KR20180009327A - Circular plane type evaporation source for micro OLED production, and Evaporation device having it - Google Patents

Circular plane type evaporation source for micro OLED production, and Evaporation device having it Download PDF

Info

Publication number
KR20180009327A
KR20180009327A KR1020170091225A KR20170091225A KR20180009327A KR 20180009327 A KR20180009327 A KR 20180009327A KR 1020170091225 A KR1020170091225 A KR 1020170091225A KR 20170091225 A KR20170091225 A KR 20170091225A KR 20180009327 A KR20180009327 A KR 20180009327A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circular
source
flat
organic
silicon wafer
Prior art date
Application number
KR1020170091225A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101988115B1 (en
Inventor
황창훈
진중 김
Original Assignee
황창훈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 황창훈 filed Critical 황창훈
Publication of KR20180009327A publication Critical patent/KR20180009327A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101988115B1 publication Critical patent/KR101988115B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • H01L51/0011—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

The present invention relates to a circular plane-type evaporation source for manufacturing micro OLED and a circular plane-type evaporation device having the same. According to the present invention, the circular plane-type evaporation source for manufacturing the micro OLED includes: a circular silicon wafer where an organic body will be deposited; a circular shadow mask which is arranged on a lower side of the circular silicon wafer and has a pattern of an opening through which the organic body passes; a circular plane-type evaporation source where an organic thin film is formed; and a heater which heats the circular plane-type evaporation source. The circular plane-type evaporation source has a size corresponding to the circular silicon wafer, is formed to be circular in shape, and has an organic thin film where the organic body is deposited evenly. The circular plane-type evaporation source can be realized any one of a flat circular plane-type evaporation source, a circular concave curved-type source, a circular concave step-type source, and a circular convex step-type source. The circular plane-type evaporation source for manufacturing the micro OLED of the present invention induces the plane evaporation at an angle which is relatively perpendicular as compared with the organic gas evaporated at a plane-type source of the existing plane-type evaporation device and forms a shadow-free micro organic thin film pattern. Further, in an ultra-high vacuum condition where little residual gas is present in a chamber due to focusing according to an edge effect, a micro pattern process can be performed with no shadow mask with respect to the organic gas evaporated at an edge of the circular plane-type evaporation source. Accordingly, the micro OLED device of high resolution can be manufactured at lower costs.

Description

마이크로 오엘이디 제조용 원형 면소스, 및 이를 구비한 원형 면소스 증착장치 {Circular plane type evaporation source for micro OLED production, and Evaporation device having it}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a circular surface source for manufacturing a micro-optical LED, and a circular surface source evaporation device having the same,

본 발명은 원형 면소스, 및 이를 구비한 원형 면소스 증착장치에 관한 것으로서, 유기물을 증발시켜 기판에 증착할 때 발생하는 섀도우 현상을 감소시켜서, 고해상도의 마이크로(micro) 유기소자의 제작을 가능하도록 하는 마이크로 오엘이디 제조용 원형 면소스, 및 이를 구비한 원형 면소스 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a circular surface source and a circular surface source deposition apparatus having the circular surface source, and more particularly, to a method of manufacturing a circular surface source deposition apparatus capable of manufacturing a high-resolution micro organic device by evaporating organic substances and reducing shadowing phenomenon And a circular surface source deposition apparatus having the circular surface source.

마이크로 OLED 디스플레이는 포스트 엘시디(Post LCD) 디스플레이로서 뿐만 아니라 고해상도 디스플레이용 자체 면발광 장치로서 그 에너지성과 시장성이 입증되어 세계적으로 각광받고 있다. 특히 최근 들어서, VR(virtual reality)시장이 커지면서, VR 제품에 사용되는 고해상도의 마이크로 OLED의 필요성도 부각되고 있고, 이로 인하여 OLED의 유기박막의 패턴을 더욱 미세하게 제조하는 기술이 필요하다.The micro OLED display is not only a post LCD display but also a self-surface light emitting device for a high-resolution display, and its energy and marketability have been proved worldwide. Recently, as the virtual reality (VR) market has increased, the need for a high-resolution micro OLED used in VR products has also been highlighted. Therefore, a technology for finer patterning of OLED organic thin films is needed.

실예로, 현재 스마트폰인 갤럭시6에 사용되는 유기박막소자의 고해상도는 400ppi(pixel per inch)이나, 장래에는 1000ppi 이상의 고해상도를 제조 목표로 하고 있으며, 마이크로 디스플레이에는 3000ppi 까지의 고해상도를 목표로 하고 있다. For example, the high resolution of organic thin film devices used in the current Galaxy 6 smart phone aims at 400 ppi (pixel per inch), but in the future it aims at high resolution of 1000 ppi or higher, and the microdisplay aims at high resolution up to 3000 ppi .

그러나, 현재 마이크로 OLED 발광 장치의 핵심 공정기술로, 유기물 발광 재료를 고진공 상태에서 기체로 증발하여 실리콘 웨이퍼(기판) 상에 유기물을 증착하는 열 증발 증착 공정(thermal evaporation deposition)이 주로 사용되고 있는데, 이러한 종래의 열 증발 증착 공정은 유기물 분사구가 점형 또는 선형으로 제작되어 대면적 OLED소자를 제작하는 데에 많은 시간이 소모되었고, 무엇보다도 점형 또는 선형의 분사구로부터 배출되는 유기물 기체의 방사 각도에 의해 웨이퍼에 증착된 패턴에 섀도우(Shadow)가 발생하여 600ppi 이상의 고해상도의 OLED의 제작에 한계가 있었다.However, thermal evaporation deposition (evaporation deposition) for evaporating an organic light emitting material into a gas in a high vacuum state and depositing an organic material on a silicon wafer (substrate) is mainly used as a key process technology of a micro OLED light emitting device. In the conventional thermal evaporation process, the organic ejection orifice is formed in a point shape or a linear shape, so that a large amount of time has been consumed to fabricate a large-area OLED device. In particular, the spinning angle of the organic material ejected from the ejection orifice Shadowing occurs in the deposited pattern, which limits the production of OLED with high resolution of 600 ppi or higher.

이를 극복하고자 최근에 개발된 면형으로 유기물을 증발시키는 면증발 증착기에 대한 특허(등록번호 : 1012061620000)인 하향식 열적 유도 증착에 의한 선형의 대면적 유기소자 양산장비에 따르면, 유기물 파우더 증발원으로부터 증발된 유기물을 평면형의 금속면에 1차 증착시키고, 평면형의 금속면이 다른 챔버로 이동하여 증착된 유기물을 면증발시켜 기판에 증착하는 방법이 소개되고 있다.In order to overcome this problem, according to a linear large-scale organic device mass production equipment by a top-down thermal induction deposition, which is a patent (registration number: 1012061620000) for a surface evaporation evaporator that evaporates organic matter in a recently developed planar shape organic material evaporated from an organic powder evaporation source Is deposited on a planar metal surface, and a planar metal surface is transferred to another chamber to evaporate the deposited organic substance to be deposited on the substrate.

