KR20180036623A - Resin Composition, Manufacturing Method of Cured Body and Cured Body - Google Patents

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Abstract

The present invention aims to provide: a resin composition containing a polyamic acid capable of stably forming a cured product containing polyimide and excellent in film formability; a method for manufacturing a cured product using the resin composition; and a cured product obtained by curing the resin composition. In the resin composition containing the polyamic acid (A), at least one of a carbonyloxy compound (B1) having -CO-O- bond in a molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O- bond in the molecule are mixed.

Description

수지 조성물, 경화물의 제조 방법 및 경화물{Resin Composition, Manufacturing Method of Cured Body and Cured Body} [0001] The present invention relates to a resin composition, a process for producing the same,

본 발명은 폴리아믹산을 포함하는 수지 조성물과 상기 수지 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법과 상기 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition comprising a polyamic acid, a method for producing a cured product using the resin composition, and a cured product obtained by curing the resin composition.

폴리이미드 수지는 우수한 내열성, 기계적 강도 및 절연성이나 저유전율 등의 특성을 가지기 때문에 여러 종류의 소자나 다층 배선 기판 등의 전자 기판과 같은 전기·전자 부품에 있어서 절연재나 보호재로서 넓게 사용되고 있다.BACKGROUND ART Polyimide resins are widely used as insulating materials and protective materials in electric and electronic parts such as electronic devices such as various kinds of devices and multilayer wiring boards because they have excellent heat resistance, mechanical strength, insulation properties and low dielectric constant.

일반적으로, 폴리이미드 수지는 테트라카르복실산 2무수물 성분과 디아민 성분을 극성 유기 용제 중에서 중합시켜 얻어지는 폴리아믹산을 열처리 하는 것에 의해 형성된다. 이러한 배경도 있어서, 전자 재료용의 폴리이미드 제품은 폴리아믹산과 같은 폴리이미드 전구체의 용액으로서 공급되는 일이 많다. 구체적으로, 전기·전자 부품을 제조하는 때에는 폴리이미드 전구체의 용액이 절연재나 보호재를 형성하는 장소에 도포나 주입 등의 방법에 의해 공급된 후, 폴리이미드 전구체의 용액을 열처리하여 절연재나 보호재가 형성되고 있다.Generally, the polyimide resin is formed by heat-treating a polyamic acid obtained by polymerizing a tetracarboxylic acid dianhydride component and a diamine component in a polar organic solvent. In view of this background, polyimide products for electronic materials are often supplied as solutions of polyimide precursors such as polyamic acid. Specifically, in the production of electric and electronic parts, after the solution of the polyimide precursor is supplied to the place where the insulating material or the protecting material is formed by a method such as coating or injection, the solution of the polyimide precursor is heat- .

이러한 폴리이미드 수지에 관한 기술 개척도 열심히 이루어지고 있다.The technical development of such a polyimide resin is being worked hard.

예를 들면, 특허 문헌 1의 실시예로서는 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오르프로판과 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 2무수물을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 중에서 반응시켜서, 150℃에서 이미드화를 실시하는 폴리이미드 수지의 제조 방법이 개시되어 있다.For example, as an example of Patent Document 1, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 3,3 ', 4,4'-diphenylether tetracarboxylic acid dianhydride Propyleneglycol monomethyl ether acetate, and imidization is carried out at 150 占 폚.

특허 문헌 1: 일본 특개 2012-021133호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-021133

여기서, 본 발명자 등이 검토한 결과 폴리이미드 수지 전구체를 가열 경화시키는 과정에 있어서 적절히 조건을 설정하지 않으면 그 경화 거동이 안정되지 않고 결과적으로 제막 등이 잘 되지 않는 경우가 있다는 것을 알게 되었다.As a result of the studies conducted by the inventors of the present invention, it has been found that if the conditions are not appropriately set in the process of heating and curing the polyimide resin precursor, the curing behavior is not stabilized and, consequently, the film formation can not be performed well.

이러한 제막 상태가 불완전한 폴리이미드막은 외관도 뒤떨어지기 때문에 안정적으로 제막을 실시할 수 있는 조성물의 개척이 강하게 기대되었다.Since the appearance of the polyimide film with incomplete film formation is inferior, it has been strongly expected to pioneer a composition capable of forming a film stably.

본 발명은 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서 제막성이 우수하고 폴리이미드를 포함하는 경화물을 안정적으로 형성할 수 있는 폴리아믹산을 함유하는 수지 조성물과 상기 수지 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법과 상기 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a resin composition containing a polyamic acid capable of stably forming a cured product containing polyimide and excellent in film formability, a method of producing a cured product using the resin composition, It is an object of the present invention to provide a cured product obtained by curing a composition.

본 발명자 등은 상기 과제를 해결하기 위해 열심히 연구를 거듭하였다. 그 결과, 폴리아믹산(A)을 함유하는 수지 조성물에 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 배합하는 것에 의해서 상기의 과제를 해결할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.The present inventors have studied hard to solve the above problems. As a result, it was confirmed that a carbonyloxy compound (B1) having -CO-O- bond in the molecule and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O-bond in the molecule were added to the resin composition containing the polyamic acid ). The present invention has been accomplished based on this discovery. Specifically, the present invention provides the following.

본 발명의 제1 태양은 이하의 식(a1):A first aspect of the present invention relates to a method for producing a compound represented by the following formula (a1):

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 (a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, B는 2가의 유기기이다.)(In the formula (a1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group.)

로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)과, A polyamic acid (A) having a structural unit represented by the formula

분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 수지 조성물이다.(B1) having a -CO-O- bond in a molecule, and a basic nitrogen-nitrogen compound (B2) having no -CO-O- .

본 발명의 제2 태양은 제1 태양에 따른 수지 조성물을 기재 상에 도포하여 도막을 형성하는 도막 형성 공정과, According to a second aspect of the present invention, there is provided a process for producing a resin composition, comprising the step of forming a coating film by applying the resin composition according to the first aspect onto a substrate,

상기 도막을 70~550℃에서 가열하는 가열 공정을 포함하는 경화물의 제조방법이다.And a heating step of heating the coating film at 70 to 550 占 폚.

본 발명의 제3 태양은 제1 태양에 따른 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물이다.A third aspect of the present invention is a cured product obtained by curing the resin composition according to the first aspect.

본 발명에 의하면, 제막성이 우수하고 폴리이미드를 포함하는 경화물을 안정적으로 형성할 수 있는 폴리아믹산을 함유하는 수지 조성물과 상기 수지 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법과 상기 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물을 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a resin composition containing a polyamic acid capable of stably forming a cured product containing polyimide excellent in film formability, a method of producing a cured product using the resin composition, Cargo can be provided.

≪수지 조성물≫≪ Resin composition &

본 발명의 제1 태양인 수지 조성물은 이하의 식(a1):The resin composition, which is the first aspect of the present invention, is represented by the following formula (a1):

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 (a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, B는 2가의 유기기이다.)(In the formula (a1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group.)

로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)과, A polyamic acid (A) having a structural unit represented by the formula

분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는이다.A carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in a molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O- bond in a molecule. .

여기서, 분자 내에 -CO-O-결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O-결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)(이후, 간단히 「카르보닐옥시 화합물(B1)」또는 「염기성 함질소 화합물(B2)」라고 기재하기도 한다.)이, 각각 폴리아믹산(A)의 폴리이미드 수지에 대한 변환을 촉진시키는 효과를 가진다.Here, the carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule and the basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O-bond in the molecule (hereinafter simply referred to as "carbonyloxy compound ) "Or" basic nitrogen-containing compound (B2) ") have the effect of promoting the conversion of the polyamic acid (A) to the polyimide resin.

이로 인해, 수지 조성물을 가열하는 때에, 균일하고 신속하게 폴리아믹산(A)의 이미드화가 진행하므로 그 결과, 경화물의 표면에 요철, 휨, 균열 등이 생기기 어렵고, 평활한 표면을 가지며 외관이 우수한 경화물을 형성할 수 있다.As a result, imidization of the polyamic acid (A) progresses uniformly and quickly at the time of heating the resin composition. As a result, unevenness, warpage, cracks and the like are hardly generated on the surface of the cured product, A cured product can be formed.

이상과 같이, 상기의 수지 조성물은 적절한 속도에서 경화하여 안정적으로 폴리이미드 수지를 포함하는 경화물을 제공한다.As described above, the resin composition is cured at an appropriate speed to stably provide a cured product containing the polyimide resin.

이하, 수지 조성물에 포함되는 필수 또는 임의의 성분에 대하여 설명한다.Hereinafter, essential or optional components contained in the resin composition will be described.

<폴리아믹산(A)><Polyamic acid (A)>

수지 조성물은 폴리아믹산(A)을 포함한다. 폴리아믹산(A)은 수지 조성물을 경화시켰을 때에 생성하는 폴리이미드의 전구체 폴리머이다.The resin composition includes a polyamic acid (A). The polyamic acid (A) is a precursor polymer of polyimide which is produced when the resin composition is cured.

폴리아믹산은 이하의 식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 가진다.The polyamic acid has a structural unit represented by the following formula (a1).

Figure pat00003
Figure pat00003

(식(a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, B는 2가의 유기기이다.)(In the formula (a1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group.)

상술한 폴리아믹산(A)은 통상, 테트라카르복실산 2무수물로 디아민 화합물을 축합함으로써 얻어진다.The above-mentioned polyamic acid (A) is usually obtained by condensing a diamine compound with a tetracarboxylic acid dianhydride.

이하, 폴리아믹산(A)의 제조에 이용되는 테트라카르복실산 2무수물과, 디아민 화합물과 폴리아믹산(A)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method for producing the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine compound and the polyamic acid (A) used in the production of the polyamic acid (A) will be described.

〔테트라카르복실산 2무수물〕[Tetracarboxylic acid dianhydride]

식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 생성시키는 테트라카르복실산 2무수물은 하기 식(a1-1)으로 표시된다.The tetracarboxylic acid dianhydride forming the structural unit represented by the formula (a1) is represented by the following formula (a1-1).

식(a1-1)으로 표시되는 테트라카르복실산 2무수물은 후술의 디아민 화합물과 반응하여 식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)을 제공한다. 이러한 테트라카르복실산 2무수물은 1종을 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 된다.The tetracarboxylic acid dianhydride represented by the formula (a1-1) reacts with a diamine compound described later to give a polyamic acid (A) having a structural unit represented by the formula (a1). These tetracarboxylic acid dianhydrides may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

Figure pat00004
Figure pat00004

(식(a1-1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이다.)(In the formula (a1-1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms.)

식(a1-1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, 식(a1-1)에서의 2개의 -CO-O-CO-로 나타내는 산무수물기 외에, 1개 또는 복수의 치환기를 가져도 된다.In the formula (a1-1), A is a quaternary organic group having 6 to 50 carbon atoms, and in addition to the two acid anhydride groups represented by -CO-O-CO- in formula (a1-1) And may have a plurality of substituents.

치환기의 바람직한 예로서는 불소 원자, 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알콕시기가 바람직하고, 또한, 식(a1-1)로 표시되는 산무수물기 외에 카르복실기, 카르복실산 에스테르기를 포함하여도 된다.Preferable examples of the substituent include a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a fluorinated alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, , An acid anhydride group represented by the formula (a1-1), a carboxyl group, and a carboxylic acid ester group.

치환기가 불소화 알킬기 또는 불소화 알콕시기인 경우, 퍼플루오르 알킬기 또는 퍼플루오르 알콕시기인 것이 바람직하다.When the substituent is a fluorinated alkyl group or a fluorinated alkoxy group, it is preferably a perfluoroalkyl group or a perfluoroalkoxy group.

이상의 치환기에 대해서는, 후술의 방향족기가 방향환 상에 가져도 되는 1개 또는 복수의 치환기에 대해서도 동일하다고 말할 수 있다.With regard to the above substituents, it can be said that the aromatic group described later is the same for one or a plurality of substituents which may be present on the aromatic ring.

식(a1-1) 중, A는 4가의 유기기이고, 그 탄소 원자수의 하한값은 6이며, 상한값은 50이다.In the formula (a1-1), A is a tetravalent organic group, the lower limit value of the number of carbon atoms is 6, and the upper limit value is 50.

A를 구성하는 탄소 원자수는 8 이상이 보다 바람직하고, 12 이상이 더욱 바람직하다. 또한, A를 구성하는 탄소 원자수는 40 이하가 보다 바람직하고, 30이 더욱 바람직하다. A는 지방족기이어도 방향족기이어도 이들의 구조를 조합한 기이어도 된다. A는 탄소 원자 및 수소 원자 외에 할로겐 원자, 산소 원자, 및 황 원자를 포함하여도 된다. A가 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자를 포함하는 경우, 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자는 함질소 복소환기, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-로부터 선택되는 기로서 A에 포함되어도 되고 -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-로부터 선택되는 기로서 A에 포함되는 것이 보다 바람직하다.The number of carbon atoms constituting A is more preferably 8 or more, and still more preferably 12 or more. The number of carbon atoms constituting A is more preferably 40 or less, and still more preferably 30. A may be an aliphatic group or an aromatic group, or a group combining these structures. A may contain a halogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom in addition to a carbon atom and a hydrogen atom. When A contains an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom may be a nitrogen-containing heterocyclic group, -CONH-, -NH-, -N = N-, , -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and -SS-, which may be included in A or may be -O-, -CO-, -SO -, -SO 2 -, -S-, and -SS-, and is more preferably contained in A.

테트라카르복실산 2무수물은 종래부터 폴리아믹산의 합성 원료로서 사용되는 테트라카르복실산 2무수물로부터 적절히 선택할 수 있다. 테트라카르복실산 2무수물은 지방족 테트라카르복실산 2무수물이어도, 방향족 테트라카르복실산 2무수물이어도 된다.The tetracarboxylic acid dianhydride can be appropriately selected from tetracarboxylic acid dianhydrides conventionally used as a starting material for the synthesis of polyamic acid. The tetracarboxylic acid dianhydride may be an aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride or an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride.

