KR20180050863A - 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 구비된 발광부; 상기 발광부 상에 구비된 수분 침투를 방지하는 봉지층; 상기 봉지층 상에 구비된 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 구비된 편광층을 포함하고, 원자층 증착법으로 증착된 상기 배리어층 및 상기 편광층은 서로 굴절률이 상이한 것을 포함하는 유기 발광 소자 및 그들의 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 발광부의 상면에 형성되는 배리어층 및 편광층에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 유기 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 유기 발광층 내로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 한다.
이와 같은 유기 발광 소자의 경우 상기 유기 발광층으로 외부의 수분이 침투하게 되면 상기 유기 발광층이 열화되어 수명이 단축되는 문제가 있다. 따라서, 상기 유기 발광층의 상면에 봉지층(encapsulation)과 같은 절연막을 형성하여 상기 유기 발광층으로 수분이 침투하는 것을 방지한다.
이하 도면을 참조로 종래의 유기 발광 소자에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 유기 발광 소자는 기판(10), 발광부(20), 봉지층(30), 및 보호 필름(40)을 포함하여 이루어진다.
상기 발광부(20)는 상기 기판(10) 상에 형성되어 있다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 발광부(20)는 양극(anode), 음극(cathode), 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하여 이루어진다.
상기 봉지층(30)은 상기 발광부(20) 상에 형성되어 상기 발광부(20) 내의 유기 발광층으로 수분이 침투하는 것을 방지한다. 이와 같은 봉지층(30)은 실리콘 질화물과 같은 무기 절연막으로 이루어진다.
상기 보호 필름(40)은 상기 봉지층(30) 상에 형성되어 상기 유기 발광 소자를 보호한다.
이와 같은 종래의 유기 발광 소자의 경우 반사광이 생성되거나 광 내부 추출효과가 감소하여 광효율이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 광효율을 향상시키기 위해서 반사광의 생성을 줄이는 등 다양한 노력이 지속되어 왔다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 봉지층 상에서 발광부에서 생성된 빛이 봉지층에서 반사되는 반사광을 줄여 광효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 구비된 발광부; 상기 발광부 상에 구비된 수분 침투를 방지하는 봉지층; 상기 봉지층 상에 구비된 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 구비된 편광층을 포함하고, 원자층 증착법으로 증착된 상기 배리어층 및 상기 편광층은 서로 굴절률이 상이한 것을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 배리어층 및 상기 편광층은 서로 교차하며 복수회 반복하여 증착되는 것을 포함할 수 있다.
상기 배리어층 및 상기 편광층은 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO2) 산화티타늄(TiO2) 산화아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3) 산화 갈륨(Ga2O3) 산화 실리콘(SiO2) 질화 실리콘(SiNx) 중 어느 하나로 증착되는 것을 포함할 수 있다.
상기 배리어층 및 상기 편광층은 결정구조가 동일한 물질인 것을 포함할 수 있다.
상기 배리어층은 인듐과 티타늄을 포함하는 산화물을 포함하고, 상기 편광층은 티타늄을 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 기판; 상기 기판 상에 구비된 발광부; 상기 발광부 상에 구비된 수분 침투를 방지하는 봉지층; 및 상기 봉지층은 원자층 증착법(ALD)으로 증착된 제 1 봉지층 및 제 2 봉지층을 포함하고 상기 제 1 봉지층의 굴절률과 상기 제 2 봉지층의 굴절률은 서로 상이한 것을 포함할 수 있다.
상기 봉지층은 제 3 봉지층을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 기판 상에 발광부를 형성하는 공정; 상기 발광부 상에 수분 침투를 방지하는 봉지층을 형성하는 공정; 상기 봉지층 상에 배리어층을 형성하는 공정; 및 상기 배리어층 상에 편광층을 형성하는 공정을 포함하고 상기 배리어층과 상기 편광층은 원자층 증착법으로 형성하는 공정을 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 기판 상에 발광부를 형성하는 공정; 상기 발광부 상에 수분 침투를 방지하는 봉지층을 형성하는 공정; 및 상기 봉지층은 제 1 봉지층 및 제 2 봉지층을 포함하고, 상기 제 1 봉지층 및 제 2 봉지층을 원자층 증착법으로 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광층 상에 봉지층, 배리어층 및 편광층이 구비되고, 상기 배리어층 및 상기 편광층의 굴절률이 서로 다르게 형성됨으로써 반사광을 줄여 광효율을 향상시킬 수 있다.