하지만 사각형 또는 여러 형태의 면소스에서 원형의 실리콘 웨이퍼로 유기물을 증발시키는 것은 유기재료의 낭비를 초래할 뿐만 아니라, 챔버 내에 실리콘 웨이퍼에 증착되지 않은 잔류 유기물 기체 분자들이 많아진다는 단점이 있다. 이는 그 다음에 증발되는 유기물 기체 분자와 잔류 유기물 기체 분자가 충돌산란을 일으켜 유기물 기체들이 수직으로 실리콘 웨이퍼에 증착되는 것을 방해하는 요소가 되고, 그로 인하여 실리콘 웨이퍼 상에 불균일한 섀도우를 발생시키는 결과를 초래하게 된다However, evaporation of the organic material from a square or various types of surface sources into a circular silicon wafer causes waste of the organic material, and also disadvantageously increases residual organic gas molecules not deposited on the silicon wafer in the chamber. This is because the evaporated organic gas molecules and the residual organic gas molecules collide with each other to cause scattering of the organic gas molecules, which prevents the organic materials from being vertically deposited on the silicon wafer. As a result, uneven shadows are generated on the silicon wafer Cause

이에 본 출원인은 연구를 거듭하여 본 발명과 같이 섀도우 현상을 현저하게 줄이고 고해상도의 마이크로 OLED 소자의 대량생산 제조가 가능한 원형 면소스, 및 이를 구비한 원형 면소스 증착장치를 개발하게 된 것이다.Accordingly, the applicant of the present invention has repeatedly conducted research to develop a circular surface source capable of mass production of a high-resolution micro OLED device and a circular surface source deposition apparatus having the same, as well as the present invention.

한국등록특허 제10-1206162호Korean Patent No. 10-1206162

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 원형의 실리콘 웨이퍼에 알맞은 원형구조의 면소스 또는 곡면소스를 구성하여, 금속면의 유기물을 면증발시키면 면증발된 유기물 기체가 면소스의 중앙축으로 포커싱되어, 다른 형태의 평면소스에서 증발된 유기물 기체보다 상대적으로 수직에 가까운 증발각도를 유도하게 되고, 이로 인하여 섀도우 프리(Shadow-free)한 미세 유기박막 패턴을 제공하는 원형 면소스, 및 이를 구비한 원형 면소스 증착장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve such problems, and it is an object of the present invention to provide a surface source or a curved surface source of a circular structure suitable for a circular silicon wafer, Is focused on the center axis of the surface source to induce an evaporation angle that is closer to vertical than the organic material vapor evaporated from the other types of planar sources, thereby providing a shadow-free microorganic thin film pattern A circular face source, and a circular face source deposition apparatus having the same.

상술한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 마이크로 오엘이디 제조용 원형 면소스는,In order to solve the above-mentioned problems, a circular face source for manufacturing a micro-

원형 실리콘 웨이퍼에 대응되는 사이즈를 가지며,Having a size corresponding to a circular silicon wafer,

원형이고 유기물이 균일하게 증착되어 유기박막이 형성된 것을 특징으로 한다.And the organic thin film is formed by uniformly depositing the organic material.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스에서,Further, in the circular surface source according to the present invention,

상기 원형 면소스는, 평편한 원형의 금속재에 유기박막이 형성된 평편한 원형 면소스인 것을 특징으로 한다.The circular surface source is a flat circular surface source having an organic thin film formed on a plain circular metal material.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스에서,Further, in the circular surface source according to the present invention,

상기 원형 면소스는,Wherein the circular surface source comprises:

중앙부는 소정 곡률을 가진 오목한 곡면의 형태이며, 곡면의 가장자리에는 플랫 엣지면이 절곡되어 형성된 원형 오목 곡면소스이거나, 또는The center portion is a concave curved surface having a predetermined curvature, and the edge of the curved surface is a circular concave surface source formed by bending a flat edge surface, or

중앙부에는 오목한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측상부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 상부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 오목 계단면소스이거나, 또는A concave flat surface is formed in a central portion thereof, and an inclined surface is formed to extend toward an outer upper side of the flat surface along a border line of the flat surface, and at the end of the upper edge of the inclined surface is formed a circular concave step surface source Or

중앙부에는 볼록한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측하부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 하부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 볼록 계단면소스인 것을 특징으로 한다.A convex flat surface is formed in the center portion and a sloped surface is formed so as to extend in an outer lower direction of the flat surface along a border line of the flat surface and a flat convex stepped surface source .

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치는,Further, in the circular-surface-side source vapor deposition apparatus according to the present invention,

유기물이 증착될 원형 실리콘 웨이퍼;A circular silicon wafer on which organic materials are to be deposited;

상기 원형 실리콘 웨이퍼의 하부에 배치되며, 유기물이 관통되는 개구부가 패터닝되어 있는 원형 섀도우 마스크;A circular shadow mask disposed under the circular silicon wafer, the circular shadow mask patterned with an opening through which organic matter penetrates;

유기박막이 형성되어 있는 원형 면소스; 및A circular surface source having an organic thin film formed thereon; And

상기 원형 면소스를 가열하는 히터;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.And a heater for heating the circular surface source.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 원형 섀도우 마스크는 금속으로 제작되는 것을 특징으로 한다.The circular shadow mask is made of metal.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 원형 면소스 증착장치는,The circular-surface-side source vapor deposition apparatus includes:

상기 원형 섀도우 마스크와 상기 원형 실리콘 웨이퍼의 견고한 밀착을 위해 상기 원형 실리콘 웨이퍼의 상부에 배치되는 원형 판형 마그넷을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a circular plate magnet disposed on the circular silicon wafer for firm adhesion between the circular shadow mask and the circular silicon wafer.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 원형 면소스 증착장치는,The circular-surface-side source vapor deposition apparatus includes:

상기 원형 섀도우 마스크의 처짐 방지를 위해서 상기 원형 섀도우 마스크의 하부 가장자리에 배치되는 원형 마스크 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a circular mask frame disposed at a lower edge of the circular shadow mask for preventing sag of the circular shadow mask.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 원형 면소스 증착장치는,The circular-surface-side source vapor deposition apparatus includes:

내부측면에 원형의 계단틀이 적어도 한개 이상 형성되어 있는 원형 홀더를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a circular holder in which at least one circular staircase frame is formed on the inner side surface.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 원형 면소스는 상기 원형 실리콘 웨이퍼에 대응되는 사이즈를 가지며, 원형이고 유기물이 균일하게 증착되어 유기박막이 형성된 것을 특징으로 한다.The circular surface source has a size corresponding to the circular silicon wafer, is circular, and organic materials are uniformly deposited to form an organic thin film.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 원형 면소스는,Wherein the circular surface source comprises:

평편한 원형의 금속재에 유기박막이 형성된 평편한 원형 면소스이거나, 또는A flat circular surface source in which an organic thin film is formed on a flat circular metallic material, or

중앙부는 소정 곡률을 가진 오목한 곡면의 형태이며, 곡면의 가장자리에는 플랫 엣지면이 절곡되어 형성된 원형 오목 곡면소스이거나, 또는The center portion is a concave curved surface having a predetermined curvature, and the edge of the curved surface is a circular concave surface source formed by bending a flat edge surface, or

중앙부에는 오목한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측상부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 상부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 오목 계단면소스이거나, 또는A concave flat surface is formed in a central portion thereof, and an inclined surface is formed to extend toward an outer upper side of the flat surface along a border line of the flat surface, and at the end of the upper edge of the inclined surface is formed a circular concave step surface source Or

중앙부에는 볼록한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측하부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 하부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 볼록 계단면소스인 것을 특징으로 한다.A convex flat surface is formed in the center portion and a sloped surface is formed so as to extend in an outer lower direction of the flat surface along a border line of the flat surface and a flat convex stepped surface source .

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 히터는 적어도 한 개 이상의 가열선으로 이루어지며, The heater comprises at least one heating wire,

상기 원형 면소스의 하부에 배치되는 것을 특징으로 한다.And is disposed below the circular surface source.

또한, 본 발명에 따른 원형 면소스 증착장치에서,Further, in the circular face source deposition apparatus according to the present invention,

상기 원형 곡면소스의 가열온도는 50 ~ 300℃이고, The heating temperature of the circular curved surface source is 50 to 300 占 폚,

상기 원형 곡면소스에 증착된 유기박막의 두께는 100 ~ 10,000Å이며, The thickness of the organic thin film deposited on the circular curved surface source is 100 to 10,000 ANGSTROM,

상기 원형 곡면소스의 가열속도는 1 ~ 10℃/sec이고, The heating rate of the circular curved surface source is 1 to 10 DEG C / sec,

상기 원형 곡면소스와 상기 원형 실리콘 웨이퍼 사이의 거리는 10 ~ 300mm이며, 증착공정의 진공도는 10 ~ 10Torr인 것을 특징으로 하는 한다.The distance between the circular curved surface source and the circular silicon wafer is 10 to 300 mm, and the vacuum degree of the deposition process is 10 to 10 Torr.

본 발명에 따른 마이크로 오엘이디 제조용 원형 면소스, 및 이를 구비한 원형 면소스 증착장치를 사용함으로써, 종래의 면증발 증착기의 평면소스에서 증발된 유기물 기체보다 상대적으로 수직에 가까운 각도의 면증발을 유도하게 되며, 이로 인하여 섀도우 프리(Shadow-free)한 미세 유기박막 패턴을 형성하는 효과가 있다. By using the circular surface source for manufacturing micro-LED according to the present invention and the circular surface source vapor deposition apparatus having the same, it is possible to induce the surface evaporation at an angle closer to vertical than the organic substance vapor evaporated in the plane source of the conventional surface evaporation evaporator Thereby forming a shadow-free fine organic thin film pattern.

또한, 원형 면소스의 가장자리에서 증발된 유기물 기체는 엣지 효과로 인한 원형 면소스의 중심측으로의 포커싱으로 인하여 대부분 증착에 사용되게 되고 챔버 내에 잔류기체가 거의 없게 되며, 이와 같은 초고진공 분위기에서는 섀도우 마스크가 없어도 미세 패턴 공정이 가능하여, 보다 적은 공정 단가로 고해상도의 마이크로 OLED 소자 제작이 가능한 효과가 있다.In addition, the organic gas evaporated at the edge of the circular surface source is mostly used for deposition due to the focusing toward the center side of the circular surface source due to the edge effect, and there is almost no residual gas in the chamber. In such ultra- It is possible to manufacture a micro OLED device with a high resolution with a smaller process cost.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 원형 면소스 증착장치의 구조를 나타낸 도면.
도 2는 원형 실리콘 웨이퍼의 구조를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 따른 평편한 원형 곡면소스의 구조를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 원형 오목형 곡면소스의 구조를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 따른 원형 오목 계단면소스의 구조를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명에 따른 원형 볼록 계단면소스의 구조를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명에 사용되는 히터의 구조를 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a structure of a circular surface source deposition apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a diagram showing the structure of a circular silicon wafer;
3 shows a structure of a flat circular curved surface source according to the present invention;
4 shows a structure of a circular concave curved surface source according to the invention;
5 illustrates the structure of a circular concave stepped surface source in accordance with the present invention.
6 illustrates a structure of a circular convex stepwise source according to the present invention;
7 is a view showing a structure of a heater used in the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The present embodiments are provided to explain the present invention to a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 원형 면소스 증착장치의 구조를 나타낸 도면, 도 2는 원형 실리콘 웨이퍼의 구조를 나타낸 도면, 도 3은 본 발명에 따른 평편한 원형 곡면소스의 구조를 나타낸 도면, 도 4는 본 발명에 따른 원형 오목형 곡면소스의 구조를 나타낸 도면, 도 5는 본 발명에 따른 원형 오목 계단면소스의 구조를 나타낸 도면, 도 6은 본 발명에 따른 원형 볼록 계단면소스의 구조를 나타낸 도면, 도 7은 본 발명에 사용되는 히터의 구조를 나타낸 도면이다.
FIG. 1 shows a structure of a circular surface source deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 shows a structure of a circular silicon wafer, and FIG. 3 shows a structure of a flat circular arc source according to the present invention 5 is a view showing the structure of a circular concave stepwise source according to the present invention, and Fig. 6 is a cross-sectional view of a circular convex stepwise source according to the present invention. Fig. Fig. 7 is a view showing a structure of a heater used in the present invention. Fig.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로 오엘이디 제조용 원형 면소스 증착장치는, 유기물이 증착될 원형 실리콘 웨이퍼(10); 원형 실리콘 웨이퍼(10)의 하부에 배치되며, 유기물이 관통되는 개구부가 패터닝되어 있는 원형 섀도우 마스크(23); 유기박막(25)이 형성되어 있는 원형 면소스(30); 및 원형 면소스(30)의 하부에 배치되며, 원형 면소스(30)를 가열하는 히터(28);를 포함하여 구성된다.
As shown in FIG. 1, a circular surface source deposition apparatus for fabricating a micro-LED according to the present invention includes a circular silicon wafer 10 on which an organic material is to be deposited; A circular shadow mask 23 disposed at the lower portion of the circular silicon wafer 10 and having an opening through which organic matter is penetrated; A circular surface source 30 on which an organic thin film 25 is formed; And a heater 28 disposed below the circular surface source 30 and heating the circular surface source 30. [

원형 실리콘 웨이퍼(10)는 엣지부분에 약 3mm폭의 dead area(11)를 가지며, 다수개의 사각형 구조의 다이(Die)(12)가 형성되어 있다.
The circular silicon wafer 10 has a dead area 11 of about 3 mm in width at the edge portion and a die 12 having a plurality of rectangular structures is formed.

