KR20180029907A - 반도체 프로세스 장비 - Google Patents

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KR20180029907A
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카르티크 자나키라만
하리 케이. 폰네칸티
주안 카를로스 로차-알바레즈
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판 수송 시스템이 개시되며, 기판 수송 시스템은, 내부 벽을 갖는 챔버, 내부 벽 상에 배치되는 평면형 모터, 및 평면형 모터에 자기적으로 결합되는 기판 캐리어를 포함한다. 기판 캐리어는, 베이스, 및 캔틸레버식 배향으로 베이스로부터 연장되는 지지 부재에 결합되는 기판 지지 표면을 포함한다.

Description

반도체 프로세스 장비{SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT}
[0001] 본원에 개시된 실시예들은 일반적으로, 전자 디바이스들의 제조에 활용되는 반도체 기판들과 같은 기판들을 이송 및 프로세싱하는데 사용되는 반도체 프로세스 장비에 관한 것이다.
[0002] 전자 디바이스들은 통상적으로 다수의 프로세스 챔버들을 사용하여 반도체 기판들 상에 형성되며, 여기서, 각각의 프로세스 챔버는 전자 디바이스들을 형성하기 위한 다양한 단계들(다른 프로세스들 중에서도, 예컨대, 증착, 에칭, 어닐링(annealing)) 중 하나 또는 그 초과를 완료하는데 사용된다. 기판 이송 시스템들은 통상적으로, 프로세스 챔버들 각각 사이에서 기판들을 이동시키는데 사용된다. 프로세스 챔버들의 압력은 진공으로 또는 진공에 가깝게 유지될 수 있다. 기판 이송 시스템들에 대해 사용되는 2개의 일반적인 어레인지먼트(arrangement)들은 클러스터 툴(cluster tool) 어레인지먼트 및 선형 어레인지먼트를 포함한다.
[0003] 클러스터 툴 어레인지먼트를 사용하는 기판 이송 시스템은, 상이한 프로세스 챔버들에 의해 둘러싸인 중앙 이송 영역을 포함한다. 중앙 이송 영역은, 기판 이송 시스템으로부터 기판들이 공급 및 제거될 때 기판 이송 시스템 내의 진공 환경을 유지하기 위해, 로드 록 챔버(load lock chamber)에 연결될 수 있다. 중앙 이송 영역 또는 이송 챔버는 통상적으로, 프로세스 챔버들 사이에서 뿐만 아니라, 로드 록 챔버로 그리고 로드 록 챔버로부터 기판들을 이동시키도록 중심 축을 중심으로 회전하는 고정 로봇을 포함한다. 이들 종래의 로봇들은 종종, 한 번에 하나 또는 2개의 기판들만을 이송하는 것으로 제한된다. 종래의 로봇들은 또한, 로봇이 회전하고 프로세스 챔버들 안팎으로 연장될 필요가 있기 때문에, 클러스터 툴의 풋프린트(footprint)가 커지는 것을 야기할 수 있다. 이들 타입들의 종래의 로봇들은 또한, 바람직하지 않은 입자들의 소스일 수 있다.
[0004] 선형 어레인지먼트의 기판 이송 시스템은 통상적으로 컨베이어(conveyor)를 포함하며, 컨베이어는, 컨베이어의 일 측(또는 대향하는 측들)에 프로세스 챔버들이 있는 최상부면을 갖는다. 컨베이어는, 기판 이송 시스템으로부터 기판들이 공급 및 제거될 때 기판 이송 시스템 내의 진공 환경을 유지하기 위해, 로드 록 챔버에 연결될 수 있다. 컨베이어와 프로세스 챔버들 사이에서 기판들을 이송하기 위해, 프로세스 챔버들 각각의 근처에 하나 또는 그 초과의 로봇들이 포지셔닝될 수 있다. 이들 선형 기판 이송 시스템들에서 사용되는 컨베이어들은, 바람직하지 않은 입자 생성의 소스일 수 있다. 부가적으로, 컨베이어들은 통상적으로, 컨베이어가 올바르게 수행하는지를 보장하기 위해 정기적이고 복잡한(involved) 유지보수 루틴(routine)들을 요구한다. 또한, 컨베이어는 한 번에 한 방향으로만 이동될 수 있으며, 이는, 컨베이어 상에서의 기판들의 이동을 제한할 수 있어서 스루풋(throughput)을 감소시킨다.
[0005] 따라서, 수율을 증가시킬 뿐만 아니라 입자 생성 및 풋프린트를 최소화하는 개선된 기판 이송 시스템에 대한 필요성이 존재한다.
[0006] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판을 수송 및/또는 프로세싱하기 위한 시스템을 제공한다. 일 실시예에서, 시스템은, 내부 벽을 갖는 챔버, 내부 벽 상에 배치되는 평면형 모터(planar motor), 평면형 모터에 자기적으로 커플링되는 기판 캐리어(substrate carrier)를 포함한다. 기판 캐리어는, 베이스, 및 캔틸레버식(cantilevered) 배향으로 베이스로부터 연장되는 지지 부재에 커플링되는 기판 지지 표면을 포함한다.
[0007] 다른 실시예에서, 기판들을 프로세싱하기 위한 시스템이 제공되며, 시스템은, 제 1 레벨에 포지셔닝되고 일 쌍의 엘리베이터(elevator)들 사이에서 연장되는 프로세스 챔버, 제 1 레벨과 상이한 제 2 레벨에서 일 쌍의 엘리베이터들에 커플링되는 복귀 챔버(return chamber), 및 프로세스 챔버, 엘리베이터들, 및 복귀 챔버 각각의 내부 벽에 자기적으로 커플링되도록 구성되고 그리고 프로세스 챔버 안팎으로 이동하도록 적응되는 복수의 기판 캐리어들을 포함한다.
[0008] 다른 실시예에서, 기판들을 프로세싱하기 위한 시스템이 제공되며, 시스템은, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 엘리베이터들, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 연장되는 제 1 프로세싱 랙(rack), 및 제 2 방향으로 연장되고 제 1 프로세싱 랙에 실질적으로 평행한 제 2 프로세싱 랙을 포함하고, 여기서, 제 1 프로세싱 랙과 제 2 프로세싱 랙 사이에 서비스 공간이 제공된다. 프로세싱 랙들 각각은, 복수의 엘리베이터들에 동작가능하게 커플링되는 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들, 및 복수의 엘리베이터들에 동작가능하게 커플링되는 복귀 챔버를 포함한다.
[0009] 다른 실시예에서, 기판 이송 시스템에서 기판을 이동시키기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판 캐리어의 기판 지지 표면 상에 기판을 배치하는 단계, 제 1 평면에 직교하는 제 2 평면에 배치되는 제 1 평면형 모터의 표면을 따라 제 1 평면에서 기판 캐리어를 부양(levitate) 및 이동시키는 단계, 제 1 프로세스 챔버 내로 기판 캐리어를 부양 및 이동시키는 단계, 및 기판 캐리어 상에 있는, 제 1 프로세스 챔버 내의 기판을 프로세싱하는 단계를 포함한다. 부양 및 이동시키는 단계는, 제 1 평면형 모터의 코일들에 의해 생성되는 자기장들을 조절함으로써 제공될 수 있다.
[0010] 본 개시내용의 상기 인용된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있도록, 이러한 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 하지만, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 통상적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은 기판 이송 시스템의 일 실시예를 도시하는, 기판 제조 툴의 일 실시예의 등각도(isometric view)이다.
[0012] 도 2는, 기판 이송 시스템의 다른 실시예의 개략적인 단면도이다.
[0013] 도 3a는, 캐리어 및 내부 벽의 부분의 일 실시예의 등각도이다.
[0014] 도 3b는, 도 3a의 캐리어의 단면도이다.
[0015] 도 4 및 도 5는 각각, 엘리베이터들의 내부 벽의 부분들 및 도 2에 도시된 프로세스 영역의 내부 벽의 등각도들이다.
[0016] 도 6a는, 기판 제조 툴의 다른 실시예의 개략적인 상부 평면도이다.
[0017] 도 6b는, 도 6a의 기판 제조 툴의 프로세싱 스테이션들 중 하나의 개략적인 단면도이다.
[0018] 도 6c는, 도 6a의 기판 제조 툴의 프로세싱 스테이션들의 일부일 수 있는 프로세스 챔버의 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
[0019] 도 7a는, 기판 이송 시스템을 갖는 기판 제조 툴의 다른 실시예의 개략적인 상부 평면도이다.
[0020] 도 7b는, 도 7a의 기판 제조 툴의 프로세싱 스테이션들 중 하나의 개략적인 단면도이다.
[0021] 도 7c는, 도 7b의 프로세스 영역의 부분의 개략적인 단면도이다.
[0022] 도 8a는, 챔버 몸체의 일 실시예의 개략적인 등각도이다.
[0023] 도 8b는, 프로세스 챔버의 세부사항들을 도시하는, 도 8a의 라인들 8B-8B에 따른 챔버 몸체의 단면도이다.
[0024] 도 9a는, 챔버 몸체의 다른 실시예의 개략적인 등각도이다.
[0025] 도 9b는, 도 9a의 라인들 9B-9B에 따른 챔버 몸체의 단면도이다.
[0026] 도 9c는, 도 9a의 라인들 9c-9c에 따른 챔버 몸체의 부분의 단면도이다.
[0027] 이해를 촉진시키기 위해, 가능한 경우, 도면들에 대해 공통된 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 공통의 단어들이 사용되었다. 일 실시예의 개시된 엘리먼트들은, 특정 언급없이 다른 실시예들 상에서 유리하게 활용될 수 있음이 고려된다.
[0028] 본 개시내용은 일반적으로, 프로세스 챔버들 사이에서 반도체 기판들을 이송하기 위해 사용되는 반도체 프로세스 장비에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 본원에 개시된 실시예들은, 하나 또는 그 초과의 자기 부양 디바이스들을 이용하는 수송 디바이스를 사용하여 프로세스 챔버들 사이에서 반도체 기판들을 이송하기 위해 사용되는 시스템들에 관련된다.
[0029] 프로세스 챔버들 사이에서 기판들을 수송하기 위해 자기 부양을 사용하는 것은 많은 이점들을 제공한다. 자기 부양은, 프로세스 챔버들 안팎으로 기판들을 이송하기 위해 통상적으로 사용되는 로봇들이 몇몇 실시예들에서는 제거될 수 있기 때문에, 풋프린트가 감소된 설계들을 가능하게 한다. 기판 이송 시스템의 풋프린트를 감소시키는 것은, 기판 디바이스 제조의 자본 비용들을 감소시킬 수 있다. 기판 이송 시스템의 풋프린트를 감소시키는 것은 또한, 시스템의 운영 및 유지보수 비용들을 감소시킬 수 있다. 기판 이송 시스템의 사이즈를 감소시키는 것은 또한, 툴이 반도체 생산 공장(fab)에서 차지할, 풋-프린트와 연관된 비용들을 감소시킬 수 있다.
[0030] 부가적으로, 기판들을 수송하기 위해 자기 부양 디바이스를 사용하는 경우, 가동부(moving part)들 및 진공 호환가능 그리스(grease)들(이는 진공 환경에서 입자들 및 아웃가스(outgas)를 생성할 수 있음)을 갖는 기계적 시스템들에 비해, 입자 감소 및 더 적은 오염이 생성될 것이다. 예를 들어, 프로세스 챔버들 사이에서 기판들을 수송하기 위한 종래의 중앙 컨베이어(또는 로봇)의 움직임은 입자들을 생성할 수 있다. 생성된 입자들 및 오염은 제품 품질에 부정적으로 영향을 미치고, 몇몇 경우들에서는 제품 수율을 감소시킨다. 대안적으로, 자기 부양 디바이스들을 사용하는 것은, 기판 핸들링(handling) 툴(로봇 및/또는 컨베이어)과 기판 이송 시스템의 나머지 간의 접촉량을 최소화한다.
[0031] 도 1은, 일 실시예에 따른 기판 이송 시스템(105)을 갖는 기판 제조 툴(100)의 일 실시예의 등각도이다. 기판 이송 시스템(105)은 하나 또는 그 초과의 선형 프로세싱 랙들(110A 및 110B)을 포함한다. 프로세싱 랙들(110A, 110B)은, 유지보수에 활용될 수 있는 서비스 공간(115)에 의해 분리될 수 있다. 서비스 공간(115)은, 종래의 기판 이송 시스템의 이송 챔버가 포지셔닝됐을 영역 또는 볼륨(volume)을 나타낸다. 그러나, 서비스 공간(115)은, 기판 이송 시스템(105)이 서비스될 때 유지보수 요원에게 접근을 허용하는 폭 치수 W를 포함한다.
[0032] 프로세싱 랙들(110A, 110B) 각각은, (Z 방향으로의) 스택형(stacked) 구성으로 하나 또는 그 초과의 레벨들(120A-120C)에 배치되는 복수의 프로세스 챔버들(118)을 포함한다. 프로세싱 랙들(110A, 110B) 각각은, 로드 록 챔버(125) 및 팩토리 인터페이스(factory interface)(130)에 커플링된다. 프로세싱 랙들(110A, 110B) 각각에서의 프로세스 챔버들(118)은, 도시된 바와 같이 X 방향으로 순차적으로 정렬될 수 있다. 로드 록 챔버(125)는 서비스 공간(115)에 포지셔닝될 수 있다. 기판들(도시되지 않음)은 복수의 캐리어들(135) 상에서 기판 제조 툴(100)을 통해 이송된다. 캐리어들(135)은 자기적으로 부양되고, 기판 이송 시스템(105)의 벽들 또는 다른 표면들과 접촉함이 없이 기판 이송 시스템(105)을 통해 이동한다.
[0033] 캐리어들(135) 각각은, 프로세싱 랙들(110A, 110B)의 대향하는 단부들에 커플링되는 엘리베이터들(140A, 140B) 내에 도시되어 있다. 2개의 캐리어들(135)만이 도시되지만, 기판 이송 시스템(105)은, 최대 스루풋을 제공하기 위해, 프로세스 챔버들(118)의 수를 초과하는 다수의 캐리어들을 포함할 수 있다. 캐리어들(135) 각각은, 엘리베이터들(140A, 140B)에서 적어도 Z 방향으로 이동가능하다. 그러나, 캐리어들(135)은, 엘리베이터(140A, 140B)뿐만 아니라 프로세스 챔버들(118) 내에서 또는 이를 통해 이동가능하다.
[0034] 프로세스 챔버들(118)은, 증착 챔버들, 식각 챔버들, 어닐링 챔버들, 애싱(ashing) 챔버들, 또는 전자 디바이스 제조에서 활용되는 프로세스를 위한 임의의 챔버의 임의의 결합일 수 있다. 증착 챔버들의 예들은, 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD), 물리적 기상 증착(PVD), 원자층 증착(ALD) 등을 수행하도록 구성되는 챔버들을 포함한다. 프로세스 챔버들(118)은, 동일한 프로세스 또는 레시피(recipe)를 수행하도록 구성될 수 있거나 상이한 프로세스들 또는 레시피들을 수행하도록 구성될 수 있다. 각각의 프로세싱 랙(110A, 110B)에서의 프로세스 챔버들(118)은, 기판들을 일괄적으로(in batches) 또는 순차적으로 프로세싱하도록 구성될 수 있다.
[0035] 동작 시, 팩토리 인터페이스(130)에 포함된 기판들은, 로드 록 챔버(145)의 포트(145)(하나의 포트만이 도 1에 도시됨)를 통해 엘리베이터들(140A, 140B) 내의 캐리어들(135)로 이송된다. 상부에 기판을 갖는 캐리어들(135)은, 프로세싱 랙들(110A, 110B)로 그리고 프로세스 챔버들(118)을 통해 이동된다. 일 예에서, 캐리어들(135)은, +Z 방향으로, 레벨(120A)로 이동하고, 상부에 기판이 리테이닝(retain)된 캐리어들(135)은, 측방향으로, 엘리베이터(140A)로부터 레벨(120A) 상에 포지셔닝된 프로세스 챔버들(118)로 이동된다. 그 다음, 상부에 기판이 리테이닝된 캐리어들(135)은, 측방향(+X 방향)으로, 레벨(120A) 상에 포지셔닝된 프로세스 챔버들(118) 각각으로 또는 이들을 통해 이동된다. 레벨(120A) 상의 프로세스 챔버들(118) 각각은, 내부의 캐리어(135) 상에 배치된 기판에 대해 동일한 프로세스 또는 상이한 프로세스를 수행할 수 있다.
[0036] 레벨(120A) 상에서 기판들을 프로세싱한 후, 상부에 기판들이 있는 캐리어들(135)은 엘리베이터들(140B)로 이동된다. 그 다음, 캐리어들(135) 및 개개의 기판들은, -Z 방향으로, 레벨(120B)로 이동된다. 그 다음, 캐리어들(135)은, 측방향(-X 방향)으로, 레벨(120B) 상에 포지셔닝된 프로세스 챔버들(118) 각각으로 또는 이들을 통해 이동된다. 레벨(120B) 상의 프로세스 챔버들(118) 각각은, 내부의 캐리어(135) 상에 배치된 기판에 대해 동일한 프로세스 또는 상이한 프로세스를 수행할 수 있다. 레벨(120B) 상의 프로세스 챔버들(118) 각각은, 레벨(120A) 상의 프로세스 챔버들(118)과 동일한 프로세스 또는 그와 상이한 프로세스를 수행할 수 있다.
