KR20180040936A - 태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트 - Google Patents

태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트 Download PDF

Info

Publication number
KR20180040936A
KR20180040936A KR1020160132886A KR20160132886A KR20180040936A KR 20180040936 A KR20180040936 A KR 20180040936A KR 1020160132886 A KR1020160132886 A KR 1020160132886A KR 20160132886 A KR20160132886 A KR 20160132886A KR 20180040936 A KR20180040936 A KR 20180040936A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silver
silver powder
reaction solution
powder
weight
Prior art date
Application number
KR1020160132886A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102007861B1 (ko
Inventor
진우민
이창근
최재원
강태훈
권태현
이미영
Original Assignee
엘에스니꼬동제련 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘에스니꼬동제련 주식회사 filed Critical 엘에스니꼬동제련 주식회사
Priority to KR1020160132886A priority Critical patent/KR102007861B1/ko
Priority to PCT/KR2017/011283 priority patent/WO2018070818A1/ko
Publication of KR20180040936A publication Critical patent/KR20180040936A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102007861B1 publication Critical patent/KR102007861B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 태양전지 전극용 은 분말로서, 상기 은 분말을 포함하는 페이스트로 형성되는 도막을 분광측색계를 이용하여 측정한 명도지수(L*)가 80 이상인 것을 특징으로 하는 은 분말 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 은 분말의 제조 과정에서 인 화합물의 첨가량을 조절하여 제조되는 은 분말의 색도를 조절함으로써, 상기 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 제조된 전면 전극을 포함하는 태양전지의 발전 효율을 상승시키는 효과를 제공한다.

Description

태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트{The manufacturing method of silver paste using the silver powder}
본 발명은 태양전지의 전극에 사용되는 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트에 관한 것이다.
태양 전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 반도체 소자로서 일반적으로 p-n 접합 형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다. 도 1은 일반적인 태양전지 소자의 구조로서, 태양 전지 소자는 일반적으로 두께가 180~250㎛인 p형 실리콘 반도체 기판(10)을 이용하여 구성된다. 실리콘 반도체 기판의 수광면측에는, 두께가 0.3~0.6㎛인 n형 불순물층(20)과, 그 위에 반사 방지막(30)과 전면 전극(100)이 형성되어 있다. 또한, p형 실리콘 반도체 기판의 이면측에는 배면 전극(50)이 형성되어 있다. 전면 전극(100)은 은을 주성분으로 하는 도전성 입자, 글래스 프릿, 유기 비히클 등을 혼합한 도전성 페이스트를 반사 방지막(30) 상에 도포한 후 소성하여 전극을 형성하고 있으며, 배면 전극(50)은 알루미늄 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클(organic vehicle)로 이루어지는 알루미늄 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 건조한 후, 660℃(알루미늄의 융점) 이상의 온도에서 소성함으로써 형성되어 있다. 이 소성시에 알루미늄이 p형 실리콘 반도체 기판의 내부로 확산됨으로써, 배면 전극과 p형 실리콘 반도체 기판 사이에 Al-Si 합금층이 형성됨과 동시에, 알루미늄 원자의 확산에 의한 불순물층으로서 p+층(40)이 형성된다. 이러한 p+층의 존재에 의해 전자의 재결합을 방지하고, 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field) 효과가 얻어진다. 배면 알루미늄 전극(50) 하부에는 배면 실버 전극(60)이 더 위치될 수 있다.
태양 전지에서의 발전 특성을 높이기 위해서는 전극의 특성이 중요하다. 예를 들면, 전극의 저항값을 낮춤으로써 발전 효율이 높아지는데, 이 목적을 달성하기 위해서, 전기적인 저항손실을 최소화할 수 있는 전극의 형성 및 소재 개발이 이루어지고 있다.
태양전지 전극용, 특히 전면 전극용 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 특성은 태양전지의 발전 특성에 크게 영향을 미치는데, 대한민국 공개특허 제2013-0090276호와 같이 요변성이 좋은 페이스트를 제공하여 고 종횡비를 갖도록 인쇄 특성을 향상시키거나, 대한민국 공개특허 제2013-0104614호와 같이 유리 프릿의 물질 및 연화점 등 조절하여 전극을 실리콘 기판에 균일하게 접촉시킴으로써 태양전지의 발전 특성을 향상시키는 등 다양한 연구가 지속되고 있으나, 은 분말의 색도와 태양전지의 효율 특성과의 관계에 대해서는 깊이 검토되어 있지 않다.