특히, 상기 배리어층이 인듐과 티타늄을 포함하는 산화물로 형성되고 상기 편광층이 티타늄을 포함하는 산화물로 형성되어 광 내부 추출 효과가 향상될 수 있고, 원자층 증착법을 이용해 상기 배리어층과 상기 편광층을 교차증착하는 경우 광효율 및 배리어(barrier) 기능이 향상될 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 광추출 결과를 보여주는 그래프이다.
도 5b은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 광추출 결과를 보여주는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 광추출 결과를 보여주는 그래프이다.
도 5b은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 광추출 결과를 보여주는 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자는 기판(100), 발광부(200), 봉지층(300), 배리어층(500), 편광층(600) 및 보호 필름(400)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광부(200)는 상기 기판(100) 상에 형성되어 있다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 발광부(200)는 양극(anode), 음극(cathode), 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하여 이루어진다. 상기 유기 발광층은 상기 양극 상에 차례로 형성된 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)을 포함하여 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 발광부(200)는 상기 양극(anode)과 연결되는 박막 트랜지스터를 추가로 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 박막 트랜지스터의 온/오프(on/off)에 의해 상기 발광부(200)에서의 발광이 조절될 수 있다.
상기 봉지층(300)(Encapsulation layer)은 상기 발광부(200) 상에 형성되어 상기 발광부(200) 내의 유기 발광층으로 수분이 침투하는 것을 방지한다.
상기 봉지층(300)은 실리콘 질화물과 같은 무기 절연물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 발광부(200) 내의 유기 발광층으로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있는 당업계에 공지된 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 상기 봉지층(300)은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition: CVD)이나 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)으로 형성할 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
배리어층(500)은 상기 봉지층(300) 상에 형성될 수 있다. 편광층(600)은 상기 배리어층(500) 상에 형성될 수 있다. 상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)에 의해서 상기 봉지층(300) 상에 형성될 수 있다. 상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)은 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO2) 산화티타늄(TiO2) 산화아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3) 산화 갈륨(Ga2O3) 산화 실리콘(SiO2) 질화 실리콘(SiNx) 중 어느 하나로 증착될 수 있다.
| ALD Material | Reflective Index (Bulk) |
| ZrO2 | 2.13 |
| Al2O3 | 1.76 |
| HfO2 | 2.11 |
| TiO2 | 2.5~2.6 |
| ZnO | 1.9~2.0 |
| In2O3 | 2.0 |
| Ga2O3 | 1.9 |
| SiO2 | 1.54 |
| SiNx | 2.06 |
상기 표는 상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)으로 형성될 수 있는 물질의 굴절률을 나타낸 것으로 상기 물질 중 어느 하나로 상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)을 형성할 수 있다. 반드시 어느 하나의 물질만을 선택하는 것이 아니라 복수의 물질의 조합으로 형성할 수도 있다.
상기 편광층(600)은 상기 배리어층(500)은 서로 다른 굴절률을 가지며 형성될 수 있다. 상기 편광층(600)과 상기 배리어층(500)이 서로 다른 굴절률을 가지는 경우에 상기 발광부(200)에서 생성된 빛이 상기 봉지층(300)을 통과하고 상기 편광층(600) 및 상기 배리어층(500)을 통과하면서 서로 다른 굴절률로 인해 빛이 진행하는 방향이 바뀌며 빛의 진행경로가 길어져서 광효율이 향상될 수 있다. 또한, 상기 편광층(600) 및 상기 배리어층(500)이 서로 다른 굴절률을 가지는 물질로 형성되어 반사광이 감소될 수 있고, 이에 따라서 유기 발광 소자의 광효율이 향상될 수 있다.
