KR20180012528A - 자외선(uv) 노광 장치를 구비한 극자외선(euv) 노광 시스템 - Google Patents

자외선(uv) 노광 장치를 구비한 극자외선(euv) 노광 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명의 기술적 사상은 EUV 노광 성능을 향상시켜 EUV 노광 공정의 수율을 향상시키고, 또한, EUV 노광 공정의 처리량(throughput) 또는 생산성을 유지 내지 증가시킬 수 있는 EUV 노광 시스템을 제공한다. 그 EUV 노광 시스템은 내부의 척 테이블 상에 배치된 웨이퍼에 극자외선(Extreme Ultraviolet: EUV) 노광을 수행하는 EUV 노광 장치; 상기 EUV 노광 장치에 결합하여 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로 공급하고 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로부터 배출하는 로드 락(load lock) 챔버; 및 마스크 없이 UV 광을 조사하는 UV 전면(whole surface) 노광을 상기 웨이퍼에 수행하는 UV 노광 장치;를 포함한다.

Description

자외선(UV) 노광 장치를 구비한 극자외선(EUV) 노광 시스템{Extreme ultraviolet(EUV) exposure system comprising ultraviolet(UV) exposure apparatus}
본 발명의 기술적 사상은 노광 시스템에 관한 것으로, 특히 극자외선(EUV) 광을 이용하여 노광을 수행하는 EUV 노광 시스템에 관한 것이다.
기존의 노광 장치는 DUV(Deep Ultra Violet) 광을 광원으로 하는 투과형 노광계가 널리 사용되었다. 그런데 반도체 소자의 집적도가 향상되고 선폭이 미세해지면서 근래에는 광학적 리소그라피의 분해능을 향상시키기 위하여 차세대 리소그라피 기술들이 연구되고 있다. 그 중에서, DUV보다 파장이 짧은 EUV(Extreme Ultra Violet) 광을 광원으로 하는 EUV 노광 장치에 대한 개발이 활발히 진행되고 있고, 또한, 실제로 EUV 노광 장치가 반도체 제조 공정에 적용되고 있다. 한편, EUV 노광은 좁은 폭의 슬롯을 가지고 광학 시스템과 함께 스캔 기술(scan technology)을 통해 동작 될 수 있다. 그에 따라, EUV 노광 장치는 스캐너(scanner)라고 언급되기도 한다. 예컨대, 한 번에 전체 웨이퍼를 노광하는 것이 아니라, 개별 필드가 한 번에 하나씩 웨이퍼 상으로 스캐닝 된다. 이러한 스캔 동작은 웨이퍼 및 레티클을 동시에 이동시켜, 슬롯이 필드를 가로질러 이동되도록 함으로써 수행될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 EUV 노광 성능을 향상시켜 EUV 노광 공정에서의 수율을 향상시키고, 또한 EUV 노광 공정의 처리량(throughput) 또는 생산성을 유지 내지 증가시킬 수 있는 EUV 노광 시스템을 제공하는 데에 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 기술적 사상은, 척 테이블 상에 배치된 웨이퍼에 극자외선(Extreme Ultraviolet: EUV) 노광을 수행하는 EUV 노광 장치; 상기 EUV 노광 장치에 결합하여 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로 공급하고 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로부터 배출하는 로드 락(load lock) 챔버; 및 마스크 없이 UV 광을 조사하는 UV 전면(whole surface) 노광을 상기 웨이퍼에 수행하는 UV 노광 장치;를 포함하는 EUV 노광 시스템을 제공한다.
또한, 본 발명의 기술적 사상은 상기 과제를 해결하기 위하여, 척 테이블 상에 배치된 웨이퍼에 EUV 노광을 수행하는 EUV 노광 장치; 상기 EUV 노광 장치에 결합하여 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치 내부로 공급하는 제1 로드 락 챔버; 상기 EUV 노광 장치에 결합하여 상기 EUV 노광 장치 내부의 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치 외부로 배출하는 제2 로드 락 챔버; 및 상기 EUV 노광 장치 또는 상기 제2 로드 락 챔버에 배치되어 상기 웨이퍼에 UV 노광을 수행하는 UV 노광 장치;를 포함하는 EUV 노광 시스템을 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 노광 시스템은, UV 전면 노광을 수행할 수 있는 UV 노광 장치를 포함하여, EUV 노광이 수행된 웨이퍼에 대하여 UV 전면 노광을 수행함으로써, EUV 노광 성능을 크게 향상시킬 수 있다. 따라서, EUV 노광 공정에서의 수율을 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상에 의한 EUV 노광 시스템은, EUV 노광 성능의 향상에 기인하여 기존 대비 작은 도우즈(doze) 양을 가지고도 동일 수준의 패터닝 품질을 유지할 수 있도록 한다. 한편, 도우즈 양의 감소는 EUV 노광 자체의 공정 속도 향상에 기여하고, UV 전면 노광이 인-시츄로 수행되기 때문에, 본 실시예의 EUV 노광 시스템에서 전체 공정 시간은 유지 내지 감소할 수 있다. 결과적으로, 본 실시예의 EUV 노광 시스템에서, EUV 노광 공정의 처리량(throughput) 또는 생산성은 기존 대비 유지 내지 증가할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 노광 시스템을 개략적으로 보여주는 블록 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 EUV 노광 시스템을 예시적으로 보여주는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 EUV 노광 시스템에서 UV 노광 장치가 EUV 노광 장치 내에 설치된 실시예를 개략적으로 보여주는 구성도이다.
도 4는 도 3의 UV 노광 장치 부분을 좀 더 상세히 보여주는 사시도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 EUV 노광 시스템에서 UV 노광 장치가 로드 락 챔버에 설치된 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도 및 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 EUV 노광 시스템에서 UV 노광 장치가 로드 락 챔버에 설치된 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 EUV 노광 시스템을 예시적으로 보여주는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들의 EUV 노광 시스템에서 노광 성능이 향상되는 원리를 설명하기 위한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예들의 EUV 노광 시스템들과 기존의 EUV 노광 시스템의 노광 성능을 비교하여 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 포토리소그라피 공정을 보여주는 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 포토리소그라피 공정을 통해 반도체 소자를 제조하는 과정을 보여주는 흐름도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 노광 시스템을 개략적으로 보여주는 블록 구조도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 노광 시스템(100)은 로드 락(Load Lock) 챔버(110), EUV(Extreme Ultra Violet) 노광 장치(120), 및 UV 노광 장치(130)를 포함할 수 있다.
로드 락 챔버(110)는 스피너(200, spinner)로부터 웨이퍼를 EUV 노광 장치(120)로 공급 및 배출시키는 통로 기능을 하는 챔버일 수 있다. 로드 락 챔버(110)는 EUV 노광 장치(120)의 노광 챔버(124)의 입구 및/또는 출구 쪽에 결합하는 구조로 배치되고, 대기압 상태와 진공 상태를 번갈아 유지할 수 있다. 여기서, 웨이퍼는 패턴 형성을 위해 EUV 포토리소그라피 공정, 예컨대 EUV 노광이 수행되는 반도체 기판을 의미할 수 있다. 물론, 웨이퍼는 반도체 기판에 한하지 않고 EUV 노광이 수행될 수 있는 모든 종류의 기판을 의미할 수 있다.
