KR102652985B1 - Thinner composition for improving applying performance a photosensitive resin and anti-reflective coating, and removing the photosensitive resin and anti-reflective coating - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르, 및 (c) 사이클로펜타논 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.The present invention provides a thinner composition for removing a photosensitive resin and an antireflection film containing (a) C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkyl ether acetate, (b) propylene glycol alkyl ether, and (c) cyclopentanone.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a thinner composition for improving and removing the applicability of photosensitive resins and anti-reflective films used in the manufacturing process of semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices.
반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성해나가는 작업으로 매우 중요한 작업중의 하나이다. Among the manufacturing processes of semiconductor devices, the photo lithography process involves applying a photosensitive resin composition on a wafer, transferring a pre-designed pattern, and then constructing an electronic circuit through an appropriate etching process according to the transferred pattern. It is one of the very important tasks.
이러한 포토리소그래피 공정은 (1)웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2)도포된 감광막으로부터 용매를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 부착하게 하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3)자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광(露光)공정, (4)광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상(現像)공정, (5)현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀하게 고착시키기 위한 하드 베이킹(hard baking) 공정, (6)현상된 감광막의 패턴에 따라 일정부위를 에칭하는 식각(蝕刻)공정 및 (7)상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리(剝離) 공정 등으로 진행된다.This photolithography process includes (1) a coating process that uniformly applies the photosensitive resin composition to the surface of the wafer, and (2) a soft baking process that evaporates the solvent from the applied photosensitive film and causes the photosensitive film to adhere to the surface of the wafer. , (3) an exposure process that transfers the mask pattern onto the photoresist film by exposing the photoresist film while repeatedly and sequentially reducing and projecting the circuit pattern on the mask using a light source such as ultraviolet rays, (4) exposure to the light source. A developing process that selectively removes parts with different physical properties such as solubility depending on photosensitivity using a developer, (5) to more closely adhere the photosensitive film remaining on the wafer after the developing operation to the wafer. It proceeds with a hard baking process, (6) an etching process to etch a certain area according to the pattern of the developed photoresist film, and (7) a peeling process to remove unnecessary photoresist film after the above process. do.
상기 포토리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 감광막을 공급하고 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전도포 공정은 원심력으로 인해 기판의 에지부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치 내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시키므로, 이를 제거하기 위하여 기판의 에지부위와 후면부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지부위와 후면부위에 유기용매 성분으로 구성된 신너 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.Among the photolithography processes, the rotational coating process involves supplying a photosensitive film on a wafer and rotating the substrate to evenly spread the surface by centrifugal force. The photosensitive film is concentrated on the edge and back of the substrate due to centrifugal force, forming a small spherical material. The spherical material may peel off during the transfer of the substrate after the bake process, causing particles in the device or defocus during exposure. These unnecessary photosensitive materials cause equipment contamination and reduce yield in the manufacturing process of semiconductor devices. To remove them, spray nozzles are installed above and below the edge and back side of the substrate, and spray the edge and back side through the nozzles. This is removed by spraying a thinner composition composed of organic solvent components.
상기 신너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 신너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있느냐 하는 능력으로 매우 중요하다. 구체적으로 에지부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있으며, 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라고 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근 들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도화에 따른 기판의 대구경화로 인해 회전도포기를 이용한 린스공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전 속도에 따른 기판의 요동과 분사되는 신너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 신너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인한 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 신너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.Factors that determine the performance of the thinner composition include dissolution rate and volatility. The dissolution speed of the thinner composition is very important as it determines how quickly and effectively the photosensitive resin can be dissolved and removed. Specifically, in rinsing edge areas, a smooth processed cross-section can only be achieved if the dissolution rate is appropriate. If the dissolution rate is too high, photoresist attack may occur when rinsing the photoresist film applied to the substrate. Conversely, if the dissolution rate is too low, a tail flow phenomenon of partially dissolved photoresist film, called tailing, may occur when rinsing the photoresist film applied to the substrate. In particular, in recent years, due to the large diameter of the substrate due to the high integration and density of semiconductor integrated circuits, it is inevitable to lower the rotation speed (rpm) in the case of the rinsing process using a rotary applicator. In this rinse process, if an appropriate dissolution rate is not achieved due to the rocking of the substrate due to low rotation speed and the contact speed of the sprayed thinner composition, a bounding phenomenon occurs and the use of unnecessary thinner composition increases. In such a low-rotation rinse process due to the large diameter of the substrate, a stronger dissolution rate of the thinner is required than in the conventional high-rotation rinse process.
