KR102347910B1 - Thinner composition for improving applying performance a photosensitive resin and anti-reflective coating, and removing the photosensitive resin and anti-reflective coating - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) C1~C10 알킬 락테이트, 및 (c) 사이클로펜타논을 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.The present invention provides a photosensitive resin comprising (a) C2 to C4 alkylene glycol, C1 to C4 alkyl ether acetate, (b) C1 to C10 alkyl lactate, and (c) cyclopentanone, and a thinner composition for removing antireflection film do.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a thinner composition for improving and removing a photosensitive resin and an anti-reflection film used in the manufacturing process of a semiconductor device and a thin film transistor liquid crystal display device.
반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성해나가는 작업으로 매우 중요한 작업중의 하나이다. The photolithography process of the semiconductor device manufacturing process is a process of applying a photosensitive resin composition on a wafer, transferring a pre-designed pattern, and then constructing an electronic circuit through an etching process according to the transferred pattern. is one of the most important tasks.
이러한 포토리소그래피 공정은 (1)웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2)도포된 감광막으로부터 용매를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 부착하게 하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3)자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광(露光)공정, (4)광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상(現像)공정, (5)현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀하게 고착시키기 위한 하드 베이킹(hard baking) 공정, (6)현상된 감광막의 패턴에 따라 일정부위를 에칭하는 식각(蝕刻)공정 및 (7)상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리(剝離) 공정 등으로 진행된다.This photolithography process includes (1) a coating process of uniformly coating the photosensitive resin composition on the surface of the wafer, and (2) a soft baking process of evaporating the solvent from the applied photosensitive film to attach the photosensitive film to the surface of the wafer. , (3) exposure process of transferring the pattern of the mask onto the photosensitive film by exposing the photosensitive film while repeatedly and sequentially reducing and projecting the circuit pattern on the mask using a light source such as ultraviolet rays, (4) exposure to the light source A developing process that selectively removes parts with different physical properties such as solubility difference according to the photosensitivity by using a developer, (5) for closely adhering the photoresist film remaining on the wafer to the wafer after the developing operation A hard baking process, (6) an etching process that etches a certain area according to the pattern of the developed photoresist film, and (7) a peeling process of removing the unnecessary photoresist film after the above process, etc. do.
상기 포토리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 감광막을 공급하고 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전도포 공정은 원심력으로 인해 기판의 에지부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치 내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시키므로, 이를 제거하기 위하여 기판의 에지부위와 후면부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지부위와 후면부위에 유기용매 성분으로 구성된 신너 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.In the photolithography process, the photoresist film is supplied on the wafer and the substrate is rotated to evenly spread the surface by centrifugal force. The photoresist film is concentrated on the edge portion and the back surface of the substrate due to the centrifugal force, thereby forming a small spherical material. The spherical material may be peeled off during the transfer of the substrate after the baking process and may cause particles in the device or defocus during exposure. Since these unnecessary photosensitive materials cause equipment contamination and lower the yield in the semiconductor device manufacturing process, spray nozzles are installed above and below the edge and rear surfaces of the substrate to remove them, and through the nozzles, the edge and rear portions are removed. It is removed by spraying a thinner composition composed of organic solvent components on top.
상기 신너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 신너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있느냐 하는 능력으로 매우 중요하다. 구체적으로 에지부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있으며, 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라고 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근 들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도화에 따른 기판의 대구경화로 인해 회전도포기를 이용한 린스공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전 속도에 따른 기판의 요동과 분사되는 신너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 신너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인한 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 신너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.Factors determining the performance of the thinner composition include dissolution rate and volatility. The dissolution rate of the thinner composition is very important in terms of how effectively and quickly the photosensitive resin can be dissolved and removed. Specifically, in rinsing the edge portion, a smooth processing cross section can be obtained only when the dissolution rate is appropriate. Conversely, when the dissolution rate is too low, a partially dissolved photoresist film tail flow phenomenon called tailing may occur in rinsing of the photoresist film applied to the substrate. In particular, in the case of a rinse process using a rotary applicator due to the large diameter of the substrate due to the high integration and high density of semiconductor integrated circuits in recent years, it is inevitable to reduce the rotation speed (rpm). In this rinse process, if the substrate does not have an appropriate dissolution rate in the contact speed of the sprayed thinner composition and the fluctuation of the substrate according to the low rotation speed, a bounding phenomenon appears, and unnecessary use of the thinner composition increases. In the low-rotation rinse process due to the large diameter of the substrate, a stronger dissolution rate of the thinner is required than in the conventional high-rotation rinse process.