원형 섀도우 마스크(23)는 유기물이 관통하는 다수개의 오프닝 또는 개구부가 원형 실리콘 웨이퍼의 다이(12)에 대응되는 패턴을 이루도록 형성되어, 개구부를 통과한 유기물기체가 실리콘 웨이퍼의 다이부분에 증착되어 원하는 패턴의 유기박막 패턴이 웨이퍼상에 형성되도록 한다. 이때, 원형 섀도우 마스크는 금속으로 제작되나, 이에 한정되는 것이 아님은 명백하다.The circular shadow mask 23 is formed so that a plurality of openings or openings through which the organic material passes are in a pattern corresponding to the die 12 of the circular silicon wafer so that the organic gas passing through the openings is deposited on the die portion of the silicon wafer, So that an organic thin film pattern of the pattern is formed on the wafer. At this time, the circular shadow mask is made of metal, but it is obvious that it is not limited thereto.

또한, 미세조절이 가능한 비젼 얼라이너를 사용하여 섀도우 마스크와 실리콘 웨이퍼의 미세한 정렬이 가능함은 물론이다.
It goes without saying that the shadow mask and the silicon wafer can be finely aligned using a vision aligner capable of fine adjustment.

원형 판형 마그넷(21)은 원형 섀도우 마스크(23)와 원형 실리콘 웨이퍼(10)의 견고한 밀착을 위한 것으로, 자력을 가지고 있으며 원형 실리콘 웨이퍼(10) 상부에 배치된다. 원형 판형 마그넷(21)은 원형 섀도우 마스크와 원형 실리콘 웨이퍼(10)를 밀착시킴으로써 증착과정에서 패턴 박막의 섀도우 현상을 현저하게 줄여주는 역할을 한다.The circular plate magnet 21 has a magnetic force and is disposed on the circular silicon wafer 10 for firm adhesion between the circular shadow mask 23 and the circular silicon wafer 10. [ The circular plate magnet 21 closely contacts the circular silicon wafer 10 with the circular shadow mask, thereby significantly reducing the shadowing of the pattern thin film during the deposition process.

여기서, 원형 실리콘 웨이퍼(10)의 입출의 원활함을 위해서 원형 판형 마그넷(21)은 전류를 흘려주었을 때만 자력이 발생하는 전자석을 사용하는 것이 바람직하다.
Here, for smooth entry and exit of the circular silicon wafer 10, it is preferable that the circular plate-shaped magnet 21 use an electromagnet in which a magnetic force is generated only when current is applied.

원형 마스크 프레임(24)은 원형 섀도우 마스크(23)의 처짐 방지를 위한 것으로 원형 섀도우 마스크(23)의 하부 가장자리에 배치될 수 있다. 첨부된 도면의 실시예에 따르면 원형 마스크 프레임은 원형 테 모양이 바람직하나, 섀도우 마스크를 지지하는 내측부분만 원형이고, 전체적인 형태는 다양하게 변형될 수 있다.
The circular mask frame 24 may be disposed at the lower edge of the circular shadow mask 23 for preventing the circular shadow mask 23 from sagging. According to the embodiment of the accompanying drawings, the circular mask frame is preferably circular-shaped, but only the inner portion supporting the shadow mask is circular, and the overall shape can be variously modified.

원형 홀더(20)는 내부측면 테두리에 원형의 계단틀이 적어도 한개 이상 형성되어 있는 것으로, 원형 판형 마그넷(21), 원형 실리콘 웨이퍼(10), 원형 섀도우 마스크(23), 및 원형 마스크 프레임(24)을 측면에서 지지하는 역할을 한다.
The circular holder 20 has at least one circular staircase frame formed on its inner side edge and includes a circular plate magnet 21, a circular silicon wafer 10, a circular shadow mask 23, and a circular mask frame 24 ) From the side.

원형 면소스(30)는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 원형의 금속재 면에 유기물이 균일하게 증착되어 유기박막(25)을 형성하고 있는 것으로, 원형 실리콘 웨이퍼에 대응되도록 동일한 사이즈가 적절하나, 실시예에 따라 조금 작거나 조금 커질 수도 있다.1 and 3, an organic material is uniformly deposited on a circular metallic surface to form an organic thin film 25. The organic thin film 25 is formed of the same size as that of a circular silicon wafer But may be slightly smaller or slightly larger, depending on the embodiment.

이때, 원형 면소스(30)는 가열이 용이하고, 아웃개싱(Out-gassing)이 없는 순수 금속 재료(탄탈리움, 티타니움 등)를 사용하는 것이 바람직하다.At this time, the circular surface source 30 is preferably made of a pure metal material (tantalum, titanium, or the like) which is easy to be heated and has no out-gassing.

원형 면소스는 원형 실리콘 웨이퍼(10)에 유기물을 수직하게 증착시키므로 웨이퍼 패턴 박막의 섀도우 현상을 현저하게 줄일수 있게 된다. 이때, 원형 면소스(30)의 가장자리 부분은 엣지효과가 발생하여 유기물 기체들이 원형 면소스(30)의 중심 방향으로 포커싱되어 챔버 내에 잔류기체가 발생하지 않는다. 그로 인하여 동일한 작업을 반복시행하여도 잔류 유기물 기체와 새로이 증발된 유기물 기체의 충돌산란이 현저히 감소한다. 또한 유기물 기체의 수직 증착이 가능하므로 섀도우 마스크가 없이도 공정이 진행될 수 있고, 낭비되는 유기물의 양이 현저하게 감소하여 더 적은 단가의 공정이 가능하다.
Since the circular surface source deposits the organic material vertically on the circular silicon wafer 10, the shadow phenomenon of the wafer pattern thin film can be remarkably reduced. At this time, the edge effect of the circular surface source 30 is generated so that the organic substances are focused in the direction of the center of the circular surface source 30 and no residual gas is generated in the chamber. Therefore, even if the same operation is repeatedly performed, the collision scattering between the residual organic gas and the newly evaporated organic gas is significantly reduced. In addition, since the organic material gas can be vertically deposited, the process can be performed without using a shadow mask, and the amount of wasted organic matter can be remarkably reduced, enabling a lower cost.

