KR20180043986A - 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 충진제 및 커플링제를 포함하며, 상기 커플링제는 알킬기를 갖는 실란 화합물, 아미노실란 및 에폭시실란을 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
반도체 봉지재는 반도체 소자를 밀봉시켜 반도체 회로를 외부의 충격 및 오염물질로부터 보호하는 역할을 하는 재료로서, 반도체의 생산성 및 신뢰성에 중대한 영향을 미치는 바, 반도체 제조공정에 있어 큰 비중을 차지하고 있다. 현재 반도체 봉지방법으로는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)를 이용한 이송성형법이 주류를 이루고 있으며, EMC는 다른 재료에 비해 가격이 저렴하고 생산성이 월등하다는 장점을 지닌다.
EMC 등으로 밀봉된 반도체 소자에는 제조회사, 제품명, 제조번호, 로트번호, 로고 또는 사용자의 요구에 따른 각종 문자 및 그림 등의 정보를 성형된 수지 봉지재 표면에 기록하는 마킹(Marking) 공정이 행하여 진다. 이러한 마킹 방법의 하나로 수지 조성물로 봉지된 반도체 소자의 표면에 자외선 경화성 잉크 등을 사용하여 마킹하는 잉크 마킹(Ink Marking)이 있다. 그러나, 잉크 마킹은 잉크 성분의 환경 유해 문제와 잉크 번짐 등 공정상 어려움이 존재하며, 마킹 후 잉크를 건조, 경화시키는 공정을 거쳐야 하므로 반도체 제조에 장시간이 소요되는 문제가 있다.
이러한 잉크 마킹의 문제점을 해결하기 위해, 레이저 빔(CO2 레이저, Nd:YAG 레이저 등)을 사용하여 반도체 소자의 봉지재 표면을 마킹하는 레이저 마킹(Laser Marking)이 도입되었다[대한민국 공개특허 제10-2011-0020382호 참조]. 이 방법은 처리 속도가 빠르고, 마킹이 반영구적이며, 비용이 저렴하다는 등의 장점이 있다. 레이저 마킹은 레이저가 수지 조성물로 형성된 표면에 조사될 때 빛을 받은 부분의 온도가 급격히 상승하고, 가열된 부분의 구성 성분 중에서 수지(유기물) 등 열에 약한 성분이 분해되어 일정 깊이로 파이게 되어 원래의 봉지재 표면과는 다른 새로운 표면이 드러나게 되는 현상을 이용한다. 이때 레이저 마킹으로 인해 새로 드러나게 된 표면(예컨대, 남아 있는 백색의 실리카)은 마킹되지 않은 주변 표면과는 다른 특성을 보여 마킹을 인식할 수 있게 된다.
그러나, 최근 반도체 장치의 두께 감소로 반도체 내부의 칩(Chip)과 상판 표면 간의 거리가 100㎛ 내외로 가까워지면서, 반도체 봉지 후 레이저 마킹시 레이저에 의한 분해로 발생하는 내부 보이드에 의해 직접적으로 칩이 손상되는 문제가 발생하게 되었다. 또한, 보이드가 위치한 부위의 마킹 후 표면은 활자의 인식율이 낮아지는 문제도 존재한다.
이에, 레이저 마킹 후 반도체 내부 보이드에 의한 칩의 손상 및 표면 인식 불량을 방지할 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 대한 개발이 요구되는 실정이다.
본 발명은 레이저 마킹 후 반도체 내부 보이드에 의한 칩의 손상 및 표면 마킹 인식 불량을 방지할 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
본 발명은 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
한편으로, 본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 충진제 및 커플링제를 포함하며, 상기 커플링제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 아미노실란 및 에폭시실란을 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 커플링제는 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.05 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 커플링제는 커플링제 전체 100 중량%에 대하여 화학식 1로 표시되는 화합물 10 내지 40 중량%, 아미노실란 10 내지 40 중량% 및 에폭시실란 40 내지 60 중량%를 포함할 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명은 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 레이저 마킹 후 반도체 내부 보이드에 의한 칩의 손상 및 표면 마킹 인식 불량을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시형태는 에폭시 수지, 경화제, 충진제 및 커플링제를 포함하며, 상기 커플링제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 아미노실란 및 에폭시실란을 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기이다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C6의 알킬기는 탄소수 1 내지 6개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 1가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에서, R1은 n-프로필이고, R2는 메틸일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 아미노실란으로는 N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필디메톡시메틸실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필디메톡시메틸실란, N-메틸-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 등을 예로 들 수 있으며, 특히 N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필디메톡시메틸실란 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 에폭시실란으로는 트리메톡시[2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵트-3-일)에틸]실란, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필(디메톡시)메틸실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 예로 들 수 있으며, 특히 트리메톡시[2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵트-3-일)에틸]실란일 수 있다.