또한, 휘발성은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구된다. 휘발성이 너무 낮아 신너 조성물의 휘발되지 못하고 잔류하는 경우, 잔류하는 신너의 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상과 사용 중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다. 이로 인한 각종 테일링이나 감광막 어택 등의 불량은 모두 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 직접적인 원인이 되고 있다.In addition, volatility is required not to remain on the surface of the substrate by easily volatilizing after the photosensitive resin is removed. If the volatility is too low and the thinner composition remains without volatilization, the remaining thinner itself acts as a contamination source in various processes, particularly in subsequent etching processes, and may act as a problem of lowering the yield of the semiconductor device. If the volatility is too high, the substrate is cooled rapidly, causing the thickness variation of the applied photoresist film to become severe, and it can easily volatilize into the atmosphere during use, which can contaminate the cleanliness itself. Defects such as various tailings and photoresist film attacks are a direct cause of lowering the manufacturing yield of semiconductor devices.
대한민국 특허등록 제10-0503967호는 프로필렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트 1 내지 80 중량부, 씨클로 케톤 1 내지 99 중량부, 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부 및 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부 를 포함하는 세정용 신너 조성물을 개시한다. 그러나 상기 신너 조성물은 폴리에틸렌 옥사이드계 축합물 및 플루오리네이티드 아클릴릭 코폴리머 등의 폴리머가 포함됨으로서 파티클을 잔존시킬 가능성이 높다는 단점을 가지며, 신너의 용해도가 떨어져 PAG나 수지의 성분이 석출되는 문제를 야기할 수 있다.Korean Patent Registration No. 10-0503967 discloses 1 to 80 parts by weight of propylene glycol monoalkyl ether acetate, 1 to 99 parts by weight of cycloketone, 0.001 to 1 part by weight of polyethylene oxide-based condensate, and 0.001 to 1 part by weight of fluorinated acrylic copolymer Disclosed is a cleaning thinner composition comprising a. However, since the thinner composition contains a polymer such as a polyethylene oxide-based condensate and a fluorinated acrylic copolymer, there is a high possibility that particles remain, and the solubility of the thinner is lowered to prevent the precipitation of PAG or resin components. can cause
한편 웨이퍼 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 공정에 있어서 대한민국 공개특허 제10-2003-0095033호에서와 같이, 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하기 이전에 신너를 먼저 도포하여 웨이퍼의 표면장력을 낮춘 상태에서 포토레지스트를 도포하여 적은 량의 포토레지스트의 양으로 패턴의 단차를 극복하면서 고르게 도포하는 공정이 이루어지고 있다. On the other hand, in the process of uniformly applying the photosensitive resin composition to the wafer surface, as in Korean Patent Laid-Open No. 10-2003-0095033, a thinner is first applied before applying the photoresist to the wafer surface to lower the surface tension of the wafer. The process of applying the photoresist in a state of being uniformly applied while overcoming the step difference in the pattern with a small amount of photoresist is being performed.
그러나, 이 경우에도 신너의 휘발성이 높으면 포토레지스트가 고르게 퍼지지 못하고, 웨이퍼 위에 미세한 패턴의 단차를 극복하지 못하여 웨이퍼 가장자리에서 갈라지는 현상이 발생한다. 휘발성이 너무 낮으면, 포토레지스트 도포 시에 잔존 신너에 의해 포토레지스트가 어택을 받는 문제점이 발생한다. 휘발도 뿐만 아니라 도포되는 형상은 유기용매의 표면장력, 포토레지스트에 포함된 유기용매 및 포토레지스트의 주성분인 감광성 레진의 구조에 기인하므로, 이를 모두 만족시키는 신너 조성물을 필요로 한다.However, even in this case, when the volatility of the thinner is high, the photoresist does not spread evenly, and the step difference of a fine pattern on the wafer cannot be overcome, so that cracking occurs at the edge of the wafer. If the volatility is too low, there is a problem in that the photoresist is attacked by the thinner remaining when the photoresist is applied. Since the shape to be applied as well as the volatility is due to the surface tension of the organic solvent, the organic solvent contained in the photoresist, and the structure of the photosensitive resin, which is the main component of the photoresist, a thinner composition that satisfies all these is required.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, The present invention has been devised to solve the problems of the prior art as described above,
반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인해 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 감광막에 대해 균일한 제거 성능을 지닌 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a thinner composition having uniform removal performance for unnecessary photoresist films generated on the edge or rear surface of the substrate due to the large diameter of the substrate used for manufacturing semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices.
특히, 본 발명은 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가짐으로써 EBR 공정뿐만 아니라 리워크 등의 공정에서도 효과적으로 사용할 수 있으며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하여 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정(RRC 공정)에서도 우수한 특성을 제공하는 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. In particular, the present invention has excellent solubility in various photoresists, including photoresists for i-line, KrF, and ArF, and bottom anti-reflection film (BARC), so it can be effectively used not only in the EBR process but also in the rework process. An object of the present invention is to provide a thinner composition that provides excellent properties even in the process of pre-treating the wafer surface (RRC process) by first applying the thinner composition before applying the photoresist in order to improve the resist coating performance.
