KR20180038464A - 폴리에테르이미드 술폰 조성물, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된 물품 - Google Patents

폴리에테르이미드 술폰 조성물, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된 물품 Download PDF

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다니엘 프란시스 로워리
켈리 렁
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사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.
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Abstract

250 내지 290℃의 유리 전이 온도를 갖는 제1 폴리에테르이미드 술폰 및 230 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는 제2 폴리에테르이미드 술폰을 포함하는 열가소성 조성물이 본원에 기재된다. 상기 조성물은 개선된 황색 지수, 투과율 및 탁도를 포함하는 광학 특성의 유리한 조합을 갖는다. 상기 열가소성 조성물의 제조 방법 및 상기 열가소성 조성물을 포함하는 물품이 또한 기재된다. 열가소성 조성물의 광학 특성을 개선하기 위한 방법이 또한 개시되며, 상기 방법은, 각각 본원에 정의된 바와 같은 유리 전이 온도를 갖는 상기 제1 및 제2 폴리에테르이미드 술폰을 용융 혼합하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 개선된 황색도, 탁도 및 투과율 중 적어도 하나를 갖는 조성물을 제공한다.

Description

폴리에테르이미드 술폰 조성물, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된 물품
다양한 무기 유리가 종래 광학 렌즈 적용에 사용되었다. 그러나, 보다 가볍고 보다 얇은 렌즈에 대한 필요성은 중합체-함유 광학 렌즈의 연구 및 개발을 촉진시켰다. 중합체-함유 광학 부품은 경량이며, 강건하고, 양호한 성형성을 갖고, 대규모로 제조되어 증가하는 소비자 수요를 충족시킬 수 있다.
중합체-함유 광학 재료는 안경 렌즈, 뿐만 아니라 마이크로렌즈 (예를 들어, 광학 정보 통신용), 광학 장치용 코팅 재료, 또는 광학 섬유용 코어 재료로서의 용도를 가질 수 있다. 이러한 제품을 제조하는 것은 전형적으로 고온에 대한 노출이 요구되며; 따라서, 가공 단계를 견디기 위해 고내열성을 갖는 중합체가 필요하다. 예를 들어, 레이저 송신기/송수신기 모듈은 솔더 리플로우(solder reflow) 공정 또는 솔더 배스(solder bath), 특히 무연 솔더 공정에 의해 인쇄 회로 기판 상에 이들을 위치시키는 동안 고온에 노출되기 때문에, 중합체 마이크로렌즈는 240℃ 초과의 온도에서 그들의 형상을 보유하도록 요구된다. 이러한 이유로, 높은 유리 전이 온도를 갖는 중합체만이 사용될 수 있다. 또한, 다양한 광학 적용의 요구사항을 만족시키기 위하여, 이러한 중합체는 구체적으로 600 nm 내지 1600 나노미터 (nm) 범위의 높은 투과율로 투명해야 한다.
여러 부류의 고열 중합체(high heat polymer)가 당업계에 공지되어 있다. 폴리에테르이미드는 높은 열 변형 온도 및 높은 유리 전이 온도로 알려져 있으며, 이는 내고온성이 목적되는 경우, 코팅, 성형된 물품, 복합재 등으로서의 이들의 용도를 매우 매력적이도록 한다. 이와 같이, 이러한 중합체는 도전과제가 많은 물리적 환경, 예컨대 항공우주 적용, 조명 적용 및 자동차 적용에 사용하기 위한 형상화된 물품, 시트 재료 및 코팅에서의 광범위한 용도를 가졌다. 그러나, 이들의 높은 유리 전이 온도 및 높은 용융 점도로 인하여, 폴리에테르이미드는 완성품으로 가공되기에 어려울 수 있다.
술폰 연결을 포함하는 열가소성 폴리이미드는 또한 높은 투명도를 유지하면서 고온을 견디는 것으로 또한 널리 알려져 있다. 그러나, 불량한 용융 가공성뿐만 아니라 이들의 합성을 위해 요구되는 고가의 단량체로부터 비롯되는 높은 비용으로 인하여 폴리에테르이미드 술폰의 사용은 제한되었다.
현재 알려져 있는 고열 중합체에도 불구하고, 상술한 기술적 제한을 극복하기 위한 양호한 광학 특성과 조합하여 양호한 열적 특성을 갖는 고열 중합체 조성물 (예를 들어, 광학적으로 투명한 고열 중합체 조성물)에 대한 지속적인 필요성이 당업계에 남아있다. 개선된 광학 특성을 포함하는 특성들의 양호한 균형을 갖는 고열 중합체가 광학 적용에 사용하기에 바람직하다.
열가소성 조성물은 열가소성 조성물의 총 중량을 기준으로, 250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖는 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%; 및 230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%를 포함하며; 상기 조성물은 하기 특성을 갖는다: 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 4.5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도(haze).
상기 열가소성 조성물의 제조 방법은 성분들을 용융-혼합하는 단계; 및 상기 성분들을 압출하는 단계를 포함한다.
상기 열가소성 조성물을 포함하는 물품이 또한 기재된다.
열가소성 조성물의 광학 특성을 개선하기 위한 방법은, 250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖는 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%; 및 230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%를 용융-혼합하여; 231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도, 및 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 및 하기 광학 특성 중 하나 이상을 갖는 열가소성 조성물을 제공하는 단계를 포함한다: ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도.
상기 기재된 특징들 및 다른 특징들이 하기 상세한 설명에 의해 예시된다.
열가소성 조성물이 열적 특성 및 광학 특성의 유리한 조합을 갖도록 선택된, 제1 폴리에테르이미드 술폰 및 제2 폴리에테르이미드 술폰을 포함하는 열가소성 조성물이 본원에 개시된다. 본 발명자들은, 재생(recycled) 폴리에테르이미드 술폰 성분을 포함하는 조성물이 특정 버진(virgin) 폴리에테르이미드 술폰과 블렌딩되는 경우 목적하는 특성을 갖는 조성물을 제공할 수 있음을 예상치 못하게 발견하였다. 상기 조성물은 향상된 광학 특성 (예를 들어, 높은 근적외선 (NIR) 투과율)을 요구하는 물품의 제조에 특히 유용할 수 있다.
따라서, 본 개시내용의 일 측면은 제1 폴리에테르이미드 술폰 및 제2 폴리에테르이미드 술폰을 포함하는 열가소성 조성물이다. 제1 및 제2 폴리에테르이미드 술폰은 각각 독립적으로 1개 초과, 예를 들어 10 내지 1000개, 또는 10 내지 500개의 하기 화학식의 구조 단위를 포함한다:
Figure pct00001
상기 식에서, 각각의 R은 동일하거나 또는 상이하고, 치환 또는 비치환된 2가 유기 기, 예컨대 C6-20 방향족 탄화수소 기 또는 이의 할로겐화 유도체, 직쇄 또는 분지쇄 C2-20 알킬렌 기 또는 이의 할로겐화 유도체, C3-8 시클로알킬렌 기 또는 이의 할로겐화 유도체, 특히 하기 화학식의 2가 기이다.