상기 편광층(600)과 상기 배리어층(500)은 서로 교차하며 복수회 반복하여 증착될 수 있다. 원자층 증착법으로 상기 편광층(600)과 상기 배리어층(500)을 서로 교차하며 복수회 반복하여 증착하는 경우 서로 다른 굴절률로 인하여 빛의 진행경로는 더 길어지고, 반사되는 빛의 양도 감소하여 광효율이 향상될 수 있다.
특히 상기 배리어층(500)은 인듐과 티타늄을 포함하는 산화물로 이루어질 수 있고, 상기 편광층(600)은 티타늄을 포함하는 산화물로 이루어질 수 있다. 이 경우에 광 내부 추출 효과가 향상(intercoupling)되어 광효율이 향상될 수 있다.
상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)은 서로 동일한 결정구조를 가지며 형성될 수 있다. 상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)이 서로 동일한 결정구조를 가지는 경우에 원자층증착시 각 층이 박리현상 없이 결합력이 커져서 증착을 용이하게 할 수 있다.
상기 보호 필름(400)은 상기 편광층(600) 상에 형성되어 있다. 상기 보호 필름(400)은 유기 발광 소자의 기계적 강도를 증진시키고 그 표면에 스크래치 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 하는 것으로서, 상기 보호 필름(400)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수도 있고 경우에 따라서 금속 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 편광층(600)과 상기 보호 필름(400) 사이에 접착층이 추가로 형성될 수 있고 충진제층이 추가로 형성될 수도 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광부(200) 위에 상기 봉지층(300), 상기 배리어층(500) 및 상기 편광층(600)이 구비되고, 상기 배리어층(500) 및 상기 편광층(600)의 굴절률이 서로 다르게 형성됨으로써 광효율을 향상시킬 수 있다.
특히, 상기 배리어층(500)이 인듐과 티타늄을 포함하는 산화물로 형성되고 상기 편광층(600)이 티타늄을 포함하는 산화물로 형성되어 광 내부 추출 효과가 향상될 수 있고, 원자층증착법을 이용해 상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)을 교차증착하는 경우 광효율 및 배리어(barrier) 기능이 향상될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도로서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 봉지층(300)은 원자층 증착법으로 증착된 제 1 봉지층(310) 및 제 2 봉지층(320)을 포함하고 상기 제 1 봉지층(310)의 굴절률과 상기 제 2 봉지층(320)의 굴절률은 서로 상이하도록 형성될 수 있다. 상기 봉지층(300)을 서로 다른 굴절률을 가지는 복수의 층으로 형성하는 경우 상술한 것과 마찬가지로 빛의 진행경로가 길어지고, 반사되는 빛의 양도 감소하여 광효율이 향상될 수 있다.
도 4를 참조하여 설명하면, 상기 봉지층(300)은 상기 제 1 봉지층(310) 및 상기 제 2 봉지층(320) 상에 제 3 봉지층(330)이 형성될 수 있다. 상기 제 3 봉지층(330)은 상기 제 2 봉지층(320)의 굴절률과 다른 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다. 이는 단지 3개의 층으로 한정하는 것이 아니고, 복수의 봉지층으로 상기 봉지층을 구성하여도 빛의 진행경로가 길어지고, 반사되는 빛의 양도 감소하여 광효율이 향상될 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명하면, 상기 배리어층(500)은 인듐과 티타늄을 포함하는 산화물로 형성하고, 상기 편광층(600)은 티타늄을 포함하는 산화물로 형성하였을 때와 상기 편광층(600)이 형성되지 않았을 때, 즉 굴절률이 다른 층이 형성되지 않고 동일한 굴절률을 가지는 층으로만 형성되었을 때를 비교한 그래프이다. 본 그래프 상에서는 산화 티타늄(TiO)이 형성되었을 때와 산화티타늄(TiO)이 형성되지 않았을 때를 비교하여 설명하였지만 이에 한정되지 아니하고, 동일한 굴절률을 가지는 층만으로 형성되었을 때와 서로 다른 굴절률을 가지는 층으로 형성되어 있는 경우를 비교한 것으로 해석할 수 있다.