또한, 원형 면소스(30)의 처짐을 방지하고, 지지하도록 원형 면소스(30)의 엣지면 하부 가장자리에 원형 면소스 프레임(27)을 배치할 수 있다.
It is also possible to arrange the circular surface source frame 27 at the edge edge lower edge of the circular surface source 30 to prevent sagging of the circular surface source 30 and to support it.

또한, 원형 면소스(30)의 다른 실시예로, 도 4에 도시된 바와 같은 원형 오목 곡면소스(70)의 형태를 가질 수 있다.In another embodiment of the circular surface source 30, it may have the shape of a circular concave surface source 70 as shown in FIG.

원형 오목 곡면소스(70)는 중앙부에는 소정 곡률을 가진 오목한 곡면(71)의 형태를 가지고 있으며, 곡면의 가장자리에는 일정한 폭의 플랫 엣지면(72)이 절곡되어 형성되어 있다.  The circular recessed curved surface source 70 has the shape of a concave curved surface 71 having a predetermined curvature at the center, and a flat edge surface 72 having a constant width is formed by bending at the edge of the curved surface.

여기서, 원형 오목 곡면소스의 유기박막(25)으로부터 유기물 기체가 수직한 방향으로 증발되는 효과를 갖기 위해서는 원형 오목 곡면소스의 오목 곡률은 곡면의 접선의 접점과 테두리가 이루는 각도가 소정 각도범위내, 예를들면 0~45도 각도 범위, 바람직하게는 1~15도 각도범위내이다. 물론, 이에 한정되는 것이 아니다.Here, in order to have the effect of evaporating the organic gas from the organic thin film 25 of the circular concave curved surface source in the vertical direction, the concave curvature of the circular concave curved surface source is set such that the angle formed by the tangent- For example, 0 to 45 degrees, preferably 1 to 15 degrees. Of course, it is not limited thereto.

또한, 원형 오목 곡면소스를 이루는 금속재 역시, 가열이 용이하고, 아웃개싱(Out-gassing)이 없는 순수 금속 재료(탄탈리움, 티타니움 등)를 사용하는 것이 바람직하다.
It is also preferable to use a pure metal material (tantalum, titanium or the like) which is easy to be heated and does not have out-gassing, as the metal material constituting the circular concave curved surface source.

또한, 원형 면소스(30)의 또 다른 실시예로, 도 5에 도시된 바와 같은 원형 오목 계단면소스(80)의 형태를 가질 수 있다.Further, as another embodiment of the circular surface source 30, it may have the shape of a circular concave stepwise surface source 80 as shown in FIG.

원형 오목 계단면소스(80)는 중앙부에는 오목한 플랫면(83)이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 일정 길이의 경사면(82)이 플랫면의 외측상부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 상부 테두리 끝에는 일정한 폭의 플랫 엣지면(81)이 외측으로 절곡되어 형성되어 있다.A concave flat surface 83 is formed at the center of the circular concave stepwise surface source 80. The inclined surface 82 having a predetermined length is formed to extend toward the upper side of the flat surface along the border line of the flat surface, A flat edge surface 81 having a constant width is bent outward.

이 또한, 경사면을 통해서 유기물 기체가 원형 오목 계단면소스(80)의 중심방향으로 포커싱되는 효과가 있으며, 그로 인하여 더욱 미세한 패턴 박막 형성이 가능하고, 섀도우 현상을 감소시킬 수 있다.This also has the effect that the organic material is focused in the direction of the center of the circular concave stepwise surface source 80 through the inclined surface, thereby forming a finer pattern thin film and reducing the shadow phenomenon.

여기서, 원형 오목 계단면소스로부터 유기물 기체가 수직한 방향으로 증발되기 위해서 경사면은 소정 각도를 갖도록 형성된다. 또한, 원형 오목 계단면소스 역시 가열이 용이하고, 아웃개싱(Out-gassing)이 없는 순수 금속 재료(탄탈리움, 티타니움 등)를 사용하는 것이 바람직하다.
Here, the inclined surface is formed to have a predetermined angle in order for the organic gas to evaporate in the vertical direction from the circular concave stepwise surface source. Also, it is preferable to use a pure metal material (tantalum, titanium, or the like) which is easy to be heated and does not have out-gassing.

또한, 원형 면소스(30)의 또 다른 실시예로, 도 6에 도시된 바와 같은 원형 볼록 계단면소스(90)의 형태를 가질 수 있다.Further, as another embodiment of the circular surface source 30, it may have the form of a circular convex stepwise surface source 90 as shown in FIG.

원형 볼록 계단면소스(90)는 중앙부에는 볼록한 플랫면(93)이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 일정 길이의 경사면(92)이 플랫면의 외측하부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 하부 테두리 끝에는 일정한 폭의 플랫 엣지면(91)이 외측으로 절곡되어 형성되어 있다.The circular convex stepwise surface source 90 is formed such that a convex flat surface 93 is formed at the center and an inclined surface 92 of a predetermined length is extended in the outer lower direction of the flat surface along the border line of the flat surface, A flat edge surface 91 having a constant width is bent outwardly.

원형 볼록 계단면소스(90)는 경사면을 통하여 외측으로 퍼지는 유기물 기체로 인하여, 원형 볼록 계단면소스(90)의 크기보다 큰 원형 실리콘 웨이퍼(10)에 유기물을 증착시킬 때 사용될 수 있다. 마찬가지로, 원형 볼록 계단면소스는 가열이 용이하고, 아웃개싱(Out-gassing)이 없는 순수 금속 재료(탄탈리움, 티타니움 등)를 사용하는 것이 바람직하다.
The circular convex stepwise surface source 90 may be used to deposit organic material on the circular silicon wafer 10 that is larger than the size of the circular convex stepwise surface source 90 due to the organic gas spreading outwardly through the inclined surface. Likewise, it is preferable to use a pure metal material (tantalum, titanium or the like) which is easy to be heated and has no out-gassing.

원형 면소스(30)와 마찬가지로, 원형 오목 곡면소스(70), 원형 오목 계단형소스(80) 및 원형 볼록 계단형소스(90)의 처짐을 방지하고, 지지하도록 각각의 플랫 엣지면(72, 81, 91) 하부에 원형 면소스 프레임을 배치할 수 있음은 물론이다.
As with the circular face source 30, it is possible to prevent sagging of the circular concave curved source 70, the circular concave stepped source 80 and the circular convex stepped source 90, 81, and 91, the circular surface source frame can be disposed.