또한, 휘발성은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구된다. 휘발성이 너무 낮아 신너 조성물의 휘발되지 못하고 잔류하는 경우, 잔류하는 신너의 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상과 사용 중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다. 이로 인한 각종 테일링이나 감광막 어택 등의 불량은 모두 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 직접적인 원인이 되고 있다.Additionally, volatility is required to be easily volatilized and not remain on the surface of the substrate after the photosensitive resin is removed. If the volatility is too low and the thinner composition cannot be volatilized and remains, the remaining thinner itself may act as a contaminant in various processes, especially subsequent etching processes, which may reduce the yield of semiconductor devices. If the volatility is too high, the substrate may cool rapidly, which may cause the thickness deviation of the applied photoresist film to worsen, and may easily volatilize into the air during use, contaminating the cleanliness itself. As a result, defects such as various tailings and photosensitive film attacks are a direct cause of lowering the manufacturing yield of semiconductor devices.
대한민국 특허등록 제10-0503967호는 프로필렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트 1 내지 80 중량부, 씨클로 케톤 1 내지 99 중량부, 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부 및 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부 를 포함하는 세정용 신너 조성물을 개시한다. 그러나 상기 신너 조성물은 폴리에틸렌 옥사이드계 축합물 및 플루오리네이티드 아클릴릭 코폴리머 등의 폴리머가 포함됨으로서 파티클을 잔존시킬 가능성이 높다는 단점을 가지며, 신너의 용해도가 떨어져 PAG나 수지의 성분이 석출되는 문제를 야기할 수 있다.Republic of Korea Patent Registration No. 10-0503967 contains 1 to 80 parts by weight of propylene glycol monoalkyl ether acetate, 1 to 99 parts by weight of cyclo ketone, 0.001 to 1 part by weight of polyethylene oxide-based condensate, and 0.001 to 1 part by weight of fluorinated acrylic copolymer. Disclosed is a thinner composition for cleaning comprising: However, the thinner composition has the disadvantage that there is a high possibility of particles remaining as it contains polymers such as polyethylene oxide-based condensate and fluorinated acrylic copolymer, and the solubility of the thinner is low, leading to the problem of precipitation of PAG and resin components. can cause
한편 웨이퍼 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 공정에 있어서 대한민국 공개특허 제10-2003-0095033호에서와 같이, 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하기 이전에 신너를 먼저 도포하여 웨이퍼의 표면장력을 낮춘 상태에서 포토레지스트를 도포하여 적은 량의 포토레지스트의 양으로 패턴의 단차를 극복하면서 고르게 도포하는 공정이 이루어지고 있다. Meanwhile, in the process of uniformly applying the photosensitive resin composition to the wafer surface, as in Korean Patent Publication No. 10-2003-0095033, thinner is first applied before applying photoresist to the wafer surface to lower the surface tension of the wafer. A process is being carried out to apply photoresist evenly while overcoming the level difference in the pattern with a small amount of photoresist.
그러나, 이 경우에도 신너의 휘발성이 높으면 포토레지스트가 고르게 퍼지지 못하고, 웨이퍼 위에 미세한 패턴의 단차를 극복하지 못하여 웨이퍼 가장자리에서 갈라지는 현상이 발생한다. 휘발성이 너무 낮으면, 포토레지스트 도포 시에 잔존 신너에 의해 포토레지스가 어택을 받는 문제점이 발생한다. 휘발도 뿐만 아니라 도포되는 형상은 유기용매의 표면장력, 포토레지스트에 포함된 유기용매 및 포토레지스트의 주성분인 감광성 레진의 구조에 기인하므로, 이를 모두 만족시키는 신너 조성물을 필요로 한다.However, even in this case, if the thinner is highly volatile, the photoresist cannot be spread evenly and the fine pattern steps on the wafer cannot be overcome, resulting in cracking at the edge of the wafer. If the volatility is too low, a problem occurs in which the photoresist is attacked by the remaining thinner when applying the photoresist. Since not only the volatility but also the applied shape is due to the surface tension of the organic solvent, the organic solvent contained in the photoresist, and the structure of the photosensitive resin, which is the main component of the photoresist, a thinner composition that satisfies all of these is required.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, The present invention was devised to solve the problems of the prior art as described above,
반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인해 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 감광막에 대해 균일한 제거 성능을 지닌 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose is to provide a thinner composition with uniform removal performance for unnecessary photoresist film generated at the edge or back of the substrate due to the large diameter of the substrate used in the manufacture of semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices.
특히, 본 발명은 i-라인, KrF, ArF, EUV용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트, SOH(Spin-on-Hardmask), SOC(Spin-on_carbon) 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가짐으로써 EBR 공정뿐만 아니라 리워크 등의 공정에서도 효과적으로 사용할 수 있으며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하여 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정(RRC 공정)에서도 우수한 특성을 제공하는 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. In particular, the present invention provides excellent solubility for various photoresists including i-line, KrF, ArF, and EUV photoresists, Spin-on-Hardmask (SOH), Spin-on_carbon (SOC), and bottom anti-reflection coating (BARC). As a result, it can be effectively used not only in the EBR process but also in processes such as rework, and has excellent properties even in the process of pre-treating the wafer surface (RRC process) by first applying a thinner composition before applying the photoresist to improve the application performance of the photoresist. The purpose is to provide a thinner composition that provides.