상기 커플링제는 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.05 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있으며, 상기 범위를 만족할 때 적절한 밀착성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 커플링제는 커플링제 전체 100 중량%에 대하여 화학식 1로 표시되는 화합물 10 내지 40 중량%, 아미노실란 10 내지 40 중량% 및 에폭시실란 40 내지 60 중량%를 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 10 중량% 미만인 경우, 내부 보이드 발생을 방지하고 표면 마킹 불량을 최소화하기 어려울 수 있고, 40 중량% 초과인 경우 경화성이 저하될 수 있다. 또한, 상기 아미노실란의 함량이 10 중량% 미만인 경우 내흡습성이 떨어질 수 있고, 40 중량% 초과인 경우 보이드가 발생할 수 있다. 아울러, 상기 에폭시실란의 함량이 40 중량% 미만인 경우, 내열성이 떨어질 수 있고, 60 중량% 초과인 경우 강도가 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 에폭시 수지는 열에 의해 경화제와 반응하여 경화되며, 경화 후 삼차원 망상구조를 가짐으로써 피착제에 강하고 견고하게 접착하는 성질과 내열성을 부여한다.
이러한 에폭시 수지의 예로는 당해 분야에서 통상적으로 사용되고 있는, 비스페놀 A형, 지환형, 선형 지방족, (오르쏘)크레졸 노볼락형, 나프톨 노볼락형, 비페닐형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지를 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 특히 비페닐형 에폭시 수지 및 다관능형 에폭시 수지 중 1종 이상을 포함할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 1 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 함유하는 에폭시 수지를 사용하며, 이들의 에폭시 당량은 150 내지 280이고, 연화점은 50 내지 120℃일 수 있다.
상기 에폭시 수지는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 2 내지 20 중량%, 특히 5 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 에폭시 수지의 함량이 2 중량% 미만이면 접착성, 전기절연성, 흐름성 및 성형성이 저하될 수 있으며, 그 함량이 20 중량%를 초과하면 흡습량 증가로 반도체의 신뢰성이 불량해지고, 충진제의 상대적 함량 감소로 강도가 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화제는 상기 에폭시 수지와 반응하여 조성물의 경화를 진행시키는 성분으로서, 내습성, 내열성, 보존성 등의 물성이 우수한 페놀 수지를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 페놀 수지의 예로는 페놀 노볼락형 수지, 크레졸 노볼락형 수지, 페놀 알킬 수지, 페놀 자일록형 수지, 비스페놀 A로부터 합성된 각종 노볼락형 수지 및 디하이드로 비페닐로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나 이상의 다가 페놀 화합물로서, 분자구조 내에 상기 에폭시 수지 성분과 반응하고 경화를 진행시키는 페놀성 하이드록시기를 2개 이상 함유할 수 있다. 일 예로서, 성형성 면에서 페놀 노볼락형 수지 및 페놀 자일록형 수지 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 경화제는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 1 내지 20 중량%, 특히 2 내지 6 중량%로 포함될 수 있다. 상기 경화제의 함량이 1 중량% 미만이면 경화성 및 성형성에 문제가 생길 수 있으며, 그 함량이 20 중량%를 초과하면 흡습량 증가로 신뢰성이 저하되고, 상대적으로 강도가 낮아질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 봉지재의 강도를 향상시키고 흡습량을 낮추기 위한 성분으로, 예를 들어 실리카, 실리카 나이트라이드, 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 보론 나이트라이드 등의 무기 충진제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 일 예로, 상기 충진제로서 평균 구형화도가 0.92 이상이고, 평균 입경이 0.1 내지 18㎛인 용융 또는 합성 실리카를 사용할 때 기계적 강도를 향상시킬 수 있고 저흡습을 통한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 88 내지 91 중량%로 포함될 수 있다. 상기 충진제의 함량이 88 중량% 미만인 경우, 흡습량 증가로 강도가 저하되고, 리플로우 솔더링 과정후 밀착성이 떨어질 수 있으며, 충진제의 함량이 91 중량%를 초과하면 점도 증가 및 흐름성 저하로 성형성이 불량해질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은 그 목적을 벗어나지 않는 범위에서 반도체용 봉지재에 일반적으로 사용되는 첨가제를 추가적으로 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 에폭시 수지와 경화제의 경화반응을 촉진시키기 위해 경화촉진제를 첨가할 수 있다.
상기 경화촉진제는 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별한 제한은 없으나, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 등의 이미다졸 화합물; 트리에틸아민, 트리부틸아민, 벤질디메틸아민 등의 아민 화합물; 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸) 페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)운덱-7-엔 등의 삼급 아민 화합물; 및 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀 등의 유기 포스핀 화합물을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 경화촉진제는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 0.05 내지 5 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 경화촉진제의 함량이 0.05 중량% 미만이면 경화성이 저하될 수 있으며, 그 함량이 5 중량%를 초과하면 과경화로 인해 흐름성이 저하될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은 장쇄지방산, 장쇄지방산의 금속염, 파라핀 왁스, 카나바 왁스, 실리콘 오일 등의 이형제 및 카본블랙, 산화철, 벵갈라 등의 착색제 중에서 선택되는 하나 이상의 첨가제를 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%의 범위로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 당해 분야에 통상적인 방법, 예를 들어 반바리 믹서, 니더, 롤, 단축 또는 이축의 압출기 및 코니더 등을 이용하는 용융 혼련 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같은 각 성분들을 균일하게 섞은 후, 용융 혼합기(heat kneader)를 이용하여 100 내지 130℃의 온도에서 용융 혼합하고, 상온으로 냉각시킨 다음, 분말 상태로 분쇄한 후, 블렌딩함으로써 에폭시 수지 조성물을 수득할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반도체 소자는 트랜지스터, 다이오드, 마이크로프로세서, 반도체 메모리 등일 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 봉지하는 방법은 당해 분야에서 통상적인 방법, 예컨대 트랜스퍼 몰드, 컴프레션 몰드, 인젝션 몰드 등의 성형방법에 따라 수행될 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
실시예
1 내지 4 및
비교예
1 내지 5: 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조
하기 표 1에 제시한 바와 같은 조성으로 각 성분을 혼합한 후(단위: 중량%), 용융 혼합, 냉각, 분쇄 및 블렌딩 공정을 거쳐 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 수득하였다.
성분 | 비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | 비교예4 | 비교예5 | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | 실시예4 | |
에폭시 수지 | 비페닐형 에폭시 수지1 ) | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 |
다관능형 에폭시 수지2 ) | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | |
경화제 | 페놀 노볼락형 수지3) | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 |
자일록형 수지4 ) | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | |
충진제 | 실리카5 ) | 78.8 | 78.8 | 78.8 | 78.8 | 78.8 | 78.8 | 78.8 | 78.8 | 78.8 |
실리카6 ) | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | |
커플링제 | N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란7 ) | 0.15 | 0.15 | 0.075 | 0.075 | 0.06 | 0.06 | |||
트리메톡시[2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵트-3-일)에틸]실란8 ) | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | ||
n-프로필트리메톡시실란9 ) | 0.075 | 0.15 | 0.075 | 0.075 | 0.08 | 0.1 | ||||
N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필-디메톡시메틸실란10 ) | 0.15 | 0.075 | 0.075 | 0.015 | 0.01 | 0.05 | ||||
이형제 | 폴리에틸렌왁스11 ) | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
폴리에스터왁스12 ) | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
착색제 | 카본블랙13 ) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
경화촉진제 | 트리페닐포스핀14 ) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
총계 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 | 100.00 |
1) Mitsubishi Chemical, YX-4000K(에폭시 당량 192, 녹는점 107℃)
2) Nippon Kayaku, NC-3000(에폭시 당량 278, 연화점 57℃)
3) Kolon, KPH-F2001(OH당량 103, 연화점 86℃)
4) Meiwa Kasei, MEH-7800SS(OH당량 175, 연화점 66℃)
5) Denka, FB-975FD(비표면적 3.4m2/g, 평균입경 15.5㎛)
6) Admatecs, FB-975FD(평균입경 0.5㎛)
7) ShinEtsu, KBM-573(분자량 255.4)
8) ShinEtsu, KBM-303(분자량 246)
9) Dow Corning, 11-100
10) ShinEtsu, KBM-602(분자량 206.4)
11) Clariant, PED-522(Drop point 102℃)
12) Clariant, Wax-E(Drop point 81℃)
13) Mitsubishi Chemical, MA-600(평균입경 19nm)
14) Hokko Chemical, TPP(녹는점 82℃)
실험예
1:
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기의 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1) 스파이럴 플로우(spiral flow)
각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 에폭시 수지 조성물을 스파이럴 플로우 몰드를 이용하여 가열이송성형기(압력=70kg/㎠, 온도=175℃, 경화시간=120초)에서 몰딩한 후 제조물의 흐름성을 측정하였다.
(2) 겔 타임(gelation time)
각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 에폭시 수지 조성물을 소량으로 겔 타이머에 넓고 고르게 펴서, 제조물의 겔화 소요시간을 측정하였다.
(3) 유리전이온도(Tg)
각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 에폭시 수지 조성물을 가열이송 성형기에서 몰딩한 후, TMA(Thermomechanical Analyser)(승온 속도 10℃/분, 온도변화 범위 20~270℃)를 이용하여 유리전이온도를 측정하였다.
(4) 선팽창계수
각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 에폭시 수지 조성물을 가열이송 성형기에서 몰딩한 후, TMA(Thermomechanical Analyser)를 이용하여 유리전이온도 이전의 선팽창 계수 α1 및 유리전이온도 이후의 선팽창 계수 α2를 측정하였다.
(5) 휨성(warpage)
각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 에폭시 수지 조성물을 이용하여 FBGA(fine pitch ball grid array) 패키지를 트랜스퍼 몰딩 방식(175℃, 70 kgf/cm2, 100초)으로 봉지시킨 후, 패키지 상하부의 위치 편차를 휨성 측정장비(AXP, Akrometrix, Inc.)로 측정하여 휘는 현상을 확인하였다
(6) 경화성(cure-ability)
각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 에폭시 수지 조성물을 이용하여 경화거동측정기(curelastometer, Curelastometer7, A&D Company Ltd)로 경화성을 평가하였다(온도: 180℃, 경화시간=300초, 최대 toque 측정).
(7) 내부 보이드(기공)
각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 에폭시 수지 조성물에 대해 BGA(ball grid array) 반도체 패키지를 이용하여 레이저 마킹 이후 내부 보이드 발생 여부를 확인하였다.
물성 | 비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | 비교예4 | 비교예5 | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | 실시예4 | |
스파이럴 플로우 | inch | 43 | 34 | 37 | 39 | 41 | 42 | 41 | 41 | 38 |
겔 타임 | sec | 32 | 24 | 26 | 28 | 26 | 28 | 28 | 28 | 27 |
유리전이온도 | ℃ | 145 | 141 | 142 | 142 | 144 | 143 | 143 | 144 | 142 |
선팽창계수 α1 | ppm/℃ | 8 | 8 | 8 | 8 | 9 | 8 | 9 | 9 | 8 |
선팽창계수 α2 | ppm/℃ | 34 | 35 | 35 | 35 | 34 | 33 | 34 | 33 | 34 |
휨성 | mm | 0.4 | 0.6 | 0.5 | 0.5 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.4 |
경화성 | Kgf/cm | 60 | 75 | 70 | 73 | 50 | 65 | 67 | 65 | 70 |
내부 보이드(기공) | unit | 15/54 | 10/54 | 0/54 | 12/54 | 0/54 | 0/54 | 0/54 | 0/54 | 0/54 |
상기 표 2의 결과에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 에폭시 수지 조성물은 레이저 마킹 후 반도체 내부 보이드의 발생이 비교예 1, 2 및 4에 비해 감소되고, 이에 따라 내부 보이드에 의한 칩의 손상 및 표면 마킹 인식 불량을 방지할 수 있는 것으로 나타났다. 또한, 실시예 1 내지 4의 에폭시 수지 조성물은 휨성 및 경화성도 우수한 것으로 나타났으나, 비교예 3의 에폭시 수지 조성물은 휨성이 떨어지고 비교예 5의 에폭시 수지 조성물은 경화성이 떨어지는 것으로 나타났다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (9)
- 제1항에 있어서, R1은 n-프로필이고, R2는 메틸인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 커플링제는 에폭시 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.05 내지 0.5 중량%로 포함되는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 커플링제는 커플링제 전체 100 중량%에 대하여 화학식 1로 표시되는 화합물 10 내지 40 중량%, 아미노실란 10 내지 40 중량% 및 에폭시실란 40 내지 60 중량%를 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 비페닐형 에폭시 수지 및 다관능형 에폭시 수지 중 1종 이상을 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 경화제는 페놀 노볼락형 수지 및 페놀 자일록형 수지 중 1종 이상을 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 충진제는 평균 구형화도가 0.92 이상이고, 평균 입경이 0.1 내지 18㎛ 인 용융 또는 합성 실리카를 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 경화촉진제, 이형제 및 착색제로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제를 추가로 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자.
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