로드 락 챔버(110)를 통한 웨이퍼의 입출력 과정을 간단히 설명하면, 먼저, 로드 락 챔버(110)는 대기압 상태가 유지되고, 로딩(loading) 로봇에 의해 웨이퍼가 스피너(200)로부터 로드 락 챔버(110) 내의 척 테이블(도 5a의 112)로 이동된다. 이후, 로드 락 챔버(110)는 진공 펌프에 의해 진공 상태가 되고, 웨이퍼는 스캐너 로딩 로봇(도 2의 145)에 의해 노광 챔버(124)의 내의 척 테이블(122)로 이동된다. 노광 챔버(124) 내에서 EUV 노광이 수행된 후, 웨이퍼는 스캐너 로딩 로봇에 의해 진공 상태의 로드 락 챔버(110)로 이동된다. 이후, 로드 락 챔버(110)는 대기압 상태로 변경되고, 언로딩 로봇에 의해 웨이퍼는 다시 스피너(200)로 이동된다.
도시된 바와 같이, 로드 락 챔버(110)는 제1 로드 락 챔버(110-1)와 제2 로드 락 챔버(110-2)를 포함할 수 있다. 제1 로드 락 챔버(110-1)는 노광 챔버(124)의 입구 쪽에 결합하고 제2 로드 락 챔버(110-2)는 노광 챔버(124)의 출구 쪽에 결합할 수 있다. 그에 따라, 제1 로드 락 챔버(110-1)를 통해 웨이퍼가 노광 챔버(124)로 공급되고, 제2 로드 락 챔버(110-2)를 통해 웨이퍼가 노광 챔버(124)로부터 배출될 수 있다. 경우에 따라, 로드 락 챔버(110)는 하나만 구비될 수도 있다. 그러한 경우, 하나의 로드 락 챔버(110)에서 웨이퍼의 공급과 배출이 번갈아 가면서 수행될 수 있다.
참고로, 스피너(200)는 웨이퍼에 대한 포토레지스트(Photo-Resist: PR) 코팅 공정, 및 현상(develop) 공정을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 스피너(200)는 때때로 트랙(track)으로 언급되기도 한다.
EUV 노광 장치(120)는 웨이퍼에 대하여 EUV 노광을 수행하는 장치일 수 있다. EUV 노광 장치(120)는 노광 챔버(124) 내에 척 테이블(122), EUV 광원(도 3의 121), 광학 시스템(도 3의 125), EUV 마스크(도 3의 126) 등을 포함할 수 있다. 도 1에서, 도시의 편의를 위해 노광 챔버(124)와 척 테이블(122)만이 도시되고 있다.
척 테이블(122)은 제1 척 테이블(122-1)과 제2 척 테이블(122-2)을 구비할 수 있다. 제1 및 제2 척 테이블(122-1, 122-2) 각각은 x 방향, y 방향 및 z 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동할 수 있다. 제1 척 테이블(122-1)은 실제로 노광에 이용되는 척 테이블이고, 제2 척 테이블(122-2)은 대기하는 척 테이블일 수 있다. 그러나 2개의 척 테이블들(122-1, 122-2)이 교환되면서 노광이 수행되므로, 제1 척 테이블(122-1)과 제2 척 테이블(122-2)의 구별은 크게 의미가 없을 수 있다. 2개의 척 테이블들(122-1, 122-2)이 교환되면서 노광이 수행되고, 또한, 척 테이블로/로부터 웨이퍼의 로딩/ 언로딩이 수행됨으로써, EUV 노광이 신속하게 진행될 수 있다. 물론, 척 테이블의 개수가 2개의 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 척 테이블은 하나만 구비될 수도 있고, 3개 이상 구비될 수도 있다.
EUV 노광 장치(120)의 장치의 동작을 간단히 설명하면, EUV 광원으로부터의 EUV 광은 조명 시스템(도 3의 125-1)을 통해 EUV 마스크(도 3의 126)로 입사되어 반사되고, 투영 시스템(도 3의 125-2)을 통해 척 테이블(122) 상의 웨이퍼(도 3의 300)에 조사될 수 있다. 이러한 노광을 통해 EUV 마스크의 패턴이 웨이퍼 상의 PR에 전사될 수 있다. 예컨대, EUV 마스크로부터 반사된 EUV 광은 EUV 마스크의 패턴에 따라 영역별로 다른 인텐서티를 가지고 웨이퍼 상의 PR에 조사될 수 있다. 그에 따라, PR은 높은 인텐서티에 대응하는 노광 영역과 낮은 인텐서티에 대응하는 비노광 영역으로 구별되고, 노광 영역의 경우 흡수된 광 에너지에 기인하여 PR의 화학적 특성이 크게 변경될 수 있다. 이후, PR의 화학성 특성에 따라 현상 공정에서 노광 영역 또는 비노광 영역이 제거되어 PR 패턴이 형성될 수 있다.
UV 노광 장치(130)는 웨이퍼에 대하여 UV 노광을 수행하는 장치일 수 있다. 또한, UV 노광 장치(130)는 마스크를 이용하지 않고 UV 광을 웨이퍼의 전면(whole surface)으로 조사하는 UV 전면 노광을 수행할 수 있다. UV 전면 노광은 UV 플러드(flood) 노광이라고 언급되기도 한다. UV 노광 장치(130)는 EUV 노광이 수행된 웨이퍼에 대하여 UV 전면 노광을 수행함으로써, 웨이퍼에 대한 EUV 노광 성능, 즉, 웨이퍼 상의 PR에 대한 EUV 노광 성능을 향상시킬 수 있다. UV 전면 노광을 통한 EUV 노광 성능 향상에 대해서는 도 8 내지 도 9의 설명 부분에서 좀 더 상세히 설명한다.
UV 노광 장치(130)는 다양한 구조 및 구성을 가질 수 있다. 또한, UV 노광 장치(130)는 EUV 노광이 수행된 웨이퍼에 대해 UV 전면 노광을 인-시츄(in-situ)로 수행할 수 있도록 UV 노광 시스템(100)에 결합 배치될 수 있다. 여기서, 인-시츄는 진공을 계속 유지하면서 공정이 진행되도록 하는 것을 의미할 수 있다. 예컨대, UV 노광 장치(130)는 UV 램프만을 포함하고, EUV 노광 장치(120) 또는 로드 락 챔버(110)에 결합하여 사용될 수 있다. 또한, UV 노광 장치(130)는 내부에 UV 램프와 척 테이블을 구비하는 별개의 챔버 형태로 구성될 수도 있다. UV 노광 장치(130)가 별개의 챔버 형태로 구성되는 경우, UV 노광 장치(130)는 웨이퍼가 EUV 노광 장치(120)로부터 UV 노광 장치(130)로 이동시에 진공 상태가 유지되도록 UV 노광 시스템(100)에 결합하여 설치될 수 있다.
본 실시예의 EUV 노광 시스템(100)에서 EUV 노광 공정은 굵은 화살표로 표시된 바와 같은 순서로 진행될 수 있다. 예컨대, 스피너(200)에서 PR 코팅이 수행된 웨이퍼가 제1 로드 락 챔버(110-1)로 이송되고, 이후 웨이퍼는 노광 챔버(124)의 척 테이블(122)로 이동되어 EUV 노광이 수행된다. EUV 노광이 완료되면, 웨이퍼는 UV 노광 장치(130)를 통해 UV 전면 노광이 수행되고, 이후 제2 로드 락 챔버(110-2)로 이송된 후, 현상 공정을 위해 스피너(200)로 이송될 수 있다. 한편, 로드 락 챔버(110)를 기준으로 점선 위쪽은 진공 상태가 유지되는 공간이고 점선 아래쪽은 대기압 상태가 유지되는 공간일 수 있다. 따라서, UV 노광 장치(130)를 통한 UV 전면 노광은 EUV 노광과 함께 인-시츄로 수행됨을 알 수 있다.
본 실시예의 EUV 노광 시스템(100)은 웨이퍼에 대해 UV 전면 노광을 수행할 수 있는 UV 노광 장치를 포함할 수 있다. 그에 따라, 본 실시예의 EUV 노광 시스템(100)은 EUV 노광이 수행된 웨이퍼에 대하여 UV 전면 노광을 수행함으로써, EUV 노광 성능을 크게 향상시킬 수 있다. 따라서, EUV 노광 공정에서의 수율을 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예의 EUV 노광 시스템(100)은 EUV 노광 성능의 향상에 기인하여 기존 대비 작은 도우즈(doze) 양을 가지고도 동일 수준의 패터닝 품질을 유지할 수 있다. 한편, 도우즈 양의 감소는 EUV 노광 자체의 공정 속도 향상에 기여하고, UV 전면 노광이 인-시츄로 수행되기 때문에, 본 실시예의 EUV 노광 시스템(100)에서 전체 공정 시간은 유지 내지 감소할 수 있다. 결과적으로, 본 실시예의 EUV 노광 시스템(100)에서, EUV 노광 공정의 처리량(throughput) 또는 생산성은 기존 대비 유지 내지 증가할 수 있다.
참고로, EUV 노광 공정의 생산성 개선을 위하여, EUV 광원의 파워를 500W 이상으로 확보하여야 하나 현재는 80W 수준에 불과하다. 그에 따라, EUV 노광 공정의 양산 경쟁력이 액침 노광(Liquid Immersion Lithography)에 대비하여 거의 없는 실정이다. 낮은 파워 문제 해결 및 생산성 확보를 위해서는, 초고감도(ultra high sensitive) PR 및 그에 따른 노광 공정이 요구되나 포토 샷 노이즈(photon shot noise) 등의 문제로 인해 실현하기 어려운 실정이다. 그러나 본 실시예의 EUV 노광 시스템(100)은 낮은 파워의 EUV 노광과 높은 파워의 UV 노광을 함께 수행함으로써, EUV 노광 공정의 생산성을 보완하면서도 패터닝 품질도 요구되는 수준 이상으로 보장할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 EUV 노광 시스템을 예시적으로 보여주는 개략도이다. 도 1에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 2를 참조하면, 본 실시예의 EUV 노광 시스템(110a)은 로드 락 챔버(110), EUV 노광 장치(120), UV 노광 장치(130), 및 웨이퍼 교환 챔버(140)를 포함할 수 있다. 로드 락 챔버(110)와 EUV 노광 장치(120)는 도 1의 설명 부분에서 설명한 바와 같다. 예컨대, 로드 락 챔버(110)는 제1 로드 락 챔버(110-1)와 제2 로드 락 챔버(110-2)를 포함하고, EUV 노광 장치(120)는 노광 챔버(124) 내에 2개의 척 테이블(122-1, 122-2)을 포함할 수 있다.
여기서, 점선의 원은 노광 대상인 웨이퍼를 가상적으로 표시한 것이다. 각 챔버들에는 입구 또는 출구에 해당하는 게이트 밸브들(102, 103, 104, 105, 106)이 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 로드 락 챔버(110-1)에는 입력 게이트 밸브(102)와 출력 게이트 밸브(104)가 배치될 수 있다. 또한, 제2 로드 락 챔버(110-2)에는 입력 게이트 밸브(105)와 출력 게이트 밸브(103)가 배치될 수 있다. 한편, 노광 챔버(124)에는 입출력 게이트 밸브(106)가 배치될 수 있다. 스피너(200)는 제1 로드 락 챔버(110-1)의 입력 게이트 밸브(102), 그리고 제2 로드 락 챔버(110-2)의 출력 게이트 밸브(103)와 결합할 수 있다.
웨이퍼 교환 챔버(140)는 출력 게이트 밸브(104)를 통해 제1 로드 락 챔버(110-1)에, 입력 게이트 밸브(105)를 통해 제2 로드 락 챔버(110-2)에, 그리고 입출력 게이트 밸브(106)를 통해 노광 챔버(124)에 결합할 수 있다. 웨이퍼 교환 챔버(140)에는 웨이퍼를 이동시키기 위한 로봇(145)이 배치될 수 있다. 로봇(145)은 진공 분위기에서 사용되고, 이중 말단부를 가질 수 있다. 그러나 로봇(145)의 구조가 그에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 로봇은 단일 말단부를 가질 수 있다. 또한, 로봇 대신 다른 운반 기구가 사용될 수도 있다.
로봇(145)은 제1 로드 락 챔버(110-1) 내의 웨이퍼를 노광 챔버(124)의 대기 중인 제2 척 테이블(122-2)로 이동시킬 수 있다. 또한, 로봇(145)은 노광 챔버(124)에서 EUV 노광이 수행된 웨이퍼를 제2 로드 락 챔버(110-2)로 이동시킬 수 있다. 만약, UV 노광 장치(130)가 노광 챔버(124) 내부에 설치된 경우에, 로봇(145)은 노광 챔버(124)에서 EUV 노광 및 UV 전면 노광이 수행된 웨이퍼를 제2 로드 락 챔버(110-2)로 이동시킬 수 있다.
한편, 제1 로드 락 챔버(110-1)에서 제2 척 테이블(122-2)로 웨이퍼의 이동 전에 제1 로드 락 챔버(110-1) 내에서 정렬 유닛에 의한 웨이퍼 정렬이 수행될 수 있다.
UV 노광 장치(130)는 UV 광을 생성하여 출력하는 UV 램프(132)를 포함하고, UV 램프(132)는 굵은 화살표로 표시된 바와 같이 노광 챔버(124) 내에 설치되거나 또는 제2 로드 락 챔버(110-2)에 설치될 수 있다. UV 램프(132)가 노광 챔버(124) 내에 설치된 구조는 도 3 및 도 4의 설명 부분에서, 그리고 UV 램프(132)가 제2 로드 락 챔버(110-2)에 설치된 구조는 도 5a 내지 도 6의 설명 부분에서 좀 더 상세하게 설명한다.
UV 램프(132)가 노광 챔버(124) 내에 설치된 경우에는 노광 챔버(124) 내에서 웨이퍼에 대한 EUV 노광이 수행된 후에, 다시 UV 램프(132)를 통해 웨이퍼에 대한 UV 전면 노광이 수행될 수 있다. 그 후에, 웨이퍼는 로봇(145)에 의해 제2 로드 락 챔버(110-2)로 이동될 수 있다. 한편, UV 램프(132)가 제2 로드 락 챔버(110-2)에 설치된 경우에, 노광 챔버(124) 내에서 웨이퍼에 대한 EUV 노광이 수행된 후, 로봇(145)에 의해 웨이퍼가 제2 로드 락 챔버(110-2)로 이동될 수 있다. 그 후에, 제2 로드 락 챔버(110-2) 내에서 UV 램프(132)를 통해 웨이퍼에 대한 UV 전면 노광이 수행될 수 있다.
본 실시예의 EUV 노광 시스템(100a)에서, UV 노광 장치(130)는 UV 램프(132)를 포함할 수 있다. 또한, UV 램프(132)는 노광 챔버(124)의 내부 또는 제2 로드 락 챔버(110-2)에 결합하여 배치될 수 있다. 그에 따라, 본 실시예의 EUV 노광 시스템(100a)은 EUV 노광 후에 인-시츄로 웨이퍼에 대한 UV 전면 노광을 수행할 수 있다. 전술한 바와 같아. UV 전면 노광의 추가에 의해 EUV 노광 공정(EUV 노광 + UV 전면 노광)의 전체 시간이 증가하는 측면이 있을 수 있다. 그러나 UV 전면 노광이 인-시츄로 수행되고, 또한, EUV 노광 성능 향상에 기인하여 EUV 노광 자체의 시간이 감소할 수 있다. 따라서, EUV 노광 시스템(100a)에서 EUV 노광 공정의 전체 시간은 기존 대비 그대로 유지되거나 감소할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 EUV 노광 시스템에서 UV 노광 장치가 EUV 노광 장치 내에 설치된 실시예를 개략적으로 보여주는 구성도이고, 도 4는 도 3의 UV 노광 장치 부분을 좀 더 상세히 보여주는 사시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, EUV 노광 장치(120)는 노광 챔버(124) 내에 EUV 광원(121), 척 테이블(122), 광학 시스템(125), 및 EUV 마스크(126)를 포함할 수 있다.
EUV 광원(121)은 EUV의 파장 범위, 예컨대 대략 100nm 미만의 파장의 광을 생성할 수 있다. EUV 광원(121)으로부터의 EUV 광의 파장은 투영 시스템(125-2)의 동작 파장, 예컨대, 13.5nm 또는 7nm로 조정될 수 있다. EUV 광원(121)으로 예컨대, 플라즈마 광원(plasma source)이나 싱크로트론(synchrotron) 광원이 이용될 수 있다. 여기서, 플라즈마 광원은 CO2 레이저를 여기 광원으로 사용하여 주석(Sn)을 타깃으로 한 LPP(laser-produced plasma) 광원일 수 있다. 전술한 바와 같이, EUV 광원(121)의 파워는 기존의 UV 광원의 파워 대비 상당히 낮을 수 있다. 예컨대, EUV 광원(121)의 파워는 80W 수준일 수 있다.
척 테이블(122)에는 웨이퍼(300)가 배치되어 EUV 노광이 수행될 수 있다. 도 3에서, 대기하는 제2 척 테이블(122-2)은 도시가 생략되어 있고, UV 램프(132) 하부의 척 테이블(122-1')은 EUV 노광에 이용된 제1 척 테이블(122-1)로서, 검은 화살표로 표시된 바와 같이 투영 시스템(125-2)의 하부에서 UV 램프(132) 하부로 위치만 이동될 수 있다.
광학 시스템(125)은 EUV 광원(121)으로부터의 EUV 광을 EUV 마스크(126)로 입사시키고, 또한, EUV 마스크(126)부터 반사된 EUV 광을 웨이퍼(300)로 조사시키는 기능을 할 수 있다. 이러한 광학 시스템(125)은 조명 시스템(125-1)과 투영 시스템(125-2)을 포함할 수 있다.
조명 시스템(125-1)은 다수의 조명 미러들을 포함하여, EUV 광원(121)으로부터의 EUV 광을 EUV 마스크(126)로 조사할 수 있다. 조명 시스템(125-1) 내에는 다수의 조명 미러들이 포함되나 이미 알려진 구조이므로, 도면의 단순화 및 설명의 편의를 위해, EUV 광원(121)으로부터의 EUV를 수집하여 다른 조명 미러로 공급하는 제1 조명 미러(123)만을 도시하고 나머지 조명 미러들은 생략되고 단순히 사각형 블록으로 도시되고 있다.
투영 시스템(125-2)은 EUV 마스크(126)로부터의 반사된 EUV 광을 웨이퍼(300)에 조사할 수 있다. 투영 시스템(125-2)은 다수의 이미징 미러들을 포함하나 역시 알려진 구조이므로 도면의 단순화 및 설명의 편의를 위해 이미징 미러들은 생략되고 단순히 사각형 블록으로 도시되고 있다.
EUV 마스크(126)는 마스크 스테이지(127) 상에 배치될 수 있다. 도시하지는 않았지만, EUV 마스크(126)의 하부에는 슬릿이 배치될 수 있다. 슬릿은 EUV 광을 통과시키되, EUV 마스크(126)의 일부 영역으로만 EUV 광이 조사되도록 제한하는 기능을 할 수 있다. 스캐닝 공정 시에 마스크 스테이지(127)가 스캔 방향의 반대 방향으로 이동하고, EUV 광은 슬릿을 통해 EUV 마스크(126)의 해당 영역으로 이동하면서 조사될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, UV 노광 장치(130)는 노광 챔버(124) 내에 배치된 UV 램프(132)를 포함할 수 있다. UV 램프(132)를 이용하여 EUV 노광이 수행된 웨이퍼(300)에 대하여 UV 전면 노광을 수행할 수 있다. UV 램프(132)는 UV의 파장에 해당하는 광을 생성하여 출력할 수 있다. 예컨대, UV 램프(132)는 수은 램프로서 365㎚ 파장의 I-line 광을 생성하여 출력할 수 있다. 이러한 UV 램프(132)는 500W 이상의 높은 출력 파워를 가질 수 있다. 따라서, UV 램프(132)를 통한 UV 전면 노광은 500W 이상의 높은 파워를 가지고 수행되어, EUV 노광 성능 향상에 기여할 수 있다.
도 4에서, UV 램프(132)를 단순히 원통형으로 도시하고 있으나 이는 웨이퍼(300)의 형태에 따른 UV 광(UV)의 조사에 치중하여 단순화한 것으로, UV 램프(132) 내부에는 UV 광을 생성하기 위한 복잡한 구조가 포함될 수 있다. 한편, 웨이퍼(300)에 UV 광을 전면으로 조사할 수만 있다면, UV 램프(132)는 원통형에 한하지 않고 다양한 구조를 가질 수 있음은 물론이다.
한편, 본 실시예의 EUV 노광 시스템에서, EUV 노광 후에 UV 전면 노광을 수행하는 것을 위주로 설명하였지만, EUV 노광 후의 전면 노광은 UV 전면 노광에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 실시예의 EUV 노광 시스템에서, EUV 노광 후에 DUV(Deep UV) 전면 노광이 수행될 수도 있다. DUV 전면 노광의 경우, DUV의 파장에 해당하는 광을 생성하는 DUV 램프, 예컨대, KrF 레이저(248㎚), ArF 레이저(193㎚), F2 레이저(157㎚) 램프 등이 이용될 수 있다. EUV 노광 후에 UV 전면 노광을 수행할 것인지, 아니면 DUV 전면 노광을 수행할 것인지는 웨이퍼 상의 PR의 특성에 따라 달라질 수 있다. 다시 말해서, PR을 구성하는 화학적 성분에 따라, UV 전면 노광에 의해 EUV 노광 성능이 극대화될 수도 있고, DUV 전면 노광에 의해 EUV 노광 성능이 극대화될 수 있다. 따라서, PR의 화학적 성분에 따라 UV 전면 노광 또는 DUV 전면 노광이 적절히 선택될 수 있다. 경우에 따라, UV 노광 장치는 UV 램프와 DUV 램프를 함께 구비함으로써, 별도의 램프의 교체 없이 UV 전면 노광과 DUV 전면 노광을 선택적으로 수행할 수도 있다.
이하의 설명에서 UV 노광 장치나 UV 전면 노광을 가지고 주로 설명한다. 그러나 특별한 지적하지 않은 한, UV 노광 장치나 UV 전면 노광 대신에 DUV 노광 장치나 DUV 전면 노광이 적용될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 EUV 노광 시스템에서 UV 노광 장치가 로드 락 챔버에 설치된 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도 및 평면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 실시예의 EUV 노광 시스템에서, UV 노광 장치(130)는 제2 로드 락 챔버(110-2)의 외부에 설치된 구조를 가질 수 있다. UV 노광 장치(130) 및 제2 로드 락 챔버(110-2)에 대해 좀 더 구체적으로 설명하면, 제2 로드 락 챔버(110-2)는 챔버 외벽(114)의 양 측면에 입력 게이트 밸브(105)와 출력 게이트 밸브(103)가 배치될 수 있다. 웨이퍼(300)는 입력 게이트 밸브(105)를 통해 제2 로드 락 챔버(110-2)로 공급되고 출력 게이트 밸브(103)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 여기서, 웨이퍼(300)는 EUV 노광 장치(도 2 또는 도 3의 120)에서 EUV 노광이 수행된 웨이퍼(300)일 수 있다.
제2 로드 락 챔버(110-2)의 내부에는 척 테이블(112)이 배치되고, 척 테이블(112) 상에 웨이퍼(300)가 놓일 수 있다. 챔버 외벽(114)의 하부 플레이트에는 진공 펌프(vacuum pump)로 연결된 배관(118)이 배치될 수 있다. 진공 펌프가 동작하여 제2 로드 락 챔버(110-2) 내부의 공기가 배관(118)을 통해 외부로 방출됨으로써, 제2 로드 락 챔버(110-2)의 내부가 진공 상태로 변할 수 있다.
챔버 외벽(114)의 상부 플레이트 부분에는 투명 윈도우(116)가 설치될 수 있다. 챔버 외벽(114)의 상부 플레이트 및 투명 윈도우(116)는 제2 로드 락 챔버(110-2)의 상부 커버를 구성할 수 있다. 투명 윈도우(116)는 광, 특히 UV 광에 대해 투명한 재질로 형성될 수 있다.
UV 노광 장치(130)의 UV 램프(132)는 제2 로드 락 챔버(110-2)의 외부에 배치될 수 있다. 좀 더 구체적으로, UV 램프(132)는 챔버 외벽(114)의 상부 플레이트의 외면상에 배치되되, 투명 윈도우(116)가 존재하는 부분의 상부에 배치될 수 있다. 그에 따라, UV 램프(132)의 UV 광(UV)은 투명 윈도우(116)를 투과하여 웨이퍼(300)에 전면으로 조사될 수 있다.
도 5b는 위에서 제2 로드 락 챔버(110-2)를 바라본 평면도로서, 챔버 외벽(114)의 상면 플레이트 상에 배치된 UV 램프(132)와 그 하부에 위치하는 투명 윈도우(116)의 상대적인 크기를 보여준다. 예컨대, UV 램프(132)의 수평 단면적은 투명 윈도우(116)의 수평 단면적보다 클 수 있다. 그러나 그에 한하지 않고, 투명 윈도우(116)의 수평 단면적이 UV 램프(132)의 수평 단면적보다 클 수도 있다. 또한, 투명 윈도우(116)와 UV 램프(132)의 수평면의 형태는 원형에 한정되지 않고 사각형이나 타원형 등의 다양한 형태를 가질 수 있다.
참고로, UV 노광 장치(130)를 이용하여 웨이퍼(300)에 대한 UV 전면 노광이 수행될 때, 제2 로드 락 챔버(110-2) 내부는 진공 상태가 유지될 수 있다. 즉, UV 전면 노광은 인-시츄로 수행될 수 있다. UV 전면 노광이 수행된 이후 제2 로드 락 챔버(110-2)는 대기압 상태가 되고 웨이퍼는 스피너(도 2의 200)로 이송될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 EUV 노광 시스템에서 UV 노광 장치가 로드 락 챔버에 설치된 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 5a 및 도 5b에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 6을 참조하면, 본 실시예의 EUV 노광 시스템에서, UV 노광 장치(130)는 제2 로드 락 챔버(110-2)의 내부에 설치된 구조를 가질 수 있다. 구체적으로, UV 노광 장치(130)의 UV 램프(132)는 챔버 외벽(114)의 상부 플레이트의 내부 면 상에 배치될 수 있다. UV 램프(132)가 제2 로드 락 챔버(110-2)의 내부에 배치되므로, 챔버 외벽(114)의 상부 플레이트에는 별도의 투명 윈도우가 설치되지 않을 수 있다.
본 실시예의 EUV 노광 시스템에서도, UV 노광 장치(130)를 이용한 웨이퍼(300)에 대한 UV 전면 노광은, 인-시츄로 진행될 수 있다. 즉, UV 전면 노광 동안 제2 로드 락 챔버(110-2)의 내부는 진공 상태가 유지될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 EUV 노광 시스템을 예시적으로 보여주는 개략도이다. 도 2에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 EUV 노광 시스템(100b)은 UV 노광 장치(130a)가 별개의 챔버 형태로 구성된다는 점에서, 도 2의 EUV 노광 시스템(100a)과 다를 수 있다. 구체적으로, UV 노광 장치(130a)는 UV 챔버(134), 척 테이블(미도시), 및 UV 램프(132)를 포함할 수 있다. UV 램프(132)는 UV 챔버(134)의 내부 또는 외부에 배치될 수 있다. UV 램프(132)가 외부로 배치된 경우, UV 챔버(134)의 상부 플레이트에는 투명 윈도우가 설치될 수 있다.
UV 노광 장치(130a)에서 UV 전면 노광이 수행될 때, UV 챔버(134)는 진공 상태가 유지될 수 있다. 한편, 웨이퍼 교환 챔버(140)의 내부는 일반적으로 진공 상태를 유지하므로, 게이트 밸브 없이 UV 챔버(134)가 오픈 된 형태로 UV 노광 장치(130a)가 웨이퍼 교환 챔버(140)에 결합할 수 있다. 그러나 경우에 따라, UV 노광 장치(130a)는 게이트 밸브를 통해 웨이퍼 교환 챔버(140)에 결합하고 진공 펌프를 이용하여 별도의 진공 상태가 진행될 수도 있다.
EUV 노광이 수행된 웨이퍼는 노광 챔버(124)로부터 UV 챔버(134)로 이동되고, UV 챔버(134)에서 웨이퍼에 대한 UV 전면 노광이 수행될 수 있다. UV 전면 노광이 수행된 웨이퍼는 제2 로드 락 챔버(110-2)로 이동될 수 있다. 웨이퍼의 이동은 예컨대, 로봇(145)에 의해 수행될 수 있다.
지금까지, UV 노광 장치(130, 130a)를 노광 챔버(124)나 제2 로드 락 챔버(110-2)에 설치하거나, 또는 별도의 챔버 형태로 설치하는 실시예들을 예시하였다. 그러나 UV 노광 장치의 설치 위치나 구조가 그에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 실시예의 EUV 노광 시스템에서, UV 노광 장치는 EUV 노광 후에 UV 전면 노광을 인-시츄로 수행할 수 있다면 EUV 노광 시스템의 다양한 장비 부분에 다양한 구조를 가지고 설치될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 교환 챔버(140) 내부에 공간이 충분한 경우에, UV 노광 장치는 웨이퍼 교환 챔버(140) 내부에 척 테이블과 UV 램프를 설치하여 구현될 수도 있다. 그러한 실시예의 경우, 앞서 노광 챔버(124)나 제2 로드 락 챔버(110-2)에 UV 노광 장치를 구현하는 실시예들과 같이 별도의 챔버는 불필요할 수 있다. 그러나 일반적으로 웨이퍼 교환 챔버(140)에는 척 테이블이 없으므로 웨이퍼를 지지하기 위한 척 테이블은 필요할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들의 EUV 노광 시스템에서 노광 성능이 향상되는 원리를 설명하기 위한 그래프로서, x 축은 웨이퍼 상의 PR의 노광 영역과 비노광 영역을 나타내고, y축은 PR의 에너지 흡수량을 나타내며 단위는 임의 단위일 수 있다. 여기서, E1은 EUV 노광 후에 PR에서 흡수된 에너지의 그래프이고, E2는 EUV 노광 후 UV 전면 노광이 수행된 PR에서 흡수된 에너지 그래프일 수 있다.
도 8을 참조하면, E1 그래프를 통해 알 수 있듯이, EUV 노광 후에, PR의 노광 영역(EA)과 비노광 영역(NEA)에서 흡수된 에너지의 차이는 크지 않을 수 있다. 여기서, 노광 영역(EA)은 높은 인텐서티의 EUV 광이 조사된 영역이고 비노광 영역(NEA)은 EUV 광이 조사되지 않거나 낮은 인텐서티의 EUV 광이 조사된 영역에 해당할 수 있다. 한편, PR에서 흡수된 에너지는 PR의 화학성 특성을 변경하는데 이용될 수 있다. 예컨대, PR이 PAG(Photo Acid Generator)를 함유하는 포지티브형 레지스트 물질인 경우, 광의 조사에 의해 PAG로부터 산(acid)이 발생하고, 산의 작용에 의해 광이 조사된 부분, 즉 노광 영역(EA)은 알칼리 가용성으로 화학적 특성이 변경될 수 있다. 이후, 노광 영역(EA)은 현상 공정에서 알칼리 현상액을 통해 제거될 수 있다.
일반적으로, 노광 영역(EA)과 비노광 영역(NEA)의 화학적 특성 차이가 분명할수록 현상 공정에서 PR 패터닝이 우수할 수 있다. 따라서, 노광에서 노광 영역(EA)과 비노광 영역(NEA)의 화학적 특성 차이가 크게 나타날수록 노광 성능이 우수하다고 말할 수 있다. 화학적 특성 차이는 결국 노광에서 광 에너지의 흡수 정도에 의존할 수 있다. 전술한 바와 같이, EUV 노광의 경우, 노광 영역(EA)과 비노광 영역(NEA)의 광 에너지의 흡수 차이는 크지 않을 수 있다. 따라서, 화학적 특성 차이도 크지 않고, 노광 성능 좋지 않을 수 있다. 이러한 EUV 노광의 낮은 노광 성능은, EUV 광원의 낮은 출력 파워에 기인할 수 있다.
한편, E2 그래프를 통해 알 수 있듯이, EUV 노광 후 UV 전면 노광이 수행된 PR의 노광 영역(EA)과 비노광 영역(NEA)에서 흡수된 에너지의 차이는 매우 커짐을 알 수 있다. 흡수된 에너지 차이의 증가는 결국 화학성 특성 차이의 증가로 이어지고, 이는 결국, EUV 노광 공정의 노광 성능 향상에 기여할 수 있다.
EUV 노광 후 UV 전면 노광에서, 노광 영역(EA)에서 에너지의 흡수가 현저하게 증가하는 정확한 메커니즘은 밝혀지지 않고 있으나, EUV 광에 의해 화학적 특성이 어느 정도 변한 부분에서 에너지 흡수가 가속화되어 화학적 특성 변화가 증폭되는 것으로 예상할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예들의 EUV 노광 시스템들과 기존의 EUV 노광 시스템의 노광 성능을 비교하여 보여주는 그래프로서, x축이 EUV 광의 도우즈(dose) 양을 나타내고 단위는 임의 단위이고, y축은 패턴의 선폭을 나타내며 단위는 ㎚일 수 있다. 여기서, Single은 EUV 노광만을 수행한 경우의 그래프이고, I-line 1 및 I-line 2는 각각 제1 UV 도우즈 양 및 제2 UV 도우즈 양을 가지고 UV 전면 노광을 함께 수행한 경우의 그래프들이다. 한편, 제2 UV 도우즈 양은 제1 UV 도우즈 양의 10배 이상일 수 있다.
도 9를 참조하면, EUV 노광 후에 UV 전면 노광을 함께 수행한 경우(I-line 1, I-line 2)에, EUV 노광만을 수행한 경우(Single)에 비해 작은 EUV 도우즈 양이 요구되는 것을 알 수 있다. 예컨대, 19㎚의 선폭을 구현하는 경우, EUV 노광만을 수행한 경우(Single), 약 38 정도의 EUV 도우즈 양이 요구될 수 있다. 그에 반해, 제1 UV 도우즈 양을 가지고 UV 전면 노광을 함께 수행한 경우(I-line 1)는 약 36 정도의 EUV 도우즈 양이 요구되고, 제2 UV 도우즈 양을 가지고 UV 전면 노광을 함께 수행한 경우(I-line 2)는 약 31 정도의 EUV 도우즈 양이 요구될 수 있다. 따라서, EUV 노광 후에 UV 전면 노광을 함께 수행함으로써, 작은 EUV 도우즈 양을 가지고 동일 수준의 패터닝 품질을 유지시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, EUV 노광 후에 UV 전면 노광을 함께 수행함으로써, 동일 EUV 도우즈 양을 가지고 더욱 미세한 패턴을 구현할 수 있다.
한편, 노광 공정에서 도우즈 양은 J/cm2 이나 mJ/cm2 등으로 나타나는데, 이는 다시 시간 단위로 환산하여 나타낼 수 있다. 예컨대, 100mJ/cm2 가 100msec에 대응한다고 하면, 1000mJ/cm2 는 1000msec에 대응할 수 있다. 따라서, 도우즈 양이 적을수록 작은 공정 시간에 대응될 수 있다. 결국, EUV 노광 후에 UV 전면 노광을 함께 수행함으로써, 동일 수준의 패터닝 품질을 유지하면서 EUV 공정 시간을 감축시킬 수 있다.
본 실시예의 EUV 노광 시스템에서, UV 전면 노광이 추가되어 그만큼 시간이 증가할 수 있지만, EUV 노광 자체의 시간은 축소되므로, 결국 EUV 노광 공정(EUV 노광 + UV 전면 노광)의 전체 시간은 유지 내지 감소할 수 있다. 또한, 본 실시예의 EUV 노광 공정은 패터닝 품질을 유지시키면서 노광 성능을 향상시킬 수 있다. 따라서, EUV 노광 공정의 생산량을 유지 내지 증가시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 포토리소그라피 공정을 보여주는 흐름도이다. 설명의 편의를 위해, 도 1 또는 도 2를 함께 참조하여 설명하고, 이전에 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 10을 참조하면, 먼저, 웨이퍼 상에 PR 코팅을 수행한다(S110). PR 코팅은 예컨대 스피너(200)에서 수행될 수 있다. 여기서, 웨이퍼는 순수한 반도체 웨이퍼일 수도 있고, 반도체 웨이퍼 상에 소정 물질층이 형성된 웨이퍼일 수도 있다. 웨이퍼 대한 PR 코팅이 완료되면, 웨이퍼는 로드 락 챔버(110)를 거쳐 EUV 노광 장치(120)로 이송된다.
EUV 노광 장치(120)에서 웨이퍼에 대한 EUV 노광을 수행한다(S120). EUV 노광은 EUV 광원(도 3의 121)의 EUV 광을 조명 시스템(도 3의 125-1)을 통해 EUV 마스크(126)에 입사시키고, EUV 마스크(126)에 반사된 EUV 광을 다시 투영 시스템(도 3의 125-2)을 통해 웨이퍼에 조사함으로써 이루어질 수 있다.
UV 노광 장치(130)에서 EUV 노광이 수행된 웨이퍼에 대하여 UV 전면 노광을 수행한다(S130). UV 노광 장치(130)는 UV 램프(132)만을 포함하는 형태로 노광 챔버(124)나 제2 로드 락 챔버(110-2)에 설치되거나, 또는 별개의 챔버 내에 UV 램프(132)와 척 테이블을 포함하는 형태로 설치될 수 있음은 전술한 바와 같다. 이러한 UV 전면 노광은 EUV 노광과 인-시츄로 수행될 수 있다. 웨이퍼에 대한 UV 전면 노광이 완료되면, 웨이퍼는 로드 락 챔버(110)를 거쳐 스피너(200)로 이송된다.
스피너(200)에서 웨이퍼에 대한 현상 공정을 수행한다(S140). 현상 공정을 통해 웨이퍼 상의 PR에 패턴이 형성될 수 있다. 도시하지는 않았지만, EUV 포토리소그라피 공정은 현상 공정 후에 세정(clean) 공정과 베이크(bake) 공정 등을 더 포함할 수 있다.
한편, EUV 노광과 UV 전면 노광은 EUV 노광 시스템(100, 100a)에서 수행하고, PR 코팅과 현상은 스피너(200)에서 수행함을 점선을 통해 구분하고 있는데, 도 10에서, EUV 노광 시스템을 편의상 스캐너로 표시하고 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 포토리소그라피 노광을 통해 반도체 소자를 제조하는 과정을 보여주는 흐름도이다. 도 10에서 이미 설명한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
도 11을 참조하면, 도 10에서 설명한 바와 같이, PR 코팅 단계(S210) 내지 현상 단계(S24)를 진행하여 EUV 포토리소그라피 공정을 수행한다.
이후, 웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정을 수행한다(S250). 웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정은 다양한 공정들을 포함할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정은, 전술한 EUV 포토리소그라피 공정을 통해 얻은 PR 패턴을 이용하여 하부의 물질층을 식각하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정은, 증착 공정, 식각 공정, 이온 공정, 세정 공정 등의 다양한 반도체 공정들을 포함할 수 있다. 여기서, 식각 공정은 EUV 포토리소그라피 공정을 이용할 수도 있고 다른 포토리소그라피 공정을 이용할 수도 있다. 또한, 식각 공정은 별도의 포토리소그라피 공정없이 수행될 수도 있다. 웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정을 수행하여 해당 반도체 소자에서 요구되는 집적 회로들 및 배선들을 형성할 수 있다. 한편, 웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정은 웨이퍼 레벨의 반도체 소자에 대한 테스트 공정을 포함할 수 있다.
웨이퍼에 대한 후속 반도체 공정 후에, 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 개별화 한다(S260). 각각의 반도체 칩으로의 개별화는 블레이드나 레이저에 의한 소잉 공정을 통해 이루어질 수 있다.
이후, 반도체 칩에 대한 패키징 공정을 수행한다(S270). 패키징 공정은 반도체 칩들을 PCB 상에 실장하고 밀봉재로 밀봉하는 공정을 의미할 수 있다. 한편, 상기 패키징 공정은 PCB 상에 다수의 반도체를 다층으로 적층하여 스택 패키지를 형성하거나, 또는 스택 패키지 상에 스택 패키지를 적층하여 POP(Package On Package) 구조를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 반도체 칩에 대한 패키징 공정을 통해 반도체 소자 또는 반도체 패키지가 완성될 수 있다. 한편, 패키징 공정 후에 반도체 패키지에 대한 테스트 공정이 수행될 수 있다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100, 100a, 100b: EUV 노광 시스템, 102, 103, 104, 105, 106: 게이트 밸브, 110: 로드 락 챔버, 114: 챔버 외벽, 116: 투명 윈도우, 118: 배관, 112, 122: 척 테이블, 120: EUV 노광 장치, 121: EUV 광원, 124: 노광 챔버, 125: 광학 시스템, 126: EUV 마스크, 127: 마스크 스테이지, 130, 130a: UV 노광 장치, 132: UV 램프, 134: UV 챔버, 140: 웨이퍼 교환 챔버, 145: 로봇, 200: 스피너, 300: 웨이퍼

Claims (10)

  1. 척 테이블 상에 배치된 웨이퍼에 극자외선(Extreme Ultraviolet: EUV) 노광을 수행하는 EUV 노광 장치;
    상기 EUV 노광 장치에 결합하여 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로 공급하고 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로부터 배출하는 로드 락(load lock) 챔버; 및
    마스크 없이 UV 광을 조사하는 UV 전면(whole surface) 노광을 상기 웨이퍼에 수행하는 UV 노광 장치;를 포함하는 EUV 노광 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 UV 전면 노광이 상기 EUV 노광 후에 인-시츄(in-situ)로 수행되도록 상기 UV 노광 장치가 상기 EUV 노광 시스템에 배치된 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 UV 노광 장치는 상기 EUV 노광 장치 또는 상기 로드 락 챔버에 배치된 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 로드 락 챔버는 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로 공급하는 제1 로드 락 챔버와 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치로부터 배출하는 제2 로드 락 챔버를 구비하고,
    상기 UV 노광 장치는 상기 제2 로드 락 챔버에 배치된 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 UV 노광 장치는, 상기 UV 광을 생성하는 UV 램프를 구비하고,
    상기 제2 로드 락 챔버의 상부 커버에 상기 UV 광이 투과할 수 있는 투명 윈도우가 형성되며,
    상기 UV 램프는 상기 제2 로드 락 챔버 외부의 상기 투명 윈도우 상부에 배치되며,
    상기 UV 램프는 상기 UV 광을 상기 투명 윈도우를 투과하여 상기 제2 로드 락 챔버 내부로 조사하는 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 UV 노광 장치는, 서로 다른 파장의 광을 생성하는 적어도 2개의 램프를 구비하거나, 또는 상기 적어도 2개의 램프를 교환하여 사용하는 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
  7. 척 테이블 상에 배치된 웨이퍼에 EUV 노광을 수행하는 EUV 노광 장치;
    상기 EUV 노광 장치에 결합하여 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치 내부로 공급하는 제1 로드 락 챔버;
    상기 EUV 노광 장치에 결합하여 상기 EUV 노광 장치 내부의 상기 웨이퍼를 상기 EUV 노광 장치 외부로 배출하는 제2 로드 락 챔버; 및
    상기 EUV 노광 장치 또는 상기 제2 로드 락 챔버에 배치되어 상기 웨이퍼에 UV 노광을 수행하는 UV 노광 장치;를 포함하는 EUV 노광 시스템.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 UV 노광 장치는, 마스크 없이 UV 광을 상기 웨이퍼로 조사하는 UV 전면 노광을 수행하는 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
  9. 제7 항에서,
    상기 UV 노광 장치는, UV 광을 생성하는 UV 램프를 구비하고,
    상기 제2 로드 락 챔버의 상부 커버에 상기 UV 광이 투과할 수 있는 투명 윈도우가 형성되며,
    상기 UV 램프는 상기 제2 로드 락 챔버 외부의 상기 투명 윈도우 상부에 배치되어 상기 UV 광을 상기 제2 로드 락 챔버 내부로 조사하는 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 UV 노광 장치는, I-line 광을 생성하는 UV 램프 및 DUV(Deep UV) 광을 생성하는 DUV 램프 중 적어도 하나를 구비하고,
    상기 UV 노광 장치는 상기 UV 램프 또는 상기 DUV 램프를 이용하여 상기 웨이퍼에 UV 전면 노광을 수행하는 것을 특징으로 하는 EUV 노광 시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210029437A (ko) 2019-09-06 2021-03-16 주식회사 이솔 고차조화파 광원을 이용한 고성능 간섭 패터닝 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6716570B2 (en) 2002-05-23 2004-04-06 Institute Of Microelectronics Low temperature resist trimming process
US20040265748A1 (en) 2003-06-30 2004-12-30 Robert Bristol Pattern transfer of an extreme ultraviolet imaging layer via flood exposure of contact mask layer (EUV CML)
JP4421268B2 (ja) 2003-11-25 2010-02-24 財団法人国際科学振興財団 パターン描画装置
FR2871622B1 (fr) 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
US8493548B2 (en) 2007-08-06 2013-07-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009253090A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Canon Inc 位置決めステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP5061063B2 (ja) 2008-05-20 2012-10-31 ギガフォトン株式会社 極端紫外光用ミラーおよび極端紫外光源装置
US8129080B2 (en) 2008-09-19 2012-03-06 Tokyo Electron Limited Variable resist protecting groups
US8574810B2 (en) 2009-04-27 2013-11-05 Tokyo Electron Limited Dual tone development with a photo-activated acid enhancement component in lithographic applications
JP4948587B2 (ja) * 2009-11-13 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 フォトレジスト塗布現像装置、基板搬送方法、インターフェイス装置
US8124319B2 (en) 2010-04-12 2012-02-28 Nanya Technology Corp. Semiconductor lithography process
US8734904B2 (en) 2010-11-30 2014-05-27 International Business Machines Corporation Methods of forming topographical features using segregating polymer mixtures
JP6039207B2 (ja) 2012-03-23 2016-12-07 Hoya株式会社 Ｅｕｖリソグラフィー用多層反射膜付き基板の製造方法及びｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランクの製造方法、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2013243354A (ja) 2012-04-25 2013-12-05 Toppan Printing Co Ltd 半導体回路の露光方法及び露光装置
JP6293645B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP6758575B2 (ja) * 2014-02-24 2020-09-23 東京エレクトロン株式会社 感光性化学増幅レジスト化学物質およびプロセスを使用する方法および技術
US9645495B2 (en) 2014-08-13 2017-05-09 Tokyo Electron Limited Critical dimension control in photo-sensitized chemically-amplified resist

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210029437A (ko) 2019-09-06 2021-03-16 주식회사 이솔 고차조화파 광원을 이용한 고성능 간섭 패터닝 장치

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