또한 본 발명은 종래기술과 비교하여 더 우수한 효과를 제공하면서도, 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높은 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a thinner composition with high work stability because there is no toxicity to the human body and no discomfort due to odor while providing superior effects compared to the prior art.
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) C1~C10 알킬 락테이트 (c) 사이클로펜타논을 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.The present invention provides a photosensitive resin comprising (a) C2-C4 alkylene glycol, C1-C4 alkyl ether acetate, (b) C1-C10 alkyl lactate (c) cyclopentanone, and a thinner composition for removing an anti-reflection film.
상기 신너 조성물은 (a) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; (b) 알킬 락테이트 5 내지 50중량%; 및 (c) 사이클로펜타논 1 내지 50중량%를 포함할 수 있다.The thinner composition comprises (a) 10 to 70% by weight of propylene glycol alkyl ether acetate; (b) 5 to 50% by weight of an alkyl lactate; and (c) 1 to 50% by weight of cyclopentanone.
본 발명에 따른 신너 조성물은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지부위와 후면부위에 사용되어 불필요하게 부착된 감광막을 단시간에 효율적으로 제거하는 효과를 제공한다.The thinner composition according to the present invention is used for the edge portion and the rear portion of the substrate used in the semiconductor device and the thin film transistor liquid crystal display device manufacturing method, and provides an effect of efficiently removing the unnecessary photosensitive film in a short time.
특히, i-라인, KrF, ArF 용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 제공한다. In particular, it provides excellent solubility and EBR properties for various photoresists including i-line, KrF, and ArF photoresists and lower anti-reflection films (BARCs).
또한 포토레지스트가 도포된 웨이퍼의 재생 공정에 사용되어 우수한 리워크 특성을 제공하며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하는 공정(RRC)에서도 우수한 성능을 발휘하므로 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 한다.In addition, it is used in the regeneration process of the photoresist-coated wafer to provide excellent rework characteristics, and to improve the photoresist coating performance, it also exhibits excellent performance in the process (RRC) of applying a thinner composition before applying the photoresist. It reduces the amount of photoresist and lower anti-reflection film (BARC) used and facilitates uniform application at the same time.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높으며, 부식성이 낮아서 세정 대상 기판에 대한 어텍을 발생시키지 않는다. In addition, the thinner composition of the present invention is non-toxic to the human body, has no discomfort due to odor, has high work stability, and has low corrosiveness, so that it does not generate an attack on the substrate to be cleaned.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등을 발생시키지 않으므로 신나 조성물을 사용하는 공정의 생산성을 크게 향상시킨다. In addition, since the thinner composition of the present invention does not cause contamination of production equipment such as cup holders or clogging of the outlet, the productivity of the process using the thinner composition is greatly improved.
도 1은 시험예 1의 EBR(Edge Bead Removal) 테스트에서 EBR 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 라인 균일성(line uniformity)우수한 상태, (b): 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태).
도 2는 시험예 2의 RRC(Reducing Resist Coating) 테스트에서 RRC 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 상태, (b): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 상태).
도 3은 시험예 3에서 포토레지스트 종류에 따른 코팅 균일성을 평가하기 위하여 웨이퍼 상에서 코팅의 균일성을 평가한 지점을 나타낸 도면이다. 1 is a photograph taken after performing the EBR process in the EBR (Edge Bead Removal) test of Test Example 1 ((a): excellent line uniformity, (b): tailing on the film at the edge ) in which the phenomenon occurred).
Figure 2 is RRC (Reducing Resist Coating) of Test Example 2 This is a photograph taken after performing the RRC process in the test ((a): 99-100% photoresist coated on the wafer, (b): less than 85% photoresist coated on the wafer).
3 is a view showing points at which the uniformity of the coating was evaluated on the wafer in order to evaluate the coating uniformity according to the type of photoresist in Test Example 3;
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) C1~C10 알킬 락테이트 및 (c) 사이클로펜타논을 포함하는 신너 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a thinner composition comprising (a) C2-C4 alkylene glycol C1-C4 alkyl ether acetate, (b) C1-C10 alkyl lactate, and (c) cyclopentanone.
상기 신너 조성물은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상용 및 제거용으로 바람직하게 사용될 수 있다. The thinner composition may be preferably used for improving and removing the photosensitive resin and anti-reflection film used in the manufacturing process of semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices.