지방족 테트라카르복실산 2무수물로서는 예를 들면, 2,2-비스(3,4-디카르복실)프로판 2무수물, 비스(3,4-디카르복실)메탄 2무수물 등을 들 수 있고, 또한, 지환식 구조를 함유하는 것이어도 된다. 이러한 상기 지환식 구조는 다환식이어도 되고, 다환식의 지환식 구조로서는 예를 들면, 비시클로[2.2.1]헵탄 등의 가교 지환식 구조를 가지는 것 등을 들 수 있고, 예를 들면 가교 지환식 구조가 다른 가교 지환식 구조 및/또는 비(非)가교 지환식 구조와 축합하여도 되고, 가교 지환식 구조가 다른 가교 지환식 구조 및/또는 비가교 지환식 구조와 스피로 결합에 의해 연결하여도 된다. 지방족 테트라카르복실산 2무수물을 이용하는 경우, 수지 조성물을 이용하여 투명성이 우수한 경화물을 얻기 쉬운 경향이 있다.Examples of the aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride include 2,2-bis (3,4-dicarboxyl) propane dianhydride and bis (3,4-dicarboxyl) methane dianhydride. , Or an alicyclic structure. Such alicyclic structure may be polycyclic, and examples of the polycyclic alicyclic structure include those having a bridged alicyclic structure such as bicyclo [2.2.1] heptane and the like, and for example, May be condensed with a crosslinking alicyclic structure and / or a non-crosslinking alicyclic structure having a different structure from that of the crosslinking alicyclic structure and / or with a crosslinking alicyclic structure and / or a non-crosslinkable alicyclic structure . When an aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride is used, there is a tendency that a cured product excellent in transparency tends to be obtained by using a resin composition.

또한, 식(a1-1)에서의 A를 구성하는 지방족기로서는 예를 들면, 이하의 식(a2)으로 표시되는 4가의 기를 채용할 수 있다. 이러한 기를 이용한 경우 투명성이 있는 폴리이미드막을 얻기 쉬운 경향이 있다.As the aliphatic group constituting A in the formula (a1-1), for example, a tetravalent group represented by the following formula (a2) can be adopted. When such a group is used, a polyimide film having transparency tends to be easily obtained.

또한, 식(a2) 중의 n은 원료 화합물의 정제가 용이한 점에서 n은 5 이하가 바람직하고, 3 이하가 보다 바람직하다. 또한, 식(a1)으로 표시되는 구조체를 부여하는 원료 화합물의 화학적 안정성이 우수한 점에서 n은 1 이상이 바람직하고, 2 이상이 보다 바람직하다. Further, n in the formula (a2) is preferably 5 or less, and more preferably 3 or less, since the raw material compound can be easily purified. Further, n is preferably 1 or more, and more preferably 2 or more, from the viewpoint of excellent chemical stability of the raw material compound imparting the structure represented by formula (a1).

식(a2) 중의 n은 2 또는 3이 특히 바람직하다.In the formula (a2), n is particularly preferably 2 or 3.

Figure pat00005
Figure pat00005

(식(a2) 중, Ra11, Ra12, 및 Ra13는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 및 불소 원자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이며, n은 0~12의 정수이다.)(In the formula (a2), R a11 , R a12 and R a13 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a fluorine atom, and n is 0 to 12 It is an integer.)

방향족 테트라카르복실산 2무수물로서는 예를 들면, 피로멜리트산 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실페녹시)벤젠2무수물, 3,3',4,4'-옥시 비스프탈산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2무수물 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic tetracarboxylic acid dianhydride include pyromellitic dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxylphenoxy) benzene dianhydride, 3,3 ', 4,4'-oxybis Phthalic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4 '-Benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, and 3,3', 4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride.

방향족 테트라카르복실산 2무수물로서는 또한, 예를 들면, 하기 일반식 (a1-2)~(a1-4)로 표시되는 것이어도 된다.The aromatic tetracarboxylic acid dianhydride may also be represented by, for example, the following general formulas (a1-2) to (a1-4).

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 식(a1-2) 및 (a1-3)에 있어서, Ra1, Ra2 및 Ra3는 각각, 할로겐으로 치환되어도 되는 지방족기, 산소 원자, 황 원자, 1개 이상의 2가 원소를 개재시킨 방향족기의 어느 것이거나, 또는 그러한 조합에 의해 구성되는 2가의 치환기를 나타낸다. Ra2 및 Ra3는 동일하여도 상이하여도 된다.In the formulas (a1-2) and (a1-3), R a1 , R a2 and R a3 each represent an aliphatic group which may be substituted with halogen, an oxygen atom, a sulfur atom, An aromatic group, or a bivalent substituent constituted by such a combination. R a2 and R a3 may be the same or different.

즉, Ra1, Ra2 및 Ra3는 탄소-탄소의 1중 결합, 탄소-산소-탄소의 에테르 결합 또는 할로겐 원소(불소, 염소, 브롬, 요오드)를 포함하여도 되고, 2,2-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)프로판 2무수물이나 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)테트라클로로벤젠 2무수물, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오르-3,3',4,4',-비페닐테트라카르복실산 2무수물 등을 들 수 있다.That is, R a1 , R a2 and R a3 may contain a carbon-carbon single bond, a carbon-oxygen-carbon ether bond or a halogen element (fluorine, chlorine, bromine, iodine) (3,4-dicarboxylic triflurophenoxy) propane dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxylic triflurophenoxy) benzene dianhydride, 1,4-bis Tetrafluorobenzene dianhydride, 2,2 ', 5,5', 6,6'-hexafluoro-3,3 ', 4,4', -biphenyltetracarboxylic acid dianhydride And the like.

또한, 상기 식(a1-4)에 있어서, Ra4, Ra5는 할로겐으로 치환되어도 되는 지방족기, 1개 이상의 2가 원소를 개재시킨 방향족기, 할로겐의 어느 것이거나, 또는 이들의 조합에 의해 구성되는 1가의 치환기를 나타내고, 각각 동일하여도 상이하여도 되고, 디플루오르피로멜리트산 2무수물, 디클로로피로멜리트산 2무수물 등도 이용할 수 있다.In the formula (a1-4), R a4 and R a5 may be any of an aliphatic group which may be substituted with halogen, an aromatic group which contains at least one divalent element and halogen, or a combination thereof And may be the same or different, and difluoropyromellitic acid dianhydride, dichloropyromellitic acid dianhydride, and the like can also be used.

분자 구조 내에 불소를 함유하는 함불소 폴리이미드를 얻기 위한 테트라카르복실산 2무수물로서는 예를 들면, (트리플루오르메틸)피로멜리트산 2무수물, 디(트리플루오르메틸)피로멜리트산 2무수물, 디(헵타플루오르프로필)피로멜리트산 2무수물, 펜타플루오르에틸피로멜리트산 2무수물, 비스{3,5-디(트리플루오르메틸)페녹시피로멜리트산 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오르프로판 2무수물, 5,5'-비스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실비페닐 2무수물, 2,2',5,5'-테트라키스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실비페닐 2무수물, 5,5'-비스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실디페닐에테르 2무수물, 5,5'-비스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실벤조페논 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}벤젠 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 비스(디카르복실페녹시(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 비스(디카르복실페녹시)비스(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 비스(디카르복실페녹시)테트라키스(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 2,2-비스{4-(3,4-디카르복실페녹시)페닐}헥사플루오르프로판 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}비페닐 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}비스(트리플루오르메틸)비페닐 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}디페닐에테르 2무수물, 비스(디카르복실페녹시)비스(트리플루오르메틸)비페닐 2무수물, 디플루오르피로멜리트산 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시) 테트라플루오르벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)옥타플루오르비페닐 2무수물 등을 들 수 있다.Examples of the tetracarboxylic acid dianhydride for obtaining the fluorine-containing polyimide containing fluorine in the molecular structure include (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, di (trifluoromethyl) pyromellitic dianhydride, di Heptafluoropropyl) pyromellitic dianhydride, pentafluoroethyl pyromellitic dianhydride, bis {3,5-di (trifluoromethyl) phenoxy pyromellitic dianhydride, 2,2-bis Bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxyl biphenyl dianhydride, 2,2', 5,5'-bis (trifluoromethyl) Tetrakis (triphenylmethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxylbiphenyl dianhydride, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,3' (Trifluoromethyl) dicarboxylphenoxy} bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxylbenzophenone dianhydride, bis { Benzene 2 (Dicyanomethyl) benzene dianhydride, bis (dicarboxylphenoxy) bis (dicarboxylic acid) benzene dianhydride, bis (Trifluoromethyl) benzene dianhydride, bis (dicarboxylphenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene dianhydride, 2,2-bis {4- (3,4-dicarboxylphenoxy) phenyl} hexafluoride Propane dianhydride, bis {(trifluoromethyl) dicarboxylphenoxy} biphenyl dianhydride, bis {(trifluoromethyl) dicarboxylphenoxy} bis (trifluoromethyl) biphenyl dianhydride, bis { Bis (dicarboxylphenoxy) bis (trifluoromethyl) biphenyl dianhydride, difluoro pyromellitic acid dianhydride, 1,4-bis (3,3-dihydroxyphenyl) dicarbonylphenoxy} diphenyl ether dianhydride, 4-dicarboxyltrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene dianhydride, 1,4-bis (3,4 -Dicarboxyltrifluorophenoxy) octafluorobiphenyl dianhydride and the like.

테트라카르복실산 2무수물로서는, 얻어지는 막 또는 성형체의 내열성, 인장 신도 및 내약품성 등을 고려한 경우, 방향족 테트라카르복실산 2무수물을 이용하는 것이 바람직하고, 가격, 입수 용이성 등에서, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 및 피로멜리트산 2무수물을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들과 동일한 기본 골격을 가지는 테트라카르복실산의 산염화물, 에스테르화물 등도 이용할 수 있다.As the tetracarboxylic acid dianhydride, it is preferable to use an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride in view of the heat resistance, tensile elongation, chemical resistance, etc. of the obtained film or molded article, and it is preferable to use 3,3 ', 4 , 4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, and pyromellitic dianhydride are preferably used. Acid chlorides, esters and the like of tetracarboxylic acids having the same basic skeleton as these may also be used.

본 실시 형태에 있어서, 테트라카르복실산 2무수물은 디카르복실산 무수물과 병용하여도 된다. 이들 카르복실산 무수물을 병용하면, 얻어지는 폴리이미드 수지 등의 이미드환 함유 폴리머의 특성이 더욱 양호해지는 경우가 있다. 디카르복실산 무수물로서는 예를 들면, 무수 말레산, 무수숙신산, 무수이타콘산, 무수프탈산, 무수테트라히드로프탈산, 무수헥사히드로프탈산, 무수메틸엔도메틸렌테트라히드로프탈산, 무수클로렌딕산, 메틸테트라히드로무수프탈산, 무수글루타르산, cis-4-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.In the present embodiment, the tetracarboxylic acid dianhydride may be used in combination with the dicarboxylic acid anhydride. When these carboxylic acid anhydrides are used in combination, the properties of the resulting imide ring-containing polymer such as a polyimide resin may be better. Examples of the dicarboxylic acid anhydride include maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, chlorenedic acid anhydride, Phthalic anhydride, glutaric anhydride, and cis-4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride.

〔디아민 화합물〕[Diamine compound]

디아민 화합물은 하기 식(a3-1)으로 표시되는 것을 전형적으로 이용할 수 있다. 디아민 화합물은 1종을 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 된다.The diamine compound can be typically used as represented by the following formula (a3-1). The diamine compound may be used singly or in combination of two or more.

H2N-B-NH2…(a3-1) H 2 NB-NH 2 ... (a3-1)

(식(a3-1) 중, B는 2가의 유기기를 나타낸다.)(In the formula (a3-1), B represents a divalent organic group.)

식(a3-1) 중, B는 2가의 유기기이며, 식(a3-1)에서의 2개의 아미노기 외에 1개 또는 복수의 치환기를 가져도 된다.In formula (a3-1), B is a divalent organic group and may have one or more substituents in addition to the two amino groups in formula (a3-1).

치환기의 바람직한 예로서는 불소 원자, 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알콕시기, 수산기가 바람직하다.Preferable examples of the substituent include a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorinated alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms and a hydroxyl group Do.

치환기가 불소화 알킬기 또는 불소화 알콕시기인 경우, 퍼플루오르 알킬기 또는 퍼플루오르 알콕시기인 것이 바람직하다.When the substituent is a fluorinated alkyl group or a fluorinated alkoxy group, it is preferably a perfluoroalkyl group or a perfluoroalkoxy group.

식(a3-1) 중, B로서의 유기기의 탄소 원자수의 하한값은 2가 바람직하고, 6이 보다 바람직하며, 상한값으로서 50이 바람직하고, 30이 보다 바람직하다.In the formula (a3-1), the lower limit of the number of carbon atoms of the organic group as B is preferably 2, more preferably 6, and the upper limit is preferably 50, more preferably 30.

B는 지방족기이어도 되지만, 1 이상의 방향환을 포함하는 유기기인 것이 바람직하다.B may be an aliphatic group, but is preferably an organic group containing at least one aromatic ring.

B가 1 이상의 방향환을 포함하는 유기기인 경우, 상기 유기기는 1개의 방향족기 그 자체이어도 되고, 2 이상의 방향족기가 지방족 탄화수소기 및 할로겐화 지방족 탄화수소기나 산소 원자, 황 원자, 및 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 개재시켜 결합된 기이어도 된다. B에 포함되는 산소 원자, 황 원자, 및 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합으로서는, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-등을 들 수 있고 -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-가 바람직하다.When B is an organic group containing at least one aromatic ring, the organic group may be an aromatic group itself, and two or more aromatic groups may be replaced by an aliphatic hydrocarbon group and a halogenated aliphatic hydrocarbon group, a hetero atom such as an oxygen atom, a sulfur atom, May be combined through a bond including a bond. Examples of the bond containing hetero atom such as oxygen atom, sulfur atom and nitrogen atom included in B include -CONH-, -NH-, -N═N-, -CH═N-, -COO-, -O- , -CO-, -SO-, -SO 2 - , and the like -S-, and -SS-, and -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and - SS- is preferred.

B 중의 아미노기와 결합하는 방향환은 벤젠환인 것이 바람직하다. B중의 아미노기와 결합하는 환이 2 이상의 환을 포함하는 축합환인 경우, 상기 축합환 중의 아미노기와 결합하는 환은 벤젠환인 것이 바람직하다.The aromatic ring bonded to the amino group in B is preferably a benzene ring. When the ring bonding to the amino group in B is a condensed ring containing two or more rings, it is preferable that the ring bonding with the amino group in the condensed ring is a benzene ring.

또한, B에 포함되는 방향환은 방향족 복소환이어도 된다.The aromatic ring included in B may be an aromatic heterocycle.

B가 방향족환을 포함하는 유기기인 경우, 수지 조성물을 이용하여 형성되는 경화물의 내열성의 점에서, 상기 유기기는 하기 식(1)~(4)로 표시되는 기 중 적어도 1종인 것이 바람직하다.When B is an organic group containing an aromatic ring, it is preferable that the organic group is at least one of the groups represented by the following formulas (1) to (4) in view of the heat resistance of the cured product formed using the resin composition.

Figure pat00007
Figure pat00007

(식(1)~(4) 중, R11는 수소 원자, 불소 원자, 수산기, 탄소 원자수 1~4의 알킬기, 및 탄소 원자수 1~4의 할로겐화 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 나타낸다. 식(4) 중, Q는 9,9'-플루오렌일리덴기 또는, 식:(In the formulas (1) to (4), R 11 represents one selected from the group consisting of a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms In the formula (4), Q represents a 9,9'-fluorenylidene group or a group represented by the formula:

-C6H4-, -CONH-C6H4-NHCO-, -NHCO-C6H4-CONH-, -O-C6H4-CO-C6H4-O-, -OCO-C6H4-COO-, -OCO-C6H4-C6H4-COO-, -OCO-, -O-, -S-, -CO-, -CONH-, -SO2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-, -CH2-, -O-C6H4-C(CH3)2-C6H4-O-, -O-C6H4-C(CF3)2-C6H4-O-, -O-C6H4-SO2-C6H4-O-, -C(CH3)2-C6H4-C(CH3)2-, -O-C10H6-O-, -O-C6H4-C6H4-O-, 및-O-C6H4-O-로 나타내는 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 나타낸다.-C 6 H 4 -, -CONH-C 6 H 4 -NHCO-, -NHCO-C 6 H 4 -CONH-, -OC 6 H 4 -CO-C 6 H 4 -O-, -OCO-C 6 H 4 -COO-, -OCO-C 6 H 4 -C 6 H 4 -COO-, -OCO-, -O-, -S-, -CO-, -CONH-, -SO 2 -, -C ( CF 3 ) 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -OC 6 H 4 -C (CH 3 ) 2 -C 6 H 4 -O-, -OC 6 H 4 -C 3 ) 2 -C 6 H 4 -O-, -OC 6 H 4 -SO 2 -C 6 H 4 -O-, -C (CH 3 ) 2 -C 6 H 4 -C (CH 3 ) 2 - A group represented by -OC 10 H 6 -O-, -OC 6 H 4 -C 6 H 4 -O-, and -OC 6 H 4 -O-.

Q의 예시에서의, -C6H4-는 페닐렌기이며, m-페닐렌기 및 p-페닐렌기가 바람직하고, p-페닐렌기가 보다 바람직하다. 또한, -C10H6-는 나프탈렌디일기이며, 나프탈렌-1,2-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 나프탈렌-2,3-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 및 나프탈렌-2,7-디일기가 바람직하고, 나프탈렌-1,4-디일기, 및 나프탈렌-2,6-디일기가 보다 바람직하다.)In the example of Q, -C 6 H 4 - is a phenylene group, and m-phenylene group and p-phenylene group are preferable, and p-phenylene group is more preferable. Further, -C 10 H 6 - is a naphthalene diyl group, and naphthalene-1,2-diyl group, naphthalene-1,4-diyl group, naphthalene-2,3-diyl group, And naphthalene-2,7-diyl group are preferable, and naphthalene-1,4-diyl group and naphthalene-2,6-diyl group are more preferable.

식(1)~(4) 중의 R11로서는 형성되는 경화물의 내열성의 관점에서 수소 원자, 수산기, 불소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 트리플루오르메틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자, 수산기, 또는 트리플루오르메틸기가 특히 바람직하다.R 11 in the formulas (1) to (4) is more preferably a hydrogen atom, a hydroxyl group, a fluorine atom, a methyl group, an ethyl group or a trifluoromethyl group from the viewpoint of heat resistance of a cured product to be formed, a hydrogen atom, a hydroxyl group or a trifluoromethyl group Is particularly preferable.

식(4) 중의 Q로서는 형성되는 경화물의 내열성의 점에서 9,9'-플루오렌일리덴기, -O-C6H4-O-, -C(CF3)2-, -O-, -C(CH3)2-, -CH2-, 또는 -O-C6H4-C(CH3)2-C6H4-O-, -CONH-가 바람직하고, -O-C6H4-O-, -C(CF3)2- 또는 -O-가 특히 바람직하다.Q in the formula (4) is preferably 9,9'-fluorenylidene group, -OC 6 H 4 -O-, -C (CF 3 ) 2 -, -O-, -C CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, or -OC 6 H 4 -C (CH 3 ) 2 -C 6 H 4 -O-, -CONH- is preferable, -OC 6 H 4 -O-, C (CF 3) 2 -, or it is particularly preferably -O-.

식(a3-1)으로 표시되는 디아민 화합물로서 방향족 디아민을 이용하는 경우, 예를 들면, 이하에 나타내는 방향족 디아민을 바람직하게 이용할 수 있다.When an aromatic diamine is used as the diamine compound represented by the formula (a3-1), for example, the following aromatic diamines can be preferably used.

즉, 방향족 디아민으로서는 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오르메틸)비페닐, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오르프로판, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌, 및Examples of the aromatic diamine include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis Trifluormethyl) biphenyl, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 1,4-bis (4-aminophenoxy) Bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- Bis (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 9,9-

4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에탄-1,1-디일)]디아닐린 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 가격, 입수 용이성 등에서, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 및 4,4'-디아미노디페닐에테르가 바람직하다.4,4 '- [1,4-phenylenebis (1-methylethane-1,1-diyl)] dianiline. Of these, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, and 4,4'-diaminodiphenyl ether are preferable in terms of price and availability.

또한, B로서는 쇄상의 지방족기 및/또는 방향족환을 가져도 되는 규소 원자 함유기를 채용할 수 있다. 이러한 규소 원자 함유기로서는 전형적으로는, 이하에 나타내는 기를 이용할 수 있다.As B, a silicon-containing group which may have a chain-like aliphatic group and / or an aromatic ring may be employed. As such a silicon atom-containing group, typically, the following groups can be used.

Figure pat00008
Figure pat00008

또한, 얻어지는 경화물의 기계 특성을 더욱 향상시키는 관점에서 B로서는, 이하의 식(Si-1)로 표시되는 기도 바람직하게 이용할 수 있다.From the viewpoint of further improving the mechanical properties of the resulting cured product, B can be preferably used as the airway represented by the following formula (Si-1).

Figure pat00009
Figure pat00009

(식(Si-1) 중, R12 및 R13는 각각 독립적으로, 단일 결합 또는 메틸렌기, 탄소 원자수 2~20의 알킬렌기, 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬렌기, 또는 탄소 원자수 6~20의 알릴렌기 등이며, R14, R15, R16, 및 R17는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬기, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 탄소 원자수 20 이하의 아미노기를 포함하는 기, -O-R18로 나타내는 기(R18는 탄소 원자수 1~20의 탄화수소기), 탄소 원자수 2~20의 1개 이상의 에폭시기를 포함하는 유기기이며, I는 3~50의 정수이다.)(In the formula (Si-1), R 12 and R 13 each independently represent a single bond or a methylene group, an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, a cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms, And R 14 , R 15 , R 16 and R 17 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, An aryl group having 1 to 20 carbon atoms, an amino group having 20 or less carbon atoms, a group represented by -OR 18 (R 18 is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms), at least one epoxy group having 2 to 20 carbon atoms, And I is an integer from 3 to 50.)

식(Si-1) 중의 R12 및 R13에서의 탄소 원자수 2~20의 알킬렌기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서, 탄소 원자수 2~10의 알킬렌기가 바람직하고, 디메틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있다.The alkylene group having 2 to 20 carbon atoms in R 12 and R 13 in the formula (Si-1) is preferably an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms in terms of heat resistance and residual stress, A trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, and a hexamethylene group.

식(Si-1) 중의 R12 및 R13에서의 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬렌기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬렌기가 바람직하고, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 시클로헵틸렌기 등을 들 수 있다.The cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms in R 12 and R 13 in the formula (Si-1) is preferably a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms in terms of heat resistance and residual stress, , A cyclopentylene group, a cyclohexylene group, and a cycloheptylene group.

식(Si-1) 중의 R12 및 R13에서의 탄소 원자수 6~20의 알릴렌기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 6~20의 방향족기가 바람직하고, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있다.The allylene group having 6 to 20 carbon atoms in R 12 and R 13 in the formula (Si-1) is preferably an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms from the viewpoint of heat resistance and residual stress, and a phenylene group, a naphthylene group And the like.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 1~20의 알킬기로서는, 내열성과 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 1~10의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms in R 14 , R 15 , R 16 , and R 17 in the formula (Si-1) is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in terms of heat resistance and residual stress, Specific examples include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl and hexyl.

식(Si-1) 중의 R13, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.The cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms in R 13 , R 15 , R 16 and R 17 in the formula (Si-1) is preferably a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms in terms of heat resistance and residual stress And specific examples thereof include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 6~20의 아릴기로서는 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 6~12의 아릴기가 바람직하고, 구체적으로는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.The aryl group having 6 to 20 carbon atoms in R 14 , R 15 , R 16 and R 17 in the formula (Si-1) is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms in view of heat resistance and residual stress, Specific examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 20 이하의 아미노기를 포함하는 기로서는 아미노기, 치환한 아미노기(예를 들면, 비스(트리알킬시릴)아미노기) 등을 들 수 있다.Examples of the group containing an amino group having 20 or less carbon atoms in R 14 , R 15 , R 16 and R 17 in the formula (Si-1) include an amino group, a substituted amino group (for example, a bis (trialkylsilyl) ) And the like.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 -O-R18로 나타내는 기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로필옥시기, 부톡시기, 페녹시기, 톨릴옥시기, 나프틸옥시기, 프로페닐옥시기(예를 들면, 아릴옥시기), 및 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다.Examples of the group represented by -OR 18 in R 14 , R 15 , R 16 and R 17 in the formula (Si-1) include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropyloxy, Naphthyloxy group, propenyloxy group (for example, aryloxy group), cyclohexyloxy group, and the like.

그 중에서도, R14, R15, R16, 및 R17로서 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기이다.Among them, R 14 , R 15 , R 16 and R 17 are preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a phenyl group.

식(Si-1)으로 표시되는 기는 양 말단에 아미노기를 가지는 규소 함유 화합물을 산무수물에 대하여 작용시킴으로써 도출할 수 있다. 이러한 규소 함유 화합물의 구체적인 예로서는 양 말단 아미노 변성 메틸페닐실리콘(예를 들면 신에츠 화학 회사 제품의 X-22-1660B-3(수평균 분자량 4,400 정도) 및 X-22-9409(수평균 분자량 1,300 정도)), 양 말단 아미노 변성 디메틸실리콘(예를 들면 신에츠 화학 회사 제품의 X-22-161 A(수평균 분자량 1,600 정도), X-22-161 B(수평균 분자량 3,000 정도) 및 KF8012(수평균 분자량 4,400 정도);도레이 다우코닝사 제품의 BY16-835 U(수평균 분자량 900 정도); 및 JNC사 제품의 사이라프렌 FM3311(수평균 분자량 1000 정도)) 등을 들 수 있다.The group represented by the formula (Si-1) can be derived by reacting a silicon-containing compound having an amino group at both terminals with an acid anhydride. Specific examples of such a silicon-containing compound include amino-modified methylphenyl silicone at both ends (for example, X-22-1660B-3 (number average molecular weight of about 4,400) and X-22-9409 (number average molecular weight of about 1,300) , X-22-161 A (number average molecular weight of about 1,600), X-22-161 B (number average molecular weight of about 3,000) and KF8012 (number average molecular weight of 4,400 BY16-835 U (number average molecular weight of about 900) manufactured by Toray Dow Corning Inc. and Siranaprene FM3311 (number average molecular weight of about 1000) manufactured by JNC).

〔폴리아믹산(A)의 제조 방법〕[Process for producing polyamic acid (A)]

식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)은 전형적으로는, 상술의 식(a1-1)으로 표시되는 테트라카르복실산 2무수물과, 상술의 식(a3-1)으로 표시되는 디아민 화합물을 용제 중에서 반응시켜 얻어지는 폴리머이고, 디아민 화합물 및/또는 테트라카르복실산 2무수물을 각각 1종 또는 2 종류 이상을 이용하여 얻어지는 폴리머이어도 된다. 예를 들면, 디아민 화합물과 2 종류 이상의 테트라카르복실산 2무수물을 포함하는 혼합물을 중축합하여 얻어지는 폴리머이어도 된다. 또한, 폴리아믹산(A)은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.The polyamic acid (A) having the structural unit represented by the formula (a1) is typically prepared by reacting the tetracarboxylic acid dianhydride represented by the above formula (a1-1) with the above-mentioned formula (a3-1) , And a diamine compound and / or a tetracarboxylic acid dianhydride, each of which is obtained by using one or more kinds of diamine compounds and / or tetracarboxylic dianhydrides. For example, a polymer obtained by polycondensation of a mixture containing a diamine compound and two or more kinds of tetracarboxylic dianhydrides may be used. The polyamic acid (A) may be used alone or in admixture of two or more.

폴리아믹산(A)을 합성하는 때의 테트라카르복실산 2무수물 및 디아민 화합물의 사용량은 특히 한정되지 않지만, 테트라카르복실산 2무수물 1몰에 대하여 디아민 화합물을 0.50~1.50몰 이용하는 것이 바람직하고, 0.60~1.30몰 이용하는 것이 보다 바람직하며, 0.70~1.20몰 이용하는 것이 특히 바람직하다.The amount of the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine compound used in the synthesis of the polyamic acid (A) is not particularly limited, but it is preferable to use the diamine compound in an amount of 0.50 to 1.50 moles per mole of the tetracarboxylic acid dianhydride, To 1.30 moles, and particularly preferably 0.70 to 1.20 moles.

또한, 얻어지는 폴리아믹산(A)의 중량 평균 분자량은 그 용도에 맞추어 적절히 설정하면 되지만, 예를 들면 5000 이상이고, 7500 이상이 바람직하며, 10000 이상이 보다 바람직하다. 한편, 얻어지는 폴리아믹산(A)의 중량 평균 분자량은 예를 들면 100,000 이하이고, 80,000 이하가 바람직하며, 75,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight of the polyamic acid (A) to be obtained may be suitably set in accordance with the intended use, but is preferably 5000 or more, preferably 7500 or more, and more preferably 10000 or more. On the other hand, the weight average molecular weight of the obtained polyamic acid (A) is, for example, 100,000 or less, preferably 80,000 or less, more preferably 75,000 or less.

이 중량 평균 분자량은 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물의 배합량이나 용매나 반응 온도 등의 반응 조건을 조정하여 상술의 값으로 하면 된다.The weight average molecular weight may be adjusted to the above values by adjusting reaction conditions such as the amount of the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine compound or the solvent or the reaction temperature.

테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물과의 반응은 통상, 유기 용제 중에서 실시된다. 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물과의 반응에 사용되는 유기 용제는 테트라카르복실산 2산 무수물 및 디아민 화합물을 용해시킬 수 있고, 테트라카르복실산 2무수물 및 디아민 화합물과 반응하지 않는 것이면 특히 한정되지 않는다. 유기 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.The reaction of the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine compound is usually carried out in an organic solvent. The organic solvent used for the reaction of the tetracarboxylic acid dianhydride with the diamine compound is not particularly limited as long as it can dissolve the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine compound and does not react with the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine compound It does not. The organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물과의 반응에 이용하는 유기 용제의 예로서는 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제; 디메틸술폭시드;아세트니트릴;디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디옥산, 및 테트라히드로퓨란 등의 에테르 종류를 들 수 있다.Examples of the organic solvent used in the reaction of the tetracarboxylic acid dianhydride with the diamine compound include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, Nitrogen polar solvents such as formamide, N, N-diethylformamide, N-methylcaprolactam and N, N, N ', N'-tetramethylurea; dimethyl sulfoxide; acetonitrile; diethylene glycol dimethyl Ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, and tetrahydrofuran.

이들 유기 용제 중에서는 생성하는 폴리아믹산(A)이나 폴리이미드 수지의 용해성에서, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제가 바람직하다.Among these organic solvents, the solubility of the polyamic acid (A) or the polyimide resin to be produced is preferably selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, Nitrogen polar solvents such as dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N-methylcaprolactam and N, N, N ', N'-tetramethylurea are preferable.

테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물을 반응시킬 때의 온도는 반응이 양호하게 진행하는 한 특히 한정되지 않는다. 전형적으로는 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물의 반응 온도는 -5~150℃가 바람직하고, 0~120℃가 보다 바람직하며, 0~70℃가 특히 바람직하다. 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물을 반응시키는 시간은 반응 온도에 따라서 상이하지만, 전형적으로는 1~50시간이 바람직하고, 2~40시간이 보다 바람직하며, 5~30시간이 특히 바람직하다.The temperature at which the tetracarboxylic acid dianhydride is reacted with the diamine compound is not particularly limited as long as the reaction proceeds satisfactorily. Typically, the reaction temperature of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound is preferably -5 to 150 ° C, more preferably 0 to 120 ° C, and particularly preferably 0 to 70 ° C. The reaction time of the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine compound varies depending on the reaction temperature, but is typically 1 to 50 hours, preferably 2 to 40 hours, particularly preferably 5 to 30 hours.

이상 설명한 방법에 의하여, 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액이 얻어진다.By the above-described method, a solution containing the polyamic acid (A) is obtained.

제1 태양에 따른 수지 조성물을 조제하는 방법은 특히 한정되지 않지만, 얻어진 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액에 분자 내에-CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O-결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 배합하는 방법이 바람직하다.The method for preparing the resin composition according to the first aspect is not particularly limited, but it is preferable that the solution containing the obtained polyamic acid (A) contains a carbonyloxy compound (B1) having -CO-O- And a basic nitrogen-nitrogen compound (B2) having no CO-O- bond are preferably blended.

상기와 같이 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액을 그대로 수지 조성물의 조제에 이용할 수도 있고, 감압 하에, 폴리아믹산의 폴리이미드 수지로의 변환이 생기지 않는 정도의 저온에서, 폴리아믹산(A)의 용액에서 용제의 적어도 일부를 제거하여 얻어지는, 폴리아믹산의 페이스트 또는 고체를 수지 조성물의 조제에 이용할 수도 있다.As described above, the solution containing the polyamic acid (A) can be used as it is for the preparation of the resin composition as it is, and the solution of the polyamic acid (A) at a low temperature at which the conversion of the polyamic acid into the polyimide resin does not occur, A paste or a solid of polyamic acid obtained by removing at least a part of the solvent from the polyamic acid may be used for preparing the resin composition.

<카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2)><Carbonyloxy compound (B1) and basic nitrogen nitrogen compound (B2)>

수지 조성물은 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다. 카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2)은 각각 폴리아믹산(A)에서의 폴리이미드의 생성을 촉진시키는 성분이다.The resin composition may contain at least one selected from the group consisting of a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO- . The carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen-containing compound (B2) are components that promote the formation of polyimide in the polyamic acid (A), respectively.

이로 인해, 제1 태양에 따른 수지 조성물을 이용하면, 폴리아믹산(A)이 적절한 속도에서 폴리이미드로 변환되고, 형상이 안정된 경화물을 얻기 쉽다.Therefore, when the resin composition according to the first aspect is used, the polyamic acid (A) is converted into the polyimide at an appropriate rate, and a cured product having a stable shape is easily obtained.

카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2) 중 어느 한쪽만을 이용하여도 폴리이미드의 생성을 촉진하는 효과가 얻어지지만, 카르보닐옥시 화합물(B1)과 염기성 함질소 화합물(B2)을 조합하여 수지 조성물에 배합하는 것이, 수지 조성물의 경화성의 점에서 바람직하다.(B1) and the basic nitrogen-containing compound (B2), the effect of promoting the formation of polyimide can be obtained. However, when the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen compound (B2) It is preferable to blend them in the resin composition in view of the curability of the resin composition.

이하, 카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2)에 대하여, 각각 설명한다.Hereinafter, the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen compound (B2) will be respectively described.

〔카르보닐옥시 화합물(B1)〕[Carbonyloxy compound (B1)]

카르보닐옥시 화합물로서는, 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다. 카르보닐옥시 화합물(B1)은 폴리아믹산(A)에서의 탈수에 의한 폐환을 촉진시킴으로써, 수지 조성물의 경화를 양호하게 진행시킨다.The carbonyloxy compound is not particularly limited as long as it is a compound having a -CO-O- bond in the molecule. The carbonyloxy compound (B1) accelerates the ring-opening by dehydration in the polyamic acid (A), thereby favorably accelerating the curing of the resin composition.

카르보닐옥시 화합물(B1)로서는 예를 들면, 카르복실산, 카르복실산 에스테르, 카르복실산 무수물, 카보네이트 등을 들 수 있다.Examples of the carbonyloxy compound (B1) include a carboxylic acid, a carboxylic acid ester, a carboxylic acid anhydride, and a carbonate.

카르보닐옥시 화합물(B1)은 2종 이상을 조합하여 이용하여도 된다.The carbonyloxy compound (B1) may be used in combination of two or more.

(카르복실산)(Carboxylic acid)

카르복실산은 지방족 카르복실산이어도, 방향족 카르복실산이어도 된다. 또한, 카르복실산은 카르복실기를 1개 가지는 1가 카르복실산이어도 되고, 2이상의 카르복실기를 가지는 다가 카르복실산이어도 된다.The carboxylic acid may be an aliphatic carboxylic acid or an aromatic carboxylic acid. The carboxylic acid may be a monovalent carboxylic acid having one carboxyl group or a polyvalent carboxylic acid having two or more carboxyl groups.

또한, 카르복실산의 탄소 원자수는 특히 한정되지 않지만, 1~50이 바람직하고, 1~30이 보다 바람직하다.The number of carbon atoms of the carboxylic acid is not particularly limited, but is preferably 1 to 50, and more preferably 1 to 30.

카르복실산의 바람직한 구체적인 예로서는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 락트산, 아크릴산, 및 메타크릴산 등의 지방족 모노카르복실산;옥살산, 말레인산, 아디핀산, 세바스산, 아젤라산, 푸마르산, 및 이타콘산 등의 지방족 다가카르복실산;벤조산, 살리실산, p-히드록시벤조산, m-히드록시벤조산, o-클로로벤조산, p-클로로벤조산, m-클로로벤조산, o-메틸벤조산, p-메틸벤조산, m-메틸벤조산, 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-디카르복실비페닐, 4,4'-디카르복실디페닐에테르, 및 트리멜리트산 등의 방향족 카르복실산을 들 수 있다.Specific preferred examples of the carboxylic acid include aliphatic monocarboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, lactic acid, acrylic acid and methacrylic acid; Aliphatic polycarboxylic acids such as benzoic acid, salicylic acid, p-hydroxybenzoic acid, m-hydroxybenzoic acid, o-chlorobenzoic acid, p-chlorobenzoic acid Benzoic acid, m-chlorobenzoic acid, o-methylbenzoic acid, p-methylbenzoic acid, m-methylbenzoic acid, terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, 2,6-naphthalene dicarboxylic acid, , 4'-dicarboxylic biphenyl, 4,4'-dicarboxylic diphenyl ether, and trimellitic acid.

또한, 방향족기와 알킬렌기에 결합하는 카르복실기를 가지는 화합물도 카르복실산으로서 바람직하다. 이러한 화합물의 구체예로서는 페닐아세트산, 3-페닐프로피온산, 4-페닐부탄산 등을 들 수 있다.A compound having a carboxyl group bonded to an aromatic group and an alkylene group is also preferable as the carboxylic acid. Specific examples of such a compound include phenylacetic acid, 3-phenylpropionic acid, 4-phenylbutanoic acid, and the like.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 바람직하게 이용되는 카르복실산으로서는 예를 들면, 하기 식(b1-1)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.In the present embodiment, examples of the carboxylic acid preferably used include compounds represented by the following formula (b1-1).

Figure pat00010
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(식(b1-1) 중, Rb0, Rb1 및 Rb2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기 또는 유기기이며, Rb0 및 Rb1의 어느 것은 치환기를 가져도 되는 방향족기 또는 알킬기이다.)(Wherein R b0 , R b1 and R b2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, A phosphono group, a phosphono group, a phosphonato group or an organic group, and any of R b0 and R b1 is an aromatic group or an alkyl group which may have a substituent.

식(b1-1) 중의 유기기로서는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하여도 된다.Examples of the organic group in the formula (b1-1) include an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group and an aralkyl group. The organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group.

또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다. 이 유기기는 통상은 1가이지만, 환상 구조를 형성하는 경우 등에는 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.The organic group may be any of linear, branched and cyclic. This organic group is usually monovalent, but in the case of forming a cyclic structure, it may be a divalent or higher-valent organic group.

유기기에 포함되는 결합은 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특히 한정되지 않고, 유기기는 산소 원자, 질소 원자, 규소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 포함하여도 된다. 헤테로 원자를 포함하는 결합의 구체예로서는 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있다.The bond included in the organic group is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and the organic group may include a bond including a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a silicon atom. Specific examples of the bond including a hetero atom include an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, an imino bond (-N═C (= NR) -: R represents a hydrogen atom or an organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, a sulfinyl bond, and an azo bond.

유기기가 가져도 되는 헤테로 원자를 포함하는 결합으로서는 식(b1-1)으로 표시되는 화합물의 내열성의 관점에서 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합이 바람직하다.From the viewpoint of the heat resistance of the compound represented by the formula (b1-1), the bond containing the hetero atom which the organic group may have is preferably an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, A bond, an imino bond (-N═C (-R) -, -C (═NR) -: R represents a hydrogen atom or a monovalent organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond or a sulfinyl bond.

Rb0, Rb1 및 Rb2의 구체예로서는 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 시릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 티오카르바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카르복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 술피노기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포나토기, 알킬에테르기, 알케닐에테르기, 알킬티오에테르기, 알케닐티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 포함되는 수소 원자는 탄화수소기에 의해 치환되어도 된다. 또한, 상기 치환기에 포함되는 탄화수소기는 직쇄상, 분기쇄상, 및 환상의 어느 것이어도 된다.Specific examples of R b0 , R b1 and R b2 include a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyanato group, a cyanate group, an isocyanate group, a thiocyanate group, an isothiocyanate group, , A silanol group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl group, a thiocarbamoyl group, a nitro group, a nitroso group, a carboxylate group, an acyl group, an acyloxy group, a sulfino group, a sulfonate group, An alkyl ether group, an alkenyl ether group, an alkylthioether group, an alkenylthioether group, an arylether group, and an arylthioether group. The hydrogen atom contained in the substituent may be substituted by a hydrocarbon group. The hydrocarbon group contained in the substituent may be any of straight chain, branched chain and cyclic.

식(b1-1) 중, Rb0 및 Rb1의 어느 것은, 치환기를 가져도 되는 방향족기, 또는 알킬기이다. 식(b1-1) 중, Rb0 및 Rb1 중 어느 것이 알킬기인 경우, 상기 알킬기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 된다. 상기 알킬기의 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~15가 보다 바람직하며, 1~10이 특히 바람직하고, 1~6이 더욱 바람직하며, 1~4가 가장 바람직하다. In formula (b1-1), any of R b0 and R b1 is an aromatic group or an alkyl group which may have a substituent. In formula (b1-1), R b0 and R b1 Is an alkyl group, the alkyl group may be straight chain or branched chain. The number of carbon atoms in the alkyl group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, particularly preferably from 1 to 10, even more preferably from 1 to 6, most preferably from 1 to 4.

Rb2가 알킬기인 경우도 있으며, 이 경우의 알킬기는 상기와 동일한 기가 바람직하다.In some cases, R b2 is an alkyl group, and the alkyl group in this case is preferably the same group as described above.

식(b1-1) 중, Rb0 및 Rb1 중 어느 것이 치환기를 가져도 되는 방향족기인 경우, 상기 방향족기가 가져도 되는 치환기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않는다. 상기 치환기의 바람직한 예로서는 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포나토기 또는 유기기를 들 수 있다.In formula (b1-1), R b0 and R b1 Is an aromatic group which may have a substituent, the kind of the substituent which the aromatic group may have is not particularly limited within the range not hindering the object of the present invention. Preferred examples of the substituent include halogen atoms, hydroxyl groups, mercapto groups, sulfide groups, silyl groups, silanol groups, nitro groups, nitroso groups, sulfonate groups, .

식(b1-1)에 있어서, Rb0 및 Rb1중 어느 것이 치환기를 가져도 되는 방향족기인 경우, 방향족기는 방향족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 복소환기이어도 되며, 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 방향족기의 바람직한 예로서는 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 안트릴기, 및 펜안트릴기를 들 수 있다. 이들 방향족기 중에서는 페닐기가 바람직하다.In the formula (b1-1), when any of R b0 and R b1 is an aromatic group which may have a substituent, the aromatic group may be an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, or an aromatic hydrocarbon group. Preferable examples of the aromatic group include a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Among these aromatic groups, a phenyl group is preferable.

Rb2가 치환기를 가져도 되는 방향족기인 경우도 있고, 이 경우의 치환기를 가져도 되는 방향족기는 상기와 동일한 기가 바람직하다.R b2 may be an aromatic group which may have a substituent, and in this case, the aromatic group which may have a substituent is preferably the same group as described above.

방향족기가 가져도 되는 치환기의 구체예는 Rb0, Rb1 및 Rb2의 구체예와 동일하다.Specific examples of the substituent which the aromatic group may have are the same as the specific examples of R b0 , R b1 and R b2 .

식(b1-1)으로 표시되는 화합물 중에서도 바람직한 화합물로서는 하기 식(b1-2)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Among the compounds represented by the formula (b1-1), preferred compounds include the compounds represented by the following formula (b1-2).

Figure pat00011
Figure pat00011

(식(b1-2) 중, Rb1 및 Rb2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 아미노기, 암모니오기, 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다.)(Wherein R b1 and R b2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, R b3 , R b4 , R b5 , R b6 and R b7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a halogen atom, a cyano group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, A silyl group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, R b3 , R b4 , R b5 , R b6 and R b7 may combine with each other to form a cyclic structure or may contain a bond of a heteroatom .)

Rb1 및 Rb2에서의 유기기는 식(b1-1)에 대하여 설명한 유기기와 동일하다.The organic groups in R b1 and R b2 are the same as the organic groups described for the formula (b1-1).

이상 중에서도, 식(b1-2)에서의 Rb1 및 Rb2로서는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소 원자수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소 원자수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자수 2~11의 아미드기, 탄소 원자수 1~10의 알킬티오기, 탄소 원자수 1~10의 아실기, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 Rb1 및 Rb2의 양쪽이 수소 원자이거나 또는 Rb1이 메틸기이고, Rb2가 수소 원자이다.Among them, R b1 and R b2 in the formula (b1-2) each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms An aryloxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group, a carbon An alkoxy group having 1 to 10 atoms, an amide group having 2 to 11 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, It is preferable that the electron-donating group and / or the electron-withdrawing group is substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an electron donating group and / or a benzyl group substituted with an electron-withdrawing group, a cyano group or a methylthio group. More preferably, both R b1 and R b2 are hydrogen atoms, or R b1 is a methyl group and R b2 is a hydrogen atom.

Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7에서의 유기기로서는 Rb1 및 Rb2에 대하여 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 Rb1 및 Rb2의 경우와 같이, 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하여도 된다. 또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다.Examples of the organic groups in R b3 , R b4 , R b5 , R b6 and R b7 include those exemplified for R b1 and R b2 . The organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group as in the case of R b1 and R b2 . The organic group may be any of linear, branched and cyclic.

Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다. 환상 구조로서는 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있고, 축합환이어도 된다. 예를 들면, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하고, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유하여 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성하여도 된다.R b3 , R b4 , R b5 , R b6 and R b7 may combine with each other to form a cyclic structure or may contain a heteroatom bond. Examples of the cyclic structure include a heterocycloalkyl group and a heteroaryl group, and condensed rings may be used. For example, R b3, R b4, R b5, R b6, and R b7 have the benzene ring atoms that are combined these two or more and, R b3, R b4, R b5, R b6, and R b7 are combined To form a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, or indene.

이상 중에서도, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7로서는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소 원자수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소 원자수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자수 2~11의 아미드기, 탄소 원자수 1~10의 알킬티오기, 탄소 원자수 1~10의 아실기, 탄소 원자수 2~11의 에스테르기, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기, 니트로기인 것이 바람직하다.R b3 , R b4 , R b5 , R b6 and R b7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms An aryloxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 11 carbon atoms and a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group , An alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an amide group having 2 to 11 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an ester having 2 to 11 carbon atoms An aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an electron-donating group and / or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an electron-withdrawing group, a benzyl group substituted with an electron-donating group and / Anthio group, a methylthio group, and a nitro group.

또한, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7로서는 이들의 2 이상이 결합하여, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유하여 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성하고 있는 경우도 바람직하다.In addition, R b3, R b4, R b5, R b6, and R b7 As to the combination of these 2 or more, R b3, R b4, R b5, R b6, and R b7 share a benzene ring atom bonded To form a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, or indene.

상기 식(b1-2)으로 표시되는 화합물 중에서는 하기 식(b1-3)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.Among the compounds represented by the above formula (b1-2), the compounds represented by the following formula (b1-3) are preferable.

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Figure pat00012

(식(b1-3) 중, Rb1~Rb6는 식(b1-2)과 동일한 의미이다. Rb8는 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. Rb3 및 Rb4는 수산기가 되지는 않는다. Rb3, Rb4, Rb5, 및 Rb6는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다.)(B1-3), R b1 to R b6 have the same meanings as in formula (b1-2), R b8 represents a hydrogen atom or an organic group, R b3 and R b4 do not represent a hydroxyl group, R b3 , R b4 , R b5 and R b6 may combine with each other to form a cyclic structure or may contain a bond of a hetero atom.)

식(b1-3)으로 표시되는 화합물은 치환기 -O-Rb8를 가지기 때문에 수지 조성물 중에 균일하게 분산 또는 용해하기 쉽다.The compound represented by the formula (b1-3) has a substituent -OR b8 and is therefore likely to be uniformly dispersed or dissolved in the resin composition.

식(b1-3)에 있어서, Rb8는 수소 원자 또는 유기기이다. Rb8가 유기기인 경우, 유기기로서는 Rb1 및 Rb2에서 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자를 포함하여도 된다. 또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다. Rb8로서는 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1~12의 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다.In formula (b1-3), R b8 is a hydrogen atom or an organic group. When R b8 is an organic group, examples of the organic group include those exemplified as R b1 and R b2 . The organic group may contain a hetero atom in the organic group. The organic group may be any of linear, branched and cyclic. As R b8, a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is preferable, and a methyl group is more preferable.

식(b1-1)으로 표시되는 화합물 중 특히 바람직한 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.Specific examples of particularly preferable compounds among the compounds represented by the formula (b1-1) are shown below.

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Figure pat00013

(카르복실산 에스테르)(Carboxylic acid ester)

카르복실산 에스테르는 에스테르 결합을 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다. 카르복실산 에스테르는 방향족기를 가져도 된다.The carboxylic acid ester is not particularly limited as long as it is a compound having an ester bond. The carboxylic acid ester may have an aromatic group.

카르복실산 에스테르로서는 예를 들면, 전술의 카르복실산의 C1-C10 알킬 에스테르, C3-C10 시클로알킬에스테르, 페닐에스테르, C6-C10의 알킬페닐에스테르, C7-C10의 알콕시페닐에스테르, 나프틸에스테르, C7-C10의 아랄킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid ester include C 1 -C 10 alkyl esters of the aforementioned carboxylic acids, C 3 -C 10 cycloalkyl esters, phenyl esters, C 6 -C 10 alkylphenyl esters, C 7 -C 10 Naphthyl esters, C 7 -C 10 aralkyl esters, and the like.

카르복실산 에스테르가 다가 카르복실산의 에스테르인 경우, 카르복실산 에스테르는 에스테르 결합과 함께 카르복실기를 가져도 된다. 예를 들면, 테레프탈산 모노메틸 에스테르 등도 카르복실산 에스테르이다.When the carboxylic acid ester is an ester of a polycarboxylic acid, the carboxylic acid ester may have a carboxyl group together with an ester bond. For example, terephthalic acid monomethyl ester and the like are also carboxylic acid esters.

카르복실산 에스테르의 바람직한 구체예로서는 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산n-프로필, 포름산이소프로필, 포름산n-부틸, 포름산이소부틸, 포름산sec-부틸, 포름산tert-부틸, 포름산n-펜틸, 포름산n-헥실, 포름산n-헵틸, 포름산n-옥틸, 포름산시클로프로필, 포름산시클로부틸, 포름산시클로펜틸, 포름산시클로헥실, 포름산시클로헵틸, 포름산시클로옥틸, 포름산페닐, 포름산o-톨릴, 포름산m-톨릴, 포름산p-톨릴, 포름산α-나프틸, 포름산β-나프틸, 포름산벤질, 및 포름산페네틸 등의 포름산에스테르;아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 뷰티르산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산sec-부틸, 아세트산tert-부틸, 아세트산n-펜틸, 아세트산n-헥실, 아세트산n-헵틸, 아세트산n-옥틸, 아세트산시클로프로필, 아세트산시클로부틸, 아세트산시클로펜틸, 아세트산시클로헥실, 아세트산시클로헵틸, 아세트산시클로옥틸, 아세트산페닐, 아세트산o-톨릴, 아세트산m-톨릴, 아세트산p-톨릴, 아세트산α-나프틸, 아세트산β-나프틸, 아세트산벤질, 및 아세트산페네틸 등의 아세트산에스테르;프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 프로피온산sec-부틸, 프로피온산tert-부틸, 프로피온산n-펜틸, 프로피온산n-헥실, 프로피온산n-헵틸, 프로피온산n-옥틸, 프로피온산시클로프로필, 프로피온산시클로부틸, 프로피온산시클로펜틸, 프로피온산시클로헥실, 프로피온산시클로헵틸, 프로피온산시클로옥틸, 프로피온산페닐, 프로피온산o-톨릴, 프로피온산m-톨릴, 프로피온산p-톨릴, 프로피온산α-나프틸, 프로피온산β-나프틸, 프로피온산벤질, 및 프로피온산페네틸 등의 프로피온산에스테르;아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산n-프로필, 아크릴산이소프로필, 아크릴산n-부틸, 아크릴산이소부틸, 아크릴산sec-부틸, 아크릴산tert-부틸, 아크릴산n-펜틸, 아크릴산n-헥실, 아크릴n-헵틸, 아크릴산n-옥틸, 아크릴산시클로프로필, 아크릴산시클로부틸, 아크릴산시클로펜틸, 아크릴산시클로헥실, 아크릴산시클로헵틸, 아크릴산시클로옥틸, 아크릴산페닐, 아크릴산o-톨릴, 아크릴산m-톨릴, 아크릴산p-톨릴, 아크릴산α-나프틸, 아크릴산β-나프틸, 아크릴산벤질, 및 아크릴산페네틸 등의 아크릴산에스테르;메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산n-프로필, 메타크릴산이소프로필, 메타크릴산n-부틸, 메타크릴산이소부틸, 메타크릴산sec-부틸, 메타크릴산tert-부틸, 메타크릴산n-펜틸, 메타크릴산n-헥실, 메타크릴산n-헵틸, 메타크릴산n-옥틸, 메타크릴산시클로프로필, 메타크릴산시클로부틸, 메타크릴산시클로펜틸, 메타크릴산시클로헥실, 메타크릴산시클로헵틸, 메타크릴산시클로옥틸, 메타크릴산페닐, 메타크릴산o-톨릴, 메타크릴산m-톨릴, 메타크릴산p-톨릴, 메타크릴산α-나프틸, 메타크릴산β-나프틸, 메타크릴산벤질, 및 메타크릴산페네틸 등의 메타크릴산에스테르;벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산n-프로필, 벤조산이소프로필, 벤조산n-부틸, 벤조산이소부틸, 벤조산sec-부틸, 벤조산tert-부틸, 벤조산n-펜틸, 벤조산n-헥실, 벤조산n-헵틸, 벤조산n-옥틸, 벤조산시클로프로필, 벤조산시클로부틸, 벤조산시클로펜틸, 벤조산시클로헥실, 벤조산시클로헵틸, 벤조산시클로옥틸, 벤조산페닐, 벤조산o-톨릴, 벤조산m-톨릴, 벤조산p-톨릴, 벤조산α-나프틸, 벤조산β-나프틸, 벤조산벤질, 및 벤조산페네틸 등의 벤조산에스테르;테레프탈산디메틸, 테레프탈산디에틸, 테레프탈산디n-프로필, 테레프탈산디이소프로필, 테레프탈산디n-부틸, 테레프탈산디이소부틸, 테레프탈산디sec-부틸, 테레프탈산디tert-부틸, 테레프탈산디n-펜틸, 테레프탈산디n-헥실, 테레프탈산디n-헵틸, 테레프탈산디n-옥틸, 테레프탈산디시클로프로필, 테레프탈산디시클로부틸, 테레프탈산디시클로펜틸, 테레프탈산디시클로헥실, 테레프탈산디시클로헵틸, 테레프탈산디시클로옥틸, 테레프탈산디페닐, 테레프탈산디o-톨릴, 테레프탈산디m-톨릴, 테레프탈산디p-톨릴, 테레프탈산디α-나프틸, 테레프탈산디β-나프틸, 테레프탈산디벤질, 및 테레프탈산디페네틸 등의 테레프탈산디에스테르;에틸렌글리콜모노아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로피오네이트, 에틸렌글리콜모노부타노에이트, 에틸렌글리콜모노펜타노에이트, 에틸렌글리콜모노벤조에이트, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜디프로피오네이트, 에틸렌글리콜디부타노에이트, 에틸렌글리콜디펜타노에이트, 및 에틸렌글리콜디벤조에이트 등의 에틸렌글리콜에스테르;디에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로피오네이트, 디에틸렌글리콜모노부타노에이트, 디에틸렌글리콜모노펜타노에이트, 디에틸렌글리콜모노벤조에이트, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜디프로피오네이트, 디에틸렌글리콜디부타노에이트, 디에틸렌글리콜디펜타노에이트, 및 디에틸렌글리콜디벤조에이트 등의 디에틸렌글리콜에스테르;프로필렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부타노에이트, 프로필렌글리콜모노펜타노에이트, 프로필렌글리콜모노벤조에이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜디프로피오네이트, 프로필렌글리콜디부타노에이트, 프로필렌글리콜디펜타노에이트, 및 프로필렌글리콜디벤조에이트 등의 프로필렌글리콜에스테르;디프로필렌글리콜모노아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로피오네이트, 디프로필렌글리콜모노부타노에이트, 디프로필렌글리콜모노펜타노에이트, 디프로필렌글리콜모노벤조에이트, 디프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜디프로피오네이트, 디프로필렌글리콜디부타노에이트, 디프로필렌글리콜디펜타노에이트, 및 디프로필렌글리콜디벤조에이트 등의 디프로필렌글리콜에스테르;를 들 수 있다.Specific preferred examples of the carboxylic acid ester include methyl formate, ethyl formate, n-propyl formate, isopropyl formate, n-butyl formate, isobutyl formate, sec-butyl formate, tert-butyl formate, n- N-heptyl formate, n-octyl formate, cyclopropyl formate, cyclobutyl formate, cyclopentyl formate, cyclohexyl formate, cycloheptyl formate, cyclooctyl formate, phenyl formate, o-tolyl formate, m-tolyl formate, formic acid formic acid esters such as p-tolyl, α-naphthyl formate, β-naphthyl formate, benzyl formate and phenethyl formate; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, Butyl acetate, n-pentyl acetate, n-hexyl acetate, n-heptyl acetate, n-octyl acetate, cyclopropyl acetate, cyclobutyl acetate, acetic acid Cyclohexyl acetate, cyclooctyl acetate, phenyl acetate, o-tolyl acetate, m-tolyl acetate, p-tolyl acetate,? -Naphthyl acetic acid,? -Naphthyl acetate, benzyl acetate, Butyl acetate, tert-butyl propionate, n-pentyl propionate, n-propyl propionate, n-butyl acetate, n-butyl acetate, isopropyl Hexyl, n-heptyl propionate, n-octyl propionate, cyclopropyl propionate, cyclobutyl propionate, cyclopentyl propionate, cyclohexyl propionate, cycloheptyl propionate, cyclooctyl propionate, phenyl propionate, o-tolyl propionate, P-tolyl propionate,? -Naphthyl propionate,? -Naphthyl propionate, Ethyl propionate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, sec-butyl acrylate, tert-butyl acrylate, n-butyl acrylate, n-butyl methacrylate, N-hexyl acrylate, n-heptyl acrylate, n-octyl acrylate, cyclopropyl acrylate, cyclohexyl acrylate, cyclopentyl acrylate, cyclohexyl acrylate, cyclohexyl acrylate, cycloheptyl acrylate, cyclooctyl acrylate, phenyl acrylate, Acrylic esters such as m-tolyl acrylate, p-tolyl acrylate,? -Naphthyl acrylate,? -Naphthyl acrylate, benzyl acrylate, and phenethyl acrylate; methacrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, , Isopropyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, n-pentyl methacrylate, Octyl methacrylate, cyclopropyl methacrylate, cyclobutyl methacrylate, cyclopentyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, cycloheptyl methacrylate, n-hexyl methacrylate, n-heptyl methacrylate, n-heptyl methacrylate, , Cyclooctyl methacrylate, phenyl methacrylate, o-tolyl methacrylate, m-tolyl methacrylate, p-tolyl methacrylate,? -Naphthyl methacrylate,? -Naphthyl methacrylate, Propyl benzoate, isopropyl benzoate, n-butyl benzoate, isobutyl benzoate, sec-butyl benzoate, tert-butyl benzoate, benzoyl peroxide, N-pentyl benzoate, n-heptyl benzoate, n-heptyl benzoate, n-octyl benzoate, cyclopropyl benzoate, cyclobutyl benzoate, cyclopentyl benzoate, cyclohexyl benzoate, cycloheptyl benzoate, cyclooctyl benzoate, phenyl benzoate, Tolyl, benzoic acid m-tolyl, benzoic acid p-tolyl, benzoic acid &lt; RTI ID = Benzoic acid esters such as naphthyl,? -Naphthyl benzoate, benzoyl benzoate, and phenethyl benzoate; esters such as dimethyl terephthalate, diethyl terephthalate, di-terephthalate, diisopropyl terephthalate, diisobutyl terephthalate, Terephthalic acid di-sec-butyl terephthalate, di-tert-butyl terephthalate, di-n-pentyl terephthalate, dihexyl terephthalate, di-n-heptyl terephthalate, di-n-octyl terephthalate, dicyclopropyl terephthalate, dicyclopentyl terephthalate Terephthalic acid dicyclohexyl, terephthalic acid dicycloheptyl, terephthalic acid dicyclooctyl, terephthalic acid diphenyl, terephthalic acid di-tolyl, terephthalic acid di-m-tolyl, terephthalic acid di-p- tolyl, terephthalic acid di-naphthyl, terephthalic acid di- Terephthalic acid dibenzyl, terephthalic acid dibenzyl, and terephthalic acid diphenetyl; terephthalic acid diesters such as ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol Ethylene glycol monopentanoate, ethylene glycol monobenzoate, ethylene glycol diacetate, ethylene glycol dipropionate, ethylene glycol dibutanoate, ethylene glycol dipentanoate, ethylene glycol monopentanoate, ethylene glycol monopentanoate, ethylene glycol monopentanoate, , And ethylene glycol dibenzoate; polyhydric alcohols such as diethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monopropionate, diethylene glycol monobutanoate, diethylene glycol monopentanoate, diethylene glycol monobenzoate, Diethylene glycol esters such as diethylene glycol diacetate, diethylene glycol dipropionate, diethylene glycol dibutanoate, diethylene glycol dipentanoate, and diethylene glycol dibenzoate, propylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, Glycol monopropionate, pro Propylene glycol monopentanoate, propylene glycol monobenzoate, propylene glycol diacetate, propylene glycol dipropionate, propylene glycol dibutanoate, propylene glycol dipentanoate, and propylene glycol di Propylene glycol esters such as benzoate, dipropylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monopropionate, dipropylene glycol monobutanoate, dipropylene glycol monopentanoate, dipropylene glycol monobenzoate, dipropylene glycol diacetate , Dipropylene glycol esters such as dipropylene glycol dipropionate, dipropylene glycol dibutanoate, dipropylene glycol dipentanoate, and dipropylene glycol dibenzoate.

또한, 전술의 식(b1-1)으로 표시되는 카르복실산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, n-프로필에스테르, 이소프로필에스테르, n-부틸에스테르, 이소부틸에스테르, sec-부틸에스테르, tert-부틸에스테르, n-펜틸에스테르, n-헥실에스테르, n-헵틸에스테르, n-옥틸에스테르, 시클로프로필에스테르, 시클로부틸에스테르, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르, 시클로헵틸에스테르, 시클로옥틸에스테르, 페닐에스테르, o-톨릴에스테르, m-톨릴에스테르, p-톨릴에스테르, α-나프틸에스테르, β-나프틸에스테르, 벤질에스테르, 및 페네틸에스테르도, 카르복실산에스테르로서 바람직하다.In addition, the methyl ester, ethyl ester, n-propyl ester, isopropyl ester, n-butyl ester, isobutyl ester, sec-butyl ester and tert-butyl ester of the carboxylic acid represented by the above-mentioned formula (b1-1) , n-pentyl ester, n-hexyl ester, n-heptyl ester, n-octyl ester, cyclopropyl ester, cyclobutyl ester, cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, cycloheptyl ester, cyclooctyl ester, Tolyl esters, m-tolyl esters, p-tolyl esters,? -Naphthyl esters,? -Naphthyl esters, benzyl esters and phenethyl esters are also preferred as carboxylic acid esters.

(카르복실산 무수물)(Carboxylic acid anhydride)

카르복실산 무수물은 카르복실산 무수물기(-CO-O-CO-)를 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다.The carboxylic acid anhydride is not particularly limited as long as it is a compound having a carboxylic acid anhydride group (-CO-O-CO-).

카르복실산 무수물의 바람직한 예로서는 무수아세트산, 프로피온산 무수물, 부탄산 무수물, 벤조산 무수물, 프탈산 무수물, 나프탈산 무수물, 숙신산 무수물, 헤트산 무수물, 하이믹산 무수물, 말레인산 무수물, 테트라히드로프탈산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 테트라브로모프탈산 무수물, 테트라클로로프탈산 무수물, 트리멜리트산 무수물, 피로멜리트 산무수물, 벤조페논 테트라카르복실산 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카르복실산 2무수물, 및 5-(2,5-옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로 헥센-1,2-디카르복실산 무수물, 및 스티렌 무수 말레산 공중합체 등을 들 수 있다.Preferred examples of the carboxylic acid anhydride include carboxylic anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, butanoic anhydride, benzoic anhydride, phthalic anhydride, naphthalic anhydride, succinic anhydride, hic acid anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride , Tetrabromophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, and 5- (2,5-oxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, and styrene maleic anhydride copolymer.

(카보네이트)(Carbonate)

카보네이트는 카보네이트 결합(-O-CO-O-)을 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다. 카보네이트는 디메틸 카보네이트와 같은 쇄상 카보네이트이어도, 에틸렌 카보네이트와 같은 환상 카보네이트이어도 된다.The carbonate is not particularly limited as long as it is a compound having a carbonate bond (-O-CO-O-). The carbonate may be a chain carbonate such as dimethyl carbonate or a cyclic carbonate such as ethylene carbonate.

카보네이트 화합물의 바람직한 구체예로서는, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디n-프로필카보네이트, 디이소프로필 카보네이트, 디페닐카보네이트, 에틸렌카보네이트, 및 프로필렌카보네이트 등을 들 수 있다.Specific preferred examples of the carbonate compound include dimethyl carbonate, diethyl carbonate, di-n-propyl carbonate, diisopropyl carbonate, diphenyl carbonate, ethylene carbonate, and propylene carbonate.

이상에서 설명한 카르보닐옥시 화합물(B1) 중에서는, 하기 식(b1):Among the carbonyloxy compounds (B1) described above, the following formula (b1):

Figure pat00014
Figure pat00014

(식(b1) 중, Rb0는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 방향족기이고, Rb9는 수소 원자 또는 알킬기이다.)(In the formula (b1), R b0 is an alkyl group or an aromatic group which may have a substituent, and R b9 is a hydrogen atom or an alkyl group.)

로 표시되는 화합물이 특히 바람직하다.Are particularly preferable.

Rb9가 알킬기인 경우, 상기 알킬기는 상술한 식(b1-1)에서의 Rb0의 알킬기와 동일하다.When R b9 is an alkyl group, the alkyl group is the same as the alkyl group of R b0 in the above-mentioned formula (b1-1).

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 폴리아믹산(A)을 적절한 속도로 폴리이미드로 변환할 수 있는 점에서, Rb9가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.In the present embodiment, it is particularly preferable that R b9 is a hydrogen atom in that the polyamic acid (A) can be converted into polyimide at an appropriate rate.

〔염기성 함질소 화합물(B2)〕[Basic nitrogen-containing compound (B2)]

염기성 함질소 화합물(B2)은 질소 원자를 포함하고, 브뢴스테드의 정의에서의 염기성을 나타내는 화합물이면 특히 한정되지 않는다.The basic nitrogen-containing compound (B2) is not particularly limited as long as it contains a nitrogen atom and exhibits a basicity in the definition of Bronsted.

염기성 함질소 화합물(B2)로서는 예를 들면, 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, 이소부틸아민, n-부틸아민, n-펜틸아민, n-헥실아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디n-프로필아민, 디이소프로필 아민, 디이소부틸아민, 디n-부틸아민, 디n-펜틸아민, 디n-헥실아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리이소부틸아민, 트리n-부틸아민, 트리n-펜틸아민, 트리n-헥실아민, 아닐린, o-톨루이딘, m-톨루이딘, p-톨루이딘, α-나프틸아민, β-나프틸아민, 및 o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민 등의 비환식 아민류를 들 수 있다.Examples of the basic nitrogen compound (B2) include ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, isobutylamine, n-butylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, , Diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine, diisobutylamine, di-n-butylamine, di-n-pentylamine, dihexylamine, trimethylamine, And examples thereof include an amine, triisopropylamine, triisobutylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, aniline, o-toluidine, m-toluidine, naphthylamine, and acyclic amines such as o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, and the like.

또한, 구아니딘, 아미노피리딘, 아미노알킬피리딘, 아미노피롤리딘, 인다졸, 이미다졸, 피라졸, 피라진, 피리미딘, 퓨린, 이미다졸린, 피라졸린, 피페라진, 아미노몰포린, 및 아미노알킬몰포린 등도, 염기성 함질소 화합물(B2)로서 바람직하다.In addition, it is also possible to use an aminopyridine compound such as guanidine, aminopyridine, aminoalkylpyridine, aminopyrrolidine, indazole, imidazole, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, purine, imidazoline, pyrazoline, And the like are also preferable as the basic nitrogen-containing compound (B2).

이들은 치환기를 가지고 있어도 되고, 바람직한 치환기로서는 아미노기, 아미노알킬기, 알킬아미노기, 아미노아릴기, 아릴아미노기, 알킬기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 니트로기, 수산기, 시아노기 등을 들 수 있다.These substituents may have a substituent and preferable substituents include amino, aminoalkyl, alkylamino, aminoaryl, arylamino, alkyl, alkoxy, acyl, acyloxy, aryl, aryloxy, nitro, Anger, and the like.

특히 바람직한 유기 염기성 화합물(B2)로서 구아니딘, 1,1-디메틸구아니딘, 1,1,3,3,-테트라메틸구아니딘, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, N-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4,5-디페닐이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 2-아미노피리딘, 3-아미노피리딘, 4-아미노피리딘, 2-디메틸아미노 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 2-디에틸아미노피리딘, 2-(아미노메틸)피리딘, 2-아미노-3-메틸피리딘, 2-아미노-4-메틸피리딘, 2-아미노-5-메틸피리딘, 2-아미노-6-메틸피리딘, 3-아미노에틸피리딘, 4-아미노에틸피리딘, 3-아미노피롤리딘, 피페라진, N-(2-아미노에틸)피페라진, N-(2-아미노에틸) 피페리딘, 4-아미노-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-피페리디노피페리딘, 2-이미노피페리딘, 1-(2-아미노에틸) 피롤리딘, 피라졸, 3-아미노-5-메틸 피라졸, 5-아미노-3-메틸-1-p-톨릴 피라졸, 피라진, 2-(아미노메틸)-5-메틸피라진, 피리미딘, 2,4-디아미노피리미딘, 4,6-디히드록시피리미딘, 2-피라졸린, 3-피라졸린, N-아미노몰포린, N-(2-아미노에틸) 몰포린, 및 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Particularly preferred organic basic compounds (B2) are guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4- Aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-aminopyridine, 2-aminopyridine, 2-phenylimidazole, Amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2- Aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethylpiperidine, Aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, , Pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2- pyrazoline, 3- Morpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine, and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene.

이상에서, 염기성 함질소 화합물(B2)에 대하여 설명하였으나, 염기성 함질소 화합물(B2) 중에서는 폴리아믹산(A)의 경화를 촉진하는 효과가 높은 점에서, 이미다졸환을 포함하는 이미다졸 화합물이 바람직하다. 이러한 이미다졸 화합물은 전형적으로는 하기 식(b2-1)으로 표시된다.As described above, the basic nitrogen-containing compound (B2) has been described. However, among the basic nitrogen-containing compounds (B2), an imidazole compound containing an imidazole ring is preferable because it has a high effect of accelerating the curing of the polyamic acid desirable. Such an imidazole compound is typically represented by the following formula (b2-1).

Figure pat00015
Figure pat00015

(식(b2-1) 중, Rb10, Rb11, 및 Rb12는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포나토기, 또는 유기기이다.)(Wherein R b10 , R b11 and R b12 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, A phosphino group, a phosphono group, or an organic group).

식(b2-1) 중의 Rb10, Rb11, 및 Rb12에서의 유기기로서는, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하여도 된다. 또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다. 이 유기기는 통상은 1가이지만, 환상 구조를 형성하는 경우 등에는 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.Examples of the organic group at R b10 , R b11 and R b12 in the formula (b2-1) include an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group and an aralkyl group. The organic group may contain a bond or a substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group. The organic group may be any of linear, branched and cyclic. This organic group is usually monovalent, but in the case of forming a cyclic structure, it may be a divalent or higher-valent organic group.

식(b2-1) 중의 Rb10, Rb11, 및 Rb12에서의 유기기는 식(b1-1)에서의 유기기와 동일하다.The organic groups in R b10 , R b11 and R b12 in the formula (b2-1) are the same as the organic groups in the formula (b1-1).

Rb10, Rb11, 및 Rb12로서는 수소 원자, 탄소 원자수 1~12의 알킬기, 탄소 원자수 1~12의 아릴기, 탄소 원자수 1~12의 알콕시기, 및 할로겐 원자가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.As R b10 , R b11 and R b12 , a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and a halogen atom are preferable, More preferable.

수지 조성물에서의 카르보닐옥시 화합물(B1)의 함유량과 염기성 함질소 화합물(B2)의 함유량의 총량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않지만, 폴리아믹산(A) 100 질량부에 대하여, 0.01~30 질량부가 바람직하고, 0.05~25 질량부가 보다 바람직하며, 0.2~20 질량부가 특히 바람직하다.The total amount of the content of the carbonyloxy compound (B1) and the content of the basic nitrogen compound (B2) in the resin composition is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. However, it is preferable that 100 parts by mass of the polyamic acid More preferably from 0.05 to 25 parts by mass, and particularly preferably from 0.2 to 20 parts by mass.

또한, 카르보닐옥시 화합물(B1)과 염기성 함질소 화합물(B2)을 병용하는 경우, 카르보닐옥시 화합물(B1)의 질량 WB1과 염기성 함질소 화합물(B2)의 질량 WB2의 비율 WB1/WB2는 1/99~99/1이 바람직하고, 5/95~95/5가 보다 바람직하며, 15/85~85/15가 특히 바람직하다.When the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen compound (B2) are used in combination, the ratio W B1 / W B2 of the mass W B1 of the carbonyloxy compound (B1) to the mass W B2 of the basic nitrogen compound (B2) W B2 is preferably from 1/99 to 99/1, more preferably from 5/95 to 95/5, and particularly preferably from 15/85 to 85/15.

<용제(S)>&Lt; Solvent (S) &gt;

수지 조성물은 도포성의 점에서 용제(S)를 함유하는 것이 바람직하다. 수지 조성물은 고체를 포함하는 페이스트이어도 되고, 용액이어도 되지만, 용액인 것이 바람직하다. 용제(S)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.The resin composition preferably contains a solvent (S) in view of coating properties. The resin composition may be a paste containing a solid or a solution, but it is preferably a solution. The solvent (S) may be used alone or in combination of two or more.

용제(S)의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 특히 한정되지 않는다. 바람직한 용제(S)의 예는 상술의 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물의 반응에 이용되는 용제의 예와 동일하다.The kind of the solvent (S) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. Examples of the preferable solvent (S) are the same as the examples of the solvent used for the reaction of the above-mentioned tetracarboxylic acid dianhydride with the diamine compound.

또한, 용제(S)는 폴리에틸렌 글리콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 및 디프로필렌글리콜 등의 알콜계 용제를 포함하여도 된다.The solvent (S) may also include alcohol solvents such as polyethylene glycol, ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol.

용제(S)가 알콜계 용제를 포함하는 경우, 내열성이 우수한 경화물을 형성하기 쉽다.When the solvent (S) contains an alcohol-based solvent, it is easy to form a cured product having excellent heat resistance.

용제(S)는 또한, 하기 식(5)로 표시되는 화합물(S1)을 포함하는 용제를 이용하여도 된다.The solvent (S) may also be a solvent containing a compound (S1) represented by the following formula (5).

Figure pat00016
Figure pat00016

(식(5) 중, RS1 및 RS2는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1~3의 알킬기이고, RS3는 하기 식(5-1) 또는 하기 식(5-2):(5), R S1 and R S2 are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and R S3 is a group represented by the following formula (5-1) or (5-2):

Figure pat00017
Figure pat00017

로 표시되는 기이다. 식(5-1) 중, RS4는 수소 원자 또는 수산기이고, RS5 및 RS6는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1~3의 알킬기이다. 식(5-2) 중, RS7 및 RS8는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1~3의 알킬기이다.)Lt; / RTI &gt; In the formula (5-1), R S4 is a hydrogen atom or a hydroxyl group, and each of R S5 and R S6 is independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. In the formula (5-2), R S7 and R S8 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

식(5)로 표시되는 화합물(S1) 중, RS3가 식(5-1)로 표시되는 기인 경우의 구체예로서는, N,N,2-트리메틸프로피온산아미드, N-에틸-N,2-디메틸프로피온산아미드, N,N-디에틸-2-메틸프로피온산아미드, N,N,2-트리 메틸-2-히드록시프로피온산아미드, N-에틸-N,2-디메틸-2-히드록시프로피온산아미드, 및 N,N-디에틸-2-히드록시-2-메틸프로피온산아미드 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound (S1) represented by the formula (5) in which R S3 is a group represented by the formula (5-1) include N, N, 2-trimethylpropionic acid amide, N- N, N-diethyl-2-hydroxypropionic acid amide, N, N, 2-trimethyl-2-hydroxypropionic acid amide, N- N, N-diethyl-2-hydroxy-2-methylpropionic acid amide and the like.

식(5)로 표시되는 화합물(S1) 중, RS3가 식(5-2)로 표시되는 기인 경우의 구체예로서는, N,N,N',N'-테트라메틸우레아, N,N,N',N'-테트라에틸우레아 등을 들 수 있다.In the compound (S1) represented by the formula (5), specific examples of the case where R S3 is a group represented by the formula (5-2) include N, N, N ', N'-tetramethylurea, N, N, N ', N'-tetraethylurea, and the like.

상기의 화합물(S1)의 예 중, 특히 바람직한 것으로서는 N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아가 바람직하다.Among the examples of the compound (S1), N, N, 2-trimethylpropionamide and N, N, N ', N'-tetramethylurea are particularly preferable.

수지 조성물이 용제(S)를 포함하는 경우, 용제(S) 중의, 전술의 화합물(S1)의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않는다. 용제의 질량에 대한 화합물(S1)의 비율은 전형적으로는, 용제(S) 전체 양에 대하여 70질량% 이상이 바람직하고, 80질량% 이상이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 특히 바람직하고, 100질량%인 것이 가장 바람직하다.When the resin composition contains the solvent (S), the content of the above-mentioned compound (S1) in the solvent (S) is not particularly limited within the range not hindering the object of the present invention. The ratio of the compound (S1) to the mass of the solvent is typically at least 70% by mass, more preferably at least 80% by mass, particularly preferably at least 90% by mass, based on the total amount of the solvent (S) Most preferably 100% by mass.

화합물(S1)과 함께 사용할 수 있는 유기 용제로서는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥사메틸포스포아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등의 함질소 극성 용제;메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 및 이소포론 등의 케톤류;디옥산, 및 테트라히드로퓨란 등의 환상 에테르 종류;톨루엔, 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류;Examples of the organic solvent usable in combination with the compound (S1) include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylphosphoramide, Imidazolidinone and the like; ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and isophorone; cyclic ether types such as dioxane and tetrahydrofuran; Aromatic hydrocarbons such as xylene;

디메틸술폭시드 등의 술폭시드류를 들 수 있다.And sulfoxides such as dimethyl sulfoxide.

수지 조성물 중의 용제(S)의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않는다. 수지 조성물 중의 용제(S)의 함유량은 수지 조성물 중의 고형분 함유량에 따라서 적절히 조정된다. 수지 조성물 중의 고형분 함유량은 5~70질량%가 바람직하고, 10~60질량%가 보다 바람직하다.The content of the solvent (S) in the resin composition is not particularly limited within the range not hindering the object of the present invention. The content of the solvent (S) in the resin composition is appropriately adjusted according to the solid content in the resin composition. The solid content in the resin composition is preferably 5 to 70 mass%, more preferably 10 to 60 mass%.

<그 외의 성분><Other components>

수지 조성물은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 상기 성분 이외에, 그 외의 성분을 포함하여도 된다. 그 외의 성분의 예로서는 계면활성제, 가소제, 점도 조정제, 소포제, 및 착색제 등을 들 수 있다.The resin composition may contain other components in addition to the above components to the extent that the object of the present invention is not impaired. Examples of the other components include a surfactant, a plasticizer, a viscosity adjusting agent, a defoaming agent, and a coloring agent.

≪경화물의 제조 방법≫&Lt; Process for producing cured product &

제2 태양에 따른 경화물의 제조 방법은,The method for producing the cured product according to the second aspect,

제1 태양에 따른 수지 조성물을 기재 상에 도포하여 도막을 형성하는 도막 형성 공정, 및 도막을 70~550℃에서 가열하는 가열 공정을 포함한다.A coating film forming step of applying a resin composition according to the first aspect onto a substrate to form a coating film, and a heating step of heating the coating film at 70 to 550 캜.

이러한 방법에서는, 제1 태양에 따른 수지 조성물을 이용하여 도막을 형성하고 있기 때문에, 폴리이미드를 포함하는 경화물이 안정적으로 생성한다.In this method, since the coating film is formed using the resin composition according to the first aspect, a cured product containing polyimide is stably produced.

그 결과, 요철이나 휨이나 균열이 적은 평활한 표면을 가지며, 외관이 우수한 경화물이 얻어진다.As a result, a cured product having a smooth surface with little unevenness, warpage, and cracks and excellent appearance can be obtained.

<도막 형성 공정><Coating Formation Step>

형성 공정에서는 제1 태양에 따른 수지 조성물을 기재의 표면에 도포하여 도막을 형성한다. 도포 방법으로서는 예를 들면, 디핑법, 스프레이법, 바코트법, 롤코트법, 스핀코트법, 커튼코트법 등을 들 수 있다.In the forming step, the resin composition according to the first aspect is applied to the surface of the substrate to form a coated film. Examples of the application method include dipping, spraying, bar coating, roll coating, spin coating, and curtain coating.