원형 오목 곡면소스(70) 및 원형 오목 계단면소스(80)는 원형 면소스(30) 보다 소스 중심방향으로의 포커싱이 우수하므로 소스의 유기박막으로부터 증발되는 유기물 기체가 원형 면소스(30)보다 안정적으로 수직방향으로 증착되는 장점이 있다. 이와 같은 특징으로 인하여 더욱 미세한 패턴 박막 형성이 가능하고, 섀도우 현상을 더욱 감소시킬 수 있게 된다.The circular concave curved surface source 70 and the circular concave stepped surface source 80 are better in focusing toward the source center direction than the circular surface source 30 so that the organic gas evaporated from the organic thin film of the source There is an advantage of being deposited in a vertical direction stably. This feature makes it possible to form a finer pattern thin film and to further reduce the shadow phenomenon.

원형 오목 곡면소스(70), 원형 오목 계단형소스(80) 및 원형 볼록 계단형소스(90)에서의 유기물 기체분자들의 이동에 대해서 설명해 보도록 한다. 통상적으로 평평한 플랫면에서 발생한 유기물 기체는 수직으로 이동하지만, 곡면 및 경사면에서 발생한 유기물 기체는 곡면 및 경사면에 수직한 방향인 사선 방향으로 이동하게 된다. 이렇게 사선 방향으로 이동하는 유기물 기체는 플랫면에서 발생한 수직방향으로 이동하던 유기물 기체와 충돌이 일어나게 되면서 각각의 유기물 기체의 방향은 변화하게 되지만, 그로 인하여 두 유기물 기체는 초기에 출발한 사선방향과 수직방향의 중간 방향의 어느 각도로 이동하게 된다. 여기서, 수직방향으로 이동해 온 기체분자의 운동량이 사선방향으로 이동해 온 기체분자의 운동량보다 크기 때문에 두 기체분자 모두 수직방향에 가까운 각도로만 꺾여서 이동하므로, 섀도우가 발생할 확률은 극히 적다. 또한, 원형 볼록 계단형소스(90)의 경사면에서 출발한 유기물 기체분자의 경우 플랫 엣지면에서 수직방향으로 출발한 유기물 기체분자와의 충돌로 인하여 범위가 넓지만 거의 수직에 가까운 이동경로를 가지게 된다.The movement of the organic gas molecules in the circular concave curved source 70, the circular concave stepped source 80 and the circular convex stepped source 90 will be described. Generally, the organic gas generated on the flat flat surface moves vertically, but the organic gas generated on the curved surface and the inclined surface moves in the oblique direction perpendicular to the curved surface and the inclined surface. Thus, the direction of each organic gas changes as the organic gas moving in the oblique direction collides with the organic gas moving in the vertical direction generated on the flat surface. As a result, In the direction of the middle of the direction. Here, since the momentum of the gas molecules moved in the vertical direction is larger than the momentum of the gas molecules moved in the diagonal direction, the two gas molecules are bent only at an angle close to the vertical direction, so that the probability of occurrence of the shadow is extremely small. In addition, the organic gas molecules originating from the inclined surface of the circular convex stepwise source 90 have a wide range but have a nearly vertical movement path due to collision with the organic gas molecules starting in the vertical direction on the flat edge surface .

비록 본 발명에서는 원형 면소스의 실시예로, 평편한 원형 면소스, 원형 오목형 곡면소스, 원형 오목 계단면소스, 원형 볼록 계단면소스 만을 도시하였으나, 예시된 형상에 국한되는 것은 아님은 물론이다.Although only circular circular surface sources, circular concave curved surface sources, circular concave step surface sources, and circular convex stepwise surface sources are shown in the present invention as an example of a circular surface source, it is needless to say that the present invention is not limited to the illustrated shapes .

또한, 도 3 ~ 도 6의 원형 면소스에는 금속재 위에 형성된 유기박막(25)이 생략된 것임은 명백하다.
It is apparent that the organic thin film 25 formed on the metal material is omitted in the circular surface sources of Figs. 3 to 6.

히터(28)는 적어도 한 개 이상의 가열선으로 면형태를 이루도록 제조된 것으로, 히터는 원형 면소스(30)의 중심점을 기준으로 그 하부에 위치하며, 원형 면소스의 형상에 따라 변형될 수 있음은 물론이다. 히터(28)는 가열선에 전류를 인가하면 가열선에서 방출하는 적외선의 광자들이 원형 면소스의 금속재 하부면을 면단위로 가열하게 되고, 가열된 금속재의 열에너지가 유기박막에 전달되어 유기박막으로부터 유기물기체가 면증발하게 된다.The heater 28 is fabricated to have a surface shape with at least one heating wire, the heater being located below the center point of the circular surface source 30 and being deformable according to the shape of the circular surface source Of course. When the electric current is applied to the heating wire, the infrared rays of the infrared rays emitted from the heating wire heat the lower surface of the metal material of the circular surface source to the surface unit, and the heat energy of the heated metal material is transferred to the organic thin film The organic gas evaporates on the surface.

여기서, 도 7에 도시된 바와 같이 가열선이 지그재그형으로 연결되되, 전체적으로 연결된 하나의 가열선으로 형성되는 것이 바람직하지만, 이 외에도 다양한 가열선의 형태를 사용하여도 무방하다.Here, as shown in FIG. 7, it is preferable that the heating wires are formed by one heating wire connected in a zigzag fashion, but various heating wires may be used.

또한, 필요에 따라서 원형 면소스의 중앙부보다 가장자리부분에 더 많은 가열선을 형성하여 열적 균일도를 조절하는 것도 가능하다.It is also possible to adjust the thermal uniformity by forming more heating lines at the edge portion than the central portion of the circular surface source as necessary.

또한, 원형 오목형 곡면소스, 원형 오목 계단면소스, 원형 볼록 계단면소스와 같이 다양한 형태의 면소스에 맞추어 가열선의 배열 및 위치는 바뀔 수 있다. In addition, the arrangement and position of the heating lines can be varied to suit various types of surface sources, such as circular concave curved source, circular concave stepped surface source, and circular convex stepped surface source.

본 발명에 따른 마이크로 오엘이디 제조용 원형 곡면소스 증착장치는 챔버 내에 배치되어 운용된다. 이때, 여기에 사용되는 원형 곡면소스의 가열온도 범위는 50 ~ 300℃, 소스에 증착된 유기박막의 두께는 100 ~ 10,000Å, 원형 곡면소스의 가열속도는 1 ~ 10℃/sec이고, 원형 곡면소스와 원형 실리콘 웨이퍼 사이의 거리는 10 ~ 300mm이 바람직하며, 마이크로 오엘이디 제조용 원형 곡면소스 증착공정의 진공도는 10 ~ 10Torr에서 작동하는 것이 바람직하다.
A circular curved source deposition apparatus for manufacturing a micro-LED according to the present invention is disposed and operated in a chamber. At this time, the heating temperature range of the circular curved surface source used here is 50 to 300 ° C, the thickness of the organic thin film deposited on the source is 100 to 10,000 angstroms, the heating rate of the circular curved surface source is 1 to 10 ° C / sec, The distance between the source and the circular silicon wafer is preferably 10 to 300 mm, and the vacuum degree of the circular arc source deposition process for manufacturing the micro-LED is preferably operated at 10 to 10 Torr.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