또한 본 발명은 종래기술과 비교하여 더 우수한 효과를 제공하면서도, 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높은 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention aims to provide a thinner composition that provides superior effects compared to the prior art, has no toxicity to the human body, and has no discomfort due to odor, so it has high operational stability.
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르, 및 (c) 사이클로펜타논 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.The present invention provides a thinner composition for removing a photosensitive resin and an antireflection film containing (a) C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkyl ether acetate, (b) propylene glycol alkyl ether, and (c) cyclopentanone.
상기 신너 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 10 내지 70중량%; 및 (c) 사이클로펜타논 1 내지 50중량%를 포함할 수 있다. The thinner composition includes (a) 10 to 70% by weight of propylene glycol alkyl ether acetate, based on the total weight of the composition; (b) 10 to 70% by weight of propylene glycol alkyl ether; and (c) 1 to 50% by weight of cyclopentanone.
본 발명에 따른 신너 조성물은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지부위와 후면부위에 사용되어 불필요하게 부착된 감광막을 단시간에 효율적으로 제거하는 효과를 제공한다.The thinner composition according to the present invention is used on the edge and rear surfaces of substrates used in the manufacturing method of semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices, and provides the effect of efficiently removing photosensitive films unnecessarily attached in a short time.
특히, i-라인, KrF, ArF, EUV 용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트, SOH, SOC, 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 제공한다. In particular, various photoresists including i-line, KrF, ArF, and EUV photoresists, Provides excellent solubility and EBR properties for SOH, SOC, and bottom anti-reflection coating (BARC).
또한 포토레지스트가 도포된 웨이퍼의 재생 공정에 사용되어 우수한 리워크 특성을 제공하며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하는 공정(RRC)에서도 우수한 성능을 발휘하므로 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 한다.In addition, it provides excellent rework characteristics when used in the recycling process of wafers coated with photoresist, and also exhibits excellent performance in the process of applying a thinner composition before applying photoresist (RRC) to improve the application performance of photoresist. It reduces the amount of photoresist and bottom anti-reflective coating (BARC) used and facilitates uniform application.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높으며, 부식성이 낮아서 세정 대상 기판에 대한 어텍을 발생시키지 않는다. In addition, the thinner composition of the present invention is not toxic to the human body, has high operational stability due to no discomfort due to odor, and has low corrosiveness, so it does not cause attack on the substrate to be cleaned.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등을 발생시키지 않으므로 신나 조성물을 사용하는 공정의 생산성을 크게 향상시킨다. In addition, the thinner composition of the present invention does not cause contamination of production equipment such as cup holders or clogging of discharge ports, thereby greatly improving the productivity of processes using the thinner composition.
도 1은 시험예 2의 EBR(Edge Bead Removal) 테스트에서 EBR 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 라인 균일성(line uniformity)우수한 상태, (b): 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태).
도 2는 시험예 3의 RRC(Reducing Resist Coating) 테스트에서 RRC 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 상태, (b): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 상태).
도 3은 시험예 4에서 포토레지스트 종류에 따른 코팅 균일성을 평가하기 위하여 웨이퍼 상에서 코팅의 균일성을 평가한 지점을 나타낸 도면이다. Figure 1 is a photograph taken after performing the EBR process in the EBR (Edge Bead Removal) test of Test Example 2 ((a): excellent line uniformity, (b): tailing on the film at the edge area. ) condition in which the phenomenon occurred).
2 shows RRC (Reducing Resist Coating) of Test Example 3. This is a photo taken after performing the RRC process in the test ((a): Photoresist is 99-100% coated on the wafer, (b): Photoresist is less than 85% coated on the wafer.
Figure 3 is a diagram showing the points where coating uniformity was evaluated on the wafer in order to evaluate coating uniformity according to the type of photoresist in Test Example 4.
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 (c) 사이클로케톤을 포함하는 신너 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a thinner composition comprising (a) C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkyl ether acetate, (b) propylene glycol alkyl ether, and (c) cycloketone.
상기 신너 조성물은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지, SOH(Spin-on-Hardmask), SOC(Spin-on_carbon) 및 반사방지막의 도포성 향상용 및 제거용으로 바람직하게 사용될 수 있다. The thinner composition is preferably used for improving and removing the applicability of photosensitive resin, SOH (Spin-on-Hardmask), SOC (Spin-on_carbon), and anti-reflective film used in the manufacturing process of semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices. You can.