1. 한국공개특허 제2013-0090276호 (2013.08.13) 2. 한국공개특허 제2013-0104614호 (2013.09.25)
본 발명은 태양전지의 발전 효율 개선에 기여하는 은 분말 및 도전성 페이스트를 제공하는 것이다. 더욱 구체적으로 색도를 조절하여 은 분말을 제조하고, 이를 포함하는 도전성 페이스트를 이용하여 전면 전극을 형성함으로써 태양전지의 변환 효율을 개선시키는 것을 목적으로 한다.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 은 이온, 암모니아(NH3), 질산(HNO3) 및 인 화합물을 포함하는 제1 반응액 및 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 반응액제조단계(S21) 및 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하여, 색도가 조절된 은 분말을 제조하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법을 제공한다.
또한 상기 반응액제조단계(S21)에서 상기 인 화합물의 첨가량을 조절함으로써 상기 제조되는 은 분말의 색도를 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 인 화합물은 피로인산나트륨(Sodium Pyrophosphate), 및 인산나트륨(sodium phosphate)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 인 화합물은 상기 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 0.01 내지 0.1 중량부로 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 은 이온은 질산은(AgNO3)을 포함하는 은 염 용액으로 상기 제1 반응액에 포함되며, 상기 제1 반응액은 상기 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여, 상기 암모니아를 100 내지 150 중량부, 상기 질산(HNO3)을 40 내지 120 중량부로 포함하며, 상기 제2 반응액은 상기 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여, 상기 환원제를 10 내지 20 중량부로 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 환원제는 아스코르브산, 알칸올아민, 하이드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 석출단계(S22)는 상기 제1 반응액을 교반하는 상태에서 상기 제2 반응액을 적가하거나 일괄 첨가하여 반응시키는 단계인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 은 염 환원단계(S2) 이후에 얻어지는 은 분말에 스테아린산 에탄올을 포함하는 표면처리제를 첨가하여 상기 은 분말의 표면을 소수화하는 표면처리단계(S4);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 평균 입자 크기가 1.30 내지 1.51 μm 인 은 분말로서, 상기 은 분말을 포함하는 페이스트로 형성되는 도막을 분광측색계를 이용하여 측정한 명도지수(L*)가 80 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 태양전지 전극용 은 분말을 포함하는 금속 분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클;을 포함하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
또한 본 발명은 상기 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 전극을 포함하는 태양전지를 제공한다.
본 발명에 따라 인 화합물을 첨가하여 제조되는 은 분말은 80 이상의 명도지수(L*)를 가지며, 상기 색도가 조절된 은 분말 포함하는 도전성 페이스트는 태양전지 전극, 특히 전면 전극의 제조에 사용될 수 있으며, 우수한 변환 효율 및 저항 특성을 가져 태양전지 발전 효율을 향상시키는 효과를 제공한다.
또한 P형 실리콘 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와의 명암 차이에 의해 전극의 인쇄 특성을 평가하는데 용이한 효과를 제공한다.
도 1은 일반적인 태양전지 소자의 개략 단면도를 나타낸 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 은 분말은 제조 과정에서의 인 화합물의 첨가량을 조절하여 제조되는 은 분말의 색도를 조절함으로써, 상기 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 제조된 전면 전극을 포함하는 태양전지의 발전 효율을 상승시키는 효과를 제공한다.
제조되는 은 분말의 명도지수(L*)가 80 이상일 때 태양전지의 발전 효율이 상승하는 효과를 갖는 것을 발견하였으며, 또한 P형 실리콘 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와의 명암 차이에 의해 전극의 인쇄 특성을 평가하는데 용이한 효과를 제공한다.
제조되는 은 분말의 명도지수(L*)가 80 미만일 때에는 상기 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와의 구분이 명확하지 않아 인쇄 특성 평가를 하는데 불리하다. 또한 은 분말의 색도가 낮은 것은 은 분말의 결정화도가 낮거나 표면의 요철 정도가 높음을 의미하며, 이는 태양전지의 발전효율에 좋지 않은 영향을 주어 효율이 낮아지는 원인이 된다.
본 발명의 일실시예에 따른 은 분말의 제조방법은 은 염 제조단계(S1); 은 염 환원단계(S2); 여과 및 세척 등 정제단계(S3); 및 표면처리단계(S4);를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 따른 은 분말의 제조방법은 은 염 환원단계(S2)를 반드시 포함하고, 이외의 단계는 생략 가능하다.
