KR102364359B1 - 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 충진제, 반사제, 발색제 및 착색제를 포함하며 상기 반사제가 알루미나를 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.

Description

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 {Epoxy Resin Composition for Sealing Semiconductor}
본 발명은 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 봉지재의 레이저 마킹시에 레이저에 의한 손상을 최소화할 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
반도체 봉지재는 반도체 소자를 봉지시켜 반도체 회로를 외부의 충격 및 오염물질로부터 보호하는 역할을 하는 재료로서, 반도체의 생산성 및 신뢰성에 큰 영향을 미친다. 현재 반도체 봉지방법으로는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)를 이용한 이송성형법이 주로 사용되고 있다.
EMC로 봉지된 반도체 소자에는 제조회사, 제품명, 제조번호, 로트번호, 로고 또는 사용자의 요구에 따른 각종 문자 및 그림 등의 정보를 수지 조성물로 성형된 봉지재의 표면에 기록하는 마킹(marking) 공정이 행하여 진다. 이러한 마킹 방법으로는 레이저 마킹이 주로 이용되고 있다. 레이저 마킹은 레이저 빔(CO2 레이저, Nd:YAG 레이저 등)을 사용하여 반도체 봉지재의 표면을 마킹함으로써 처리 속도가 빠르고, 마킹이 반영구적이며, 비용이 저렴하다는 등의 장점이 있다. 레이저 마킹은 레이저가 수지 조성물의 표면에 조사될 때 빛을 받은 부분의 온도가 급격히 상승하고, 가열된 부분의 구성 성분 중에서 수지(유기물) 등 열에 약한 성분이 분해되어 일정 깊이로 파이게 되고 원래의 봉지재 표면과는 다른 새로운 표면이 드러나게 되는 현상을 이용한다. 이때 레이저 마킹으로 인해 새로 드러나게 된 표면(예컨대, 남아 있는 백색의 실리카)은 마킹되지 않은 주변 표면과는 다른 특성을 보여 마킹을 인식할 수 있게 된다.
그러나, 최근 반도체 소자의 두께 감소로 반도체 내부의 칩(chip)과 상판 표면 간의 거리가 100㎛ 내외로 가까워지면서, 레이저에 의한 반도체 내부 칩의 손상 및 유, 수분의 침투에 의해 마킹 면이 훼손되는 문제가 발생하고 있다.
이를 극복하기 위해, 대한민국 등록특허 제10-1289302호는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 발색제로서 운모, Fe3O4 및 TiO2를 포함하는 혼합물을 첨가함으로써, 레이저 마킹시 레이저에 의한 반도체 내부 칩의 손상 및 유, 수분에 의한 마킹 면의 훼손을 방지할 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 개시하고 있다.
이러한 발색제의 첨가는 레이저 마킹으로 드러나는 표면의 분해를 어느 정도 방지하면서 백색으로의 변색을 유도하여 효율적인 마킹을 달성할 수 있으나 흑색 강도는 충분하지 않게 된다. 한편, 불충분한 흑색 강도를 높이기 위해 착색제로서 카본블랙을 추가로 사용할 경우, 레이저에 의한 봉지재의 분해가 다시 증가하여 내부 칩이 손상되는 문제가 여전히 발생할 수 있다.
대한민국 등록특허 제10-1289302호
본 발명은 레이저 마킹시 레이저에 의한 봉지재의 분해를 최소화하면서 충분한 흑색 강도를 부여하여, 반도체 내부 칩의 손상 없이 봉지재에 마킹된 부분의 명도를 증대시킬 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
한편으로, 본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 충진제, 반사제, 발색제 및 착색제를 포함하며, 상기 반사제가 알루미나를 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 발색제는 운모(mica), Fe3O4 및 TiO2로부터 선택되는 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 착색제는 카본블랙을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반사제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 0.5 내지 10 중량%의 함량으로 포함될 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명은 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 알루미나를 포함하는 반사제를 발색제 및 착색제와 함께 사용하여, 레이저에 의한 분해를 최소화하면서 충분한 흑색 강도를 부여함으로써 봉지재의 레이저 마킹시에 반도체 내부 칩의 손상 없이 마킹된 부분의 명도를 증대시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 충진제, 알루미나를 포함하는 반사제, 발색제 및 착색제를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반사제로서의 알루미나는 발색제 및 착색제와 함께 사용되어, 에폭시 수지 조성물로 된 봉지재의 반사율을 증가시켜 봉지재 표면에서의 레이저 마킹시 레이저에 의한 봉지재의 분해를 최소화할 수 있다.
상기 알루미나는 1 내지 50㎛의 평균 입경을 가질 수 있다. 알루미나의 평균 입경이 1㎛ 보다 작은 경우 유동성 저하에 의한 미충진의 문제점이 있고, 50㎛ 보다 큰 경우에는 큰 입자에 의한 와이어 쏠림의 문제가 발생할 수 있다.
상기 반사제로서 사용된 알루미나는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 0.5 내지 10 중량%의 함량으로 포함될 수 있다.
상기 반사제의 함량이 조성물 전체 중량에 대해 0.5 중량% 미만인 경우에는 반사 효과가 미비하고, 10 중량%를 초과하는 경우에는 유동성 저하에 의한 미충진의 문제점이 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 발색제는 운모(mica), Fe3O4 및 TiO2로부터 선택되는 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 발색제는 레이저 마킹시 봉지재가 분해되지 않고 변색(예컨대, 백색)만으로 효율적인 마킹이 이루어지게 한다.
상기 발색제는 그 평균 입경이 1 내지 50㎛, 예컨대 5 내지 10㎛ 일 수 있다. 또한, 발색제 입자의 적어도 80% 이상이 1 내지 15㎛ 범위의 입경을 갖는 것이 적절하다. 상기 발색제의 평균 입경이 1㎛ 미만이면 발색제의 비표면적이 증가하여, 봉지재의 유동성이 저하되어 성형성에 문제를 발생시킬 수 있으며. 발색제의 평균 입경이 50㎛를 초과하면 분산과 착색력이 떨어져 외관을 손상시키거나 마킹의 선명도(콘트라스트)가 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 발색제는 운모 20 내지 50 중량%, Fe3O4 40 내지 80 중량% 및 TiO2 1 내지 20 중량%, 구체적으로 운모 25 내지 35 중량%, Fe3O4 60 내지 70 중량% 및 TiO2 5 내지 15 중량%를 포함할 수 있다. 또 다른 예로, 상기 발색제는 운모 23 내지 35 중량% 및 Fe3O4 65 내지77 중량%를 포함할 수 있다.
상기 발색제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 1 내지 10 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 발색제의 함량이 1 중량% 미만이면 레이저에 의한 봉지재 분해가 발생하거나 마킹의 선명도가 저하될 수 있으며, 그 함량이 10 중량%를 초과하면 강도, 유동성, 밀착성 등 반도체 봉지재의 기본적인 요구 물성이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 착색제는 카본블랙을 포함하며, 봉지재 자체에 충분한 흑색 강도를 부여함으로써 레이저 마킹으로 인해 봉지재 표면에 새로 드러나게 된 부분(예컨대, 백색 부분)의 명도를 증대시킬 수 있다.
상기 착색제는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 0.01 내지 5 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 착색제의 함량이 0.01 중량% 미만인 경우 충분한 흑색 강도를 부여할 수 없어 마킹된 면의 명도가 저하될 수 있으며, 그 함량이 5 중량%를 초과하는 경우에는 레이저에 의한 봉지재 분해가 일어날 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 에폭시 수지는 열에 의해 경화제와 반응하여 경화되며, 경화 후 삼차원 망상구조를 가짐으로써 피착제에 강하고 견고하게 접착하는 성질과 내열성을 부여한다.
이러한 에폭시 수지의 예로는 당해 분야에서 통상적으로 사용되고 있는, 비스페놀 A형, 지환형, 선형 지방족, (오르쏘)크레졸 노볼락형, 나프톨 노볼락형, 비페닐형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지를 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 1 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 함유하는 에폭시 수지를 사용하며, 이들의 에폭시 당량은 150 내지 280이며, 연화점은 50 내지 120℃일 수 있다.
상기 에폭시 수지는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 2 내지 20 중량%, 특히 5 내지 10 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 에폭시 수지의 함량이 2 중량% 미만이면 접착성, 전기절연성, 흐름성 및 성형성이 저하될 수 있으며, 그 함량이 20 중량%를 초과하면 흡습량 증가로 반도체의 신뢰성이 불량해지고, 충진제의 상대적 함량 감소로 강도가 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화제는 상기 에폭시 수지와 반응하여 조성물의 경화를 진행시키는 성분으로서, 내습성, 내열성, 보존성 등의 물성이 우수한 페놀 수지를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 페놀 수지의 예로는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 페놀 알킬 수지, 자일록형 수지, 비스페놀A로부터 합성된 각종 노볼락 수지 및 디하이드로 비페닐로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나 이상의 다가 페놀 화합물로서, 분자구조 내에 상기 에폭시 수지 성분과 반응하고 경화를 진행시키는 페놀성 하이드록시기를 2개 이상 함유할 수 있다.
상기 경화제는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 2 내지 20 중량%, 특히 3 내지 6 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 경화제의 함량이 2 중량% 미만이면 경화성 및 성형성에 문제가 생길 수 있으며, 그 함량이 20 중량%를 초과하면 흡습량 증가로 신뢰성이 저하되고, 상대적으로 강도가 낮아질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화촉진제는 상기 에폭시 수지와 경화제의 경화반응을 촉진시키는 성분으로, 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 등의 이미다졸 화합물; 트리에틸아민, 트리부틸아민, 벤질디메틸아민 등의 아민 화합물; 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸) 페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)운덱-7-엔 등의 삼급 아민 화합물; 및 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀 등의 유기 포스핀 화합물을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 경화촉진제는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 0.05 내지 5 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 경화촉진제의 함량이 0.05 중량% 미만이면 경화성이 저하될 수 있으며, 그 함량이 5 중량%를 초과하면 과경화로 인해 흐름성이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 봉지재의 강도를 향상시키고 흡습량을 낮추기 위한 성분으로, 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 무기 충진제, 예컨대 실리카, 실리카 나이트라이드, 보론 나이트라이드 등의 무기 충진제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 충진제의 형태 또한 특별히 제한되지 않으며, 각상 및 구상 형태의 충진제를 모두 사용할 수 있다. 일 예로, (고순도의) 실리카 충진제, 예컨대 천연 실리카, 합성 실리카, 용융 실리카 등을 사용할 수 있다. 특히, 구상 실리카 입자를 사용할 수 있다.
상기 충진제는 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 70 내지 95 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 충진제의 함량이 70 중량% 미만인 경우, 흡습량 증가로 강도가 저하되고, 리플로우 솔더링 과정후 밀착성이 떨어질 수 있으며, 그 함량이 95 중량%를 초과하면 점도 증가 및 흐름성 저하로 성형성이 불량해질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은 그 목적을 벗어나지 않는 범위에서 반도체용 봉지재에 일반적으로 사용되는 첨가제를 추가적으로 포함할 수 있다. 예컨대, 조성물에 난연성을 부여하기 위해 난연제를 첨가할 수 있다. 난연제로는 금속 수산화물, 인 및 질소 함유 유기화합물(예컨대, 레조르시놀디포스페이트(resorcinol diphosphate), 포스페이트(phosphate), 페녹시포스파젠(phenoxyphosphazene), 멜라민 시아누레이트(melamine cyanurate) 및 페놀 멜라민 수지(phenolic melamine resin)) 등을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 수산화물의 예로는 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 보론, 알루미늄 및 갈륨 중에서 선택된 금속의 수산화물을 들 수 있다.
또한, 사용되는 수지 성분들과 무기 충진제 간에 결합력을 부여하는 (실란) 커플링제, 하이드로탈사이트계의 이온포착제, 장쇄지방산, 장쇄지방산의 금속염, 파라핀 왁스, 카나바 왁스, 실리콘 오일 등의 이형제, 실리콘 파우더 등의 개질제, 및 변성 실리콘 수지, 변성 폴리부타디엔 등의 저응력화제 중에서 선택되는 하나 이상의 첨가제를 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%의 범위로 포함할 수 있다.
이와 같이, 반사제로서의 알루미나를 발색제 및 착색제와 함께 포함하는 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 반사율을 증가시켜 레이저에 의한 분해를 최소화하면서 충분한 흑색 강도를 부여함으로써 봉지재의 레이저 마킹시에 반도체 내부 칩의 손상 없이 마킹된 부분의 명도를 증대시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 당해 분야에 통상적인 방법, 바람직하게는 반바리 믹서, 니더, 롤, 단축 또는 이축의 압출기 및 코니더 등을 이용하는 용융 혼련 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같은 각 성분들을 균일하게 섞은 후, 용융 혼합기(heat kneader)를 이용하여 100 내지 130℃의 온도에서 용융 혼합하고, 상온으로 냉각시킨 다음, 분말 상태로 분쇄한 후, 블렌딩함으로써 에폭시 수지 조성물을 수득할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반도체 소자는 트랜지스터, 다이오드, 마이크로프로세서, 반도체 메모리 등일 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 봉지하는 방법은 당해 분야에서 통상적인 방법, 예컨대 트랜스퍼 몰드, 컴프레션 몰드, 인젝션 몰드 등의 성형방법에 따라 수행될 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 2: 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조
하기 표 1에 제시한 바와 같은 조성으로 각 성분을 혼합한 후(단위: 중량%), 용융 혼합, 냉각, 분쇄 및 블렌딩 공정을 거쳐 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 수득하였다.
성분 실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2 비교예3
에폭시
수지		 비페닐 에폭시 수지1 ) 3.9 3.9 3.9 3.9 3.9 3.9
다관능성 방향족 에폭시 수지2) 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2
경화제 페놀 노볼락 수지3 ) 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3
자일록형 수지4 ) 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2
반사제 알루미나(Al2O3)5 ) 1 3 6 - - -
실란 커플링제 N-페닐-3-아미노프로 필트리메톡시실란6 ) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
트리메톡시-[2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵트-3-일)에틸]실란7 ) 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
개질제 실리콘 레진8 ) 1 1 1 1 1 1
이형제 폴리에틸렌 왁스9 ) 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
폴리에스터 왁스10 ) 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
착색제 카본블랙11 ) 0.1 0.1 0.1 - 0.1 0.2
발색제 Iriotec 883512) 3 3 3 3 3 3
충진제 실리카13 ) 76.2 74.2 71.2 77.3 77.2 77.1
실리카14 ) 8.4 8.4 8.4 8.4 8.4 8.4
경화촉진제 트리페닐포스핀15 ) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
총계 100 100 100 100 100 100
1) Mitsubishi Chemical, YX-4000K(에폭시 당량 192, 녹는점 107℃)
2) Nippon Kayaku, NC-3000(에폭시 당량 278, 연화점 57℃)
3) Kolon, KPH-F2001(OH당량 103, 연화점 86℃)
4) Meiwa Kasei, MEH-7800SS(OH당량 175, 연화점 66℃)
5) Denka, DAB-10SI(비표면적 1.9m2/g, 평균입경 10.8㎛)
6) ShinEtsu, KBM-573(분자량 255.4)
7) ShinEtsu, KBM-303(분자량 246)
8) Dow Corning, AY-42-119(에폭시 당량 1500)
9) Clariant, PED-522(Drop point 102℃)
10) Clariant, Wax-E(Drop point 81℃)
11) Mitsubishi Chemical, MA-600(평균입경 19nm)
12) Merch, Laserflair 8835(평균입경 15㎛)
13) Denka, FB-975FD(비표면적 3.4m2/g, 평균입경 15.5㎛)
14) Admatecs, FB-975FD(평균입경 0.5㎛)
15) Hokko Chemical, TPP(녹는점 82℃)
실험예 1:
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기의 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1) 명도
제조된 에폭시 수지 조성물을 QFN Mold를 사용하여 시편 제작 후 레이저 마킹하여 마킹된 면의 명도 (CIE L*a*b* 색 공간에서 L*값의 밝기 크기로서, L*=0이면 검은색, L*=100이면 흰색)를 측정하였다. 이때 레이저 마킹의 조건은 다음과 같았다.
<레이저 마킹 조건>
파이버(fiber) 레이저 마커: ㈜ 한빛 레이저, HBL10-298
파장: 1060 ~ 1070nm
펄스 반복 속도(pulse repetition rate): 30kHz
레이저 빔 출력: 30%
(2) 분해도
제조된 에폭시 수지 조성물의 명도 평가 후 마킹된 면이 레이저에 의해 분해된 깊이를 측정하였다.
(3) 반사율
제조된 에폭시 수지 조성물을 몰딩하여 얻은 시편에 대해서 레이저에 의해 반사되는 정도를 반사율 평가 기기(Lambda UV/VIS Spectrometer, Perkin Elmer)로 측정하였다.
물성 실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2 비교예3
명도 39 38 38 28 37 40
분해도(㎛) -6 -4 -3 -7 -10 -30
반사율(%) 6.1 6.3 6.5 5.9 5.8 5.7
상기 표 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 알루미나가 카본블랙 및 발색제와 함께 사용된 실시예 1 내지 3의 에폭시 수지 조성물은 알루미나가 사용되지 않은 비교예 1 내지 3의 경우에 비해 반사율이 증가하였으며, 명도가 높으면서도 분해도가 낮았다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (9)

  1. 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 충진제, 반사제, 발색제 및 착색제를 포함하며, 상기 반사제가 알루미나를 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물로서,
    상기 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해, 상기 반사제를 0.5 내지 10 중량% 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발색제가 운모(mica), Fe3O4 및 TiO2로부터 선택되는 2종 이상의 혼합물을 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 착색제가 카본블랙을 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 충진제는 실리카 입자를 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 착색제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 0.01 내지 5 중량%의 함량으로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 발색제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 1 내지 10 중량%의 함량으로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 충진제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 70 내지 95 중량%의 함량으로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자.
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