[0037] 레벨(120B) 상에서 기판들을 프로세싱한 후, 상부에 기판들이 있는 캐리어들(135)은 엘리베이터들(140A)로 이동된다. 그 다음, 캐리어들(135) 및 개개의 기판들은, -Z 방향으로, 레벨(120C)로 이동된다. 그 다음, 캐리어들(135)은, 측방향(+X 방향)으로, 레벨(120C) 상에 포지셔닝된 프로세스 챔버들(118) 각각으로 또는 이들을 통해 이동된다. 레벨(120C) 상의 프로세스 챔버들(118) 각각은, 내부의 캐리어(135) 상에 배치된 기판에 대해 동일한 프로세스 또는 상이한 프로세스를 수행할 수 있다. 레벨(120C) 상의 프로세스 챔버들(118) 각각은, 레벨(120A 또는 120B) 상의 프로세스 챔버들(118)과 동일한 프로세스 또는 그와 상이한 프로세스를 수행할 수 있다.
[0038] 레벨(120C) 상에서 기판들을 프로세싱한 후, 상부에 기판들이 있는 캐리어들(135)은 엘리베이터들(140B)로 이동된다. 그 다음, 캐리어(135) 및 개개의 기판들은, -Z 방향으로, 복귀 챔버(150)(도 1에는 하나만 도시됨)를 향해 이동된다. 그 다음, 캐리어들(135)은, 측방향(-X 방향)으로, 엘리베이터들(140A)을 향하여 복귀 챔버(150)를 통해 이동된다. 캐리어들(135)이 엘리베이터들(140A)로 이송되는 경우, 캐리어들(135)은, 팩토리 인터페이스(130)로의 기판들의 복귀를 위해, 로드 록 챔버(125)의 포트(145)에 인접하게 포지셔닝될 수 있다.
[0039] 도 2는, 기판 이송 시스템(200)의 다른 실시예의 개략적인 단면도이다. 기판 이송 시스템(200)은, 프로세싱 랙(이를테면, 프로세싱 랙(110A))으로서 도 1의 기판 제조 툴(100)에서 활용될 수 있다. 본 실시예에 따른 캐리어들(135)은, 개개의 캐리어(135)와 기판 이송 시스템(200)의 표면(이를테면, 기판 이송 시스템(200)의 내부 벽(202, 204)) 간의 자기 인력을 통해 선택적으로 정지 및 이동될 수 있다.
[0040] 기판 이송 시스템(200)은, 도 1과 유사한 복수의 프로세스 챔버들(118) 및 엘리베이터들(140A, 140B)을 포함한다. 레벨(120A) 상의 프로세스 챔버들(118)은, 이송 포트들(205), 이를테면 슬릿 밸브(slit valve)들에 의해 둘러싸이고 분리된다. 레벨(120A)의 프로세스 챔버들(118)은 단일 기판 프로세싱을 위해 구성될 수 있고, 이송 포트들(205)은 각각의 프로세스 챔버(118)의 프로세스 볼륨들을 분리한다. 캐리어들(135) 각각은 기판(210)을 지지하고, 각각의 캐리어(135)는 레벨(120A)의 각각의 프로세스 챔버(118)를 통해 이동하도록 인덱싱(index)된다. 캐리어들(135) 상의 기판들(210)을 프로세싱하기 위해, 이동은 엘리베이터(140A)로부터 엘리베이터(140B)로 이루어질 수 있거나 엘리베이터(140B)로부터 엘리베이터(140A)로 이루어질 수 있다. 일 구성에서, 이송 포트들(205)은 프로세스 챔버들(118)과 동일한 평면에 정렬되며, 이는 공간을 절약한다.
[0041] 기판 이송 시스템(200)은 또한, 레벨(120B) 상에서 복수의 프로세스 영역들(215)을 포함한다. 프로세스 영역들(215)의 단부들은, 이송 포트들(205), 이를테면 슬릿 밸브들에 의해 엘리베이터들(140A, 140B)의 내부 볼륨(225)으로부터 분리된다. 인접 프로세스 영역들(215)은 가스 커튼(gas curtain)들(220)에 의해 분리된다. 각각의 가스 커튼(220)은, 각각의 프로세스 영역(215)을 효과적으로 분리시키는 불활성 가스들의 층류(laminar flow)를 포함할 수 있다. 레벨(120B)의 프로세스 영역들(215)은, 캐리어들(135) 상에 지지되는 기판들(210)에 대한 공간 증착 프로세스들을 위해 구성될 수 있다. 예를 들어, 레벨(120B) 상의 프로세스 영역들(215)은 증착 소스들(225A 및 225B)을 포함할 수 있다. 증착 소스들(225A 및 225B) 각각은, 개개의 프로세스 영역들(215) 내의 기판들(210) 상에 전구체(precursor) A 및 전구체 B를 증착하는 선형 소스들일 수 있다. 캐리어들(135) 각각은 기판(210)을 지지하고, 각각의 캐리어는, 전구체들 A 및 B가 기판들(210)의 부분들 상에 증착되도록, 레벨(120B)의 각각의 프로세스 영역(215)을 통해 이동하게 인덱싱된다. 캐리어들(135) 상의 기판들(210)을 프로세싱하기 위해, 이동은 엘리베이터(140A)로부터 엘리베이터(140B)로 이루어질 수 있거나 엘리베이터(140B)로부터 엘리베이터(140A)로 이루어질 수 있다.
[0042] 기판 이송 시스템(200)은 또한, 레벨(120C) 상에서 단일 프로세스 영역(230)을 포함한다. 프로세스 영역(230)의 단부들은, 이송 포트들(205), 이를테면 슬릿 밸브들에 의해 엘리베이터들(140A, 140B)의 내부 볼륨(225)으로부터 분리된다. 레벨(120C)의 프로세스 영역(230)은, 캐리어들(135) 상에 지지되는 기판들(210)에 대한 동적 증착 프로세스들을 위해 구성될 수 있다. 예를 들어, 레벨(120C) 상의 프로세스 영역(230)은 증착 소스들(235A-235F)을 포함할 수 있다. 증착 소스들(235A-235F)은, 캐리어들(135)이 프로세스 영역(230)을 통해 이동하는 동안 기판들(210) 상에 상이한 전구체들을 증착하는 선형 소스들일 수 있다. 캐리어들(135) 상의 기판들(210)을 프로세싱하기 위해, 이동은 엘리베이터(140A)로부터 엘리베이터(140B)로 이루어질 수 있거나 엘리베이터(140B)로부터 엘리베이터(140A)로 이루어질 수 있다.
[0043] 레벨들(120A-120C) 중 하나 또는 전부에서 기판들(210)이 프로세싱된 후, 상부에 개개의 기판들(210)이 있는 캐리어들(135)은 로드 록 챔버(125) 및 팩토리 인터페이스(130)(둘 모두 도 1에 도시됨)로 이송된다. 상부에 기판들(210)이 있는 캐리어들(135)은, 몇몇 구성들에서, 복귀 챔버(150)를 통해 복귀될 수 있다. 몇몇 구성들에서, 기판 이송 시스템(200)은, 기판들(210)의 막 두께 및/또는 막 품질을 모니터링하는데 활용될 수 있는 계측 디바이스(240)를 포함할 수 있다. 계측 디바이스(240)는, 기판들이 복귀 챔버(150)를 통과하는 동안 기판들을 모니터링하도록 포지셔닝될 수 있다. 복귀 챔버(150)는 또한, 기판들을 로드 록 챔버(125)로 이송하기에 앞서 냉각시키기 위해 사용될 수 있다.
[0044] 기판 이송 시스템(105) 및 기판 이송 시스템(200)의 하나의 이점은, 일 구성에서, 기판들(210) 각각이 캐리어들(135)의 표면 상에 유지된다는 것이다. 따라서, 일 구성에서, 각각의 기판(210)은, 로드 록 챔버(125)(도 1에 도시됨)에서 그리고 레벨들(120A-120C)을 통한 이송 동안, 캐리어(135)와 효과적으로 페어링(pair)되고, 그리고 로드 록 챔버(125)로 복귀되는 경우, 동일한 캐리어(135)로부터 디-척킹(de-chuck)된다. 예를 들어, 기판들(210)은 로드 록 챔버(125)(도 1에 도시됨)에 있는 캐리어들(135)로만 이송되고, 기판들(210)은, 프로세싱 이후 로드 록 챔버(125)에서 캐리어들(135)로부터 제거될 때까지 동일한 캐리어(135) 상에 유지된다. 이것은, 위와 같지 않았다면 기판들을 여러번 이송할 때 필요했을 시간을 절약함으로써 효율성을 향상시킨다. 이것은 또한, 가동부들을 최소화하고, 이는 입자 생성을 최소화한다.
[0045] 도 3a는, 캐리어(135) 및 내부 벽(202)의 부분의 일 실시예의 등각도이다. 내부 벽(202)은, 도 2에 도시된 프로세스 챔버들(118), 프로세스 영역들(215) 및/또는 프로세스 영역(230)의 표면일 수 있다. 도 3b는, 도 3a의 캐리어(135)의 단면도이다.
[0046] 기판 캐리어(135)는, 베이스(300) 및 기판 지지 표면(305)을 포함한다. 지지 부재(303)는, 기판 지지 표면(305)을 지지하도록 캔틸레버식 방식으로 베이스로부터 연장될 수 있다. 몇몇 구성들에서, 베이스(300)는, 기판(210)이 포지셔닝될 수 있는 리세스형(recessed) 영역(310)(도 3b에 도시됨)을 포함한다. 베이스(300)는 복수의 자석들(315)을 포함한다. 몇몇 구성들에서, 복수의 자석들(315)은, 이들이 Halbach 어레이 또는 다른 유사한 구성을 형성하도록 배열될 수 있다. 기판 캐리어(135)는 비-자기 재료, 이를테면 알루미늄으로 형성될 수 있다. 기판 이송 시스템(105 또는 200)의 몇몇 구성들에서, 기판 캐리어(135)를 제조하기 위한 재료가 높은 프로세싱 온도들을 또한 견딜 수 있는 재료를 포함하도록 선택하는 것이 유리하다. 일 예에서, 기판 캐리어(135)는, 세라믹 재료(예컨대, 알루미나, 알루미늄 질화물, 석영, 지르코니아(zirconia) 등)로 제조된다. 몇몇 경우들에서, 기판 캐리어(135)는, 기판 이송 시스템(105 또는 200) 내에서의 프로세싱 동안 기판 캐리어(135) 내 또는 기판 캐리어(135) 상에서의 임의의 전하 축적(electrical charge build-up) 문제들을 해결하기 위해 전기적으로 전도성인 코팅으로 코팅될 수 있다.
[0047] 도 4 및 도 5는 각각, 엘리베이터들(140A, 140B)의 내부 벽(204) 및 도 2에 도시된 프로세스 영역(230)의 내부 벽(202)의 부분들의 등각도들이다. 도 3a, 도 4, 및 도 5를 참조하면, 내부 벽(202 및/또는 204)은, 코일들(325)의 어레인지먼트를 갖는 평면형 모터(320)를 포함한다. 평면형 모터(320)는 플레이트(330)(이를테면, 비-자기 재료 함유 플레이트, 예컨대 알루미늄 플레이트) 아래에 배치된다. 플레이트(330)는, 코일들(325)의 어레인지먼트를 기판 이송 시스템(105 또는 200)의 내부로부터 분리한다. 플레이트(330)는 또한, 코일들(325)의 어레인지먼트에 의해 생성되는 자기장들이, 복수의 자석들(315)을 사용하여 기판 캐리어(135)의 포지션과 상호작용하고 이를 제어하는 것을 허용한다. 제어기(335) 및 코일들(325)의 어레인지먼트 내의 각각의 코일에 대한 전력 연결들(도시되지 않음)이, 각각의 코일에 의해 생성되는 자기장들을 조절하는데 사용될 수 있다. 제어기(335)는, X, Y, 및 Z 방향들 중 하나 또는 그 초과 뿐만 아니라 이들의 하나 또는 그 초과의 평면들에서 각각의 기판 캐리어(135)를 이동시키는데 활용될 수 있다. 예를 들어, 각각의 기판 캐리어(135)는, 내부 벽들(202, 204)에 걸쳐, 측방향으로 위로, 아래로, 또는 옆으로, 또는 대각선으로 이동될 수 있다. 제어기(335)는 또한, 각각의 기판 캐리어(135)로 하여금, 내부 벽들(202, 204)에 따른 임의의 위치에서 정지하게 할 수 있다.
[0048] 기판 캐리어들(135)은, 캔틸레버 구조의 일 단부에서 베이스(300)에 커플링된다. 기판 캐리어들(135)의 캔틸레버식 어레인지먼트는, 하부 표면 또는 하부 표면의 에지(edge)들로부터 지지되는 종래의 기판 캐리어들에 비해 많은 이점들을 제공한다. 이점들은, X, Y, 및 Z 방향들로의 기판(210)의 이동뿐만 아니라, 프로세스 챔버들(118) 내의 반응 구역들 및 프로세스 영역들(215 또는 230)(도 2에 도시됨)로부터 자석들(315)을 이격시키는 것을 포함한다. 따라서, 자석들(315)은, 라디오 주파수 에너지, 열, 또는 프로세스 챔버들(118) 및 프로세스 영역들(215 또는 230) 내의 다른 조건들에 의해 영향을 받지 않는다.
[0049] 몇몇 실시예들에서, 각각의 코일(325)은, 평면형 모터(320)에 대한 부양된 기판 캐리어(135)의 배향 및 이동의 일관된 제어를 제공하기 위해 일정 거리만큼 코일들(325)의 어레인지먼트 내의 다른 코일들(325)로부터 분리될 수 있다. 기판 캐리어(135)의 베이스(300) 내의 복수의 자석들(315)은, 코일들(325)의 어레인지먼트에 대한 상보적인 어레인지먼트로 포지셔닝되는 영구 자석들의 어레이 또는 매트릭스일 수 있다. 영구 자석들의 어레이 또는 매트릭스, 및 코일들(325)의 어레인지먼트는, X-Y 평면에서 상보적인 배향으로 배열될 수 있다. 일 예에서, 코일들(325)의 어레인지먼트 내의 개별적인 코일들(325)은, 이들에 전력이 공급되는 경우 생성되는 자기장(들)이 자석들(315) 각각 내에서 발견되는 영구 자석에 의해 야기되는 생성된 자기장들과 상호작용하도록 감겨진다. 코일들(325)의 고정된 어레인지먼트에 대한 기판 캐리어(135)의 이동 및 배향을 제어하기 위해 기판 캐리어(135) 내의 자석들(315)의 특정 패턴이 사용될 수 있다.
[0050] 도 6a는, 기판 이송 시스템(605)을 갖는 기판 제조 툴(600)의 다른 실시예의 개략적인 상부 평면도이다. 기판 제조 툴(600)은, 서비스 공간(115)에 의해 분리되는 복수의 선형 프로세싱 레그(leg)들(610A 및 610B)을 포함한다. 기판 제조 툴(600)은 또한, 복수의 팩토리 인터페이스들(130) 및 로드 록 챔버들(125)을 포함한다. 기판 제조 툴(600)은 또한, 기판 제조 툴(600)의 각각의 단부 상의 엘리베이터들(140A, 140B)뿐만 아니라 프로세싱 스테이션들(620) 사이에 포지셔닝되는 엘리베이터들(615)을 포함한다.
[0051] 도 6b는, 도 6a의 기판 제조 툴(600)의 프로세싱 스테이션들(620) 중 하나의 개략적인 단면도이다. 엘리베이터들(615)은, 위에 설명된 바와 같이, 복귀 챔버(150)와 레벨(625) 사이에서 기판 캐리어들(135)을 이송할 뿐만 아니라 프로세싱 레그들(610A 및 610B) 사이에서 교차-이송(cross-transfer)시키도록 기능할 수 있다. 교차-이송 기능은, 하나 또는 그 초과의 프로세싱 스테이션들(620)이 (예컨대, 유지보수를 위해) 셧 다운(shut down)되는 경우 유용할 수 있다. 프로세싱 스테이션들(620) 각각은, 도 6b에 도시된 바와 같이, 이송 포트들(205)에 의해 분리되는 복수의 프로세스 챔버들(118)을 포함할 수 있다.
[0052] 도 6c는, 도 6a의 프로세싱 스테이션들(620)의 일부일 수 있는 프로세스 챔버(118)의 일 실시예의 개략적인 단면도이다. 프로세스 챔버(118)는, 측벽들(예컨대, 벽들(202))에 의해 경계 지어지고 이송 포트들(205)에 의해 선택적으로 시일링(seal)될 수 있는 내부 볼륨(630)을 포함한다. 프로세스 챔버(118)는 또한, 가열기(640)에 대향하는 프로세스 스택(635)을 포함한다. 프로세스 스택(635)은, 차단 플레이트(blocker plate)(650)에 커플링되는 가스 블록(645)을 포함한다. 차단 플레이트(650)는, 샤워헤드(showerhead) 또는 가스 분배판(gas distribution plate)일 수 있는 면판(faceplate)(655)에 커플링될 수 있다. 면판(655)은, 라디오 주파수(RF) 전원일 수 있는 전원(660)에 커플링될 수 있다. 전원(660)은, 내부 볼륨(630)에서, 가스 블록(645)으로부터 공급되는 전구체 가스들의 플라즈마를 점화시키는데 활용될 수 있다.
[0053] 도 7a는, 기판 이송 시스템(705)을 갖는 기판 제조 툴(700)의 다른 실시예의 개략적인 상부 평면도이다. 기판 제조 툴(700)은, 서비스 공간(115)에 의해 분리되는 복수의 선형 프로세싱 레그들(710A 및 710B)을 포함한다. 기판 제조 툴(700)은 또한, 복수의 팩토리 인터페이스들(130) 및 로드 록 챔버들(125)을 포함한다. 기판 제조 툴(700)은 또한, 기판 제조 툴(700)의 각각의 단부 상의 엘리베이터들(140A, 140B)뿐만 아니라 하나 또는 그 초과의 프로세싱 스테이션들(620) 사이에 포지셔닝되는 엘리베이터들(615)을 포함한다. 기판 제조 툴(700)은 또한, 기판 제조 툴(700)의 길이를 따라 다양한 인터벌(interval)들로 포지셔닝되는 엘리베이터들(715)을 포함한다. 도시된 구성에서, 엘리베이터들(715)은 엘리베이터들(615)과 교번한다.