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트는 조성물 총 중량에 대하여, 10 내지 70 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 40 내지 60 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상술한 범위를 만족하면 모든 포토레지스트에 대한 용해성이 우수하고, 적절한 표면장력이 구현되어 포토레지스트가 균일하게 도포되는 이점이 있다. 상술한 범위를 벗어나면, 표면장력이 높아져서 포토레지스트의 도포 시 고르게 퍼지지 못하고 웨이퍼 상의 미세한 패턴 단차를 극복하지 못하여 가장자리가 갈라지는 현상이 발생한다.The C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkylether acetate included in the thinner composition of the present invention is preferably included in an amount of 10 to 70% by weight, more preferably in an amount of 40 to 60% by weight, based on the total weight of the composition. it's good to be When the above-mentioned range is satisfied, the solubility for all photoresists is excellent, and an appropriate surface tension is implemented, so that the photoresist is uniformly applied. If it is out of the above range, the surface tension is increased, so that the photoresist is not spread evenly during application, and the fine pattern step on the wafer cannot be overcome, so that the edge is cracked.
상기 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트로는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하게 사용될 수 있으며, The C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkylether acetate includes propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof. One or more selected from may be preferably used,
특히, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.In particular, at least one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof may be more preferably used.
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 C1~C10 알킬 락테이트는 조성물 총 중량에 대하여, 5 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 내지 40 중량%로 포함되는 것이 좋다. The C1-C10 alkyl lactate included in the thinner composition of the present invention is preferably included in an amount of 5 to 50 wt%, more preferably 20 to 40 wt%, based on the total weight of the composition.
상기 C1~C10 알킬 락테이트로는 예를 들어 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 프로필 락테이트, 부틸 락테이트 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 있다.Examples of the C1-C10 alkyl lactate include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.
상기 C1~C10 알킬 락테이트가 5중량% 미만으로 포함되면 본 발명의 신너조성물의 점도가 낮아지고, 용해성도 떨어져, 포토레지스트 및 BARC를 충분히 잡아주지 못하는 문제를 야기하므로, RRC(reducing resist coating) 공정에서 도포성능이 떨어질 수 있는 문제가 있다.When the C1-C10 alkyl lactate is included in an amount of less than 5% by weight, the viscosity of the thinner composition of the present invention is lowered and the solubility thereof is lowered, which causes a problem in which the photoresist and the BARC are not sufficiently held. Therefore, reducing resist coating (RRC) There is a problem that the coating performance may be deteriorated in the process.
또한 50중량%를 초과하면 조성물의 점도가 높아져, 포토레지스트 및 BARC를 Wafer 표면 위에 원활히 도포할 수 없어, RRC 특성이 저하되는 문제를 유발할 수 있다. 그리고, 상기 적절하지 못한 함량범위 모두는 다른 공정들(EBR, Coating Uniformity)에도 악영향을 미칠 수 있다.In addition, if it exceeds 50% by weight, the viscosity of the composition increases, and photoresist and BARC cannot be smoothly applied on the wafer surface, which may cause a problem in which RRC properties are deteriorated. In addition, all of the inappropriate content ranges may adversely affect other processes (EBR, Coating Uniformity).
본 발명의 신너 조성물 포함되는 사이클로펜타논은 신너 조성물의 극성을 증가시켜, KrF, ArF 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력을 개선 시킨다. The cyclopentanone contained in the thinner composition of the present invention increases the polarity of the thinner composition, thereby improving the dissolving power of high polarity photoresists such as KrF and ArF.
특히, 상기 사이클로펜타논은 사이클로헥사논에 비해 휘발도가 높고 용해도가 우수하여 본 발명의 신너 조성물이 EBR이나 RRC에서 종래기술보다 더 뛰어난 효과를 제공할 수 있게 하며, 흡입시나 눈·피부 접촉시 인체에 대한 유해성이 적고 냄새로 인한 불쾌감이 없어 작업안정성도 크게 향상시킨다. In particular, the cyclopentanone has a higher volatility and superior solubility than cyclohexanone, so that the thinner composition of the present invention can provide a superior effect than the prior art in EBR or RRC, and when inhaled or in contact with eyes and skin It is less harmful to the human body, and there is no discomfort due to odor, which greatly improves work stability.
상기 사이클로펜타논은 조성물의 총 중량에 대하여 10 내지 30 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 15 내지 25 중량%로 포함될 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 모든 포토레지스트에 대해 우수한 용해능을 제공하며, 적당한 표면장력을 구현하여 우수한 RRC 및 EBR 특성을 제공할 수 있다. 또한 사이클로펜타논은 사이클로헥사논에 비해 급성독성 측면에서 인체에 대한 유해성이 적다. The cyclopentanone is preferably included in an amount of 10 to 30% by weight based on the total weight of the composition, and more preferably 15 to 25% by weight. When the above-mentioned range is satisfied, excellent dissolving ability is provided for all photoresists, and excellent RRC and EBR properties can be provided by implementing appropriate surface tension. In addition, cyclopentanone is less harmful to the human body in terms of acute toxicity than cyclohexanone.
구체적으로 사이클로펜타논이 10 중량% 미만으로 포함되는 경우 KrF, ArF 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력이 저하되며, RRC 및 EBR 특성이 저하된다. 그러나 30 중량%를 초과하는 경우 사이클로펜타논의 휘발도가 상대적으로 높기 때문에 두께 편차나 리프팅이 발생할 수 있다.Specifically, when cyclopentanone is contained in an amount of less than 10% by weight, the solubility in high polarity photoresists such as KrF and ArF is lowered, and RRC and EBR properties are lowered. However, if it exceeds 30% by weight, thickness deviation or lifting may occur because the volatility of cyclopentanone is relatively high.
본 발명의 신너 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로는 불소계열, 비이온성 계열 또는 이온성 계열의 계면활성제를 사용할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 계면활성제는 본 발명의 신너 조성물에 대하여 약 10 내지 500중량 ppm으로 포함될 수 있다. 상술한 범위로 포함되는 것이, EBR 특성 개선에 바람직하다.The thinner composition of the present invention may further include a surfactant. The surfactant may be a fluorine-based, non-ionic, or ionic surfactant, but is not limited thereto. The surfactant may be included in an amount of about 10 to 500 ppm by weight based on the thinner composition of the present invention. It is preferable to be included in the above-mentioned range to improve EBR characteristics.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the thinner composition of the present invention may further include conventional additives in addition to the above-mentioned components in order to further improve the effect.
본 발명의 신너 조성물은 RRC 공정에 사용되어 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 하며, 도포 후 불필요한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 제거(EBR 공정)에 우수한 성능을 제공한다. 또한, 발명의 신너 조성물은 리워크(Rework) 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 등에서 우수한 효과를 제공한다. The thinner composition of the present invention is used in the RRC process to reduce the amount of photoresist and lower anti-reflection film (BARC) used and at the same time to facilitate uniform application, and to remove unnecessary photoresist and lower anti-reflection film (BARC) after application (EBR process) ) provides excellent performance. In addition, the thinner composition of the present invention provides excellent effects in a rework process, a wafer lower surface cleaning process, and the like.
또한 본 발명의 신너 조성물은 500nm 이하의 고에너지선, X선 및 전자선 등을 광원으로 사용하는 감광성 수지에 바람직하게 적용될 수 있는데, 예를 들면 감광성 수지가 i-라인, KrF, ArF 및 EUV용 포토레지스트인 경우에 적용될 수 있다.In addition, the thinner composition of the present invention can be preferably applied to a photosensitive resin using high energy rays of 500 nm or less, X-rays, electron beams, etc. as a light source, for example, the photosensitive resin is i-line, KrF, ArF and EUV photo It can be applied in the case of resist.
본 발명의 신너 조성물은 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조공정에 사용될 수 있으며, 이 때 상기 신너 조성물의 분사량은 5 내지 50cc/min인 것이 바람직하다. 이후 공정은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조와 관련해 당기술 분야에 알려진 일반적인 공정이 적용될 수 있다.The thinner composition of the present invention can be used in the manufacturing process of a semiconductor device or thin film transistor liquid crystal display device that removes an unnecessary photosensitive film by spraying it on the edge portion and the rear portion of the substrate on which the photosensitive resin composition is applied. It is preferable that it is 5-50 cc/min. After the process, a general process known in the art in relation to the manufacturing of a semiconductor device and a thin film transistor liquid crystal display device may be applied.
본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서의 불필요한 포토레지스트를 균일하게 그리고 단시간에 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 신너 조성물은 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성, 리워크(Rework) 특성 및 포토레지스트의 도포성능을 향상시킬 수 있다. 특히 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트의 경우, 구성하는 감광성 수지의 기본 구조가 서로 다르기 때문에, 이들 모두의 용해성 및 도포성을 향상시키기 위한 유기용매의 조성 함량의 조절이 필요하지만, 본 발명의 신너 조성물은 이를 만족시킨다. 또한 본 발명의 신너 조성물은 극성이 높은 구조를 갖는 포토레지스트 및 반사방지막의 주요 성분들에 대한 용해능이 우수하여, EBR 공정, 웨이퍼 하부 세척공정 및 포토레지스트 도포 이전의 웨이퍼 상부의 전처리 공정이 끝난 후, 코터의 컵홀더를 오염시키거나 배출구를 막는 현상을 발생시키지 않아 생산성 향상에 도움을 준다. The photosensitive resin and antireflection film removal thinner composition of the present invention can uniformly and in a short time remove unnecessary photoresist from the edge portion or the back surface portion of the substrate caused by the large diameter of the substrate used for manufacturing semiconductor devices. In addition, the thinner composition of the present invention has excellent solubility in various photoresists and lower anti-reflection films (BARCs), and can improve EBR properties, rework properties, and photoresist coating performance. In particular, in the case of photoresists for i-line, KrF, and ArF, since the basic structures of the photosensitive resins are different from each other, it is necessary to control the compositional content of the organic solvent to improve solubility and applicability of all of them, but the present invention of the thinner composition satisfies this. In addition, the thinner composition of the present invention has excellent solubility in the main components of the photoresist and anti-reflection film having a high polarity structure. , It helps to improve productivity by not contaminating the cup holder of the coater or blocking the discharge port.
본 발명의 신너 조성물은 특히, ArF용 포토레지스트에 따르는 RRC 공정, EBR 공정, 리워크 공정, 및 웨이퍼 하부면 세척공정에 더욱 바람직하게 사용될 수 있다. In particular, the thinner composition of the present invention can be more preferably used in the RRC process, EBR process, rework process, and wafer lower surface cleaning process according to ArF photoresist.
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail using Examples and Comparative Examples. However, the following Examples and Comparative Examples are intended to illustrate the present invention, and the present invention is not limited by the following and may be variously modified and changed.
실시예Example 1 내지 4 및 1 to 4 and 비교예comparative example 1 내지 7: 1 to 7: 신너thinner 조성물의 제조 Preparation of the composition
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 하기 표 1에 기재된 조성을 첨가 한 후, 상온에서 1 시간 동안 500 rpm의 속도로 교반하여 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7의 신너 조성물을 제조하였다. After adding the composition shown in Table 1 to a mixing tank equipped with a stirrer, the composition was stirred at a speed of 500 rpm at room temperature for 1 hour to prepare the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7.
(단위: 중량%)(Unit: % by weight)
시험예test example : : 신너thinner 조성물의 특성 평가 Evaluation of the properties of the composition
(1) (One) PAGPAG (( Photoacidphotoacid generator) 에 대한 용해도 테스트 solubility test for generator)
교반 중인 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7의 신너 조성물 50ml에 PAG 1 내지 PAG 9 를 각각 0.5g씩 첨가하여 신너 조성물 내에서 완전히 용해되는 시간을 측정하였다. 교반 속도는 150rpm이었으며 온도는 25℃를 유지 하였다.0.5 g of each of
(단위: 초)(unit: seconds)
PAG 1: SP-302, PAG 2: NT-256, PAG 3: NT-1045, PAG 4: NT-552, PAG 1: SP-302, PAG 2: NT-256, PAG 3: NT-1045, PAG 4: NT-552,
PAG 5: NT-595, PAG 6: NT-962, PAG 7: NT-1029, PAG 8: NT-1266, PAG 9: NT-876PAG 5: NT-595, PAG 6: NT-962, PAG 7: NT-1029, PAG 8: NT-1266, PAG 9: NT-876
표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 PAG 에 대하여 우수한 용해도를 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 7의 신너 조성물은 실시예1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 용해되는 속도가 현저히 떨어짐을 알 수 있었다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정한 PAG가 아니라 다양한 PAG에서 종래의 신너 조성물보다 매우 우수한 용해도를 나타냄을 의미한다.Referring to Table 2, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention exhibited excellent solubility in all PAGs. On the other hand, it was found that the dissolution rate of the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 7 was significantly lower than that of the thinner compositions of the present invention according to Examples 1 to 4. This means that the thinner composition according to the present invention exhibits much better solubility than the conventional thinner composition in various PAGs, not specific PAGs.
(2) (2) EBREBR (Edge Bead Removal) 테스트(Edge Bead Removal) test
8 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 하기 표 2에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7의 신너 조성물을 표 4에 기재되어 있는 조건으로 Edge 부위의 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 EBR 실험을 진행 하였다. 각 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7의 신너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 신너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로하였다. 그리고 광학현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성능을 평가하고, 그 결과를 하기의 표 5에 나타내었다.After applying the photosensitive resin composition described in Table 2 to an 8 inch silicon oxide substrate, the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7 were applied to the edge portion under the conditions described in Table 4. An EBR experiment was performed to remove unnecessary photoresist film by spraying. The thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7 were supplied from a pressurized cylinder equipped with a pressure gauge, and the pressure at this time was 1 kgf, and the flow rate of the thinner composition from the EBR nozzle was 10 to 30 cc/min. was made. And the removal performance of unnecessary photoresist was evaluated using an optical microscope, and the results are shown in Table 5 below.
<평가기준><Evaluation criteria>
◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성(line uniformity)이 일정한 상태(도 1 (a) 참고)◎: EBR line uniformity to the photoresist film after EBR is constant (refer to Fig. 1 (a))
○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태○: After EBR, the EBR line uniformity to the photoresist film is 75% or more, good straight line
△: EBR 후 엣지 부분의 모양이 신너의 용해작용에 영향을 받아 일그러진 상태△: After EBR, the shape of the edge part is distorted due to the effect of the thinner's dissolving action
X: EBR 후 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태(도 1 (b) 참고)X: A state in which a tailing phenomenon occurred in the film at the edge after EBR (refer to Fig. 1 (b))
상기 표 5를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 7은 실시예 1 내지 3에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 제거성이 현저히 떨어짐이 확인되었다. 이러한 결과는 본 발명의 신너 조성물은 2종류의 포토레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC)에 대하여 매우 우수한 EBR 성능을 제공한다는 것을 나타낸다.Referring to Table 5, the thinner compositions of Examples 1 to 3 according to the present invention exhibited excellent EBR performance for all photosensitive films. On the other hand, it was confirmed that Comparative Examples 1 to 7 had significantly lower removability compared to the thinner compositions of the present invention according to Examples 1 to 3. These results indicate that the thinner composition of the present invention provides very good EBR performance with respect to two types of photoresist and bottom anti-reflection film (BARC).
또한, EBR의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.In addition, even when the rotation speed (rpm) conditions of the EBR were changed, an equally excellent shape was maintained. This shows that the thinner composition according to the present invention does not show an effect only under specific conditions, but provides the same performance under various conditions. That is, the above results indicate that the thinner composition of the present invention is more stable than the conventional thinner composition against changes in process conditions.
(3) (3) 포토레지스트photoresist 종류 및 kind and BARC에to BARC 따른 RRC(Reducing Resist Coating) 성능 평가 RRC (Reducing Resist Coating) performance evaluation according to
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 7의 신너 조성물을 사용하여 표 3의 2가지의 포토레지스트 및 BARC대한 RRC 성능을 시험하였다. 하기 표 6과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판에 상기 표 2의 2가지의 포토레지스트 및 BARC를 도포하기 전에 각각의 신너 조성물을 도포한 후 신너에 따른 포토레지스트의 도포 분포 및 소비량을 측정하는 RRC 공정을 실시하였다. BARC의 경우에도 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 RRC 공정을 실시하였다. 표 7은 8 inch 웨이퍼 위에 신너 0.5cc 를 도포한 후 PR1, PR2 각각 0.5cc 및 BARC 1.0 cc를 각각 도포한 후 포토레지스트 소비량을 측정하여 나타낸 결과이다.Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7 were used to test the RRC performance of the two photoresists and BARCs in Table 3 using the thinner compositions. According to the recipe shown in Table 6 below, the two photoresists of Table 2 and After applying each thinner composition before applying the BARC, an RRC process was performed to measure the distribution and consumption of photoresist according to the thinner. In the case of BARC, the RRC process was performed using each thinner composition without heat treatment. Table 7 shows the results of measuring photoresist consumption after applying 0.5cc of thinner on an 8-inch wafer, 0.5cc of PR1 and PR2, and 1.0 cc of BARC, respectively.
<평가기준><Evaluation criteria>
◎: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 경우(도 2 (a) 참고) ◎: RRC result When applying the thinner 0.5cc on the 8-inch wafer and then applying the photoresist, 99~100% of the photoresist is applied on the wafer (refer to Fig. 2 (a))
○: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 97~98% 도포된 경우○: RRC result When applying the thinner 0.5cc on the 8-inch wafer and then applying the photoresist, 97~98% of the photoresist is applied on the wafer
△: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85~90% 도포된 경우△: RRC result When applying the thinner 0.5cc on the 8-inch wafer and then applying the photoresist, 85~90% of the photoresist is applied on the wafer
X: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 경우(도 2 (b) 참고)X: As a result of RRC, when 0.5cc of thinner is applied on the 8-inch wafer and less than 85% of the photoresist is applied on the wafer when the photoresist is applied (refer to Fig. 2 (b))
상기 표 7을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 RRC 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 7의 신너 조성물은 포토레지스트, BARC의 도포성의 향상 측면에서 본 발명의 실시예 1 내지 4 의 신너 조성물과 비교하여 현저히 떨어지는 효과를 제공하였다. 또한, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 RRC의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.Referring to Table 7, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention exhibited excellent RRC performance for all photoresist films. On the other hand, the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 7 provided a significantly inferior effect compared to the thinner compositions of Examples 1 to 4 of the present invention in terms of improving the coatability of the photoresist and BARC. In addition, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention maintained an equally excellent shape even when the conditions of the rotation speed (rpm) of the RRC were changed. This shows that the thinner composition according to the present invention does not show an effect only under specific conditions, but provides the same performance under various conditions. That is, the above results indicate that the thinner composition of the present invention is more stable than the conventional thinner composition against changes in process conditions.
(4) (4) 포토레지스트photoresist 종류에 따른 코팅 균일성 평가(Coating Uniformity) Coating Uniformity Evaluation by Type
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 7의 신너 조성물을 사용하여 표 2의 2가지의 포토레지스트 및 BARC에 대한 코팅 균일성을 시험하였다. 하기 표 8과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판 위에 포토레지스트를 도포 한 후 웨이퍼의 중앙과 웨이퍼의 중앙에서 1인치, 2인치, 3인치, 4인치 거리의 지점을 X자 모양으로 총 13곳, 모두 12곳(도 3 참고)을 측정하여 포토레지스트가 균일하게 도포 되었는지를 확인하였고 그 결과를 하기의 표 8에서 나타내었다. The coating uniformity of the two photoresists and BARCs in Table 2 was tested using the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7. After applying the photoresist on the 8-inch silicon oxide substrate according to the recipe shown in Table 8 below, a total of 13 places at the center of the wafer and 1 inch, 2 inches, 3 inches, and 4 inches away from the center of the wafer in an X shape , all 12 locations (refer to FIG. 3) were measured to confirm that the photoresist was uniformly applied, and the results are shown in Table 8 below.
<평가기준><Evaluation criteria>
◎: 도포 막두께의 표준편차가 1% 이하인 경우◎: When the standard deviation of the applied film thickness is 1% or less
○: 도포 막두께의 표준편차가 2% 이하인 경우○: When the standard deviation of the applied film thickness is 2% or less
△: 도포 막두께의 표준편차가 3% 이하인 경우△: When the standard deviation of the applied film thickness is 3% or less
X: 도포 막두께의 표준편차가 3% 초과인 경우X: When the standard deviation of the applied film thickness exceeds 3%
상기 시험예 1 내지 3의 시험결과에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물은 비교예 1 내지 7의 신너 조성물과 비교하여 EBR, RRC, 및 코팅 균일성의 모든 면에서 현저히 우수한 결과를 제공함을 확인할 수 있었다.According to the test results of Test Examples 1 to 3, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention were significantly superior to the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 7 in all aspects of EBR, RRC, and coating uniformity. was confirmed to provide.
Claims (7)
(b) C1~C10 알킬 락테이트, 및
(c) 사이클로펜타논을 포함하고,
사이클로헥사논은 포함하지 않는 신너 조성물로서,
상기 신너 조성물은 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 상기 신너 조성물을 먼저 도포하여 웨이퍼 표면을 전처리하기 위한 RRC(reducing resist coating) 공정용인 것을 특징으로 하는, 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물.(a) C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkylether acetate;
(b) C1-C10 alkyl lactate, and
(c) cyclopentanone;
As a thinner composition that does not contain cyclohexanone,
The thinner composition is for a reducing resist coating (RRC) process for pretreating the wafer surface by first applying the thinner composition before applying the photoresist to improve the coating performance of the photoresist, for removing the photosensitive resin and anti-reflection film thinner composition.
조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; (b) C1~C10 알킬 락테이트 5 내지 50중량%; 및 (c) 사이클로펜타논 1 내지 50중량%를 포함하는 신너 조성물. The method according to claim 1,
Based on the total weight of the composition, (a) C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkylether acetate 10 to 70% by weight; (b) 5 to 50% by weight of C1-C10 alkyl lactate; and (c) 1 to 50% by weight of cyclopentanone.
상기 신너 조성물에 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.The method according to claim 1,
The thinner composition, characterized in that it further comprises a surfactant in the thinner composition.
상기 (a)의 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 신너 조성물.The method according to claim 1,
The C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkylether acetate of (a) is propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof A thinner composition, characterized in that it is selected from consisting of.
상기 (b) C1~C10 알킬 락테이트가 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 프로필 락테이트, 및 부틸 락테이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 신너 조성물.The method according to claim 1,
The (b) C1-C10 alkyl lactate is at least one selected from the group consisting of methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, and butyl lactate.
상기 신너 조성물은 반사방지막, i-라인, KrF, ArF, 및 EUV용 포토레지스트에 따르는 RRC 공정, EBR 공정, 리워크 공정, 및 웨이퍼 하부면 세척공정에 사용되는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.The method according to claim 1,
The thinner composition is used in the RRC process, EBR process, rework process, and wafer lower surface cleaning process according to the anti-reflection film, i-line, KrF, ArF, and EUV photoresist.
상기 신너 조성물은 ArF용 포토레지스트에 따르는 RRC 공정, EBR 공정, 리워크 공정, 및 웨이퍼 하부면 세척공정에 사용되는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.
7. The method of claim 6,
The thinner composition is a thinner composition, characterized in that it is used in the RRC process, EBR process, rework process, and wafer lower surface cleaning process according to the ArF photoresist.
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