본 발명의 일실시예에 따른 은 염 제조단계(S1)는 잉곳, 립, 그래뉼 형태의 은(silver, Ag)을 산처리하여 은 이온(Ag+)을 포함하는 은 염(silver salt) 용액을 제조하는 단계로서, 본 단계를 거쳐 은 염 용액을 직접 제조하여 은 분말을 제조할 수 있으나, 시중에서 구입한 질산은(AgNO3), 은 염 착체 또는 은 중간체 용액을 이용하여 이 후 단계를 진행할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 은 염 환원단계(S2)는 은 염 용액에 인 화합물, 환원제 및 암모니아를 첨가하여 은 이온을 환원시켜 은 입자(silver particle)를 석출하는 단계로서, 은 이온, 암모니아, 질산 및 인 화합물을 포함하는 제1 반응액 및 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 반응액제조단계(S21) 및 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 반응액제조단계(S21)는 은 이온을 포함하는 은 염 용액에 암모니아, 질산 및 인 화합물을 첨가하고 교반하여 용해시켜 제1 반응액을 제조한다.
상기 은 이온은 은 양이온의 형태로 포함되는 물질이라면 제한되지 않는다. 일례로 질산은(AgNO3), 은 염 착체 또는 은 중간체일 수 있다. 바람직하게는 질산은(AgNO3)을 사용하는 것이 좋다. 이하 은 이온을 포함하는 질산은(AgNO3)을 사용하는 것을 일 예시로 서술한다.
암모니아(NH3)는 수용액 형태로 사용될 수 있으며, 25% 암모니아 수용액을 사용하는 경우 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 100 내지 150 중량부로 첨가한다. 암모니아 수용액이 100 중량부 미만으로 첨가되는 경우 반응 pH가 낮아서 은 이온이 모두 환원되지 않거나, 균일한 입자 분포를 형성시키는데 문제가 있으며, 150 중량부를 초과하여 첨가되는 경우 제조된 은 분말 중 유기물 함량이 지나치게 높아지는 문제점이 있다. 바람직하게는 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 25% 암모니아 수용액을 120 내지 140 중량부로 첨가하는 것이 좋다. 상기 암모니아는 그 유도체를 포함한다.
질산(HNO3)은 수용액 형태로 사용될 수 있으며, 60% 질산 수용액을 사용하는 경우 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 40 내지 120 중량부로 첨가한다. 질산(HNO3)이 40 중량부 미만으로 첨가되는 경우 은 분말의 크기(size)를 조절 하는데 어려움이 있으며, 질산(HNO3)이 120 중량부를 초과하여 첨가되는 경우 유기물 함량이 크게 증가하는 문제점이 있다. 바람직하게는 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 60% 질산 수용액을 80 내지 100 중량부로 첨가하는 것이 좋다. 상기 질산은 그 유도체를 포함한다.
인 화합물은 피로인산염 및 인산염으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하여 사용하며, 바람직하게는 피로인산나트륨(Sodium Pyrophosphate), 인산나트륨(sodium phosphate)을 사용하는 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 피로인산나트륨을 사용하는 것이 좋다. 인 화합물은 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 0.01 내지 0.1 중량부로 첨가하여 최종적으로 제조되는 은 분말의 색도를 조절할 수 있다. 상기 범위의 함량으로 인 화합물을 첨가함으로써 80 이상의 명도지수(L*)를 갖는 은 분말을 제조할 수 있다. 인 화합물이 0.01 중량부 미만으로 첨가되는 경우 색도 조절 효과가 현저히 감소하는 문제점이 있으며, 인 화합물이 0.1 중량부를 초과하여 첨가되는 경우 제조된 은 분말 중 미분이 증가하여 입도가 넓어지는 문제점이 있다.
은 이온, 암모니아, 질산 및 인 화합물을 포함하는 제1 반응액은 물 등의 용제에 은 이온, 암모니아 수용액, 질산 수용액 및 인 화합물을 첨가하고 교반하여 용해시켜 수용액 상태로 제조될 수 있으며, 또한 슬러리 형태로 제조될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 반응액제조단계(S21)는 또한 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조한다.
상기 환원제는 아스코르브산, 알칸올아민, 하이드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 이 중에서 하이드로퀴논을 바람직하게 선택할 수 있다. 환원제의 함량은 제1 반응액에 포함되는 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 10 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 10 중량부 미만을 사용하는 경우, 은 이온이 모두 환원되지 않을 수 있고, 20 중량부를 초과하여 사용하는 경우 유기물 함량이 증가하는 문제가 있다. 바람직하게는 질산은 100 중량부에 대하여 환원제를 14 내지 16 중량부 사용하여 제2 반응액을 제조하는 것이 좋다.
