KR20180011041A - 도전 재료 및 접속 구조체 - Google Patents

Abstract

전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있고, 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료를 제공한다. 본 발명에 관한 도전 재료는 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열 경화성 화합물과, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함한다.

Description

도전 재료 및 접속 구조체{ELECTROCONDUCTIVE MATERIAL AND CONNECTION STRUCTURE}

본 발명은 땜납을 갖는 도전성 입자를 포함하는 도전 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체에 관한 것이다.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위하여, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)) 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 에폭시 기판 상에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜, 도전성 입자를 개재하여 전극 사이를 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분을 포함하는 이방성 도전 재료가 기재되어 있다. 상기 도전성 입자의 재료로서는, 구체적으로는 주석(Sn), 인듐(In), 비스무트(Bi), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga), 은(Ag) 및 탈륨(Tl) 등의 금속이나, 이들 금속의 합금이 예시되어 있다.

특허문헌 1에서는, 상기 도전성 입자의 융점보다 높고, 또한 상기 수지 성분의 경화가 완료되지 않는 온도로, 이방성 도전 수지를 가열하는 수지 가열 스텝과, 상기 수지 성분을 경화시키는 수지 성분 경화 스텝을 거쳐, 전극 사이를 전기적으로 접속하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는 특허문헌 1의 도 8에 도시한 온도 프로파일로 실장을 행하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 이방성 도전 수지가 가열되는 온도에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분 내에서, 도전성 입자가 용융된다.

하기의 특허문헌 2에는, 열 경화성 수지를 포함하는 수지층과, 땜납분과, 경화제를 포함하고, 상기 땜납분과 상기 경화제가 상기 수지층 중에 존재하는 접착 테이프가 개시되어 있다. 이 접착 테이프는 필름상이며, 페이스트상은 아니다.

또한, 하기의 특허문헌 3에는 복수의 전극 단자를 갖는 배선 기판과 대향시켜, 복수의 접속 단자를 갖는 반도체 칩을 배치하고, 상기 배선 기판의 상기 전극 단자와, 상기 반도체 칩의 상기 접속 단자를 전기적으로 접속하는 플립 칩 실장 방법이 개시되어 있다. 이 플립 칩 실장 방법에서는, 땜납분 및 대류 첨가제를 함유하는 수지 조성물이 사용되고 있다.

일본 특허 공개 제2004-260131호 공보 WO2008/023452A1 일본 특허 공개 제2006-114865호 공보

종래의 땜납분이나, 땜납층을 표면에 갖는 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 페이스트에서는, 땜납분 또는 도전성 입자가 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않은 경우가 있다. 종래의 땜납분 또는 도전성 입자에서는, 땜납분 또는 도전성 입자의 전극 상으로의 이동 속도가 느린 경우가 있다.

또한, 특허문헌 1에 기재된 이방성 도전 재료를 사용하여, 특허문헌 1에 기재된 방법으로 전극 사이를 전기적으로 접속하면, 땜납을 포함하는 도전성 입자가 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다. 또한, 특허문헌 1의 실시예에서는, 땜납의 융점 이상의 온도에서, 땜납을 충분히 이동시키기 위하여, 일정 온도로 유지하고 있어, 접속 구조체의 제조 효율이 낮아진다. 특허문헌 1의 도 8에 기재한 온도 프로파일로 실장을 행하면, 접속 구조체의 제조 효율이 낮아진다.

또한, 특허문헌 2에 기재된 접착 테이프는 필름상이며, 페이스트상은 아니다. 특허문헌 2에 기재한 바와 같은 조성을 갖는 접착 테이프에서는, 땜납분을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 특허문헌 2에 기재된 접착 테이프에서는, 땜납분의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에도 배치되기 쉽다. 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치된 땜납분은, 전극 사이의 도통에 기여하지 않는다.

또한, 특허문헌 3에서는 땜납분을 포함하는 도전 페이스트 중에, 대류 첨가제를 첨가하고 있다. 그러나, 특허문헌 3에 기재한 바와 같은 대류 첨가제를 첨가한 경우에는 도전 페이스트의 경화물에 대류 첨가제가 이물로서 잔류하는 경우가 있다. 또한, 대류 첨가제의 첨가에 의해 도전 페이스트의 성질이 바뀌는 경우도 있다. 또한, 도전 페이스트의 경화물에 보이드가 발생하기 쉽다. 결과적으로, 전극 사이의 도통 신뢰성이 낮아지는 경우가 있다. 또한, 사용할 수 있는 도전 페이스트가 제약된다.

본 발명의 목적은, 전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체를 제공하는 것이다.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열 경화성 화합물과, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함하는, 도전 재료가 제공된다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자는 땜납 입자이다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자의 외표면에 카르복실기가 존재한다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열 경화성 화합물이, 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함한다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 티올 경화제와 상기 아민 경화제의 중량비가 2:1 내지 50:1이다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료는, 상기 도전성 입자의 표면에 부착되어 있지 않은 절연성 입자를 포함한다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상, 40㎛ 이하이다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료 100중량％ 중 상기 도전성 입자의 함유량이 10중량％ 이상, 80중량％ 이하이다.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료는 25℃에서 액상이며, 도전 페이스트이다.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부의 재료가 상술한 도전 재료이며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.

본 발명에 관한 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열 경화성 화합물과, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함하므로, 전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성을 높일 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례의 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 접속 구조체의 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 4는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.

(도전 재료)

본 발명에 관한 도전 재료는, 복수의 도전성 입자와, 결합제를 포함한다. 상기 도전성 입자는 도전부를 갖는다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 땜납은 도전부에 포함되고, 도전부의 일부 또는 전부이다.

본 발명에 관한 도전 재료는, 상기 결합제로서, 열 경화성 화합물과, 열 경화제를 포함한다. 본 발명에 관한 도전 재료에서는, 상기 열 경화제로서, 티올 경화제와, 아민 경화제를 포함한다.

본 발명에서는, 특정한 도전성 입자를 사용하고, 또한 열 경화성 화합물을 경화시키기 위하여 특정한 2종의 열 경화제를 병용하고 있다.

본 발명에서는, 상기한 구성이 구비되어 있으므로, 전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 전극 폭이 좁은 경우에, 전극 상에 도전성 입자의 땜납을 모으기 어려운 경향이 있지만, 본 발명에서는, 전극 폭이 좁아도, 전극 상에 땜납을 충분히 모을 수 있다. 본 발명에서는, 상기한 구성이 구비되어 있으므로, 전극 사이를 전기적으로 접속한 경우에, 도전성 입자에 있어서의 땜납이, 상하의 대향한 전극 사이에 모이기 쉬워, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 전극 폭이 넓으면, 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다.

또한, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 본 발명에서는, 대향하는 전극 사이에 위치하지 않은 땜납을, 대향하는 전극 사이로 효율적으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.

또한, 본 발명에서는 도전 재료의 경화물의 내열성을 높일 수 있다. 특히, 광 반도체 장치에 도전 재료를 사용한 경우에, 광 조사 시에 발열하여, 도전 재료의 경화물이 고온 하에 노출된다. 본 발명에 관한 도전 재료는 경화물의 내열성이 우수하므로, 광 반도체 장치에 적합하게 사용할 수 있다. 특히, 열 경화성 화합물이, 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함하는 경우에 경화물의 내열성이 높아진다.

또한, 근년, 전자 부품의 소형화 등에 수반하여, 도전 재료의 경화물에는 고속 전송에 대응할 수 있는 것이 요구되고 있다. 본 발명에서는, 도전 재료의 경화물의 유전율을 낮출 수 있다. 이로 인해, 고속 전송에 대응할 수 있다. 본 발명에 관한 도전 재료는 경화물의 유전율을 낮출 수 있으므로, 고속 전송 용도에 적합하게 사용된다.

또한, 본 발명에서는, 전극 사이의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 본 발명에서는, 도전 재료를 상면에 배치한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과).

땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하기 위하여, 상기 도전 재료는, 25℃에서 액상인 것이 바람직하고, 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하기 위하여, 상기 도전 재료의 25℃에서의 점도(η25)는 바람직하게는 10Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 100Pa·s 이상이며, 바람직하게는 800Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 600Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 500Pa·s 이하이다. 상기 점도(η25)는, 배합 성분의 종류 및 배합량에 의해 적절히 조정 가능하다.

상기 점도(η25)는, 예를 들어 E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정 가능하다.

상기 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다. 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 도전 재료는 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는, 전극의 전기적인 접속에 적합하게 사용된다. 상기 도전 재료는 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.

이하, 상기 도전 재료에 포함되는 각 성분을 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴옥시」는 「아크릴옥시」와 「메타크릴옥시」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.

(도전성 입자)

상기 도전성 입자는, 접속 대상 부재의 전극 사이를 전기적으로 접속한다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 상기 도전성 입자는, 땜납에 의해 형성된 땜납 입자여도 된다. 상기 땜납 입자는, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는다. 상기 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분 모두가 땜납이며, 땜납에 의해 형성되어 있다. 상기 땜납 입자는, 코어 입자로서, 기재 입자를 갖지 않는다. 상기 땜납 입자는, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 구비하는 도전성 입자와는 상이하다. 상기 땜납 입자는, 예를 들어 땜납을 바람직하게는 80중량％ 이상, 보다 바람직하게는 90중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 95중량％ 이상으로 포함한다. 상기 도전성 입자는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다.

또한, 상기 땜납 입자를 사용한 경우에 비하여, 땜납에 의해 형성되어 있지 않은 기재 입자와 기재 입자의 표면 상에 배치된 땜납부를 구비하는 도전성 입자를 사용한 경우에는, 전극 상에 도전성 입자가 모이기 어려워져, 도전성 입자끼리의 땜납 접합성이 낮기 때문에, 전극 상으로 이동한 도전성 입자가 전극 외부로 이동하기 쉬워지는 경향이 있어, 전극 사이의 위치 어긋남의 억제 효과도 낮아지는 경향이 있다. 따라서, 상기 도전성 입자는, 땜납에 의해 형성된 땜납 입자인 것이 바람직하다.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, 카르복실기 또는 아미노기가 존재하는 것이 바람직하고, 카르복실기가 존재하는 것이 바람직하고, 아미노기가 존재하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, Si-O 결합, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 것이 바람직하고, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 것도 바람직하다. 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기는, 카르복실기와 아미노기 양쪽을 포함하고 있어도 된다. 또한, 하기 식 (X)에 있어서, 우측 단부 및 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.

땜납의 표면에 수산기가 존재한다. 이 수산기와 카르복실기를 포함하는 기를 공유 결합시킴으로써, 다른 배위 결합(킬레이트 배위) 등으로 결합시키는 경우보다도 강한 결합을 형성할 수 있기 때문에, 전극 사이의 접속 저항을 낮추고, 또한 보이드의 발생을 억제하는 것이 가능한 도전성 입자가 얻어진다.

상기 도전성 입자에서는, 땜납의 표면과, 카르복실기를 포함하는 기와의 결합 형태에 배위 결합이 포함되어 있지 않아도 되고, 킬레이트 배위에 의한 결합이 포함되어 있지 않아도 된다.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기 또는 아미노기를 갖는 화합물(이하, 화합물 X라고 기재하는 경우가 있음)을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납의 표면의 수산기와 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자를 용이하게 얻을 수 있고, 땜납의 표면에 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 통하여 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자를 얻을 수도 있다. 상기 땜납의 표면의 수산기에 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 상기 화합물 X를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.

상기 수산기와 반응 가능한 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 에스테르기 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 수산기 또는 카르복실기가 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다.

수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물인 것이 바람직하다.

상기 화합물 X는, 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하고, 상기 화합물 X는 땜납의 표면에 결합한 상태에서 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하다. 플럭스 작용을 갖는 화합물은, 땜납의 표면의 산화막 및 전극의 표면의 산화막을 제거 가능하다. 카르복실기는 플럭스 작용을 갖는다.

플럭스 작용을 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산 및 4-페닐부티르산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 플럭스 작용을 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가, 수산기 또는 카르복실기인 것이 바람직하다. 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가 카르복실기인 경우에는, 상기 화합물 X는, 카르복실기를 적어도 2개 갖는 것이 바람직하다. 카르복실기를 적어도 2개 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를 땜납의 표면의 수산기에 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자가 얻어진다.

상기 도전성 입자의 제조 방법은, 예를 들어 도전성 입자를 사용하여, 상기 도전성 입자, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 촉매 및 용매를 혼합하는 공정을 구비한다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기 혼합 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.

또한, 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하여, 상기 도전성 입자, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 상기 촉매 및 상기 용매를 혼합하고, 가열하는 것이 바람직하다. 혼합 및 가열 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 보다 한층 용이하게 얻을 수 있다.

상기 용매로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올 용매나, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, 톨루엔 및 크실렌 등을 들 수 있다. 상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 톨루엔인 것이 보다 바람직하다. 상기 용매는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 촉매로서는, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 및 10-캄포술폰산 등을 들 수 있다. 상기 촉매는 p-톨루엔술폰산인 것이 바람직하다. 상기 촉매는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 혼합 시에 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 바람직하게는 90℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하이다.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 공정을 거쳐 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납의 표면의 수산기와 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 이소시아네이트기에서 유래하는 기의 질소 원자가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다. 상기 땜납의 표면의 수산기에 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 이소시아네이트기에서 유래하는 기를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.

또한, 이소시아네이트기에서 유래하는 기에는, 실란 커플링제를 용이하게 반응시킬 수 있다. 상기 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있으므로, 상기 카르복실기를 포함하는 기가, 카르복실기를 갖는 실란 커플링제를 사용한 반응에 의해 도입되어 있거나, 또는 실란 커플링제를 사용한 반응 후에, 실란 커플링제에서 유래하는 기에 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물을 반응시킴으로써 도입되어 있는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물이, 카르복실기를 복수 갖는 것이 바람직하다.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 톨루엔디이소시아네이트(TDI) 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 등을 들 수 있다. 이들 이외의 이소시아네이트 화합물을 사용해도 된다. 이 화합물을 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔여 이소시아네이트기와, 그 잔여 이소시아네이트기와 반응성을 가지며, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기를 도입할 수 있다.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 불포화 이중 결합을 가지며, 또한 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 사용해도 된다. 예를 들어, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 및 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 들 수 있다. 이 화합물의 이소시아네이트기를 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔존하고 있는 불포화 이중 결합에 대하여 반응성을 갖는 관능기를 가지며, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기를 도입할 수 있다.

상기 실란 커플링제로서는, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란(신에쯔 실리콘사제 「KBE-9007」) 및 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란(MOMENTIVE사제 「Y-5187」) 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산, 아디프산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 복수 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를, 땜납의 표면의 수산기와 반응시킴으로써, 카르복실기를 포함하는 기를 잔존시킬 수 있다.

상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하고, 또한 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물을 반응시켜, 땜납의 표면에 상기 식 (X)로 표시되는 기를 통하여, 카르복실기를 포함하는 기가 결합하고 있는 도전성 입자를 얻는다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기한 공정에 의해 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 도입된 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.

상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제를 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납의 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매를 사용하여, 땜납의 표면에 실란 커플링제를 공유 결합시킨다. 이어서, 실란 커플링제의 규소 원자에 결합하고 있는 알콕시기를 가수분해함으로써, 수산기를 생성시킨다. 생성된 수산기에, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물의 카르복실기를 반응시킨다.

또한, 상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납의 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매를 사용하여, 공유 결합을 형성시킨다. 그 후, 도입된 불포화 이중 결합에 대하여, 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킨다.

도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매로서는, 주석계 촉매(디부틸주석디라우레이트 등), 아민계 촉매(트리에틸렌디아민 등), 카르복실레이트 촉매(나프텐산납, 아세트산칼륨 등) 및 트리알킬포스핀 촉매(트리에틸포스핀 등) 등을 들 수 있다.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 하기 식 (1)로 표시되는 화합물은 플럭스 작용을 갖는다. 또한, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물은, 땜납의 표면에 도입된 상태에서 플럭스 작용을 갖는다.

상기 식 (1) 중 X는, 수산기와 반응 가능한 관능기를 나타내고, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 해당 유기기는, 탄소 원자와 수소 원자와 산소 원자를 포함하고 있어도 된다. 해당 유기기는 탄소수 1 내지 5의 2가의 탄화수소기여도 된다. 상기 유기기의 주쇄는 2가의 탄화수소기인 것이 바람직하다. 해당 유기기에서는, 2가의 탄화수소기에 카르복실기나 수산기가 결합하고 있어도 된다. 상기 식 (1)로 표시되는 화합물에는, 예를 들어 시트르산이 포함된다.

상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은, 하기 식 (1A) 또는 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물은, 하기 식 (1A)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (1A) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.

상기 식 (1B) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.

땜납의 표면에, 하기 식 (2A) 또는 하기 식 (2B)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 땜납의 표면에, 하기 식 (2A)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하고, 하기 식 (2B)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기 식 (2A) 및 하기 식 (2B)에 있어서, 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.

상기 식 (2A) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.

상기 식 (2B) 중 R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.

땜납의 표면 습윤성을 높이는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하, 더욱 바람직하게는 500 이하이다.

상기 분자량은, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물이 중합체가 아닐 경우 및 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물의 구조식을 특정할 수 있는 경우에는, 당해 구조식으로부터 산출할 수 있는 분자량을 의미한다. 또한, 상기 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물이 중합체인 경우에는 중량 평균 분자량을 의미한다.

도전 접속 시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있는 점에서, 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치된 음이온 중합체를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체를 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물에 의한 표면 처리물인 것이 바람직하다. 상기 음이온 중합체 및 상기 음이온 중합체가 되는 화합물은 각각 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 음이온 중합체는 산성기를 갖는 중합체이다.

도전성 입자 본체를 음이온 중합체로 표면 처리하는 방법으로서는, 음이온 중합체로서, 예를 들어 (메트)아크릴산을 공중합한 (메트)아크릴 중합체, 디카르복실산과 디올로부터 합성되며 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 디카르복실산의 분자간 탈수 축합 반응에 의해 얻어지며 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 중합체, 디카르복실산과 디아민으로부터 합성되며 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체 및 카르복실기를 갖는 변성 폴리비닐알코올(닛폰 고세이 가가꾸사제 「고세이 넥스 T」) 등을 사용하여, 음이온 중합체의 카르복실기와, 도전성 입자 본체의 표면의 수산기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.

상기 음이온 중합체의 음이온 부분으로서는, 상기 카르복실기를 들 수 있고, 그 이외에는, 토실기(p-H₃CC₆H₄S(=O)₂-), 술폰산 이온기(-SO₃-) 및 인산 이온기(-PO₄-) 등을 들 수 있다.

또한, 표면 처리의 다른 방법으로서는, 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기를 갖고, 부가, 축합 반응에 의해 중합 가능한 관능기를 더 갖는 화합물을 사용하여, 이 화합물을 도전성 입자 본체의 표면 상에서 중합체화하는 방법을 들 수 있다. 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기로서는, 카르복실기 및 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 부가, 축합 반응에 의해 중합하는 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 (메트)아크릴로일기를 들 수 있다.

상기 음이온 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2000 이상, 보다 바람직하게는 3000 이상이며, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 8000 이하이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자의 표면에 충분한 양의 전하 및 플럭스성을 도입할 수 있다. 이에 의해, 도전 접속 시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 대상 부재의 접속 시에 전극의 표면의 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.

상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자 본체의 표면 상에 음이온 중합체를 배치하는 것이 용이하고, 도전 접속 시에 땜납 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있어, 전극 상에 도전성 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.

상기 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산으로의 중량 평균 분자량을 나타낸다.

도전성 입자 본체를 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량은, 도전성 입자 중의 땜납을 용해하여, 중합체의 분해를 일으키지 않는 희염산 등에 의해 도전성 입자를 제거한 후, 잔존하고 있는 중합체의 중량 평균 분자량을 측정함으로써 구할 수 있다.

음이온 중합체의 도전성 입자의 표면에 있어서의 도입량에 관해서는, 도전성 입자 1g당 산가가, 바람직하게는 1㎎KOH 이상, 보다 바람직하게는 2㎎KOH 이상이며, 바람직하게는 10㎎KOH 이하, 보다 바람직하게는 6㎎KOH 이하이다.

상기 산가는 이하와 같이 하여 측정 가능하다. 도전성 입자 1g을 아세톤 36g에 첨가하고, 초음파로 1분간 분산시킨다. 그 후, 지시약으로서 페놀프탈레인을 사용하여, 0.1㏖/L의 수산화칼륨에탄올 용액으로 적정한다.

이어서, 도면을 참조하면서, 도전성 입자의 구체예를 설명한다.

도 4는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.

도 4에 도시하는 도전성 입자(21)는 땜납 입자이다. 도전성 입자(21)는 전체가 땜납에 의해 형성되어 있다. 도전성 입자(21)는 기재 입자를 코어에 갖지 않아, 코어-쉘 입자가 아니다. 도전성 입자(21)는 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다.

도 5는 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.

도 5에 도시하는 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 도전부(33)를 구비한다. 도전부(33)는, 기재 입자(32)의 표면을 피복하고 있다. 도전성 입자(31)는 기재 입자(32)의 표면이 도전부(33)에 의해 피복된 피복 입자이다.

도전부(33)는 제2 도전부(33A)와, 땜납부(33B)(제1 도전부)를 갖는다. 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와 땜납부(33B) 사이에, 제2 도전부(33A)를 구비한다. 따라서, 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 제2 도전부(33A)와, 제2 도전부(33A)의 외표면 상에 배치된 땜납부(33B)를 구비한다.

도 6은 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.

상기한 바와 같이 도전성 입자(31)에 있어서의 도전부(33)는 2층 구조를 갖는다. 도 6에 도시하는 도전성 입자(41)는 단층의 도전부로서, 땜납부(42)를 갖는다. 도전성 입자(41)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 땜납부(42)를 구비한다.

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 금속을 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 구리 입자여도 된다.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 다양한 유기물이 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체 및 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜 얻는 경우에는, 해당 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지의 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 시드 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.

상기 기재 입자가 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는, 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자는 구리 입자인 것이 바람직하다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.

상기 기재 입자의 표면 상에 도전부를 형성하는 방법, 및 상기 기재 입자의 표면 상 또는 상기 제2 도전부의 표면 상에 땜납부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전부 및 상기 땜납부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적인 충돌에 의한 방법, 메카노케미컬 반응에 의한 방법, 물리적 증착 또는 물리적 흡착에 의한 방법, 및 금속 분말 혹은 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 무전해 도금, 전기 도금 또는 물리적인 충돌에 의한 방법이 적합하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 물리적인 충돌에 의한 방법에서는, 예를 들어 세타 콤포저(도쿠주 고사꾸쇼사제) 등이 사용된다.

상기 기재 입자의 융점은, 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 융점은, 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 450℃를 초과한다. 또한, 상기 기재 입자의 융점은 400℃ 미만이어도 된다. 상기 기재 입자의 융점은 160℃ 이하여도 된다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 이상인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 미만이어도 된다.

상기 도전성 입자는 단층의 땜납부를 갖고 있어도 된다. 상기 도전성 입자는 복수의 층의 도전부(땜납부, 제2 도전부)를 갖고 있어도 된다. 즉, 상기 도전성 입자에서는, 도전부를 2층 이상 적층해도 된다.

상기 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속(저융점 금속)인 것이 바람직하다. 상기 땜납부는, 융점이 450℃ 이하인 금속층(저융점 금속층)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속층은, 저융점 금속을 포함하는 층이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속 입자(저융점 금속 입자)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는, 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 해당 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하인 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은 주석을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 땜납부에 포함되는 금속 100중량％ 중 및 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 포함되는 금속 100중량％ 중 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70중량％ 이상, 특히 바람직하게는 90중량％ 이상이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납 중의 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전성 입자와 전극의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.

또한, 상기 주석의 함유량은, 고주파 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사쿠쇼사제 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사쿠쇼사제 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.

상기 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자를 사용함으로써 땜납이 용융되어 전극에 접합하여, 땜납이 전극 사이를 도통시킨다. 예를 들어, 땜납과 전극이 점 접촉이 아니라 면 접촉하기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자의 사용에 의해, 땜납과 전극의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납과 전극의 박리가 보다 한층 발생하기 어려워져, 도통 신뢰성이 효과적으로 높아진다.

상기 땜납부 및 상기 땜납 입자를 구성하는 저융점 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 저융점 금속은, 주석 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 해당 합금은, 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은, 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.

상기 땜납(땜납부)을 구성하는 재료는, JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재인 것이 바람직하다. 상기 땜납의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 그 중에서도 저융점이고 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)가 바람직하다. 즉, 상기 땜납은, 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하는 땜납, 또는 주석과 비스무트를 포함하는 땜납인 것이 바람직하다.

상기 땜납과 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이기 위하여, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 인, 게르마늄, 텔루륨, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있어도 된다. 또한, 땜납과 전극의 접합 강도를 더욱 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부 또는 도전성 입자에 있어서의 땜납과 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이들 금속의 함유량은, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납 100중량％ 중 바람직하게는 0.0001중량％ 이상, 바람직하게는 1중량％ 이하이다.

상기 제2 도전부의 융점은, 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점은 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 더욱 한층 바람직하게는 450℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 500℃를 초과하고, 가장 바람직하게는 600℃를 초과한다. 상기 땜납부는 융점이 낮기 때문에 도전 접속 시에 용융된다. 상기 제2 도전부는 도전 접속 시에 용융되지 않는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 땜납을 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시키고 또한 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고 사용되는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점이 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것에 의해, 도전 접속 시에 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고, 상기 땜납부만을 용융시킬 수 있다.

상기 땜납부의 융점과 상기 제2 도전부의 융점의 차의 절댓값은 0℃를 초과하고, 바람직하게는 5℃ 이상, 보다 바람직하게는 10℃ 이상, 더욱 바람직하게는 30℃ 이상, 특히 바람직하게는 50℃ 이상, 가장 바람직하게는 100℃ 이상이다.

상기 제2 도전부는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부를 구성하는 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 아연, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 게르마늄 및 카드뮴, 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서, 주석 도프 산화인듐(ITO)을 사용해도 된다. 상기 금속은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 제2 도전부는, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층인 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층인 것이 보다 바람직하고, 구리층인 것이 더욱 바람직하다. 도전성 입자는, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층을 갖는 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층을 갖는 것이 보다 바람직하고, 구리층을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이들의 바람직한 도전부를 갖는 도전성 입자를 전극 사이의 접속에 사용함으로써, 전극 사이의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한, 이들의 바람직한 도전부의 표면에는, 땜납부를 보다 한층 용이하게 형성할 수 있다.

상기 땜납부의 두께는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 땜납부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아, 전극 사이의 접속 시에 도전성 입자를 충분히 변형시킨다.

상기 도전부의 두께(도전부 전체의 두께)는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 상기 도전부의 두께는, 도전부가 다층인 경우에는 도전층 전체의 두께이다. 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아, 전극 사이의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.

상기 도전부가 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층의 두께는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복이 균일해지고, 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극 사이의 접속 저항이 한층 더 낮아진다.

상기 도전부의 두께는, 예를 들어 전계 방사형 주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.

상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.

상기 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은, 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출하는 것이나, 레이저 회절식 입도 분포 측정을 행함으로써 구해진다.

상기 도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전성 입자의 형상은 구상이어도 되고, 편평상 등의 구상 이외의 형상이어도 된다.

상기 도전 재료 100중량％ 중 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 10중량％ 이상, 특히 바람직하게는 20중량％ 이상, 특히 바람직하게는 30중량％ 이상이며, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 함유량은 많은 편이 바람직하다.

(열 경화성 화합물)

상기 열 경화성 화합물은, 가열에 의해 경화 가능한 화합물이다. 상기 열 경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전 재료의 경화성 및 점도를 보다 한층 양호하게 하여, 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 에폭시 화합물 또는 에피술피드 화합물이 바람직하다. 상기 열 경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

경화물의 내열성을 효과적으로 높이는 관점 및 경화물의 유전율을 효과적으로 낮추는 관점에서는, 상기 열 경화성 화합물은, 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물로서는 트리아진트리글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 닛산 가가꾸 고교사제 TEPIC 시리즈(TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) 등을 들 수 있다.

상기 에폭시 화합물로서는, 방향족 에폭시 화합물을 들 수 있다. 레조르시놀형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물, 비페닐형 에폭시 화합물, 벤조페논형 에폭시 화합물 등의 결정성 에폭시 화합물이 바람직하다. 상온(23℃)에서 고체이며, 또한 용융 온도가 땜납의 융점 이하인 에폭시 화합물이 바람직하다. 용융 온도는 바람직하게는 100℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이하이고, 바람직하게는 40℃ 이상이다. 상기한 바람직한 에폭시 화합물을 사용함으로써 접속 대상 부재를 접합한 단계에서는, 점도가 높아, 반송 등의 충격에 의해 가속도가 부여되었을 때에 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있고, 게다가, 경화 시의 열에 의해, 도전 재료의 점도를 크게 저하시킬 수 있어, 땜납의 응집을 효율적으로 진행시킬 수 있다.

상기 도전 재료 100중량％ 중 상기 열 경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 20중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이상이며, 바람직하게는 99중량％ 이하, 보다 바람직하게는 98중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 90중량％ 이하, 특히 바람직하게는 80중량％ 이하이다. 내충격성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 열 경화성 화합물의 함유량은 많은 편이 바람직하다.

(열 경화제)

상기 열 경화제는, 상기 열 경화성 화합물을 열 경화시킨다. 상기 열 경화제로서는, 이미다졸 경화제, 페놀 경화제, 티올 경화제, 아민 경화제, 산 무수물 경화제, 열 양이온 개시제(열 양이온 경화제) 및 열 라디칼 발생제 등이 있다. 본 발명에서는, 티올 경화제와 아민 경화제를 사용한다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치하는 관점, 및 경화물의 내열성을 높이는 관점에서는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 도전성 입자를 사용하는 경우에, 티올 경화제와 아민 경화제를 병용하는 것에는 큰 의미가 있다. 상기 티올 경화제와 아민 경화제는 각각 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 아민 경화제는 아미노기를 갖는다. 상기 아민 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라스피로[5.5]운데칸, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, m-크실렌디아민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, 2-메틸펜타메틸렌디아민, 디에틸아미노프로필아민, 이소포론디아민, 1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 노르보르헨디아민, 1,2-디아미노시클로헥산, 라로민, 디아미노디페닐메탄, 벤질아민, 아디프산디히드라지드, 세바스산디히드라지드, 도데칸디오히드라지드, 이소프탈산디히드라지드, 살리실산히드라지드, 폴리옥시프로필렌디아민 및 폴리옥시프로필렌트리아민 등을 들 수 있다.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 아민 경화제는, 25℃에서 반응성이 낮은 아민 경화제인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 도전 재료의 경화도가 80％ 이상이 되기 때문에, 25℃에서 24시간 이상 요하는 아민 경화제인 것이 바람직하고, 도전 재료의 경화도가 80％ 이상이 되기 때문에, 25℃에서 48시간 이상 요하는 아민 경화제인 것이 보다 바람직하다.

상기 도전 재료의 경화도는, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.

경화 전후의 도전 재료의 샘플을 준비한다. 10㎎의 샘플을 채취하고, 시차 주사 열량계(DSC)를 사용하여, 질소 분위기 하에서, 25℃부터 250℃까지 5℃/min으로 승온하는 조건에서 경화 전후의 샘플을 측정한다. 얻어진 측정 결과로부터, 발열 피크 비율에 따라 경화도를 구할 수 있다. 상기 시차 주사 열량계(DSC)로서는, 예를 들어 히타치 하이테크 사이언스사제 「DSC7020」 등이 사용된다.

상기 티올 경화제는 티올기를 갖는다. 상기 티올 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트 및 디펜타에리트리톨헥사키스-3-머캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는 1급 티올 경화제인 것이 바람직하다.

또한, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는 티올기를 복수 갖는 것이 바람직하다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는, 폴리에테르 골격을 갖는 것이 바람직하다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 티올 경화제는, 티올기를 4개 이상 갖는 것이 바람직하다.

상기 열 경화제의 반응 개시 온도는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 열 경화제의 반응 개시 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 열 경화제의 반응 개시 온도는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열 경화제의 반응 개시 온도는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.

상기 열 경화제의 반응 개시 온도는, DSC에서의 발열 피크의 상승 개시의 온도를 의미한다.

상기 열 경화성 화합물 100중량부에 대하여, 상기 티올 경화제와 아민 경화제의 합계의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상이며, 바람직하게는 200중량부 이하, 보다 바람직하게는 100중량부 이하, 더욱 바람직하게는 75중량부 이하이다. 열 경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전 재료를 충분히 경화시키는 것이 용이하다. 열 경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않은 잉여의 열 경화제가 잔존하기 어려워지고, 또한 경화물의 내열성이 한층 더 높아진다.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점, 및 경화물의 내열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 도전 재료 중에서, 상기 티올 경화제와 상기 아민 경화제의 중량비는 바람직하게는 1:1 내지 100:1, 보다 바람직하게는 2:1 내지 50:1, 더욱 바람직하게는 4:1 내지 15:1이다.

(플럭스)

상기 도전 재료는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효과적으로 배치할 수 있다. 해당 플럭스는 특별히 한정되지 않는다. 플럭스로서, 땜납 접합 등에 일반적으로 사용되고 있는 플럭스를 사용할 수 있다.

상기 플럭스로서는, 예를 들어 염화아연, 염화아연과 무기 할로겐화물의 혼합물, 염화아연과 무기산의 혼합물, 용융염, 인산, 인산의 유도체, 유기 할로겐화물, 히드라진, 유기산 및 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 용융염으로서는, 염화암모늄 등을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 락트산, 시트르산, 스테아르산, 글루탐산 및 글루타르산 등을 들 수 있다. 상기 송지로서는, 활성화 송지 및 비활성화 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산이어도 되고, 송지여도 된다. 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지의 사용에 의해 전극 사이의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.

상기 송지는 아비에트산을 주성분으로 하는 로진류이다. 플럭스는 로진류인 것이 바람직하고, 아비에트산인 것이 보다 바람직하다. 이 바람직한 플럭스의 사용에 의해 전극 사이의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.

상기 플럭스의 활성 온도(융점)는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 190℃ 이하, 보다 한층 바람직하게는 160℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 더욱 한층 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 플럭스의 활성 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 보다 한층 효과적으로 발휘되어, 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상, 190℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.

플럭스의 활성 온도(융점)가 80℃ 이상, 190℃ 이하인 상기 플럭스로서는, 숙신산(융점 186℃), 글루타르산(융점 96℃), 아디프산(융점 152℃), 피멜산(융점 104℃), 수베르산(융점 142℃) 등의 디카르복실산, 벤조산(융점 122℃), 말산(융점 130℃) 등을 들 수 있다.

또한, 상기 플럭스의 비점은 200℃ 이하인 것이 바람직하다.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 열 경화제의 반응 개시 온도보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.

상기 플럭스는 도전 재료 중에 분산되어 있어도 되고, 도전성 입자의 표면 상에 부착되어 있어도 된다.

플럭스의 융점이 땜납의 융점보다 높은 것에 의해, 전극 부분에 땜납을 효율적으로 응집시킬 수 있다. 이것은, 접합 시에 열을 부여한 경우, 접속 대상 부재 상에 형성된 전극과, 전극 주변의 접속 대상 부재의 부분을 비교하면, 전극 부분의 열 전도율이 전극 주변의 접속 대상 부재 부분의 열 전도율보다도 높은 것에 의해, 전극 부분의 승온이 빠른 것에 기인한다. 땜납의 융점을 초과한 단계에서는, 땜납의 내부는 용해되지만, 표면에 형성된 산화 피막은 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달하고 있지 않으므로, 제거되지 않는다. 이 상태에서, 전극 부분의 온도가 먼저 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달하기 때문에, 우선적으로 전극 상에 온 땜납의 표면의 산화 피막이 제거된다거나, 활성화된 플럭스에 의해 땜납의 표면의 전하가 중화됨으로써, 땜납이 전극의 표면 상에 번질 수 있다. 이에 의해, 전극 상에 효율적으로 땜납을 응집시킬 수 있다.

상기 플럭스는, 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스인 것이 바람직하다. 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스의 사용에 의해 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.

상기 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스로서는, 상기 열 양이온 개시제(열 양이온 경화제)를 들 수 있다.

상기 도전 재료 100중량％ 중 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량％ 이상이며, 바람직하게는 30중량％ 이하, 보다 바람직하게는 25중량％ 이하이다. 상기 도전 재료는 플럭스를 포함하고 있지 않아도 된다. 플럭스의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 및 전극의 표면에 산화 피막이 한층 더 형성되기 어려워지고, 또한 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화 피막을 보다 한층 효과적으로 제거할 수 있다.

(절연성 입자)

도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격을 고정밀도로 제어하는 관점에서는, 상기 도전 재료는 절연성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료에 있어서, 상기 절연성 입자는 도전성 입자의 표면에 부착되어 있지 않아도 된다. 상기 도전 재료에 있어서, 상기 절연성 입자는 도전성 입자의 표면에 접하고 있지 않아도 된다. 상기 도전 재료 중에서, 상기 절연성 입자는 도전성 입자와 이격되어 존재하는 것이 바람직하다.

상기 절연성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 상기 절연성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격이 한층 더 적당해진다.

상기 절연성 입자의 재료로서는, 절연성의 수지 및 절연성의 무기물 등을 들 수 있다. 상기 절연성의 수지로서는, 기재 입자로서 사용하는 것이 가능한 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서 예시한 상기 수지를 들 수 있다. 상기 절연성의 무기물로서는, 기재 입자로서 사용하는 것이 가능한 무기 입자를 형성하기 위한 무기물로서 예시한 상기 무기물을 들 수 있다.

상기 절연성 입자의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀 화합물, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열 가소성 수지, 열 가소성 수지의 가교물, 열 경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.

상기 폴리올레핀 화합물로서는, 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열 가소성 수지로서는, 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열 경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.

상기 도전 재료 100중량％ 중 상기 절연성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량％ 이상이며, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 5중량％ 이하이다. 상기 도전 재료는 절연성 입자를 포함하고 있지 않아도 된다. 절연성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격이 한층 더 적당해진다.

(다른 성분)

상기 도전 재료는, 필요에 따라, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.

(접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법)

본 발명에 관한 접속 구조체는, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 본 발명에 관한 접속 구조체에서는, 상기 접속부가, 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 본 발명에 관한 접속 구조체에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있다.

상기 접속 구조체의 제조 방법은, 상술한 도전 재료를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 재료를 배치하는 공정과, 상기 도전 재료의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점 이상으로 상기 도전 재료를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 재료에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 마련한다. 바람직하게는, 상기 열 경화성 화합물의 경화 온도 이상으로 상기 도전 재료를 가열한다.

본 발명에 관한 접속 구조체 및 상기 접속 구조체의 제조 방법에서는, 특정한 도전 재료를 사용하고 있으므로, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이기 쉬워, 땜납을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.

또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하는 것이 바람직하다.

전극 사이에서의 땜납부의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 전극의 표면 위의 땜납 습윤 면적(전극의 노출된 면적 100％ 중 땜납이 접하고 있는 면적, 상기 접속부를 형성하기 전의 상기 제1 전극과 상기 제1 전극과 전기적으로 접속되는 상기 제2 전극의 노출된 면적 100％에 대한, 상기 접속부를 형성한 후의 상기 땜납부가 접하고 있는 면적)은, 바람직하게는 50％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상이며, 바람직하게는 100％ 이하이다.

본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는 것이 바람직하고, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량의 힘을 초과하는 가압 압력은 가해지지 않는 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 복수의 땜납부에 있어서, 땜납량의 균일성을 보다 한층 높일 수 있다. 또한, 땜납부의 두께를 보다 한층 효과적으로 두껍게 할 수 있고, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 사이에 많이 모이기 쉬워져, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 도전성 입자에 있어서의 땜납의 양을 보다 한층 적게 할 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 보다 한층 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다.

또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지면, 접속부가 형성되기 전에 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되어 있던 땜납이 제1 전극과 제2 전극 사이에 보다 한층 모이기 쉬워져, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 본 발명에서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한다는 구성과, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지도록 하는 구성을 조합하여 채용하는 것에는, 본 발명의 효과를 보다 한층 높은 레벨에서 얻기 때문에 큰 의미가 있다.

또한, WO2008/023452A1에서는, 땜납분을 전극 표면에 흘러가게 하여 효율적으로 이동시키는 관점에서는, 접착 시에 소정의 압력으로 가압하면 되는 것이 기재되어 있으며, 가압 압력은, 땜납 영역을 더욱 확실하게 형성하는 관점에서는, 예를 들어 0㎫ 이상, 바람직하게는 1㎫ 이상으로 하는 것이 기재되어 있으며, 또한, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0㎫이어도, 접착 테이프 상에 배치된 부재의 자중에 의해, 접착 테이프에 소정의 압력이 가해져도 되는 것이 기재되어 있다. WO2008/023452A1에서는, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0㎫이어도 되는 것은 기재되어 있지만, 0㎫를 초과하는 압력을 부여한 경우와 0㎫로 한 경우의 효과의 차이에 대해서는, 전혀 기재되어 있지 않다. 또한, WO2008/023452A1에서는, 필름상이 아니라, 페이스트상의 도전 페이스트를 사용하는 것의 중요성에 대해서도 전혀 인식되어 있지 않다.

또한, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하면, 도전 페이스트의 도포량에 의해 접속부 및 땜납부의 두께를 조정하는 것이 용이해진다. 한편, 도전 필름에서는, 접속부의 두께를 변경하거나, 조정하거나 하기 위해서는, 상이한 두께의 도전 필름을 준비하거나, 소정의 두께의 도전 필름을 준비하거나 해야 한다는 문제가 있다. 또한, 도전 필름에서는, 도전 페이스트에 비하여, 땜납의 용융 온도에서, 도전 필름의 용융 점도를 충분히 내릴 수 없어, 땜납의 응집이 저해되기 쉬운 경향이 있다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.

도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는, 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 접속부(4)의 재료는 상술한 도전 재료이다. 본 실시 형태에서는, 도전 재료는 도전성 입자로서, 땜납 입자를 포함한다.

접속부(4)는, 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합한 땜납부(4A)와, 열 경화성 성분이 열 경화된 경화물부(4B)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 땜납부(4A)를 형성하기 위하여, 도전성 입자로서 땜납 입자를 사용하고 있다. 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 모두가, 땜납에 의해 형성되어 있다.

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에, 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에, 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에 땜납이 존재하고 있어도 된다.

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에, 복수의 땜납 입자가 모이고, 복수의 땜납 입자가 용융된 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면을 번진 후에 고화되어, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이로 인해, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접속 면적이 커진다. 즉, 땜납 입자를 사용함으로써, 도전부의 외표면 부분이 니켈, 금 또는 구리 등의 금속인 도전성 입자를 사용한 경우와 비교하여, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다. 또한, 도전 재료는 플럭스를 포함하고 있어도 된다. 플럭스를 사용한 경우에는 가열에 의해 일반적으로 플럭스는 점차 실활된다.

또한, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A) 모두가, 제1, 제2 전극(2a, 3a) 사이의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있다. 도 3에 도시하는 변형예의 접속 구조체(1X)는, 접속부(4X)만이, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)와 상이하다. 접속부(4X)는, 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대부분이, 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있으며, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있어도 된다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있는 땜납부(4XA)는, 땜납부(4XA)의 일부이며, 땜납부(4XA)로부터 이격된 땜납이 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부로부터 이격된 땜납의 양을 적게 할 수 있지만, 땜납부로부터 이격된 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있어도 된다.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 접속 구조체(1, 1X)에서는, 제1 전극(2a)과 접속부(4, 4X)와 제2 전극(3a)의 적층 방향으로 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분의 면적 100％ 중의 50％ 이상(보다 바람직하게는 60％ 이상, 더욱 바람직하게는 70％ 이상, 특히 바람직하게는 80％ 이상, 특히 바람직하게는 90％ 이상)으로, 접속부(4, 4X) 중의 땜납부(4A, 4XA)가 배치되어 있는 것이 바람직하다.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100％ 중의 50％ 이상(보다 바람직하게는 60％ 이상, 더욱 바람직하게는 70％ 이상, 특히 바람직하게는 80％ 이상, 특히 바람직하게는 90％ 이상)으로, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 것이 바람직하다.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향과 직교하는 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분에, 상기 접속부 중의 땜납부의 70％ 이상(보다 바람직하게는 80％ 이상, 더욱 바람직하게는 90％ 이상, 특히 바람직하게는 95％ 이상, 특히 바람직하게는 99％ 이상)이 배치되어 있는 것이 바람직하다.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상에, 열 경화성 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)를 포함하는 도전 재료(11)를 배치한다(제1 공정). 사용한 도전 재료는, 열 경화성 성분(11B)으로서, 열 경화성 화합물과 티올 경화제와 아민 경화제를 포함한다.

제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 형성된 표면 상에, 도전 재료(11)를 배치한다. 도전 재료(11)의 배치 후에, 땜납 입자(11A)는 제1 전극(2a)(라인) 상과, 제1 전극(2a)이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스) 상의 양쪽에 배치되어 있다.

도전 재료(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 위의 도전 재료(11)에 있어서, 도전 재료(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 상에, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 재료(11)의 표면 상에, 제2 전극(3a)측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.

이어서, 땜납 입자(11A)의 융점 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다(제3 공정). 바람직하게는, 열 경화성 성분(11B)(결합제)의 경화 온도 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 존재하고 있던 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인다(자기 응집 효과). 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한 경우에는, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융되어, 서로 접합한다. 또한, 열 경화성 성분(11B)은 열 경화된다. 이 결과, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를, 도전 재료(11)에 의해 형성한다. 도전 재료(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합됨으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열 경화성 성분(11B)이 열 경화됨으로써 경화물부(4B)가 형성된다.

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에 있어서, 가압을 행하지 않는 편이 바람직하다. 이 경우에는, 도전 재료(11)에는, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이로 인해, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)와 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 하나에 있어서, 가압을 행하면, 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이려는 작용이 저해되는 경향이 높아진다.

단, 제1 전극과 제2 전극의 간격을 확보할 수 있으면, 가압을 행해도 된다. 전극 사이의 간격을 확보하는 수단으로서, 예를 들어 원하는 전극 사이의 간격에 상당하는 절연성 입자(스페이서)를 첨가하고, 적어도 1개, 바람직하게는 3개 이상의 절연성 입자가 전극 사이에 배치되게 하면 된다.

또한, 본 실시 형태에서는, 가압을 행하고 있지 않기 때문에, 도전 재료를 도포한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과). 이것은, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 사이에 자기 응집한 용융된 땜납이, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 사이의 땜납과 도전 재료의 그 밖의 성분이 접하는 면적이 최소가 되는 편이 에너지적으로 안정되기 때문에, 그 최소 면적이 되는 접속 구조인 얼라인먼트였던 접속 구조로 하는 힘이 작용하기 때문이다. 이때, 도전 재료가 경화되어 있지 않은 것, 및 그 온도, 시간에서 도전 재료의 도전성 입자 이외의 성분의 점도가 충분히 낮은 것이 바람직하다.

이와 같이 하여, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속하여 행하여져도 된다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 재료(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부로 이동시켜, 상기 제3 공정을 행해도 된다. 상기 가열을 행하기 위하여, 가열 부재 상에 상기 적층체를 배치해도 되고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치해도 된다.

상기 제3 공정에서의 상기 가열 온도는, 바람직하게는 140℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.

또한, 상기 제1 가열 공정 후 또는 상기 제2 가열 공정 후에, 위치의 수정이나 제조의 재시행을 목적으로 하여, 제1 접속 대상 부재 또는 제2 접속 대상 부재를, 접속부로부터 박리할 수 있다. 이 박리를 행하기 위한 가열 온도는, 바람직하게는 땜납의 융점 이상, 보다 바람직하게는 땜납의 융점(℃)+10℃ 이상이다. 이 박리를 행하기 위한 가열 온도는, 땜납의 융점(℃)+100℃ 이하여도 된다.

상기 제3 공정에서의 가열 방법으로서는, 땜납의 융점 이상 및 열 경화성 화합물의 경화 온도 이상으로, 접속 구조체 전체를, 리플로우로를 사용하여 또는 오븐을 사용하여 가열하는 방법이나, 접속 구조체의 접속부만을 국소적으로 가열하는 방법을 들 수 있다.

국소적으로 가열하는 방법에 사용하는 기구로서는, 핫 플레이트, 열풍을 부여하는 히트 건, 땜납 인두 및 적외선 히터 등을 들 수 있다.

또한, 핫 플레이트에서 국소적으로 가열할 때, 접속부 바로 아래는 열 전도성이 높은 금속으로, 그 밖의 가열하는 것이 바람직하지 않은 개소는 불소 수지 등의 열 전도성이 낮은 재질로, 핫 플레이트 상면을 형성하는 것이 바람직하다.

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 반도체 패키지, LED 칩, LED 패키지, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품 및 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 중 적어도 한 쪽이 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은 유연성이 높고, 비교적 경량이라는 성질을 갖는다. 이러한 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는, 땜납이 전극 상에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 반하여, 도전 페이스트를 사용함으로써 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다고 해도, 땜납을 전극 상에 효율적으로 모음으로써, 전극 사이의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우에 비하여, 가압을 행하지 않는 것에 의한 전극 사이의 도통 신뢰성의 향상 효과가 보다 한층 효과적으로 얻어진다.

상기 접속 대상 부재에 형성되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도프된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도프된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.

중합체 A:

(1) 비스페놀 F와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 제1 반응물의 합성:

비스페놀 F(4,4'-메틸렌비스페놀과 2,4'-메틸렌비스페놀과 2,2'-메틸렌비스페놀을 중량비로 2:3:1로 포함함) 72중량부, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 270중량부 및 비스페놀 F형 에폭시 수지(DIC사제 「에피클론(EPICLON) EXA-830CRP」) 30중량부를, 삼구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 100℃에서 용해시켰다. 그 후, 수산기와 에폭시기와의 부가 반응 촉매인 테트라-n-부틸술포늄브로마이드 0.1중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 130℃에서 6시간, 부가 중합 반응시킴으로써 제1 반응물을 얻었다.

NMR에 의해, 부가 중합 반응이 진행된 것을 확인하고, 제1 반응물이, 비스페놀 F에서 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 가지며, 또한 에폭시기를 양 말단에 갖는 것을 확인했다.

(2) 중합체 A의 합성

상기 제1 반응물 100중량부를, 삼구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 120℃에서 용해시켰다. 그 후, 신에쯔 실리콘사제 「KBE-9007」(3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란) 2중량부를 첨가하고, 제1 반응물의 측쇄 수산기와 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 이소시아네이트기의 반응 촉매인 디라우르산디부틸주석 0.002중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 120℃에서 4시간 반응시켰다. 그 후, 110℃에서 5시간 진공 건조하여, 미반응의 KBE-9007을 제거했다.

NMR에 의해, 제1 반응물의 측쇄 수산기와, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 이소시아네이트기의 반응이 진행된 것을 확인하고, 얻어진 화합물이, 비스페놀 F에서 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 가지며, 또한 양 말단에 에폭시기를, 측쇄에 프로필트리에톡시실란기를 갖는 것을 확인했다. 이에 의해 페녹시 수지(중합체 A)를 얻었다.

열 경화성 화합물 1: 레조르시놀형 에폭시 화합물, 교에이샤 가가꾸사제 「에폴라이트 TDC-LC」, 에폭시 당량 120g/eq

열 경화성 화합물 2: 에폭시 화합물, 아데카(ADEKA)사제 「EP-3300」, 에폭시 당량 160g/eq

열 경화성 화합물 3: 에폭시 화합물, 닛산 가가꾸 고교사제 「TEPIC-SS」, 에폭시 당량 100g/eq

열 경화성 화합물 4: 에폭시 화합물, 닛산 가가꾸 고교사제 「TEPIC-VL」, 에폭시 당량 135g/eq

열 경화제 1: 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), SC 유끼 가가꾸사제 「TMMP」

열 경화제 2: 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트, SC 유끼 가가꾸사제 「PEMP」

열 경화제 3: 디펜타에리트리톨헥사키스-3-머캅토프로피오네이트, SC 유끼 가가꾸사제 「DPMP」

잠재성 에폭시 열 경화제 1: T&K TOKA사제 「후지 큐어 7000」

잠재성 에폭시 열 경화제 2: 아사히 가세이 이머티리얼즈사제 「HXA-3922HP」

잠재성 에폭시 열 경화제 3: 폴리옥시프로필렌디아민, 헌츠맨·코포레이션사제 「제파민 D-230」

잠재성 에폭시 열 경화제 4: 폴리옥시프로필렌트리아민, 헌츠맨·코포레이션사제 「제파민 T-403」

플럭스 1: 글루타르산, 와코 쥰야쿠 고교사제, 융점 96℃

절연성 입자: 평균 입자 직경 30㎛, CV값 5％, 연화점 330℃, 세키스이가가쿠 고교사제, 디비닐벤젠 가교 입자

땜납 입자 A(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미쓰이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입경(메디안 직경 5㎛))

땜납 입자 1 내지 3:

땜납 입자 1의 제작 방법:

SnBi 땜납 입자(미쓰이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입경(메디안 직경) 5㎛)와, 글루타르산(2개의 카르복실기를 갖는 화합물, 와코 쥰야쿠 고교사제 「글루타르산」)을, 촉매인 p-톨루엔술폰산을 사용하여, 톨루엔 용매 중 90℃에서 탈수하면서 8시간 교반함으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자 1을 얻었다.

땜납 표면에 형성된 중합체의 분자량에 관해서는, 0.1N의 염산을 사용하여, 땜납을 용해 후, 중합체를 여과에 의해 회수하고, GPC에 의해 중량 평균 분자량을 구했다.

얻어진 땜납 입자 1에서는, CV값 20％, 표면을 구성하고 있는 중합체의 분자량 Mw=2000이었다.

땜납 입자 2의 제작 방법:

SnBi 땜납 입자(미쓰이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입경(메디안 직경) 5㎛) 200g, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제(신에쯔 가가꾸 고교사제 「KBE-9007」) 10g과, 아세톤 70g을 삼구 플라스크에 칭량했다. 실온에서 교반하면서, 땜납 입자 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매인 디부틸주석라우레이트 0.25g을 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서 100℃에서 2시간 가열했다. 그 후, 메탄올을 50g 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서, 60℃에서 1시간 가열했다.

그 후, 실온까지 냉각하고, 여과지로 땜납 입자를 여과하고, 진공 건조로, 실온에서 1시간 탈용제를 행했다.

상기 땜납 입자를, 삼구 플라스크에 넣고, 아세톤 70g, 아디프산모노에틸30g, 에스테르 교환 반응 촉매인 모노부틸주석옥사이드 0.5g을 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서 60℃에서 1시간 반응시켰다.

이에 의해, 실란 커플링제 유래의 실라놀기에 대하여, 아디프산모노에틸의 에스테르기를 에스테르 교환 반응에 의해 반응시켜, 공유 결합시켰다.

그 후, 아디프산을 10g 추가하고, 60℃에서 1시간 반응시킴으로써, 아디프산모노에틸의 실라놀기와 반응하고 있지 않은 잔여 에틸에스테르기에 대하여, 아디프산을 부가시켰다.

그 후, 실온까지 냉각하고, 여과지로 땜납 입자를 여과하고, 여과지 상에서 헥산으로 땜납 입자를 세정하고, 미반응 및 땜납 입자의 표면에 비공유 결합으로 부착되어 있는, 잔여 아디프산모노에틸, 아디프산을 제거한 뒤, 진공 건조로, 실온에서 1시간 탈용제를 행했다.

얻어진 땜납 입자를 볼 밀로 해쇄한 후, 소정의 CV값이 되도록 체를 선택했다.

이에 의해, 땜납 입자 2를 얻었다. 얻어진 땜납 입자 2에서는, CV값 20％, 표면을 구성하고 있는 중합체의 분자량 Mw=9800이었다.

땜납 입자 3의 제작 방법:

상기 땜납 입자 2를 얻는 공정에서, 아디프산모노에틸을 글루타르산모노에틸로 변경하고, 아디프산을 글루타르산으로 변경한 것 이외는 마찬가지로 하여, 땜납 입자 3을 얻었다.

얻어진 땜납 입자 3에서는, CV값 20％, 표면을 구성하고 있는 중합체의 분자량 Mw=9600이었다.

(땜납 입자의 CV값)

CV값을, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(호리바 세이사쿠쇼사제 「LA-920」)로 측정했다.

(실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 2)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제작

하기의 표 1, 2에 나타내는 성분을 하기의 표 1, 2에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.

하기의 표 1, 2에 나타내는 종류의 접속 구조체를 하기와 같이 하여 제작했다.

(2) 접속 구조체(L/S=40㎛/40㎛)의 제작

L/S가 40㎛/40㎛, 전극 길이 3㎜의 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판, 두께 0.6㎜)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 40㎛/40㎛, 전극 길이 3㎜의 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(폴리이미드에 의해 형성되어 있는, 제2 접속 대상 부재, 두께 0.1㎜)을 준비했다.

유리 에폭시 기판과 플렉시블 프린트 기판의 중첩 면적은 1.5㎝×3㎜로 하고, 접속한 전극수는 75쌍으로 했다.

상기 유리 에폭시 기판의 상면에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를, 유리 에폭시 기판의 전극 상에서 두께 100㎛가 되도록, 도공하고, 이방성 도전 페이스트층을 형성했다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층의 상면에 상기 플렉시블 프린트 기판을 전극끼리 대향하도록 적층했다. 이때, 가압을 행하지 않았다. 이방성 도전 페이스트층에는, 상기 플렉시블 프린트 기판의 중량은 가해진다.

그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가, 승온 개시부터 5초 후에 139℃(땜납의 융점)가 되도록 가열했다. 또한, 승온 개시부터 15초 후에, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 160℃가 되도록 가열하고, 이방성 도전 페이스트를 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.

(평가)

(1) 점도

이방성 도전 페이스트의 25℃에서의 점도(η25)를, E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」)를 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정했다.

(2) 땜납부의 두께

얻어진 접속 구조체를 단면 관찰함으로써, 상하의 전극 사이에 위치하고 있는 땜납부의 두께를 평가했다.

(3) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100％ 중의, 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 면적의 비율 X를 평가했다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1을 하기의 기준으로 판정했다.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1의 판정 기준]

○○: 비율 X가 70％ 이상

○: 비율 X가 60％ 이상, 70％ 미만

△: 비율 X가 50％ 이상, 60％ 미만

×: 비율 X가 50％ 미만

(4) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향과 직교하는 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 접속부 중의 땜납부 100％ 중, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분에 배치되어 있는 접속부 중의 땜납부의 비율 Y를 평가했다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2를 하기의 기준으로 판정했다.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2의 판정 기준]

○○: 비율 Y가 99％ 이상

○: 비율 Y가 90％ 이상, 99％ 미만

△: 비율 Y가 70％ 이상, 90％ 미만

×: 비율 Y가 70％ 미만

(5) 상하의 전극 사이의 도통 신뢰성

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 상하의 전극 사이의 1접속 개소당 접속 저항을 각각 4단자법에 의해 측정했다. 접속 저항의 평균값을 산출했다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다.

[도통 신뢰성의 판정 기준]

○○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ 이하

○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ를 초과하고, 70mΩ 이하

△: 접속 저항의 평균값이 70mΩ를 초과하고, 100mΩ 이하

×: 접속 저항의 평균값이 100mΩ를 초과하거나, 또는 접속 불량이 발생하고 있다

(6) 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 절연 신뢰성

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 85℃, 습도 85％의 분위기 중에 100시간 방치 후, 가로 방향에 인접하는 전극 사이에 15V를 인가하고, 저항값을 25개소에서 측정했다. 절연 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다.

[절연 신뢰성의 판정 기준]

○○○: 접속 저항의 평균값이 10¹⁴Ω 이상

○○: 접속 저항의 평균값이 10⁸Ω 이상, 10¹⁴Ω 미만

○: 접속 저항의 평균값이 10⁶Ω 이상, 10⁸Ω 미만

△: 접속 저항의 평균값이 10⁵Ω 이상, 10⁶Ω 미만

×: 접속 저항의 평균값이 10⁵Ω 미만

(7) 상하의 전극 사이의 위치 어긋남

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극의 중심선과 제2 전극의 중심선이 정렬되어 있는지의 여부 및 위치 어긋남의 거리를 평가했다. 상하의 전극 사이의 위치 어긋남을 하기의 기준으로 판정했다.

[상하의 전극 사이의 위치 어긋남의 판정 기준]

○○: 위치 어긋남이 15㎛ 미만

○: 위치 어긋남이 15㎛ 이상, 25㎛ 미만

△: 위치 어긋남이 25㎛ 이상, 40㎛ 미만

×: 위치 어긋남이 40㎛ 이상

(8) 내열성(내열 황변성)

하기 표 1, 2에 나타내는 배합 성분에 있어서, 도전 페이스트 중의 땜납 입자를 제외한 성분을 배합한 배합물을 준비하고, 두께 0.6㎜의 경화물의 시트를 제작했다. 150℃, 1000시간 폭로 후, 측정 파장 400㎚의 투과율을 측정함으로써, 내열성(내열 황변성)을 평가했다. 내열성을 하기의 기준으로 판정했다.

[내열성의 판정 기준]

○○: 투과율이 90％ 이상

○: 투과율이 80％ 이상, 90％ 미만

△: 투과율이 70％ 이상, 80％ 미만

×: 투과율이 70％ 미만

결과를 다음의 표 1, 2에 나타낸다.

플렉시블 프린트 기판으로 바꾸고, 수지 필름, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판을 사용한 경우에도, 마찬가지의 경향이 보였다.

1, 1X…접속 구조체
2…제1 접속 대상 부재
2a…제1 전극
3…제2 접속 대상 부재
3a…제2 전극
4, 4X…접속부
4A, 4XA…땜납부
4B, 4XB…경화물부
11…도전 페이스트
11A…땜납 입자(도전성 입자)
11B…열 경화성 성분
21…도전성 입자(땜납 입자)
31…도전성 입자
32…기재 입자
33…도전부(땜납을 갖는 도전부)
33A…제2 도전부
33B…땜납부
41…도전성 입자
42…땜납부

Claims (10)

1. 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와,
   열 경화성 화합물과,
   티올 경화제와,
   아민 경화제를 포함하는, 도전 재료.
2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 입자는 땜납 입자인, 도전 재료.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 외표면에 카르복실기가 존재하는, 도전 재료.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열 경화성 화합물이 트리아진 골격을 갖는 열 경화성 화합물을 포함하는, 도전 재료.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 티올 경화제와 상기 아민 경화제의 중량비가 2:1 내지 50:1인, 도전 재료.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 입자의 표면에 부착되어 있지 않은 절연성 입자를 포함하는, 도전 재료.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상, 40㎛ 이하인, 도전 재료.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 도전 재료 100중량％ 중 상기 도전성 입자의 함유량이 10중량％ 이상, 80중량％ 이하인, 도전 재료.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 25℃에서 액상이며, 도전 페이스트인, 도전 재료.
10. 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
    제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
    상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
    상기 접속부의 재료가, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 도전 재료이며,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.

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