Figure pct00002
상기 식에서, Q1은 -O-, -S-, -C(O)-, -SO2-, -SO-, -CyH2y- (여기서, y는 1 내지 5의 정수임) 또는 이의 할로겐화 유도체 (이는 퍼플루오로알킬렌 기를 포함함), 또는 -(C6H10)z- (여기서, z는 1 내지 4의 정수임)이다. R 기의 적어도 10 몰 퍼센트는 술폰 기를 포함하고, 예를 들어 R 기의 적어도 20%는 술폰 기를 포함하고, 예를 들어 R 기의 적어도 50%는 술폰 기를 포함한다. 일 구현예에서, R은 4,4'-디페닐렌 술폰이다.
기 T는 -O- 또는 화학식 -O-Z-O-의 기이고, 여기서 -O- 또는 -O-Z-O- 기의 2가 결합은 3,3', 3,4', 4,3' 또는 4,4' 위치에 있다. -O-Z-O-에서의 기 Z는 또한 치환 또는 비치환된 2가 유기 기이고, 선택적으로 1 내지 6개의 C1-8 알킬 기, 1 내지 8개의 할로겐 원자 또는 이들의 조합으로 치환된 방향족 C6-24 모노시클릭 또는 폴리시클릭 잔기일 수 있되, 단 Z의 원자가는 초과되지 않는다. 예시적인 기 Z는 하기 화학식의 디히드록시 화합물로부터 유도된 기를 포함한다:
Figure pct00003
상기 식에서, Ra 및 Rb는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 예를 들어 할로겐 원자 또는 1가 C1-6 알킬 기이고; p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고; c는 0 내지 4이고; Xa는 히드록시-치환된 방향족 기들을 연결하는 연결기이고, 여기서 연결기 및 각각의 C6 아릴렌 기의 히드록시 치환기는 C6 아릴렌 기 상에서 서로 오르토, 메타 또는 파라 (구체적으로 파라) 배치된다. 연결기 Xa는 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -SO2-, -C(O)- 또는 C1-18 유기 연결기일 수 있다. C1-18 유기 연결기는 시클릭 또는 비-시클릭, 방향족 또는 비-방향족일 수 있고, 할로겐, 산소, 질소, 황, 규소 또는 인과 같은 헤테로원자를 추가로 포함할 수 있다. C1-18 유기 기는 그에 연결된 C6 아릴렌 기가 C1-18 유기 연결기의 공통의 알킬리덴 탄소 또는 상이한 탄소에 각각 연결되도록 배치될 수 있다. 기 Z의 구체적 예는 하기 화학식의 2가 기이다:
Figure pct00004
상기 식에서, Q는 -O-, -S-, -C(O)-, -SO2-, -SO-, 또는 -CyH2y- (여기서, y는 1 내지 5의 정수임) 또는 이의 할로겐화 유도체 (퍼플루오로알킬렌 기를 포함함)이다. 구체적 구현예에서, Z는 비스페놀 A로부터 유도되어, 상기 화학식에서의 Q는 2,2-이소프로필리덴이다.
폴리에테르이미드 술폰은 선택적으로 최대 10 몰 퍼센트 (mole%), 최대 5 mole% 또는 최대 2 mole%의 상기 화학식의 단위를 포함하며, 상기 화학식에서 T는 하기 화학식의 4가 링커이다:
Figure pct00005
.
일부 구현예에서, R이 이들 화학식을 갖는 단위가 존재하지 않는다.
일 구현예에서, R은 4,4'-디페닐렌 술폰이고, T는 -O-Z-O-이며, 여기서 Z는 상술한 디히드록시 화합물로부터 유도된 2가 기이다. 일 구현예에서, R은 4,4'-디페닐렌 술폰이고, T는 -O-Z-O-이며, 여기서 Z는 4,4'-디페닐렌 이소프로필리덴이다.
폴리에테르이미드 술폰은, 화학식
Figure pct00006
의 방향족 비스(에테르 무수물)과 화학식 H2N-R-NH2의 유기 디아민 (상기 식에서, T 및 R은 상술한 바와 같이 정의됨)의 반응을 포함하여 통상의 기술자에게 널리 공지되어 있는 임의의 방법에 의해 제조될 수 있다.
비스(무수물)의 예시적인 예는 3,3-비스[4-(3,4-디카복시페녹시)페닐]프로판 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카복시페녹시)디페닐 에테르 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카복시페녹시)디페닐 술피드 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카복시페녹시)벤조페논 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카복시페녹시)디페닐 술폰 이무수물; 2,2-비스[4-(2,3-디카복시페녹시)페닐]프로판 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카복시페녹시)디페닐 에테르 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카복시페녹시)디페닐 술피드 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카복시페녹시)벤조페논 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카복시페녹시)디페닐 술폰 이무수물; 4-(2,3-디카복시페녹시)-4'-(3,4-디카복시페녹시)디페닐-2,2-프로판 이무수물; 4-(2,3-디카복시페녹시)-4'-(3,4-디카복시페녹시)디페닐 에테르 이무수물; 4-(2,3-디카복시페녹시)-4'-(3,4-디카복시페녹시)디페닐 술피드 이무수물; 4-(2,3-디카복시페녹시)-4'-(3,4-디카복시페녹시)벤조페논 이무수물; 및 4-(2,3-디카복시페녹시)-4'-(3,4-디카복시페녹시)디페닐 술폰 이무수물, 뿐만 아니라 이들의 다양한 조합을 포함한다.
유기 디아민의 예는 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 트리메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌 테트라민, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 노나메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 1,12-도데칸디아민, 1,18-옥타데칸디아민, 3-메틸헵타메틸렌디아민, 4,4-디메틸헵타메틸렌디아민, 4-메틸노나메틸렌디아민, 5-메틸노나메틸렌디아민, 2,5-디메틸헥사메틸렌디아민, 2,5-디메틸헵타메틸렌디아민, 2,2-디메틸프로필렌디아민, N-메틸-비스 (3-아미노프로필) 아민, 3-메톡시헥사메틸렌디아민, 1,2-비스(3-아미노프로폭시) 에탄, 비스(3-아미노프로필) 술피드, 1,4-시클로헥산디아민, 비스-(4-아미노시클로헥실) 메탄, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, 2-메틸-4,6-디에틸-1,3-페닐렌-디아민, 5-메틸-4,6-디에틸-1,3-페닐렌-디아민, 벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메톡시벤지딘, 1,5-디아미노나프탈렌, 비스(4-아미노페닐) 메탄, 비스(2-클로로-4-아미노-3,5-디에틸페닐) 메탄, 비스(4-아미노페닐) 프로판, 2,4-비스(p-아미노-t-부틸) 톨루엔, 비스(p-아미노-t-부틸페닐) 에테르, 비스(p-메틸-o-아미노페닐) 벤젠, 비스(p-메틸-o-아미노펜틸) 벤젠, 1,3-디아미노-4-이소프로필벤젠, 비스(4-아미노페닐) 술피드, 비스-(4-아미노페닐) 술폰 및 비스(4-아미노페닐) 에테르를 포함한다. 이들 화합물의 조합이 또한 사용될 수 있다. 일부 구현예에서, 유기 디아민은 m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 술포닐 디아닐린, 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 조합이다.
