KR20180025184A - 현수형 인젝터의 지지 구조 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 - Google Patents

현수형 인젝터의 지지 구조 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20180025184A
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Abstract

본 발명은, 현수형 인젝터의 낙하를 방지할 수 있는 현수형 인젝터의 지지 구조 및 이것을 사용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 연직 방향으로 연장되는 관상의 연직부를 갖는 현수형 인젝터와, 해당 연직부의 상단 부근의 외주면을 모따기해서 형성된 1개 이상의 모따기부와, 해당 모따기부와 걸리어 결합하는 평탄면을 각각 내주면에 갖고, 상기 현수형 인젝터의 상기 연직부를 양측으로부터 끼워 넣어 걸리어 결합하여 유지 가능한 한 쌍의 유지 부재와, 해당 한 쌍의 유지 부재를 고정 지지하여, 상기 현수형 인젝터를 현수 지지 가능한 지지 구조부를 갖는다.

Description

현수형 인젝터의 지지 구조 및 이것을 사용한 기판 처리 장치{SUPPORT STRUCTURE FOR SUSPENDED INJECTOR AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING SAME}
본 발명은 현수형 인젝터의 지지 구조 및 이것을 사용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 인젝터의 선단을 삽입 가능한 금속 포트와, 소정의 테이퍼면을 갖고, 인젝터에 외삽된 테이퍼 링과, 인젝터에 외삽됨과 함께, 테이퍼 링의 소정의 테이퍼면과 걸리어 결합하는 테이퍼 개구부를 갖고, 테이퍼 링의 테이퍼면에 피복된 상태에서 금속 포트와 걸리어 고정되는 너트를 갖고, 인젝터를 확실하게 고정 유지하여, 시일성을 높일 수 있도록 한 인젝터 유지 구조가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2015-151574호 공보
그러나, 상술한 특허문헌 1에 기재된 인젝터의 유지 구조는, 금속 포트가 수평으로 설치되어 있어, 수평으로 인젝터를 삽입한 구성을 갖는다.
인젝터의 지지 구조는, 인젝터를 사용해서 행하는 기판 처리의 프로세스 내용, 기판 처리 장치의 구조에 의해 다양하게 변화하여, 예를 들어 인젝터를 처리실의 상면으로부터 현수하도록 도입하고자 하는 경우에는, 특허문헌 1에 기재된 구성은 반드시 바람직한 구성이라고는 할 수 없다. 인젝터를 처리실의 상면으로부터 현수하도록 도입하는 경우에는, 인젝터가 낙하하지 않는 지지 구조를 갖는 것이 중요하다.
그래서, 본 발명은, 현수형 인젝터의 낙하를 방지할 수 있는 현수형 인젝터의 지지 구조 및 이것을 사용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 관한 현수형 인젝터의 지지 구조는, 연직 방향으로 연장되는 관상의 연직부를 갖는 현수형 인젝터와,
상기 연직부의 상단 부근의 외주면을 모따기해서 형성된 1개 이상의 모따기부와,
상기 모따기부와 걸리어 결합하는 평탄면을 각각 내주면에 갖고, 상기 현수형 인젝터의 상기 연직부를 양측으로부터 끼워 넣어 걸리어 결합하여 유지 가능한 한 쌍의 유지 부재와,
상기 한 쌍의 유지 부재를 고정 지지하여, 상기 현수형 인젝터를 현수 지지 가능한 지지 구조부를 갖는다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 기판 처리 장치는, 처리실과,
상기 처리실의 상면에 설치된 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 현수형 인젝터의 지지 구조를 갖고,
상기 현수형 인젝터의 지지 구조의 상기 현수형 인젝터가 상기 상면으로부터 상기 처리실 내에 도입된다.
본 발명에 따르면, 현수형 인젝터의 낙하를 방지할 수 있고, 현수형 인젝터를 확실하게 고정 지지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조 및 이것을 사용한 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 일례를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조의 일례를 나타낸 분해사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조의 일례를 나타낸 측단면도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조(150) 및 이것을 사용한 기판 처리 장치(200)의 일례를 나타낸 도이다.
도 1에서, 기판 처리 장치(200)는, 처리실(10)과, 기판 지지구(20)와, 현수형 인젝터(30)와, 현수형 인젝터 지지 구조(150)와, 가스 도입 배관(81)과, 가스 공급원(140)을 포함한다. 또한, 기판 지지구(20)의 표면 상에는, 처리 대상인 웨이퍼(W)가 적재되어 있다.
처리실(10)은, 내부에서 소정의 기판 처리를 행하기 위한 처리 용기이며, 웨이퍼(W) 등의 기판을 내부에 수용하여, 기판에 소정의 처리를 실시한다.
기판 지지구(20)는, 처리실(10) 내에 설치된 웨이퍼(W)를 적재하기 위한 적재대이다. 웨이퍼(W)를 기판 지지구(20) 상에 적재한 상태에서, 웨이퍼(W)에 소정의 기판 처리를 행한다. 기판 지지구(20)는, 필요에 따라, 회전 기능을 구비하고 있어도 된다. 또한, 도 1에서는, 기판 지지구(20) 상에 1매의 웨이퍼(W)가 적재되어 있는 매엽식인데, 예를 들어 기판 지지구(20)의 둘레 방향을 따라 복수매의 웨이퍼(W)가 적재되는 구성이어도 된다.
현수형 인젝터(30)는, 상방으로부터 현수할 수 있도록 해서 설치되는 인젝터이다. 일반적으로, 인젝터는, 처리실(10)의 외측의 측면으로부터 처리실(10)의 내부에 도입하는 형식이 많지만, 본 실시 형태에서는, 현수형 인젝터(30)를 사용한다. 현수형 인젝터(30)의 경우, 처리실(10)의 상면으로부터 현수형 인젝터(30)의 연직부(31)가 현수되어 유지된다. 현수형 인젝터(30)는, 다양한 형상으로 구성되어도 되지만, 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에 평행하게 연장되는 수평부(32)가 설치되고, 수평부(32)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 균일하게 처리 가스가 공급되는 구성으로 해도 된다. 또한, 도 1에는 도시되지 않았지만, 수평부(32)의 저면에 소정 간격을 갖고 복수의 처리 가스 등의 유체를 토출하는 토출 구멍이 형성되어, 웨이퍼(W)의 표면에 처리 가스 등의 공급이 가능하게 구성되어 있어도 된다.
현수형 인젝터 지지 구조(150)는, 현수형 인젝터(30)를 현수 지지하기 위한 지지 구조이다. 현수형 인젝터 지지 구조(150)는, 현수형 인젝터(30)가 낙하하는 것을 방지하는 구조를 갖는데, 그 상세에 대해서는 후술한다.
가스 도입 배관(81)은, 가스 공급원(140)으로부터 공급되는 처리 가스를 현수형 인젝터(30)에 공급하기 위한 도입 배관이다. 가스 공급원(140)은, 처리 가스의 공급원이며, 가스 도입 배관(81)은, 가스 공급원(140)과 현수형 인젝터(30)를 접속하여, 가스 공급원(140)에 축적된 처리 가스를 현수형 인젝터(30)에 공급한다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 일례를 나타낸 도이다. 현수형 인젝터(30)는, T자의 형상에 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에서는, T자 형상의 현수형 인젝터(30)를 예로 들어 설명한다.
도 2의 (a)는 본 실시 형태에 따른 현수형 인젝터(30)의 정면도이며, 도 2의 (b)는 본 실시 형태에 따른 현수형 인젝터(30)의 측면도이다. 또한, 도 2의 (c)는 본 실시 형태에 따른 현수형 인젝터(30)의 우측에서 본 사시도이며, 도 2의 (d)는 본 실시 형태에 따른 현수형 인젝터(30)의 좌측에서 본 사시도이다. 또한, 도 2의 (e)는 도 2의 (a)의 A-A 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (d)에 도시된 바와 같이, 현수형 인젝터(30)는, 연직부(31)와 수평부(32)를 갖는다. 연직부(31)는 연직으로 연장되는 부분이며, 수평부(32)는 수평으로 연장되는 부분이다. 도 1에서 설명한 바와 같이, 연직부(31)가 처리 가스의 도입측이 되고, 수평부(32)가 처리 가스의 공급부가 된다.
연직부(31)의 상단부(33)의 상단보다 약간 아래의 부분에는, 모따기부(34)가 형성되고, 그 바로 아래에는 오목부(35)가 형성된다. 모따기부(34)는, 연직부(31)의 외주면의 일부를 모따기해서 평탄면으로 한 부분이다. 모따기부(34)는, 도 2의 (a), (c), (d), (e)에 도시된 바와 같이, 연직부(31)의 외주면의 반대면끼리 쌍을 이루어 형성된다. 모따기부(34)는, 수평부(32)의 위치 정렬에도 사용되고, 도 2에서는, 수평부(32)의 연장 방향과, 한 쌍의 모따기부(34)가 형성되어 있는 방향이 일치하고 있는 예가 예시되어 있다. 모따기부(34)는, 고정 지지 구조의 일부를 이루는데, 그 상세는 후술한다.
또한, 이 모따기부(34)는, 가공의 용이성을 고려해서 한 쌍으로 하고 있지만, 기능으로서는 1군데 형성하는 것만으로도 충분하며, 그 경우의 도 2의 (e)는 대략 D 형상으로 된다.
오목면(35)은, 연직부(31)의 상단부(33)의 둘레면을 둘레 방향을 따라 일정 깊이로 띠 형상으로 깍아낸 영역이다. 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 모따기부(34)와 오목면(35)의 오목부의 깊이는 동일한 깊이로 설정되어 있다. 모따기부(34)와 오목면(35)의 면이 동일면이 되도록 하는 것은 필수적이지 않고, 용도에 따라서 자유롭게 설정할 수 있지만, 동일면으로 하는 것이, 고정 지지 구조의 구성은 용이해진다. 이 점에 대해서도 후술한다.
도 2의 (c) 내지 (e)에 도시된 바와 같이, 연직부(31)의 상단(36)에는, 개구가 형성되어 있다. 현수형 인젝터(30)는, 관상의 형상을 가지므로, 상단은, 당연히 개구가 형성되어 있다. 또한, 상단(36)의 바로 아래는, 테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 테이퍼 형상으로 형성되어 있는 것이, 삽입 등의 작업을 행하기 쉽기 때문에, 그러한 형상으로 구성되고 있지만, 이 점은 필수적이지 않고, 용도에 따라서 다양한 형상으로 할 수 있다.
현수형 인젝터(30)는, 재질은 상관없지만, 예를 들어 석영으로 구성되어도 된다. 석영은, 보온성이 높고, 처리 가스를 고온으로 유지한 상태에서 공급할 수 있다. 따라서, 현수형 인젝터(30)는, 석영으로 구성되어도 된다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 4는, 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조의 일례를 나타낸 사시도이다. 또한, 도 3은, 도 4의 A-A 단면으로 절단한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 현수형 인젝터(30)의 지지 구조(150)는, 현수형 인젝터(30)의 연직부(31)와, 스페이서(40)와, 슬리브(50)와, O-링(60 내지 62)과, 인젝터 포트(70)와, 가압 부재(80)와, 너트(90)와, 동시 회전 방지 링(100)과, 나사(120)를 갖는다.
현수형 인젝터(30)의 상단부(33)의 모따기부(34)의 주위에는, 스페이서(40)가 설치된다. 스페이서(40)는, 모따기부(34)와 걸리어 결합하여, 현수형 인젝터(30)를 유지하는 유지 부재로서 기능한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 스페이서(40)는, 내주면에 모따기부(34)와 걸리어 결합하는 평탄면(41)이 각각에 형성된 한 쌍의 유지 부재로서 구성된다. 대략 C 형상 또는 대략 U 형상의 2개의 스페이서(40)가, 한 쌍의 모따기부(34)를 양측으로부터 끼워 넣어, 모따기부(34)와 평탄면(41)이 걸리어 결합하여, 현수형 인젝터(30)의 연직부(31)를 유지한다. 따라서, 스페이서(40)의 내주면은, 모따기부(34) 및 그 주위의 외주면을 따른 형상을 갖는다. 모따기부(34)와 평탄면(41)이 걸리어 결합하기 때문에, 스페이서(40)는, 현수측 인젝터(30)의 방향을 고정할 수 있다. 이와 같이, 스페이서(40)는, 현수형 인젝터(30)의 위치 결정을 행하면서 연직부(31)를 유지한다.
모따기부(34)와, 모따기부(34)가 아닌 외주면은, 단차를 발생하고 있으므로, 스페이서(40)로 모따기부(34)와 걸리어 결합해서 끼워 넣음으로써, 도 3에 도시된 바와 같이, 단차의 개소에서 현수측 인젝터(30)가 낙하하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 즉, 현수측 인젝터(30)의 연직부(31)의 상단(36) 부근의 목처럼 되어 있는 개소가 스페이서(40)의 상면에 걸려, 현수측 인젝터(30)의 낙하를 방지하여, 현수측 인젝터(30)를 확실하게 현수 지지할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 모따기부(34)는, 반드시 반대면끼리 한 쌍으로 형성될 필요는 없으며, 1개이어도, 단차에 의해 인젝터(30)의 낙하를 방지하는 기능을 행할 수 있다. 따라서, 모따기부(34)는, 1개 이상 형성하도록 하면 되고, 용도에 따라, 다양한 개수의 모따기부(34)를 다양한 위치에 형성할 수 있다.
스페이서(40)는, 부드러워, 현수형 인젝터(30)를 상하지 않게 하는 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 예를 들어 수지로 구성되어도 된다. 스페이서(40)는, 현수형 인젝터(30)와 직접 접촉하기 때문에, 부드러운 재료인 것이 바람직하다. 특히, 현수형 인젝터(30)가 석영으로 구성되어 있는 경우에는, 스페이서(40)는 수지 등의 부드러운 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 수지 중에서도, 예를 들어 불화 탄소 수지 등을 적합하게 사용할 수 있다.
슬리브(50)는, 스페이서(40)의 저면을 지지하는 부재이다. 따라서, 슬리브(50)는, 스페이서(40)의 하방에 설치됨과 함께, 스페이서(40)의 저면과 접촉해서 스페이서(40)를 지지하도록 설치된다. 슬리브(50)는, 예를 들어 알루미늄 등의 금속으로 구성되어도 된다.
O-링(60)은, 슬리브(50)를 개재해서 스페이서(40)를 탄성적으로 지지하기 위한 부재이다. O-링(60)은, 인젝터 포트(70)의 오목부(73)의 저면 상에 설치되고, 오목부(73)의 저면과, 현수형 인젝터(30)의 오목면(35)과, 슬리브(50)의 저면의 3군데와 접촉한다. 따라서, 이들 전체를 하방으로부터 탄성적으로 지지할 수 있다.
인젝터 포트(70)는, 현수형 인젝터(30)를 처리실(10) 내에 도입하기 위한 포트이며, 현수형 인젝터(30)의 지지 구조(150)에서는, 기초부, 토대, 베이스로서의 기능을 갖는다. 인젝터 포트(70)는, 측면부(71)와, 기저부(72)와, 오목부(73)와, 나사 결합부(74)를 갖는다. 측면부(71)는, 현수형 인젝터(30)의 지지 구조(150)의 지지 구조부(110)의 일부를 이루고, 오목부(73) 내에, 스페이서(40), 슬리브(50) 및 O-링(60)을 수용한다. 즉, 이들 부품으로 이루어지는 지지 구조부(110)를 하방으로부터 지지한다. 측면부(71)의 상면은, 스페이서(40)의 상면과 동일면을 이룬다. 가압 부재(80)에 의해, 상방으로부터, 측면부(71)의 상면과, 스페이서(40)의 상면이 동일면으로 될 때까지 가압되어, 이러한 구성으로 된다. 또한, 측면부(71)의 상방 단부에는, O-링(61)이 설치되어, 대기가 처리실(10) 내에 들어가지 않도록 시일하고 있다.
또한, 인젝터 포트(70)는, 측면부(71)의 하방에 나사 결합부(74)를 갖는다. 나사 결합부(74)는, 나사산이 형성된 개소이며, 너트(90)와의 나사 결합에 의해, 가압 부재(80)에 상방으로부터의 가압력을 부여한다. 즉, 너트(90)를 회전시킴으로써, 인젝터 포트(70)의 나사 결합부(74)와 너트(90)가 나사 결합해서 너트(90)가 하방으로 내려가, 너트(90)로부터 가압 부재(80)에 가압력이 부여된다.
인젝터 포트(70)의 기저부(72)는, 처리실(10)의 상면에 설치되는 부분이며, 저면에 O-링(62)이 설치되어 있다. O-링(62)은, 인젝터 포트(70)의 저면과 처리실(10)의 상면의 사이로부터 대기가 처리실(10) 내에 들어가지 않도록 시일하기 위해서 설치되어 있다.
가압 부재(80)는, 상술한 바와 같이, 스페이서(40) 및 인젝터 포트(70)를 가압하기 위한 부재이다. 가압 부재(80)는, 가스 도입 배관(81)의 하단부이며, 가스 도입 배관(81)을 현수측 인젝터(30)의 상단(36)에 연결함과 함께, 스페이서(40)를 통해서 현수측 인젝터(30)의 연직부(31)를 유지하기 위해, 저면에서 스페이서(40) 및 인젝터 포트(70)의 상면을 가압한다. 또한, 가스 도입 배관(81)의 내부에는, 유로(82)가 형성되어 있다.
너트(90)는, 상술한 바와 같이, 인젝터 포트(70)의 측면의 하단부의 나사 결합부(74)와 나사 결합하여, 하방으로 내려감으로써, 내부에서 걸리어 결합하는 가압 부재의 상면을 가압하여, 스페이서(40) 등에 가압력을 부여하는 역할을 한다.
동시 회전 방지 링(100)은, 너트(90)와, 가스 도입 배관(81) 및 가압 부재(80)와의 사이에서, 동시 회전을 방지하는 기능을 행한다.
또한, 너트(90), 가압 부재(80), 인젝터 포트(70)는, 상하로부터 스페이서(40)를 끼워 넣도록 해서 고정 지지하고 있으므로, 지지 구조부(110)라 칭해도 된다. 이들은, 전체적으로 협동해서 스페이서(40)를 상하로부터 가압하고, 그것에 의해 현수형 인젝터(30)를 지지하고 있다.
나사(120)는, 인젝터 포트(70)의 기저부(72)를 처리실(10)의 상면 등에 고정하기 위한 고정 수단이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 현수형 인젝터(30)를 지지할 때는, 현수형 인젝터(30)를 일단 상방으로 끌어올려, 스페이서(40)로 모따기부(34)를 양측으로부터 끼워 넣어 걸리어 결합하여 지지하고, 오목부(73)에 수용하여, 너트(90)를 위에서 씌워서 나사 결합해서 가압하여, 현수형 인젝터(30)를 현수 지지한다. 이에 의해, 현수형 인젝터(30)의 낙하를 방지하여, 확실하게 현수 지지할 수 있다.
또한, 도 4에서, 인젝터 포트(70)의 기저부(72)를 고정하는 나사(120)가 도시되어 있다. 이와 같이, 인젝터 포트(70)를 처리실(10)의 상면에 복수의 나사(도 4에서는 3개)로 고정하는 구성으로 해도 된다.
또한, 인젝터 포트(70)는, 인젝터를 설치하는 처리실(10)과 일체로 구성되어도 되고, 그 경우에는, 나사(120)와 O-링(62)이 생략된다.
도 5는, 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조의 일례를 나타낸 도 3을 수직인 단면으로 자른 단면도이다. 도 5에서, 구성 요소는, 도 3, 도 4에서 설명한 것과 마찬가지이므로, 동일한 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙여서 그 설명을 생략한다.
또한, 도 5에서는, 모따기부(34)가, 오목면(35)과 상이한 깊이로 단차를 이루는 부분이 도시되어 있다. 도 3과 비교하면, 오목면(35)이 전체 둘레에서 동일한 깊이로 되어 있는 것에 반해, 모따기부(34)는, 모따기를 한 개소만이 깊어져서, 모따기부(34)의 상부에서 목과 같은 걸림 구조를 형성하고 있지만(도 3), 모따기를 하지 않은 영역은 융기하고 있어, 걸림 구조는 형성되어 있지 않은 것을 알 수 있다(도 5).
이와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 현수형 인젝터의 지지 구조 및 기판 처리 장치에 의하면, 최소한의 모따기 가공으로, 현수형 인젝터(30)의 낙하를 확실하게 방지해서 지지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 현수형 인젝터(30)는, 수평부(32)를 갖는 구성으로 했지만, 연직부(31)만의 구성으로 해도 되고, L자의 수평부(32)를 갖는 구성으로 해도 된다. 지지용 연직부(31)를 갖는 한, 하방의 구성은 용도에 따라서 다양한 구성으로 할 수 있다. 예를 들어, 종형 열처리 장치에 본 발명을 적용하는 경우에는, 연직부(31)만의 현수형 인젝터(30)를 현수 지지하는 구성으로 해도 된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상술한 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
10 : 처리실 20 : 기판 지지구
30 : 현수형 인젝터 31 : 연직부
32 : 수평부 33 : 선단부
34 : 모따기부 35 : 오목면
35 : 상단 40 : 스페이서
50 : 슬리브 60 내지 62 : O-링
70 : 인젝터 포트 80 : 가압 부재
81 : 가스 도입 배관 90 : 너트
110 : 지지 구조부 150 : 현수형 인젝터의 지지 구조
200 : 기판 처리 장치

Claims (16)

  1. 연직 방향으로 연장되는 관상의 연직부를 갖는 현수형 인젝터와,
    상기 연직부의 상단 부근의 외주면을 모따기해서 형성된 1개 이상의 모따기부와,
    상기 모따기부와 걸리어 결합하는 평탄면을 각각 내주면에 갖고, 상기 현수형 인젝터의 상기 연직부를 양측으로부터 끼워 넣어 걸리어 결합하여 유지 가능한 한 쌍의 유지 부재와,
    상기 한 쌍의 유지 부재를 고정 지지하여, 상기 현수형 인젝터를 현수 지지 가능한 지지 구조부를 포함하는 현수형 인젝터의 지지 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 현수형 인젝터는 석영으로 이루어지고,
    상기 유지 부재는, 수지로 이루어지는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 수지는, 불화 탄소 수지인, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지 구조부는, 상기 한 쌍의 유지 부재를 상하로부터 끼워 넣어 지지하는 구조를 갖는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 지지 구조부는, 상기 유지 부재의 상면을 가압하는 가압 부재와,
    상기 유지 부재의 저면을, 슬리브를 통해서 탄성 지지하는 탄성 부재를 포함하는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 지지 구조부는, 상기 현수형 인젝터의 상기 연직부를 관통시키는 관통 구멍과,
    상기 관통 구멍의 상단부에, 상기 탄성 부재, 상기 슬리브 및 상기 유지 부재를 수용 가능한 오목부를 포함하는 기초부를 포함하는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가압 부재는, 상기 유지 부재의 상면과 함께 상기 기초부의 상면도 가압하는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 현수형 인젝터의 상기 연직부는, 상기 모따기부와 동일한 면까지 전체 둘레가 깍여진 띠 형상의 오목면을 상기 모따기부의 바로 아래에 갖고,
    상기 탄성 부재는 O-링이며, 상기 오목부의 저면과, 상기 오목면과, 상기 슬리브의 저면에 접촉해서 설치된, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가압 부재는, 유체의 도입 배관의 하단부이며, 상기 유지 부재로 유지된 상기 현수형 인젝터의 상단을 덮음과 함께, 상기 현수형 인젝터와 연통하는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 가압 부재의 상면 및 측면과, 상기 기초부의 측면의 적어도 상부를 덮음과 함께, 상기 도입 배관을 관통시키는 너트 부재를 더 포함하며,
    상기 너트 부재는, 상기 기초부의 측면과 나사 결합함으로써 상기 가압 부재를 가압하는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 가압 부재와 상기 기초부와의 사이에는, 시일 부재가 설치된, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기초부의 저면에는 시일 부재가 설치되고, 상기 기초부가 처리실의 상면에 기밀성을 갖고 설치 가능하게 구성되어 있는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 현수형 인젝터는, 상기 연직부 아래에 수평으로 연장되는 부분을 갖는 T자 또는 L자의 형상을 갖고, 상기 연직부의 모따기부와 상기 유지 부재와의 걸림 결합에 의해 상기 T자 또는 상기 L자의 형상의 위치 결정이 행하여지는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  14. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 현수형 인젝터는, 모두가 상기 연직부로서 구성되어 있는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  15. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 모따기부는, 상기 현수형 인젝터의 상기 외주면의 반대면끼리 쌍을 이루어 형성되어 있는, 현수형 인젝터의 지지 구조.
  16. 처리실과,
    상기 처리실의 상면에 설치된 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 현수형 인젝터의 지지 구조를 포함하고,
    상기 현수형 인젝터의 지지 구조의 상기 현수형 인젝터가 상기 상면으로부터 상기 처리실 내에 도입된 기판 처리 장치.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980063727A (ko) * 1996-12-03 1998-10-07 조셉제이.스위니 가스 기판 지지 방법
KR20080048340A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 삼성전자주식회사 제빙장치 및 그 제어방법
JP2011241917A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Nissin Electric Co Ltd 真空シールおよび配管接続機構
JP2014082250A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Tokyo Electron Ltd ガス導入装置及び誘導結合プラズマ処理装置
JP2015151574A (ja) 2014-02-13 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 インジェクタ保持構造及びこれを用いた基板処理装置、並びにインジェクタ固定方法
JP2016138598A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 日新電機株式会社 パイプ保持接続構造およびそれを備える高周波アンテナ装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5516159A (en) * 1994-03-28 1996-05-14 Nippon Pillar Packing Co., Ltd. Quartz pipe joint
JP5058727B2 (ja) * 2007-09-06 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 天板構造及びこれを用いたプラズマ処理装置
US8033579B2 (en) * 2007-10-05 2011-10-11 Ckd Corporation Fluid device connecting structure
US8033001B2 (en) * 2007-12-31 2011-10-11 Texas Instruments Incorporated CVD showerhead alignment apparatus
US20090260571A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Novellus Systems, Inc. Showerhead for chemical vapor deposition
US20120037503A1 (en) * 2008-10-24 2012-02-16 Applied Materials, Inc. Rotatable sputter target base, rotatable sputter target, coating installation, method of producing a rotatable sputter target, target base connection means, and method of connecting a rotatable target base device for sputtering installations to a target base support
JP5563318B2 (ja) * 2009-03-02 2014-07-30 キヤノンアネルバ株式会社 基板支持装置、基板処理装置、基板支持方法、基板支持装置の制御プログラム及び記録媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980063727A (ko) * 1996-12-03 1998-10-07 조셉제이.스위니 가스 기판 지지 방법
KR20080048340A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 삼성전자주식회사 제빙장치 및 그 제어방법
JP2011241917A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Nissin Electric Co Ltd 真空シールおよび配管接続機構
JP2014082250A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Tokyo Electron Ltd ガス導入装置及び誘導結合プラズマ処理装置
JP2015151574A (ja) 2014-02-13 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 インジェクタ保持構造及びこれを用いた基板処理装置、並びにインジェクタ固定方法
JP2016138598A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 日新電機株式会社 パイプ保持接続構造およびそれを備える高周波アンテナ装置

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