환원제를 포함하는 제2 반응액은 물 등의 용매에 환원제를 첨가하고 교반하여 용해시켜 수용액 상태로 제조될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 석출단계(S22)는 제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 단계로서, 반응액제조단계(S21)에 의해 제조된 제1 반응액을 교반하는 상태에서 제2 반응액을 천천히 적가하거나, 일괄 첨가하여 반응시킬 수 있다. 바람직하기로는 일괄 첨가한 후 5분 내지 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시키는 것이 빠른 시간 내에 환원 반응이 일괄 종료되어 입자끼리의 응집을 방지하고 분산성을 높일 수 있어 좋다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 은 입자의 분산성 향상 및 응집 방지를 위해 상기 분산제가 더 첨가되어 반응시키는 것을 권리범위에서 제외하지 않는다. 분산제의 예로는 지방산, 지방산염, 계면활성제, 유기 금속, 킬레이트 형성제 및 보호 콜로이드 등을 들 수 있다.
그러나, 상기 분산제가 첨가되는 경우, 잔존 유기물 함량이 증가하여 문제될 수 있으므로, 분산제의 첨가 없이 은 분말의 입경, 잔존 유기물 함량 및 결정자 지름을 제어하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일실시예에 따른 정제단계(S3)는 은 염 환원단계(S2)를 통해 은 입자 석출 반응을 완료한 후 수용액 또는 슬러리 내에 분산되어 있는 은 분말을 여과 등을 이용하여 분리하고 세척하는 단계(S31)를 포함한다. 더욱 구체적으로는 은 분말 분산액 중의 은 입자를 침강시킨 후, 분산액의 상등액을 버리고 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정한다. 세척을 하는 과정은 분말을 세척한 세척수를 완전히 제거를 해야 이루어 진다. 선택적으로 여과 전에 반응 완료 용액에 상기 언급된 분산제를 첨가하여 은 분말의 응집을 방지하는 것도 가능하다.
또한 본 발명의 일실시예에 따른 정제단계(S3)는 세척 후 건조 및 해쇄단계(S34)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 표면처리단계(S4)는 은 분말의 친수 표면을 소수화하는 단계로서, 선택적으로 이루어질 수 있다. 더욱 구체적으로는 여과 후 얻어지는 은 분말에 스테아린산 에탄올 용액을 포함하는 표면처리제를 첨가하여 은 분말에 소수성을 부여할 수 있다. 이 후 다시 여과, 세정, 건조, 해쇄 과정을 거쳐 은 분말을 얻을 수 있다. 은 분말을 표면처리할 때 분말의 분산이 잘 되어야 표면처리가 충분히 이루어지고, 함수율이 낮으면 분산 효율이 떨어지기 때문에 일정량을 함수율을 가지고 표면처리를 하는 것이 좋다.
본 발명의 일실시예에 따른 은 분말 제조방법에 따라 제조된 은 분말은 평균 입자 크기가 1.30 내지 1.51 ㎛ 이며, 명도지수(L*)가 80 이상인 색도 특성을 갖는다.
본 발명은 또한 본 발명의 일실시예에 따라 제조되는 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 제공한다. 더욱 구체적으로 본 발명에 따른 도전성 페이스트는 금속 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하여 이루어진다.
상기 금속 분말로는 평균 입자 크기가 1.30 내지 1.51 ㎛ 이며, 색도 지수(L)가 80 이상인 색도 특성을 갖는 은 분말을 사용한다. 바람직하게는 본 발명의 일실시예에 따라 제조되는 은 분말을 사용한다.
금속 분말의 함량은 인쇄 시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선저항을 고려할 때 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 85 내지 95 중량%가 바람직하다.
상기 유리 프릿의 조성이나 입경, 형상에 있어서 특별히 제한을 두지 않는다. 유연 유리 프릿뿐만 아니라 무연 유리 프릿도 사용 가능하다. 바람직하기로는 유리 프릿의 성분 및 함량으로서, 산화물 환산 기준으로 PbO는 5 ~ 29 mol%, TeO2는 20 ~ 34 mol%, Bi2O3는 3 ~ 20 mol%, SiO2 20 mol% 이하, B2O3 10 mol% 이하, 알칼리 금속(Li, Na, K 등) 및 알칼리 토금속(Ca, Mg 등)은 10 ~ 20 mol%를 함유하는 것이 좋다. 상기 각 성분의 유기적 함량 조합에 의해 전극 선폭 증가를 막고 고면저항에서 접촉저항을 우수하게 할 수 있으며, 단략전류 특성을 우수하게 할 수 있다.
유리 프릿의 평균 입경은 제한되지 않으나 0.5 내지 10㎛ 범위 내의 입경을 가질 수 있으며, 평균 입경이 다른 다종이 입자를 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하기로는 적어도 1종의 유리 프릿은 평균 입경(D50)이 2㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 좋다. 이를 통해 소 성시 반응성이 우수해지고, 특히 고온에서 n층의 데미지를 최소화할 수 있으며 부착력이 개선되고 개방전압(Voc)을 우수하게 할 수 있다. 또한, 소성시 전극의 선폭이 증가하는 것을 감소시킬 수 있다.
유리 프릿의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총중량을 기준으로 1 내지 5 중량%가 바람직한데, 1 중량% 미만이면 불완전 소성이 이루어져 전기 비저항이 높아질 우려가 있고, 5 중량% 초과하면 은 분말의 소성체 내에 유리 성분이 너무 많아져 전기 비저항이 역시 높아질 우려가 있다.
상기 유기 비히클로는 제한되지 않으나 유기 바인더와 용제 등이 포함될 수 있다. 때로는 용제가 생략될 수 있다. 유기 비히클은 제한되지 않으나 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 1 내지 10 중량%가 바람직하다.
유기 비히클은 금속 분말과 유리 프릿 등이 균일하게 혼합된 상태를 유지하는 특성이 요구되며, 예를 들면 스크린 인쇄에 의해 도전성 페이스트가 기재에 도포될 때에, 도전성 페이스트를 균질하게 하여, 인쇄 패턴의 흐려짐 및 흐름을 억제하고, 또한 스크린판으로부터의 도전성 페이스트의 토출성 및 판분리성을 향상시키는 특성이 요구된다.
유기 비히클에 포함되는 유기 바인더는 제한되지 않으나 셀룰로오스 에스테르계 화합물로 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 등을 예로 들 수 있으며, 셀룰로오스 에테르 화합물로는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스 등을 예로 들 수 있으며, 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴아미드, 폴리 메타 아크릴레이트, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트, 폴리 에틸 메타 아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며, 비닐계로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 아세테이트 그리고 폴리비닐 알코올 등을 예로 들 수 있다. 상기 유기 바인더들은 적어도 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.
조성물의 희석을 위해 사용되는 용제로서는 알파-터피네올, 텍사놀, 디옥틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 디옥산, 디에틸렌글리콜, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상 선택되어 사용되는 것이 좋다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트 조성물은 필요에 따라 통상적으로 알려져 있는 첨가제, 예를 들면, 분산제, 가소제, 점도 조정제, 계면활성제, 산화제, 금속 산화물, 금속 유기 화합물 등을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 상기 도전성 페이스트를 기재 위에 도포하고, 건조 및 소성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의하여 제조된 태양전지 전극을 제공한다. 본 발명의 태양전지 전극 형성방법에서 상기 특성의 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하는 것을 제외하고, 기재, 인쇄, 건조 및 소성은 통상적으로 태양전지의 제조에 사용되는 방법들이 사용될 수 있음은 물론이다. 일예로 상기 기재는 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
실시예 및 비교예
(1) 실시예 1
상온의 순수 660g에 질산은 128g, 암모니아(농도 25%) 157g, 질산 (농도 60%) 126g 및 피로인산나트륨 0.024g을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 1000g에 하이드로퀴논 20g을 넣고 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이어서, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 5분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하고, 건조하여, 은 분말을 얻었다.
(2) 실시예 2
상온의 순수 660g에 질산은 128g, 암모니아(농도 25%) 157g, 질산 (농도 60%) 126g 및 피로인산나트륨 0.032g을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 1000g에 하이드로퀴논 20g을 넣고 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이어서, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 5분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하고, 건조하여, 은 분말을 얻었다.
(3) 실시예 3
상온의 순수 660g에 질산은 128g, 암모니아(농도 25%) 157g, 질산 (농도 60%) 126g 및 피로인산나트륨 0.04g을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 1000g에 하이드로퀴논 20g을 넣고 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이어서, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 5분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하고, 건조하여, 은 분말을 얻었다.
(4) 비교예 1
상온의 순수 660g에 질산은 128g, 암모니아(농도 25%) 157g, 질산 (농도 60%) 126g을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 1000g에 하이드로퀴논 20g을 넣고 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이어서, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 5분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하고, 건조하여, 은 분말을 얻었다.
제1 수용액 제2 수용액
물(g) 질산은
용액(g)		 암모니아
수용액(g)		 질산(g) 피로인산
나트륨(%/AgNO3)		 물(g) 환원제(g)
실시예1 660 128 157 126 0.019% 1000 20
실시예2 660 128 157 126 0.025% 1000 20
실시예3 660 128 157 126 0.031% 1000 20
비교예1 660 128 157 126 0.00% 1000 20
상기 표 1에 나타나는 것과 같이 인 화합물은 제1 반응액 조성물 중 질산은 용액 중량 대비 0.01 내지 0.10 중량 범위내로 첨가되어 제조되는 은 분말의 색도를 조절할 수 있다.
(5) 은 분말의 표면처리
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은 분말에 소수성을 부여하기 위해 표면처리를 진행 하였다. 은 분말 무게의 4배가 되는 순수에 은 분말을 넣고 호모믹서(K&S company, Lab용)를 3000RPM으로 20분 교반하여 건조된 분말을 분산시켰다. 그 후 스테아린산 에탄올 용액 (스테아린산 함량 8.89 중량%)을 은 분말의 2.4중량% 넣고 20분간 교반하였다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하고, 건조하여 표면처리된 은 분말을 얻었다. 이 은 분말을 푸드믹서기에서 분쇄하고, Jet-mill에서 해쇄하였다.
(6) 도전성 페이스트
상기 표면처리 후의 은 분말 89.5 중량%, 유리 프릿 1.92 중량%, 유기 비히클 5.20 중량%, 첨가제 3.38 중량%를 자전공전식 진공 교반 탈포 장치로 혼합한 후 삼본롤을 사용함으로써, 도전성 페이스트를 얻었다.
(7) 태양전지
상기 얻어진 도전성 페이스트를 wafer의 전면에 50㎛ 메쉬의 스크린 프린팅 기법으로 패턴 인쇄하고, 벨트형 건조로를 사용하여 200~350 ℃에서 20초에서 30초 동안 건조시켰다. 이후 Wafer의 후면에 Al paste를 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 500 내지 900 ℃사이로 20초에서 30초간 소성을 행하여 태양전지 Cell을 제작하였다.
실험예
(1) SEM size(μm) 및 결정자 지름(Å) 측정
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은 분말에 대하여 지올(JEOL) 회사제 주사전자현미경을 이용하여, 파우더 100개 각각의 지름 크기를 측정한 후 평균을 내어 SEM size(μm)를 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은 분말에 대하여 PANalytical 회사제 X선 회절 장치 X'pert를 이용하여 분말 X선 회절을 행하고, 얻어진 [111]면의 회절각 피크 위치와 반가폭으로부터 scherrer equation을 이용하여 결정자 지름(Å)을 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.
SEM size
(㎛)		 Crystallite size (Å)
실시예1 1.51 362
실시예2 1.30 356
실시예3 1.38 364
비교예1 1.71 309
상기 표 2에 나타나는 것과 같이 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 은 분말은 1.30 내지 1.51 ㎛ 범위 내이며, 결정자 지름(Å)은 350 내지 370 Å 범위 내로 나타났다.
(2) 색도 분석
ETHOCELTM Std200 Ethylcellulose (The Dow Chemical Company) 7.7 중량%와 Buthyl cabitol acetate (대정화금) 92.3 중량%가 혼합된 바인더 10g과 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은 분말 90g을 자전공전식 진공 교반 탈포장치로 혼합한 후 삼본롤을 사용하여 도전성 페이스트를 얻었다.
이와 같이 얻어진 도전성 페이스트를 알루미나 기판상에 폭 15mm x 길이15mm 이상의 도막이 되도록 인쇄하고 80℃에서 건조시켰다. 이 도막을 분광측색계 (konika minolta, CM-600d)로 명도지수(L*)를 측정하였다.
(3) 변환효율 분석
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 Cell은 태양전지 효율측정장비(Halm社, cetisPV-Celltest 3)를 사용하여, 변환효율, 단락전류, 개방전압, 곡선인자, 선저항을 관찰하여 비교예의 값 100을 기준으로 상대적 값을 하기 표에 나타내었다.
명도지수 (L*) 변환효율(Eff) 단락전류(Isc) 개방전압(Voc) 곡선인자(FF) 선저항
실시예1 83.79 101.38 100.48 100.55 100.35 92.45
실시예2 84.64 101.39 100.37 100.61 100.42 89.46
실시예3 85.27 101.21 100.60 100.72 099.90 94.63
비교예1 72.02 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00
상기 표 3에 나타나는 것과 같이 명도지수(L*)가 80 이상인 본원발명의 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트로 제조된 전극을 포함하는 태양전지의 경우 비교예와 비교하여 선저항이 낮고 변환 효율 높아 태양전지의 발전 효율이 개선된 것을 알 수 있다.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : P형 실리콘 반도체 기판
20 : N형 불순물층
30 : 반사 방지막
40 : P+층(BSF : back surface field)
50 : 배면 알루미늄 전극
60 : 배면 실버 전극
100 : 전면 전극

Claims (11)

  1. 은 이온, 암모니아(NH3), 질산(HNO3) 및 인 화합물을 포함하는 제1 반응액 및 환원제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 반응액제조단계(S21) 및
    제1 반응액 및 제2 반응액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하여,
    색도가 조절된 은 분말을 제조하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반응액제조단계(S21)에서 상기 인 화합물의 첨가량을 조절함으로써 상기 제조되는 은 분말의 색도를 조절하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 인 화합물은 피로인산나트륨(Sodium Pyrophosphate), 및 인산나트륨(sodium phosphate)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 인 화합물은 상기 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여 0.01 내지 0.1 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 은 이온은 질산은(AgNO3)을 포함하는 은 염 용액으로 상기 제1 반응액에 포함되며,
    상기 제1 반응액은 상기 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여, 상기 암모니아를 100 내지 150 중량부, 상기 질산(HNO3)을 40 내지 120 중량부로 포함하며,
    상기 제2 반응액은 상기 질산은(AgNO3) 100 중량부에 대하여, 상기 환원제를 10 내지 20 중량부로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 환원제는 아스코르브산, 알칸올아민, 하이드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 석출단계(S22)는 상기 제1 반응액을 교반하는 상태에서 상기 제2 반응액을 적가하거나 일괄 첨가하여 반응시키는 단계인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 은 염 환원단계(S2) 이후에 얻어지는 은 분말에 스테아린산 에탄올을 포함하는 표면처리제를 첨가하여 상기 은 분말의 표면을 소수화하는 표면처리단계(S4);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말 제조방법.
  9. 평균 입자 크기가 1.30 내지 1.51 μm 인 은 분말로서,
    상기 은 분말을 포함하는 페이스트로 형성되는 도막을 분광측색계를 이용하여 측정한 명도지수(L*)가 80 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 은 분말.
  10. 제9항의 태양전지 전극용 은 분말을 포함하는 금속 분말;
    유리 프릿; 및
    유기 비히클;을 포함하는 태양전지 전극용 도전성 페이스트.
  11. 제10항의 태양전지 전극용 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 전극을 포함하는 태양전지.
KR1020160132886A 2016-10-13 2016-10-13 태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트 KR102007861B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160132886A KR102007861B1 (ko) 2016-10-13 2016-10-13 태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트
PCT/KR2017/011283 WO2018070818A1 (ko) 2016-10-13 2017-10-13 태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160132886A KR102007861B1 (ko) 2016-10-13 2016-10-13 태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180040936A true KR20180040936A (ko) 2018-04-23
KR102007861B1 KR102007861B1 (ko) 2019-08-06

Family

ID=61905639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160132886A KR102007861B1 (ko) 2016-10-13 2016-10-13 태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102007861B1 (ko)
WO (1) WO2018070818A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020111903A1 (ko) * 2018-11-30 2020-06-04 엘에스니꼬동제련 주식회사 수축률 조절이 가능한 은 분말의 제조방법
WO2020204450A1 (ko) * 2019-03-29 2020-10-08 대주전자재료 주식회사 혼합 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070085446A (ko) * 2004-11-29 2007-08-27 다이니뽄 잉끼 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤 표면 처리된 은함유 분말의 제조 방법, 및 표면 처리된은함유 분말을 사용한 은 페이스트
KR20090018178A (ko) * 2006-06-02 2009-02-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 고분산성 구상 은 분말 입자의 제조 방법 및 그로부터 형성된 은 입자
KR101157478B1 (ko) * 2011-04-28 2012-06-20 에이엠씨주식회사 태양전지 전극용 은 페이스트 및 그 제조방법
US20130090276A1 (en) 2011-10-10 2013-04-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Lubricating oil composition for fluid dynamic bearing and hdd motor fabricated using the same
US20130104614A1 (en) 2011-01-26 2013-05-02 Vicon Machinery, Llc Apparatus for closing pittsburgh seams associated with duct assemblies and other box-shaped members
KR20140125418A (ko) * 2012-02-13 2014-10-28 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 구상 은분 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5065607B2 (ja) * 2006-03-10 2012-11-07 三井金属鉱業株式会社 微粒銀粒子製造方法及びその製造方法で得られた微粒銀粒子
KR101061841B1 (ko) * 2009-01-13 2011-09-05 충남대학교산학협력단 화학환원법에 의한 단분산 구형 은 분말의 제조방법
KR20120039105A (ko) * 2010-10-15 2012-04-25 주식회사 신우 엠에스티 은나노 입자 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070085446A (ko) * 2004-11-29 2007-08-27 다이니뽄 잉끼 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤 표면 처리된 은함유 분말의 제조 방법, 및 표면 처리된은함유 분말을 사용한 은 페이스트
KR20090018178A (ko) * 2006-06-02 2009-02-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 고분산성 구상 은 분말 입자의 제조 방법 및 그로부터 형성된 은 입자
US20130104614A1 (en) 2011-01-26 2013-05-02 Vicon Machinery, Llc Apparatus for closing pittsburgh seams associated with duct assemblies and other box-shaped members
KR101157478B1 (ko) * 2011-04-28 2012-06-20 에이엠씨주식회사 태양전지 전극용 은 페이스트 및 그 제조방법
US20130090276A1 (en) 2011-10-10 2013-04-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Lubricating oil composition for fluid dynamic bearing and hdd motor fabricated using the same
KR20140125418A (ko) * 2012-02-13 2014-10-28 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 구상 은분 및 그의 제조 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020111903A1 (ko) * 2018-11-30 2020-06-04 엘에스니꼬동제련 주식회사 수축률 조절이 가능한 은 분말의 제조방법
JP2022510291A (ja) * 2018-11-30 2022-01-26 エルエスニッコカッパー インコーポレイテッド 収縮率の調節が可能な銀粉末の製造方法
WO2020204450A1 (ko) * 2019-03-29 2020-10-08 대주전자재료 주식회사 혼합 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트
US11401200B2 (en) 2019-03-29 2022-08-02 Daejoo Electronic Materials Co., Ltd. Mixed silver powder and conductive paste comprising same
US11713274B2 (en) 2019-03-29 2023-08-01 Daejoo Electronic Materials Co., Ltd. Mixed silver powder and conductive paste comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018070818A1 (ko) 2018-04-19
KR102007861B1 (ko) 2019-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100837994B1 (ko) 전도성 조성물 및 반도체 소자의 제조에 사용하는 방법
JP5530920B2 (ja) 銀及びニッケル、もしくは、銀及びニッケル合金からなる厚膜導電体形成、及びそれから作られる太陽電池
TWI585781B (zh) 厚膜導電組合物及其用途
KR101157478B1 (ko) 태양전지 전극용 은 페이스트 및 그 제조방법
EP2418656B1 (en) Aluminium paste and solar cell using the same
TWI498398B (zh) A conductive paste for forming a solar cell and its electrode
WO2018037746A1 (ja) 導電性ペースト及び太陽電池
JP2015506066A (ja) メタルラップスルーシリコン太陽電池のための導電性銀ペースト
WO2017154612A1 (ja) 導電性ペースト及び太陽電池
CN102360584B (zh) 含有炭黑助剂的光伏电池用导电浆料及其制备方法
CN104668572A (zh) 一种太阳能电池背电极用银粉、银浆和太阳能电池
CN108198648A (zh) 一种背钝化太阳能电池背面银浆
KR102149488B1 (ko) 태양전지용 전극용 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
US20130224905A1 (en) Silver paste and use thereof in the production of solar cells
EP3036294B1 (en) Conductive pastes or inks comprising nanometric chemical frits
KR20190048316A (ko) 표면 처리된 은 분말 및 이의 제조방법
KR102007861B1 (ko) 태양전지 전극용 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트
US20230211410A1 (en) Silver powder for conductive paste having improved viscosity stability, and preparation method therefor
KR102152840B1 (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
KR20210001364A (ko) 구상 은 분말과 이의 제조방법 및 상기 구상 은 분말을 포함하는 은 페이스트 조성물
CN113362983B (zh) 导电浆料、太阳能电池电极及其制作方法、太阳能电池
KR20190041592A (ko) 분산성이 개선된 은 분말의 제조방법
KR20190048429A (ko) 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이에 포함되는 유리 프릿, 그리고 태양 전지
TW201705500A (zh) 在ｎ型基半導體基板上於ｐ型射極上形成電極之導電糊及方法
CN113450941A (zh) 用于形成太阳能电池电极的组合物及由其形成的太阳能电池电极

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant