KR102577426B1 - Resin Composition, Manufacturing Method of Cured Body and Cured Body - Google Patents

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Abstract

제막성이 우수하고 폴리이미드를 포함하는 경화물을 안정적으로 형성할 수 있는 폴리아믹산을 함유하는 수지 조성물과 상기 수지 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법과 상기 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물을 제공하는 것.
폴리아믹산(A)을 함유하는 수지 조성물에, 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 배합한다.
Providing a resin composition containing a polyamic acid that has excellent film forming properties and can stably form a cured product containing polyimide, a method for producing a cured product using the resin composition, and a cured product obtained by curing the resin composition. .
A resin composition containing a polyamic acid (A), a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O- bond in the molecule. One or more types selected from the group consisting of are mixed.

Description

수지 조성물, 경화물의 제조 방법 및 경화물{Resin Composition, Manufacturing Method of Cured Body and Cured Body} Resin composition, manufacturing method of cured body and cured body {Resin Composition, Manufacturing Method of Cured Body and Cured Body}

본 발명은 폴리아믹산을 포함하는 수지 조성물과 상기 수지 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법과 상기 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition containing polyamic acid, a method for producing a cured product using the resin composition, and a cured product obtained by curing the resin composition.

폴리이미드 수지는 우수한 내열성, 기계적 강도 및 절연성이나 저유전율 등의 특성을 가지기 때문에 여러 종류의 소자나 다층 배선 기판 등의 전자 기판과 같은 전기·전자 부품에 있어서 절연재나 보호재로서 넓게 사용되고 있다.Because polyimide resin has characteristics such as excellent heat resistance, mechanical strength, insulation, and low dielectric constant, it is widely used as an insulating material or protective material in electrical and electronic components such as various types of devices and electronic boards such as multilayer wiring boards.

일반적으로, 폴리이미드 수지는 테트라카르복실산 2무수물 성분과 디아민 성분을 극성 유기 용제 중에서 중합시켜 얻어지는 폴리아믹산을 열처리 하는 것에 의해 형성된다. 이러한 배경도 있어서, 전자 재료용의 폴리이미드 제품은 폴리아믹산과 같은 폴리이미드 전구체의 용액으로서 공급되는 일이 많다. 구체적으로, 전기·전자 부품을 제조하는 때에는 폴리이미드 전구체의 용액이 절연재나 보호재를 형성하는 장소에 도포나 주입 등의 방법에 의해 공급된 후, 폴리이미드 전구체의 용액을 열처리하여 절연재나 보호재가 형성되고 있다.Generally, polyimide resin is formed by heat treating polyamic acid obtained by polymerizing a tetracarboxylic dianhydride component and a diamine component in a polar organic solvent. Against this background, polyimide products for electronic materials are often supplied as a solution of a polyimide precursor such as polyamic acid. Specifically, when manufacturing electrical and electronic components, a solution of the polyimide precursor is supplied to the location where the insulating material or protective material is to be formed by methods such as coating or injection, and then the polyimide precursor solution is heat treated to form the insulating material or protective material. It is becoming.

이러한 폴리이미드 수지에 관한 기술 개척도 열심히 이루어지고 있다.Technologies for polyimide resin are also being pioneered.

예를 들면, 특허 문헌 1의 실시예로서는 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오르프로판과 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 2무수물을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 중에서 반응시켜서, 150℃에서 이미드화를 실시하는 폴리이미드 수지의 제조 방법이 개시되어 있다.For example, as an example in Patent Document 1, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane and 3,3',4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride are used. A method for producing a polyimide resin is disclosed, which involves reacting in propylene glycol monomethyl ether acetate and imidizing at 150°C.

특허 문헌 1: 일본 특개 2012-021133호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Publication No. 2012-021133

여기서, 본 발명자 등이 검토한 결과 폴리이미드 수지 전구체를 가열 경화시키는 과정에 있어서 적절히 조건을 설정하지 않으면 그 경화 거동이 안정되지 않고 결과적으로 제막 등이 잘 되지 않는 경우가 있다는 것을 알게 되었다.Here, as a result of examination by the present inventors and others, it was found that if conditions are not appropriately set in the process of heat-curing the polyimide resin precursor, the curing behavior may not be stable and, as a result, film forming, etc. may not be performed well.

이러한 제막 상태가 불완전한 폴리이미드막은 외관도 뒤떨어지기 때문에 안정적으로 제막을 실시할 수 있는 조성물의 개척이 강하게 기대되었다.Since polyimide films with imperfect film formation have poor appearance, there has been strong anticipation for the development of a composition that can stably form a film.

본 발명은 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서 제막성이 우수하고 폴리이미드를 포함하는 경화물을 안정적으로 형성할 수 있는 폴리아믹산을 함유하는 수지 조성물과 상기 수지 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법과 상기 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was made in view of the above problems, and provides a resin composition containing a polyamic acid that has excellent film forming properties and can stably form a cured product containing polyimide, a method for producing a cured product using the resin composition, and the resin. The purpose is to provide a cured product obtained by curing the composition.

본 발명자 등은 상기 과제를 해결하기 위해 열심히 연구를 거듭하였다. 그 결과, 폴리아믹산(A)을 함유하는 수지 조성물에 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 배합하는 것에 의해서 상기의 과제를 해결할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.The present inventors and others have conducted diligent research to solve the above problems. As a result, the resin composition containing the polyamic acid (A) contained a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) that did not have a -CO-O- bond in the molecule. ), and completed the present invention by discovering that the above problems could be solved by combining one or more types selected from the group consisting of. Specifically, the present invention provides the following.

본 발명의 제1 태양은 이하의 식(a1):The first aspect of the present invention has the following formula (a1):

(식 (a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, B는 2가의 유기기이다.)(In formula (a1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group.)

로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)과, A polyamic acid (A) having a structural unit represented by,

분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 수지 조성물이다.A resin containing at least one member selected from the group consisting of a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O- bond in the molecule. It is a composition.

본 발명의 제2 태양은 제1 태양에 따른 수지 조성물을 기재 상에 도포하여 도막을 형성하는 도막 형성 공정과, A second aspect of the present invention includes a coating film forming step of forming a coating film by applying the resin composition according to the first aspect onto a substrate;

상기 도막을 70~550℃에서 가열하는 가열 공정을 포함하는 경화물의 제조방법이다.It is a method of producing a cured product including a heating process of heating the coating film at 70 to 550°C.

본 발명의 제3 태양은 제1 태양에 따른 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물이다.The third aspect of the present invention is a cured product obtained by curing the resin composition according to the first aspect.

본 발명에 의하면, 제막성이 우수하고 폴리이미드를 포함하는 경화물을 안정적으로 형성할 수 있는 폴리아믹산을 함유하는 수지 조성물과 상기 수지 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법과 상기 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물을 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a resin composition containing a polyamic acid that has excellent film forming properties and can stably form a cured product containing polyimide, a method for producing a cured product using the resin composition, and a cured product obtained by curing the resin composition. Freight can be provided.

≪수지 조성물≫≪Resin composition≫

본 발명의 제1 태양인 수지 조성물은 이하의 식(a1):The resin composition of the first aspect of the present invention has the following formula (a1):

(식 (a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, B는 2가의 유기기이다.)(In formula (a1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group.)

로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)과, A polyamic acid (A) having a structural unit represented by,

분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는이다.It contains at least one member selected from the group consisting of a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) that does not have a -CO-O- bond in the molecule. .

여기서, 분자 내에 -CO-O-결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O-결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)(이후, 간단히 「카르보닐옥시 화합물(B1)」또는 「염기성 함질소 화합물(B2)」라고 기재하기도 한다.)이, 각각 폴리아믹산(A)의 폴리이미드 수지에 대한 변환을 촉진시키는 효과를 가진다.Here, a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O- bond in the molecule (hereinafter simply referred to as “carbonyloxy compound (B1)” )” or “Basic nitrogen-containing compound (B2)”) each has the effect of promoting the conversion of polyamic acid (A) to polyimide resin.

이로 인해, 수지 조성물을 가열하는 때에, 균일하고 신속하게 폴리아믹산(A)의 이미드화가 진행하므로 그 결과, 경화물의 표면에 요철, 휨, 균열 등이 생기기 어렵고, 평활한 표면을 가지며 외관이 우수한 경화물을 형성할 수 있다.For this reason, when the resin composition is heated, imidization of the polyamic acid (A) proceeds uniformly and quickly, and as a result, irregularities, bends, cracks, etc. are unlikely to occur on the surface of the cured product, and it has a smooth surface and excellent appearance. A cured product can be formed.

이상과 같이, 상기의 수지 조성물은 적절한 속도에서 경화하여 안정적으로 폴리이미드 수지를 포함하는 경화물을 제공한다.As described above, the above resin composition cures at an appropriate rate to stably provide a cured product containing polyimide resin.

이하, 수지 조성물에 포함되는 필수 또는 임의의 성분에 대하여 설명한다.Hereinafter, essential or optional components contained in the resin composition will be described.

<폴리아믹산(A)><Polyamic acid (A)>

수지 조성물은 폴리아믹산(A)을 포함한다. 폴리아믹산(A)은 수지 조성물을 경화시켰을 때에 생성하는 폴리이미드의 전구체 폴리머이다.The resin composition contains polyamic acid (A). Polyamic acid (A) is a precursor polymer for polyimide produced when the resin composition is cured.

폴리아믹산은 이하의 식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 가진다.Polyamic acid has a structural unit represented by the following formula (a1).

(식(a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, B는 2가의 유기기이다.)(In formula (a1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group.)

상술한 폴리아믹산(A)은 통상, 테트라카르복실산 2무수물로 디아민 화합물을 축합함으로써 얻어진다.The polyamic acid (A) mentioned above is usually obtained by condensing a diamine compound with tetracarboxylic dianhydride.

이하, 폴리아믹산(A)의 제조에 이용되는 테트라카르복실산 2무수물과, 디아민 화합물과 폴리아믹산(A)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the tetracarboxylic dianhydride used in the production of polyamic acid (A), the diamine compound, and the production method of polyamic acid (A) will be described.

〔테트라카르복실산 2무수물〕[Tetracarboxylic dianhydride]

식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 생성시키는 테트라카르복실산 2무수물은 하기 식(a1-1)으로 표시된다.The tetracarboxylic dianhydride that produces the structural unit represented by formula (a1) is represented by the following formula (a1-1).

식(a1-1)으로 표시되는 테트라카르복실산 2무수물은 후술의 디아민 화합물과 반응하여 식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)을 제공한다. 이러한 테트라카르복실산 2무수물은 1종을 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 된다.Tetracarboxylic dianhydride represented by formula (a1-1) reacts with a diamine compound described later to provide polyamic acid (A) having a structural unit represented by formula (a1). These tetracarboxylic dianhydrides may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

(식(a1-1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이다.)(In formula (a1-1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms.)

식(a1-1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 유기기이고, 식(a1-1)에서의 2개의 -CO-O-CO-로 나타내는 산무수물기 외에, 1개 또는 복수의 치환기를 가져도 된다.In formula (a1-1), A is a tetravalent organic group having 6 to 50 carbon atoms, and in addition to the two acid anhydride groups represented by -CO-O-CO- in formula (a1-1), one or You may have multiple substituents.

치환기의 바람직한 예로서는 불소 원자, 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알콕시기가 바람직하고, 또한, 식(a1-1)로 표시되는 산무수물기 외에 카르복실기, 카르복실산 에스테르기를 포함하여도 된다.Preferred examples of the substituent include a fluorine atom, an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 6 carbon atoms, a fluorinated alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, and a fluorinated alkoxy group with 1 to 6 carbon atoms. , In addition to the acid anhydride group represented by formula (a1-1), it may also contain a carboxyl group and a carboxylic acid ester group.

치환기가 불소화 알킬기 또는 불소화 알콕시기인 경우, 퍼플루오르 알킬기 또는 퍼플루오르 알콕시기인 것이 바람직하다.When the substituent is a fluorinated alkyl group or a fluorinated alkoxy group, it is preferably a perfluorinated alkyl group or a perfluorinated alkoxy group.

이상의 치환기에 대해서는, 후술의 방향족기가 방향환 상에 가져도 되는 1개 또는 복수의 치환기에 대해서도 동일하다고 말할 수 있다.Regarding the above substituents, the same can be said for one or more substituents that the aromatic group described later may have on the aromatic ring.

식(a1-1) 중, A는 4가의 유기기이고, 그 탄소 원자수의 하한값은 6이며, 상한값은 50이다.In formula (a1-1), A is a tetravalent organic group, the lower limit of the number of carbon atoms is 6, and the upper limit is 50.

A를 구성하는 탄소 원자수는 8 이상이 보다 바람직하고, 12 이상이 더욱 바람직하다. 또한, A를 구성하는 탄소 원자수는 40 이하가 보다 바람직하고, 30이 더욱 바람직하다. A는 지방족기이어도 방향족기이어도 이들의 구조를 조합한 기이어도 된다. A는 탄소 원자 및 수소 원자 외에 할로겐 원자, 산소 원자, 및 황 원자를 포함하여도 된다. A가 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자를 포함하는 경우, 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자는 함질소 복소환기, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-로부터 선택되는 기로서 A에 포함되어도 되고 -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-로부터 선택되는 기로서 A에 포함되는 것이 보다 바람직하다.The number of carbon atoms constituting A is more preferably 8 or more, and still more preferably 12 or more. Moreover, the number of carbon atoms constituting A is more preferably 40 or less, and even more preferably 30. A may be an aliphatic group, an aromatic group, or a combination of these structures. A may contain a halogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom in addition to a carbon atom and a hydrogen atom. When A contains an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom, the oxygen atom, the nitrogen atom, or the sulfur atom is a nitrogen-containing heterocyclic group, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N- , -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and -SS- may be included in A or -O-, -CO-, -SO It is more preferable that it is included in A as a group selected from -, -SO 2 -, -S-, and -SS-.

테트라카르복실산 2무수물은 종래부터 폴리아믹산의 합성 원료로서 사용되는 테트라카르복실산 2무수물로부터 적절히 선택할 수 있다. 테트라카르복실산 2무수물은 지방족 테트라카르복실산 2무수물이어도, 방향족 테트라카르복실산 2무수물이어도 된다.Tetracarboxylic dianhydride can be appropriately selected from tetracarboxylic dianhydride conventionally used as a raw material for the synthesis of polyamic acids. Tetracarboxylic dianhydride may be aliphatic tetracarboxylic dianhydride or aromatic tetracarboxylic dianhydride.

지방족 테트라카르복실산 2무수물로서는 예를 들면, 2,2-비스(3,4-디카르복실)프로판 2무수물, 비스(3,4-디카르복실)메탄 2무수물 등을 들 수 있고, 또한, 지환식 구조를 함유하는 것이어도 된다. 이러한 상기 지환식 구조는 다환식이어도 되고, 다환식의 지환식 구조로서는 예를 들면, 비시클로[2.2.1]헵탄 등의 가교 지환식 구조를 가지는 것 등을 들 수 있고, 예를 들면 가교 지환식 구조가 다른 가교 지환식 구조 및/또는 비(非)가교 지환식 구조와 축합하여도 되고, 가교 지환식 구조가 다른 가교 지환식 구조 및/또는 비가교 지환식 구조와 스피로 결합에 의해 연결하여도 된다. 지방족 테트라카르복실산 2무수물을 이용하는 경우, 수지 조성물을 이용하여 투명성이 우수한 경화물을 얻기 쉬운 경향이 있다.Examples of aliphatic tetracarboxylic dianhydride include 2,2-bis(3,4-dicarboxyl)propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyl)methane dianhydride, and , may contain an alicyclic structure. The above-mentioned alicyclic structure may be polycyclic, and examples of the polycyclic alicyclic structure include those having a cross-linked alicyclic structure such as bicyclo[2.2.1]heptane, for example, It may be condensed with a cross-linked alicyclic structure and/or a non-cross-linked alicyclic structure with a different formula, or a cross-linked alicyclic structure can be connected to a cross-linked alicyclic structure and/or a non-cross-linked alicyclic structure with a different formula through a spiro bond. It's okay too. When using aliphatic tetracarboxylic dianhydride, it tends to be easy to obtain a cured product with excellent transparency using the resin composition.

또한, 식(a1-1)에서의 A를 구성하는 지방족기로서는 예를 들면, 이하의 식(a2)으로 표시되는 4가의 기를 채용할 수 있다. 이러한 기를 이용한 경우 투명성이 있는 폴리이미드막을 얻기 쉬운 경향이 있다.Additionally, as the aliphatic group constituting A in formula (a1-1), for example, a tetravalent group represented by the following formula (a2) can be employed. When such a group is used, it tends to be easy to obtain a transparent polyimide film.

또한, 식(a2) 중의 n은 원료 화합물의 정제가 용이한 점에서 n은 5 이하가 바람직하고, 3 이하가 보다 바람직하다. 또한, 식(a1)으로 표시되는 구조체를 부여하는 원료 화합물의 화학적 안정성이 우수한 점에서 n은 1 이상이 바람직하고, 2 이상이 보다 바람직하다. In addition, n in the formula (a2) is preferably 5 or less, and more preferably 3 or less because the raw material compound can be easily purified. In addition, since the chemical stability of the raw material compound that gives the structure represented by formula (a1) is excellent, n is preferably 1 or more, and more preferably 2 or more.

식(a2) 중의 n은 2 또는 3이 특히 바람직하다.In formula (a2), n is particularly preferably 2 or 3.

(식(a2) 중, Ra11, Ra12, 및 Ra13는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 및 불소 원자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이며, n은 0~12의 정수이다.)(In formula (a2), R a11 , R a12 , and R a13 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, and a fluorine atom, and n is 0 to 12. It is an integer.)

방향족 테트라카르복실산 2무수물로서는 예를 들면, 피로멜리트산 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실페녹시)벤젠2무수물, 3,3',4,4'-옥시 비스프탈산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2무수물 등을 들 수 있다.Examples of aromatic tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxylphenoxy)benzene dianhydride, and 3,3',4,4'-oxybis. Phthalic acid dianhydride, 3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3',4'-Biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 3,3',4,4 '-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, etc.

방향족 테트라카르복실산 2무수물로서는 또한, 예를 들면, 하기 일반식 (a1-2)~(a1-4)로 표시되는 것이어도 된다.As the aromatic tetracarboxylic dianhydride, for example, those represented by the following general formulas (a1-2) to (a1-4) may be used.

상기 식(a1-2) 및 (a1-3)에 있어서, Ra1, Ra2 및 Ra3는 각각, 할로겐으로 치환되어도 되는 지방족기, 산소 원자, 황 원자, 1개 이상의 2가 원소를 개재시킨 방향족기의 어느 것이거나, 또는 그러한 조합에 의해 구성되는 2가의 치환기를 나타낸다. Ra2 및 Ra3는 동일하여도 상이하여도 된다.In the above formulas (a1-2) and (a1-3), R a1 , R a2, and R a3 are each an aliphatic group that may be substituted with halogen, an oxygen atom, a sulfur atom, or an aliphatic group containing one or more divalent elements. It represents a divalent substituent composed of any aromatic group or a combination thereof. R a2 and R a3 may be the same or different.

즉, Ra1, Ra2 및 Ra3는 탄소-탄소의 1중 결합, 탄소-산소-탄소의 에테르 결합 또는 할로겐 원소(불소, 염소, 브롬, 요오드)를 포함하여도 되고, 2,2-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)프로판 2무수물이나 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)테트라클로로벤젠 2무수물, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오르-3,3',4,4',-비페닐테트라카르복실산 2무수물 등을 들 수 있다.That is, R a1 , R a2 and R a3 may include a carbon-carbon single bond, a carbon-oxygen-carbon ether bond, or a halogen element (fluorine, chlorine, bromine, iodine), and 2,2-bis (3,4-dicarboxyltrifluorophenoxy)propane dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyltrifluorophenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarhydride) Leboxyltrifluorophenoxy) tetrachlorobenzene dianhydride, 2,2',5,5',6,6'-hexafluoro-3,3',4,4',-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride etc. can be mentioned.

또한, 상기 식(a1-4)에 있어서, Ra4, Ra5는 할로겐으로 치환되어도 되는 지방족기, 1개 이상의 2가 원소를 개재시킨 방향족기, 할로겐의 어느 것이거나, 또는 이들의 조합에 의해 구성되는 1가의 치환기를 나타내고, 각각 동일하여도 상이하여도 되고, 디플루오르피로멜리트산 2무수물, 디클로로피로멜리트산 2무수물 등도 이용할 수 있다.In addition, in the above formula (a1-4), R a4 and R a5 are any of an aliphatic group that may be substituted with halogen, an aromatic group interposed by one or more divalent elements, and halogen, or a combination thereof. The constituting monovalent substituents may be the same or different, and difluoropyromellitic dianhydride, dichloropyromellitic dianhydride, etc. can be used.

분자 구조 내에 불소를 함유하는 함불소 폴리이미드를 얻기 위한 테트라카르복실산 2무수물로서는 예를 들면, (트리플루오르메틸)피로멜리트산 2무수물, 디(트리플루오르메틸)피로멜리트산 2무수물, 디(헵타플루오르프로필)피로멜리트산 2무수물, 펜타플루오르에틸피로멜리트산 2무수물, 비스{3,5-디(트리플루오르메틸)페녹시피로멜리트산 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오르프로판 2무수물, 5,5'-비스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실비페닐 2무수물, 2,2',5,5'-테트라키스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실비페닐 2무수물, 5,5'-비스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실디페닐에테르 2무수물, 5,5'-비스(트리플루오르메틸)-3,3',4,4'-테트라카르복실벤조페논 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}벤젠 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 비스(디카르복실페녹시(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 비스(디카르복실페녹시)비스(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 비스(디카르복실페녹시)테트라키스(트리플루오르메틸)벤젠 2무수물, 2,2-비스{4-(3,4-디카르복실페녹시)페닐}헥사플루오르프로판 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}비페닐 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}비스(트리플루오르메틸)비페닐 2무수물, 비스{(트리플루오르메틸)디카르복실페녹시}디페닐에테르 2무수물, 비스(디카르복실페녹시)비스(트리플루오르메틸)비페닐 2무수물, 디플루오르피로멜리트산 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시) 테트라플루오르벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복실트리플루오르페녹시)옥타플루오르비페닐 2무수물 등을 들 수 있다.Examples of tetracarboxylic dianhydride for obtaining a fluorinated polyimide containing fluorine in the molecular structure include (trifluoromethyl)pyromellitic dianhydride, di(trifluoromethyl)pyromellitic dianhydride, and di( Heptafluoropropyl)pyromellitic dianhydride, pentafluorethylpyromellitic dianhydride, bis{3,5-di(trifluoromethyl)phenoxypyromellitic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicar) Leboxylphenyl)hexafluoropropane dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-tetracarboxylbiphenyl dianhydride, 2,2',5,5'- Tetrakis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-tetracarboxylbiphenyl dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-tetracarboxyl Boxyl diphenyl ether dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-tetracarboxylbenzophenone dianhydride, bis{(trifluoromethyl)dicarboxylphenoxy} Benzene dianhydride, bis(trifluoromethyl)dicarboxylphenoxyc(trifluoromethyl)benzene dianhydride, bis(dicarboxylphenoxy(trifluoromethyl)benzene dianhydride, bis(dicarboxylphenoxy) Bis(trifluoromethyl)benzene dianhydride, bis(dicarboxylphenoxy)tetrakis(trifluoromethyl)benzene dianhydride, 2,2-bis{4-(3,4-dicarboxylphenoxy)phenyl} Hexafluoropropane dianhydride, bis(trifluoromethyl)dicarboxylphenoxy}biphenyl dianhydride, bis(trifluoromethyl)dicarboxylphenoxy}bis(trifluoromethyl)biphenyl dianhydride, bis{ (trifluoromethyl)dicarboxylphenoxy}diphenyl ether dianhydride, bis(dicarboxylphenoxy)bis(trifluoromethyl)biphenyl dianhydride, difluoropyromellitic dianhydride, 1,4-bis( 3,4-dicarboxyltrifluorophenoxy)tetrafluorobenzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyltrifluorophenoxy)octafluorobiphenyl dianhydride, etc.

테트라카르복실산 2무수물로서는, 얻어지는 막 또는 성형체의 내열성, 인장 신도 및 내약품성 등을 고려한 경우, 방향족 테트라카르복실산 2무수물을 이용하는 것이 바람직하고, 가격, 입수 용이성 등에서, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 및 피로멜리트산 2무수물을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들과 동일한 기본 골격을 가지는 테트라카르복실산의 산염화물, 에스테르화물 등도 이용할 수 있다.As tetracarboxylic dianhydride, when considering the heat resistance, tensile elongation, chemical resistance, etc. of the obtained film or molded body, it is preferable to use aromatic tetracarboxylic dianhydride. In terms of price, availability, etc., 3,3',4 , 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and pyromellitic dianhydride are preferably used. In addition, acid chloride, ester chloride, etc. of tetracarboxylic acid having the same basic skeleton as these can also be used.

본 실시 형태에 있어서, 테트라카르복실산 2무수물은 디카르복실산 무수물과 병용하여도 된다. 이들 카르복실산 무수물을 병용하면, 얻어지는 폴리이미드 수지 등의 이미드환 함유 폴리머의 특성이 더욱 양호해지는 경우가 있다. 디카르복실산 무수물로서는 예를 들면, 무수 말레산, 무수숙신산, 무수이타콘산, 무수프탈산, 무수테트라히드로프탈산, 무수헥사히드로프탈산, 무수메틸엔도메틸렌테트라히드로프탈산, 무수클로렌딕산, 메틸테트라히드로무수프탈산, 무수글루타르산, cis-4-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.In this embodiment, tetracarboxylic dianhydride may be used in combination with dicarboxylic acid anhydride. When these carboxylic acid anhydrides are used together, the properties of the resulting imide ring-containing polymer such as polyimide resin may become even better. Examples of dicarboxylic anhydrides include maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic acid anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, chlorenedic anhydride, and methyltetrahydrophthalic acid. Phthalic anhydride, glutaric anhydride, cis-4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, etc. can be mentioned.

〔디아민 화합물〕[Diamine compound]

디아민 화합물은 하기 식(a3-1)으로 표시되는 것을 전형적으로 이용할 수 있다. 디아민 화합물은 1종을 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 된다.The diamine compound represented by the following formula (a3-1) can typically be used. A diamine compound may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

H2N-B-NH2…(a3-1) H 2 NB-NH 2 … (a3-1)

(식(a3-1) 중, B는 2가의 유기기를 나타낸다.)(In formula (a3-1), B represents a divalent organic group.)

식(a3-1) 중, B는 2가의 유기기이며, 식(a3-1)에서의 2개의 아미노기 외에 1개 또는 복수의 치환기를 가져도 된다.In formula (a3-1), B is a divalent organic group and may have one or more substituents in addition to the two amino groups in formula (a3-1).

치환기의 바람직한 예로서는 불소 원자, 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 불소화 알콕시기, 수산기가 바람직하다.Preferred examples of substituents include a fluorine atom, an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 6 carbon atoms, a fluorinated alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, a fluorinated alkoxy group with 1 to 6 carbon atoms, and a hydroxyl group. do.

치환기가 불소화 알킬기 또는 불소화 알콕시기인 경우, 퍼플루오르 알킬기 또는 퍼플루오르 알콕시기인 것이 바람직하다.When the substituent is a fluorinated alkyl group or a fluorinated alkoxy group, it is preferably a perfluorinated alkyl group or a perfluorinated alkoxy group.

식(a3-1) 중, B로서의 유기기의 탄소 원자수의 하한값은 2가 바람직하고, 6이 보다 바람직하며, 상한값으로서 50이 바람직하고, 30이 보다 바람직하다.In formula (a3-1), the lower limit of the number of carbon atoms of the organic group as B is preferably 2, more preferably 6, and the upper limit is preferably 50 and more preferably 30.

B는 지방족기이어도 되지만, 1 이상의 방향환을 포함하는 유기기인 것이 바람직하다.B may be an aliphatic group, but is preferably an organic group containing one or more aromatic rings.

B가 1 이상의 방향환을 포함하는 유기기인 경우, 상기 유기기는 1개의 방향족기 그 자체이어도 되고, 2 이상의 방향족기가 지방족 탄화수소기 및 할로겐화 지방족 탄화수소기나 산소 원자, 황 원자, 및 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 개재시켜 결합된 기이어도 된다. B에 포함되는 산소 원자, 황 원자, 및 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합으로서는, -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-등을 들 수 있고 -O-, -CO-, -SO-, -SO2-, -S-, 및 -S-S-가 바람직하다.When B is an organic group containing one or more aromatic rings, the organic group may be one aromatic group itself, and the two or more aromatic groups may be an aliphatic hydrocarbon group, a halogenated aliphatic hydrocarbon group, or a hetero atom such as an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. It may be a group bonded through a bond containing . Bonds containing heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms contained in B include -CONH-, -NH-, -N=N-, -CH=N-, -COO-, -O- , -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and -SS-, and -O-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -S-, and - SS- is preferred.

B 중의 아미노기와 결합하는 방향환은 벤젠환인 것이 바람직하다. B중의 아미노기와 결합하는 환이 2 이상의 환을 포함하는 축합환인 경우, 상기 축합환 중의 아미노기와 결합하는 환은 벤젠환인 것이 바람직하다.The aromatic ring bonded to the amino group in B is preferably a benzene ring. When the ring bonded to the amino group in B is a condensed ring containing two or more rings, the ring bonded to the amino group in the condensed ring is preferably a benzene ring.

또한, B에 포함되는 방향환은 방향족 복소환이어도 된다.Additionally, the aromatic ring contained in B may be an aromatic heterocycle.

B가 방향족환을 포함하는 유기기인 경우, 수지 조성물을 이용하여 형성되는 경화물의 내열성의 점에서, 상기 유기기는 하기 식(1)~(4)로 표시되는 기 중 적어도 1종인 것이 바람직하다.When B is an organic group containing an aromatic ring, from the viewpoint of heat resistance of the cured product formed using the resin composition, the organic group is preferably at least one type of group represented by the following formulas (1) to (4).

(식(1)~(4) 중, R11는 수소 원자, 불소 원자, 수산기, 탄소 원자수 1~4의 알킬기, 및 탄소 원자수 1~4의 할로겐화 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 나타낸다. 식(4) 중, Q는 9,9'-플루오렌일리덴기 또는, 식:(In formulas (1) to (4), R 11 is one selected from the group consisting of a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group with 1 to 4 carbon atoms, and a halogenated alkyl group with 1 to 4 carbon atoms. In formula (4), Q is a 9,9'-fluoreneylidene group or formula:

-C6H4-, -CONH-C6H4-NHCO-, -NHCO-C6H4-CONH-, -O-C6H4-CO-C6H4-O-, -OCO-C6H4-COO-, -OCO-C6H4-C6H4-COO-, -OCO-, -O-, -S-, -CO-, -CONH-, -SO2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-, -CH2-, -O-C6H4-C(CH3)2-C6H4-O-, -O-C6H4-C(CF3)2-C6H4-O-, -O-C6H4-SO2-C6H4-O-, -C(CH3)2-C6H4-C(CH3)2-, -O-C10H6-O-, -O-C6H4-C6H4-O-, 및-O-C6H4-O-로 나타내는 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 나타낸다.-C 6 H 4 -, -CONH-C 6 H 4 -NHCO-, -NHCO-C 6 H 4 -CONH-, -OC 6 H 4 -CO-C 6 H 4 -O-, -OCO-C 6 H 4 -COO-, -OCO-C 6 H 4 -C 6 H 4 -COO-, -OCO-, -O-, -S-, -CO-, -CONH-, -SO 2 -, -C( CF 3 ) 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -OC 6 H 4 -C(CH 3 ) 2 -C 6 H 4 -O-, -OC 6 H 4 -C(CF 3 ) 2 -C 6 H 4 -O-, -OC 6 H 4 -SO 2 -C 6 H 4 -O-, -C(CH 3 ) 2 -C 6 H 4 -C(CH 3 ) 2 -, It represents one type selected from the group consisting of groups represented by -OC 10 H 6 -O-, -OC 6 H 4 -C 6 H 4 -O-, and -OC 6 H 4 -O-.

Q의 예시에서의, -C6H4-는 페닐렌기이며, m-페닐렌기 및 p-페닐렌기가 바람직하고, p-페닐렌기가 보다 바람직하다. 또한, -C10H6-는 나프탈렌디일기이며, 나프탈렌-1,2-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 나프탈렌-2,3-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 및 나프탈렌-2,7-디일기가 바람직하고, 나프탈렌-1,4-디일기, 및 나프탈렌-2,6-디일기가 보다 바람직하다.)In the example of Q, -C 6 H 4 - is a phenylene group, m-phenylene group and p-phenylene group are preferable, and p-phenylene group is more preferable. In addition, -C 10 H 6 - is a naphthalenediyl group, naphthalene-1,2-diyl group, naphthalene-1,4-diyl group, naphthalene-2,3-diyl group, naphthalene-2,6-diyl group, and naphthalene-2,7-diyl group is preferred, naphthalene-1,4-diyl group, and naphthalene-2,6-diyl group are more preferred.)

식(1)~(4) 중의 R11로서는 형성되는 경화물의 내열성의 관점에서 수소 원자, 수산기, 불소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 트리플루오르메틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자, 수산기, 또는 트리플루오르메틸기가 특히 바람직하다.R 11 in formulas (1) to (4) is more preferably a hydrogen atom, a hydroxyl group, a fluorine atom, a methyl group, an ethyl group, or a trifluoromethyl group, from the viewpoint of heat resistance of the cured product to be formed. is particularly preferable.

식(4) 중의 Q로서는 형성되는 경화물의 내열성의 점에서 9,9'-플루오렌일리덴기, -O-C6H4-O-, -C(CF3)2-, -O-, -C(CH3)2-, -CH2-, 또는 -O-C6H4-C(CH3)2-C6H4-O-, -CONH-가 바람직하고, -O-C6H4-O-, -C(CF3)2- 또는 -O-가 특히 바람직하다.Q in formula (4) is 9,9'-fluoreneylidene group, -OC 6 H 4 -O-, -C(CF 3 ) 2 -, -O-, -C( CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, or -OC 6 H 4 -C(CH 3 ) 2 -C 6 H 4 -O-, -CONH- are preferred, -OC 6 H 4 -O-, - C(CF 3 ) 2 - or -O- is particularly preferred.

식(a3-1)으로 표시되는 디아민 화합물로서 방향족 디아민을 이용하는 경우, 예를 들면, 이하에 나타내는 방향족 디아민을 바람직하게 이용할 수 있다.When using aromatic diamine as the diamine compound represented by formula (a3-1), for example, aromatic diamine shown below can be preferably used.

즉, 방향족 디아민으로서는 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오르메틸)비페닐, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오르프로판, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌, 및That is, the aromatic diamines include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis( Trifluoromethyl) biphenyl, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1 ,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4- aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4- (4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-amino-3-methylphenyl)fluorene, and

4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에탄-1,1-디일)]디아닐린 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 가격, 입수 용이성 등에서, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 및 4,4'-디아미노디페닐에테르가 바람직하다.4,4'-[1,4-phenylenebis(1-methylethane-1,1-diyl)]dianiline, etc. can be mentioned. Among these, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, and 4,4'-diaminodiphenyl ether are preferred in terms of price, availability, etc.

또한, B로서는 쇄상의 지방족기 및/또는 방향족환을 가져도 되는 규소 원자 함유기를 채용할 수 있다. 이러한 규소 원자 함유기로서는 전형적으로는, 이하에 나타내는 기를 이용할 수 있다.Additionally, as B, a silicon atom-containing group that may have a chain-shaped aliphatic group and/or an aromatic ring can be employed. Typically, the groups shown below can be used as such silicon atom-containing groups.

또한, 얻어지는 경화물의 기계 특성을 더욱 향상시키는 관점에서 B로서는, 이하의 식(Si-1)로 표시되는 기도 바람직하게 이용할 수 있다.Additionally, from the viewpoint of further improving the mechanical properties of the obtained cured product, a group represented by the following formula (Si-1) can also be preferably used as B.

(식(Si-1) 중, R12 및 R13는 각각 독립적으로, 단일 결합 또는 메틸렌기, 탄소 원자수 2~20의 알킬렌기, 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬렌기, 또는 탄소 원자수 6~20의 알릴렌기 등이며, R14, R15, R16, 및 R17는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬기, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 탄소 원자수 20 이하의 아미노기를 포함하는 기, -O-R18로 나타내는 기(R18는 탄소 원자수 1~20의 탄화수소기), 탄소 원자수 2~20의 1개 이상의 에폭시기를 포함하는 유기기이며, I는 3~50의 정수이다.)(In formula (Si-1), R 12 and R 13 are each independently a single bond, a methylene group, an alkylene group with 2 to 20 carbon atoms, a cycloalkylene group with 3 to 20 carbon atoms, or a carbon atom number. 6 to 20 allylene groups, etc., and R 14 , R 15 , R 16 , and R 17 are each independently an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group with 3 to 20 carbon atoms, or a 6 to 20 carbon atom group. an aryl group of 20, a group containing an amino group of 20 or less carbon atoms, a group represented by -OR 18 (R 18 is a hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms), and one or more epoxy groups of 2 to 20 carbon atoms. It is an organic group that contains, and I is an integer of 3 to 50.)

식(Si-1) 중의 R12 및 R13에서의 탄소 원자수 2~20의 알킬렌기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서, 탄소 원자수 2~10의 알킬렌기가 바람직하고, 디메틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있다.The alkylene group having 2 to 20 carbon atoms for R 12 and R 13 in the formula (Si-1) is preferably an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms from the viewpoint of heat resistance and residual stress, and is preferably a dimethylene group, Trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, etc. are mentioned.

식(Si-1) 중의 R12 및 R13에서의 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬렌기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬렌기가 바람직하고, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 시클로헵틸렌기 등을 들 수 있다.The cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms for R 12 and R 13 in formula (Si-1) is preferably a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms from the viewpoint of heat resistance and residual stress, and a cyclobutylene group. , cyclopentylene group, cyclohexylene group, cycloheptylene group, etc.

식(Si-1) 중의 R12 및 R13에서의 탄소 원자수 6~20의 알릴렌기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 6~20의 방향족기가 바람직하고, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있다.The allylene group having 6 to 20 carbon atoms for R 12 and R 13 in formula (Si-1) is preferably an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms from the viewpoint of heat resistance and residual stress, and a phenylene group and a naphthylene group. etc. can be mentioned.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 1~20의 알킬기로서는, 내열성과 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 1~10의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms for R 14 , R 15 , R 16 , and R 17 in the formula (Si-1) is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms from the viewpoint of heat resistance and residual stress, Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, etc.

식(Si-1) 중의 R13, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬기로서는, 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.As the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms in R 13 , R 15 , R 16 , and R 17 in formula (Si-1), a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms is preferable from the viewpoint of heat resistance and residual stress. And specifically, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc. can be mentioned.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 6~20의 아릴기로서는 내열성, 잔류 응력의 관점에서 탄소 원자수 6~12의 아릴기가 바람직하고, 구체적으로는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.The aryl group having 6 to 20 carbon atoms for R 14 , R 15 , R 16 , and R 17 in formula (Si-1) is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms from the viewpoint of heat resistance and residual stress, Specifically, phenyl group, tolyl group, naphthyl group, etc. can be mentioned.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 탄소 원자수 20 이하의 아미노기를 포함하는 기로서는 아미노기, 치환한 아미노기(예를 들면, 비스(트리알킬시릴)아미노기) 등을 들 수 있다.Examples of groups containing an amino group having 20 or less carbon atoms at R 14 , R 15 , R 16 , and R 17 in formula (Si-1) include amino groups and substituted amino groups (for example, bis(trialkylsilyl)amino groups). ), etc.

식(Si-1) 중의 R14, R15, R16, 및 R17에서의 -O-R18로 나타내는 기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로필옥시기, 부톡시기, 페녹시기, 톨릴옥시기, 나프틸옥시기, 프로페닐옥시기(예를 들면, 아릴옥시기), 및 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다.The group represented by -OR 18 in R 14 , R 15 , R 16 , and R 17 in formula (Si-1) includes methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropyloxy group, butoxy group, phenoxy group, Tolyloxy group, naphthyloxy group, propenyloxy group (for example, aryloxy group), and cyclohexyloxy group can be mentioned.

그 중에서도, R14, R15, R16, 및 R17로서 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기이다.Among them, R 14 , R 15 , R 16 , and R 17 are preferably methyl, ethyl, propyl, or phenyl.

식(Si-1)으로 표시되는 기는 양 말단에 아미노기를 가지는 규소 함유 화합물을 산무수물에 대하여 작용시킴으로써 도출할 수 있다. 이러한 규소 함유 화합물의 구체적인 예로서는 양 말단 아미노 변성 메틸페닐실리콘(예를 들면 신에츠 화학 회사 제품의 X-22-1660B-3(수평균 분자량 4,400 정도) 및 X-22-9409(수평균 분자량 1,300 정도)), 양 말단 아미노 변성 디메틸실리콘(예를 들면 신에츠 화학 회사 제품의 X-22-161 A(수평균 분자량 1,600 정도), X-22-161 B(수평균 분자량 3,000 정도) 및 KF8012(수평균 분자량 4,400 정도);도레이 다우코닝사 제품의 BY16-835 U(수평균 분자량 900 정도); 및 JNC사 제품의 사이라프렌 FM3311(수평균 분자량 1000 정도)) 등을 들 수 있다.The group represented by the formula (Si-1) can be derived by reacting a silicon-containing compound having amino groups at both ends with an acid anhydride. Specific examples of such silicon-containing compounds include amino-modified methylphenyl silicone at both ends (e.g., X-22-1660B-3 (number average molecular weight approximately 4,400) and X-22-9409 (number average molecular weight approximately 1,300) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. , amino-modified dimethyl silicone at both ends (e.g., X-22-161 A (number average molecular weight approximately 1,600), degree); BY16-835 U (number average molecular weight approximately 900) manufactured by Toray Dow Corning; and Cyraprene FM3311 (number average molecular weight approximately 1000) manufactured by JNC.

〔폴리아믹산(A)의 제조 방법〕[Method for producing polyamic acid (A)]

식(a1)으로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)은 전형적으로는, 상술의 식(a1-1)으로 표시되는 테트라카르복실산 2무수물과, 상술의 식(a3-1)으로 표시되는 디아민 화합물을 용제 중에서 반응시켜 얻어지는 폴리머이고, 디아민 화합물 및/또는 테트라카르복실산 2무수물을 각각 1종 또는 2 종류 이상을 이용하여 얻어지는 폴리머이어도 된다. 예를 들면, 디아민 화합물과 2 종류 이상의 테트라카르복실산 2무수물을 포함하는 혼합물을 중축합하여 얻어지는 폴리머이어도 된다. 또한, 폴리아믹산(A)은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.Polyamic acid (A) having a structural unit represented by formula (a1) typically includes tetracarboxylic dianhydride represented by the above-mentioned formula (a1-1) and the above-mentioned formula (a3-1). It is a polymer obtained by reacting a diamine compound in a solvent, and may be a polymer obtained by using one type or two or more types of diamine compound and/or tetracarboxylic dianhydride, respectively. For example, it may be a polymer obtained by polycondensing a mixture containing a diamine compound and two or more types of tetracarboxylic dianhydrides. In addition, polyamic acid (A) can be used alone or in a mixture of two or more types.

폴리아믹산(A)을 합성하는 때의 테트라카르복실산 2무수물 및 디아민 화합물의 사용량은 특히 한정되지 않지만, 테트라카르복실산 2무수물 1몰에 대하여 디아민 화합물을 0.50~1.50몰 이용하는 것이 바람직하고, 0.60~1.30몰 이용하는 것이 보다 바람직하며, 0.70~1.20몰 이용하는 것이 특히 바람직하다.The amount of tetracarboxylic dianhydride and diamine compound used when synthesizing polyamic acid (A) is not particularly limited, but it is preferable to use 0.50 to 1.50 mole of diamine compound per 1 mole of tetracarboxylic dianhydride, and 0.60 mole. It is more preferable to use ~1.30 mol, and it is especially preferable to use 0.70-1.20 mol.

또한, 얻어지는 폴리아믹산(A)의 중량 평균 분자량은 그 용도에 맞추어 적절히 설정하면 되지만, 예를 들면 5000 이상이고, 7500 이상이 바람직하며, 10000 이상이 보다 바람직하다. 한편, 얻어지는 폴리아믹산(A)의 중량 평균 분자량은 예를 들면 100,000 이하이고, 80,000 이하가 바람직하며, 75,000 이하가 보다 바람직하다.In addition, the weight average molecular weight of the polyamic acid (A) obtained may be set appropriately according to the intended use, but for example, it is 5000 or more, preferably 7500 or more, and more preferably 10000 or more. On the other hand, the weight average molecular weight of the polyamic acid (A) obtained is, for example, 100,000 or less, preferably 80,000 or less, and more preferably 75,000 or less.

이 중량 평균 분자량은 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물의 배합량이나 용매나 반응 온도 등의 반응 조건을 조정하여 상술의 값으로 하면 된다.This weight average molecular weight can be set to the above-mentioned value by adjusting reaction conditions such as the compounding amount of tetracarboxylic dianhydride and diamine compound, solvent, and reaction temperature.

테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물과의 반응은 통상, 유기 용제 중에서 실시된다. 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물과의 반응에 사용되는 유기 용제는 테트라카르복실산 2산 무수물 및 디아민 화합물을 용해시킬 수 있고, 테트라카르복실산 2무수물 및 디아민 화합물과 반응하지 않는 것이면 특히 한정되지 않는다. 유기 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.The reaction between tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound is usually carried out in an organic solvent. The organic solvent used for the reaction between tetracarboxylic dianhydride and diamine compound is particularly limited as long as it can dissolve tetracarboxylic dianhydride and diamine compound and does not react with tetracarboxylic dianhydride and diamine compound. It doesn't work. Organic solvents can be used individually or in combination of two or more types.

테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물과의 반응에 이용하는 유기 용제의 예로서는 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제; 디메틸술폭시드;아세트니트릴;디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디옥산, 및 테트라히드로퓨란 등의 에테르 종류를 들 수 있다.Examples of organic solvents used in the reaction between tetracarboxylic dianhydride and diamine compounds include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, and N,N-dimethyl. Nitrogen-containing polar solvents such as formamide, N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea; Dimethyl sulfoxide; Acetonitrile; Diethylene glycol dimethyl Ether types include ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, and tetrahydrofuran.

이들 유기 용제 중에서는 생성하는 폴리아믹산(A)이나 폴리이미드 수지의 용해성에서, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제가 바람직하다.Among these organic solvents, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N, etc., due to the solubility of the produced polyamic acid (A) and polyimide resin. -Nitrogen-containing polar solvents such as dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, and N,N,N',N'-tetramethylurea are preferred.

테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물을 반응시킬 때의 온도는 반응이 양호하게 진행하는 한 특히 한정되지 않는다. 전형적으로는 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물의 반응 온도는 -5~150℃가 바람직하고, 0~120℃가 보다 바람직하며, 0~70℃가 특히 바람직하다. 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물을 반응시키는 시간은 반응 온도에 따라서 상이하지만, 전형적으로는 1~50시간이 바람직하고, 2~40시간이 보다 바람직하며, 5~30시간이 특히 바람직하다.The temperature when reacting tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound is not particularly limited as long as the reaction proceeds well. Typically, the reaction temperature between tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound is preferably -5 to 150°C, more preferably 0 to 120°C, and particularly preferably 0 to 70°C. The time for reacting tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound varies depending on the reaction temperature, but typically 1 to 50 hours is preferable, 2 to 40 hours is more preferable, and 5 to 30 hours is particularly preferable.

이상 설명한 방법에 의하여, 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액이 얻어진다.By the method described above, a solution containing polyamic acid (A) is obtained.

제1 태양에 따른 수지 조성물을 조제하는 방법은 특히 한정되지 않지만, 얻어진 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액에 분자 내에-CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O-결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 배합하는 방법이 바람직하다.The method for preparing the resin composition according to the first aspect is not particularly limited, but is added to a solution containing the obtained polyamic acid (A), a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and - in the molecule - A method of mixing one or more types selected from the group consisting of basic nitrogen-containing compounds (B2) that do not have a CO-O-bond is preferred.

상기와 같이 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액을 그대로 수지 조성물의 조제에 이용할 수도 있고, 감압 하에, 폴리아믹산의 폴리이미드 수지로의 변환이 생기지 않는 정도의 저온에서, 폴리아믹산(A)의 용액에서 용제의 적어도 일부를 제거하여 얻어지는, 폴리아믹산의 페이스트 또는 고체를 수지 조성물의 조제에 이용할 수도 있다.As described above, the solution containing the polyamic acid (A) can be used as is for the preparation of the resin composition, or the solution of the polyamic acid (A) can be prepared under reduced pressure at a low temperature such that conversion of the polyamic acid to polyimide resin does not occur. A paste or solid of polyamic acid obtained by removing at least part of the solvent can also be used to prepare a resin composition.

<카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2)><Carbonyloxy compound (B1) and basic nitrogen-containing compound (B2)>

수지 조성물은 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다. 카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2)은 각각 폴리아믹산(A)에서의 폴리이미드의 생성을 촉진시키는 성분이다.The resin composition contains at least one member selected from the group consisting of a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) having no -CO-O- bond in the molecule. Includes. Carbonyloxy compound (B1) and basic nitrogen-containing compound (B2) are components that promote the production of polyimide from polyamic acid (A), respectively.

이로 인해, 제1 태양에 따른 수지 조성물을 이용하면, 폴리아믹산(A)이 적절한 속도에서 폴리이미드로 변환되고, 형상이 안정된 경화물을 얻기 쉽다.For this reason, when the resin composition according to the first aspect is used, the polyamic acid (A) is converted to polyimide at an appropriate rate, and it is easy to obtain a cured product with a stable shape.

카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2) 중 어느 한쪽만을 이용하여도 폴리이미드의 생성을 촉진하는 효과가 얻어지지만, 카르보닐옥시 화합물(B1)과 염기성 함질소 화합물(B2)을 조합하여 수지 조성물에 배합하는 것이, 수지 조성물의 경화성의 점에서 바람직하다.The effect of promoting the production of polyimide can be obtained by using only either the carbonyloxy compound (B1) or the basic nitrogen-containing compound (B2), but the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen-containing compound (B2) can be used. It is preferable to mix them into a resin composition in combination from the viewpoint of curability of the resin composition.

이하, 카르보닐옥시 화합물(B1) 및 염기성 함질소 화합물(B2)에 대하여, 각각 설명한다.Hereinafter, the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen-containing compound (B2) will be described, respectively.

〔카르보닐옥시 화합물(B1)〕[Carbonyloxy compound (B1)]

카르보닐옥시 화합물로서는, 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다. 카르보닐옥시 화합물(B1)은 폴리아믹산(A)에서의 탈수에 의한 폐환을 촉진시킴으로써, 수지 조성물의 경화를 양호하게 진행시킨다.The carbonyloxy compound is not particularly limited as long as it is a compound having a -CO-O- bond in the molecule. The carbonyloxy compound (B1) promotes ring closure by dehydration in the polyamic acid (A), thereby favorably progressing curing of the resin composition.

카르보닐옥시 화합물(B1)로서는 예를 들면, 카르복실산, 카르복실산 에스테르, 카르복실산 무수물, 카보네이트 등을 들 수 있다.Examples of the carbonyloxy compound (B1) include carboxylic acid, carboxylic acid ester, carboxylic acid anhydride, and carbonate.

카르보닐옥시 화합물(B1)은 2종 이상을 조합하여 이용하여도 된다.Carbonyloxy compound (B1) may be used in combination of two or more types.

(카르복실산)(carboxylic acid)

카르복실산은 지방족 카르복실산이어도, 방향족 카르복실산이어도 된다. 또한, 카르복실산은 카르복실기를 1개 가지는 1가 카르복실산이어도 되고, 2이상의 카르복실기를 가지는 다가 카르복실산이어도 된다.The carboxylic acid may be an aliphatic carboxylic acid or an aromatic carboxylic acid. In addition, the carboxylic acid may be a monovalent carboxylic acid having one carboxyl group, or may be a polyvalent carboxylic acid having two or more carboxyl groups.

또한, 카르복실산의 탄소 원자수는 특히 한정되지 않지만, 1~50이 바람직하고, 1~30이 보다 바람직하다.Moreover, the number of carbon atoms of carboxylic acid is not particularly limited, but is preferably 1 to 50, and more preferably 1 to 30.

카르복실산의 바람직한 구체적인 예로서는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 락트산, 아크릴산, 및 메타크릴산 등의 지방족 모노카르복실산;옥살산, 말레인산, 아디핀산, 세바스산, 아젤라산, 푸마르산, 및 이타콘산 등의 지방족 다가카르복실산;벤조산, 살리실산, p-히드록시벤조산, m-히드록시벤조산, o-클로로벤조산, p-클로로벤조산, m-클로로벤조산, o-메틸벤조산, p-메틸벤조산, m-메틸벤조산, 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-디카르복실비페닐, 4,4'-디카르복실디페닐에테르, 및 트리멜리트산 등의 방향족 카르복실산을 들 수 있다.Preferred specific examples of carboxylic acids include aliphatic monocarboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, lactic acid, acrylic acid, and methacrylic acid; Aliphatic polycarboxylic acids such as oxalic acid, maleic acid, adipic acid, sebacic acid, azelaic acid, fumaric acid, and itaconic acid; benzoic acid, salicylic acid, p-hydroxybenzoic acid, m-hydroxybenzoic acid, o-chlorobenzoic acid, p-chlorobenzoic acid Benzoic acid, m-chlorobenzoic acid, o-methylbenzoic acid, p-methylbenzoic acid, m-methylbenzoic acid, terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, 4 , 4'-dicarboxyl biphenyl, 4,4'-dicarboxyl diphenyl ether, and aromatic carboxylic acids such as trimellitic acid.

또한, 방향족기와 알킬렌기에 결합하는 카르복실기를 가지는 화합물도 카르복실산으로서 바람직하다. 이러한 화합물의 구체예로서는 페닐아세트산, 3-페닐프로피온산, 4-페닐부탄산 등을 들 수 있다.Additionally, compounds having a carboxyl group bonded to an aromatic group and an alkylene group are also preferable as carboxylic acids. Specific examples of such compounds include phenylacetic acid, 3-phenylpropionic acid, and 4-phenylbutanoic acid.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 바람직하게 이용되는 카르복실산으로서는 예를 들면, 하기 식(b1-1)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.In addition, in this embodiment, examples of carboxylic acids preferably used include compounds represented by the following formula (b1-1).

(식(b1-1) 중, Rb0, Rb1 및 Rb2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기 또는 유기기이며, Rb0 및 Rb1의 어느 것은 치환기를 가져도 되는 방향족기 또는 알킬기이다.)(In formula (b1-1), R b0 , R b1 and R b2 are each independently hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, and sulfino group. group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group or organic group, and either of R b0 and R b1 is an aromatic group or alkyl group that may have a substituent.)

식(b1-1) 중의 유기기로서는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하여도 된다.Examples of the organic group in formula (b1-1) include an alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, aryl group, and aralkyl group. This organic group may contain bonds or substituents other than hydrocarbon groups such as hetero atoms among the above-mentioned organic groups.

또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다. 이 유기기는 통상은 1가이지만, 환상 구조를 형성하는 경우 등에는 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.Additionally, this organic group may be linear, branched, or cyclic. This organic group is usually monovalent, but in cases such as when forming a cyclic structure, it may be a divalent or higher organic group.

유기기에 포함되는 결합은 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특히 한정되지 않고, 유기기는 산소 원자, 질소 원자, 규소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 포함하여도 된다. 헤테로 원자를 포함하는 결합의 구체예로서는 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있다.The bond contained in the organic group is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and the organic group may include a bond containing a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a silicon atom. Specific examples of bonds containing heteroatoms include ether bond, thioether bond, carbonyl bond, thiocarbonyl bond, ester bond, amide bond, urethane bond, and imino bond (-N=C(-R)-, -C (=NR)-: R represents a hydrogen atom or an organic group), carbonate bond, sulfonyl bond, sulfinyl bond, azo bond, etc.

유기기가 가져도 되는 헤테로 원자를 포함하는 결합으로서는 식(b1-1)으로 표시되는 화합물의 내열성의 관점에서 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합이 바람직하다.Bonds containing heteroatoms that the organic group may have include, from the viewpoint of heat resistance of the compound represented by formula (b1-1), ether bond, thioether bond, carbonyl bond, thiocarbonyl bond, ester bond, amide bond, and urethane. A bond, an imino bond (-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R represents a hydrogen atom or a monovalent organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, and a sulfinyl bond are preferable.

Rb0, Rb1 및 Rb2의 구체예로서는 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 시릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 티오카르바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카르복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 술피노기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포나토기, 알킬에테르기, 알케닐에테르기, 알킬티오에테르기, 알케닐티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 포함되는 수소 원자는 탄화수소기에 의해 치환되어도 된다. 또한, 상기 치환기에 포함되는 탄화수소기는 직쇄상, 분기쇄상, 및 환상의 어느 것이어도 된다.Specific examples of R b0 , R b1 , and R b2 include a halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, cyano group, isocyano group, cyanate group, isocyanate group, thiocyanate group, isothiocyanate group, and silyl group. , silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfonate group, phosphino group, phosphino group. Examples include pynyl group, phosphonato group, alkyl ether group, alkenyl ether group, alkylthioether group, alkenylthioether group, arylether group, and arylthioether group. The hydrogen atom included in the substituent may be substituted by a hydrocarbon group. Additionally, the hydrocarbon group included in the substituent may be linear, branched, or cyclic.

식(b1-1) 중, Rb0 및 Rb1의 어느 것은, 치환기를 가져도 되는 방향족기, 또는 알킬기이다. 식(b1-1) 중, Rb0 및 Rb1 중 어느 것이 알킬기인 경우, 상기 알킬기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 된다. 상기 알킬기의 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~15가 보다 바람직하며, 1~10이 특히 바람직하고, 1~6이 더욱 바람직하며, 1~4가 가장 바람직하다. In formula (b1-1), either R b0 or R b1 is an aromatic group or an alkyl group that may have a substituent. In formula (b1-1), when either R b0 or R b1 is an alkyl group, the alkyl group may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 15, particularly preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, and most preferably 1 to 4.

Rb2가 알킬기인 경우도 있으며, 이 경우의 알킬기는 상기와 동일한 기가 바람직하다.R b2 may be an alkyl group, and in this case, the alkyl group is preferably the same as above.

식(b1-1) 중, Rb0 및 Rb1 중 어느 것이 치환기를 가져도 되는 방향족기인 경우, 상기 방향족기가 가져도 되는 치환기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않는다. 상기 치환기의 바람직한 예로서는 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포나토기 또는 유기기를 들 수 있다.In formula (b1-1), when either R b0 or R b1 is an aromatic group that may have a substituent, the type of substituent that the aromatic group may have is not particularly limited as long as it does not impair the purpose of the present invention. Preferred examples of the substituent include a halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphonato group or organic group. .

식(b1-1)에 있어서, Rb0 및 Rb1중 어느 것이 치환기를 가져도 되는 방향족기인 경우, 방향족기는 방향족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 복소환기이어도 되며, 방향족 탄화수소기가 바람직하다. 방향족기의 바람직한 예로서는 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 안트릴기, 및 펜안트릴기를 들 수 있다. 이들 방향족기 중에서는 페닐기가 바람직하다.In formula (b1-1), when either R b0 or R b1 is an aromatic group that may have a substituent, the aromatic group may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and an aromatic hydrocarbon group is preferable. Preferred examples of aromatic groups include phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, anthryl group, and phenanthryl group. Among these aromatic groups, phenyl group is preferable.

Rb2가 치환기를 가져도 되는 방향족기인 경우도 있고, 이 경우의 치환기를 가져도 되는 방향족기는 상기와 동일한 기가 바람직하다.R b2 may be an aromatic group that may have a substituent. In this case, the aromatic group that may have a substituent is preferably the same as above.

방향족기가 가져도 되는 치환기의 구체예는 Rb0, Rb1 및 Rb2의 구체예와 동일하다.Specific examples of substituents that the aromatic group may have are the same as those for R b0 , R b1 , and R b2 .

식(b1-1)으로 표시되는 화합물 중에서도 바람직한 화합물로서는 하기 식(b1-2)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Among the compounds represented by formula (b1-1), preferred compounds include those represented by the following formula (b1-2).

(식(b1-2) 중, Rb1 및 Rb2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 아미노기, 암모니오기, 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다.)(In formula (b1-2), R b1 and R b2 are each independently hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, alcohol Represents porosity, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, or organic group.R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 are each independently hydrogen atom, halogen Atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, Represents an amino group, an ammonium group, or an organic group. Two or more of R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 may be combined to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond. .)

Rb1 및 Rb2에서의 유기기는 식(b1-1)에 대하여 설명한 유기기와 동일하다.The organic groups in R b1 and R b2 are the same as the organic groups described for formula (b1-1).

이상 중에서도, 식(b1-2)에서의 Rb1 및 Rb2로서는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소 원자수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소 원자수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자수 2~11의 아미드기, 탄소 원자수 1~10의 알킬티오기, 탄소 원자수 1~10의 아실기, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 Rb1 및 Rb2의 양쪽이 수소 원자이거나 또는 Rb1이 메틸기이고, Rb2가 수소 원자이다.Among the above, R b1 and R b2 in formula (b1-2) each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group with 4 to 13 carbon atoms, and a cycloalkyl group with 4 to 13 carbon atoms. Alkenyl group, aryloxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms, aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having a cyano group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group, carbon Alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, amide group with 2 to 11 carbon atoms, alkylthio group with 1 to 10 carbon atoms, acyl group with 1 to 10 carbon atoms, aryl group with 6 to 20 carbon atoms, It is preferable that they are an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an electron donating group and/or an electron withdrawing group, a benzyl group, a cyano group, or a methylthio group substituted with an electron donating group and/or an electron withdrawing group. More preferably, both R b1 and R b2 are hydrogen atoms, or R b1 is a methyl group and R b2 is a hydrogen atom.

Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7에서의 유기기로서는 Rb1 및 Rb2에 대하여 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 Rb1 및 Rb2의 경우와 같이, 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하여도 된다. 또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다.Organic groups in R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 include those exemplified for R b1 and R b2 . As in the case of R b1 and R b2 , this organic group may contain bonds or substituents other than hydrocarbon groups such as hetero atoms. Additionally, this organic group may be linear, branched, or cyclic.

Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다. 환상 구조로서는 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있고, 축합환이어도 된다. 예를 들면, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하고, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유하여 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성하여도 된다.Two or more of R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 may be combined to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond. Examples of the cyclic structure include heterocycloalkyl groups and heteroaryl groups, and may be condensed rings. For example, R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 are two or more of them bonded, and the atom of the benzene ring to which R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 is bonded. may be shared to form a condensed ring of naphthalene, anthracene, phenanthrene, indene, etc.

이상 중에서도, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7로서는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소 원자수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소 원자수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자수 2~11의 아미드기, 탄소 원자수 1~10의 알킬티오기, 탄소 원자수 1~10의 아실기, 탄소 원자수 2~11의 에스테르기, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기, 니트로기인 것이 바람직하다.Among the above, R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group with 4 to 13 carbon atoms, and 4 to 13 carbon atoms. cycloalkenyl group, aryloxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms, aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having a cyano group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group. , alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, amide group with 2 to 11 carbon atoms, alkylthio group with 1 to 10 carbon atoms, acyl group with 1 to 10 carbon atoms, ester with 2 to 11 carbon atoms. group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an electron-donating group and/or an electron-withdrawing group, a benzyl group substituted with an electron-donating group and/or an electron-withdrawing group, and cyanogroup. It is preferable that they are a methylthio group or a nitro group.

또한, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7로서는 이들의 2 이상이 결합하여, Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유하여 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성하고 있는 경우도 바람직하다.In addition, as R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 , two or more of them are bonded and share the atom of the benzene ring to which R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 are bonded. Therefore, it is also preferable to form a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, or indene.

상기 식(b1-2)으로 표시되는 화합물 중에서는 하기 식(b1-3)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.Among the compounds represented by the above formula (b1-2), the compound represented by the following formula (b1-3) is preferable.

(식(b1-3) 중, Rb1~Rb6는 식(b1-2)과 동일한 의미이다. Rb8는 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. Rb3 및 Rb4는 수산기가 되지는 않는다. Rb3, Rb4, Rb5, 및 Rb6는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다.)(In formula (b1-3), R b1 to R b6 have the same meaning as formula (b1-2). R b8 represents a hydrogen atom or an organic group. R b3 and R b4 do not become hydroxyl groups. R b3 , R b4 , R b5 , and R b6 may combine two or more of them to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond.)

식(b1-3)으로 표시되는 화합물은 치환기 -O-Rb8를 가지기 때문에 수지 조성물 중에 균일하게 분산 또는 용해하기 쉽다.Since the compound represented by formula (b1-3) has a substituent -OR b8 , it is easy to disperse or dissolve uniformly in the resin composition.

식(b1-3)에 있어서, Rb8는 수소 원자 또는 유기기이다. Rb8가 유기기인 경우, 유기기로서는 Rb1 및 Rb2에서 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자를 포함하여도 된다. 또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다. Rb8로서는 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1~12의 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다.In formula (b1-3), R b8 is a hydrogen atom or an organic group. When R b8 is an organic group, examples of the organic group include those exemplified by R b1 and R b2 . This organic group may contain a hetero atom in the organic group. Additionally, this organic group may be linear, branched, or cyclic. As R b8 , a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is preferable, and a methyl group is more preferable.

식(b1-1)으로 표시되는 화합물 중 특히 바람직한 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.Specific examples of particularly preferable compounds among the compounds represented by formula (b1-1) are shown below.

(카르복실산 에스테르)(carboxylic acid ester)

카르복실산 에스테르는 에스테르 결합을 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다. 카르복실산 에스테르는 방향족기를 가져도 된다.The carboxylic acid ester is not particularly limited as long as it is a compound having an ester bond. The carboxylic acid ester may have an aromatic group.

카르복실산 에스테르로서는 예를 들면, 전술의 카르복실산의 C1-C10 알킬 에스테르, C3-C10 시클로알킬에스테르, 페닐에스테르, C6-C10의 알킬페닐에스테르, C7-C10의 알콕시페닐에스테르, 나프틸에스테르, C7-C10의 아랄킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of carboxylic acid esters include C 1 -C 10 alkyl esters, C 3 -C 10 cycloalkyl esters, phenyl esters, C 6 -C 10 alkylphenyl esters, and C 7 -C 10 of the above-mentioned carboxylic acids. alkoxyphenyl ester, naphthyl ester, C 7 -C 10 aralkyl ester, etc.

카르복실산 에스테르가 다가 카르복실산의 에스테르인 경우, 카르복실산 에스테르는 에스테르 결합과 함께 카르복실기를 가져도 된다. 예를 들면, 테레프탈산 모노메틸 에스테르 등도 카르복실산 에스테르이다.When the carboxylic acid ester is an ester of a polyhydric carboxylic acid, the carboxylic acid ester may have a carboxyl group along with the ester bond. For example, terephthalic acid monomethyl ester is also a carboxylic acid ester.

카르복실산 에스테르의 바람직한 구체예로서는 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산n-프로필, 포름산이소프로필, 포름산n-부틸, 포름산이소부틸, 포름산sec-부틸, 포름산tert-부틸, 포름산n-펜틸, 포름산n-헥실, 포름산n-헵틸, 포름산n-옥틸, 포름산시클로프로필, 포름산시클로부틸, 포름산시클로펜틸, 포름산시클로헥실, 포름산시클로헵틸, 포름산시클로옥틸, 포름산페닐, 포름산o-톨릴, 포름산m-톨릴, 포름산p-톨릴, 포름산α-나프틸, 포름산β-나프틸, 포름산벤질, 및 포름산페네틸 등의 포름산에스테르;아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 뷰티르산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산sec-부틸, 아세트산tert-부틸, 아세트산n-펜틸, 아세트산n-헥실, 아세트산n-헵틸, 아세트산n-옥틸, 아세트산시클로프로필, 아세트산시클로부틸, 아세트산시클로펜틸, 아세트산시클로헥실, 아세트산시클로헵틸, 아세트산시클로옥틸, 아세트산페닐, 아세트산o-톨릴, 아세트산m-톨릴, 아세트산p-톨릴, 아세트산α-나프틸, 아세트산β-나프틸, 아세트산벤질, 및 아세트산페네틸 등의 아세트산에스테르;프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 프로피온산sec-부틸, 프로피온산tert-부틸, 프로피온산n-펜틸, 프로피온산n-헥실, 프로피온산n-헵틸, 프로피온산n-옥틸, 프로피온산시클로프로필, 프로피온산시클로부틸, 프로피온산시클로펜틸, 프로피온산시클로헥실, 프로피온산시클로헵틸, 프로피온산시클로옥틸, 프로피온산페닐, 프로피온산o-톨릴, 프로피온산m-톨릴, 프로피온산p-톨릴, 프로피온산α-나프틸, 프로피온산β-나프틸, 프로피온산벤질, 및 프로피온산페네틸 등의 프로피온산에스테르;아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산n-프로필, 아크릴산이소프로필, 아크릴산n-부틸, 아크릴산이소부틸, 아크릴산sec-부틸, 아크릴산tert-부틸, 아크릴산n-펜틸, 아크릴산n-헥실, 아크릴n-헵틸, 아크릴산n-옥틸, 아크릴산시클로프로필, 아크릴산시클로부틸, 아크릴산시클로펜틸, 아크릴산시클로헥실, 아크릴산시클로헵틸, 아크릴산시클로옥틸, 아크릴산페닐, 아크릴산o-톨릴, 아크릴산m-톨릴, 아크릴산p-톨릴, 아크릴산α-나프틸, 아크릴산β-나프틸, 아크릴산벤질, 및 아크릴산페네틸 등의 아크릴산에스테르;메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산n-프로필, 메타크릴산이소프로필, 메타크릴산n-부틸, 메타크릴산이소부틸, 메타크릴산sec-부틸, 메타크릴산tert-부틸, 메타크릴산n-펜틸, 메타크릴산n-헥실, 메타크릴산n-헵틸, 메타크릴산n-옥틸, 메타크릴산시클로프로필, 메타크릴산시클로부틸, 메타크릴산시클로펜틸, 메타크릴산시클로헥실, 메타크릴산시클로헵틸, 메타크릴산시클로옥틸, 메타크릴산페닐, 메타크릴산o-톨릴, 메타크릴산m-톨릴, 메타크릴산p-톨릴, 메타크릴산α-나프틸, 메타크릴산β-나프틸, 메타크릴산벤질, 및 메타크릴산페네틸 등의 메타크릴산에스테르;벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산n-프로필, 벤조산이소프로필, 벤조산n-부틸, 벤조산이소부틸, 벤조산sec-부틸, 벤조산tert-부틸, 벤조산n-펜틸, 벤조산n-헥실, 벤조산n-헵틸, 벤조산n-옥틸, 벤조산시클로프로필, 벤조산시클로부틸, 벤조산시클로펜틸, 벤조산시클로헥실, 벤조산시클로헵틸, 벤조산시클로옥틸, 벤조산페닐, 벤조산o-톨릴, 벤조산m-톨릴, 벤조산p-톨릴, 벤조산α-나프틸, 벤조산β-나프틸, 벤조산벤질, 및 벤조산페네틸 등의 벤조산에스테르;테레프탈산디메틸, 테레프탈산디에틸, 테레프탈산디n-프로필, 테레프탈산디이소프로필, 테레프탈산디n-부틸, 테레프탈산디이소부틸, 테레프탈산디sec-부틸, 테레프탈산디tert-부틸, 테레프탈산디n-펜틸, 테레프탈산디n-헥실, 테레프탈산디n-헵틸, 테레프탈산디n-옥틸, 테레프탈산디시클로프로필, 테레프탈산디시클로부틸, 테레프탈산디시클로펜틸, 테레프탈산디시클로헥실, 테레프탈산디시클로헵틸, 테레프탈산디시클로옥틸, 테레프탈산디페닐, 테레프탈산디o-톨릴, 테레프탈산디m-톨릴, 테레프탈산디p-톨릴, 테레프탈산디α-나프틸, 테레프탈산디β-나프틸, 테레프탈산디벤질, 및 테레프탈산디페네틸 등의 테레프탈산디에스테르;에틸렌글리콜모노아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로피오네이트, 에틸렌글리콜모노부타노에이트, 에틸렌글리콜모노펜타노에이트, 에틸렌글리콜모노벤조에이트, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜디프로피오네이트, 에틸렌글리콜디부타노에이트, 에틸렌글리콜디펜타노에이트, 및 에틸렌글리콜디벤조에이트 등의 에틸렌글리콜에스테르;디에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로피오네이트, 디에틸렌글리콜모노부타노에이트, 디에틸렌글리콜모노펜타노에이트, 디에틸렌글리콜모노벤조에이트, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜디프로피오네이트, 디에틸렌글리콜디부타노에이트, 디에틸렌글리콜디펜타노에이트, 및 디에틸렌글리콜디벤조에이트 등의 디에틸렌글리콜에스테르;프로필렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부타노에이트, 프로필렌글리콜모노펜타노에이트, 프로필렌글리콜모노벤조에이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜디프로피오네이트, 프로필렌글리콜디부타노에이트, 프로필렌글리콜디펜타노에이트, 및 프로필렌글리콜디벤조에이트 등의 프로필렌글리콜에스테르;디프로필렌글리콜모노아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로피오네이트, 디프로필렌글리콜모노부타노에이트, 디프로필렌글리콜모노펜타노에이트, 디프로필렌글리콜모노벤조에이트, 디프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜디프로피오네이트, 디프로필렌글리콜디부타노에이트, 디프로필렌글리콜디펜타노에이트, 및 디프로필렌글리콜디벤조에이트 등의 디프로필렌글리콜에스테르;를 들 수 있다.Preferred specific examples of carboxylic acid esters include methyl formate, ethyl formate, n-propyl formate, isopropyl formate, n-butyl formate, isobutyl formate, sec-butyl formate, tert-butyl formate, n-pentyl formate, and n-formate. Hexyl, n-heptyl formate, n-octyl formate, cyclopropyl formate, cyclobutyl formate, cyclopentyl formate, cyclohexyl formate, cycloheptyl formate, cyclooctyl formate, phenyl formate, o-tolyl formate, m-tolyl formate, formic acid Formic acid esters such as p-tolyl, α-naphthyl formate, β-naphthyl formate, benzyl formate, and phenethyl formate; methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl butyrate, acetic acid Isobutyl, sec-butyl acetate, tert-butyl acetate, n-pentyl acetate, n-hexyl acetate, n-heptyl acetate, n-octyl acetate, cyclopropyl acetate, cyclobutyl acetate, cyclopentyl acetate, cyclohexyl acetate, acetic acid Acetic acid esters such as cycloheptyl, cyclooctyl acetate, phenyl acetate, o-tolyl acetate, m-tolyl acetate, p-tolyl acetate, α-naphthyl acetate, β-naphthyl acetate, benzyl acetate, and phenethyl acetate; propionic acid Methyl, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, n-butyl propionate, isobutyl propionate, sec-butyl propionate, tert-butyl propionate, n-pentyl propionate, n-hexyl propionate, n-heptyl propionate, n-propionate. -Octyl, cyclopropyl propionate, cyclobutyl propionate, cyclopentyl propionate, cyclohexyl propionate, cycloheptyl propionate, cyclooctyl propionate, phenyl propionate, o-tolyl propionate, m-tolyl propionate, p-tolyl propionate, α-naphthyl propionate. , propionate esters such as β-naphthyl propionate, benzyl propionate, and phenethyl propionate; methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, sec-butyl acrylate, tert acrylate -Butyl, n-pentyl acrylate, n-hexyl acrylate, n-heptyl acrylate, n-octyl acrylate, cyclopropyl acrylate, cyclobutyl acrylate, cyclopentyl acrylate, cyclohexyl acrylate, cycloheptyl acrylate, cyclooctyl acrylate, phenyl acrylate, Acrylic acid esters such as o-tolyl acrylate, m-tolyl acrylate, p-tolyl acrylate, α-naphthyl acrylate, β-naphthyl acrylate, benzyl acrylate, and phenethyl acrylate; methyl methacrylate, ethyl methacrylate, and metacrylate n-propyl acrylate, isopropyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, n-pentyl methacrylate, n-methacrylate -Hexyl, n-heptyl methacrylate, n-octyl methacrylate, cyclopropyl methacrylate, cyclobutyl methacrylate, cyclopentyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, cycloheptyl methacrylate, methacrylic acid Cyclooctyl, phenyl methacrylate, o-tolyl methacrylate, m-tolyl methacrylate, p-tolyl methacrylate, α-naphthyl methacrylate, β-naphthyl methacrylate, benzyl methacrylate, and methacrylic acid esters such as phenethyl methacrylate; methyl benzoate, ethyl benzoate, n-propyl benzoate, isopropyl benzoate, n-butyl benzoate, isobutyl benzoate, sec-butyl benzoate, tert-butyl benzoate, and n-pentyl benzoate. , n-hexyl benzoate, n-heptyl benzoate, n-octyl benzoate, cyclopropyl benzoate, cyclobutyl benzoate, cyclopentyl benzoate, cyclohexyl benzoate, cycloheptyl benzoate, cyclooctyl benzoate, phenyl benzoate, o-tolyl benzoate, m benzoate. -Benzoic acid esters such as tolyl, p-tolyl benzoate, α-naphthyl benzoate, β-naphthyl benzoate, benzyl benzoate, and phenethyl benzoate; dimethyl terephthalate, diethyl terephthalate, din-propyl terephthalate, diisopropyl terephthalate, Din-butyl terephthalate, diisobutyl terephthalate, disec-butyl terephthalate, ditert-butyl terephthalate, din-pentyl terephthalate, din-hexyl terephthalate, din-heptyl terephthalate, din-octyl terephthalate, dicyclo terephthalate. Propyl, dicyclobutyl terephthalate, dicyclopentyl terephthalate, dicyclohexyl terephthalate, dicycloheptyl terephthalate, dicyclooctyl terephthalate, diphenyl terephthalate, di-tolyl terephthalate, dim-tolyl terephthalate, dip-tolyl terephthalate, terephthalic acid. Terephthalic acid diesters such as diα-naphthyl, diβ-naphthyl terephthalate, dibenzyl terephthalate, and diphenethyl terephthalate; ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol monopropionate, ethylene glycol monobutanoate, ethylene glycol monopenta Ethylene glycol esters such as noate, ethylene glycol monobenzoate, ethylene glycol diacetate, ethylene glycol dipropionate, ethylene glycol dibutanoate, ethylene glycol dipentanoate, and ethylene glycol dibenzoate; diethylene glycol Monoacetate, Diethylene Glycol Monopropionate, Diethylene Glycol Monobutanoate, Diethylene Glycol Monopentanoate, Diethylene Glycol Monobenzoate, Diethylene Glycol Diacetate, Diethylene Glycol Dipropionate, Diethylene Diethylene glycol esters such as glycol dibutanoate, diethylene glycol dipentanoate, and diethylene glycol dibenzoate; propylene glycol monoacetate, propylene glycol monopropionate, propylene glycol monobutanoate, propylene glycol mono Propylene glycol esters such as pentanoate, propylene glycol monobenzoate, propylene glycol diacetate, propylene glycol dipropionate, propylene glycol dibutanoate, propylene glycol dipentanoate, and propylene glycol dibenzoate; dipropylene Glycol Monoacetate, Dipropylene Glycol Monopropionate, Dipropylene Glycol Monobutanoate, Dipropylene Glycol Monopentanoate, Dipropylene Glycol Monobenzoate, Dipropylene Glycol Diacetate, Dipropylene Glycol Dipropionate, D Dipropylene glycol esters such as propylene glycol dibutanoate, dipropylene glycol dipentanoate, and dipropylene glycol dibenzoate; can be mentioned.

또한, 전술의 식(b1-1)으로 표시되는 카르복실산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, n-프로필에스테르, 이소프로필에스테르, n-부틸에스테르, 이소부틸에스테르, sec-부틸에스테르, tert-부틸에스테르, n-펜틸에스테르, n-헥실에스테르, n-헵틸에스테르, n-옥틸에스테르, 시클로프로필에스테르, 시클로부틸에스테르, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르, 시클로헵틸에스테르, 시클로옥틸에스테르, 페닐에스테르, o-톨릴에스테르, m-톨릴에스테르, p-톨릴에스테르, α-나프틸에스테르, β-나프틸에스테르, 벤질에스테르, 및 페네틸에스테르도, 카르복실산에스테르로서 바람직하다.In addition, methyl ester, ethyl ester, n-propyl ester, isopropyl ester, n-butyl ester, isobutyl ester, sec-butyl ester, and tert-butyl ester of the carboxylic acid represented by the above formula (b1-1). , n-pentyl ester, n-hexyl ester, n-heptyl ester, n-octyl ester, cyclopropyl ester, cyclobutyl ester, cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, cycloheptyl ester, cyclooctyl ester, phenyl ester, o- Tolyl ester, m-tolyl ester, p-tolyl ester, α-naphthyl ester, β-naphthyl ester, benzyl ester, and phenethyl ester are also preferred as carboxylic acid esters.

(카르복실산 무수물)(carboxylic acid anhydride)

카르복실산 무수물은 카르복실산 무수물기(-CO-O-CO-)를 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다.The carboxylic acid anhydride is not particularly limited as long as it is a compound having a carboxylic acid anhydride group (-CO-O-CO-).

카르복실산 무수물의 바람직한 예로서는 무수아세트산, 프로피온산 무수물, 부탄산 무수물, 벤조산 무수물, 프탈산 무수물, 나프탈산 무수물, 숙신산 무수물, 헤트산 무수물, 하이믹산 무수물, 말레인산 무수물, 테트라히드로프탈산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 테트라브로모프탈산 무수물, 테트라클로로프탈산 무수물, 트리멜리트산 무수물, 피로멜리트 산무수물, 벤조페논 테트라카르복실산 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카르복실산 2무수물, 및 5-(2,5-옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로 헥센-1,2-디카르복실산 무수물, 및 스티렌 무수 말레산 공중합체 등을 들 수 있다.Preferred examples of carboxylic acid anhydride include acetic anhydride, propionic anhydride, butanoic anhydride, benzoic anhydride, phthalic anhydride, naphthalic anhydride, succinic anhydride, hetic anhydride, hymic acid anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride. , tetrabromophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic acid anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, and 5- (2,5-oxotetrahydrofuryl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, and styrene maleic anhydride copolymer.

(카보네이트)(carbonate)

카보네이트는 카보네이트 결합(-O-CO-O-)을 가지는 화합물이면 특히 한정되지 않는다. 카보네이트는 디메틸 카보네이트와 같은 쇄상 카보네이트이어도, 에틸렌 카보네이트와 같은 환상 카보네이트이어도 된다.Carbonate is not particularly limited as long as it is a compound having a carbonate bond (-O-CO-O-). The carbonate may be a linear carbonate such as dimethyl carbonate or a cyclic carbonate such as ethylene carbonate.

카보네이트 화합물의 바람직한 구체예로서는, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디n-프로필카보네이트, 디이소프로필 카보네이트, 디페닐카보네이트, 에틸렌카보네이트, 및 프로필렌카보네이트 등을 들 수 있다.Preferred specific examples of carbonate compounds include dimethyl carbonate, diethyl carbonate, din-propyl carbonate, diisopropyl carbonate, diphenyl carbonate, ethylene carbonate, and propylene carbonate.

이상에서 설명한 카르보닐옥시 화합물(B1) 중에서는, 하기 식(b1):Among the carbonyloxy compounds (B1) described above, the following formula (b1):

(식(b1) 중, Rb0는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 방향족기이고, Rb9는 수소 원자 또는 알킬기이다.)(In formula (b1), R b0 is an alkyl group or an aromatic group that may have a substituent, and R b9 is a hydrogen atom or an alkyl group.)

로 표시되는 화합물이 특히 바람직하다.Compounds represented by are particularly preferable.

Rb9가 알킬기인 경우, 상기 알킬기는 상술한 식(b1-1)에서의 Rb0의 알킬기와 동일하다.When R b9 is an alkyl group, the alkyl group is the same as the alkyl group of R b0 in formula (b1-1) described above.

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 폴리아믹산(A)을 적절한 속도로 폴리이미드로 변환할 수 있는 점에서, Rb9가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Moreover, in this embodiment, it is especially preferable that R b9 is a hydrogen atom because the polyamic acid (A) can be converted into polyimide at an appropriate rate.

〔염기성 함질소 화합물(B2)〕[Basic nitrogen-containing compound (B2)]

염기성 함질소 화합물(B2)은 질소 원자를 포함하고, 브뢴스테드의 정의에서의 염기성을 나타내는 화합물이면 특히 한정되지 않는다.The basic nitrogen-containing compound (B2) is not particularly limited as long as it is a compound that contains a nitrogen atom and exhibits basicity as defined by Brønsted.

염기성 함질소 화합물(B2)로서는 예를 들면, 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, 이소부틸아민, n-부틸아민, n-펜틸아민, n-헥실아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디n-프로필아민, 디이소프로필 아민, 디이소부틸아민, 디n-부틸아민, 디n-펜틸아민, 디n-헥실아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리이소부틸아민, 트리n-부틸아민, 트리n-펜틸아민, 트리n-헥실아민, 아닐린, o-톨루이딘, m-톨루이딘, p-톨루이딘, α-나프틸아민, β-나프틸아민, 및 o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민 등의 비환식 아민류를 들 수 있다.Examples of basic nitrogen-containing compounds (B2) include ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, isobutylamine, n-butylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, and dimethylamine. , diethylamine, din-propylamine, diisopropylamine, diisobutylamine, din-butylamine, din-pentylamine, din-hexylamine, trimethylamine, triethylamine, trin-propylamine Amine, triisopropylamine, triisobutylamine, trin-butylamine, trin-pentylamine, trin-hexylamine, aniline, o-toluidine, m-toluidine, p-toluidine, α-naphthylamine, and acyclic amines such as β-naphthylamine, o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, and p-phenylenediamine.

또한, 구아니딘, 아미노피리딘, 아미노알킬피리딘, 아미노피롤리딘, 인다졸, 이미다졸, 피라졸, 피라진, 피리미딘, 퓨린, 이미다졸린, 피라졸린, 피페라진, 아미노몰포린, 및 아미노알킬몰포린 등도, 염기성 함질소 화합물(B2)로서 바람직하다.Additionally, guanidine, aminopyridine, aminoalkylpyridine, aminopyrrolidine, indazole, imidazole, pyrazole, pyrazine, pyrimidine, purine, imidazoline, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, and aminoalkylmol. Porin and the like are also preferable as basic nitrogen-containing compounds (B2).

이들은 치환기를 가지고 있어도 되고, 바람직한 치환기로서는 아미노기, 아미노알킬기, 알킬아미노기, 아미노아릴기, 아릴아미노기, 알킬기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 니트로기, 수산기, 시아노기 등을 들 수 있다.These may have a substituent, and preferred substituents include amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, and cyanogroup. Examples include anger, etc.

특히 바람직한 유기 염기성 화합물(B2)로서 구아니딘, 1,1-디메틸구아니딘, 1,1,3,3,-테트라메틸구아니딘, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, N-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4,5-디페닐이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 2-아미노피리딘, 3-아미노피리딘, 4-아미노피리딘, 2-디메틸아미노 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 2-디에틸아미노피리딘, 2-(아미노메틸)피리딘, 2-아미노-3-메틸피리딘, 2-아미노-4-메틸피리딘, 2-아미노-5-메틸피리딘, 2-아미노-6-메틸피리딘, 3-아미노에틸피리딘, 4-아미노에틸피리딘, 3-아미노피롤리딘, 피페라진, N-(2-아미노에틸)피페라진, N-(2-아미노에틸) 피페리딘, 4-아미노-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-피페리디노피페리딘, 2-이미노피페리딘, 1-(2-아미노에틸) 피롤리딘, 피라졸, 3-아미노-5-메틸 피라졸, 5-아미노-3-메틸-1-p-톨릴 피라졸, 피라진, 2-(아미노메틸)-5-메틸피라진, 피리미딘, 2,4-디아미노피리미딘, 4,6-디히드록시피리미딘, 2-피라졸린, 3-피라졸린, N-아미노몰포린, N-(2-아미노에틸) 몰포린, 및 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Particularly preferred organic basic compounds (B2) include guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3,-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N- Methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2 -Dimethylamino pyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2-(aminomethyl)pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5- Methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N-(2-aminoethyl)piperazine, N-(2- Aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1-(2-aminoethyl) p. Rollidine, pyrazole, 3-amino-5-methyl pyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolyl pyrazole, pyrazine, 2-(aminomethyl)-5-methylpyrazine, pyrimidine, 2 , 4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N-(2-aminoethyl) morpholine, and 1,8- Diazabicyclo[5.4.0]-7-undecene, etc. can be mentioned.

이상에서, 염기성 함질소 화합물(B2)에 대하여 설명하였으나, 염기성 함질소 화합물(B2) 중에서는 폴리아믹산(A)의 경화를 촉진하는 효과가 높은 점에서, 이미다졸환을 포함하는 이미다졸 화합물이 바람직하다. 이러한 이미다졸 화합물은 전형적으로는 하기 식(b2-1)으로 표시된다.In the above, the basic nitrogen-containing compound (B2) was explained. However, among the basic nitrogen-containing compounds (B2), the imidazole compound containing an imidazole ring is used because it has a high effect of promoting curing of the polyamic acid (A). desirable. These imidazole compounds are typically represented by the following formula (b2-1).

(식(b2-1) 중, Rb10, Rb11, 및 Rb12는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포나토기, 또는 유기기이다.)(In formula (b2-1), R b10 , R b11 , and R b12 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, and a sulfo group. It is a nate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphonato group, or organic group.)

식(b2-1) 중의 Rb10, Rb11, 및 Rb12에서의 유기기로서는, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하여도 된다. 또한, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 된다. 이 유기기는 통상은 1가이지만, 환상 구조를 형성하는 경우 등에는 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.Examples of the organic groups in R b10 , R b11 , and R b12 in formula (b2-1) include an alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, cycloalkenyl group, aryl group, and aralkyl group. This organic group may contain bonds or substituents other than hydrocarbon groups such as hetero atoms among the above-mentioned organic groups. Additionally, this organic group may be linear, branched, or cyclic. This organic group is usually monovalent, but in cases such as when forming a cyclic structure, it may be a divalent or higher organic group.

식(b2-1) 중의 Rb10, Rb11, 및 Rb12에서의 유기기는 식(b1-1)에서의 유기기와 동일하다.The organic groups in R b10 , R b11 , and R b12 in formula (b2-1) are the same as the organic groups in formula (b1-1).

Rb10, Rb11, 및 Rb12로서는 수소 원자, 탄소 원자수 1~12의 알킬기, 탄소 원자수 1~12의 아릴기, 탄소 원자수 1~12의 알콕시기, 및 할로겐 원자가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.R b10 , R b11 , and R b12 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 12 carbon atoms, an aryl group with 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group with 1 to 12 carbon atoms, and a halogen atom, and a hydrogen atom is preferable. It is more desirable.

수지 조성물에서의 카르보닐옥시 화합물(B1)의 함유량과 염기성 함질소 화합물(B2)의 함유량의 총량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않지만, 폴리아믹산(A) 100 질량부에 대하여, 0.01~30 질량부가 바람직하고, 0.05~25 질량부가 보다 바람직하며, 0.2~20 질량부가 특히 바람직하다.The total amount of the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen-containing compound (B2) in the resin composition is not particularly limited as long as it does not impair the purpose of the present invention, but is 100 parts by mass of the polyamic acid (A). Relative to this, 0.01 to 30 parts by mass is preferable, 0.05 to 25 parts by mass is more preferable, and 0.2 to 20 parts by mass is particularly preferable.

또한, 카르보닐옥시 화합물(B1)과 염기성 함질소 화합물(B2)을 병용하는 경우, 카르보닐옥시 화합물(B1)의 질량 WB1과 염기성 함질소 화합물(B2)의 질량 WB2의 비율 WB1/WB2는 1/99~99/1이 바람직하고, 5/95~95/5가 보다 바람직하며, 15/85~85/15가 특히 바람직하다.In addition, when the carbonyloxy compound (B1) and the basic nitrogen-containing compound (B2) are used together, the ratio W B1 / of the mass W B1 of the carbonyloxy compound (B1) and the mass W B2 of the basic nitrogen-containing compound (B2) W B2 is preferably 1/99 to 99/1, more preferably 5/95 to 95/5, and especially preferably 15/85 to 85/15.

<용제(S)><Solvent (S)>

수지 조성물은 도포성의 점에서 용제(S)를 함유하는 것이 바람직하다. 수지 조성물은 고체를 포함하는 페이스트이어도 되고, 용액이어도 되지만, 용액인 것이 바람직하다. 용제(S)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.The resin composition preferably contains a solvent (S) from the viewpoint of applicability. The resin composition may be a paste containing a solid or may be a solution, but is preferably a solution. The solvent (S) can be used individually or in mixture of two or more types.

용제(S)의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 특히 한정되지 않는다. 바람직한 용제(S)의 예는 상술의 테트라카르복실산 2무수물과 디아민 화합물의 반응에 이용되는 용제의 예와 동일하다.The type of solvent (S) is not particularly limited as long as it does not impair the purpose of the present invention. Examples of preferred solvents (S) are the same as those used for the reaction between tetracarboxylic dianhydride and diamine compounds described above.

또한, 용제(S)는 폴리에틸렌 글리콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 및 디프로필렌글리콜 등의 알콜계 용제를 포함하여도 된다.Additionally, the solvent (S) may contain an alcohol-based solvent such as polyethylene glycol, ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol.

용제(S)가 알콜계 용제를 포함하는 경우, 내열성이 우수한 경화물을 형성하기 쉽다.When the solvent (S) contains an alcohol-based solvent, it is easy to form a cured product with excellent heat resistance.

용제(S)는 또한, 하기 식(5)로 표시되는 화합물(S1)을 포함하는 용제를 이용하여도 된다.The solvent (S) may also be a solvent containing the compound (S1) represented by the following formula (5).

(식(5) 중, RS1 및 RS2는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1~3의 알킬기이고, RS3는 하기 식(5-1) 또는 하기 식(5-2):(In formula (5), R S1 and R S2 are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and R S3 is represented by the following formula (5-1) or the following formula (5-2):

로 표시되는 기이다. 식(5-1) 중, RS4는 수소 원자 또는 수산기이고, RS5 및 RS6는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1~3의 알킬기이다. 식(5-2) 중, RS7 및 RS8는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1~3의 알킬기이다.)It is a group represented by . In formula (5-1), R S4 is a hydrogen atom or a hydroxyl group, and R S5 and R S6 are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. In formula (5-2), R S7 and R S8 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.)

식(5)로 표시되는 화합물(S1) 중, RS3가 식(5-1)로 표시되는 기인 경우의 구체예로서는, N,N,2-트리메틸프로피온산아미드, N-에틸-N,2-디메틸프로피온산아미드, N,N-디에틸-2-메틸프로피온산아미드, N,N,2-트리 메틸-2-히드록시프로피온산아미드, N-에틸-N,2-디메틸-2-히드록시프로피온산아미드, 및 N,N-디에틸-2-히드록시-2-메틸프로피온산아미드 등을 들 수 있다.Among compounds (S1) represented by formula (5), specific examples when R S3 is a group represented by formula (5-1) include N,N,2-trimethylpropionic acid amide, N-ethyl-N,2-dimethyl Propionic acid amide, N,N-diethyl-2-methylpropionic acid amide, N,N,2-trimethyl-2-hydroxypropionic acid amide, N-ethyl-N,2-dimethyl-2-hydroxypropionic acid amide, and N,N-diethyl-2-hydroxy-2-methylpropionic acid amide, etc. can be mentioned.

식(5)로 표시되는 화합물(S1) 중, RS3가 식(5-2)로 표시되는 기인 경우의 구체예로서는, N,N,N',N'-테트라메틸우레아, N,N,N',N'-테트라에틸우레아 등을 들 수 있다.Specific examples of compounds (S1) represented by formula (5) where R S3 is a group represented by formula (5-2) include N,N,N',N'-tetramethylurea, N,N,N ',N'-tetraethyl urea, etc. can be mentioned.

상기의 화합물(S1)의 예 중, 특히 바람직한 것으로서는 N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 및 N,N,N',N'-테트라메틸우레아가 바람직하다.Among the above examples of compound (S1), N,N,2-trimethylpropionamide and N,N,N',N'-tetramethylurea are particularly preferred.

수지 조성물이 용제(S)를 포함하는 경우, 용제(S) 중의, 전술의 화합물(S1)의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않는다. 용제의 질량에 대한 화합물(S1)의 비율은 전형적으로는, 용제(S) 전체 양에 대하여 70질량% 이상이 바람직하고, 80질량% 이상이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 특히 바람직하고, 100질량%인 것이 가장 바람직하다.When the resin composition contains a solvent (S), the content of the above-mentioned compound (S1) in the solvent (S) is not particularly limited as long as it does not impair the purpose of the present invention. Typically, the ratio of compound (S1) to the mass of solvent is preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and especially preferably 90% by mass or more, with respect to the total amount of solvent (S). It is most preferable that it is 100% by mass.

화합물(S1)과 함께 사용할 수 있는 유기 용제로서는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥사메틸포스포아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등의 함질소 극성 용제;메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 및 이소포론 등의 케톤류;디옥산, 및 테트라히드로퓨란 등의 환상 에테르 종류;톨루엔, 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류;Organic solvents that can be used with compound (S1) include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylphosphoramide, and 1,3-dimethyl. Nitrogen-containing polar solvents such as -2-imidazolidinone; Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and isophorone; Cyclic ethers such as dioxane and tetrahydrofuran; Toluene, and Aromatic hydrocarbons such as xylene;

디메틸술폭시드 등의 술폭시드류를 들 수 있다.Sulfoxides such as dimethyl sulfoxide can be mentioned.

수지 조성물 중의 용제(S)의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특히 한정되지 않는다. 수지 조성물 중의 용제(S)의 함유량은 수지 조성물 중의 고형분 함유량에 따라서 적절히 조정된다. 수지 조성물 중의 고형분 함유량은 5~70질량%가 바람직하고, 10~60질량%가 보다 바람직하다.The content of the solvent (S) in the resin composition is not particularly limited as long as it does not impair the purpose of the present invention. The content of the solvent (S) in the resin composition is appropriately adjusted depending on the solid content in the resin composition. The solid content in the resin composition is preferably 5 to 70 mass%, and more preferably 10 to 60 mass%.

<그 외의 성분><Other ingredients>

수지 조성물은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 상기 성분 이외에, 그 외의 성분을 포함하여도 된다. 그 외의 성분의 예로서는 계면활성제, 가소제, 점도 조정제, 소포제, 및 착색제 등을 들 수 있다.The resin composition may contain other components in addition to the above components to the extent that they do not impair the purpose of the present invention. Examples of other ingredients include surfactants, plasticizers, viscosity modifiers, anti-foaming agents, and colorants.

≪경화물의 제조 방법≫≪Method for producing hardened product≫

제2 태양에 따른 경화물의 제조 방법은,The method for producing a cured product according to the second aspect is:

제1 태양에 따른 수지 조성물을 기재 상에 도포하여 도막을 형성하는 도막 형성 공정, 및 도막을 70~550℃에서 가열하는 가열 공정을 포함한다.It includes a coating film forming step of applying the resin composition according to the first aspect onto a substrate to form a coating film, and a heating step of heating the coating film at 70 to 550°C.

이러한 방법에서는, 제1 태양에 따른 수지 조성물을 이용하여 도막을 형성하고 있기 때문에, 폴리이미드를 포함하는 경화물이 안정적으로 생성한다.In this method, since the coating film is formed using the resin composition according to the first aspect, a cured product containing polyimide is stably produced.

그 결과, 요철이나 휨이나 균열이 적은 평활한 표면을 가지며, 외관이 우수한 경화물이 얻어진다.As a result, a cured product with a smooth surface with few irregularities, warping, or cracks and an excellent appearance is obtained.

<도막 형성 공정><Coat film formation process>

형성 공정에서는 제1 태양에 따른 수지 조성물을 기재의 표면에 도포하여 도막을 형성한다. 도포 방법으로서는 예를 들면, 디핑법, 스프레이법, 바코트법, 롤코트법, 스핀코트법, 커튼코트법 등을 들 수 있다.In the forming process, the resin composition according to the first aspect is applied to the surface of the substrate to form a coating film. Examples of application methods include the dipping method, spray method, bar coat method, roll coat method, spin coat method, and curtain coat method.

도포 후에는 도막으로부터의 탈기나 용제(S)의 제거를 재촉하는 목적으로, 도막을 감압 분위기에 두어도 된다. 감압 분위기의 진공도는 특히 한정되지 않지만, 300Pa 이하가 바람직하고, 150Pa 이하가 보다 바람직하며, 100Pa이하가 더욱 바람직하다.After application, the coating film may be placed in a reduced pressure atmosphere for the purpose of promoting degassing and removal of the solvent (S) from the coating film. The degree of vacuum in the reduced pressure atmosphere is not particularly limited, but is preferably 300 Pa or less, more preferably 150 Pa or less, and even more preferably 100 Pa or less.

도막의 두께는 특히 한정되지 않는다. 전형적으로는 도막의 두께는 2~100μm가 바람직하고, 3~50μm가 보다 바람직하다. 도막의 두께는 도포 방법이나 수지 조성물의 고형분 농도나 점도를 조절하는 것에 의하여, 적절히 제어할 수 있다.The thickness of the coating film is not particularly limited. Typically, the thickness of the coating film is preferably 2 to 100 μm, and more preferably 3 to 50 μm. The thickness of the coating film can be appropriately controlled by adjusting the application method or the solid content concentration or viscosity of the resin composition.

기재의 재질은 도포막을 가열하는 때에, 열열화(熱劣化)나 변형이 생기지 않는 것이면 특히 한정되지 않는다. 기재의 형상도 수지 조성물을 도포 가능하면 특히 한정되지 않는다. 기재의 예로서는, 절연되어야 할 전극이나 배선이 형성된, 반도체 소자 등의 전자 소자나 다층 배선 기판 등의 중간 제품이나, 여러 종류의 기판을 들 수 있다. 기체(基體)가 기판인 경우의 바람직한 기판의 재질로서는 유리;실리콘;알루미늄(Al);알루미늄-규소(Al-Si), 알루미늄-동(Al-Cu), 알루미늄-규소-동(Al-Si-Cu) 등의 알루미늄 합금;티탄(Ti);티탄-텅스텐(Ti-W) 등의 티탄 합금;질화 티탄(TiN);탄탈(Ta);질화 탄탈(TaN);텅스텐(W);질화 텅스텐(WN);등을 들 수 있다.The material of the base material is not particularly limited as long as it does not cause thermal deterioration or deformation when the coating film is heated. The shape of the base material is not particularly limited as long as the resin composition can be applied thereto. Examples of the substrate include electronic devices such as semiconductor devices on which electrodes and wiring to be insulated are formed, intermediate products such as multilayer wiring boards, and various types of substrates. When the base is a substrate, preferred substrate materials include glass, silicon, aluminum (Al), aluminum-silicon (Al-Si), aluminum-copper (Al-Cu), and aluminum-silicon-copper (Al-Si). Aluminum alloys such as -Cu); Titanium (Ti); Titanium alloys such as titanium-tungsten (Ti-W); Titanium nitride (TiN); Tantalum (Ta); Tantalum nitride (TaN); Tungsten (W); Tungsten nitride. (WN); etc. can be mentioned.

또한, 도막의 가열을 저온에서 실시하는 경우에는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 수지로 이루어지는 내열성이 낮은 기재를 이용할 수도 있다.Additionally, when heating the coating film at a low temperature, a substrate with low heat resistance made of a resin such as polyethylene terephthalate (PET) or polybutylene terephthalate (PBT) may be used.

<가열 공정><Heating process>

도막 형성 공정에 있어서 형성된 도막은 가열 공정에 있어서 70~550℃에서 가열된다.The coating film formed in the coating film formation process is heated at 70 to 550°C in the heating process.

상기 도막을 가열하는 경우, 가열 온도는 예를 들면, 120~500℃, 바람직하게는 150~450℃에서 설정된다. 이러한 범위의 온도에서 도막을 가열하는 것에 의하여, 생성하는 폴리이미드의 열열화나 열분해를 억제하면서, 안정적으로 경화물을 생성시킬 수 있다.When heating the coating film, the heating temperature is set at, for example, 120 to 500°C, preferably 150 to 450°C. By heating the coating film at a temperature in this range, a cured product can be stably produced while suppressing thermal deterioration or thermal decomposition of the resulting polyimide.

또한, 도막의 가열을 고온에서 실시하는 경우, 다량의 에너지의 소비나, 고온에서의 처리 설비의 시간에 따른 열화가 촉진되는 경우가 있기 때문에, 도막의 가열을 이보다 낮은 온도에서 실시하는 것도 바람직한 태양이다.In addition, when heating the coating film at a high temperature, a large amount of energy may be consumed and deterioration of processing equipment at high temperature over time may be accelerated. Therefore, it is also preferable to heat the coating film at a lower temperature. am.

가열 시간은 수지 조성물의 조성이나, 도막의 두께 등에도 따르지만, 하한값으로서 예를 들면 5분간, 바람직하게는 10분간, 보다 바람직하게는 20분간, 상한값으로서 예를 들면 4시간, 바람직하게는 3시간, 보다 바람직하게는 2.5시간으로 할 수 있다.The heating time depends on the composition of the resin composition, the thickness of the coating film, etc., but as a lower limit it is, for example, 5 minutes, preferably 10 minutes, more preferably 20 minutes, and as an upper limit it is, for example, 4 hours, preferably 3 hours. , more preferably 2.5 hours.

또한, 폴리이미드의 황색도를 저감시키는 관점이나, 보다 원활히 폴리아믹산(A)으로부터 폴리이미드로 변환하는 관점에서, 가열 시의 분위기(산소 농도 등의 가스 조성)를 조정하거나 가열 시 또는 가열 전후에 감압 공정을 조합할 수도 있다.In addition, from the viewpoint of reducing the yellowness of the polyimide or converting polyamic acid (A) into polyimide more smoothly, the atmosphere at the time of heating (gas composition such as oxygen concentration) can be adjusted, or at the time of heating or before and after heating. Decompression processes can also be combined.

[실시예] [Example]

이하에서, 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Below, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the scope of the present invention is not limited to these examples.

[폴리아믹산(A)의 조제][Preparation of polyamic acid (A)]

교반기, 교반날개, 환류 냉각기, 질소 가스 도입관을 구비한 세퍼러블 플라스크에, 이하에 나타내는 구조의 테트라카르복실산 2무수물과 N-메틸-2-피롤리돈을 넣고, 질소 가스 도입관에서 플라스크 내로 질소를 도입하여 플라스크 내를 질소 분위기로 하였다. 다음으로, 플라스크를 빙조에 담그고, 내용물을 교반하면서, p-페닐렌디아민의 N-메틸-2-피롤리돈 용액을 테트라카르복실산 2무수물에 대하여 1.0몰량, 서서히 적하하였다.Tetracarboxylic dianhydride and N-methyl-2-pyrrolidone of the structures shown below are placed in a separable flask equipped with a stirrer, stirring blade, reflux condenser, and nitrogen gas inlet tube, and the flask is injected through the nitrogen gas inlet tube. Nitrogen was introduced into the flask to create a nitrogen atmosphere. Next, the flask was immersed in an ice bath, and the N-methyl-2-pyrrolidone solution of p-phenylenediamine was slowly added dropwise in an amount of 1.0 mole based on tetracarboxylic dianhydride while stirring the contents.

적하 종료 후, 50℃에서 20시간 반응시켜 폴리아믹산(A)을 포함하는 용액을 얻었다. 또한, 이하에 나타내는 구조의 테트라카르복실산 2무수물은 국제 공개 제2011/099518호의 합성예 1, 실시예 1 및 실시예 2에 기재된 방법에 따라서 조제하고, 또한 여기서의 용액의 조제는 얻어지는 폴리아믹산(A)의 고형분 농도가 15질량%가 되도록 조정하였다.After completion of dropwise addition, reaction was performed at 50°C for 20 hours to obtain a solution containing polyamic acid (A). In addition, tetracarboxylic dianhydride having the structure shown below was prepared according to the method described in Synthesis Example 1, Example 1, and Example 2 of International Publication No. 2011/099518, and the solution here was prepared by using the polyamic acid to be obtained. The solid content concentration of (A) was adjusted to 15% by mass.

[실시예 1-3, 비교예 1][Example 1-3, Comparative Example 1]

이와 같이 하여 얻어진 폴리아믹산(A)의 용액에 대하여, 실시예 1-3에서는 표 1에 나타내는 첨가제를 가하여 수지 조성물로 하였다. 표 1에서 괄호 내에 나타내는 값(질량%)은 폴리아믹산(A)량에 대한 첨가제의 비율이다.In Example 1-3, the additives shown in Table 1 were added to the solution of polyamic acid (A) thus obtained to obtain a resin composition. The values (mass %) shown in parentheses in Table 1 are the ratio of additives to the amount of polyamic acid (A).

한편, 비교예 1에서는 위에서 얻어진 폴리아믹산(A)의 용액에 대하여, 어떠한 첨가제도 가하지 않았다.On the other hand, in Comparative Example 1, no additives were added to the solution of polyamic acid (A) obtained above.

또한, p-메톡시 신남산(계피산)은 도쿄 화성공업 주식회사 제품, 이미다졸은 키시다 화학 주식회사 제품의 것을 이용하였다.In addition, p-methoxy cinnamic acid (cinnamic acid) was used from Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., and imidazole was from Kishida Chemical Co., Ltd.

[제막성 평가][Film forming performance evaluation]

이와 같이 하여 얻어진 각종 수지 조성물에 대하여, 이하에 따라 제막성의 평가를 실시하였다. 즉, 우선, 각 수지 조성물을 유리 기재 상에 도포하고, 13 Pa까지 감압하였다. 일단 상압으로 되돌린 후, 공기 조건 하 80℃에서 10분간 가열하고, 다음으로, 산소 농도 100 ppm의 조건 하 360℃에서 30분간 가열하여 막 두께 5μm의 경화물을 얻었다.The various resin compositions obtained in this way were evaluated for film forming properties as follows. That is, first, each resin composition was applied onto a glass substrate, and the pressure was reduced to 13 Pa. After returning to normal pressure, it was heated at 80°C for 10 minutes under air conditions, and then heated at 360°C for 30 minutes under conditions of an oxygen concentration of 100 ppm to obtain a cured product with a film thickness of 5 μm.

이와 같이 하여 얻어진 경화물에 대하여, 육안으로 형상이 잘 제막되고 있는지 관찰하였다. 또한, 평가는 이하의 기준에 근거하여 실시하였다.The cured product thus obtained was observed with the naked eye to see whether the shape was well formed. In addition, the evaluation was conducted based on the following standards.

◎:육안으로 확인하여 거침이 관찰되지 않는다.◎: No roughness is observed when visually inspected.

○:대체로 평활한 막이 되었지만, 가장자리의 부분에 휨이 관찰되었다.○: Although the film was generally smooth, bending was observed at the edges.

△:막의 일부에 균열이 들어가 있는 것이 관찰되었다.Δ: It was observed that a part of the film was cracked.

X:막의 도처에 균열이 들어가 있는 것이 관찰되었다.X: Cracks were observed everywhere in the film.

표 1로부터, 폴리아믹산(A)에 대하여, 특정의 첨가제를 가함으로써, 제막성이 우수하고 폴리이미드를 포함하는 경화물을 안정적으로 형성할 수 있는 수지 조성물이 얻어지는 것을 알 수 있다.From Table 1, it can be seen that by adding specific additives to the polyamic acid (A), a resin composition that has excellent film forming properties and can stably form a cured product containing polyimide can be obtained.

Claims (8)

이하의 식(a1):

(식 (a1) 중, A는 탄소 원자수 6~50의 4가의 다환식 지방족기이고, B는 1 이상의 방향환을 포함하는 2가의 유기기이다.)
로 표시되는 구조 단위를 가지는 폴리아믹산(A)과,
분자 내에 -CO-O- 결합을 가지는 카르보닐옥시 화합물(B1), 및 분자 내에 -CO-O- 결합을 가지지 않는 염기성 함질소 화합물(B2)을 포함하고,
상기 카르보닐옥시 화합물(B1)로서, 하기 식(b1):

(식 (b1) 중, Rb0는 치환기를 가져도 되는 방향족기이고, Rb9는 수소 원자 또는 알킬기이다.)
로 표시되는 화합물을 포함하며,
상기 염기성 함질소 화합물(B2)로서 이미다졸환을 포함하는 화합물을 포함하는, 수지 조성물.
Equation (a1) below:

(In formula (a1), A is a tetravalent polycyclic aliphatic group having 6 to 50 carbon atoms, and B is a divalent organic group containing one or more aromatic rings.)
A polyamic acid (A) having a structural unit represented by,
It includes a carbonyloxy compound (B1) having a -CO-O- bond in the molecule, and a basic nitrogen-containing compound (B2) that does not have a -CO-O- bond in the molecule,
As the carbonyloxy compound (B1), the following formula (b1):

(In formula (b1), R b0 is an aromatic group that may have a substituent, and R b9 is a hydrogen atom or an alkyl group.)
It includes compounds represented by
A resin composition containing a compound containing an imidazole ring as the basic nitrogen-containing compound (B2).
청구항 1에 있어서,
상기 식 (a1) 중의 A는 하기 식 (a2)로 표시되는 4가의 기를 포함하는 수지 조성물.

(식(a2) 중, Ra11, Ra12, 및 Ra13는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 및 불소 원자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이며, n은 0~12의 정수이다.)
In claim 1,
A resin composition in which A in the formula (a1) contains a tetravalent group represented by the following formula (a2).

(In formula (a2), R a11 , R a12 , and R a13 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, and a fluorine atom, and n is 0 to 12. It is an integer.)
청구항 1에 있어서,
상기 식(b1)에서의 Rb9는 수소 원자인 수지 조성물.
In claim 1,
A resin composition in which R b9 in the formula (b1) is a hydrogen atom.
청구항 1에 있어서,
상기 카르보닐옥시 화합물(B1)로서, 하기 식(b1-2):

(식(b1-2) 중, Rb1 및 Rb2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 시릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포나토기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기를 나타낸다. Rb3, Rb4, Rb5, Rb6, 및 Rb7는 이들의 2 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하여도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하여도 된다.)
로 표시되는 화합물을 포함하는 수지 조성물.
In claim 1,
As the carbonyloxy compound (B1), the following formula (b1-2):

(In formula (b1-2), R b1 and R b2 are each independently hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, alcohol Represents a group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, or an organic group.R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 are each independently a hydrogen atom or a halogen. Atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, Representing an amino group, an ammonio group, or an organic group.R b3 , R b4 , R b5 , R b6 , and R b7 may combine two or more of them to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond. )
A resin composition containing the compound represented by .
청구항 1에 있어서,
상기 염기성 함질소 화합물(B2)로서 이미다졸 화합물을 포함하는 수지 조성물.
In claim 1,
A resin composition containing an imidazole compound as the basic nitrogen-containing compound (B2).
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 기재 상에 도포하여 도막을 형성하는 도막 형성 공정, 및
상기 도막을 70~550℃에서 가열하는 가열 공정을 포함하는 경화물의 제조방법.
A coating film forming step of forming a coating film by applying the resin composition according to any one of claims 1 to 5 on a substrate, and
A method of producing a cured product comprising a heating process of heating the coating film at 70 to 550°C.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물.A cured product obtained by curing the resin composition according to any one of claims 1 to 5. 삭제delete
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