KR20180021962A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 기재는 표시 장치에 관한 것으로, 본 기재의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판 상에 위치하는 배리어층, 상기 배리어층 상에 위치하는 제1 충격 완화층, 상기 제1 충격 완화층 상에 위치하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 충격 완화층은 공극을 갖는 나노 구조를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 기재는 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등의 표시 장치는 기판 위에 여러 층과 소자들을 형성하여 제조된다. 표시 장치의 기판으로서 유리(glass)가 사용되고 있다. 하지만, 유리 기판은 무겁고 파손되기 쉬운 단점이 있다. 또한, 유리 기판은 경성(rigid)이기 때문에 표시 장치를 변형시키기가 어렵다.
따라서, 최근에는 가볍고 충격에 강하며 변형이 쉬운 플렉서블(flexible) 기판을 사용하는 플렉서블 표시 장치가 개발되고 있다.
플렉서블 표시 장치는 그 용도나 형태에 따라, 예를 들면, 벤더블(bendable) 표시 장치, 폴더블(foldable) 표시 장치, 롤러블(rollable) 표시 장치, 스트레처블(stretchable) 표시 장치 등으로 구분될 수 있다.
이러한 플렉서블 표시 장치들에 적용하기 위해서 표시 패널은 유연성을 가져야 하고 이를 위하여 표시 패널의 두께가 점점 얇아지는 추세이다. 따라서, 플렉서블 표시 장치에 적용되는 표시 패널들은 일반적으로 외부 충격에 쉽게 손상될 수 있다.
실시예들은 외부 충격에 강하면서도 유연성이 우수한 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 기재의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판 상에 위치하는 배리어층, 상기 배리어층 상에 위치하는 제1 충격 완화층, 상기 제1 충격 완화층 상에 위치하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 충격 완화층은 공극을 갖는 나노 구조를 포함할 수 있다.
상기 제1 충격 완화층은 카본계 물질 또는 옥사이드계 물질로 구성될 수 있다.
상기 제1 충격 완화층의 공극률은 2% 내지 45%일 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 충격 완화층과 상기 트랜지스터 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 트랜지스터는, 반도체층, 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 전극, 그리고 상기 반도체층과 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은, 상기 반도체층과 중첩하는 상기 제1 충격 완화층의 일부 영역을 덮도록 패턴화된 것일 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 반도체층 및 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 반도체층 및 상기 버퍼층을 덮는 것일 수 있다.
상기 제1 절연층은 질화물 또는 산화물을 포함하는 무기 재료로 구성될 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 게이트 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 제2 절연층을 더 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 제1 절연층 및 상기 게이트 전극을 덮는 것일 수 있다.
상기 제2 절연층은 질화물 또는 산화물을 포함하는 무기 재료로 구성될 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제2 절연층, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 제3 절연층을 더 포함하고, 상기 제3 절연층은 상기 제2 절연층 및 상기 제1 충격 완화층을 덮는 것일 수 있다.
상기 제3 절연층은 페닐렌, 또는 실록산 또는 폴리이미드을를 포함하는 유기 재료로 구성될 수 있다.
상기 기판 및 상기 배리어층 사이에 위치하는 제2 충격 완화층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 충격 완화층은 제1 충격 완화층과 동일한 재료로 구성될 수 있다.
상기 제2 충격 완화층은 유기 재료를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 재료는 폴리이미드, 폴리우레탄 계열의 엘라스토머, 폴리페닐렌 계열, 실록산 또는 실록산 하이브리드를 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 기판에 가해지는 응력을 최소화시킬 수 있기 때문에 유연성을 유지하면서도, 외부 충격이나 반복적인 벤딩에도 표시 패널이 손상되는 것을 방지함으로써 강도가 개선된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 벤딩 상태를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하 본 기재의 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치가 벤딩된 것을 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 3에는 편의상 구동 트랜지스터를 포함하는 표시 장치의 단면 구조를 나타내었으나, 본 기재의 표시 장치 구조에는 스위칭 트랜지스터, 신호선 등이 포함될 수 있다.
먼저, 도 1을 참고하면, 본 기재의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 기판(110), 제1 충격 완화층(130), 구동부(300), 표시부(400) 및 밀봉부(500)를 포함한다.
기판(110)은 유연성을 갖는 것으로 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 다만, 본 기재에서 기판(110)은 플렉서블(flexible) 기판에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 스트렛쳐블(stretchable)하거나, 폴더블(foldable)하거나, 벤더블(bendable)하거나, 롤러블(rollable)할 수 있다. 기판(110)이 플렉서블(flexible)하거나, 스트렛쳐블(stretchable)하거나, 폴더블(foldable)하거나, 벤더블(bendable)하거나, 롤러블(rollable)함으로써, 표시 장치(1000) 전체가 플렉서블(flexible)하거나, 스트렛쳐블(stretchable)하거나, 폴더블(foldable)하거나, 벤더블(bendable)하거나, 롤러블(rollable)할 수 있다.
도 2를 참고하면, 기판(110)은 일 방향으로 벤딩되는 벤딩 영역(BA) 및 벤딩 영역(BA)과 이웃하는 비벤딩 영역(NBA)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 기판(110)의 중앙에 위치할 수 있으며, 비벤딩 영역(NBA)은 기판(110)의 외곽에 위치할 수 있다. 하지만, 벤딩 영역(BA)의 기판(110)에서의 위치는 중앙에 한정되지 않고 중앙이 아닌 다른 위치가 될 수도 있다. 기판(110)의 벤딩 영역(BA)은 비벤딩 영역(NBA)과 이웃하고 있다.
도 2에는 기판(110)의 벤딩 영역(BA)이 좌측 방향으로 만곡부가 형성되도록 벤딩된 상태를 나타내었으나, 기판(110)의 벤딩 영역(BA)이 우측 방향으로 만곡부가 형성되도록 벤딩될 수도 있음은 물론이다.
여기서, 벤딩 영역(BA)의 곡률 반경은 2R 이하, 보다 구체적으로는 1R 이하일 수 있다. 즉, 본 기재의 표시 장치(1000)는 벤딩 영역(BA)이 2R 이하의 곡률 반경을 갖도록 구부릴 수 있는 유연성을 가지면서도 외부 충격이나 반복적인 벤딩에도 표시 장치(1000)가 손상되는 것을 방지할 수 있으므로 우수한 내 충격성을 갖는다.
기판(110)의 벤딩 영역(BA) 상에 위치하는 제1 충격 완화층(130), 구동부(300), 표시부(400), 밀봉부(500) 각각은 기판(110)의 벤딩에 대응하여 일 방향으로 벤딩될 수 있다.
한편, 본 기재의 일 실시예에서 기판(110)은 벤딩 영역(BA) 및 비벤딩 영역(NBA)을 포함하나, 이에 한정되지 않으며, 예를 들면, 기판(110) 전체가 벤딩 영역(BA)으로 형성될 수도 있다.
또한, 도 2에는 편의상, 벤딩 영역(BA)이 기판(110)의 중앙에 위치하는 경우를 나타내었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 벤딩 영역(BA)이 기판(110)의 외곽에 위치할 수도 있다.
기판(110)은 일 방향으로 벤딩(bending)될 수 있다. 여기서, 일 방향이란 기판(110)의 판면 상에서 어떠한 방향도 될 수 있으며, 특정한 방향으로 한정되지 않는다. 일례로, 기판(110)은 평면적으로 직사각형 형태를 가질 수 있으며, 이 경우, 직사각형의 기판(110)이 벤딩되는 일 방향은 기판(110)의 장변 또는 단변과 나란한 방향일 수 있다. 즉, 기판(110)은 평면적으로 단변 방향 또는 장변 방향으로 벤딩될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 3을 참고하면, 본 기재의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판(110), 배리어층(120), 제1 충격 완화층(130), 트랜지스터(Qd)를 포함하는 구동부(300) 및 표시 소자(LD)를 포함하는 표시부(400)가 순서대로 적층된 구조일 수 있고, 표시 소자(LD) 상에는 밀봉부(500)가 위치할 수 있다.
기판(110)은 폴리이미드 등의 폴리머 재료, 금속 재료 및 무기 재료 중 하나 이상의 재료로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 휘어질 수 있다면 어떠한 재료로도 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 필름(film)의 형태를 가질 수 있다.
배리어층(120)은 기판(110)을 통해 수분과 산소가 구동부(300)나 표시부(400) 내부로 침투하는 것을 차단하기 위한 것이다. 배리어층(120)은, 예를 들면, 산화 규소와 질화 규소 등의 무기 재료 또는 폴리이미드 등의 유기 재료로 형성될 수 있다. 배리어층(120)은 단층 구조일 수도 있고, 무기 재료로 이루어진 층 및 유기 재료로 이루어진 층이 교대로 적층된 다층 구조일 수도 있다.
제1 충격 완화층(130)은 공극(10)을 갖는 나노 구조(20)를 포함할 수 있다.
제1 충격 완화층(130)에 포함되는 나노 구조(20)는, 마디(node) 또는 분지 마디(branching node) 형태를 가지며 가장 긴 마디의 길이가 수십 내지 수백 나노미터 크기인 입자를 의미한다.
즉, 제1 충격 완화층(130)은 상기와 같은 형태의 나노 구조(20)로 인해 자연스럽게 형성되는 복수의 공극(10)을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 충격 완화층(130)은 일정 범위의 공극률을 갖는다.
본 기재에서 제1 충격 완화층(130)의 공극률은 2% 내지 45%일 수 있고, 보다 구체적으로 5% 내지 40% 또는 10% 내지 40% 정도일 수 있다. 제1 충격 완화층(130)의 공극률이 상기 범위를 갖는 경우 표시 장치의 유연성을 감소시키지 않으면서 반복적인 벤딩에도 표시 장치(1000)가 손상되지 않는 우수한 내 충격성을 확보할 수 있다.
이와 같이 제1 충격 완화층(130)이 공극(10)을 갖는 나노 구조(20)를 포함하기 때문에 표시 장치(1000)에 반복적인 벤딩이나 외부 충격이 가해져도 무기 재료 및/또는 유기 재료로 구성된 층들에 크랙이 발생되거나 구동부(300)로 충격이 전달되는 것을 방지할 수 있다.
본 기재에서 공극(10)을 갖는 나노 구조(20)를 포함하는 제1 충격 완화층(130)은, 예를 들면, 카본계 물질 또는 옥사이드계 물질로 구성될 수 있다.
카본계 물질은, 예를 들면, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube), 그라파이트(graphite) 및 그래핀(graphene) 중 적어도 하나일 수 있다.
또한, 옥사이드계 물질은, 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZITO(Zinc Indium Tin Oxide), GITO(Gallium Indium Tin Oxide), In2O3(Indium Oxide), ZnO(Zinc Oxide), GIZO(Gallium Indium Zinc Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), FTO(Fluorine Tin Oxide), 및 AZO(Aluminum-Doped Zinc Oxide) 중 적어도 하나일 수 있다.
제1 충격 완화층(130) 위에는 버퍼층(140)이 위치한다. 버퍼층(140)은 구동부(300)를 형성하기 위한 평탄면을 제공하며, 제조 공정 중에 구동부(300)로 불순물이 침투되는 것을 방지하고 수소 등을 공급하여 소자의 특성을 우수하게 할 수 있다.
버퍼층(140)은 후술할 트랜지스터(Qd)의 반도체층(151)과 중첩하는 제1 충격 완화층(130)의 일부 영역을 덮도록 패턴화된 것일 수 있다.
버퍼층(140) 위에는 트랜지스터(Qd)가 위치한다.
트랜지스터(Qd)는 반도체층(151), 반도체층(151) 상에 위치하는 게이트 전극(124), 반도체층(151)과 전기적으로 연결된 소스 전극(175) 및 드레인 전극(173)을 포함한다.
반도체층(151)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(52), 채널 영역(52)의 양 옆으로 위치하는 소스 영역(53) 및 드레인 영역(51)을 포함하고, 소스 영역(53) 및 드레인 영역(51) 각각은 도핑될 수 있다. 여기서, 도핑되는 이온 불순물은 트랜지스터의 종류에 따라 달라질 수 있다.
버퍼층(140)과 반도체층(151) 위에는 이들을 덮는 제1 절연층(150)이 위치하고, 제1 절연층(150) 위에는 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트 배선이 위치한다. 이때, 게이트 전극(124)은 반도체층(151)의 일부, 특히 채널 영역(52)과 중첩하도록 배치된다. 제1 절연층(150)은, 예를 들면, 질화물 또는 산화물을 포함하는 무기 재료로 구성될 수 있다.
제1 절연층(150)과 게이트 전극(124) 위에는 이들을 덮는 제2 절연층(160)이 위치한다. 제2 절연층(160)은, 예를 들면, 질화물 또는 산화물을 포함하는 무기 재료로 구성될 수 있다.
따라서, 버퍼층(140), 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(160)은 모두 패턴화된 층으로, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 충격 완화층(130)을 노출하는 패턴(P)을 가질 수 있다.
보다 구체적으로, 패턴(P)은 버퍼층(140), 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(160)에 대하여, 트랜지스터(Qd)의 기능을 구현하는데 필요한 부분 이외의 부분을 식각 등으로 제거함으로써 제1 충격 완화층(130)을 노출시키는 영역이다. 이와 같이 제1 충격 완화층(130)을 노출하는 패턴(P)을 포함하도록 버퍼층(140), 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(160)을 구성하는 경우 반복적인 벤딩시 표시 장치(1000)에 가해지는 응력을 분산시켜 응력 집중을 현저하게 완화시킬 수 있기 때문에 유연성 및 내 충격성을 동시에 확보할 수 있다.
전술한 반도체층(151), 게이트 전극(124), 소스 전극(175) 및 드레인 전극(173)은 트랜지스터(Qd)를 이루며, 트랜지스터(Qd)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.
다음, 제2 절연층(160) 및 제1 충격 완화층(130)을 덮는 제3 절연층(170)이 위치한다. 즉, 제3 절연층(170)은 버퍼층(140), 제1 절연층(150) 및 제2 절연층(160)이 패턴화된 영역에서 제1 충격 완화층(130)과 직접 접촉한다.
제3 절연층(170)은, 예를 들면, 페닐렌, 실록산 또는 폴리이미드를 포함하는 유기 재료로 구성될 수 있다.
제3 절연층(170) 위에는 소스 전극(175) 및 드레인 전극(173)을 포함하는 데이터 배선이 위치한다.
제1 절연층(150), 제2 절연층(160) 및 제3 절연층(170)은 반도체층(151)의 소스 영역(53) 및 드레인 영역(51)과 중첩하는 제1 접촉 구멍(61) 및 제2 접촉 구멍(62)을 가진다.
소스 전극(175) 및 드레인 전극(173)은 각각 제1 절연층(150), 제2 절연층(160), 및 제3 절연층(170)에 형성된 제1 접촉 구멍(61) 및 제2 접촉 구멍(62)을 통해 반도체층(151)의 소스 영역(53) 및 드레인 영역(51)과 전기적으로 연결된다.
다음, 제3 절연층(170) 및 데이터 배선 위에 평탄화층(180)이 위치한다. 평탄화층(180)은 그 위에 위치하는 표시 소자(LD)의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 제거하는 역할을 한다.
평탄화층(180)은 드레인 전극(173)과 중첩하는 제3 접촉 구멍(185)을 가질 수 있다.
여기에서, 본 발명에 따른 일 실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화층(180)과 제3 절연층(170) 중 하나는 생략될 수도 있다.
다음, 평탄화층(180) 위에 표시부(400)에 포함되는 제1 전극(270)이 위치한다. 제1 전극(270)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(270)은 평탄화층(180)의 제3 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(173)과 연결된다.
평탄화층(180) 위에 제1 전극(270)과 중첩하는 개구부(340)를 가지는 화소 정의막(350)이 위치한다. 화소 정의막(350)이 가지는 개구부(340)마다 발광 소자층(360)이 위치할 수 있다. 즉, 화소 정의막(350)에 의해 각각의 발광 소자층(360)이 위치하는 화소 영역이 정의될 수 있다.
제1 전극(270) 위에 발광 소자층(360)이 위치한다. 발광 소자층(360)은 발광층, 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 발광 소자층(360) 위에는 제2 전극(191)이 위치한다. 제2 전극(191)은 공통 전극일 수 있다. 제1 전극(270), 발광 소자층(360) 및 제2 전극(191)은 표시 소자(LD)를 이룬다.
제1 전극(270) 및 제2 전극(191)은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(270) 및 제2 전극(191)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 표시 장치는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
제2 전극(191) 위에는 밀봉부(500)가 위치한다. 밀봉부(500)는 기판(110) 위에 위치하는 표시 소자(LD)와 회로부(미도시)를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다.
밀봉부(500)는, 예를 들면, 서로 하나씩 교대로 적층되는 유기층과 무기층을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 밀봉부(500)의 구조는 필요에 따라 다양하게 변형 가능하다.
도 4에는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내었다.
도 4를 참조하면, 본 기재에 따른 표시 장치는 기판(110) 및 배리어층(120) 사이에 위치하는 제2 충격 완화층(131)을 더 포함할 수 있다. 제2 충격 완화층(131)을 제외한 다른 구성은 전술한 것과 동일하므로 여기서는 생략하기로 한다.
제2 충격 완화층(131)은 전술한 제1 충격 완화층(130)과 동일한 재료로 구성될 수 있다.
다만, 제2 충격 완화층(131)은 배리어층(120)의 하부에 위치하므로 표시 장치(1000)의 내구성을 보다 향상시키기 위하여 나노 구조(20)의 공극(10)을 채울 수 있는 유기 재료를 더 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 유기 재료는, 예를 들면, 폴리이미드(Polyimide), 폴리우레탄(Polyurethane) 계열의 엘라스토머, 폴리페닐렌(Polyphenylene) 계열, 실록산(Siloxane) 또는 실록산 하이브리드(Siloxane hybrid) 등을 포함할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 한정된 실시예와 도면을 통하여 설명되었으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재된 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
110: 기판
120: 배리어층
130: 제1 충격 완화층
Qd: 트랜지스터
131: 제2 충격 완화층

Claims (16)

  1. 기판 상에 위치하는 배리어층;
    상기 배리어층 상에 위치하는 제1 충격 완화층; 및
    상기 제1 충격 완화층 상에 위치하는 트랜지스터;
    를 포함하고,
    상기 제1 충격 완화층은 공극을 갖는 나노 구조를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 충격 완화층은 카본계 물질 또는 옥사이드계 물질로 구성되는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 충격 완화층의 공극률은 2% 내지 45%인 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 충격 완화층과 상기 트랜지스터 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 트랜지스터는,
    반도체층;
    상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 전극; 그리고
    상기 반도체층과 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극
    을 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 버퍼층은, 상기 반도체층과 중첩하는 상기 제1 충격 완화층의 일부 영역을 덮도록 패턴화된 것인 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반도체층 및 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 반도체층 및 상기 버퍼층을 덮는 것인 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 절연층은 질화물 또는 산화물을 포함하는 무기 재료로 구성되는 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 게이트 전극, 그리고
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 제2 절연층을 더 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 제1 절연층 및 상기 게이트 전극을 덮는 것인 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 절연층은 질화물 또는 산화물을 포함하는 무기 재료로 구성되는 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 절연층, 그리고
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 제3 절연층을 더 포함하고, 상기 제3 절연층은 상기 제2 절연층 및 상기 제1 충격 완화층을 덮는 것인 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제3 절연층은 페닐렌, 실록산 또는 폴리이미드를 포함하는 유기 재료로 구성되는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 배리어층 사이에 위치하는 제2 충격 완화층을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 충격 완화층은 제1 충격 완화층과 동일한 재료로 구성되는 것인 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 충격 완화층은 유기 재료를 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 유기 재료는 폴리이미드, 폴리우레탄 계열의 엘라스토머, 폴리페닐렌 계열, 실록산 또는 실록산 하이브리드를 포함하는 표시 장치.
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