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트 는 조성물 총 중량에 대하여, 10 내지 70 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 30 내지 50 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상술한 범위를 만족하면 모든 포토레지스트에 대한 용해성이 우수하고, 적절한 표면장력이 구현되어 포토레지스트가 균일하게 도포되는 이점이 있다. 상술한 범위를 벗어나면, 표면장력이 높아져서 포토레지스트의 도포 시 고르게 퍼지지 못하고 웨이퍼 상의 미세한 패턴 단차를 극복하지 못하여 가장자리가 갈라지는 현상이 발생한다.The C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkyl ether acetate contained in the thinner composition of the present invention is preferably contained in an amount of 10 to 70% by weight, more preferably in an amount of 30 to 50% by weight, based on the total weight of the composition. It's good to be. If the above-mentioned range is satisfied, there is an advantage that the solubility of all photoresists is excellent, an appropriate surface tension is realized, and the photoresist is uniformly applied. If it is outside the above-mentioned range, the surface tension becomes high and the photoresist is not spread evenly when applied, and fine pattern steps on the wafer cannot be overcome, resulting in edge cracking.
상기 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트로는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하게 사용될 수 있으며, The C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkyl ether acetate includes propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof. One or more types selected from may be preferably used,
특히, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.In particular, at least one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof may be more preferably used.
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 조성물의 총 중량에 대하여, 10 내지 70 중량%로 포함되고, 바람직하게는 30 내지 50중량%로 포함된다. 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 메타아크릴레이트 계열의 ArF용 포토레지스트를 비롯하여 다양한 종류의 감광막에 대한 용해도가 우수하다. 따라서 상술한 함량범위 내에서는 프로필렌 글리콜알킬 에테르의 함량이 증가함에 따라 ArF용 포토레지스트의 용해도가 향상될 수 있다. 그러나 프로필렌 글리콜 알킬 에테르는 상대적으로 휘발도가 높기 때문에 상술한 범위 이상이 사용되면 두께 편차나 리프팅이 발생할 수 있다.The propylene glycol alkyl ether contained in the thinner composition of the present invention is contained in an amount of 10 to 70% by weight, preferably 30 to 50% by weight, based on the total weight of the composition. The propylene glycol alkyl ether has excellent solubility in various types of photoresist films, including methacrylate-based ArF photoresist. Therefore, as the content of propylene glycol alkyl ether increases within the above-mentioned content range, the solubility of the ArF photoresist can be improved. However, since propylene glycol alkyl ether has a relatively high volatility, thickness deviation or lifting may occur if more than the above-mentioned range is used.
구체적으로, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르의 함량이 10중량% 미만으로 포함되면, 신너 조성물의 ArF용 포토레지스트에 대한 용해도가 저하되어, ArF용 포토레지스트를 사용한 감광막에 대한 에지 비드 특성이 저하될 수 있고, 결함 발생으로 인한 리워크(Rework) 공정시 감광막이 용이하게 제거되지 않을 수 있다. 또한 프로필렌 글리콜 알킬 에테르의 함량이 70중량%를 초과하면, 신너 조성물의 휘발도가 증가하여 프리 웨팅 후 형성되는 감광막이 두께 편차가 크고 불균일하게 도포될 수 있다.Specifically, if the content of propylene glycol alkyl ether is less than 10% by weight, the solubility of the thinner composition in the ArF photoresist may be reduced, and the edge bead characteristics of the photoresist using the ArF photoresist may be reduced, The photosensitive film may not be easily removed during the rework process due to defects. Additionally, if the content of propylene glycol alkyl ether exceeds 70% by weight, the volatility of the thinner composition increases, so that the photosensitive film formed after pre-wetting may have a large thickness deviation and be applied non-uniformly.
상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르로는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용될 수 있다. Examples of the propylene glycol alkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether, which can be used alone or in combination of two or more types. there is.
본 발명의 신너 조성물 포함되는 사이클로펜타논은 신너 조성물의 극성을 증가시켜, KrF, ArF, EUV 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력을 개선 시킨다.Cyclopentanone included in the thinner composition of the present invention increases the polarity of the thinner composition and improves the dissolving power for high polarity photoresists such as KrF, ArF, and EUV.
특히, 상기 사이클로펜타논은 사이클로헥사논에 비해 휘발도가 높고 용해도가 우수하여 본 발명의 신너 조성물이 EBR이나 RRC에서 종래기술보다 더 뛰어난 효과를 제공할 수 있게 하며, 흡입시나 눈·피부 접촉시 인체에 대한 유해성이 적고 냄새로 인한 불쾌감이 없어 작업안정성도 크게 향상시킨다. In particular, the cyclopentanone has higher volatility and excellent solubility than cyclohexanone, allowing the thinner composition of the present invention to provide a more excellent effect than the prior art in EBR or RRC, and when inhaled or in contact with eyes or skin. It is less harmful to the human body and there is no discomfort due to odor, which greatly improves work safety.
상기 사이클로펜타논은 조성물의 총 중량에 대하여 1 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 모든 포토레지스트에 대해 우수한 용해능을 제공하며, 적당한 표면장력을 구현하여 우수한 RRC 및 EBR 특성을 제공할 수 있다. The cyclopentanone is preferably contained in an amount of 1 to 50% by weight, more preferably in an amount of 10 to 30% by weight, based on the total weight of the composition. If the above-mentioned range is satisfied, it can provide excellent solubility for all photoresists and provide excellent RRC and EBR characteristics by implementing appropriate surface tension.
구체적으로 사이클로펜타논이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우 KrF, ArF, EUV 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력이 저하되며, RRC 및 EBR 특성이 저하된다. 그러나 50 중량%를 초과하는 경우 사이클로펜타논의 휘발도가 상대적으로 높기 때문에 두께 편차나 리프팅이 발생할 수 있다.Specifically, when cyclopentanone is included in less than 1% by weight, the solubility in highly polar photoresists such as KrF, ArF, and EUV decreases, and RRC and EBR characteristics deteriorate. However, if it exceeds 50% by weight, thickness deviation or lifting may occur because the volatility of cyclopentanone is relatively high.
본 발명의 신너 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로는 불소계열, 비이온성 계열 또는 이온성 계열의 계면활성제를 사용할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 계면활성제는 본 발명의 신너 조성물에 대하여 약 10 내지 500중량 ppm으로 포함될 수 있다. 상술한 범위로 포함되는 것이, EBR 특성 개선에 바람직하다.The thinner composition of the present invention may further include a surfactant. The surfactant may be a fluorine-based, nonionic-based, or ionic-based surfactant, but is not necessarily limited thereto. The surfactant may be included in an amount of about 10 to 500 ppm by weight based on the thinner composition of the present invention. It is preferable to improve EBR characteristics if it is included in the above-mentioned range.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the thinner composition of the present invention may further include conventional additives in addition to the above-mentioned ingredients in order to further improve the effect.
본 발명의 신너 조성물은 RRC 공정에 사용되어 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 하며, 도포 후 불필요한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 제거(EBR 공정)에 우수한 성능을 제공한다. 또한, 발명의 신너 조성물은 리워크(Rework) 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 등에서 우수한 효과를 제공한다. The thinner composition of the present invention is used in the RRC process to reduce the amount of photoresist and bottom anti-reflection coating (BARC) used and facilitate uniform application. After application, unnecessary photoresist and bottom anti-reflection coating (BARC) are removed (EBR process). ) provides excellent performance. In addition, the thinner composition of the invention provides excellent effects in the rework process, wafer bottom surface cleaning process, etc.
또한 본 발명의 신너 조성물은 500nm 이하의 고에너지선, X선 및 전자선 등을 광원으로 사용하는 감광성 수지에 바람직하게 적용될 수 있는데, 예를 들면 감광성 수지가 i-라인, KrF, ArF, EUV용 포토레지스트인 경우에 적용될 수 있다.In addition, the thinner composition of the present invention can be preferably applied to photosensitive resins that use high-energy rays of 500 nm or less, It can be applied in the case of resist.
본 발명의 신너 조성물은 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조공정에 사용될 수 있으며, 이 때 상기 신너 조성물의 분사량은 5 내지 50cc/min인 것이 바람직하다. 이후 공정은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조와 관련해 당기술 분야에 알려진 일반적인 공정이 적용될 수 있다.The thinner composition of the present invention can be used in the manufacturing process of a semiconductor device or thin film transistor liquid crystal display device in which unnecessary photosensitive film is removed by spraying it on the edge area and back area of the substrate to which the photosensitive resin composition is applied. At this time, the spray amount of the thinner composition is It is preferably 5 to 50 cc/min. The subsequent process may be a general process known in the art related to the manufacture of semiconductor devices and thin film transistor liquid crystal display devices.
본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서의 불필요한 포토레지스트를 균일하게 그리고 단시간에 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 신너 조성물은 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성, 리워크(Rework) 특성 및 포토레지스트의 도포성능을 향상시킬 수 있다. 특히 i-라인, KrF, ArF, EUV용 포토레지스트의 경우, 구성하는 감광성 수지의 기본 구조가 서로 다르기 때문에, 이들 모두의 용해성 및 도포성을 향상시키기 위한 유기용매의 조성 함량의 조절이 필요하지만, 본 발명의 신너 조성물은 이를 만족시킨다. 또한 본 발명의 신너 조성물은 극성이 높은 구조를 갖는 포토레지스트 및 반사방지막의 주요 성분들에 대한 용해능이 우수하여, EBR 공정, 웨이퍼 하부 세척공정 및 포토레지스트 도포 이전의 웨이퍼 상부의 전처리 공정이 끝난 후, 코터의 컵홀더를 오염시키거나 배출구를 막는 현상을 발생시키지 않아 생산성 향상에 도움을 준다. The thinner composition for removing the photosensitive resin and anti-reflective film of the present invention can uniformly and quickly remove unnecessary photoresist from the edge or back area of the substrate that occurs due to the large diameter of the substrate used in the manufacture of semiconductor devices. In addition, the thinner composition of the present invention has excellent solubility in various photoresists and bottom anti-reflective coatings (BARC), and can improve EBR properties, rework properties, and photoresist application performance. In particular, in the case of i-line, KrF, ArF, and EUV photoresists, since the basic structures of the photosensitive resins are different from each other, it is necessary to adjust the composition of the organic solvent to improve the solubility and applicability of all of them. The thinner composition of the present invention satisfies this. In addition, the thinner composition of the present invention has excellent solubility in the main components of the photoresist and anti-reflection film, which has a highly polar structure, so that it can be used after the EBR process, the wafer bottom cleaning process, and the pretreatment process for the upper part of the wafer before photoresist application. , it helps improve productivity by not contaminating the cup holder of the coater or blocking the outlet.
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.Below, the present invention will be described in more detail using examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are for illustrating the present invention, and the present invention is not limited by the following and may be modified and changed in various ways.
실시예Example 1 내지 4 및 1 to 4 and 비교예Comparative example 1 내지 9: 1 to 9: 신너Thinner 조성물의 제조 Preparation of composition
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 하기 표 1에 기재된 조성을 첨가 한 후, 상온에서 1 시간 동안 500 rpm의 속도로 교반하여 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 제조하였다. The compositions listed in Table 1 below were added to a mixing tank equipped with a stirrer, and then stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9.
펜타논cyclo
Pentanone
헥사논cyclo
hexanone
(단위: 중량%)(Unit: weight%)
시험예Test example : : 신너Thinner 조성물의 특성 평가 Evaluation of composition properties
(1) (One) PAGP.A.G. (( PhotoacidPhotoacid generator) 에 대한 용해도 테스트 Solubility test for generator)
교반 중인 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물 50ml에 PAG 1 내지 PAG 9 를 각각 0.5g씩 첨가하여 신너 조성물 내에서 완전히 용해되는 시간을 측정하였다. 교반 속도는 150rpm이었으며 온도는 25℃를 유지 하였다.0.5 g each of PAG 1 to PAG 9 was added to 50 ml of the stirred thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9, and the time for complete dissolution in the thinner composition was measured. The stirring speed was 150 rpm and the temperature was maintained at 25°C.
(단위: 초)(Unit: seconds)
PAG 1: SP-302, PAG 2: NT-256, PAG 3: NT-1045, PAG 4: NT-552, PAG 1: SP-302, PAG 2: NT-256, PAG 3: NT-1045, PAG 4: NT-552,
PAG 5: NT-595, PAG 6: NT-962, PAG 7: NT-1029, PAG 8: NT-1266, PAG 9: NT-876PAG 5: NT-595, PAG 6: NT-962, PAG 7: NT-1029, PAG 8: NT-1266, PAG 9: NT-876
표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 PAG 에 대하여 우수한 용해도를 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 실시예1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 용해되는 속도가 현저히 떨어짐을 알 수 있었다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정한 PAG가 아니라 다양한 PAG에서 종래의 신너 조성물보다 매우 우수한 용해도를 나타냄을 의미한다.Referring to Table 2, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention showed excellent solubility for all PAGs. On the other hand, it was found that the dissolution speed of the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 9 was significantly lower than that of the thinner compositions of the present invention according to Examples 1 to 4. This means that the thinner composition according to the present invention exhibits much better solubility than conventional thinner compositions not in a specific PAG but in various PAGs.
(2) (2) EBREBR (Edge Bead Removal) 테스트(Edge Bead Removal) Test
8 인치 산화 실리콘 기판에 하기 표 3에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 각각 도포한 후, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 하기 표 4에 기재되어 있는 조건으로 Edge 부위의 불필요한 감광막을 제거하는 EBR 테스트를 진행 하였다. 각 실시예 1 내지 4 및 비교예1 내지 9의 신너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 신너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성능을 평가하여, 그 결과를 하기의 표 5에 나타내었다.After applying the photosensitive resin compositions shown in Table 3 below to an 8-inch oxidized silicon substrate, the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9 were applied to the edge area under the conditions shown in Table 4 below. An EBR test was conducted to remove unnecessary photoresist film. The thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9 were supplied from a pressure tank equipped with a pressure gauge, and the pressure at this time was 1 kgf, and the flow rate of the thinner composition from the EBR nozzle was 10 to 30 cc/min. It was done as follows. Then, the removal performance of unnecessary photosensitive film was evaluated using an optical microscope, and the results are shown in Table 5 below.
<평가기준><Evaluation criteria>
◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성 (line uniformity)이 일정한 상태 (도 1 (a) 참고)◎: EBR line uniformity on the photoresist film is constant after EBR (see Figure 1(a))
○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태○: After EBR, the EBR line uniformity on the photoresist film is more than 75%, which is in a good straight state.
△: EBR 후 엣지 부분의 모양이 신너의 용해작용에 영향을 받아 일그러진 상태△: After EBR, the shape of the edge is distorted due to the dissolving effect of thinner.
X: EBR 후 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태 (도 1 (b) 참고)X: After EBR, the state of the tailing phenomenon in the film of the edge site (see FIG. 1 (B))
상기 표 5의 결과에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 실시예 1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 EBR 성능이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 본 발명의 신너 조성물은 4종류의 포토레지스트, 하부 반사 방지막(BARC) 및 SOH에 대하여 매우 우수한 EBR 성능을 제공한다는 것을 나타낸다.According to the results in Table 5, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention showed excellent EBR performance for all photoresist films. On the other hand, it was confirmed that the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 9 had significantly lower EBR performance compared to the thinner compositions of the present invention according to Examples 1 to 4. These results indicate that the thinner composition of the present invention provides very excellent EBR performance for four types of photoresist, bottom anti-reflection coating (BARC), and SOH.
또한, EBR의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.In addition, even when the rotation speed (rpm) conditions of the EBR were changed, the equally excellent shape was maintained. This shows that the thinner composition according to the present invention is not effective only under specific conditions, but provides the same performance under various conditions. In other words, the above results indicate that the thinner composition of the present invention is more stable than conventional thinner compositions with respect to changes in process conditions.
(3) (3) 포토레지스트photoresist 종류 및 type and BARC에To BARC 대한 RRC(Reducing Resist Coating) 성능 평가 RRC (Reducing Resist Coating) performance evaluation
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH에 대한 RRC 성능을 시험하였다. 표 6과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판에 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH를 도포하기 전에 각각의 신너 조성물을 도포한 후, 신너에 따른 포토레지스트의 도포 분포 및 소비량를 측정하는 RRC 공정을 실시하였다. BARC의 경우에도 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 RRC 공정을 실시하였다. 표 7은 8 inch 웨이퍼 위에 신너 0.5cc 를 도포한 후 PR1~4, BARC 1.0 cc, SOH 0.5cc를 각각 도포한 후 포토레지스트 소비량을 측정하여 나타낸 결과이다.RRC performance was tested for the four photoresists, BARC, and SOH in Table 3 using the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9. Before applying the four photoresists, BARC, and SOH in Table 3 to an 8-inch silicon oxide substrate according to the recipe in Table 6, each thinner composition was applied, and then the application distribution and consumption of photoresist according to the thinner were measured. The RRC process was performed. In the case of BARC, the RRC process was performed using each thinner composition without heat treatment. Table 7 shows the results of measuring photoresist consumption after applying 0.5 cc of thinner on an 8-inch wafer, followed by applying 1.0 cc of PR1 to 4, 1.0 cc of BARC, and 0.5 cc of SOH, respectively.
<평가기준><Evaluation criteria>
◎: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 경우(도 2 (a) 참고) ◎: RRC result: When photoresist is applied after applying 0.5cc of thinner on an 8-inch wafer, 99 to 100% of the photoresist is applied on the wafer (see Figure 2 (a))
○: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 97~98% 도포된 경우○: RRC result: When applying photoresist after applying 0.5cc of thinner on an 8-inch wafer, 97-98% of the photoresist is applied on the wafer.
△: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85~90% 도포된 경우△: RRC result: When applying photoresist after applying 0.5cc of thinner on an 8-inch wafer, 85-90% of the photoresist is applied on the wafer.
X: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 경우(도 2 (b) 참고)X: RRC resulted in an 8inch wafer if the photoresist is applied to the wafer after applying a new 0.5cc coating above (see FIG. 2)
표 7을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 RRC 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 포토레지스트, BARC 및 SOH의 도포성능 측면에서 본 발명의 실시예 1 내지 4의 신너 조성물과 비교하여 현저히 떨어지는 효과를 제공하였다. 또한, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 RRC의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.Referring to Table 7, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention showed excellent RRC performance for all photoresist films. On the other hand, the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 9 provided significantly inferior effects compared to the thinner compositions of Examples 1 to 4 of the present invention in terms of application performance of photoresist, BARC, and SOH. In addition, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention maintained equally excellent form even when the rotation speed (rpm) conditions of the RRC were changed. This shows that the thinner composition according to the present invention is not effective only under specific conditions, but provides the same performance under various conditions. In other words, the above results indicate that the thinner composition of the present invention is more stable than conventional thinner compositions with respect to changes in process conditions.
(4) (4) 포토레지스트photoresist 종류에 따른 코팅 균일성 평가(Coating Uniformity) Coating uniformity evaluation according to type
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 Photoresist, BARC 및 SOH에 대한 코팅 균일성을 시험하였다. 표 8과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판 위에 포토레지스트를 도포한 후, 웨이퍼의 중앙과 웨이퍼의 중앙에서 1인치, 2인치, 3인치, 4인치 거리의 지점을 X자 모양으로 총 12곳, 모두 13곳(도3 참고)의 막두께를 측정하여 포토레지스트가 균일하게 도포 되었는지를 확인하였고 그 결과를 하기의 표 9에 나타내었다.The coating uniformity of the four photoresists, BARC, and SOH in Table 3 was tested using the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9. After applying the photoresist on an 8-inch silicon oxide substrate according to the recipe shown in Table 8, a total of 12 locations were formed in the shape of an , the film thickness was measured at a total of 13 locations (see Figure 3) to confirm whether the photoresist was uniformly applied, and the results are shown in Table 9 below.
<평가기준><Evaluation criteria>
◎: 도포 막두께의 표준편차가 1% 이하인 경우◎: When the standard deviation of the applied film thickness is 1% or less.
○: 도포 막두께의 표준편차가 2% 이하인 경우○: When the standard deviation of the applied film thickness is 2% or less.
△: 도포 막두께의 표준편차가 3% 이하인 경우△: When the standard deviation of the applied film thickness is 3% or less
X: 도포 막두께의 표준편차가 3% 초과인 경우X: When the standard deviation of the applied film thickness exceeds 3%
(5) (5) 포토레지스트photoresist 종류에 따른 according to type 리워크rework (Rework) 성능 평가(Rework) Performance evaluation
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH에 대한 리워크 성능을 시험하였다. 하기 표 10과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판에 4가지 포토레지스트, BARC 및 SOH를 도포한 후 소프트베이킹 공정이 끝난 웨이퍼를 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다. BARC의 경우에는 도포 이후 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다. 리워크된 산화실리콘 기판을 TOPCON사의 surface scan 장비(Model명: WM-1500)를 사용하여 표면 상태를 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 11에 나타내었다.The rework performance of the four photoresists, BARC, and SOH in Table 3 was tested using the thinner compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 9. Four types of photoresist, BARC, and SOH were applied to an 8-inch silicon oxide substrate according to the recipe shown in Table 10 below, and then the wafer after the soft baking process was subjected to a rework process using each thinner composition. In the case of BARC, a rework process was performed using each thinner composition without heat treatment after application. The surface condition of the reworked silicon oxide substrate was evaluated using TOPCON's surface scan equipment (Model name: WM-1500). The results are shown in Table 11 below.
<판단기준><Judgment criteria>
◎: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 1,000개 미만인 경우◎: As a result of the surface scan, the number of reworked silicon oxide surface particles is less than 1,000.
○: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 1,000개 이상 2000개 미만인 경우○: As a result of the surface scan, the number of reworked silicon oxide surface particles is between 1,000 and less than 2,000.
△: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 2,000개 이상 3000개 미만인 경우△: As a result of the surface scan, the number of reworked silicon oxide surface particles is between 2,000 and less than 3,000.
X: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 3,000개 이상인 경우X: If the number of Silpace SCAN has more than 3,000,
상기 시험예 1 내지 5의 시험결과에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물은 비교예 1 내지 9의 신너 조성물과 비교하여 PAG 에 대한 용해도, EBR, RRC, 코팅 균일성 및 리워크 특성의 모든 면에서 현저히 우수한 결과를 제공함을 확인할 수 있었다.According to the test results of Test Examples 1 to 5, the thinner compositions of Examples 1 to 4 according to the present invention have solubility in PAG, EBR, RRC, coating uniformity and Lee compared to the thinner compositions of Comparative Examples 1 to 9. It was confirmed that it provided significantly excellent results in all aspects of work characteristics.
Claims (6)
조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; 및 (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 10 내지 70중량%;로 포함하는 신너 조성물. In claim 1,
Based on the total weight of the composition, (a) 10 to 70% by weight of C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkyl ether acetate; and (b) 10 to 70% by weight of propylene glycol alkyl ether.
상기 신너 조성물에 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.In claim 1,
A thinner composition, characterized in that the thinner composition further includes a surfactant.
상기 (a)의 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 신너 조성물.In claim 1,
The C2~C4 alkylene glycol C1~C4 alkyl ether acetate of (a) is propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and mixtures thereof. A thinner composition characterized in that it is selected from the group consisting of.
상기 (b) 프로필렌글리콜 알킬에테르가 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 신너 조성물.In claim 1,
A thinner composition, characterized in that (b) the propylene glycol alkyl ether is at least one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether.
상기 신너 조성물은 반사방지막, SOC, SOH, i-라인, KrF, ArF, EUV용 포토레지스트에 따르는 RRC 공정, EBR 공정, 리워크 공정, 및 웨이퍼 하부면 세척공정에 사용되는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.
In claim 1,
The thinner composition is characterized in that it is used in the RRC process, EBR process, rework process, and wafer lower surface cleaning process according to the anti-reflection film, SOC, SOH, i-line, KrF, ArF, and EUV photoresist. .
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |