KR20110038341A - Thinner composition for removing photosensitive resin and anti-reflective coating - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A photosensitive resin and a thinner composition for eliminating an anti-reflection film are provided to uniformly eliminate unnecessary photo-resist on the rear side and the edge side of a substrate. CONSTITUTION: A photosensitive resin and a thinner composition for eliminating an anti-reflection film includes a carbonate compound and a solvent including one, two or more of a group including alkyl hydroxyl propionate, propylene glycol alkyl ether acetate, propylene glycol alkyl ether, and alkyl alkoxypropionate. The carbonate compound is represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1 and R2 are respectively C1 to C10 of alkyl group or C1 to C10 of hydroxyl alkyl group. The R1 and the R1 are capable of bonding to form a ring.

Description

감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물{Thinner composition for removing photosensitive resin and anti-reflective coating}Thinner composition for removing photosensitive resin and anti-reflective coating

본 발명은 반도체 소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너(Thinner) 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a thinner composition for removing a photosensitive resin and an antireflection film used in a semiconductor device manufacturing process.

반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은, 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성하는 작업이다. 이러한 포토리소그래피 공정은 (1)웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2)도포된 감광막으로부터 용매를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 부착하게 하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3)자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광(露光)공정, (4)광원에 대한 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상(現像)공정, (5)현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀하게 고착시키기 위한 하드 베이 킹(hard baking) 공정, (6)현상된 감광막의 패턴에 따라 일정부위를 에칭하는 식각(蝕刻)공정 및 (7)상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리(剝離) 공정 등으로 진행된다.The photolithography process of manufacturing a semiconductor device is an operation of applying an photosensitive resin composition onto a wafer, transferring a predesigned pattern, and then configuring the electronic circuit through an etching process appropriately according to the transferred pattern. . The photolithography process includes (1) a coating step of uniformly applying the photosensitive resin composition to the surface of the wafer, and (2) a soft baking step of evaporating the solvent from the coated photosensitive film so that the photosensitive film adheres to the surface of the wafer. (3) an exposure process of transferring a mask pattern onto the photoresist by exposing the photoresist while repeatedly and sequentially reducing and projecting the circuit pattern on the mask using a light source such as ultraviolet ray, and (4) exposure to a light source. Development process that selectively removes parts with different physical properties such as difference in solubility according to photosensitivity by using photodevelopment solution, and (5) to more closely adhere the photoresist film remaining on the wafer to the wafer after development. A hard baking process, (6) an etching process of etching certain portions according to the developed photoresist pattern, and (7) after the process It advances to the peeling process etc. which remove the photosensitive film which became unnecessary.

상기 (1) 공정은 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전 도포공정일 수 있는 데, 이 경우 원심력으로 인해 기판의 에지부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치 내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시킨다. 이를 제거하기 위하여 기판의 에지부위와 후면부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지부위와 후면부위에 유기용매 성분으로 구성된 씬너 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.The step (1) may be a rotation coating process that spreads the surface evenly by centrifugal force by rotating the substrate. In this case, a small spherical material is formed because the photosensitive film is concentrated on the edge and the rear surface of the substrate due to the centrifugal force. The spherical material may be peeled off during transfer of the substrate after the baking process to cause particles in the apparatus, or may cause defocus during exposure. Such unnecessary photosensitive material causes equipment contamination and lowers the yield in the semiconductor device manufacturing process. In order to remove this, spray nozzles are installed above and below the edge portion and the rear portion of the substrate, and the thinner composition composed of the organic solvent component is removed by spraying the edge portion and the rear portion through the nozzle.

상기 씬너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 씬너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있느냐 하는 능력으로 매우 중요하다. 구체적으로 에지부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있다. 만약 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라고 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근 들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도 화에 따른 기판의 대구경화로 인해 회전도포기를 이용한 린스공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전 속도에 따른 기판의 요동과 분사되는 씬너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 씬너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인한 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 씬너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.Factors that determine the performance of the thinner composition include dissolution rate and volatility. The dissolution rate of the thinner composition is very important because of its ability to dissolve and remove the photosensitive resin quickly and effectively. Specifically, in the rinse of the edge portion, it must have a proper dissolution rate to have a smooth treatment cross section. If the dissolution rate is too high, a photoresist attack may occur in the rinse of the photoresist applied to the substrate. On the contrary, when the dissolution rate is too low, a partially dissolved photosensitive film tail flow phenomenon called tailing may appear in the rinse of the photosensitive film applied to the substrate. In particular, in the case of the rinsing process using a rotating applicator due to the high integration of semiconductor integrated circuits and the large diameter of the substrate due to the high density, the low speed (rpm) of the rotation speed is inevitable. In this rinse process, when the substrate does not have a proper dissolution rate at the contact speed of the thinner composition and the fluctuation of the substrate due to the low rotational speed, bounding occurs and the use of the unnecessary thinner composition increases. In the low rotation rinse process due to the large diameter of such a substrate, a stronger dissolution rate of the thinner is required than the conventional high rotation rinse process.