[0054] 도 7b는, 도 7a의 기판 제조 툴(700)의 프로세싱 스테이션들(620) 중 하나의 개략적인 단면도이다. 엘리베이터들(140A)(뿐만 아니라 엘리베이터(140B)) 및 엘리베이터(625)는, 위에 설명된 바와 같이, 복귀 챔버(150)와 레벨(625) 사이에서 기판 캐리어들(135)을 이송하도록 기능한다. 엘리베이터들(615)은, 프로세싱 레그들(710A 및 710B) 사이에서의 교차-이송을 위해 활용될 수 있다. 프로세싱 스테이션들(620) 각각은, 도 7b에 도시된 바와 같이, 이송 포트들(205)에 의해 각각의 단부에서 선택적으로 시일링되는 프로세스 영역(230)을 포함할 수 있다. 프로세스 영역(230)은, 복수의 기판들(210)의 일괄(batch) 프로세싱을 위해 구성될 수 있다.
[0055] 도 7c는, 도 7b의 프로세스 영역(230)의 부분의 개략적인 단면도이다. 프로세스 영역(230)은, 측벽들(예컨대, 벽들(202))에 의해 경계 지어지고 측벽들의 각각의 단부 상에서 이송 포트들(205)에 의해 선택적으로 시일링될 수 있는 내부 볼륨(715)을 포함한다(도 7b에 도시됨). 프로세스 영역(230)은 또한, 복수의 선형 소스들(720)을 포함하고, 각각의 선형 소스(720)는 가열기(640)에 대향한다. 일 구성에서, 선형 소스들(720) 및 가열기들(640)은 원형 대신 장방형이다. 상부에 기판들(210)이 있는 기판 캐리어들(135)은, 프로세싱 동안 왕복운동(선형 소스들(720) 및 가열기들(640)에 대해 측방향으로(예컨대, X 방향 및/또는 Y 방향으로) 이동함)을 할 수 있다.
[0056] 선형 소스들(720) 각각은 가스 블록(730)을 포함할 수 있는 프로세스 스택(725)을 포함하며, 가스 블록(730)은 차단 플레이트(735)에 커플링된다. 차단 플레이트(735)는, 샤워헤드 또는 가스 분배판일 수 있는 면판(740)에 커플링될 수 있다. 면판(740)은 전원(660)에 커플링될 수 있고, 전원(660)은, 내부 볼륨(715)에서, 가스 블록(730)으로부터 공급되는 전구체 가스들의 플라즈마를 점화시키는데 활용될 수 있다.
[0057] 도 8a는, 챔버 몸체(800)의 일 실시예의 개략적인 등각도이다. 챔버 몸체(800)는, 프로세스 챔버들(118)로서 도 1의 기판 제조 툴(100) 또는 도 2의 기판 이송 시스템(200)에서 활용될 수 있다.
[0058] 챔버 몸체(800)는, 각각이 2개의 프로세스 챔버들(118)을 갖는 복수의 트윈(twin) 챔버들(805)을 포함한다. 챔버 몸체(800)는 또한 복수의 가스 패널들(810)을 포함한다. 챔버 몸체(800)는 또한, 원격 플라즈마 생성기(815), RF 소스들, 이를테면 고주파수 RF 생성기(820A) 및 저주파수 RF 생성기(820B)를 포함할 수 있다. 챔버 몸체(800)는 또한, 프로세스 챔버들(118) 각각 내의 플라즈마를 튜닝하기 위한 RF 매칭 유닛을 포함할 수 있다. 이송 포트들(205)(도 8a에는 하나만 도시됨)은 챔버 몸체(800)의 측부들에 커플링된다. 몇몇 구성들에서, 챔버 몸체(800)는, 아래에 더 상세히 설명되는 RF 애플리케이터(applicator)(835)(도 8b에 도시됨)의 액츄에이션(actuation)을 제어할 수 있는 제어기(830)를 포함한다. 트윈 챔버들(805) 각각은 2개의 기판들을 동시에(즉, 일괄로) 프로세싱할 수 있거나 별개로 프로세싱할 수 있다.
[0059] 도 8b는, 프로세스 챔버(118)의 세부사항들을 도시하는, 도 8a의 라인들 8B-8B에 따른 챔버 몸체(800)의 단면도이다. 프로세스 챔버(118)는 가스 박스(840), 차단 플레이트(845), 및 가열기(855)에 대향하는 면판(850)을 포함한다. 프로세스 볼륨(865)을 선택적으로 시일링하기 위해 격리 밸브(860)가 활용될 수 있다. 격리 밸브(860)는, 위에 설명된 이송 포트들(205)과 유사한 슬릿 밸브일 수 있고, 기판 캐리어들(135)(하나가 도시됨)이 이를 통과하는 것을 허용한다. 프로세스 볼륨(865)으로부터 가스들을 배기하기 위해, 진공 펌프(도시되지 않음)와 커플링된 펌핑 포트(870)가 사용될 수 있다. 격리 밸브(860)는, 프로세스 볼륨(865)을 챔버 몸체(800)의 다른 프로세스 챔버들(118)로부터 격리시키기 위해, 또는 트윈 챔버들(805)을 서로 격리시키기 위해 활용될 수 있다.
[0060] 일 구성에서, 가열기(855)는, 기판 캐리어(135)의 일부인 전기적으로 전도성인 부재(880)에 RF 애플리케이터(835)가 접촉할 수 있는 개구(opening)(875)를 포함한다. 기판 캐리어(135)가 프로세스 볼륨(865) 내에 포지셔닝되는 경우, RF 애플리케이터(835)는, 기판 캐리어(135)의 전기적으로 전도성인 부재(880)에 접촉하도록 Z 방향으로 모터(885)에 의해 액츄에이팅될 수 있다. RF 애플리케이터(835)의 이동은 도 3a의 제어기(830)에 의해 제어될 수 있다. 따라서, 기판 캐리어들(135)은, 프로세싱 동안 RF 전극으로서 활용될 수 있다.
[0061] 도 9a는, 챔버 몸체(900)의 다른 실시예의 개략적인 등각도이다. 챔버 몸체(900)는, 프로세스 영역(230)으로서 도 2의 기판 이송 시스템(200) 또는 도 1의 기판 제조 툴(100)에서 활용될 수 있다. 챔버 몸체(900)는 복수의 선형 소스들(905)을 포함한다. 이송 포트들(205)은 챔버 몸체(900)의 측부들에 커플링된다.
[0062] 도 9b는 도 9a의 라인들 9B-9B에 따른 챔버 몸체(900)의 단면도이고, 도 9c는, 프로세스 영역(230)을 도시하는, 도 9a의 라인들 9C-9C에 따른 챔버 몸체(900)의 부분의 단면도이다. 선형 소스들(900) 각각은, 차단 플레이트(915)에 커플링되는 가스 박스(910)를 포함할 수 있다. 차단 플레이트(915)는, 샤워헤드 또는 가스 분배판일 수 있는 면판(920)에 커플링될 수 있다. 면판(920)은 전원(660)에 커플링될 수 있고, 전원(660)은, 프로세스 영역(230)의 내부 볼륨(925)에서, 가스 박스(910)로부터 공급되는 전구체 가스들의 플라즈마를 점화시키는데 활용될 수 있다. 면판(920)은, RF 복귀 전극으로서 또한 기능할 수 있는 가열기(930)에 대향한다. 내부 볼륨(925)으로부터 가스들을 진공배기하기 위해, 진공 펌프(도시되지 않음)와 커플링된 펌핑 플레이트(935)가 활용될 수 있다. 상부에 기판(210)이 있는 각각의 기판 캐리어(135)는, 프로세싱 동안 왕복운동(선형 소스들(720) 및 가열기(930)에 대해 측방향으로(예컨대, X 방향 및/또는 Y 방향으로) 이동함)을 할 수 있다. 개구들(940)은, 챔버 몸체(900)의 측벽(945)에 형성될 수 있다. 개구들(940)은, 선형 소스들(720) 사이에 가스 커튼을 형성할 수 있는 퍼지 가스를 유동시키는데 사용될 수 있다.
[0063] 전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 이송 시스템으로서,
    내부 벽을 갖는 챔버;
    상기 내부 벽 상에 배치되는 평면형 모터(planar motor);
    상기 평면형 모터에 자기적으로 커플링되는 기판 캐리어를 포함하며,
    상기 기판 캐리어는,
    베이스, 및
    캔틸레버식(cantilevered) 배향으로 상기 베이스로부터 연장되는 지지 부재에 커플링되는 기판 지지 표면
    을 포함하는, 기판 이송 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 복수의 프로세스 챔버들을 포함하는, 기판 이송 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는, 복수의 증착 소스들을 갖는 선형 프로세스 영역을 포함하는, 기판 이송 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 내부 벽을 갖는 엘리베이터에 동작가능하게 커플링되고, 상기 엘리베이터의 내부 벽 상에 평면형 모터가 배치되는, 기판 이송 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 엘리베이터는 내부 벽을 갖는 복귀(return) 챔버에 동작가능하게 커플링되고, 상기 복귀 챔버의 내부 벽 상에 평면형 모터가 배치되는, 기판 이송 시스템.
  6. 기판을 프로세싱하기 위한 시스템으로서,
    제 1 레벨에 포지셔닝되고 일 쌍의 엘리베이터들 사이에서 연장되는 프로세스 챔버;
    상기 제 1 레벨과 상이한 제 2 레벨에서 상기 일 쌍의 엘리베이터들에 커플링되는 복귀 챔버; 및
    상기 프로세스 챔버, 상기 엘리베이터들, 및 상기 복귀 챔버 각각의 내부 벽에 자기적으로 커플링되도록 구성되고 그리고 상기 프로세스 챔버 안팎으로 이동하도록 적응되는 복수의 기판 캐리어들을 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 복수의 프로세스 챔버들을 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버들 각각은, 기판 캐리어를 상기 프로세스 챔버들 사이에서 이동시키기 위한 이송 포트들에 의해 선택적으로 분리되는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 프로세스 영역을 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 프로세스 영역은 하나 또는 그 초과의 가스 커튼(curtain)들에 의해 분리되는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버, 상기 엘리베이터들, 및 상기 복귀 챔버 각각의 내부 벽은 평면형 모터를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 캐리어들 각각은,
    베이스; 및
    캔틸레버식 방식으로 상기 베이스로부터 연장되는 지지 부재에 커플링되는 기판 지지 표면
    을 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 베이스는 하나 또는 그 초과의 자석들을 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  14. 기판을 프로세싱하기 위한 시스템으로서,
    제 1 방향으로 연장되는 복수의 엘리베이터들;
    상기 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 연장되는 제 1 프로세싱 랙(rack); 및
    상기 제 2 방향으로 연장되고 상기 제 1 프로세싱 랙에 실질적으로 평행한 제 2 프로세싱 랙을 포함하며,
    상기 제 1 프로세싱 랙과 상기 제 2 프로세싱 랙 사이에 서비스 공간이 제공되고,
    상기 제 1 프로세싱 랙 및 상기 제 2 프로세싱 랙 각각은,
    상기 복수의 엘리베이터들에 동작가능하게 커플링되는 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들, 및
    상기 복수의 엘리베이터들에 동작가능하게 커플링되는 복귀 챔버
    를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버들, 상기 엘리베이터들, 및 상기 복귀 챔버 각각의 내부 벽에 자기적으로 커플링되도록 구성되고 그리고 상기 프로세스 챔버들 안팎으로 이동하도록 적응되는 복수의 기판 캐리어들을 더 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
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