일부 구현예에서, 폴리에테르이미드 술폰은 화학식 HO-A-OH의 디히드록시-치환된 방향족 탄화수소의 염을 촉매의 존재 하에 하기 화학식의 치환된 방향족 비스이미드 화합물과 반응시킴으로써 제조될 수 있다:
Figure pct00007
상기 식에서, A는 2가 방향족 기, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 2가 유기 기이고, 선택적으로 1 내지 6개의 C1-8 알킬 기, 1 내지 8개의 할로겐 원자 또는 이들의 조합으로 치환된 방향족 C6-24 모노시클릭 또는 폴리시클릭 잔기일 수 있되, 단 Z의 원자가는 초과되지 않는다. X는 할로겐 또는 니트로 기, 바람직하게는 할로겐, 보다 바람직하게는 클로라이드이다. 일부 구현예에서, A는 4,4'-디페닐렌 이소프로필리덴이고, 디히드록시-치환된 방향족 탄화수소의 염은 4,4'-디히드록시-2,2-디페닐프로판 (비스페놀 A)의 염, 예를 들어 비스페놀 A의 디소듐 염이다. 일부 구현예에서, 촉매는 구아니디늄 염이다.
폴리에테르이미드 술폰은 6.7 킬로그램 (kg) 중량을 사용하여 340 내지 370℃에서 미국 재료 시험 협회(American Society for Testing Materials; ASTM) D1238에 의해 측정 시 0.1 내지 10 그램/분 (g/min)의 용융 지수를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 폴리에테르이미드 술폰은 폴리스티렌 표준물을 사용하여 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정 시 1,000 내지 150,000 달톤 (Da)의 중량 평균 분자량 (Mw)을 갖는다. 일부 구현예에서, 폴리에테르이미드는 5,000 내지 80,000 Da, 구체적으로 20,000 내지 60,000 Da의 Mw를 갖는다. 이러한 폴리에테르이미드 중합체는 25℃에서 m-크레졸 중에서 측정 시 0.2 데시리터/그램 (dl/g) 초과, 또는 보다 구체적으로 0.35 내지 0.7 dl/g의 고유 점도를 가질 수 있다.
제1 폴리에테르이미드 술폰은 250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖는다. 제2 폴리에테르이미드 술폰은 230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는다.
일부 구현예에서, 제1 폴리에테르이미드 술폰은 재생 폴리에테르이미드 술폰이다. 본원에 사용된 용어 "재생"은, 제조되어 스크랩(scrap)용으로 사용되거나 또는 다르게는 이를 위해 의도되는 성분을 지칭한다. 예를 들어, 재생 폴리에테르이미드 술폰은 사용 후 폐기 폴리에테르이미드 술폰 및 스크랩 폴리에테르이미드 술폰, 예를 들어 성형된 물품으로부터 잘려진 폴리에테르이미드 술폰 또는 결함으로 인하여 거절된 물품을 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 재생 폴리에테르이미드 술폰은 사용된 성형된 물품, 예를 들어 폴리에테르이미드 술폰으로부터 성형되어 제조 공정에 사용된 스프루(sprue) 및 러너(runner)를 포함한다. 일부 구현예에서, 재생 폴리에테르이미드 술폰은 회수되어 재분쇄(reground) 형태로 사용될 수 있다. 일부 구현예에서, 재생 폴리에테르이미드 술폰은 회수되고, 재분쇄되고, 추가로 재펠릿화될(repelletized) 수 있다. 일부 구현예에서, 제2 폴리에테르이미드 술폰은 바람직하게는 버진 폴리에테르이미드 술폰이다.
제1 폴리에테르이미드 술폰은 열가소성 조성물의 총 중량을 기준으로 10 내지 90 중량 퍼센트 (중량%), 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%의 양으로 열가소성 조성물 중에 존재할 수 있다. 제2 폴리에테르이미드 술폰은 열가소성 조성물의 총 중량을 기준으로 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%의 양으로 열가소성 조성물 중에 존재할 수 있다.
일부 구현예에서, 제1 및 제2 폴리에테르이미드 술폰에 더하여, 열가소성 조성물은 목적하는 특성을 달성하기 위해 선택된 1종 이상의 첨가제를 선택적으로 포함할 수 있되, 단 상기 1종 이상의 첨가제는 또한 열가소성 조성물의 목적하는 특성에 크게 불리하게 영향을 미치지 않도록 선택된다. 1종 이상의 첨가제는 조성물을 형성하기 위한 성분들의 혼합 동안 적합한 시간에 혼합될 수 있다. 예를 들어, 열가소성 조성물은 열 안정화제, 난연제, 가수분해 안정화제, 자외선 광 안정화제, 조핵제, 금속 활성저하제, 착색제, 산화방지제 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 조합을 포함하는 1종 이상의 첨가제를 선택적으로 추가로 포함할 수 있다. 일반적으로, 첨가제는 효과적인 것으로 일반적으로 공지되어 있는 양으로 사용된다. 예를 들어, 1종 이상의 첨가제의 총 양은 각각 조성물 중 중합체의 총 중량을 기준으로 0.001 내지 10.0 중량%, 또는 0.01 내지 5 중량%일 수 있다.
열가소성 조성물은 일반적으로 공지되어 있는 임의의 방법에 따라 제조될 수 있다. 일부 구현예에서, 열가소성 조성물은 용융-혼합에 의해 또는 건조-블렌딩과 용융-혼합의 조합에 의해 제조된다. 용융-혼합은 일축 또는 이축 유형의 압출기, 또는 전단력 및 열을 성분들에 가할 수 있는 유사한 혼합 장치에서 수행될 수 있다. 용융-혼합은, 중합체 성분들의 용융 온도 이상이며 중합체 성분들 중 어느 하나의 분해 온도 미만의 온도에서 수행될 수 있다. 구성성분 모두가 초기에 가공 시스템에 첨가될 수 있다. 일부 구현예에서, 구성성분들은 순차적으로 또는 하나 이상의 마스터 배치의 사용을 통해 첨가될 수 있다. 압출기 내 하나 이상의 배기 포트(vent port)를 통해 용용물에 진공을 가하여 조성물 중 휘발성 불순물을 제거하는 것이 유리할 수 있다. 일부 구현예에서, 조성물은, 중합체 및 존재하는 경우 임의의 첨가제의 용융-혼합 생성물이다.
예시적인 구현예에서, 컴파운딩은 Toshiba TEM-37BS 이축 압출기를 사용하여 수행된다. 조성물은 컴파운딩된 펠릿의 건조 후 180 톤 Demag 사출 성형 기계를 사용하여 사출 성형될 수 있다.
열가소성 조성물은 특성들의 목적하는 조합을 가질 수 있다.
열가소성 조성물은 6.7 킬로그램 하중을 사용하여 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수를 가질 수 있다.
열가소성 조성물은 231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도 (Tg)를 가질 수 있다.
열가소성 조성물은 ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수를 가질 수 있다.
열가소성 조성물은 ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 4.5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율을 가질 수 있다.
열가소성 조성물은 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도를 가질 수 있다.
일부 구현예에서, 열가소성 조성물은 250℃ 이상 또는 260℃ 이상, 바람직하게는 250 내지 350℃, 또는 보다 바람직하게는 260 내지 350℃의 온도에서 무연 솔더 리플로우 공정 처리되는 경우 변형에 저항성이다.
일부 구현예에서, 열가소성 조성물은 95% 이상, 바람직하게는 96% 이상, 보다 바람직하게는 97% 이상의 950 나노미터 (nm)에서의 근적외선 (NIR) 투과율을 나타낸다. 950 nm에서의 NIR 투과율을 결정하기 위한 예시적인 방법은 하기 작업 실시예에 설명된다.