도포 후에는 도막으로부터의 탈기나 용제(S)의 제거를 재촉하는 목적으로, 도막을 감압 분위기에 두어도 된다. 감압 분위기의 진공도는 특히 한정되지 않지만, 300Pa 이하가 바람직하고, 150Pa 이하가 보다 바람직하며, 100Pa이하가 더욱 바람직하다.After application, the coating film may be placed in a reduced-pressure atmosphere for the purpose of promoting the removal of the solvent from the coating film or the removal of the solvent (S). The vacuum degree of the reduced pressure atmosphere is not particularly limited, but is preferably 300 Pa or less, more preferably 150 Pa or less, and further preferably 100 Pa or less.

도막의 두께는 특히 한정되지 않는다. 전형적으로는 도막의 두께는 2~100μm가 바람직하고, 3~50μm가 보다 바람직하다. 도막의 두께는 도포 방법이나 수지 조성물의 고형분 농도나 점도를 조절하는 것에 의하여, 적절히 제어할 수 있다.The thickness of the coating film is not particularly limited. Typically, the thickness of the coating film is preferably 2 to 100 mu m, more preferably 3 to 50 mu m. The thickness of the coating film can be appropriately controlled by adjusting the coating method and the solid content concentration and viscosity of the resin composition.

기재의 재질은 도포막을 가열하는 때에, 열열화(熱劣化)나 변형이 생기지 않는 것이면 특히 한정되지 않는다. 기재의 형상도 수지 조성물을 도포 가능하면 특히 한정되지 않는다. 기재의 예로서는, 절연되어야 할 전극이나 배선이 형성된, 반도체 소자 등의 전자 소자나 다층 배선 기판 등의 중간 제품이나, 여러 종류의 기판을 들 수 있다. 기체(基體)가 기판인 경우의 바람직한 기판의 재질로서는 유리;실리콘;알루미늄(Al);알루미늄-규소(Al-Si), 알루미늄-동(Al-Cu), 알루미늄-규소-동(Al-Si-Cu) 등의 알루미늄 합금;티탄(Ti);티탄-텅스텐(Ti-W) 등의 티탄 합금;질화 티탄(TiN);탄탈(Ta);질화 탄탈(TaN);텅스텐(W);질화 텅스텐(WN);등을 들 수 있다.The material of the base material is not particularly limited as long as it does not cause thermal deterioration or deformation when the coating film is heated. The shape of the substrate is not particularly limited as long as the resin composition can be applied. Examples of the substrate include intermediate products such as electronic elements such as semiconductor elements and multilayer wiring boards formed with electrodes or wirings to be insulated, and various types of substrates. As the material of the substrate in the case where the substrate is a substrate, preferable examples of the substrate include glass, silicon, aluminum (Al), aluminum-silicon (Al-Si), aluminum- (Ti), titanium-titanium (TiN), tantalum (Ta), tantalum nitride (TaN), tungsten (W), tungsten nitride (WN); and the like.

또한, 도막의 가열을 저온에서 실시하는 경우에는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 수지로 이루어지는 내열성이 낮은 기재를 이용할 수도 있다.When the coating film is heated at a low temperature, a substrate having low heat resistance made of a resin such as polyethylene terephthalate (PET) or polybutylene terephthalate (PBT) may be used.

<가열 공정><Heating process>

도막 형성 공정에 있어서 형성된 도막은 가열 공정에 있어서 70~550℃에서 가열된다.The coating film formed in the coating film forming step is heated at 70 to 550 DEG C in the heating step.

상기 도막을 가열하는 경우, 가열 온도는 예를 들면, 120~500℃, 바람직하게는 150~450℃에서 설정된다. 이러한 범위의 온도에서 도막을 가열하는 것에 의하여, 생성하는 폴리이미드의 열열화나 열분해를 억제하면서, 안정적으로 경화물을 생성시킬 수 있다.When the coating film is heated, the heating temperature is set at, for example, 120 to 500 ° C, preferably 150 to 450 ° C. By heating the coating film at such a temperature range, it is possible to stably produce a cured product while suppressing thermal deterioration or pyrolysis of the resulting polyimide.

또한, 도막의 가열을 고온에서 실시하는 경우, 다량의 에너지의 소비나, 고온에서의 처리 설비의 시간에 따른 열화가 촉진되는 경우가 있기 때문에, 도막의 가열을 이보다 낮은 온도에서 실시하는 것도 바람직한 태양이다.Further, when the coating film is heated at a high temperature, consumption of a large amount of energy and deterioration with time of the processing equipment at a high temperature are promoted. Therefore, it is also preferable to conduct the heating of the coating film at a lower temperature to be.

가열 시간은 수지 조성물의 조성이나, 도막의 두께 등에도 따르지만, 하한값으로서 예를 들면 5분간, 바람직하게는 10분간, 보다 바람직하게는 20분간, 상한값으로서 예를 들면 4시간, 바람직하게는 3시간, 보다 바람직하게는 2.5시간으로 할 수 있다.The heating time depends on the composition of the resin composition, the thickness of the coating film, and the like. The lower limit value is, for example, 5 minutes, preferably 10 minutes, more preferably 20 minutes and the upper limit value is 4 hours, , And more preferably 2.5 hours.

또한, 폴리이미드의 황색도를 저감시키는 관점이나, 보다 원활히 폴리아믹산(A)으로부터 폴리이미드로 변환하는 관점에서, 가열 시의 분위기(산소 농도 등의 가스 조성)를 조정하거나 가열 시 또는 가열 전후에 감압 공정을 조합할 수도 있다.In addition, from the viewpoint of reducing the yellowing degree of the polyimide or adjusting the atmosphere (gas composition such as oxygen concentration) at the time of heating in view of more smoothly converting polyimic acid (A) into polyimide, The depressurization step may be combined.

[실시예] [Example]

이하에서, 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the scope of the present invention is not limited to these examples.

[폴리아믹산(A)의 조제][Preparation of polyamic acid (A)] [

교반기, 교반날개, 환류 냉각기, 질소 가스 도입관을 구비한 세퍼러블 플라스크에, 이하에 나타내는 구조의 테트라카르복실산 2무수물과 N-메틸-2-피롤리돈을 넣고, 질소 가스 도입관에서 플라스크 내로 질소를 도입하여 플라스크 내를 질소 분위기로 하였다. 다음으로, 플라스크를 빙조에 담그고, 내용물을 교반하면서, p-페닐렌디아민의 N-메틸-2-피롤리돈 용액을 테트라카르복실산 2무수물에 대하여 1.0몰량, 서서히 적하하였다.A tetracarboxylic acid dianhydride and N-methyl-2-pyrrolidone having the structures shown below were placed in a separable flask equipped with a stirrer, a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen gas introducing tube. And nitrogen was introduced into the flask. Next, the flask was immersed in an ice bath, and while stirring the contents, an N-methyl-2-pyrrolidone solution of p-phenylenediamine was slowly added dropwise in 1.0 mol of the tetracarboxylic acid dianhydride.

적하 종료 후, 50℃에서 20시간 반응시켜 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액을 얻었다. 또한, 이하에 나타내는 구조의 테트라카르복실산 2무수물은 국제 공개 제2011/099518호의 합성예 1, 실시예 1 및 실시예 2에 기재된 방법에 따라서 조제하고, 또한 여기서의 용액의 조제는 얻어지는 폴리아믹산(A)의 고형분 농도가 15질량%가 되도록 조정하였다.After completion of dropwise addition, the mixture was reacted at 50 DEG C for 20 hours to obtain a solution containing the polyamic acid (A). The tetracarboxylic acid dianhydride having the structure shown below was prepared according to the method described in Synthesis Example 1, Example 1 and Example 2 of International Publication No. 2011/099518, (A) was adjusted to be 15% by mass.

Figure pat00018
Figure pat00018

[실시예 1-3, 비교예 1][Example 1-3, Comparative Example 1]

이와 같이 하여 얻어진 폴리아믹산(A)의 용액에 대하여, 실시예 1-3에서는 표 1에 나타내는 첨가제를 가하여 수지 조성물로 하였다. 표 1에서 괄호 내에 나타내는 값(질량%)은 폴리아믹산(A)량에 대한 첨가제의 비율이다.To the solution of the polyamic acid (A) thus obtained, the additives shown in Table 1 were added in Example 1-3 to obtain a resin composition. The values (mass%) shown in parentheses in Table 1 are the ratio of the additive to the amount of polyamic acid (A).

한편, 비교예 1에서는 위에서 얻어진 폴리아믹산(A)의 용액에 대하여, 어떠한 첨가제도 가하지 않았다.On the other hand, in Comparative Example 1, no additive was added to the solution of the polyamic acid (A) obtained above.

또한, p-메톡시 신남산(계피산)은 도쿄 화성공업 주식회사 제품, 이미다졸은 키시다 화학 주식회사 제품의 것을 이용하였다.Further, p-methoxycinnamic acid (cinnamic acid) was purchased from Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., and imidazole was purchased from Kishida Chemical Co., Ltd.

[제막성 평가][Evaluation of film formability]

이와 같이 하여 얻어진 각종 수지 조성물에 대하여, 이하에 따라 제막성의 평가를 실시하였다. 즉, 우선, 각 수지 조성물을 유리 기재 상에 도포하고, 13 Pa까지 감압하였다. 일단 상압으로 되돌린 후, 공기 조건 하 80℃에서 10분간 가열하고, 다음으로, 산소 농도 100 ppm의 조건 하 360℃에서 30분간 가열하여 막 두께 5μm의 경화물을 얻었다.Various resin compositions thus obtained were evaluated for film formability in accordance with the following. That is, first, each resin composition was coated on a glass substrate, and the pressure was reduced to 13 Pa. After returning to atmospheric pressure, it was heated at 80 캜 for 10 minutes under air condition, and then heated at 360 캜 for 30 minutes under the condition of an oxygen concentration of 100 ppm to obtain a cured product having a thickness of 5 탆.

이와 같이 하여 얻어진 경화물에 대하여, 육안으로 형상이 잘 제막되고 있는지 관찰하였다. 또한, 평가는 이하의 기준에 근거하여 실시하였다.The thus obtained cured product was visually observed to see whether the film was well formed. The evaluation was carried out based on the following criteria.

◎:육안으로 확인하여 거침이 관찰되지 않는다.◎: No roughness was observed with naked eyes.

○:대체로 평활한 막이 되었지만, 가장자리의 부분에 휨이 관찰되었다.O: Generally, it was a smooth film, but warp was observed at the edge portion.

△:막의 일부에 균열이 들어가 있는 것이 관찰되었다.DELTA: Cracks were observed in a part of the film.

X:막의 도처에 균열이 들어가 있는 것이 관찰되었다.X: It was observed that cracks were present all over the membrane.

Figure pat00019
Figure pat00019

표 1로부터, 폴리아믹산(A)에 대하여, 특정의 첨가제를 가함으로써, 제막성이 우수하고 폴리이미드를 포함하는 경화물을 안정적으로 형성할 수 있는 수지 조성물이 얻어지는 것을 알 수 있다.It can be seen from Table 1 that by adding a specific additive to the polyamic acid (A), it is possible to obtain a resin composition which is excellent in film formability and can stably form a cured product containing polyimide.

Claims (8)

이하의 식(a1):
Figure pat00020

(식 (a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, B는 2가의 유기기이다.)
로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)과,
분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 수지 조성물.
(A1): &lt; EMI ID =
Figure pat00020

(In the formula (a1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group.)
A polyamic acid (A) having a structural unit represented by the formula
(B1) having a -CO-O- bond in a molecule, and a basic nitrogen-nitrogen compound (B2) having no -CO-O- Composition.
청구항 1에 있어서,
상기 카르보닐옥시 화합물(B1)로서, 하기 식(b1):
Figure pat00021

(식 (b1) 중, Rb0는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 방향족기이고, Rb9는 수소 원자 또는 알킬기이다.)
로 표시되는 화합물을 포함하는 수지 조성물.
The method according to claim 1,
As the carbonyloxy compound (B1), a compound represented by the following formula (b1):
Figure pat00021

(In the formula (b1), R b0 is an alkyl group or an aromatic group which may have a substituent, and R b9 is a hydrogen atom or an alkyl group.)
&Lt; / RTI &gt;
청구항 2에 있어서,
상기 식(b1)에서의 Rb9는 수소 원자인 수지 조성물.
The method of claim 2,
Wherein R b9 in the formula (b1) is a hydrogen atom.
청구항 1에 있어서,
상기 카보닐옥시 화합물(B1)로서, 하기 식(b1-2):
Figure pat00022

(식(b1-2) 중, Rb1 및 Rb2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다.)
로 표시되는 화합물을 포함하는 수지 조성물.
The method according to claim 1,
As the carbonyloxy compound (B1), a compound represented by the following formula (b1-2):
Figure pat00022

(Wherein R b1 and R b2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, R b3 , R b4 , R b5 , R b6 and R b7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a halogen atom, a cyano group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, A silyl group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, R b3 , R b4 , R b5 , R b6 and R b7 may combine with each other to form a cyclic structure or may contain a heteroatom bond. )
&Lt; / RTI &gt;
청구항 1에 있어서,
상기 카르보닐옥시 화합물(B1)과, 상기 염기성 함질소 화합물(B2)의 양쪽을 포함하는 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen-containing compound (B2) are both contained.
청구항 1에 있어서,
상기 염기성 함질소 화합물(B2)로서 이미다졸 화합물을 포함하는 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the basic nitrogen-containing compound (B2) comprises an imidazole compound.
청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 기재 상에 도포하여 도막을 형성하는 도막 형성 공정, 및
상기 도막을 70~550℃에서 가열하는 가열 공정을 포함하는 경화물의 제조방법.
A coating film forming process for forming a coating film by applying the resin composition according to any one of claims 1 to 6 on a substrate,
And heating the coating film at 70 to 550 占 폚.
청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물.A cured product obtained by curing the resin composition according to any one of claims 1 to 6.
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