KR20180035988A - 리프트오프용 기판 구조체 - Google Patents

리프트오프용 기판 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20180035988A
KR20180035988A KR1020160125704A KR20160125704A KR20180035988A KR 20180035988 A KR20180035988 A KR 20180035988A KR 1020160125704 A KR1020160125704 A KR 1020160125704A KR 20160125704 A KR20160125704 A KR 20160125704A KR 20180035988 A KR20180035988 A KR 20180035988A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
intermediate layer
base substrate
lift
charged
Prior art date
Application number
KR1020160125704A
Other languages
English (en)
Inventor
박홍진
김종환
안재모
최기철
나윤성
Original Assignee
주식회사 비에스피
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 비에스피 filed Critical 주식회사 비에스피
Priority to KR1020160125704A priority Critical patent/KR20180035988A/ko
Publication of KR20180035988A publication Critical patent/KR20180035988A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
    • H01L21/445—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H01L21/7688—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by deposition over sacrificial masking layer, e.g. lift-off

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 리프트오프용 기판 구조체에 관한 것으로서, 베이스 기판과, 소자층과, 점착 박리층을 포함한다. 소자층은 베이스 기판 상에 형성된다. 점착 박리층은 베이스 기판과 소자층 사이에 형성되어 소자층을 베이스 기판에 점착시키고, 리프트오프시 소자층을 베이스 기판으로부터 이형시키는 이형력에 의해 소자층과 함께 베이스 기판으로부터 박리된다. 점착 박리층은, 표면이 양전하로 대전되는 제1매개층과, 표면 중 일부 영역이 음전하로 대전되는 제2매개층을 포함하고, 제1매개층과 제2매개층의 접촉면 중 일부 영역에서 이온 결합이 이루어지고, 리프트오프시 제1매개층과 제2매개층 사이에서 박리가 이루어진다.

Description

리프트오프용 기판 구조체{Substrate structure for lift off}
본 발명은 리프트오프용 기판 구조체에 관한 것으로서, 베이스 기판 상에 형성된 소자층을 레이저를 이용하지 않고 용이하게 리프트오프할 수 있는 리프트오프용 기판 구조체에 관한 것이다.
대부분의 평판 표시 소자는 빛을 투과시키며, 전기적 절연 특성이 우수한 유리 기판의 표면에 제조되고 있으나, 유리 기판은 기계적으로 취약하여 외부 충격이나 휨 응력 등에 의하여 쉽게 파손되기 때문에, 깨지기 어려운 평판 표시 소자 또는 휘거나 접혀지는 플렉시블 표시 소자에 적용이 곤란하다. 깨지기 어렵거나, 유연성이 있는 플렉시블 평판 표시 소자는 스마트폰을 비롯한 다양한 휴대용 표시 소자로서 그의 적용이 기대되고 있다.
기존의 유리 기판을 대체하는 플렉시블 평판 표시 소자의 기판 재료로서는 두께가 100㎛ 이하로 얇아서 휨성이 우수한 얇은 유리 기판, 쉽게 휘어지며 외부 충격에 의해 손상되지 않는 플라스틱 플렉시블 기판, 그리고 두께 100㎛ 이하의 얇은 금속 포일 등을 적용하기 위한 노력이 있었다.
그러나, 이러한 기판들의 얇은 두께와 유연성이 세정 공정, 박막 증착 공정, 패터닝 공정 등과 같이 평판 표시 소자를 제조하는데 포함되는 다양한 제조 공정 과정에서 기판이 휘거나 접혀져서, 공정에 사용되는 마스크 간의 정밀한 정렬을 곤란하게 하거나, 박막 증착의 두께 불균일성을 유발하는 문제점이 있다.
이렇게 기판 재료가 공정 과정 중에 휘거나 접혀지는 문제점을 해결하기 위해서, 기존에 평판 표시 소자의 제조에 사용되어 왔던 견고한 유리 기판의 표면에 플렉시블 기판 액상 재료를 코팅하고 경화 과정을 거쳐 플렉시블 기판을 형성하거나, 또는 이미 제조된 플렉시블 기판을 가압 롤 등으로 지지 기판에 부착시켜 플렉시블 기판이 지지 유리 기판에 임시로 점착된 상태에서 플렉시블 표시 소자의 제조 공정을 수행하고, 공정이 완료되면 플렉시블 표시 소자를 유리 지지 기판으로부터 박리시켜 플렉시블 표시 소자를 제조하는 방법이 플렉시블 표시 소자의 제조 공정으로 제안되고 있다.
도 1은 종래의 레이저 리프트오프 공정의 일례를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 리프트오프용 기판 구조체는 베이스 기판(1)과, 베이스 기판(1) 상에 형성되는 소자층(2)과, 베이스 기판(1)과 소자층(2) 사이에 형성되는 희생층(3)을 포함한다. 여기서, 소자층(2)은 플렉시블 표시 소자, 반도체 소자 등 다양한 산업 분야에서 활용 가능한 소자가 될 수 있다.
희생층(3)은 제조 공정 중에는 소자층(2)을 베이스 기판(1)에 점착시키고, 제조 공정이 완료된 후 레이저빔(L)을 조사하여 소자층(2)을 리프트오프시킬 때에는 소자층(2)과 함께 베이스 기판(1)으로부터 박리된다.
그러나, 이와 같이 레이저를 이용한 리프트오프 방법에서는, 조사되는 레이저빔(L)의 파워가 과도할 경우 소자층(2)이 손상될 수도 있고, 조사되는 레이저빔(L)의 파워가 부족할 경우 박리가 제대로 이루어지지 않는 등 최적의 작업 조건 범위가 매우 민감하게 영향을 받는 문제점이 있다.
한국등록특허공보 제10-1296263호(2013.08.07 등록, 발명의 명칭 : 다양한 분리층 물질을 이용한 레이저 리프트 오프 방법)
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 베이스 기판과 소자층 사이에 형성되는 점착 박리층이 부분적인 이온 결합으로 이루어짐으로써, 레이저를 이용하지 않고 단순히 이형력을 작용하는 것만으로도 소자층을 용이하게 리프트오프할 수 있는 리프트오프용 기판 구조체를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 리프트오프용 기판 구조체는, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성되는 소자층; 및 상기 베이스 기판과 상기 소자층 사이에 형성되어 상기 소자층을 상기 베이스 기판에 점착시키고, 리프트오프시 상기 소자층을 상기 베이스 기판으로부터 이형시키는 이형력에 의해 상기 소자층과 함께 상기 베이스 기판으로부터 박리되는 점착 박리층;을 포함하고, 상기 점착 박리층은, 표면이 양전하로 대전되는 제1매개층과, 표면 중 일부 영역이 음전하로 대전되는 제2매개층을 포함하고, 상기 제1매개층과 상기 제2매개층의 접촉면 중 일부 영역에서 이온 결합이 이루어지고, 리프트오프시 상기 제1매개층과 상기 제2매개층 사이에서 박리가 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체에 있어서, 상기 제1매개층은 폴리머 전해질 물질로 구성되고, 수용액 상에서 표면 전체가 자발분극화된 양전하로 대전될 수 있다.
본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체에 있어서, 상기 제1매개층은 폴리머 전해질 물질로 구성되고, 수용액 내에서 부분적으로 이온화되어 표면 중 일부 영역이 양전하로 대전될 수 있다.
본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체에 있어서, 상기 제2매개층은 판형 결정질 물질로 구성되고, 산처리에 의해 표면 중 일부 영역이 음전하로 대전될 수 있다.
본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체에 있어서, 상기 제2매개층의 표면에서 대전된 음전하의 밀도는 상기 제1매개층의 표면에서 대전된 양전하의 밀도보다 낮을 수 있다.
본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체에 있어서, 상기 제2매개층의 판형 결정질 물질은, 산화 그래핀, 헥사고날 보론 나이트라이드, 이황화 몰리브덴, 이황화 텅스텐, 몬트모릴로나이트 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체에 있어서, 상기 제2매개층은 산처리 시간 또는 산처리 농도에 의해 표면에 대전되는 음전하의 밀도가 조정될 수 있다.
본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체에 있어서, 상기 점착 박리층은 복수의 제1매개층과, 복수의 제2매개층을 포함하고, 상기 제1매개층과 상기 제2매개층은 상기 베이스 기판과 상기 소자층 사이에서 교대로 배치될 수 있다.
본 발명의 리프트오프용 기판 구조체에 따르면, 레이저를 이용하지 않고 단순히 이형력을 작용하는 것만으로도 소자층을 용이하게 리프트오프할 수 있다.
또한, 본 발명의 리프트오프용 기판 구조체에 따르면, 제1매개층과 제2매개층 사이의 이온 결합력을 다양한 제조 공정에 따라 최적의 범위 내로 조정할 수 있다.
도 1은 종래의 레이저 리프트오프 공정의 일례를 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트오프용 기판 구조체의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 도 2의 리프트오프용 기판 구조체를 리프트오프하는 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 도 2의 리프트오프용 기판 구조체에 있어서 제2매개층의 표면 중 음전하로 대전되는 영역의 범위가 조정되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프트오프용 기판 구조체를 리프트오프하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 리프트오프용 기판 구조체의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트오프용 기판 구조체의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 2의 리프트오프용 기판 구조체를 리프트오프하는 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 도 2의 리프트오프용 기판 구조체에 있어서 제2매개층의 표면 중 음전하로 대전되는 영역의 범위가 조정되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 리프트오프용 기판 구조체(100)는, 베이스 기판 상에 형성된 소자층을 레이저를 이용하지 않고 용이하게 리프트오프할 수 있는 것으로서, 베이스 기판(110)과, 소자층(120)과, 점착 박리층(130)을 포함한다.
상기 베이스 기판(110)은 점착 박리층(130), 소자층(120) 등을 지지하는 기판으로서, 다양한 재질이 사용 가능하다.
베이스 기판(110)으로는 제조공정에 따라 기판 단위로 이송하는 공정에 적용시에는 딱딱한 재질의 유리 기판, 사파이어 기판 등이 이용될 수도 있고, 롤 공정에 적용시에는 플렉시블한 재질인 얇은 두께의 SUS 포일, 폴리이미드(PI) 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 알루미늄 포일, 구리 포일 등이 이용될 수 있다.
본 실시예의 베이스 기판(110)은 그 위에 형성될 점착 박리층(130)과의 결합력을 향상시키기 위하여, 도 2에 도시된 바와 같이 점착 박리층(130)이 적층되기 전에 플라즈마 처리 등에 의하여 그 표면이 음전하로 대전될 수 있다.
상기 소자층(120)은 베이스 기판(110) 상에 형성되며, 제품의 용도에 따라 다양한 소자층(120)이 형성될 수 있다. 플렉시블 유기발광다이오드 표시 소자, 멀티레이어 칩 용도를 위한 반도체 소자, 박막 형태의 센서 소자 등이 소자층(120)을 형성할 수 있다.
본 실시예의 소자층(120)은 디스플레이 제조 공정 또는 반도체 제조 공정 등을 이용하여 다층의 박막을 적층하는 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 점착 박리층(130)은 소자층(120)을 제조하는 공정 중에는 소자층(120)을 베이스 기판(110)에 점착시키고, 리프트오프시에는 소자층(120)을 베이스 기판(110)으로부터 이형시키는 이형력(F)에 의해 소자층(120)과 함께 베이스 기판(110)으로부터 박리되는 것으로서, 베이스 기판(110)과 소자층(120) 사이에 형성된다.
본 실시예의 점착 박리층(130)은, 표면이 양전하로 대전되는 제1매개층(131)과, 표면 중 일부 영역이 음전하로 대전되는 제2매개층(132)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
제1매개층(131)은 폴리머 전해질 물질로 구성될 수 있는데, PSS(poly(styrene sulfonate)), PEI(poly(ethylene imine)), PAA(poly(allyl amine)), PDDA(poly(diallyldimethylammonium chloride)), PNIPAM(poly(N-isopropyl acrylamide), CS(Chitosan),PMA(poly(methacrylic acid)), PVS(poly(vinyl sulfate)), PAA(poly(amic acid)) 및 PAH(poly(allylamine))로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 조합이 될 수 있다.
제1매개층(131)은 수용액 상에서 표면 전체가 자발분극화된 양전하로 대전될 수 있으며, 이로 인해 플라즈마 처리에 의해 표면이 음전하로 대전된 베이스 기판(110)과 표면 전체가 양전하로 대전된 제1매개층(131)의 결합 강도가 증가할 수 있다.
제2매개층(132)은 판형 결정질 물질로 구성될 수 있는데, 산화 그래핀(graphene oxide), 헥사고날 보론 나이트라이드(hexagonal boron nitride(h-BN)), 이황화 몰리브덴(Molybdenum disulfide(MoS2)), 이황화 텅스텐(Tungsten disulfide(WS2)), 몬트모릴로나이트 중 어느 하나일 수 있다.
제2매개층(132)은 산처리에 의해 표면 전체가 아닌 표면 중 일부 영역이 음전하를 띨 수 있다. 산처리를 통해 판형 결정질 물질로 구성된 제2매개층(132)의 표면에 카르복실기(COO-), 수산기(OH-) 등과 같은 음전하를 유도할 수 있는데, 산처리 시간 또는 산처리 농도 등을 조정하여 제2매개층(132)의 표면 전체가 아닌 표면 중 일부 영역에서만 부분적으로 이온화되어 영구적으로 음전하가 띠도록 할 수 한다.
이와 같이 제2매개층(132)의 표면 전체가 아닌 표면 중 일부 영역에서만 음전하를 띰으로써, 제1매개층(131)과 제2매개층(132)의 접촉면 중 일부 영역에서만 제1매개층(131) 표면의 양전하와 제2매개층(132) 표면의 음전하 사이에 부분적인 이온 결합이 이루어질 수 있다.
따라서, 제1매개층(131)과 제2매개층(132)의 접촉면 전체가 아닌 일부 영역에서만 이온 결합에 의한 결합력이 형성되므로, 제1매개층(131)과 제2매개층(132) 사이의 결합력은 리프트오프용 기판 구조체(100) 내의 다른 부분의 결합력, 예를 들어 베이스 기판(110)과 제1매개층(131) 사이의 결합력, 제1매개층(131) 내부의 결합력, 제2매개층(132)과 소자층(120) 사이의 결합력보다 상대적으로 약하게 된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 소자층(120)에 대한 제조가 완료된 후 소자층(120)을 베이스 기판(110)으로부터 박리하는 리프트오프 공정시에는, 소자층(120)과 베이스 기판(110) 사이에 레이저빔을 조사하지 않고도 소자층(120)을 베이스 기판(110)으로부터 이형시키는 이형력(F)만 작용해도 제1매개층(131)과 제2매개층(132) 사이에서 박리가 이루어질 수 있다. 소자층(120)을 베이스 기판(110)으로부터 이형시키는 이형력(F)은 표면 전체에 한꺼번에 작용될 수도 있고, 일측에서 타측으로 순차적으로 작용될 수도 있다.
이때, 제2매개층(132)의 표면에서 대전된 음전하의 밀도는 제1매개층(131)의 표면에서 대전된 양전하의 밀도보다 낮게 형성되는 것이 바람직하다.
제2매개층(132)의 표면에서 대전된 음전하의 밀도가 제1매개층(131)의 표면에서 대전된 양전하의 밀도보다 높게 형성되거나 동일한 경우, 제1매개층(131)과 제2매개층(132)의 접촉면 전체에서 이온 결합이 이루어질 수 있으므로, 리프트오프용 기판 구조체(100) 내의 다른 부분의 결합력보다 강한 결합력이 형성될 수 있고, 이로 인해 제1매개층(131)과 제2매개층(132) 사이가 아닌 다른 부분에서 박리가 이루어지는 문제가 발생할 수 있다.
제2매개층(132)은 산처리 시간 또는 산처리 농도에 의해 표면에 대전되는 음전하의 밀도가 조정될 수 있다.
도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 산처리 시간을 상대적으로 짧게 하거나 산처리 농도를 낮춘 경우에는 제2매개층(132)의 표면에 대전되는 음전하의 밀도가 상대적으로 낮게 형성될 수 있으며, 이로 인해 제1매개층(131)과 제2매개층(132) 사이의 이온 결합력은 상대적으로 낮아지게 된다.
반대로 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 산처리 시간을 상대적으로 길게 하거나 산처리 농도를 높인 경우에는 제2매개층(132')의 표면에 대전되는 음전하의 밀도가 상대적으로 높게 형성되며, 이로 인해 제1매개층(131)과 제2매개층(132') 사이의 이온 결합력은 상대적으로 높아지게 된다.
이와 같이 제2매개층(132)에 대한 산처리 시간 또는 산처리 농도를 조정하여 제2매개층(132) 표면에 대전되는 음전하의 밀도를 조정할 수 있으며, 이를 통해 제1매개층(131)과 제2매개층(132) 사이의 이온 결합력을 다양한 제조 공정에 따라 최적의 범위 내로 조정할 수 있다.
도 2 내지 도 4에서는 제1매개층(131)과 제2매개층(132)을 각각 단일층으로 도시하였으나, 제1매개층(131)과 제2매개층(132)이 복수 개 마련될 수 있다. 제1매개층(131)과 제2매개층(132)이 복수 개 마련시 제1매개층(131)과 제2매개층(132)은 베이스 기판(110)과 소자층(120) 사이에서 교대로 배치되어 적층되면서 복수층으로 형성될 수 있다.
제1매개층(131)과 제2매개층(132) 사이의 결합력은 이온의 밀도에 의해서 조절 가능하지만, 제1매개층(131)과 제2매개층(132)을 복수층으로 마련하는 것에 의해서도 조절 가능하다. 즉, 복수층으로 형성될수록 이형될 가능성이 있는 부분이 많아지므로, 결합력은 약해지기 때문이다.
한편, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프트오프용 기판 구조체를 리프트오프하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 도 5에 있어서, 도 2 내지 도 4에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 리프트오프용 기판 구조체(200)에 있어서, 제1매개층(231)은 수용액 내에서 부분적으로 이온화되어 표면 중 일부 영역이 양전하로 대전되는 것이 특징이다.
도 2에 도시된 제1매개층(131)은 자발분극화되어 표면 전체가 양전하로 대전되었으나, 도 5에 도시된 본 실시예의 제1매개층(231)은 표면 중 일부 영역이 양전하로 대전되고, 제2매개층(132) 역시 표면 전체가 아닌 표면 중 일부 영역에서만 음전하를 띠게 되므로, 제1매개층(231)과 제2매개층(132)의 접촉면 중 일부 영역에서만 제1매개층(231) 표면의 양전하와 제2매개층(132) 표면의 음전하 사이에 부분적인 이온 결합이 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 리프트오프용 기판 구조체는, 베이스 기판과 소자층 사이에 형성되는 점착 박리층이 부분적인 이온 결합으로 이루어짐으로써, 레이저를 이용하지 않고 단순히 이형력을 작용하는 것만으로도 소자층을 용이하게 리프트오프할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 리프트오프용 기판 구조체는, 산처리 시간 또는 산처리 농도의 조정을 통해 제2매개층 표면에 대전되는 음전하의 밀도를 조정함으로써, 제1매개층과 제2매개층 사이의 이온 결합력을 다양한 제조 공정에 따라 최적의 범위 내로 조정할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
100 : 리프트오프용 기판 구조체
110 : 베이스 기판
120 : 소자층
130 : 점착 박리층
131 : 제1매개층
132 : 제2매개층

Claims (8)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 형성되는 소자층; 및
    상기 베이스 기판과 상기 소자층 사이에 형성되어 상기 소자층을 상기 베이스 기판에 점착시키고, 리프트오프시 상기 소자층을 상기 베이스 기판으로부터 이형시키는 이형력에 의해 상기 소자층과 함께 상기 베이스 기판으로부터 박리되는 점착 박리층;을 포함하고,
    상기 점착 박리층은, 표면이 양전하로 대전되는 제1매개층과, 표면 중 일부 영역이 음전하로 대전되는 제2매개층을 포함하고,
    상기 제1매개층과 상기 제2매개층의 접촉면 중 일부 영역에서 이온 결합이 이루어지고, 리프트오프시 상기 제1매개층과 상기 제2매개층 사이에서 박리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1매개층은 폴리머 전해질 물질로 구성되고, 수용액 상에서 표면 전체가 자발분극화된 양전하로 대전되는 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1매개층은 폴리머 전해질 물질로 구성되고, 수용액 내에서 부분적으로 이온화되어 표면 중 일부 영역이 양전하로 대전되는 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2매개층은 판형 결정질 물질로 구성되고, 산처리에 의해 표면 중 일부 영역이 음전하로 대전되는 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2매개층의 표면에서 대전된 음전하의 밀도는 상기 제1매개층의 표면에서 대전된 양전하의 밀도보다 낮은 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2매개층의 판형 결정질 물질은, 산화 그래핀, 헥사고날 보론 나이트라이드, 이황화 몰리브덴, 이황화 텅스텐, 몬트모릴로나이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2매개층은 산처리 시간 또는 산처리 농도에 의해 표면에 대전되는 음전하의 밀도가 조정되는 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 점착 박리층은 복수의 제1매개층과, 복수의 제2매개층을 포함하고,
    상기 제1매개층과 상기 제2매개층은 상기 베이스 기판과 상기 소자층 사이에서 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 리프트오프용 기판 구조체.
KR1020160125704A 2016-09-29 2016-09-29 리프트오프용 기판 구조체 KR20180035988A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160125704A KR20180035988A (ko) 2016-09-29 2016-09-29 리프트오프용 기판 구조체

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160125704A KR20180035988A (ko) 2016-09-29 2016-09-29 리프트오프용 기판 구조체

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180035988A true KR20180035988A (ko) 2018-04-09

Family

ID=61977942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160125704A KR20180035988A (ko) 2016-09-29 2016-09-29 리프트오프용 기판 구조체

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180035988A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019200611A1 (zh) * 2018-04-20 2019-10-24 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板激光剥离方法及激光剥离设备
WO2021125438A1 (ko) * 2019-12-20 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019200611A1 (zh) * 2018-04-20 2019-10-24 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板激光剥离方法及激光剥离设备
WO2021125438A1 (ko) * 2019-12-20 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
EP4080595A4 (en) * 2019-12-20 2024-04-03 Samsung Display Co Ltd DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3400612B1 (en) Method of fabricating a flexible display substrate
US20140150244A1 (en) Adhesive-free carrier assemblies for glass substrates
WO2017028412A1 (zh) 一种有机发光二极管器件及制作方法和显示装置
WO2010004915A1 (ja) 双極型静電チャック
WO2013089138A1 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
TW200712607A (en) Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
TWI777064B (zh) 轉印基板
WO2018045800A1 (zh) 承载基板、柔性显示器件的制备方法
JPWO2014092015A1 (ja) 電子デバイスの製造方法およびガラス積層体の製造方法
JP2012033737A (ja) 半導体ウェーハの取り扱い方法
KR20140123480A (ko) 전자 디바이스 구조체를 제공하는 방법 및 관련된 전자 디바이스 구조체들
KR20180035988A (ko) 리프트오프용 기판 구조체
JPWO2017154235A1 (ja) 可撓性電子デバイスの製造方法
CN107195658A (zh) 柔性基板及其制作方法
JP5804457B2 (ja) マスク
JP2015129830A5 (ko)
CN104064491B (zh) 片材粘贴装置及粘贴方法
US20080044671A1 (en) Transfer film having organic polymer film and method of forming thin metal layer using the transfer film
KR20110025288A (ko) 디스플레이 패널 유리판의 초박형화를 위한 에칭방법
KR20200026211A (ko) 적층체, 광학체의 형성 방법, 및, 카메라 모듈 탑재 장치
KR20080002314A (ko) 점착반송기판 및 이를 이용한 플렉서블 표시장치 제조방법
TW201641282A (zh) 疊層結構的脫層方法
KR101804819B1 (ko) 박리 조력층의 전사 과정을 포함하는 플렉시블 정보 표시 소자의 제조 방법
US20220340376A1 (en) Transfer film, transfer method using transfer film and electronic products manufactured using transfer film
JP2019178018A (ja) 薄型ガラス基板製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application