도 5a는 세로축이 휘도(luminance)를 나타내고, 도 5b는 세로축이 광효율을 나타내며 가로축은 모두 광전류 밀도를 나타낸다. 도 5a 및 도 5b에서 확인할 수 있듯이, 서로 다른 굴절률을 가지는 층으로 형성되는 경우에 휘도와 광효율이 향상되는 것을 확인할 수 있다.
본 발명에서 형성되는 유기 발광 소자는 기판(100) 상에 발광부(200)를 형성하는 공정; 상기 발광부(200) 상에 수분 침투를 방지하는 봉지층을 형성하는 공정; 상기 봉지층(300) 상에 배리어층(500)을 형성하는 공정; 및 상기 배리어층(500) 상에 편광층(600)을 형성하는 공정을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 배리어층(500) 및 상기 편광층(600)은 원자층 증착법으로 형성될 수 있고, 상기 배리어층(500)과 상기 편광층(600)이 원자층 증착법으로 증착되는 경우 얇은 두께로 박막을 형성할 수 있고, 얇은 두께의 박막을 복수회 교대로 증착할 수 있어 빛의 진행경로를 더욱 길게 형성하여 광효율이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명에서 형성되는 유기 발광 소자는 기판(100) 상에 발광부(200)를 형성하는 공정; 상기 발광부(200) 상에 수분 침투를 방지하는 봉지층(300)을 형성하는 공정; 및 상기 봉지층(300)은 제 1 봉지층(310) 및 제 2 봉지층(320)을 포함하고, 상기 제 1 봉지층(310) 및 제 2 봉지층(320)을 원자층 증착법으로 형성하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 200: 발광부
300: 봉지층 310: 제1 봉지층
320: 제2 봉지층 400: 보호 필름
500: 배리어층 600: 편광층
300: 봉지층 310: 제1 봉지층
320: 제2 봉지층 400: 보호 필름
500: 배리어층 600: 편광층
Claims (9)
- 기판;
상기 기판 상에 구비된 발광부;
상기 발광부 상에 구비된 수분 침투를 방지하는 봉지층;
상기 봉지층 상에 구비된 배리어층; 및
상기 배리어층 상에 구비된 편광층을 포함하고, 원자층 증착법으로 증착된 상기 배리어층 및 상기 편광층은 서로 굴절률이 상이한 것을 포함하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 배리어층 및 상기 편광층은 서로 교차하며 복수회 반복하여 증착되는 것을 포함하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 배리어층 및 상기 편광층은 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO2) 산화티타늄(TiO2) 산화아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3) 산화 갈륨(Ga2O3) 산화 실리콘(SiO2) 질화 실리콘(SiNx) 중 어느 하나로 증착되는 것을 포함하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 배리어층 및 상기 편광층은 결정구조가 동일한 물질인 것을 포함하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 배리어층은 인듐과 티타늄을 포함하는 산화물을 포함하고, 상기 편광층은 티타늄을 포함하는 산화물을 포함하는 유기 발광 소자.
- 기판;
상기 기판 상에 구비된 발광부;
상기 발광부 상에 구비된 수분 침투를 방지하는 봉지층; 및
상기 봉지층은 원자층 증착법(ALD)으로 증착된 제 1 봉지층 및 제 2 봉지층을 포함하고 상기 제 1 봉지층의 굴절률과 상기 제 2 봉지층의 굴절률은 서로 상이한 것을 포함하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,
상기 봉지층은 제 3 봉지층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
- 기판 상에 발광부를 형성하는 공정;
상기 발광부 상에 수분 침투를 방지하는 봉지층을 형성하는 공정;
상기 봉지층 상에 배리어층을 형성하는 공정; 및
상기 배리어층 상에 편광층을 형성하는 공정을 포함하고 상기 배리어층과 상기 편광층은 원자층 증착법으로 형성하는 공정을 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법.
- 기판 상에 발광부를 형성하는 공정;
상기 발광부 상에 수분 침투를 방지하는 봉지층을 형성하는 공정; 및
상기 봉지층은 제 1 봉지층 및 제 2 봉지층을 포함하고, 상기 제 1 봉지층 및 제 2 봉지층을 원자층 증착법으로 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 유기 발광 소자의 제조방법.
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