일부 구현예에서, 열가소성 조성물은 93% 이상, 바람직하게는 94% 이상, 보다 바람직하게는 95% 이상, 보다 더 바람직하게는 96% 이상의 850 나노미터 (nm)에서의 근적외선 (NIR) 투과율을 나타낸다. 850 nm에서의 NIR 투과율을 결정하기 위한 예시적인 방법은 하기 작업 실시예에 설명된다.
일 구현예에서, 열가소성 조성물은 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량% 및 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%를 포함한다. 상기 조성물은 6.7 킬로그램 하중을 사용하여 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정 시 0.95 내지 1.8 그램/분의 용융 지수; 240 내지 266℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 140 내지 200의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4.5 내지 25%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정 시 5 내지 11%의 탁도를 갖는다.
일 구현예에서, 열가소성 조성물은 제1 폴리에테르이미드 술폰 25 내지 90 중량% 및 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 75 중량%를 포함한다. 상기 조성물은 6.7 킬로그램 하중을 사용하여 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정 시 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 245 내지 262℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정 시 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정 시 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정 시 6 내지 10%의 탁도를 갖는다.
본원에 기재된 열가소성 조성물은 특히 다양한 물품의 제조에 유용할 수 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같은 열적 및 광학 특성의 양호한 균형으로 인하여, 상기 조성물은 고열 광학 적용을 위한 물품에 유용할 수 있다. 예를 들어, 상술한 열가소성 조성물을 포함하는 물품은 광학 부품, 광학 렌즈, 마이크로렌즈, 광학 필터, 광학 섬유, 광전자 패키징, 정밀 광학 부품 등에 유용할 수 있다.
또 다른 구현예는 열가소성 조성물의 광학 특성을 개선하기 위한 방법이다. 상기 방법은 제1 폴리에테르이미드 술폰 및 제2 폴리에테르이미드 술폰을 용융-혼합하는 단계를 포함한다. 제1 폴리에테르이미드 술폰은 250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖고, 제2 폴리에테르이미드 술폰은 230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는다. 일부 구현예에서, 제1 폴리에테르이미드 술폰은 재생 폴리에테르이미드 술폰이다. 일부 구현예에서, 제1 폴리에테르이미드 술폰은 재생 폴리에테르이미드 술폰이고, 제2 폴리에테르이미드 술폰은 버진 폴리에테르이미드 술폰이다. 상술한 성분들을 용융-혼합하는 것은 열가소성 조성물을 제공한다. 열가소성 조성물은 조성물의 총 중량을 기준으로 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%의 양으로 제1 폴리에테르이미드 술폰을 포함한다. 열가소성 조성물은 조성물의 총 중량을 기준으로 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%의 양으로 제2 폴리에테르이미드 술폰을 포함한다.
상기 방법에 의해 제조된 열가소성 조성물은 231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도, 및 6.7 킬로그램 하중을 사용하여 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수를 나타낸다. 열가소성 조성물은 유리하게는 하나 이상의 개선된 광학 특성을 나타낸다. 예를 들어, 열가소성 조성물은 ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수를 가질 수 있다. 열가소성 조성물은 ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율을 가질 수 있다. 열가소성 조성물은 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도를 가질 수 있다.
일부 구현예에서, 조성물의 광학 특성에서의 개선은 제1 폴리에테르이미드 술폰의 광학 특성에 대해 결정될 수 있다. 예를 들어, 일부 구현예에서, 열가소성 조성물의 황색 지수는 제1 폴리에테르이미드 술폰의 황색 지수보다 적어도 1.5%, 바람직하게는 3 내지 50%, 보다 바람직하게는 9 내지 35% 더 적으며, 이는 ASTM D1925에 따라 결정된다. 일부 구현예에서, 열가소성 조성물의 투과율은 제1 폴리에테르이미드 술폰의 투과율보다 적어도 6%, 바람직하게는 6 내지 515%, 보다 바람직하게는 65 내지 340% 더 크며, 이는 ASTM D1003에 따라 결정된다. 일부 구현예에서, 열가소성 조성물의 탁도는 제1 폴리에테르이미드 술폰의 탁도보다 적어도 5%, 바람직하게는 5 내지 35%, 보다 바람직하게는 5 내지 25% 더 적으며, 이는 ASTM D1003에 따라 결정된다.
구체적 구현예에서, 상기 방법에 의해 제공된 열가소성 조성물은 6.7 킬로그램 하중을 사용하여 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정 시 0.7 내지 2 그램/분의 용융 지수; 231 내지 289℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정 시 200 이하의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정 시 4% 이상의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정 시 12% 이하의 탁도를 갖는다.
또 다른 구체적인 구현예에서, 상기 방법에 의해 제공된 열가소성 조성물은 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정 시 0.95 내지 1.8 그램/분의 용융 지수; 240 내지 266℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정 시 140 내지 200의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정 시 4.5 내지 25%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정 시 5 내지 11%의 탁도를 갖는다.
또 다른 구체적인 구현예에서, 상기 방법에 의해 제공된 열가소성 조성물은 6.7 킬로그램 하중을 사용하여 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정 시 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 245 내지 262℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정 시 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정 시 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정 시 6 내지 10%의 탁도를 갖는다.
폴리에테르이미드 술폰의 블렌드를 포함하며 열적 특성 및 광학 특성의 목적하는 조합을 갖는 열가소성 조성물이 본원에 제공된다. 열가소성 조성물은 양호한 용융 유동 및 231 내지 289℃의 유리 전이 온도, 및 개선된 황색 지수, 투과율 및 탁도를 갖는다. 열가소성 조성물은 유리하게는 재생 폴리에테르이미드 술폰인 제1 폴리에테르이미드 술폰을 포함할 수 있다. 따라서, 특성들의 양호한 균형을 갖는 열가소성 조성물을 제공하는 것에 더하여, 본 개시내용은 재생 성분의 사용으로 인한, 폴리에테르이미드 술폰을 포함하는 열가소성 조성물에 대한 비용 효율적인 접근법을 추가로 제공한다.
상기 열가소성 조성물, 방법 및 물품은 비제한적인 하기 구현예에 의해 추가로 예시된다.
구현예 1: 열가소성 조성물로서, 상기 열가소성 조성물의 총 중량을 기준으로, 250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖는 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%; 및 230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%를 포함하며; 하기 특성을 갖는 열가소성 조성물: 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 4.5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도.
구현예 2: 구현예 1에 있어서, 상기 열가소성 조성물이 250℃ 이상 또는 260℃ 이상, 바람직하게는 250℃ 내지 350℃, 보다 바람직하게는 260 내지 350℃의 온도에서 무연 솔더 리플로우 공정 처리되는 경우 변형에 저항성인 열가소성 조성물.
구현예 3: 구현예 1 또는 2에 있어서, 상기 열가소성 조성물이 86.8 내지 87.2 밀리그램/밀리리터의 농도를 갖는 N-메틸 피롤리돈 중 상기 열가소성 조성물의 용액을 사용하여 결정된, 95% 이상, 바람직하게는 96% 이상, 보다 바람직하게는 97% 이상의 950 나노미터에서의 근적외선 투과율을 갖는 열가소성 조성물.
구현예 4: 구현예 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰이 재생 폴리에테르이미드 술폰인 열가소성 조성물.
구현예 5: 구현예 1 내지 4 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 및 제2 폴리에테르이미드 술폰이 각각 독립적으로 하기 화학식의 단위를 포함하는 것인 열가소성 조성물:
Figure pct00008
상기 식에서, R은 C2-20 탄화수소 기이고, T는 -O- 또는 화학식 -O-Z-O-의 기이며, 여기서 -O- 또는 -O-Z-O- 기의 2가 결합은 3,3', 3,4', 4,3' 또는 4,4' 위치에 있고, Z는, 선택적으로 1 내지 6개의 C1-8 알킬 기, 1 내지 8개의 할로겐 원자 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 조합으로 치환된 방향족 C6-24 모노시클릭 또는 폴리시클릭 기이다.
구현예 6: 구현예 5에 있어서, R이 하기 화학식의 2가 기이고;
Figure pct00009
[상기 식에서, Q1은 -O-, -S-, -C(O)-, -SO2-, -SO-, -CyH2y- 및 이의 할로겐화 유도체 (여기서, y는 1 내지 5의 정수임), 또는 -(C6H10)z- (여기서, z는 1 내지 4의 정수임)임]
Z가 하기 화학식의 디히드록시 화합물로부터 유도된 기이고;
Figure pct00010
[상기 식에서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 1가 C1-6 알킬 기이고; p 및 q는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4이고; c는 0 내지 4이고; Xa는 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -SO2-, -C(O)- 또는 C1-18 유기 연결기임]
상기 R 기의 적어도 10 몰 퍼센트가 술폰 기를 포함하는 것인 열가소성 조성물.
구현예 7: 구현예 5 또는 6에 있어서, R이 4,4'-디페닐렌 술폰이고, Z가 4,4'-디페닐렌 이소프로필리덴인 열가소성 조성물.
구현예 8: 구현예 1 내지 7 중 어느 하나에 있어서, 열 안정화제, 난연제, 가수분해 안정화제, 자외선 광 안정화제, 조핵제, 금속 활성저하제, 착색제, 산화방지제 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 조합을 포함하는 1종 이상의 첨가제를 추가로 포함하는 열가소성 조성물.
구현예 9: 구현예 1 내지 8 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%; 및 상기 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%를 포함하며; 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분의 용융 지수; 231 내지 289℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하의 탁도를 갖는 열가소성 조성물.
구현예 10: 구현예 1 내지 9 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%; 및 상기 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%를 포함하며; 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.8 그램/분의 용융 지수; 240 내지 266℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 140 내지 200의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4.5 내지 25%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 5 내지 11%의 탁도를 갖는 열가소성 조성물.
구현예 11: 구현예 1 내지 10 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰 25 내지 90 중량%; 및 상기 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 75 중량%를 포함하며; 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 245 내지 262℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 6 내지 10%의 탁도를 갖는 열가소성 조성물.
구현예 12: 구현예 1 내지 11 중 어느 하나의 열가소성 조성물의 제조 방법으로서, 성분들을 용융-혼합하는 단계; 및 상기 성분들을 압출하는 단계를 포함하는 제조 방법.
구현예 13: 구현예 1 내지 11 중 어느 하나의 열가소성 조성물을 포함하는 물품.
구현예 14: 구현예 13에 있어서, 광학 부품인 물품.
구현예 15: 열가소성 조성물의 광학 특성을 개선하기 위한 방법으로서, 250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖는 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%; 및 230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%를 용융-혼합하여; 231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도, 및 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 및 하기 광학 특성 중 하나 이상을 갖는 열가소성 조성물을 제공하는 단계를 포함하는 방법: ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도.
구현예 16: 구현예 15에 있어서, 상기 황색 지수가 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰의 황색 지수보다 적어도 1.5%, 바람직하게는 3 내지 50%, 보다 바람직하게는 9 내지 35% 더 적으며, 이는 ASTM D1925에 따라 결정되고; 상기 투과율이 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰의 투과율보다 적어도 6%, 바람직하게는 6 내지 515%, 보다 바람직하게는 65 내지 340% 더 크며, 이는 ASTM D1003에 따라 결정되고; 상기 탁도가 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰의 탁도보다 적어도 5%, 바람직하게는 5 내지 35%, 보다 바람직하게는 5 내지 25% 더 적으며, 이는 ASTM D1003에 따라 결정된 것인 방법.
구현예 17: 구현예 15 또는 16에 있어서, 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰이 재생 폴리에테르이미드 술폰인 방법.
구현예 18: 구현예 15 내지 17 중 어느 하나에 있어서, 상기 열가소성 조성물이, 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분의 용융 지수; 231 내지 289℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하의 탁도를 갖는 것인 방법.
구현예 19: 구현예 15 내지 18 중 어느 하나에 있어서, 상기 열가소성 조성물이, 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.8 그램/분의 용융 지수; 240 내지 266℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 140 내지 200의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 4.5 내지 25%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 5 내지 11%의 탁도를 갖는 것인 방법.
구현예 20: 구현예 15 내지 19 중 어느 하나에 있어서, 상기 열가소성 조성물이, 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 245 내지 262℃의 유리 전이 온도; ASTM D1925에 따라 결정된, 150 내지 195의 황색 지수; ASTM D1003에 따라 결정된, 6 내지 20%의 투과율; 및 ASTM D1003에 따라 결정된, 6 내지 10%의 탁도를 갖는 것인 방법.
추가의 정보는 하기 비제한적인 실시예에 의해 제공된다.
실시예
하기 실시예에 대한 재료는 표 1에 열거되어 있다.
약어 화학적 설명 공급처
TPI-R1 4,4'-디아미노디페닐술폰과 3-클로로프탈이미드의 반응에 이어서 비스페놀 A의 디소듐 염과의 반응으로부터 제조되며, 267℃의 유리 전이 온도를 갖고, EXTEM XH1015로서 입수가능한 재분쇄 폴리에테르이미드 술폰. SABIC
TPI-R2 4,4'-디아미노디페닐술폰과 3-클로로프탈이미드의 반응에 이어서 비스페놀 A의 디소듐 염과의 반응으로부터 제조되며, 267℃의 유리 전이 온도를 갖고, EXTEM XH1015로서 입수가능한 재분쇄 및 재펠릿화 폴리에테르이미드 술폰. SABIC
TPI-V 4,4'-디아미노디페닐술폰과 3-클로로프탈이미드의 반응에 이어서 비스페놀 A의 디소듐 염과의 반응으로부터 제조되며, 267℃의 유리 전이 온도를 갖고, EXTEM XH1015로서 입수가능한 버진 폴리에테르이미드 술폰. SABIC
PEIS 비스페놀 A 이무수물과 4,4'-디아미노디페닐술폰의 반응으로부터 제조되며, 247℃의 유리 전이 온도를 갖고, ULTEM XH6050으로서 입수가능한 버진 폴리에테르이미드 술폰. SABIC
중합체의 제조로부터의 열가소성 폴리이미드 스프루 및 러너를 분쇄하여 재분쇄 고 Tg 열가소성 폴리이미드 술폰 (TPI-R1)을 얻었다. TPI-R1을 사용 전에 오븐에서 건조시켰다.
재분쇄, 재펠릿화 고 Tg 열가소성 폴리이미드 술폰 (TPI-R2)을 재분쇄한 다음, 345 내지 360℃에서 압출하고, 수조 내 80 내지 90℃에서 냉각 후 펠릿으로 세절하였다. TPI-R2를 사용 전에 오븐에서 건조시켰다.
하기 실시예의 조성물을 Toshiba TEM-37BS 이축 압출기 상에서 컴파운딩함으로써 제조하고, 수조 내 80 내지 90℃에서 냉각 후 펠릿으로 세절하였다. 사출 성형에 앞서, 펠릿을 오븐에서 건조시켰다.
180-톤 Demag 사출 성형 기계를 사용하여 사출 성형에 의해 물리적 시험에 적합한 물품을 제조하였다.
조성물의 물리적 시험을 표 2에 요약된 표준에 따라 수행하였다. 달리 명시하지 않는 한, 모든 시험은 2010년에 시행 중인 시험이다.
특성 시험 표준 시편 유형 단위
용융 지수 (MI) ASTM D1238 펠릿; 6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 g/min
열 변형 온도 (HDT) ASTM D648 바(Bar) - 127 x 12.7 x 3.2 mm ℃
Vicat 연화 온도 ASTM D1525 바 - 64 x 12.7 x 3.2 mm ℃
황색 지수 (YI) ASTM D1925 디스크(Disk) - 100mm 직경, 3.2mm 두께 -
투과율 ASTM D1003 디스크 - 100mm 직경, 3.2mm 두께 %
탁도 ASTM D1003 디스크 - 100mm 직경, 3.2mm 두께 %
또한, 시차 주사 열량법 (DSC)을 사용하여 유리 전이 온도를 결정하였다. 2.175±0.05 그램의 조성물을 25 밀리리터의 N-메틸 피롤리돈 중에 용해시키고, 생성된 용액에 대한 NIR 투과율을 950 및 850 나노미터 (nm)에서 측정함으로써 근적외선 (NIR) 투과율을 결정하였다. ASTM E-1164 요구사항을 충족시키는 Minolta CM-3600d 분광광도계를 사용하여 황색 지수, 투과율 및 탁도를 각각 결정하였다.
하기 기재된 각각의 블렌드에 대해, 나타낸 양으로 블렌드 성분들을 용융 혼합하였다. 모든 성분들을 용융-혼합하고, 압출하고, 상술한 바와 같이 시험하였다. 구체적 실시예는 하기에 논의된다.
비교 실시예 1 내지 3 및 실시예 1 내지 5
비교 실시예 1 내지 3은 가변 양의 TPI-R 및 폴리에테르이미드 술폰을 포함하는 조합이다. 각각의 조성물에 대한 데이터는 표 3에 나타냈다.
성분 CE1 CE2 CE3 E1 E2 E3 E4 E5
TPI-R1 100 0 90 75 50 25 10
TPI-R2 0 100 0 0 0 0 0 0
PEIS 0 0 100 10 25 50 75 90
특성
MI (g/min) 1.1 1.02 1.27 1.78 0.99 1.09 1.16 1.16
Tg (℃) 261.7 263.8 246.8 260.8 259.3 254.1 250 247.3
YI 203 210 123 200 190 176 157 143
투과율 (%) 4.2 3.1 34.3 4.5 6.1 9.4 16 22.3
탁도 (%) 10.1 15 3.9 10.9 9.5 8.1 7.6 6.7
950 nm에서의 투과율 (%) 97 94.3 98.7 95.8 96.4 96.2 97.3 97.8
850 nm에서의 투과율 (%) 95.1 92.1 97.8 93.3 94.5 95.2 95.9 96.5
비교 실시예 1 (CE1)은, 재분쇄되었지만 재펠릿화되지 않은 재생 TPI (TPI-R1)의 다양한 물리적 특성을 예시한다. TPI-R1의 유리 전이 온도 (Tg)는 261.7℃였고, 재분쇄 TPI-R1은 203의 상대적으로 높은 황색 지수 (YI), 및 각각 4.2% 및 10.1% 퍼센트의 투과율 및 탁도를 나타내었다.
비교 실시예 2 (CE2)는, 재분쇄되고 추가로 재펠릿화된 재생 TPI (TPI-R2)의 다양한 물리적 특성을 예시한다. CE2는 263.8℃의 유사한 Tg, 210의 YI, 및 각각 3.1% 및 15% 퍼센트의 투과율 및 탁도를 나타낸다. 따라서, CE1 및 CE2는 고열의 광학적으로 투명한 재료를 요구하는 적용에 재생 TPI를 사용하는 것에서의 도전을 예시한다.
비교 실시예 3 (CE3)은 저 Tg 폴리에테르이미드 술폰 (PEIS)이다. PEIS는 재생 TPI와 비교하여 유의하게 감소된 123의 황색 지수를 갖는다. PEIS는 또한 34.3%의 증가된 투과율 및 3.9%의 감소된 탁도를 갖는다. 바람직한 광학 특성에도 불구하고, CE3은 246.8℃의 감소된 Tg를 나타내며, 따라서 일부 고열 적용에 적합하지 않을 수 있다.
TPI-R1 및 오직 10 중량 퍼센트의 PEIS를 포함하는 실시예 1은 TPI-R1 단독 (CE1)에 대해 관찰된 바와 유사한 특성을 나타내었다. 일반적으로, 황색 지수, 투과율 및 탁도는 PEIS의 양의 증가에 따라 각각 개선되었다. 유리 전이 온도는 일반적으로 PEIS의 양의 증가에 따라 감소되었다. TPR-1 및 90 중량 퍼센트의 PEIS를 포함하는 실시예 5는 247.3℃의 Tg, 143의 YI, 22.3%의 투과율 및 6.7%의 탁도를 나타내었다.
실시예 2 및 3은 열적 및 광학 특성의 바람직한 균형을 나타내었다. 실시예 2는 259.3℃의 Tg를 나타내었고, 실시예 3은 254.1℃의 Tg를 나타내었다. 실시예 2에서 25 중량%의 PEIS를 포함하는 것은 YI를 (비교 실시예 1 및 2의 경우의 203 및 210과 비교하여) 190으로 감소시켰다. PEIS를 50 중량%로 추가로 증가시키는 것은 176으로의 YI의 감소를 유발하였다. 실시예 1 및 2의 투과율은 비교 실시예 1의 투과율에 대해 각각 약 45% 및 124%만큼 증가하였다. 실시예 1 및 2의 탁도는 비교 실시예 1의 탁도에 대해 각각 약 6% 및 20%만큼 감소하였다.
각각의 블렌드를 또한 N-메틸 피롤리돈 (NMP) 중에 용해시키고, NIR 측정치를 생성된 용액 상에서 취하였다. 표 3에 나타난 바와 같이, 블렌딩된 조성물에 포함된 PEIS의 양을 증가시키는 것은 일반적으로 950 nm 및 850 nm에서의 NIR 투과율을 개선하였으며, E5의 블렌드는 950 및 850 nm에서 CE3 (PEIS 단독)에 대해 얻어진 투과율 값에 접근하였다.
실시예 6 내지 10
또한, 폴리에테르이미드 술폰과 블렌딩된 버진 열가소성 폴리이미드로부터 제조된 블렌드는 또한 개선된 광학 특성을 갖는 것으로 예상된다. 폴리에테르이미드 술폰 및 버진 열가소성 폴리이미드는 하기 표에 나타낸 양으로 용융 혼합될 수 있다. 표 4에서 예상 실시예 각각에 대해, 생성된 블렌드가 적외선-투명한 렌즈 적용을 위한 다양한 "핵심 품질" (CTQ) 표준을 충족시키는 것으로 예상될지 아닐지가 표시되어 있다. 표 4에서 각각의 블렌드는 블렌드의 추정된 유리 전이 온도를 기초로 "합격" 또는 "실패"의 등급이 주어진다. Tg는 각각의 성분의 중량 퍼센트 및 하기 식 1로서 나타낸 Fox 식을 기초로 추정될 수 있다:
Figure pct00011
(1)
상기 식에서, Tg는 블렌드의 유리 전이 온도이고, Tg1 및 Tg2는 각각 제1 및 제2 성분의 유리 전이 온도이고, x1은 제1 성분의 중량 분율이다. 250℃ 이상, 바람직하게는 255℃ 이상의 Tg를 갖는 것으로 예상되는 블렌드는 "합격" 등급이 주어진다.
950 nm에서 적어도 95% 투과율, 바람직하게는 950 nm에서 적어도 96% 투과율을 달성하는 것으로 예상되는 블렌드는 하기 표에서 "합격"의 등급이 주어진다.
성분 CE4 E6 E7 E8 E9 E10
TPI-V 100 90 75 70 60 50
PEIS 0 10 25 30 40 50
특성
투과율 합격 합격 합격 합격 합격 합격
YI 합격 합격 합격 합격 합격 합격
Tg 합격 합격 합격 합격 실패 실패
HDT 합격 합격 합격 합격 실패 실패
VICAT 합격 합격 합격 합격 실패 실패
표 4에 나타난 바와 같이, 70 중량% 이상의 버진 열가소성 폴리이미드 및 최대 30 중량%의 폴리에테르이미드 술폰을 포함하는 조성물은 고열의 광학적으로 투명한 재료에 대해 제시된 핵심 표준을 충족시키는 것으로 예상된다.
일반적으로, 상기 조성물, 방법 및 물품은 택일적으로 본원에 개시된 임의의 적합한 성분 또는 단계를 포함하거나, 이로 이루어지거나 또는 본질적으로 이로 이루어질 수 있다. 상기 조성물, 방법 및 물품은 추가로 또는 대안적으로, 선행기술의 조성물 또는 방법에 사용되거나 또는 본 발명의 청구범위의 작용 및/또는 목적의 달성에 달리 필요하지 않는 임의의 성분, 물질, 구성성분, 아주반트(adjuvant) 또는 종(species)이 없거나 또는 이를 실질적으로 함유하지 않도록 제제화될 수 있다.
본원에 개시된 모든 범위는 종점을 포함하고, 상기 종점은 독립적으로 서로 조합가능하다. "또는"은 "및/또는"을 의미한다. "조합"은 블렌드, 혼합물, 합금, 반응 생성물 등을 포함한다. 또한, 본원의 용어 "제1", "제2" 등은 임의의 순서, 수량 또는 중요도를 나타내는 것이 아니라, 하나의 요소를 또 다른 요소로부터 구별하기 위해 사용된다. 본원의 용어 단수 형태 및 "상기"는 수량의 한정을 나타내는 것이 아니고, 본원에서 달리 명시하거나 또는 문맥에 의해 명백히 모순되지 않는 한 단수형 및 복수형 둘 모두를 포함하는 것으로 해석하여야 한다. 본 명세서 전체에 걸쳐 "또 다른 구현예", "구현예" 등에 대한 지칭은 해당 구현예와 관련하여 기재된 특정한 요소가 본원에 기재된 적어도 하나의 구현예에 포함되며, 다른 구현예에는 존재하거나 존재하지 않을 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 기재된 요소는 다양한 구현예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
본원에 사용된 용어 "히드로카르빌"은 탄소, 수소 및 선택적으로 1개 이상의 헤테로원자 (예를 들어, 1, 2, 3 또는 4개의 원자, 예컨대 할로겐, O, N, S, P 또는 Si)를 함유하는 기를 포함한다. "알킬"은 분지쇄 또는 직쇄 포화 1가 탄화수소 기, 예를 들어 메틸, 에틸, i-프로필 및 n-부틸을 의미한다. "알킬렌"은 직쇄 또는 분지쇄 포화 2가 탄화수소 기 (예를 들어, 메틸렌 (-CH2-) 또는 프로필렌 (-(CH2)3-))를 의미한다. "알케닐" 및 "알케닐렌"은 각각 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 1가 또는 2가 직쇄 또는 분지쇄 탄화수소 기 (예를 들어, 에테닐 (-HC=CH2) 또는 프로페닐렌 (-HC(CH3)=CH2-)를 의미한다. "알키닐"은 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 직쇄 또는 분지쇄 1가 탄화수소 기 (예를 들어, 에티닐)를 의미한다. "알콕시"는 산소를 통해 연결된 알킬 기 (즉, 알킬-O-), 예를 들어 메톡시, 에톡시 및 sec-부틸옥시를 의미한다. "시클로알킬" 및 "시클로알킬렌"은 각각 화학식 -CnH2n-x 및 -CnH2n-2x- (여기서, x는 고리화의 수임)의 1가 및 2가 시클릭 탄화수소 기를 의미한다. "아릴"은 1가 모노시클릭 또는 폴리시클릭 방향족 기 (예를 들어, 페닐 또는 나프틸)를 의미한다. "아릴렌"은 2가 모노시클릭 또는 폴리시클릭 방향족 기 (예를 들어, 페닐렌 또는 나프틸렌)를 의미한다. 접두사 "할로"는 1개 이상의 할로겐 (F, Cl, Br 또는 I) 치환기 (이는 동일하거나 또는 상이할 수 있음)를 포함하는 기 또는 화합물을 의미한다. 접두사 "헤테로"는 헤테로원자 (예를 들어, 1, 2 또는 3개의 헤테로원자이며, 각각의 헤테로원자는 독립적으로 N, O, S 또는 P임)인 적어도 하나의 고리원(ring member)을 포함하는 기 또는 화합물을 의미한다.
"치환된"은 수소 대신에 적어도 1개 (예를 들어, 1, 2, 3 또는 4개)의 치환기로 치환된 화합물 또는 기를 의미하며, 여기서 각각의 치환기는 독립적으로 니트로 (-NO2), 시아노 (-CN), 히드록시 (-OH), 할로겐, 티올 (-SH), 티오시아노 (-SCN), C1-6 알킬, C2-6 알케닐, C2-6 알키닐, C1-6 할로알킬, C1-9 알콕시, C1-6 할로알콕시, C3-12 시클로알킬, C5-18 시클로알케닐, C6-12 아릴, C7-13 아릴알킬렌 (예를 들어, 벤질), C7-12 알킬아릴렌 (예를 들어, 톨루일), C4-12 헤테로시클로알킬, C3-12 헤테로아릴, C1-6 알킬 술포닐 (-S(=O)2-알킬), C6-12 아릴술포닐 (-S(=O)2-아릴) 또는 토실 (CH3C6H4SO2-)이되, 단 치환된 원자의 정상 원자가(normal valence)가 초과되지 않고, 치환은 화합물의 제조, 안정성 또는 목적하는 특성에 크게 불리하게 영향을 주지 않는다. 화합물이 치환되는 경우, 탄소 원자의 명시된 수는 치환기의 것을 포함하는, 해당 기에서의 탄소 원자의 전체 수이다. 모든 참고문헌은 본원에 참조로 통합된다.
특정한 구현예가 기재되었지만, 현재 예상되지 않거나 예상되지 않을 수 있는 대안, 수정, 변경, 개선 및 실질적인 균등물이 출원인 또는 다른 통상의 기술자에게 떠오를 수 있다. 따라서, 출원되고 보정될 수 있는 첨부된 청구범위는 이러한 모든 대안, 수정, 변경, 개선 및 실질적인 균등물을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 열가소성 조성물로서, 상기 열가소성 조성물의 총 중량을 기준으로,
    250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖는 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%; 및
    230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%를 포함하며;
    하기 특성을 갖는 열가소성 조성물:
    6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수;
    231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도;
    ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수;
    ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 4.5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율; 및
    ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도(haze).
  2. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 조성물이 250℃ 이상, 바람직하게는 260 내지 350℃의 온도에서 무연 솔더 리플로우(solder reflow) 공정 처리되는 경우 변형에 저항성인 열가소성 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열가소성 조성물이, 86.8 내지 87.2 밀리그램/밀리리터의 농도를 갖는 N-메틸 피롤리돈 중 상기 열가소성 조성물의 용액을 사용하여 결정된, 95% 이상, 바람직하게는 96% 이상, 보다 바람직하게는 97% 이상의 950 나노미터에서의 근적외선 투과율을 갖는 열가소성 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰이 재생(recycled) 폴리에테르이미드 술폰인 열가소성 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 폴리에테르이미드 술폰이 각각 독립적으로 하기 화학식의 단위를 포함하는 것인 열가소성 조성물:
    Figure pct00012

    상기 식에서,
    R은 C2-20 탄화수소 기이고,
    T는 -O- 또는 화학식 -O-Z-O-의 기이며, 여기서 -O- 또는 -O-Z-O- 기의 2가 결합은 3,3', 3,4', 4,3' 또는 4,4' 위치에 있고,
    Z는, 선택적으로 1 내지 6개의 C1-8 알킬 기, 1 내지 8개의 할로겐 원자 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 조합으로 치환된 방향족 C6-24 모노시클릭 또는 폴리시클릭 기이다.
  6. 제5항에 있어서, R이 하기 화학식의 2가 기이고;
    Figure pct00013

    [상기 식에서, Q1은 -O-, -S-, -C(O)-, -SO2-, -SO-, -CyH2y- 및 이의 할로겐화 유도체 (여기서, y는 1 내지 5의 정수임), 또는 -(C6H10)z- (여기서, z는 1 내지 4의 정수임)임]
    Z가 하기 화학식의 디히드록시 화합물로부터 유도된 기이고;
    Figure pct00014

    [상기 식에서,
    Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 1가 C1-6 알킬 기이고;
    p 및 q는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4이고;
    c는 0 내지 4이고;
    Xa는 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -SO2-, -C(O)- 또는 C1-18 유기 연결기임]
    상기 R 기의 적어도 10 몰 퍼센트가 술폰 기를 포함하는 것인 열가소성 조성물.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, R이 4,4'-디페닐렌 술폰이고, Z가 4,4'-디페닐렌 이소프로필리덴인 열가소성 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 열 안정화제, 난연제, 가수분해 안정화제, 자외선 광 안정화제, 조핵제, 금속 활성저하제, 착색제, 산화방지제 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 조합을 포함하는 1종 이상의 첨가제를 추가로 포함하는 열가소성 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%; 및
    상기 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%
    를 포함하고;
    6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분의 용융 지수;
    231 내지 289℃의 유리 전이 온도;
    ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하의 황색 지수;
    ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상의 투과율; 및
    ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하의 탁도
    를 갖는 열가소성 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%; 및
    상기 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%
    를 포함하고;
    6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.8 그램/분의 용융 지수;
    240 내지 266℃의 유리 전이 온도;
    ASTM D1925에 따라 결정된, 140 내지 200의 황색 지수;
    ASTM D1003에 따라 결정된, 4.5 내지 25%의 투과율; 및
    ASTM D1003에 따라 결정된, 5 내지 11%의 탁도
    를 갖는 열가소성 조성물.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 폴리에테르이미드 술폰 25 내지 90 중량%; 및
    상기 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 75 중량%
    를 포함하고;
    6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수;
    245 내지 262℃의 유리 전이 온도;
    ASTM D1925에 따라 결정된, 150 내지 195의 황색 지수;
    ASTM D1003에 따라 결정된, 6 내지 20%의 투과율; 및
    ASTM D1003에 따라 결정된, 6 내지 10%의 탁도
    를 갖는 열가소성 조성물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 열가소성 조성물의 제조 방법으로서,
    성분들을 용융-혼합하는 단계; 및
    상기 성분들을 압출하는 단계
    를 포함하는 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 열가소성 조성물을 포함하는 물품.
  14. 제13항에 있어서, 광학 부품인 물품.
  15. 열가소성 조성물의 광학 특성을 개선하기 위한 방법으로서,
    250 내지 290℃, 바람직하게는 260 내지 270℃의 유리 전이 온도를 갖는 제1 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 90 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량%; 및
    230 내지 249℃, 바람직하게는 240 내지 249℃의 유리 전이 온도를 갖는 제2 폴리에테르이미드 술폰 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 50 중량%
    를 용융-혼합하여;
    231 내지 289℃, 바람직하게는 240 내지 266℃, 보다 바람직하게는 245 내지 262℃의 유리 전이 온도, 및
    6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분, 바람직하게는 0.95 내지 1.8 그램/분, 보다 바람직하게는 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수; 및
    하기 광학 특성 중 하나 이상을 갖는 열가소성 조성물을 제공하는 단계를 포함하는 방법:
    ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하, 바람직하게는 140 내지 200, 보다 바람직하게는 150 내지 195의 황색 지수;
    ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상, 바람직하게는 5 내지 25%, 보다 바람직하게는 6 내지 20%의 투과율; 및
    ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하, 바람직하게는 5 내지 11%, 보다 바람직하게는 6 내지 10%의 탁도.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 황색 지수가 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰의 황색 지수보다 적어도 1.5%, 바람직하게는 3 내지 50%, 보다 바람직하게는 9 내지 35% 더 적으며, 이는 ASTM D1925에 따라 결정되고;
    상기 투과율이 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰의 투과율보다 적어도 6%, 바람직하게는 6 내지 515%, 보다 바람직하게는 65 내지 340% 더 크며, 이는 ASTM D1003에 따라 결정되고;
    상기 탁도가 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰의 탁도보다 적어도 5%, 바람직하게는 5 내지 35%, 보다 바람직하게는 5 내지 25% 더 적으며, 이는 ASTM D1003에 따라 결정된 것인 방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 제1 폴리에테르이미드 술폰이 재생 폴리에테르이미드 술폰인 방법.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 조성물이
    6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.7 내지 2 그램/분의 용융 지수;
    231 내지 289℃의 유리 전이 온도;
    ASTM D1925에 따라 결정된, 200 이하의 황색 지수;
    ASTM D1003에 따라 결정된, 4% 이상의 투과율; 및
    ASTM D1003에 따라 결정된, 12% 이하의 탁도
    를 갖는 것인 방법.
  19. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 조성물이
    367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.8 그램/분의 용융 지수;
    240 내지 266℃의 유리 전이 온도;
    ASTM D1925에 따라 결정된, 140 내지 200의 황색 지수;
    ASTM D1003에 따라 결정된, 4.5 내지 25%의 투과율; 및
    ASTM D1003에 따라 결정된, 5 내지 11%의 탁도
    를 갖는 것인 방법.
  20. 제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 조성물이
    6.7 킬로그램 하중 하에 367℃에서 ASTM D1238에 따라 결정된, 0.95 내지 1.2 그램/분의 용융 지수;
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