또한, 휘발성은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구된다. 휘발성이 너무 낮아 씬너 조성물이 휘발되지 못하고 잔류하는 경우, 잔류하는 씬너 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상과 사용 중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다. 이로 인한 각종 테일링이나 감광막 어택 등의 불량은 모두 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 직접적인 원인이 되고 있다.In addition, volatility is required to not volatilize easily and remain on the surface of the substrate after removing the photosensitive resin. When the volatility is too low and the thinner composition does not volatilize and remains, the remaining thinner itself may act as a contaminant in various processes, particularly in subsequent etching processes, thereby reducing the yield of semiconductor devices. If the volatility is too high, the substrate may be rapidly cooled and the thickness variation of the applied photoresist film may increase, and the volatilization may easily be volatilized to the air during use to contaminate the cleanliness itself. As a result, all kinds of defects such as tailing and photoresist attack are a direct cause of lowering the yield of semiconductor devices.

또한, 현재 반도체 리소그라피 공정에서 포토레지스트로 사용하고 있는 i-라인 포토레지스트, KrF 포토레지스트, ArF 포토레지스트, KrF 포토레지스트용 반사방지막 및 ArF 포토레지스트용 반사방지막 등은 모두 구성하고 있는 주성분이 다르기 때문에 단일 성분으로는 충분한 세정효과를 얻을 수 없다는 문제점이 있다. 이를 극복하기 위해 종래의 단일용제들을 혼합하는 방법 등이 연구개발 되었으며, 그 예는 다음과 같다.In addition, i-line photoresist, KrF photoresist, ArF photoresist, KrF photoresist antireflection film, and ArF photoresist antireflection film, which are currently used as photoresists in semiconductor lithography processes, have different main components. There is a problem that a sufficient cleaning effect cannot be obtained with a single component. In order to overcome this, a conventional method of mixing single solvents has been researched and developed, and examples thereof are as follows.

일본공개특허공보 평4-130715호는 피루핀산 알킬계 용매와 메틸에틸케톤으로 이루어진 혼합용매로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본공개특허공보 평7-146562호는 프로필렌글리콜 알킬에테르와 3-알콕시 프로피온산 알킬류의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본공개특허공보 평7-128867호는 프로필렌글리콜 알킬에테르와 부틸아세테이트와 에틸락테이트의 혼합물 또는 부틸아세테이트와 에틸락테이트, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본공개특허공보 평7-160008호는 프로필렌글리콜 알킬에테르 프로피오네이트와 메틸에틸케톤의 혼합물, 혹은 프로필렌글리콜 알킬에테르 프로피오네이트와 초산부틸의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 미국특허 제4,983,490호는 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트와 프로필렌글리콜 알킬에테르로 이루어진 혼합용매를 씬너 조성물로 사용하였으며, 미국특허 제4,886,728호에서는 에틸락테이트와 메틸에틸케톤으로 이루어진 혼합물을 씬너 조성물로 사용한 바 있다.Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-130715 uses a thinner composition composed of a mixed solvent consisting of an alkyl pyrupinic acid solvent and methyl ethyl ketone. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-146562 uses a thinner composition composed of a mixture of propylene glycol alkyl ether and alkyl 3-alkoxy propionic acid. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-128867 uses a thinner composition composed of a mixture of propylene glycol alkyl ether and butyl acetate and ethyl lactate or a mixture of butyl acetate, ethyl lactate and propylene glycol alkyl ether acetate. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-160008 uses a thinner composition composed of a mixture of propylene glycol alkyl ether propionate and methyl ethyl ketone, or a mixture of propylene glycol alkyl ether propionate and butyl acetate. U.S. Patent No. 4,983,490 uses a mixed solvent consisting of propylene glycol alkyl ether acetate and propylene glycol alkyl ether as a thinner composition, and U.S. Patent No. 4,886,728 used a mixture consisting of ethyl lactate and methyl ethyl ketone as a thinner composition. .

그러나 상기에서 서술된 혼합용제들도 점차 고집적화, 대구경화 되고 있는 반도체 소자와 박막 트랜지스터 액정표시소자에 적용되는 경우에는 많은 문제를 야기하고 있다. 또한 ArF 및 ArF 이멀젼 포토레지스트의 사용량이 증가하고 있는 추세이며, 레진의 화학적 구조 측면에서도 극성이 높은 구조들이 채택되고 있다. 따라서 기존의 씬너 조성들은 이들 레진에 대한 용해능이 낮으며, 충분히 EBR 및 포토레지스트 도포 이전에 웨이퍼 상부의 전처리가 가능하더라도, 이들 레진이 씬너 성분에 완전히 용해되지 않아서 코터의 컵홀더의 오염을 발생 시키거나 컵홀더의 배출구를 막는 현상들을 발생시킨다. 이는 반도체 생산공정의 생산성 및 수율을 저하시키는 원인이 된다.However, the above-described mixed solvents also cause many problems when applied to semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices that are increasingly integrated and large diameter. In addition, the usage of ArF and ArF emulsion photoresist is increasing, and polar structures are adopted in terms of the chemical structure of the resin. Therefore, conventional thinner compositions have low solubility for these resins, and even if sufficient pretreatment of the wafer top prior to application of EBR and photoresist, these resins do not completely dissolve in the thinner components, resulting in contamination of the coater cup holder. Or block the outlet of the cup holder. This causes a decrease in productivity and yield of the semiconductor production process.

웨이퍼 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 공정에 있어서 대한민국 공개특허공보 특2003-0095033호에서와 같이 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하기 이전에 씬너를 먼저 도포하여 웨이퍼의 표면장력을 낮춘 상태에서 포토레지스트를 도포하여 적은 량의 포토레지스트로 패턴의 단차를 극복하면서 고르게 도포하는 공정이 실시되고 있다. In the process of uniformly applying the photosensitive resin composition to the wafer surface, as in the Republic of Korea Patent Publication No. 2003-0095033, the thinner is first applied before applying the photoresist to the wafer surface to lower the surface tension of the wafer. The process of apply | coating a resist and applying evenly, overcoming the step | step difference of a pattern with a small amount of photoresist is performed.

그러나, 이 경우에도 씬너의 휘발성이 높으면 포토레지스트가 고르게 퍼지지 못하고 웨이퍼 위에 미세한 패턴의 단차를 극복하지 못하여 웨이퍼 가장자리가 갈라지는 현상이 발생한다. 또한, 휘발성이 너무 낮으면 포토레지스트 도포시에 잔존 씬너에 의해 포토레지스가 어택을 받는 문제점이 발생한다. 휘발도 뿐만 아니라 도포되는 형상은 유기용매의 표면장력, 포토레지스트에 포함된 유기용매 및 포토레지스트의 주성분인 감광성 레진의 구조에 기인하므로, 이를 모두 만족시키는 씬너 조성물이 요구된다.However, even in this case, when the volatility of the thinner is high, the photoresist may not spread evenly, and the edge of the wafer may be cracked because the step of the fine pattern may not be overcome on the wafer. In addition, if the volatility is too low, there is a problem that the photoresist is attacked by the remaining thinner during the photoresist coating. As well as volatilization, the applied shape is due to the surface tension of the organic solvent, the organic solvent contained in the photoresist, and the structure of the photosensitive resin which is the main component of the photoresist, and thus, a thinner composition that satisfies all of them is required.

본 발명의 목적은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 포토레지스트에 대하여. 균일한 제거 성능을 지닌 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to avoid unnecessary photoresist occurring at edges or backsides of substrates caused by large diameters of substrates used in the manufacture of semiconductor devices. It is to provide a thinner composition for removing a photosensitive resin and an anti-reflection film having a uniform removal performance.

또한, 본 발명의 목적은 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 갖는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a photosensitive resin having excellent solubility and EBR properties for various photoresists and lower antireflection films (BARC) including i-line, KrF, ArF photoresists, and thinner compositions for removing antireflection films. will be.

또한, 본 발명의 목적은 포토레지스트를 도포하기 이전에 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 씬너 조성물을 먼저 도포하여 웨이퍼 표면을 전처리 하는 공정에서도 우수한 특성을 갖는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제공하는 것이다.In addition, an object of the present invention is to apply a thinner composition first to improve the coating performance of the photoresist before applying the photoresist to a photosensitive resin and a thinner composition for removing the anti-reflection film having excellent characteristics even in the process of pre-treating the wafer surface. To provide.

또한, 본 발명의 목적은 씬너 조성물에 의해 용해된 용액에서 포토레지스트 및 반사방지막의 구성물들이 석출되는 것을 방지하는 특성을 갖는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a photosensitive resin and a thinner composition for removing an antireflective film having a property of preventing the components of the photoresist and the antireflective film from being precipitated in a solution dissolved by the thinner composition.

본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물; (b) 알킬 하이드록시 프로피오네이트; 및 (c) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되 는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 용매를 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제공한다.The present invention (a) a carbonate compound represented by the formula (1); (b) alkyl hydroxy propionate; And (c) one or two or more solvents selected from the group consisting of propylene glycol alkylether acetate, propylene glycol alkylether and alkylalkoxypropionate. to provide.

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112009061675301-PAT00001
Figure 112009061675301-PAT00001

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기이고, 상기 R1과 R2는 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring.

또한, 본 발명은 상기 씬너 조성물을 사용하여 제조되는 기판을 포함하는 반도체 소자를 제공한다. The present invention also provides a semiconductor device comprising a substrate manufactured using the thinner composition.

본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 포토레지스트을 균일하게 제거할 수 있고, 단시간에 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 갖다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 포토레지스트를 도포하기 이전에 포토레 지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 씬너 조성물을 먼저 도포하는 웨이퍼 표면 전처리 공정에서 우수한 성능을 가진다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 씬너 조성물에 의해 용해된 용액에서 포토레지스트 및 반사방지막의 구성물들이 석출되는 것을 방지하는 특성을 가져, 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등이 발생하지 않아, 생산성 향상에 도움을 준다. The thinner composition for removing the photosensitive resin and the anti-reflection film of the present invention can uniformly remove unnecessary photoresist generated at the edge portion or the rear portion of the substrate caused by the large diameter of the substrate used in the manufacture of the semiconductor device, and can be removed in a short time. can do. In addition, the photosensitive resin and the anti-reflective film thinner composition of the present invention have excellent solubility and EBR properties with respect to various photoresists and lower anti-reflective films (BARC), including photoresist for i-line, KrF, and ArF. In addition, the photosensitive resin and the anti-reflective film thinner composition of the present invention have excellent performance in the wafer surface pretreatment process of first applying the thinner composition to improve the coating performance of the photoresist before applying the photoresist. In addition, the thinner composition for removing the photosensitive resin and the anti-reflective coating of the present invention has a property of preventing the components of the photoresist and the anti-reflective coating from being precipitated in the solution dissolved by the thinner composition. No clogging occurs, which helps to improve productivity.

이하, 본 발명에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated.

본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물에 포함되는 (a) 카보네이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되고, 높은 유기물에 대한 용해도가 높아서 우수한 세정성을 가진다. The (a) carbonate compound included in the photosensitive resin and the anti-reflective film removal thinner composition of the present invention is represented by the following general formula (1), and has high solubility in high organic matters and thus has excellent washability.

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112009061675301-PAT00002
Figure 112009061675301-PAT00002

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기이고, 상기 R1과 R2는 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring.

상기 (a) 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1 내지 5중량%로 포함되 는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위 미만으로 포함되는 경우, 본 발명에서 목적으로 하는 효과를 얻기 어려우며, 상술한 범위를 초과하면, EBR(엣지 비드 리무빙) 프로세서에서 씬너조성물이 뭉치는 현상이 발생하여 바람직하지 않다.(A) The carbonate compound represented by the formula (1) is preferably included in 0.1 to 10% by weight, more preferably in 0.1 to 5% by weight relative to the total weight of the composition. When included in the above-described range, it is difficult to obtain the desired effect in the present invention, and if it exceeds the above-mentioned range, the thinner composition agglomeration occurs in the EBR (edge bead removing) processor is not preferable.

상기 (a)화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물은 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 부틸렌 카보네이트 및 글리세린 카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. The carbonate compound represented by the formula (a) is preferably one or two or more selected from the group consisting of ethylene carbonate, propylene carbonate, butylene carbonate and glycerin carbonate.

본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물에 포함되는 (b) 알킬 하이드록시 프로피오네이트는 극성이 높은 유기물 및 친수성이 높은 유기물에 대한 용해도가 높아서 우수한 세정성을 가진다. (B) Alkyl hydroxy propionate included in the photosensitive resin and the anti-reflective film removal thinner composition of the present invention has excellent solubility in highly polar organic substances and high hydrophilic organic substances and thus has excellent cleaning properties.

조성물 총 중량에 대하여, 1 내지 25 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 5 내지 20 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 극성이 높고 친수성이 높은 감광성 수지 및 반사방지막에 대한 용해도 우수한 이점이 있다. It is preferably included in an amount of 1 to 25% by weight, more preferably 5 to 20% by weight based on the total weight of the composition. If it is included in the above-described range, there is an advantage that the solubility in the photosensitive resin and antireflection film having high polarity and high hydrophilicity.

상기 알킬 하이드록시 프로피오네이트는 에틸 하이드록시 프로피오네이트인 것이 바람직하다.The alkyl hydroxy propionate is preferably ethyl hydroxy propionate.

본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물에 포함되는 (c) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 용매는 바인더용매의 역할을 하며, 전체조성에서의 휘발도와 용해도를 조절하는 역할을 한다.A solvent comprising one or two or more selected from the group consisting of (c) propylene glycol alkylether acetate, propylene glycol alkylether and alkylalkoxypropionate included in the photosensitive resin and antireflective film removal thinner composition of the present invention. Serves as a binder solvent and controls the volatility and solubility in the overall composition.

상기 (c) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 용매는 조성물 총 중량에 대하여, 65 내지 99 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 75 내지 95중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 상기 (a) 화학식 1로 표시되는 카르보네이트 화합물과 (b) 알킬 하이드록시 프로피오네이트의 혼합시에 휘발도와 용해도록 적절하게 조절하기 용이한 이점이 있다. The solvent (c) comprising one or two or more selected from the group consisting of propylene glycol alkylether acetate, propylene glycol alkylether and alkylalkoxypropionate is included in an amount of 65 to 99% by weight based on the total weight of the composition. It is preferable that it is included, and it is preferable that it is contained in 75 to 95 weight%. If it is included in the above-mentioned range, there is an advantage that it is easy to properly adjust so as to dissolve in the volatile when mixing (a) the carbonate compound represented by the formula (1) and (b) alkyl hydroxy propionate.

상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트의 알킬기로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하다. 또한, 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것이 바람직하다. As the alkyl group of the propylene glycol alkyl ether acetate, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. In addition, the propylene glycol alkyl ether acetate is preferably one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof.

상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르의 알킬기는 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하다. 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 및 이들의 혼합물으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것이 바람직하다.The alkyl group of the propylene glycol alkyl ether is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The propylene glycol alkyl ether is preferably one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether and mixtures thereof.

상기 알킬알콕시프로피오네이트로의 알킬기는 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하고, 알콕시기는 탄소수 1 내지 10의 알콕시기인 것이 바람직하다. 상기 알킬알콕시프로피오네이트는 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 에틸-3-에톡시 프로피오네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것이 바람직하다.The alkyl group to the alkylalkoxypropionate is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and the alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. The alkylalkoxypropionate is preferably one selected from the group consisting of methyl-3-methoxy propionate, ethyl-3-ethoxy propionate and mixtures thereof.

본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물는 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로는 불소계열, 비이온성 계열 또는 이온성 계열의 계면활성제가 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 계면활성제는 본 발명의 씬너 조성물 총 중량에 대하여 약 10 내지 500 ppm으로 포함될 수 있다. 상술한 범위로 포함되는 것이 EBR 특성 개선에 바람직하다.The photosensitive resin and the anti-reflection film removing thinner composition of the present invention may further include a surfactant. As the surfactant, a fluorine-based, nonionic or ionic surfactant may be preferably used. The surfactant may be included at about 10 to 500 ppm with respect to the total weight of the thinner composition of the present invention. It is preferable to include in the above-described range for improving EBR characteristics.

또한, 본 발명의 씬너 조성물은 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the thinner composition of the present invention may further include conventional additives in addition to the aforementioned components in order to further improve the effect.

본 발명의 씬너 조성물은 EBR 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 및 포토레지스트의 도포 공정에서 포토레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼 표면을 전처리 하는 과정에 바람직하게 사용될 수 있다. The thinner composition of the present invention may be preferably used in the pretreatment of the wafer surface before the photoresist is applied in the EBR process, the wafer bottom surface cleaning process and the photoresist application process.

본 발명의 씬너 조성물은 500㎚ 이하의 고에너지선, X선 및 전자선 등을 광원으로 사용하는 감광성 수지에 바람직하게 적용될 수 있다. The thinner composition of this invention can be preferably applied to the photosensitive resin which uses high energy rays of 500 nm or less, an X-ray, an electron beam, etc. as a light source.

본 발명의 씬너 조성물은 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조 공정에 사용될 수 있으며, 이때 상기 씬너 조성물의 분 사량은 5 내지 50cc/min인 것이 바람직하다.The thinner composition of the present invention may be used in the manufacturing process of a semiconductor device or a thin film transistor liquid crystal display device which removes unnecessary photoresist by spraying the edge portion and the rear portion of the substrate to which the photosensitive resin composition is applied, wherein the injection amount of the thinner composition is It is preferable that it is 5-50 cc / min.

본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 포토레지스트을 균일하게 제거할 수 있고, 단시간에 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 갖다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 포토레지스트를 도포하기 이전에 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 씬너 조성물을 먼저 도포하는 웨이퍼 표면 전처리 공정에서 우수한 성능을 가진다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 씬너 조성물에 의해 용해된 용액에서 포토레지스트 및 반사방지막의 구성물들이 석출되는 것을 방지하는 특성을 가져, 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등이 발생하지 않아, 생산성 향상에 도움을 준다. The thinner composition for removing the photosensitive resin and the anti-reflection film of the present invention can uniformly remove unnecessary photoresist generated at the edge portion or the rear portion of the substrate caused by the large diameter of the substrate used in the manufacture of the semiconductor device, and can be removed in a short time. can do. In addition, the photosensitive resin and the anti-reflective film thinner composition of the present invention have excellent solubility and EBR properties with respect to various photoresists and lower anti-reflective films (BARC), including photoresist for i-line, KrF, and ArF. In addition, the photosensitive resin and the anti-reflective film thinner composition of the present invention have excellent performance in the wafer surface pretreatment process of first applying the thinner composition to improve the coating performance of the photoresist before applying the photoresist. In addition, the thinner composition for removing the photosensitive resin and the anti-reflective coating of the present invention has a property of preventing the components of the photoresist and the anti-reflective coating from being precipitated in the solution dissolved by the thinner composition. No clogging occurs, which helps to improve productivity.

또한, 본 발명은 상기 씬너 조성물을 사용하여 제조되는 기판을 포함하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자를 제공한다.The present invention also provides a semiconductor device or a thin film transistor liquid crystal display device including a substrate manufactured using the thinner composition.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위 가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention more specifically, but the scope of the present invention is not limited by the following examples.

실시예1 내지 5 및 비교예1 내지 6: 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물의 제조Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6: Preparation of Thinner Composition for Removing Photosensitive Resin and Anti-Reflection Film

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 표 1에 기재된 구성요소를 표 1에 기재된 조성비로 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제조하였다.After adding the components shown in Table 1 in the composition ratio shown in Table 1 to the mixing tank equipped with a stirrer, and stirred at a speed of 500rpm for 1 hour at room temperature to prepare a thinner composition for removing the photosensitive resin and anti-reflection film.

PC(중량%)PC (wt%) BC(중량%)BC (% by weight) EHP(중량%)EHP (% by weight) PGMEA(중량%)PGMEA (wt%) MMP(중량%)MMP (% by weight) 실시예1Example 1 55 -- 55 9090 -- 실시예2Example 2 55 -- 1010 8585 -- 실시예3Example 3 55 -- 1515 8080 -- 실시예4Example 4 -- 55 1010 -- 8585 실시예5Example 5 -- 55 1515 -- 8080 비교예1Comparative Example 1 1010 -- -- 9090 -- 비교예2Comparative Example 2 1010 1010 -- 8080 -- 비교예3Comparative Example 3 -- 1010 -- -- 9090 비교예4Comparative Example 4 1010 1010 -- -- 8080 비교예5Comparative Example 5 -- -- -- 100100 -- 비교예6Comparative Example 6 -- -- -- -- 100100

[주] PGMEA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (propyleneglycol monomethylether acetate) PGMEA: propyleneglycol monomethylether acetate

MMP: 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 (Methyl-3-methoxy Propionate)MMP: Methyl-3-methoxy Propionate

EHP: 에틸 하이드록시 프로피오네이트 (Ethyl-2-hydroxy Propionate)EHP: Ethyl-2-hydroxy Propionate

PC: 프로필렌 카보네이트 (Propylene carbonate)PC: Propylene carbonate

BC: 부틸렌 카보네이트 (Butylene carbonate)BC: Butylene carbonate

시험예1: 씬너 조성물에 의한 불필요한 감광막 제거 실험Test Example 1: Experimental Removal of Unnecessary Photoresist by Thinner Composition

4인치(inch) 산화 실리콘 기판에 하기 표 2에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 도포하면서 실시예1 내지 5 및 비교예1 내지 6의 씬너 조성물을 사용하여 표 3에 기재되어 있는 조건 하에서 에지부위의 불필요한 감광막을 제거하는 실험(Edge Bead Removing 실험: 이하 EBR 실험이라 함)을 진행하였다. 여기서, EBR 조건 1은 EBR을 하기 위한 디스펜스가 움직여서 씬너를 분사하는 위치까지 와서 대기하는 프로세서이고, EBR조건 2는 실제 EBR을 하는 프로세서이다. Using the thinner compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6, applying the photosensitive resin composition shown in Table 2 to a 4 inch silicon oxide substrate, under the conditions described in Table 3 An experiment was performed to remove unnecessary photoresist (Edge Bead Removing Experiment: hereinafter referred to as EBR experiment). Here, EBR condition 1 is a processor that waits for the dispense to move to the EBR to come to the position where the thinner is injected, and EBR condition 2 is a processor that actually performs EBR.

각 실시예1 내지 5 및 비교예1 내지 6의 씬너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 씬너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경 및 주사전자현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성능을 평가하여, 그 결과를 하기의 표 4에 나타내었다.The thinner compositions of each of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 6 were supplied from a pressure vessel equipped with a pressure gauge, and the pressure was 1 kgf, and the flow rate of the thinner composition from the EBR nozzle was 10 to 30 cc / min. It was made. In addition, the removal performance of the unnecessary photoresist film was evaluated using an optical microscope and a scanning electron microscope, and the results are shown in Table 4 below.

구분division 조성물 종류Composition type 레진 계열Resin series 막두께(nm)Film thickness (nm) PR 1PR 1 ArF용 PRPR for ArF Acrylate (Hybride)Acrylate (hybride) 200200 PR 2PR 2 ArF용 PRPR for ArF AcrylateAcrylate 250250 BARC-1BARC-1 ArF용 BARCBARC for ArF -- 6060

구분division 회전속도(rpm)Rotation speed (rpm) 시간(Sec)Sec 분배(dispense)조건Distribution conditions 300~2000300-2000 77 스핀코팅Spin coating 감광막 두께에 따라 조절Adjustable according to the photoresist thickness 1515 EBR 조건1EBR Condition 1 20002000 2020 EBR 조건2EBR Condition 2 20002000 2525 건조 조건Dry condition 13001300 66

PR 1PR 1 PR 2PR 2 BARC-1BARC-1 실시예1Example 1 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예2Example 2 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예3Example 3 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예4Example 4 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예5Example 5 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 비교예1Comparative Example 1 △△ ◎◎ ○○ 비교예2Comparative Example 2 △△ ◎◎ ○○ 비교예3Comparative Example 3 △△ ◎◎ ○○ 비교예4Comparative Example 4 △△ ◎◎ ○○ 비교예5Comparative Example 5 XX ○○ XX 비교예6Comparative Example 6 XX ○○ XX

◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성(line uniformity)이 일정◎: EBR line uniformity for the photoresist film after EBR is constant

○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태○: Good linear state with EBR line uniformity of 75% or more on the photoresist film after EBR

△: EBR 후 에지 부분의 모양이 씬너의 용해작용을 받아서 일그러진 상태(Triangle | delta): The shape of the edge part after EBR was distorted by the thinner melt action.

X: EBR 후 에지부위의 막에 테일링(tailing) 현상이 발생한 것X: Tailing phenomenon occurs at the edge film after EBR

표 4에 의하면, 본 발명에 따른 실시예1 내지 5의 씬너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타낸다. 반면, 비교예1 내지 6는 실시예1 내지 5의 씬너 조성물에 비해 제거성능이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있다. According to Table 4, the thinner compositions of Examples 1 to 5 according to the present invention show excellent EBR performance for all photoresist films. On the other hand, Comparative Examples 1 to 6 it can be seen that the removal performance is significantly lower than the thinner composition of Examples 1 to 5.

또한, EBR의 회전 속도(rpm)조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 씬너 조성물이 특정조건에서만 효과를 보이는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 보이는 것으로 공정조건의 변화에 대해 종래의 씬너 조성물보다 안정하다는 것을 의미한다.In addition, even when changing the rotational speed (rpm) conditions of the EBR was maintained equally good form. This means that the thinner composition according to the present invention is not only effective under specific conditions, but also exhibits the same performance under various conditions, and is more stable than conventional thinner compositions against changes in process conditions.

시험예2: 포토레지스트 종류에 따른 용해 속도 실험Test Example 2: Dissolution Rate Test According to Photoresist Type

실시예1 내지 5와 비교예1 내지 6의 씬너 조성물을 사용하여 표 2의 3가지의 포토레지스트에 대한 용해속도를 시험하였다. DRM 기기를 이용하여 6인치 산화실리콘 기판에 3가지 포토레지스트를 도포한 이후 소프트베이킹 공정이 끝난 웨이퍼를 노광하지 않고 전면을 각각의 씬너 조성물에서 현상하면서 용해 속도를 측정하였다. BARC-1의 경우에는 도포 이후 열처리를 하지 않은 상태에서 전면을 각각의 씬너 조성물에서 현상하면서 용해 속도를 측정하였다.The dissolution rates for the three photoresists of Table 2 were tested using the thinner compositions of Examples 1-5 and Comparative Examples 1-6. After applying three photoresists to a 6-inch silicon oxide substrate using a DRM device, the dissolution rate was measured while developing the entire surface in each thinner composition without exposing the wafer after the soft baking process. In the case of BARC-1, the dissolution rate was measured while the entire surface was developed in each thinner composition without heat treatment after application.

PR 1(KrF용 PR)PR 1 (PR for KrF) PR 2(ArF용 PR)PR 2 (PR for ArF) BARC-1BARC-1 실시예1Example 1 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예2Example 2 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예3Example 3 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예4Example 4 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예5Example 5 ◎◎ ◎◎ ◎◎ 비교예1Comparative Example 1 △△ ◎◎ ○○ 비교예2Comparative Example 2 △△ ◎◎ ○○ 비교예3Comparative Example 3 △△ ◎◎ ○○ 비교예4Comparative Example 4 △△ ◎◎ ○○ 비교예5Comparative Example 5 XX ○○ XX 비교예6Comparative Example 6 △△ ○○ △△

◎: 용해속도가 700㎚/sec 이상인 경우.(Double-circle): When melt rate is 700 nm / sec or more.

○: 용해속도가 400㎚/sec 이상에서 700㎚/sec 미만인 경우.(Circle): When melt rate is less than 700 nm / sec at 400 nm / sec or more.

△: 용해속도가 100㎚/sec 이상에서 400㎚/sec 미만인 경우. (Triangle | delta): When melt rate is less than 400 nm / sec in 100 nm / sec or more.

X: 용해속도가 100㎚/sec 미만인 경우X: dissolution rate less than 100 nm / sec

Claims (11)

(a) 하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물; (a) a carbonate compound represented by the following formula (1); (b) 알킬 하이드록시 프로피오네이트; 및 (b) alkyl hydroxy propionate; And (c) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 용매를 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물:(c) a photosensitive resin comprising a solvent comprising at least one selected from the group consisting of propylene glycol alkylether acetate, propylene glycol alkylether and alkylalkoxypropionate, and a thinner composition for removing an antireflection film: <화학식 1><Formula 1>
Figure 112009061675301-PAT00003
Figure 112009061675301-PAT00003
 상기 화학식 1에서, In Chemical Formula 1, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기이고, 상기 R1과 R2는 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 조성물 총 중량에 대하여, Regarding the total weight of the composition, 상기 (a) 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 0.1 내지 10 중량%; 0.1 to 10 wt% of the carbonate compound represented by Formula (a); 상기 (b) 알킬 하이드록시 프로피오네이트 1 내지 25 중량%; 및 1 to 25% by weight of (b) alkyl hydroxy propionate; And 상기 (c) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 용매 65 내지 95중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.(C) a photosensitive resin comprising 65 to 95% by weight of a solvent comprising one or two or more selected from the group consisting of propylene glycol alkylether acetate, propylene glycol alkyl ether and alkylalkoxypropionate And a thinner composition for removing an antireflection film. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 (a) 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물이 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 부틸렌 카보네이트 및 글리세린 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.The thinner composition for removing a photosensitive resin and an anti-reflection film according to (a) the carbonate compound represented by Formula 1 is one or two or more selected from the group consisting of ethylene carbonate, propylene carbonate, butylene carbonate, and glycerin carbonate. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 (b) 알킬 하이드록시 프로피오네이트는 에틸 하이드록시 프로피오네이트 인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 방사방지막 제거용 씬너 조성물. The (b) alkyl hydroxy propionate is ethyl hydroxy propionate, characterized in that the thinner composition for removing a photosensitive resin and anti-radiation film. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.Said propylene glycol alkyl ether acetate is propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate and a thinner composition for removing a photosensitive resin and anti-reflection film, characterized in that one selected from the group consisting of. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.The propylene glycol alkyl ether is a thinner composition for removing a photosensitive resin and an anti-reflection film, characterized in that one kind selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, and mixtures thereof. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 알킬알콕시프로피오네이트는 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 에틸-3-에톡시 프로피오네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.The alkylalkoxy propionate is a thinner for removing a photosensitive resin and an anti-reflection film, characterized in that one kind selected from the group consisting of methyl-3-methoxy propionate, ethyl-3-ethoxy propionate, and mixtures thereof. Composition. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.A thinner composition for removing the photosensitive resin and the antireflective film, further comprising a surfactant. 청구항 1 에 있어서, The method according to claim 1, 상기 감광성 수지는 500㎚ 이하의 고에너지선, X선 또는 전자선을 광원으로 사용하는 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.The photosensitive resin is a photoresist and a anti-reflection film removing thinner composition, characterized in that the photoresist using a high energy ray, X-ray or electron beam of 500nm or less as a light source. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 씬너 조성물은 EBR 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 및 포토레지스트의 도포 공정에서 포토레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼 표면을 전처리 하는 과정에 사용되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.The thinner composition is a thinner composition for removing a photosensitive resin and an anti-reflection film, wherein the thinner composition is used in a process of pretreating a wafer surface before applying a photoresist in an EBR process, a wafer bottom surface cleaning process, and a photoresist coating process. 청구항 1 기재의 씬너 조성물을 사용하여 제조되는 기판을 포함하는 반도체 소자.A semiconductor device comprising a substrate produced using the thinner composition of claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20200079655A (en) * 2018-12-26 2020-07-06 동우 화인켐 주식회사 Cleaning solution composition for photoresist nozzle
KR102445628B1 (en) * 2021-11-30 2022-09-23 (주) 이엠테크 Cleaning composition for photoresist supply nozzles

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