10:원형 실리콘 웨이퍼 11:Dead area
12:다이(Die)
20:원형 홀더 21:원형 판형 마그넷
23:원형 섀도우 마스크 24:원형 마스크 프레임
25:유기박막 27:원형 면소스 프레임
28:히터 30:원형 면소스
70:원형 오목형 곡면소스 71:오목곡면
72:원형 오목형 곡면소스의 플랫 엣지면
80:원형 오목 계단면소스
81:원형 오목 계단면소스의 플랫 엣지면
82:원형 오목 계단면소스의 경사면
83:오목 플랫면
90:원형 볼록 계단면소스
91:원형 볼록 계단면소스의 플랫 엣지면
92:원형 볼록 계단면소스의 경사면
93:볼록 플랫면10: Circular silicon wafer 11: Dead area
12: Die
20: Circular holder 21: Circular plate magnet
23: Circular shadow mask 24: Circular mask frame
25: Organic thin film 27: Circular surface source frame
28: Heater 30: Circular surface source
70: Circular concave surface source 71: Concave surface
72: Flat edge surface of circular concave surface source
80: Circular concave staircase sauce
81: Flat edge face of circular concave stepped surface source
82: Slope of circular concave stepped surface source
83: concave flat surface
90: Round convex staircase surface sauce
91: Flat edge face of circular convex stepwise face source
92: Slope of circular convex stepped surface source
93: convex flat face

Claims (12)

원형 실리콘 웨이퍼에 대응되는 사이즈를 가지며,
원형이고 유기물이 균일하게 증착되어 유기박막이 형성된 것을 특징으로 하는 원형 면소스.
Having a size corresponding to a circular silicon wafer,
And the organic thin film is formed by uniformly depositing the organic material.
제 1항에 있어서,
상기 원형 면소스는,
평편한 원형의 금속재에 유기박막이 형성된 평편한 원형 면소스인 것을 특징으로 하는 원형 면소스.
The method according to claim 1,
Wherein the circular surface source comprises:
Characterized in that the circular surface source is a flat circular surface source having an organic thin film formed on a flat circular metallic material.
제 1항에 있어서,
상기 원형 면소스는,
중앙부는 소정 곡률을 가진 오목한 곡면의 형태이며, 곡면의 가장자리에는 플랫 엣지면이 절곡되어 형성된 원형 오목 곡면소스이거나, 또는
중앙부에는 오목한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측상부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 상부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 오목 계단면소스이거나, 또는
중앙부에는 볼록한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측하부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 하부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 볼록 계단면소스인 것을 특징으로 하는 원형 면소스.
The method according to claim 1,
Wherein the circular surface source comprises:
The center portion is a concave curved surface having a predetermined curvature, and the edge of the curved surface is a circular concave surface source formed by bending a flat edge surface, or
A concave flat surface is formed in a central portion thereof, and an inclined surface is formed to extend toward an outer upper side of the flat surface along a border line of the flat surface, and at the end of the upper edge of the inclined surface is formed a circular concave step surface source Or
A convex flat surface is formed in the center portion and a sloped surface is formed so as to extend in an outer lower direction of the flat surface along a border line of the flat surface and a flat convex stepped surface source And a circular surface source.
유기물이 증착될 원형 실리콘 웨이퍼;
상기 원형 실리콘 웨이퍼의 하부에 배치되며, 유기물이 관통되는 개구부가 패터닝되어 있는 원형 섀도우 마스크;
유기박막이 형성되어 있는 원형 면소스; 및
상기 원형 면소스를 가열하는 히터;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
A circular silicon wafer on which organic materials are to be deposited;
A circular shadow mask disposed under the circular silicon wafer, the circular shadow mask patterned with an opening through which organic matter penetrates;
A circular surface source having an organic thin film formed thereon; And
And a heater for heating the circular surface source.
제 4항에 있어서,
상기 원형 섀도우 마스크는 금속으로 제작되는 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the circular shadow mask is made of metal.
제 4항에 있어서,
상기 원형 면소스 증착장치는,
상기 원형 섀도우 마스크와 상기 원형 실리콘 웨이퍼의 견고한 밀착을 위해 상기 원형 실리콘 웨이퍼의 상부에 배치되는 원형 판형 마그넷을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
5. The method of claim 4,
The circular-surface-side source vapor deposition apparatus includes:
Further comprising a circular plate magnet disposed on the circular silicon wafer for firm adhesion between the circular shadow mask and the circular silicon wafer.
제 4항에 있어서,
상기 원형 면소스 증착장치는,
상기 원형 섀도우 마스크의 처짐 방지를 위해서 상기 원형 섀도우 마스크의 하부 가장자리에 배치되는 원형 마스크 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
5. The method of claim 4,
The circular-surface-side source vapor deposition apparatus includes:
Further comprising a circular mask frame disposed at a lower edge of the circular shadow mask for preventing sag of the circular shadow mask.
제 4항에 있어서,
상기 원형 면소스 증착장치는,
내부측면에 원형의 계단틀이 적어도 한개 이상 형성되어 있는 원형 홀더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
5. The method of claim 4,
The circular-surface-side source vapor deposition apparatus includes:
Further comprising a circular holder having at least one circular staircase frame formed on an inner side thereof.
제 4항에 있어서,
상기 원형 면소스는 상기 원형 실리콘 웨이퍼에 대응되는 사이즈를 가지며, 원형이고 유기물이 균일하게 증착되어 유기박막이 형성된 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the circular surface source has a size corresponding to that of the circular silicon wafer and is circular, and organic materials are uniformly deposited to form an organic thin film.
제 9항에 있어서,
상기 원형 면소스는,
평편한 원형의 금속재에 유기박막이 형성된 평편한 원형 면소스이거나, 또는
중앙부는 소정 곡률을 가진 오목한 곡면의 형태이며, 곡면의 가장자리에는 플랫 엣지면이 절곡되어 형성된 원형 오목 곡면소스이거나, 또는
중앙부에는 오목한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측상부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 상부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 오목 계단면소스이거나, 또는
중앙부에는 볼록한 플랫면이 형성되고, 플랫면의 테두리 경계선을 따라서 경사면이 플랫면의 외측하부 방향으로 펼쳐지도록 형성되어 있으며, 경사면의 하부 테두리 끝에는 플랫 엣지면이 외측으로 절곡되어 형성된 원형 볼록 계단면소스인 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the circular surface source comprises:
A flat circular surface source in which an organic thin film is formed on a flat circular metallic material, or
The center portion is a concave curved surface having a predetermined curvature, and the edge of the curved surface is a circular concave surface source formed by bending a flat edge surface, or
A concave flat surface is formed in a central portion thereof, and an inclined surface is formed to extend toward an outer upper side of the flat surface along a border line of the flat surface, and at the end of the upper edge of the inclined surface is formed a circular concave step surface source Or
A convex flat surface is formed in the center portion and a sloped surface is formed so as to extend in an outer lower direction of the flat surface along a border line of the flat surface and a flat convex stepped surface source And wherein the substrate is a circular surface source.
제 4항에 있어서,
상기 히터는 적어도 한 개 이상의 가열선으로 이루어지며,
상기 원형 면소스의 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.
5. The method of claim 4,
The heater comprises at least one heating wire,
Wherein the circular surface source is disposed below the circular surface source.
제 4항에 있어서,
상기 원형 곡면소스의 가열온도는 50 ~ 300℃이고,
상기 원형 곡면소스에 증착된 유기박막의 두께는 100 ~ 10,000Å이며,
상기 원형 곡면소스의 가열속도는 1 ~ 10℃/sec이고,
상기 원형 곡면소스와 상기 원형 실리콘 웨이퍼 사이의 거리는 10 ~ 300mm이며, 증착공정의 진공도는 10 ~ 10Torr인 것을 특징으로 하는 원형 면소스 증착장치.5. The method of claim 4,
The heating temperature of the circular curved surface source is 50 to 300 占 폚,
The thickness of the organic thin film deposited on the circular curved surface source is 100 to 10,000 ANGSTROM,
The heating rate of the circular curved surface source is 1 to 10 DEG C / sec,
Wherein the distance between the circular curved source and the circular silicon wafer is 10 to 300 mm and the vacuum degree of the deposition process is 10 to 10 Torr.
KR1020170091225A 2016-07-18 2017-07-18 Circular plane type evaporation source for micro OLED production, and Evaporation device having it KR101988115B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20160090455 2016-07-18
KR1020160090455 2016-07-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180009327A true KR20180009327A (en) 2018-01-26
KR101988115B1 KR101988115B1 (en) 2019-06-12

