 표 8과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판 위에 포토레지스트를 도포한 후, 웨이퍼의 중앙과 웨이퍼의 중앙에서 1인치, 2인치, 3인치, 4인치 거리의 지점을 X자 모양으로 총 12곳, 모두 13곳(도3 참고)의 막두께를 측정하여 포토레지스트가 균일하게 도포 되었는지를 확인하였고 그 결과를 하기의 표 9에 나타내었다.The coating uniformity for the four Photoresist, BARC and SOH of Table 3 above was tested using the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9. Photoresist was applied on an 8-inch silicon oxide substrate according to the recipe as shown in Table 8, and then a point of 1 inch, 2 inch, 3 inch, and 4 inch distance from the center of the wafer and the center of the wafer was X- (See FIG. 3) were measured, and it was confirmed whether or not the photoresist was uniformly applied. The results are shown in Table 9 below.
<평가기준><Evaluation Criteria>
◎: 도포 막두께의 표준편차가 1% 이하인 경우⊚: When the standard deviation of the coating film thickness is 1% or less
○: 도포 막두께의 표준편차가 2% 이하인 경우?: When the standard deviation of the coating film thickness is 2% or less
△: 도포 막두께의 표준편차가 3% 이하인 경우?: When the standard deviation of the coating film thickness is 3% or less
X: 도포 막두께의 표준편차가 3% 초과인 경우X: When the standard deviation of the coating film thickness is more than 3%
(5) (5) 포토레지스트Photoresist 종류에 따른 Depending on the type 리워크Rework (Rework) 성능 평가(Rework) performance evaluation
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH에 대한 리워크 성능을 시험하였다. 하기 표 10과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판에 4가지 포토레지스트, BARC 및 SOH를 도포한 후 소프트베이킹 공정이 끝난 웨이퍼를 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다. BARC의 경우에는 도포 이후 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다. 리워크된 산화실리콘 기판을 TOPCON사의 surface scan 장비(Model명: WM-1500)를 사용하여 표면 상태를 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 11에 나타내었다.Using the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9, the rework performance for the four photoresists, BARC and SOH in Table 3 above was tested. Four photoresists, BARC and SOH were applied to an 8-inch silicon oxide substrate according to the recipe shown in Table 10 below, and the wafer after the soft-baking process was subjected to a rework process using each thinner composition. In the case of BARC, the reheating process was carried out using each thinner composition without heat treatment after application. The surface condition of the reworked silicon oxide substrate was evaluated using a TOPCON surface scan equipment (Model: WM-1500). The results are shown in Table 11 below.
<판단기준><Criteria>
◎: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 1,000개 미만인 경우◎: Surface scan result shows that the number of surface particles of reoxidated oxide cone is less than 1,000
○: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 1,000개 이상 2000개 미만인 경우○: Surface scan results show that the number of re-worked oxide surface cone surface particles is more than 1,000 and less than 2000
△: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 2,000개 이상 3000개 미만인 경우△: Surface scan result shows that the number of re-worked oxide surface cone particles is more than 2,000 and less than 3000
X: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 3,000개 이상인 경우X: Surface scan result shows that the number of reoxidated oxide cone surface particles is more than 3,000
상기 시험예 1 내지 5의 시험결과에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물은 비교예 1 내지 9의 신너 조성물과 비교하여 PAG 에 대한 용해도, EBR, RRC, 코팅 균일성 및 리워크 특성의 모든 면에서 현저히 우수한 결과를 제공함을 확인할 수 있었다.According to the test results of Test Examples 1 to 5, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention had a solubility in PAG, an EBR, an RRC, a coating uniformity, And it was confirmed that it provides remarkably excellent results in all aspects of work characteristics.
Claims (6)
조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 10 내지 70중량%; 및 (c) 사이클로펜타논 1 내지 50중량%를 포함하는 신너 조성물. The method according to claim 1,
(A) 10 to 70% by weight of a C2 to C4 alkylene glycol C1 to C4 alkyl ether acetate, based on the total weight of the composition; (b) 10 to 70% by weight of propylene glycol alkyl ether; And (c) 1 to 50% by weight of cyclopentanone.
상기 신너 조성물에 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the thinner composition further comprises a surfactant.
상기 (a)의 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 신너 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the C2-C4 alkylene glycol C1-C4 alkyl ether acetate of (a) is selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ≪ RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI >
상기 (b) 프로필렌글리콜 알킬에테르가 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 신너 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the propylene glycol alkyl ether (b) is at least one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether.
상기 신너 조성물은 반사방지막, SOC, SOH, i-라인, KrF, ArF, EUV용 포토레지스트에 따르는 RRC 공정, EBR 공정, 리워크 공정, 및 웨이퍼 하부면 세척공정에 사용되는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the thinner composition is used in an RRC process, an EBR process, a rework process, and a wafer bottom surface cleaning process according to an antireflection film, SOC, SOH, i-line, KrF, ArF and EUV photoresist .
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000023107A (en) * | 1998-09-24 | 2000-04-25 | 무네유키 가코우 | Bottom anti-reflective coating material composition for photoresist and method of forming resist pattern using the same |
| KR20030095033A (en) | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | Photo resist coating method |
| KR100503967B1 (en) | 2002-03-29 | 2005-07-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | Thinner composition for removing photosensitive resin |
| KR100511083B1 (en) * | 2002-11-07 | 2005-08-30 | 동우 화인켐 주식회사 | Photoresist and polymer remover composition, and exfoliation and the washing method of a semiconductor element used it |
| KR20080016930A (en) * | 2005-07-19 | 2008-02-22 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Removing solution for photosensitive composition |
| KR20160075577A (en) * | 2013-10-21 | 2016-06-29 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | Cleaning formulations for removing residues on surfaces |
-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000023107A (en) * | 1998-09-24 | 2000-04-25 | 무네유키 가코우 | Bottom anti-reflective coating material composition for photoresist and method of forming resist pattern using the same |
| KR100503967B1 (en) | 2002-03-29 | 2005-07-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | Thinner composition for removing photosensitive resin |
| KR20030095033A (en) | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | Photo resist coating method |
| KR100511083B1 (en) * | 2002-11-07 | 2005-08-30 | 동우 화인켐 주식회사 | Photoresist and polymer remover composition, and exfoliation and the washing method of a semiconductor element used it |
| KR20080016930A (en) * | 2005-07-19 | 2008-02-22 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Removing solution for photosensitive composition |
| KR20160075577A (en) * | 2013-10-21 | 2016-06-29 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | Cleaning formulations for removing residues on surfaces |
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