Family

ID=61025725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170091225A KR101988115B1 (en) 2016-07-18 2017-07-18 Circular plane type evaporation source for micro OLED production, and Evaporation device having it

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101988115B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102040594B1 (en) 2018-11-13 2019-11-06 케이맥(주) Device and method for inspecting micro OLED
WO2019212178A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 주식회사 티지오테크 Mother plate and method for producing mask
KR20200109874A (en) * 2019-03-15 2020-09-23 주식회사 올레드온 Multiple curved plane evaporation source for organic film deposition process of high resolution AMOLED device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080086349A (en) * 2007-03-22 2008-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Film formation apparatus, manufacturing apparatus, film formation method, and method for manufacturing a light-emitting device
KR101206162B1 (en) 2005-10-06 2012-11-29 황창훈 Thermal Induced Sublimation Technology with downward evaporation for large-sized OLED manufacturing
JP2013067845A (en) * 2011-09-26 2013-04-18 Nec Corp Device for heating deposition material, vapor deposition apparatus, vapor deposition method and substrate
JP2013239441A (en) * 2010-10-19 2013-11-28 Sharp Corp Vapor deposition device, vapor deposition method, and method for manufacturing organic electroluminescent display device
KR20170059333A (en) * 2015-11-20 2017-05-30 황창훈 Plane evaporation source and plane source evaporator deposition equipments for OLED device production

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101206162B1 (en) 2005-10-06 2012-11-29 황창훈 Thermal Induced Sublimation Technology with downward evaporation for large-sized OLED manufacturing
KR20080086349A (en) * 2007-03-22 2008-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Film formation apparatus, manufacturing apparatus, film formation method, and method for manufacturing a light-emitting device
JP2013239441A (en) * 2010-10-19 2013-11-28 Sharp Corp Vapor deposition device, vapor deposition method, and method for manufacturing organic electroluminescent display device
JP2013067845A (en) * 2011-09-26 2013-04-18 Nec Corp Device for heating deposition material, vapor deposition apparatus, vapor deposition method and substrate
KR20170059333A (en) * 2015-11-20 2017-05-30 황창훈 Plane evaporation source and plane source evaporator deposition equipments for OLED device production

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019212178A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 주식회사 티지오테크 Mother plate and method for producing mask
KR102040594B1 (en) 2018-11-13 2019-11-06 케이맥(주) Device and method for inspecting micro OLED
KR20200109874A (en) * 2019-03-15 2020-09-23 주식회사 올레드온 Multiple curved plane evaporation source for organic film deposition process of high resolution AMOLED device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101988115B1 (en) 2019-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101988115B1 (en) Circular plane type evaporation source for micro OLED production, and Evaporation device having it
Tudose et al. Chemical and physical methods for multifunctional nanostructured interface fabrication
KR102318264B1 (en) Depositing apparatus
US20190226090A1 (en) Nozzle for a distribution assembly of a material deposition source arrangement, material deposition source arrangement, vacuum deposition system and method for depositing material
KR20170095371A (en) Material deposition arrangement, a vacuum deposition system and method for depositing material
WO2014198112A1 (en) Organic film coating device and film coating method
CN102899609A (en) Mask and evaporation device and method for producing organic light-emitting display panel
WO2019148570A1 (en) Vacuum deposition device and vacuum deposition method
JP2013140679A (en) Organic el light source
US9303317B2 (en) Deposition apparatus
CN109536886B (en) Evaporation device and OLED panel evaporation method
NL1001346C2 (en) Method and device for applying orientation layers to a substrate for aligning liquid crystal molecules.
US20200176682A1 (en) Organic layer and method of manufacturing the same, directional heat source assembly, and display panel
TW201629247A (en) Physical vapor deposition system and physical vapor depositing method using the same
KR20170104103A (en) Curved plane type evaporation source for high resolution OLED pattern production
CN110055498B (en) Surface evaporation source, manufacturing method thereof, evaporation method and evaporation device
US10190207B2 (en) Evaporation method
KR101984345B1 (en) Plane source evaporator deposition equipments having plane evaporation source for OLED device production
TW202037739A (en) Vapor source for depositing an evaporated material, nozzle for a vapor source, vacuum deposition system, and method for depositing an evaporated material
KR102107288B1 (en) Framed large size plane type evaporation source apparatus
KR101921648B1 (en) Cluster type manufacturing equipment using vertical type plane source evaporation for high definition AMOLED devices
CN210529032U (en) Evaporation plating device
CN113174566A (en) Evaporation curved surface source and evaporation system
KR102161150B1 (en) Multiple curved plane evaporation source for organic film deposition process of high resolution AMOLED device
WO2019113852A1 (en) Mask used for vacuum vapor deposition, vapor deposition method, display apparatus, and vapor deposition device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant